KR20190067091A - Imprint method, imprint apparatus, and article manufacturing method - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an imprinting method of forming a pattern of an imprinting material on a substrate using a template. The imprinting method comprises: a measurement step of measuring a relative vibration of the substrate and the template by detecting a mark formed on the substrate and a mark formed on the template; and an irradiation step of irradiating light to the imprinting material, wherein the irradiation step adjusts at least one of the irradiation time and the illumination intensity of the light irradiated to the imprinting material based on a measurement result of the measurement step.

Description

임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법{IMPRINT METHOD, IMPRINT APPARATUS, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}Technical Field [0001] The present invention relates to an imprint method, an imprint apparatus, and a method of manufacturing an article,

본 발명은 형틀을 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an imprint method of forming a pattern of an imprint material on a substrate using a mold.

반도체 디바이스나 MEMS 등의 물품을 제조하는 방법으로서, 형틀(몰드)을 사용하여 기판 상의 임프린트재를 성형하는 임프린트 방법이 알려져 있다. 임프린트 방법은, 기판 상에 임프린트재를 공급하고, 공급된 임프린트재와 형틀을 접촉시킨다(압인). 그리고, 임프린트재와 형틀을 접촉시킨 상태에서 임프린트재를 경화시킨 후, 경화된 임프린트재로부터 형틀을 분리(이형)함으로써, 기판 상에 임프린트재의 패턴이 형성된다. 임프린트 방법에 의해 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 장치를 임프린트 장치라 칭한다. 임프린트 장치는, 형틀을 통하여 광을 조사함으로써, 임프린트재와 형틀을 접촉시킨 상태에서 임프린트재를 경화시킬 수 있다.2. Description of the Related Art As a method of manufacturing an article such as a semiconductor device or a MEMS, an imprint method for molding an imprint material on a substrate using a mold (mold) is known. In the imprint method, an imprint material is supplied onto a substrate, and the imprint material and the mold are brought into contact with each other (stamped). Then, after the imprint material is cured in a state in which the imprint material and the mold frame are in contact with each other, the pattern of the imprint material is formed on the substrate by separating (releasing) the mold frame from the cured imprint material. An apparatus for forming a pattern of an imprint material on a substrate by an imprint method is referred to as an imprint apparatus. The imprint apparatus can cure the imprint material in a state in which the imprint material and the mold frame are in contact with each other by irradiating light through the mold frame.

일본 특허 공개 제2013-168504호 공보에 기재된 임프린트 방법은, 기판 상의 임프린트재를 경화시키기 위한 광을 조사하는 시간을 복수로 분할하여 조사하고, 그 동안에 얼라인먼트 검출계에 의해 기판과 형틀의 위치 어긋남양을 구하고 있다. 추가로, 일본 특허 공개 제2013-168504호 공보에 기재된 임프린트 방법은, 구해진 위치 어긋남양에 기초하여 기판과 형틀의 위치 정렬을 행함으로써, 임프린트재를 경화시키기 위한 광을 조사 중에 발생하는 위치 어긋남을 저감하고 있다. 임프린트 장치에서는, 임프린트재를 경화시키기 위하여 필요한 광의 조사 시간이나 조도를 적절하게 제어할 필요가 있다.In the imprint method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-168504, a time for irradiating light for curing an imprint material on a substrate is divided into a plurality of times and irradiated, and during this period, the amount of positional deviation . Further, in the imprint method described in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2013-168504, the positional alignment between the substrate and the mold frame is performed based on the obtained positional shift amount, whereby the positional deviation occurring during irradiation of the light for curing the imprint material . In the imprint apparatus, it is necessary to suitably control the irradiation time and illumination of the light necessary for curing the imprint material.

임프린트재를 경화시키는 광의 조도는 사용 시간과 함께 저하되기 때문에, 광을 조사하는 조사 시간이나 조도를 정기적으로 보정할 필요가 있다. 임프린트 장치에 구비된 광량 센서를 사용하여 광의 조도를 계측해 경시 변화분을 보정하는 방식에서는, 생산을 정지하여 보정용 계측을 행하기 위하여 생산성이 저하된다.Since the illuminance of the light for curing the imprint material decreases with the use time, it is necessary to regularly correct the irradiation time and illumination for irradiating the light. In the method of measuring the illuminance of light by using the light amount sensor provided in the imprint apparatus and correcting the change with time, the productivity is lowered because the production is stopped and correction measurement is performed.

본 발명의 임프린트 방법은, 형틀을 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며, 상기 기판에 형성된 마크와 상기 형틀에 형성된 마크를 검출함으로써 상기 기판과 상기 형틀의 상대적인 진동을 계측하는 계측 공정과, 상기 임프린트재에 광을 조사하는 조사 공정을 갖고, 상기 조사 공정에 있어서, 상기 계측 공정의 계측 결과에 기초하여, 상기 임프린트재에 조사하는 광의 조사 시간과 조도 중 적어도 한쪽을 조정하는 것을 특징으로 한다.The imprint method according to the present invention is an imprint method for forming a pattern of an imprint material on a substrate by using a mold frame and measuring a relative vibration between the substrate and the mold frame by detecting marks formed on the substrate and marks formed on the mold frame And an irradiating step of irradiating the imprint material with light, wherein in the irradiating step, at least one of the irradiation time and the illuminance of the light irradiated to the imprint material is adjusted on the basis of the measurement result of the measuring step .

본 발명의 다른 특징들은 (첨부된 도면들을 참조하는)이하의 실시 형태들의 설명으로부터 자명할 것이다.Other features of the invention will be apparent from the following description of embodiments (with reference to the accompanying drawings).

도 1은 제1 실시 형태의 임프린트 장치 및 공급 기구를 도시한 도면이다.
도 2는 제1 실시 형태의 임프린트 장치의 기판 반송 기구를 도시한 도면이다.
도 3은 임프린트 장치로 사용되는 형틀을 도시한 도면이다.
도 4는 제1 실시 형태의 얼라인먼트 스코프의 계측값을 나타낸 도면이다.
도 5는 조도 저하시의 얼라인먼트 스코프의 계측값을 나타낸 도면이다.
도 6은 제1 실시 형태의 패턴 형성 방법을 나타낸 도면이다.
도 7은 경화시의 위치 어긋남을 나타낸 도면이다.
도 8은 제2 실시 형태의 얼라인먼트 스코프의 계측값을 나타낸 도면이다.
도 9는 제2 실시 형태의 패턴 형성 방법을 나타낸 도면이다.
도 10은 물품의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view showing an imprint apparatus and a supply mechanism of the first embodiment.
2 is a view showing a substrate transport mechanism of the imprint apparatus of the first embodiment.
3 is a view showing a mold used as an imprint apparatus.
Fig. 4 is a diagram showing measured values of the alignment scope of the first embodiment. Fig.
5 is a diagram showing measured values of the alignment scope at the time of lowering the illuminance.
6 is a view showing a pattern forming method of the first embodiment.
7 is a view showing a positional deviation at the time of curing.
Fig. 8 is a diagram showing measured values of the alignment scope of the second embodiment. Fig.
9 is a view showing a pattern forming method of the second embodiment.
10 is a view for explaining a method of manufacturing an article.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 형태를 첨부의 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서, 동일한 부재에 대해서는 동일한 참조 번호를 부여하고, 중복되는 설명은 생략한다.Best Mode for Carrying Out the Invention Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the same reference numerals are assigned to the same members, and redundant explanations are omitted.

(제1 실시 형태)(First Embodiment)

도 1의 (a)는 제1 실시 형태에 있어서의 임프린트 장치(100)의 구성을 도시한 도면이다. 도 1의 (a)를 사용하여 임프린트 장치(100)의 구성에 대하여 설명한다. 여기에서는, 기판(103)이 배치되는 면을 XY 면, 그에 직교하는 방향을 Z 방향으로 하여, 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이 각축을 결정한다. 임프린트 장치는, 기판 상에 공급된 임프린트재를 형틀(몰드)와 접촉시켜, 임프린트재에 경화용 에너지를 부여함으로써, 형틀의 요철 패턴이 전사된 경화물의 패턴을 형성하는 장치이다. 도 1의 (a)의 임프린트 장치(100)는 물품으로서의 반도체 디바이스 등의 디바이스의 제조에 사용된다.Fig. 1 (a) is a view showing a configuration of the imprint apparatus 100 according to the first embodiment. The configuration of the imprint apparatus 100 will be described with reference to Fig. 1 (a). Here, the respective axes are determined as shown in Fig. 1 (a), with the surface on which the substrate 103 is arranged taken as the XY plane and the direction orthogonal thereto as the Z direction. The imprint apparatus is an apparatus for forming a pattern of a cured product on which a concave-convex pattern of a mold is transferred by bringing an imprint material supplied on a substrate into contact with a mold (mold) and imparting curing energy to the imprint material. The imprint apparatus 100 shown in Fig. 1 (a) is used for manufacturing a device such as a semiconductor device as an article.

임프린트재를 경화시키는 방법에는, 경화용 에너지로 열을 사용하는 열 사이클법이나 경화용 에너지로 광을 사용하는 광경화법 등이 있다. 열 사이클법에서는, 열가소성 수지를 유리 전이 온도 이상의 온도로 가열하고, 수지의 유동성을 높인 상태에서 수지를 사이에 두고 기판에 형틀을 압박하고, 냉각한 후에 수지로부터 형틀을 분리함으로써 패턴이 형성된다. 광경화법에서는, 자외선 경화 수지를 사용하고, 수지를 사이에 두고 기판에 형틀을 압박한 상태에서 자외선을 조사하여 수지를 경화시킨 후, 경화된 수지로부터 형틀을 분리함으로써 패턴이 형성된다. 본 실시 형태에서는 광경화법을 채용한 임프린트 장치(100)에 대하여 설명한다.Examples of the method of curing the imprint material include a thermal cycling method using heat as curing energy or a light curing method using light as curing energy. In the thermal cycling method, a pattern is formed by heating a thermoplastic resin to a temperature equal to or higher than the glass transition temperature, pressing the mold against the substrate with the resin interposed therebetween while the fluidity of the resin is increased, and cooling the mold to separate the mold from the resin. In the photo-curing method, a pattern is formed by irradiating ultraviolet rays to cure a resin by using ultraviolet ray hardening resin while pressing the mold against the substrate with resin interposed therebetween, and then separating the mold from the cured resin. In this embodiment, an imprint apparatus 100 employing a photo-curing method will be described.

임프린트 장치(100)는 형틀(102)을 보유 지지하는 형틀 보유 지지 기구(101), 기판(103)을 보유 지지하는 기판 스테이지(104), 임프린트재를 경화시키는 경화부(105), 임프린트재를 공급하는 공급 기구(106)를 구비한다.The imprint apparatus 100 includes a mold holding mechanism 101 for holding a mold 102, a substrate stage 104 for holding a substrate 103, a hardening unit 105 for hardening the imprint material, And a supply mechanism 106 for supplying the supplied gas.

형틀 보유 지지 기구(101)는 형틀(102)을 흡착함으로써 보유 지지하는 기구이다. 도 1의 (b)에 본 실시 형태의 형틀 보유 지지 기구(101)를 나타낸다. 형틀 보유 지지 기구(101)는 형틀 척(110)에 의해 형틀(102)을 흡착함으로써 형틀(102)을 보유 지지한다. 압력 제어 기구(111)는 시일 유리(112)와 형틀(102)의 이면에서 둘러싸인 공간의 기압을 증감하는 것이 가능하다. 압력 제어 기구(111)에 의해 형틀(102)의 이면 공간의 기압을 임프린트 장치(100) 내의 기압보다 국소적으로 상승시킴으로써 형틀(102)의 이면에 형성된 파임부(302)를 형틀 척(110)과 반대측으로 볼록 형상으로 변형시키는 것이 가능하다. 형틀 보유 지지 기구(101)는 Z 방향으로 구동함으로써 형틀(102)을 기판(103) 상에 공급된 임프린트재에 접촉시키거나(압인), 분리하거나(이형) 한다. 형틀(102)은, 몰드, 템플릿 또는 원판이라고도 불릴 수 있다.The mold holding mechanism 101 is a mechanism for holding the mold 102 by suction. Fig. 1 (b) shows the mold holding mechanism 101 of the present embodiment. The mold holding mechanism 101 holds the mold 102 by suctioning the mold 102 by the mold chuck 110. The pressure control mechanism 111 can increase or decrease the air pressure in the space surrounded by the seal glass 112 and the back surface of the mold frame 102. [ The pressure control mechanism 111 raises the pressure of the back space of the mold 102 locally above the pressure in the imprint apparatus 100 so that the mold unit 302 formed on the back surface of the mold 102 is moved to the mold chuck 110, It can be deformed into a convex shape on the opposite side. The mold holding mechanism 101 moves the mold 102 to the imprint material supplied on the substrate 103 (depressed) and separates (releases) the mold 102 by driving in the Z direction. The mold 102 may also be referred to as a mold, a template, or a disc.

기판 스테이지(104)는 스테이지 정반(113) 상을 x, y, z 방향 및 각 축둘레의 회전 방향으로 구동가능하다. 기판 스테이지(104)에는 기판 척(108)이 구성된다. 기판 척(108)은 기판 흡착 기구(도시하지 않음)에 의해 기판(103)을 흡착함으로써 기판(103)을 흡착 보유 지지한다. 기판 척(108)은 하나 혹은 복수의 영역을 포함해 각 영역에 기판 흡착 기구가 구성된다. 기판(103)의 표면에는, 표면에너지를 낮추기 위한 첨가제를 포함하는 조정용 혼합액을 미리 스핀 코팅해 두어도 된다.The substrate stage 104 can be driven on the stage base 113 in the x, y, z directions and the rotational directions around the respective axes. The substrate chuck 108 is formed on the substrate stage 104. The substrate chuck 108 adsorbs and holds the substrate 103 by adsorbing the substrate 103 by a substrate adsorption mechanism (not shown). The substrate chuck 108 includes one or a plurality of regions, and a substrate adsorption mechanism is constituted in each region. On the surface of the substrate 103, an adjustment mixture containing an additive for lowering the surface energy may be spin-coated beforehand.

경화부(105)(조사부)는 임프린트재(401)를 경화 가능한 파장을 포함한 광을 조사하는 광원을 포함한다. 본 실시 형태에서는, 임프린트재(401)로서는 자외선의 조사에 의해 경화하는 광경화 수지를 사용하고, 광원으로서 자외선을 조사하는 것을 사용한다. 경화부(105)의 광원의 조도는 시간 경과와 함께 저하되기 때문에, 임프린트재를 경화시키기 위한 노광량은 조사 시간 혹은 광원의 전압에 의해 제어된다.The curing unit 105 (irradiating unit) includes a light source for irradiating the imprint material 401 with light including a curable wavelength. In the present embodiment, as the imprint material 401, a photo-curing resin which is cured by irradiation of ultraviolet rays is used and ultraviolet rays are irradiated as a light source. Since the illuminance of the light source of the curing unit 105 decreases with time, the amount of exposure for curing the imprint material is controlled by the irradiation time or the voltage of the light source.

공급 기구(106)(디스펜서)는 도 1의 x, y, z 방향의 병진, 회전 구동을 가능하게 하는 구동부, 임프린트재를 공급하기 위한 노즐부(122), 임프린트재(401)를 노즐부(122)에 공급하기 위한 공급부를 포함한다. 도 1의 (c)에 공급 기구(106)를 노즐부(122)에서 본 도면을 나타낸다. 공급 기구(106)의 노즐부(122)에는 임프린트재(401)를 토출하기 위한 x 방향으로 1 내지 수열, y 방향으로 수천개의 토출구가 형성되어 있다. 토출구는 수 ㎛ 내지 수십 ㎛ 정도의 토출 구멍으로 구성된다. 공급 기구(106)의 노즐부(122)와 기판(103)의 간격은, 기판 상에 있어서의 임프린트재의 공급 위치의 정밀도를 유지하기 위하여 수백 ㎛ 내지 수 mm 정도로 조정된다.The supply mechanism 106 (dispenser) includes a drive unit that enables translating and rotating in x, y, and z directions in FIG. 1, a nozzle unit 122 for supplying imprint material, an imprint material 401 122). ≪ / RTI > Fig. 1 (c) shows a view of the supply mechanism 106 viewed from the nozzle portion 122. Fig. Thousands of discharge ports are formed in the nozzle portion 122 of the supply mechanism 106 in the x direction for ejecting the imprint material 401, and in the y direction. The discharge port is composed of discharge holes having a diameter of several micrometers to several tens of micrometers. The distance between the nozzle portion 122 of the supply mechanism 106 and the substrate 103 is adjusted to several hundreds of micrometers to several millimeters to maintain the precision of the supply position of the imprint material on the substrate.

임프린트재에는, 경화용 에너지가 부여되는 것에 의해 경화되는 경화성 조성물(미경화 상태의 수지라 칭할 수도 있음)이 사용된다. 경화용 에너지로서는, 전자파, 열 등이 사용된다. 전자파로서는, 예를 들어 그 파장이 10nm 이상 1mm 이하의 범위로부터 선택되는, 적외선, 가시광선, 자외선 등의 광이다.In the imprint material, a curable composition (which may be referred to as a resin in an uncured state) which is cured by imparting curing energy is used. As curing energy, electromagnetic waves, heat, etc. are used. The electromagnetic wave is, for example, infrared light, visible light, or ultraviolet light whose wavelength is selected from the range of 10 nm or more and 1 mm or less.

경화성 조성물은, 광의 조사에 의해, 혹은, 가열에 의해 경화되는 조성물이다. 이 중, 광에 의해 경화되는 광경화성 조성물은, 중합성 화합물과 광중합 개시제를 적어도 함유하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용제를 함유해도 된다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소공여체, 내첨형 이형제, 계면 활성제, 산화 방지제, 폴리머 성분 등의 군에서 선택되는 적어도 1종이다.The curable composition is a composition which is cured by irradiation of light or by heating. Among them, the photo-curable composition to be cured by light contains at least a polymerizable compound and a photopolymerization initiator, and may contain a non-polymerizable compound or a solvent as required. The non-polymer compound is at least one member selected from the group consisting of a sensitizer, a hydrogen donor, an internal release agent, a surfactant, an antioxidant, and a polymer component.

임프린트재는, 스핀 코터나 슬릿 코터에 의해 기판 상에 막형으로 부여된다. 혹은 액체 분사 헤드에 의해, 액적형, 혹은 복수의 액적이 연결되어서 이루어진 섬 형 또는 막형으로 되어 기판 상에 부여되어도 된다. 임프린트재의 점도(25℃에서의 점도)는, 예를 들어 1mPa·s 이상, 100mPa·s 이하이다.The imprint material is applied on the substrate in a film form by a spin coater or a slit coater. Alternatively, liquid droplets or a plurality of liquid droplets may be connected to each other to form an island-like or film-like shape by a liquid ejection head. The viscosity (viscosity at 25 캜) of the imprint material is, for example, 1 mPa · s or more and 100 mPa · s or less.

기판은, 유리, 세라믹스, 금속, 반도체, 수지 등이 사용되고, 필요에 따라, 그 표면에 기판과는 다른 재료로 이루어지는 부재가 형성되어 있어도 된다. 기판으로서는, 구체적으로, 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 석영 유리 등이다.As the substrate, glass, ceramics, metal, semiconductor, resin, or the like may be used, and if necessary, a member made of a material different from the substrate may be formed on the surface. Specific examples of the substrate include silicon wafers, compound semiconductor wafers, quartz glass, and the like.

경화부(105)의 광원은 자외선을 조사하는 것으로 했지만, 광원의 광 파장은, 기판 상에 공급되는 임프린트재에 따라서 적절히 정할 수 있다.Although the light source of the curing unit 105 irradiates ultraviolet rays, the light wavelength of the light source can be appropriately determined in accordance with the imprint material supplied on the substrate.

임프린트 장치(100)는, 형틀(102)을 통하여 기판 상의 마크를 검출 가능한 검출부(116), 형틀(102)을 통하지 않고 기판 상의 마크를 검출 가능한 축외 검출부(107), 기판(103)의 높이를 계측하는 기판 높이 계측 기구(109)를 구비한다.The imprint apparatus 100 includes a detection section 116 capable of detecting a mark on a substrate through a mold 102, an off-axis detection section 107 capable of detecting marks on the substrate via a mold 102, And a substrate height measuring mechanism 109 for measuring the substrate height.

검출부(116)는, 형틀(102)에 형성된 형틀 마크(306), 기판(103)에 형성된 기판 마크, 기판 스테이지(104)에 형성된 스테이지 기준 마크(115)를 검출한다. 예를 들어, 검출부(116)에 의해 검출된 형틀 마크(306)와 기판 마크의 검출 결과는, 형틀(102)과 기판(103)의 상대 위치의 계측에 사용된다. 상대 위치의 계측에는, 예를 들어 일본 특허 공표 제2008-509825호 공보에서 개시되어 있는 바와 같은 검출 장치가 사용된다. 상대 위치의 계측 방법으로서, 형틀 마크와 기판 마크에 의해 발생하는 무아레를 사용한 계측 방법에서는, 간이한 광학계로 높은 계측 정밀도를 낼 수 있다. 또한, 무아레를 사용한 계측 방법에서는 형틀 마크와 기판 마크로부터의 광을 해상력이 작은(NA가 작은) 스코프를 사용할 수 있으므로, 임프린트 장치의 형틀 보유 지지 기구(101) 상에 복수의 검출부(116)(스코프)를 배치할 수 있다. 이에 의해, 예를 들어 패턴이 형성되는 샷 영역의 네 모퉁이의 마크를 동시에 검출하는 것이 가능해진다. 검출부(116)는 후술하는 바와 같이 기판과 형틀에 형성된 마크를 검출함으로써, 기판과 형틀의 상대적인 진동을 계측하는 계측부로서 사용할 수 있다.The detection unit 116 detects a template mark 306 formed on the mold 102, a substrate mark formed on the substrate 103, and a stage reference mark 115 formed on the substrate stage 104. For example, the detection result of the form mark 306 and the substrate mark detected by the detection unit 116 is used for measurement of the relative position of the mold 102 and the substrate 103. [ For the measurement of the relative position, for example, a detection device as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-509825 is used. As a method of measuring the relative position, a measurement method using a moiré generated by a mold mark and a substrate mark can achieve high measurement precision with a simple optical system. In the measurement method using moiré, a scope having a small resolution (a small NA) can be used for the light from the mold mark and the substrate mark. Therefore, a plurality of detectors 116 Scope) can be placed. This makes it possible to simultaneously detect marks at four corners of a shot area in which a pattern is formed, for example. The detecting unit 116 can be used as a measuring unit that measures the relative vibration of the substrate and the mold frame by detecting marks formed on the substrate and the mold as described later.

축외 검출부(107)는 형틀(102)을 통하지 않고 기판 상의 마크나 기판 스테이지(104)에 형성된 스테이지 기준 마크(115)를 검출한다. 축외 검출부(107)에 의해 검출된 기판 상의 마크와 스테이지 기준 마크(115)의 검출 결과는, 기판(103)과 기판 스테이지(104)의 상대 위치의 계측에 사용된다.The off-axis detecting unit 107 detects a mark on the substrate and a stage reference mark 115 formed on the substrate stage 104 without passing through the mold 102. [ The mark on the substrate detected by the off-axis detecting unit 107 and the detection result of the stage reference mark 115 are used for measuring the relative position between the substrate 103 and the substrate stage 104.

기판 높이 계측 기구(109)는 예를 들어 광학식의 측거 센서이며, 기준면에 원점 조정되어 있다. 기판 높이 계측 기구(109)는 기준면에 대한 기판(103)의 표면(피전사면)의 높이를 계측한다. 기준면은 임프린트 장치(100)의 설계값이며, 형틀과 기판 상의 임프린트재가 접촉했을 때에, 형틀에 형성된 패턴의 오목부에 임프린트재가 충전되기 위하여 이상적인 압인면이다.The substrate height measuring mechanism 109 is, for example, an optical type of a range sensor, and its origin is adjusted on the reference plane. The substrate height measuring mechanism 109 measures the height of the surface (transfer surface) of the substrate 103 with respect to the reference surface. The reference surface is a design value of the imprint apparatus 100 and is an ideal depressurized surface for impregnating the concave portion of the pattern formed on the template with the imprint material on the template.

또한, 임프린트 장치(100)는 형틀(102)을 통하여 기판(103)을 촬상가능한 충전 카메라(114)를 구비한다. 충전 카메라(114)는 패턴부(301)(패턴이 형성되는 기판(103)의 영역)를 형틀 척(110)측에서 촬영하고, 기판(103) 상에 공급된 임프린트재(401)가 형틀(102)에 충전되는 과정을 기록할 수 있다. 충전 카메라(114)에 의해 기록된 화상은 기억 장치(도시하지 않음)에 보존된다. 임프린트 장치(100)는 충전 카메라(114)에 의해 촬상된 촬상 결과를 사용하여 형틀(102)과 기판(103)의 상대적인 기울기를 조정하거나, 형틀(102)에의 임프린트재(401)의 충전의 완료를 판단하거나 할 수 있다.The imprint apparatus 100 also includes a charging camera 114 capable of capturing the substrate 103 through the mold 102. The charging camera 114 takes a pattern part 301 (the area of the substrate 103 on which a pattern is formed) from the side of the mold chuck 110 and transfers the imprint material 401 supplied on the substrate 103 to the mold frame 102 can be recorded. The image recorded by the charge camera 114 is stored in a storage device (not shown). The imprint apparatus 100 adjusts the relative inclination of the mold 102 and the substrate 103 using the imaging result sensed by the charging camera 114 or the completion of the charging of the imprint material 401 to the mold 102 Or the like.

전술한 임프린트 장치의 기판 스테이지(104)는 스테이지 기준 마크(115), 형틀(102)의 높이를 계측하는 형틀 높이 계측 기구(117), 광의 조도를 측정하는 조도 검출기(123)를 구비한다.The substrate stage 104 of the above-described imprint apparatus includes a stage reference mark 115, a mold height measuring mechanism 117 for measuring the height of the mold 102, and an illuminance detector 123 for measuring the illuminance of the light.

형틀 높이 계측 기구(117)는 예를 들어 광학식의 측거 센서이며, 기준면에 원점 조정되어 있다. 형틀 높이 계측 기구(117)는 기준면에 대한 형틀(102)의 기판측의 면에 형성된 패턴면의 높이를 계측한다. 형틀 높이 계측 기구(117)의 계측 결과로부터 형틀(102)의 기울기를 구하거나, 형틀 보유 지지 기구(101)에 보유 지지된 형틀(102)의 패턴면의 위치를 구하거나 할 수 있다.The mold height measuring instrument 117 is, for example, an optical type, and its origin is adjusted on the reference plane. The mold height measuring mechanism 117 measures the height of the pattern surface formed on the surface of the mold 102 on the substrate side with respect to the reference surface. The inclination of the mold 102 can be obtained from the measurement result of the mold height measuring instrument 117 or the position of the pattern face of the mold 102 held by the mold holding mechanism 101 can be obtained.

조도 검출기(123)는 경화부(105)의 광원으로부터 조사된 광의 조도를 측정한다. 조도 검출기(123)가 광을 검출할 때는, 기판 스테이지(104)가 이동하여 조도 검출기(123)가 형틀 보유 지지 기구(101) 아래에 배치됨으로써, 경화부(105)의 광원에 의해 조사된 광의 조도를 측정한다. 조도 검출기(123)에 의한 조도의 측정을 정기적으로 행함으로써, 경화부(105)의 광원의 조도 저하량을 계측하고, 경화부(105)의 광원이 생성하는 조사량(노광량)을 보정할 수 있다.The roughness detector 123 measures the roughness of the light irradiated from the light source of the hardened portion 105. When the illuminance detector 123 detects light, the substrate stage 104 moves and the illuminance detector 123 is disposed below the mold holding mechanism 101, whereby the light emitted by the light source of the curing unit 105 Measure the illuminance. By measuring the illuminance with the illuminance detector 123 regularly, it is possible to measure the illuminance reduction amount of the light source of the hardening unit 105 and correct the irradiation amount (exposure amount) generated by the light source of the hardening unit 105 .

임프린트재가 단분자 축차 광반응계일 경우에는, 노광량에 대한 임프린트재의 반응률은 조도×시간에 비례한다. 임프린트재가 광 라디칼 중합 반응계일 경우에는, 노광량에 대한 임프린트재의 반응률은 √(조도)×시간에 비례한다. 임프린트재는, 형틀(102)의 패턴부(301)에 충전하기 쉽도록 점탄성이 낮게 설계된다. 임프린트재는, 경화부(105)의 광원으로부터의 광에 의해 노광됨으로써, 광경화 반응이 촉진되어 점탄성이 높아진다.In the case where the imprint material is a monomolecular continuous photoreaction system, the reaction rate of the imprint material with respect to the exposure amount is proportional to the illumination × time. When the imprint material is a photo-radical polymerization system, the reaction rate of the imprint material with respect to the exposure amount is proportional to √ (roughness) × time. The imprint material is designed to have low viscoelasticity so as to be easily filled in the pattern portion 301 of the mold 102. The imprint material is exposed by the light from the light source of the curing unit 105, thereby promoting the photo-curing reaction and increasing the viscoelasticity.

임프린트 장치(100)는 형틀(102)과 기판(103) 사이에 기체를 공급하기 위한 부분 기체 공급부(125)를 구비한다. 부분 기체 공급부(125)는 기체로서 헬륨을 형틀(102)과 기판(103) 사이의 공간에 공급한다. 공급되는 기체로서 헬륨을 사용함으로써, 헬륨이 형틀(102)로부터 빠지는 것에 의한 압인시의 충전성의 향상 및, 노광시의 산소 저해에 의한 임프린트재(401)의 경화 결함의 발생의 억제를 행한다. 기체의 공급량은 형틀(102)의 패턴부(301)와 기판(103)의 간극량 및 기체 공급량의 조합으로 수십가지의 시험 제작 전사를 행하고, 각 간극량에 있어서의 결함량을 관찰함으로써 최적의 가스 공급을 조정한다.The imprint apparatus 100 has a partial gas supply portion 125 for supplying gas between the mold 102 and the substrate 103. [ The partial gas supply part 125 supplies helium as a gas to the space between the mold 102 and the substrate 103. The use of helium as the gas to be supplied improves the filling performance when the helium is removed from the mold 102 and suppresses the occurrence of hardening defects of the imprint material 401 due to oxygen inhibition during exposure. The supply amount of the gas is determined by conducting several tens of test fabrication transfers by the combination of the amount of gap between the pattern portion 301 of the mold 102 and the substrate 103 and the gas supply amount and observing the amount of defects in each gap amount, Adjust the gas supply.

임프린트 장치(100)는 클린 챔버(118)에 수용되어 있고, 기체를 공급하는 기체 공급부(120), 기체를 회수하는 기체 회수부(121)를 구비한다. 클린 챔버(118)는 기류(119)를 발생시키는 발생부(도시하지 않음), 케미컬 필터(도시하지 않음)나 파티클 필터(도시하지 않음)를 포함한다. 발생부는, 임프린트 장치(100)로부터 발생된 열이나 티끌 등을 배기하는 것을 목적으로 하여, 임프린트 장치(100)의 내부에 기류(119)를 발생시킨다. 발생부는, 공급 기구(106)와 기판(103) 혹은 기판 스테이지(104) 사이에 기류(119)를 발생시키는 것을 목적으로 해도 된다. 기류(119)는 공급 기구(106)로부터 토출된 임프린트재(401)가 기판(103) 상의 임의의 위치에 토출되는 것을 저해하지 않도록, 기류(119)의 방향은 변화하지 않고, 일정한 방향으로 할 수 있다. 도 1의 (a)에서는 기류(119)를 x 방향으로 기재했지만, y 방향으로 기류(119)를 발생시켜도 상관없다.The imprint apparatus 100 is housed in the clean chamber 118 and includes a gas supply unit 120 for supplying a gas and a gas recovery unit 121 for recovering gas. The clean chamber 118 includes a generator (not shown) for generating an air stream 119, a chemical filter (not shown), and a particle filter (not shown). The generating unit generates an air stream 119 in the imprint apparatus 100 for the purpose of exhausting heat or dust generated from the imprint apparatus 100. [ The generating section may be configured to generate the air stream 119 between the supply mechanism 106 and the substrate 103 or the substrate stage 104. [ The air stream 119 does not change the direction of the air stream 119 so as to prevent the imprint material 401 discharged from the supply mechanism 106 from being discharged to an arbitrary position on the substrate 103, . 1 (a), the airflow 119 is described in the x-direction, but the airflow 119 may be generated in the y-direction.

발생부는, 기체를 공급하는 기체 공급부(120) 및 기체를 회수하는 기체 회수부(121)를 포함한다. 기체 공급부(120)에서는, 클린 챔버(118)가 설치되는 분위기의 대기를 도입한다. 기체 공급부(120)는 도입된 대기에 약간 포함되는 화학 물질이나 티끌을 케미컬 필터나 파티클 필터로 제거하고, 송풍구(도시하지 않음)로부터 클린 챔버(118) 내부의 공간에 청정한 대기를 공급한다. 기체 회수부(121)에는 진공 펌프를 사용할 수 있다.The generating section includes a gas supply section 120 for supplying a gas and a gas recovery section 121 for recovering a gas. In the gas supply unit 120, the atmosphere of the atmosphere in which the clean chamber 118 is installed is introduced. The gas supplying unit 120 removes chemical substances or dusts contained in the introduced air by chemical filters or particle filters, and supplies a clean air to a space inside the clean chamber 118 from a tuyere (not shown). A vacuum pump may be used for the gas recovery unit 121. [

도 2에 기판 반송 유닛(201)을 나타낸다. 임프린트 장치(100)는 기판(103)을 임프린트 장치(100)로 반입하거나, 임프린트 장치(100)로부터 반출하거나 하는 기판 반송 유닛을 구비한다. 기판 반송 유닛(201)은 상하 방향 구동이 가능하고, 수평 방향으로 회전이 가능한 기판 반송 핸드(202), 수평 방향으로 회전 및 신장 구동 가능한 제1 기판 반송 암(203a) 및 제2 기판 반송 암(203b)에 의해 구성된다. 기판 반송 핸드(202)는 상면에 흡착 기구를 구비하고, 기판(103)을 흡착하는 것이 가능하다.Fig. 2 shows the substrate transfer unit 201. Fig. The imprint apparatus 100 includes a substrate transfer unit that transfers the substrate 103 to or from the imprint apparatus 100. The substrate transfer unit 201 includes a substrate transfer hand 202 capable of being vertically driven and capable of rotating in the horizontal direction, a first substrate transfer arm 203a capable of rotating and extending in the horizontal direction, and a second substrate transfer arm 203b. The substrate carrying hand 202 is provided with an adsorption mechanism on its upper surface and is capable of adsorbing the substrate 103.

기판 보관 기구(204)는 하나 이상의 슬롯을 구비하고, 1매 이상의 기판(103)을 보관 가능하다. 제1 기판 반출입부(205a) 및 제2 기판 반출입부(205b)에는 복수매의 기판(103)을 보유 지지한 기판 캐리어(206)가 반출입된다. 기판 반송 핸드(202)는 기판 스테이지(104), 기판 보관 기구(204)의 임의의 슬롯, 제1 기판 반출입부(205a) 혹은 제2 기판 반출입부(205b)에 장착된 기판 캐리어(206)의 임의의 슬롯에 기판(103)을 1매씩 반입 혹은 반출가능하다.The substrate storage mechanism 204 has one or more slots, and one or more substrates 103 can be stored. A substrate carrier 206 holding a plurality of substrates 103 is carried in and out of the first substrate loading / unloading section 205a and the second substrate loading / unloading section 205b. The substrate carrying hand 202 is moved in the direction of the substrate stage 104, the arbitrary slot of the substrate storage mechanism 204, the first substrate loading / unloading section 205a or the substrate carrier 206 mounted on the second substrate loading / It is possible to carry or carry out the substrates 103 one by one in an arbitrary slot.

도 3에 임프린트 장치(100)에서 사용되는 형틀(102)의 실시 형태를 나타낸다. 형틀(102)은, 융해 석영, 유기 폴리머, 금속을 포함하지만, 그들 재료에만 한정되지는 않는다. 형틀(102)은 중앙부에 파인 파임부(302)(코어 아웃)를 갖는다. 파임부(302)의 두께는 수 mm 정도가 적당하다. 형틀(102)의 파임부(302)가 없는 측(패턴부(301)가 형성되어 있는 면)을 제1 면, 파임부(302)가 형성되어 있는 측을 제2 면이라 한다. 패턴부(301)는 제1 면측의 파임부 영역의 중심에 형성된다. 패턴부(301)는 패턴 기초부(305)와 패턴을 포함하고, 패턴 기초부(305)는 30㎛ 정도의 두께로 구성된다. 패턴은, 패턴 오목부(303)와 패턴 볼록부(304)를 포함한다. 미소한 패턴의 경우에는, 그 폭이 수 nm, 수십 nm의 패턴이 형성되는 경우도 있고, 그 경우, 패턴 볼록부(304)로부터 패턴 오목부(303)의 패턴 깊이는 수십 nm로부터 수백 nm 정도로 구성된다. 또한, 형틀(102)의 패턴 기초부(305)에는 검출부(116)로 사용하기 위한 형틀 마크(306)가 형성되어 있어도 된다. 패턴 기초부(305)는 기판(103)에 대하여 볼록 형상으로 되어 있고, 메사부라 불릴 경우가 있다.Fig. 3 shows an embodiment of a mold 102 used in the imprint apparatus 100. Fig. The molds 102 include fused quartz, organic polymers, and metals, but are not limited to these materials. The mold 102 has a fine fracture portion 302 (core-out) at its central portion. The thickness of the wave portion 302 is preferably about several millimeters. The side on which the wave portion 302 of the mold 102 is not provided (the side on which the pattern portion 301 is formed) is referred to as a first side and the side where the wave portion 302 is formed is referred to as a second side. The pattern portion 301 is formed at the center of the wave front portion region on the first surface side. The pattern portion 301 includes a pattern base portion 305 and a pattern, and the pattern base portion 305 has a thickness of about 30 mu m. The pattern includes a pattern recess 303 and a pattern convex portion 304. In this case, the pattern depth of the pattern recess 303 from the pattern convex portion 304 may be from several tens nm to several hundreds nm . A pattern frame 306 for use as the detection unit 116 may be formed on the pattern base unit 305 of the mold 102. The pattern base portion 305 has a convex shape with respect to the substrate 103, and may be referred to as a mesa portion.

(노광 시간과 검출부의 계측값)(The exposure time and the measurement value of the detection unit)

도 4는, 임프린트재(401)에 형틀(102)을 압인하는 공정과 임프린트재(401)를 경화하는 공정에서의 검출부(116)의 계측값을 나타낸 도면이다. 도 4의 종축은 기판(103)에 형성된 기판 마크와 형틀(102)에 형성된 형틀 마크(306)를 검출부(116)가 검출한 형틀(102)과 기판(103)의 상대 위치의 계측값을 나타낸다. 여기서 상대 위치는, 형틀(102)과 기판(103)의 목표 위치에 대한 제어 잔차를 나타내고 있고, 도 4에는 형틀과 기판 사이에 발생하고 있는 상대적인 진동의 성분을 추출하여 표시하고 있다. 이하의 도면에 있어서도, 마찬가지로 상대적인 진동의 성분을 추출한 결과를 표시하고 있다. 도 4의 횡축은 압인 공정의 개시시의 시간을 0초로 해 노광 완료까지의 시간을 나타낸다.4 is a diagram showing measured values of the detecting section 116 in the step of stamping the mold 102 on the imprint material 401 and the step of curing the imprint material 401. Fig. 4 shows measurement values of the relative positions of the mold 103 formed on the substrate 103 and the mold 102 and the mold 103 detected by the detecting section 116 on the mold frame 306 formed on the mold 102 . Here, the relative position indicates the control residual relative to the target position of the mold 102 and the substrate 103, and FIG. 4 shows the relative vibration components occurring between the mold and the substrate. In the following drawings, likewise, the results of extracting the components of the relative vibration are shown. The abscissa of FIG. 4 shows the time until the completion of exposure by setting the time at the start of the stamping process to 0 second.

충전 시간(501)은 임프린트재(401)와 형틀(102)이 접촉하여 형틀(102)의 패턴부(301)에 미경화의 임프린트재(401)가 충전되는 시간을 나타낸다. 노광 시간(502)은 임프린트재(401)를 경화부(105)의 광원에 의해 노광하는 시간(광을 조사하는 시간)을 나타낸다. 기판(103) 상에 공급되는 임프린트재(401)의 점탄성은 낮기 때문에, 기판 스테이지(104)의 제어 잔차나 암 진동 등의 외란에 의해 형틀(102)과 기판(103)의 미경화시 위치 어긋남(504)(진동)이 발생한다. 임프린트재(401)는 광이 조사되어 경화됨으로써, 임프린트재(401)의 점탄성은 높아진다. 이 때문에, 미경화시 위치 어긋남(504)에 비해 경화시 위치 어긋남(505)은 작아진다.The charging time 501 represents the time for which the imprint material 401 is contacted with the pattern 102 and the pattern unit 301 of the mold 102 is filled with the uncured imprint material 401. The exposure time 502 represents the time (exposure time) for exposing the imprint material 401 by the light source of the hardening unit 105. Since the viscoelasticity of the imprint material 401 supplied to the substrate 103 is low, the positional deviation occurs when the mold 102 and the substrate 103 are uncured due to disturbances such as control residuals of the substrate stage 104, (Vibration) 504 occurs. The imprint material 401 is irradiated with light and hardened, whereby the viscoelasticity of the imprint material 401 is increased. Therefore, the position shift 505 at the time of curing becomes smaller than the position shift 504 at the time of non-curing.

미경화시 위치 어긋남(504)은 충전 시간(501)의 기간 검출부(116)에 의한 위치 어긋남의 계측값의 편차로부터 구한다. 미경화시 위치 어긋남(504)에 비해 경화시 위치 어긋남(505)으로 수렴하는 경화 시간(503)은 노광 시간(502) 사이의 위치 어긋남 변화량이 일정 이하(역치 이하)로 될 때까지의 시간으로부터 구한다. 경화 시간(503)은 임프린트재(401)가 단분자 축차 광반응계일 경우에는 (노광량/조도), 임프린트재(401)가 광 라디칼 중합 반응계일 경우에는 (노광량/√(조도))에 비례한다. 경화시 위치 어긋남(505)은 노광 시간(502) 내의 경화 시간(503) 이외의 기간의 검출부(116)에 의한 위치 어긋남의 계측값의 편차로부터 구한다. 여기서, 임프린트재(401)가 경화될 때까지의 위치 어긋남의 시간 변화율을 경화 촉진율로서 다음과 같이 정의한다.The non-cured positional deviation 504 is obtained from the deviation of the measured value of the positional deviation by the period detecting section 116 of the charging time 501. The curing time 503 converging to the positional deviation 505 at the time of curing compared with the positional deviation 504 at the time of non-curing differs from the time until the amount of positional deviation change between the exposure times 502 becomes less than a predetermined value I ask. The curing time 503 is proportional to the exposure amount / illumination (illuminance / illuminance) when the imprint material 401 is a single molecule molecular light reaction system and when the imprint material 401 is an optical radical polymerization reaction system . The positional shift 505 during curing is obtained from the deviation of the positional deviation measured by the detecting portion 116 during a period other than the curing time 503 in the exposure time 502. [ Here, the time rate of change of the positional deviation until the imprint material 401 is cured is defined as the cure acceleration rate as follows.

경화 촉진율=(미경화시 위치 어긋남(504)-경화시 위치 어긋남(505))/경화 시간(503) … 식 (1)Curing accelerating rate = (position deviation when not cured (504) -displacement (505) at curing) / curing time (503) Equation (1)

도 5는, 경화부(105)의 광원의 조도가 저하되었을 때의, 임프린트재(401)에 형틀(102)을 압인하는 공정과 임프린트재(401)를 경화하는 공정에서의 검출부(116)의 계측값을 나타낸 도면이다. 도 5의 종축은 기판(103)에 형성된 기판 마크와 형틀(102)에 형성된 형틀 마크(306)를 검출부(116)가 검출한 형틀(102)과 기판(103)의 상대 위치의 계측값을 나타낸다. 도 5의 횡축은 압인 공정의 개시시의 시간을 0초로 하고 노광 완료까지의 시간을 나타낸다.5 is a view showing a process of pressing the mold 102 on the imprint material 401 and a process of curing the imprint material 401 when the illuminance of the light source of the curing unit 105 is lowered. Fig. 5 shows measured values of the relative positions of the mold 103 formed on the substrate 103 and the mold 102 formed on the mold 102 by the detection unit 116 . The abscissa of FIG. 5 shows the time until the completion of the exposure with the time at the start of the stamping process being 0 seconds.

충전 시간(601)은 임프린트재(401)와 형틀(102)이 접촉하여 형틀(102)의 패턴부(301)에 미경화의 임프린트재(401)가 충전되는 시간을 나타낸다. 노광 시간(602)은 임프린트재(401)를 경화부(105)의 광원에 의해 노광하는 시간(광을 조사하는 시간)을 나타낸다. 경화부(105)의 광원의 조도가 저하되고 있기 때문에, 위치 어긋남양이 수렴하는 경화 시간(603)은 수렴하는 경화 시간(503)보다 길어지고, 경화 촉진율은 작아진다. 추가로, 경화부(105)의 광원의 조도가 저하되면 노광 시간(602) 내에 임프린트재(401)의 경화가 완료되지 않게 될 우려가 있다.The charging time 601 indicates the time when the imprint material 401 is in contact with the mold 102 and the uncured imprint material 401 is charged in the pattern unit 301 of the mold 102. [ The exposure time 602 represents a time (time for irradiating light) for exposing the imprint material 401 by the light source of the curing unit 105. [ Since the illuminance of the light source of the curing unit 105 is lowered, the curing time 603 at which the amount of positional deviation converges becomes longer than the curing time 503 at which the convergence occurs, and the curing acceleration rate becomes smaller. Further, when the illuminance of the light source of the curing unit 105 is lowered, the curing of the imprint material 401 may not be completed within the exposure time 602.

(보정 방법)(Correction method)

이와 같이, 경화부(105)의 광원의 조도가 저하되는 것에 의해 발생하는 경화 촉진율의 변동에 기초하여 경화부(105)의 광원의 노광량이 임의의 노광량(조사량)으로 되도록 보정하는 방법을 설명한다.As described above, a method of correcting the exposure amount of the light source of the curing unit 105 to an arbitrary exposure amount (irradiation amount) on the basis of the fluctuation of the curing acceleration rate caused by lowering the illuminance of the light source of the curing unit 105 do.

먼저, 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하기 위한 프로세스 조건 조정을 사전에 행한다. 사전에 행하는 프로세스 조건 조정은, 임시 결정된 프로세스 조건에서 패턴 형성을 행하고, 얼라인먼트 결과, 패턴 전사 결과 등을 평가하면서 프로세스 조건의 조정을 행한다. 프로세스 조건의 조정에서 조정되는 조건 중 하나로서, 경화부(105)에 의한 노광 시간이 있다.First, process conditions for forming a pattern of an imprint material on a substrate are adjusted in advance. The process condition adjustment performed in advance is to perform the pattern formation under the temporarily determined process conditions, and to adjust the process conditions while evaluating the alignment result and the pattern transfer result or the like. As a condition to be adjusted in the adjustment of the process conditions, there is an exposure time by the hardening unit 105.

사전에 행하는 프로세스 조건 조정은, 프로세스 조건 조정에서 결정된 노광 시간 Te0 및 조도 I0를 기록한다. 또한 노광 시간 Te0에서 패턴을 형성했을 때의 경화 촉진율 R0, 경화 시간 Tc0를 검출부(116)의 계측값으로부터 구한다.The previously performed process condition adjustment records the exposure time Te0 and the roughness I0 determined in the process condition adjustment. Further, the curing acceleration rate R0 and the curing time Tc0 at the time of forming the pattern at the exposure time Te0 are determined from the measured values of the detecting section 116. [

(임프린트 방법)(Imprint method)

이어서, 사전에 조정된 프로세스 조건인 노광 시간 Te0에서, 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 방법을 설명한다. 도 6은, 임프린트 장치(100)를 사용하여 기판(103) 상에 임프린트재(401)의 패턴을 형성하는 임프린트 방법을 나타낸 도면이다.Next, an imprint method of forming a pattern on a substrate at an exposure time Te0 which is a pre-adjusted process condition will be described. 6 is a view showing an imprint method of forming a pattern of the imprint material 401 on the substrate 103 using the imprint apparatus 100. FIG.

먼저, 스텝 S701에서는, 기판(103) 상에 임프린트재(401)를 지정된 도포 패턴으로 되도록 기판 스테이지(104)를 x 방향으로 구동시키면서 공급 기구(106)에 의해 도포한다. 이어서, 스텝 S702에서는, 형틀(102)과 기판(103)(임프린트재(401))을 접근시킴으로써, 형틀(102)과 임프린트재(401)를 접촉시켜, 형틀(102)에 임프린트재(401)를 충전한다(충전 공정). 이어서, 스텝 S403에서, 임프린트 장치(100)는 형틀(102)과 임프린트재(401)를 접촉시킨 상태에서 경화부(105)를 사용하여 노광광을 조사하여, 임프린트재(401)를 경화시킨다(노광 공정).First, in step S701, the substrate stage 104 is applied by the supply mechanism 106 while driving the substrate stage 104 in the x direction so that the imprint material 401 becomes a specified coating pattern on the substrate 103. [ Subsequently, in step S702, the mold 102 is brought into contact with the imprint material 401 by approaching the mold 103 and the substrate 103 (imprint material 401) so that the imprint material 401 is applied to the mold 102, (Charging step). Subsequently, in step S403, the imprint apparatus 100 irradiates exposure light using the curing unit 105 while the mold 102 is in contact with the imprint material 401, thereby curing the imprint material 401 Exposure process).

스텝 S704에서는, 임프린트재(401)를 경화시킨 후, 임프린트 장치(100)는 형틀(102)을 경화된 임프린트재(401)로부터 분리한다(이형 공정). 경화된 임프린트재(401)로부터 형틀(102)을 분리함으로써 기판(103) 상에 임프린트재(401)의 패턴이 형성된다. 기판(103)에 형성된 샷 영역마다, 이러한 일련의 임프린트 처리를 임프린트 장치(100) 내에서 반복해 실시함으로써, 기판(103) 전면에 패턴을 형성할 수 있다. 임프린트 장치(100)가 패턴을 형성할 때의 주된 조건으로서는, 충전 시간, 노광 시간 혹은 임프린트재의 도포 패턴이 있다.In step S704, after the imprint material 401 is cured, the imprint apparatus 100 separates the mold 102 from the hardened imprint material 401 (mold releasing step). The pattern of the imprint material 401 is formed on the substrate 103 by separating the mold 102 from the cured imprint material 401. [ A pattern can be formed on the entire surface of the substrate 103 by repeating such a series of imprint processing in the imprint apparatus 100 for each shot region formed on the substrate 103. [ The main conditions when the imprint apparatus 100 forms a pattern include a charging time, an exposure time, or an application pattern of an imprint material.

스텝 S701로부터 S704의 공정에 있어서 기판 상의 제N 샷 영역에 패턴을 형성했을 때의 경화 촉진율 RN, 경화 시간 TcN을 검출부(116)의 계측값으로부터 구한다. 단, 경화 촉진율 RN≤경화 촉진율 R0이다.The hardening acceleration rate RN and the hardening time TcN at the time of forming the pattern in the Nth shot area on the substrate in the steps S701 to S704 are obtained from the measured values of the detector 116. [ However, the hardening acceleration rate RN = the hardening acceleration rate R0.

마지막으로, 스텝 S705에서 노광 보정량의 산출을 행한다. TcN>Tc0의 경우, 경화부(105)의 광원의 조도가 저하되어 있을 우려가 있음을 나타낸다. 또한, RN×Te0<R0×Tc0의 경우, 충분한 경화가 이루어지지 않았음을 나타내고, 노광량의 보정이 필요하다.Finally, in step S705, the exposure correction amount is calculated. In the case of TcN > Tc0, it indicates that there is a possibility that the illuminance of the light source of the curing unit 105 is lowered. Further, in the case of RN x Te0 < R0 x Tc0, it indicates that sufficient curing has not been performed and correction of the exposure dose is necessary.

노광량의 보정을 경화부(105)의 광원의 노광 시간으로 보정할 경우의 방법을 설명한다. 이하의 식 (2)의 계산에 의해 제N+1 샷의 노광 시간 TeN+1을 산출한다.A method of correcting the exposure amount by the exposure time of the light source of the hardening unit 105 will be described. The exposure time TeN + 1 of the (N + 1) -th shot is calculated by the following equation (2).

TeN+1=R0/RN×Tc0 … 식 (2)TeN + 1 = R0 / RN x Tc0 ... Equation (2)

혹은, 노광량의 보정을 경화부(105)의 광원의 노광 조도로 보정할 경우의 방법을 설명한다. 이하의 식 (3)의 계산에 의해 임프린트재(401)가 단분자 축차 광반응계일 경우의 노광 조도 IN+1을 산출한다.Alternatively, a method for correcting the correction of the exposure amount with the exposure illuminance of the light source of the hardening unit 105 will be described. The exposure illuminance IN + 1 when the imprint material 401 is a monomolecular sequential light reaction system is calculated by the calculation of the following formula (3).

IN+1=R0/RN×I0 … 식 (3)IN + 1 = R0 / RN x I0 ... Equation (3)

또한, 이하의 식 (4)의 계산에 의해 임프린트재(401)가 광 라디칼 중합 반응계일 경우의 노광 조도 IN+1을 산출한다.Further, the exposure illuminance IN + 1 when the imprint material 401 is an optical radical polymerization reaction system is calculated by the calculation of the following formula (4).

IN+1=(R0/RN)^2×I0 … 식 (4)IN + 1 = (R0 / RN) 2 占 I0 ... Equation (4)

임프린트 장치(100)는 여기에서 구한 노광량의 보정값으로 되도록 경화부(105)의 광원의 노광 조도를 제어한다. 여기에서는 다음 샷 영역에 대한 노광 시간이나 노광 조도를 보정하는 것으로 설명했지만, 임의의 N' 샷 후의 노광량을 보정하는 것도 가능하다.The imprint apparatus 100 controls the exposure illuminance of the light source of the curing unit 105 so as to be the correction value of the exposure amount obtained here. Here, it is described that the exposure time and exposure illuminance for the next shot area are corrected. However, it is also possible to correct the exposure amount after any N 'shot.

이상에서 설명한 바와 같이 본 실시 형태의 임프린트 장치는, 노광 중의 위치 어긋남의 변화량으로부터 경화부(105)의 광원의 조도 저하를 검출하여 조사 시간과 조도 중 적어도 한쪽(노광량)의 보정을 행할 수 있다.As described above, in the imprint apparatus of the present embodiment, it is possible to correct at least one of the irradiation time and the illuminance (exposure amount) by detecting the decrease in illuminance of the light source of the curing unit 105 from the amount of change in positional deviation during exposure.

(제2 실시 형태)(Second Embodiment)

도 7은, 임프린트재(401)에 형틀(102)을 압인하는 공정과 임프린트재(401)를 경화하는 공정에서의 검출부(116)의 계측값을 나타낸 도면이다. 도 7의 종축은 기판(103)에 형성된 기판 마크와 형틀(102)에 형성된 형틀 마크(306)를 검출부(116)가 검출한 형틀(102)과 기판(103)의 상대 위치의 계측값을 나타낸다. 도 7의 횡축은 압인 공정의 개시시의 시간을 0초로 하여 노광 완료까지의 시간을 나타낸다.7 is a view showing measured values of the detecting section 116 in the step of stamping the mold 102 on the imprint material 401 and the step of curing the imprint material 401. Fig. 7 shows measurement values of the relative positions of the form 102 and the substrate 103 detected by the detection unit 116 on the substrate mark formed on the substrate 103 and the mold mark 306 formed on the mold 102 . The abscissa of FIG. 7 shows the time until the completion of exposure with the time at the start of the stamping process being 0 seconds.

충전 시간(801)은 임프린트재(401)와 형틀(102)이 접촉하여 형틀(102)의 패턴부(301)에 미경화의 임프린트재(401)가 충전되는 시간을 나타낸다. 노광 시간(802)은 임프린트재(401)를 경화부(105)의 광원에 의해 노광하는 시간(광을 조사하는 시간)을 나타낸다. 경화 시간(803)은 미경화시 위치 어긋남이 일정 이하로 될 때까지의 시간을 나타낸다. 기판(103) 상에 공급되는 임프린트재(401)의 점탄성은 낮기 때문에, 기판 스테이지(104)의 암 진동 등의 외란에 의해 형틀(102)과 기판(103)의 미경화시 위치 어긋남(진동)이 발생한다. 이 때문에, 임프린트재(401)를 경화시키면, 도 7의 경화 위치 어긋남 평균값(804A, 804B, 804C)에 나타내는 바와 같이 노광 개시 시점의 형틀(102)과 기판(103)의 위치 어긋남 상태에 의존하여 중첩의 정밀도가 저하될 우려가 있다.The charging time 801 indicates the time for which the imprint material 401 is in contact with the mold 102 and the uncured imprint material 401 is charged in the pattern unit 301 of the mold 102. [ The exposure time 802 represents the time (exposure time) for exposing the imprint material 401 by the light source of the hardening unit 105. [ The curing time 803 represents the time until the positional deviation becomes less than a predetermined value at the time of non-curing. The vibration of the imprint material 401 on the substrate 103 is low so that the position deviation (vibration) of the mold 102 and the substrate 103 when the mold 102 and the substrate 103 are uncured due to disturbance, Lt; / RTI &gt; Therefore, when the imprint material 401 is cured, as shown in the cured position deviation average values 804A, 804B, and 804C in Fig. 7, depending on the positional deviation state of the mold 102 and the substrate 103 at the start of exposure There is a fear that the accuracy of superimposition is lowered.

그래서, 제2 실시 형태에서는 경화 위치 어긋남을 저감하기 위하여 예비 노광을 행하여 임프린트재(401)의 점탄성을 높이는 실시 형태에 대하여 설명한다.Thus, in the second embodiment, an embodiment in which preliminary exposure is performed in order to reduce the curing position shift to increase the viscoelasticity of the imprint material 401 will be described.

도 8은, 임프린트재(401)에 형틀(102)을 압인하는 공정과, 임프린트재(401)를 예비 노광하는 공정과, 임프린트재(401)를 경화하는 공정에서의 검출부(116)의 계측값을 나타낸 도면이다. 도 8의 종축은 기판(103)에 형성된 기판 마크와 형틀(102)에 형성된 형틀 마크(306)를 검출부(116)가 검출한 형틀(102)과 기판(103)의 상대 위치의 계측값을 나타낸다. 도 8의 횡축은 압인 공정의 개시시의 시간을 0초로 해 노광 완료까지의 시간을 나타낸다.8 is a view showing a process of pressing the mold 102 on the imprint material 401 and preliminarily exposing the imprint material 401 and measuring the measured value of the detection unit 116 in the step of curing the imprint material 401 Fig. 8 shows the measured values of the relative positions of the mold 103 formed on the substrate 103 and the mold 102 formed on the mold 102 and the mold 102 detected by the detecting section 116 . The abscissa of FIG. 8 shows the time until the completion of exposure by making the time at the start of the stamping process 0 second.

제1 충전 시간(901)은 임프린트재(401)와 형틀(102)이 접촉하여 형틀(102)의 패턴부(301)에 미경화의 임프린트재(401)가 충전되는 시간을 나타낸다. 예비 노광 시간(904)은 임프린트재(401)를 경화부(105)의 광원에 의해 반노광하는 시간을 나타낸다. 예비 노광은, 형틀(102)과 임프린트재(401)를 접촉시켜 충전을 개시한 후, 경화부(105)의 광원에 의해 임프린트재(401)를 경화시킬 때까지 사이에 행하여진다. 예비 노광은 임프린트재(401)가 반경화됨으로써 점탄성이 높아진다. 여기서, 임프린트재의 반노광이란, 임프린트재의 점탄성이 높게 되어 있지만, 형틀과 기판의 상대적인 위치의 변경이 가능한 상태(얼라인먼트 가능한 상태)를 나타낸다. 제2 충전 시간(905)은 임프린트재(401)가 반경화인 시간을 나타낸다. 제2 충전 시간에 검출부(116)의 검출 결과에 기초하여 형틀(102)과 기판(103)의 위치 정렬을 행할 수 있다. 노광 시간(902)은 임프린트재(401)를 경화부(105)의 광원에 의해 노광하는 시간(광을 조사하는 시간)을 나타낸다. 경화 시간(903)은 반경화시 위치 어긋남이 일정 이하로 될 때까지의 시간을 나타낸다.The first charging time 901 indicates the time when the imprint material 401 is in contact with the mold 102 and the uncured imprint material 401 is charged in the pattern unit 301 of the mold 102. [ The preliminary exposure time 904 represents the time for semi-exposure of the imprint material 401 by the light source of the curing unit 105. The preliminary exposure is performed between the mold 102 and the imprint material 401 until the imprint material 401 is cured by the light source of the curing unit 105 after charging is started. The preliminary exposure increases the viscoelasticity by semi-curing the imprint material 401. Here, the semi-exposure of the imprint material indicates a state in which the relative position of the mold frame and the substrate can be changed (alignable state) although the viscoelasticity of the imprint material is high. The second charging time 905 represents the time during which the imprint material 401 is semi-cured. The position of the mold 102 and the substrate 103 can be aligned based on the detection result of the detection unit 116 at the second charging time. The exposure time 902 represents a time (time for irradiating light) for exposing the imprint material 401 by the light source of the hardening unit 105. The curing time 903 represents the time until the positional deviation becomes half or less during the semi-curing.

도 8에 도시하는 바와 같이, 외란에 대한 형틀(102)과 기판(103)의 반경화시 위치 어긋남(907)은 미경화시 위치 어긋남(906)에 비하여 작아진다. 예비 노광에 의해 반경화시 위치 어긋남(907)이 미경화시 위치 어긋남(906)에 비하여 작아지기 때문에 노광 개시 시점의 형틀(102)과 기판(103)의 위치 어긋남도 작아져, 예비 노광을 행하지 않는 경우에 비해 노광 후의 최종적인 중첩의 정밀도가 향상된다.As shown in Fig. 8, the positional deviation 907 during the semi-curing of the mold 102 and the substrate 103 relative to the disturbance becomes smaller than the positional deviation 906 when uncured. The positional deviation 907 at the time of semi-curing by the preliminary exposure becomes smaller than the positional deviation 906 at the time of non-curing, so that the positional deviation between the mold 102 and the substrate 103 at the start of exposure becomes small, The accuracy of the final overlap after exposure is improved.

(보정 방법)(Correction method)

이러한 예비 노광을 포함하는 임프린트 방법에 있어서, 경화부(105)의 광원의 조도가 저하되는 것에 의해 발생하는 경화 촉진율의 변동에 기초하여 경화부(105)의 광원의 노광량이 임의의 노광량으로 되도록 보정하는 방법을 설명한다.In the imprint method including the preliminary exposure, the exposure amount of the light source of the curing unit 105 is adjusted to an arbitrary exposure amount based on the fluctuation of the curing acceleration rate caused by lowering the illuminance of the light source of the curing unit 105 A method of correcting will be described.

먼저, 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하기 위한 프로세스 조건 조정을 사전에 행한다. 사전에 행하는 프로세스 조건 조정은, 임시 결정된 프로세스 조건에서 패턴 형성을 행하고, 얼라인먼트 결과, 패턴 전사 결과 등을 평가하면서 프로세스 조건의 조정을 행한다. 프로세스 조건의 조정으로 조정되는 조건으로서는, 경화부(105)에 의한 노광 시간, 예비 노광 시간이 있다.First, process conditions for forming a pattern of an imprint material on a substrate are adjusted in advance. The process condition adjustment performed in advance is to perform the pattern formation under the temporarily determined process conditions, and to adjust the process conditions while evaluating the alignment result and the pattern transfer result or the like. As conditions under which the process conditions are adjusted, there are an exposure time by the hardening unit 105 and a preliminary exposure time.

사전에 행하는 프로세스 조건 조정은, 프로세스 조건 조정으로 결정된 노광 시간 Te0, 조도 I0, 예비 노광 시간 Tpe0 및 예비 노광 조도 Ip0을 기록한다. 또한, 노광 시간 Te0, 조도 I0, 예비 노광 시간 Tpe0, 예비 노광 조도 Ip0에서 패턴을 형성했을 때의 효과 촉진율 R0, 경화 시간 Tc0, 예비 경화 촉진율 Rp0 및 예비 경화 시간 Tpc0을 검출부(116)의 계측값으로부터 구한다.The pre-performed process condition adjustment records the exposure time Te0, the roughness I0, the preliminary exposure time Tpe0, and the preliminary exposure illumination Ip0 determined by adjusting the process conditions. The effect promoting rate R0, the curing time Tc0, the pre-curing promotion rate Rp0, and the pre-curing time Tpc0 when the pattern is formed at the exposure time Te0, the roughness I0, the preliminary exposure time Tpe0, and the preliminary exposure illumination Ip0, Obtained from measured values.

이어서, 사전에 조정된 프로세스 조건인 노광 시간 Te0, 예비 노광 시간 Tp0에, 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 방법을 설명한다. 도 9는, 임프린트 장치(100)를 사용하여 기판(103) 상에 임프린트재(401)의 패턴을 형성하는 임프린트 방법을 나타낸 도면이다.Next, an imprint method of forming a pattern on a substrate at an exposure time Te0 and a preliminary exposure time Tp0, which are pre-adjusted process conditions, will be described. 9 is a view showing an imprint method of forming a pattern of the imprint material 401 on the substrate 103 by using the imprint apparatus 100. Fig.

먼저, 스텝 S1001에서는, 기판(103) 상에 임프린트재(401)를 지정된 도포 패턴으로 되도록 기판 스테이지(104)를 x 방향으로 구동시키면서 공급 기구(106)에 의해 도포한다. 이어서, 스텝 S1002에서는, 형틀(102)과 기판(103)(임프린트재(401))을 접근시킴으로써, 형틀(102)과 임프린트재(401)를 접촉시켜, 형틀(102)에 임프린트재(401)를 충전한다(제1 충전 공정). 이어서, 스텝 S1003에서, 임프린트 장치(100)는 형틀(102)과 임프린트재(401)를 접촉시킨 상태에서 경화부(105)를 사용하여 노광광을 조사하고, 임프린트재(401)의 예비 노광을 행한다(예비 노광 공정).First, in step S1001, the substrate stage 104 is applied by the supply mechanism 106 while driving the substrate stage 104 in the x direction so that the imprint material 401 becomes a specified coating pattern on the substrate 103. [ The imprint material 401 is brought into contact with the mold 102 and the imprint material 401 by bringing the mold 102 and the substrate 103 (imprint material 401) close to each other in step S1002, (First charging step). Subsequently, in step S1003, the imprint apparatus 100 irradiates exposure light using the hardened section 105 in a state in which the mold 102 is in contact with the imprint material 401, and preliminary exposure of the imprint material 401 (Preliminary exposure step).

스텝 S1001로부터 S1003의 공정에 있어서 기판 상의 제N 샷 영역에 패턴을 형성했을 때의 예비 경화 촉진율 RpN, 예비 경화 시간 TpcN을 검출부(116)의 계측값으로부터 구한다. 단, 예비 경화 촉진율 RpN≤예비 경화 촉진율 Rp0이다.The pre-hardening promotion rate RpN and the pre-hardening time TpcN at the time of forming the pattern in the Nth shot area on the substrate in steps S1001 to S1003 are obtained from the measurement values of the detection unit 116. [ However, the pre-hardening promoting rate RpN? Pre-hardening promoting rate Rp0.

스텝 S1004에서는, 예비 노광을 행한 상태에서 형틀(102)에 임프린트재(401)를 충전한다(제2 충전 공정). 이 기간에 형틀(102)과 기판(103)의 위치 정렬을 행해도 된다. 이어서, 스텝 S1005에서, 임프린트 장치(100)는 형틀(102)과 임프린트재(401)를 접촉시킨 상태에서 경화부(105)를 사용하여 노광광을 조사하고, 임프린트재(401)를 경화시킨다(노광 공정). 스텝 S1006에서는, 임프린트재(401)를 경화시킨 후, 임프린트 장치(100)는 형틀(102)을 경화된 임프린트재(401)로부터 분리한다(이형 공정). 경화된 임프린트재(401)로부터 형틀(102)을 분리함으로써 기판(103) 상에 임프린트재(401)의 패턴이 형성된다. 기판(103)에 형성된 샷 영역마다, 이러한 일련의 임프린트 처리를 임프린트 장치(100) 내에서 반복해 실시함으로써, 기판(103)의 전면에 패턴을 형성할 수 있다. 임프린트 장치(100)가 패턴을 형성할 때의 주된 조건으로서는, 충전 시간, 노광 시간 혹은 임프린트재의 도포 패턴이 있다.In step S1004, the mold 102 is charged with the imprint material 401 under the preliminary exposure (second charging step). Alignment of the mold 102 and the substrate 103 may be performed during this period. Subsequently, in step S1005, the imprint apparatus 100 irradiates exposure light using the curing unit 105 while the mold 102 is in contact with the imprint material 401, and cures the imprint material 401 Exposure process). In step S1006, after the imprint material 401 is cured, the imprint apparatus 100 separates the mold 102 from the cured imprint material 401 (mold releasing step). The pattern of the imprint material 401 is formed on the substrate 103 by separating the mold 102 from the cured imprint material 401. [ A pattern can be formed on the entire surface of the substrate 103 by repeating such a series of imprint processing in the imprint apparatus 100 for each shot region formed on the substrate 103. [ The main conditions when the imprint apparatus 100 forms a pattern include a charging time, an exposure time, or an application pattern of an imprint material.

스텝 S1004 내지 S1005의 공정에 있어서 기판 상의 제N 샷 영역에 패턴을 형성했을 때의 노광시의 경화 촉진율 RN, 경화 시간 TcN을 검출부(116)의 계측값으로부터 구한다. 단, 경화 촉진율 RN≤경화 촉진율 R0이다.The hardening acceleration rate RN and the hardening time TcN at the time of exposure when the pattern is formed in the Nth shot area on the substrate in steps S1004 to S1005 are obtained from the measured values of the detector 116. [ However, the hardening acceleration rate RN = the hardening acceleration rate R0.

마지막으로, 스텝 S1007에서 노광 보정량의 산출을 행한다. TpcN+TcN>Tpc0+Tc0의 경우, 경화부(105)의 광원의 조도가 저하되어서 충분한 경화가 이루어지지 않았음을 나타내고 있기 때문에, 예비 노광이나 노광량의 보정이 필요하다. 또한, RpN×Tpe0+RN×Te0<Rp0×Tpc0+R0×Tc0의 경우, 충분한 경화가 이루어지지 않았음을 나타내고, 예비 노광이나 노광량의 보정이 필요하다. 여기에서는 5가지의 보정 방법에 대하여 설명한다.Finally, in step S1007, the exposure correction amount is calculated. In the case of TpcN + TcN > Tpc0 + Tc0, the illuminance of the light source of the curing unit 105 is lowered, indicating that sufficient curing has not been performed, and therefore preliminary exposure and correction of the exposure amount are necessary. Also, in the case of RpN x Tpe0 + RN x Te0 < Rp0 x Tpc0 + R0 x Tc0, it indicates that sufficient curing has not been performed and correction of the preliminary exposure and exposure amount is necessary. Here, five correction methods are described.

(제1 보정 방법)(First correction method)

제1 보정 방법은, 제N 샷 영역의 예비 노광의 예비 경화 촉진율 RpN에 기초하여, 제N 샷 영역의 노광량을 보정한다.The first correction method corrects the exposure amount of the Nth shot area based on the pre-hardening promotion rate RpN of the preliminary exposure of the Nth shot area.

노광량의 보정을 경화부(105)의 광원의 노광 시간으로 보정할 경우의 방법을 설명한다. 이하의 식 (5)의 계산에 의해 제N 샷 영역의 노광 시간 TeN을 산출한다.A method of correcting the exposure amount by the exposure time of the light source of the hardening unit 105 will be described. The exposure time TeN of the Nth shot area is calculated by the following equation (5).

TeN=Rp0/RpN×Tc0 … 식 (5)TeN = Rp0 / RpN x Tc0 ... Equation (5)

혹은, 노광량의 보정을 경화부(105)의 광원의 노광 조도로 보정할 경우의 방법을 설명한다. 이하의 식 (6)의 계산에 의해 임프린트재(401)가 단분자 축차 광반응계일 경우의 노광 조도 IN을 산출한다.Alternatively, a method for correcting the correction of the exposure amount with the exposure illuminance of the light source of the hardening unit 105 will be described. The exposure illuminance IN when the imprint material 401 is a monomolecular gradient photoreaction system is calculated by the following expression (6).

IN=Rp0/RpN×I0 … 식 (6)IN = Rp0 / RpN x I0 ... Equation (6)

또한, 이하의 식 (7)의 계산에 의해 임프린트재(401)가 광 라디칼 중합 반응계일 경우의 노광 조도 IN을 산출한다.Further, the exposure illuminance IN when the imprint material 401 is an optical radical polymerization reaction system is calculated by the calculation of the following formula (7).

IN=(Rp0/RpN)^2×I0 … 식 (7)IN = (Rp0 / RpN) ^ 2 占 I0 ... Equation (7)

임프린트 장치(100)는 여기에서 구한 노광량의 보정값으로 되도록 경화부(105)의 광원의 노광 조도를 제어한다.The imprint apparatus 100 controls the exposure illuminance of the light source of the curing unit 105 so as to be the correction value of the exposure amount obtained here.

이상에서 설명한 바와 같이 본 실시 형태의 임프린트 장치는, 예비 노광의 예비 경화 촉진율의 변화로부터 경화부(105)의 광원의 조도의 저하를 검출하여 조사 시간과 조도 중 적어도 한쪽(노광량)의 보정을 행할 수 있다.As described above, the imprint apparatus according to the present embodiment detects the decrease in the illuminance of the light source of the hardened portion 105 from the change in the pre-hardening promotion rate of the preliminary exposure and corrects at least one of the irradiation time and the illumination .

(제2 보정 방법)(Second correction method)

제2 보정 방법은, 제N 샷 영역의 예비 노광의 예비 경화 촉진율 RpN에 기초하여, 제N+1 샷 영역의 노광량을 보정한다.The second correction method corrects the exposure amount of the (N + 1) th shot area based on the pre-hardening promotion rate RpN of the preliminary exposure of the Nth shot area.

노광량의 보정을 경화부(105)의 광원의 노광 시간으로 보정할 경우의 방법을 설명한다. 이하의 식 (8)의 계산에 의해 제N+1 샷 영역의 노광 시간 TeN+1을 산출한다.A method of correcting the exposure amount by the exposure time of the light source of the hardening unit 105 will be described. The exposure time TeN + 1 of the (N + 1) th shot area is calculated by the following Expression (8).

TeN+1=Rp0/RpN×Tc0 … 식 (8)TeN + 1 = Rp0 / RpN.times.Tc0 ... Equation (8)

혹은, 노광량의 보정을 경화부(105)의 광원의 노광 조도로 보정할 경우의 방법을 설명한다. 이하의 식 (9)의 계산에 의해 임프린트재(401)가 단분자 축차 광반응계일 경우의 노광 조도 IN+1을 산출한다.Alternatively, a method for correcting the correction of the exposure amount with the exposure illuminance of the light source of the hardening unit 105 will be described. The exposure illuminance IN + 1 when the imprint material 401 is a monomolecular sequential light reaction system is calculated by the following equation (9).

IN+1=Rp0/RpN×I0 … 식 (9)IN + 1 = Rp0 / RpN x I0 ... Equation (9)

또한, 이하의 식 (10)의 계산에 의해 임프린트재(401)가 광 라디칼 중합 반응계일 경우의 노광 조도 IN+1을 산출한다.Further, the exposure illuminance IN + 1 when the imprint material 401 is a photo-radical polymerization reaction system is calculated by the calculation of the following formula (10).

IN+1=(Rp0/RpN)^2×I0 … 식 (10)IN + 1 = (Rp0 / RpN) ^ 2 占 I0 ... Equation (10)

임프린트 장치(100)는 여기에서 구한 노광량의 보정값으로 되도록 경화부(105)의 광원의 노광 조도를 제어한다. 여기에서는 다음 샷 영역에 대한 노광 시간이나 노광 조도를 보정하는 것으로 설명했지만, 임의의 N' 샷 후의 노광량을 보정하는 것도 가능하다.The imprint apparatus 100 controls the exposure illuminance of the light source of the curing unit 105 so as to be the correction value of the exposure amount obtained here. Here, it is described that the exposure time and exposure illuminance for the next shot area are corrected. However, it is also possible to correct the exposure amount after any N 'shot.

이상에서 설명한 바와 같이 본 실시 형태의 임프린트 장치는, 예비 노광의 예비 경화 촉진율의 변화로부터 경화부(105)의 광원의 조도 저하를 검출하여 조사 시간과 조도 중 적어도 한쪽(노광량)의 보정을 행할 수 있다.As described above, the imprint apparatus of the present embodiment detects the decrease in the illuminance of the light source of the curing unit 105 from the change in the pre-curing promotion rate of the preliminary exposure and corrects at least one of the irradiation time and the illumination (exposure amount) .

(제3 보정 방법)(Third correction method)

제3 보정 방법은, 제N 샷 영역의 노광의 경화 촉진율 RN에 기초하여, 제N+1 샷 영역의 노광량을 보정한다.The third correction method corrects the exposure amount of the (N + 1) th shot area based on the hardening acceleration ratio RN of the exposure of the Nth shot area.

노광량의 보정을 경화부(105)의 광원의 노광 시간으로 보정할 경우의 방법을 설명한다. 이하의 식 (11)의 계산에 의해 제N+1 샷 영역의 노광 시간 TeN+1을 산출한다. A method of correcting the exposure amount by the exposure time of the light source of the hardening unit 105 will be described. The exposure time TeN + 1 of the (N + 1) th shot area is calculated by the calculation of the following formula (11).

TeN+1=R0/RN×Tc0 … 식 (11)TeN + 1 = R0 / RN x Tc0 ... Equation (11)

혹은, 노광량의 보정을 경화부(105)의 광원의 노광 조도로 보정할 경우의 방법을 설명한다. 이하의 식 (12)의 계산에 의해 임프린트재(401)가 단분자 축차 광반응계일 경우의 노광 조도 IN+1을 산출한다.Alternatively, a method for correcting the correction of the exposure amount with the exposure illuminance of the light source of the hardening unit 105 will be described. The exposure illuminance IN + 1 when the imprint material 401 is a monomolecular sequential light reaction system is calculated by the calculation of the following formula (12).

IN+1=R0/RN×I0 … 식 (12)IN + 1 = R0 / RN x I0 ... Equation (12)

또한, 이하의 식 (13)의 계산에 의해 임프린트재(401)가 광 라디칼 중합 반응계일 경우의 노광 조도 IN+1을 산출한다. Further, the exposure illuminance IN + 1 when the imprint material 401 is an optical radical polymerization reaction system is calculated by the calculation of the following formula (13).

IN+1=(R0/RN)^2×I0 … 식 (13)IN + 1 = (R0 / RN) 2 占 I0 ... Equation (13)

임프린트 장치(100)는 여기에서 구한 노광량의 보정값으로 되도록 경화부(105)의 광원의 노광 조도를 제어한다. 여기에서는 다음 샷 영역에 대한 노광 시간이나 노광 조도를 보정하는 것으로 설명했지만, 임의의 N' 샷 후의 노광량을 보정하는 것도 가능하다.The imprint apparatus 100 controls the exposure illuminance of the light source of the curing unit 105 so as to be the correction value of the exposure amount obtained here. Here, it is described that the exposure time and exposure illuminance for the next shot area are corrected. However, it is also possible to correct the exposure amount after any N 'shot.

이상에서 설명한 바와 같이 본 실시 형태의 임프린트 장치는, 노광의 경화 촉진율의 변화로부터 경화부(105)의 광원의 조도 저하를 검출하여 조사 시간과 조도 중 적어도 한쪽(노광량)의 보정을 행할 수 있다.As described above, the imprint apparatus of the present embodiment can detect the decrease in illuminance of the light source of the curing unit 105 from a change in the curing acceleration rate of exposure, and correct at least one of the irradiation time and illumination (exposure amount) .

(제4 보정 방법)(Fourth correction method)

제4 보정 방법은, 제N 샷 영역의 예비 노광의 예비 경화 촉진율 RpN에 기초하여, 제N+1 샷 영역의 예비 노광량을 보정한다.The fourth correction method corrects the preliminary exposure amount of the (N + 1) th shot area based on the preliminary curing promotion rate RpN of the preliminary exposure of the Nth shot area.

예비 노광량의 보정을 경화부(105)의 광원의 예비 노광 시간으로 보정할 경우의 방법을 설명한다. 이하의 식 (14)의 계산에 의해 제N+1 샷 영역의 예비 노광 시간 TpeN+1을 산출한다.A method of correcting the preliminary exposure dose by correcting the preliminary exposure dose of the light source of the hardening unit 105 will be described. The preliminary exposure time TpeN + 1 of the (N + 1) th shot area is calculated by the following Expression (14).

TpeN+1=Rp0/RpN×Tpc0 … 식 (14)TpeN + 1 = Rp0 / RpN x Tpc0 ... Equation (14)

혹은, 예비 노광량의 보정을 경화부(105)의 광원의 노광 조도로 보정할 경우의 방법을 설명한다. 이하의 식 (15)의 계산에 의해 임프린트재(401)가 단분자 축차 광반응계일 경우의 예비 노광 조도 IpN+1을 산출한다.Alternatively, a method for correcting the correction of the preliminary exposure dose with the exposure illuminance of the light source of the hardening unit 105 will be described. The preliminary exposure illuminance IpN + 1 when the imprint material 401 is a monomolecular stained light reaction system is calculated by the calculation of the following formula (15).

IpN+1=Rp0/RpN×Ip0 … 식 (15)IpN + 1 = Rp0 / RpN x Ip0 ... Equation (15)

또한, 이하의 식 (16)의 계산에 의해 임프린트재(401)가 광 라디칼 중합 반응계일 경우의 예비 노광 조도 IpN+1을 산출한다.Further, the preliminary exposure illuminance IpN + 1 when the imprint material 401 is a photo-radical polymerization reaction system is calculated by the calculation of the following formula (16).

IpN+1=(Rp0/RpN)^2×Ip0 … 식 (16)IpN + 1 = (Rp0 / RpN) ^ 2 Ip0 ... Equation (16)

임프린트 장치(100)는 여기에서 구한 예비 노광량의 보정값으로 되도록 경화부(105)의 광원의 노광 조도를 제어한다. 여기에서는 다음 샷 영역에 대한 예비 노광 시간이나 예비 노광 조도를 보정하는 것으로 설명했지만, 임의의 N' 샷 후의 예비 노광량을 보정하는 것도 가능하다.The imprint apparatus 100 controls the exposure illuminance of the light source of the curing unit 105 so as to be the correction value of the preliminary exposure amount obtained here. Here, it is described that the pre-exposure time and the pre-exposure illumination intensity for the next shot area are corrected, but it is also possible to correct the pre-exposure amount after any N 'shot.

이상에서 설명한 바와 같이 본 실시 형태의 임프린트 장치는, 예비 노광의 예비 경화 촉진율의 변화로부터 경화부(105)의 광원의 조도 저하를 검출하여 조사 시간과 조도 중 적어도 한쪽(노광량)의 보정을 행할 수 있다.As described above, the imprint apparatus of the present embodiment detects the decrease in the illuminance of the light source of the curing unit 105 from the change in the pre-curing promotion rate of the preliminary exposure and corrects at least one of the irradiation time and the illumination (exposure amount) .

(제5 보정 방법)(Fifth correction method)

제5 보정 방법은, 제N 샷 영역의 노광의 경화 촉진율 RN에 기초하여, 제N+1 샷 영역의 예비 노광량을 보정한다.The fifth correction method corrects the preliminary exposure amount of the (N + 1) th shot area based on the curing acceleration rate RN of the exposure of the Nth shot area.

예비 노광량의 보정을 경화부(105)의 광원의 예비 노광 시간으로 보정할 경우의 방법을 설명한다. 이하의 식 (17)의 계산에 의해 제N+1 샷 영역의 예비 노광 시간 TpeN+1을 산출한다.A method of correcting the preliminary exposure dose by correcting the preliminary exposure dose of the light source of the hardening unit 105 will be described. The preliminary exposure time TpeN + 1 of the (N + 1) th shot area is calculated by the following equation (17).

TpeN+1=R0/RN×Tpc0 … 식 (17)TpeN + 1 = R0 / RN x Tpc0 ... Equation (17)

혹은, 예비 노광량의 보정을 경화부(105)의 광원의 노광 조도로 보정할 경우의 방법을 설명한다. 이하의 식 (18)의 계산에 의해 임프린트재(401)가 단분자 축차 광반응계일 경우의 예비 노광 조도 IpN+1을 산출한다.Alternatively, a method for correcting the correction of the preliminary exposure dose with the exposure illuminance of the light source of the hardening unit 105 will be described. The preliminary exposure illuminance IpN + 1 when the imprint material 401 is a monomolecular sequential light reaction system is calculated by the calculation of the following formula (18).

IpN+1=R0/RN×Ip0 … 식 (18)IpN + 1 = R0 / RN x Ip0 ... Equation (18)

또한, 이하의 식 (19)의 계산에 의해 임프린트재(401)가 광 라디칼 중합 반응계일 경우의 예비 노광 조도 IpN+1을 산출한다.Further, the preliminary exposure illuminance IpN + 1 when the imprint material 401 is a photo-radical polymerization reaction system is calculated by the calculation of the following formula (19).

IpN+1=(R0/RN)^2×Ip0 … 식 (19)IpN + 1 = (R0 / RN) 2xIp0 ... Equation (19)

임프린트 장치(100)는 여기에서 구한 예비 노광량의 보정값으로 되도록 경화부(105)의 광원의 노광 조도를 제어한다. 여기에서는 다음 샷 영역에 대한 예비 노광 시간이나 예비 노광 조도를 보정하는 것으로 설명했지만, 임의의 N' 샷 후의 예비 노광량을 보정하는 것도 가능하다.The imprint apparatus 100 controls the exposure illuminance of the light source of the curing unit 105 so as to be the correction value of the preliminary exposure amount obtained here. Here, it is described that the pre-exposure time and the pre-exposure illumination intensity for the next shot area are corrected, but it is also possible to correct the pre-exposure amount after any N 'shot.

이상에서 설명한 바와 같이 본 실시 형태의 임프린트 장치는, 노광의 경화 촉진율의 변화로부터 경화부(105)의 광원의 조도 저하를 검출하여 조사 시간과 조도 중 적어도 한쪽(노광량)의 보정을 행할 수 있다.As described above, the imprint apparatus of the present embodiment can detect the decrease in illuminance of the light source of the curing unit 105 from a change in the curing acceleration rate of exposure, and correct at least one of the irradiation time and illumination (exposure amount) .

상기 실시 형태는, 검출부(116)가 검출한 마크의 상대 위치를 계측한 다음의 샷 영역을 보정하는 것으로 설명했지만, 복수의 샷 영역에서 구한 보정량의 평균값을 사용해도 된다.In the above-described embodiment, the shot area following the measurement of the relative position of the mark detected by the detection unit 116 is corrected. However, the average value of the correction amounts obtained in the plurality of shot areas may be used.

상술한 임프린트 장치(100)의 각 구성부는 제어부(도시되지 않음)에 의해 그 동작이 제어된다. 제어부는, 예를 들어 CPU나 메모리 등을 포함하는 컴퓨터(정보 처리 장치)로 구성되어, 임프린트 장치의 각 부(기판 스테이지나 얼라인먼트 검출기)를 통괄적으로 제어한다. 제어부는, 임프린트 장치(100) 내에 설치해도 되고, 임프린트 장치(100)와는 다른 장소에 설치해 원격으로 제어해도 된다.Each component of the above-described imprint apparatus 100 is controlled in its operation by a control unit (not shown). The control unit is constituted of, for example, a computer (information processing device) including a CPU, a memory, and the like, and controls each part (substrate stage or alignment detector) of the imprint device in a general manner. The control unit may be provided in the imprint apparatus 100 or may be provided at a place different from that of the imprint apparatus 100 and controlled remotely.

(물품의 제조 방법)(Manufacturing method of article)

임프린트 장치를 사용하여 형성된 경화물의 패턴은, 각종 물품의 적어도 일부에 항구적으로, 혹은 각종 물품을 제조할 때에 일시적으로, 사용된다. 물품이란, 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 혹은, 형틀 등이다. 전기 회로 소자로서는, DRAM, SRAM, 플래시 메모리, MRAM과 같은, 휘발성 혹은 불휘발성의 반도체 메모리나, LSI, CCD, 이미지 센서, FPGA와 같은 반도체 소자 등을 들 수 있다. 형틀로서는, 임프린트용 몰드 등을 들 수 있다.The pattern of the cured product formed by using the imprint apparatus is temporarily used for at least a part of various articles, or temporarily when manufacturing various articles. An article is an electric circuit element, an optical element, a MEMS, a recording element, a sensor, or a mold. Examples of the electric circuit element include a semiconductor memory such as a volatile or nonvolatile semiconductor memory such as a DRAM, an SRAM, a flash memory, and an MRAM, and a semiconductor element such as an LSI, a CCD, an image sensor, and an FPGA. Examples of the molds include molds for imprinting.

경화물의 패턴은, 상기 물품 중 적어도 일부의 구성 부재로서, 그대로 사용될지, 혹은, 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 기판의 가공 공정에 있어서 에칭 또는 이온 주입 등이 행하여진 후, 레지스트 마스크는 제거된다.The pattern of the cured product is used as it is as a constituent member of at least a part of the article, or temporarily used as a resist mask. After etching or ion implantation or the like is performed in the processing step of the substrate, the resist mask is removed.

이어서, 물품의 구체적인 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 10의 (a)에 도시되는 바와 같이, 절연체 등의 피가공재(2z)가 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판(1z)을 준비하고, 계속해서, 잉크젯법 등에 의해, 피가공재(2z)의 표면에 임프린트재(3z)를 부여한다. 여기에서는, 복수의 액적형으로 이루어진 임프린트재(3z)가 기판 상에 부여된 모습을 나타내고 있다.Next, a specific manufacturing method of the article will be described. A substrate 1z such as a silicon wafer having a surface to be processed 2z such as an insulator is prepared and then the surface of the material 2z to be processed is processed by an inkjet method or the like, And the imprint material 3z is applied to the surface. Here, a plurality of droplet-shaped imprint materials 3z are provided on the substrate.

도 10의 (b)에 도시되는 바와 같이, 임프린트용 형틀(4z)을, 그 요철 패턴이 형성된 측을 기판 상의 임프린트재(3z)를 향해, 대향시킨다. 도 10의 (c)에 도시되는 바와 같이, 임프린트재(3z)가 부여된 기판(1z)과 형틀(4z)을 접촉시켜, 압력을 가한다. 임프린트재(3z)는 형틀(4z)과 피가공재(2z)의 간극에 충전된다. 이 상태에서 경화용 에너지로서 광을 형틀(4z)을 투과시켜 조사하면, 임프린트재(3z)는 경화된다.As shown in Fig. 10 (b), the imprint mold 4z is opposed to the imprint material 3z on the substrate, the side on which the concavo-convex pattern is formed. As shown in Fig. 10 (c), the substrate 1z provided with the imprint material 3z is brought into contact with the mold 4z, and pressure is applied. The imprint material 3z is filled in the gap between the mold 4z and the material to be processed 2z. In this state, when the light is irradiated as the curing energy through the mold 4z, the imprint material 3z is cured.

도 10의 (d)에 도시되는 바와 같이, 임프린트재(3z)를 경화시킨 후, 형틀(4z)과 기판(1z)을 분리하면, 기판(1z) 상에 임프린트재(3z)의 경화물의 패턴이 형성된다. 이 경화물의 패턴은, 형틀의 오목부가 경화물의 볼록부에, 형틀의 볼록부가 경화물의 오목부에 대응한 형상으로 되어 있어, 즉, 임프린트재(3z)에 형틀(4z)의 요철 패턴이 전사되게 된다.10 (d), when the mold 4z and the substrate 1z are separated after the imprint material 3z is cured, the pattern of the cured product of the imprint material 3z on the substrate 1z . This pattern of the cured product is such that the concave portion of the mold is shaped to correspond to the convex portion of the cured product and the convex portion of the molded product corresponds to the concave portion of the cured product, that is, the convex / concave pattern of the mold 4z is transferred to the imprint material 3z do.

도 10의 (e)에 도시되는 바와 같이, 경화물의 패턴을 내 에칭 마스크로 하여 에칭을 행하면, 피가공재(2z)의 표면 중, 경화물이 없거나 혹은 얇게 잔존한 부분이 제거되어, 홈(5z)으로 된다. 또한, 당해 에칭과는 이종의 에칭에 의해 당해 잔존한 부분을 미리 제거해 두는 것도 바람직하다. 도 10의 (f)에 도시되는 바와 같이, 경화물의 패턴을 제거하면, 피가공재(2z)의 표면에 홈(5z)이 형성된 물품을 얻을 수 있다. 여기에서는 경화물의 패턴을 제거했지만, 가공 후도 제거하지 않고, 예를 들어 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연용의 막, 즉, 물품의 구성 부재로서 이용해도 된다.As shown in Fig. 10 (e), etching is performed using the pattern of the cured product as an inner etching mask to remove portions of the surface of the material to be processed 2z from which no cured product is present or thinly remaining, ). It is also preferable to remove the remaining portion by etching differently from the etching. As shown in Fig. 10 (f), when the pattern of the cured product is removed, an article in which the groove 5z is formed on the surface of the material to be processed 2z can be obtained. Although the pattern of the cured product is removed here, it may be used as a film for interlayer insulation, that is, a constituent member of an article, for example, contained in a semiconductor element or the like without removing it after processing.

본 발명을 예시적인 실시 형태들을 참조하여 설명하였지만, 본 발명은 상술된 실시 형태들로 제한되는 것은 아님을 이해해야 한다.　 이하 청구 범위의 범주는 모든 이러한 변형예들과 균등의 구조나 기능을 아우르는 가장 넓은 범위로 해석해야 한다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. The scope of the following claims is to be accorded the broadest interpretation so as to encompass all such modifications and equivalent structures and functions.

본 출원은, 2017년 12월 6일자 일본 특허 출원 제2017-234605호에 기초하는 우선권을 주장하며, 그 내용은 모두 본 명세서에 참조로서 원용된다.This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2017-234605, filed December 6, 2017, the entire contents of which are incorporated herein by reference.

Claims (9)

형틀을 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며, 상기 기판에 형성된 마크와 상기 형틀에 형성된 마크를 검출함으로써 상기 기판과 상기 형틀의 상대적인 진동을 계측하는 계측 공정과,
상기 임프린트재에 광을 조사하는 조사 공정을 갖고,
상기 조사 공정에 있어서, 상기 계측 공정의 계측 결과에 기초하여, 상기 임프린트재에 조사하는 광의 조사 시간과 조도 중 적어도 한쪽을 조정하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.1. An imprint method for forming a pattern of an imprint material on a substrate using a mold, the imprint method comprising: a measurement step of measuring a relative vibration of the substrate and the mold by detecting marks formed on the substrate and marks formed on the mold;
And an irradiation step of irradiating the imprint material with light,
Wherein the irradiating step adjusts at least one of the irradiation time and the illuminance of the light irradiated to the imprint material based on the measurement result of the measurement step. 제1항에 있어서,
기판 상에 형성된 복수의 샷 영역에 대하여 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며,
상기 복수의 샷 영역 각각에 있어서의 상기 계측 공정의 계측 결과에 기초하여, 상기 조사 공정에서 상기 임프린트재에 조사되는 광의 조사량의 변화를 구하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.The method according to claim 1,
An imprint method for forming a pattern of an imprint material on a plurality of shot regions formed on a substrate,
Wherein a change in the irradiation amount of light irradiated to the imprint material in the irradiation step is obtained based on a measurement result of the measurement step in each of the plurality of shot areas. 제2항에 있어서,
상기 조사 공정에 있어서, 상기 임프린트재에 조사되는 광의 조사량의 변화에 기초하여 상기 조사 시간과 상기 조도 중 적어도 한쪽을 조정하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.3. The method of claim 2,
Wherein at least one of the irradiation time and the illuminance is adjusted based on a change in an irradiation amount of light irradiating the imprint material in the irradiation step. 제1항에 있어서,
상기 기판 상에 배치된 제1 샷 영역과, 상기 제1 샷 영역과는 상이한 제2 샷 영역에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며,
상기 제1 샷 영역에 패턴을 형성할 때에 상기 계측 공정에서 계측된 계측 결과에 기초하여, 상기 제1 샷 영역에 패턴이 형성된 후에 상기 제2 샷 영역에 패턴을 형성할 때의 상기 조사 공정의 상기 광의 조사 시간과 조도 중 적어도 한쪽을 조정하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.The method according to claim 1,
An imprint method for forming a pattern of an imprint material in a first shot area disposed on the substrate and a second shot area different from the first shot area,
Wherein the step of forming the pattern in the second shot area after the pattern is formed in the first shot area is performed based on the measurement result measured in the measuring step when the pattern is formed in the first shot area, Wherein at least one of an irradiation time and an illuminance of the light is adjusted. 제1항에 있어서,
상기 기판 상에 배치된 제1 샷 영역과, 상기 제1 샷 영역과는 상이한 제2 샷 영역에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며,
상기 제1 샷 영역에 패턴을 형성할 때에 상기 계측 공정에 있어서, 상기 조사 공정에 의해 상기 임프린트재에 광을 조사하기 전에 계측된 상기 진동과, 상기 조사 공정에 의해 상기 임프린트재에 광이 조사된 후에 계측된 상기 진동의 차를 구하고, 해당 진동의 차에 기초하여 상기 제2 샷 영역에 패턴을 형성할 때에 상기 조사 공정에 있어서, 상기 조사 시간과 상기 조도 중 적어도 한쪽을 조정하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.The method according to claim 1,
An imprint method for forming a pattern of an imprint material in a first shot area disposed on the substrate and a second shot area different from the first shot area,
The vibration measured before the irradiation of the imprint material by the irradiation step and the irradiation of the imprint material by the irradiation step are performed in the measuring step when the pattern is formed in the first shot area, Characterized in that at least one of the irradiation time and the roughness is adjusted in the irradiation step when the difference in vibration measured after the irradiation is measured and the pattern is formed in the second shot area based on the difference of the vibration Imprint method. 제1항에 있어서,
상기 계측 공정은, 상기 조사 공정에 있어서 상기 임프린트재에 광이 조사된 후에 상기 진동이 역치 이하로 될 때까지의 시간을 구하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.The method according to claim 1,
Wherein the measuring step measures a time until the vibration becomes a threshold value or less after light is irradiated to the imprint material in the irradiation step. 제1항에 있어서,
상기 조사 공정은, 상기 임프린트재의 점탄성을 높이기 위한 예비 노광 공정과, 상기 예비 노광 공정 후, 상기 임프린트재를 경화시키는 경화 공정을 포함하고,
상기 예비 노광 공정에 의해 상기 임프린트재가 예비 노광된 상태에서, 상기 계측 공정에서 계측된 진동에 기초하여, 상기 경화 공정에서의 상기 광의 조사 시간과 상기 조도 중 적어도 한쪽을 조정하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.The method according to claim 1,
Wherein the irradiating step includes a preliminary exposure step for raising the viscoelasticity of the imprint material and a curing step for curing the imprint material after the preliminary exposure step,
Wherein at least one of the irradiation time and the illuminance of the light in the curing step is adjusted based on the vibration measured in the measuring step in a state in which the imprint material is preliminarily exposed by the preliminary exposure step . 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 임프린트 방법을 사용하여, 기판 상에 패턴을 형성하는 공정과,
상기 공정에서 상기 패턴이 형성된 기판을 가공하는 가공 공정을 갖고,
해당 가공 공정에 의해 가공된 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 것을 특징으로 하는 물품의 제조 방법.A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: forming a pattern on a substrate by using the imprint method according to any one of claims 1 to 7;
And a processing step of processing the substrate on which the pattern is formed in the step,
Wherein the article is manufactured from the substrate processed by the processing step. 형틀을 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며, 상기 기판에 형성된 마크와 상기 형틀에 형성된 마크를 검출함으로써 상기 기판과 상기 형틀의 상대적인 진동을 계측하는 계측부와,
상기 임프린트재를 경화시키는 광을 조사하는 조사부와,
상기 계측부의 계측 결과에 기초하여, 상기 조사부에 의한 상기 임프린트재에 광을 조사하는 조사 시간 및 해당 광의 조도 중 적어도 한쪽을 제어하는 제어부를 갖는 임프린트 장치.1. An imprint apparatus for forming a pattern of an imprint material on a substrate using a mold, the apparatus comprising: a measuring unit for measuring a relative vibration between the substrate and the mold by detecting marks formed on the substrate and marks formed on the mold;
An irradiation unit for irradiating light for curing the imprint material,
And a control section for controlling at least one of an irradiation time for irradiating light to the imprint material by the irradiation section and an illuminance of the light based on a measurement result of the measurement section.
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