JP7015959B1 - 放射線検出素子の製造方法 - Google Patents
放射線検出素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7015959B1 JP7015959B1 JP2021124534A JP2021124534A JP7015959B1 JP 7015959 B1 JP7015959 B1 JP 7015959B1 JP 2021124534 A JP2021124534 A JP 2021124534A JP 2021124534 A JP2021124534 A JP 2021124534A JP 7015959 B1 JP7015959 B1 JP 7015959B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- radiation detection
- detection element
- radiation
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 221
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 147
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 114
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 36
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 141
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 38
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 25
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 18
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 14
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 7
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 241001146209 Curio rowleyanus Species 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000004451 qualitative analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Description
図1は、放射線検出素子1の例を示す模式的断面図である。放射線検出素子1は、シリコンドリフト型放射線検出素子である。放射線検出素子1は、全体的に平板状である。放射線検出素子1は、Si(シリコン)からなる円板状の半導体部11を備えている。半導体部11の成分はn型のSiである。半導体部11は、第1面111と、第1面111の裏側に位置する第2面112とを有する。第2面112は、検出対象の放射線が入射する入射側に位置する面である。
1 放射線検出素子
10 半導体基板
101 入射面
103 ドーピング層
11 半導体部
113 入射領域
12 カウンター電極
121、141 防護電極
13 信号出力電極
14 曲線状電極
142 接地電極
15、16 酸化膜
152 第1酸化膜
153 第2酸化膜
2 放射線検出器
21 プリアンプ
4 照射部
6 試料
Claims (4)
- 放射線検出素子を製造する方法において、
半導体基板を酸化させることにより、検出対象の放射線が入射する入射側に相当する位置にある入射面を覆う第1酸化膜を成長させ、
前記第1酸化膜の、前記入射面の一部分を覆う部分を除去することにより、前記入射面の前記一部分を露出させ、
前記入射面の前記一部分が露出した状態から、前記半導体基板を再度酸化させることにより、前記入射面を覆う第2酸化膜を、厚みが前記第1酸化膜の厚みよりも小さい所定の厚みになるように成長させ、
前記第2酸化膜の厚みが前記所定の厚みになっている状態で、前記半導体基板を構成する半導体を異なる型の半導体にするドーパントのイオンを、前記第2酸化膜を介して前記半導体基板へ注入すること
を特徴とする放射線検出素子の製造方法。 - 前記入射面の前記第1酸化膜で覆われていない部分を覆う前記第2酸化膜の厚みが、500オングストローム以上1100オングストローム以下になるように、前記第2酸化膜を成長させること
を特徴とする請求項1に記載の放射線検出素子の製造方法。 - 前記入射面の前記一部分は、前記放射線検出素子の、検出すべき放射線が入射する入射領域に対応する部分であること
を特徴とする請求項1又は2に記載の放射線検出素子の製造方法。 - 前記放射線検出素子は、シリコンドリフト型放射線検出素子であること
を特徴とする請求項1乃至3のいずれか一つに記載の放射線検出素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021124534A JP7015959B1 (ja) | 2021-07-29 | 2021-07-29 | 放射線検出素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021124534A JP7015959B1 (ja) | 2021-07-29 | 2021-07-29 | 放射線検出素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP7015959B1 true JP7015959B1 (ja) | 2022-02-03 |
JP2023019637A JP2023019637A (ja) | 2023-02-09 |
Family
ID=80808978
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021124534A Active JP7015959B1 (ja) | 2021-07-29 | 2021-07-29 | 放射線検出素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7015959B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4243092A1 (en) * | 2022-03-11 | 2023-09-13 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Semiconductor detector and method of manufacturing same |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011111754A1 (ja) | 2010-03-09 | 2011-09-15 | 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2013235935A (ja) | 2012-05-08 | 2013-11-21 | Canon Inc | 検出装置の製造方法、その検出装置及び検出システム |
WO2015008630A1 (ja) | 2013-07-17 | 2015-01-22 | ソニー株式会社 | 放射線撮像装置および放射線撮像表示システム |
US20190371855A1 (en) | 2018-06-01 | 2019-12-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Semiconductor Surface Passivation |
US20200319355A1 (en) | 2019-04-02 | 2020-10-08 | Brian F. Aull | Rapid Prototyping of Single-Photon-Sensitive Silicon Avalanche Photodiodes |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59227168A (ja) * | 1983-06-08 | 1984-12-20 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 半導体放射線検出器 |
JPS62195181A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-27 | Shimadzu Corp | 半導体放射線検出素子 |
JPH0481352A (ja) * | 1990-07-24 | 1992-03-16 | Mitsubishi Kasei Corp | コークス炉消火車の駆動装置 |
-
2021
- 2021-07-29 JP JP2021124534A patent/JP7015959B1/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011111754A1 (ja) | 2010-03-09 | 2011-09-15 | 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2013235935A (ja) | 2012-05-08 | 2013-11-21 | Canon Inc | 検出装置の製造方法、その検出装置及び検出システム |
WO2015008630A1 (ja) | 2013-07-17 | 2015-01-22 | ソニー株式会社 | 放射線撮像装置および放射線撮像表示システム |
US20190371855A1 (en) | 2018-06-01 | 2019-12-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Semiconductor Surface Passivation |
US20200319355A1 (en) | 2019-04-02 | 2020-10-08 | Brian F. Aull | Rapid Prototyping of Single-Photon-Sensitive Silicon Avalanche Photodiodes |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4243092A1 (en) * | 2022-03-11 | 2023-09-13 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Semiconductor detector and method of manufacturing same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2023019637A (ja) | 2023-02-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Pellegrini et al. | 3D double sided detector fabrication at IMB-CNM | |
US20110169116A1 (en) | Radiation Detector | |
EP3425428B1 (en) | Radiation detection element, radiation detector and radiation detection apparatus | |
JP7148674B2 (ja) | 半導体検出器、放射線検出器及び放射線検出装置 | |
JP7015959B1 (ja) | 放射線検出素子の製造方法 | |
Graczyk et al. | Scanning electron diffraction attachment with electron energy filtering | |
JP6846923B2 (ja) | 半導体検出器、放射線検出器及び放射線検出装置 | |
US7177392B2 (en) | X-ray detector for feedback stabilization of an X-ray tube | |
WO2020162246A1 (ja) | 放射線検出素子、放射線検出器及び放射線検出装置 | |
Liu et al. | A 4H silicon carbide based fast-neutron detection system with a neutron threshold of 0.4 MeV | |
Wang et al. | Design and fabrication of quasi-double-sided silicon drift detector for x-ray detection | |
JP7045371B2 (ja) | 放射線検出器及び放射線検出装置 | |
US10620325B2 (en) | Different radiation measuring sensor and manufacturing method thereof | |
Lopez Paz et al. | Position-resolved charge collection of silicon carbide detectors with an epitaxially-grown graphene layer | |
Becchetti et al. | Mercuric iodide (HgI2) semiconductor devices as charged particle detectors | |
Srivastava et al. | Ion-beam induced luminescence and optical response measurement setup at IGCAR: First experimental results | |
WO2022224654A1 (ja) | 放射線検出素子、放射線検出器及び放射線検出装置 | |
David-Bosne et al. | Use of a Timepix position-sensitive detector for Rutherford backscattering spectrometry with channeling | |
JP4537149B2 (ja) | 蛍光x線分析方法 | |
Srinivasan et al. | Probing and analyzing buried interfaces of multifunctional oxides using a secondary electron energy analyzer | |
WO2023026939A1 (ja) | 放射線検出素子、放射線検出器、放射線検出装置及び放射線検出素子の製造方法 | |
Christina et al. | Impact of diffusion on the ionisation channel of a diamond XBPM® detector | |
Grasserbauer et al. | General aspects of trace analytical methods: Part VII. Trace analysis of semiconductor materials-Part B: Distribution analysis | |
WO2024070737A1 (ja) | 放射線検出素子、放射線検出器及び放射線検出装置 | |
JPH0547334A (ja) | 2次元電子分光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210729 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20210729 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211019 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211124 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220118 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220124 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7015959 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |