JP7002620B1 - 電力変換装置および電力変換システム - Google Patents

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Abstract

【課題】装置の小型化のために、インバータおよびコンバータ等の電力変換装置における、高応答と高い絶縁を両立した電圧検出が必要であった。【解決手段】スイッチング素子を備えた電圧変換回路およびコンデンサを有する主回路部、前記主回路部の前記コンデンサの電圧を検出する電圧センサ、および前記電圧センサによって検出された電圧値に基づいて前記スイッチング素子の動作を制御する制御手段を備えた電力変換装置において、前記電圧センサは、高電位を低電位に変換する分圧回路と、前記分圧回路に接続され前記分圧回路の出力に応じたデジタル信号を絶縁して出力する絶縁回路と、前記絶縁回路から出力されたデジタル値をアナログ値に変換するフィルタ回路とを備え、前記制御手段は、前記フィルタ回路から出力されたアナログ値を取得してデジタル値に変換する変換器を備えていることを特徴とする。【選択図】図4

Description

本願は、電力変換装置および電力変換システムに関するものである。
電力変換装置は、バッテリなどの直流電源の直流電力を交流電力に変換してモータの駆動に使われる一方、モータによって発電された交流電力を直流電力に変換してバッテリなどの直流電源に供給することに使われる。
電力変換装置において、昇圧電圧制御を高速化することによって、電力変換装置に組み込まれているコンデンサの小型化が見込まれることから、高応答制御(応答性の高い制御)を実現するために、高精度で高応答な電圧センサが必要とされている。一方で、バッテリの高電圧化に伴い電力変換を行う主回路部(高圧側)と制御部(低圧側)との間に高い絶縁性を確保する必要がある。また、電圧センサも高い絶縁性を備える必要がある。
このため、電力変換装置の電圧センサとして、絶縁を確保しながら、電圧検出精度を向上させることが行われている。例えば、特許文献1に示されている電圧検出装置(電圧センサ)では、主回路部(高圧側)において検出した電圧に関する情報を制御部側(低圧側)に伝える構成として、検出した電圧値を分圧する分圧回路と、分圧回路によって分圧された電圧値を処理する処理回路とを備え、処理回路において、分圧回路からの電圧値に応じたデジタル値に変換し、変換されたデジタル値を、絶縁回路を通して絶縁して出力するようにしている。
特許第6448077号公報
しかしながら、上記特許文献1に示された電力変換装置では、制御部(例えばマイコン)に入力される信号がデジタル信号であることから、デジタル信号を高周波化していくと、高応答が実現しても、制御部のデジタル信号の取得分解能の限界によって取得する電圧情報の精度が低下するという問題が発生する。
本願は、上記の問題を解決するためになされたものであり、コンデンサの小型化を可能とする高応答性と、高絶縁性とを実現する電圧センサを備えた電力変換装置を提供することを目的とするものである。
本願に開示される電力変換装置は、スイッチング素子を備えた電圧変換回路およびコンデンサを有する主回路部、前記主回路部の前記コンデンサの電圧を検出する電圧センサ、および前記電圧センサによって検出された電圧値に基づいて前記スイッチング素子の動作を制御する制御手段を備えた電力変換装置において、前記電圧センサは、高電位を低電位に変換する分圧回路と、前記分圧回路に接続され前記分圧回路の出力に応じたデジタル信号を絶縁して出力する絶縁回路と、前記絶縁回路から出力されたデジタル値をアナログ値に変換するフィルタ回路とを備え、前記制御手段は、前記フィルタ回路から出力されたアナログ値を取得してデジタル値に変換する変換器を備え、前記制御手段の前記変換器がアナログ値を取得するタイミングは、前記スイッチング素子の駆動周期に同期し、前記絶縁回路が出力するデジタル信号の周波数は前記スイッチング素子の駆動周波数よりも高いことを特徴とするものである。
本願に開示される電力変換装置によれば、デジタル出力をアナログ化された電圧情報を取得してデジタル変換することによって、高応答性と高絶縁性とを実現できる。
実施の形態1による電力変換装置の回路図である。 実施の形態1による制御回路のハードウエアの一例を示す構成図である。 実施の形態1による電力変換装置の動作を示す波形図である。 実施の形態1による電力変換装置の動作を示す波形図である。 実施の形態1による電圧センサのブロック図である。 実施の形態1による絶縁回路の信号の変換を示す説明図である。 実施の形態1によるフィルタ回路の構成図である。 実施の形態2による電力変換装置の回路図である。 実施の形態2による電力変換装置の動作モードの説明図である。 実施の形態2による電力変換装置の動作を示す波形図である。 実施の形態2による電力変換装置の動作を示す波形図である。 実施の形態2による電圧センサのブロック図である。
実施の形態1.
実施の形態1に係る電力変換装置について図面を参照して説明する。図1は、バッテリ1と負荷2との間に電力変換装置3が接続された電源システムの構成を示している。すなわち、電力変換装置3は、入力側の端子にバッテリ1が接続され、出力側の端子に負荷2が接続されたDC/DCコンバータ であって、バッテリ1の電圧を負荷2の電圧に昇圧して電力を供給するように構成されている。
電力変換装置3は、電力変換を行う主回路部30と、主回路部30を制御する制御手段35に分かれている。主回路部30には、リアクトル31、第1の電圧変換回路32、電流センサ34、制御手段35、第1の平滑コンデンサ36(C2)、第2の平滑コンデンサ37(C1)、第1の電圧センサ39、および第2の電圧センサ38を備えている。
リアクトル31は、第1の端子と第2の端子を備え、第1の端子がバッテリ1の高電位側の端子に接続されている。制御手段35は、第1の電圧変換回路32を制御し、第1の電圧センサ39は、第1の平滑コンデンサ36(C2)に印加される電圧V2を検出し、第2の電圧センサ38は、第2の平滑コンデンサ37(C1)に印加される電圧V1を検出する。
第1の電圧変換回路32は、第1のスイッチング素子32aと第2のスイッチング素子32bとが第1の接続部32cにおいて直列に接続された構成となっており、負荷2に並列に接続されている。すなわち、第1のスイッチング素子32aは、一方の端子がバッテリ1の低電位側の端子に接続され、第2のスイッチング素子32bは、負荷2の高電位側の端子に接続され、第1の接続部32cは、リアクトル31の第2の端子に接続されている。第1のスイッチング素子32aおよび第2のスイッチング素子32bにはそれぞれ並列にダイオードが設けられている。
第1の平滑コンデンサ36(C2)は負荷2に対して並列に接続され、第2の平滑コンデンサ37(C1)はバッテリ1に対して並列に接続されている。
電流センサ34はリアクトル31と第1の接続部32cの間に配置し、リアクトル31に流れる電流値ILを検出する。
第1の電圧センサ39で検出された電圧情報V2_analog、第2の電圧センサ38で検出された電圧情報V1_PWM、電流センサ34で検出された電流値IL_senはそれぞれ制御手段35に入力される。
図1に示した電源システムは、例えば電動化車両に実装され、バッテリ1はリチウムイオンバッテリなどの高電圧(100V以上)が使用される。一方で、制御手段35は補機用電源である鉛バッテリ(100V未満)で駆動され、車両ユーザが接触可能な場所に搭載される。バッテリ1と電力変換装置3と負荷2を含む高圧側(第1の基準電位3a)と鉛バッテリおよび制御手段35を含む低圧側(第2の基準電位3b)は車両ユーザの感電防止の観点で絶縁される。したがって、高圧側と低圧側を繋ぐ第1の電圧センサ39、第2の電圧センサ38、電流センサ34、第1のスイッチング素子32a、第2のスイッチング素子32bを駆動するゲート駆動信号は全て高圧側(第1の基準電位3a)と低圧側(第2の基準電位3b)を絶縁するように構成される。例えば電流センサ34の場合、ホール効果を利用した電流検出を行うように構成されている。
なお、制御手段35は、ハードウエアの一例を図2に示すように、プロセッサ100と記憶装置101から構成される。記憶装置は図示していないが、ランダムアクセスメモリ等の揮発性記憶装置と、フラッシュメモリ等の不揮発性の補助記憶装置とを備えている。また、フラッシュメモリの代わりにハードディスクの補助記憶装置を備えてもよい。プロセッサ100は、記憶装置101から入力されたプログラムを実行する。この場合、補助記憶装置から揮発性記憶装置を介してプロセッサ100にプログラムが入力される。また、プロセッサ100は、演算結果等のデータを記憶装置101の揮発性記憶装置に出力してもよいし、揮発性記憶装置を介して補助記憶装置にデータを保存してもよい。
次に、電力変換装置3の動作波形を図3Aおよび図3Bに示す。図3Aは、デューティ比が0.5以下、つまり昇圧比が2倍以下における波形を示し、図3Bはデューティ比が0.5以上、つまり昇圧比が2倍以上における波形を示している。一番上は、第1のスイッチング素子32aおよび第2のスイッチング素子32bの駆動周波数を制御するために制御手段35で設定されている駆動キャリア(搬送波)を示し、2番目が第1のスイッチング素子32aのゲート駆動信号Gate_SL、3番目が第2のスイッチング素子32bのゲート駆動信号Gate_SH、4番目がリアクトル31に流れる電流値IL、5番目が第1の平滑コンデンサ36(C2)に流れる電流値Ic2、6番目が第1の平滑コンデンサ36(C2)に印加される電圧V2を示している。
この図に示すように、電力変換装置3の第1のスイッチング素子32aおよび第2のスイッチング素子32bは制御手段35で生成されたゲート駆動信号で制御され、PWM(Pulse Width Modulation)制御により、第1のスイッチング素子32aおよび第2のスイッチング素子32bを、それぞれON/OFF制御(開閉動作)するゲート駆動信号(Gate_SL、Gate_SH)を生成し、負荷に印加される電圧V2を制御している。
ここで、駆動キャリアは三角波であり、三角波の山から次の山までの間、または谷から次の谷までの1周期はスイッチング素子の駆動周波数分の1(Tsw=1/fsw、fsw:駆動周波数)となる。直列接続された第1のスイッチング素子32aと第2のスイッチング素子32bが同時にオンしないようなスイッチングパターンとしている。電力変換装置3のDC/DCコンバータにおけるデューティ比は、1周期におけるGate_SLのON時間比率(Duty=Ton_L/Tsw)で定義され、一般的に昇圧電圧は次に示す式(1)によって求められる。
V2=1/(1-Duty)×V1 (1)
図3Aおよび図3Bに示すように、いずれも第1のスイッチング素子32aのゲート駆動信号Gate_SLがONの際にリアクトル電流が増加し、第1のスイッチング素子32aのゲート駆動信号Gate_SLがOFFの際にリアクトル電流が第1の平滑コンデンサ36(C2)に充電され、駆動キャリア1周期毎に繰り返されるリプル電圧V2ripを含んだ電圧波形となる。第1の平滑コンデンサ36(C2)に印加される電圧V2は、第1のスイッチング素子32aのゲート駆動信号Gate_SLがONしている間の中間地点と第1のスイッチング素子32aのゲート駆動信号Gate_SLがOFFしている間の中間地点でV2電圧の平均値V2ave付近を通過する。第1のスイッチング素子32aのゲート駆動信号Gate_SLのONおよびOFFの中間地点は駆動キャリアの山と谷のタイミングと等価である。
ここで、制御手段35にAD変換器を有する場合、AD変換器の取得周波数をfadとし、スイッチング周波数をfswとすると、取得周波数とスイッチング周波数の関係を次の式(2)のように設定する。
fad≧fsw (2)
このように設定することによって、AD変換器によってアナログの電圧情報をデジタル信号に変換することによって生じる遅れ要素をスイッチング周期以下に抑えることができる。
次に、第1の電圧センサ39および第2の電圧センサ38の構成について図4に基づいて説明する。
まず第1の電圧センサ39は、分圧回路391、絶縁回路392及びフィルタ回路393を備え、分圧回路391は、第1の平滑コンデンサ36(C2)に印加された電圧V2を分圧して低い電圧V2_Lowを出力するように構成され、絶縁回路392は、高圧側(第1の基準電位3a)と低圧側(第2の基準電位3b)を絶縁し、入力値であるV2_Lowに応じたデューティ比でPWM波形V2_PWMを出力するように構成され、フィルタ回路393は、デジタル信号であるPWM波形V2_PWMが入力され、アナログ信号であるV2_analogに変換するように構成されている。
フィルタ回路393から出力されたアナログ信号V2_analogは制御手段35に入力され、制御手段35が有するAD変換器394で駆動キャリアの山または谷またはその両方のタイミングで値を取得し、制御手段35内のV2電圧検出信号としてDC/DCコンバータの出力電圧制御に使用される。ここで絶縁回路392のPWM波形の周波数fpwm(V2)と駆動キャリアの周波数fswの関係は次に示す式(3)とする。
fpwm(V2)>fsw (3)
このように第1の電圧センサ39の絶縁回路392のPMW波形の周波数を駆動周波数よりも高く(例えば10倍以上に)設定することで、図3Aまたは図3Bにおける電圧V2の情報を制御手段35まで伝搬する過程で絶縁回路392においてデジタル信号に変換する(離散化する)際に、V2ripの情報およびV2aveと駆動キャリアの関係を維持したまま伝搬することが可能である。したがって、AD変換器394で取得したV2電圧情報は高い精度で図2におけるV2aveに相当する値となり、このV2電圧情報を用いてフィードバック制御を行うことで、高応答制御を実現することができる。
次に第2の電圧センサ38は、分圧回路381と絶縁回路382とを備え、分圧回路381は第2の平滑コンデンサ37(C1)に印加された電圧V1を分圧して低い電圧V1_Lowを出力し、絶縁回路382は高圧側(第1の基準電位3a)と低圧側(第2の基準電位3b)を絶縁し、入力値であるV1_Lowに応じたデューティ比でPWM波形V1_PWMを出力するように構成されている。
第2の電圧センサ38の絶縁回路382から出力されたデジタル信号V1_PWMは、制御手段35に入力され、制御手段35が有するエッジ検出器384で立ち上がりと立ち下がりエッジを検出して、V1_PWMのデューティ比を演算し、マイコン内のV1電圧検出信号としてDC/DCコンバータの制御に使用される。制御手段35(マイコン)のエッジ検出器384はエッジ検出の分解能(Tedg)があり、V1電圧検出精度を確保するために絶縁回路382のPWM波形の周波数は次に示す式(4)とする。
fpwm(V1)<<1/Tedg (4)
次に、第1の電圧センサ39の絶縁回路392の入出力信号の変換図の一例を図5に示す。この考え方の前提となる回路条件は、以下のとおりである。
絶縁回路392の高圧側入力電圧範囲 :0~5V
V2電圧検出範囲 :0~1000V
絶縁回路392の通常時のデューティ比の出力範囲 :10~90%
分圧回路391で入力値V2(0~1000V)を出力値V2_Low(1~4V)に変換する。
第1の電圧センサ39の絶縁回路392ではV2_Lowに応じたデューティ比のV2_PWMを出力する。
この時、第1の電圧センサ39の分圧回路391で天絡または地絡等の異常が発生した場合は、V2_Lowに0Vまたは5Vが入力されるため、V2_PWMのデューティ比は0%または100%となり、V2_analogをAD変換器394で取得した値が上限または下限の値に張り付きとなるため、AD変換器394でV2電圧情報を取得後に高圧側の回路の異常を検出することが可能になる。そして、分圧回路391において天絡または地絡の電圧値が検出できない故障が発生した場合には、予め定めたデューティ比の値を出力する。
第2の電圧センサ38の絶縁回路382も同様の変換を行い、高圧側の異常が発生した場合はV1_PWMが0%または100%となりエッジが検出されないため、エッジ検出器384でV1電圧情報を取得後に高圧側の回路の異常を検出することが可能になる。
ここで、第1の電圧センサ39の絶縁回路392は高圧側(第1の基準電位3a)と低圧側(第2の基準電位3b)を絶縁する機能を有し、それぞれの基準電位における電源が必要となる。絶縁回路392の低圧側(第2の基準電位3b)の電源を制御手段35のAD変換器394の基準電源と同じとすることで、V2_analogをAD変換器394で取得する際に電源による誤差が相殺されるため電圧取得精度を高くすることが可能である。 例として、AD変換器394の基準電源と絶縁回路392の低圧側電源の電位差が1%の場合、電圧取得値に約1%の誤差の増加となるため、電圧取得値に要求される精度を考慮した電位差以下にする必要がある。
次に、フィルタ回路393の構成について説明する。図6はフィルタ回路393の一例の回路図である。第1の抵抗器3931と第1のコンデンサ3932で構成される第1フィルタ回路、第2の抵抗器3933と第2のコンデンサ3934で構成される第2フィルタ回路、第3の抵抗器3935と第3のコンデンサ3936で構成される第3フィルタ回路の計3段のローパスフィルタ回路構成し、第1の電圧センサ39の絶縁回路392からの出力V2に応じたデューティ比のV2_PWMを入力し、絶縁回路392のPWM周波数成分を除去したアナログ値V2_analogを出力する。この時、ローパスフィルタ回路のカットオフ周波数flpfは、次に示す式(5)のように、駆動キャリアの周波数fswよりも高く設定する。
fpwm(V2)>flpf>fsw (5)
上式のようにローパスフィルタ回路のカットオフ周波数flpfを設定することで、図3Aおよび図3Bに示したコンデンサ電圧V2の電圧情報V2ripの変動および駆動キャリアとV2aveの位置関係を維持したまま、fpwm周波数成分のみを除去してV2_analogを出力することが可能となる。 また図6のように高次ローパスフィルタ回路の構成(フィルタ回路を複数直列に接続)にすることで、fpwm(V2)とfswの値が近い場合にも、必要なV2電圧情報をフィルタ回路393で減衰させることがない。
ここまでの説明では、分圧回路、絶縁回路およびフィルタ回路を別機能ブロックとして説明してきたが、例えばいずれか2つ以上の機能を統合して一つの電子部品に実装した集積回路(IC)で構成されていても良い。
上述の説明では、第1の平滑コンデンサの電圧V2がDC/DCコンバータのフィードバック制御の制御対象であり、また第1の平滑コンデンサ36(C2)に印加される電圧V2が駆動周波数に依存したリプル成分V2ripを持つことから、分圧回路391→絶縁回路392→フィルタ回路393を介してAD変換器394で駆動周波数に同期して取得する説明をしてきたが、第2の平滑コンデンサ37(C1)に印加される電圧V1も同様の構成で電圧情報を取得しても良い。
また、実施の形態1ではDC/DCコンバータに関して説明してきたが、電力変換装置3は直流を交流に変換して電動機を駆動するようなインバータ回路でも良く、平滑コンデンサに印加される電圧はインバータ回路の直流入力電圧でも良い。
また、AD変換器394で電圧情報を取得するタイミングは、ゲートON期間とゲートOFF期間の中心で説明してきたが、負荷2の負荷量が小さいか第1の平滑コンデンサ36の静電容量が大きく電圧リプルが小さい場合には、必ずしもこの期間の中心である必要はない。またリプルが大きい場合も駆動キャリアの山取得値と谷取得値とを平均化することで、取得した電圧情報を、リプルを含む電圧の平均値に近づけることが可能で、ゲートON期間とゲートOFF期間との中心と同じ効果を得ることが可能である。
スイッチング素子のターンオン期間(ゲートOFFからONへの遷移期間)およびターンオフ期間(ゲートONからOFFへの遷移期間)は、スイッチングサージによるノイズあるいは電圧振動の影響を受け易いため、電圧情報を取得するタイミングは、少なくともターンオンまたはターンオフ期間を避けたタイミングに設定する。
電力変換装置3は、例えば電動化車両に搭載される発電用モータまたは駆動用モータを制御するためのインバータの入力電圧を制御するDC/DCコンバータであることを想定して説明してきた。電動化車両とは例えばハイブリッド自動車、電気自動車、あるいはプラグインハイブリッド自動車等の電気エネルギーで走行可能な自動車を指し、それらの電動化車両のモータは、凍結路でのスリップ、急加速・急減速、モータロック等でトルクまたは回転数が急変することが考えられる。この場合、通常は、DC/DCコンバータは所望の電圧に制御しているが、負荷電力が急変するため、DC/DCコンバータの応答速度が遅い場合は、第2の平滑コンデンサ37の電圧V2が急変する可能性がある。
このように電圧V2が急変した場合は、インバータ制御性の悪化あるいは電圧V2の過電圧を検出してDC/DCコンバータが停止するといった事象が発生するため、コンデンサの静電容量を増加させる等の対策をとるが、電力変換装置が大型化するという課題がある。
本願は、このような課題についても対応することができる。すなわち、電力変換システムとして本願の電力変換装置組み込むことによって、DC/DCコンバータの直流電圧の制御速度を、インバータの負荷の変化による直流電圧の変化速度よりも速くすることによって、負荷変動に対する電圧V2の変動を抑える事が可能であり、電圧制御の高速化を実現することができる。
実施の形態2.
実施の形態2に係る電力変換装置3について図面を参照して説明する。図7は、電力変換装置3とその周辺回路であるバッテリ1と負荷2を示す回路図であり、図8は、実施の形態2における電力変換装置3(マルチレベル型昇圧コンバータ回路)の動作モードを示す回路図であって、図9は、図7のスイッチング素子の駆動キャリア、ゲート駆動信号およびリアクトル電流、コンデンサ電流、コンデンサ電圧示す波形図であり、図10は、図7の第1の電圧センサ39および第2の電圧センサ38および第3の電圧センサ352の構成を示す回路図(ブロック図)である。
図7に示すように、電力変換装置3は入力側の端子にバッテリ1を出力側の端子に負荷2が接続されたDC/DCコンバータである。実施の形態1と異なる部分は、DC/DCコンバータが、充放電コンデンサ351(C0)を備えたマルチレベルコンバータである点である。
実施の形態2では、実施の形態1と異なる点に着目して説明する。
電力変換装置3は、 リアクトル31と、第2の電圧変換回路33と、電流センサ34と、第2の電圧変換回路33を制御する制御手段35と、第1の平滑コンデンサ36(C2)と、第1の平滑コンデンサ36(C2)に印加される電圧V2を検出する第1の電圧センサ39と、第2の平滑コンデンサ37(C1)と、第2の平滑コンデンサ37(C1)に印加される電圧V1を検出する第2の電圧センサ38と、充放電コンデンサ351(C0)と、充放電コンデンサ351(C0)に印加される電圧V0を検出する第3の電圧センサ352とを備えている。
リアクトル31は、第1の端子と第2の端子を備え、第1の端子がバッテリ1の高電位側の端子に接続されている。
第2の電圧変換回路33は、負荷2に並列に接続されている。第2の電圧変換回路33は、第1のスイッチング素子33a(S1)と第2のスイッチング素子33b(S2)と第3のスイッチング素子33c(S3)と第4のスイッチング素子33d(S4)とが直列に接続され、第1のスイッチング素子33aと第2のスイッチング素子33bとの接続点を第1の接続部33fとし、第2のスイッチング素子33bと第3のスイッチング素子33cとの接続点を第2の接続部33eとし、第3のスイッチング素子33cと第4のスイッチング素子33dとの接続点を第3の接続部33gとして構成されている。
第1のスイッチング素子33aの端子は、バッテリ1の低電位側の端子に接続され、第4のスイッチング素子33dの端子は、負荷2の高電位側の端子に接続されている。
第2の接続部33eは、リアクトル31の第2の端子に接続されている。第1から第4のスイッチング素子33a、33b、33c、33dはそれぞれ並列にダイオードを有している。
第1の平滑コンデンサ36(C2)は負荷2と並列に接続され、第2の平滑コンデンサ37(C1)はバッテリ1と並列に接続され、充放電コンデンサ351は第1の接続部33fと第3の接続部33gに接続されている。
電流センサ34は、リアクトル31と第1の接続部33fの間に配置され、リアクトル31に流れる電流値ILを検出している。
第1の電圧センサ39で検出された電圧情報V2_analog、第2の電圧センサ38で検出された電圧情報V1_PWM、第3の電圧センサ352で検出された電圧情報V0_analog、電流センサ34で検出された電流値IL_senはそれぞれ制御手段35に入力される。
次に、図7に示した第2の電圧変換回路33の動作モードについて、図8(a)~(d)を使用して説明する。
図8(a)~(d)では、第1のスイッチング素子33aをS1、第2のスイッチング素子33bをS2、第3のスイッチング素子33cをS3、第4のスイッチング素子33dをS4として表示している。
図8(a)~(d)に示すように、第1~第4のスイッチング素子S1~S4の開閉パターンである動作モードは、モード1~モード4の4つがある。バッテリ1から負荷2に電力を供給する場合の力行動作と、負荷2からバッテリ1に電力を供給する場合の回生動作ではスイッチング素子を通るか並列のダイオードを通るかの違いがあるが、破線で記載した電流経路は同じのため、ここでは力行動作に限定した説明を行う。
モード1では、図8(a)に示すように、第1のスイッチング素子S1と第3のスイッチング素子S3とがオンとされ、第2のスイッチング素子S2と第4のスイッチング素子S4とがオフとされる。図に電流経路を点線で示すように、第1のスイッチング素子S1と、第3のスイッチング素子S3の並列のダイオードD3とを電流が流れ、充放電コンデンサ351(C0)にエネルギーを蓄積する状態となる。
モード2では、図8(b)に示すように、第1のスイッチング素子S1と第3のスイッチング素子S3とがオフとされ、第2のスイッチング素子S2と第4のスイッチング素子S4とがオンとされる。この操作によって、第2のスイッチング素子S2と第4のスイッチング素子と並列のダイオードD4とを電流が流れ、充放電コンデンサ351(C0)のエネルギーを放出する状態となる。
モード3では、図8(c)に示すように、第1のスイッチング素子S1と第2のスイッチング素子S2とがオフとされ、第3のスイッチング素子S3と第4のスイッチング素子S4とがオンとされる。この操作によって、第3のスイッチング素子と並列のダイオードD3と第4のスイッチング素子と並列のダイオードD4とを電流が流れ、リアクトル31のエネルギーを放出する状態となる。
モード4では、図8(d)に示すように、第1のスイッチング素子S1と第2のスイッチング素子S2とがオンとされ、第3のスイッチング素子S3と第4のスイッチング素子S4とがオフとされる。この操作によって、第1のスイッチング素子S1と第2のスイッチング素子S2とを電流が流れ、リアクトル31にエネルギーを蓄積する状態となる。
これらの動作モードの時間比率を適宜調整することにより、負荷2に印加される電圧V2を制御し、かつリアクトル31に印加される電圧を小さくするために充放電コンデンサ351(C0)に印加される電圧V0をV2の半分に制御することが可能となる。
次に、電力変換装置3における動作波形を図9に示す。電力変換装置3の第1~第4のスイッチング素子33a、33b、33c、33dは、制御手段35で生成されたゲート駆動信号(Gate_S1、Gate_S2、Gate_S3、Gate_S4)によって制御され、負荷2に印加される電圧V2と充放電コンデンサ351に印加される電圧V0が制御される。
次に、電力変換装置3の動作波形を図9Aおよび図9Bに示す。図9Aおよび図9Bにおいて、動作波形の上段から説明する。1番上は、制御手段35にて設定される駆動キャリア(搬送波)を表している。Gate_S1は第1のスイッチング素子33aのゲート駆動信号、Gate_S2は第2のスイッチング素子33bのゲート駆動信号、Gate_S3は第3のスイッチング素子33cのゲート駆動信号、Gate_S4は第4のスイッチング素子33dのゲート駆動信号、電流値ILはリアクトル31に流れる電流値、電流Ic0は充放電コンデンサ351に流れる電流値、電圧V0は充放電コンデンサ351に印加される電圧値、電流Ic2は第1の平滑コンデンサ36に流れる電流値、電圧V2は第1の平滑コンデンサに印加される電圧値を表している。
第1のスイッチング素子33a(S1)と第4のスイッチング素子33d(S4)、第2のスイッチング素子33b(S2)と第3のスイッチング素子33c(S3)は同時にオンしないようなゲート駆動信号とし、第1のスイッチング素子33a(S1)と第2のスイッチング素子33b(S2)はオン時間が等価で駆動キャリアの半周期分だけ位相をずらせたスイッチングパターンに設定されている。
図9Aは、デューティ比が0.5以下、つまり昇圧比が2倍以下における波形を示し、モード1→モード3→モード2→モード3を繰り返す。図9Bは、デューティ比が0.5以上、つまり昇圧比が2倍以上における波形を示し、モード1→モード4→モード2→モード4を繰り返す。
いずれもモード1では充放電コンデンサ351(C0)のみが充電され、モード2では充放電コンデンサ351(C0)が放電され第1の平滑コンデンサ36(C2)が充電され、モード3では第1の平滑コンデンサ36(C2)が充電される。
この実施の形態2では、実施の形態1と同様に、充放電コンデンサ351(C0)に印加される電圧V0,第1の平滑コンデンサ36(C2)に印加される電圧V2は、駆動キャリア1周期毎に繰り返されるリプル電圧を含んだ電圧波形となる。
電圧V0、V2は、共にGate_S1がONしている間の中間点とGate_S1がOFFしている間の中間点で平均値V2ave、V0ave付近を通過する。なお、Gate_S1のONおよびOFFの中間点は駆動キャリアの山と谷のタイミングと等価である。
次に、実施の形態2における第1の電圧センサ39および第2の電圧センサ38の構成について図10に基づいて説明する。
まず第1の電圧センサ39および第2の電圧センサ38は、実施の形態1と同じ構成である。第3の電圧センサ352は、分圧回路3521、絶縁回路3522、フィルタ回路3523を備え、電圧V0は電圧V2と同様にマルチレベルコンバータのフィードバック制御の制御対象であり、また駆動周波数に依存したリプル成分V0ripを持つことから、分圧回路3521→絶縁回路3522→フィルタ回路3523を介してAD変換器3524で駆動周波数に同期して電圧情報を取得する構成とする。
本願は、様々な例示的な実施の形態及び実施例が記載されているが、1つ、または複数の実施の形態に記載された様々な特徴、態様、及び機能は特定の実施の形態の適用に限られるのではなく、単独で、または様々な組み合わせで実施の形態に適用可能である。
従って、例示されていない無数の変形例が、本願に開示される技術の範囲内において想定される。例えば、少なくとも1つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも1つの構成要素を抽出し、他の実施の形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。
1 バッテリ、2 負荷、3 電力変換装置、30 主回路部、31 リアクトル、32 第1の電圧変換回路、33 第2の電圧変換回路、34 電流センサ、35 制御手段、36 第1の平滑コンデンサ、37 第2の平滑コンデンサ、38 第2の電圧センサ、39 第1の電圧センサ、100 プロセッサ、101 記憶装置、351 充放電コンデンサ、352 第3の電圧センサ、381 分圧回路、382 絶縁回路、384 エッジ検出器、391 分圧回路、392 絶縁回路、393 フィルタ回路、394 AD変換器、3521 分圧回路、3522 絶縁回路、3523 フィルタ回路、3524 AD変換器

Claims (8)

  1. スイッチング素子を備えた電圧変換回路およびコンデンサを有する主回路部、前記主回路部の前記コンデンサの電圧を検出する電圧センサ、および前記電圧センサによって検出された電圧値に基づいて前記スイッチング素子の動作を制御する制御手段を備えた電力変換装置において、前記電圧センサは、高電位を低電位に変換する分圧回路と、前記分圧回路に接続され前記分圧回路の出力に応じたデジタル信号を絶縁して出力する絶縁回路と、前記絶縁回路から出力されたデジタル値をアナログ値に変換するフィルタ回路とを備え、前記制御手段は、前記フィルタ回路から出力されたアナログ値を取得してデジタル値に変換する変換器を備え、前記制御手段の前記変換器がアナログ値を取得するタイミングは、前記スイッチング素子の駆動周期に同期し、前記絶縁回路が出力するデジタル信号の周波数は前記スイッチング素子の駆動周波数よりも高いことを特徴とする電力変換装置。
  2. スイッチング素子を備えた電圧変換回路およびコンデンサを有する主回路部、前記主回路部の前記コンデンサの電圧を検出する電圧センサ、および前記電圧センサによって検出された電圧値に基づいて前記スイッチング素子の動作を制御する制御手段を備えた電力変換装置において、前記電圧センサは、高電位を低電位に変換する分圧回路と、前記分圧回路に接続され前記分圧回路の出力に応じたデジタル信号を絶縁して出力する絶縁回路と、前記絶縁回路から出力されたデジタル値をアナログ値に変換するフィルタ回路とを備え、前記制御手段は、前記フィルタ回路から出力されたアナログ値を取得してデジタル値に変換する変換器を備え、前記フィルタ回路は、抵抗器とコンデンサで構成されたローパスフィルタ回路であり、前記絶縁回路が出力するデジタル信号の周波数は、前記ローパスフィルタ回路のカットオフ周波数よりも高く、前記カットオフ周波数は、前記スイッチング素子の駆動周波数よりも高いことを特徴とする電力変換装置。
  3. 前記ローパスフィルタ回路は、複数段直列に構成された高次ローパスフィルタ回路であることを特徴とする請求項に記載の電力変換装置。
  4. スイッチング素子を備えた電圧変換回路およびコンデンサを有する主回路部、前記主回路部の前記コンデンサの電圧を検出する電圧センサ、および前記電圧センサによって検出された電圧値に基づいて前記スイッチング素子の動作を制御する制御手段を備えた電力変換装置において、前記電圧センサは、高電位を低電位に変換する分圧回路と、前記分圧回路に接続され前記分圧回路の出力に応じたデジタル信号を絶縁して出力する絶縁回路と、前記絶縁回路から出力されたデジタル値をアナログ値に変換するフィルタ回路とを備え、前記制御手段は、前記フィルタ回路から出力されたアナログ値を取得してデジタル値に変換する変換器を備え、前記スイッチング素子は、PWM制御で駆動され、前記制御手段の前記変換器がアナログ値を取得するタイミングが、前記スイッチング素子のターンオン期間またはターンオフ期間を避けて設定されていることを特徴とする電力変換装置。
  5. 前記変換器がアナログ値を取得するタイミングが、前記スイッチング素子のゲートON期間の中心または前記スイッチング素子のゲートOFF期間の中心であることを特徴とする請求項に記載の電力変換装置。
  6. スイッチング素子を備えた電圧変換回路およびコンデンサを有する主回路部、前記主回路部の前記コンデンサの電圧を検出する電圧センサ、および前記電圧センサによって検出された電圧値に基づいて前記スイッチング素子の動作を制御する制御手段を備えた電力変換装置において、前記電圧センサは、高電位を低電位に変換する分圧回路と、前記分圧回路に接続され前記分圧回路の出力に応じたデジタル信号を絶縁して出力する絶縁回路と、前記絶縁回路から出力されたデジタル値をアナログ値に変換するフィルタ回路とを備え、前記制御手段は、前記フィルタ回路から出力されたアナログ値を取得してデジタル値に変換する変換器を備え、前記絶縁回路は、前記分圧回路から出力された電圧値に応じたデューティ比を出力し、前記分圧回路において天絡または地絡の電圧値を検出できない場合には、予め定めた前記デューティ比の値を出力することを特徴とする請求項1からのいずれか1項に記載の電力変換装置。
  7. スイッチング素子を備えた電圧変換回路およびコンデンサを有する主回路部、前記主回路部の前記コンデンサの電圧を検出する電圧センサ、および前記電圧センサによって検出された電圧値に基づいて前記スイッチング素子の動作を制御する制御手段を備えた電力変換装置において、前記電圧センサは、高電位を低電位に変換する分圧回路と、前記分圧回路に接続され前記分圧回路の出力に応じたデジタル信号を絶縁して出力する絶縁回路と、前記絶縁回路から出力されたデジタル値をアナログ値に変換するフィルタ回路とを備え、前記制御手段は、前記フィルタ回路から出力されたアナログ値を取得してデジタル値に変換する変換器を備え、前記絶縁回路の高圧側の基準電位の電源と低圧側の基準電位の内、前記低圧側の基準電位の電源を前記制御手段の前記変換器の基準電位と同じにしたことを特徴とする電力変換装置。
  8. 請求項1からのいずれか1項に記載の電力変換装置が、発電用モータまたは駆動用モータを制御するインバータに印加される直流電圧を制御するDC/DCコンバータの電力変換システムの一部として自動車に搭載され、前記DC/DCコンバータの直流電圧の制御速度を前記インバータの負荷の変化による直流電圧の変化速度よりも速くして、前記DC/DCコンバータの出力電圧が一定に制御されることを特徴とする電力変換システム。
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