JP7036864B2 - 測定異常検出装置、および、測定異常検出方法 - Google Patents
測定異常検出装置、および、測定異常検出方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7036864B2 JP7036864B2 JP2020091637A JP2020091637A JP7036864B2 JP 7036864 B2 JP7036864 B2 JP 7036864B2 JP 2020091637 A JP2020091637 A JP 2020091637A JP 2020091637 A JP2020091637 A JP 2020091637A JP 7036864 B2 JP7036864 B2 JP 7036864B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- unit
- time
- measurement
- film thickness
- measurement abnormality
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims description 175
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 title claims description 120
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 66
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 238
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 116
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 43
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 34
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 28
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 19
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 10
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 143
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 16
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 16
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 15
- 230000004044 response Effects 0.000 description 11
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 4
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000003380 quartz crystal microbalance Methods 0.000 description 2
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- -1 aluminum quinolinol Chemical compound 0.000 description 1
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000012804 iterative process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
- G01B7/02—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness
- G01B7/06—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness
- G01B7/063—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness using piezoelectric resonators
- G01B7/066—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness using piezoelectric resonators for measuring thickness of coating
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B17/00—Measuring arrangements characterised by the use of infrasonic, sonic or ultrasonic vibrations
- G01B17/02—Measuring arrangements characterised by the use of infrasonic, sonic or ultrasonic vibrations for measuring thickness
- G01B17/025—Measuring arrangements characterised by the use of infrasonic, sonic or ultrasonic vibrations for measuring thickness for measuring thickness of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
- C23C14/546—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material using crystal oscillators
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices Characterised By Use Of Acoustic Means (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
本発明は、水晶振動子に堆積した堆積物の測定異常を検出する測定異常検出装置、および、測定異常検出方法に関する。
上述した膜厚測定を行う装置は、真空蒸着装置などの成膜装置に搭載される。膜厚測定装置が採用するQCM(Quartz Crystal Microbalance)法は、水晶振動子を加振することにより得られる直列共振周波数や半値半幅から堆積物の膜厚を測定したり、水晶振動子が製品寿命に達したことを検出したりすることに用いられる(例えば、特許文献1,2,3、非特許文献1を参照)。水晶振動子の直列共振周波数と膜厚との関係は、例えば、下記式(1)によって示される。水晶振動子の半値半幅と膜厚との関係は、例えば、下記式(2)によって示される。なお、直列共振周波数におけるコンダクタンスの1/2が半値であり、直列共振周波数を頂点とした山形状を描く関数の半値における全幅の1/2が半幅である。下記式(2)において、半値における全幅の1/2は、半値半幅Fwとも表記する。差分ΔFwは、半値半幅Fwの変動量であり、相互に異なる2つの膜厚間での半値半幅Fwの変動量に対応する。
下記式(1)は、堆積時の水晶振動子における直列共振周波数を系の入力として利用する場合に使用される。式(1)は、主に金属や金属酸化物などの比較的に硬い膜が水晶振動子に堆積する場合に用いられる。
下記式(2)は、複素弾性率Gと損失弾性率G”とを系の入力として利用する場合に用いられる。すなわち、複素弾性率Gと損失弾性率G”との算出において堆積時の水晶振動子における直列共振周波数、および、半値周波数を系の入力として利用する場合に使用される。直列共振周波数は、基本波と、基本波の3倍波などのn倍波を用いてもよい。式(2)は、有機膜などの比較的に柔らかい膜が水晶振動子に堆積する場合に用いられる。
なお、式(1)を用いる構成と式(2)を用いる構成との差異として、式(1)では、直列共振周波数のみを利用しているために測定における構成を簡略化できることが挙げられる。一方、式(2)では、半値周波数が変数として加わること等から、導出する入力次元数が上昇する方向、すなわち計算ステップ数が増加する方向となり、測定における構成が式(1)を主に利用する構成と比べて複雑となるが、測定精度の向上が期待できる。仮に、特許文献4に記載のn倍波等を利用する場合は、測定精度の向上が更に顕著になる。
式(2)において、差分ΔFwは、未堆積時の水晶振動子における半値半幅Fwqと、堆積時の水晶振動子における半値半幅Fwcとの差分として求められる。堆積時の水晶振動子における半値半幅Fwcは、一般的に測定可能な値であり入力値とすることができる。なお、差分ΔFwは、式(2)の右辺に示されているように、次に説明するパラメータを用いて求めることもできる。Gは複素弾性率、G’は貯蔵弾性率、G”は損失弾性率である。ωは角周波数、F0は基本周波数、Zqは水晶のせん断モード音響インピーダンスである。複素弾性率G、貯蔵弾性率G’、損失弾性率G”は、先行する技術文献に記載の手法を用い、堆積時の水晶振動子における直列共振周波数、および、半値周波数を測定し、その測定結果を変数である入力値として利用することによって求めることができる。なお、直列共振周波数は、例えば、基本波とその3倍波などのn倍波を複合して求めることもできる。式(2)を利用すれば、直列共振周波数fcと半値周波数とを変数である入力値とし、堆積物の膜厚tfは、膜厚tf=f(直列共振周波数fc、半値周波数)のように、直列共振周波数fcと半値周波数との関数として表記することができる。
Sensors and Actuators B37:(1996)111-116
蒸着物質を昇華させる蒸着源の熱容量は、生産効率を高める観点から、通常、非常に大きな値に設計されており、数分程度の時間間隔では容易に変動しないような大きさを有している。すなわち、蒸着源内における蒸着物質の蒸発量が変動することに起因して生じ得る膜厚の時間変化率における変動のなかで、真空度が変動することによる影響を上回るような変動は、通常、数分程度の時間間隔では生じ得ない。一方で、上記式(1)を用いて得られる膜厚の時間変化率であっても、数分程度の時間間隔で、特異的な変化を生じ得ることが新たに認められている。膜厚の時間変化率における特異的な変化とは、堆積時の水晶振動子における直列共振周波数の時間変化率が急に減少し、数分程度が経過したの後に、もとの値に戻るという現象である。膜厚の時間変化率を所謂速度に例えて以下に説明すると、加速度は通常、定数として見做せるが、特異的な変化が発生した時点においては、定数として見做せる範囲を超過していると説明できる。なお、特異的な変化が発生した時点から数分程度が経過すると、加速度は定数として見做せる範囲に戻る。
図9は、上述した特異的な変化の一例を示すグラフであって、上記式(1)を用いた場合に認められた膜厚の時間変化率を時間的な推移として示すグラフである。図10は、図9の一部を拡大して示すグラフである。図9が示すように、上述した膜厚の時間変化率における特異的な変化は、上述した加速度が変わる事象であり、非定常的に生じ得ることが認められる。図10が示すように、膜厚の時間変化率における特異的な変化では、安定していた膜厚の時間変化率が10%程度の大きさで急に上昇するが、数分から数十分の時間間隔を経た後には、上昇前の時間変化率に戻る。
このように、膜厚の時間変化率が急に上昇して短時間で戻るという特異的な変化は、蒸着源の熱容量が変動することに起因して生じ得るものとは到底いえず、短時間で戻るような時間変化率の変動は、成膜対象の全体において影響を与えるともいえない。しかし、膜厚の時間変化率を蒸着源の温度にフィードバック制御する成膜装置では、特異的な変化における時間変化率の急な上昇に基づいて蒸着源の出力が一旦低められてしまい、成膜対象における膜厚の時間変化率が実際に低められてしまう。そして、特異的な変化における時間変化率の急な戻りに基づいて蒸着源の出力が高められてしまい、膜厚の時間変化率を実際に振動させてしまう。
本発明の目的は、膜厚の時間変化率における特異的な変化を検出可能にした測定異常検出装置、および、測定異常検出方法を提供することである。
上記課題を解決するための測定異常検出装置は、水晶振動子に対する発信と前記水晶振動子からの受信との相関関係を用いて前記水晶振動子に堆積する膜厚の時間変化率を算出する際に、前記膜厚の時間変化率が一時的に増減する現象を測定異常として検出する測定異常検出装置であって、前記相関関係から導かれる位相または虚数部に基準を設け、前記測定異常に追従し得る標本を前記基準によって確定して、前記標本の時間変化量が前記測定異常によるものか否かを評価することによって前記測定異常を検出する。
上記課題を解決するための測定異常検出方法は、水晶振動子に対する発信と前記水晶振動子からの受信との相関関係を用いて前記水晶振動子に堆積する膜厚の時間変化率を算出する際に、前記膜厚の時間変化率が一時的に増減する現象を測定異常として検出する測定異常検出方法であって、前記相関関係から導かれる位相または虚数部に基準を設け、前記測定異常に追従し得る標本を前記基準によって確定して、前記標本の時間変化量が前記測定異常によるものか否かを評価することによって前記測定異常を検出する。
上述したように、上記式(1)を用いて得られる膜厚の時間変化率であっても、数分から数十分の時間間隔で、特異的な変化を生じ得ることが新たに認められている。膜厚の時間変化率における特異的な変化は、水晶振動子における直列共振周波数の時間変化率が、数分から数十分の時間間隔で、急に変動して戻ることである。本発明者らは、こうした特異的な変化を鋭意研究するなかで、上述した特異的な変化が水晶振動子において偏位的に観察される傾向を見出した。また、上述した特異的な変化が生じる際の発信と受信との相関関係を詳細に解析するなかで、水晶振動子におけるアドミッタンスの算出に利用される位相または虚数部に基準を設け、当該基準によって確定されるアドミッタンスの実数部などのような標本の時間変化量が、特異的な変化に大きく追従することを見出した。そして、上述した特異的な変化は、ノイズなどではなく、堆積物の瞬間的な構造変化に起因するものと推定して、この特異的な変化を分離し得る手段を創作するに至った。
上記構成であれば、まず、相関関係から導かれる位相または虚数部に基準を設け、当該基準によって確定される標本の時間変化量が算出される。そして、標本の時間変化量が測定異常によるものか否かを評価することによって測定異常が検出される。相関関係から導かれる位相または虚数部に設けられた基準によって確定される標本は、上述した特異的な変化に追従する標本であり、例えば、時間変化する基準によって確定された標本と比べて、時間変化する上述した特異的な変化に精度よく反応する。結果として、上述した標本の時間変化量の変化は、膜厚の時間変化率において短時間で戻ると推定される急な上昇を高い精度で検出することを可能とするから、膜厚の時間変化率に発生する特異的な変化を精度よく検出することが可能となる。
なお、相関関係から導かれる位相または虚数部によって設けられる基準は、膜厚の時間変化率を算出する際に用いられる数式群のなかに利用されている物理量の測定値、あるいは1以上の測定値を用いて算出される計算値、さらには、測定値の範囲、あるいは計算値の範囲である。相関関係から導かれる位相または虚数部に設けられる基準は、例えば、アドミッタンスの算出に用いられる位相や虚数部、あるいはインピーダンスの算出に用いられる位相や虚数部である。基準によって確定される標本は、膜厚の時間変化率を算出する際に用いられる数式群のなかに利用されている測定値、あるいは1以上の測定値を用いて算出される計算値、さらには、測定値の範囲、あるいは計算値の範囲であり、例えば、アドミッタンスの実数部や、インピーダンスの実数部である。
上記構成において、前記基準は、前記水晶振動子におけるアドミッタンスの虚数部であり、前記標本は、前記水晶振動子におけるアドミッタンスの実数部であってもよい。この構成によれば、膜厚の時間変化率に発生している急な上昇が上述した特異的な変化であることを、高い精度のもとで判定することが可能となる。
上記構成において、前記膜厚の時間変化率を算出する算出部と、前記標本の時間変化量が正常範囲外であることを前記測定異常とする検出部と、前記検出部が前記測定異常を検出する直前の前記算出部での算出結果を保持するためのホールド処理を実行し、前記標本の時間変化量が正常範囲内に戻るときに前記ホールド処理を解除する制御部と、を備えてもよい。
上記構成によれば、ホールド処理が行われている期間にわたり、すなわち、特異的な変化が発生している期間にわたり、膜厚の時間変化率として、より本来の値に近い値を出力することが可能ともなる。そして、ホールド処理が終了した後には、特異的な変化が発生していた系を用い、膜厚の時間変化率について、本来の値を再び算出することが可能ともなる。
上記構成において、前記相関関係を収集するための第1センサー部と、前記相関関係を収集するための第2センサー部と、を用い、一方のセンサー部を用いて得た前記標本の時間変化量の評価において前記測定異常を検出したときに、他方のセンサー部が収集した前記相関関係を用いて前記膜厚の時間変化率を算出してもよい。
上記構成によれば、上述した特異的な変化が発生している期間にわたり、他方のセンサー部を用い、これにより、膜厚の時間変化率として、本来の値を算出することが可能となる。そして、他方のセンサー部を用いて得た標本の時間変化量の評価において測定異常を検出したときには、一方のセンサー部を用い、これにより、膜厚の時間変化率として、本来の値を算出することが可能となる。結果として、膜厚の時間変化率を継続的に精度よく算出することが可能ともなる。
上記構成において、前記水晶振動子のなかで蒸着源と対向する側面に2つの電極が位置し、前記第1センサー部が一方の電極を備え、前記第2センサー部が他方の電極を備えてもよい。
上記構成によれば、本来の値といえる膜厚の時間変化率を継続的に算出することが、単一の水晶振動子を用いて実現可能ともなる。
以下、図1から図8を参照して、測定異常検出装置、および測定異常検出方法の一実施形態を説明する。本実施形態では、測定異常検出装置を備える膜厚測定装置が成膜装置に搭載されている例を説明する。膜厚測定装置は、膜厚の測定、および膜厚測定の異常判定を行う。成膜装置は、膜厚測定装置から出力される膜厚や判定結果に基づいて蒸着材料の膜厚の時間変化率についてフィードバック制御などを実行する例を説明する。
図1が示すように、成膜装置は、真空槽11を備える。真空槽11は、蒸着源12、および、検出装置14を内部に収容する。蒸着源12は、外部の電源13に接続されている。蒸着源12は、電源13から電力の供給を受けて、蒸着材料を図示しない基板に向けて昇華させる。
蒸着源12での昇華方式は、例えば、抵抗加熱式、誘導加熱式、電子ビーム加熱式などである。蒸着材料は、有機材料、金属材料、金属酸化物や金属窒化物などの金属化合物材料である。基板は、半導体基板、石英基板、ガラス基板、樹脂フィルムなどである。蒸着材料は、基板と検出装置14とにおいてほぼ同じように堆積する。
膜厚測定装置は、検出装置14と、制御装置20とを備える。制御装置20は、制御部21、記憶部22、測定部23、および異常検出部24を備える。制御装置20は、検出装置14を制御する機能に加えて、成膜装置を制御する機能を兼ね備える。
検出装置14は、水晶振動子を備える。水晶振動子は、所定の直列共振周波数を固有振動数として有する。水晶振動子を構成する材料は、例えば、ATカット型水晶振動子、あるいは、SCカット型水晶振動子である。水晶振動子の直列共振周波数は、例えば、3MHz以上6MHz以下である。
検出装置14は、基板に堆積した堆積物の膜厚、および、膜厚の時間変化率を測定するために用いられる。膜厚や膜厚の時間変化率などに関わる測定値、および計算値は、成膜装置が行う処理のフィードバック量として成膜装置に用いられる。検出装置14は、真空槽11のなかで蒸着源12と対向するように配置されている。検出装置14は、測定部23からの発信信号を受けて水晶振動子の表面に堆積した堆積物と共に振動して発振し、同時にその振動を受信することによって電気信号を生成して、この電気信号を制御装置20に出力する。
水晶振動子の表面は、蒸着源12と対向するように配置されている。図2が示すように、水晶振動子14Bの表面と裏面とには、水晶振動子14Bを加振するための電極14A1,14A2,14Cが位置する。2つの電極14A1,14A2に共通した表面には、任意の時間間隔で蒸着源12から蒸着材料が堆積する。
第1センサー部は、1つの電極14A1、水晶振動子14B、および、裏面に位置する電極14Cから構成される。第2センサー部は、他の1つの電極14A2、水晶振動子14B、および、裏面に位置する電極14Cから構成される。検出装置14は、端子T1,T2のいずれかへの制御装置20からの入力に基づいて、測定用のセンサー部を第1センサー部と第2センサー部とに切り換え可能に構成されている。検出装置14は、水晶振動子14Bに対する発信、および水晶振動子14Bからの受信に用いる電極を、電極14A1と電極14A2とのいずれか一方に設定する。なお、水晶振動子の表面に位置する電極は、1つであってもよいし、3つ以上であってもよい。
水晶振動子14Bの表面に堆積する蒸着材料は、任意の時間間隔で新たに付加された質量として、水晶振動子14Bの振動周波数を変化させる。水晶振動子14Bの表面における堆積物の質量は、堆積物の密度と相関を有する。水晶振動子14Bに対する発信と、水晶振動子14Bからの受信との相関関係を用いることによって、水晶振動子14Bに堆積する膜厚とその時間変化率とを算出することができる。膜厚測定装置は、水晶振動子14Bに対する発信を行い、発信の応答である受信の振動波形から、膜厚とその時間変化率とを間接測定する。
膜厚測定装置は、加振源として周波数信号である交流信号、典型的には正弦波を用いる。加振された水晶振動子14Bは、表面に付着した堆積物を含めた系として応答する。膜厚測定装置は、機械的な振動現象が含まれた水晶振動子の応答を、水晶振動子14Bの圧電効果を介した電気的な振動波形として検出する。膜厚測定装置は、検出結果である波形を記憶し、記憶された波形の解析を行う。膜厚測定装置は、波形の解析結果に含まれる膜厚を抽出して出力する。
図2は、加振に対して応答する系を等価回路によって示す。図2が示す等価回路は、測定系とも言う。図2が示すように、水晶振動子14Bは、等価直列容量C1、等価直列インダクタンスL1、等価直列抵抗R1から構成される直列共振回路と、並列容量C0との並列回路として示される。直列共振回路は、水晶振動子14Bの機械振動要素を含めた等価回路である。なお、図2が示す等価回路は、水晶振動子14Bの表面に1つの電極が位置する例であり、水晶振動子14Bの表面に複数の電極14A1,14A2が位置する構成では、上記等価回路を構成する各回路要素が複数存在する別の等価回路として示される。
並列容量C0は、水晶振動子14Bを保持するためのパッケージなどが有する寄生容量を含めた電極14A1,14A2と電極14Cとの間での容量である。等価直列抵抗R1は、水晶振動子14Bが振動するときの内部摩擦、機械的な損失、音響損失などの振動の損失成分を示す。等価直列抵抗R1が高まるほど、水晶振動子14Bは、振動しにくくなる。
水晶振動子14Bにおけるアドミッタンスの虚数部やインピーダンスの虚数部は、等価直列容量C1、等価直列インダクタンスL1、および等価直列抵抗R1を用いた計算値として特定可能な値である。水晶振動子14Bにおけるアドミッタンスの実数部やインピーダンスの実数部は、等価直列容量C1、等価直列インダクタンスL1、および等価直列抵抗R1を用いた計算値として特定可能な値である。
図1に戻り、制御装置20は、制御部21、記憶部22、測定部23、および、異常検出部24を備える。なお、測定部23は、第1測定部23A、および、第2測定部23Bの少なくとも一方を備えていればよい。すなわち、測定部23は、第1測定部23Aを割愛された構成であってもよいし、第2測定部23Bを割愛された構成であってもよい。制御装置20は、主に成膜装置が行う処理を制御し、制御部21は、主に膜厚測定装置が行う処理を制御する。
制御装置20は、電源13に電力を供給させて、蒸着源12から基板に向けて蒸着材料を昇華させる。制御装置20は、例えば、制御部21から得られる膜厚の時間変化率を用いて、膜厚の時間変化率が目標値となるように、電源13の出力電力をフィードバック制御する。蒸着源12を用いた成膜が開始されると、制御部21は、記憶部22に記憶された測定プログラムや測定異常検出プログラムなどを読み出して、読み出されたプログラムを実行することによって、測定異常検出方法などを実行する。
制御部21は、測定部23から検出装置14に交流信号を入力させる。第1測定部23Aを備える構成において、制御部21は、例えば、直列共振周波数Fsを第1測定部23Aに測定させる。第2測定部23Bを備える構成において、制御部21は、水晶振動子の直列共振周波数Fsの付近に交流信号の周波数を掃引することによって、直列共振周波数Fs、半値周波数F1,F2、および半値周波数幅を、第2測定部23Bに測定させる。
制御部21は、検出装置14の応答である振動波形を記憶部22に記憶させる。制御部21は、測定部23と異常検出部24とが扱う各種の値を記憶部22に記憶させる。制御部21は、振動波形の解析を行う、あるいは測定部23に振動波形の解析を行わせる。制御部21は、予め指定された時間間隔における膜厚、すなわち膜厚の時間変化率を算出する、あるいは測定部23に算出させる。制御部21は、測定部23から入力される各種の値を異常検出部24に処理させる。なお、測定部23は、算出部の一例として機能し、異常検出部24は、検出部の一例として機能する。
制御部21は、制御装置20より成膜が終了したことを受け取ると、測定プログラムの実行を終了させる。
制御部21は、例えば、CPU、RAM、ROMなどのコンピュータに用いられるハードウェア要素、および、ソフトウェアによって構成される。制御部は、各種の処理を全てソフトウェアで処理するものに限らない。例えば、制御部は、各種の処理のうちの少なくとも一部の処理を実行する専用のハードウェアである判定用途向け集積回路(ASIC)を備えてもよい。制御部は、ASICなどの1つ以上の専用のハードウェア回路、コンピュータプログラムであるソフトウェアに従って動作する1つ以上のプロセッサであるマイクロコンピュータ、あるいは、これらの組み合わせ、を含む回路として構成してもよい。
制御部21は、例えば、CPU、RAM、ROMなどのコンピュータに用いられるハードウェア要素、および、ソフトウェアによって構成される。制御部は、各種の処理を全てソフトウェアで処理するものに限らない。例えば、制御部は、各種の処理のうちの少なくとも一部の処理を実行する専用のハードウェアである判定用途向け集積回路(ASIC)を備えてもよい。制御部は、ASICなどの1つ以上の専用のハードウェア回路、コンピュータプログラムであるソフトウェアに従って動作する1つ以上のプロセッサであるマイクロコンピュータ、あるいは、これらの組み合わせ、を含む回路として構成してもよい。
記憶部22は、基準となり得る結果、標本となり得る結果、電圧振動波形、加振周波数範囲、発信信号波形である加振信号波形などの各種の値、膜厚測定プログラム、測定異常検出プログラム、および、正常範囲などの各種のデータを記憶する。各種の波形は、正弦波、矩形波、三角波、および白色雑音信号を含み、各種の波形に関わる値としてデューティ比などを含む。
制御部21は、記憶部22が記憶する各種の値や測定プログラム、および、データを読み出し、測定プログラムを実行することによって、測定部23に各種の処理を実行させる。制御部21は、記憶部22が記憶する各種の値、測定異常検出プログラム、および、データを読み出し、測定異常検出プログラムを実行することによって、測定部23、および異常検出部24に、各種の処理を実行させる。
第1測定部23Aは、記憶部22、および制御部21と連携し、これによって、水晶振動子の直列共振周波数Fsを測定可能に構成されている。第1測定部23Aは、例えば、発信回路と測定回路とを備える。
発信回路は、交流信号を加振信号として水晶振動子を発振させ、検出装置14が備える水晶振動子に、未堆積時の水晶振動子の直列共振周波数Fs、またはその近傍の周波数などの特定の周波数を入力して、水晶振動子を振動させる。測定回路は、例えば、発振を停止させた後の減衰応答として受信信号である電圧振動波形を測定し、その結果を記憶部22に記録する。
制御部21は、記録された電圧振動波形に対して、予め準備された公知の解析手法を用い、膜厚の時間変化率を算出するために、各種の共振特性値を算出する。解析手法の例としては、指数関数的な減衰を利用した手法(以下、Ring-down analysisとも表記する)である。Ring-down analysisは、水晶振動子の表面に付加された変動質量が減衰応答時の運動エネルギー放出変動として観察できることを利用した解析手法である。
制御部21は、記録された電圧振動波形に対して、予め準備された公知の解析手法を用い、発信と受信との相関関係から、特異的な変化による測定異常を検知するための基準となり得る値、あるいは範囲を算出する。また、制御部21は、予め準備された公知の解析手法を用い、標本となり得る値、あるいは範囲を算出する。
第2測定部23Bは、ネットワークアナライザとして機能する。第2測定部23Bは、基準となり得る値、あるいは範囲、標本となり得る値、あるいは範囲、直列共振周波数Fs、半値周波数F1,F2などが、記憶部22、および制御部21と連携せずに測定可能に構成されている。
第2測定部23Bは、発信回路と測定回路とを備える。第2測定部23Bは、水晶振動子に供給した加振信号を、加振信号が重畳した応答である電圧振動波形から除去し、応答信号のみを分離可能に構成されている。
発信回路は、検出装置14が備える水晶振動子に、交流信号を加振信号として入力する。加振信号は、例えば水晶振動子の直列共振周波数Fsの付近における正弦波スイープ法を用いる。測定回路は、例えば応答信号から、基準となり得る値、あるいは範囲、標本となり得る値、あるいは範囲、さらに、これらを用いて算出される直列共振周波数Fs、半値周波数F1,F2、および、半値半幅Fwを求める。
このように、測定部23として第1測定部23A、または第2測定部23Bを備える構成であれば、膜厚を導くための関数である式(1)または式(2)における共振特性値の入力値が得られる。測定部23は、第1測定部23A、または第2測定部23Bのいずれか一方を、測定結果に基づいて制御部21に選択される構成でもよい。また、測定部23は、式(1)から式(6)に記載された変数以外を必要に応じて計算する構成であってもよい。
図3が示すように、半値周波数F1,F2は、直列共振周波数Fsにおけるコンダクタンスの最大値の1/2を与える周波数である。半値周波数幅は、半値半幅Fwの2倍であり、一方の半値周波数F1と他方の半値周波数F2との差分値である。半値半幅Fwは、半値周波数幅の1/2である。なお、コンダクタンスはアドミッタンスの実数部であり、図3は、発信信号として電流を用い、受信信号として電圧を用い測定した例を示す。上述したように、直列共振周波数Fsは、基本波と、基本波の3倍波などのn倍波が利用できるとした。なお、単一の直列共振周波数Fsを選択する場合であれば、基本波を利用する場合にコンダクタンス値が一般的に最大となり、そして、信号強度比であるS/N比を大きく得られる観点から、基本波を直列共振周波数Fsとして選択することが好ましい。
ここで、水晶振動子14Bに堆積する堆積物は、時間の経過に伴って連続的に堆積量を変化させるものであり、図3の横軸に示す周波数は、この堆積量における変動の影響を受けて変動してしまうパラメータである。つまり、直列共振周波数Fsに基準を設けて、当該基準に対応するコンダクタンス値を測定するならば、直列共振周波数Fsが時間的に変化してしまうので、直列共振周波数Fsの変化に基準を逐次追従させてコンダクタンスを求める必要がある。
この点、直列共振周波数Fsにおける基本波の近傍におけるコンダクタンス値の測定であれば、理論的に発信と受信との相関関係における位相差がほぼ0°となるので、コンダクタンス値の最大値近傍の測定値(理論値)を得ることができ、かつ時間的に変化しない基準となるので追従が不要となる。また位相差がほぼ0°であることによってコンダクタンス値の最大値に測定値を追従させられることは、基本波のn倍波を利用する測定においても同様である。併せて、追従が不要であることは、制御装置へのアルゴリズム実装の面や値の管理面から見て、単純化できる効果も同時に奏する。
実施例においては、発信と受信との相関関係における位相差がほぼ0°である際に特異的な変化が観察される測定異常について説明する。この実施例では、位相に基準を設ける、あるいは虚数部に基準を設け、この基準からコンダクタンス値を確定し、こうしたコンダクタンス値を標本として、標本の時間変化量を評価する。これによって、以下に述べる測定異常の判定が高精度に行えることとなる。
なお、水晶振動子における発振周波数の精度や安定性の指標であるQ値、および、D値は、下記式(3)、(4)によって示される。等価直列容量C1が変化せず定数としての取り扱いが可能とすれば、等価直列インダクタンスL1は、直列共振周波数Fsにより下式(5)によって示され、等価直列抵抗R1は、下記式(6)によって示される。これらの式は、記憶部22に保存されている。
制御部21は、時系列的に行われた計算の結果である計算値と、計算に用いられた測定値とに、時系列に従って時間インデックス値を付与し、その後に、記憶部22に記憶させる。
制御部21は、例えば、直列共振周波数Fs、基準になり得る値、あるいは範囲、標本となり得る値、あるいは範囲を、同一の機会に得るとき、これらの値に同一の時間インデクス値を付与する。例えば、制御部21は、半値周波数F1,F2、直列共振周波数Fs、これらの計算に用いた基準となり得る値、あるいは範囲、標本となり得る値、あるいは範囲に、同一の時間インデックス値を付与する。時間インデックス値の付与は、制御部21の他に、測定部23、あるいは異常検出部24のいずれかで行われてもよい。
制御装置20は、上述した相関関係の解析を含め、所定の時間毎に繰り返し処理を実行し、処理を実行するごとに、測定値や計算値を記憶部22に記憶する。測定の時間間隔は、精度面からは処理可能な範囲で最小の時間として固定されてもよいが、制御装置20による一時中断を含めて、可変としてもよい。
なお、繰り返し行われる処理の時間変動は、記憶部22において時間インデックス値の相対関係として記録される。そのため、制御装置20は、基準を設ける処理、当該基準によって標本を確定する処理、標本の時間変化量を算出する処理、膜厚の時間変化率を算出する処理などのように、測定値や計算値を記憶部22に記憶した後の数値処理に測定値や計算値を利用することが可能ともなる。
図1に戻り、異常検出部24は、測定部23が測定や解析に使用した信号、および、記憶部22が記憶する測定値や計算値を利用可能に構成される。記憶部22が記憶する測定値や計算値は、発信や受信の時間応答波形である電圧振動波形、直列共振周波数Fs、半値周波数F1,F2、等価直列抵抗R1、膜厚である。
記憶部22が記憶する測定値や計算値は、基準となり得る値、あるいは範囲、および標本となり得る値、あるいは範囲を含む。基準と標本とは、一対一の対応関係を有し、基準が設けられることによって標本が確定するように、例えば、時間インデックス値を有したスプレッドシート状のデータとして記憶されている。
基準は、水晶振動子に対する発信と水晶振動子からの受信との相関関係から導かれる位相または虚数部の値、あるいは範囲である。基準とは、一定といえるサセプタンスの値、あるいはその範囲などのように、膜厚の時間変化率における特異的な変化に追従しない値、あるいはその範囲である。この相関関係を時間領域で説明すると、発信信号に対する受信信号の進みや遅れの時間値あるいはその範囲が、基準となる。なお、サセプタンスの値が一定であるなかで、ほぼゼロであることは、水晶振動子に対する発信と水晶振動子からの受信とがほぼ同位相であるという相関関係を定める。同位相を時間領域で説明すると、発信信号と受信信号との間に進みや遅れが観察されないことを意味する。こうした基準は、特異的な変化を発生させる実験の解析などに基づいて設定される。例えば解析の結果、特定の位相差を基準として設けた場合、位相は周期に対する比に相当するから、発信信号と受信信号との間の進みや遅れを基準とする場合と比べて、堆積物の時間変動に応じて基準を変化させる必要が無く、前述した通り単純化できる。
標本は、水晶振動子に対する発信と水晶振動子からの受信との相関関係において基準によって確定される値、あるいは範囲である。標本とは、サセプタンスの値が一定といえるときのコンダクタンスの値、あるいはその範囲などのように、上述した特異的な変化に追従し得る値、あるいはその範囲である。なお、基準が値である場合に、標本は値として確定される。基準が範囲である場合に、標本は範囲として確定される。こうした標本は、特異的な変化を発生させる実験での解析などに基づいて設定される。
基準の一例であるサセプタンスは、共振周波数での水晶振動子におけるアドミッタンスの虚数部、あるいはアドミッタンスと位相を用いた三角関数の式として表される。基準の一例であるリアクタンスは、共振周波数での水晶振動子におけるインピーダンスの虚数部、あるいはインピーダンスと位相を用いた三角関数の式として表される。なお、基準となり得る値、あるいは範囲は、アドミッタンスの導出式やインピーダンスの導出式を変形することによって、他の次元量としてもよく、また無次元量としてもよい。
標本の一例であるコンダクタンスは、共振周波数での水晶振動子におけるアドミッタンスの実数部である。標本の一例であるレジスタンスは、共振周波数での水晶振動子におけるインピーダンスの実数部である。なお、標本もまた、アドミッタンスの導出式やインピーダンスの導出式を変形することによって、他の次元量としてもよく、また無次元量としてもよい。
膜厚の時間変化率における特異的な変化とは、膜厚の時間変化率が急に一旦上昇し、蒸着処理のなかの一時的といえる数分または数十分の時間間隔を経て、もとに戻る現象であり、水晶振動子における直列共振周波数の時間変化率が、数分から数十分の時間間隔で、急に減少して戻ることである。
異常検出部24は、特定部25と判定部26とを備える。異常検出部24は、同一の時間インデックス値が付与された2つ値の組み合わせ、あるいは同一の時間インデックス値が付与された2つの範囲の組み合わせを、基準と標本の組み合わせとして取り扱えるように構成されている。なお、基準と標本との取り扱いに際して、測定部と制御部21とは、基準と標本との組み合わせの一群を作成し、こうした複数の群を記憶部22に保存した後に、異常検出部24が各群を利用してもよい。
特定部25は、記憶部22が記憶する基準となり得る値、あるいは範囲のなかで、予め設定された基準内の値、あるいは範囲を特定する。予め設定された基準内とは、例えば、基準となり得る値、あるいは範囲が、時系列的な基準のなかでいずれの基準もほぼ一定であるといえる状態である。時系列的な基準のなかでいずれの基準もほぼ一定であるといえる状態とは、例えば、発信と受信とを同一基準の時間領域で記録し、両者を周期単位で比較することで実現できる。具体的には位相、位相差、最大変位点について、その周期を単位として両者が比較されることで、時間次元は相殺されることとなり、時間変化しない基準が実現できる。実施例においては、同位相であるといえる状態を用いている。その他の例として位相差が45°などの一定値、あるいは一定範囲内である状態である。なお、本実施例においては位相差はほぼ0°である際に上述したような、S/N比を特に大きく得られることが確認されており、当該測定異常の検出の観点からは好ましいといえる。
特定部25は、特定された基準に対応付けられる標本を当該基準によって確定する。特定部25は、制御部21からの処理命令に従って、時間変化しない基準によって確定された標本を取り込む。標本の取り込みは、測定部23の処理と同期した逐次処理とするか、基準と標本とに時間インデックス値が付与されている場合であれば、測定部23の処理と非同期の処理としてもよい。なお、測定部23の処理と同期した逐次処理が行われる場合には、特定部25に取り込まれた標本は、インデックスとして時間インデックス値を付与される。
判定部26は、特定部25に取り込まれた標本の時間変化量を算出する。例えば、特定部25によって確定された標本が値である場合、前回の時間インデックス値を付与された標本と、今回の時間インデックス値を付与された標本との間での時間変化量が、標本の時間変化量として算出される。例えば、特定部25によって確定された標本が範囲である場合、前回の時間インデックス値を付与された標本内の中央値と、今回の時間インデックス値を付与された標本内の中央値との間での時間変化量が、標本の時間変化量として算出される。あるいは、特定部25によって確定された標本が範囲である場合、前回の時間インデックス値を付与された標本内の最小値と、今回の時間インデックス値を付与された標本内の最大値との間での時間変化量が、標本の時間変化量として算出される。
標本の時間変化量を定める単位時間、すなわち、前回の時間インデックス値と今回の時間インデックス値との間の時間間隔は、膜厚の時間変化率を定める単位時間と同一である。なお、標本の時間変化量を定める単位時間は、膜厚の時間変化率を定める単位時間よりも短くてもよいし、膜厚の時間変化率を定める単位時間よりも長くてもよい。
判定部26は、標本の時間変化量が正常範囲内であるか否かを、正常範囲を特定する値と標本の時間変化量との大小関係を判別するなどの論理演算を行うことによって判定する。例えば、標本の時間変化量が正常範囲のなかに存在する場合には、標本の時間変化量が正常範囲内であると判定される。標本の時間変化量が正常範囲のなかに存在しない場合には、標本の時間変化量が正常範囲内でないと判定される。
判定部26は、標本の時間変化量が正常範囲内であると判定した場合に、特異的な変化による測定異常が生じていないことを記憶部22、あるいは制御部21に入力する。判定部26は、標本の時間変化量が正常範囲内でないと判定した場合に、特異的な変化による測定異常の発生を検出したことを記憶部22、あるいは制御部21に入力する。制御部21、あるいは制御装置20は、測定異常が生じていることを記憶部22、あるいは判定部26から受け取ると、予め設定された事後処理を実行し、特異的な変化による測定異常の発生を検出した旨の出力を行う。
なお、各標本は、時間インデックス値を有するため、判定部26は、現在から特定の時間範囲の標本を指定でき、指定範囲の標本群を抽出することが可能である。つまり、判定部26は、標本ごとに測定異常の判定を行い、その判定の結果を集計し、直近の時間あたりの異常発生率である各標本単位の異常率を計算することができる。これは、各標本の基準ごとに時間領域の異常検出感度を設定できることを意味する。言い換えると、判定部26は、複数の基準を設けると共に、各基準に対応する標本に正常範囲を設けて、測定異常の判定を行い、さらに、各基準に単位時間あたりの異常率が超過したか否かを重ねて判定し、その後に、測定異常の検出とする処理が可能となる。別の類似手法として、例えば一次遅れを模した数値演算手法に代えて、同様の機能を実現してもよい。加えて、後述する各標本の基準に異なる重み付けを行い合算を評価してもよい。
制御部21、あるいは制御装置20は、例えば、予め設定された事後処理として、測定に用いられるセンサー部を第1センサー部と第2センサー部との間で切り換える切り換え処理、あるいは、膜厚の時間変化率を保持するためのホールド処理を実行する。すなわち、予め設定された事後処理は、一時的に生じる特異的な変化が収まったものと推定されるときに、測定異常と判定された水晶振動子を用いて再度測定を行うために、当該水晶振動子を用いた測定を待機させる処理である。
切り換え処理を実行する制御部21は、第1センサー部と第2センサー部とのいずれが測定に用いられているかを、測定部23や検出装置14に対する指令から把握するように構成される。制御部21は、特異的な変化による測定異常の発生が検出されたとき、測定に用いられるセンサー部が現在とは異なる他のセンサー部に切り替わるように、測定部23や検出装置14に以降の測定を継続させる。
例えば、第1センサー部を用いた測定において、特異的な変化による測定異常の発生が検出されたとき、制御部21は、測定に用いられるセンサー部を第2センサー部に切り換えて、測定部23や検出装置14に以降の測定を継続させる。そして、第2センサー部を用いた測定において、特異的な変化による測定異常の発生が検出されたとき、制御部21は、測定に用いられるセンサー部を再び第1センサー部に切り換えて、測定部23や検出装置14に以降の測定を継続させる。
ホールド処理を実行する制御部21は、基準となり得る値や標本となり得る値と同じように、算出された膜厚の時間変化率に時間インデックス値を付与して、記憶部22に記憶させるように構成される。制御部21は、特異的な変化による測定異常の発生が検出されたときにホールド処理を実行し、その後、特異的な変化による測定異常が生じていないと判定されたときにホールド処理を解除する。
例えば、制御部21は、特異的な変化による測定異常の発生が検出されて以降、現在の膜厚の時間変化率として、測定異常の検出直前における時間インデックス値を参照し、当該時間インデクス値が付与された膜厚の時間変化率を出力する。制御部21は、標本の時間変化量が正常範囲内に戻るまでホールド処理を実行し、標本の時間変化量が正常範囲内に戻ったときに、当該時間変化量が検出された直後の時間インデックス値を参照し、当該時間インデクス値が付与された膜厚の時間変化率を出力する。すなわち、制御部21は、標本の時間変化量が正常範囲内に戻るまでホールド処理を実行し、標本の時間変化量が正常範囲内に戻ったときに、当該ホールド処理を解除する。
上述したように、水晶振動子を用いた膜厚の測定とは、水晶振動子に蒸着材料が堆積する際の時系列的な測定である。そのため、水晶振動子での蒸着材料の堆積が進行すると、付加された質量に準じて直列共振周波数が低下する。上述した特異的な変化による測定異常とは、直列共振周波数の低下が急に大きくなった後に短時間で戻ることである。
上述した特異的な変化は、成膜装置における真空度を変えることなく発生する。一方で、膜厚の時間変化率が急に上昇することを温度上昇で実現するためには、蒸着源の熱量を急に上昇させることを要する。しかし、蒸着物質を消化させる蒸着源の熱容量は、通常、非常に大きな値に設計されており、数分程度の時間間隔では容易に変動しないような大きさを有している。すなわち、10%にも及ぶ膜厚の時間変化率を急に上昇させることは、蒸着源の熱量が上昇することでは生じ得ない。以上のことから、上述した特異的な変化による測定異常とは、蒸着材料の突沸(スプラッシュ)による水晶振動子での着膜の不均一化や、蒸着材料に含まれる不純物による水晶振動子での着膜の不均一化によるものと推定される。
一方で、膜厚の時間変化率を蒸着源の温度にフィードバック制御する成膜装置では、特異的な変化による測定異常が発生すると、膜厚の時間変化率が急に上昇することに伴い、蒸着源の出力が一旦低められてしまい、成膜対象における膜厚の時間変化率が実際に低められてしまう。そして、特異的な変化における時間変化率の急な戻りに基づいて蒸着源の出力が高められてしまい、膜厚の時間変化率を実際に振動させてしまう。
この際、膜厚の時間変化率が急に上昇した場合であっても蒸着源の出力が急に高められないように、例えば、膜厚の時間変化率を平均化した値、あるいは、平均化した値と上限値と下限値とを組み合わせた値を、信号処理による平均化を用いて、蒸着源の温度にフィードバック制御するとする。この信号処理によれば、フィードバック値となる膜厚の時間変化率に安定化は図られる。しかし、上述した急な上昇を抑える程度に値を安定させるためには、過去に収集した数多くの標本を平均化に用いることを要してしまい、結果として、本来必要とされる応答までもが大きく遅れてしまう。また、フィードバック値に上限値と下限値とを設け、上限値と下限値との幅を狭くすることで、制御の安定化を図るとしても、蒸着中に熱流束が少なからず変動するプロセス下では、上限値と下限値との幅にも限りがある。
本発明者らは、上述した特異的な変化が生じる際の発信と受信との相関関係を詳細に解析するなかで、水晶振動子14Bにおけるアドミッタンスの虚数部などを時間変化しない基準として設け、当該基準によって確定されるアドミッタンスの実数部などのような標本の時間変化量が、特異的な変化に大きく追従することを見出した。
この点、上記測定異常検出装置、および測定異常検出方法であれば、アドミッタンスの算出に用いられる位相やアドミッタンスの虚数部などのように時間変化しない基準の候補、およびアドミッタンスの実数部などのように基準に確定される標本の候補が記憶部22に逐次記憶される。そして、制御装置20が時間変化しない基準を設け、当該基準から確定される標本の時間変化量が正常範囲であるか否かを異常検出部24が判定する。直列共振周波数が堆積に伴って変化し続ける系においても、アドミッタンスを算出するための位相やアドミッタンスの虚数部のように時間変化しない基準によって確定される標本は、アドミッタンスの実数部のように、特異的な変化に追従する標本である。そして、こうした標本は、時間変化する成分と時間変化しない成分とから測定、あるいは計算された直列共振周波数などと比べて、時間変化する現象に高い感度を有する。結果として、膜厚の時間変化率において短時間で戻ると推定される急な上昇を高い精度で検出することを可能とするから、膜厚の時間変化率に発生している急な上昇が上述した特異的な変化であるか否かを判定することが可能となる。
<実施例>
図4から図7を参照して測定異常の検出例を示す。
アルミニウムキノリノール錯体(Alq3)を蒸着材料として蒸着源に一定量の電力を投入し、蒸着源における単位時間当たりの熱収支を一定に保ちながら、上記式(1)を採用する膜厚測定装置によって、この期間における膜厚の時間変化率他を測定した。図4は、測定された膜厚の時間変化率、すなわち蒸着速度における時間的な推移をアドミッタンスの虚数部と共に示す。図5は、測定された膜厚の時間変化率における時間的な推移をアドミッタンスの実数部での差分値、すなわちアドミッタンスの実部差分値と共に示す。図6,7は、図5の一部である領域A、および領域Bを拡大して示すグラフであり、膜厚の時間変化率における特異的な変化を拡大して示す。なお、膜厚の時間変化率は、測定値のなかのいずれかを1とした比率表示としているが、信号処理や後段の情報処理作業を削減する目的で蒸着速度とした単位系(例えば0.1nm/sec)として表してもよい。図4から図9では、当該単位系に読み替えても、同義として取り扱うことができる。
図4から図7を参照して測定異常の検出例を示す。
アルミニウムキノリノール錯体(Alq3)を蒸着材料として蒸着源に一定量の電力を投入し、蒸着源における単位時間当たりの熱収支を一定に保ちながら、上記式(1)を採用する膜厚測定装置によって、この期間における膜厚の時間変化率他を測定した。図4は、測定された膜厚の時間変化率、すなわち蒸着速度における時間的な推移をアドミッタンスの虚数部と共に示す。図5は、測定された膜厚の時間変化率における時間的な推移をアドミッタンスの実数部での差分値、すなわちアドミッタンスの実部差分値と共に示す。図6,7は、図5の一部である領域A、および領域Bを拡大して示すグラフであり、膜厚の時間変化率における特異的な変化を拡大して示す。なお、膜厚の時間変化率は、測定値のなかのいずれかを1とした比率表示としているが、信号処理や後段の情報処理作業を削減する目的で蒸着速度とした単位系(例えば0.1nm/sec)として表してもよい。図4から図9では、当該単位系に読み替えても、同義として取り扱うことができる。
図4が示すように、実施例における蒸着速度には、蒸着時間が経過するに連れて減少して蒸着時間と反比例の関係を有すること、すなわち、蒸着速度が時間変化していることが認められた。言い換えれば、水晶振動子での蒸着材料の堆積が進むに連れて、直列共振周波数が低下するように、直列共振周波数が時間変化していることが認められた。そして、蒸着速度には、急に大きくなった後に短時間で戻るという特異的な変化を非定常的に生じていることが認められた。この非定常的な特異的な変化は、真空度、投入電力、熱収支らが一定である条件下であるにも関わらず認められるため、採用している数式の物理モデルとは異なる現象が観察されていると想定している。
本実施例においては、この特異的な変化を測定異常として検出することを説明する。
本実施例においては、位相または虚数部に基準を設け、次に、基準によって標本を確定する。標本は、標本となり得るデータのうちから、測定異常を精度良く検出できる標本を選択することが望ましい。異なる測定異常を検出する場合でも、下記と同様の手順を行うことによって、基準を設けること、および基準から標本を確定することが可能となる。なお、後述している様に、物理モデルと測定結果との差が、特異的な変化である測定異常の主因であるため、適切な標本を確定することで、多種多様な測定異常の検出を行うことが可能ともなる。
本実施例においては、位相または虚数部に基準を設け、次に、基準によって標本を確定する。標本は、標本となり得るデータのうちから、測定異常を精度良く検出できる標本を選択することが望ましい。異なる測定異常を検出する場合でも、下記と同様の手順を行うことによって、基準を設けること、および基準から標本を確定することが可能となる。なお、後述している様に、物理モデルと測定結果との差が、特異的な変化である測定異常の主因であるため、適切な標本を確定することで、多種多様な測定異常の検出を行うことが可能ともなる。
図4が示すように、実施例の測定におけるアドミッタンスの虚数部は、時間が経過するに連れて蒸着速度のように変化することなく、また、特異的な変化に追従することもなく、時間変化しないことが認められた。なお、図示して説明しないが、実施例におけるアドミッタンスの虚数部と同じように、実施例の測定における位相に関しても、時間が経過するに連れて変化することなく、また、特異的な変化に追従することもなく、時間変化しないことが認められた。虚数部に基準を設け、当該基準によって確定されるアドミッタンスの実数部を標本とした結果を図5,6,7に示す。
図5が示すように、実施例におけるアドミッタンスの実数部における差分値、すなわちアドミッタンスの実数部における時間推移は、時間が経過するに連れて変化しない期間を多く含むことが認められる一方で、アドミッタンスの実数部における差分値には、蒸着速度と同じく、特異的な変化に反応するように、急に大きくなった後に短時間で戻るという変化が非定常的に生じていることも認められた。なお、アドミッタンスの実数部における差分値は、前回の測定時におけるアドミッタンスの実数部から今回の測定時におけるアドミッタンスの実数部を差し引いた値であり、差分値を定める単位時間は、蒸着速度を定める単位時間と同じである。なお、図示して説明しないが、アドミッタンスの実数部における時間変化量は、特異的な変化に反応するような現象は見られず、標本としては不適格であることが確認された。
特異的な変化の部分を拡大して図示している図6,7が示すように、蒸着速度には、蒸着速度が5%程度急に上昇し、数分程度が経過した後に、もとの値に戻るという上述した特異的な変化が認められた。これに対して、アドミッタンスの実数部における差分値、すなわち、アドミッタンスの実数部における時間変化量にも、特異的な変化がはじまるタイミングで、明確な増減を急に繰り返すことが認められた。言い換えれば、アドミッタンスの実数部における時間変化量は、蒸着速度における特異的な変化に連動していることが認められた。
以上によりアドミッタンスの実数部における時間変化量は、標本として有効であるといえるが、特異的な変化にのみに連動する標本といえるか否かを確認するため、蒸着源へ投入する電力を遮断し、蒸着源における単位時間当たりの熱収支熱量を意図的に変動させる確認を行った。電力遮断前後に確認されたアドミッタンスの実数部における時間変化量の推移を図8に示す。
図8が示すように、時間が4516分を経過したときに電力供給が遮断されると、蒸着源に対する熱供給が停止されて、蒸着源の熱量が蒸着源の熱容量に応じて室温環境などの系外に放出される。すなわち、蒸着源の温度は、典型的な一次遅れ系として推移し、蒸着材料の温度もまた同様な推移を辿り、蒸着材料固有の蒸気圧曲線に従って、単位時間あたりの堆積量も急速に減少する。一方で、アドミッタンスの実数部における時間変化量は、これを反映しないことが確認できた。この結果、アドミッタンスの実数部における時間変化量は、位相または虚数部に基準を設けて確定した標本として、測定異常を検出することが可能であることが認められた。
加えて、電力供給遮断時のアドミッタンスの実数部における時間変化量のバックグラウンドノイズを1(実測値では約±0.05)とした場合、図5,6,7において測定異常検出時のアドミッタンスの実数部における時間変化量は、2倍以上20倍以下である。これは、意図的に行われる堆積量の変化を正常範囲に含めて、正常範囲外であることを特異的な変化による測定異常であるとすることが可能であることを示す。つまり、アドミッタンスの実数部を標本とすることが信号強度比の面からも有効であることを示す。具体的には、バックグラウンドノイズを1とした場合、例えば安全率1.5を乗じて、バックグラウンドノイズに対して1.5倍以上の値が観測されたら、これを測定異常として検出することとすればよい。これは、位相に基準を設けて、当該基準から標本を導き、標本の時間変化量を測定異常として、その評価を行うことについて、より精度を向上させることができたといえる。具体的には、蒸着源への電力を最大から最小へと変化させても、これを起因とした事象については異常として検出せず、測定異常のみを選択的に検出することが可能となる。
以上、上記実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
(1)時間変化しない基準によって確定された標本の時間変化量の変化は、膜厚の時間変化率において短時間で戻ると推定される急な上昇を高い精度で検出することを可能とするから、膜厚の時間変化率に発生している特異的な変化を精度よく検出することが可能となる。
(1)時間変化しない基準によって確定された標本の時間変化量の変化は、膜厚の時間変化率において短時間で戻ると推定される急な上昇を高い精度で検出することを可能とするから、膜厚の時間変化率に発生している特異的な変化を精度よく検出することが可能となる。
(2)ホールド処理が行われる構成であれば、特異的な変化が発生している期間にわたり、膜厚の時間変化率として、より本来の値に近い値を出力することが可能ともなる。そして、ホールド処理が終了した後には、特異的な変化が発生していた系を用い、膜厚の時間変化率について、本来の値を再び算出することが可能ともなる。
(3)切り換え処理が行われる構成であれば、一方のセンサー部を用いて得た標本の時間変化量の評価において測定異常を検出したときには、他方のセンサー部を用い、これにより、膜厚の時間変化率として、本来の値を算出することが可能となる。結果として、膜厚の時間変化率を継続的に精度よく算出することが可能ともなる。
(4)単一の水晶振動子が備える2つの電極14A1,14A2の間で切り換え処理が行われるため、上記(3)に準じて、本来の値といえる膜厚の時間変化率を継続的に算出することが、単一の水晶振動子を用いて実現可能ともなる。
なお、上記実施形態は、以下のように変更して実施することもできる。
・相関関係から導かれる位相または虚数部に設けられる基準は、膜厚の時間変化率を算出する際に用いられる数式群のなかに利用されている物理量の測定値、あるいは1以上の測定値を用いて算出される計算値、さらには、測定値の範囲、あるいは計算値の範囲であればよい。時間変化しない基準は、例えば、アドミッタンスの虚数部に代えて、インピーダンスの算出に用いられる位相やインピーダンスの虚数部を採用することも可能である。実施例においては、式(1)を用いた例を示したが、例えば式(2)を用いて基準を確定してもよく、発信と受信との相関関係を示す式であれば、上記以外の式を用いても可能となる。
・相関関係から導かれる位相または虚数部に設けられる基準は、膜厚の時間変化率を算出する際に用いられる数式群のなかに利用されている物理量の測定値、あるいは1以上の測定値を用いて算出される計算値、さらには、測定値の範囲、あるいは計算値の範囲であればよい。時間変化しない基準は、例えば、アドミッタンスの虚数部に代えて、インピーダンスの算出に用いられる位相やインピーダンスの虚数部を採用することも可能である。実施例においては、式(1)を用いた例を示したが、例えば式(2)を用いて基準を確定してもよく、発信と受信との相関関係を示す式であれば、上記以外の式を用いても可能となる。
・基準によって確定される標本は、膜厚の時間変化率を算出する際に用いられる数式群のなかに利用されている測定値、あるいは1以上の測定値を用いて算出される計算値、さらには、測定値の範囲、あるいは計算値の範囲であればよい。基準によって確定される標本は、例えば、アドミッタンスの実数部に代えて、インピーダンスの実数部を採用することも可能である。実施例においては、式(1)を用いた例を示したが、例えば式(2)を用いて標本を確定してもよく、発信と受信との相関関係を示す式であれば、上記以外の式を用いても可能となる。
・基準によって確定される標本は、アドミッタンスの実数部やインピーダンスの実数部などのように、発信と受信との相関関係における実数部に限らず、測定異常の種類によっては、信号強度比(S/N比)が得られるように、アドミッタンスの虚数部やインピーダンスの虚数部に変更することも可能である。さらに、実数部と虚数部との両方、または、アドミッタンスの大きさやインピーダンスの大きさに変更することも可能である。
・上記実施例においては、位相差がゼロの近傍であることを基準として、特異的な変化による測定異常を検出する例を示した。一方で、位相または虚数部に基準を設けて、当該基準によって確定される標本の時間変化量から測定異常を検出するという技術的思想は、上述した特異的な変化による測定異常以外の測定異常の検出に適用することも可能である。つまり、位相または虚数部に基準を設けて、当該基準によって確定された標本の時間変化量から測定異常を検出することは、式(1)のみならず、式(2)などが想定している物理モデル、言わば、水晶振動子と堆積物との相関関係の範囲外となる事象について、当該事象を検出可能とする。言い換えれば、水晶振動子と堆積物との相関関係の範囲外となる特定したい測定異常について、信号強度比を高められる標本を基準から確定するという有限回の実験を繰り返し、これによって、上記技術的思想を適用した測定異常の検出が可能となる。
・上記実施例における基準である位相差がゼロの近傍となる値、あるいは範囲とは、図4が示す虚数部の値、またはその範囲であるが、その値や範囲はこれに限られず、例えば範囲を更に狭める数値手法を用いるなどで、更に精度を向上させたり、異なる測定異常の検出を目的として行ってもよい。例えば、数値手法として受信信号についてフーリエ変換を行い、受信信号波形について周波数分解を行うことで、例えば厳密に位相差ゼロに対する受信信号波形を特定し、この波形に対して本手法を適用することが挙げられる。
・位相に基準を設けて、信号強度比を高める観点から、加振信号波形を正弦波以外として、基準から確定される標本の信号強度を増強させてもよい。特定したい測定異常が、ある入力周波数に対して選択的に強く応答する場合において、こうした構成は、より高い検出精度を実現可能にする。
・位相に基準を設けて、信号強度比を高める観点から、加振信号波形を正弦波以外として、基準から確定される標本の信号強度を増強させてもよい。特定したい測定異常が、ある入力周波数に対して選択的に強く応答する場合において、こうした構成は、より高い検出精度を実現可能にする。
・実施例においては、基本波のみを利用したが、同一の位相を基準として基本波のn倍波を合わせて標本として利用し、合一あるいは各波に対して重みを変える複合評価を行うことも可能である。この構成によれば、測定異常の検出精度を高めること、また、相互に異なる事象による測定異常を別々に検出することが可能ともなる。
・切り換え処理は、単一の水晶振動子における電極間での切り換えに限らず、複数の水晶振動子を備える構成においては、水晶振動子間での切り換えに適用してもよい。
・上述した特異的な変化は、真空度、投入電力、熱収支らが一定である条件下であるにも関わらず認められるため、真空度、投入電力、熱収支らが一定であることなどの条件を、判定部は異常発生の論理演算時に判定精度の向上に資するよう利用し、上述した特異的な変化による測定異常の発生を検出してもよい。
・上述した特異的な変化は、真空度、投入電力、熱収支らが一定である条件下であるにも関わらず認められるため、真空度、投入電力、熱収支らが一定であることなどの条件を、判定部は異常発生の論理演算時に判定精度の向上に資するよう利用し、上述した特異的な変化による測定異常の発生を検出してもよい。
C1…等価直列容量
Fs…直列共振周波数
F1,F2…半値周波数
Fw…半値周波数幅
L1…等価直列インダクタンス
R1…等価直列抵抗
11…真空槽
12…蒸着源
14A1,14A2,14C…電源
14B…水晶振動子
14…検出装置
20…制御装置
21…制御部
22…記憶部
23A…第1測定部
23B…第2測定部
24…異常検出部
25…特定部
26…判定部
Fs…直列共振周波数
F1,F2…半値周波数
Fw…半値周波数幅
L1…等価直列インダクタンス
R1…等価直列抵抗
11…真空槽
12…蒸着源
14A1,14A2,14C…電源
14B…水晶振動子
14…検出装置
20…制御装置
21…制御部
22…記憶部
23A…第1測定部
23B…第2測定部
24…異常検出部
25…特定部
26…判定部
Claims (6)
- 水晶振動子に対する発信と前記水晶振動子からの受信との相関関係を用いて前記水晶振動子に堆積する膜厚の時間変化率を算出する際に、前記膜厚の時間変化率が一時的に増減する現象を測定異常として検出する測定異常検出装置であって、
前記相関関係から導かれる位相または虚数部に基準を設け、前記測定異常に追従し得る標本を前記基準によって確定して、前記標本の時間変化量が前記測定異常によるものか否かを評価することによって前記測定異常を検出する
測定異常検出装置。 - 前記基準は、前記水晶振動子におけるアドミッタンスの虚数部であり、
前記標本は、前記水晶振動子におけるアドミッタンスの実数部である
請求項1に記載の測定異常検出装置。 - 前記膜厚の時間変化率を算出する算出部と、
前記標本の時間変化量が正常範囲外であることを前記測定異常とする検出部と、
前記検出部が前記測定異常を検出する直前の前記算出部での算出結果を保持するためのホールド処理を実行し、前記標本の時間変化量が正常範囲内に戻るときに前記ホールド処理を解除する制御部と、を備える
請求項1または2に記載の測定異常検出装置。 - 前記相関関係を収集するための第1センサー部と、
前記相関関係を収集するための第2センサー部と、を用い、
一方のセンサー部を用いて得た前記標本の時間変化量の評価において前記測定異常を検出したときに、他方のセンサー部が収集した前記相関関係を用いて前記膜厚の時間変化率を算出する
請求項1から3のいずれか一項に記載の測定異常検出装置。 - 前記水晶振動子のなかで蒸着源と対向する側面に2つの電極が位置し、
前記第1センサー部が一方の電極を備え、
前記第2センサー部が他方の電極を備える
請求項4に記載の測定異常検出装置。 - 水晶振動子に対する発信と前記水晶振動子からの受信との相関関係を用いて前記水晶振動子に堆積する膜厚の時間変化率を算出する際に、前記膜厚の時間変化率が一時的に増減する現象を測定異常として検出する測定異常検出方法であって、
前記相関関係から導かれる位相または虚数部に基準を設け、前記測定異常に追従し得る標本を前記基準によって確定して、前記標本の時間変化量が前記測定異常によるものか否かを評価することによって前記測定異常を検出する
測定異常検出方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020091637A JP7036864B2 (ja) | 2020-05-26 | 2020-05-26 | 測定異常検出装置、および、測定異常検出方法 |
CN202110565378.6A CN113720252B (zh) | 2020-05-26 | 2021-05-24 | 测定异常检测装置及测定异常检测方法 |
KR1020210066293A KR20210146231A (ko) | 2020-05-26 | 2021-05-24 | 측정 이상 검출 장치 및 측정 이상 검출 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020091637A JP7036864B2 (ja) | 2020-05-26 | 2020-05-26 | 測定異常検出装置、および、測定異常検出方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021188940A JP2021188940A (ja) | 2021-12-13 |
JP7036864B2 true JP7036864B2 (ja) | 2022-03-15 |
Family
ID=78672782
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020091637A Active JP7036864B2 (ja) | 2020-05-26 | 2020-05-26 | 測定異常検出装置、および、測定異常検出方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7036864B2 (ja) |
KR (1) | KR20210146231A (ja) |
CN (1) | CN113720252B (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004317493A (ja) | 2003-03-28 | 2004-11-11 | Citizen Watch Co Ltd | Qcmセンサーおよびqcmセンサー装置 |
JP2014509390A (ja) | 2011-02-03 | 2014-04-17 | インフィコン, インコーポレイテッド | 圧電性結晶上の多層薄膜蒸着を決定する方法 |
WO2016031138A1 (ja) | 2014-08-26 | 2016-03-03 | 株式会社アルバック | 膜厚モニタおよび膜厚測定方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5372263A (en) | 1976-12-10 | 1978-06-27 | Rasa Industries | Cloccpreventing method of submerged sieve |
JP2852585B2 (ja) | 1992-09-02 | 1999-02-03 | ハウス食品株式会社 | デザート食品 |
WO2016009626A1 (ja) * | 2014-07-15 | 2016-01-21 | 株式会社アルバック | 膜厚制御装置、膜厚制御方法および成膜装置 |
JP5975073B2 (ja) | 2014-07-30 | 2016-08-23 | コベルコ建機株式会社 | 建設機械 |
KR101870581B1 (ko) * | 2017-09-29 | 2018-06-22 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 수정진동자의 수명 판정방법, 막두께 측정장치, 성막방법, 성막장치, 및 전자 디바이스 제조방법 |
CN109881163A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-06-14 | 张晓军 | 一种薄膜沉积工艺控制系统及方法 |
-
2020
- 2020-05-26 JP JP2020091637A patent/JP7036864B2/ja active Active
-
2021
- 2021-05-24 KR KR1020210066293A patent/KR20210146231A/ko active Search and Examination
- 2021-05-24 CN CN202110565378.6A patent/CN113720252B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004317493A (ja) | 2003-03-28 | 2004-11-11 | Citizen Watch Co Ltd | Qcmセンサーおよびqcmセンサー装置 |
JP2014509390A (ja) | 2011-02-03 | 2014-04-17 | インフィコン, インコーポレイテッド | 圧電性結晶上の多層薄膜蒸着を決定する方法 |
WO2016031138A1 (ja) | 2014-08-26 | 2016-03-03 | 株式会社アルバック | 膜厚モニタおよび膜厚測定方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021188940A (ja) | 2021-12-13 |
KR20210146231A (ko) | 2021-12-03 |
CN113720252B (zh) | 2023-04-11 |
CN113720252A (zh) | 2021-11-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Lucklum et al. | Determination of polymer shear modulus with quartz crystal resonators | |
KR102066984B1 (ko) | 막 두께 모니터 및 막 두께 측정 방법 | |
JP2974253B2 (ja) | 物質の蒸着速度の制御方法 | |
TW202142721A (zh) | 量測異常檢測裝置及量測異常檢測方法 | |
JP7036864B2 (ja) | 測定異常検出装置、および、測定異常検出方法 | |
KR102035143B1 (ko) | 막 두께 제어 장치, 막 두께 제어 방법 및 성막 장치 | |
Wei et al. | An automatic optimal excitation frequency tracking method based on digital tracking filters for sandwiched piezoelectric transducers used in broken rail detection | |
JPH11173968A (ja) | 液体性状測定方法及び液体性状測定装置 | |
JP7217822B1 (ja) | 膜厚監視方法および膜厚監視装置 | |
Elhosni et al. | Theoretical and experimental study of layered SAW magnetic sensor | |
EP2959274A2 (en) | Shape analysis and mass spectrometry of individual molecules by nanomechanical systems | |
THIRUMAL et al. | Comparative modelling studies of 400 MHz ST-X quartz SAW delay lines for potential gas sensing applications | |
JP7102588B1 (ja) | センサ装置 | |
CN207300456U (zh) | 一种力传感设备 | |
JP2024022023A (ja) | 測定装置、成膜装置および膜厚測定方法 | |
Galliou et al. | A new method of probing mechanical losses of coatings at cryogenic temperatures | |
Maxence et al. | Technological process effects on SAW sensors devices characteristics and FEM estimation | |
Ilg et al. | Temperature measurements by means of the electrical impedance of piezoceramics | |
Han et al. | A research on the switching control laws for synchronised switch damping on inductor technique | |
Liu et al. | Material Parameter Extraction Method for SC x Al 1-x N Films Using Multiple Linear Regression and Wafer-level Uniformity Analysis | |
Li et al. | Effects of mass layer stiffness and imperfect bonding on a quartz crystal microbalance | |
JP2022022859A (ja) | 測定装置、膜厚センサ、成膜装置および異常判定方法 | |
Suslov | Resonances of piezoelectric plate with embedded 2D electron system | |
Sathish et al. | Noncontact acousto-thermal evaluation of evolving fatigue damage in polycrystalline Ti-6Al-4V | |
Neto et al. | Fundamental Concepts for Guided Lamb Wave-based Structural Health Monitoring |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220222 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220303 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7036864 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |