JP7005494B2 - 複数のネオジムおよびフッ素化合物を使用した可変カラーフィルタリングを用いるled装置 - Google Patents

複数のネオジムおよびフッ素化合物を使用した可変カラーフィルタリングを用いるled装置 Download PDF

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Description

本発明は、一般に、照明用途および関連技術に関し、より具体的には、本発明は、これには限定されないが、所望のカラーフィルタリング効果をLED光装置に付与するためにネオジム(Nd)およびフッ素(F)を含む複数の化合物を使用することに関する。
本明細書で使用する場合、有機LED(OLED)も包含する発光ダイオード(LED)は、電気エネルギを可視光(約400~750nmの波長)を含む電磁放射に変換する固体半導体デバイスである。LEDは、一般に、p-n接合を形成するために不純物でドープされた半導体材料のチップ(ダイ)を含む。LEDチップは、アノードおよびカソードに電気的に接続され、多くの場合、それらはすべてLEDパッケージ内に実装される。白熱電球または蛍光灯などの他のランプと比較して、LEDが放出する可視光は、指向性が高く、ビーム幅が狭い。
OLEDは、一般に、電極(少なくとも1つの電極は透明である)の間に位置する少なくとも1つの電界発光層(有機半導体の膜)を含む。電界発光層は、電極の間を流れる電流に応答して光を放出する。
LED/OLED光源(ランプ)は、従来の白熱電球および蛍光灯よりも多様な利点をもたらし、この利点としては、これには限定されないが、期待寿命がより長い、エネルギ効率がより高い、最終輝度に達するのに安定化時間を必要としない、などが挙げられる。
LED/OLED照明は効率、長寿命、柔軟性、および他の好ましい側面に関して魅力的であるが、一般照明およびディスプレイ用途の両方での利用に関して、LED照明、特に白色LED/OLEDデバイスの色特性を絶えず改善することが依然として必要とされている。
図1は、エリア照明用途に適切な従来のLED系照明装置10の斜視図である。照明装置(「照明ユニット」または「ランプ」とも呼ばれ得る)10は、透明または半透明のカバーまたは外囲器12と、ねじ込み式コネクタ14と、外囲器12とコネクタ14との間のハウジングまたは基部16とを含む。
複数のLEDデバイスを含むLEDアレイとすることができるLED系光源(図示せず)は、外囲器12の下端に基部16に隣接して位置する。LEDデバイスは、狭い帯域の波長、たとえば、緑、青、赤などで可視光を放出することから、白色光を含む様々な光色を発生させるために、異なるLEDデバイスの組合せをLEDランプに用いることが多い。あるいは、実質的に白色に見える光は、青色LEDからの光と、青色LEDの青色光の少なくとも一部を異なる色に変換する蛍光体(たとえば、イットリウムアルミニウムガーネット:セリウム、YAG:Ceと略す)からの光の組合せによって生成することができ、変換された光と青色光の組合せは、白色または実質的に白色に見える光を生成することができる。LEDデバイスは、基部16内のキャリアに実装することができ、LEDデバイスからの可視光抽出効率を高めるために屈折率整合材料を含む保護カバーによってキャリアに封入することができる。
照明装置10が可視光をほぼ全方向に放出する能力を高めるため、図1に示す外囲器12は、実質的に回転楕円形または楕円形であってもよい。ほぼ全方向に向けて照射する能力をさらに高めるため、外囲器12は、外囲器12を光学ディフューザとして機能させる材料を含んでもよい。ディフューザとするために用いられる材料は、ポリアミド(たとえば、ナイロン)、ポリカーボネート(PC)、ポリプロピレン(PP)などを含んでもよい。これらのポリマー材料はまた、光の屈折を強め、それによって反射性の白色外観を得るためにSiOを含むことができる。外囲器12の内側表面に、蛍光体組成物を含む皮膜(図示せず)を設けてもよい。
異なるLEDデバイスおよび/または蛍光体の組合せを使用することにより、白色光効果を発生するLEDランプの能力を高めることができるが、その代替方法として、または追加的方法として、LEDデバイスによって生成される白色光の色特性を向上させる他のアプローチが望ましい。
国際公開第2016/195938号
本発明の一態様によれば、装置は、可視光を生成するように構成された少なくとも1つの発光ダイオード(LED)モジュールと、各々がネオジム(Nd)を含む2つ以上の化合物、およびフッ素(F)をさらに含む前記2つ以上の化合物の少なくとも1つの化合物を含む少なくとも1つの構成要素であって、前記2つ以上の化合物を使用して前記生成した可視光をフィルタリングすることによって所望の光スペクトルを与えるように構成された少なくとも1つの構成要素とを備え、色空間における前記所望の光スペクトルの色は、前記少なくとも1つの構成要素の前記2つ以上の化合物の相対量によって決定される。
さらに本発明の態様によれば、前記2つ以上の化合物の前記少なくとも1つの化合物は、フッ化ネオジム(NdF)であってもよい。さらに、前記2つ以上の化合物の少なくとも1つのさらなる化合物は、酸化ネオジム(Nd)を含んでもよい。さらに、前記2つ以上の化合物は、Nd3+イオンおよびFイオンを含んでもよい。
さらに本発明の態様によれば、前記色空間における前記所望の光スペクトルの前記色は、前記2つ以上の化合物の吸収ベクトルによって少なくとも定義される前記色空間の所定のエリア内で変化させてもよい。さらに、前記色空間の前記所定のエリアは、約12個のMacAdam楕円(または同様のもの)に限定されてもよい。
またさらに本発明の態様によれば、前記少なくとも1つのLEDモジュールは、有機LEDを備えてもよい。さらに、前記装置は、対応する複数の構成要素を有する複数のLEDモジュールを含む集積回路を備えてもよい。
またさらに本発明の態様によれば、前記少なくとも1つの構成要素は、前記少なくとも1つのLEDモジュールの上部に堆積された封止層であってもよい。さらに、前記少なくとも1つの構成要素は、TiO、SiOおよびAlからなる群から選択される添加剤を含み、前記少なくとも1つの構成要素の前記2つ以上の化合物の拡散性を高めてもよい。さらに、前記封止層は、低温ガラス、ポリマー、ポリマー前駆体、ポリカーボネート、熱可塑性もしくは熱硬化性ポリマーもしくは樹脂、シリコーン、またはシリコーンエポキシ樹脂であってもよい。さらにまた、前記少なくとも1つの構成要素は、蛍光体をさらに含んでもよい。
またさらに本発明の態様によれば、前記少なくとも1つの構成要素は、蛍光体を含むさらなる封止層に堆積された封止層であってもよく、前記さらなる封止層は、前記少なくとも1つのLEDモジュールの上部に堆積される。
さらに本発明の態様によれば、前記2つ以上の化合物の前記少なくとも1つの化合物は、Nd-FおよびNd-X-F化合物の1つまたは複数を含んでもよく、Xは、元素O、N、S、Cl、OH、Na、K、Al、Mg、Li、Ca、Sr、BaおよびYの1つまたは複数である。
さらに本発明の態様によれば、前記少なくとも1つの構成要素は、表面に皮膜を有する透明、半透明または反射性基材を備える光学構成要素であってもよく、前記皮膜は、前記2つ以上の化合物を含み、前記生成した可視光をフィルタリングすることによって前記所望の光スペクトルを与える。さらに、前記皮膜の厚さは、約50nm~約1000ミクロンの範囲であってもよい。さらに、前記皮膜は、前記2つ以上の化合物より高い屈折率を有する添加剤をさらに含んでもよく、前記添加剤は、少なくともTiO、SiOおよびAlを含む金属酸化物および非金属酸化物から選択される。さらにまた、前記皮膜は、前記基材の内側表面に配置されてもよい。さらに、前記基材は、電球、レンズ、および前記少なくとも1つのLEDモジュールを囲むドームからなる群から選択されるディフューザであってもよい。
さらに本発明の態様によれば、前記少なくとも1つの構成要素は、射出成形または同様の技術を使用して堆積されてもよい。
本開示のこれらの、ならびに他の特徴および態様は、添付の図面を参照しつつ以下の詳細な説明を読めば、よりよく理解されよう。添付の図面では、図面の全体にわたって、類似する符号は類似する部分を表す。
従来のLED系照明装置の斜視図である。 NdおよびNdFの可視スペクトルにおける透過率のグラフである。 光学構成要素(シリコーンまたはポリカーボネートなど)にブレンドされ、標準的なLEDパッケージ(CCTが3000Kの80CRIなど)に堆積されたNdおよびNdF化合物が、どのようにNdおよびNdF化合物のスペクトル吸収によって定義されるベクトルに沿って光源の色点をシフトさせることができるのかを示す色空間図である。 本発明の一実施形態による、異なる量のNdおよびNdFを含むNd化合物混合物の可視スペクトルにおける透過率のグラフである。 本発明の一実施形態による、図4aに示す様々なNd化合物混合物を有するフィルタを利用する可視スペクトルにおけるランプ(LEDランプなど)の模擬発光のグラフである。 本発明の一実施形態による、図4aおよび図4bにそれぞれ示す様々なNd化合物混合物を有するフィルタを備えるLEDランプの色点を模擬した、標準的な3000KのLEDランプの色点を比較する色空間図である。 本発明の様々な実施形態による、好ましい可視光吸収/生成特性を付与するために蛍光体と共にNd-F化合物(またはより一般的には本明細書に記載のようなNd-X-F化合物)を組み込んだ、LED系照明装置の非限定的な例を示す図である。 本発明の様々な実施形態による、好ましい可視光吸収/生成特性を付与するために蛍光体と共にNd-F化合物(またはより一般的には本明細書に記載のようなNd-X-F化合物)を組み込んだ、LED系照明装置の非限定的な例を示す図である。 本発明の様々な実施形態による、好ましい可視光吸収/生成特性を付与するために蛍光体と共にNd-F化合物(またはより一般的には本明細書に記載のようなNd-X-F化合物)を組み込んだ、LED系照明装置の非限定的な例を示す図である。 本発明の様々な実施形態による、好ましい可視光吸収/生成特性を付与するために蛍光体と共にNd-F化合物(またはより一般的には本明細書に記載のようなNd-X-F化合物)を組み込んだ、LED系照明装置の非限定的な例を示す図である。 本発明の一実施形態による、LED系照明装置の断面図である。 本発明の別の実施形態による、LED系照明装置の断面図である。 本発明のさらなる実施形態による、LED系照明装置の斜視図である。 本発明のさらなる一実施形態による、LED系照明装置の斜視図である。
照明装置などの新規の装置が本明細書において示され、装置は、白色光などの可視光を生成するように構成された少なくとも1つのLED(またはOLED)モジュールと、所望のカラーフィルタリング効果を付与して所望の光スペクトルを与えるために各々がネオジム(Nd)を含む複数の(2つ以上の)化合物、およびフッ素(F)を含む少なくとも1つの化合物を含む光学構成要素などの少なくとも1つの構成要素とを備え、色空間における所望の光スペクトルの色は、少なくとも1つの構成要素の2つ以上の化合物の相対量によって決定される。
たとえば、本発明の一実施形態によれば、少なくとも1つの構成要素(光学構成要素)は、2つの化合物を含むポリマー基材料(たとえば、シリコーン、ポリカーボネートなど)であってもよく、第1の化合物は、酸化ネオジム(Nd)であってもよく、第2の化合物は、フッ化ネオジム(NdF)であってもよく、この場合については、本明細書で詳細に説明するとおりである。ネオジム化合物は、560~600nmの範囲の黄色光を吸収し、LEDシステムの色点を変更する。単一の化合物の添加は、CIE1931色空間(色度座標CCXおよびCCYを有する)の線に沿って色点を移動させることができる。2つ以上の化合物を使用することによって、CIE色空間(以下、「色空間」)のエリア内のどこにでも色点を移動させることができる。これは、本明細書の図3に示すように、特定の用途のためのLEDシステムの色のより大きなカスタマイズを可能にする。
換言すれば、ネオジム化合物(上記の例ではNdおよびNdFなど)を様々な量で添加して、得られる光の色点を制御するための光学構成要素の組成を変えることができる。2つ(またはそれ以上)の構成要素の異なる吸収スペクトルは、各構成要素が添加されるとき、異なる方向(すなわち、CCX方向とCCY方向の両方)におけるLEDシステムの色点の移動をもたらす。次に、本明細書に記載のNdおよびFを含む複数の化合物の色点移動ベクトルは、CIE色空間内のエリアの境界を定めることができ、その内部では、本明細書に記載のように、2つ以上の化合物の相対量を変化させることによって、同じLEDで任意の色点を達成することができる。
別の実施形態によれば、チタニア(TiO)、アルミナ(Al)、シリカ(SiO)などのような散乱元素をポリマー基に添加して、光学構成要素の複数のNdおよびF化合物の拡散性を高めてもよい。3つの変数(たとえば、上記の例ではTiO、NdF、およびNdの重量負荷)の変化は、所望の光スペクトルおよび分布を達成するための多種多様な特殊な光学構成要素の形成を可能にすることができる。
さらに、本発明の一実施形態によれば、少なくとも1つの化合物(または2つ以上)は、ネオジム(Nd)およびフッ素(F)の元素を含み、場合により1つまたは複数の他の元素を含んでもよい。一般に、このような化合物は、Nd3+イオンおよびFイオンを含む。本発明の目的のために、「Nd-F化合物」は、ネオジムおよびフッ化物、ならびに場合により他の元素を含む化合物を含むと広義に解釈されるべきである。
さらなる実施形態によれば、構成要素は、LED(OLED)チップの表面に複合材/封止層を含んでもよく、本明細書に開示されるNdおよびFを含む複数の化合物を、たとえば、蛍光体と共に封止層にブレンド(拡散)することができ、それによって好ましい可視光吸収プロファイルを達成するようにする。複合材/封止層は、低温ガラス、ポリマー(ポリカーボネートなど)、ポリマー前駆体、シリコーン(ポリマー)もしくはシリコーンエポキシ樹脂または前駆体などを使用して形成され得る。
別の実施形態によれば、光学構成要素は、透明、半透明、反射性または半透過性(部分的に反射性かつ透過性)基材であってもよく、LEDモジュールによって生成される可視光がこの光学構成要素を通過する間、本明細書に記載の複数のNdおよびF構成要素を含む基材の表面の皮膜はカラーフィルタリング効果を可視光に適用し、それにより、たとえば、黄色光の波長範囲にある可視光をたとえば約560nm~約600nmの波長に対してフィルタリングして所望の光スペクトルを与えることができる。
さらに、光学構成要素の透明または半透明基材は、電球、レンズおよび少なくとも1つのLEDチップを囲む外囲容器などのディフューザであってもよい。また、基材は、反射性基材であってもよく、LEDチップは、基材の外側に配置することができる。多種化合物皮膜(本明細書に記載のNdおよびFの複数の化合物を含む)は、基材の表面に配置することができ、皮膜の厚さは、カラーフィルタリング効果を達成するのに十分でなければならない。厚さは、一般に、50nm~1000ミクロンの範囲内とすることができ、好ましい厚さは、100nm~500ミクロンである。
得られるデバイスは、NdおよびNd-F化合物/材料によるフィルタリングを使用して光パラメータの改善を示すことができ、化合物/材料は、約530nm~600nmの可視領域に固有吸収を有し、それによって、CSI(彩度指数)、CRI(演色評価数)、R9(演色値)、顕現度(照明選好指数、LPI)などを向上させる。R9は、CRIの計算に使用されない6つの飽和試験色の1つと定義される。「顕現度」は、LPIの一形態に基づく放出光のパラメータであり、これについては、2014年9月9日に出願された、同時係属、共同所有の国際出願第PCT/US2014/054868号明細書(2015年3月12日に国際公開第2015/035425号として公開された)に記載されており、同特許出願は関連部分において本明細書に援用される。
一実施形態では、本明細書に記載の複数の化合物の少なくとも1つは、Nd3+イオンおよびFイオンを含んでもよく、Nd-F化合物またはNd-X-F化合物であってもよい。本明細書で使用する場合、「Nd-F化合物」は、ネオジムおよびフッ化物、ならびに場合により他の元素を含む化合物を含むと広義に解釈されるべきである。ネオジムおよびフッ化物を含むこのような化合物は、フッ化ネオジム、またはオキシフッ化ネオジム(たとえば、NdOy、式中、2x+y=3、Ndなど)もしくは外来的な水および/または酸素を含むフッ化ネオジム、または水酸化フッ化ネオジム(たとえば、Nd(OH)b、式中、a+b=3)、またはネオジムおよびフッ化物を含む多くの他の化合物であって、以下の説明から容易に明らかになるものを含んでもよい。
いくつかの実施形態では、複数の化合物の1つは、NdFまたはNdFOであってもよい。Nd-X-F化合物の場合、Xは、酸素、窒素、硫黄、および塩素などのネオジムと化合物を形成する元素、またはNa、K、Al、Mg、Li、Ca、Sr、Ba、およびYなどのフッ素と化合物を形成する少なくとも1つの金属元素、またはこのような元素の組合せからなる群から選択される少なくとも1つ元素であり、前記金属元素は、ネオジムとは異なる。Nd-X-F化合物の特定の例は、オキシフッ化ネオジム(Nd-O-F)化合物、XがMgおよびCaであってもよく、またはMg、CaおよびOであってもよいNd-X-F化合物、ならびにネオジムでドープされたペロブスカイト構造を含むNd-Fを含む他の化合物を含んでもよい。特定のNd-X-F化合物は、有利には、約580nmの波長でより広い吸収を可能にすることができる。
上記のように、1つの構成要素/光学構成要素は、たとえば、2つの化合物NdおよびNdFを含むポリマー基材料(たとえば、シリコーン、ポリカーボネートなど)であってもよい。図2は、曲線22で表されるNd(1.54の屈折率を有する厚さ1.3mmのシリコーン中の1.0%)と、曲線20によって表されるNdF(1.54の屈折率を有する厚さ1.3mmのシリコーン中の2.9%)の可視スペクトルにおける透過率のグラフである。それぞれの材料は、特に黄色(たとえば、約570nm~約600nm)領域において、多くの同様の吸収特性を共有していることが分かる。図2に示す異なる吸収ピークは、図3にさらに示すように、色空間における各構成要素(NdおよびNdF)の異なる色シフトベクトルを駆動する。2つの化合物を組み合わせることによって、単一のNd化合物またはNd:ガラス(SiO中のNd)で達成することができない色点を達成することができる。
使用に際しては、LEDチップ/ダイを封止材(たとえば、シリコーン、エポキシ、アクリル樹脂など)で封止することができ、封止材は、本明細書に記載のように、NdおよびNdF材料、または一般にNdおよびF系化合物を含んでもよく、これにより、たとえばシリコーン中のNdおよびNdFは、本明細書でさらに記載のように、LEDチップに、またはLEDチップのアレイ(たとえば、チップオンボードアレイ、COBアレイ)に直接堆積させることができる。
図3は、光学構成要素(シリコーンまたはポリカーボネートなど)にブレンドされ、標準的なLEDパッケージ(CCTが3000Kの80CRIなど)に堆積されたNdおよびNdF化合物が、どのようにNdおよびNdF化合物のスペクトル吸収によってそれぞれ定義されるベクトル30および32に沿って光源の色点をシフトさせることができるのかを示す色空間図である。
図3の図から明らかなように、このシステムは、理論的には、NdおよびNdF化合物の相対量を変化させることによって、すなわち、NdおよびNdF化合物のスペクトル吸収によってそれぞれ定義されるベクトル30および32に沿って放出源の色点をシフトさせることによって、三角形ABCの任意の色点を標準的な3000K LEDから形成させることを可能にすることができる。しかし、高フィルタリングによる大きなエネルギ損失は望ましくないので、このシステムは、開始色から非常に遠い色点を達成するために、LPW(ルーメン/ワット)を犠牲にするというエンドユーザの意思および用途に基づいて、より小さいエリア34、たとえば12個のMacAdam楕円、または任意に選択されたいくつかの他のエリアサイズに実際に限定されてもよい。エリア34は、線BD、BEおよび曲線36によって制限される。エリア34の実用的な色点のいずれかは、NdおよびNdF化合物の広範囲の相対量および拡散レベルにわたって達成することができ、光学系の異なるビーム成形特性を必要とする異なるLEDシステムにおいて所与の色点を適用することを可能にする。これと比較して、Ndガラス(従来の方法)の添加は、単一の点38(またはガラスの厚さが変化する場合、ベクトルに沿って)にのみ色点を移動させることができる。図4a、図4bおよび図5は、本明細書に開示される実施形態を実施するためのさらなる例を示す。
図4aは、本発明の一実施形態による、シリコーンテープ中の異なる量のNdおよびNdFを含むNd化合物混合物の可視スペクトルにおける透過率の例示的なグラフである。曲線42aは、4%のNdFおよび1%のNdを含む厚さ1.3mmのシリコーンテープに対応し、曲線44aは、5%のNdFおよび0.5%のNdを含む厚さ1.3mmのシリコーンテープに対応し、曲線46aは、3%のNdFおよび0.5%のNdを含む厚さ1.3mmのシリコーンテープに対応し、曲線48aは、3.5%のNdFおよび1.8%のNdを含む厚さ1.3mmのシリコーンテープに対応する。
図4bは、本発明の一実施形態による、図4aに示す様々なNd化合物混合物を有するフィルタを利用する可視スペクトルにおけるランプ(LEDランプなど)の模擬発光のグラフである。図4bにおいて、曲線42bは、4%のNdFおよび1%のNdを含む厚さ1.3mmのシリコーンテープを有する模擬LEDランプであり、曲線44bは、5%のNdFおよび0.5%のNdを含む厚さ1.3mmのシリコーンテープを有する模擬LEDランプであり、曲線46bは、3%のNdFおよび0.5%のNdを含む厚さ1.3mmのシリコーンテープを有する模擬LEDランプであり、曲線48bは、3.5%のNdFおよび1.8%のNdを含む厚さ1.3mmのシリコーンテープを有する模擬LEDランプである。
図5は、本発明の一実施形態による、図4aおよび図4bにそれぞれ示す様々なNd化合物混合物を有するフィルタを備えるLEDランプの色点を示した、標準的な3000KのLEDランプの色点を比較する色空間図である。図5において、色点52は、4%のNdFおよび1%のNdを含む厚さ1.3mmのシリコーンテープを有する模擬LEDランプであり、色点54は、5%のNdFおよび0.5%のNdを含む厚さ1.3mmのシリコーンテープを有する模擬LEDランプであり、色点56は、3%のNdFおよび0.5%のNdを含む厚さ1.3mmのシリコーンテープを有する模擬LEDランプであり、色点58は、3.5%のNdFおよび1.8%のNdを含む厚さ1.3mmのシリコーンテープを有する模擬LEDランプである。
図4a、図4bおよび図5は、(LED)ランプのフィルタリング構成要素におけるNdFおよびNdの相対量を変化させることが、CSI、CRI、R9などの他の光パラメータおよび顕現度をさらに改善することができるように、所望の色温度、および透過ルーメンパワーの適切なレベルで所望のランプスペクトル(たとえば、光源の「白色化」)を提供するために、どのようにランプの色温度を変更し、その発光スペクトル(たとえば、約570~600nmの波長範囲の吸収ピーク)を変更することができるのかを示す。「顕現度」は、LPIの一形態に基づく放出光のパラメータであり、これについては、2014年9月9日に出願された、同時係属、共同所有の国際出願第PCT/US2014/054868号明細書(2015年3月12日に国際公開第2015/035425号として公開された)に記載されており、同特許出願は関連部分において本明細書に援用される。
さらなる実施形態では、対応する相対量の複数のNdおよびF化合物を、蛍光体などの1つまたは複数の発光材料と共に封止材料にブレンドすることができる。たとえば、対応する相対量のNdおよびFの複数の化合物は、黄緑色蛍光体および/または赤色蛍光体とブレンドされてもよい。たとえば、複数のNdおよびF化合物は、CeドープYAG蛍光体および/またはEu2+ドープCaAlSiN赤色蛍光体などの従来の赤色窒化物蛍光体とブレンドされてもよい。別の例では、NdおよびFの複数の化合物は、青色/紫外発光LEDを封止するシリコーン中のYAG:Ce蛍光体および赤色窒化物蛍光体とブレンドすることができる。
図6a~図6dは、本発明の様々な実施形態による、好ましい可視光吸収/生成特性を達成するために蛍光体と共に、本明細書に記載のようなNdおよびFの複数の化合物を組み込んだ、LED系照明装置60a、60b、60cおよび60dそれぞれの異なる非限定的な例を示す。図6a~図6dにおいて、LED系照明装置60a、60b、60cまたは60dは、プリント回路基板(PCB)66に実装されたLEDチップ65を囲む光学的に透明または半透明の基材とすることができるドーム62を含む。リードは、電流をLEDチップ65に供給し、それにより発光を行わせる。LEDチップは、任意の半導体光源であってもよく、特に、放出された放射線が蛍光体に当たると白色光を発生することができる青色または紫外光源であってもよい。特に、半導体光源は、InGaAlNとして一般化される窒化物化合物半導体に基づく青色/紫外(UV)発光LEDであってもよく、i、jおよびkは、約200nmより大きく約550nm未満の発光波長を有する値1または0(たとえば、InGaN、AlN、AlGaN、AlGaInNデバイス構造を含む)を各々有する整数である。より具体的には、チップは、約400~約500nmのピーク発光波長を有する近UVまたは青色発光LEDであってもよい。さらにより具体的には、チップは、約440~460nmの範囲のピーク発光波長を有する青色発光LEDであってもよい。このようなLED半導体は、当技術分野で公知である。
図6aに示す一実施形態によれば、ポリマー複合材層(封止材化合物)64aは、本明細書に記載の様々な実施形態による、好ましい可視光吸収/生成特性を付与するために蛍光体と共にブレンドされる、本明細書に記載のようなNdおよびFの複数の化合物を含むことができる。この化合物層64aは、LEDチップ65の表面に直接配置し、かつチップに放射的に結合することができる。「放射的に結合する」とは、LEDチップからの放射が蛍光体まで透過し、かつ蛍光体が異なる波長の放射を放出することを意味する。特定の実施形態では、LEDチップ65は、青色LEDであってもよく、ポリマー複合材層は、対応する相対量の複数のNdおよびF化合物とセリウムドープイットリウムアルミニウムガーネット、Ce:YAGなどの黄緑色蛍光体のブレンドを含むことができる。LEDチップによって放出された青色光は、ポリマー複合材層の蛍光体によって放出された黄緑色光と混合し、さらにNdおよびFの複数の化合物によってフィルタリングされ、正味の発光は白色光に見える。したがって、LEDチップ65は、封止材材料層64aによって囲まれてもよい。封止材材料は、低温ガラス、熱可塑性もしくは熱硬化性ポリマーもしくは樹脂、またはシリコーンもしくはエポキシ樹脂であってもよい。LEDチップ65および封止材材料層64aは、シェル(ドーム62によって限定される)内に封止され得る。あるいは、LED装置60aは、封止材層64aのみを含み、外側シェル/ドーム62を含まなくてもよい。さらに、本明細書に記載のように、NdおよびFの複数の化合物の拡散性を高めるために、散乱粒子を封止材材料に埋め込むことができる。散乱粒子は、たとえば、アルミナ(Al)、シリカ(SiO)またはチタニア(TiO)であってもよい。また、散乱粒子は、LEDチップから放出された指向性の光を、好ましくは無視できる吸収量で効果的に散乱させることができる。
本明細書に記載の対応する相対量の複数のNdおよびF化合物を含むポリマー複合材層をLEDチップの表面に形成するために、粒子をポリマーまたはポリマー前駆体、特にシリコーン、ポリカーボネート、シリコーンエポキシ樹脂、またはそれらの前駆体に分散させることができる。このような材料は、LEDパッケージングの分野で周知である。分散混合物は、任意の適切なプロセス、たとえば射出成形(または光学構成要素の鋳造および押出、もしくは同様の技術)を使用することによってチップに被覆することができ、密度または粒径が大きい、または密度および粒径が共に大きい粒子ほどLEDチップに近い領域に優先的に定着し、組成が段階的に変化する層が形成される。定着は、ポリマーまたは前駆体の被覆中または硬化中に起こり得、また当技術分野で知られるように、遠心プロセスによって促進され得る。蛍光体構成要素によって生成される光がNdおよびFの複数の化合物によって適切にフィルタリングされるように、たとえば、粒子の密度や粒径およびプロセスパラメータを含む蛍光体ならびにNdおよびFの複数の化合物の分散のパラメータは、NdおよびFの複数の化合物より蛍光体材料がLEDチップ65に近い位置に来るように選択すればよいことにさらに留意されたい。
図6bに示す代替の例示的実施形態では、蛍光体層64bは、従来のやり方で製造される封止材層であってもよく、NdおよびFの複数の化合物を有する別個の封止材層68bが、たとえば、適切な従来の堆積/粒子分散技術を使用してポリマーまたはポリマー前駆体で、蛍光体層64bの上部に堆積され得る。
図6cに示すさらなる例示的な実施形態では、NdおよびFの複数の化合物を含む複合材層68cを、ドーム(シェル)62の外側表面に被覆することができる。被覆した層68bの性能は、図6bにおけるNdおよびFの複数の化合物を有する封止材層68bの性能と同様である。あるいは、図6cにおける皮膜68cは、ドーム62の内側表面に堆積させることができる。ドーム/基材の皮膜に関する実装のさらなる詳細については、図7~図10を参照して説明する。ドーム62自体は、透明または半透明にできることに留意されたい。
さらに別の例示的な実施形態では、図6dに示すように、ドーム(シェル)62を使用して、複数のNdおよびF化合物複合材層/皮膜68dをドーム62の外側表面に、蛍光体皮膜層64dをドーム62の内側表面に堆積させることができる。このアプローチには異なる変形があり得ることにさらに留意されたい。たとえば、皮膜64dと68dの両方は、蛍光体皮膜64dが皮膜68dよりLEDチップ65に近くなるようにしてドーム62の一方の表面(外側または内側表面)に堆積させてもよい。また、皮膜64dおよび68dは(ドーム62の一方の表面に堆積させる場合)、図6aの封止材化合物層64aと同様のある層と組み合わせることもできる。図6dに示す例に対して様々な変形を実現するため、ドーム62自体は透明、半透明、または半透過性にすることができることに留意されたい。
本明細書に記載のNdおよびFの複数の化合物を含む皮膜を使用して所望のカラーフィルタリング効果を生み出すLED系照明装置のいくつかの非限定的な例を、以下に提示する。
図7は、本発明の一実施形態による、エリア照明用途に適切なLED系照明装置である。LED系照明装置(「照明ユニット」または「ランプ」とも呼ばれ得る)は、ほぼ全方向性の照明能力を与えるように構成されたLEDランプ70である。図7に示すように、LEDランプ70は、電球72と、コネクタ74と、電球72とコネクタ74との間の基部76と、電球72の外側表面の皮膜78とを含む。皮膜78は、本明細書に記載のNdおよびFの複数の化合物を含む。他の実施形態では、電球72は、他の透明または半透明基材と置き換えることができる。あるいは、皮膜78は、透明または半透明とすることができる電球72の内側表面に被覆されてもよい。
図8は、本発明のさらなる実施形態による、LED系照明装置80である。図8に示すように、LED系照明装置は、天井ランプ80である(LEDチップは図示せず)。天井ランプ80は、半球型の基材82と、本明細書に記載のNdおよびFの複数の化合物を含む皮膜88とを含み、皮膜88は、半球型の基材82の内側表面にある。あるいは、皮膜88は、透明または半透明とすることができる半球型の基材82の外側表面に被覆されてもよい。
図9は、本発明のさらなる実施形態による、LED系照明装置である。図9に示すように、LED系照明装置は、レンズ90であり、レンズ90は、平らな基材92を含む。この実施形態では、平らな基材92は、その外側表面にNdおよびFの複数の化合物皮膜(図示せず)を含む。
図10は、本発明のさらなる一実施形態による、LED系照明装置100である。LED系照明装置100は、電球102と、少なくとも1つのLEDチップ105と、反射性基材106とを含む。反射性基材106は、LEDチップ105によって生成された可視光を反射するように構成される。ある特定の実施形態では、反射性基材106は、所望のフィルタリングを行うためにその外側表面にNdおよびFの複数の化合物皮膜(図示せず)を含む。図10において、ドーム(102)は、拡散材料で構成することができ、その場合、LEDからある特定の量の光が透過し、ある特定の量が反射して空洞に戻される(これらの量は、ドーム材料の拡散性に依存する)。反射光は、ドーム102の拡散性に応じて、鏡面反射または拡散反射される。ドーム102からのこれらの拡散および/または鏡面反射は、本明細書に記載の実施形態の1つに従って被覆した反射性基材106に入射する。あるいは、ドーム102は、同じ機能を提供するために広帯域の半反射性材料から構成することができる。
Nd3+イオンおよびFイオンを含む化合物を含む、本明細書に記載の皮膜材料は、光学的散乱(拡散)効果をほとんど有さなくてもいいし、あるいは皮膜材料を通過する光に大きな光学的散乱をもたらしてもよい。散乱角を増やすために、皮膜は、有機または無機材料の離散粒子を含んでもよい。あるいは、有機または無機材料は、本明細書に記載のNdおよびFの複数の化合物の離散粒子でのみ構成することができ、および/またはNdおよびFの複数の化合物の離散粒子と少なくとも1つの他の異なる材料で形成される粒子の混合物で構成することができる。
一実施形態では、有機または無機材料の適切な粒径は、約1nm~約10ミクロンとすることができる。図7に示すLEDランプ70の場合、LEDランプ70が全方向照明を行えるように散乱角を最大化するために、粒径が300nmよりかなり小さくなるように選択し、レイリー散乱の効率を最大化してもよい。
限定の意図はないが、NdおよびFの複数の化合物皮膜は、たとえば、スプレー塗装、ローラ塗装、メニスカスもしくは浸漬塗装、スタンピング、スクリーン印刷、ディスペンシング、ローリング、はけ塗り、接着、静電塗装、または均一な厚さの皮膜を実現できる任意の他の方法によって施工され得る。以下に、NdおよびFの複数の化合物皮膜を基材に形成する方法について3つの非限定的な例を説明する。
一実施形態では、図7に示すように、皮膜78は、接着法によって電球72に被覆され得る。LEDランプ70は、電球72と皮膜78との間に接着層(図示せず)を含むことができ、接着層は、有機接着剤または無機接着剤を含んでもよい。有機接着剤は、エポキシ樹脂、有機シリコーン接着剤、アクリル樹脂などを含むことができる。無機接着剤は、ケイ酸塩無機接着剤、硫酸塩接着剤、リン酸塩接着剤、酸化物接着剤、ホウ酸塩接着剤などを含むことができる。
別の実施形態では、図7に示すように、皮膜78は、スプレー塗装法によって電球72の外側表面に被覆され得る。まず、たとえば、対応する相対量のNdおよびNdF化合物、二酸化ケイ素、DISPEX A40などの分散剤、水および場合によりTiOまたはAlを含む液体混合物を形成する。続いて、形成した液体混合物を電球72に噴霧する。最後に、電球72を硬化させて被覆されたLEDランプ70を得る。
一実施形態では、図7に示すように、皮膜78は、静電塗装法によって電球72の外側表面に被覆され得る。まず、たとえば、対応する相対量のNdおよびNdF化合物、SiOおよびAlで構成される帯電粉末を製造する。続いて、粉末を逆電荷に帯電させた電球72に被覆させる。
本発明の別の実施形態では、スプレー塗装法と静電塗装法の両方は、有機溶媒または有機化合物を含まない材料を使用し得、それにより、LED光装置の耐用年数を延ばし、スルホン化によって一般に生じる変退色を回避することができる。
さらなる実施形態では、光の屈折を促進して反射性の白色外観を得るために、皮膜は、複数のNdおよびF化合物より屈折率の大きい添加剤をさらに含んでもよい。添加剤は、TiO、SiOおよびAlなどの金属酸化物または非金属酸化物の少なくとも1つから選択することができる。
特に明記しない限り、本明細書で使用される技術用語および科学用語は、本開示が属する当業者により一般的に理解されるものと同じ意味を有する。本明細書で使用される「第1の」、「第2の」等の用語は、いかなる順序、量、または重要性も意味するものではなく、むしろ1つの要素と別の要素とを区別するために使用される。また、単数形での記述(「1つの(a、an)」)は、量の限定を意味するものではなく、むしろ参照される項目が少なくとも1つ存在することを意味する。本明細書における「含む(including)」、「備える(comprising)」または「有する(having)」ならびにこれらの変形の使用は、その後に列挙される項目およびその均等物ならびに追加の項目を包含することを意味する。「接続される」および「結合される」という用語は、物理的もしくは機械的な接続または結合に限定されず、直接的であるか間接的であるかを問わず、電気的および光学的な接続または結合を含むことができる。
さらに、当業者には、異なる実施形態の様々な特徴を相互に交換できることは明らかであろう。記載した様々な特徴、ならびに各特徴に対応する他の公知の均等物は、当業者によって混合および整合されて、本開示の原理に従う追加的なシステムおよび技術を構築することが可能である。
特許請求される装置の代替の実施形態を記載するにあたっては、明確化のために具体的な文言を用いている。しかし、本発明は、そのように選択された具体的な文言に限定されない。したがって、各具体的な要素は、同様に動作することによって同様の機能を実現する、すべての技術的等価物を含むことが理解されるべきである。
前述の説明は、添付の特許請求の範囲によって定義される本発明の範囲を例示するものであり、本発明の範囲を限定するものではないことを理解されたい。他の実施形態は、以下の特許請求の範囲内にある。
本明細書に記載され特許請求される様々な非限定的な実施形態は、具体的な用途のために別個に、組み合わせて、または選択的に組み合わせて使用され得ることに留意されたい。
さらに、上記の非限定的な実施形態の様々な特徴のいくつかを使用すれば、他の記載される特徴を対応して使用しなくても、本発明の利点を得ることができる。したがって、前述の説明は、本発明の原理、教示および例示的な実施形態を単に例示するものであり、本発明を限定するものではないと考えられるべきである。
10 従来のLED系照明装置
12 外囲器
14 ねじ込み式コネクタ
16 基部
20 曲線
22 曲線
30 ベクトル
32 ベクトル
34 エリア
36 曲線
38 点
42a 曲線
42b 曲線
44a 曲線
44b 曲線
46a 曲線
46b 曲線
48a 曲線
48b 曲線
52 色点
54 色点
56 色点
58 色点
60a LED系照明装置
60b LED系照明装置
60c LED系照明装置
60d LED系照明装置
62 ドーム(シェル)
64a 封止材材料層、封止材化合物層
64b 蛍光体層
64d 蛍光体皮膜層
65 LEDチップ
66 プリント回路基板
68b 封止材層
68c 皮膜
68d 皮膜
70 LEDランプ
72 電球
74 コネクタ
76 基部
78 皮膜
80 天井ランプ、LED系照明装置
82 半球型の基材
88 皮膜
90 レンズ
92 平らな基材
100 LED系照明装置
102 ドーム、電球
105 LEDチップ
106 反射性基材

Claims (13)

  1. 可視光を生成するように構成された少なくとも1つの発光ダイオード(LED)モジュールと、
    蛍光体と、
    2つ以上の化合物を含む少なくとも1つの構成要素であって、前記2つ以上の化合物の少なくとも1つがNdであり、前記2つ以上の化合物の少なくとも他の1つが、NdO(式中、2x+y=3)で表されるオキシフッ化ネオジムまたはNd(OH)、(式中、a+b=3)で表される水酸化フッ化ネオジムである、構成要素とを備え、
    前記少なくとも1つの構成要素が前記2つ以上の化合物を用いて可視光をフィルタリングし、
    前記少なくとも1つの構成要素におけるNdO(式中、2x+y=3)で表されるオキシフッ化ネオジムまたはNd(OH)、(式中、a+b=3)で表される水酸化フッ化ネオジムの量が、Ndよりも多い、
    装置(100)。
  2. 前記2つ以上の化合物の前記少なくとも1つの化合物が、フッ化ネオジム(NdF)である、請求項1に記載の装置(100)。
  3. 前記少なくとも1つの構成要素が、前記少なくとも1つのLEDモジュールの上部に堆積された封止層である、請求項1に記載の装置(100)。
  4. 前記封止層が、低温ガラス、ポリマー、ポリマー前駆体、ポリカーボネート、熱可塑性もしくは熱硬化性ポリマーもしくは樹脂、シリコーン、またはシリコーンエポキシ樹脂である、請求項3に記載の装置(100)。
  5. 前記少なくとも1つの構成要素が、蛍光体を含むさらなる封止層に堆積された封止層であってもよく、前記さらなる封止層が、前記少なくとも1つのLEDモジュールの上部に堆積される、請求項1に記載の装置(100)。
  6. 前記少なくとも1つの構成要素が、表面に皮膜を有する透明、半透明または反射性基材(106)を備える光学構成要素であり、前記皮膜が、前記2つ以上の化合物を含み、可視光をフィルタリングする、請求項1に記載の装置(100)。
  7. 前記皮膜の厚さが、約50nm~約1000ミクロンの範囲である、請求項6に記載の装置(100)。
  8. 前記皮膜が、前記2つ以上の化合物より高い屈折率を有する添加剤をさらに含み、前記添加剤が、少なくともTiO、SiOおよびAlを含む金属酸化物および非金属酸化物から選択される、請求項7に記載の装置(100)。
  9. 前記皮膜が、前記基材(106)の内側表面に配置される、請求項7に記載の装置(100)。
  10. 前記基材(106)が、電球、レンズ、および前記少なくとも1つのLEDモジュールを囲むドーム(102)からなる群から選択されるディフューザである、請求項7に記載の装置(100)。
  11. 前記装置(100)が、対応する複数の構成要素を有する複数のLEDモジュールを含む集積回路を備える、請求項1に記載の装置(100)。
  12. 前記少なくとも1つの構成要素が、TiO、SiOおよびAlからなる群から選択される添加剤を含み、前記少なくとも1つの構成要素の前記2つ以上の化合物の拡散性を高める、請求項1に記載の装置(100)。
  13. 前記少なくとも1つの構成要素が、射出成形を使用して堆積される、請求項1に記載の装置(100)。

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7260793B2 (ja) * 2020-03-27 2023-04-19 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN113281012A (zh) * 2021-02-08 2021-08-20 赣州艾科锐检测技术有限公司 一种人工光源的鉴别方法
CN113394328B (zh) * 2021-06-08 2023-02-10 厦门通士达照明有限公司 一种非标广色域led照明装置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040196538A1 (en) 2003-02-21 2004-10-07 Burgener Robert H Rare earth compounds having photo-luminescent properties and applications thereof
JP2008083597A (ja) 2006-09-28 2008-04-10 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置
US20080203900A1 (en) 2007-02-27 2008-08-28 Farn Hin Chen LED White Source with Improved Color Rendering
JP2009130304A (ja) 2007-11-27 2009-06-11 Tsuru Gakuen 照明装置及び照明装置用駆動回路
WO2011142127A1 (ja) 2010-05-14 2011-11-17 パナソニック株式会社 Ledモジュール、ledランプおよび照明装置
US20110279998A1 (en) 2010-05-12 2011-11-17 National Taiwan University Of Science And Technology White-light emitting devices with stabilized dominant wavelength
US20140191653A1 (en) 2013-01-10 2014-07-10 Cree, Inc. Protective diffusive coating for led lamp
US20140257439A1 (en) 2013-03-06 2014-09-11 Verilux, Inc. Adjustable therapeutic lights
US20140268794A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Cree, Inc. Rare earth optical elements for led lamp
CN104650568A (zh) 2015-02-12 2015-05-27 广东银禧科技股份有限公司 一种过滤黄光的led材料及其制备方法
US20150252953A1 (en) 2014-03-04 2015-09-10 Cree, Inc. Dual optical interface led lamp

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080081616A (ko) * 2007-03-06 2008-09-10 엘지전자 주식회사 코팅 유리 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의상부 기판과 플라즈마 디스플레이 패널
CN102810533A (zh) * 2011-05-31 2012-12-05 亿广科技(上海)有限公司 白光发光装置
CA2923187C (en) 2013-09-09 2022-04-12 GE Lighting Solutions, LLC Enhanced color-preference light sources
CN105720163A (zh) * 2014-12-04 2016-06-29 通用电气照明解决方案有限公司 一种照明装置
US20160356435A1 (en) * 2015-06-04 2016-12-08 GE Lighting Solutions, LLC Led lighting units, materials, and optical components for white light illumination

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040196538A1 (en) 2003-02-21 2004-10-07 Burgener Robert H Rare earth compounds having photo-luminescent properties and applications thereof
JP2008083597A (ja) 2006-09-28 2008-04-10 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置
US20080203900A1 (en) 2007-02-27 2008-08-28 Farn Hin Chen LED White Source with Improved Color Rendering
JP2009130304A (ja) 2007-11-27 2009-06-11 Tsuru Gakuen 照明装置及び照明装置用駆動回路
US20110279998A1 (en) 2010-05-12 2011-11-17 National Taiwan University Of Science And Technology White-light emitting devices with stabilized dominant wavelength
WO2011142127A1 (ja) 2010-05-14 2011-11-17 パナソニック株式会社 Ledモジュール、ledランプおよび照明装置
US20140191653A1 (en) 2013-01-10 2014-07-10 Cree, Inc. Protective diffusive coating for led lamp
US20140257439A1 (en) 2013-03-06 2014-09-11 Verilux, Inc. Adjustable therapeutic lights
US20140268794A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Cree, Inc. Rare earth optical elements for led lamp
US20150252953A1 (en) 2014-03-04 2015-09-10 Cree, Inc. Dual optical interface led lamp
CN104650568A (zh) 2015-02-12 2015-05-27 广东银禧科技股份有限公司 一种过滤黄光的led材料及其制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
M. Abril et al.,"Optical properties of Nd3+ ions in oxyfluoride glasses and glass ceramics comparing different preparation methods",Journal of Applied Physics,米国,2004年05月15日,Vol. 95 No. 10,pp. 5271-5279
SHORTT D W et al.,"Detection of sharp absorption lines in thin NdF3 films",Journal of the Optical Society of America B,1991年,Vol.8, No.5,Pages 923-929,https://doi:10.1364/JOSAB.8.000923

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