JP6994972B2 - electronic microscope - Google Patents

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本発明は、電子顕微鏡に関する。 The present invention relates to an electron microscope.

電子顕微鏡に搭載される、二次電子や反射電子を検出する検出器として、マイクロチャンネルプレート(micro channel plate)を用いた検出器が知られている(例えば特許文献1参照)。マイクロチャンネルプレートは、電子増幅作用を持つ素子を二次元的に配列した板状の検出器である。 As a detector for detecting secondary electrons and backscattered electrons mounted on an electron microscope, a detector using a micro channel plate is known (see, for example, Patent Document 1). The microchannel plate is a plate-shaped detector in which elements having an electron amplification action are two-dimensionally arranged.

マイクロチャンネルプレートを用いた検出器では、検出器のゲインを調整することで、得られる反射電子像や二次電子像のコントラストを調整することができる。検出器のゲインは、マイクロチャンネルプレートに印加される電圧を変化させることで調整することができる。 In a detector using a microchannel plate, the contrast of the obtained backscattered electron image or secondary electron image can be adjusted by adjusting the gain of the detector. The gain of the detector can be adjusted by changing the voltage applied to the microchannel plate.

特開2014-225354号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-225354

上記のように、従来の電子顕微鏡では、マイクロチャンネルプレートに印加される電圧を変化させることでマイクロチャンネルプレートのゲインを変化させ、反射電子像や二次電子像のコントラストを調整していた。 As described above, in the conventional electron microscope, the gain of the microchannel plate is changed by changing the voltage applied to the microchannel plate, and the contrast of the backscattered electron image and the secondary electron image is adjusted.

しかしながら、マイクロチャンネルプレートは鏡筒内に配置される。そのため、マイクロチャンネルプレートに印加される電圧を変化させると、試料に照射される電子線に影響を与えてしまい、電子線の軸ずれ、すなわち、電子線が光学系の光軸からずれてしまう場合があった。このように、従来の電子顕微鏡では、良好な反射電子像や二次電子像を得るためには、像のコントラストを調整するごとに、電子線の軸合わせを行わなければならず、操作性が悪かった。 However, the microchannel plate is placed inside the lens barrel. Therefore, if the voltage applied to the microchannel plate is changed, it affects the electron beam irradiated to the sample, and the axis of the electron beam is deviated, that is, the electron beam deviates from the optical axis of the optical system. was there. As described above, in the conventional electron microscope, in order to obtain a good backscattered electron image or a secondary electron image, it is necessary to align the electron beam every time the contrast of the image is adjusted, and the operability is improved. It was bad.

本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様に係る目的の1つは、操作性に優れた電子顕微鏡を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and one of the objects according to some aspects of the present invention is to provide an electron microscope having excellent operability.

本発明に係る電子顕微鏡の一態様は、
電子を検出するマイクロチャンネルプレートと、
前記マイクロチャンネルプレートからの電流信号を電圧信号に変換する変換回路と、
前記電圧信号を増幅または減衰させる調整回路と、
前記調整回路の出力信号に基づいて、検出信号を生成する検出信号生成回路と、
前記調整回路のゲインを制御するゲイン制御部と、
を含み、
前記ゲイン制御部は、
前記マイクロチャンネルプレートに印加される電圧が変化する前の前記検出信号と、前記マイクロチャンネルプレートに印加される電圧が変化した後の前記検出信号と、に基づいて、前記調整回路のゲインを制御する。
One aspect of the electron microscope according to the present invention is
A microchannel plate that detects electrons and
A conversion circuit that converts the current signal from the microchannel plate into a voltage signal,
An adjustment circuit that amplifies or attenuates the voltage signal,
A detection signal generation circuit that generates a detection signal based on the output signal of the adjustment circuit,
A gain control unit that controls the gain of the adjustment circuit,
Including
The gain control unit
The gain of the adjustment circuit is controlled based on the detection signal before the voltage applied to the microchannel plate changes and the detection signal after the voltage applied to the microchannel plate changes. ..

このような電子顕微鏡では、調整回路を含むため、マイクロチャンネルプレートで電子を検出して検出信号として出力する回路全体(電子検出部)のゲインを、調整回路のゲインを制御することで制御することができる。そのため、マイクロチャンネルプレートに印加される電圧を変化させなくても、調整回路のゲインを制御することで、マイクロチャンネルプレートに印加される電圧を変化させたときと同様に、電子顕微鏡像のコントラストを調整することができる。したがって、このような電子顕微鏡では、マイクロチャンネルプレートに印加される電圧を変化させるごとに、すなわち、電子顕微鏡像のコントラストを変化させるごとに、電子線の軸合わせを行う必要がなく、操作性を向上できる。 Since such an electron microscope includes an adjustment circuit, the gain of the entire circuit (electron detection unit) that detects electrons on the microchannel plate and outputs them as a detection signal is controlled by controlling the gain of the adjustment circuit. Can be done. Therefore, by controlling the gain of the adjustment circuit without changing the voltage applied to the microchannel plate, the contrast of the electron microscope image can be adjusted in the same way as when the voltage applied to the microchannel plate is changed. Can be adjusted. Therefore, in such an electron microscope, it is not necessary to align the electron beam every time the voltage applied to the microchannel plate is changed, that is, every time the contrast of the electron microscope image is changed, and the operability is improved. Can be improved.

さらに、このような電子顕微鏡では、ゲイン制御部が、マイクロチャンネルプレートに印加される電圧が変化する前の検出信号と、マイクロチャンネルプレートに印加される電圧が変化した後の検出信号と、に基づいて、調整回路のゲインを制御する。そのため、マイクロチャンネルプレートに印加される電圧の変化の前後の電子検出部のゲインの差を小さく、または差を無くすことができる。これにより、電子検出部のゲインの変化が連続的となり、ユーザーはマイクロチャンネルプレートに印加される電圧が変化したことを意識することなく、電子顕微鏡像のコントラストの調整が可能である。 Further, in such an electronic microscope, the gain control unit is based on the detection signal before the voltage applied to the microchannel plate changes and the detection signal after the voltage applied to the microchannel plate changes. To control the gain of the adjustment circuit. Therefore, it is possible to reduce or eliminate the difference in gain of the electron detection unit before and after the change in the voltage applied to the microchannel plate. As a result, the gain of the electron detection unit changes continuously, and the user can adjust the contrast of the electron microscope image without being aware of the change in the voltage applied to the microchannel plate.

実施形態に係る電子顕微鏡の構成を示す図。The figure which shows the structure of the electron microscope which concerns on embodiment. 高電圧印加部、電子検出部、および制御部の構成を示す図。The figure which shows the structure of the high voltage application part, the electron detection part, and the control part. マイクロチャンネルプレートに印加される電圧とマイクロチャンネルプレートのゲインとの関係を示すグラフ。The graph which shows the relationship between the voltage applied to a microchannel plate and the gain of a microchannel plate. マイクロチャンネルプレートに印加される電圧およびDACのゲインと電子検出部のゲインとの関係を示すグラフ。The graph which shows the relationship between the gain of voltage and DAC applied to a microchannel plate, and the gain of an electron detection part. 電子検出部の構成を示す図。The figure which shows the structure of the electron detection part. 実施形態に係る電子顕微鏡の処理部の処理の一例を示すフローチャート。The flowchart which shows an example of the processing of the processing part of the electron microscope which concerns on embodiment. 電子検出部のゲインとマイクロチャンネルプレートに印加される電圧およびDACのゲインとの関係の一例を示すグラフ。The graph which shows an example of the relationship between the gain of an electron detection part, the voltage applied to a microchannel plate, and the gain of DAC.

以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The embodiments described below do not unreasonably limit the content of the present invention described in the claims. Moreover, not all of the configurations described below are essential constituent requirements of the present invention.

1. 電子顕微鏡
まず、本実施形態に係る電子顕微鏡について図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る電子顕微鏡100の構成を示す図である。
1. 1. Electron Microscope First, the electron microscope according to this embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an electron microscope 100 according to the present embodiment.

電子顕微鏡100は、図1に示すように、電子源2と、コンデンサーレンズ3と、偏向器4と、走査コイル5と、対物レンズ6と、マイクロチャンネルプレート7と、高電圧印加部8と、検出回路9と、制御部10と、を含んで構成されている。 As shown in FIG. 1, the electron microscope 100 includes an electron source 2, a condenser lens 3, a deflector 4, a scanning coil 5, an objective lens 6, a microchannel plate 7, a high voltage application unit 8, and the like. It includes a detection circuit 9 and a control unit 10.

電子源2は、電子線を放出する。電子源2は、例えば、公知の電子銃である。 The electron source 2 emits an electron beam. The electron source 2 is, for example, a known electron gun.

コンデンサーレンズ3は、電子線を集束させて、試料Sに照射するためのレンズである。 The condenser lens 3 is a lens for focusing an electron beam and irradiating the sample S.

偏向器4は、電子源2から放出された電子線を二次元的に偏向する。偏向器4は、例えば、電子線を、光学系(例えば対物レンズ6)の光軸OAに合わせる(一致させる)ために、すなわち電子線の軸合わせのために用いられる。 The deflector 4 two-dimensionally deflects the electron beam emitted from the electron source 2. The deflector 4 is used, for example, to align (match) the electron beam with the optical axis OA of the optical system (for example, the objective lens 6), that is, to align the electron beam.

走査コイル5は、コンデンサーレンズ3および対物レンズ6で集束された電子線(電子プローブ)で試料S上を走査するためのコイルである。 The scanning coil 5 is a coil for scanning the sample S with an electron beam (electron probe) focused by the condenser lens 3 and the objective lens 6.

対物レンズ6は、電子源2から放出された電子線を集束して試料Sに照射する。対物レンズ6は、試料Sの直前に配置され、電子プローブを形成する。試料Sは、試料ホルダー(図示せず)によって保持されている。 The objective lens 6 focuses the electron beam emitted from the electron source 2 and irradiates the sample S. The objective lens 6 is placed immediately in front of the sample S to form an electron probe. The sample S is held by a sample holder (not shown).

マイクロチャンネルプレート7は、電子線が試料Sに照射されることで発生する反射電子を検出する反射電子検出器を構成している。マイクロチャンネルプレート7は、電子顕微鏡100を構成する光学系(偏向器4、走査コイル5、対物レンズ6等)が収容される鏡筒内に配置されている。 The microchannel plate 7 constitutes a backscattered electron detector that detects backscattered electrons generated when the sample S is irradiated with an electron beam. The microchannel plate 7 is arranged in a lens barrel in which an optical system (deflector 4, scanning coil 5, objective lens 6, etc.) constituting the electron microscope 100 is housed.

なお、ここでは、マイクロチャンネルプレート7が反射電子を検出する反射電子検出器を構成する場合について説明するが、マイクロチャンネルプレート7が二次電子を検出する二次電子検出器を構成してもよい。すなわち、電子顕微鏡100で取得される電子顕微鏡像は、反射電子像であってもよいし、二次電子像であってもよい。 Although the case where the microchannel plate 7 constitutes a backscattered electron detector that detects backscattered electrons is described here, the microchannel plate 7 may form a secondary electron detector that detects secondary electrons. .. That is, the electron microscope image acquired by the electron microscope 100 may be a backscattered electron image or a secondary electron image.

高電圧印加部8は、マイクロチャンネルプレート7に高電圧を印加する。高電圧印加部8でマイクロチャンネルプレート7に印加する電圧を制御することで、マイクロチャンネルプレート7のゲインを制御することができる。 The high voltage application unit 8 applies a high voltage to the microchannel plate 7. The gain of the microchannel plate 7 can be controlled by controlling the voltage applied to the microchannel plate 7 by the high voltage application unit 8.

検出回路9は、マイクロチャンネルプレート7からの電流信号に基づいて、検出信号を生成する。検出信号は、反射電子の強度の情報を含む信号である。 The detection circuit 9 generates a detection signal based on the current signal from the microchannel plate 7. The detection signal is a signal containing information on the intensity of backscattered electrons.

制御部10は、電子顕微鏡100を構成する各部、すなわち、コンデンサーレンズ3、偏向器4、走査コイル5、対物レンズ6、高電圧印加部8、および検出回路9を制御する。また、制御部10は、検出回路9で生成された検出信号に基づいて反射電子像を生成し、表示部16(図2参照)に表示する処理を行う。 The control unit 10 controls each unit constituting the electron microscope 100, that is, a condenser lens 3, a deflector 4, a scanning coil 5, an objective lens 6, a high voltage application unit 8, and a detection circuit 9. Further, the control unit 10 generates a backscattered electron image based on the detection signal generated by the detection circuit 9, and performs a process of displaying it on the display unit 16 (see FIG. 2).

電子顕微鏡100では、電子源2から放出された電子線は、コンデンサーレンズ3および対物レンズ6で集束されて電子プローブを形成する。走査コイル5によって電子プローブで試料S上を走査し、試料Sから放出された反射電子をマイクロチャンネルプレート7で検出する。検出回路9では、マイクロチャンネルプレート7の出力信号(電流信号)から検出信号が生成され、制御部10では、検出信号に基づき反射電子像が生成される。 In the electron microscope 100, the electron beam emitted from the electron source 2 is focused by the condenser lens 3 and the objective lens 6 to form an electron probe. The scanning coil 5 scans the sample S with an electron probe, and the reflected electrons emitted from the sample S are detected by the microchannel plate 7. In the detection circuit 9, a detection signal is generated from the output signal (current signal) of the microchannel plate 7, and in the control unit 10, a reflected electron image is generated based on the detection signal.

なお、電子顕微鏡100は、上述したレンズやコイル以外のレンズや、コイル、絞り等を備えていてもよい。また、電子顕微鏡100は、反射電子検出器以外の検出器を備えていてもよい。例えば、電子顕微鏡100は、試料Sを透過した電子線を検出する検出器を備えていてもよい。試料Sを透過した電子線を検出する検出器を用いて、試料Sを透過した電子線を検出することで、走査透過電子顕微鏡像(STEM像、scanning transmission electron microscope image)を得ることができる。 The electron microscope 100 may include a lens other than the above-mentioned lens and coil, a coil, an aperture, and the like. Further, the electron microscope 100 may include a detector other than the backscattered electron detector. For example, the electron microscope 100 may include a detector that detects an electron beam that has passed through the sample S. By detecting the electron beam transmitted through the sample S by using a detector that detects the electron beam transmitted through the sample S, a scanning transmission electron microscope image (STEM image) can be obtained.

図2は、高電圧印加部8、電子検出部70、および制御部10の構成を示す図である。 FIG. 2 is a diagram showing the configurations of the high voltage application unit 8, the electron detection unit 70, and the control unit 10.

高電圧印加部8は、高電圧発生源80と、高電圧切り替えスイッチ82と、を含んで構成されている。 The high voltage application unit 8 includes a high voltage generation source 80 and a high voltage changeover switch 82.

高電圧発生源80は、マイクロチャンネルプレート7に印加される高電圧を発生させる。 The high voltage generation source 80 generates a high voltage applied to the microchannel plate 7.

高電圧切り替えスイッチ82は、マイクロチャンネルプレート7に印加される高電圧を切り替える。図示の例では、高電圧切り替えスイッチ82は、マイクロチャンネルプレート7に印加される高電圧を、高電圧HV1、高電圧HV2、高電圧HV3の3通りに切り替え可能に構成されている。 The high voltage changeover switch 82 switches the high voltage applied to the microchannel plate 7. In the illustrated example, the high voltage changeover switch 82 is configured to be able to switch the high voltage applied to the microchannel plate 7 in three ways: high voltage HV1, high voltage HV2, and high voltage HV3.

高電圧切り替えスイッチ82は、制御部10の高電圧制御部120で制御される。具体的には、操作部14においてマイクロチャンネルプレート7に印加される電圧の情報の入力を受け付けると、高電圧制御部120が当該電圧の情報に基づいて、高電圧切り替えスイッチ82を制御する。これにより、所望の高電圧がマイクロチャンネルプレート7に印加される。 The high voltage changeover switch 82 is controlled by the high voltage control unit 120 of the control unit 10. Specifically, when the operation unit 14 receives the input of the voltage information applied to the microchannel plate 7, the high voltage control unit 120 controls the high voltage changeover switch 82 based on the voltage information. As a result, a desired high voltage is applied to the microchannel plate 7.

なお、上記では、高電圧印加部8は、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧を3段階に切り替える場合について説明したが、高電圧印加部8は、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧をN段階(Nは2以上の整数)に切り替え可能に構成されていてもよい。 In the above, the case where the high voltage application unit 8 switches the voltage applied to the microchannel plate 7 in three stages has been described, but the high voltage application unit 8 sets the voltage applied to the microchannel plate 7 to N. It may be configured to be switchable in stages (N is an integer of 2 or more).

マイクロチャンネルプレート7には、高電圧印加部8によって高電圧が印加されており、検出した反射電子を増幅して、反射電子の強度に応じた電流信号として出力する。 A high voltage is applied to the microchannel plate 7 by the high voltage application unit 8, and the detected backscattered electrons are amplified and output as a current signal according to the intensity of the backscattered electrons.

検出回路9は、電流電圧変換回路90と、デジタルアナログ変換回路(Digital to Analog Converter、以下「DAC」ともいう)92(調整回路の一例)と、検出信号生成回路94と、を含んで構成されている。 The detection circuit 9 includes a current-voltage conversion circuit 90, a digital-to-analog converter (hereinafter also referred to as “DAC”) 92 (an example of an adjustment circuit), and a detection signal generation circuit 94. ing.

電流電圧変換回路90は、マイクロチャンネルプレート7からの電流信号を電圧信号に変換する。 The current-voltage conversion circuit 90 converts the current signal from the microchannel plate 7 into a voltage signal.

DAC92は、電流電圧変換回路90からの電圧信号を増幅または減衰する。電流電圧変換回路90からの電圧信号は、DAC92にリファレンス電圧として入力される。ゲイン制御部122から入力されるDAC92のデータを変更することで、DAC92の出力電圧を変更することができる。すなわち、DAC92のデータを変更することで、DAC92のゲインを制御することができる。DAC92のゲインは、電流電圧変換回路90からの電圧信号(入力)とDAC92の出力信号(出力)の比である。 The DAC 92 amplifies or attenuates the voltage signal from the current-voltage conversion circuit 90. The voltage signal from the current-voltage conversion circuit 90 is input to the DAC 92 as a reference voltage. The output voltage of the DAC 92 can be changed by changing the data of the DAC 92 input from the gain control unit 122. That is, the gain of the DAC 92 can be controlled by changing the data of the DAC 92. The gain of the DAC 92 is the ratio of the voltage signal (input) from the current-voltage conversion circuit 90 to the output signal (output) of the DAC 92.

図2に示す例では、DAC92は、電流電圧変換回路90と増幅回路940との間に配置されているが、DAC92の位置は、電流電圧変換回路90とDAC946との間であれば特に限定されない。 In the example shown in FIG. 2, the DAC 92 is arranged between the current-voltage conversion circuit 90 and the amplifier circuit 940, but the position of the DAC 92 is not particularly limited as long as it is between the current-voltage conversion circuit 90 and the DAC 946. ..

検出信号生成回路94は、DAC92の出力信号に基づいて、検出信号を生成する。検出信号生成回路94は、増幅回路940と、レベルシフト回路942と、増幅回路944と、DAC946と、を有している。 The detection signal generation circuit 94 generates a detection signal based on the output signal of the DAC 92. The detection signal generation circuit 94 includes an amplifier circuit 940, a level shift circuit 942, an amplifier circuit 944, and a DAC 946.

増幅回路940は、DAC92の出力信号を増幅する。レベルシフト回路942は、DAC946でデジタル信号に変換可能となるように、低電位にレベルシフトする。レベルシフト回路942としては、フォトカプラ等を用いることができる。増幅回路944は、レベルシフト回路942の出力信号を増幅する。DAC946は、増幅回路944の出力信号(アナログ信号)をデジタル信号に変換し、検出信号を生成する。検出信号は、制御部10に送られる。制御部10では、検出信号に基づいて反射電子像が生成され、表示部16に反射電子像が表示される。 The amplifier circuit 940 amplifies the output signal of the DAC 92. The level shift circuit 942 level shifts to a low potential so that the DAC 946 can convert it into a digital signal. As the level shift circuit 942, a photocoupler or the like can be used. The amplifier circuit 944 amplifies the output signal of the level shift circuit 942. The DAC 946 converts the output signal (analog signal) of the amplifier circuit 944 into a digital signal to generate a detection signal. The detection signal is sent to the control unit 10. The control unit 10 generates a reflected electron image based on the detection signal, and the reflected electron image is displayed on the display unit 16.

マイクロチャンネルプレート7と検出回路9とは、電子検出部70を構成している。電子検出部70では、マイクロチャンネルプレート7で検出された反射電子(入力)を、検出信号として出力する。電子検出部70のゲインは、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧、およびDAC92のゲインで制御される。電子検出部70のゲインは、マイクロチャンネルプレート7で検出される反射電子(入力)と検出信号(出力)の比である。 The microchannel plate 7 and the detection circuit 9 form an electron detection unit 70. The electron detection unit 70 outputs the reflected electrons (input) detected by the microchannel plate 7 as a detection signal. The gain of the electron detection unit 70 is controlled by the voltage applied to the microchannel plate 7 and the gain of the DAC 92. The gain of the electron detection unit 70 is the ratio of the reflected electrons (input) detected by the microchannel plate 7 to the detection signal (output).

図3は、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧と、マイクロチャンネルプレート7のゲインと、の関係を示すグラフである。図3に示すグラフでは、横軸にマイクロチャンネルプレート7に印加される電圧を示し、縦軸にマイクロチャンネルプレート7のゲインを示している。なお、縦軸は、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧が高電圧HV1のときの、マイクロチャンネルプレート7のゲインを基準(「1」)とした相対値である。 FIG. 3 is a graph showing the relationship between the voltage applied to the microchannel plate 7 and the gain of the microchannel plate 7. In the graph shown in FIG. 3, the horizontal axis shows the voltage applied to the microchannel plate 7, and the vertical axis shows the gain of the microchannel plate 7. The vertical axis is a relative value with respect to the gain of the microchannel plate 7 (“1”) when the voltage applied to the microchannel plate 7 is the high voltage HV1.

図3に示すように、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧は、高電圧印加部8によって、3段階(高電圧HV1,HV2,HV3)に切り替えられる。そのため、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧を切り替えることで、マイクロチャンネルプレート7のゲインを3段階に切り替えることができる。 As shown in FIG. 3, the voltage applied to the microchannel plate 7 is switched in three stages (high voltage HV1, HV2, HV3) by the high voltage application unit 8. Therefore, by switching the voltage applied to the microchannel plate 7, the gain of the microchannel plate 7 can be switched in three stages.

図4は、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧およびDAC92のゲインと、電子検出部70のゲインと、の関係を示すグラフである。図4に示すグラフでは、横軸にマイクロチャンネルプレート7に印加される電圧を示し、縦軸に電子検出部70のゲインを示している。また、長方形の箱の大きさがDAC92のゲインを調整できる範囲を表している。 FIG. 4 is a graph showing the relationship between the voltage applied to the microchannel plate 7 and the gain of the DAC 92 and the gain of the electron detection unit 70. In the graph shown in FIG. 4, the horizontal axis shows the voltage applied to the microchannel plate 7, and the vertical axis shows the gain of the electron detection unit 70. Further, the size of the rectangular box represents the range in which the gain of the DAC 92 can be adjusted.

図3および図4に示すように、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧は、3段階に切り替えられる。そのため、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧を切り替えることによって、電子検出部70のゲインを3段階に切り替えることができる。 As shown in FIGS. 3 and 4, the voltage applied to the microchannel plate 7 is switched in three stages. Therefore, the gain of the electron detection unit 70 can be switched in three stages by switching the voltage applied to the microchannel plate 7.

また、DAC92のゲインは、ゲイン制御部122でDAC92のデータを入力することで変更することができる。DAC92では、DAC92の分解能に応じたゲインの制御可能である。したがって、図4に示すように、DAC92のゲインを変更することで、電子検出部70のゲインを、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧を変えた場合よりも細かく変えることができる。 Further, the gain of the DAC 92 can be changed by inputting the data of the DAC 92 in the gain control unit 122. In the DAC 92, the gain can be controlled according to the resolution of the DAC 92. Therefore, as shown in FIG. 4, by changing the gain of the DAC 92, the gain of the electron detection unit 70 can be changed more finely than when the voltage applied to the microchannel plate 7 is changed.

すなわち、電子顕微鏡100では、高電圧印加部8は、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧をN段階に切り替え、ゲイン制御部122は、DAC92のゲインをn段階に切り替え、N<nである。例えば、高電圧切り替えスイッチ82が高電圧を3通りに切り替え、DAC92の分解能が8ビットの場合、N=3であり、n=255である。 That is, in the electron microscope 100, the high voltage application unit 8 switches the voltage applied to the microchannel plate 7 in N stages, and the gain control unit 122 switches the gain of the DAC 92 in n stages, and N <n. For example, when the high voltage changeover switch 82 switches the high voltage in three ways and the resolution of the DAC 92 is 8 bits, N = 3 and n = 255.

このように、電子顕微鏡100では、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧の切り替え(粗調整)と、DAC92のゲインの制御(微調整)とによって、電子検出部70のゲインを制御する。これにより、電子顕微鏡100では、電子検出部70のゲインを、広範囲に精度よく調整することが可能となる。 As described above, in the electron microscope 100, the gain of the electron detection unit 70 is controlled by switching the voltage applied to the microchannel plate 7 (coarse adjustment) and controlling the gain of the DAC 92 (fine adjustment). As a result, in the electron microscope 100, the gain of the electron detection unit 70 can be adjusted with high accuracy over a wide range.

なお、図4に示すように、例えば、高電圧HV1とした場合と、高電圧HV2とした場合と、において、電子検出部70のゲインを調整できる範囲が重複する場合には、DAC92のゲインを上げて使用できる範囲を採用する。すなわち、電子顕微鏡100では、図4においてハッチングを付した領域は使用しない。DAC92は、ゲインが小さい場合、ゲインが大きい場合と比べて、SN比が低下してしまう。そのため、DAC92のゲイン
を上げて使用できる範囲を採用することで(すなわち図4のハッチングを付した領域を用いないことで)、SN比を向上できる。
As shown in FIG. 4, for example, when the high voltage HV1 is used and the high voltage HV2 is used, the gain of the DAC 92 is increased when the range in which the gain of the electron detection unit 70 can be adjusted overlaps. Adopt the range that can be raised and used. That is, in the electron microscope 100, the hatched region in FIG. 4 is not used. When the gain of the DAC 92 is small, the SN ratio is lower than when the gain is large. Therefore, the SN ratio can be improved by increasing the gain of the DAC 92 and adopting a usable range (that is, by not using the hatched region in FIG. 4).

電子顕微鏡100では、電子検出部70のゲインを調整することで、反射電子像のコントラストを調整することができる。 In the electron microscope 100, the contrast of the reflected electron image can be adjusted by adjusting the gain of the electron detection unit 70.

制御部10は、処理部12と、操作部14と、表示部16と、記憶部18と、を含んで構成されている。 The control unit 10 includes a processing unit 12, an operation unit 14, a display unit 16, and a storage unit 18.

操作部14は、ユーザーによる操作に応じた操作信号を取得し、処理部12に送る処理を行う。操作部14は、例えば、ボタン、キー、タッチパネル型ディスプレイ、マイクなどである。また、操作部14は、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧の情報の入力を受け付ける入力部として機能する。また、操作部14は、電子検出部70のゲインの情報の入力を受け付ける入力部としても機能する。すなわち、ユーザーは、操作部14を操作することで、反射電子像のコントラストを調整することができる。 The operation unit 14 acquires an operation signal corresponding to the operation by the user and performs a process of sending the operation signal to the processing unit 12. The operation unit 14 is, for example, a button, a key, a touch panel type display, a microphone, or the like. Further, the operation unit 14 functions as an input unit that receives input of voltage information applied to the microchannel plate 7. The operation unit 14 also functions as an input unit that receives input of gain information of the electron detection unit 70. That is, the user can adjust the contrast of the reflected electron image by operating the operation unit 14.

表示部16は、処理部12によって生成された画像を表示するものである。表示部16は、LCD(liquid crystal display)、有機EL(electroluminescence)ディスプレイ、などのディスプレイにより実現できる。 The display unit 16 displays the image generated by the processing unit 12. The display unit 16 can be realized by a display such as an LCD (liquid crystal display) or an organic EL (electroluminescence) display.

記憶部18は、処理部12が各種の計算処理や制御処理を行うためのプログラムやデータ等を記憶している。また、記憶部18は、処理部12の作業領域として用いられ、処理部12が各種プログラムに従って実行した算出結果等を一時的に記憶するためにも使用される。記憶部18は、RAM(random access memory)や、ROM(read only memory)、ハードディスクなどにより実現できる。 The storage unit 18 stores programs, data, and the like for the processing unit 12 to perform various calculation processes and control processes. Further, the storage unit 18 is used as a work area of the processing unit 12, and is also used to temporarily store the calculation results and the like executed by the processing unit 12 according to various programs. The storage unit 18 can be realized by a RAM (random access memory), a ROM (read only memory), a hard disk, or the like.

記憶部18には、後述する電子線の軸合わせに用いられる情報が記憶されている。具体的には、記憶部18には、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧と、電子線が光軸OAに合った状態となる光学系(偏向器4等)の条件と、の関係の情報が記憶されている。電子顕微鏡100では、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧は、高電圧HV1,HV2,HV3の3通りである。そのため、記憶部18には、マイクロチャンネルプレート7に高電圧HV1が印加されたときに、電子線が光軸OAに合った状態となる光学系の条件の情報、マイクロチャンネルプレート7に高電圧HV2が印加されたときに、電子線が光軸OAに合った状態となる光学系の条件の情報、およびマイクロチャンネルプレート7に高電圧HV3が印加されたときに、電子線が光軸OAに合った状態となる光学系の条件の情報が記憶されている。 The storage unit 18 stores information used for axis alignment of electron beams, which will be described later. Specifically, the storage unit 18 contains information on the relationship between the voltage applied to the microchannel plate 7 and the conditions of the optical system (deflector 4, etc.) in which the electron beam is aligned with the optical axis OA. Is remembered. In the electron microscope 100, the voltage applied to the microchannel plate 7 is three types of high voltage HV1, HV2, and HV3. Therefore, the storage unit 18 is provided with information on the conditions of the optical system in which the electron beam is aligned with the optical axis OA when the high voltage HV1 is applied to the microchannel plate 7, and the high voltage HV2 is applied to the microchannel plate 7. Information on the conditions of the optical system in which the electron beam is aligned with the optical axis OA when is applied, and when the high voltage HV3 is applied to the microchannel plate 7, the electron beam is aligned with the optical axis OA. Information on the conditions of the optical system in the state of being in the state is stored.

マイクロチャンネルプレート7に高電圧HV1が印加されたときに、電子線が光軸OAに合った状態となる光学系の条件の情報は、例えば、マイクロチャンネルプレート7に高電圧HV1を印加して、光学系(例えば偏向器4)を用いて軸合わせを行い、そのときの光学系の条件を記録することで得ることができる。 For information on the conditions of the optical system in which the electron beam is aligned with the optical axis OA when the high voltage HV1 is applied to the microchannel plate 7, for example, the high voltage HV1 is applied to the microchannel plate 7. It can be obtained by aligning the axes using an optical system (for example, a deflector 4) and recording the conditions of the optical system at that time.

マイクロチャンネルプレート7に高電圧HV2が印加されたときに、電子線が光軸OAに合った状態となる光学系の条件の情報、およびマイクロチャンネルプレート7に高電圧HV3が印加されたときに、電子線が光軸OAに合った状態となる光学系の条件の情報も、高電圧HV1の場合と同様に得ることができる。 Information on the conditions of the optical system in which the electron beam is aligned with the optical axis OA when the high voltage HV2 is applied to the microchannel plate 7, and when the high voltage HV3 is applied to the microchannel plate 7. Information on the conditions of the optical system in which the electron beam is aligned with the optical axis OA can also be obtained as in the case of the high voltage HV1.

処理部12は、記憶部18に記憶されているプログラムに従って、各種の制御処理や計算処理を行う。処理部12の機能は、各種プロセッサ(CPU(central processing unit)等)でプログラムを実行することにより実現することができる。なお、処理部12の
機能を、FPGA(field-programmable gate array)などにより実現してもよい。
The processing unit 12 performs various control processing and calculation processing according to the program stored in the storage unit 18. The function of the processing unit 12 can be realized by executing a program on various processors (CPU (central processing unit) or the like). The function of the processing unit 12 may be realized by FPGA (field-programmable gate array) or the like.

処理部12は、高電圧制御部120と、ゲイン制御部122と、光学系制御部124と、を含む。 The processing unit 12 includes a high voltage control unit 120, a gain control unit 122, and an optical system control unit 124.

高電圧制御部120は、高電圧切り替えスイッチ82を制御する。高電圧制御部120は、操作部14に入力されたマイクロチャンネルプレート7に印加される電圧の情報に基づいて、高電圧切り替えスイッチ82を制御する。高電圧制御部120が高電圧切り替えスイッチ82を切り替えることで、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧を切り替えることができる。 The high voltage control unit 120 controls the high voltage changeover switch 82. The high voltage control unit 120 controls the high voltage changeover switch 82 based on the information of the voltage applied to the microchannel plate 7 input to the operation unit 14. The high voltage control unit 120 switches the high voltage changeover switch 82 to switch the voltage applied to the microchannel plate 7.

ゲイン制御部122は、DAC92に所定のデータを入力して、DAC92のゲインを制御する。ゲイン制御部122は、操作部14に入力された電子検出部70のゲインの情報、すなわち反射電子像のコントラストの情報に基づいてDAC92に入力されるデータ値を求め、DAC92のゲインを制御する。 The gain control unit 122 inputs predetermined data to the DAC 92 and controls the gain of the DAC 92. The gain control unit 122 obtains a data value input to the DAC 92 based on the gain information of the electron detection unit 70 input to the operation unit 14, that is, the contrast information of the reflected electron image, and controls the gain of the DAC 92.

また、ゲイン制御部122は、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧が切り替えられる場合、すなわち、操作部14にマイクロチャンネルプレート7に印加される電圧の情報が入力された場合に、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧が変化する前(切り替えられる前)の検出信号と、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧が変化した後(切り替えられた後)の検出信号と、に基づいて、DAC92のゲインを制御する。 Further, the gain control unit 122 receives information on the voltage applied to the microchannel plate 7 when the voltage applied to the microchannel plate 7 is switched, that is, when information on the voltage applied to the microchannel plate 7 is input to the operation unit 14. Gain of DAC 92 based on the detection signal before the voltage applied to (before switching) and after the voltage applied to the microchannel plate 7 changes (after switching). To control.

具体的には、ゲイン制御部122は、まず、操作部14にマイクロチャンネルプレート7に印加される電圧の情報が入力されると、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧が変化する前の所定時間の検出信号の平均値(以下、「電圧変化前の検出信号の平均値」ともいう)と、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧が変化した後の所定時間の検出信号の平均値(以下、「電圧変化後の検出信号の平均値」ともいう)と、を算出する。このとき、変化前の検出信号を平均する時間(所定時間)と、変化後の検出信号を平均する時間(所定時間)とは、例えば、等しい。 Specifically, when the gain control unit 122 first inputs information on the voltage applied to the microchannel plate 7 to the operation unit 14, the gain control unit 122 takes a predetermined time before the voltage applied to the microchannel plate 7 changes. The average value of the detection signals (hereinafter, also referred to as "the average value of the detection signals before the voltage change") and the average value of the detection signals for a predetermined time after the voltage applied to the microchannel plate 7 changes (hereinafter, the average value). Also referred to as "the average value of the detection signals after the voltage change"), is calculated. At this time, the time for averaging the detected signals before the change (predetermined time) and the time for averaging the detected signals after the change (predetermined time) are, for example, equal.

次に、ゲイン制御部122は、電圧変化前の検出信号の平均値と電圧変化後の検出信号の平均値との差を計算する。そして、ゲイン制御部122は、この差が小さくなるように、より好ましくは差が零となるようにDAC92を制御する。 Next, the gain control unit 122 calculates the difference between the average value of the detection signals before the voltage change and the average value of the detection signals after the voltage change. Then, the gain control unit 122 controls the DAC 92 so that this difference becomes small, more preferably the difference becomes zero.

この結果、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧の切り替えの前後の電子検出部70のゲインの差を小さく、またはゲインの差を零とすることができる。これにより、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧が変化することによる反射電子像のコントラストの変化を小さくできる。そのため、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧が切り替えられた場合でも、電子検出部70のゲインの変化が連続的となる。したがって、ユーザーはマイクロチャンネルプレート7に印加される電圧が変化したことを意識することなく、反射電子像のコントラストの調整が可能である。 As a result, the difference in gain of the electron detection unit 70 before and after switching the voltage applied to the microchannel plate 7 can be made small, or the difference in gain can be made zero. As a result, the change in the contrast of the reflected electron image due to the change in the voltage applied to the microchannel plate 7 can be reduced. Therefore, even when the voltage applied to the microchannel plate 7 is switched, the gain of the electron detection unit 70 changes continuously. Therefore, the user can adjust the contrast of the reflected electron image without being aware that the voltage applied to the microchannel plate 7 has changed.

電圧変化前の検出信号の平均値および電圧変化後の検出信号の平均値は、電子プローブで試料Sの所定の領域を走査して、マイクロチャンネルプレート7で反射電子を検出することで得られる。このとき、電圧変化前の検出信号の平均値を取得するために、電子プローブで走査する際の試料Sの走査領域と、電圧変化後の検出信号の平均値を取得するために、電子プローブで走査する際の試料Sの走査領域とは、同じ領域であることが好ましい。これにより、DAC92のゲインをより適切に設定することができ、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧が変化することによる反射電子像のコントラストの変化を
より小さくできる。
The average value of the detection signal before the voltage change and the average value of the detection signal after the voltage change are obtained by scanning a predetermined region of the sample S with an electron probe and detecting reflected electrons with the microchannel plate 7. At this time, in order to acquire the average value of the detection signal before the voltage change, the scanning area of the sample S when scanning with the electronic probe and the average value of the detection signal after the voltage change are acquired by the electronic probe. It is preferable that the scanning region of the sample S at the time of scanning is the same region. As a result, the gain of the DAC 92 can be set more appropriately, and the change in the contrast of the reflected electron image due to the change in the voltage applied to the microchannel plate 7 can be made smaller.

光学系制御部124は、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧に応じて、電子線が光軸OAに合った状態となるように光学系(例えば偏向器4)を制御する。具体的には、光学系制御部124は、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧が切り替えられると、記憶部18に記憶された、マイクロチャンネルプレートに印加される電圧と電子線が光軸OAに合った状態となる光学系の条件との関係の情報に基づき、光学系を制御する。 The optical system control unit 124 controls the optical system (for example, the deflector 4) so that the electron beam is in a state aligned with the optical axis OA according to the voltage applied to the microchannel plate 7. Specifically, when the voltage applied to the microchannel plate 7 is switched, the optical system control unit 124 transfers the voltage applied to the microchannel plate and the electron beam stored in the storage unit 18 to the optical axis OA. The optical system is controlled based on the information of the relationship with the conditions of the optical system in the matched state.

例えば、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧が高電圧HV1に切り替えられた場合には、記憶部18に記憶されている、マイクロチャンネルプレート7に高電圧HV1が印加されたときに、電子線が光軸OAに合った状態となる光学系の条件の情報から、光学系の条件を決定し、光学系を制御する。 For example, when the voltage applied to the microchannel plate 7 is switched to the high voltage HV1, the electron beam is stored in the storage unit 18 when the high voltage HV1 is applied to the microchannel plate 7. The optical system conditions are determined from the information on the optical system conditions that match the optical axis OA, and the optical system is controlled.

この結果、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧が切り替えられた場合でも、電子線が光軸OAに合った状態とすることができる。すなわち、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧が切り替えられた場合でも、電子線の軸ずれを無くす、あるいは軸ずれを小さくできる。 As a result, even when the voltage applied to the microchannel plate 7 is switched, the electron beam can be in a state of being aligned with the optical axis OA. That is, even when the voltage applied to the microchannel plate 7 is switched, the axis deviation of the electron beam can be eliminated or the axis deviation can be reduced.

2. DACの動作例
次に、DAC92の動作例について説明する。図5は、電子検出部70の構成を示す図である。図5では、検出信号生成回路94を1つの増幅回路として示している。ここでは、図5を用いて、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧を、高電圧HV1から高電圧HV2に切り替えたときのDAC92の動作について説明する。
2. 2. Operation example of DAC Next, an operation example of DAC92 will be described. FIG. 5 is a diagram showing the configuration of the electron detection unit 70. In FIG. 5, the detection signal generation circuit 94 is shown as one amplifier circuit. Here, the operation of the DAC 92 when the voltage applied to the microchannel plate 7 is switched from the high voltage HV1 to the high voltage HV2 will be described with reference to FIG.

図5に示す例において、DAC92の分解能は、8ビットとする。また、検出信号生成回路94のゲインA1は、A1=16とする。 In the example shown in FIG. 5, the resolution of the DAC 92 is 8 bits. Further, the gain A1 of the detection signal generation circuit 94 is set to A1 = 16.

マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧が高電圧HV1であって、高電圧HV1から高電圧HV2に切り替える直前において、リファレンス電圧V1がV1=Vref1であり、DAC92のデータ値がFF(HEX)(255(DEC))であったものとする。なお、「(HEX)」は16進数であることを示し、「(DEC)」は10進数であることを示している。 The voltage applied to the microchannel plate 7 is the high voltage HV1, and immediately before switching from the high voltage HV1 to the high voltage HV2, the reference voltage V1 is V1 = Vref1 and the data value of the DAC 92 is FF (HEX) (255). (DEC)). In addition, "(HEX)" indicates that it is a hexadecimal number, and "(DEC)" indicates that it is a decimal number.

また、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧が高電圧HV1から高電圧HV2に切り替えられた直後において、リファレンス電圧V1がV1=Vref2であり、DAC92のデータ値が0F(HEX)(15(DEC))であったものとする。なお、高電圧が切り替えられた直後のDAC92のデータ値は、電子検出部70のゲイン特性が大きくずれないように、高電圧切り替え時に自動で設定される値である。 Immediately after the voltage applied to the microchannel plate 7 is switched from the high voltage HV1 to the high voltage HV2, the reference voltage V1 is V1 = Vref2, and the data value of the DAC 92 is 0F (HEX) (15 (DEC)). ). The data value of the DAC 92 immediately after the high voltage is switched is a value automatically set at the time of high voltage switching so that the gain characteristic of the electron detection unit 70 does not deviate significantly.

マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧が高電圧HV1のとき、DAC92の出力電圧V2はV2=Vref1であり、検出信号生成回路94の出力電圧V0はV0=16×V2である。 When the voltage applied to the microchannel plate 7 is the high voltage HV1, the output voltage V2 of the DAC 92 is V2 = Vref1, and the output voltage V0 of the detection signal generation circuit 94 is V0 = 16 × V2.

また、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧が高電圧HV2のとき、DAC92の出力電圧V2、および検出信号生成回路94の出力電圧V0は以下の通りである。 Further, when the voltage applied to the microchannel plate 7 is the high voltage HV2, the output voltage V2 of the DAC 92 and the output voltage V0 of the detection signal generation circuit 94 are as follows.

V2=(0F/FF)×Vref2=(15/255)×Vref2≒0.0588×Vref2・・・(1)
V0=16×V2
V2 = (0F / FF) × Vref2 = (15/255) × Vref2 ≈ 0.0588 × Vref2 ... (1)
V0 = 16 × V2

図3に示すグラフからVref2は以下のように表される。 From the graph shown in FIG. 3, Vref2 is represented as follows.

Vref1×10=Vref2・・・(2) Vref1 × 10 = Vref2 ... (2)

したがって、式(1)および式(2)から、マイクロチャンネルプレート7に高電圧HV2が印加されたときのDAC92の出力電圧V2は以下のように表される。 Therefore, from the equations (1) and (2), the output voltage V2 of the DAC 92 when the high voltage HV2 is applied to the microchannel plate 7 is expressed as follows.

V2=0.0588×Vref1×10=0.588×Vref1 V2 = 0.0588 x Vref1 x 10 = 0.588 x Vref1

マイクロチャンネルプレート7に高電圧HV1が印加されたときの検出信号生成回路94の出力電圧V0は、以下の通りである。 The output voltage V0 of the detection signal generation circuit 94 when the high voltage HV1 is applied to the microchannel plate 7 is as follows.

V0=16×Vref1・・・(3) V0 = 16 × Vref1 ... (3)

また、およびマイクロチャンネルプレート7に高電圧HV2が印加されたときの検出信号生成回路94の出力電圧V0は、以下の通りである。 Further, the output voltage V0 of the detection signal generation circuit 94 when the high voltage HV2 is applied to the microchannel plate 7 is as follows.

V0=16×0.588×Vref1=9.408×Vref1・・・(4) V0 = 16 × 0.588 × Vref1 = 9.408 × Vref1 ... (4)

上記式(3)と上記式(4)の差を、制御部10(ゲイン制御部122)で計算し、DAC92のデータに反映する。 The difference between the above equation (3) and the above equation (4) is calculated by the control unit 10 (gain control unit 122) and reflected in the data of the DAC 92.

ここでは、DAC92のデータは、以下の値となる。 Here, the data of the DAC 92 has the following values.

15×(16/9.408)≒25(DEC)
DATA:19(HEX)
15 × (16 / 9.408) ≒ 25 (DEC)
DATA: 19 (HEX)

マイクロチャンネルプレート7に印加される高電圧を高電圧HV1から高電圧HV2に切り替えた後に、DAC92のデータに19(HEX)を書き込むことで、高電圧を切り替える直前の電子検出部70のゲインに近い(好ましくは同じ)状態にすることができる。 After switching the high voltage applied to the microchannel plate 7 from the high voltage HV1 to the high voltage HV2, by writing 19 (HEX) to the data of the DAC 92, it is close to the gain of the electron detection unit 70 immediately before switching the high voltage. It can be in a (preferably the same) state.

3. 動作
次に、電子顕微鏡100の動作について説明する。以下では、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧を切り替える際の処理部12の処理について説明する。図6は、本実施形態に係る電子顕微鏡100の処理部12の処理の一例を示すフローチャートである。
3. 3. Operation Next, the operation of the electron microscope 100 will be described. Hereinafter, the processing of the processing unit 12 when switching the voltage applied to the microchannel plate 7 will be described. FIG. 6 is a flowchart showing an example of processing of the processing unit 12 of the electron microscope 100 according to the present embodiment.

まず、処理部12は、ユーザーからのマイクロチャンネルプレート7に印加される電圧を切り替える指示(電圧切り替え指示)があったか否かを判定し(ステップS100)、電圧切り替え指示があるまで待機する。処理部12は、操作部14がマイクロチャンネルプレート7に印加される電圧の情報の入力を受け付けた場合に、電圧切り替え指示があったと判定する。 First, the processing unit 12 determines whether or not there is an instruction (voltage switching instruction) for switching the voltage applied to the microchannel plate 7 from the user (step S100), and waits until the voltage switching instruction is given. When the operation unit 14 receives the input of the voltage information applied to the microchannel plate 7, the processing unit 12 determines that the voltage switching instruction has been given.

電圧切り替え指示があったと判定された場合(S100のYes)、ゲイン制御部122は、DAC92のゲインを制御する処理を開始する。具体的には、ゲイン制御部122は、まず、電子検出部70からの検出信号を所定時間、取得して、検出信号の平均値A(すなわち電圧変化前の検出信号の平均値)を算出する(S102)。 When it is determined that the voltage switching instruction has been given (Yes in S100), the gain control unit 122 starts the process of controlling the gain of the DAC 92. Specifically, the gain control unit 122 first acquires the detection signal from the electron detection unit 70 for a predetermined time, and calculates the average value A of the detection signals (that is, the average value of the detection signals before the voltage change). (S102).

ゲイン制御部122が検出信号を所定時間取得した後、高電圧制御部120は、操作部14に入力された電圧の情報に基づきマイクロチャンネルプレート7に印加される電圧を切り替える(S104)。 After the gain control unit 122 acquires the detection signal for a predetermined time, the high voltage control unit 120 switches the voltage applied to the microchannel plate 7 based on the voltage information input to the operation unit 14 (S104).

マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧が切り替えられると、光学系制御部124は、電子線が光軸OAに合うように光学系の条件を制御する(S106)。これにより、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧が変化することによる、電子線の軸ずれを無くす、あるいは軸ずれを低減できる。 When the voltage applied to the microchannel plate 7 is switched, the optical system control unit 124 controls the conditions of the optical system so that the electron beam is aligned with the optical axis OA (S106). As a result, it is possible to eliminate or reduce the misalignment of the electron beam due to the change in the voltage applied to the microchannel plate 7.

次に、ゲイン制御部122は、電子検出部70からの検出信号を所定時間、取得して、検出信号の平均値B(すなわち電圧変化後の検出信号の平均値)を算出する(S108)。 Next, the gain control unit 122 acquires the detection signal from the electron detection unit 70 for a predetermined time, and calculates the average value B of the detection signals (that is, the average value of the detection signals after the voltage change) (S108).

次に、ゲイン制御部122は、平均値Aと平均値Bとの差に基づいて、DAC92のゲインを制御する(S110)。具体的には、ゲイン制御部122は、平均値Aと平均値Bとの差が小さくなるように(好ましくは零となるように)DAC92のゲインを制御する。これにより、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧が変化することによる反射電子像のコントラストの変化を小さくできる。 Next, the gain control unit 122 controls the gain of the DAC 92 based on the difference between the average value A and the average value B (S110). Specifically, the gain control unit 122 controls the gain of the DAC 92 so that the difference between the average value A and the average value B becomes small (preferably zero). As a result, the change in the contrast of the reflected electron image due to the change in the voltage applied to the microchannel plate 7 can be reduced.

処理部12は、DAC92のゲインの制御を行った後(S110の後)、ステップS100に戻って、ステップS100,S102,S104,S106,S108,S110の処理を繰り返す。 After controlling the gain of the DAC 92 (after S110), the processing unit 12 returns to step S100 and repeats the processing of steps S100, S102, S104, S106, S108, and S110.

4. 特徴
電子顕微鏡100は、例えば、以下の特徴を有する。
4. Features The electron microscope 100 has the following features, for example.

電子顕微鏡100は、電子を検出するマイクロチャンネルプレート7と、マイクロチャンネルプレート7からの電流信号を電圧信号に変換する電流電圧変換回路90と、電流電圧変換回路90からの電圧信号を増幅または減衰させるDAC92と、DAC92の出力信号に基づいて、検出信号を生成する検出信号生成回路94と、DAC92のゲインを制御するゲイン制御部122と、を含み、ゲイン制御部122は、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧が変化する前の検出信号と、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧が変化した後の検出信号と、に基づいて、DAC92のゲインを制御する。 The electron microscope 100 amplifies or attenuates a microchannel plate 7 for detecting electrons, a current-voltage conversion circuit 90 for converting a current signal from the microchannel plate 7 into a voltage signal, and a voltage signal from the current-voltage conversion circuit 90. A DAC 92, a detection signal generation circuit 94 that generates a detection signal based on the output signal of the DAC 92, and a gain control unit 122 that controls the gain of the DAC 92 are included, and the gain control unit 122 is applied to the microchannel plate 7. The gain of the DAC 92 is controlled based on the detection signal before the voltage changed and the detection signal after the voltage applied to the microchannel plate 7 changes.

このように電子顕微鏡100では、DAC92を含むため、DAC92のゲインを制御することで、電子検出部70のゲインを制御することができる。そのため、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧を変化させなくても、DAC92のゲインを制御することによって、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧を変化させたときと同様に、反射電子像のコントラストを調整することができる。したがって、電子顕微鏡100では、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧を変化させるごとに、すなわち、電子顕微鏡像のコントラストを変化させるごとに、電子線の軸合わせを行う必要がなく、操作性を向上できる。 As described above, since the electron microscope 100 includes the DAC 92, the gain of the electron detection unit 70 can be controlled by controlling the gain of the DAC 92. Therefore, the contrast of the backscattered electron image is the same as when the voltage applied to the microchannel plate 7 is changed by controlling the gain of the DAC 92 without changing the voltage applied to the microchannel plate 7. Can be adjusted. Therefore, in the electron microscope 100, it is not necessary to align the electron beam every time the voltage applied to the microchannel plate 7, that is, each time the contrast of the electron microscope image is changed, and the operability is improved. can.

電子顕微鏡100では、電子検出部70のゲイン調整、すなわち反射電子像のコントラストの調整は、ユーザーが、最初に試料Sの観察に適したマイクロチャンネルプレート7に印加される電圧を選択し(粗調整)、その後、DAC92のゲインを調整すること(微調整)で行うことができる。そのため、電子顕微鏡100では、反射電子像のコントラストを調整するたびに電子線の軸合わせを行う必要がなく、優れた操作性を有する。 In the electron microscope 100, for the gain adjustment of the electron detection unit 70, that is, the adjustment of the contrast of the reflected electron image, the user first selects the voltage applied to the microchannel plate 7 suitable for observing the sample S (coarse adjustment). ), And then the gain of the DAC 92 can be adjusted (fine adjustment). Therefore, in the electron microscope 100, it is not necessary to align the electron beam every time the contrast of the reflected electron image is adjusted, and the electron microscope 100 has excellent operability.

さらに、電子顕微鏡100では、ゲイン制御部122は、マイクロチャンネルプレート
7に印加される電圧が変化する前の検出信号と、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧が変化した後の検出信号と、に基づいて、DAC92のゲインを制御する。
Further, in the electron microscope 100, the gain control unit 122 sets the detection signal before the voltage applied to the microchannel plate 7 changes and the detection signal after the voltage applied to the microchannel plate 7 changes. Based on this, the gain of the DAC 92 is controlled.

そのため、電子顕微鏡100では、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧の切り替えの前後の電子検出部70のゲインの差を小さく、またはゲインの差を零とすることができる。これにより、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧が変化することによる反射電子像のコントラストの変化を小さくできる。したがって、電子検出部70のゲインの変化が連続的となり、ユーザーはマイクロチャンネルプレート7に印加される電圧が変化したことを意識することなく、反射電子像のコントラストの調整が可能である。したがって、電子顕微鏡100では、操作性を向上できる。 Therefore, in the electron microscope 100, the difference in gain of the electron detection unit 70 before and after switching the voltage applied to the microchannel plate 7 can be made small, or the difference in gain can be made zero. As a result, the change in the contrast of the reflected electron image due to the change in the voltage applied to the microchannel plate 7 can be reduced. Therefore, the change in the gain of the electron detection unit 70 becomes continuous, and the user can adjust the contrast of the backscattered electron image without being aware of the change in the voltage applied to the microchannel plate 7. Therefore, in the electron microscope 100, the operability can be improved.

電子顕微鏡100では、ゲイン制御部122は、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧が変化する前の所定時間の検出信号の平均値である第1平均値と、マイクロチャンネルプレートに印加される電圧が変化した後の所定時間の検出信号の平均値である第2平均値と、の差を算出し、第1平均値と第2平均値との差が小さくなるようにDAC92のゲインを制御する。そのため、電子顕微鏡100では、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧の切り替えの前後の電子検出部70のゲインの差を小さく、またはゲインの差を零とすることができる。 In the electron microscope 100, the gain control unit 122 has a first average value which is an average value of detection signals for a predetermined time before the voltage applied to the microchannel plate 7 changes, and a voltage applied to the microchannel plate 7. The difference between the second average value, which is the average value of the detection signals for a predetermined time after the change, is calculated, and the gain of the DAC 92 is controlled so that the difference between the first average value and the second average value becomes small. Therefore, in the electron microscope 100, the difference in gain of the electron detection unit 70 before and after switching the voltage applied to the microchannel plate 7 can be made small, or the difference in gain can be made zero.

電子顕微鏡100では、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧の情報の入力を受け付ける入力部としての操作部14を含み、ゲイン制御部122は、操作部14がマイクロチャンネルプレート7に印加される電圧の情報を受け付けた場合に、DAC92のゲインを制御する処理を開始する。そのため、電子顕微鏡100では、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧の変化を意識することなく、反射電子像のコントラストの調整が可能である。 The electron microscope 100 includes an operation unit 14 as an input unit for receiving input of voltage information applied to the microchannel plate 7, and the gain control unit 122 includes a voltage control unit 12 for which the operation unit 14 applies a voltage to the microchannel plate 7. When the information is received, the process of controlling the gain of the DAC 92 is started. Therefore, in the electron microscope 100, it is possible to adjust the contrast of the reflected electron image without being aware of the change in the voltage applied to the microchannel plate 7.

電子顕微鏡100では、電子線を試料Sに照射する光学系(コンデンサーレンズ3、偏向器4、走査コイル5、対物レンズ6等)と、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧に応じて、電子線が光学系の光軸OAに合った状態となるように光学系を制御する光学系制御部124と、を含む。そのため、電子顕微鏡100では、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧が変化しても、自動で電子線が光軸OAに合った状態とすることができる。 In the electron microscope 100, the electron beam depends on the optical system (condenser lens 3, deflector 4, scanning coil 5, objective lens 6, etc.) that irradiates the sample S with the electron beam and the voltage applied to the microchannel plate 7. Includes an optical system control unit 124 that controls the optical system so that the lens is aligned with the optical axis OA of the optical system. Therefore, in the electron microscope 100, even if the voltage applied to the microchannel plate 7 changes, the electron beam can be automatically brought into a state of being aligned with the optical axis OA.

電子顕微鏡100では、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧と、電子線が光軸OAにあった状態となる光学系の条件と、の関係の情報を記憶する記憶部18を含み、光学系制御部124は、前記関係の情報に基づいて光学系を制御する。そのため、電子顕微鏡100では、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧が変化しても、自動で電子線が光軸OAに合った状態とすることができる。 The electron microscope 100 includes an optical system control unit 18 that stores information on the relationship between the voltage applied to the microchannel plate 7 and the conditions of the optical system in which the electron beam is in the optical axis OA. The unit 124 controls the optical system based on the above-mentioned related information. Therefore, in the electron microscope 100, even if the voltage applied to the microchannel plate 7 changes, the electron beam can be automatically brought into a state of being aligned with the optical axis OA.

電子顕微鏡100は、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧を切り替える高電圧印加部8を含む。さらに、電子顕微鏡100の高電圧印加部8は、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧をN段階に切り替え、ゲイン制御部122は、DAC92のゲインをn段階に切り替え、N<nである。そのため、電子顕微鏡100では、電子検出部70のゲインを、広範囲に精度よく調整することができる。 The electron microscope 100 includes a high voltage application unit 8 that switches the voltage applied to the microchannel plate 7. Further, the high voltage application unit 8 of the electron microscope 100 switches the voltage applied to the microchannel plate 7 to N stages, and the gain control unit 122 switches the gain of the DAC 92 to n stages, and N <n. Therefore, in the electron microscope 100, the gain of the electron detection unit 70 can be adjusted with high accuracy in a wide range.

5. 変形例
なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
5. Modifications The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be carried out within the scope of the gist of the present invention.

5.1. 第1変形例
図7は、電子検出部70のゲインと、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧およびDAC92のゲインと、の関係の一例を示すグラフである。
5.1. First Modification Example FIG. 7 is a graph showing an example of the relationship between the gain of the electron detection unit 70, the voltage applied to the microchannel plate 7, and the gain of the DAC 92.

図7に示すように、電子検出部70のゲインと、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧およびDAC92のゲインと、を一対一に対応させてもよい。すなわち、反射電子像のコントラスト値に応じて、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧およびDAC92のゲインがそれぞれ一義的に決まるようにしてもよい。これにより、ユーザーは、マイクロチャンネルプレート7に印加される電圧を選択することなく、反射電子像のコントラストを調整することができる。 As shown in FIG. 7, the gain of the electron detection unit 70 may have a one-to-one correspondence with the voltage applied to the microchannel plate 7 and the gain of the DAC 92. That is, the voltage applied to the microchannel plate 7 and the gain of the DAC 92 may be uniquely determined according to the contrast value of the backscattered electron image. This allows the user to adjust the contrast of the backscattered electron image without selecting the voltage applied to the microchannel plate 7.

5.2. 第2変形例
上記の実施形態では、図2に示すように、ゲイン制御部122は、DAC946から出力される検出信号に基づいてDAC92のゲインの制御を行った。すなわち、上記の実施形態では、反射電子像を生成するための検出信号と、DAC92のゲインの制御を行うための検出信号と、を同じDAC946の出力信号から得ていた。
5.2. Second Modification Example In the above embodiment, as shown in FIG. 2, the gain control unit 122 controls the gain of the DAC 92 based on the detection signal output from the DAC 946. That is, in the above embodiment, the detection signal for generating the backscattered electron image and the detection signal for controlling the gain of the DAC 92 are obtained from the same output signal of the DAC 946.

これに対して、本変形例では、図示はしないが、反射電子像を生成するための検出信号を得るためのDAC946とは別に、DAC92のゲインの制御を行うための検出信号を得るためのDACを設けてもよい。これにより、DAC92のゲインの制御に適した回路を組むことができる。 On the other hand, in this modification, although not shown, a DAC for obtaining a detection signal for controlling the gain of the DAC 92 is separated from the DAC 946 for obtaining a detection signal for generating a backscattered electron image. May be provided. This makes it possible to build a circuit suitable for controlling the gain of the DAC 92.

なお、上述した実施形態及び変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば各実施形態及び各変形例は、適宜組み合わせることが可能である。 It should be noted that the above-described embodiments and modifications are merely examples, and the present invention is not limited thereto. For example, each embodiment and each modification can be combined as appropriate.

本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。 The present invention includes substantially the same configurations as those described in the embodiments (eg, configurations with the same function, method and result, or configurations with the same purpose and effect). The present invention also includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced. Further, the present invention includes a configuration having the same action and effect as the configuration described in the embodiment or a configuration capable of achieving the same object. Further, the present invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment.

2…電子源、3…コンデンサーレンズ、4…偏向器、5…走査コイル、6…対物レンズ、7…マイクロチャンネルプレート、8…高電圧印加部、9…検出回路、10…制御部、12…処理部、14…操作部、16…表示部、18…記憶部、70…電子検出部、80…高電圧発生源、82…高電圧切り替えスイッチ、90…電流電圧変換回路、92…DAC、94…検出信号生成回路、100…電子顕微鏡、120…高電圧制御部、122…ゲイン制御部、124…光学系制御部、940…増幅回路、942…レベルシフト回路、944…増幅回路、946…DAC 2 ... electron source, 3 ... condenser lens, 4 ... deflector, 5 ... scanning coil, 6 ... objective lens, 7 ... microchannel plate, 8 ... high voltage application unit, 9 ... detection circuit, 10 ... control unit, 12 ... Processing unit, 14 ... operation unit, 16 ... display unit, 18 ... storage unit, 70 ... electron detection unit, 80 ... high voltage source, 82 ... high voltage changeover switch, 90 ... current voltage conversion circuit, 92 ... DAC, 94 ... Detection signal generation circuit, 100 ... Electronic microscope, 120 ... High voltage control unit, 122 ... Gain control unit, 124 ... Optical system control unit, 940 ... Amplifier circuit, 942 ... Level shift circuit, 944 ... Amplifier circuit, 946 ... DAC

Claims (7)

電子を検出するマイクロチャンネルプレートと、
前記マイクロチャンネルプレートからの電流信号を電圧信号に変換する変換回路と、
前記電圧信号を増幅または減衰させる調整回路と、
前記調整回路の出力信号に基づいて、検出信号を生成する検出信号生成回路と、
前記調整回路のゲインを制御するゲイン制御部と、
を含み、
前記ゲイン制御部は、
前記マイクロチャンネルプレートに印加される電圧が変化する前の前記検出信号と、前記マイクロチャンネルプレートに印加される電圧が変化した後の前記検出信号と、に基づいて、前記調整回路のゲインを制御する、電子顕微鏡。
A microchannel plate that detects electrons and
A conversion circuit that converts the current signal from the microchannel plate into a voltage signal,
An adjustment circuit that amplifies or attenuates the voltage signal,
A detection signal generation circuit that generates a detection signal based on the output signal of the adjustment circuit,
A gain control unit that controls the gain of the adjustment circuit,
Including
The gain control unit
The gain of the adjustment circuit is controlled based on the detection signal before the voltage applied to the microchannel plate changes and the detection signal after the voltage applied to the microchannel plate changes. ,electronic microscope.
請求項1において、
前記ゲイン制御部は、
前記マイクロチャンネルプレートに印加される電圧が変化する前の所定時間の前記検出信号の平均値である第1平均値と、前記マイクロチャンネルプレートに印加される電圧が変化した後の所定時間の前記検出信号の平均値である第2平均値と、の差を算出し、
前記第1平均値と前記第2平均値との差が小さくなるように前記調整回路のゲインを制御する、電子顕微鏡。
In claim 1,
The gain control unit
The first average value, which is the average value of the detection signals for a predetermined time before the voltage applied to the microchannel plate changes, and the detection for a predetermined time after the voltage applied to the microchannel plate changes. Calculate the difference between the second average value, which is the average value of the signal, and
An electron microscope that controls the gain of the adjustment circuit so that the difference between the first average value and the second average value becomes small.
請求項1または2において、
前記マイクロチャンネルプレートに印加される電圧の情報の入力を受け付ける入力部を含み、
前記ゲイン制御部は、前記入力部が前記マイクロチャンネルプレートに印加される電圧の情報を受け付けた場合に、前記調整回路のゲインを制御する処理を開始する、電子顕微鏡。
In claim 1 or 2,
Includes an input unit that receives input of voltage information applied to the microchannel plate.
The gain control unit is an electron microscope that starts a process of controlling the gain of the adjustment circuit when the input unit receives information on the voltage applied to the microchannel plate.
請求項1ないし3のいずれか1項において、
電子線を試料に照射する光学系と、
前記マイクロチャンネルプレートに印加される電圧に応じて、前記電子線が前記光学系の光軸に合った状態となるように前記光学系を制御する光学系制御部と、
を含む、電子顕微鏡。
In any one of claims 1 to 3,
An optical system that irradiates a sample with an electron beam,
An optical system control unit that controls the optical system so that the electron beam is aligned with the optical axis of the optical system according to the voltage applied to the microchannel plate.
Including an electron microscope.
請求項4において、
前記マイクロチャンネルプレートに印加される電圧と、前記電子線が前記光軸にあった状態となる前記光学系の条件と、の関係の情報を記憶する記憶部を含み、
前記光学系制御部は、前記関係の情報に基づいて前記光学系を制御する、電子顕微鏡。
In claim 4,
A storage unit for storing information on the relationship between the voltage applied to the microchannel plate and the conditions of the optical system in which the electron beam is in a state of being aligned with the optical axis is included.
The optical system control unit is an electron microscope that controls the optical system based on the related information.
請求項1ないし5のいずれか1項において、
前記マイクロチャンネルプレートに印加される電圧を切り替える電圧印加部を含む、電子顕微鏡。
In any one of claims 1 to 5,
An electron microscope including a voltage application unit that switches the voltage applied to the microchannel plate.
請求項6において、
前記電圧印加部は、前記マイクロチャンネルプレートに印加される電圧をN段階に切り替え、
前記ゲイン制御部は、前記調整回路のゲインをn段階に切り替え、
N<nである、電子顕微鏡。
In claim 6,
The voltage application unit switches the voltage applied to the microchannel plate in N stages.
The gain control unit switches the gain of the adjustment circuit in n stages.
An electron microscope in which N <n.
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