JP6999877B2 - Luminous device and projector - Google Patents
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Description
本発明は、発光装置およびプロジェクターに関する。 The present invention relates to a light emitting device and a projector.
半導体レーザーは、高輝度の次世代光源として期待されている。中でも、ナノ構造体(ナノコラム)を適用した半導体レーザーは、ナノ構造体によるフォトニック結晶の効果によって、狭放射角で高出力の発光が実現できると期待されている。このような半導体レーザーは、例えば、プロジェクターの光源として適用される。 Semiconductor lasers are expected as next-generation light sources with high brightness. Among them, semiconductor lasers to which nanostructures (nanocolumns) are applied are expected to be able to emit high-power light at a narrow radiation angle due to the effect of photonic crystals by the nanostructures. Such a semiconductor laser is applied, for example, as a light source of a projector.
例えば特許文献1には、基板上に金属膜から成る反射層が形成され、その反射層上に複数のナノコラムが形成された半導体発光素子が記載されている。
For example,
しかしながら、特許文献1には、半導体発光素子(発光部)に電流を流したり流さなかったりするための(注入される電流をON/OFFするための)スイッチング素子について記載されていない。
However,
本発明のいくつかの態様に係る目的の1つは、スイッチング素子を備えた発光装置を提供することにある。あるいは、本発明のいくつかの態様に係る目的の1つは、上記の発光装置を含むプロジェクターを提供することにある。 One of the objects according to some aspects of the present invention is to provide a light emitting device including a switching element. Alternatively, one of the objects according to some aspects of the present invention is to provide a projector including the above light emitting device.
本発明に係る発光装置は、
電流が注入されることで発光可能な複数のナノ構造体を有する発光部と、
前記発光部に対応して設けられ、前記ナノ構造体へ注入される電流量を制御するトランジスターと、
を含む。
The light emitting device according to the present invention is
A light emitting part having a plurality of nanostructures capable of emitting light by injecting an electric current,
A transistor provided corresponding to the light emitting portion and controlling the amount of current injected into the nanostructure,
including.
このような発光装置では、トランジスターを含むため、発光部の発光量を制御することができる。 Since such a light emitting device includes a transistor, it is possible to control the amount of light emitted from the light emitting unit.
本発明に係る発光装置において、
基体と、
前記基体に設けられた第1半導体層と、
を含み、
前記ナノ構造体は、前記第1半導体層から突出している柱状部であってもよい。
In the light emitting device according to the present invention
With the substrate
The first semiconductor layer provided on the substrate and
Including
The nanostructure may be a columnar portion protruding from the first semiconductor layer.
このような発光装置では、基体の格子定数と第1半導体層の格子定数とが異なることに起因して生じる転位が、ナノ構造体の一定の高さ以上の領域に存在する可能性を小さくすることができる。 In such a light emitting device, the possibility that dislocations caused by the difference between the lattice constant of the substrate and the lattice constant of the first semiconductor layer are present in the region above a certain height of the nanostructure is reduced. be able to.
本発明に係る発光装置において、
前記ナノ構造体は、
第2半導体層と、
前記第2半導体層と導電型の異なる第3半導体層と、
前記第2半導体層と前記第3半導体層との間に設けられ、電流が注入されることで発光可能な発光層と、
を有し、
前記第2半導体層は、前記基体と前記発光層との間に設けられていてもよい。
In the light emitting device according to the present invention
The nanostructure is
The second semiconductor layer and
A third semiconductor layer having a different conductive type from the second semiconductor layer,
A light emitting layer provided between the second semiconductor layer and the third semiconductor layer and capable of emitting light by injecting an electric current,
Have,
The second semiconductor layer may be provided between the substrate and the light emitting layer.
このような発光装置では、基体の格子定数と第1半導体層の格子定数とが異なることに起因して生じる転位が、発光層に存在する可能性を小さくすることができる。 In such a light emitting device, it is possible to reduce the possibility that dislocations caused by the difference between the lattice constant of the substrate and the lattice constant of the first semiconductor layer are present in the light emitting layer.
本発明に係る発光装置において、
前記トランジスターは、
ソース領域およびドレイン領域と、
前記ソース領域と前記ドレイン領域との間のチャネル領域と、
前記チャネル領域に流れる電流を制御するゲートと、
を有し、
前記ソース領域および前記ドレイン領域は、前記第1半導体層に設けられていてもよい。
In the light emitting device according to the present invention
The transistor is
Source area and drain area,
The channel region between the source region and the drain region,
A gate that controls the current flowing in the channel region,
Have,
The source region and the drain region may be provided in the first semiconductor layer.
このような発光装置では、同一基板上に(1つの基体に)トランジスターおよび発光部を形成することができる。したがって、このような発光装置では、トランジスターおよび発光部を別々の基板に設ける場合に比べて、小型化を図ることができる。 In such a light emitting device, a transistor and a light emitting portion can be formed on the same substrate (on one substrate). Therefore, in such a light emitting device, it is possible to reduce the size as compared with the case where the transistor and the light emitting unit are provided on separate substrates.
本発明に係る発光装置において、
前記ソース領域または前記ドレイン領域は、前記第2半導体層と電気的に接続されていてもよい。
In the light emitting device according to the present invention
The source region or the drain region may be electrically connected to the second semiconductor layer.
このような発光装置では、トランジスターによって、発光部に注入される電流量を制御することができ、発光部の発光量を制御することができる。 In such a light emitting device, the amount of current injected into the light emitting unit can be controlled by the transistor, and the amount of light emitted from the light emitting unit can be controlled.
なお、本発明に係る記載では、「電気的に接続」という文言を、例えば、「特定の部材(以下「A部材」という)に「電気的に接続」された他の特定の部材(以下「B部材」という)」などと用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、A部材とB部材とが、直接接して電気的に接続されているような場合と、A部材とB部材とが、他の部材を介して電気的に接続されているような場合とが含まれるものとして、「電気的に接続」という文言を用いている。 In the description according to the present invention, the word "electrically connected" is used, for example, for another specific member (hereinafter referred to as "electrically connected") "electrically connected" to a specific member (hereinafter referred to as "member A"). It is used as "B member") ". In the description according to the present invention, in the case of this example, the case where the A member and the B member are in direct contact with each other and electrically connected, and the case where the A member and the B member are connected to another member. The word "electrically connected" is used as a case where the case is electrically connected via.
本発明に係る発光装置において、
前記発光部は、
隣り合う前記ナノ構造体の間に設けられ、前記発光層において生じた光を伝搬させる光伝搬層を有していてもよい。
In the light emitting device according to the present invention
The light emitting part is
It may have a light propagation layer provided between the adjacent nanostructures and propagating the light generated in the light emitting layer.
このような発光装置では、発光層において生じた光が基体の面内方向に伝搬することができ、発光層において利得を受けてレーザー発振することができる。 In such a light emitting device, the light generated in the light emitting layer can propagate in the in-plane direction of the substrate, and can receive a gain in the light emitting layer to oscillate the laser.
本発明に係る発光装置において、
前記発光部の側壁には、絶縁層が設けられていてもよい。
In the light emitting device according to the present invention
An insulating layer may be provided on the side wall of the light emitting portion.
このような発光装置では、絶縁層によって、発光部に注入される電流が側壁からリークすることを抑制することができる。 In such a light emitting device, the insulating layer can prevent the current injected into the light emitting portion from leaking from the side wall.
本発明に係る発光装置において、
前記絶縁層の表面に設けられた金属層を含み、
前記金属層は、前記第3半導体層と電気的に接続された配線に接続されていてもよい。
In the light emitting device according to the present invention
Including a metal layer provided on the surface of the insulating layer,
The metal layer may be connected to a wiring electrically connected to the third semiconductor layer.
このような発光装置では、第3半導体層に注入される電流に対する抵抗を小さくすることができる。 In such a light emitting device, the resistance to the current injected into the third semiconductor layer can be reduced.
本発明に係る発光装置において、
前記第1半導体層は、GaN層、InGaN層、AlGaN層、AlGaAs層、InGaAs層、InGaAsP層、InP層、GaP層、またはAlGaP層であってもよい。
In the light emitting device according to the present invention
The first semiconductor layer may be a GaN layer, an InGaN layer, an AlGaN layer, an AlGaAs layer, an InGaAs layer, an InGaAsP layer, an InP layer, a GaP layer, or an AlGaP layer.
このような発光装置では、例えば、第1半導体層の格子状数と第2半導体層の格子状数との差に起因する応力が生じることを抑制することができる。 In such a light emitting device, for example, it is possible to suppress the generation of stress due to the difference between the grid-like number of the first semiconductor layer and the grid-like number of the second semiconductor layer.
本発明に係る発光装置において、
前記発光部は、アレイ状に設けられていてもよい。
In the light emitting device according to the present invention
The light emitting unit may be provided in an array.
このような発光装置では、1つの発光部を画素として映像を形成することができる自発光イメージャーを構成することができる。 In such a light emitting device, it is possible to configure a self-luminous imager capable of forming an image using one light emitting unit as a pixel.
本発明に係るプロジェクターは、
本発明に係る発光装置を含む。
The projector according to the present invention
The light emitting device according to the present invention is included.
このようなプロジェクターは、本発明に係る発光装置を含むことができる。 Such a projector can include a light emitting device according to the present invention.
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The embodiments described below do not unreasonably limit the content of the present invention described in the claims. Moreover, not all of the configurations described below are essential constituent requirements of the present invention.
1. 第1実施形態
1.1. 発光装置
まず、第1実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態に係る発光装置100を模式的に示す平面図である。図2は、第1実施形態に係る発光装置100を模式的に示す図1のII-II線断面図である。図3は、第1実施形態に係る発光装置100を模式的に示す図1のIII-III線断面図である。図4は、第1実施形態に係る発光装置100の回路図である。なお、図1~図3および後述する図5,6では、互いに直交する3軸として、X軸、Y軸、およびZ軸を図示している。
1. 1. First Embodiment 1.1. Light-emitting device First, the light-emitting device according to the first embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view schematically showing a
発光装置100は、図1~図4に示すように、例えば、基体10と、半導体層20,22と、素子分離層24と、トランジスター30と、発光部40と、第1絶縁層50と、第2絶縁層60と、導電層70と、配線72と、駆動回路80,82と、を含む。なお、便宜上、図1では、第2絶縁層60の図示を省略している。
As shown in FIGS. 1 to 4, the
基体10は、図2に示すように、例えば、第1基板12と、第2基板14と、半導体層16と、を有している。第1基板12は、例えば、プリント基板である。第2基板14は、第1基板12上に設けられている。第2基板14は、例えば、サファイア基板、Si基板、GaN基板などである。半導体層16は、第2基板14上に設けられている。半導体層16は、例えば、i型のGaN層である。
As shown in FIG. 2, the
半導体層(第1半導体層)20は、基体10に(図示の例では半導体層16上に)設けられている。半導体層20は、例えば、n型のGaN層(具体的はSiがドープされたGaN層)である。
The semiconductor layer (first semiconductor layer) 20 is provided on the substrate 10 (on the
半導体層22は、半導体層16上に設けられている。半導体層22は、半導体層20に挟まれて設けられている。半導体層22は、トランジスター30のゲート38の下に設けられている。半導体層22は、例えば、p型のGaN層(具体的はMgがドープされたGaN層)である。
The
素子分離層24は、半導体層16上に設けられている。素子分離層24は、図1に示すように、平面視において(Z軸方向からみて、発光部40の半導体層42aおよび発光層42bの積層方向からみて)、半導体層20の周囲に設けられている。素子分離層24は、例えば、i型のGaN層、酸化シリコン層、窒化シリコン層などである。素子分離層24は、X軸方向において隣り合う発光部40を、電気的に分離している。
The
トランジスター30は、図2に示すように、ソース領域32と、ドレイン領域34と、チャネル領域36と、ゲート38と、を有している。ソース領域32およびドレイン領域34は、半導体層20に設けられている。チャネル領域36は、ソース領域32とドレイン領域34との間の領域である。チャネル領域36は、半導体層22に設けられている。チャネル領域36には、例えば、静電容量が形成される。
As shown in FIG. 2, the
ゲート38は、半導体層22上に設けられている。ゲート38は、チャネル領域36に流れる電流を制御する。ゲート38は、半導体層22上に設けられたゲート絶縁層38aと、ゲート絶縁層38a上に設けられたゲート電極38bと、を有している。ゲート絶縁層38aは、例えば、酸化シリコン層である。ゲート絶縁層38aの材質は、例えば、銅、アルミニウムなどである。
The
トランジスター30は、複数設けられている。トランジスター30は、アレイ状に設けられている。すなわち、トランジスター30は、所定の方向に並んで設けられている。図1に示す例では、トランジスター30は、X軸方向およびY軸方向に並んで(マトリックス状に)設けられている。X軸方向に並ぶトランジスター30は、例えば、共通のゲート絶縁層38aおよびゲート電極38bを有している。図示の例では、ゲート電極38bは、素子分離層24上に設けられたパッド8からX軸方向に延出している。複数のゲート電極38bは、Y軸方向に配列されている。Y軸方向において隣り合うトランジスター30は、図2に示すように、例えば、共通のソース領域32を有している。
A plurality of
トランジスター30は、発光部40に対応して設けられている。本実施形態において、トランジスター30の数と発光部40の数とは、同じであり、トランジスター30は、発光部40と電気的に接続されている。具体的には、トランジスター30のソース領域32またはドレイン領域34は、発光部40の半導体層42aと電気的に接続されている。すなわち、トランジスター30がOFFの状態(チャネル領域36に電流が流れていない状態)であっても、ソース領域32またはドレイン領域34は、半導体層42aと電気的に接続されている。図示の例では、ドレイン領域34は、半導体層42aと電気的に接続されている。トランジスター30は、発光部40のナノ構造体42へ注入される電流量を制御する。また、トランジスター30を制御することにより、発光部40ごとに発光のタイミングを制御することができる。また、トランジスター30を制御することにより、発光部40に注入される電流量を制御してもよい。
The
本発明において、トランジスター30が発光部40に対応して設けられている、とは、少なくとも1つのトランジスター30が発光部40に対応にて設けられていることを表現している。本発明において、発光部40に対応して設けられているトランジスターは、1つに限定されず、発光部40に対応して複数のトランジスターが設けられていてもよい。
In the present invention, the fact that the
発光部40は、半導体層20上に設けられている。発光部40は、複数設けられている。発光部40は、アレイ状に設けられている。すなわち、発光部40は、所定の方向に並んで設けられている。図1に示す例では、発光部40は、X軸方向およびY軸方向に並んで(マトリックス状に)設けられている。ここで、図5は、発光部40を模式的に示す平面図である。図6は、発光部40を模式的に示す図5のVI-VI線断面図である。
The
発光部40は、図5および図6に示すように、ナノ構造体42と、光伝搬層44と、を有している。なお、便宜上、図5では、導電層70および第2絶縁層60の図示を省略している。
As shown in FIGS. 5 and 6, the
なお、本発明において、「上」とは、Z軸方向(ナノ構造体42の半導体層42aと発光層42bとの積層方向)において、ナノ構造体42からみて基体10から遠ざかる方向のことであり、「下」とは、Z軸方向において、ナノ構造体42からみて基体10に近づく方向のことである。
In the present invention, "upper" means a direction away from the
ナノ構造体42は、半導体層20上に設けられている。ナノ構造体42は、柱状の形状を有している。ナノ構造体42は、半導体層20から突出している柱状部である。ナノ構造体42は、複数設けられている。図5に示す例では、ナノ構造体42の平面形状(Z軸方向からみた形状)は、四角形である。ナノ構造体42の径(多角形の場合は内接円の径)は、nmオーダー(1μm未満)であり、具体的には10nm以上500nm以下である。ナノ構造体42は、例えば、ナノコラム、ナノワイヤー、ナノロッド、ナノピラーとも呼ばれる。ナノ構造体42のZ軸方向の大きさは、例えば、0.1μm以上5μm以下である。複数のナノ構造体42は、互いに離間している。隣り合うナノ構造体42の間隔は、例えば、1nm以上500nm以下である。
The
なお、ナノ構造体42の平面形状は、特に限定されず、例えば、図7に示すように六角形でもよく、四角形、六角形以外の多角形でもよいし、円、楕円などであってもよい。また、図示の例では、ナノ構造体42は、Z軸方向において径が一定であるが、Z軸方向において径が異なっていてもよい。
The planar shape of the
複数のナノ構造体42は、平面視において、所定の方向に所定のピッチで配列されている。このような周期構造においては、ピッチと各部位の径および各部位の屈折率により決定されるフォトニックバンド端波長λにおいて光閉じ込め効果を得ることができる。発光装置100では、ナノ構造体42の発光層42bにおいて生じる光は、波長λを含むため、フォトニック結晶の効果を発現することができる。図5に示す例では、ナノ構造体42は、X軸方向およびY軸方向に並んで(マトリックス状に)設けられている。
The plurality of
ナノ構造体42は、図6に示すように、半導体層(第2半導体層)42aと、発光層42bと、半導体層(第3半導体層)42cと、を有している。
As shown in FIG. 6, the
半導体層42aは、半導体層20上に設けられている。半導体層42aは、基体10と発光層42bとの間に設けられている。半導体層42aは、例えば、n型のGaN層(具体的にはSiがドープされたGaN層)である。
The
発光層42bは、半導体層42a上に設けられている。発光層42bは、半導体層42aと半導体層42cとの間に設けられている。発光層42bは、電流が注入されることで光を発することが可能な層である。発光層42bは、例えば、GaN層とInGaN層とから構成された量子井戸構造を有している。発光層42bを構成するGaN層およびInGaN層の数は、特に限定されない。
The
半導体層42cは、発光層42b上に設けられている。半導体層42cは、半導体層42aと導電型の異なる層である。半導体層42cは、例えば、p型のGaN層(具体的にはMgがドープされたGaN層)である。半導体層42a,42cは、発光層42bに光を閉じ込める(発光層42bから光が漏れることを抑制する)機能を有するクラッド層である。
The
発光装置100では、p型の半導体層42c、不純物がドーピングされていない発光層42b、およびn型の半導体層42aにより、pinダイオードが構成される。半導体層42a,42cは、発光層42bよりもバンドギャップが大きい層である。発光装置100では、導電層70と半導体層20との間に、pinダイオードの順バイアス電圧を印加すると(電流を注入すると)、発光層42bにおいて電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。発光層42bにおいて発生した光は、半導体層42a,42cによりZ軸方向と直交する方向(平面方向)に伝搬する。伝搬した光は、定在波を形成し、発光層42bにおいて利得を受けてレーザー発振する。そして、発光装置100は、+1次回折光および-1次回折光をレーザー光として、積層方向に(導電層70側および基体10側に)出射する。
In the
発光装置100では、平面方向に伝搬している光の強度が、Z軸方向において、発光層42bで最も大きくなるように、半導体層42a,42cおよび発光層42bの屈折率および厚さが設計されている。
In the
なお、図示はしないが、基体10と半導体層20との間、または基体10の下に反射層が設けられていてもよい。該反射層は、例えば、DBR(Distributed Bragg Reflector)層である。該反射層によって、発光層42bにおいて発生した光を反射させることができ、発光装置100は、導電層70側からのみ光を出射することができる。
Although not shown, a reflective layer may be provided between the
図示の例では、半導体層20上には、第3絶縁層43が設けられている。第3絶縁層43は、光伝搬層44と半導体層20との間、および第1絶縁層50と半導体層20との間に設けられている。第3絶縁層43は、ナノ構造体42を形成するためのマスクとして機能する。第3絶縁層43は、ゲート絶縁層38aと同じ工程で形成されてもよい。そのため、第3絶縁層43は、材質および厚さがゲート絶縁層38aと同じであってもよい。
In the illustrated example, the third insulating
光伝搬層44は、隣り合うナノ構造体42の間に設けられている。光伝搬層44は、第3絶縁層43上に設けられている。光伝搬層44は、平面視において、ナノ構造体42を囲んで設けられている。光伝搬層44の屈折率は、発光層42bの屈折率よりも低い。光伝搬層44は、例えば、GaN層、酸化チタン(TiO2)層である。光伝搬層44であるGaN層は、i型でもよいし、n型でもよいし、p型でもよい。光伝搬層44は、発光層42bにおいて生じた光を、平面方向に伝搬させることができる。図5に示す例では、発光部40の平面形状は、正方形である。
The
なお、本発明において、「特定の部材(A部材)」が複数の材料から構成されている場合に、「A部材の屈折率」とは、A部材を構成している複数の材料の平均屈折率のことである。 In the present invention, when the "specific member (A member)" is composed of a plurality of materials, the "refractive index of the A member" is the average refraction of the plurality of materials constituting the A member. It is a rate.
第1絶縁層50は、図6に示すように、発光部40の側壁41に設けられている。第1絶縁層50は、発光層42bの平面方向に設けられている。第1絶縁層50は、発光部40の側壁41に設けられたサイドウォールである。図示の例では、側壁41は、光伝搬層44によって構成されている。側壁41は、例えば、図5に示すように、互いに対向している第1側面41aおよび第2側面41bと、側面41a,41bに接続され互いに対向している第3側面41cおよび第4側面41dと、を有している。
As shown in FIG. 6, the first insulating
第1絶縁層50は、図6に示すように、第3絶縁層43上に設けられている。第1絶縁層50は、平面視において、発光部40を囲んで設けられている。第1絶縁層50の屈折率は、光伝搬層44の屈折率よりも低い。第1絶縁層50の材質は、例えば、酸化シリコン(SiO2)、窒化シリコン(SiN)などである。第1絶縁層50は、例えば、単一の層によって構成されている。
As shown in FIG. 6, the first insulating
第1絶縁層50は、発光層42bにおいて生じた光を、反射させることができる。発光層42bにおいて生じた光は、第1側面41aと第2側面41bとの間で定在波を形成する。さらに、発光層42bにおいて生じた光は、第3側面41cと第4側面41dとの間で定在波を形成する。
The first insulating
第2絶縁層60は、図2に示すように、半導体層20上に設けられている。第2絶縁層60は、ゲート38および第1絶縁層50の表面56を覆って設けられている。第2絶縁層60は、例えば、酸化シリコン層である。第2絶縁層60は、トランジスター30および発光部40を衝撃などから保護する機能を有している。
As shown in FIG. 2, the second insulating
導電層70は、発光部40上に設けられている。図示の例では、導電層70は、ナノ構造体42上および光伝搬層44上に設けられている。導電層70は、発光部40の数に応じて、複数設けられている。導電層70は、ナノ構造体42の半導体層42cと電気的に接続されている。導電層70は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)層である。発光層42bにおいて生じた光は、導電層70を透過して出射される。
The
なお、図示はしないが、導電層70と発光部40との間には、コンタクト層が設けられていてもよい。コンタクト層は、導電層70とオーミックコンタクトしていてもよい。コンタクト層は、p型のGaN層であってもよい。
Although not shown, a contact layer may be provided between the
配線72は、図3に示すように、第2絶縁層60上に設けられている。配線72は、図1に示すように、素子分離層24上に設けられたパッド9からY軸方向に延出し、導電層70の数に応じて分岐して、導電層70に接続されている。配線72は、導電層70を介して、半導体層42cと電気的に接続されている。配線72は、複数設けられている。複数の配線72は、X軸方向に配列されている。配線72は、平面視において、ゲート電極38bと交差している。配線72の材質は、例えば、銅、アルミニウム、ITOなどである。図示はしないが、配線72の材質がITOの場合には、配線72は、導電層70の表面全面を覆って設けられていてもよい。
As shown in FIG. 3, the
第1駆動回路80および第2駆動回路82は、第1基板12上に設けられている。図1に示す例では、平面視において、第1駆動回路80は、第2基板14の-X軸方向側に設けられ、第2駆動回路82は、第2基板14の-Y軸方向側に設けられている。駆動回路80,82によって、発光層42bに電流を注入することができる。
The
第1駆動回路80は、ゲート電極38bと電気的に接続されている。図示の例では、第1駆動回路80は、パッド80aを有し、ワイヤー2、およびパッド8を介して、ゲート電極38bと電気的に接続されている。さらに、第1駆動回路80は、半導体層20と電気的に接続されている。図示の例では、第1駆動回路80は、パッド80bを有し、ワイヤー3を介して、半導体層20と電気的に接続されている。
The
第2駆動回路82は、配線72と電気的に接続されている。図示の例では、第2駆動回路82は、パッド82aを有し、ワイヤー4、およびパッド9を介して、配線72と電気的に接続されている。ワイヤー2,3,4およびパッド8,9,80a,80b,82aの材質は、導電性であれば、特に限定されない。パッド8は、例えば、ゲート電極38bと一体的に設けられている。パッド9は、例えば、配線72と一体的に設けられている。なお、図示はしないが、駆動回路80,82は、第2基板14上に形成されていてもよい。
The
発光装置100は、例えば、以下の特徴を有する。
The
発光装置100では、電流が注入されることで発光可能な複数のナノ構造体42を有する発光部40と、発光部40に対応して設けられ、ナノ構造体42へ注入される電流量を制御するトランジスター30と、を含む。そのため、発光装置100では、発光部40の発光量を制御することができる。また、発光装置100では、トランジスター30を制御することにより、発光部40ごとに発光のタイミングを制御することができる。
In the
発光装置100では、基体10と、基体10に設けられた第1半導体層20と、を含み、ナノ構造体42は、第1半導体層20から突出している柱状部である。そのため、発光装置100では、基体10の格子定数と半導体層20の格子定数とが異なることに起因して生じる転位が、ナノ構造体42の一定の高さ以上の領域に存在する可能性を小さくすることができる。さらに、第1半導体層20は、例えば、クラッド層として機能することができ、発光部40で生じた光が基体10側に漏れることを抑制することができる。
The
発光装置100では、ナノ構造体42は、第2半導体層42aと、第2半導体層42aと導電型の異なる第3半導体層42cと、第2半導体層42aと第3半導体層42cとの間に設けられ、電流が注入されることで発光可能な発光層42bと、を有している。そのため、発光装置100では、基体10の格子定数と半導体層20の格子定数とが異なることに起因して生じる転位が、発光層42bに存在する可能性を小さくすることができる。
In the
発光装置100では、ソース領域32およびドレイン領域34は、第1半導体層20に設けられている。このように、発光装置100では、同一基板上に(1つの基体10に)トランジスター30および発光部40を形成することができる。したがって、発光装置100では、トランジスター30および発光部40を別々の基板に設ける場合に比べて、小型化を図ることができる。
In the
発光装置100では、ドレイン領域34は、第2半導体層42aと電気的に接続されている。そのため、発光装置100では、トランジスター30によって、発光部40に注入される電流量を制御することができ、発光部の発光量を制御することができる
発光装置100では、発光部40は、隣り合うナノ構造体42の間に設けられ、発光層42bにおいて生じた光を伝搬させる光伝搬層44を有する。そのため、発光装置100では、発光層42bにおいて生じた光が基体10の面内方向(平面方向)に伝搬することができ、発光層42bにおいて利得を受けてレーザー発振することができる。
In the
発光装置100では、発光部40の側壁41には、第1絶縁層50が設けられている。そのため、発光装置100では、第1絶縁層50によって、発光部40に注入される電流が側壁41からリークすることを抑制することができる。
In the
発光装置100では、第1半導体層20は、GaN層である。そのため、発光装置100では、第2半導体層42aがGaN層である場合に、第1半導体層20の格子状数と第2半導体層22の格子状数との差に起因する応力が生じることを抑制することができる。
In the
発光装置100では、発光部40は、アレイ状に設けられている。したがって、発光装置100では、1つの発光部40を画素として映像を形成することができる自発光イメージャーを構成することができる。
In the
発光装置100では、光伝搬層44の屈折率は、発光層42bの屈折率よりも低い。そのため、発光装置100では、発光層42bにおいて生じた光は、光伝搬層44を平面方向に伝搬しやすい。
In the
発光装置100では、第1絶縁層50は、発光部40を囲んで設けられている。そのため、発光装置100では、より確実に、発光部40に注入される電流が、配線72にリークすることを抑制することができる。発光装置100では、発光部40の第1側面41aと第2側面41bとの間、および発光部40の第3側面41cと第4側面41dとの間で定在波を形成することができる。したがって、発光装置100では、より低い閾値電流密度でレーザー発振を実現することができる。
In the
なお、上記では、InGaN系の発光層42bについて説明したが、発光層42bとしては、電流が注入されることで発光可能なあらゆる材料系を用いることができる。例えば、AlGaN系、AlGaAs系、InGaAs系、InGaAsP系、InP系、GaP系、AlGaP系などの半導体材料を用いることができる。半導体層20,22,42a,42cもGaN層に限定されず、上記の材料系に適応した材料から構成される。半導体層20,22,42a,42cは、例えば、InGaN層、AlGaN層、AlGaAs層、InGaAs層、InGaAsP層、InP層、GaP層、AlGaP層などである。
Although the InGaN-based
また、発光装置100では、複数の発光層42bは、同じ半導体材料系で形成されていなくてもよい。例えば、発光層42bを構成する半導体材料系を変えることにより、赤色光を出射する発光部40と、緑色光を出射する発光部40と、青色光を出射する発光部40と、が同一の基体10に設けられていてもよい。
Further, in the
また、上記では、半導体層20にトランジスター30のソース領域32およびドレイン領域34が設けられている形態について説明したが、本発明に係る発光装置は、発光部に対応するトランジスターは、駆動回路に設けられていてもよい。また、発光部に対応するトランジスターが基体10とは別の基体に設けられていてもよい。
Further, in the above description, the embodiment in which the
1.2. 発光装置の製造方法
次に、第1実施形態に係る発光装置100の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図8~図10は、第1実施形態に係る発光装置100の製造工程を模式的に示す断面図である。
1.2. Method for Manufacturing Light-emitting Device Next, a method for manufacturing the light-emitting
図8に示すように、例えば接合部材(図示せず)を用いて、第1基板12に第2基板14を接合させる。次に、第2基板14上に、半導体層16、半導体層20をこの順でエピタキシャル成長させる。次に、半導体層20をパターニングし、所定の位置に複数の開口部を形成する。次に、該開口部に半導体層22をエピタキシャル成長させ、別の開口部に素子分離層24をエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法、MBE(Molecular Beam Epitaxy)法などが挙げられる。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって行われる。
As shown in FIG. 8, for example, a joining member (not shown) is used to join the
図9に示すように、半導体層20,22上および素子分離層24に第3絶縁層43aを形成する。第3絶縁層43aは、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)法やスパッタ法による成膜、およびフォトリソグラフィーおよびエッチングによるパターニング(以下、単に「パターニング」ともいう)によって形成される。
As shown in FIG. 9, the third insulating
次に、第3絶縁層43a上にゲート電極38bを形成する。ゲート電極38bは、例えば、スパッタ法や真空蒸着法による成膜、およびパターニングによって形成される。
Next, the
次に、第3絶縁層43aをマスクとして、例えば、MOCVD法やMBE法などにより、半導体層20上に、半導体層42a、発光層42b、半導体層42cをこの順でエピタキシャル成長させる。本工程により、ナノ構造体42を形成することができる。
Next, using the third insulating
次に、ナノ構造体42の周囲に光伝搬層44を形成する。光伝搬層44は、例えば、MOCVD法やMBE法などによるELO(Epitaxial Lateral Overgrowth)法によって形成される。以上の工程により、発光部40を形成することができる。なお、発光部40を形成する工程と、ゲート絶縁層38aを形成する工程と、の順番は、特に限定されない。
Next, the
図10に示すように、発光部40の側壁41に、第1絶縁層50を形成する。第1絶縁層50は、例えば、基板(半導体層20,22、素子分離層24、発光部40を有する基板)の全面に絶縁層(図示せず)を成膜した後、該絶縁層をエッチバックすることにより形成される。本工程により、例えば、第3絶縁層43aをエッチングすることができ、第3絶縁層43およびゲート絶縁層38aが形成される。このように、発光装置100の製造方法では、第3絶縁層43およびゲート絶縁層38aを同一の工程によって形成することができるので、第3絶縁層43およびゲート絶縁層38aを別々の工程で形成する場合に比べて、製造工程を短縮することができる。
As shown in FIG. 10, the first insulating
図2に示すように、ゲート38および第1絶縁層50を覆うように、半導体層20上および素子分離層24上に、第2絶縁層60を形成する。第2絶縁層60は、例えば、スピンコート法やCVD法による成膜、およびパターニングによって形成される。
As shown in FIG. 2, the second insulating
次に、発光部40上に導電層70を形成する。導電層70は、例えば、スパッタ法や真空蒸着法による成膜、およびパターニングによって形成される。
Next, the
図1および図3に示すように、第2絶縁層60上および導電層70上に、配線72を形成する。配線72は、例えば、スパッタ法や真空蒸着法による成膜、およびパターニングによって形成される。
As shown in FIGS. 1 and 3, the
図1に示すように、例えば接合部材(図示せず)を用いて、第1基板12に駆動回路80,82を搭載する。次に、ワイヤー2,3,4によって電気的な接続を行う。
As shown in FIG. 1, the
以上の工程により、発光装置100を製造することができる。
By the above steps, the
1.3. 発光装置の変形例
1.3.1. 第1変形例
次に、第1実施形態の第1変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図11は、第1実施形態の第1変形例に係る発光装置110を模式的に示す断面図である。なお、図11では、互いに直交する3軸として、X軸、Y軸、およびZ軸を図示している。
1.3. Modification example of light emitting device 1.3.1. First Modified Example Next, the light emitting device according to the first modified example of the first embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing the
以下、第1実施形態の第1変形例に係る発光装置110において、上述した発光装置100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。このことは、以下に示す第1実施形態の第2変形例に係る発光装置において、同様である。
Hereinafter, in the
上述した発光装置100では、図6に示すように、第1絶縁層50は、例えば、単一の層によって構成されていた。これに対し、発光装置110では、図11に示すように、第1絶縁層50は、複数の層によって構成されている。
In the
発光装置110は、上述した発光装置100と同様の効果を有することができる。
The
発光装置110では、第1絶縁層50は、複数の層によって構成されている。そのため、発光装置110では、例えば、第1絶縁層50が単一の層から構成されている場合に比べて、第1絶縁層50の抵抗、あるいは容量を調整することが容易となる。
In the
1.3.2. 第2変形例
次に、第1実施形態の第2変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図12は、第1実施形態の第2変形例に係る発光装置110を模式的に示す断面図である。
1.3.2. Second Modified Example Next, the light emitting device according to the second modified example of the first embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing the
上述した発光装置100では、図4に示すように、発光部40に対応して、1つのトランジスター30が設けられていた。これに対し、発光装置120では、図12に示すように、発光部40に対応して、複数のトランジスター30が設けられている。図示の例では、発光部40に対応して、2つのトランジスター30が設けられている。なお、図示はしないが、発光装置120では、発光部40ごとに、ナノ構造体42と同じ数のトランジスター30が対応して設けられていてもよい。
In the above-mentioned
発光装置120は、上述した発光装置100と同様の効果を有することができる。
The
2. 第2実施形態
2.1. 発光装置
次に、第2実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図13は、第2実施形態に係る発光装置200を模式的に示す断面図である。なお、図13および後述する図14では、互いに直交する3軸として、X軸、Y軸、およびZ軸を図示している。
2. 2. Second Embodiment 2.1. Light-emitting device Next, the light-emitting device according to the second embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 13 is a cross-sectional view schematically showing the
以下、第2実施形態に係る発光装置200において、上述した発光装置100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
Hereinafter, in the
発光装置200では、図13に示すように、金属層90を含む点において、上述した発光装置100と異なる。
As shown in FIG. 13, the
金属層90は、第1絶縁層50の表面56に設けられている。金属層90は、発光層42bの平面方向に設けられている。図示の例では、金属層90は、第1絶縁層50と第2絶縁層60との間に設けられている。金属層90は、半導体層20と離間して設けられている。図示の例では、金属層90と半導体層20との間には、第3絶縁層43が位置している。第3絶縁層43は、金属層90と半導体層20とを電気的に分離している。金属層90は、例えば、銀層、銅層、アルミニウム層などである。
The
発光装置200は、上述した発光装置100と同様の効果を有することができる。
The
発光装置200では、第1絶縁層50の表面56に設けられた金属層90を含む。ここで、図示はしないが、仮に、発光部40の側壁41に直接、金属層90が設けられていると、金属層90は、所定の割合で可視光を吸収するため、側壁41に直接、金属層90を設けることは、好ましくない。金属層90が光を吸収すると金属層90が発熱し、発光装置の温度特性が悪化する場合がある。発光装置200では、発光部40と金属層90との間に第1絶縁層50が設けられているため、上記のような問題を回避することができる。
The
なお、発光装置200では、図14に示すように、金属層90は、導電層70と一体的に設けられていてもよい。この場合、金属層90と導電層70とを別々の工程で形成する場合に比べて、製造工程を短縮することができる。
In the
2.2. 発光装置の製造方法
次に、第2実施形態に係る発光装置200の製造方法について説明する。第2実施形態に係る発光装置200の製造方法は、例えば、スパッタ法や真空蒸着法などによる成膜、およびパターニングによって金属層90を形成すること以外は、上述した第1実施形態に係る発光装置100の製造方法と、基本的に同じである。したがって、その詳細な説明を省略する。
2.2. Method for manufacturing a light emitting device Next, a method for manufacturing the
2.3. 発光装置の変形例
次に、第2実施形態の変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図15は、第2実施形態の変形例に係る発光装置210を模式的に示す平面図である。図16は、第2実施形態の変形例に係る発光装置210を模式的に示す図15のXVI-XVI線断面図である。なお、図15および図16では、互いに直交する3軸として、X軸、Y軸、およびZ軸を図示している。
2.3. Modification example of the light emitting device Next, the light emitting device according to the modified example of the second embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 15 is a plan view schematically showing the
以下、第2実施形態の変形例に係る発光装置210において、上述した発光装置100,200の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
Hereinafter, in the
上述した発光装置200では、図13に示すように、金属層90は、第1絶縁層50の表面56に直接、設けられていた。これに対し、発光装置210では、図16に示すように、金属層90は、第2絶縁層60を介して、第1絶縁層50の表面56に設けられている。
In the
金属層90は、図15に示すように、配線72と接続されている。図示の例では、金属層90は、配線72と一体的に設けられている。金属層90は、平面視において、例えば、枠状の形状を有している。平面視において、発光部40の外縁および導電層70の外縁は、金属層90と重なっている。
As shown in FIG. 15, the
発光装置210は、上述した発光装置200と同様の効果を有することができる。
The
発光装置210では、金属層90は、第3半導体層42cと電気的に接続された配線72に接続されている。そのため、発光装置210では、第3半導体層42cに注入される電流に対する抵抗を小さくすることができる。
In the
発光装置210では、金属層90は、配線72と一体的に設けられている。そのため、発光装置210では、金属層90と配線72とを別々の工程で形成する場合に比べて、製造工程を短縮することができる。
In the
3. 第3実施形態
次に、第3実施形態に係るプロジェクターについて、図面を参照しながら説明する。図16は、第3実施形態に係るプロジェクター300を模式的に示す図である。なお、便宜上、図17では、プロジェクター300を構成する筐体を省略して図示している。
3. 3. Third Embodiment Next, the projector according to the third embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 16 is a diagram schematically showing the
プロジェクター300は、本発明に係る発光装置を含む。以下では、図17に示すように、発光装置100(発光装置100R,100G,100B)を含むプロジェクター300について説明する。
The
プロジェクター300は、筐体(図示せず)と、筐体に備えられている発光装置100R,100G,100B、クロスダイクロイックプリズム(色光合成手段)302、および投射レンズ(投射装置)304と、を含む。なお、便宜上、図17では、プロジェクター300を構成する筐体を省略し、さらに発光装置100R,100G,100Bを簡略化して図示している。
The
発光装置100R,100G,100Bは、それぞれ、赤色光、緑色光、青色光を出射する。発光装置100R,100G,100Bは、各々の発光部40を映像の画素として画像情報に応じて制御する(変調する)ことで、例えば液晶ライトバルブ(光変調装置)を用いずに、直接的に映像を形成することができる。
The
発光装置100R,100G,100Bから出射された光は、クロスダイクロイックプリズム302に入射する。クロスダイクロイックプリズム302は、発光装置100R,100G,100Bから出射された光を合成して投射レンズ304に導く。投射レンズ304は、発光装置100R,100G,100Bによって形成された映像を、拡大して図示しないスクリーン(表示面)に投射する。
The light emitted from the
具体的には、クロスダイクロイックプリズム302は、4つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は、投射光学系である投射レンズ304によりスクリーン上に投射され、拡大された画像が表示される。
Specifically, the cross
プロジェクター300では、発光装置100を含む。そのため、プロジェクター300では、例えば液晶ライトバルブ(光変調装置)を用いずに、直接的に映像を形成することができる。したがって、プロジェクター300では、液晶ライトバルブにおける透過ロス(光の一部が液晶ライトバルブを透過しないこと)を抑制することができ、高輝度化を図ることができる。さらに、プロジェクター300では、部品数を減らすことができ、低コスト化を図ることができる。さらに、プロジェクター300では、レーザー光を出射する発光装置100を含むため、LED(Light Emitting Diode)光を出射する場合に比べて、遠隔箇所から投影可能となる。
The
なお、例えば、赤色光を出射する発光部40(40R)と、緑色光を出射する発光部40(40G)と、青色光を出射する発光部40(40B)と、が同一の基体10に設けられた発光装置100を用いる場合は、プロジェクター300は、図18に示すように、発光装置100から出射された光は、クロスダイクロイックプリズムに入射せず、直接、投射レンズ304に入射する。この場合、1つの発光装置100で、フルカラーの像表示が可能となり、図17に示す例に比べて、小型化を図ることができる。
For example, a light emitting unit 40 (40R) that emits red light, a light emitting unit 40 (40G) that emits green light, and a light emitting unit 40 (40B) that emits blue light are provided on the
本発明に係る発光装置の用途は、上述した実施形態に限定されず、プロジェクター以外にも、屋内外の照明、ディスプレイのバックライト、レーザープリンター、スキャナー、車載用ライト、光を用いるセンシング機器、通信機器等の光源としても用いることが可能である。 The application of the light emitting device according to the present invention is not limited to the above-described embodiment, and in addition to the projector, indoor / outdoor lighting, display backlight, laser printer, scanner, in-vehicle light, sensing device using light, and communication. It can also be used as a light source for equipment and the like.
本発明は、本願に記載の特徴や効果を有する範囲で一部の構成を省略したり、各実施形態や変形例を組み合わせたりしてもよい。 In the present invention, some configurations may be omitted, or each embodiment or modification may be combined within the range having the features and effects described in the present application.
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。 The present invention includes substantially the same configurations as those described in the embodiments (eg, configurations with the same function, method and result, or configurations with the same purpose and effect). The present invention also includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced. Further, the present invention includes a configuration having the same action and effect as the configuration described in the embodiment or a configuration capable of achieving the same object. Further, the present invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment.
2,3,4…ワイヤー、8,9…パッド、10…基体、12…第1基板、14…第2基板、16,20,22…半導体層、24…素子分離層、30…トランジスター、32…ソース領域、34…ドレイン領域、36…チャネル領域、38…ゲート、38a…ゲート絶縁層、38b…ゲート電極、40,40R,40G,40B…発光部、41…側壁、41a…第1側面、41b…第2側面、41c…第3側面、41d…第4側面、42…ナノ構造体、42a…半導体層、42b…発光層、42c…半導体層、43,43a…第3絶縁層、44…光伝搬層、50…第1絶縁層、56…表面、60…第2絶縁層、70…導電層、72…配線、80…第1駆動回路、80a,80b…パッド、82…第2駆動回路、82a…パッド、90…金属層、100,100R,100G,100B,110,120,200,210…発光装置、300…プロジェクター、302…クロスダイクロイックプリズム、304…投射レンズ 2,3,4 ... Wire, 8,9 ... Pad, 10 ... Base, 12 ... First substrate, 14 ... Second substrate, 16,20,22 ... Semiconductor layer, 24 ... Element separation layer, 30 ... Transistor, 32 ... Source region, 34 ... Drain region, 36 ... Channel region, 38 ... Gate, 38a ... Gate insulating layer, 38b ... Gate electrode, 40, 40R, 40G, 40B ... Light emitting part, 41 ... Side wall, 41a ... First side surface, 41b ... 2nd side surface, 41c ... 3rd side surface, 41d ... 4th side surface, 42 ... nanostructure, 42a ... semiconductor layer, 42b ... light emitting layer, 42c ... semiconductor layer, 43, 43a ... third insulating layer, 44 ... Optical propagation layer, 50 ... first insulating layer, 56 ... surface, 60 ... second insulating layer, 70 ... conductive layer, 72 ... wiring, 80 ... first drive circuit, 80a, 80b ... pad, 82 ... second drive circuit , 82a ... Pad, 90 ... Metal layer, 100, 100R, 100G, 100B, 110, 120, 200, 210 ... Light emitting device, 300 ... Projector, 302 ... Cross dichroic prism, 304 ... Projection lens
Claims (14)
電流が注入されることで発光可能な複数のナノ構造体を有する発光部と、
前記発光部に対応して設けられ、前記ナノ構造体へ注入される電流量を制御するトラン
ジスターと、
前記複数のナノ構造体に電流を注入する導電層と、
前記基体に設けられた第1半導体層と、を含み、
前記複数のナノ構造体の各々は、前記第1半導体層から突出している柱状部であり、
前記複数のナノ構造体は、前記基体と前記導電層との間に設けられ、
前記発光部の側壁に、第1絶縁層が設けられ、
前記第1絶縁層の表面に金属層が設けられ、
前記複数のナノ構造体の各々は、
第2半導体層と、
前記第2半導体層と導電型の異なる第3半導体層と、
前記第2半導体層と前記第3半導体層との間に設けられ、電流が注入されることで発
光可能な発光層と、を有し、
前記第2半導体層は、前記基体と前記発光層との間に設けられ
前記導電層は、前記第3半導体層と電気的に接続され、
前記金属層は、前記導電層と電気的に接続されている、発光装置。 With the substrate
A light emitting part having a plurality of nanostructures capable of emitting light by injecting an electric current,
A transistor provided corresponding to the light emitting portion and controlling the amount of current injected into the nanostructure,
A conductive layer that injects an electric current into the plurality of nanostructures,
Including a first semiconductor layer provided on the substrate,
Each of the plurality of nanostructures is a columnar portion protruding from the first semiconductor layer, and is a columnar portion.
The plurality of nanostructures are provided between the substrate and the conductive layer, and are provided.
A first insulating layer is provided on the side wall of the light emitting portion.
A metal layer is provided on the surface of the first insulating layer, and the metal layer is provided.
Each of the plurality of nanostructures
The second semiconductor layer and
A third semiconductor layer having a different conductive type from the second semiconductor layer,
It has a light emitting layer provided between the second semiconductor layer and the third semiconductor layer and capable of emitting light by injecting an electric current.
The second semiconductor layer is provided between the substrate and the light emitting layer, and the conductive layer is electrically connected to the third semiconductor layer.
The metal layer is a light emitting device that is electrically connected to the conductive layer.
前記金属層を覆う第2絶縁層を有する、発光装置。 In claim 1,
A light emitting device having a second insulating layer covering the metal layer.
前記第1絶縁層と前記第1半導体層の間に、第3絶縁層が設けられている、発光装置。 In claim 1 or 2,
A light emitting device in which a third insulating layer is provided between the first insulating layer and the first semiconductor layer.
前記トランジスターは、
ソース領域およびドレイン領域と、
前記ソース領域と前記ドレイン領域との間のチャネル領域と、
前記チャネル領域に流れる電流を制御するゲートと、
を有し、
前記ソース領域および前記ドレイン領域は、前記第1半導体層に設けられている、発光
装置。 In claim 3,
The transistor is
Source area and drain area,
The channel region between the source region and the drain region,
A gate that controls the current flowing in the channel region,
Have,
The source region and the drain region are light emitting devices provided in the first semiconductor layer.
前記ソース領域または前記ドレイン領域は、前記第2半導体層と電気的に接続されてい
る、発光装置。 In claim 4,
A light emitting device in which the source region or the drain region is electrically connected to the second semiconductor layer.
前記金属層は、配線と電気的に接続されている、発光装置。 In any one of claims 1 to 5,
The metal layer is a light emitting device that is electrically connected to wiring.
前記配線は、前記トランジスターと電気的に接続されている、発光装置。 In claim 6,
The wiring is a light emitting device that is electrically connected to the transistor.
前記導電層は、前記第2絶縁層の一部を覆っている、発光装置。 In claim 2,
The conductive layer is a light emitting device that covers a part of the second insulating layer.
前記第1半導体層は、GaN層、InGaN層、AlGaN層、AlGaAs層、In
GaAs層、InGaAsP層、InP層、GaP層、またはAlGaP層である、発光
装置。 In any one of claims 2 to 8,
The first semiconductor layer includes a GaN layer, an InGaN layer, an AlGaN layer, an AlGaAs layer, and an In.
A light emitting device which is a GaAs layer, an InGaAsP layer, an InP layer, a GaP layer, or an AlGaP layer.
前記発光部は、アレイ状に設けられている、発光装置。 In any one of claims 1 to 9,
The light emitting unit is a light emitting device provided in an array.
前記金属層と前記第1半導体層の間に、前記第3絶縁層が設けられている、発光装置。 In claim 3,
A light emitting device in which the third insulating layer is provided between the metal layer and the first semiconductor layer.
前記第2半導体層および前記発光層の積層方向から見た平面視で、前記導電層の外縁は
前記金属層と重なっている、発光装置。 In any one of claims 1 to 11,
A light emitting device in which the outer edge of the conductive layer overlaps with the metal layer in a plan view seen from the stacking direction of the second semiconductor layer and the light emitting layer .
前記第1絶縁層は、複数の層で構成されている、発光装置。 In any one of claims 1 to 12,
The first insulating layer is a light emitting device composed of a plurality of layers.
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