JP6995593B2 - Imprint method, imprint device and manufacturing method of goods - Google Patents

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Description

本発明は、型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法に関する。 The present invention relates to an imprint method for forming a pattern of an imprint material on a substrate using a mold.

半導体デバイスやＭＥＭＳなどの物品を製造する方法として、型（モールド）を用いて基板上のインプリント材を成形するインプリント方法が知られている。インプリント方法は、基板上にインプリント材を供給し、供給されたインプリント材と型を接触させる（押印）。そして、インプリント材と型を接触させた状態でインプリント材を硬化させた後、硬化したインプリント材から型を引き離す（離型）ことにより、基板上にインプリント材のパターンが形成される。インプリント方法によって基板上にインプリント材のパターンを形成する装置をインプリント装置と呼ぶ。インプリント装置は、型を介して光を照射することによって、インプリント材と型を接触させた状態でインプリント材を硬化させることができる。 As a method for manufacturing articles such as semiconductor devices and MEMS, an imprint method for molding an imprint material on a substrate using a mold is known. In the imprint method, an imprint material is supplied on a substrate, and the supplied imprint material is brought into contact with a mold (seal). Then, after the imprint material is cured in a state where the imprint material and the mold are in contact with each other, the mold is separated from the cured imprint material (mold release), so that a pattern of the imprint material is formed on the substrate. .. A device that forms a pattern of imprint material on a substrate by an imprint method is called an imprint device. The imprint device can cure the imprint material in a state where the imprint material and the mold are in contact with each other by irradiating the imprint material with light through the mold.

特許文献１のインプリント方法は、基板上のインプリント材を硬化させるための光を照射する時間を複数に分割して照射し、その間にアライメント検出系により基板と型の位置ずれ量を求めている。さらに、特許文献１のインプリント方法は、求めた位置ずれ量に基づいて基板と型の位置合わせを行うことで、インプリント材を硬化させるための光を照射中に生じる位置ずれを低減している。インプリント装置では、インプリント材を硬化させるために必要な光の照射時間や照度を適切に制御する必要がある。 In the imprint method of Patent Document 1, the time for irradiating the imprint material on the substrate with light is divided into a plurality of times, and the amount of misalignment between the substrate and the mold is obtained by an alignment detection system during that time. There is. Further, the imprint method of Patent Document 1 reduces the misalignment generated during irradiation with light for curing the imprint material by aligning the substrate and the mold based on the obtained misalignment amount. There is. In the imprint device, it is necessary to appropriately control the irradiation time and the illuminance of the light required to cure the imprint material.

特開２０１３－１６８５０４号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2013-168504

インプリント材を硬化させる光の照度は使用時間と共に低下するため、光を照射する照射時間や照度を定期的に補正する必要がある。インプリント装置に備えられた光量センサを用いて光の照度を計測し経時変化分を補正する方式では、生産を停止して補正用計測を行うために生産性が低下する。 Since the illuminance of the light that cures the imprint material decreases with the usage time, it is necessary to periodically correct the irradiation time and the illuminance to irradiate the light. In the method of measuring the illuminance of light by using the light amount sensor provided in the imprint device and correcting the change with time, the productivity is lowered because the production is stopped and the correction measurement is performed.

本発明は、生産性を低下させることなくインプリント材を硬化させるための光の照射量の補正を行うことができるインプリント方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide an imprint method capable of correcting the irradiation amount of light for curing an imprint material without lowering the productivity.

本発明のインプリント方法は、型を用いて基板上に形成された複数のショット領域に対してインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、前記基板に形成されたマークと前記型に形成されたマークを検出することによって前記基板と前記型の相対的な振動を計測する計測工程と、前記インプリント材に光を照射する照射工程と、を有し、前記照射工程において、前記複数のショット領域のそれぞれにおける前記計測工程の計測結果に基づいて求められた、前記照射工程で前記インプリント材に照射される光の照射量の変化に基づいて、前記インプリント材に照射する光の照射時間と照度の少なくとも一方を調整することを特徴とする。 The imprint method of the present invention is an imprint method for forming a pattern of an imprint material for a plurality of shot regions formed on a substrate by using a mold, and is a mark formed on the substrate and the mold. It has a measurement step of measuring the relative vibration between the substrate and the mold by detecting the mark formed on the imprint material, and an irradiation step of irradiating the imprint material with light. The light to be applied to the imprint material based on the change in the irradiation amount of the light to be applied to the imprint material in the irradiation process, which is obtained based on the measurement result of the measurement process in each of the plurality of shot regions. It is characterized by adjusting at least one of the irradiation time and the illuminance of.

本発明によれば、生産性を低下させることなくインプリント材を硬化せるための光の照射量の補正を行うことができる点で有利なインプリント方法を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide an advantageous imprint method in that the irradiation amount of light for curing the imprint material can be corrected without lowering the productivity.

第１実施形態のインプリント装置および供給機構を示した図である。It is a figure which showed the imprint apparatus and the supply mechanism of 1st Embodiment. 第１実施形態のインプリント装置の基板搬送機構を示した図である。It is a figure which showed the substrate transfer mechanism of the imprint apparatus of 1st Embodiment. インプリント装置で用いられる型を示した図である。It is a figure which showed the mold used in the imprint apparatus. 第１実施形態のアライメントスコープの計測値を示した図である。It is a figure which showed the measured value of the alignment scope of 1st Embodiment. 照度低下時のアライメントスコープの計測値を示した図である。It is a figure which showed the measured value of the alignment scope at the time of illuminance decrease. 第１実施形態のパターン形成方法を示した図である。It is a figure which showed the pattern formation method of 1st Embodiment. 硬化時の位置ずれを示した図である。It is a figure which showed the position shift at the time of curing. 第２実施形態のアライメントスコープ計測値を示した図である。It is a figure which showed the alignment scope measurement value of 2nd Embodiment. 第２実施形態のパターン形成方法を示した図である。It is a figure which showed the pattern formation method of 2nd Embodiment. 物品の製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of an article.

以下、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, in each figure, the same reference number is given to the same member, and duplicate description is omitted.

（第１実施形態）
図１（ａ）は第１実施形態におけるインプリント装置１００の構成を示した図である。図１（ａ）を用いてインプリント装置１００の構成について説明する。ここでは、基板１０３が配置される面をＸＹ面、それに直交する方向をＺ方向として、図１（ａ）に示したように各軸を決める。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材を型（モールド）と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。図１（ａ）のインプリント装置１００は、物品としての半導体デバイスなどのデバイスの製造に使用される。 (First Embodiment)
FIG. 1A is a diagram showing the configuration of the imprint device 100 according to the first embodiment. The configuration of the imprint device 100 will be described with reference to FIG. 1 (a). Here, each axis is determined as shown in FIG. 1A, where the plane on which the substrate 103 is arranged is the XY plane and the direction orthogonal to the plane is the Z direction. The imprint device brings the imprint material supplied on the substrate into contact with the mold (mold) and applies energy for curing to the imprint material to form a pattern of the cured product to which the uneven pattern of the mold is transferred. It is a device to do. The imprint device 100 of FIG. 1A is used for manufacturing a device such as a semiconductor device as an article.

インプリント材を硬化させる方法には、硬化用のエネルギーに熱を用いる熱サイクル法や硬化用のエネルギーに光を用いる光硬化法などがある。熱サイクル法では、熱可塑性樹脂をガラス転移温度以上の温度に加熱し、樹脂の流動性を高めた状態で樹脂を介して基板に型を押し付け、冷却した後に樹脂から型を引き離すことによりパターンが形成される。光硬化法では、紫外線硬化樹脂を使用し、樹脂を介して基板に型を押し付けた状態で紫外線を照射して樹脂を硬化させた後、硬化した樹脂から型を引き離すことによりパターンが形成される。本実施形態では光硬化法を採用したインプリント装置１００について説明する。 Methods for curing the imprint material include a heat cycle method that uses heat as the energy for curing and a photocuring method that uses light as the energy for curing. In the thermal cycle method, the thermoplastic resin is heated to a temperature higher than the glass transition temperature, the mold is pressed against the substrate through the resin in a state where the fluidity of the resin is increased, and the mold is separated from the resin after cooling to form a pattern. It is formed. In the photocuring method, a pattern is formed by using an ultraviolet curable resin, irradiating the resin with ultraviolet rays while pressing the mold against the substrate through the resin to cure the resin, and then pulling the mold away from the cured resin. .. In this embodiment, the imprint device 100 that employs the photocuring method will be described.

インプリント装置１００は、型１０２を保持する型保持機構１０１、基板１０３を保持する基板ステージ１０４、インプリント材を硬化させる硬化部１０５、インプリント材を供給する供給機構１０６を備える。 The imprint device 100 includes a mold holding mechanism 101 for holding the mold 102, a substrate stage 104 for holding the substrate 103, a curing portion 105 for curing the imprint material, and a supply mechanism 106 for supplying the imprint material.

型保持機構１０１は、型１０２を吸着することで保持する機構である。図１（ｂ）に本実施形態の型保持機構１０１を示す。型保持機構１０１は、型チャック１１０により型１０２を吸着することで型１０２を保持する。圧力制御機構１１１はシールガラス１１２と型１０２の裏面で囲まれた空間の気圧を増減することが可能である。圧力制御機構１１１により型１０２の裏面の空間の気圧をインプリント装置１００内の気圧より局所的に上昇させることにより型１０２の裏面に形成されたくぼみ部３０２を型チャック１１０と反対側に凸形状へ変形させることが可能である。型保持機構１０１はＺ方向へ駆動することにより型１０２を基板１０３上に供給されたインプリント材に接触させたり（押印）、引き離したり（離型）する。型１０２は、モールド、テンプレートまたは原版とも呼ばれうる。 The mold holding mechanism 101 is a mechanism for holding the mold 102 by adsorbing it. FIG. 1B shows the mold holding mechanism 101 of the present embodiment. The mold holding mechanism 101 holds the mold 102 by sucking the mold 102 by the mold chuck 110. The pressure control mechanism 111 can increase or decrease the air pressure in the space surrounded by the seal glass 112 and the back surface of the mold 102. By locally raising the air pressure in the space on the back surface of the mold 102 from the air pressure in the imprint device 100 by the pressure control mechanism 111, the recessed portion 302 formed on the back surface of the mold 102 has a convex shape on the opposite side to the mold chuck 110. It is possible to transform it into. The mold holding mechanism 101 is driven in the Z direction to bring the mold 102 into contact with the imprint material supplied on the substrate 103 (seal) or to separate (release) the mold 102. Mold 102 may also be referred to as a mold, template or original plate.

基板ステージ１０４は、ステージ定盤１１３上をｘ、ｙ、ｚ方向および各軸周りの回転方向に駆動可能である。基板ステージ１０４には基板チャック１０８が構成される。基板チャック１０８は、基板吸着機構（不図示）により基板１０３を吸着することで基板１０３を吸着保持する。基板チャック１０８は１つあるいは複数の領域からなり各領域に基板吸着機構が構成される。基板１０３の表面には、表面エネルギーを下げるための添加剤を含む調整用混合液を予めスピンコートしておいても良い。 The substrate stage 104 can be driven on the stage surface plate 113 in the x, y, z directions and the rotation direction around each axis. A substrate chuck 108 is configured on the substrate stage 104. The substrate chuck 108 sucks and holds the substrate 103 by sucking the substrate 103 by a substrate suction mechanism (not shown). The substrate chuck 108 is composed of one or a plurality of regions, and a substrate adsorption mechanism is configured in each region. The surface of the substrate 103 may be spin-coated in advance with an adjusting mixture containing an additive for lowering the surface energy.

硬化部１０５（照射部）はインプリント材４０１を硬化可能な波長を含んだ光を照射する光源を含む。本実施形態では、インプリント材４０１としては紫外線の照射によって硬化する光硬化樹脂を用い、光源として紫外線を照射するものを用いる。硬化部１０５の光源の照度は時間経過とともに低下するため、インプリント材を硬化させるための露光量は照射時間あるいは光源の電圧により制御する。 The cured portion 105 (irradiating portion) includes a light source that irradiates the imprint material 401 with light having a wavelength that can be cured. In the present embodiment, a photocurable resin that is cured by irradiation with ultraviolet rays is used as the imprint material 401, and a material that is irradiated with ultraviolet rays is used as a light source. Since the illuminance of the light source of the cured portion 105 decreases with the passage of time, the exposure amount for curing the imprint material is controlled by the irradiation time or the voltage of the light source.

供給機構１０６（ディスペンサ）は、図１のｘ、ｙ、ｚ方向の並進、回転駆動を可能とする駆動部、インプリント材を供給するためのノズル部１２２、インプリント材４０１をノズル部１２２に供給するための供給部を含む。図１（ｃ）に供給機構１０６をノズル部１２２から見た図を示す。供給機構１０６のノズル部１２２にはインプリント材４０１を吐出するためのｘ方向に１～数列、ｙ方向に数千個の吐出口が形成されている。吐出口は数μｍ～数十μｍ程度の吐出穴で構成される。供給機構１０６のノズル部１２２と基板１０３との間隔は、基板上におけるインプリント材の供給位置の精度を維持するために数百μｍ～数ｍｍ程度に調整される。 The supply mechanism 106 (dispenser) has a drive unit that enables translation and rotation drive in the x, y, and z directions of FIG. 1, a nozzle unit 122 for supplying imprint material, and an imprint material 401 to the nozzle unit 122. Includes a supply unit for supply. FIG. 1C shows a view of the supply mechanism 106 from the nozzle portion 122. The nozzle portion 122 of the supply mechanism 106 is formed with one to several rows in the x direction and several thousand discharge ports in the y direction for discharging the imprint material 401. The discharge port is composed of discharge holes of several μm to several tens of μm. The distance between the nozzle portion 122 of the supply mechanism 106 and the substrate 103 is adjusted to about several hundred μm to several mm in order to maintain the accuracy of the supply position of the imprint material on the substrate.

インプリント材には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。 As the imprint material, a curable composition (sometimes referred to as an uncured resin) that cures when energy for curing is applied is used. Electromagnetic waves, heat, etc. are used as the energy for curing. The electromagnetic wave is, for example, light such as infrared rays, visible light, or ultraviolet rays whose wavelength is selected from the range of 10 nm or more and 1 mm or less.

硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。 The curable composition is a composition that cures by irradiation with light or by heating. Of these, the photocurable composition that is cured by light may contain at least a polymerizable compound and a photopolymerization initiator, and may contain a non-polymerizable compound or a solvent, if necessary. The non-polymerizable compound is at least one selected from the group of sensitizers, hydrogen donors, internal release mold release agents, surfactants, antioxidants, polymer components and the like.

インプリント材は、スピンコーターやスリットコーターにより基板上に膜状に付与される。或いは液体噴射ヘッドにより、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上、１００ｍＰａ・ｓ以下である。 The imprint material is applied in the form of a film on the substrate by a spin coater or a slit coater. Alternatively, the liquid injection head may be applied on the substrate in the form of droplets or in the form of islands or films formed by connecting a plurality of droplets. The viscosity of the imprint material (viscosity at 25 ° C.) is, for example, 1 mPa · s or more and 100 mPa · s or less.

基板は、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板としては、具体的に、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスなどである。 As the substrate, glass, ceramics, metal, semiconductor, resin or the like is used, and if necessary, a member made of a material different from the substrate may be formed on the surface thereof. Specific examples of the substrate include silicon wafers, compound semiconductor wafers, and quartz glass.

硬化部１０５の光源は紫外線を照射するものとしたが、光源の光の波長は、基板上に供給されるインプリント材に応じて適宜決めることができる。 The light source of the cured portion 105 is assumed to irradiate ultraviolet rays, but the wavelength of the light of the light source can be appropriately determined according to the imprint material supplied on the substrate.

インプリント装置１００は、型１０２を介して基板上のマークを検出可能な検出部１１６、型１０２を介さずに基板上のマークを検出可能な軸外検出部１０７、基板１０３の高さを計測する基板高さ計測機構１０９を備える。 The imprint device 100 measures the heights of the detection unit 116 that can detect the mark on the substrate via the mold 102, the off-axis detection unit 107 that can detect the mark on the substrate without the mold 102, and the substrate 103. The board height measuring mechanism 109 is provided.

検出部１１６は、型１０２に形成された型マーク３０６、基板１０３に形成された基板マーク、基板ステージ１０４に形成されたステージ基準マーク１１５を検出する。例えば、検出部１１６によって検出された型マーク３０６と基板マークの検出結果は、型１０２と基板１０３の相対位置の計測に使用される。相対位置の計測には、例えば特表２００８－５０９８２５号公報にて開示されているような検出装置が用いられる。相対位置の計測方法として、型マークと基板マークにより発生するモアレを用いた計測方法では、簡易な光学系で高い計測精度を出すことができる。また、モアレを用いた計測方法では型マークと基板マークからの光を解像力が小さい（ＮＡが小さい）スコープを用いることができるので、インプリント装置の型保持機構１０１上に複数の検出部１１６（スコープ）を配置することができる。これにより、例えばパターンが形成されるショット領域の四隅のマークを同時に検出することが可能になる。検出部１１６は、後述するように基板と型に形成されたマークを検出することで、基板と型の相対的な振動を計測する計測部として用いることができる。 The detection unit 116 detects the mold mark 306 formed on the mold 102, the substrate mark formed on the substrate 103, and the stage reference mark 115 formed on the substrate stage 104. For example, the detection results of the mold mark 306 and the substrate mark detected by the detection unit 116 are used for measuring the relative positions of the mold 102 and the substrate 103. For the measurement of the relative position, for example, a detection device as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-509825 is used. As a method for measuring the relative position, a measurement method using moire generated by a mold mark and a substrate mark can obtain high measurement accuracy with a simple optical system. Further, in the measurement method using moiré, a scope having a small resolving power (small NA) can be used for the light from the mold mark and the substrate mark, so that a plurality of detectors 116 ( Scope) can be placed. This makes it possible to simultaneously detect, for example, the marks at the four corners of the shot area where the pattern is formed. The detection unit 116 can be used as a measurement unit for measuring the relative vibration between the substrate and the mold by detecting the marks formed on the substrate and the mold as described later.

軸外検出部１０７は、型１０２を介さずに基板上のマークや基板ステージ１０４に形成されたステージ基準マーク１１５を検出する。軸外検出部１０７によって検出された基板上のマークとステージ基準マーク１１５の検出結果は、基板１０３と基板ステージ１０４の相対位置の計測に使用される。 The off-axis detection unit 107 detects the mark on the substrate and the stage reference mark 115 formed on the substrate stage 104 without going through the mold 102. The detection result of the mark on the substrate and the stage reference mark 115 detected by the off-axis detection unit 107 is used for measuring the relative position between the substrate 103 and the substrate stage 104.

基板高さ計測機構１０９は、例えば光学式の測距センサであり、基準面に原点調整されている。基板高さ計測機構１０９は、基準面に対する基板１０３の表面（被転写面）の高さを計測する。基準面はインプリント装置１００の設計値であって、型と基板上のインプリント材とが接触した際に、型に形成されたパターンの凹部にインプリント材が充填するために理想的な押印面である。 The substrate height measuring mechanism 109 is, for example, an optical ranging sensor, and its origin is adjusted to a reference plane. The substrate height measuring mechanism 109 measures the height of the surface (transferred surface) of the substrate 103 with respect to the reference surface. The reference surface is the design value of the imprint device 100, and is ideal for imprinting the recesses of the pattern formed in the mold when the imprint material comes into contact with the mold. It is a face.

また、インプリント装置１００は、型１０２を介して基板１０３を撮像可能な充填カメラ１１４を備える。充填カメラ１１４は、パターン部３０１（パターンが形成される基板１０３の領域）を型チャック１１０側から撮影し、基板１０３上に供給されたインプリント材４０１が型１０２に充填される過程を記録することができる。充填カメラ１１４により記録された画像は記憶装置（不図示）へ保存される。インプリント装置１００は、充填カメラ１１４によって撮像された撮像結果を用いて型１０２と基板１０３の相対的な傾きを調整したり、型１０２へのインプリント材４０１の充填の完了を判断したりすることができる。 Further, the imprint device 100 includes a filling camera 114 capable of taking an image of the substrate 103 via the mold 102. The filling camera 114 photographs the pattern portion 301 (the region of the substrate 103 on which the pattern is formed) from the mold chuck 110 side, and records the process of filling the mold 102 with the imprint material 401 supplied on the substrate 103. be able to. The image recorded by the filling camera 114 is stored in a storage device (not shown). The imprint device 100 adjusts the relative inclination of the mold 102 and the substrate 103 using the image pickup result imaged by the filling camera 114, and determines the completion of filling the imprint material 401 into the mold 102. be able to.

前述したインプリント装置の基板ステージ１０４は、ステージ基準マーク１１５、型１０２の高さを計測する型高さ計測機構１１７、光の照度を測定する照度検出器１２３を備える。 The substrate stage 104 of the imprint device described above includes a stage reference mark 115, a mold height measuring mechanism 117 for measuring the height of the mold 102, and an illuminance detector 123 for measuring the illuminance of light.

型高さ計測機構１１７は、例えば光学式の測距センサであり、基準面に原点調整されている。型高さ計測機構１１７は、基準面に対する型１０２の基板側の面に形成されたパターン面の高さを計測する。型高さ計測機構１１７の計測結果から型１０２の傾きを求めたり、型保持機構１０１に保持された型１０２のパターン面の位置を求めたりすることができる。 The mold height measuring mechanism 117 is, for example, an optical ranging sensor, and its origin is adjusted to a reference plane. The mold height measuring mechanism 117 measures the height of the pattern surface formed on the surface of the mold 102 on the substrate side with respect to the reference surface. The inclination of the mold 102 can be obtained from the measurement result of the mold height measuring mechanism 117, and the position of the pattern surface of the mold 102 held by the mold holding mechanism 101 can be obtained.

照度検出器１２３は、硬化部１０５の光源から照射された光の照度を測定する。照度検出器１２３が光を検出する際は、基板ステージ１０４が移動して照度検出器１２３が型保持機構１０１の下に配置されることにより、硬化部１０５の光源により照射された光の照度を測定する。照度検出器１２３による照度の測定を定期的に行うことにより、硬化部１０５の光源の照度低下量を計測し、硬化部１０５の光源の生成する照射量（露光量）を補正することができる。 The illuminance detector 123 measures the illuminance of the light emitted from the light source of the cured portion 105. When the illuminance detector 123 detects light, the substrate stage 104 moves and the illuminance detector 123 is arranged under the mold holding mechanism 101 to obtain the illuminance of the light emitted by the light source of the curing portion 105. Measure. By periodically measuring the illuminance by the illuminance detector 123, it is possible to measure the amount of decrease in illuminance of the light source of the cured portion 105 and correct the irradiation amount (exposure amount) generated by the light source of the cured portion 105.

インプリント材が単分子逐次光反応系である場合は、露光量に対するインプリント材の反応率は照度×時間に比例する。インプリント材が光ラジカル重合反応系である場合は、露光量に対するインプリント材の反応率は√（照度）×時間に比例する。インプリント材は、型１０２のパターン部３０１へ充填しやすいように粘弾性が低く設計される。インプリント材は、硬化部１０５の光源からの光により露光することで、光硬化反応が促進され粘弾性が高くなる。 When the imprint material is a single molecule sequential photoreactive system, the reaction rate of the imprint material with respect to the exposure amount is proportional to the illuminance × time. When the imprint material is a photoradical polymerization reaction system, the reaction rate of the imprint material with respect to the exposure amount is proportional to √ (illuminance) × time. The imprint material is designed to have low viscoelasticity so that it can be easily filled in the pattern portion 301 of the mold 102. By exposing the imprint material with light from the light source of the cured portion 105, the photocuring reaction is promoted and the viscoelasticity is increased.

インプリント装置１００は、型１０２と基板１０３との間に気体を供給するための部分気体供給部１２５を備える。部分気体供給部１２５は、気体としてヘリウムを型１０２と基板１０３との間の空間へと供給する。供給する気体としてヘリウムを用いることにより、ヘリウムが型１０２から抜けることによる押印時の充填性の向上および、露光時の酸素阻害によるインプリント材４０１の硬化欠陥の発生の抑止を行う。気体の供給量は型１０２のパターン部３０１と基板１０３の隙間量および気体供給量の組み合わせで数十通りの試作転写を行い、各隙間量における欠陥量を観察することにより最適なガス供給を調整する。 The imprint device 100 includes a partial gas supply unit 125 for supplying gas between the mold 102 and the substrate 103. The partial gas supply unit 125 supplies helium as a gas to the space between the mold 102 and the substrate 103. By using helium as the gas to be supplied, the filling property at the time of imprinting is improved by the helium coming out of the mold 102, and the occurrence of curing defects of the imprint material 401 due to oxygen inhibition at the time of exposure is suppressed. As for the gas supply amount, dozens of prototype transfers are performed by combining the gap amount and the gas supply amount between the pattern portion 301 of the mold 102 and the substrate 103, and the optimum gas supply is adjusted by observing the defect amount in each gap amount. do.

インプリント装置１００は、クリーンチャンバ１１８に収められており、気体を供給する気体供給部１２０、気体を回収する気体回収部１２１を備える。クリーンチャンバ１１８は、気流１１９を発生させる発生部（不図示）、ケミカルフィルタ（不図示）やパーティクルフィルタ（不図示）を含む。発生部は、インプリント装置１００から発生した熱や塵などを排気することを目的として、インプリント装置１００の内部に気流１１９を発生させる。発生部は、供給機構１０６と基板１０３あるいは基板ステージ１０４との間に気流１１９を発生させることを目的としてもよい。気流１１９は、供給機構１０６から吐出されたインプリント材４０１が基板１０３上の任意の位置に吐出されることを阻害しないように、気流１１９の方向は変化せず、一定の方向とすることができる。図１（ａ）では気流１１９をｘ方向で記載したが、ｙ方向に気流１１９を発生させてもかまわない。 The imprint device 100 is housed in a clean chamber 118, and includes a gas supply unit 120 for supplying gas and a gas recovery unit 121 for recovering gas. The clean chamber 118 includes a generation unit (not shown) that generates an air flow 119, a chemical filter (not shown), and a particle filter (not shown). The generation unit generates an air flow 119 inside the imprint device 100 for the purpose of exhausting heat, dust, and the like generated from the imprint device 100. The generation unit may be intended to generate an air flow 119 between the supply mechanism 106 and the substrate 103 or the substrate stage 104. The direction of the airflow 119 does not change and may be a constant direction so as not to prevent the imprint material 401 discharged from the supply mechanism 106 from being discharged to an arbitrary position on the substrate 103. can. Although the airflow 119 is described in the x direction in FIG. 1A, the airflow 119 may be generated in the y direction.

発生部は、気体を供給する気体供給部１２０および気体を回収する気体回収部１２１を含む。気体供給部１２０では、クリーンチャンバ１１８が設置される雰囲気の大気を取り込む。気体供給部１２０は、取り込んだ大気に僅かに含まれる化学物質や塵をケミカルフィルタやパーティクルフィルタで取り除き、送風口（不図示）からクリーンチャンバ１１８内部の空間へ清浄な大気を供給する。気体回収部１２１には真空ポンプを用いることができる。 The generation unit includes a gas supply unit 120 for supplying gas and a gas recovery unit 121 for recovering gas. The gas supply unit 120 takes in the atmosphere of the atmosphere in which the clean chamber 118 is installed. The gas supply unit 120 removes a small amount of chemical substances and dust contained in the taken-in atmosphere with a chemical filter or a particle filter, and supplies clean air from the air outlet (not shown) to the space inside the clean chamber 118. A vacuum pump can be used for the gas recovery unit 121.

図２に基板搬送ユニット２０１を示す。インプリント装置１００は、基板１０３をインプリント装置１００に搬入したり、インプリント装置１００から搬出したりする基板搬送ユニットを備える。基板搬送ユニット２０１は、上下方向駆動が可能であり、水平方向に回転が可能な基板搬送ハンド２０２、水平方向に回転および伸張駆動可能な第１基板搬送アーム２０３ａおよび第２基板搬送アーム２０３ｂにより構成される。基板搬送ハンド２０２は上面に吸着機構を具備し、基板１０３を吸着することが可能である。 FIG. 2 shows the substrate transfer unit 201. The imprint device 100 includes a board transfer unit for carrying the board 103 into and out of the imprint device 100. The board transfer unit 201 is composed of a board transfer hand 202 that can be driven in the vertical direction and can be rotated in the horizontal direction, a first substrate transfer arm 203a and a second board transfer arm 203b that can be rotated and extended in the horizontal direction. Will be done. The substrate transfer hand 202 is provided with a suction mechanism on the upper surface thereof, and can suck the substrate 103.

基板保管機構２０４は１つ以上のスロットを具備し、１枚以上の基板１０３を保管可能である。第１基板搬入出部２０５ａおよび第２基板搬入出部２０５ｂへは複数枚の基板１０３を保持した基板キャリア２０６が搬入出される。基板搬送ハンド２０２は基板ステージ１０４、基板保管機構２０４の任意のスロット、第１基板搬入出部２０５ａあるいは第２基板搬入出部２０５ｂに装着された基板キャリア２０６の任意のスロットへ基板１０３を１枚ずつ搬入あるいは搬出可能である。 The board storage mechanism 204 includes one or more slots and can store one or more boards 103. A board carrier 206 holding a plurality of boards 103 is carried in and out of the first board loading / unloading section 205a and the second board loading / unloading section 205b. The board transfer hand 202 has one board 103 in a board stage 104, an arbitrary slot of the board storage mechanism 204, an arbitrary slot of the board carrier 206 mounted on the first board loading / unloading section 205a or the second board loading / unloading section 205b. It can be carried in or out one by one.

図３にインプリント装置１００で用いられる型１０２の実施形態を示す。型１０２は、融解石英、有機ポリマー、金属を含むが、それらの材料のみに限定されない。型１０２は中央部に掘り込まれたくぼみ部３０２（コアアウト）を有する。くぼみ部３０２の厚みは数ｍｍ程度が適当である。型１０２のくぼみ部３０２のない側（パターン部３０１が形成されている面）を第１面、くぼみ部３０２が形成されている側を第２面とする。パターン部３０１は第１面側のくぼみ領域の中心に形成される。パターン部３０１はパターン基部３０５とパターンからなり、パターン基部３０５は３０μｍ程度の厚みで構成される。パターンは、パターン凹部３０３とパターン凸部３０４からなる。微小なパターンの場合は、その幅が数ｎｍ、十数ｎｍのパターンが形成されることもあり、その場合、パターン凸部３０４からパターン凹部３０３のパターン深さは数十ｎｍから数百ｎｍ程度で構成される。また、型１０２のパターン基部３０５には検出部１１６で使用するための型マーク３０６が形成されていてもよい。パターン基部３０５は、基板１０３に対して凸形状となっており、メサ部と呼ばれることがある。 FIG. 3 shows an embodiment of the mold 102 used in the imprint device 100. Mold 102 includes, but is not limited to, molten quartz, organic polymers, and metals. The mold 102 has a recessed portion 302 (core out) dug into the central portion. It is appropriate that the thickness of the recessed portion 302 is about several mm. The side of the mold 102 without the recessed portion 302 (the surface on which the pattern portion 301 is formed) is referred to as the first surface, and the side on which the recessed portion 302 is formed is referred to as the second surface. The pattern portion 301 is formed in the center of the recessed region on the first surface side. The pattern portion 301 is composed of a pattern base portion 305 and a pattern, and the pattern base portion 305 is configured with a thickness of about 30 μm. The pattern is composed of a pattern concave portion 303 and a pattern convex portion 304. In the case of a minute pattern, a pattern having a width of several nm or a dozen nm may be formed. In that case, the pattern depth from the pattern convex portion 304 to the pattern concave portion 303 is about several tens nm to several hundred nm. Consists of. Further, the pattern base 305 of the mold 102 may be formed with a mold mark 306 for use in the detection unit 116. The pattern base portion 305 has a convex shape with respect to the substrate 103, and is sometimes called a mesa portion.

（露光時間と検出部の計測値）
図４は、インプリント材４０１に型１０２を押印する工程とインプリント材４０１を硬化する工程における検出部１１６の計測値を示した図である。図４の縦軸は基板１０３に形成された基板マークと型１０２に形成された型マーク３０６を検出部１１６が検出した型１０２と基板１０３の相対位置の計測値を示す。ここで相対位置は、型１０２と基板１０３の目標位置に対する制御残差を示しており、図４型と基板との間に生じている相対的な振動の成分を抽出して表示している。以下の図においても、同様に相対的な振動の成分を抽出した結果を表示している。図４の横軸は押印工程の開始時の時間を０秒とし露光完了までの時間を示す。 (Exposure time and measured value of detection unit)
FIG. 4 is a diagram showing the measured values of the detection unit 116 in the step of imprinting the mold 102 on the imprint material 401 and the step of curing the imprint material 401. The vertical axis of FIG. 4 shows the measured values of the relative positions of the substrate 102 and the substrate 103 in which the detection unit 116 detects the substrate mark formed on the substrate 103 and the mold mark 306 formed on the mold 102. Here, the relative position indicates the control residual with respect to the target position of the mold 102 and the substrate 103, and the component of the relative vibration generated between the mold 102 and the substrate is extracted and displayed. In the figure below, the result of extracting the relative vibration component is also displayed. The horizontal axis of FIG. 4 shows the time until the exposure is completed, with the time at the start of the stamping process being 0 seconds.

充填時間５０１はインプリント材４０１と型１０２とが接触して型１０２のパターン部３０１に未硬化のインプリント材４０１が充填する時間を表す。露光時間５０２はインプリント材４０１を硬化部１０５の光源により露光する時間（光を照射する時間）を表す。基板１０３上に供給されるインプリント材４０１の粘弾性は低いため、基板ステージ１０４の制御残差や暗振動などの外乱により型１０２と基板１０３の未硬化時位置ずれ５０４（振動）が生じる。インプリント材４０１は光が照射され硬化することで、インプリント材４０１の粘弾性は高くなる。このため、未硬化時位置ずれ５０４に比べ硬化時位置ずれ５０５は小さくなる。 The filling time 501 represents the time when the imprint material 401 and the mold 102 come into contact with each other and the uncured imprint material 401 fills the pattern portion 301 of the mold 102. The exposure time 502 represents the time (time for irradiating light) for exposing the imprint material 401 with the light source of the cured portion 105. Since the viscoelasticity of the imprint material 401 supplied on the substrate 103 is low, a displacement 504 (vibration) between the mold 102 and the substrate 103 when uncured occurs due to disturbances such as control residuals of the substrate stage 104 and dark vibration. When the imprint material 401 is irradiated with light and cured, the viscoelasticity of the imprint material 401 becomes high. Therefore, the position shift 505 at the time of curing is smaller than the position shift 504 at the time of curing.

未硬化時位置ずれ５０４は、充填時間５０１の期間の検出部１１６による位置ずれの計測値の偏差より求める。未硬化時位置ずれ５０４に比べ硬化時位置ずれ５０５へ収束する硬化時間５０３は露光時間５０２の間の位置ずれの変化量が一定以下（しきい値以下）になるまでの時間より求める。硬化時間５０３はインプリント材４０１が単分子逐次光反応系である場合は（露光量／照度）、インプリント材４０１が光ラジカル重合反応系である場合は（露光量／√（照度））に比例する。硬化時位置ずれ５０５は露光時間５０２の内の硬化時間５０３以外の期間の検出部１１６による位置ずれの計測値の偏差より求める。ここで、インプリント材４０１が硬化するまでの位置ずれの時間変化率を硬化促進率として次のように定義する。
硬化促進率＝（未硬化時位置ずれ５０４－硬化時位置ずれ５０５）／硬化時間５０３・・・式（１） The uncured position deviation 504 is obtained from the deviation of the measured value of the position deviation by the detection unit 116 during the period of the filling time 501. The curing time 503 that converges to the curing position deviation 505 as compared with the uncured position deviation 504 is obtained from the time until the amount of change in the position deviation during the exposure time 502 becomes a certain amount or less (threshold value or less). The curing time 503 is set to (exposure amount / illuminance) when the imprint material 401 is a single-molecule sequential light reaction system and (exposure amount / √ (illuminance)) when the imprint material 401 is a photoradical polymerization reaction system. Proportional. The curing position deviation 505 is obtained from the deviation of the measured value of the positioning deviation by the detection unit 116 in the exposure time 502 during the period other than the curing time 503. Here, the time change rate of the positional shift until the imprint material 401 is cured is defined as the curing acceleration rate as follows.
Curing acceleration rate = (Position deviation when uncured 504-Position deviation when cured 505) / Curing time 503 ... Equation (1)

図５は、硬化部１０５の光源の照度が低下した際の、インプリント材４０１に型１０２を押印する工程とインプリント材４０１を硬化する工程における検出部１１６の計測値を示した図である。図５の縦軸は基板１０３に形成された基板マークと型１０２に形成された型マーク３０６を検出部１１６が検出した型１０２と基板１０３の相対位置の計測値を示す。図５の横軸は押印工程の開始時の時間を０秒とし露光完了までの時間を示す。 FIG. 5 is a diagram showing the measured values of the detection unit 116 in the process of imprinting the mold 102 on the imprint material 401 and the process of curing the imprint material 401 when the illuminance of the light source of the curing unit 105 is reduced. .. The vertical axis of FIG. 5 shows the measured values of the relative positions of the substrate 102 formed on the substrate 103 and the mold mark 306 formed on the mold 102 detected by the detection unit 116. The horizontal axis of FIG. 5 shows the time until the exposure is completed, with the time at the start of the stamping process being 0 seconds.

充填時間６０１はインプリント材４０１と型１０２とが接触して型１０２のパターン部３０１に未硬化のインプリント材４０１が充填する時間を表す。露光時間６０２はインプリント材４０１を硬化部１０５の光源により露光する時間（光を照射する時間）を表す。硬化部１０５の光源の照度が低下しているため、位置ずれ量が収束する硬化時間６０３は収束する硬化時間６０３より長くなり、硬化促進率は小さくなる。さらに、硬化部１０５の光源の照度が低下すると露光時間６０２内にインプリント材４０１の硬化が完了しなくなる恐れがある。 The filling time 601 represents the time when the imprint material 401 and the mold 102 come into contact with each other and the uncured imprint material 401 fills the pattern portion 301 of the mold 102. The exposure time 602 represents the time (time for irradiating light) for exposing the imprint material 401 with the light source of the cured portion 105. Since the illuminance of the light source of the curing portion 105 is reduced, the curing time 603 in which the amount of misalignment converges is longer than the curing time 603 in which the amount of misalignment converges, and the curing acceleration rate becomes smaller. Further, if the illuminance of the light source of the cured portion 105 decreases, the curing of the imprint material 401 may not be completed within the exposure time 602.

（補正方法）
このように、硬化部１０５の光源の照度が低下することにより生じる硬化促進率の変動に基づいて硬化部１０５の光源の露光量が任意の露光量（照射量）となるように補正する方法を説明する。 (Correction method)
As described above, a method of correcting the exposure amount of the light source of the curing portion 105 to be an arbitrary exposure amount (irradiation amount) based on the fluctuation of the curing acceleration rate caused by the decrease in the illuminance of the light source of the curing portion 105. explain.

まず、基板上にインプリント材のパターンを形成するためのプロセス条件調整を事前に行う。事前に行うプロセス条件調整は、仮決めしたプロセス条件でパターン形成を行い、アライメント結果、パターン転写結果などを評価しながらプロセス条件の調整を行う。プロセス条件の調整で調整される条件の１つに硬化部１０５による露光時間がある。 First, the process conditions for forming the imprint material pattern on the substrate are adjusted in advance. In the process condition adjustment performed in advance, the pattern is formed under the tentatively determined process conditions, and the process conditions are adjusted while evaluating the alignment result, the pattern transfer result, and the like. One of the conditions adjusted by adjusting the process conditions is the exposure time by the cured portion 105.

事前に行うプロセス条件調整は、プロセス条件調整で決定した露光時間Ｔｅ０および照度Ｉ０を記録する。また露光時間Ｔｅ０でパターンを形成した際の硬化促進率Ｒ０、硬化時間Ｔｃ０を検出部１１６の計測値より求める。 For the process condition adjustment performed in advance, the exposure time Te0 and the illuminance I0 determined by the process condition adjustment are recorded. Further, the curing acceleration rate R0 and the curing time Tc0 when the pattern is formed at the exposure time Te0 are obtained from the measured values of the detection unit 116.

（インプリント方法）
次に、事前に調整したプロセス条件である露光時間Ｔｅ０で、基板上にパターンを形成するインプリント方法を説明する。図６は、インプリント装置１００を用いて基板１０３上にインプリント材４０１のパターンを形成するインプリント方法を示した図である。 (Imprint method)
Next, an imprint method for forming a pattern on a substrate under an exposure time Te0, which is a process condition adjusted in advance, will be described. FIG. 6 is a diagram showing an imprint method for forming a pattern of the imprint material 401 on the substrate 103 using the imprint device 100.

まず、ステップＳ７０１では、基板１０３上にインプリント材４０１を指定された塗布パターンになるように基板ステージ１０４をｘ方向に駆動させながら供給機構１０６により塗布する。次に、ステップＳ７０２では、型１０２と基板１０３（インプリント材４０１）を近づけることにより、型１０２とインプリント材４０１を接触させ、型１０２にインプリント材４０１を充填する（充填工程）。次に、ステップＳ４０３で、インプリント装置１００は、型１０２とインプリント材４０１とを接触させた状態で硬化部１０５を用いて露光光を照射し、インプリント材４０１を硬化させる（露光工程）。 First, in step S701, the imprint material 401 is applied onto the substrate 103 by the supply mechanism 106 while driving the substrate stage 104 in the x direction so as to have a specified coating pattern. Next, in step S702, the mold 102 and the substrate 103 (imprint material 401) are brought into close contact with each other to bring the mold 102 and the imprint material 401 into contact with each other, and the mold 102 is filled with the imprint material 401 (filling step). Next, in step S403, the imprint device 100 irradiates the imprint material 401 with exposure light using the curing portion 105 in a state where the mold 102 and the imprint material 401 are in contact with each other to cure the imprint material 401 (exposure step). ..

ステップＳ７０４では、インプリント材４０１を硬化させた後、インプリント装置１００は、型１０２を硬化したインプリント材４０１から引き離す（離型工程）。硬化したインプリント材４０１から型１０２を引き離すことで、基板１０３上にインプリント材４０１のパターンが形成される。基板１０３に形成されたショット領域毎に、このような一連のインプリント処理をインプリント装置１００内で繰り返し実施することによって、基板１０３の全面にパターンを形成することができる。インプリント装置１００が、パターンを形成する際の主な条件としては、充填時間、露光時間あるいはインプリント材の塗布パターンがある。 In step S704, after the imprint material 401 is cured, the imprint device 100 pulls the mold 102 away from the cured imprint material 401 (mold release step). By pulling the mold 102 away from the cured imprint material 401, a pattern of the imprint material 401 is formed on the substrate 103. By repeatedly performing such a series of imprinting processes in the imprinting apparatus 100 for each shot region formed on the substrate 103, a pattern can be formed on the entire surface of the substrate 103. The main conditions for the imprint device 100 to form a pattern are a filling time, an exposure time, or a coating pattern of an imprint material.

ステップＳ７０１からＳ７０４の工程において基板上の第Ｎショット領域にパターンを形成した際の硬化促進率ＲＮ、硬化時間ＴｃＮを検出部１１６の計測値より求める。ただし、硬化促進率ＲＮ≦硬化促進率Ｒ０である。 In the steps S701 to S704, the curing acceleration rate RN and the curing time TcN when a pattern is formed in the Nth shot region on the substrate are obtained from the measured values of the detection unit 116. However, the curing acceleration rate RN ≦ the curing acceleration rate R0.

最後に、ステップＳ７０５にて露光補正量の算出を行う。ＴｃＮ＞Ｔｃ０の場合、硬化部１０５の光源の照度が低下している恐れがあることを表す。さらに、ＲＮ×Ｔｅ０＜Ｒ０×Ｔｃ０の場合、十分な硬化がなされていないことを表し、露光量の補正が必要である。 Finally, the exposure compensation amount is calculated in step S705. When TcN> Tc0, it means that the illuminance of the light source of the cured portion 105 may be lowered. Further, in the case of RN × Te0 <R0 × Tc0, it means that sufficient curing has not been performed, and it is necessary to correct the exposure amount.

露光量の補正を硬化部１０５の光源の露光時間で補正する場合の方法を述べる。以下の式（２）の計算により第Ｎ＋１ショットの露光時間ＴｅＮ＋１を算出する。
ＴｅＮ＋１＝Ｒ０／ＲＮ×Ｔｃ０・・・式（２） A method for correcting the exposure amount by the exposure time of the light source of the curing unit 105 will be described. The exposure time TeN + 1 of the N + 1th shot is calculated by the calculation of the following equation (2).
TeN + 1 = R0 / RN × Tc0 ... Equation (2)

あるいは、露光量の補正を硬化部１０５の光源の露光照度で補正する場合の方法を述べる。以下の式（３）の計算によりインプリント材４０１が単分子逐次光反応系である場合の露光照度ＩＮ＋１を算出する。
ＩＮ＋１＝Ｒ０／ＲＮ×Ｉ０・・・式（３） Alternatively, a method of correcting the exposure amount with the exposure illuminance of the light source of the curing portion 105 will be described. The exposure illuminance IN + 1 when the imprint material 401 is a single molecule sequential photoreactive system is calculated by the calculation of the following equation (3).
IN + 1 = R0 / RN × I0 ... Equation (3)

また、以下の式（４）の計算によりインプリント材４０１が光ラジカル重合反応系である場合の露光照度ＩＮ＋１を算出する。
ＩＮ＋１＝（Ｒ０／ＲＮ）＾２×Ｉ０・・・式（４） Further, the exposure illuminance IN + 1 when the imprint material 401 is a photoradical polymerization reaction system is calculated by the calculation of the following formula (4).
IN + 1 = (R0 / RN) ^ 2 × I0 ... Equation (4)

インプリント装置１００は、ここで求めた露光量の補正値となるように硬化部１０５の光源の露光照度を制御する。ここでは次ショット領域に対する露光時間や露光照度を補正するように述べたが、任意のＮ´ショット後の露光量を補正することも可能である。 The imprint device 100 controls the exposure illuminance of the light source of the curing unit 105 so as to obtain the correction value of the exposure amount obtained here. Here, it is described that the exposure time and the exposure illuminance for the next shot region are corrected, but it is also possible to correct the exposure amount after an arbitrary N'shot.

以上に述べたように本実施形態のインプリント装置は、露光中の位置ずれの変化量から硬化部１０５の光源の照度の低下を検出して照射時間と照度の少なくとも一方（露光量）の補正を行うことができる。 As described above, the imprint apparatus of the present embodiment detects a decrease in the illuminance of the light source of the cured portion 105 from the amount of change in the positional shift during exposure, and corrects at least one of the irradiation time and the illuminance (exposure amount). It can be performed.

（第２実施形態）
図７は、インプリント材４０１に型１０２を押印する工程とインプリント材４０１を硬化する工程における検出部１１６の計測値を示した図である。図７の縦軸は基板１０３に形成された基板マークと型１０２に形成された型マーク３０６を検出部１１６が検出した型１０２と基板１０３の相対位置の計測値を示す。図７の横軸は押印工程の開始時の時間を０秒とし露光完了までの時間を示す。 (Second Embodiment)
FIG. 7 is a diagram showing the measured values of the detection unit 116 in the step of imprinting the mold 102 on the imprint material 401 and the step of curing the imprint material 401. The vertical axis of FIG. 7 shows the measured values of the relative positions of the substrate 102 formed on the substrate 103 and the mold mark 306 formed on the mold 102 detected by the detection unit 116. The horizontal axis of FIG. 7 shows the time until the exposure is completed, with the time at the start of the stamping process being 0 seconds.

充填時間８０１はインプリント材４０１と型１０２とが接触して型１０２のパターン部３０１に未硬化のインプリント材４０１が充填する時間を表す。露光時間８０２はインプリント材４０１を硬化部１０５の光源により露光する時間（光を照射する時間）を表す。硬化時間８０３は未硬化時位置ずれが一定以下になるまでの時間を表す。基板１０３上に供給されるインプリント材４０１の粘弾性は低いため、基板ステージ１０４の暗振動などの外乱により型１０２と基板１０３の未硬化時位置ずれ（振動）が生じる。このため、インプリント材４０１を硬化させると、図７の硬化位置ずれ平均値８０４Ａ、８０４Ｂ、８０４Ｃに図示するように露光開始時点の型１０２と基板１０３の位置ずれ状態に依存して重ね合わせの精度が低下する恐れがある。 The filling time 801 represents the time when the imprint material 401 and the mold 102 come into contact with each other and the uncured imprint material 401 fills the pattern portion 301 of the mold 102. The exposure time 802 represents the time (time for irradiating light) for exposing the imprint material 401 with the light source of the cured portion 105. The curing time 803 represents the time until the position shift when uncured becomes a certain level or less. Since the viscoelasticity of the imprint material 401 supplied on the substrate 103 is low, the mold 102 and the substrate 103 are displaced (vibration) when uncured due to disturbance such as dark vibration of the substrate stage 104. Therefore, when the imprint material 401 is cured, as shown in the cured position shift average values 804A, 804B, and 804C in FIG. 7, the imprint material 401 is superposed depending on the position shift state of the mold 102 and the substrate 103 at the start of exposure. The accuracy may decrease.

そこで、第２実施形態では硬化位置ずれを低減するために予備露光を行なってインプリント材４０１の粘弾性を高める実施形態について説明する。 Therefore, in the second embodiment, an embodiment in which pre-exposure is performed in order to reduce the curing position shift to increase the viscoelasticity of the imprint material 401 will be described.

図８は、インプリント材４０１に型１０２を押印する工程と、インプリント材４０１を予備露光する工程と、インプリント材４０１を硬化する工程における検出部１１６の計測値を示した図である。図８の縦軸は基板１０３に形成された基板マークと型１０２に形成された型マーク３０６を検出部１１６が検出した型１０２と基板１０３の相対位置の計測値を示す。図８の横軸は押印工程の開始時の時間を０秒とし露光完了までの時間を示す。 FIG. 8 is a diagram showing the measured values of the detection unit 116 in the step of imprinting the mold 102 on the imprint material 401, the step of pre-exposing the imprint material 401, and the step of curing the imprint material 401. The vertical axis of FIG. 8 shows the measured values of the relative positions of the substrate 102 formed on the substrate 103 and the mold mark 306 formed on the mold 102 detected by the detection unit 116. The horizontal axis of FIG. 8 shows the time until the exposure is completed, with the time at the start of the stamping process being 0 seconds.

第１充填時間９０１はインプリント材４０１と型１０２とが接触して型１０２のパターン部３０１に未硬化のインプリント材４０１が充填する時間を表す。予備露光時間９０４はインプリント材４０１を硬化部１０５の光源により半露光する時間を表す。予備露光は、型１０２とインプリント材４０１を接触させ充填を開始した後、硬化部１０５の光源によりインプリント材４０１を硬化させるまでの間に行われる。予備露光はインプリント材４０１が半硬化させることで粘弾性が高くなる。ここで、インプリント材の半露光とは、インプリント材の粘弾性が高くなっているもの、型と基板の相対的な位置の変更が可能な状態（アライメント可能な状態）を示す。第２充填時間９０５はインプリント材４０１が半硬化の時間を表す。第２充填時間に検出部１１６の検出結果に基づいて型１０２と基板１０３の位置合わせを行うことができる。露光時間９０２はインプリント材４０１を硬化部１０５の光源により露光する時間（光を照射する時間）を表す。硬化時間９０３は半硬化時位置ずれが一定以下になるまでの時間を表す。 The first filling time 901 represents the time when the imprint material 401 and the mold 102 come into contact with each other and the uncured imprint material 401 fills the pattern portion 301 of the mold 102. The pre-exposure time 904 represents the time for which the imprint material 401 is half-exposed by the light source of the cured portion 105. The pre-exposure is performed after the mold 102 and the imprint material 401 are brought into contact with each other to start filling, and then until the imprint material 401 is cured by the light source of the cured portion 105. In the pre-exposure, the imprint material 401 is semi-cured to increase the viscoelasticity. Here, the semi-exposure of the imprint material indicates a state in which the viscoelasticity of the imprint material is high and a state in which the relative positions of the mold and the substrate can be changed (alignable state). The second filling time 905 represents the time for the imprint material 401 to be semi-cured. At the second filling time, the mold 102 and the substrate 103 can be aligned based on the detection result of the detection unit 116. The exposure time 902 represents the time (time for irradiating light) for exposing the imprint material 401 with the light source of the cured portion 105. The curing time 903 represents the time until the position shift at the time of semi-curing becomes a certain level or less.

図８に示すように、外乱に対する型１０２と基板１０３の半硬化時位置ずれ９０７は未硬化時位置ずれ９０６に対して小さくなる。予備露光により半硬化時位置ずれ９０７が未硬化時位置ずれ９０６に対して小さくなるため露光開始時点の型１０２と基板１０３の位置ずれも小さくなり、予備露光を行わない場合に比べ露光後の最終的な重ね合わせの精度が向上する。 As shown in FIG. 8, the semi-cured positional deviation 907 between the mold 102 and the substrate 103 due to disturbance is smaller than the uncured positional deviation 906. Since the misalignment 907 at the time of semi-curing becomes smaller than the misalignment 906 at the time of uncured by the pre-exposure, the misalignment between the mold 102 and the substrate 103 at the start of the exposure also becomes smaller, and the final post-exposure is compared with the case where the pre-exposure is not performed. The accuracy of superimposition is improved.

（補正方法）
このような予備露光を含むインプリント方法において、硬化部１０５の光源の照度が低下することにより生じる硬化促進率の変動に基づいて硬化部１０５の光源の露光量が任意の露光量となるように補正する方法を説明する。 (Correction method)
In the imprint method including such pre-exposure, the exposure amount of the light source of the curing portion 105 becomes an arbitrary exposure amount based on the fluctuation of the curing acceleration rate caused by the decrease in the illuminance of the light source of the curing portion 105. The method of correction will be described.

まず、基板上にインプリント材のパターンを形成するためのプロセス条件調整を事前に行う。事前に行うプロセス条件調整は、仮決めしたプロセス条件でパターン形成を行い、アライメント結果、パターン転写結果などを評価しながらプロセス条件の調整を行う。プロセス条件の調整で調整される条件に硬化部１０５による露光時間、予備露光時間がある。 First, the process conditions for forming the imprint material pattern on the substrate are adjusted in advance. In the process condition adjustment performed in advance, the pattern is formed under the tentatively determined process conditions, and the process conditions are adjusted while evaluating the alignment result, the pattern transfer result, and the like. The conditions adjusted by adjusting the process conditions include the exposure time by the cured portion 105 and the preliminary exposure time.

事前に行うプロセス条件調整は、プロセス条件調整で決定した露光時間Ｔｅ０、照度Ｉ０、予備露光時間Ｔｐｅ０、および予備露光照度Ｉｐ０を記録する。また、露光時間Ｔｅ０、照度Ｉ０、予備露光時間Ｔｐｅ０、予備露光照度Ｉｐ０でパターンを形成した際の効果促進率Ｒ０、硬化時間Ｔｃ０、予備硬化促進率Ｒｐ０および予備硬化時間Ｔｐｃ０を検出部１１６の計測値より求める。 For the process condition adjustment performed in advance, the exposure time Te0, the illuminance I0, the pre-exposure time Tpe0, and the pre-exposure illuminance Ip0 determined by the process condition adjustment are recorded. Further, the detection unit 116 measures the effect promotion rate R0, the curing time Tc0, the pre-curing acceleration rate Rp0, and the pre-curing time Tpc0 when the pattern is formed with the exposure time Te0, the illuminance I0, the pre-exposure time Tpe0, and the pre-exposure illuminance Ip0. Obtained from the value.

次に、事前に調整したプロセス条件である露光時間Ｔｅ０、予備露光時間Ｔｐ０で、基板上にパターンを形成するインプリント方法を説明する。図９は、インプリント装置１００を用いて基板１０３上にインプリント材４０１のパターンを形成するインプリント方法を示した図である。 Next, an imprint method for forming a pattern on a substrate with an exposure time Te0 and a preliminary exposure time Tp0, which are pre-adjusted process conditions, will be described. FIG. 9 is a diagram showing an imprint method for forming a pattern of the imprint material 401 on the substrate 103 using the imprint device 100.

まず、ステップＳ１００１では、基板１０３上にインプリント材４０１を指定された塗布パターンになるように基板ステージ１０４をｘ方向に駆動させながら供給機構１０６により塗布する。次に、ステップＳ１００２では、型１０２と基板１０３（インプリント材４０１）を近づけることにより、型１０２とインプリント材４０１を接触させ、型１０２にインプリント材４０１を充填する（第１充填工程）。次に、ステップＳ１００３で、インプリント装置１００は、型１０２とインプリント材４０１とを接触させた状態で硬化部１０５を用いて露光光を照射し、インプリント材４０１の予備露光を行なう（予備露光工程）。 First, in step S1001, the imprint material 401 is coated on the substrate 103 by the supply mechanism 106 while driving the substrate stage 104 in the x direction so as to have a designated coating pattern. Next, in step S1002, the mold 102 and the substrate 103 (imprint material 401) are brought into close contact with each other to bring the mold 102 and the imprint material 401 into contact with each other, and the mold 102 is filled with the imprint material 401 (first filling step). .. Next, in step S1003, the imprint device 100 irradiates the exposure light with the cured portion 105 in a state where the mold 102 and the imprint material 401 are in contact with each other to perform a preliminary exposure of the imprint material 401 (preliminary). Exposure process).

ステップＳ１００１からＳ１００３の工程において基板上の第Ｎショット領域にパターンを形成した際の予備硬化促進率ＲｐＮ、予備硬化時間ＴｐｃＮを検出部１１６の計測値より求める。ただし、予備硬化促進率ＲｐＮ≦予備硬化促進率Ｒｐ０である。 In the steps S1001 to S1003, the pre-curing acceleration rate RpN and the pre-curing time TpcN when a pattern is formed in the Nth shot region on the substrate are obtained from the measured values of the detection unit 116. However, the pre-curing acceleration rate RpN ≦ the pre-curing promotion rate Rp0.

ステップＳ１００４では、予備露光を行なった状態で型１０２にインプリント材４０１を充填する（第２充填工程）。この期間に型１０２と基板１０３の位置合わせを行ってもよい。次に、ステップＳ１００５で、インプリント装置１００は、型１０２とインプリント材４０１とを接触させた状態で硬化部１０５を用いて露光光を照射し、インプリント材４０１を硬化させる（露光工程）。ステップＳ１００６では、インプリント材４０１を硬化させた後、インプリント装置１００は、型１０２を硬化したインプリント材４０１から引き離す（離型工程）。硬化したインプリント材４０１から型１０２を引き離すことで、基板１０３上にインプリント材４０１のパターンが形成される。基板１０３に形成されたショット領域毎に、このような一連のインプリント処理をインプリント装置１００内で繰り返し実施することによって、基板１０３の全面にパターンを形成することができる。インプリント装置１００が、パターンを形成する際の主な条件としては、充填時間、露光時間あるいはインプリント材の塗布パターンがある。 In step S1004, the imprint material 401 is filled in the mold 102 with the preliminary exposure performed (second filling step). During this period, the mold 102 and the substrate 103 may be aligned with each other. Next, in step S1005, the imprint device 100 irradiates the imprint material 401 with exposure light using the curing portion 105 in a state where the mold 102 and the imprint material 401 are in contact with each other to cure the imprint material 401 (exposure step). .. In step S1006, after the imprint material 401 is cured, the imprint device 100 separates the mold 102 from the cured imprint material 401 (mold release step). By pulling the mold 102 away from the cured imprint material 401, a pattern of the imprint material 401 is formed on the substrate 103. By repeatedly performing such a series of imprinting processes in the imprinting apparatus 100 for each shot region formed on the substrate 103, a pattern can be formed on the entire surface of the substrate 103. The main conditions for the imprint device 100 to form a pattern are a filling time, an exposure time, or a coating pattern of an imprint material.

ステップＳ１００４からＳ１００５の工程において基板上の第Ｎショット領域にパターンを形成した際の露光時の硬化促進率ＲＮ、硬化時間ＴｃＮを検出部１１６の計測値より求める。ただし、硬化促進率ＲＮ≦硬化促進率Ｒ０である。 In the steps S1004 to S1005, the curing acceleration rate RN and the curing time TcN at the time of exposure when a pattern is formed in the Nth shot region on the substrate are obtained from the measured values of the detection unit 116. However, the curing acceleration rate RN ≦ the curing acceleration rate R0.

最後に、ステップＳ１００７にて露光補正量の算出を行う。ＴｐｃＮ＋ＴｃＮ＞Ｔｐｃ０＋Ｔｃ０の場合、硬化部１０５の光源の照度が低下して十分な硬化がなされていないことを表しているため、予備露光や露光量の補正が必要である。さらに、ＲｐＮ×Ｔｐｅ０＋ＲＮ×Ｔｅ０＜Ｒｐ０×Ｔｐｃ０＋Ｒ０×Ｔｃ０の場合、十分な硬化がなされていないことを表し、予備露光や露光量の補正が必要である。ここでは５つの補正方法について説明する。 Finally, the exposure compensation amount is calculated in step S1007. In the case of TpcN + TcN> Tpc0 + Tc0, it means that the illuminance of the light source of the cured portion 105 is lowered and the curing is not sufficiently performed, so that preliminary exposure and correction of the exposure amount are necessary. Further, in the case of RpN × Tpe0 + RN × Te0 <Rp0 × Tpc0 + R0 × Tc0, it means that sufficient curing has not been performed, and preliminary exposure and correction of the exposure amount are required. Here, five correction methods will be described.

（第１の補正方法）
第１の補正方法は、第Ｎショット領域の予備露光の予備硬化促進率ＲｐＮに基づき、第Ｎショット領域の露光量を補正する。 (First correction method)
The first correction method corrects the exposure amount in the N-shot region based on the pre-curing acceleration rate RpN of the pre-exposure in the N-shot region.

露光量の補正を硬化部１０５の光源の露光時間で補正する場合の方法を述べる。以下の式（５）の計算により第Ｎショット領域の露光時間ＴｅＮを算出する。
ＴｅＮ＝Ｒｐ０／ＲｐＮ×Ｔｃ０・・・式（５） A method for correcting the exposure amount by the exposure time of the light source of the curing unit 105 will be described. The exposure time TeN of the Nth shot region is calculated by the calculation of the following equation (5).
TeN = Rp0 / RpN × Tc0 ... Equation (5)

あるいは、露光量の補正を硬化部１０５の光源の露光照度で補正する場合の方法を述べる。以下の式（６）の計算によりインプリント材４０１が単分子逐次光反応系である場合の露光照度ＩＮを算出する。
ＩＮ＝Ｒｐ０／ＲｐＮ×Ｉ０・・・式（６） Alternatively, a method of correcting the exposure amount with the exposure illuminance of the light source of the curing portion 105 will be described. The exposure illuminance IN when the imprint material 401 is a single molecule sequential photoreactive system is calculated by the calculation of the following equation (6).
IN = Rp0 / RpN × I0 ... Equation (6)

また、以下の式（７）の計算によりインプリント材４０１が光ラジカル重合反応系である場合の露光照度ＩＮを算出する。
ＩＮ＝（Ｒｐ０／ＲｐＮ）＾２×Ｉ０・・・式（７） Further, the exposure illuminance IN when the imprint material 401 is a photoradical polymerization reaction system is calculated by the calculation of the following formula (7).
IN = (Rp0 / RpN) ^ 2 × I0 ... Equation (7)

インプリント装置１００は、ここで求めた露光量の補正値となるように硬化部１０５の光源の露光照度を制御する。 The imprint device 100 controls the exposure illuminance of the light source of the curing unit 105 so as to obtain the correction value of the exposure amount obtained here.

以上に述べたように本実施形態のインプリント装置は、予備露光の予備硬化促進率の変化から硬化部１０５の光源の照照度の低下を検出して照射時間と照度の少なくとも一方（露光量）の補正を行うことができる。 As described above, the imprint apparatus of the present embodiment detects a decrease in the illuminance of the light source of the cured portion 105 from the change in the pre-curing acceleration rate of the pre-exposure, and detects at least one of the irradiation time and the illuminance (exposure amount). Can be corrected.

（第２の補正方法）
第２の補正方法は、第Ｎショット領域の予備露光の予備硬化促進率ＲｐＮに基づき、第Ｎ＋１ショット領域の露光量を補正する。 (Second correction method)
The second correction method corrects the exposure amount in the N + 1 shot region based on the pre-curing acceleration rate RpN of the pre-exposure in the N-th shot region.

露光量の補正を硬化部１０５の光源の露光時間で補正する場合の方法を述べる。以下の式（８）の計算により第Ｎ＋１ショット領域の露光時間ＴｅＮ＋１を算出する。
ＴｅＮ＋１＝Ｒｐ０／ＲｐＮ×Ｔｃ０・・・式（８） A method for correcting the exposure amount by the exposure time of the light source of the curing unit 105 will be described. The exposure time TeN + 1 in the N + 1th shot region is calculated by the calculation of the following equation (8).
TeN + 1 = Rp0 / RpN × Tc0 ... Equation (8)

あるいは、露光量の補正を硬化部１０５の光源の露光照度で補正する場合の方法を述べる。以下の式（９）の計算によりインプリント材４０１が単分子逐次光反応系である場合の露光照度ＩＮ＋１を算出する。
ＩＮ＋１＝Ｒｐ０／ＲｐＮ×Ｉ０・・・式（９） Alternatively, a method of correcting the exposure amount with the exposure illuminance of the light source of the curing portion 105 will be described. The exposure illuminance IN + 1 when the imprint material 401 is a single molecule sequential photoreactive system is calculated by the calculation of the following equation (9).
IN + 1 = Rp0 / RpN × I0 ... Equation (9)

また、以下の式（１０）の計算によりインプリント材４０１が光ラジカル重合反応系である場合の露光照度ＩＮ＋１を算出する。
ＩＮ＋１＝（Ｒｐ０／ＲｐＮ）＾２×Ｉ０・・・式（１０） Further, the exposure illuminance IN + 1 when the imprint material 401 is a photoradical polymerization reaction system is calculated by the calculation of the following formula (10).
IN + 1 = (Rp0 / RpN) ^ 2 × I0 ... Equation (10)

インプリント装置１００は、ここで求めた露光量の補正値となるように硬化部１０５の光源の露光照度を制御する。ここでは次ショット領域に対する露光時間や露光照度を補正するように述べたが、任意のＮ´ショット後の露光量を補正することも可能である。 The imprint device 100 controls the exposure illuminance of the light source of the curing unit 105 so as to obtain the correction value of the exposure amount obtained here. Here, it is described that the exposure time and the exposure illuminance for the next shot region are corrected, but it is also possible to correct the exposure amount after an arbitrary N'shot.

以上に述べたように本実施形態のインプリント装置は、予備露光の予備硬化促進率の変化から硬化部１０５の光源の照度の低下を検出して照射時間と照度の少なくとも一方（露光量）の補正を行うことができる。 As described above, the imprint apparatus of the present embodiment detects a decrease in the illuminance of the light source of the curing portion 105 from the change in the pre-curing acceleration rate of the pre-exposure, and has at least one of the irradiation time and the illuminance (exposure amount). Corrections can be made.

（第３の補正方法）
第３の補正方法は、第Ｎショット領域の露光の硬化促進率ＲＮに基づき、第Ｎ＋１ショット領域の露光量を補正する。 (Third correction method)
The third correction method corrects the exposure amount in the N + 1 shot region based on the curing acceleration rate RN of the exposure in the Nth shot region.

露光量の補正を硬化部１０５の光源の露光時間で補正する場合の方法を述べる。以下の式（１１）の計算により第Ｎ＋１ショット領域の露光時間ＴｅＮ＋１を算出する。
ＴｅＮ＋１＝Ｒ０／ＲＮ×Ｔｃ０・・・式（１１） A method for correcting the exposure amount by the exposure time of the light source of the curing unit 105 will be described. The exposure time TeN + 1 in the N + 1th shot region is calculated by the calculation of the following equation (11).
TeN + 1 = R0 / RN × Tc0 ... Equation (11)

あるいは、露光量の補正を硬化部１０５の光源の露光照度で補正する場合の方法を述べる。以下の式（１２）の計算によりインプリント材４０１が単分子逐次光反応系である場合の露光照度ＩＮ＋１を算出する。
ＩＮ＋１＝Ｒ０／ＲＮ×Ｉ０・・・式（１２） Alternatively, a method of correcting the exposure amount with the exposure illuminance of the light source of the curing portion 105 will be described. The exposure illuminance IN + 1 when the imprint material 401 is a single molecule sequential photoreactive system is calculated by the calculation of the following equation (12).
IN + 1 = R0 / RN × I0 ... Equation (12)

また、以下の式（１３）の計算によりインプリント材４０１が光ラジカル重合反応系である場合の露光照度ＩＮ＋１を算出する。
ＩＮ＋１＝（Ｒ０／ＲＮ）＾２×Ｉ０・・・式（１３） Further, the exposure illuminance IN + 1 when the imprint material 401 is a photoradical polymerization reaction system is calculated by the calculation of the following formula (13).
IN + 1 = (R0 / RN) ^ 2 × I0 ... Equation (13)

インプリント装置１００は、ここで求めた露光量の補正値となるように硬化部１０５の光源の露光照度を制御する。ここでは次ショット領域に対する露光時間や露光照度を補正するように述べたが、任意のＮ´ショット後の露光量を補正することも可能である。 The imprint device 100 controls the exposure illuminance of the light source of the curing unit 105 so as to obtain the correction value of the exposure amount obtained here. Here, it is described that the exposure time and the exposure illuminance for the next shot region are corrected, but it is also possible to correct the exposure amount after an arbitrary N'shot.

以上に述べたように本実施形態のインプリント装置は、露光の硬化促進率の変化から硬化部１０５の光源の照度の低下を検出して照射時間と照度の少なくとも一方（露光量）の補正を行うことができる。 As described above, the imprint apparatus of the present embodiment detects a decrease in the illuminance of the light source of the cured portion 105 from the change in the curing acceleration rate of the exposure, and corrects at least one of the irradiation time and the illuminance (exposure amount). It can be carried out.

（第４の補正方法）
第４の補正方法は、第Ｎショット領域の予備露光の予備硬化促進率ＲｐＮに基づき、第Ｎ＋１ショット領域の予備露光量を補正する。 (Fourth correction method)
The fourth correction method corrects the pre-exposure amount in the N + 1 shot region based on the pre-curing acceleration rate RpN of the pre-exposure in the N-th shot region.

予備露光量の補正を硬化部１０５の光源の予備露光時間で補正する場合の方法を述べる。以下の式（１４）の計算により第Ｎ＋１ショット領域の予備露光時間ＴｐｅＮ＋１を算出する。
ＴｐｅＮ＋１＝Ｒｐ０／ＲｐＮ×Ｔｐｃ０・・・式（１４） A method for correcting the pre-exposure amount by the pre-exposure time of the light source of the curing unit 105 will be described. The preliminary exposure time TpeN + 1 in the N + 1th shot region is calculated by the calculation of the following equation (14).
TpeN + 1 = Rp0 / RpN × Tpc0 ... Equation (14)

あるいは、予備露光量の補正を硬化部１０５の光源の露光照度で補正する場合の方法を述べる。以下の式（１５）の計算によりインプリント材４０１が単分子逐次光反応系である場合の予備露光照度ＩｐＮ＋１を算出する。
ＩｐＮ＋１＝Ｒｐ０／ＲｐＮ×Ｉｐ０・・・式（１５） Alternatively, a method of correcting the preliminary exposure amount with the exposure illuminance of the light source of the curing portion 105 will be described. The pre-exposure illuminance IpN + 1 when the imprint material 401 is a single molecule sequential photoreactive system is calculated by the calculation of the following equation (15).
IpN + 1 = Rp0 / RpN × Ip0 ... Equation (15)

また、以下の式（１６）の計算によりインプリント材４０１が光ラジカル重合反応系である場合の予備露光照度ＩｐＮ＋１を算出する。
ＩｐＮ＋１＝（Ｒｐ０／ＲｐＮ）＾２×Ｉｐ０・・・式（１６） Further, the preliminary exposure illuminance IpN + 1 when the imprint material 401 is a photoradical polymerization reaction system is calculated by the calculation of the following formula (16).
IpN + 1 = (Rp0 / RpN) ^ 2 × Ip0 ... Equation (16)

インプリント装置１００は、ここで求めた予備露光量の補正値となるように硬化部１０５の光源の露光照度を制御する。ここでは次ショット領域に対する予備露光時間や予備露光照度を補正するように述べたが、任意のＮ´ショット後の予備露光量を補正することも可能である。 The imprint device 100 controls the exposure illuminance of the light source of the curing portion 105 so as to be a correction value of the preliminary exposure amount obtained here. Although it is described here that the pre-exposure time and the pre-exposure illuminance for the next shot region are corrected, it is also possible to correct the pre-exposure amount after any N'shot.

以上に述べたように本実施形態のインプリント装置は、予備露光の予備硬化促進率の変化から硬化部１０５の光源の照度の低下を検出して照射時間と照度の少なくとも一方（露光量）の補正を行うことができる。 As described above, the imprint apparatus of the present embodiment detects a decrease in the illuminance of the light source of the curing portion 105 from the change in the pre-curing acceleration rate of the pre-exposure, and has at least one of the irradiation time and the illuminance (exposure amount). Corrections can be made.

（第５の補正方法）
第５の補正方法は、第Ｎショット領域の露光の硬化促進率ＲＮに基づき、第Ｎ＋１ショット領域の予備露光量を補正する。 (Fifth correction method)
The fifth correction method corrects the preliminary exposure amount of the N + 1 shot region based on the curing acceleration rate RN of the exposure of the Nth shot region.

予備露光量の補正を硬化部１０５の光源の予備露光時間で補正する場合の方法を述べる。以下の式（１７）の計算により第Ｎ＋１ショット領域の予備露光時間ＴｐｅＮ＋１を算出する。
ＴｐｅＮ＋１＝Ｒ０／ＲＮ×Ｔｐｃ０・・・式（１７） A method for correcting the pre-exposure amount by the pre-exposure time of the light source of the curing unit 105 will be described. The preliminary exposure time TpeN + 1 in the N + 1th shot region is calculated by the calculation of the following equation (17).
TpeN + 1 = R0 / RN × Tpc0 ... Equation (17)

あるいは、予備露光量の補正を硬化部１０５の光源の露光照度で補正する場合の方法を述べる。以下の式（１８）の計算によりインプリント材４０１が単分子逐次光反応系である場合の予備露光照度ＩｐＮ＋１を算出する。
ＩｐＮ＋１＝Ｒ０／ＲＮ×Ｉｐ０・・・式（１８） Alternatively, a method of correcting the preliminary exposure amount with the exposure illuminance of the light source of the curing portion 105 will be described. The pre-exposure illuminance IpN + 1 when the imprint material 401 is a single molecule sequential photoreactive system is calculated by the calculation of the following formula (18).
IpN + 1 = R0 / RN × Ip0 ... Equation (18)

また、以下の式（１９）の計算によりインプリント材４０１が光ラジカル重合反応系である場合の予備露光照度ＩｐＮ＋１を算出する。
ＩｐＮ＋１＝（Ｒ０／ＲＮ）＾２×Ｉｐ０・・・式（１９） Further, the pre-exposure illuminance IpN + 1 when the imprint material 401 is a photoradical polymerization reaction system is calculated by the calculation of the following formula (19).
IpN + 1 = (R0 / RN) ^ 2 × Ip0 ... Equation (19)

インプリント装置１００は、ここで求めた予備露光量の補正値となるように硬化部１０５の光源の露光照度を制御する。ここでは次ショット領域に対する予備露光時間や予備露光照度を補正するように述べたが、任意のＮ´ショット後の予備露光量を補正することも可能である。 The imprint device 100 controls the exposure illuminance of the light source of the curing portion 105 so as to be a correction value of the preliminary exposure amount obtained here. Although it is described here that the pre-exposure time and the pre-exposure illuminance for the next shot region are corrected, it is also possible to correct the pre-exposure amount after any N'shot.

以上に述べたように本実施形態のインプリント装置は、露光の硬化促進率の変化から硬化部１０５の光源の照度の低下を検出して照射時間と照度の少なくとも一方（露光量）の補正を行うことができる。 As described above, the imprint apparatus of the present embodiment detects a decrease in the illuminance of the light source of the cured portion 105 from the change in the curing acceleration rate of the exposure, and corrects at least one of the irradiation time and the illuminance (exposure amount). It can be carried out.

上記の実施形態は、検出部１１６が検出したマークの相対位置を計測した次のショット領域を補正するように述べたが、複数のショット領域で求めた補正量の平均値を用いてもよい。 In the above embodiment, it is described that the next shot area where the relative position of the mark detected by the detection unit 116 is measured is corrected, but the average value of the correction amounts obtained in the plurality of shot areas may be used.

上述のインプリント装置１００の各構成部は制御部（不図示）によってその動作が制御される。制御部は、例えば、ＣＰＵやメモリなどを含むコンピュータ（情報処理装置）で構成され、インプリント装置の各部（基板ステージやアライメント検出器）を統括的に制御する。制御部は、インプリント装置１００内に設けてもよいし、インプリント装置１００とは別の場所に設置し遠隔で制御してもよい。 The operation of each component of the imprint device 100 described above is controlled by a control unit (not shown). The control unit is composed of, for example, a computer (information processing device) including a CPU and a memory, and comprehensively controls each part (board stage and alignment detector) of the imprint device. The control unit may be provided in the imprint device 100, or may be installed in a place different from the imprint device 100 and controlled remotely.

（物品の製造方法）
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。 (Manufacturing method of goods)
The pattern of the cured product formed by using the imprint device is used permanently for at least a part of various articles or temporarily when manufacturing various articles. The article is an electric circuit element, an optical element, a MEMS, a recording element, a sensor, a mold, or the like. Examples of the electric circuit element include volatile or non-volatile semiconductor memories such as DRAM, SRAM, flash memory, and MRAM, and semiconductor elements such as LSI, CCD, image sensor, and FPGA. Examples of the mold include a mold for imprinting.

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。 The pattern of the cured product is used as it is as a constituent member of at least a part of the above-mentioned article, or is temporarily used as a resist mask. After etching or ion implantation in the substrate processing step, the resist mask is removed.

次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図１０（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。 Next, a specific manufacturing method of the article will be described. As shown in FIG. 10A, a substrate 1z such as a silicon wafer on which a work material 2z such as an insulator is formed on the surface is prepared, and subsequently, the substrate 1z such as a silicon wafer is inserted into the surface of the work material 2z by an inkjet method or the like. The printing material 3z is applied. Here, a state in which a plurality of droplet-shaped imprint materials 3z are applied onto the substrate is shown.

図１０（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図１０（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを透して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。 As shown in FIG. 10B, the imprint mold 4z is opposed to the imprint material 3z on the substrate with the side on which the uneven pattern is formed facing. As shown in FIG. 10 (c), the substrate 1z to which the imprint material 3z is applied is brought into contact with the mold 4z, and pressure is applied. The imprint material 3z is filled in the gap between the mold 4z and the work material 2z. In this state, when light is irradiated through the mold 4z as energy for curing, the imprint material 3z is cured.

図１０（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。 As shown in FIG. 10D, when the imprint material 3z is cured and then the mold 4z and the substrate 1z are separated from each other, a pattern of the cured product of the imprint material 3z is formed on the substrate 1z. The pattern of the cured product has a shape in which the concave portion of the mold corresponds to the convex portion of the cured product and the convex portion of the mold corresponds to the concave portion of the cured product, that is, the uneven pattern of the mold 4z is transferred to the imprint material 3z. It will be done.

図１０（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。なお、当該エッチングとは異種のエッチングにより当該残存した部分を予め除去しておくのも好ましい。図１０（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。 As shown in FIG. 10 (e), when etching is performed using the pattern of the cured product as an etching resistant mask, the portion of the surface of the work material 2z where the cured product is absent or remains thin is removed, and the groove 5z is formed. Become. It is also preferable to remove the remaining portion in advance by etching different from the etching. As shown in FIG. 10 (f), by removing the pattern of the cured product, it is possible to obtain an article in which the groove 5z is formed on the surface of the workpiece 2z. Here, the pattern of the cured product is removed, but it may not be removed even after processing, and may be used, for example, as a film for interlayer insulation contained in a semiconductor element or the like, that is, as a constituent member of an article.

１００ インプリント装置
１０１ 型保持機構
１０４ 基板ステージ
１０５ 硬化部
１０６ 供給機構
１０８ 基板チャック
１１０ 型チャック
１１６ 検出部 100 Imprint device 101 type holding mechanism 104 Board stage 105 Hardened part 106 Supply mechanism 108 Board chuck 110 type chuck 116 Detection part

Claims (7)

型を用いて基板上に形成された複数のショット領域に対してインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記基板に形成されたマークと前記型に形成されたマークを検出することによって前記基板と前記型の相対的な振動を計測する計測工程と、
前記インプリント材に光を照射する照射工程と、を有し、
前記照射工程において、前記複数のショット領域のそれぞれにおける前記計測工程の計測結果に基づいて求められた、前記照射工程で前記インプリント材に照射される光の照射量の変化に基づいて、前記インプリント材に照射する光の照射時間と照度の少なくとも一方を調整することを特徴とするインプリント方法。 An imprint method for forming a pattern of an imprint material for a plurality of shot regions formed on a substrate using a mold.
A measurement step of measuring the relative vibration between the substrate and the mold by detecting the mark formed on the substrate and the mark formed on the mold.
It has an irradiation step of irradiating the imprint material with light.
In the irradiation step, the inn is obtained based on the change in the irradiation amount of the light irradiated to the imprint material in the irradiation step, which is obtained based on the measurement result of the measurement step in each of the plurality of shot regions. An imprint method characterized by adjusting at least one of the irradiation time and the illuminance of the light applied to the printing material. 前記基板上に配置された第１ショット領域と、前記第１ショット領域とは異なる第２ショット領域にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記第１ショット領域にパターンを形成する際に前記計測工程で計測された計測結果に基づいて、前記第１ショット領域にパターンが形成された後に前記第２ショット領域にパターンを形成する際の前記照射工程の前記光の照射時間と照度の少なくとも一方を調整することを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。 An imprint method for forming a pattern of an imprint material in a first shot region arranged on the substrate and a second shot region different from the first shot region.
The above-mentioned when forming a pattern in the second shot region after the pattern is formed in the first shot region based on the measurement result measured in the measurement step when forming the pattern in the first shot region. The imprint method according to claim 1, wherein at least one of the irradiation time and the illuminance of the light in the irradiation step is adjusted. 基板上に配置された第１ショット領域と、前記第１ショット領域とは異なる第２ショット領域に型を用いてインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記第１ショット領域にパターンを形成する際に、
前記基板に形成されたマークと前記型に形成されたマークを検出することによって前記基板と前記型の相対的な振動を計測する計測工程と、
前記インプリント材に光を照射する照射工程と、を有し、
前記第２ショット領域にパターンを形成する際に、
前記照射工程によって前記インプリント材に光を照射する前に計測された前記振動と、前記照射工程によって前記インプリント材に光が照射された後に計測された前記振動の差に基づいて、前記照射時間と前記照度の少なくとも一方を調整することを特徴とするインプリント方法。 An imprint method for forming a pattern of an imprint material using a mold in a first shot region arranged on a substrate and a second shot region different from the first shot region.
When forming a pattern in the first shot region,
A measurement step of measuring the relative vibration between the substrate and the mold by detecting the mark formed on the substrate and the mark formed on the mold.
It has an irradiation step of irradiating the imprint material with light.
When forming a pattern in the second shot region,
The irradiation is based on the difference between the vibration measured before irradiating the imprint material with light by the irradiation step and the vibration measured after the imprint material is irradiated with light by the irradiation step. An imprint method comprising adjusting at least one of time and the illuminance . 型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記基板に形成されたマークと前記型に形成されたマークを検出することによって前記基板と前記型の相対的な振動を計測する計測工程と、
前記インプリント材に光を照射する照射工程と、を有し、
前記計測工程において、前記照射工程において前記インプリント材に光が照射された後に前記振動がしきい値以下になるまでの時間を求め、
前記照射工程において、前記計測工程の計測結果に基づいて、前記インプリント材に照射する光の照射時間と照度の少なくとも一方を調整することを特徴とするインプリント方法。 It is an imprint method that forms a pattern of imprint material on a substrate using a mold.
A measurement step of measuring the relative vibration between the substrate and the mold by detecting the mark formed on the substrate and the mark formed on the mold.
It has an irradiation step of irradiating the imprint material with light.
In the measurement step, the time until the vibration becomes equal to or less than the threshold value after the imprint material is irradiated with light in the irradiation step is obtained.
In the irradiation step, an imprint method comprising adjusting at least one of the irradiation time and the illuminance of the light irradiating the imprint material based on the measurement result of the measurement step. 型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記基板に形成されたマークと前記型に形成されたマークを検出することによって前記基板と前記型の相対的な振動を計測する計測工程と、
前記インプリント材の粘弾性を高めるために前記インプリント材に光を照射する予備露光工程と、
前記予備露光工程の後、前記インプリント材を硬化させるために前記インプリント材に光を照射する硬化工程と、を有し、
前記予備露光工程によって前記インプリント材が予備露光された状態で、前記計測工程で計測された振動に基づいて、前記硬化工程における前記光の照射時間と前記照度の少なくとも一方を調整することを特徴とするインプリント方法。 It is an imprint method that forms a pattern of imprint material on a substrate using a mold.
A measurement step of measuring the relative vibration between the substrate and the mold by detecting the mark formed on the substrate and the mark formed on the mold.
A pre-exposure step of irradiating the imprint material with light in order to increase the viscoelasticity of the imprint material,
After the pre-exposure step, the imprint material is provided with a curing step of irradiating the imprint material with light in order to cure the imprint material .
The imprint material is pre-exposed by the pre-exposure step, and at least one of the light irradiation time and the illuminance in the curing step is adjusted based on the vibration measured in the measurement step. Imprint method. 請求項１乃至５の何れか１項に記載のインプリント方法を用いて、基板上にパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンが形成された基板を加工する加工工程と、を有し、
該加工工程により加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。 A step of forming a pattern on a substrate by using the imprint method according to any one of claims 1 to 5 .
It has a processing step of processing a substrate on which the pattern is formed in the above step.
A method for manufacturing an article, which comprises manufacturing an article from the substrate processed by the processing step. 請求項１乃至５の何れか１項に記載のインプリント方法を用いて、基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板に形成されたマークと前記型に形成されたマークを検出することによって前記基板と前記型の相対的な振動を計測する計測部と、
前記インプリント材に光を照射する照射部と、を有することを特徴とするインプリント装置。 An imprinting apparatus for forming an imprint material pattern on a substrate by using the imprinting method according to any one of claims 1 to 5 .
A measuring unit that measures the relative vibration between the substrate and the mold by detecting the mark formed on the substrate and the mark formed on the mold.
An imprint device comprising an irradiation unit that irradiates the imprint material with light.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013102132A (en) 2011-10-14 2013-05-23 Canon Inc Imprint device, and method of manufacturing article using the same
JP2014241398A (en) 2013-05-16 2014-12-25 キヤノン株式会社 Imprint device, device manufacturing method, and imprint method
JP2016058735A (en) 2014-09-08 2016-04-21 キヤノン株式会社 Imprint device, imprint method and manufacturing method of article
JP2017022243A (en) 2015-07-09 2017-01-26 キヤノン株式会社 Imprint apparatus, imprint method and article manufacturing method
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