JP7007360B2 - 誘導加熱器およびディスペンサ - Google Patents
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Description
Claims (76)
- シェービング又は化粧用の製品を加熱するために適用される誘導加熱デバイスであって、
非導電性誘導容器を形成するハウジングと、
シェービングまたは化粧製品を保持するための非導電性製品容器であって、前記非導電性製品容器は、取り外し自在に前記非導電性誘導容器に受けられ、シェービングまたは化粧製品が前記非導電性製品容器に収容され、上部製品表面と、前記上部製品表面の真下の前記製品の層からなる熱の影響を受ける製品領域と、を形成する、非導電性製品容器と、
前記非導電性製品容器内に電磁場を生成するための前記非導電性誘導容器に隣接した誘導コイルと、
前記上部製品表面を覆う下面および上面を有する前記非導電性製品容器内の導電性金属ターゲットメンバであって、前記導電性金属ターゲットメンバが通過孔を有する、導電性金属ターゲットメンバと、
前記ハウジング内に取り付けられ、予め定められた期間で前記非導電性製品容器内への前記電磁場の生成を作動および停止するために前記誘導コイルに接続されている電子回路と、を備え、前記導電性金属ターゲットメンバは、前記電磁場に応じて、前記予め定められた期間の加熱サイクル中に加熱され、前記熱の影響を受ける製品領域内の前記製品のみを加熱および/または溶融し、それによって加熱および/または溶融された製品が、前記通過孔を通って前記導電性金属ターゲットメンバの前記上面へと流れ、ユーザによってシェービングまたは化粧目的で収集され得るようになり、
それにより、前記導電性金属ターゲットメンバは、前記電子回路が前記予め定められた期間中に前記電磁場を停止した後に、前記熱の影響を受ける製品領域内に存在する、
誘導加熱デバイス。 - 上面を有する前記ハウジングをさらに備え、
前記非導電性誘導容器は、側壁、底壁および前記上面に取り付けられた開口上部を備え、前記非導電性誘導容器の側壁は、前記開口上部から前記底壁へ一様な断面を有する内部面を形成し、前記非導電性製品容器は、側壁、底壁および閉じることができる開口上部を備え、前記非導電性製品容器の側壁は、前記非導電性誘導容器の前記内部面に補足的に構成されている一様な断面を有する外部面を形成し、前記非導電性製品容器は、取り外し自在に前記非導電性誘導容器に挿入される、請求項1に記載の誘導加熱デバイス。 - 前記非導電性製品容器の側壁は、前記閉じることができる開口上部から前記底壁へ一様な断面を有する内部面を形成し、前記導電性金属ターゲットメンバはさらに、前記非導電性製品容器の前記内部面に補足的に構成されている周囲面を備える、請求項2に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記非導電性誘導容器は、第1の円筒形状カップを備え、前記非導電性製品容器は、第2の円筒形状カップを備える、請求項3に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記導電性金属ターゲットメンバは、前記第2の円筒形状カップの前記内部面の前記断面に補足的に構成されている断面を有する金属円盤を備え、前記金属円盤の前記断面は、前記第2の円筒形状カップの前記内部面の前記断面よりわずかに小さく、したがって前記金属円盤は、前記製品が使用されるにつれて前記非導電性製品容器内を自由に降下することができる、請求項4に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記第1の円筒形状カップ及び前記第2の円筒形状カップ並びに前記導電性金属ターゲットメンバは、整列を維持し、使用の間にそれらの間で回転するのを防ぐように構成される、請求項5に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記第1の円筒形状カップ及び前記第2の円筒形状カップは、平坦な側壁部分を有し、前記導電性金属ターゲットメンバの周囲面は、前記整列を維持し、使用の間にそれらの間で回転するのを防ぐように、前記平坦な側壁部分と合わせられた平坦な部分を有する、請求項6に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記金属円盤は、金属スクリーンを備える、請求項5に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記金属円盤は、貫通して広がる少なくとも一つの孔、貫通して広がる少なくとも一つの細長い隙間、または貫通して広がる少なくとも一つの孔および少なくとも一つの細長い隙間の組み合わせを備える、請求項5に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記金属円盤は、前記少なくとも一つの孔の周りを囲みかつ上面の平面に垂直に伸びる、少なくとも一つの要素を備える、請求項9に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記少なくとも一つの要素は、円錐形状である、請求項10に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記金属円盤は、前記少なくとも一つの孔に隣接して前記上面に配置されかつ前記上面の平面に垂直に伸びる、少なくとも一つの要素を備える、請求項9に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記少なくとも一つの要素は、リブを備える、請求項12に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記金属円盤は、ステンレススチール又はアルミニウムを構成されている、請求項5に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記金属円盤は、0.005インチから0.150インチ(0.0127cmから0.381cm)の間に分布する厚みを有する、請求項5に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記金属円盤は、0.008インチから0.020インチ(0.020cmから0.050cm)の間に分布する厚みを含む、請求項15に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記金属円盤の上面は、平坦である、又は平坦でない、請求項5に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記金属円盤の前記上面は、皿形状、カップ形状または波形形状である、請求項17に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記第2の円筒形状カップは、2インチから4インチ(5.08cmから10.16cm)の間の直径、および前記直径の0.5倍から2倍の間の高さを有する、請求項4に記載の誘導加熱デバイス。
- 交流電流源または直流電流源を前記電子回路へ供給するための手段をさらに備える、請求項1に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記電子回路は、高周波電磁エネルギを前記導電性金属ターゲットメンバに生成するための手段を含み、前記電子回路はさらに、前記導電性金属ターゲットメンバ内に生成される熱を調節するために前記交流電流または前記直流電流を制御するための手段を含む、請求項20に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記手段は、マイクロプロセッサ、高周波インバータ回路、共振タンク回路および前記誘導コイルを備える、請求項21に記載の誘導加熱デバイス。
- ユーザが手動で加熱サイクルを開始および停止できるようにするため、加熱サイクルのエネルギレベル及び継続時間を調整するため、および前記エネルギレベル、温度または前記加熱サイクルの継続時間に基づいた有用な情報を表示するための前記マイクロプロセッサに接続されたオペレータインターフェースをさらに備える、請求項22に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記電子回路の電流および温度を監視するための電流センサおよび温度センサをさらに備える、請求項23に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記電流センサまたは前記温度センサに反応して前記電子回路の過電流または過熱温度を示すための視覚的および/または聴覚的警報手段をさらに備える、請求項24に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記電子回路を間接的に制御するために、前記マイクロプロセッサへ情報を送信し、および前記マイクロプロセッサから情報を受信するためのRFモジュールをさらに備える、請求項22に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記RFモジュールによって受信された情報を伝達するためのスピーカをさらに備え、そのような情報は、加熱サイクルの開始若しくは停止、若しくは加熱サイクルの間の加熱の調整されたエネルギレベルおよび継続期間、または温度および電流検出レベルに関する、請求項26に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記非導電性製品容器は、サイクル時間、前記導電性金属ターゲットメンバの共振周波数、製品の種類、および前記製品の要求によって前記製品を加熱するために必要とされるその他のパラメータのような、前記非導電性製品容器内の前記製品と関連があるデータを前記マイクロプロセッサへ伝達するためのRFIDタグを備える、請求項22に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記電子回路は、前記RFIDタグから前記マイクロプロセッサへ前記データを通信するためのRFID読み取り機を含む、請求項28に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記RFID読み取り機は、前記RFIDタグに極めて接近して配置される、請求項29に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記RFID読み取り機によって受信した情報を伝達するためのスピーカをさらに備え、そのような情報は、サイクル時間、前記導電性金属ターゲットメンバの共振周波数、製品の種類、および前記製品の要求によって前記製品を加熱するために必要とされるその他のパラメータのような、前記非導電性製品容器内の前記製品と関連があるものである、請求項29に記載の誘導加熱デバイス。
- シェービング又は化粧用の製品を加熱するために適用される誘導加熱デバイスであって、
非導電性誘導容器を形成するハウジングと、
前記製品を保持するための非導電性製品容器であって、前記非導電性製品容器は、取り外し自在に前記非導電性誘導容器に受けられる、非導電性製品容器と、
前記非導電性製品容器内に電磁場を生成するための前記非導電性誘導容器に隣接した誘導コイルと、
前記非導電性製品容器内の導電性金属ターゲットメンバと、
前記ハウジング内に取り付けられ、前記誘導コイルに接続されている電子回路と、を備え、前記導電性金属ターゲットメンバは、前記製品を加熱し及び又は溶融するために前記誘導コイルからの前記電磁場に反応して、予め定められた期間の加熱サイクル中に加熱され、
前記非導電性製品容器はさらに、上部製品表面と、加熱された材料が前記導電性金属ターゲットメンバを通って流れ、シェービング又は化粧目的のためにユーザによって収集され得るように、前記導電性金属ターゲットメンバによって加熱される前記上部製品表面の真下の前記製品の層からなる熱の影響を受ける製品領域と、を備え、
前記誘導加熱デバイスは、円筒状の本体、材料容器、前記導電性金属ターゲットメンバを収容する材料熱交換キャビティ、ダイヤフラムおよび逆止弁をさらに備えるポンプでの組み上げ機構、並びに第1の直径を有する雄型キャップ、第2の直径を有する雌型受け取りキャップ、注入開口、少なくとも一つのキャビティ、少なくとも一つの隔壁、導管および排出開口をさらに備える誘導キャビティを備える、前記非導電性製品容器をさらに備える、
誘導加熱デバイス。 - 前記導電性金属ターゲットメンバは、前記誘導キャビティの断面に補足的に構成されている断面を有する金属円盤を備え、前記金属円盤の前記断面は、前記誘導キャビティの前記断面よりわずかに小さく、したがって前記製品が使用されるにつれて、前記金属円盤が前記誘導キャビティ内を自由に移動することができる、請求項32に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記金属円盤は、蝶々の形をしている、請求項33に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記金属円盤は、中の詰まった円盤である、請求項33に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記金属円盤は、環状のリングである、請求項33に記載の誘導加熱デバイス。
- シェービング又は化粧用の製品を加熱するために適用される誘導加熱デバイスであって、
非導電性誘導容器を形成するハウジングと、
前記製品を保持するための非導電性製品容器であって、前記非導電性製品容器は、取り外し自在に前記非導電性誘導容器に受けられる、非導電性製品容器と、
前記非導電性製品容器内に電磁場を生成するための前記非導電性誘導容器に隣接した誘導コイルと、
前記非導電性製品容器内の導電性金属ターゲットメンバと、
前記ハウジング内に取り付けられ、前記誘導コイルに接続されている電子回路と、を備え、前記導電性金属ターゲットメンバは、前記製品を加熱し及び又は溶融するために前記誘導コイルからの前記電磁場に反応して、予め定められた期間の加熱サイクル中に加熱され、
前記非導電性製品容器はさらに、上部製品表面と、加熱された材料が前記導電性金属ターゲットメンバを通って流れ、シェービング又は化粧目的のためにユーザによって収集され得るように、前記導電性金属ターゲットメンバによって加熱される前記上部製品表面の真下の前記製品の層からなる熱の影響を受ける製品領域と、を備え、
前記誘導加熱デバイスは、円筒状の本体、材料容器、前記導電性金属ターゲットメンバを収容する材料熱交換キャビティ、作動される伴板をさらに備えるポンプでの組み上げ機構、並びに第1の直径を有する雄型キャップ、第2の直径を有する雌型受け取りキャップ、注入開口、少なくとも一つのキャビティ、少なくとも一つの隔壁、導管および排出開口をさらに備える誘導キャビティを備える、前記非導電性製品容器をさらに備える、
誘導加熱デバイス。 - 前記導電性金属ターゲットメンバは、前記誘導キャビティの断面に補足的に構成されている断面を有する金属円盤を備え、前記金属円盤の前記断面は、前記誘導キャビティの前記断面よりわずかに小さく、したがって前記製品が使用されるにつれて、前記金属円盤が前記誘導キャビティ内を自由に移動することができる、請求項37に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記金属円盤は、蝶々の形をしている、請求項38に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記金属円盤は、中の詰まった円盤である、請求項38に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記金属円盤は、環状のリングである、請求項38に記載の誘導加熱デバイス。
- シェービング又は化粧用の製品を加熱するために適用される誘導加熱デバイスであって、
非導電性誘導容器を形成するハウジングと、
前記製品を保持するための非導電性製品容器であって、前記非導電性製品容器は、取り外し自在に前記非導電性誘導容器に受けられる、非導電性製品容器と、
前記非導電性製品容器内に電磁場を生成するための前記非導電性誘導容器に隣接した誘導コイルと、
前記非導電性製品容器内の導電性金属ターゲットメンバと、
前記ハウジング内に取り付けられ、前記誘導コイルに接続されている電子回路と、を備え、前記導電性金属ターゲットメンバは、前記製品を加熱し及び又は溶融するために前記誘導コイルからの前記電磁場に反応して、予め定められた期間の加熱サイクル中に加熱され、
前記非導電性製品容器はさらに、上部製品表面と、加熱された材料が前記導電性金属ターゲットメンバを通って流れ、シェービング又は化粧目的のためにユーザによって収集され得るように、前記導電性金属ターゲットメンバによって加熱される前記上部製品表面の真下の前記製品の層からなる熱の影響を受ける製品領域と、を備え、
前記導電性金属ターゲットメンバは、面をわたって温度依存の抵抗デバイスと接続されている細長い隙間を構成されている、
誘導加熱デバイス。 - シェービング又は化粧用の製品を加熱するために適用される誘導加熱デバイスであって、
非導電性誘導容器を形成するハウジングと、
シェービング又は化粧用の製品を保持するための非導電性製品容器であって、前記非導電性製品容器は、前記非導電性製品容器が取り外し自在に前記非導電性誘導容器内に受けられるとともに、円筒状の本体、材料容器、ターゲットメンバを収容する材料熱交換キャビティ、ダイヤフラムおよび逆止弁をさらに備えるポンプでの組み上げ機構、並びに第1の直径を有する雄型キャップ、第2の直径を有する雌型受け取りキャップ、注入開口、少なくとも一つのキャビティ、少なくとも一つの隔壁、導管および排出開口をさらに備える誘導キャビティを備え、シェービング又は化粧用の製品は、材料熱交換器を備える前記非導電性製品容器内に収容される、非導電性製品容器と、
前記非導電性製品容器内に電磁場を生成するための前記非導電性誘導容器に隣接した誘導コイルと、
前記非導電性製品容器内の導電性金属ターゲットメンバと、
前記ハウジング内に取り付けられ、前記誘導コイルに接続されている電子回路と、を備え、前記導電性金属ターゲットメンバは、前記誘導コイルからの前記電磁場に反応して、予め定められた期間に関して加熱サイクルの間に加熱され、前記製品を加熱および/または溶融する、
誘導加熱デバイス。 - 前記導電性金属ターゲットメンバは、前記誘導キャビティの断面に補足的に構成されている断面を有する金属円盤を備え、前記金属円盤の前記断面は、前記誘導キャビティの前記断面よりわずかに小さく、したがって前記製品が使用されるにつれて、前記金属円盤が前記誘導キャビティ内を自由に移動することができる、請求項43に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記金属円盤は、蝶々の形をしている、請求項44に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記金属円盤は、中の詰まった円盤である、請求項44に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記金属円盤は、環状のリングである、請求項44に記載の誘導加熱デバイス。
- 作動される伴板をさらに備えるポンプでの組み上げ機構を前記非導電性製品容器内にさらに備える、請求項44に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記導電性金属ターゲットメンバは、前記誘導キャビティの断面に補足的に構成されている断面および上面を有する金属円盤を備え、前記金属円盤の前記断面は、前記誘導キャビティの前記断面よりわずかに小さく、したがって前記製品が使用されるにつれて、前記金属円盤が前記誘導キャビティ内を自由に移動することができる、請求項48に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記金属円盤は、蝶々の形をしている、請求項49に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記金属円盤は、中の詰まった円盤である、請求項49に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記金属円盤は、環状のリングである、請求項49に記載の誘導加熱デバイス。
- 加熱したとき、製品の2ミリメートルの高さは、加熱または溶融される、請求項44に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記導電性金属ターゲットメンバは、面をわたって温度依存の抵抗デバイスと接続されている細長い隙間を構成されている、請求項44に記載の誘導加熱デバイス。
- 交流電流源または直流電流源を前記電子回路へ供給するための手段をさらに備える、請求項44に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記電子回路は、高周波電磁エネルギを前記導電性金属ターゲットメンバに生成するための手段を含み、前記電子回路はさらに、前記導電性金属ターゲットメンバ内に生成される熱を調節するために前記交流電流または前記直流電流を制御するための手段を含む、請求項55に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記手段は、マイクロプロセッサ、高周波インバータ回路、共振タンク回路および前記誘導コイルを備える、請求項56に記載の誘導加熱デバイス。
- ユーザが手動での加熱サイクルの開始および停止をできるようにするため、加熱サイクルのエネルギレベル及び継続時間を調整するため、および前記エネルギレベル、温度または前記加熱サイクルの継続時間に基づいた有用な情報を表示するための前記マイクロプロセッサに接続されたオペレータインターフェースをさらに備える、請求項57に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記電子回路の電流および温度を監視するための電流センサおよび温度センサをさらに備える、請求項58に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記電流センサまたは前記温度センサに反応して前記電子回路の過電流または過熱温度を示すための視覚的および/または聴覚的警報手段をさらに備える、請求項59に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記電子回路を間接的に制御するために、前記マイクロプロセッサへ情報を送信し、およびマイクロプロセッサから情報を受信するためのRFモジュールをさらに備える、請求項57に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記RFモジュールによって受信された情報を伝達するためのスピーカをさらに備え、そのような情報は、加熱サイクルの開始若しくは停止、若しくは加熱サイクルの間の加熱の調整されたエネルギレベルおよび継続期間、または温度および電流検出レベルに関する、請求項61に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記金属円盤は、貫通して広がる少なくとも一つの孔、貫通して広がる少なくとも一つの細長い隙間、または貫通して広がる少なくとも一つの孔および少なくとも一つの細長い隙間の組み合わせを備える、請求項49に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記金属円盤は、前記少なくとも一つの孔の周りを囲みかつ前記上面の平面に垂直に伸びる、少なくとも一つの要素を備える、請求項63に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記少なくとも一つの要素は、円錐形状である、請求項64に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記金属円盤は、前記少なくとも一つの孔に隣接して前記上面に配置されかつ前記上面の平面に垂直に伸びる、少なくとも一つの要素を備える、請求項63に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記少なくとも一つの要素は、リブを備える、請求項66に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記金属円盤は、ステンレススチール又はアルミニウムを構成されている、請求項49に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記金属円盤は、0.005インチから0.150インチ(0.0127cmから0.381cm)の間に分布する厚みを有する、請求項49に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記金属円盤は、0.008インチから0.020インチ(0.020cmから0.050cm)の間に分布する厚みを含む、請求項69に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記金属円盤の上面は、平坦である、又は平坦でない、請求項49に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記金属円盤の前記上面は、皿形状、カップ形状または波形形状である、請求項49に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記非導電性製品容器は、サイクル時間、前記導電性金属ターゲットメンバの共振周波数、製品の種類、および前記製品の要求によって前記製品を加熱するために必要とされるその他のパラメータのような、前記非導電性製品容器内の前記製品と関連があるデータを前記マイクロプロセッサへ伝達するためのRFIDタグを備える、請求項57に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記電子回路は、前記RFIDタグから前記マイクロプロセッサへデータを通信するためのRFID読み取り機を含む、請求項73に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記RFID読み取り機は、前記RFIDタグに極めて接近して配置される、請求項74に記載の誘導加熱デバイス。
- 前記RFID読み取り機によって受信した情報を伝達するためのスピーカをさらに備え、そのような情報は、サイクル時間、前記導電性金属ターゲットメンバの共振周波数、製品の種類、および前記製品の要求によって前記製品を加熱するために必要とされるその他のパラメータのような、前記非導電性製品容器内の前記製品と関連があるものである、請求項74に記載の誘導加熱デバイス。
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