JP7028689B2 - カーボンナノチューブシート、並びにこれを用いた熱電変換材料および熱電変換素子 - Google Patents
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提供することである。
[1] 1層以上の層構造を有する複数のカーボンナノチューブで構成されるカーボンナノチューブ集合体からなるカーボンナノチューブシートであって、
前記カーボンナノチューブ集合体を構成する全カーボンナノチューブの個数に占める、2~6層のいずれかの層構造を有する各多層カーボンナノチューブの総数の比率が70%以上であり、
前記カーボンナノチューブ集合体は、ホウ素および窒素の少なくとも一方の添加元素を含み、その含有比率が、前記カーボンナノチューブ集合体に含まれる炭素原子に対する原子数比率で、1~20%であり、
前記添加元素は、少なくともその一部が前記カーボンナノチューブを構成する炭素原子と共有結合していることを特徴とする、カーボンナノチューブシート。
[2] 前記カーボンナノチューブ集合体を構成する全カーボンナノチューブの個数に占める、2~6層のいずれかの層構造を有する各多層カーボンナノチューブの総数の比率が90%以上である、上記[1]に記載のカーボンナノチューブシート。
[3] 前記カーボンナノチューブ集合体を構成する全カーボンナノチューブの個数に占める、2層構造または3層構造を有する各多層カーボンナノチューブの総数の比率が70%以上である、上記[1]または[2]に記載のカーボンナノチューブシート。
[4] 前記カーボンナノチューブ集合体を構成する全カーボンナノチューブの個数に占める、2層構造または3層構造を有する各多層カーボンナノチューブの総数の比率が90%以上である、上記[3]に記載のカーボンナノチューブシート。
[5] 前記添加元素は、少なくともその一部が前記多層カーボンナノチューブの層構造の層間に存在し、かつ前記炭素原子と共有結合している、上記[1]~[4]のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブシート。
[6] 前記多層カーボンナノチューブの長手方向に沿って測った、前記層構造の層間に存在する前記添加元素の平均最近接原子間距離が50~500nmである、上記[5]に記載のカーボンナノチューブシート。
[7] 上記[1]~[6]のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブシートを用いてなる、熱電変換材料。
[8] N型半導体およびP型半導体を有してなる熱電変換素子であって、
前記N型半導体および前記P型半導体の少なくとも一方が、上記[7]に記載の熱電変換材料を用いてなる、熱電変換素子。
[9] 前記N型半導体および前記P型半導体の両方が、上記[7]に記載の熱電変換材料を用いてなる、上記[8]に記載の熱電変換素子。
図1(a)~(f)は、本発明の実施形態に係るCNTシートを構成するCNT集合体の構成を概略的に示す図である。なお、図1におけるCNT集合体は、その一例を示すものであり、本発明に係る各構成の形状、寸法等は、図1のものに限られないものとする。
(NCNT(2)+NCNT(3)+NCNT(4)+NCNT(5)+NCNT(6))/NTOTAL×100(%
)≧70(%) ・・・(1)
(NCNT(2)+NCNT(3))/NTOTAL×100(%)≧70(%) ・・・(2)
以下の方法により確認することができる。
まず、多層CNTの観察には、透過型電子顕微鏡を用いる。さらに、CNTの内部に存在する窒素またはホウ素は、電子エネルギー損失分光法(ElectronEnergyLossSpectroscopy, EELS)により確認することができる。EELSは、入射電子が、試料物質との相互作用することにより、エネルギーを失った状態となり、この非弾性散乱電子を分光することで、試料の元素組成や化学結合状態を解析する手法である。上記の電子顕微鏡に設置されている走査透過型電子顕微鏡(STEM)と組み合わせることにより、微小領域を高い空間分解能で測定できる。これらの手法により、CNTの構造内に存在する窒素原子またはホウ素原子のマッピングを行うことができる。
本実施形態のCNT集合体は、以下の方法で製造される。
(1)CNTの合成
CNTは、例えば浮遊触媒気相成長(CCVD)法を用いて作製することができる。具体的には、反応炉上部から出発物質を供給し、反応路下部より生成したCNTを回収する。
窒素源としては、例えば、ピリジン、ベンジルアミン等を用いることができる。
ホウ素源としては、例えば、デカボラン、ホウ素酸トリイソピロピル等を用いることができる。
触媒としては、例えば、フェロセン、コバルトセン、ニッケロセン等の有機金属錯体を原料とする金属触媒を用いることができる。
CNT成長促進材としては、例えば、チオフェン等を用いることができる。
回収された粉末状のCNTからCNT集合体を作製する。CNT集合体の形態は、限定されず、例えば、生成したCNTを、シート状に回収して、CNT集合体からなるCNTシートとすることができる。図4は、シート状に回収したCNT集合体からなるCNTシートの外観写真の一例である。
また、得られたCNTシートは、例えば大気中、300~700℃で加熱し、さらに酸処理を施すことで高純度化することが好ましい。
本発明のCNTシートの極性は、CNT集合体11のゼーベック係数により決定する。本発明者らは、本発明のCNTシートを用いて、ゼ―ベック係数がマイナスとなるN型半導体の作製に成功したため、熱電変換素子においてP型半導体およびN型半導体の両方をCNTシートで作成できる。N型半導体として好適なCNTシートのゼ―ベック係数は、-0.1μV/K以下であることが好ましく、-20μV/K以下であることが更に好ましい。P型半導体として好適なCNTシートのゼ―ベック係数は、50μV/K以上であることが好ましく、60μV/K以上であることが更に好ましい。なお、測定方法は、後述する実施例の頁にて説明する。
能である。特に、熱電変換素子に用いられる熱電変換材料として好適に用いることができる。
CNT集合体の合成は、浮遊触媒気相成長(CCVD)法を用い行った。
まず、炭素源であるデカヒドロナフタレン(シグマアルドリッチジャパン合同会社製)、窒素源であるピリジン(和光純薬工業株式会社製)、触媒であるフェロセン(シグマアルドリッチジャパン合同会社製)、および反応促進剤であるチオフェン(シグマアルドリッチジャパン合同会社製)を、mol比率にて、それぞれ100:1.0:3.0:3.0で混合し、原料溶液を調製した。
次に、電気炉によって1200℃に加熱された、内径φ60mm、長さ1600mmのアルミナ管内部に、直前に50℃のウォータバスで超音波をかけた上記原料溶液を、スプレー噴霧により供給する。このとき、キャリアガスとして、水素を9.5L/minで供給した。
得られたCNTを回収機にてシート状に回収し、該シートを大気下において400~600℃に加熱し、さらに酸処理を複数回施すことによって高純度化を行い、厚さ0.1mmのCNTシートを製造した。
実施例5および6では、得られるCNT集合体において、CNT集合体を構成する全CNTの個数に占める、2層構造または3層構造を有する各多層CNTの総数の比率が、表1に示される比率となるように、CCVDで用いる原料溶液中のフェロセンおよびチオフェンの配合比率を変更し、さらに合成後の酸処理の工程数と処理時間を低減した以外は、実施例1と同様の方法でCNTの合成から厚さ0.1mmのシートの製造まで行った。
実施例7および8では、CCVDで用いる原料溶液を、窒素源であるピリジンに替えて、ホウ素源であるホウ素酸トリイソピロピル(メルク株式会社製)とした以外は、実施例1と同様の方法でCNTの合成から厚さ0.1mmのシートの製造まで行った。
実施例9および10では、CCVDで用いる原料溶液を、窒素源であるピリジンに替えて、ホウ素源であるデカボラン(シグマアルドリッチ社製)を用い、ホウ素源であるデカボラン、触媒であるフェロセン(シグマアルドリッチジャパン合同会社製)、および反応促進剤であるチオフェン(シグマアルドリッチジャパン合同会社製)を、mol比率にて、実施例9では、それぞれ100:1.0:3.0:3.0で混合し、実施例10では、100:1.5:3.0:3.0で混合して原料溶液を調製した以下は、実施例1と同様の方法でCNTの合成から線材化まで行なった。
比較例1では、まず、炭素源としてトルエン(シグマアルドリッチジャパン合同会社製)、触媒であるフェロセン(同上)、および反応促進剤であるチオフェン(同上)を、mol比率にて、それぞれ100:1.5:1.5で混合し、原料溶液を調製し、該原料溶液を用いると共に、電気炉での加熱時に水素ガスとエチレン(三菱化学株式会社製)を供給した以外は、実施例1と同様の方法でCNTの合成から厚さ0.1mmのシートの製造まで行った。
酸処理後のCNT線を98%硝酸に浸漬した以外は、比較例1と同様の方法でCNTの合成から線材化まで行った。
酸処理後のCNT線を10%ホウ素酸水溶液に浸漬した以外は、比較例1と同様の方法でCNTの合成から線材化まで行なった。
上記実施例および比較例に係るカーボンナノチューブシートを用いて、下記に示す測定、評価を行った。各測定、評価の条件は下記の通りである。結果を表1に示す。
CNT集合体内の窒素またはホウ素の含有比率に関して、X線光電子分光法(X-ray Photoelectron Spectroscopy)による半定量分析により評価した。以下、詳しく説明する。
まず、合成直後の粉末状で回収されたCNTを、アセトンにさらし、薬包紙の上に置き、スライドガラスで平らにし、乾燥する。乾燥後のCNT試料は、1×1cm程度で、厚さ2mm程度の、CNTの凝集体となる。
上記凝集体を酸処理して、不純物を除いた後、XPS分析を行なう。XPS分析では、試料にX線を入射し、表面より放出された光電子を検出する。測定は、多機能走査型X線光電子分光分析装置(PHI5000 Versaprobe、アルバック・ファイ株式会社製)を用い、入射したX線の線源を単色化 Al-Kα線とし、脱出角90°にて行った。さらに、半定量を行なうために、1350~0eVまでの結合エネルギーについて、Wide-scanを行なった。1試料につき、任意の5箇所を選択して測定し(N=5)、その平均値を窒素またはホウ素の、炭素原子に対する原子数比率とした。
透過型電子顕微鏡(TEM)によりCNT層間の構造体を確認後、EELSスペクトルマッピングで該構造体が窒素、ホウ素またはヨウ素であることを確認した。さらに、得られたEELSスペクトルのスペクトルエネルギーから共有結合性の判断を行った。TEMによる観察は、原子分解能分析電子顕微鏡(JEM-ARM200F、日本電子株式会社製)を用いて行った。さらにEELSスペクトルマッピングは、上記の電子顕微鏡に設置されている走査透過型電子顕微鏡(STEM)を用いた。
なお、観察用試料は、合成したCNTをエタノール中で、超音波で分散した分散液とした。この分散液をTEM観察用のメッシュに垂らし、観察した。
添加元素の最近接原子間距離は、走査透過型電子顕微鏡(STEM、同上)を用いたEELSスペクトルマッピングと、上記STEMを用いたエネルギー分散型X線分光法(EDX: Energy Dispersive X-ray Spectroscopy)分析を行って確認した。なお、観察用試料は、合成したCNTをエタノール中で、超音波で分散した分散液とした。この分散液をTEM観察用のメッシュに垂らし、観察した。
CNTの層構造は、透過型電子顕微鏡(TEM)により確認を行なった。TEM観察は、原子分解能分析電子顕微鏡(同上)を用いた。また、観察用試料は、合成したCNTをエタノール中で、超音波で分散した分散液とした。この分散液をTEM観察用のメッシュに垂らし、観察した。
ゼーベック係数の測定は、ゼーベック係数・導電率測定装置(ai-Phase Mobile M3、株式会社アイフェイズ製)を用いて行った。なお、測定用サンプルは、CNTシートを5×5cmに成形したものを用いた。
引張強度の測定は、引張試験機(万能材料試験機5582 INSTRON社製)を用いて行った。具体的には以下の方法で行った。なお、図5に、引張試験用の試験片の作成方法と、引張試験の様子を、概略的に示す。
まず、CNTシートを縦横10×3mmの長方形に成形し、測定用サンプルを準備した。次に縦横40×10mmの台紙を用意して、長手方向に平行な折り目(破線)になるよう二つ折にする。二つ折りにした台紙の中央部をくり抜いて、横2mm、縦2mmの円状の窓(穴)を作成する。折った台紙をもとに戻して、くりぬいた円状の窓を横断するように、台紙の内側(谷折り側)に形成された一方の窓上に測定用サンプルを設置し、測定用サンプルの両端を接着材にて台紙に固定する(図5(a))。その後、台紙を再び折り、台紙のみ長手方向に垂直な方向に切断する(図5(b))。その後、引張試験機に試料を取り付け(図5(c))、引張強度の測定を行なった。
ト(比較例1)及び共有結合を有しないCNTシート(比較例2、3参照)では実現することができなかった、高い引張強度を実現できることが確認された。
11 カーボンナノチューブの束
11a カーボンナノチューブ
T1 筒状体
T2 筒状体
Claims (8)
- 1層以上の層構造を有する複数のカーボンナノチューブで構成されるカーボンナノチューブ集合体からなるカーボンナノチューブシートであって、
前記カーボンナノチューブ集合体を構成する全カーボンナノチューブの個数に占める、2~6層のいずれかの層構造を有する各多層カーボンナノチューブの総数の比率が70%以上であり、
前記カーボンナノチューブ集合体は、ホウ素および窒素の少なくとも一方の添加元素を含み、その含有比率が、前記カーボンナノチューブ集合体に含まれる炭素原子に対する原子数比率で、1~20%であり、
前記添加元素は、少なくともその一部が、前記カーボンナノチューブの構成単位である六員環を構成する炭素の一部若しくは欠陥部分を置換する形で、隣接する炭素原子と共有結合し、及び/または前記多層カーボンナノチューブの層構造の層間で、各層を構成する炭素-炭素間を、共有結合で橋渡しをしていることを特徴とする、カーボンナノチューブシート。 - 前記カーボンナノチューブ集合体を構成する全カーボンナノチューブの個数に占める、2~6層のいずれかの層構造を有する各多層カーボンナノチューブの総数の比率が90%以上である、請求項1に記載のカーボンナノチューブシート。
- 前記カーボンナノチューブ集合体を構成する全カーボンナノチューブの個数に占める、2層構造または3層構造を有する各多層カーボンナノチューブの総数の比率が70%以上である、請求項1または2に記載のカーボンナノチューブシート。
- 前記カーボンナノチューブ集合体を構成する全カーボンナノチューブの個数に占める、2層構造または3層構造を有する各多層カーボンナノチューブの総数の比率が90%以上である、請求項3に記載のカーボンナノチューブシート。
- 前記多層カーボンナノチューブの長手方向に沿って測った、前記層構造の層間に存在する前記添加元素の平均最近接原子間距離が50~500nmである、請求項1~4のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブシート。
- 請求項1~5のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブシートを用いてなる、熱電変換材料。
- N型半導体およびP型半導体を有してなる熱電変換素子であって、
前記N型半導体および前記P型半導体の少なくとも一方が、請求項6に記載の熱電変換材料を用いてなる、熱電変換素子。 - 前記N型半導体および前記P型半導体の両方が、請求項6に記載の熱電変換材料を用いてなる、請求項7に記載の熱電変換素子。
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