JP7020458B2 - Glass substrate with film and its manufacturing method - Google Patents

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Description

本発明は膜付きガラス基板とその製造方法に関し、特に太陽電池に用いられる透明電極基板又はLow-Eガラスとなる膜付きガラス基板に関する。 The present invention relates to a glass substrate with a film and a method for manufacturing the same, and more particularly to a transparent electrode substrate used for a solar cell or a glass substrate with a film to be Low-E glass.

膜付きガラス基板は、透明性や化学的安定性、高硬度、耐熱性、絶縁性、優れた光学的性質等の性質を有することから、建築部材である窓ガラス材料以外にも、光学部品、電気部品、電子部品等の様々な分野で用いられている。 Since the glass substrate with a film has properties such as transparency, chemical stability, high hardness, heat resistance, insulation, and excellent optical properties, it is not only a window glass material that is a building member, but also an optical component. It is used in various fields such as electrical parts and electronic parts.

例えば太陽電池においては、ガラス基板の表面に透明導電膜を形成した透明電極基板として膜付きガラス基板が用いられている。また、建築分野においては、ガラス基板の表面に酸化物膜や金属膜を形成することで断熱性や遮熱性付与させた低放射ガラス(Low-Eガラス)が用いられている。 For example, in a solar cell, a glass substrate with a film is used as a transparent electrode substrate having a transparent conductive film formed on the surface of the glass substrate. Further, in the field of construction, low emissivity glass (Low-E glass) having heat insulating properties and heat shielding properties by forming an oxide film or a metal film on the surface of a glass substrate is used.

しかしながら、太陽電池を作製する際の高温による熱処理や、長期間の使用により、ガラス基板からアルカリイオンが拡散する。これにより、当該透明導電膜や金属酸化物膜(以下、機能性透明膜と称する。)について、透明性の低下、導電性の低下(比抵抗の増加)、化学的物理的耐久性の低下等の性能劣化が引き起こされることが懸念される。 However, alkaline ions diffuse from the glass substrate due to heat treatment at high temperature when manufacturing a solar cell or long-term use. As a result, the transparent conductive film and the metal oxide film (hereinafter referred to as functional transparent film) have a decrease in transparency, a decrease in conductivity (increase in specific resistance), a decrease in chemical and physical durability, and the like. There is a concern that performance deterioration will be caused.

そこで特許文献1では、アルカリ含有ガラスの表面に、該ガラスからのアルカリ拡散を抑制するアルカリバリアー膜、及び電導膜を順次積層した電導性ガラスであって、上記アルカリバリアー膜は錫と珪素を主成分とする酸化物膜であることを特徴とする電導性ガラスが開示されている。 Therefore, Patent Document 1 is a conductive glass in which an alkali barrier film that suppresses alkali diffusion from the glass and a conductive film are sequentially laminated on the surface of the alkali-containing glass, and the alkaline barrier film is mainly composed of tin and silicon. A conductive glass characterized by being an oxide film as a component is disclosed.

また、特許文献2では、同様にガラス板から透明導電膜へのアルカリ成分の拡散を防止するために、下地膜としてバリア性能を有する膜として珪素、酸素および炭素を含む下地膜が開示されている。 Further, Patent Document 2 discloses a base film containing silicon, oxygen and carbon as a film having barrier performance as a base film in order to prevent diffusion of an alkaline component from a glass plate to a transparent conductive film. ..

特開平06-191894号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 06-191894 特開2005-029463号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-029463

しかしながら、アルカリの拡散を防止するためのアンダーコート層としてSiOを用いると、機能性透明膜との屈折率の差に起因して光を反射して透過率の低下があるばかりでなく、当該反射により、ガラスが呈色して見える場合がある。 However, when SiO 2 is used as the undercoat layer for preventing the diffusion of alkali, not only the light is reflected due to the difference in the refractive index from the functional transparent film, but also the transmittance is lowered. Reflection may cause the glass to appear colored.

また、アンダーコート層として珪素、酸素及び炭素を含むSiOxCyを用いると、太陽電池を製造する際の製膜プロセス温度や、Low-Eガラスの熱強化処理などで高温環境下に置かれた際に、耐熱性が低いために分解して炭素が脱離する。脱離した炭素により機能性透明膜の元素が引き抜かれることから、機能性透明膜の組成が変化して導電性や熱放射性といった性能が低下する。さらに、より高温やより長時間といった厳しい環境下に曝されると、アンダーコート層そのものが壊れて剥離してしまう。 Further, when SiOxCy containing silicon, oxygen and carbon is used as the undercoat layer, it is placed in a high temperature environment due to the film forming process temperature when manufacturing a solar cell or the heat strengthening treatment of Low-E glass. Due to its low heat resistance, it decomposes and carbon is desorbed. Since the elements of the functional transparent film are extracted by the desorbed carbon, the composition of the functional transparent film is changed and the performance such as conductivity and thermal radiation is deteriorated. Furthermore, when exposed to harsh environments such as higher temperatures and longer periods, the undercoat layer itself breaks and peels off.

そこで本発明は、太陽電池用透明電極基板やLow-Eガラスとして使用可能であり、高透過性、すなわち反射率が低く、色味コントロールが自在にでき、かつ耐熱性にも優れた膜付きガラス基板を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention can be used as a transparent electrode substrate for solar cells or Low-E glass, and has high transparency, that is, glass with a film having low reflectance, flexible color control, and excellent heat resistance. The purpose is to provide a substrate.

本発明は、以下の[1]~[6]に係るものである。
[1]ガラス基板と、アンダーコート層と、機能性透明膜とをこの順に含む膜付きガラス基板であって、前記アンダーコート層が、前記ガラス基板側から順にSiOxCy層及びSiO層から構成される膜付きガラス基板。
[2]前記SiOxCy層の厚さが10~90nmであり、前記SiO層の厚さが10~90nmである前記[1]に記載の膜付きガラス基板。
[3]前記機能性透明膜の主成分がSnOである前記[1]又は[2]に記載の膜付きガラス基板。
[4]前記[1]~[3]のいずれか1に記載の膜付きガラス基板を透明電極基板として有する太陽電池。
[5]前記[1]~[3]のいずれか1に記載の膜付きガラス基板からなるLow-Eガラス。
[6]フロート法を用いて膜付きガラス基板を製造する方法であって、ガラス原料を加熱して溶融ガラスを得る溶解工程、前記溶融ガラスから泡を除く清澄工程、前記泡を除いた溶融ガラスを板状にしてガラスリボンを得る成形工程、及び前記ガラスリボンを室温まで徐冷する徐冷工程を含み、前記成形工程と前記徐冷工程との間に、オンラインCVD法により前記ガラスリボンの表面に、SiOxCy層、SiO層、及び機能性透明膜をこの順で連続的に形成する製膜工程を含む膜付きガラス基板の製造方法。
The present invention relates to the following [1] to [6].
[1] A glass substrate with a film containing a glass substrate, an undercoat layer, and a functional transparent film in this order, and the undercoat layer is composed of a SiOxCy layer and a SiO2 layer in order from the glass substrate side. Glass substrate with a film.
[2] The glass substrate with a film according to the above [1], wherein the SiOxCy layer has a thickness of 10 to 90 nm, and the SiO 2 layer has a thickness of 10 to 90 nm.
[3] The glass substrate with a film according to the above [1] or [2], wherein the main component of the functional transparent film is SnO 2 .
[4] A solar cell having the glass substrate with a film according to any one of [1] to [3] as a transparent electrode substrate.
[5] Low-E glass comprising the glass substrate with a film according to any one of [1] to [3] above.
[6] A method for manufacturing a glass substrate with a film by using a float method, which is a melting step of heating a glass raw material to obtain molten glass, a clarification step of removing bubbles from the molten glass, and a molten glass excluding the bubbles. Including a molding step of obtaining a glass ribbon in the shape of a plate and a slow cooling step of slowly cooling the glass ribbon to room temperature, the surface of the glass ribbon is subjected to an online CVD method between the molding step and the slow cooling step. A method for manufacturing a glass substrate with a film, which comprises a film forming step of continuously forming a SiOxCy layer, a SiO2 layer, and a functional transparent film in this order.

本発明に係る膜付きガラス基板によれば、太陽電池用透明電極基板やLow-Eガラスとして用いた場合に、高温環境下に曝されてもアンダーコート層が剥離することなく、高導電性、低放射性、高光透過性等の性質も維持することができる。また、アンダーコート層を構成するSiOxCy層の組成を変更することで屈折率を調整できるため、膜付きガラス基板の色味を自在にコントロールすることも可能である。 According to the glass substrate with a film according to the present invention, when used as a transparent electrode substrate for a solar cell or Low-E glass, the undercoat layer does not peel off even when exposed to a high temperature environment, and has high conductivity. Properties such as low radiation and high light transmission can also be maintained. Further, since the refractive index can be adjusted by changing the composition of the SiOxCy layer constituting the undercoat layer, it is possible to freely control the color of the glass substrate with a film.

図1は、膜付きガラス基板の構成を表す模式断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a glass substrate with a film. 図2は、CdTe太陽電池の構成を表す模式断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a CdTe solar cell.

以下、本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、任意に変形して実施することができる。また、数値範囲を示す「~」とは、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。 Hereinafter, the present invention will be described in detail, but the present invention is not limited to the following embodiments, and can be arbitrarily modified and carried out without departing from the gist of the present invention. Further, "-" indicating a numerical range is used in the sense that the numerical values described before and after the numerical range are included as the lower limit value and the upper limit value.

<膜付きガラス基板>
図1に示すように、本発明に係る膜付きガラス基板1は、ガラス基板10と、アンダーコート層20と、機能性透明膜30とをこの順に含み、前記アンダーコート層20が、前記ガラス基板10側から順にSiOxCy層21及びSiO層22から構成されることを特徴とする。
<Glass substrate with film>
As shown in FIG. 1, the glass substrate 1 with a film according to the present invention includes a glass substrate 10, an undercoat layer 20, and a functional transparent film 30 in this order, and the undercoat layer 20 is the glass substrate. It is characterized in that it is composed of the SiOxCy layer 21 and the SiO 2 layer 22 in order from the 10 side.

(アンダーコート層)
アンダーコート層として、ガラス基板側から順にSiOxCy層及びSiO層の構成とすることにより、高温環境下であってもアンダーコート層が剥離することなく、ガラス基板からのアルカリの拡散を防止することができ、さらには光の反射を防止し、膜付きガラス基板の色味をコントロールすることができる。
(Undercoat layer)
By forming the undercoat layer as a SiOxCy layer and a SiO2 layer in order from the glass substrate side, the undercoat layer does not peel off even in a high temperature environment, and diffusion of alkali from the glass substrate is prevented. Furthermore, it is possible to prevent the reflection of light and control the color of the glass substrate with a film.

ガラス基板の屈折率は1.4~1.5程度であるのに対し、機能性透明膜の屈折率は、その組成によっても異なるものの、金属酸化物を主成分とする膜である場合にはおよそ2前後である。これに対しSiOxCy層は、炭素Cの含有比率(y)の微妙な違いを変化させることで、その屈折率を容易に制御することができる。そのため、光の反射を抑制し、透過率の高い膜付きガラス基板を得ることができる。また、膜付きガラス基板に呈色させたい場合には、その色味をコントロールすることもできる。 The refractive index of the glass substrate is about 1.4 to 1.5, whereas the refractive index of the functional transparent film varies depending on the composition, but in the case of a film containing a metal oxide as a main component. It is about 2. On the other hand, the refractive index of the SiOxCy layer can be easily controlled by changing the subtle difference in the carbon C content ratio (y). Therefore, it is possible to obtain a glass substrate with a film having a high transmittance by suppressing the reflection of light. Further, when it is desired to develop a color on a glass substrate with a film, the color tone can be controlled.

一方、SiOxCy層は熱によって分解されやすく、高熱条件下ではCが拡散移動しやすい性質を有する。特に600℃以上の環境下では、機能性透明膜中にCが拡散し、不純物として導電性物質や低放射性物質を還元してしまい、その結果、シート抵抗を上昇させる作用があることが分かった。
高温環境下でのシート抵抗の上昇は、太陽電池を作製する工程等の高温処理を行う場合に、機能性透明膜の抵抗が上昇してしまうことを意味し、その結果、太陽電池特性を大きく低下させる等の要因となる。また、Low-ガラスとする場合には、低放射性物質が還元されることにより低放射性が劣る要因となる。
On the other hand, the SiOxCy layer is easily decomposed by heat, and C has a property of being easily diffused and moved under high heat conditions. In particular, it was found that in an environment of 600 ° C. or higher, C diffuses into the functional transparent film and reduces conductive substances and low radioactive substances as impurities, and as a result, has an effect of increasing sheet resistance. ..
An increase in sheet resistance in a high-temperature environment means that the resistance of the functional transparent film increases when high-temperature treatment such as in the process of manufacturing a solar cell is performed, and as a result, the characteristics of the solar cell are greatly increased. It becomes a factor such as lowering. Further, in the case of Low-glass, the low radioactive substance is reduced, which causes the low radioactivity to be inferior.

これに対し、本発明では、SiOxCy層と機能性透明膜との間にさらにSiO層を形成することにより、SiOxCy層による高透過率や色味のコントロール性といった効果を妨げることなく、Cの拡散を抑制し、高耐熱性を実現することを可能としたものである。
SiO層はSiOxCy層に比較して、緻密な膜質や高い被覆性を有することから、10nm程度の非常に薄い厚みの層であっても、Cの拡散、移動を十分に抑制することができる。
On the other hand, in the present invention, by further forming a SiO 2 layer between the SiOxCy layer and the functional transparent film, the effects of the SiOxCy layer such as high transmittance and color control are not impaired. It is possible to suppress diffusion and realize high heat resistance.
Since the SiO 2 layer has a finer film quality and higher coverage than the SiOxCy layer, even a layer having a very thin thickness of about 10 nm can sufficiently suppress the diffusion and movement of C. ..

さらにSiO層は、屈折率が1.44~1.50程度の平坦膜である。一方、SiOxCy層は成膜条件によって表面に凹凸を有し、その屈折率も1.54~1.75と大きく変化するため、SiOxCy層とSiO層とを積層することは、全体の屈折率と平坦度を必要に応じて変化させる自由度を広げることができる。 Further, the SiO 2 layer is a flat film having a refractive index of about 1.44 to 1.50. On the other hand, the SiOxCy layer has irregularities on its surface depending on the film forming conditions, and its refractive index varies greatly from 1.54 to 1.75. Therefore, laminating the SiOxCy layer and the SiO 2 layer has an overall refractive index. And the degree of freedom to change the flatness as needed can be expanded.

SiOxCy層は、yで表される炭素Cの含有比率の微妙な違いを変化させることで、容易に屈折率を変化させることができ、それによって透過率や色味をコントロールすることができる。SiOxCyにおいて、xの値は1.95~1.00、yの値は0.05~1.00の範囲を取り得るが、xの値は1.85以下が好ましく、また、1.20以上が好ましく、yの値は0.15以上が好ましく、また、0.80以下が好ましい。また、y/xで表される比を小さくすることで屈折率を低くすることができる。反対に、y/xで表される比を大きくすることで屈折率を高くすることができる。 In the SiOxCy layer, the refractive index can be easily changed by changing the subtle difference in the carbon C content ratio represented by y, whereby the transmittance and the tint can be controlled. In SiOxCy, the value of x can be in the range of 1.95 to 1.00 and the value of y can be in the range of 0.05 to 1.00, but the value of x is preferably 1.85 or less, and 1.20 or more. The value of y is preferably 0.15 or more, and preferably 0.80 or less. Further, the refractive index can be lowered by reducing the ratio represented by y / x. On the contrary, the refractive index can be increased by increasing the ratio represented by y / x.

SiOxCy層の厚みは十分な被覆性の点から10nm以上が好ましく、20nm以上がより好ましい。また、光の吸収率を抑制する観点から90nm以下が好ましい。なお、SiOxCy層の厚みはX線光電子分光法(XPS)や分光エリプソメトリーより求めることができる。 The thickness of the SiOxCy layer is preferably 10 nm or more, more preferably 20 nm or more from the viewpoint of sufficient coverage. Further, 90 nm or less is preferable from the viewpoint of suppressing the light absorption rate. The thickness of the SiOxCy layer can be determined by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) or spectroscopic ellipsometry.

SiO層の厚みは十分な被覆性の点から7nm以上が好ましく、また、光学設計最適化の点から90nm以下が好ましく、50nm以下がより好ましい。なお、SiO層の厚みはX線光電子分光法(XPS)や分光エリプソメトリーにより求めることができる。 The thickness of the SiO 2 layer is preferably 7 nm or more from the viewpoint of sufficient covering property, preferably 90 nm or less, and more preferably 50 nm or less from the viewpoint of optimizing the optical design. The thickness of the SiO 2 layer can be determined by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) or spectroscopic ellipsometry.

(機能性透明膜)
機能性透明膜は、導電性及び低放射性の少なくともいずれか一方の性質を有していればよいが、低放射性を有する機能性透明膜とは、銀等の金属膜やSnOやZnO等の金属酸化物膜が該当することから、導電性も有することとなる。
機能性透明膜の比抵抗は、膜付きガラス基板を太陽電池用の透明電極として用いる場合には、0.001Ωcm以下が好ましく、0.0008Ωcm以下がより好ましく、0.0006Ωcm以下がさらに好ましい。また、機能性透明膜の比抵抗は低いほど好ましいが、0.0001Ωcm以上が実際的である。なお、本明細書において、機能性透明膜の比抵抗(R)は、膜付きガラス基板に対してホール効果測定装置を用いることで、測定することができる。
(Functional transparent film)
The functional transparent film may have at least one of the properties of conductivity and low radioactivity, and the functional transparent film having low radioactivity includes a metal film such as silver, SnO 2 , ZnO 2 , and the like. Since the metal oxide film of the above is applicable, it also has conductivity.
When a glass substrate with a film is used as a transparent electrode for a solar cell, the resistivity of the functional transparent film is preferably 0.001 Ωcm or less, more preferably 0.0008 Ωcm or less, still more preferably 0.0006 Ωcm or less. Further, the lower the specific resistance of the functional transparent film is, the more preferable it is, but 0.0001 Ωcm or more is practical. In the present specification, the resistivity (R t ) of the functional transparent film can be measured by using a Hall effect measuring device for a glass substrate with a film.

膜付きガラス基板をLow-Eガラスとして用いる場合、機能性透明膜の放射率の値は、0.25以下が好ましく、0.20以下がより好ましい。また、機能性透明膜の放射率は低いほど好ましいが、0.05以上が実際的である。 When the glass substrate with a film is used as Low-E glass, the emissivity value of the functional transparent film is preferably 0.25 or less, more preferably 0.20 or less. Further, the lower the emissivity of the functional transparent film, the more preferable, but 0.05 or more is practical.

機能性透明膜の膜厚は、高透過率を確保する観点から800nm以下が好ましく、600nm以下がより好ましい。また、抵抗を高くしすぎない観点から300nm以上が好ましく、400nm以上がより好ましい。なお機能性透明膜の膜厚は、触針式段差計や蛍光X線分析装置を用いて測定することができる。 The film thickness of the functional transparent film is preferably 800 nm or less, more preferably 600 nm or less, from the viewpoint of ensuring high transmittance. Further, from the viewpoint of not increasing the resistance too much, 300 nm or more is preferable, and 400 nm or more is more preferable. The film thickness of the functional transparent film can be measured by using a stylus type step meter or a fluorescent X-ray analyzer.

また、膜付きガラス基板を太陽電池用の透明電極基板として用いる場合には、機能性透明膜の電気特性としては、シート抵抗が重要となる。これは、比抵抗/膜厚で定義される実質的な電極膜としての電気抵抗である。前述の比抵抗と膜厚を調整することにより、シート抵抗を好ましい値にすることができる。この場合のシート抵抗は、20Ω/□以下が、配線での電圧ロスを下げる観点から好ましく、12Ω/□以下が更に好ましい。 Further, when a glass substrate with a film is used as a transparent electrode substrate for a solar cell, sheet resistance is important as an electrical characteristic of the functional transparent film. This is the electrical resistance as a substantial electrode film defined by specific resistance / film thickness. By adjusting the above-mentioned specific resistance and film thickness, the sheet resistance can be set to a preferable value. In this case, the sheet resistance is preferably 20Ω / □ or less, more preferably 12Ω / □ or less, from the viewpoint of reducing the voltage loss in wiring.

機能性透明膜は、導電性及び低放射性の少なくともいずれか一方と透光性とを示す層の一層のみから構成されていてもよいし、さらに、他の機能を有する別の層を有していてもよく、特に限定されない。
膜付きガラス基板を太陽電池用の透明電極基板として用いる場合には、導電性及び透光性を示す機能性透明膜として従来公知のものを用いることができるが、例えば主成分が、SnO、ZnO、Inであることが好ましく、SnO又はZnOがより好ましく、SnOがさらに好ましい。なお、当該機能性透明膜の主成分とは、その含有量が、膜を構成する全成分に対して50重量%以上であることを意味し、70重量%以上であることが好ましく、85重量%以上であることがより好ましい。また、上限は特に限定されないが、主成分にドーパントがドープされる場合には、99.9重量%以下が好ましい。
The functional transparent film may be composed of only one layer exhibiting at least one of conductivity and low radioactivity and a translucent layer, and may further have another layer having other functions. It may be, and is not particularly limited.
When a glass substrate with a film is used as a transparent electrode substrate for a solar cell, a conventionally known functional transparent film exhibiting conductivity and translucency can be used. For example, the main component is SnO 2 , ZnO and In 2 O 3 are preferable, SnO 2 or ZnO is more preferable, and SnO 2 is even more preferable. The main component of the functional transparent film means that the content thereof is 50% by weight or more with respect to all the components constituting the film, and is preferably 70% by weight or more, preferably 85% by weight. % Or more is more preferable. The upper limit is not particularly limited, but when the dopant is doped in the main component, 99.9% by weight or less is preferable.

ドーパントとしては、フッ素やホウ素、錫等が挙げられる。ドープされた膜としては、例えば、フッ素ドープされたSnOやSnドープされたIn、フッ素ドープされたIn、アンチモンドープされたSnO、AlドープされたZnO、GaドープされたZnO等が挙げられる。ドーパントがドープされることにより、導電キャリアが生成し低抵抗となることから好ましい。 Examples of the dopant include fluorine, boron, tin and the like. Examples of the doped film include fluorine-doped SnO 2 , Sn-doped In 2 O 3 , fluorine-doped In 2 O 3 , antimony-doped SnO 2 , Al-doped ZnO, and Ga-doped. ZnO and the like can be mentioned. It is preferable to dope the dopant because conductive carriers are generated and the resistance is low.

膜付きガラス基板をLow-Eガラスとして用いる場合には、低放射性及び透光性を示す機能性透明膜として従来公知のものを用いることができる。例えば、金属膜及びそれを保護する保護膜、又は金属酸化物膜から構成されることが好ましい。金属膜としては、例えば、Ag等の膜であることが好ましい。また、その場合の保護膜はZnOやSnO等が好ましい。金属酸化物膜としては、例えば主成分がSnO、ZnO、Inであることが好ましく、SnO又はZnOがより好ましく、SnOがさらに好ましく、これらにドーパントがドープされていてもよい。当該膜の主成分とは、膜付きガラス基板を太陽電池用の透明電極基板として用いる場合の機能性透明膜における主成分と同様のことを意味する。
また、ドーパントがドープされる際のドーパントは、膜付きガラス基板を太陽電池用の透明電極基板として用いる場合の機能性透明膜に用いられるドーパントと同様のものを用いることができるが、例えば高濃度にフッ素ドープされたSnOやアンチモンドープされたSnO等が挙げられる。
なお、機能性透明膜の組成はX線光電子分光法(XPS)や二次イオン質量分析法(SIMS)により同定することができる。
When a glass substrate with a film is used as Low-E glass, a conventionally known functional transparent film exhibiting low radioactivity and translucency can be used. For example, it is preferably composed of a metal film and a protective film for protecting the metal film, or a metal oxide film. As the metal film, for example, a film such as Ag is preferable. Further, the protective film in that case is preferably ZnO, SnO 2 , or the like. As the metal oxide film, for example, the main components are preferably SnO 2 , ZnO, and In 2 O 3 , more preferably SnO 2 or ZnO, further preferably SnO 2 , and these may be doped with a dopant. .. The main component of the film means the same as the main component of the functional transparent film when the glass substrate with a film is used as a transparent electrode substrate for a solar cell.
Further, as the dopant when the dopant is doped, the same dopant as that used for the functional transparent film when the glass substrate with a film is used as a transparent electrode substrate for a solar cell can be used, but for example, a high concentration can be used. Examples thereof include fluorine-doped SnO 2 and antimony-doped SnO 2 .
The composition of the functional transparent film can be identified by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) or secondary ion mass spectrometry (SIMS).

(ガラス基板)
ガラス基板は、従来から太陽電池用透明電極基板のガラス基板や、Low-Eガラスに用いられているものと同様のものを用いることができる。例えば、SiO、Al、B、MgO、CaO、SrO、BaO、ZrO、NaOおよびKOを母組成として含むガラス基板が挙げられる。より具体的には、酸化物基準のモル百分率表示で、SiOを60~75%、Alを1~7.5%、Bを0~1%、MgOを8.5~12.5%、CaOを1~6.5%、SrOを0~3%、BaOを0~3%、ZrOを0~3%、NaOを1~8%、KOを2~12%含有するガラス基板が挙げられる。ただし、これら組成に限定されるものではない。
(Glass substrate)
As the glass substrate, a glass substrate which is a transparent electrode substrate for a solar cell or a glass substrate similar to that used for Low-E glass can be used. For example, a glass substrate containing SiO 2 , Al 2 O 3 , B 2 O 3 , MgO, CaO, SrO, BaO, ZrO 2 , Na 2 O and K 2 O as a matrix composition can be mentioned. More specifically, in the oxide-based molar percentage display, SiO 2 is 60 to 75%, Al 2 O 3 is 1 to 7.5%, B 2 O 3 is 0 to 1%, and MgO is 8.5. ~ 12.5%, CaO ~ 1 ~ 6.5%, SrO 0 ~ 3%, BaO 0 ~ 3%, ZrO 2 0 ~ 3%, Na 2 O 1 ~ 8%, K 2 O Examples thereof include a glass substrate containing 2 to 12%. However, the composition is not limited to these.

ガラス基板は、太陽電池の発電効率やLow-Eガラスの透光性を考慮すると、波長500~800nmの光に対する平均透過率が、2mm厚み換算で90.3%以上が好ましく、90.4%以上がより好ましく、90.5%以上がさらに好ましい。 Considering the power generation efficiency of the solar cell and the translucency of the Low-E glass, the glass substrate preferably has an average transmittance of 90.3% or more for light having a wavelength of 500 to 800 nm, preferably 90.3% or more in terms of 2 mm thickness. The above is more preferable, and 90.5% or more is further preferable.

また、太陽電池を作製する際やLow-Eガラスを製造する際に、高温環境に晒したり、熱処理を行う場合があることから、ガラス基板は良好な耐熱性を有することが好ましい。
具体的には、ガラス転移温度(Tg)は640℃以上が好ましく、645℃以上がより好ましく、655℃以上がさらに好ましい。一方、溶解時の粘性を上げすぎないようにするため、ガラス転移温度は750℃以下が好ましく、720℃以下がより好ましく、690℃以下がさらに好ましい。
Further, it is preferable that the glass substrate has good heat resistance because it may be exposed to a high temperature environment or heat-treated when manufacturing a solar cell or Low-E glass.
Specifically, the glass transition temperature (Tg) is preferably 640 ° C. or higher, more preferably 645 ° C. or higher, and even more preferably 655 ° C. or higher. On the other hand, the glass transition temperature is preferably 750 ° C. or lower, more preferably 720 ° C. or lower, and even more preferably 690 ° C. or lower so as not to increase the viscosity at the time of melting too much.

また、ガラス基板の50~350℃における平均熱膨張係数は、モジュール化する際にモジュールが反るのを抑制する点から70×10-7/℃以上が好ましく、80×10-7/℃以上がより好ましい。一方、剥がれ等を抑制する点から、90×10-7/℃以下が好ましく、85×10-7/℃以下がより好ましい。 The average coefficient of thermal expansion of the glass substrate at 50 to 350 ° C. is preferably 70 × 10 -7 / ° C. or higher, preferably 80 × 10 -7 / ° C. or higher, from the viewpoint of suppressing warping of the module during modularization. Is more preferable. On the other hand, from the viewpoint of suppressing peeling and the like, 90 × 10 -7 / ° C. or lower is preferable, and 85 × 10 -7 / ° C. or lower is more preferable.

ガラス基板の厚さは、特に限定されないが、強度と透過率の観点から、0.7mm以上が好ましく、1.1mm以上がより好ましく、また、6.0mm以下が好ましく、4.0mm以下がより好ましい。 The thickness of the glass substrate is not particularly limited, but is preferably 0.7 mm or more, more preferably 1.1 mm or more, preferably 6.0 mm or less, and more preferably 4.0 mm or less from the viewpoint of strength and transmittance. preferable.

<膜付きガラス基板の製造方法>
膜付きガラス基板1は、ガラス基板10上に、アンダーコート層20としてSiOxCy層21及びSiO層22、並びに機能性透明膜30を順に積層することにより得ることができる。
具体的には、ガラス基板は、ガラス原料を加熱して溶融ガラスを得る溶解工程、溶融ガラスから泡を除く清澄工程、溶融ガラスを板状にしてガラスリボンを得る成形工程、およびガラスリボンを室温状態まで徐冷する徐冷工程により得ることができる。また、溶融ガラスをブロック状に成形し、徐冷した後に、切断、研磨を経てガラス基板を製造してもよい。
<Manufacturing method of glass substrate with film>
The glass substrate 1 with a film can be obtained by sequentially laminating a SiOxCy layer 21 and a SiO 2 layer 22 as an undercoat layer 20 and a functional transparent film 30 on the glass substrate 10.
Specifically, for the glass substrate, a melting step of heating a glass raw material to obtain molten glass, a clarification step of removing bubbles from the molten glass, a molding step of forming a molten glass into a plate to obtain a glass ribbon, and a glass ribbon at room temperature. It can be obtained by a slow cooling step of slowly cooling to a state. Further, the molten glass may be formed into a block shape, slowly cooled, and then cut and polished to produce a glass substrate.

上記各工程は、従来公知の各方法を用いることができる。製造方法は、実施形態に限定されず、本発明の目的を達成できる範囲で適宜変形や改良等が可能である。 For each of the above steps, conventionally known methods can be used. The manufacturing method is not limited to the embodiment, and can be appropriately modified or improved as long as the object of the present invention can be achieved.

ガラス基板上にアンダーコート層としてSiOxCy層及びSiO層を順に形成した後、機能性透明膜を形成する。
アンダーコート層及び機能性透明膜は、CVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相蒸着)法やスパッタリング法、化学メッキ法、湿式塗布法等により形成することができる。スパッタリング法は製板されたガラス基板上に製膜する方法であり、化学メッキ法は鏡を作る方法である。
A SiOxCy layer and a SiO2 layer are sequentially formed on the glass substrate as an undercoat layer, and then a functional transparent film is formed.
The undercoat layer and the functional transparent film can be formed by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, a sputtering method, a chemical plating method, a wet coating method, or the like. The sputtering method is a method of forming a film on a plate-made glass substrate, and the chemical plating method is a method of making a mirror.

中でもCVD法が好ましく、後述するオンラインCVD法がより好ましい。
具体的には、フロート法を用いて膜付きガラス基板を製造する方法であって、ガラス原料を加熱して溶融ガラスを得る溶解工程、前記溶融ガラスから泡を除く清澄工程、前記泡を除いた溶融ガラスを板状にしてガラスリボンを得る成形工程、及び前記ガラスリボンを室温まで徐冷する徐冷工程を含み、前記成形工程と前記徐冷工程との間に、オンラインCVD法により前記ガラスリボンの表面に、SiOxCy層、SiO層、及び機能性透明膜をこの順で連続的に形成する製膜工程を含むことがさらに好ましい。
Among them, the CVD method is preferable, and the online CVD method described later is more preferable.
Specifically, it is a method of manufacturing a glass substrate with a film by using a float method, which is a melting step of heating a glass raw material to obtain molten glass, a clarification step of removing bubbles from the molten glass, and removing the bubbles. A molding step of forming a molten glass into a plate to obtain a glass ribbon and a slow cooling step of slowly cooling the glass ribbon to room temperature are included, and the glass ribbon is subjected to an online CVD method between the molding step and the slow cooling step. It is more preferable to include a film forming step of continuously forming a SiOxCy layer, a SiO2 layer, and a functional transparent film in this order on the surface of the above.

オンラインCVD法とはCVD法の一種であり、フロートライン上でガラス基板の製造過程中に、ガラスの表面に直接、膜を製膜する方法である。すなわち、ガラス基板を得た後にアンダーコート層及び機能性透明膜を製膜するのではなく、ガラス基板を得る工程の途中でアンダーコート層及び機能性透明膜を製膜する。
具体的には、ガラス基板の製造の際、ガラスリボンが溶融錫浴の上を移動した後、徐冷されることで、連続的にガラス基板が製造されるが、このガラスリボンの移動中に、ガラスリボンの上面に、アンダーコート層及び機能性透明膜の製膜工程を連続的に実施するものである。
The online CVD method is a kind of CVD method, and is a method of forming a film directly on the surface of glass during the manufacturing process of a glass substrate on a float line. That is, instead of forming the undercoat layer and the functional transparent film after obtaining the glass substrate, the undercoat layer and the functional transparent film are formed in the middle of the process of obtaining the glass substrate.
Specifically, when the glass substrate is manufactured, the glass ribbon moves on the molten tin bath and then is slowly cooled to continuously manufacture the glass substrate. During the movement of the glass ribbon, the glass substrate is continuously manufactured. , The process of forming an undercoat layer and a functional transparent film is continuously carried out on the upper surface of the glass ribbon.

より具体的には、上記ガラス基板の製造方法において、成形工程のフロートラインと徐冷工程の間で、ガラスがまだ熱い状態のうちに、気体原料をガラス表面に吹き付けて、反応させながら、アンダーコート層及び機能性透明膜を製膜することで膜付きガラス基板が得られる。
オンラインCVD法はガラス基板を製造する一連の工程の中で、アンダーコート層及び機能性透明膜を形成することができることから、製造コストを低く抑えることができるため好ましい。この場合、オンラインでの製膜となることから、製膜する層の組成は限定される。例えば、膜付きガラス基板を太陽電池の透明電極基板として用いる場合には、アンダーコート層を順にSiOxCy層及びSiO層とし、機能性透明膜をフッ素ドープされたSnOを主成分とする膜とすることが好ましい態様として挙げられる。また、膜付きガラス基板をLow-Eガラスとして用いる場合には、アンダーコート層を順にSiOxCy層及びSiO層とし、機能性透明膜を高濃度にフッ素ドープされたSnOやアンチモンドープされたSnOを主成分とする膜とすることが好ましい態様として挙げられる。
More specifically, in the above-mentioned method for manufacturing a glass substrate, a gas raw material is sprayed onto the glass surface and reacted while the glass is still hot between the float line of the molding process and the slow cooling process. A glass substrate with a film can be obtained by forming a coat layer and a functional transparent film.
The online CVD method is preferable because the undercoat layer and the functional transparent film can be formed in a series of steps for manufacturing the glass substrate, and thus the manufacturing cost can be kept low. In this case, since the film is formed online, the composition of the layer to be formed is limited. For example, when a glass substrate with a film is used as a transparent electrode substrate for a solar cell, the undercoat layer is sequentially a SiOxCy layer and a SiO2 layer, and the functional transparent film is a film containing fluorinated SnO 2 as a main component. It is mentioned as a preferable embodiment. When a glass substrate with a film is used as Low-E glass, the undercoat layer is sequentially a SiOxCy layer and a SiO2 layer, and the functional transparent film is a high-concentration fluorine-doped SnO 2 or an antimon-doped SnO. A preferred embodiment is a film containing 2 as a main component.

一方で、オフラインCVD法もCVD法の一種であり、一旦、ガラス製造工程により製造され、適当なサイズに切断されたガラス基板を、改めて電気炉に投入して搬送しながら、前記オンラインCVD法と同様に気体原料の反応を利用して、アンダーコート層及び機能性透明膜を製膜する方法である。搬送速度や基板温度を製膜に合わせて設定することができる利点がある反面、製造コストは、オンラインCVD法に比べて高くなる。 On the other hand, the offline CVD method is also a kind of CVD method, and is different from the online CVD method while transporting a glass substrate once manufactured by a glass manufacturing process and cut to an appropriate size into an electric furnace again. Similarly, it is a method of forming an undercoat layer and a functional transparent film by utilizing the reaction of a gas raw material. Although there is an advantage that the transfer speed and the substrate temperature can be set according to the film formation, the manufacturing cost is higher than that of the online CVD method.

スパッタリング法を用いる場合には、真空にした容器の中に特殊ガスを極微量注入し、適したスパッタリングターゲットに電圧をかけることによって、ガラス基板上にアンダーコート層及び機能性透明膜が形成され、膜付きガラス基板が得られる。
スパッタリング法は一度製板されたガラス基板上に層を形成することから、製造コストはかかるものの、所望する様々な組成の層を形成することができる。
When the sputtering method is used, a very small amount of special gas is injected into a vacuumed container and a voltage is applied to a suitable sputtering target to form an undercoat layer and a functional transparent film on a glass substrate. A glass substrate with a film can be obtained.
Since the sputtering method forms a layer on a glass substrate once made into a plate, it is possible to form a layer having various desired compositions, although the manufacturing cost is high.

アンダーコート層及び機能性透明膜の厚さは、CVD法の場合、原料の種類、原料ガス濃度、ガラスリボン又はガラス基板への原料ガスの吹き付け流速、基板温度、コーティングビーム構造由来の反応ガス滞留時間等により制御することができる。またスパッタリング法の場合には、スパッタ時間や電圧等により厚さを制御することができる。 In the case of the CVD method, the thickness of the undercoat layer and the functional transparent film is determined by the type of raw material, the concentration of the raw material gas, the flow velocity of the raw material gas blown onto the glass ribbon or the glass substrate, the substrate temperature, and the retention of the reaction gas derived from the coating beam structure. It can be controlled by time and the like. Further, in the case of the sputtering method, the thickness can be controlled by the sputtering time, voltage and the like.

<太陽電池>
本発明は、上記膜付きガラス基板を透明電極基板として有する太陽電池に関する。当該透明電極基板としての構成や好ましい態様は、上記<膜付きガラス基板>で記載したものと同様である。
本発明の太陽電池とは、その製造工程においてアニール処理等、高温で熱処理を行う太陽電池が好ましく、例えばCdTe太陽電池が挙げられる。ただし、他の太陽電池に適用することを何ら排除するものではない。
CdTe太陽電池は、図2に示すように、透明電極基板となる膜付きガラス基板の機能性透明膜30の表面上に、n型層40、p型層50、及び裏面電極(陽極)60が順に積層された構成である。
<Solar cell>
The present invention relates to a solar cell having the glass substrate with a film as a transparent electrode substrate. The configuration and preferred embodiment of the transparent electrode substrate are the same as those described in the above <Glass substrate with film>.
The solar cell of the present invention is preferably a solar cell that is heat-treated at a high temperature such as an annealing treatment in the manufacturing process thereof, and examples thereof include a CdTe solar cell. However, it does not exclude the application to other solar cells.
As shown in FIG. 2, the CdTe solar cell has an n-type layer 40, a p-type layer 50, and a back surface electrode (anode) 60 on the surface of a functional transparent film 30 of a glass substrate with a film to be a transparent electrode substrate. It is a configuration in which they are stacked in order.

CdTe太陽電池の場合、透明電極基板の表面層側の表面上にはn型層が形成されるが、n型層としては、従来公知のものを用いることができ、例えばCdS、CdSe等が挙げられ、CdSが好ましい。
n型層の厚みは30nm以上が好ましく、また、100nm以下が好ましい。
n型層は近接昇華法により形成することができ、昇華速度を変更したり、基板温度を変更することにより、その厚みや膜質を調整することができる。
In the case of a CdTe solar cell, an n-type layer is formed on the surface of the transparent electrode substrate on the surface layer side, but conventionally known n-type layers can be used, and examples thereof include CdS and CdSe. Therefore, CdS is preferable.
The thickness of the n-type layer is preferably 30 nm or more, and preferably 100 nm or less.
The n-type layer can be formed by a proximity sublimation method, and its thickness and film quality can be adjusted by changing the sublimation rate or the substrate temperature.

p型層はCdTeが一般的である。p型層の厚みは3μm以上が好ましく、また、15μm以下が好ましい。
p型層は近接昇華法により形成することができ、昇華速度を変更したり、基板温度を変更することにより、その厚みや膜質を調整することができる。
CdTe is generally used for the p-type layer. The thickness of the p-type layer is preferably 3 μm or more, and preferably 15 μm or less.
The p-type layer can be formed by the proximity sublimation method, and its thickness and film quality can be adjusted by changing the sublimation rate or the substrate temperature.

裏面電極は陽極として作用するが、従来公知のものを用いることができる。例えば、銀(Ag)やモリブデン(Mo)等の金属材料膜が積層された構造の電極や、Cuをドープしたカーボン電極、等が挙げられる。また、裏面電極上にさらに裏板ガラスを有していてもよい。裏板ガラスは耐水性や耐酸素透過性を有していればよく、裏板ガラスに代えて樹脂からなるバックフィルムを用いてもよい。
裏面電極と裏板ガラス又はバックフィルムとの間は、樹脂封入や接着用の樹脂により接着される。
裏面電極の厚みは100nm以上が好ましく、また、1000nm以下が好ましい。裏板ガラス又はバックフィルムの厚みは1mm以上が好ましく、また、3mm以下が好ましい。
The back electrode acts as an anode, but conventionally known ones can be used. For example, an electrode having a structure in which a metal material film such as silver (Ag) or molybdenum (Mo) is laminated, a carbon electrode doped with Cu, and the like can be mentioned. Further, the back plate glass may be further provided on the back surface electrode. The back plate glass may have water resistance and oxygen permeability resistance, and a back film made of resin may be used instead of the back plate glass.
The back surface electrode and the back plate glass or the back film are bonded with a resin for encapsulation or adhesion.
The thickness of the back surface electrode is preferably 100 nm or more, and preferably 1000 nm or less. The thickness of the back plate glass or the back film is preferably 1 mm or more, and preferably 3 mm or less.

CdTeからなるp型層の端部又はCdTe太陽電池の端部は封止されていてもよい。封止するための材料としては、例えば、前記透明電極基板におけるガラス基板と同じ組成を有するガラスや、その他の組成のガラス、樹脂等が挙げられる。 The end of the p-type layer made of CdTe or the end of the CdTe solar cell may be sealed. Examples of the material for sealing include glass having the same composition as the glass substrate in the transparent electrode substrate, glass having another composition, resin and the like.

<Low-Eガラス>
本発明は、上記膜付きガラス基板からなるLow-Eガラスに関する。Low-Eガラスとしての構成や好ましい態様は、上記<膜付きガラス基板>で記載したものと同様である。
すなわち、ガラス基板表面に、SiOxCy層、SiO層、及び機能性透明膜がこの順に形成されたものであるが、機能性透明膜は、従来公知の物を用いることができ、例えば、金属膜とそれを保護する保護膜とから構成されていてもよく、また、金属酸化物膜から構成されていてもよい。
<Low-E glass>
The present invention relates to Low-E glass made of the above-mentioned glass substrate with a film. The configuration and preferred embodiment of the Low-E glass are the same as those described in the above <Glass substrate with film>.
That is, the SiOxCy layer, the SiO 2 layer, and the functional transparent film are formed in this order on the surface of the glass substrate. As the functional transparent film, a conventionally known one can be used, for example, a metal film. It may be composed of a protective film and a protective film that protects it, or it may be composed of a metal oxide film.

以下に実施例を挙げ、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.

[実施例1]
以下に示すように、フロート法によりガラス基板を製造すると同時に、オンライン常圧CVD(化学気相)法によりアンダーコート層及び機能性透明膜を形成することで、膜付きガラス基板を得た。
[Example 1]
As shown below, a glass substrate with a film was obtained by producing a glass substrate by the float method and at the same time forming an undercoat layer and a functional transparent film by the online atmospheric pressure CVD (chemical vapor phase) method.

ソーダライムシリカガラス組成からなる溶融ガラスを1500~1600℃のフロートバス中に流し込み、連続的にガラスリボンを流しながら板状ガラスの成形を行った。
ガラスリボンの温度が700℃となる最上流側に位置する第1のコーティングビームから、モノシラン(SiH)0.538kg/時間、エチレン1.07kg/時間、COガス10.9kg/時間、窒素ガス4.90kg/時間を供給し、ガラスリボン上に膜厚が55nmのSiOxCy層を製膜した。
続いて、ガラスリボンが620℃となる下流側に位置する第2のコーティングビームから、モノシラン0.12kg/時間、エチレン0.36kg/時間、COガス30.0kg/時間、窒素ガス1.0kg/時間を供給して、膜厚が10nmのSiO層を製膜した。
さらに、そのすぐ下流にある第3のコーティングビームから、モノブチル錫トリクロライド、酸素、水、窒素、およびトリフロロ酢酸からなる混合ガスを供給し、膜厚が400nmのSnO:Fを成分とする機能性透明膜(フッ素ドープ錫膜)を製膜した。なお、前記混合ガスは、各物質を液相状態又は気相状態でミキサーに供給し、そこで加熱気化しながら混合して、混合ガスとしている。第3のコーティングビームから供給した各原料の量は、モノブチル錫トリクロライド20.5L/時間(液相)、酸素35.7Nm/時間、水88.6kg/時間、トリフロロ酢酸4.9L/時間(液相)であった。なお、膜付きガラス基板の板厚は3.2mmであった。
Fused glass having a soda lime silica glass composition was poured into a float bath at 1500 to 1600 ° C., and a plate-shaped glass was formed while continuously flowing a glass ribbon.
From the first coating beam located on the most upstream side where the temperature of the glass ribbon is 700 ° C, monosilane (SiH 4 ) 0.538 kg / hour, ethylene 1.07 kg / hour, CO 2 gas 10.9 kg / hour, nitrogen A gas of 4.90 kg / hour was supplied, and a SiOxCy layer having a film thickness of 55 nm was formed on the glass ribbon.
Subsequently, from the second coating beam located on the downstream side where the glass ribbon reaches 620 ° C, monosilane 0.12 kg / hour, ethylene 0.36 kg / hour, CO 2 gas 30.0 kg / hour, nitrogen gas 1.0 kg. / Time was supplied to form a SiO 2 layer having a film thickness of 10 nm.
Further, a function of supplying a mixed gas composed of monobutyltin trichloride, oxygen, water, nitrogen, and trifluoroacetic acid from a third coating beam immediately downstream thereof, and having SnO 2 : F having a film thickness of 400 nm as a component. A transparent transparent film (fluorine-doped tin film) was formed. In the mixed gas, each substance is supplied to a mixer in a liquid phase state or a gas phase state, and the mixed gas is mixed while being heated and vaporized there to obtain a mixed gas. The amount of each raw material supplied from the third coating beam was monobutyltin trichloride 20.5 L / hour (liquid phase), oxygen 35.7 Nm 3 / hour, water 88.6 kg / hour, trifluoroacetic acid 4.9 L / hour. It was (liquid phase). The thickness of the glass substrate with a film was 3.2 mm.

[実施例2]
第1のコーティングビームから供給した各原料の量を、モノシラン0.553kg/時間、エチレン1.90kg/時間、COガス5.69kg/時間、窒素ガス10.8kg/時間へと変更してガラスリボン上に、膜厚45nmのSiOxCy層を製膜し、第2のコーティングビームから供給した各原料の量を、モノシラン0.23kg/時間、エチレン0.73kg/時間、COガス30.0kg/時間、窒素ガス0.588kg/時間へと変更し、膜厚20nmのSiO層を製膜した以外は実施例1と同様にして、膜付きガラス基板を得た。
[Example 2]
The amount of each raw material supplied from the first coating beam was changed to 0.553 kg / hour for monosilane, 1.90 kg / hour for ethylene, 5.69 kg / hour for CO 2 gas, and 10.8 kg / hour for nitrogen gas. A SiOxCy layer having a thickness of 45 nm was formed on the ribbon, and the amount of each raw material supplied from the second coating beam was 0.23 kg / hour for monosilane, 0.73 kg / hour for ethylene, and 30.0 kg / hour for CO 2 gas. A glass substrate with a film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the time and nitrogen gas were changed to 0.588 kg / hour and two layers of SiO having a film thickness of 20 nm were formed.

[比較例1]
第1のコーティングビームからは製膜を行わず、第2のコーティングビームから、モノシラン0.12kg/時間、エチレン0.36kg/時間、COガス30.0kg/時間、窒素ガス1.0kg/時間を供給して、膜厚が10nmのSiO層を製膜した以外は実施例1と同様にして、膜付きガラス基板を得た。
[Comparative Example 1]
No film formation was performed from the first coating beam, and from the second coating beam, monosilane 0.12 kg / hour, ethylene 0.36 kg / hour, CO 2 gas 30.0 kg / hour, nitrogen gas 1.0 kg / hour. A glass substrate with a film was obtained in the same manner as in Example 1 except that two layers of SiO having a film thickness of 10 nm were formed.

[比較例2]
第1のコーティングビームからは製膜を行わず、第2のコーティングビームから供給した各原料の量を、モノシラン0.23kg/時間、エチレン0.73kg/時間、COガス30.0kg/時間、窒素ガス0.588kg/時間へと変更し、膜厚20nmのSiO層を製膜した以外は実施例1と同様にして、膜付きガラス基板を得た。
[Comparative Example 2]
No film formation was performed from the first coating beam, and the amount of each raw material supplied from the second coating beam was 0.23 kg / hour for monosilane, 0.73 kg / hour for ethylene, and 30.0 kg / hour for CO 2 gas. A glass substrate with a film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the nitrogen gas was changed to 0.588 kg / hour and two layers of SiO having a film thickness of 20 nm were formed.

[比較例3]
第1のコーティングビームから、モノシラン(SiH)0.538kg/時間、エチレン1.07kg/時間、COガス10.9kg/時間、窒素ガス4.90kg/時間を供給し、ガラスリボン上に膜厚が55nmのSiOxCy層を製膜し、第2のコーティングビームからは製膜を行わなかった以外は実施例1と同様にして、膜付きガラス基板を得た。
[Comparative Example 3]
From the first coating beam, monosilane (SiH 4 ) 0.538 kg / hour, ethylene 1.07 kg / hour, CO 2 gas 10.9 kg / hour, nitrogen gas 4.90 kg / hour were supplied, and a film was applied onto the glass ribbon. A glass substrate with a film was obtained in the same manner as in Example 1 except that a SiOxCy layer having a thickness of 55 nm was formed and no film was formed from the second coating beam.

[比較例4]
第1のコーティングビームから供給した各原料の量を、モノシラン0.553kg/時間、エチレン1.90kg/時間、COガス5.69kg/時間、窒素ガス10.8kg/時間へと変更してガラスリボン上に、膜厚45nmのSiOxCy層を製膜し、第2のコーティングビームからは製膜を行わなかった以外は実施例1と同様にして、膜付きガラス基板を得た。
[Comparative Example 4]
The amount of each raw material supplied from the first coating beam was changed to 0.553 kg / hour for monosilane, 1.90 kg / hour for ethylene, 5.69 kg / hour for CO 2 gas, and 10.8 kg / hour for nitrogen gas. A SiOxCy layer having a film thickness of 45 nm was formed on the ribbon, and a glass substrate with a film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film was not formed from the second coating beam.

得られた各膜付きガラス基板に対して、下記条件にて透過率、650℃耐熱性、及びSiOxCy層の屈折率についての評価を行った。結果を表1に示す。
(透過率)
分光光度計Lambda950(パーキンエルマー社製)を用いて、膜付きガラス基板に対し、ガラス基板側から測定光を入射させ、波長300~1280nmの範囲で、2nmごとに透過率を測定し、波長400~800nmの範囲の各透過率の平均値を透過率の代表値とした。
The obtained glass substrate with a film was evaluated for transmittance, heat resistance at 650 ° C., and refractive index of the SiOxCy layer under the following conditions. The results are shown in Table 1.
(Transmittance)
Using a spectrophotometer Lambda950 (manufactured by PerkinElmer), the measured light is incident on the glass substrate with a film from the glass substrate side, and the transmittance is measured every 2 nm in the wavelength range of 300 to 1280 nm, and the wavelength is 400. The average value of each transmittance in the range of about 800 nm was used as the representative value of the transmittance.

(650℃耐熱性(抵抗変化比))
膜付きガラス基板を1cm角の大きさに切断して、ホール効果測定装置(アクセントオプティカルテクノロジーズ社製、HL5500PC)を用い、まず、加熱前シート抵抗値を測定した。次に、搬送式ベルトコンベア炉(DENKO社製)を650℃に設定し、11.2mm/分の速度で搬送しながら116分の加熱を行った。なお、炉内は、窒素を連続的に供給し、酸素濃度10ppm以下の雰囲気に保った。加熱後に、再び、前記と同様の方法でシート抵抗値(加熱後のシート抵抗値)を測定し、それらの結果から、(加熱後のシート抵抗値)/(加熱前シート抵抗値)で表される値を、650℃耐熱性(抵抗変化比)として求めた。650℃耐熱性(抵抗変化比)の値は1以上になるが、その値が1に近いほど、耐熱性が高いことを意味する。
(650 ° C heat resistance (resistance change ratio))
A glass substrate with a film was cut into a size of 1 cm square, and the sheet resistance value before heating was first measured using a Hall effect measuring device (HL5500PC manufactured by Accent Optical Technologies). Next, a transport type belt conveyor furnace (manufactured by DENKO) was set at 650 ° C., and heating was performed for 116 minutes while transporting at a speed of 11.2 mm / min. In the furnace, nitrogen was continuously supplied to maintain an atmosphere with an oxygen concentration of 10 ppm or less. After heating, the sheet resistance value (sheet resistance value after heating) is measured again by the same method as described above, and from those results, it is expressed as (sheet resistance value after heating) / (sheet resistance value before heating). The value was determined as 650 ° C. heat resistance (resistance change ratio). The value of heat resistance (resistance change ratio) at 650 ° C. is 1 or more, and the closer the value is to 1, the higher the heat resistance.

(SiOxCy層の屈折率)
得られた膜付きガラス基板に対して、10重量%塩酸水溶液と亜鉛粉末により、エッチング処理を行い、SnO:Fを成分とする機能性透明膜(フッ素ドープ錫膜)を除去した。その後、超音波洗浄機にて、水洗し、乾燥した後に、分光エリプソメトリーM-2000I(J.A.Woollam 社製)を用いて、膜付きガラス基板を構成するSiOxCy層の屈折率を測定した。
(Refractive index of SiOxCy layer)
The obtained glass substrate with a film was etched with a 10 wt% hydrochloric acid aqueous solution and zinc powder to remove a functional transparent film (fluorine-doped tin film) containing SnO 2 : F as a component. Then, after washing with water and drying with an ultrasonic cleaner, the refractive index of the SiOxCy layer constituting the glass substrate with a film was measured using spectroscopic ellipsometry M-2000I (manufactured by JA Woollam). ..

Figure 0007020458000001
Figure 0007020458000001

表1に示すように、アンダーコート層としてSiOxCy層及びSiO層をこの順に有する膜付きガラス基板とすることにより、82%以上の高い透過率を維持したまま、優れた耐熱性も有することが分かった。 As shown in Table 1, by using a glass substrate with a film having a SiOxCy layer and a SiO2 layer in this order as the undercoat layer, it is possible to have excellent heat resistance while maintaining a high transmittance of 82% or more. Do you get it.

本発明に係る膜付きガラス基板は、高透過性を有し、屈折率すなわち色味コントロールが可能で、かつ耐熱性にも優れることから、太陽電池用透明電極基板やLow-Eガラスとして非常に有用である。 The glass substrate with a film according to the present invention has high transparency, is capable of controlling the refractive index, that is, color, and is also excellent in heat resistance. Therefore, it is extremely suitable as a transparent electrode substrate for solar cells and Low-E glass. It is useful.

1 膜付きガラス基板
10 ガラス基板
20 アンダーコート層
21 SiOxCy層
22 SiO
30 機能性透明膜
40 n型層
50 p型層
60 裏面電極
1 Glass substrate with film 10 Glass substrate 20 Undercoat layer 21 SiOxCy layer 22 SiO 2 layer 30 Functional transparent film 40 n-type layer 50 p-type layer 60 Back electrode

Claims (4)

ガラス基板と、アンダーコート層と、機能性透明膜とをこの順に含む膜付きガラス基板であって、前記アンダーコート層が、前記ガラス基板側から順にSiOxCy層及びSiO層から構成され
前記機能性透明膜の主成分がSnO である膜付きガラス基板。
A glass substrate with a film containing a glass substrate, an undercoat layer, and a functional transparent film in this order, wherein the undercoat layer is composed of a SiOxCy layer and a SiO2 layer in order from the glass substrate side .
A glass substrate with a film in which the main component of the functional transparent film is SnO 2 .
請求項1に記載の膜付きガラス基板を透明電極基板として有する太陽電池。 A solar cell having the glass substrate with a film according to claim 1 as a transparent electrode substrate. 請求項1に記載の膜付きガラス基板からなるLow-Eガラス。 Low-E glass comprising the glass substrate with a film according to claim 1 . フロート法を用いて膜付きガラス基板を製造する方法であって、
ガラス原料を加熱して溶融ガラスを得る溶解工程、前記溶融ガラスから泡を除く清澄工程、前記泡を除いた溶融ガラスを板状にしてガラスリボンを得る成形工程、及び前記ガラスリボンを室温まで徐冷する徐冷工程を含み、
前記成形工程と前記徐冷工程との間に、オンラインCVD法により前記ガラスリボンの表面に、SiOxCy層、SiO層、及び機能性透明膜をこの順で連続的に形成する製膜工程を含む膜付きガラス基板の製造方法。
It is a method of manufacturing a glass substrate with a film using the float method.
A melting step of heating a glass raw material to obtain molten glass, a clarification step of removing bubbles from the molten glass, a molding step of forming a molten glass from which the bubbles have been removed into a plate shape to obtain a glass ribbon, and slowly cooling the glass ribbon to room temperature. Including slow cooling process to cool
Between the molding step and the slow cooling step, a film forming step of continuously forming a SiOxCy layer, a SiO 2 layer, and a functional transparent film on the surface of the glass ribbon by an online CVD method is included. A method for manufacturing a glass substrate with a film.
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