JP7021919B2 - 圧電振動デバイス及び圧電振動デバイスの製造方法 - Google Patents

圧電振動デバイス及び圧電振動デバイスの製造方法 Download PDF

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Description

本開示は、水晶振動子及び水晶発振器等の圧電振動デバイス及びその製造方法に関する。
圧電振動デバイスは、例えば、凹部を有する絶縁性の基体と、凹部を塞ぐ蓋体と、凹部内に収容される圧電振動素子とを有している（例えば、特許文献１～３）。特許文献１～３では、基体の外側面に形成されたシールド膜、蓋体の外側面に形成されたシールド膜、又は金属からなる蓋体（シールド）が開示されている。
特開２００４－６３９５８号公報 特開２００６－１０６２５号公報 特開２０１１－１６０１１５号公報
外部からのノイズが圧電振動素子の動作に及ぼす影響を低減できる圧電振動デバイス、及び当該圧電振動デバイスの製造方法が提供されることが望まれる。
本開示の一態様に係る圧電振動デバイスは、凹部が設けられている素子搭載部材と、前記凹部に収容されている圧電振動素子と、前記凹部を塞いでいる蓋体と、を有しており、前記素子搭載部材は、前記凹部の内底面及び当該内底面を囲む前記凹部の内周面を有している絶縁性の基体と、前記基体の外面に位置しており、前記圧電振動素子と電気的に接続されている１対の信号端子と、前記基体の外面に位置している基準電位端子と、前記内周面に重なっており、前記基準電位端子に電気的に接続されているシールド膜と、を有している。
一例において、前記圧電振動デバイスは、前記内底面に、前記１対の信号端子に電気的に接続されており、前記圧電振動素子が実装される１対のパッドを更に有しており、前記内周面は、前記内底面の平面視において、前記１対のパッドの双方と所定距離以上離れている第１領域と、前記１対のパッドの少なくとも一方との距離が前記所定距離よりも短い第２領域と、を有しており、前記シールド膜は、前記第１領域及び前記第２領域のうち前記１領域のみに重なっている。
一例において、前記内周面は、前記内底面の平面視において、所定の第１方向において互いに対向する第１内壁面及び第２内壁面と、前記第１方向に直交する第２方向において互いに対向する第３内壁面及び第４内壁面と、を有しており、前記圧電振動素子は、前記内底面の平面視において、基部と、前記基部から前記第４内壁面側へ互いに並列に延びている１対の振動腕と、前記基部から前記第１内壁面側へ突出しており、続いて前記第４内壁面側へ曲がって前記１対の振動腕に対して並列に延びている支持腕と、を有している圧電体と、前記１対の振動腕に位置している複数の励振電極と、前記複数の励振電極に電気的に接続されているとともに前記１対のパッドに接合されている１対の素子端子と、を有しており、前記１対の素子端子の少なくとも一方は、前記支持腕に位置しており、前記第１領域は、前記第２内壁面のうちの前記１対の振動腕の外側に位置する部分、及び前記第４内壁面のうちの前記第２壁面側の一部を含んでおり、前記第２領域は、前記第１内壁面のうちの、前記支持腕の前記素子端子に接続されているパッドの外側に位置する部分を含んでいる。
一例において、前記内周面は、前記内底面の平面視において、所定の第１方向において互いに対向する第１内壁面及び第２内壁面と、前記第１方向に直交する第２方向において互いに対向する第３内壁面及び第４内壁面と、を有しており、前記圧電振動素子は、前記内底面に対向している板状の圧電体と、前記圧電体の両主面に位置している１対の励振電極と、前記１対の励振電極に電気的に接続されているとともに前記１対のパッドに接合されており、前記圧電体の前記第３内壁面側の端部において前記第３内壁面に沿って配列されている１対の素子端子と、を有しており、前記第１領域は、前記第４内壁面の全部、前記第１内壁面のうちの前記第４内壁面側の一部、及び前記第２内壁面のうちの前記第４内壁面側の一部を含んでおり、前記第２領域は、前記第３内壁面のうちの前記１対のパッドの外側に位置する部分を含んでいる。
一例において、前記シールド膜は、平面視において前記内周面の全周に亘っている。
一例において、前記圧電振動デバイスは、前記内底面に、前記１対の信号端子に電気的に接続されており、前記圧電振動素子が実装される１対のパッドを更に有しており、前記圧電振動素子は、前記内底面の平面視において、基部と、前記基部から互いに並列に延びている１対の振動腕と、前記１対の振動腕の間にて、前記基部から前記１対の振動腕に並列に突出している支持部と、を有している圧電体と、前記１対の振動腕に位置している複数の励振電極と、前記支持部に位置しており、前記複数の励振電極に電気的に接続されているとともに前記１対のパッドに接合されている１対の素子端子と、を有している。
一例において、前記蓋体は、金属によって構成されており、前記シールド膜は、前記内周面上から前記基体の上面上に広がっており、前記基体の上面上の部分が前記蓋体に接合されている。
一例において、前記シールド膜は、前記内周面上から前記内底面上に広がっている。
一例において、前記圧電振動デバイスは、前記シールド膜を覆う絶縁膜を更に有している。
一例において、前記基体は、前記内底面に、前記蓋体側に突出しており、上面に前記１対のパッドが形成されている１対の突部を有している。
本開示の一態様に係る上記圧電振動デバイスの製造方法は、前記基体の少なくとも一部となる平板状のセラミックグリーンシートの主面に、前記１対のパッド及び前記シールド膜となる導電ペーストを配置するペースト配置ステップと、前記ペースト配置ステップの後に、前記セラミックグリーンシートの前記主面をプレスして、前記凹部を形成するプレスステップと、を有している。
上記の構成によれば、外部からのノイズが圧電振動素子の動作に及ぼす影響を低減できる。
第１実施形態に係る水晶振動子の構成を示す分解斜視図。 図１の水晶振動子を図１とは逆側から示す分解斜視図。 図１の水晶振動子の内部を示す平面図。 図４（ａ）は図３のIVａ－IVａ線における断面図、図４（ｂ）は図３のIVｂ－IVｂ線における断面図。 図１の水晶振動子の素子搭載部材の構成を示す平面図。 図５の平面図から一部の部材を省略した平面図。 図５の素子搭載部材の内層を示す平面図。 図８（ａ）は図５の素子搭載部材のパッド及びその周囲を示す斜視図、図８（ｂ）は図８（ａ）のVIIIｂ－VIIIｂ線における断面図。 図９（ａ）、図９（ｂ）、図９（ｃ）及び図９（ｄ）は図５の素子搭載部材の製造方法を説明するための断面図。 変形例に係る素子搭載部材の内層を示す平面図。 第２実施形態に係る水晶振動子の内部を示す平面図。 図１２（ａ）は第３実施形態に係る水晶振動子の内部を示す平面図、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のXIIｂ－XIIｂ線における断面図。 図１３（ａ）は第４実施形態に係る水晶振動子の内部を示す平面図、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のXIIIｂ－XIIIｂ線における断面図。
以下、図面を参照して本開示に係る実施形態について説明する。以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。また、水晶片の形状等の説明においては、基本的に、エッチングの誤差等の加工誤差については無視する。
図面には、便宜上、Ｄ１軸、Ｄ２軸及びＤ３軸からなる直交座標系を付すことがある。また、以下で説明する水晶振動子等は、いずれの方向が上下方向又は水平方向とされてもよいが、便宜上、Ｄ３軸方向の正側を上方として、上面等の語を用いることがある。また、単に平面視という場合は、Ｄ３軸方向に見ることをいうものとする。
斜視図又は平面図において、図解を容易にするために、導体の表面（すなわち断面でない面）にハッチングを付すことがある。
第１実施形態よりも後の実施形態（又は変形例）において、先に説明された実施形態の構成と共通または類似する構成について、先に説明された実施形態の構成に付した符号を用い、また、図示や説明を省略することがある。なお、先に説明された実施形態の構成と対応（類似）する構成については、先に説明された実施形態の構成と異なる符号を付した場合においても、特に断りがない点は、先に説明された実施形態の構成と同様とされてよい。
互いに同一又は類似する構成については、「第１振動腕２３Ａ」及び「第２振動腕２３Ｂ」のように、互いに共通する名称（振動腕）に互いに異なる番号（第１、第２）を付すとともに、符号に互いに異なる大文字のアルファベット（Ａ、Ｂ）を用いることがある。また、この場合において、単に「振動腕２３」というなど、番号と大文字のアルファベットとを省略して、両者を区別しないことがある。
＜第１実施形態＞
（水晶振動子の概略構成）
図１は、本発明の第１実施形態に係る水晶振動子１（以下、「水晶」は省略することがある。）の概略構成を示す分解斜視図である。図２は、図１とは逆側から振動子１の概略構成を示す分解斜視図である。図３は、振動子１の内部を示す平面図である。図４（ａ）は、図３のIVａ－IVａ線における断面図である。図４（ｂ）は、図３のIVｂ－IVｂ線における断面図である。
振動子１は、例えば、図１及び図２に特に示すように、主として３つの部材からなる。すなわち、振動子１は、電圧が印加されて振動する水晶振動素子３（以下、「水晶」は省略することがある。）と、振動素子３をパッケージングするための素子搭載部材５及び蓋体７とを有している。
箱状の素子搭載部材５に振動素子３が収容され、素子搭載部材５に蓋体７が被せられると、振動子１は、例えば、全体として、概略、薄型の直方体状となる。素子搭載部材５の内部は、例えば、蓋体７により封止される。また、当該内部は、例えば、真空とされ、又は、適宜なガス（例えば窒素）が封入されている。
振動子１の寸法は適宜に設定されてよい。例えば、比較的小さいものでは、幅（Ｄ１軸方向）は、０．４０ｍｍ以上３．２０ｍｍ以下、長さ（Ｄ２軸方向）は０．６５ｍｍ以上５．００ｍｍ以下、厚さ（Ｄ３軸方向）は０．２ｍｍ以上１．２ｍｍ以下である。
振動子１は、例えば、不図示の回路基板等の実装面に対して下面（Ｄ３軸方向の負側の面）を対向させて配置され、半田等からなるバンプによって前記実装面に表面実装される。そして、振動子１は、上記回路基板に設けられている発振回路によって電圧が印加され、発振信号の生成に寄与する。
（振動素子）
振動素子３は、例えば、水晶片１５と、水晶片１５に電圧を印加するための第１励振電極１７Ｖ及び第２励振電極１７Ｈと、振動素子３を素子搭載部材５に実装するための第１素子端子１９Ａ及び第２素子端子１９Ｂとを有している。なお、この他、振動素子３は、励振電極１７同士の接続、及び／又は励振電極１７と素子端子１９との接続を担う複数の配線を有しているが、図示は省略する。また、振動素子３は、周波数調整用（後述する振動腕の重量調整用）の金属膜を有していてもよい。
（水晶片の基本的構成：基部及び振動腕）
水晶片１５は、全体として概ね一定の厚さ（Ｄ３軸方向）に形成されており、また、適宜な平面形状を有している。具体的には、水晶片１５は、いわゆる音叉型のものであり、基本的な構成として、基部２１と、基部２１から互いに並列（例えば平行）に延びる第１振動腕２３Ａ及び第２振動腕２３Ｂとを有している。１対の振動腕２３は、励振電極１７によって電圧が印加されて振動する部分であり、基部２１は、その振動腕２３を支持する部分である。
基部２１は、例えば、概略、Ｄ３軸方向を厚さ方向として、Ｄ１軸方向及びＤ２軸方向に沿う（例えば平行な）４側面を有する薄型の直方体状である。振動腕２３は、例えば、概略、基部２１からＤ１軸方向へ延びている直方体状である。１対の振動腕２３の形状は、例えば、互いに同一（線対称）である。なお、振動腕は、先端の幅が大きくされたり、上下面に１以上の凹溝が形成されたりしてもよい。凹溝は、複数の凹部が振動腕に沿って配列されて構成されていてもよい。
振動腕２３の長さ（Ｄ２軸方向）及び幅（Ｄ１軸方向）の寸法は、公知のように、振動素子３に要求される周波数に応じて設定される。振動腕２３の厚み（Ｄ３軸方向）は、強度確保及びスプリアス抑制等の観点から適宜に設定されてよい。
水晶片１５のＸ軸（電気軸）、Ｙ軸（機械軸）及びＺ軸（光軸）は、例えば、それぞれ、Ｄ１軸、Ｄ２軸及びＤ３軸に一致している。ただし、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、それぞれ、Ｄ１軸、Ｄ２軸及びＤ３軸に対して－５°以上５°以下の範囲で傾斜していてもよい。
（水晶片の実装のための構成：支持腕及び支持突部）
水晶片１５は、上記の基部２１及び振動腕２３に加えて、支持腕３３及び支持突部３５を有している。この支持腕３３及び支持突部３５は、例えば、素子端子１９が設けられることなどにより、水晶片１５の素子搭載部材５に対する実装に寄与する部分である。
支持腕３３は、基部２１から１対の振動腕２３に並列に延びている。より具体的には、例えば、支持腕３３は、基部２１の－Ｄ１側の側面の－Ｄ２側（振動腕２３が延び出る側とは反対側）の端部から、－Ｄ１側へ突出し、続いて＋Ｄ２側へ直角に曲がって＋Ｄ２側へ延びている。支持腕３３の、－Ｄ１側へ延び出る部分及び＋Ｄ２側へ延びている部分のそれぞれの形状は、例えば、概略、直方体状である。
なお、支持腕３３の第１振動腕２３Ａとの距離（Ｄ１軸方向）及び支持腕３３の先端のＤ２軸方向における位置は適宜に設定されてよい。図示の例では、支持腕３３の中心線（不図示）と第１振動腕２３Ａとの中心線（不図示）との距離は、１対の振動腕２３の中心線間の距離以上である。また、Ｄ２軸方向において、支持腕３３の先端の位置は、振動腕２３の先端の位置と同等（例えば両者の差は振動腕２３の長さの１０％以内）である。
支持突部３５は、例えば、基部２１から＋Ｄ１側（基部２１に対して支持腕３３とは反対側）へ突出している。より具体的には、例えば、支持突部３５は、基部２１の＋Ｄ１側の側面の－Ｄ２側（振動腕２３が延び出る側とは反対側）の端部から突出している。支持突部３５の形状は、例えば、概略、直方体状である。
（励振電極の構成）
励振電極１７は、例えば、振動腕２３の表面に設けられた導電層により構成されている。
なお、振動子１における各種の導電層（１１、１３、１７、１９、５１、５７、６１等）は、例えば、金属層である。導電層は、１層（１種類の材料）からなるものであってもよいし、複数層からなるものであってもよい。種々の導電層は、互いに同一の材料から構成されていてもよいし、互いに異なる材料から構成されていてもよい。導電層を構成する具体的な材料（Ｃｕ、Ａｌ等）は適宜に選択されてよい。
第１励振電極１７Ｖは、各振動腕２３において、上下面（Ｄ３軸方向の正側の面及びＤ３軸方向の負側の面）に設けられている。また、第２励振電極１７Ｈは、各振動腕２３において、両側の側面（Ｄ１軸方向の正側の面及びＤ１軸方向の負側の面）に設けられている。すなわち、各振動腕２３においては、上下面及び両側の側面の合計４面に、合計４つの励振電極１７が設けられている。
励振電極１７の平面形状は、例えば、振動腕２３が延びる方向を長手方向とする概ね長方形である。各励振電極１７の幅は、例えば、概ね、各励振電極１７が設けられた振動腕２３の各面（上下面又は側面）の幅に亘る広さとされている。ただし、第１励振電極１７Ｖと第２励振電極１７Ｈとが互いに短絡しないように、これらの少なくとも一方の励振電極１７（本実施形態では第１励振電極１７Ｖ）の幅は、その励振電極１７が設けられた面の幅よりも若干小さくされている。
（素子端子）
１対の素子端子１９は、例えば、図２に特に示すように、支持腕３３の下面（Ｄ３軸方向の負側の面）に設けられた導電層により構成されている。具体的には、例えば、第１素子端子１９Ａは、支持腕３３の屈曲部に設けられている。第２素子端子１９Ｂは、第１素子端子１９Ａよりも支持腕３３の先端側に設けられている。より具体的には、第２素子端子１９Ｂは、例えば、基部２１よりも＋Ｄ２側（１対の振動腕２３の先端側）に位置している。
素子端子１９の平面形状及び面積は適宜に設定されよい。図示の例では、第１素子端子１９Ａは、支持腕３３の幅全体に亘って形成されており、概ね矩形乃至はＬ字に形成されている。また、第２素子端子１９Ｂは、支持腕３３の幅全体に亘って形成されている。なお、素子端子１９は、図示の例よりも広くてもよいし、狭くてもよいし、支持腕３３の側面等に広がっていてもよい。
（振動素子の動作及び導体の接続関係）
各振動腕２３においては、例えば、２つの第１励振電極１７Ｖが互いに接続され、２つの第２励振電極１７Ｈが互いに接続されている。接続は、水晶片１５の表面上に位置している不図示の複数の配線によってなされている。そして、第１励振電極１７Ｖと第２励振電極１７Ｈとの間に交流電圧が印加される。これにより、各振動腕２３は、Ｄ１軸方向に振動する。
また、１対の振動腕２３間においては、第１励振電極１７Ｖと第２励振電極１７Ｈとが接続されている。接続は、水晶片１５の表面上に位置している不図示の複数の配線によって接続されている。これにより、１対の振動腕２３は、平面視において互いに線対称に振動する。
上記のように、複数の励振電極１７は、電位の観点において２組に分けられている。そして、２組の一方は、１対の素子端子１９の一方に接続され、２組の他方は、１対の素子端子１９の他方に接続されている。接続は、水晶片１５の表面上に位置している不図示の複数の配線によって接続されている。
なお、不図示の複数の配線（導電層）は、例えば、水晶片１５上において、上記のような接続関係を実現するように、水晶片１５の各部の上面、下面及び／又は側面に適宜に配されており、互いに交差していない。ただし、配線同士が絶縁層を介して立体的に交差する部分が存在してもよい。
（素子搭載部材の概略構成）
素子搭載部材５は、例えば、素子搭載部材５の主体となる基体９と、振動素子３を実装するための１対のパッド１１（第１パッド１１Ａ及び第２パッド１１Ｂ）と、振動子１を不図示の回路基板等に実装するための外部端子（１３Ａ～１３Ｄ）とを有している。
（基体）
基体９は、振動素子３を収容する凹部５ａを有している。凹部５ａは、その内部空間が概ね直方体状に形成されている。別の観点では、基体９は、内底面９ａ（凹部５ａの底面）及び内底面９ａを囲む内周面９ｂ（凹部５ａの内周面）を有している。内周面９ｂは、Ｄ１軸方向において互いに対向する第１内壁面１０Ａ及び第２内壁面１０Ｂと、Ｄ２軸方向において互いに対向する第３内壁面１０Ｃ及び第４内壁面１０Ｄとを有している。
基体９は、例えば、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、凹部５ａを有している上層部９ｃと、基体９の下面を構成している下層部９ｄとを有している。なお、図４（ａ）及び図４（ｂ）では、便宜上、上層部９ｃ及び下層部９ｄの境界線を示しているが、実際の製品においては、そのような境界線は形成されなくてもよいし、又は視認不可能であってもよい。いずれにせよ、基体９は、後述する基体９内の導体の存在によって、上層部９ｃ及び下層部９ｄを概念することができる。
基体９は、絶縁材料からなる。絶縁材料は、例えば、セラミック又は樹脂である。上層部９ｃ及び下層部９ｄの材料は、例えば、互いに同一である。
（パッド）
１対のパッド１１は、１対の素子端子１９が接合されるものであり、凹部５ａの内底面９ａに設けられた導電層により構成されている。パッド１１の平面形状及び面積は適宜に設定されてよい。図示の例では、１対のパッド１１の形状及び大きさを同等としているが、両者は形状及び／又は寸法が互いに異なっていてもよい。
１対のパッド１１の位置は、振動素子３の構成（素子端子１９の位置）に応じて適宜に設定される。本実施形態では、１対のパッド１１は、第１内壁面１０Ａに隣接しており、また、第１内壁面１０Ａに沿って配列されている。第１パッド１１Ａは、例えば、第３内壁面１０Ｃにも隣接している。第２パッド１１Ｂは、例えば、第４内壁面１０Ｄから少し離れており、その距離は、第１パッド１１Ａと第３内壁面１０Ｃとの距離よりも長い。
上記において、隣接しているというときのパッド１１と内壁面１０（内周面９ｂ）との距離は、例えば、２００μｍ以下又は１００μｍ以下である。また、別の観点では、当該距離は、パッド１１の径（例えば最小径）の１／２以下である。
（外部端子）
複数の外部端子は、例えば、第１信号端子１３Ａ、第２信号端子１３Ｂ、第１ＧＮＤ端子１３Ｃ及び第２ＧＮＤ端子１３Ｄ（以下、これらを区別せずに、単に「外部端子１３」ということがある。）を有している。第１信号端子１３Ａ及び第２信号端子１３Ｂは、振動子１に交流電圧を印加し、ひいては、励振電極１７に交流電圧を印加するためのものである。第１ＧＮＤ端子１３Ｃ及び第２ＧＮＤ端子１３Ｄは、振動子１に基準電位を付与するためのものである。
なお、第１ＧＮＤ端子１３Ｃ及び第２ＧＮＤ端子１３Ｄの一方のみ、外部から基準電位が付与され、他方は、素子搭載部材５内で前記一方に接続されることによって基準電位が付与されてもよい。また、当該他方の端子は、本実施形態とは異なり、振動子１を回路基板等に接合するためだけに用いられるダミー端子（電気的に浮遊状態の端子）であってもよい。
外部端子１３は、例えば、基体９の下面（凹部５ａが開口する側とは反対側の面）に設けられた導電層により構成されている。外部端子１３の数、位置、平面形状及び面積は、適宜に設定されてよい。例えば、外部端子１３は、基体９の下面の４隅に設けられている。図示の例では、第１信号端子１３Ａ及び第２信号端子１３Ｂは、互いに対角に位置しており、第１ＧＮＤ端子１３Ｃ及び第２ＧＮＤ端子１３Ｄは互いに対角に位置している。
後に詳述するように、第１パッド１１Ａと第１信号端子１３Ａとは基体９に設けられた配線導体によって互いに接続されている。同様に、第２パッド１１Ｂと第２信号端子１３Ｂとは基体９に設けられた配線導体によって互いに接続されている。従って、第１信号端子１３Ａ及び第２信号端子１３Ｂに交流電圧を印加することによって、１対のパッド１１を介して複数の励振電極１７に交流電圧を印加することができる。
（蓋体）
蓋体７は、例えば、金属から構成され、素子搭載部材５の上面（凹部５ａの周囲部分）にシーム溶接等により接合されている。特に図示しないが、蓋体７の下面の外周部には、接合に適した導電層が環状に形成されていてもよい。また、同様に、素子搭載部材５の上面には、接合に適した環状の導電層が形成されていてもよい。
（振動素子の実装構造の概要）
図３、図４（ａ）及び図４（ｂ）に特に示すように、振動素子３は、素子搭載部材５の凹部５ａに収容されるとともに凹部５ａの内底面９ａに対向配置される。そして、１対の素子端子１９と１対のパッド１１とが接合されることによって、振動素子３は、素子搭載部材５に電気的に接続されるとともに固定される（すなわち実装される）。
接合は、例えば、素子端子１９とパッド１１との間に介在するバンプ４１によってなされる。バンプ４１は、例えば、導電性接着剤又は半田からなる。導電性接着剤は、例えば、導電性フィラーが混入された樹脂からなる。半田は、鉛フリー半田であってもよい。
また、振動素子３は、支持突部３５において、凹部５ａの内底面９ａに支持される。具体的には、例えば、内底面９ａには、上方（蓋体７側）に突出する台座部９ｅ（図４（ａ））が設けられている。台座部９ｅは、例えば、内底面９ａの台座部９ｅ以外の部分と同一材料によって一体的に形成されている。そして、台座部９ｅと支持突部３５とはバンプ４１によって接合されている。なお、バンプ４１が設けられずに、支持突部３５が台座部９ｅに当接しているだけであってもよい。また、逆に、バンプ４１との接合性を向上させるためのパッドが台座部９ｅ及び／又は支持突部３５に設けられていてもよい。
（素子搭載部材の内表面の構成）
図５及び図６は、素子搭載部材５の構成を示す平面図である。図５では、図３に比較して、素子搭載部材５の上面上（凹部５ａの周囲）に位置している導電層（後述するシールド膜５１の一部）が省略されている。また、逆に、図示が図３では省略されたシールド被覆膜５３（後述）が図５では図示されている。図６では、図５に比較して、シールド被覆膜５３の図示が省略されている。
図４（ａ）、図４（ｂ）、図５及び図６に示すように、素子搭載部材５は、凹部５ａの内面を中心として基体９の表面に重なる導電性のシールド膜５１と、シールド膜５１に重なる絶縁性のシールド被覆膜５３とを有している。
（シールド膜）
シールド膜５１は、例えば、凹部５ａの内周面９ｂ上にて広がっている。また、シールド膜５１は、内周面９ｂ上から凹部５ａの内底面９ａ上に広がっているとともに、内周面９ｂ上から基体９の上面上（凹部５ａの周囲）に広がっている。すなわち、シールド膜５１は、内周面９ｂに重なる内周面重畳部５１ａと、内底面９ａに重なる内底面重畳部５１ｂと、基体９の上面に重なる上面重畳部５１ｃとを有している。
内周面重畳部５１ａは、例えば、図６に特に示すように、平面視において、内周面９ｂのうち、１対のパッド１１から比較的離れている一部に設けられている。具体的には、例えば、内周面９ｂは、平面視において、１対のパッド１１の双方から所定距離ｄ１以上離れている第１領域Ａ１と、１対のパッド１１の少なくとも一方との距離が所定距離ｄ１よりも短い第２領域Ａ２とを有している。そして、内周面重畳部５１ａは、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２のうち第１領域Ａ１のみに重なっている。
なお、上記等において、特に断りがない限り、距離は、最短距離である。従って、第１領域Ａ１は、その全体が（第１領域Ａ１内のいずれの位置も）１対のパッド１１内のいずれの位置からも、所定距離ｄ１以上で離れている。一方、第２領域Ａ２は、そのいずれかの位置と、１対のパッド１１内のいずれかの位置との距離が所定距離ｄ１よりも短く、一部に、所定距離ｄ１以上で１対のパッド１１の双方と離れている部分を含んでいてもよい。
また、所定距離ｄ１は、別の観点では、１対のパッド１１と第１領域Ａ１との最短距離である。図示の例では、第２パッド１１Ｂの－Ｄ１側かつ＋Ｄ２側の角部と第１領域Ａ１の一端との距離が所定距離ｄ１となっている。及び／又は第１パッド１１Ａの＋Ｄ１側かつ－Ｄ２側の角部と第１領域Ａ１の他端との距離が所定距離ｄ１となっている。
所定距離ｄ１は、１対のパッド１１と内周面９ｂとの距離（最短距離）よりも長い。本実施形態では、既述のように、１対のパッド１１は、第１内壁面１０Ａに隣接しており、所定距離ｄ１は、１対のパッド１１と第１内壁面１０Ａとの距離よりも長い。例えば、所定距離ｄ１は、１対のパッド１１と第１内壁面１０Ａとの距離の１．３倍以上である。また、所定距離ｄ１は、例えば、７０μｍ以上である。
１対のパッド１１は、第１内壁面１０Ａに隣接していることから、内周面重畳部５１ａが設けられる第１領域Ａ１は、例えば、少なくとも、第２内壁面１０Ｂの全部、第３内壁面１０Ｃのうちの第２内壁面１０Ｂ側の一部、第４内壁面１０Ｄのうちの第２内壁面１０Ｂ側の一部を含んでいる。また、別の観点では、第２領域Ａ２は、少なくとも、第１内壁面１０Ａの一部を含んでいる。
図示の例では、第１領域Ａ１は、第２内壁面１０Ｂの全部、第３内壁面１０Ｃのうちの第２内壁面１０Ｂ側の一部、第４内壁面１０Ｄの全部及び第１内壁面１０Ａのうちの第４内壁面１０Ｄ側の一部を含んでいる。換言すれば、第２領域Ａ２は、第１内壁面１０Ａのうちの第３内壁面１０Ｃ側の一部及び第３内壁面１０Ｃのうちの第１内壁面１０Ａ側の一部を含んでいる。第１領域Ａ１は、例えば、内底面９ａの中心回りの角度で、１８０°以上又は２７０°以上の範囲に亘っている。
このように、本実施形態では、第１領域Ａ１は、少なくとも、第２内壁面１０Ｂのうちの１対の振動腕２３の外側（＋Ｄ１側）に位置する部分、及び第４内壁面１０Ｄのうちの第２内壁面１０Ｂ側の一部を含んでいる。第４内壁面１０Ｄのうちの第２内壁面１０Ｂ側の一部は、例えば、Ｄ１軸方向において、第１振動腕２３Ａの支持腕３３側の側面から第２内壁面１０Ｂまでの範囲を含む。また、第２領域Ａ２は、第１内壁面１０Ａのうちの１対のパッド１１（素子端子１９）の外側（－Ｄ１側）の部分を含んでいる。
なお、実施形態の説明において、いずれかの内壁面１０のうちの所定の部材の外側に位置する部分という場合、当該部分は、その内壁面１０の法線方向において前記所定の部材と重なる部分である。例えば、第２内壁面１０Ｂのうちの１対の振動腕２３の外側に位置する部分は、第２内壁面１０Ｂの法線方向（Ｄ１軸方向）において１対の振動腕２３と重なる範囲である。
図示の例とは異なり、例えば、第２パッド１１Ｂが第４内壁面１０Ｄに比較的近い場合においては、第４内壁面１０Ｄのうちの第１内壁面１０Ａ側の一部が第２領域Ａ２に含まれてもよい。また、例えば、第１パッド１１Ａが第３内壁面１０Ｃから比較的離れている場合においては、第３内壁面１０Ｃの全部が第１領域Ａ１に含まれてもよい。第１内壁面１０Ａのうち、第１パッド１１Ａと第２パッド１１Ｂとの間の一部が第１領域Ａ１に含まれてもよい。なお、この場合、内周面重畳部５１ａのうち第１パッド１１Ａと第２パッド１１Ｂとの間に位置する部分は、例えば、内底面重畳部５１ｂを介して内周面重畳部５１ａの他の部分と接続されてよい。
図４（ａ）に特に示すように、内周面重畳部５１ａは、内周面９ｂの下端から上端まで広がっている。図４（ａ）は、一断面を示しているが、第１領域Ａ１の他の位置においても同様である。
内底面重畳部５１ｂは、図６に特に示すように、例えば、一部（被接続部５１ｂａ）を除いて、凹部５ａの内底面９ａの外縁に沿って概ね一定（例えば変動量は±１０％）の幅で延びる形状に形成されている。その延びる範囲は、例えば、内周面重畳部５１ａが配置される第１領域Ａ１と同等とされている。内底面重畳部５１ｂの幅（一定の部分）は適宜に設定されてよいが、例えば、１対のパッド１１と凹部５ａの内周面９ｂとの最短距離よりも長く、パッド１１の径（最小径又は最大径）よりも小さい。
内底面重畳部５１ｂのうち、内底面９ａの＋Ｄ１側かつ＋Ｄ２側の角部に位置する被接続部５１ｂａは、上記の一定の幅で延びる部分から、内底面９ａの内側へ広がっている。被接続部５１ｂａは、例えば、第１ＧＮＤ端子１３Ｃ及び第２ＧＮＤ端子１３Ｄとの接続に利用される。
上面重畳部５１ｃは、図１及び図３に特に示すように、例えば、基体９の上面（凹部５ａの周囲）の全面に重なっている。なお、既に述べたように、素子搭載部材５は、凹部５ａの周囲に蓋体７との接合に適した導電層が形成されていてよい。上面重畳部５１ｃは、この接合用の導電層の一部（上層若しくは下層等）又は全部であってもよい。上面重畳部５１ｃが接合用の導電層の上層でない場合は、上面重畳部５１ｃは、接合用の導電層とは別の層と捉えられてもよい。
シールド膜５１の厚さは、例えば、その全体に亘って概ね一定である。ただし、内周面重畳部５１ａ、内底面重畳部５１ｂ及び上面重畳部５１ｃは、互いに厚さが異なっていてもよい。また、シールド膜５１の厚さ（例えば、少なくとも内底面重畳部５１ｂの厚さ）は、例えば、パッド１１の厚さと同等とされている。ただし、シールド膜５１の厚さは、パッド１１の厚さと異なっていてもよい。
内周面重畳部５１ａは、例えば、基体９の壁部に内周面重畳部５１ａの厚さよりも大きい深さで埋もれている。すなわち、内周面重畳部５１ａの表面は、基体９の内周面９ｂのうちの内周面重畳部５１ａの非配置領域の表面に対して低くなっている。同様に、内底面重畳部５１ｂは、例えば、基体９の底部に内底面重畳部５１ｂの厚さよりも大きい深さで埋もれている。すなわち、内底面重畳部５１ｂの表面は、内底面９ａのうちの内周面重畳部５１ａの非配置領域の表面に対して低くなっている。ただし、シールド膜５１は、例えば、その表面がシールド膜５１の非配置領域と面一であってもよいし、非配置領域よりも高くなっていてもよいし、基体９に埋もれていなくてもよい。
内周面重畳部５１ａ、内底面重畳部５１ｂ及び上面重畳部５１ｃは、例えば、互いに同一の材料によって一体的に形成されている。なお、上記のように、上面重畳部５１ｃは、蓋体７との接合用のパターンを構成していると捉えられてもよく、この場合、例えば、上面重畳部５１ｃは、内周面重畳部５１ａと同一の材料からなる第１の層と、第１の層上に形成された、第１の層よりも接合に適した第２の層とを有していてもよい。また、シールド膜５１は、例えば、パッド１１と同一の材料によって形成されている。シールド膜５１（及びパッド１１）の具体的な材料（導電体、金属）は、適宜に選択されてよい。なお、上記とは異なり、シールド膜５１の複数の部位同士は互いに異なる材料によって形成されていてもよいし、及び／又はシールド膜５１とパッド１１とは互いに異なる材料から構成されていてもよい。
（シールド被覆膜）
シールド被覆膜５３は、例えば、シールド膜５１のうち、内周面重畳部５１ａ及び内底面重畳部５１ｂの全体を覆っている。その形状（パターン）は、例えば、図５及び図６の比較から理解されるように、内周面重畳部５１ａ及び内底面重畳部５１ｂの形状と概ね同様であり、また、これらよりも若干大きくされている。すなわち、凹部５ａの内底面９ａ及び凹部５ａの内周面９ｂにおいて、シールド被覆膜５３の外縁は、シールド膜５１の外縁よりも概ね一定の距離（例えば５０μｍ以下）で外側に位置している。
従って、内周面重畳部５１ａ及び内底面重畳部５１ｂの位置及び形状についての説明は、シールド被覆膜５３の位置及び形状についての説明に適用されてよい。ただし、シールド被覆膜５３は、内周面重畳部５１ａ及び内底面重畳部５１ｂを覆いつつも、これらとは乖離した形状とされても構わない。
シールド被覆膜５３は、例えば、基体９の壁部又は底部にシールド被覆膜５３の厚さで埋もれている。すなわち、シールド被覆膜５３の表面は、基体９の内周面９ｂ及び内底面９ａのうちのシールド被覆膜５３の非配置領域の表面と面一になっている。ただし、シールド被覆膜５３は、例えば、その表面がシールド被覆膜５３の非配置領域よりも低く又は高くなっていてもよいし、基体９に埋もれていなくてもよい。
シールド被覆膜５３は、例えば、セラミック又は樹脂により構成されている。セラミックとしては、例えば、アルミナを挙げることができる。シールド被覆膜５３の厚さは、適宜に設定されてよい。
（配線導体）
図７は、下層部９ｄの上面を示す平面図である。
この図では、下層部９ｄを貫通する貫通導体を斜線のハッチングが付された丸で示すとともに、上層部９ｃを貫通する貫通導体を丸で示している。また、図６では、上層部９ｃを貫通する貫通導体を斜線のハッチングが付された丸で示している。
なお、貫通導体と、当該貫通導体に接続される導電層とは、材料及び／又は製造方法の観点において、上下に重なっていてもよいし、貫通導体の上端又は下端が導電層を貫通していてもよい。従って、例えば、図６及び図７において、図示されている平面から下方（－Ｄ３側）に貫通する貫通導体は、導電層に隠れずに図示されているが、実際には隠れていてもよい。
図６及び図７に示すように、１対のパッド１１及びシールド膜５１は、基体９に設けられた複数の配線導体５５（５１Ａ、５１Ｂ及び５１Ｃ）によって、外部端子１３に電気的に接続されている。具体的には、以下のとおりである。
第１パッド１１Ａと第１信号端子１３Ａとを接続する第１配線導体５５Ａは、例えば、第１パッド１１Ａ側から第１信号端子１３Ａ側へ順に、第１上層パターン５７Ａ（図６）、第１上層貫通導体５９Ａ（図６及び図７）、第１下層パターン６１Ａ（図７）及び第１下層貫通導体６３Ａ（図７）を有している。
第１上層パターン５７Ａは、凹部５ａの内底面９ａ上に位置する導電層であり、第１パッド１１Ａに接続されている。第１上層貫通導体５９Ａは、内底面９ａから上層部９ｃを下方へ貫通する導体であり、上端が第１上層パターン５７Ａに接続されている。第１下層パターン６１Ａは、下層部９ｄの上面上に位置する導電層であり、第１上層貫通導体５９Ａの下端に接続されている。第１下層貫通導体６３Ａは、下層部９ｄを下方へ貫通する導体であり、上端が第１下層パターン６１Ａに接続されているとともに下端が第１信号端子１３Ａに接続されている。
これらの平面視における位置及び形状は適宜に設定されてよい。例えば、第１上層パターン５７Ａは、第１パッド１１Ａの第１内壁面１０Ａとは反対側から、内底面９ａの内側（別の観点では第２内壁面１０Ｂ側）へ延び出ている。第１上層貫通導体５９Ａは、例えば、第１上層パターン５７Ａの第１パッド１１Ａとは反対側の端部に位置している。また、別の観点では、第１上層貫通導体５９Ａ（例えばその中心）は、第１内壁面１０Ａと第２内壁面１０Ｂとの中間（例えば両者の間の距離を三等分したときの中央の範囲）、かつ内底面９ａの中心（幾何中心、図心、重心（一次モーメントが０になる点）。以下、平面形状について中心という場合は同様。）よりも第１パッド１１Ａ側及び／又は第１信号端子１３Ａ側（－Ｄ２側）に位置している。第１下層パターン６１Ａは、例えば、第１上層貫通導体５９Ａの位置から、第１信号端子１３Ａが位置する対角（＋Ｄ１側かつ－Ｄ２側）に向かって延びている。第１下層貫通導体６３Ａは、第１下層パターン６１Ａの中途に位置している。
第２パッド１１Ｂと第２信号端子１３Ｂとを接続する第２配線導体５５Ｂは、概略、第１配線導体５５Ａと同様の構成を有している。例えば、第２配線導体５５Ｂは、第１配線導体５５Ａと同様に、第２上層パターン５７Ｂ（図６）、第２上層貫通導体５９Ｂ（図６及び図７）、第２下層パターン６１Ｂ（図７）及び第２下層貫通導体６３Ｂ（図７）を有している。これらの位置、形状及び接続関係は、概略、第１配線導体５５Ａにおけるものと同様である。従って、上記の第１配線導体５５Ａに関する説明は、第１を第２に、ＡをＢに置き換えて、第２配線導体５５Ｂの説明とされてよい。
ただし、第１パッド１１Ａと第２パッド１１Ｂとの位置の相違及び第１信号端子１３Ａ及び第２信号端子１３Ｂとの位置の相違に伴う相違は存在する。例えば、第２上層貫通導体５９Ｂは、第１上層貫通導体５９Ａとは異なり、内底面９ａの中心よりも第２パッド１１Ｂ側及び／又は第２信号端子１３Ｂ側（＋Ｄ２側）に位置している。また、第２上層貫通導体５９Ｂの位置から第２信号端子１３Ｂが位置する対角への方向（第２下層パターン６１Ｂが延びる方向）は、第１下層パターン６１Ａが延びる方向とは逆方向（－Ｄ１側かつ＋Ｄ２側）である。
シールド膜５１と第１ＧＮＤ端子１３Ｃとを接続する第３配線導体５５Ｃは、第１配線導体５５Ａから第１上層パターン５７Ａを除いた階層構造と同様の階層構造を有している。すなわち、第３配線導体５５Ｃは、シールド膜５１から第１ＧＮＤ端子１３Ｃへ順に、第３上層貫通導体５９Ｃ（図６及び図７）、第３下層パターン６１Ｃ（図７）及び第３下層貫通導体６３Ｃ（図７）を有している。
第３上層貫通導体５９Ｃは、内底面９ａから上層部９ｃを下方へ貫通する導体であり、上端がシールド膜５１の被接続部５１ｂａに接続されている。第３下層パターン６１Ｃは、下層部９ｄの上面上に位置する導電層であり、第３上層貫通導体５９Ｃの下端に接続されている。第３下層貫通導体６３Ｃは、下層部９ｄを下方へ貫通する導体であり、上端が第３下層パターン６１Ｃに接続されているとともに下端が第１ＧＮＤ端子１３Ｃに接続されている。
なお、シールド膜５１のうち被接続部５１ｂａを第３配線導体５５Ｃの一部と捉えれば、第３配線導体５５Ｃは、第１配線導体５５Ａと同様の階層構造を有している。また、逆に、第１配線導体５５Ａは、第１上層パターン５７Ａが設けられずに、第１上層貫通導体５９Ａが第１パッド１１Ａの直下に位置することによって、第３配線導体５５Ｃと同様の階層構造を有していてもよい。第２配線導体５５Ｂも同様である。
第３配線導体５５Ｃの各部の平面視における位置及び形状は適宜に設定されてよい。例えば、第３上層貫通導体５９Ｃ（その中心位置）は、凹部５ａの内底面９ａの中心及び／又は第１上層貫通導体５９Ａよりも、第１ＧＮＤ端子１３Ｃ側（＋Ｄ１側かつ＋Ｄ２側）に位置している。第３下層パターン６１Ｃは、例えば、第３上層貫通導体５９Ｃの位置から、第１ＧＮＤ端子１３Ｃが位置する対角（＋Ｄ１側かつ＋Ｄ２側）に向かって延びている。第３下層貫通導体６３Ｃは、第３下層パターン６１Ｃの＋Ｄ１側かつ＋Ｄ２側へ延びる中途に位置している。
また、第３配線導体５５Ｃは、シールド膜５１と第２ＧＮＤ端子１３Ｄとの接続も担っている。具体的には、第３下層パターン６１Ｃは、第３上層貫通導体５９Ｃの位置から、第２ＧＮＤ端子１３Ｄが位置する対角（－Ｄ１側かつ－Ｄ２側）へ向かって延びている。その途中には、第４下層貫通導体６３Ｄが位置している。第４下層貫通導体６３Ｄは、下層部９ｄを下方へ貫通する導体であり、上端が第３下層パターン６１Ｃに接続されているとともに下端が第２ＧＮＤ端子１３Ｄに接続されている。
第３下層パターン６１Ｃは、図７に示すように、例えば、下層部９ｄの上面を２分するように延びている。２分された一方の領域には、第１上層貫通導体５９Ａ、第１下層パターン６１Ａ及び第１下層貫通導体６３Ａが位置している。他方の領域には、第２上層貫通導体５９Ｂ、第２下層パターン６１Ｂ及び第２下層貫通導体６３Ｂが位置している。なお、平面透視したときに、第１上層パターン５７Ａ及び第１パッド１１Ａが前記一方の領域に位置し、第２上層パターン５７Ｂ及び第２パッド１１Ｂが前記他方の領域に位置してもよい。第３下層パターン６１Ｃは、適宜に屈曲又は湾曲して延びていてよい。
特に図示しないが、基体９の外周面には、角部にＤ３軸方向に延びる溝が形成されていてもよい。そして、当該溝内に下層パターン６１及び／又は外部端子１３に接続される導電層が形成されていてもよい。
（配線被覆膜）
図５及び図６の比較から理解されるように、素子搭載部材５の凹部５ａ内には、第１配線導体５５Ａ（第１上層パターン５７Ａ）を覆う第１配線被覆膜６５Ａと、第２配線導体５５Ｂ（第２上層パターン５７Ｂ）を覆う第２配線被覆膜６５Ｂとが設けられている。これらの配線被覆膜６５は、例えば、シールド被覆膜５３と同一の材料及び厚さで形成されている。配線被覆膜６５の平面形状は、例えば、上層パターン５７と同様の形状であり、また、上層パターン５７よりも若干大きい。
（凹部の内底面における突部）
図８（ａ）は、第２パッド１１Ｂ及びその周囲を示す斜視図である。図８（ｂ）は、図８（ａ）のVIIIｂ－VIIIｂ線における断面図である。ただし、これらの図では、配線被覆膜６５の図示は省略されている。また、これらの図では、第２パッド１１Ｂ及びその周囲の構成を示すが、第１パッド１１Ａ及びその周囲の構成も図示の構成と同様である。
図４（ａ）、図４（ｂ）、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、基体９は、凹部５ａの内底面９ａにおいて、（蓋体７側）に突出する１対の突部９ｆを有している。１対のパッド１１及び上層パターン５７は、その１対の突部９ｆの上面に位置している。
突部９ｆの上面は、例えば、内底面９ａの他の部分に概ね平行な平面である。すなわち、突部９ｆは、断面視において、少なくとも１組の対辺が互いに平行な矩形である。突部９ｆの上面の形状及び寸法は、例えば、パッド１１及び上層パターン５７の平面形状及び寸法と概ね同等である。ここでいう同等は、例えば、両者の差がパッド１１の最小径若しくは最大径の１０％以下及び／又は３０μｍ以下の状態である。ただし、突部９ｆの上面は、パッド１１及び上層パターン５７よりも広くてもよいし、狭くてもよい。突部９ｆの突出量（内底面９ａの他の部分からの高さ）は、適宜に設定されてよい。例えば、当該突出量は、パッド１１の厚さの５倍以上又は２０μｍ以上である。
（振動子の製造方法）
振動子１の製造方法は、素子搭載部材５に振動素子３を実装するステップと、その後、素子搭載部材５に蓋体７を接合するステップとを有している。振動素子３及び蓋体７の製造方法は、公知の種々の方法と同様とされてよい。例えば、振動素子３の製造方法では、水晶ウェハに対してエッチングを行って水晶片１５を形成する。また、水晶片１５に対してマスクを介して導電層を形成することによって、又は水晶片１５に導電層を形成した後にマスクを介してエッチングを行うことによって、励振電極１７、素子端子１９及び不図示の配線が形成される。
図９（ａ）～図９（ｄ）は、素子搭載部材５の製造方法を説明するための断面図であり、図４（ａ）に対応している。
ここでは、セラミックによって基体９を形成する場合を例に取る。製造工程は、図９（ａ）から図９（ｄ）へ順に進む。以下の説明では、便宜上、製造工程の進行に伴って部材の形状又は特性が変化しても、その変化の前後で同一の符号を用いることがある。
まず、図９（ａ）に示すように、上層部９ｃとなるセラミックグリーンシート７１（以下、単に「シート７１」ということがある。）を準備する。シート７１の製造方法は、公知の種々の方法と同様でよい。シート７１は、この時点では平板状である。また、シート７１は、例えば、複数の上層部９ｃが多数個取りされる大きさを有している。ただし、シート７１は、１つの上層部９ｃに対応する大きさであってもよい。
次に、図９（ｂ）に示すように、シート７１の主面（板状の部材の最も広い面。表裏）の一方（上面）に、パッド１１、上層パターン５７（ここでは不図示）及びシールド膜５１となる導電ペースト７３を配置する（ペースト配置ステップ）。当該配置は、具体的なパターンを除いては、従来の公知の種々の方法と同様になされてよい。導電ペースト７３は、例えば、一定の厚さで形成される。ただし、互いに異なるマスクを用いて２回印刷することなどによって、一部（例えば内周面重畳部５１ａとなる部分）が厚く形成されてもよい。
特に図示しないが、次のステップ（図９（ｃ））の前に、シート７１に貫通孔が形成され、当該貫通孔に上層貫通導体５９となる導電ペーストが配置されてよい。貫通孔への導電ペーストの充填は、上記の導電層の形成と同時に行われてもよい。また、下層パターン６１となる導電ペーストがシート７１の下面に配置されてもよい。
次に、図９（ｃ）に示すように、凹部５ａの形状に対応する形状を有する型７５によって、シート７１の上面をプレス（加圧）する（プレスステップ）。なお、特に図示しないが、シート７１の下面は、例えば、不図示の型の、比較的広い平面状の上面によって支持されている。
上記のプレスによって、シート７１には凹部５ａが形成される。また、台座部９ｅ及び突部９ｆも形成される。また、図９（ｂ）において紙面右側に示した導電ペーストは、内周面重畳部５１ａ、内底面重畳部５１ｂ及び上面重畳部５１ｃとなる。
型７５の外周面及び下面（－Ｄ３側）においては、シールド被覆膜５３の配置領域に対応する領域が他の領域に比較してシールド被覆膜５３の厚さ以上の高さで張り出している。これにより、内周面重畳部５１ａ及び内底面重畳部５１ｂの表面は、基体９の表面のうちのシールド膜５１の非配置領域よりも低くなる。なお、型７５に上記のような張り出し部分を設けずに、内周面重畳部５１ａ及び内底面重畳部５１ｂ（導電ペーストの状態）の表面を基体９の表面のうちのシールド膜５１の非配置領域と面一にしてもよい。
次に、図９（ｄ）に示すように、シート７１と、下層部９ｄとなるセラミックグリーンシート７７（以下、単に「シート７７」ということがある。）とを積層する。シート７７には、各種の導体（例えば１３、６１及び６３等）となる導電ペーストが配置されている。このような導電ペーストが配置されたシート７７の製造方法は、公知の種々の方法と同様とされてよい。
また、積層前又は積層後において、凹部５ａ内には、シールド被覆膜５３及び配線被覆膜６５が形成される。これらの絶縁膜の形成方法は、公知の種々の方法と同様とされてよい。例えば、マスクを介してＣＶＤ（chemical vapor deposition）によって絶縁膜が形成されてもよいし、マスクを介して金属層を形成し、当該金属層を酸化処理することによって絶縁膜を形成してもよい。
なお、上記では、上層貫通導体５９となる導電ペーストを図９（ｃ）のプレスの前に配置することについて述べたが、例えば、プレスの後かつ積層の前にシート７１に貫通孔を形成して、上層貫通導体５９となる導電ペーストを貫通孔内に配置してもよい。
積層の後、シート７１及び７７の積層体は焼成される。そして、図９（ｄ）において点線で示すように、ウェハ状の積層体は個片化される。これにより、素子搭載部材５が作製される。
以上のとおり、本実施形態に係る振動子１は、凹部５ａが設けられている素子搭載部材５と、凹部５ａに収容されている振動素子３と、凹部５ａを塞いでいる蓋体７と、を有している。素子搭載部材５は、凹部５ａの内底面９ａ及び内底面９ａを囲む内周面９ｂを有している絶縁性の基体９と、基体９の外面に位置しており、振動素子３と電気的に接続されている１対の信号端子（１３Ａ及び１３Ｂ）と、基体９の外面に位置しているＧＮＤ端子（１３Ｃ及び／又は１３Ｄ）と、凹部５ａの内周面９ｂに重なっており、ＧＮＤ端子（１３Ｃ及び／又は１３Ｄ）に電気的に接続されているシールド膜５１と、を有している。
従って、例えば、シールド膜５１によって、振動子１の外部から振動素子３へ向かうノイズを遮断することができる。その結果、例えば、ノイズが振動素子３の動作に及ぼす影響が低減され、ひいては、発振信号の精度が向上する。また、シールド膜５１は、例えば、素子搭載部材５の内面に位置していることから、素子搭載部材５の外面に位置している場合に比較して、振動素子３に近く、効果的にノイズを遮断することができる。また、例えば、シールド膜５１は、素子搭載部材５及び蓋体７によって気密封止されることになるから、腐食等から保護されやすく、シールド機能を長期に亘って発揮することができる。
また、本実施形態では、振動子１は、凹部５ａの内底面９ａに、１対の信号端子（１３Ａ及び１３Ｂ）に電気的に接続されており、振動素子３が実装される１対のパッド１１を更に有している。内周面９ｂは、内底面９ａの平面視において、１対のパッド１１の双方と所定距離ｄ１以上離れている第１領域Ａ１と、１対のパッド１１の少なくとも一方との距離が所定距離ｄ１よりも短い第２領域Ａ２と、を有している。シールド膜５１は、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２のうち第１領域Ａ１のみに重なっている。
従って、例えば、パッド１１から溢れたバンプ４１によって、パッド１１とシールド膜５１とが短絡してしまうおそれが低減される。別の観点では、パッド１１を内周面９ｂに近づけて振動子１の小型化を図ることができる。
また、本実施形態では、内周面９ｂは、Ｄ１軸方向において互いに対向する第１内壁面１０Ａ及び第２内壁面１０Ｂと、Ｄ１軸方向に直交するＤ２軸方向において互いに対向する第３内壁面１０Ｃ及び第４内壁面１０Ｄと、を有している。振動素子３は、圧電体（水晶片１５）を有している。水晶片１５は、基部２１、１対の振動腕２３及び支持腕３３を有している。１対の振動腕２３は、内底面９ａの平面視において、基部２１から第４内壁面１０Ｄ側へ互いに並列に延びている。支持腕３３は、基部２１から第１内壁面１０Ａ側へ突出しており、続いて第４内壁面１０Ｄ側へ曲がって１対の振動腕２３に対して並列に延びている。また、振動素子３は、１対の振動腕２３に位置している複数の励振電極１７と、複数の励振電極１７に電気的に接続されているとともに１対のパッド１１に接合されている１対の素子端子１９と、を有している。１対の素子端子１９の少なくとも一方（本実施形態では双方）は支持腕３３に位置している。第１領域Ａ１は、第２内壁面１０Ｂのうちの１対の振動腕２３の外側に位置する部分、及び第４内壁面１０Ｄのうちの第２内壁面１０Ｂ側の一部を含んでいる。第２領域Ａ２は、第１内壁面１０Ａのうちの、支持腕３３の素子端子１９に接合されているパッド１１の外側に位置する部分を含んでいる。
すなわち、シールド膜５１の非配置領域（第２領域Ａ２）は、水晶片１５に対して支持腕３３側に位置し、シールド膜５１は、水晶片１５に対して振動腕２３側に位置している。その結果、例えば、パッド１１とシールド膜５１との短絡のおそれを低減しつつ、励振電極１７に直接的にノイズが侵入するおそれを低減できる。また、例えば、励振電極１７は、比較的面積が広く確保されるから、この観点においてもノイズの影響は低減される。
また、本実施形態では、蓋体７は、金属によって構成されている。シールド膜５１は、内周面９ｂ上から基体９の上面上に広がっており、基体９の上面上の部分が蓋体７に接合されている。
従って、例えば、蓋体７がシールドとして機能することになり、ノイズの遮断効果が向上する。また、例えば、蓋体７は、ある程度の剛性を有するように厚みを有しており（例えばシールド膜５１の厚さの１０倍以上）、ひいては、シールド膜５１の体積よりも体積が大きいから、シールド膜５１に侵入したノイズ（電流）を蓋体７へ分散させることができる。また、シールド膜５１は、例えば、蓋体７と第１ＧＮＤ端子１３Ｃ及び／又は第２ＧＮＤ端子１３Ｄとを接続する配線としても機能することになる。その結果、例えば、素子搭載部材５の壁部に蓋体７とＧＮＤ端子とを接続する貫通導体は不要であり、素子搭載部材５の壁部を薄くすることができる。ひいては、振動子１の小型化が図られる。
また、本実施形態では、シールド膜５１は、内周面９ｂ上から内底面９ａ上に広がっている。
従って、例えば、シールドの面積が増大して、ノイズの遮断効果が向上する。また、例えば、内周面重畳部５１ａの下端を回り込んで凹部５ａ内へ侵入しようとするノイズを効果的に遮断することができる。すなわち、ノイズの遮断に関して内周面重畳部５１ａと内底面重畳部５１ｂとの相乗効果を期待できる。
また、本実施形態では、振動子１は、シールド膜５１を覆うシールド被覆膜５３を更に有している。
従って、例えば、振動素子３を素子搭載部材５に実装したときの位置ずれによって、振動素子３とシールド膜５１とが近接したりしても、両者の絶縁が確保される。また、シールド膜５１の腐食等からの保護が図られる。
また、本実施形態では、基体９は、内底面９ａに、蓋体７側に突出しており、上面に１対のパッド１１が形成されている１対の突部９ｆを有している。
従って、例えば、振動素子３の凹部５ａ内における高さを調整しやすい。その結果、例えば、振動素子３と、素子搭載部材５の内面及び蓋体７の下面とのクリアランスを確実に取ることができる。また、例えば、シールド膜５１の内周面重畳部５１ａに対する振動素子３の位置を適宜なものにして、振動素子３に侵入するノイズを低減することができる。また、例えば、バンプ４１がパッド１１から溢れたときに、突部９ｆの外周面と、内底面９ａのうちの突部９ｆの周囲部分とが成す角部における毛管力によってパッド１１の流出を抑制し、バンプ４１がシールド膜５１に接触するおそれを低減することができる。
また、本実施形態では、振動子１の製造方法は、基体９の少なくとも一部となる平板状のセラミックグリーンシート７１の主面に、１対のパッド１１及びシールド膜５１とな導電ペーストを配置するペースト配置ステップ（図９（ｂ））と、ペースト配置ステップの後に、シート７１の前記主面をプレスして、凹部５ａを形成するプレスステップ（図９（ｃ））と、を有している。
従って、例えば、シート７１の主面に対して交差する内周面９ｂに導電ペーストを塗布しなくてもよい。その結果、例えば、スクリーン印刷等の従来から普及している方法によって導電ペーストを配置することができる。
＜変形例＞
図１０は、変形例に係る第３下層パターンを示す平面図であり、図７に相当している。
この図に示すように、実施形態の第３下層パターン６１Ｃに相当する第３下層パターン６１Ｃ－２は、ベタ状に形成されていてもよい。より具体的には、例えば、第３下層パターン６１Ｃ－２は、第１配線導体５５Ａ及び第２配線導体５５Ｂ並びにその周囲を除いて、下層部９ｄの上面の全体に広がっている。別の観点では、第３下層パターン６１Ｃ－２の縁部は、下層部９ｄの外縁に沿う部分と、第１配線導体５５Ａ及び第２配線導体５５Ｂの外縁に沿う部分とからなる。なお、第３下層パターン６１Ｃ－２は、下層部９ｄの外縁から離れていてもよい。第３下層パターン６１Ｃ－２の面積は、例えば、下層部９ｄの上面のうちの第１配線導体５５Ａ及び第２配線導体５５Ｂの非配置領域の面積の７０％以上である。
このように第３下層パターン６１Ｃ－２をベタ状にすることによって、例えば、第３下層パターン６１Ｃ－２をシールドとして機能させることができる。これにより、素子搭載部材５の下面から侵入しようとするノイズを遮断することができる。
なお、特に図示しないが、上記の第３下層パターンの変形に代えて、又は加えて、シールド膜５１の内底面重畳部５１ｂは、１対のパッド１１、第１配線導体５５Ａ及び第２配線導体５５Ｂ並びにその周囲を除いて内底面９ａに広がるベタ状に形成されてもよい。
＜第２実施形態＞
図１１は、第２実施形態に係る振動子２０１の内部を示す平面図である。より具体的には、図１１は、基本的に、第１実施形態の図３に相当する。ただし、第１実施形態の図５と同様に、上面重畳部５１ｃに相当する部分の図示が省略されつつ、シールド膜２５１及びシールド被覆膜２５３が図示されている。なお、配線被覆膜６５に関しては、図示が省略されていると捉えられてもよいし、上層パターン５７及び配線被覆膜６５が設けられていないと捉えられてもよい。
振動子２０１は、第１実施形態の振動子１と同様に、振動素子２０３、素子搭載部材２０５及び蓋体７（ここでは不図示）を有している。また、振動素子２０３は、第１実施形態の振動素子３と同様に、１対の振動腕２３、支持腕３３及び支持突部３５を有する構成である。
ただし、第１実施形態では、１対の素子端子１９が、いずれも支持腕３３に設けられたのに対して、本実施形態では、点線により示すように、第２素子端子１９Ｂが、支持腕３３に代えて、支持突部３５に設けられている。
素子搭載部材２０５は、第１実施形態の素子搭載部材５と同様に、凹部２０５ａを有している。そして、第１実施形態と同様に、凹部２０５ａの内底面２０９ａには、１対のパッド１１及び台座部２０９ｅが形成されている。
ただし、上記の素子端子１９の配置の相違に伴い、本実施形態では、第２パッド１１Ｂの位置と台座部２０９ｅの位置とが第１実施形態とは逆になっている。すなわち、第２パッド１１Ｂは、支持突部３５の下方に位置しており、台座部２０９ｅは、支持腕３３の下方に位置している。なお、別の観点では、本実施形態では、１対のパッド１１は、第３内壁面１０Ｃに沿って配列されている。
また、素子搭載部材２０５は、第１実施形態の素子搭載部材５と同様に、シールド膜２５１及びシールド被覆膜２５３を有している。シールド膜２５１及びシールド被覆膜２５３は、例えば、第１実施形態と同様の考え方によって設けられている。
例えば、凹部２０５ａの内周面２０９ｂは、１対のパッド１１の双方から所定距離ｄ１（ここでは図示省略）以上離れている第１領域Ａ１と、１対のパッド１１の少なくとも一方との距離が所定距離ｄ１よりも短い第２領域Ａ２とを有している。そして、シールド膜２５１のうち内周面２０９ｂに重なる内周面重畳部２５１ａは、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２のうち、第１領域Ａ１のみに重なっている。
また、例えば、シールド膜２５１の内底面重複部（不図示）は、内底面２０９ａにおいて、概ね一定の幅で第１領域Ａ１の長さに亘って延びている。シールド被覆膜２５３は、内周面重畳部２５１ａ及び内底面重複部の全体を覆う、これらと概ね同様の形状とされている。
ただし、本実施形態の１対のパッド１１の配置は、第１実施形態の１対のパッド１１の配置とは異なるから、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２の具体的な範囲は第１実施形態と相違する。
例えば、第１領域Ａ１は、少なくとも、第４内壁面１０Ｄの全部、第１内壁面１０Ａのうちの第４内壁面１０Ｄ側の一部、及び第２内壁面１０Ｂのうちの第４内壁面１０Ｄ側の一部を含んでいる。また、例えば、第２領域Ａ２は、少なくとも、第３内壁面１０Ｃの一部を含んでいる。
図示の例では、第２領域Ａ２は、第３内壁面１０Ｃの全部、第１内壁面１０Ａのうちの第３内壁面１０Ｃ側の一部、及び第２内壁面１０Ｂのうちの第３内壁面１０Ｃ側の一部を含んでいる。第１領域Ａ１は、例えば、内底面３０９ａの中心回りの角度で、１８０°以上又は２７０°以上の範囲に亘っている。
なお、１対のパッド１１の位置等によっては、第１領域Ａ１は、第１内壁面１０Ａの全部、第２内壁面１０Ｂの全部、及び／又は第３内壁面１０Ｃの一部（例えば１対のパッド１１の間及び／又はＤ１軸方向の両側）を含んでいてもよい。
特に図示しないが、１対のパッド１１及びシールド膜２５１と、外部端子１３とを接続する配線導体は、第１実施形態と同様に、上層部２０９ｃの上面及び内部並びに下層部２０９ｄの上面及び内部に配された階層構造の導体によって構成されてよい。ただし、具体的な位置及び形状は、１対のパッド１１及びシールド膜２５１の位置に応じて適宜に変更される。
以上のとおり、第２実施形態に係る振動子２０１は、第１実施形態と同様に、凹部２０５ａの内周面２０９ｂに重なっており、ＧＮＤ端子（１３Ｃ及び／又は１３Ｄ）に接続されているシールド膜２５１を有している。従って、第１実施形態と同様の効果が奏される。例えば、シールド膜２５１によって、振動子２０１の外部から振動素子２０３へ向かうノイズを遮断することができる。
なお、特に図示しないが、１対の素子端子１９は、支持腕３３の先端側部分と、支持突部３５とに設けられてもよい。そして、支持腕３３の根本側部分が素子搭載部材に単に支持される部分とされてもよい。この場合も、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２が所定距離ｄ１を用いて設定され、シールド膜が設けられてよい。この際、２つのパッド１１の外側それぞれに第２領域Ａ２が設定されてもよい。すなわち、２つの第１領域Ａ１と２つの第２領域Ａ２とが設定されてもよい。
＜第３実施形態＞
図１２（ａ）は、第３実施形態に係る振動子３０１の内部を示す平面図である。図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のXIIｂ－XIIｂ線における断面図である。図１２（ａ）では、図１１と同様に、上面重畳部５１ｃに相当する部分の図示が省略されつつ、シールド膜３５１及びシールド被覆膜３５３が図示されている。なお、配線被覆膜６５に関しては、図示が省略されていると捉えられてもよいし、上層パターン５７及び配線被覆膜６５が設けられていないと捉えられてもよい。
振動子３０１は、第１実施形態の振動子１と同様に、振動素子３０３、素子搭載部材３０５及び蓋体７を有している。ただし、第１実施形態の振動素子３が音叉型のものであったのに対して、振動素子３０３は、板状のものとされている。具体的には、以下のとおりである。
（振動素子）
振動素子３０３は、水晶片３１５と、水晶片３１５に電圧を印加するための１対の励振電極３１７と、振動素子３０３を素子搭載部材３０５に実装するための１対の素子端子３１９とを有している。
水晶片３１５は、例えば、概ね長方形の板状に形成されている。すなわち、水晶片３１５は、平面視において、Ｄ１軸方向において対向する１対の長縁（長辺）と、Ｄ２軸方向において対向する１対の短縁（短辺）とを有している。なお、これら４つの縁部は、湾曲していてもよい。水晶片３１５は、図示の例では平板状とされている。すなわち、厚みは一定である。ただし、例えば、水晶片３１５は、中央側が外周側よりも厚い、いわゆるメサ型とされてもよい。また、水晶片３１５の外周部はいわゆるベベル加工が施されていてもよい。水晶片３１５は、例えば、ＡＴカット板によって構成されている。ただし、水晶片３１５は、ＡＴカット板に限定されず、例えば、ＢＴカット板によって構成されていてもよい。
１対の励振電極３１７は、例えば、水晶片３１５の両主面において、主面の外縁から離れた領域に層状に設けられており、水晶片３１５を挟んで互いに対向している。１対の励振電極３１７の中心は、水晶片３１５の主面の中心に対して、Ｄ２軸方向の一方側（第４内壁面１０Ｄ側）に位置している。１対の励振電極３１７の形状及び寸法は、例えば、互いに同一であり、平面透視において両者は互いに一致する。１対の励振電極３１７の平面形状は、矩形（図示の例）又は円形等の適宜な形状とされてよい。１対の励振電極３１７によって水晶片３１５に交流電圧が印加されることによって、水晶片３１５は、いわゆる厚みすべり振動を生じる。
１対の素子端子３１９は、例えば、１対の励振電極３１７から引き出されて水晶片３１５の長手方向一方側（第３内壁面１０Ｃ側）の端部において当該端部（短縁）に沿って配列されている。１対の素子端子３１９は、水晶片３１５の１対の主面のうち一方（下面）に設けられていればよい。ただし、図示の例では、振動素子３０３の両主面のいずれが下面とされてもよいように、１対の素子端子３１９は、両主面に亘って形成されている。なお、１対の励振電極３１７及び１対の素子端子３１９を含む導電層は、概略、Ｄ２軸に平行な不図示の対称軸に対して１８０°回転対称の形状とされている。
（素子搭載部材）
素子搭載部材３０５は、第１実施形態の素子搭載部材５と同様に、凹部３０５ａを有している。そして、第１実施形態と同様に、凹部３０５ａの内底面３０９ａには、１対のパッド１１が形成されている。１対のパッド１１は、例えば、内底面３０９ａの長手方向（Ｄ２軸方向）の一方側の端部において、Ｄ１軸方向に配列されている。別の観点では、１対のパッド１１は、第３内壁面１０Ｃに隣接する位置において、第３内壁面１０Ｃに沿って配列されている。１対のパッド１１は、例えば、Ｄ２軸方向に平行で内底面３０９ａの中心を通る不図示の対称軸に対して線対称の位置及び形状（寸法含む）で形成されている。
振動素子３０３は、内底面３０９ａに対向配置された状態で、１対のパッド１１と１対の素子端子３１９とがバンプ４１によって接合されている。これにより、振動素子３０３は、素子搭載部材３０５に対して電気的に接続されるとともに固定されている。１対の素子端子３１９は、振動素子３０３のＤ２軸方向の一端側に位置しているから、振動素子３０３は、片持ち梁のように支持されている。なお、素子搭載部材３０５では、第１実施形態の台座部９ｅに相当する部分は設けられていない。ただし、そのような部分が設けられていてもよい。
素子搭載部材３０５は、第１実施形態の素子搭載部材５と同様に、シールド膜３５１及びシールド被覆膜３５３を有している。シールド膜３５１及びシールド被覆膜３５３は、例えば、第１実施形態と同様の考え方によって設けられている。
例えば、凹部３０５ａの内周面３０９ｂは、１対のパッド１１の双方から所定距離ｄ１（ここでは図示省略）以上離れている第１領域Ａ１と、１対のパッド１１の少なくとも一方との距離が所定距離ｄ１よりも短い第２領域Ａ２とを有している。そして、シールド膜３５１のうち内周面３０９ｂに重なる内周面重畳部３５１ａは、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２のうち、第１領域Ａ１のみに重なっている。
また、例えば、シールド膜３５１の内底面重複部３５１ｂは、内底面３０９ａにおいて、概ね一定の幅で第１領域Ａ１の長さに亘って延びている。シールド被覆膜３５３は、内周面重畳部３５１ａ及び内底面重複部３５１ｂの全体を覆う、これらと概ね同様の形状とされている。
ただし、本実施形態の１対のパッド１１の配置は、第１実施形態の１対のパッド１１の配置とは異なるから、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２の具体的な範囲は第１実施形態と相違する。
例えば、第１領域Ａ１は、少なくとも、第４内壁面１０Ｄの全部、第１内壁面１０Ａのうちの第４内壁面１０Ｄ側の一部、及び第２内壁面１０Ｂのうちの第４内壁面１０Ｄ側の一部を含んでいる。また、例えば、第２領域Ａ２は、少なくとも、第３内壁面１０Ｃの一部を含んでいる。
図示の例では、第２領域Ａ２は、第３内壁面１０Ｃの全部、第１内壁面１０Ａのうちの第３内壁面１０Ｃ側の一部、及び第２内壁面１０Ｂのうちの第３内壁面１０Ｃ側の一部を含んでいる。また、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２それぞれは、例えば、Ｄ２軸に平行な不図示の対称軸に対して線対称に形成されている。第１領域Ａ１は、例えば、内底面３０９ａの中心回りの角度で、１８０°以上又は２７０°以上の範囲に亘っている。
なお、１対のパッド１１の位置等によっては、第１領域Ａ１は、第１内壁面１０Ａの全部、第２内壁面１０Ｂの全部、及び／又は第３内壁面１０Ｃの一部（例えば１対のパッド１１の間及び／又はＤ１軸方向の両側）を含んでいてもよい。
特に図示しないが、１対のパッド１１及びシールド膜３５１と、４つの外部端子１３とを接続する配線導体は、例えば、第１実施形態と同様に、上層部３０９ｃの上面及び内部並びに下層部３０９ｄの上面及び内部に配された階層構造の導体によって構成されてよい。ただし、具体的な位置及び形状は、１対のパッド１１及びシールド膜３５１の位置に応じて適宜に変更される。
以上のとおり、第３実施形態に係る振動子３０１は、第１実施形態と同様に、凹部３０５ａの内周面３０９ｂに重なっており、ＧＮＤ端子（１３Ｃ及び／又は１３Ｄ）に接続されているシールド膜３５１を有している。従って、第１実施形態と同様の効果が奏される。例えば、シールド膜３５１によって、振動子３０１の外部から振動素子３０３へ向かうノイズを遮断することができる。
また、本実施形態では、振動素子２０３は、内底面３０９ａに対向している板状の圧電体（水晶片３１５）と、水晶片３１５の両主面に位置している１対の励振電極３１７と、１対の励振電極３１７に電気的に接続されているとともに１対のパッド１１に接合されており、水晶片３１５の第３内壁面１０Ｃ側の端部において第３内壁面１０Ｃに沿って配列されている１対の素子端子１９と、を有している。シールド膜３５１の内周面重畳部３５１ａが重なる第１領域Ａ１は、第４内壁面１０Ｄの全部、第１内壁面１０Ａのうちの第４内壁面１０Ｄ側の一部、及び第２内壁面１０Ｂのうちの第４内壁面１０Ｄ側の一部を含んでいる。シールド膜３５１の非配置領域とされる第２領域Ａ２は、第３内壁面１０Ｃのうちの１対のパッド１１の外側に位置する部分を含んでいる。
従って、シールド膜３５１の非配置領域（第２領域Ａ２）は、素子端子１９側に位置しており、シールド膜３５１は、励振電極３１７側に位置している。その結果、例えば、パッド１１とシールド膜３５１との短絡のおそれを低減しつつ、励振電極３１７に直接的にノイズが侵入するおそれを低減できる。また、例えば、励振電極３１７は、比較的面積が広く確保されるから、この観点においてもノイズの影響は低減される。
＜第４実施形態＞
図１３（ａ）は、第４実施形態に係る振動子４０１の内部を示す平面図である。図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のXIIIｂ－XIIIｂ線における断面図である。図１３（ａ）では、図１１と同様に、上面重畳部５１ｃに相当する部分の図示が省略されつつ、シールド膜４５１及びシールド被覆膜４５３が図示されている。なお、配線被覆膜６５に関しては、図示が省略されていると捉えられてもよいし、上層パターン５７及び配線被覆膜６５が設けられていないと捉えられてもよい。
振動子４０１は、第１実施形態の振動子１と同様に、振動素子４０３、素子搭載部材４０５及び蓋体７を有している。また、振動素子４０３は、第１実施形態の振動素子３と同様に音叉型のものである。ただし、振動素子３においては、支持腕３３が１対の振動腕２３の外側に位置していたのに対して、振動素子４０３においては、支持腕３３に相当する支持部４３３が１対の振動腕２３の間に位置している。具体的には、以下のとおりである。
（振動素子）
振動素子４０３は、水晶片４１５と、水晶片４１５に電圧を印加するための複数の励振電極１７（１７Ｖ及び１７Ｈ）と、振動素子４０３を素子搭載部材４０５に実装するための１対の素子端子４１９とを有している。
水晶片４１５は、基部４２１と、基部４２１から互いに並列に延びる１対の振動腕２３と、１対の振動腕２３の間にて、基部４２１から１対の振動腕２３に並列に延びる支持部４３３とを有している。
水晶片４１５は、概して言えば、第１実施形態の水晶片１５において、支持腕３３（支持部４３３）の位置及び形状が変更されたものである。従って、例えば、水晶片４１５の結晶方位、複数の励振電極１７の配置、複数の励振電極１７と１対の素子端子４１９との接続関係、及び振動腕２３の動作等については、第１実施形態と同様である。
支持部４３３は、例えば、１対の振動腕２３の間の中央に位置している。支持部４３３の形状、幅（Ｄ１軸方向）及び長さ（Ｄ２軸方向）は適宜に設定されてよい。図示の例では、支持部４３３の形状は、一定の幅で直線状に延びる形状（直方体状）である。また、支持部４３３の幅は、振動腕２３の幅よりも大きくされている。支持部４３３の長さは、振動腕２３の長さよりも短くされている。
１対の素子端子４１９は、支持部４３３の下面に設けられている。１対の素子端子４１９の形状及び支持部４３３における位置は適宜に設定されてよい。図示の例では、１対の素子端子４１９は、支持部４３３の長さ方向の互いに異なる位置に配置されている。また、１対の素子端子４１９は、その中心の位置が支持部４３３の中心に対して支持部４３３の幅方向の互いに逆側に位置するように配置されている。なお、図示の例とは異なり、１対の素子端子４１９は、その中心位置が振動腕２３の延びる方向（Ｄ２軸方向）に平行に配列されたり、その全体が振動腕２３の幅方向（Ｄ１軸方向）の互いに異なる位置に配置されたりしてもよい。
ここで、平面視において、水晶片を包含する最小の凸多角形を考える。例えば、本実施形態では、当該凸多角形は、水晶片４１５の＋Ｄ１側の側面、－Ｄ１側の側面、－Ｄ２側の側面、及び１対の振動腕２３の先端同士を結ぶ仮想線（図示省略）を４辺として有する長方形である。このとき、第１～第３実施形態においては、１対の素子端子は凸多角形の縁部に隣接する。一方、本実施形態では、１対の素子端子４１９は、凸多角形の外縁（４辺）から凸多角形の内側へ離れている。
この離間距離（最短距離）は適宜に設定されてよい。例えば、当該距離は、上記凸多角形と凹部４０５ａの内周面４０９ｂとの距離（最短距離）の１．３倍以上である。また、当該距離は、例えば、７０μｍ以上である。
（素子搭載部材）
素子搭載部材４０５は、他の実施形態と同様に、凹部４０５ａを有している。そして、他の実施形態と同様に、凹部４０５ａの内底面４０９ａには、１対のパッド１１が形成されている。１対のパッド１１の位置は、１対の素子端子４１９の位置に対応している。図示の例では、１対のパッド１１（例えばその全体又は中心）は、内底面４０９ａの短手方向（Ｄ１軸方向）の中央側（例えば内底面４０９ａを三等分したときの中央の範囲）にて、内底面４０９ａの長手方向（Ｄ２軸方向）の互いに異なる位置に配置されている。
また、１対のパッド１１は、上記の離間距離よりも大きい距離で凹部４０５ａの内周面４０９ｂから離れている。１対のパッド１１の内周面４０９ｂからの離間距離（最短距離）は、例えば、第１実施形態で述べた所定距離ｄ１以上とされてよい。
振動素子４０３は、他の実施形態と同様に、内底面４０９ａに対向配置された状態で、１対のパッド１１と１対の素子端子４１９とがバンプ４１によって接合されている。なお、素子搭載部材４０５では、第１実施形態の台座部９ｅに相当する部分は設けられていない。ただし、そのような部分が設けられていてもよい。
素子搭載部材４０５は、他の実施形態と同様に、シールド膜４５１及びシールド被覆膜４５３を有している。ただし、本実施形態では、他の実施形態と異なり、シールド膜４５１の内周面重複部４５１ａは、凹部４０５ａの内周面４０９ｂの全周に亘って設けられている。シールド膜４５１の内底面重複部４５１ｂは、例えば、内底面４０９ａにおいて、概ね一定の幅で内周面４０９ｂの全周に亘って延びている。シールド被覆膜４５３は、内周面重複部４５１ａ及び内底面重複部４５１ｂと概ね同様の形状を有し、これらの全体を覆っており、ひいては、凹部４０５ａの全周に亘っている。
特に図示しないが、１対のパッド１１及びシールド膜４５１と、４つの外部端子１３とを接続する配線導体は、例えば、他の実施形態と同様に、上層部４０９ｃの上面及び内部並びに下層部４０９ｄの上面及び内部に配された階層構造の導体によって構成されてよい。ただし、具体的な位置及び形状は、１対のパッド１１及びシールド膜４５１の位置に応じて適宜に変更される。
以上のとおり、第４実施形態に係る振動子４０１は、他の実施形態と同様に、凹部４０５ａの内周面４０９ｂに重なっており、ＧＮＤ端子（１３Ｃ及び／又は１３Ｄ）に接続されているシールド膜４５１を有している。従って、他の実施形態と同様の効果が奏される。例えば、シールド膜４５１によって、振動子４０１の外部から振動素子４０３へ向かうノイズを遮断することができる。
また、本実施形態では、シールド膜４５１は、平面視において内周面４０９ｂの全周に亘っている。従って、平面視における全方位について、外部からのノイズがシールド膜４５１によって遮断される。
また、本実施形態では、振動素子４０３の水晶片４１５は、内底面４０９ａの平面視において、基部４２１と、基部４２１から互いに並列に延びている１対の振動腕２３と、１対の振動腕２３の間にて、基部４２１から１対の振動腕２３に並列に突出している支持部４３３と、を有している。また、振動素子４０３は、１対の振動腕２３に位置している複数の励振電極１７と、複数の励振電極１７に電気的に接続されているとともに１対のパッド１１に接合されており、支持部４３３に位置している１対の素子端子４１９と、を有している。
従って、１対のパッド１１は、平面視において水晶片４１５の内側に位置することになる。その結果、例えば、バンプ４１がパッド１１から溢れても、バンプ４１が内周面４０９ｂに到達するおそれは低い。ひいては、シールド膜４５１を内周面４０９ｂの全周に亘って設けつつ、内周面４０９ｂを振動素子４０３に近づけて、振動子４０１の小型化を図ることができる。
なお、以上の実施形態及び変形例において、水晶振動子１、２０１、３０１及び４０１は、それぞれ圧電振動デバイスの一例である。水晶振動素子３、２０３、３０３及び４０３は、それぞれ圧電振動素子の一例である。第１ＧＮＤ端子１３Ｃ及び第２ＧＮＤ端子１３Ｄは、それぞれ基準電位端子の一例である。シールド被覆膜５３、２５３、３５３及び４５３は、それぞれ絶縁膜の一例である。
本開示に係る技術は、以上の実施形態及び変形例に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
例えば、圧電振動デバイスは、水晶振動子に限定されない。例えば、圧電振動デバイスは、水晶振動子と、水晶振動子に電圧を印加して発振信号を生成する発振回路（ＩＣ：Integrated Circuit）とを有する水晶発振器であってもよい。また、圧電振動デバイスは、ジャイロセンサーであってもよい。
また、圧電振動デバイスは、素子搭載部材、圧電振動素子及び蓋体が一体化されたような構成のものであってもよい。例えば、圧電振動デバイスは、平板状のベースと、中間部材と、平板状の蓋体とが積層されて構成されたものであってもよい。中間部材は、枠部と、枠部の内部に位置しているとともに枠部に固定されている振動素子とを有している。振動素子は、例えば、枠部と一体的に形成されたＡＴカット板の両主面に１対の励振電極が設けられた構成であり、枠部よりも薄い（音叉型であってもよい。）。
上記の態様では、素子搭載部材は、ベース及び枠部によって構成され、その一部（枠部）は、例えば、水晶によって構成されている。枠部の内周面は、凹部の内周面となる。上記の態様では、振動素子は、枠部と固定されているから、振動素子を実装するためのパッドは設けられない。すなわち、凹部の内底面（ベースの上面のうち枠部の開口に重なる領域）に位置するパッドは設けられない。励振電極は、例えば、振動素子から枠部へ延び、ベース（及び必要に応じて枠部）を貫通する導体によって外部端子（信号端子）に接続される。
圧電振動素子は、実施形態のものに限定されない。例えば、圧電振動素子は、平面視において円形のＡＴカット板を有するものであってもよい。また、例えば、圧電振動素子は、平面視において矩形のＡＴカット板と、その長手方向の両端に位置する１対の素子端子とを有するものであってもよい。また、例えば、音叉型の圧電振動素子は、支持腕を有さずに、基部に１対の素子端子を有していてもよいし、１対の振動腕の両側外側に１対の支持腕を有していてもよいし、１対の振動腕の外側に位置する支持腕が基部の振動腕が延びる側（＋Ｄ２側）の側面から延び出ていてもよいし、枠状の支持部を有していてもよい。また、圧電体は、水晶に限定されず、セラミック等の圧電体であってもよい。
実施形態の素子搭載部材では、凹部の内周面は凹部の内底面に対して概ね直交した。ただし、内周面は、内底面に対して傾斜していてもよい。例えば、内周面は、内底面側ほど内側に位置するように傾斜していてもよい。また、内周面は、湾曲していたり、階段状に形成されていたりしてもよい。
実施形態では、上層部と下層部とを概念できる素子搭載部材を例示した。すなわち、実施形態では、内底面と外底面との間に下層導体パターンが設けられ、また、上層貫通導体と下層貫通導体とは互いに異なる位置に設けられた。ただし、素子搭載部材は、内底面と外底面との間を１層で概念できる構成であってもよい。例えば、内底面のパッドと、外底面の外部端子とは、上層導体パターンと、上層導体パターンから外部端子まで貫通する貫通導体とによって接続されていてもよい。
凹部及びシールド膜を形成する方法は、実施形態で例示した方法に限定されない。例えば、凹部の底面を構成するセラミックグリーンシートと、凹部となる貫通孔が形成されたセラミックグリーンシートとが積層されることによって凹部を有する基体が形成されてもよいし、樹脂の射出成形によって凹部を有する基体が形成されてもよい。また、シールド膜は、例えば、凹部の内底面の法線に対して傾斜した方向から金属材料を凹部の内周面に着弾させることによって形成されてもよい。
実施形態では、第４実施形態のみ、凹部の全周に亘ってシールド膜が形成された。ただし、第１～第３の実施形態の圧電振動素子の構成であっても、凹部の全周に亘ってシールド膜が形成されてもよい。逆に、第４実施形態の圧電振動素子の構成であっても、凹部の内周面の一部にシールド膜の非配置領域が存在してもよい。
シールド膜は、基体の上面（凹部の周囲）に重なる部分（上面重複部）及び／又は凹部の内底面に重なる部分（内底面重複部）を有していなくてもよい。シールド被覆膜は設けられなくてもよい。また、シールド被覆膜は、シールド膜の内底面重複部及び内周面重複部のうちパッドに近い位置のみを覆うなど、内底面重複部及び内周面重複部とは異なる形状とされてもよい。
１…水晶振動子（圧電振動子）、３…水晶振動素子（圧電振動素子）、５…素子搭載部材、５ａ…凹部、７…蓋体、９…基体、１３Ａ…第１信号端子、１３Ｂ…第２信号端子、１３Ｃ…第１ＧＮＤ端子（基準電位端子）、１３Ｄ…第２ＧＮＤ端子（基準電位端子）、５１…シールド膜。

Claims (10)

  1. 凹部が設けられている素子搭載部材と、
    前記凹部に収容されている圧電振動素子と、
    前記凹部を塞いでいる蓋体と、
    を有しており、
    前記素子搭載部材は、
    前記凹部の内底面及び当該内底面を囲む前記凹部の内周面を有している絶縁性の基体と、
    前記基体の外面に位置しており、前記圧電振動素子と電気的に接続されている１対の信号端子と、
    前記基体の外面に位置している基準電位端子と、
    前記内底面に位置しているとともに前記１対の信号端子に電気的に接続されており、前記圧電振動素子が実装される１対のパッドと、
    前記内周面に重なっており、前記基準電位端子に電気的に接続されているシールド膜と、を有しており、
    前記内周面は、前記内底面の平面視において、
    所定の第１方向において互いに対向する第１内壁面及び第２内壁面と、
    前記第１方向に直交する第２方向において互いに対向する第３内壁面及び第４内壁面と、を有しており、
    前記シールド膜は、前記内周面の下端から上端まで広がる幅で、少なくとも、前記第１内壁面、前記第２内壁面、前記第３内壁面及び前記第４内壁面の４つの内壁面のうちの１つの内壁面と、当該１つの内壁面に交差する２つの内壁面のうちの前記１つの内壁面の側の一部と、に亘っており、
    前記内周面は、前記内底面の平面視において、
    前記１対のパッドの双方と所定距離以上離れている第１領域と、
    前記１対のパッドの少なくとも一方との距離が前記所定距離よりも短い第２領域と、を有しており、
    前記シールド膜は、前記第１領域及び前記第２領域のうち前記第１領域のみに重なっており、
    前記第２領域は、前記４つの内壁面のうちの前記１つの内壁面以外の内壁面のいずれか１つの少なくとも一部に位置する第３領域を含んでおり、
    前記第３領域は、平面視において前記１対のパッドの少なくとも１つの全体に対して当該第３領域の法線方向に重なっている
    圧電振動デバイス。
  2. 前記圧電振動素子は、
    前記内底面の平面視において、
    基部と、
    前記基部から前記第４内壁面側へ互いに並列に延びている１対の振動腕と、
    前記基部から前記第１内壁面側へ突出しており、続いて前記第４内壁面側へ曲がって前記１対の振動腕に対して並列に延びている支持腕と、
    を有している圧電体と、
    前記１対の振動腕に位置している複数の励振電極と、
    前記複数の励振電極に電気的に接続されているとともに前記１対のパッドに接合されている１対の素子端子と、を有しており、
    前記１対の素子端子の少なくとも一方は、前記支持腕に位置しており、
    前記第１領域は、前記第２内壁面のうちの前記１対の振動腕の外側に位置する部分、及び前記第４内壁面のうちの前記第２内壁面側の一部を含んでおり、
    前記第２領域は、前記第１内壁面のうちの、前記支持腕の前記素子端子に接続されているパッドの外側に位置する部分を含んでいる
    請求項１に記載の圧電振動デバイス。
  3. 前記圧電振動素子は、
    前記内底面に対向している板状の圧電体と、
    前記圧電体の両主面に位置している１対の励振電極と、
    前記１対の励振電極に電気的に接続されているとともに前記１対のパッドに接合されており、前記圧電体の前記第３内壁面側の端部において前記第３内壁面に沿って配列されている１対の素子端子と、を有しており、
    前記第１領域は、前記第４内壁面の全部、前記第１内壁面のうちの前記第４内壁面側の一部、及び前記第２内壁面のうちの前記第４内壁面側の一部を含んでおり、
    前記第２領域は、前記第３内壁面のうちの前記１対のパッドの外側に位置する部分を含んでいる
    請求項１に記載の圧電振動デバイス。
  4. 凹部が設けられている素子搭載部材と、
    前記凹部に収容されている圧電振動素子と、
    前記凹部を塞いでいる蓋体と、
    を有しており、
    前記素子搭載部材は、
    前記凹部の内底面及び当該内底面を囲む前記凹部の内周面を有している絶縁性の基体と、
    前記基体の外面に位置しており、前記圧電振動素子と電気的に接続されている１対の信号端子と、
    前記基体の外面に位置している基準電位端子と、
    前記内底面に位置しているとともに前記１対の信号端子に電気的に接続されており、前記圧電振動素子が実装される１対のパッドと、
    前記内周面に重なっており、前記基準電位端子に電気的に接続されているシールド膜と、を有しており、
    前記内周面は、前記内底面の平面視において、
    所定の第１方向において互いに対向する第１内壁面及び第２内壁面と、
    前記第１方向に直交する第２方向において互いに対向する第３内壁面及び第４内壁面と、を有しており、
    前記シールド膜は、前記内周面の下端から上端まで広がる幅で、少なくとも、前記第１内壁面、前記第２内壁面、前記第３内壁面及び前記第４内壁面のうちの１つの内壁面と、当該１つの内壁面に交差する２つの内壁面のうちの前記１つの内壁面の側の一部と、に亘っており、
    前記基体は、前記内底面に、前記蓋体側に突出しており、上面に前記１対のパッドが形成されている１対の突部を有しており、
    前記１対の突部それぞれは、その全周に亘って前記内周面から離れている
    圧電振動デバイス。
  5. 前記シールド膜は、平面視において前記内周面の全周に亘っている
    請求項４に記載の圧電振動デバイス。
  6. 前記圧電振動素子は、
    前記内底面の平面視において、
    基部と、
    前記基部から互いに並列に延びている１対の振動腕と、
    前記１対の振動腕の間にて、前記基部から前記１対の振動腕に並列に突出している支持部と、
    を有している圧電体と、
    前記１対の振動腕に位置している複数の励振電極と、
    前記支持部に位置しており、前記複数の励振電極に電気的に接続されているとともに前記１対のパッドに接合されている１対の素子端子と、を有している
    請求項５に記載の圧電振動デバイス。
  7. 前記蓋体は、金属によって構成されており、
    前記シールド膜は、前記内周面上から前記基体の上面上に広がっており、前記基体の上面上の部分が前記蓋体に接合されている
    請求項１～６のいずれか１項に記載の圧電振動デバイス。
  8. 前記シールド膜は、前記内周面上から前記内底面上に広がっている
    請求項１～７のいずれか１項に記載の圧電振動デバイス。
  9. 前記シールド膜を覆う絶縁膜を更に有している
    請求項１～８のいずれか１項に記載の圧電振動デバイス。
  10. 請求項１に記載の圧電振動デバイスの製造方法であって、
    前記基体の少なくとも一部となる平板状のセラミックグリーンシートの主面に、前記１対のパッド及び前記シールド膜となる導電ペーストを配置するペースト配置ステップと、
    前記ペースト配置ステップの後に、前記セラミックグリーンシートの前記主面をプレスして、前記凹部を形成するプレスステップと、
    を有している圧電振動デバイスの製造方法。
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