JP7040907B2 - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態の表面照射型の固体撮像装置を構成する半導体装置100の構成の一例を示す断面図である。
図4は、本実施形態の表面照射型の固体撮像装置を構成する半導体装置100の構成の一例を示す断面図である。半導体装置100は、第1実施形態の半導体装置100と同様、n型の半導体層10の内部に設けられたフォトダイオードを構成するp型の受光部30と、受光部30の光入射側に設けられ、アモルファスシリコンで構成された緩衝層40と、を含む。
図6は、本実施形態の表面照射型の固体撮像装置を構成する半導体装置100の構成の一例を示す断面図である。半導体装置100は、第1実施形態の半導体装置100と同様、n型の半導体層10の内部に設けられたフォトダイオードを構成するp型の受光部30と、受光部30の光入射側に設けられ、アモルファスシリコンで構成された緩衝層40と、を含む。
29 絶縁膜
30 受光部
40 緩衝層
42、51、55 高屈折率層
50 集光部
52 レンズ部
100 半導体装置
Claims (5)
- 第1の導電型を有する半導体層の内部に設けられ、前記第1の導電型とは異なる第2の導電型を有する受光部と、
前記受光部の光入射側に、前記受光部と接して設けられ、アモルファスシリコンで構成された緩衝層と、
前記半導体層及び前記緩衝層の光入射側に設けられた絶縁膜と、
前記緩衝層と前記絶縁膜との間に設けられ、前記絶縁膜の屈折率よりも高い屈折率を有する高屈折率層と、
を含む半導体装置。 - 前記緩衝層は、前記第2の導電型である、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記緩衝層を、前記アモルファスシリコンに代えてポリシリコンで構成した
請求項1または請求項2に記載の半導体装置。 - 第1の導電型を有する半導体層の内部に前記第1の導電型とは異なる第2の導電型を有する受光部を形成する工程と、
前記受光部の光入射側に、前記受光部と接して、アモルファスシリコンで構成された緩衝層を形成する工程と、
前記緩衝層の光入射側に反射防止膜を形成する工程と、
前記半導体層及び前記反射防止膜の光入射側に、前記反射防止膜の屈折率よりも低い屈折率を有する絶縁膜を形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。 - 前記緩衝層を、前記アモルファスシリコンに代えてポリシリコンで構成する
請求項4に記載の製造方法。
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