JP7020775B2 - 静電多極デバイス、静電多極配置、および静電多極デバイスを製造する方法 - Google Patents
静電多極デバイス、静電多極配置、および静電多極デバイスを製造する方法 Download PDFInfo
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Description
走査電子顕微鏡(SEM)などの荷電粒子ビームを使用する検査デバイスは、それだけに限定されるものではないが、製造中の電子回路、リソグラフィ用の露出システム、検出デバイス、欠陥検査ツール、および集積回路用の試験システムの検査を含む複数の産業分野において、多くの機能を有する。そのような粒子ビームシステムでは、電流密度の高い微細なプローブを使用することができる。たとえば、SEMの場合、1次電子(PE)ビームが、2次電子(SE)および/または後方散乱電子(BSE)のような粒子を生成し、これらの粒子を使用して、標本を撮像および分析することができる。
さらに、単一荷電粒子ビームシステム向けの多極デバイスもまた、静電界の品質が不十分になる可能性があり、スポットサイズが増大し、荷電粒子ビーム装置の実現可能な空間分解能が損なわれる可能性がある。したがって、荷電粒子ビームを偏向および/または補正するために使用される優れた電界品質を提供することができる静電多極デバイスが必要とされている。
本明細書に記載する実施形態によれば、光軸に沿って伝搬する荷電粒子ビームに影響を与える静電多極デバイスが提供され、この静電多極デバイスは、荷電粒子ビームに対する少なくとも1つの開孔開口部を有する基板であり、少なくとも1つの開孔開口部が光軸に沿って基板を通って延びる、基板と、開孔開口部を通って伝搬する荷電粒子ビームに影響を与えるように基板の第1の主表面上に形成される4つ以上の電極であり、それぞれ開孔開口部のビーム制限エッジから半径方向の距離をあけて配置される4つ以上の電極とを含む。
本明細書に記載する実施形態と組み合わせることができるさらなる利点、特徴、態様、および詳細は、従属請求項、説明、および図面から明白である。
本発明の上記の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約した本発明に関するより具体的な説明は、実施形態を参照することによって得ることができる。添付の図面は、1つまたは複数の実施形態に関し、以下に説明する。
たとえば絶縁材料から作られた支持構造に導電性材料から作られた電極を加えることによって、静電多極デバイスを構築することができる。たとえば、荷電粒子ビームにとって十分に大きい隙間を偏向器電極間に設けるように、荷電粒子ビームの両側に2つの平板電極または湾曲電極を配置することによって、小型の双極デバイスを製造することができる。したがって、荷電粒子ビームを光軸に対して所定の偏向角度で偏向する良好な品質の電気偏向場を、荷電粒子ビームに印加することができる。
荷電粒子が電極間の中心領域のみに入ることを確実にするには、小さい開孔開口部を有する開孔板を静電多極デバイスから上流に配置して、開孔板から下流に配置された電極に対して荷電粒子ビームを中心に位置合わせすることができる。しかし、小型化されたデバイスの場合、空間寸法が小さいため、開孔板および多極デバイスの相対的なアライメントは困難になることがある。前述の問題を解決するために、本明細書に記載する実施形態によれば、小型化された形で製造するのが容易であると同時に電極間の中心領域内に高品質の電界を提供するように構成された静電多極デバイスが提供される。さらに、特に電極に対するシステム内の荷電粒子の位置を制御することができる。
いくつかの実装形態では、開孔開口部120の幅は、開孔開口部の上流側から開孔開口部の下流側へ段階的または連続的に、少なくとも部分的に変動、たとえば増大することができる。図3A、図5、および図6に、いくつかの例を示す。またこの場合、荷電粒子ビームの幅が、開孔開口部120に入るときに制限されるため、開孔開口部のビーム制限エッジ122は、開孔開口部の入口エッジに対応することができる。ビーム制限エッジ122と電極130との間の半径方向の距離Mは、ビーム制限エッジと電極を接続する接続線の半径方向の成分の長さに対応する。したがって、光軸に対して平行に開孔開口部を通って伝搬する荷電粒子は、各電極から距離をあけて通過する。
基板は、平板な基板、たとえば多層ウエハなどのウエハとすることができる。たとえば、基板は、少なくとも1つの絶縁体層を有する多層基板とすることができ、電極は絶縁体層上に形成される。
いくつかの実装形態では、開孔開口部の最小半径(D/2)は、より小さくすることができ、特に光軸Aと4つ以上の電極との間の半径方向の距離Xの1/2未満、さらに1/3未満、さらに1/5未満とすることができる。いくつかの実装形態では、4つ以上の電極の内側電極表面は、光軸Aの周りに延びる円形の線上に配置することができ、円形の線の半径は、開孔開口部の最小半径(D/2)より2倍大きくことができる。いくつかの実装形態では、開孔開口部120の最小直径Dは、4つ以上の電極のうちそれぞれ開孔開口部120の両側に配置された2つ電極130、134間の最小距離より小さくすることができる。いくつかの実装形態では、光軸からの半径方向の距離Xは、電極のそれぞれに対して同じである。
本明細書に開示する実施形態による静電多極デバイス100の製造は、電極のいくつかまたはすべてがたとえばシリコンまたはドープされたシリコンを含むとき、簡略化することができる。平坦な基板上に配置されるシリコン電極は、SOI基板(シリコンオンインシュレータ)から小型化された形で特に容易に形成することができる。さらに、結晶シリコンまたはドープされたシリコンの導電率は、静電多極デバイスの電極を形成するのに十分である。さらに導電率の高い材料、たとえば金属から作られた電極は、必要とされないことがある。他の実装形態では、電極は、金属を含むことができ、または金属から作ることができる。それでもなお、さらに他の材料系が、SOIウエハに類似の絶縁体または半導体を有する多層ウエハ構造を提供するのに適していることもある。
図2Aに示す実施形態では、基板110は、絶縁体層212を含み、電極は絶縁体層212上に形成される。基板は、半導体または導体材料を有するさらなる層214を含み、さらなる層は、絶縁体層212より下に配置される。さらなる層214は、電極が形成される第1の主表面112に対して絶縁体層212の反対側に配置することができる。さらなる層214は、基板の第2の主表面114を備えることができ、第2の主表面114は、静電多極デバイス200の上流側に向けられる。
さらなる層214は、分離層212より高い導電率を有する材料、たとえば金属または半導体、特にシリコンから作ることができる。いくつかの実装形態では、電極とさらなる層はどちらも、シリコンから作ることができるのに対して、絶縁体層は、SiO2またはサファイアなどの別の絶縁体を含むことができる。第2の主表面114が導体または半導体表面であるとき、基板110の第2の主表面114に当たった荷電粒子ビームの荷電粒子は、第2の主表面114上に蓄積しない。
これらの電極は、シリコンを含むことができ、またはシリコンからなることができる。電極を製造するために、SOIウエハの頂層とすることができる当初均一のシリコン層を部分的に除去し、たとえばエッチングすることができ、したがってシリコン層の残り部分が電極を形成する。これらの電極は、図2Bに示すように、正面図で台形に成形することができ、均等に隔置された角度位置で配置することができる。いくつかの実装形態では、電極は、台形の形状とは異なる形状を有することができる。たとえば、電極の内面を湾曲させることができる。別法として、電極は、本質的に光軸に対して半径方向に延びることができる導電線として提供することができる。本明細書に記載する他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態では、電極は、30°未満、特に15°未満の角度範囲にわたって延びることができる。たとえば、12極または20極デバイスの場合、個々の電極は、10°未満または5°未満の角度範囲にわたって延びることができる。
電極340は、分離層212を含む多極基板である基板110の第1の主表面112上に形成され、分離層212上には、電極340と、さらなる層214とが形成される。さらなる層214は、開孔開口部120のビーム制限エッジ122を備える。
図3A~3Cに示す静電多極デバイス300は、次のように製造することができる。第1に、導体または半導体層とすることができる2つのさらなる層同士の間に挟まれた絶縁体層212を有する多層基板が設けられる。多層基板は、2つのシリコン層同士の間に挟まれた絶縁体層212を有するSOIウエハとすることができる。荷電粒子ビームに対する少なくとも1つの開孔開口部が、たとえばエッチングによって形成され、光軸Aに沿って多層基板を通って延びる。2つの導体または半導体層の一方が部分的に除去され、残りの層の部分が、絶縁体層の第1の主表面上に電極を形成する。これらの電極は、開孔開口部を通って伝搬する荷電粒子ビームに影響を与えるように構成される。導体または半導体層を部分的に除去することは、各電極340が開孔開口部120のビーム制限エッジ122から半径方向の距離をあけて配置されるように導体または半導体層のいくつかの部分を除去することを含むことができる。
別法または追加として、本明細書に開示する他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態では、静電多極デバイスは、その外面上を高抵抗層で少なくとも部分的にコーティングすることができる。高抵抗層は、絶縁表面の帯電を防止するために、絶縁表面の露出部分を少なくとも部分的に覆うことができる。
基板の外面上および/または電極上に高抵抗層がコーティングとして設けられた静電多極デバイス400の一例を、図4A、図4B、および図4Cに示す。静電多極デバイス400は、本質的に、図3A~3Cに示す静電多極デバイスに対応し、したがって上記の説明を参照することができる。この説明について、ここでは繰り返さない。静電多極デバイス400は、高抵抗層を備える。
いくつかの実施形態では、高抵抗層の第1の部分407が、それぞれ2つの隣接する電極340間で光軸Aの周りに少なくとも部分的に延び、電極340間で電流の流れを可能にするように構成される。
本明細書に開示する他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態では、絶縁体層212より下に配置されたさらなる層214の露出した主表面上、すなわち絶縁体層の上流側に、高抵抗層の第3の部分405を設けることができる。
分離層212上に高抵抗層を設けることによって、静電補正器の絶縁体表面が露出されることを回避することができ、隣接する補正器電極間で本質的に連続する電位の降下または上昇を実現することができる。したがって、電気補正場の空間特性をさらに改善することができる。
図6は、光軸Aに沿って伝搬する荷電粒子ビームに影響を与える静電多極デバイス600を示す。多極デバイス600の基板110は、分離層212を含み、分離層212上には、電極と、さらなる層214とが形成される。さらなる層214は、導体または半導体材料から作られ、開孔開口部のビーム制限エッジ122を備える。開孔開口部は、第1のより大きい直径を有する絶縁体層と、第2のより小さい直径を有するさらなる層214とを通って延びる。開孔開口部120の内面上では、露出した絶縁体表面上に表面電荷が蓄積するのを防止するために、分離層212はさらなる層に対して半径方向に除去される。いくつかの実装形態では、第1の直径は、2つの対向して配置された電極間の距離より大きくすることができ、その結果、アンダカット602が電極より下に設けられる。
本明細書に開示する他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態では、開孔開口部120は、ビーム制限開口部として構成することができる。言い換えれば、静電多極デバイスから上流の荷電粒子ビームの直径は、開孔開口部120の最小直径Dより大きくすることができ、その結果、ビームは、開孔開口部120のビーム制限エッジ122によって部分的に阻止することができ、電極から半径方向の距離をあけて電極間を円形のビームレットとして中心を通って入ることができる。補正精度を増大させることができる。絶縁体層212の上流側に配置された導体または半導体層(さらなる層214)は、阻止されたビーム部分の表面電荷が静電多極デバイスの第2の主表面114上に蓄積するのを防止することができる。
図7は、本明細書に記載する実施形態による静電多極配置700を概略正面図に示す。静電多極配置700は、主伝搬方向に沿って並んで伝搬する荷電粒子の少なくとも第1のビームレットおよび第2のビームレットに個々に影響を与えるように構成される。図7に示す実施形態は、荷電粒子の合計3つのビームレットに影響を与えるように構成される。これらのビームレットは、互いに対して平行に伝搬することができる。いくつかの場合、ビームレットは、互いに対して角度をなして、たとえば100ミリラジアン未満、特に20ミリラジアン未満の角度をなして伝搬することができる。たとえば、ビームレットは、単一のビーム源から来ることができる。この場合、主伝搬方向は、ビーム源の主放出方向に対応することができる。
静電多極配置700は、4つ以上の静電多極デバイス、たとえば5つ、10個、またはそれ以上の静電多極デバイスを含むことができ、これらの静電多極デバイスは、所与の1次元または2次元のパターンまたはアレイで配置することができる。たとえば、多極配置は、2次元多極アレイの形で設けることができる。いくつかの実施形態では、静電多極配置700は、第1の主表面を有する単一の共通の基板を含むことができ、第1の主表面上に多数の電極が形成される。
いくつかの実施形態では、多極配置は、所定のアレイパターンで基板を通って延びる2つ以上の開孔開口部、たとえば丸いまたは円形の開孔開口部を有する基板を含むことができる。各開孔開口部は、ビーム源、たとえば電子源によって放出される広い角度の荷電粒子ビームから、荷電粒子ビームのビームレット、たとえば丸いまたは円形のビームレットを生成するように構成することができる。基板の上流表面は、導電性または半導電性の表面とすることができ、その結果、前記表面に当たる荷電粒子は前記表面上に蓄積しない。本明細書に記載する他の実装形態と組み合わせることができるいくつかの実装形態では、電極は、絶縁体表面である基板の第1の主表面上に保持される。
4つ以上の第1のビームレット電極701が、第1のビームレットに影響を与えるように基板の第1の主表面112上に形成され、4つ以上の第1のビームレット電極701はそれぞれ、第1の開孔開口部のビーム制限エッジから半径方向の距離Mをあけて配置される。4つ以上の第1のビームレット電極は、第1の開孔開口部の周りにそれぞれの角度位置で配置することができる。同様に、4つ以上の第2のビームレット電極705が、第2のビームレットに影響を与えるように基板の第1の主表面112上に形成され、4つ以上の第2のビームレット電極705はそれぞれ、第2の開孔開口部のビーム制限エッジから半径方向の距離Mをあけて配置される。4つ以上の第2のビームレット電極は、第2の開孔開口部の周りにそれぞれの角度位置で配置することができる。
図8に示すように、開孔開口部の両側に配置された2つの電極間の距離は、それぞれの開孔開口部の直径より大きく、その結果、各電極は、それぞれの開孔開口部のビーム制限エッジから半径方向の距離をあけて配置される。したがって、それぞれの開孔開口部を通って伝搬する荷電粒子ビームの荷電粒子は、電極から距離をあけて通過し、高品質の電気偏向または補正場を提供することができる。
図9は、本明細書に記載する実施形態による2つの静電多極デバイス6Aおよび6Bを有する荷電粒子ビーム装置1を示す。他の実施形態では、単一の多極デバイスのみ、または2次元アレイで配置することができる3つ以上の多極デバイスを、設けることができる。
ビーム源2は、荷電粒子ビーム14を放出するように構成することができる。本明細書に記載するように、たとえばスループットを増大させるために、冷電界エミッタ(CFE)、ショットキーエミッタ、TFE、または別の高電流電子ビーム源を設けることができる。高い電流とは、100ミリラジアン以上で10μA、たとえば最高5mA、たとえば100ミリラジアンで30μA~100ミリラジアンで1mAであると考えられる。典型的な実装形態によれば、電流は、特に線形または方形アレイの場合、たとえば±10%の偏差で本質的に均一に分布される。本明細書に記載する他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、線源または仮想線源は、2nm~40nmの直径を有することができ、かつ/または5ミリラジアン以上、たとえば50ミリラジアン~200ミリラジアンの典型的な放出半値角を有することができる。
その後、ビームレット4A、4Bは、走査偏向器12を通過することができ、走査偏向器12は、たとえば、ビームレット4A、4Bを標本8の表面上のラスタ内で動かすために使用される。走査偏向器12後、ビームレット4A、4Bは対物レンズ10に入り、対物レンズ10は、ビームレット4A、4Bを標本8上へ集束させる。対物レンズ10は、ビームレット4A、4Bを集束させるだけでなく、ビームレット4A、4Bを回転させる。しかし、2次元の図面に示すのが困難であり、この追加の作用は当業者にはよく知られているため、この作用は図示しない。静電多極デバイス6A、6Bおよび対物レンズ10の作用を組み合わせるため、それぞれビームレット4A、4Bの1つに対応する複数のスポット(粒子源2の画像)が、標本8上に作られる。
標本8上でビームレット4A、4Bを走査し、検出器アセンブリ9または検出器要素9A、9Bの出力を表示/記録することによって、標本8の表面の複数の独立した画像が生成される。各画像は、標本の表面の異なる部分に関する情報を含む。したがって、従来の単一ビームの場合に比べて、データ取得の速度が増大する。標本8は、ステージ7(標本支持体)上で支持することができ、ステージ7は、ビームレット4A、4Bが調査すべき標本上のターゲット区域に到達することを可能にするように、あらゆる方向に水平に可動である。ステージはまた、ビームが第2の方向に走査される間、第1の方向に動くことができる。これにより、ステージ設定時間が必要とされないため、スループットがさらに改善される。
図10A~図10Eは、本明細書に記載する実施形態による方法の様々な動作を示す。この方法は、図10Aに参照符号1010によって示すように、絶縁体層1012と絶縁体層1012上に配置された導体または半導体層1013とを有する多層基板1011を設けるステップを含む。基板は、SOIウエハ(シリコンオンインシュレーター)とすることができる。いくつかの実施形態では、導体または半導体層1013は、シリコンもしくはドープされたシリコンを含み、またはシリコンもしくはドープされたシリコンから作られる。シリコンは、低抵抗とすることができ、言い換えれば導電性を有することができる。
図10Cに参照符号1030によって示すように、導体または半導体層1013は部分的に除去され、それにより導体または半導体層1013の残り部分は、開孔開口部1015を通って伝搬する荷電粒子ビームに影響を与えるように、絶縁体層1012の第1の主表面1017上に4つ以上の電極1016を形成する。いくつかの実施形態では、開孔開口部は、電極1016を形成した後に形成することができる。しかし、開孔開口部1015を形成した後に電極1016を形成するとき、この開孔開口部を、形成すべき4つ以上の電極の中心に配置された基準点として使用することができる。
4つ以上の電極1016は、開孔開口部のビーム制限エッジから半径方向の距離をあけて配置することができる。次いで、開孔開口部を通って伝搬する荷電粒子ビームは、電極1016から距離をあけて通過する。2つの対向して配置された電極1016間の距離は、開孔開口部1015の最小直径の2倍または5倍を超えることができる。
いくつかの実施形態では、開孔開口部1015は、第1の直径を有する絶縁体層1012と、開孔開口部のビーム制限エッジを形成するように第1の直径より小さい第2の直径を有するさらなる導体または半導体層1014とを通って延びることができる。たとえば、絶縁体層の直径が2つの対向して配置された電極間の距離より大きい場合、アンダカットを形成することができる。絶縁体層は、エッチング、たとえばアンダカットエッチングによって除去することができる。分離層1012をエッチングすることは、4つ以上の電極より下の絶縁体層の少なくとも一部をエッチングしてアンダカットを作製することを含むことができることを、図10Dに参照符号1040によって示す。
本明細書に開示する他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態では、この方法は、多層基板を高抵抗層で少なくとも部分的にコーティングするステップをさらに含む。コーティングは、開孔開口部を形成した後に開孔開口部の内面のコーティング、4つ以上の電極のうちの少なくとも2つの間の電流の流れを可能にするための4つ以上の電極間に露出した第1の層の第1の主表面のコーティング、およびさらなる導体または半導体層1014の露出した第2の主表面のコーティングの少なくとも1つのコーティングを含むことができる。さらなる導体または半導体層が設けられない場合、絶縁体層の露出した上流側をコーティングすることができる。高抵抗層は、炭素層とすることができる。2つの電極間の表面を高抵抗層でコーティングすることで、2つの隣接する電極間に数GΩの電気抵抗を得ることができる。表面電荷が高抵抗層上に蓄積することがなくなり、その結果、電極1016によって生成される電界は妨げられなくなる。
たとえばエッチングによって層1012および1014の一方を部分的に除去した後、多層基板は、たとえば同じエッチング装置内で層1012および1014の他方を部分的に除去する位置になるように、180°ひっくり返すことができる。
上記は本発明の実施形態を対象とするが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明の他のさらなる実施形態も考案することができ、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。
2 ビーム源
3 電極
4A ビームレット
4B ビームレット
5A 開孔開口部
5B 開孔開口部
6A 静電多極デバイス
6B 静電多極デバイス
7 ステージ
8 標本
9 検出器アセンブリ
9A 検出器要素
9B 検出器要素
10 対物レンズ、磁気-静電複合レンズ
12 走査偏向器
13 ビーム分離器アセンブリ
14 荷電粒子ビーム
100 静電多極デバイス
110 基板
112 第1の主表面
114 第2の主表面
120 開孔開口部
122 ビーム制限エッジ
130 電極
132 電極
134 電極
136 電極
175 接続線
200 静電多極デバイス
212 絶縁体層
214 さらなる層
300 静電多極デバイス
340 電極
400 静電多極デバイス
405 高抵抗層の第3の部分
406 高抵抗層の第2の部分
407 高抵抗層の第1の部分
500 静電多極デバイス
502 開孔開口部
600 静電多極デバイス
602 アンダカット
700 静電多極配置
701 第1のビームレット電極
702 第1の多極デバイス
704 第2の多極デバイス
705 第2のビームレット電極
706 第3の多極デバイス
800 静電多極配置
802 静電多極デバイス
804 静電多極デバイス
806 静電多極デバイス
1011 多層基板
1012 絶縁体層
1013 導体または半導体層
1014 さらなる導体または半導体層
1015 開孔開口部
1016 電極
1017 第1の主表面
1035 レンズレット電極
A 光軸
A1 第1の光軸
A2 第2の光軸
A3 第3の光軸
D 開孔開口部の最小直径
M ビーム制限エッジ122と電極130との間の半径方向の距離
X 電極と光軸との間の半径方向の距離
Claims (16)
- 光軸に沿って伝搬する荷電粒子ビームに影響を与える静電多極デバイスであって、
前記荷電粒子ビームに対する少なくとも1つの開孔開口部を有する基板であり、前記少なくとも1つの開孔開口部が前記光軸に沿って前記基板を通って延びる、基板と、
前記開孔開口部を通って伝搬する前記荷電粒子ビームに影響を与えるように前記基板の第1の主表面上に形成される4つ以上の電極であり、それぞれ前記開孔開口部のビーム制限エッジから半径方向の距離をあけて配置される4つ以上の電極とを備え、
前記基板が、前記第1の主表面を含む少なくとも1つの絶縁体層を備え、前記第1の主表面上に前記電極が形成され、
前記基板が、前記第1の主表面とは反対側に前記基板の第2の主表面を含むさらなる層を備え、前記さらなる層が導体層または半導体層である、静電多極デバイス。 - 前記開孔開口部が丸いまたは円形の横断面形状を有する、請求項1に記載の静電多極デバイス。
- 前記開孔開口部の最小半径が、前記光軸と前記4つ以上の電極のそれぞれとの間の最小距離より小さい、請求項1または2に記載の静電多極デバイス。
- 前記開孔開口部の前記最小半径と、前記光軸と前記4つ以上の電極のそれぞれとの間の前記最小距離との間の比が、1/2未満、1/3未満、または1/5未満である、請求項3に記載の静電多極デバイス。
- 前記基板の前記第1の主表面上で前記光軸の周りに均等に隔置された角度位置で8つ、12個、または20個の電極が形成される、請求項1から4までのいずれか1項に記載の静電多極デバイス。
- 前記4つ以上の電極が、シリコンまたはドープされたシリコンを含む、請求項1から5までのいずれか1項に記載の静電多極デバイス。
- 前記4つ以上の電極が、前記絶縁体層上に配置された半導体含有頂層からの材料除去によって形成される、請求項1から6までのいずれか1項に記載の静電多極デバイス。
- 前記さらなる層が、SOIウエハのシリコン含有底層である、請求項1から7のいずれか1項に記載の静電多極デバイス。
- 前記開孔開口部が、第1の直径を有する前記絶縁体層と、前記開孔開口部の前記ビーム制限エッジを形成するように前記第1の直径より小さい第2の直径を有する前記少なくとも1つのさらなる層とを通って延びる、請求項8に記載の静電多極デバイス。
- 前記4つ以上の電極の少なくとも2つの間の電流の流れを可能にするように前記第1の主表面の少なくとも一部分を覆う高抵抗層をさらに備える、請求項1から9までのいずれか1項に記載の静電多極デバイス。
- 少なくとも第1の光軸に沿って伝搬する荷電粒子の第1のビームレットおよび第2の光軸に沿って伝搬する荷電粒子の第2のビームレットに個々に影響を与える静電多極配置であって、
基板であり、前記第1の光軸に沿って前記基板を通って延びる前記第1のビームレットを生成する第1の開孔開口部および前記第2の光軸に沿って前記基板を通って延びる前記第2のビームレットを生成する第2の開孔開口部を有する基板と、
前記第1のビームレットに影響を与えるように前記基板の第1の主表面上に形成される4つ以上の第1のビームレット電極であり、それぞれ前記第1の開孔開口部のビーム制限エッジから半径方向の距離をあけて配置される4つ以上の第1のビームレット電極と、
前記第2のビームレットに影響を与えるように前記基板の前記第1の主表面上に形成される4つ以上の第2のビームレット電極であり、それぞれ前記第2の開孔開口部のビーム制限エッジから半径方向の距離をあけて配置される4つ以上の第2のビームレット電極とを備え、
前記基板が、前記第1の主表面を含む少なくとも1つの絶縁体層を備え、前記第1の主表面上に前記電極が形成され、
前記基板が、前記第1の主表面とは反対側に前記基板の第2の主表面を含むさらなる層を備え、前記さらなる層が導体層または半導体層である、静電多極配置。 - 光軸に沿って伝搬する荷電粒子ビームに影響を与える静電多極デバイスを製造する方法であって、
第1の導体または半導体層とさらなる導体または半導体層との間に配置された絶縁体層を有する多層基板を設けるステップと、
前記光軸に沿って前記多層基板を通って延びる前記荷電粒子ビームに対する少なくとも1つの開孔開口部を形成するステップと、
前記第1の導体または半導体層を部分的に除去し、それにより前記導体または半導体層の残り部分が、前記開孔開口部を通って伝搬する前記荷電粒子ビームに影響を与える4つ以上の電極を前記絶縁体層の第1の主表面上に形成するステップとを含み、
前記4つ以上の電極がそれぞれ、前記開孔開口部のビーム制限エッジから半径方向の距離をあけて配置される、方法。 - 前記多層基板が、前記第1の導体または半導体層と前記さらなる導体または半導体層との間に挟まれた前記絶縁体層を含むSOIウエハとして設けられる、請求項12に記載の方法。
- 前記絶縁体層の少なくとも一部をエッチングするステップをさらに含み、その結果、前記開孔開口部が、第1の直径を有する前記絶縁体層と、前記開孔開口部の前記ビーム制限エッジを形成するように前記第1の直径より小さい第2の直径を有する前記さらなる導体または半導体層とを通って延び、特にエッチングするステップが、前記4つ以上の電極より下の前記絶縁体層の少なくとも一部をエッチングしてアンダカットを作製することを含む、請求項13に記載の方法。
- 前記第1の導体または半導体層を部分的に除去するステップが、前記導体または半導体層上にマスクを配置して前記導体または半導体層をエッチングし、前記4つ以上の電極を形成することを含む、請求項12から14までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記多層基板を高抵抗層で少なくとも部分的にコーティングするステップ
をさらに含む、請求項12から15までのいずれか1項に記載の方法。
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