JP6992199B2 - サンプル流体分析システム用のセンサアセンブリ - Google Patents

Description

本出願は、２０１８年６月２９日に出願された米国仮特許出願第６２／６９２，０７５号の米国特許法第１１９条（ｅ）に基づく利益を主張するものである。上記特許出願の内容全体を参照によって本明細書に明示的に組み入れる。

本開示は、サンプル流体分析システム用のセンサアセンブリに関し、詳細には、そのようなセンサアセンブリ用のセンサアレイに関する。

診断方法は、サンプルを試験して、サンプル特性を測定すること、および／またはサンプル中に存在し得る対象物質を検出することを含むことがある。血液ガス分析の分野では、センサ基板に配設された一組のセンサを使用することができる。しかし、特に新生児から採取されるサンプルの試験に関する特定の試験シナリオでは、採取可能なサンプル流体の量が限られる、または採取の費用が高くなり得るので、必要なサンプル体積が小さい試験プラットフォームが望ましい。さらに、検出される分析物の数が増加してもサンプル流体の体積を増加させる必要がない試験プラットフォームも望ましい。

本開示の一実施形態は、上面、上面とは反対側の下面、および第１のセンサ基板の下面に沿って配設された第１の組のセンサを有する第１のセンサ基板を含むセンサアセンブリである。また、センサアセンブリは、上面、上面とは反対側の下面、および第２のセンサ基板の下面に沿って配設された第２の組のセンサを有する第２のセンサ基板を含む。さらに、センサアセンブリは、上面、垂直方向に沿ってベースの上面とは反対側の下面、前端部、垂直方向に垂直な長手方向に沿って前端部とは反対側の後端部、ベースの上面から延び、第１のセンサ基板を少なくとも部分的に保持する第１の凹部、ベースの上面から延び、第２のセンサ基板を少なくとも部分的に保持する第２の凹部、流体を受けるための第１の流体通路、および第１の流体通路に対して直列でありそこへ開いている第２の流体通路を有するベースを含む。第１の組のセンサは第１の流体通路に露出され、第２の組のセンサは第２の流体通路に露出される。

本開示の別の実施形態は、上面、上面とは反対側の下面、および第１のセンサ基板の下面に沿って配設された第１の組のセンサを有する第１のセンサ基板を含むセンサアセンブリである。また、センサアセンブリは、上面、上面とは反対側の下面、および第２のセンサ基板の上面に配設された第２の組のセンサを画成する第２のセンサ基板を含む。さらに、センサアセンブリは、上面、垂直方向に沿ってベースの上面とは反対側の下面、前端部、垂直方向に垂直な長手方向に沿って前端部とは反対側の後端部、ベースの上面から延び、第１のセンサ基板を少なくとも部分的に保持する第１の凹部、ベースの下面から延び、第２のセンサ基板を少なくとも部分的に保持する第２の凹部、流体を受けるための第１の流体通路、および第１の流体通路に対して直列でありそこへ開いている第２の流体通路を画成するベースを含む。第１の組のセンサは第１の流体通路に露出され、第２の組のセンサは第２の流体通路に露出される。

上記の概要、および本出願の例示的実施形態の以下の詳細な説明は、添付図面と併せて読めばより良く理解されよう。本出願を例示する目的で、本開示の例示的実施形態を図面に示す。しかし、本出願は、図示されている正確な配置や手段に限定されないことを理解されたい。

本開示の一実施形態によるセンサアセンブリの斜視図である。 図１に示されるセンサアセンブリの第１のセンサ基板および第２のセンサ基板の斜視図である。 図１に示されるセンサアセンブリのベースの平面斜視透過図であり、第１および第２のセンサ基板を連結する流体経路を示す図である。 図３Ａに示されるベースの底面斜視透過図である。 本開示の別の実施形態によるセンサアセンブリの平面斜視図である。 図４Ａに示されるセンサアセンブリの底面斜視図である。 図４Ａに示されるセンサアセンブリの第１のセンサ基板および第２のセンサ基板の斜視図である。 図４Ａに示されるセンサアセンブリのベースの平面斜視透過図である。 図６Ａに示されるセンサアセンブリの底面斜視透過図である。 本開示の別の実施形態によるセンサアセンブリの概略側断面図である。 図７Ａでの７Ｂ－７Ｂ線に沿って取られた、図７Ａに示されるセンサアセンブリの断面図である。 本開示の別の実施形態によるセンサアセンブリの平面概略図である。 図８Ａに示されるセンサアセンブリの概略側断面図である。

以下の説明において、特定の専門用語は、センサアセンブリ１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃを述べるために便宜上使用されるに過ぎず、限定するものではない。「右」、「左」、「下側」、および「上側」という語は、参照先の図面における方向を示している。「内側」および「外側」という語は、センサアセンブリ１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、およびそれらの関連部材を述べる記述における幾何学的中心に向かう方向および幾何学的中心から離れる方向をそれぞれ意味する。「前方」および「後方」という語は、センサアセンブリ１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、およびそれらの関連部材に沿った長手方向２の方向、および長手方向２とは反対の方向を表す。上記専門用語は、上に列挙した語、それらの派生語、および類義語を含む。

本明細書に特に明記されていない限り、「長手」、「横」、および「垂直」という用語は、長手方向２、横方向３、および垂直方向４として表される、１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃの様々な構成要素の直交方向成分を述べるために使用される。長手および横方向２、３は水平面に沿って延びているものとして示され、垂直方向４は垂直面に沿って延びているものとして示されているが、様々な方向を包含する平面は使用中に変わることがあることを理解されたい。

図１～図３Ｂは、サンプル流体分析システムにサンプル流体を受けて試験するためのセンサアセンブリ１０の第１の実施形態を示す。図１は、完全に組み立てられた構成でのセンサアセンブリ１０の斜視図を示す。センサアセンブリ１０は、第１のセンサ基板７０と、第２のセンサ基板８０と、第１および第２のセンサ基板７０、８０を受けるように構成されたベース２０とを含む。ベース２０は、以下でさらに述べるように、サンプル流体を受けるための複数の流体経路を画成することがある。

図１および図３Ａ～図３Ｂを参照すると、ベース２０は、センサ基板を互いに対してオフセット構成で保持するように構成されている。当業者に知られているように、ベース２０は、サンプル流体の様々な様相を試験、分析、および表示するためのサンプル分析システム（図示せず）に組み込まれるように構成される。図示されているように、ベース２０は、上面２０ａ、垂直方向４に沿って上面２０ａとは反対側の下面２０ｂ、前端部２０ｃ、長手方向２に沿って前端部２０ｃとは反対側の後端部２０ｄ、第１の側面２０ｅ、および横方向３に沿って第１の側面２０ｅとは反対側の第２の側面２０ｆを有する。例示される実施形態では、ベース２０は、前向きの頂点を有する前端部２０ｃを有する実質的に直方体の形状をした本体を画成する。しかし、ベース２０は、望むように他の形状を画成することもできる。例えば、ベース２０は、方形、矩形、楕円形でよく、またはサンプル分析システムでの配置および使用を容易にする任意の他の形状を有することができる。

ベース２０は、センサ基板７０および８０を保持するための複数の凹部を含むことがある。例示される実施形態によれば、ベース２０は、上面２０ａからベース２０内に延び、下面２０ｂの手前の第１の内側表面２３ａで終端する第１の凹部２２ａを含む。第１の凹部２２ａは、第１のセンサ基板７０を少なくとも部分的に受けるように構成される。また、ベース２０は、上面２０ａからベース２０内に延び、下面２０ｂの手前の第２の内側表面２３ｂで終端する第２の凹部２２ｂを含む。第２の凹部２２ｂは、第２のセンサ基板８０を少なくとも部分的に（または完全に）受けることができる。図示される実施形態では、第１と第２の凹部２２ａ、２２ｂは、横方向３に沿って離間配置されている。また、第１と第２の凹部２２ａ、２２ｂは、横方向３に沿って実質的に位置合わせされる。しかし、他の実施形態では、第１および第２の凹部２２ａ、２２ｂのいずれかは、ベース２０の上面２０ａに沿った別の場所に位置することができる。第１および第２の凹部２２ａ、２２ｂはそれぞれ、実質的に矩形状で示されているが、これは、第１および第２の凹部２２ａ、２２ｂ内に配設される特定のセンサ基板の形状に応じて変わることがある。第１および第２の凹部２２ａ、２２ｂはそれぞれ、第１および第２のセンサ基板７０、８０がそれぞれ第１および第２の凹部２２ａ、２２ｂ内に完全に配設されたとき、それぞれ第１および第２のセンサ基板７０、８０の上面がベース２０の上面２０ａと位置合わせされるようにサイズ設定することができる。代替として、第１および第２の凹部２２ａ、２２ｂは、第１および第２の基板７０、８０が、それぞれ第１および第２の凹部２２ａ、２２ｂ内に完全に配設されたときにベース２０からわずかに突出する、またはベース２０内にわずかに凹むようにサイズ設定することができる。

図２を参照すると、第１および第２のセンサ基板７０、８０はそれぞれ、流体の特定の属性を試験するための複数のセンサを保持する。第１のセンサ基板７０は、上面７０ａと、垂直方向４に沿って上面７０ａとは反対側の下面７０ｂとを画成する。例示される実施形態では、第１のセンサ基板７０が直方体として示されているが、他の形状も考えられる。上面および下面７０ａ、７０ｂはそれぞれ、実質的に平面状で示されているが、上面および下面７０ａ、７０ｂはどちらも、望むように代替の形状にすることができる。第１のセンサ基板７０は、その下面７０ｂに配設される第１の組のセンサ７４として構成することができる。第１の組のセンサ７４は、８つのセンサ７８を含むことがあり、各センサは、長手方向２に沿って第１のセンサ基板７０上に整列させることができる。しかし、第１の組のセンサ７４は、８つよりも多い、または少ないセンサ７８を含むことができる。第２の組のセンサ７４の配置は、概して第１の流体通路３２の形状に位置合わせされるものとし、これについては以下でさらに述べる。しかし、第１の組のセンサ７４を、図に示されるものとは異なる配置にすることもできると考えられる。いずれのセンサ７８も、サンプル流体の特性を測定するための電位差測定センサでよい。代替として、センサ７８は、電流測定、導電率測定、温度測定、光学、および圧電センサなど、別の種類のセンサでもよい。

第２のセンサ基板８０は、上面８０ａと、垂直方向４に沿って上面８０ａとは反対側の下面８０ｂとを画成する。図示されているように、第２のセンサ基板８０は直方体を画成するものとして示されているが、他の形状も考えられる。上面および下面８０ａ、８０ｂはそれぞれ、実質的に平面状で示されているが、上面および下面８０ａ、８０ｂはどちらも、望むように代替の形状にすることができる。第２のセンサ基板８０は、その下面８０ｂに配設される第２の組のセンサ８４を含むことがある。第２の組のセンサ８４は、８つのセンサ８８を含むことがあり、各センサは、長手方向２に沿って第２のセンサ基板８０上に整列させることができる。しかし、第２の組のセンサ８４は、８つよりも多い、または少ないセンサ８８を含むことができる。第２の組のセンサ８４の配置は、概して第２の流体通路４８の形状に位置合わせされるものとし、これについては以下でさらに述べる。しかし、第２の組のセンサ８４を、明示的に図示されているものとは異なる配置にすることもできると考えられる。いずれのセンサ８８も、電位差測定センサでよい。代替として、センサ８８は別の種類のセンサでもよい。例えば、センサ８８は、電流測定、導電率測定、温度測定、光学、および圧電センサでよい。第１と第２の組のセンサ７４、８４は実質的に同じものとして示されているが、第１と第２の組のセンサ７４、８４が、異なる種類、配置、または数のセンサを画成することもできる。例えば、第１および第２の組のセンサ７４、８４のうちの一方が電位差測定センサを含むことができ、第１および第２の組のセンサ７４、８４のうちの他方が、電位差測定以外の種類のセンサを含むことができる。

第１および第２のセンサ基板７０、８０はそれぞれ、センサを保持するように設計された材料で形成される。一例では、第１および第２の基板７０、８０は、当業者に知られている様々なプロセスおよび材料を使用して形成することができる。例えば、第１および第２のセンサ基板７０、８０は可撓性または剛性でよく、例えばポリマー、標準ＰＣＢ、フレキシブルＰＣＢ、ＰＥＴ、ＰＩ、セラミック、ガラスなどを使用して構成されることがある。第１および第２のセンサ基板７０、８０が形成された後、第１および第２の組のセンサ７４、８４は、当技術分野で知られている方法によって第１および第２のセンサ基板７０、８０に取り付けることができる。第１および第２のセンサ基板７０、８０が完全に形成され、第１および第２の組のセンサ７４、８４が取り付けられた後、第１のセンサ基板７０をベース２０の第１の凹部２２ａに接着剤で取り付けることができる。同様に、第２のセンサ基板８０をベース２０の第２の凹部２２ｂに接着剤で取り付けることができる。

図１に示されているように、第１および第２のセンサ基板７０、８０は、ベース２０に取り付けられるときに、実質的に互いに平行に位置することができる。この構成では、第１のセンサ基板７０の一部分が第２のセンサ基板８０の一部分に重ならないように、第１と第２のセンサ基板７０、８０は横方向３に沿って離間配置されているが、横方向３に沿って位置合わせされる。さらに、第１と第２のセンサ基板７０、８０は、垂直方向で位置合わせすることができるが、いくらかの垂直方向オフセットも考えられる。

図１および図３Ａ～図３Ｂを参照すると、ベース２０は、センサアセンブリ１０を通してサンプル流体を輸送するための複数の通路を画成することができる。ベース２０と、ベース２０に含まれる通路とは射出成形によって形成することができるが、他の手段も考えられる。ベース２０は、サンプル分析システム（図示せず）の別の部分からサンプル流体を受けるための、下面２０ｂに位置する入口２４を含むことができる。図に示されているように、入口２４は、下面２０ｂに沿って、第１の基板７０の一部分および第１の凹部２２ａに重なる位置に位置させることができ、それにより、入口２４から第１の基板７０へのサンプル流体の流路長（ｆｌｏｗ ｌｅｎｇｔｈ）が最小限にされる。しかし、入口２４は、下面２０ｂに沿った、または代替として上面２０ａに沿った別の場所に位置することができることを理解されたい。第１の入口通路２８は、入口２４から第１の流体通路３２まで実質的に垂直に延びることができ、第１の流体通路３２は、第１の組のセンサ７４がサンプル流体に露出される流体チャネルの一部分である。第１の流体通路３２は、第１の凹部２２ａに対して実質的に開かれ、実質的に長手方向２に沿って延びることができる。第１の流体通路３２は、第１の凹部２２ａからベース２０内にも延びることができる。例えば、第１の流体通路３２は、第１の内側表面２３ａから下面２０ｂに向かって延び、下面２０ｂの手前で終端することができる。第１の流体通路３２は、長手方向２に沿った第１の凹部２２ａの長さよりも短い、長手方向２に沿った長さを画成することができる。追加として、または代替として、第１の流体通路３２は、横方向３に沿った第１の凹部２２ａの幅よりも狭い、横方向３に沿った幅を画成することができる。この構成では、サンプル流体が第１の流体通路３２を通って流れるとき、サンプル流体は、長手方向２に実質的に平行な第１の流れ方向Ｆ_１に沿って流れる。しかし、第１の流体通路３２および第１の流れ方向Ｆ_１は、長手方向２から角度的にオフセットされている。

引き続き図１および図３Ａ～図３Ｂを参照すると、第１の流体通路３２は、ベース２０によって部分的に画成され、第１のセンサ基板７０によって部分的に画成されている。図示されているように、第１の組のセンサ７４は、第１の流体通路３２を通って流れるサンプル流体が第１の組のセンサ７４の各センサ７８と接触するように、第１の流体通路３２に露出されている。第１の組のセンサ７４は、長手方向２に沿って整列されているものとして示されているので、第１の組のセンサ７４は、第１の流体通路３２と第１の流れ方向Ｆ_１との両方に実質的に位置合わせすることができる。

センサアセンブリ１０は、第１の流体通路３２から第２の流体通路４８までサンプル流体を輸送する一組の通路を画成することができ、これらの通路は、第１の流体通路３２の下流に位置する。図示される実施形態では、この一組の通路は、第１の流体通路３２から実質的に垂直方向４に沿って第１の移送通路４０まで延びる第１の出口通路３６を含む。実質的に横方向３に沿って延びることができる第１の移送通路４０は、第１の出口通路３６から第２の入口通路４４に延びる。第２の入口通路４４は、第１の移送通路４０から第２の流体通路４８に実質的に垂直方向４に沿って延びる。通路の特定の一構成を述べるが、第１と第２の流体通路３２、４８の間の通路は異なる構成にすることもできると考えられる。

引き続き図１および図３Ａ～図３Ｂを参照すると、第２の流体通路４８は、第１の流体通路３２の下流に直列に位置する。第２の流体通路４８は、第２の凹部２２ｂに対して実質的に開いている。第２の流体通路４８は、実質的に長手方向２に沿って延びることができる。第２の流体通路４８は、第２の凹部２２ｂからベース２０内にも延びることができる。例えば、第２の流体通路４８は、第２の内側表面２３ｂから下面２０ｂに向かって延び、下面２０ｂの手前で終端することができる。第２の流体通路４８は、長手方向２に沿った第２の凹部２２ｂの長さよりも短い、長手方向２に沿った長さを画成することができる。追加として、または代替として、第２の流体通路４８は、横方向３に沿った第２の凹部２２ｂの幅よりも狭い、横方向３に沿った幅を有することができる。この構成では、サンプル流体が第２の流体通路４８を通って流れるとき、サンプル流体は、長手方向２に実質的に平行であり、第１の流れ方向Ｆ_１とは反対の第２の流れ方向Ｆ_２に沿って流れる。しかし、第２の流体通路４８は、第２の流体通路４８および第２の流れ方向Ｆ_２が長手方向２から角度的にオフセットされ、したがって第２の流れ方向Ｆ_２が第１の流れ方向Ｆ_１に対向しないように、異なる設計にすることもできると考えられる。

図示されているように、第２の流体通路４８は、ベース２０によって部分的に画成され、第２のセンサ基板８０によって部分的に画成されている。その結果、第２の組のセンサ８４は、第２の流体通路４８を通って流れるサンプル流体が第２の組のセンサ８４の各センサ８８と接触するように、第２の流体通路４８に露出される。第２の組のセンサ８４は、長手方向２に沿って整列されているものとして示されているので、第２の組のセンサ８４は、第２の流体通路４８および第２の流れ方向Ｆ_２の両方と実質的に位置合わせすることができる。

ベース２０は、第２の流体通路４８から出口６０に延びる第２の移送通路５６を含むことができる。出口６０は、廃棄のためにサンプル流体を放出してサンプル分析システムに戻すように構成される。図示されているように、出口６０は、ベース２０の下面２０ｂに画成され、前端部２０ｃの近くに位置することができる。出口６０は、第１または第２のセンサ基板７０、８０のいずれにも重ならないように位置する。しかし、入口２４と同様に、出口６０は、下面２０ｂに沿った、または代替として上面２０ａに沿った別の場所に位置することができることを理解されたい。

さらに、ベース２０は、上面２０ａから下面２０ｂまでベース２０を通って延びる複数の穴６４をさらに含むことができる。各穴６４は、着脱可能にまたは恒久的にセンサアセンブリ１０をサンプル分析システムに連結するために、ねじやボルトなどの固定具を受けるように構成することができる。ベース２０が１２個の穴６４を含むものとして示されているが、代替として、ベース２０は、望むように任意の数または配置の穴６４を含むことができる。

続いて図４Ａ～図６Ｂを参照すると、センサアセンブリ１０ａの別の実施形態が示されている。センサアセンブリ１０ａは、第１のセンサ基板１７０と、第２のセンサ基板１８０と、第１および第２のセンサ基板１７０、１８０を受けるように構成されたベース１２０とを含む。ベース１２０は、以下でさらに述べるように、サンプル流体を受けるための複数の流体経路を画成する。

図４Ａ～図４Ｂおよび図６Ａ～図６Ｂを参照すると、ベース１２０は、センサ基板１７０、１８０を保持するように構成されている。ベース１２０は、上記のベース２０と同様の機能目的を有する。図示されているように、ベース１２０は、上面１２０ａ、垂直方向４に沿って上面１２０ａとは反対側の下面１２０ｂ、前端部１２０ｃ、長手方向２に沿って前端部１２０ｃとは反対側の後端部１２０ｄ、第１の側面１２０ｅ、および横方向３に沿って第１の側面１２０ｅとは反対側の第２の側面１２０ｆを有する。例示される実施形態では、ベース１２０は、前向きの頂点を有する前端部１２０ｃを有する実質的に直方体の形状をした本体を画成する。しかし、ベース１２０は、望むように他の形状を画成することもできると考えられる。

ベース１２０は、上面１２０ａからベース１２０内に延び、下面１２０ｂの手前の第１の内側表面１２３ａで終端する第１の凹部１２２ａを含む。第１の凹部１２２ａは、第１のセンサ基板１７０を少なくとも部分的に受けるように構成される。また、ベース１２０は、下面１２０ｂからベース１２０内に延び、上面１２０ａの手前の第２の内側表面１２３ｂで終端する第２の凹部１２２ｂを含む。第２の凹部１２２ａは、第２のセンサ基板１８０を少なくとも部分的に受けるように構成される。図示される実施形態では、第１および第２の凹部１２２ａ、１２２ｂは、少なくとも部分的に互いに重なっている。したがって、第１および第２の凹部１２２ａ、１２２ｂは、長手および／または横方向２、３に沿って重なり合う部分を含む。第１および第２の凹部１２２ａ、１２２ｂはそれぞれ、実質的に矩形状で示されている。しかし、凹部の形状は、特定のセンサ基板の形状に応じて変わることがある。第１の凹部１２２ａは、第１のセンサ基板１７０が第１の凹部１２２ａ内に完全に配設されたとき、第１のセンサ基板１７０の下面１７０ｂがベースの下面１２０ｂと位置合わせされるようにサイズ設定することができる。第２の凹部１２２ｂは、第２のセンサ基板１８０が第２の凹部１２２ｂ内に完全に配設されたとき、第２のセンサ基板１８０の上面１８０ａがベースの上面１２０ａと位置合わせされるようにサイズ設定することができる。代替として、第１および第２の凹部１２２ａ、１２２ｂは、第１および第２の基板１７０、１８０が、それぞれ第１および第２の凹部１２２ａ、１２２ｂ内に完全に配設されたときにベース１２０からわずかに突出する、またはベース１２０内にわずかに凹むようにサイズ設定することができる。

図５を参照すると、第１のセンサ基板１７０は、上面１７０ａと、垂直方向４に沿って上面１７０ａとは反対側の下面１７０ｂとを画成する。その結果、第１のセンサ基板１７０が直方体を画成するものとして示されているが、他の形状も考えられる。上面および下面１７０ａ、１７０ｂはそれぞれ、実質的に平面状で示されているが、上面および下面１７０ａ、１７０ｂはどちらも、望むように代替の形状にすることができる。第１のセンサ基板１７０は、その上面１７０ａに配設された第１の組のセンサ１７４を有するように構成することができる。第１の組のセンサ１７４は、８つのセンサ１７８を含むものとして示され、各センサは、長手方向２に沿って第１のセンサ基板１７０上に整列させることができる。しかし、第１の組のセンサ１７４は、８つよりも多い、または少ないセンサ１７８を含むことができる。第１の組のセンサ１７４を異なる配置にすることができると考えられるが、第１の組のセンサ１７４の配置は、全体として第１の流体通路１３２の形状と位置合わせされ、これについては以下でさらに述べる。いずれのセンサ１７８も、電位差測定センサでよい。代替として、センサ１７８は、電流測定、導電率測定、温度測定、光学、または圧電センサでよい。

第２のセンサ基板１８０は、第２の組のセンサ１８４を保持する。図示されているように、第２のセンサ基板１８０は、上面１８０ａと、垂直方向４に沿って上面１８０ａとは反対側の下面１８０ｂとを画成する。第２のセンサ基板１８０は、その下面１８０ｂに配設される第２の組のセンサ１８４を有するように構成することができる。この配置により、センサアセンブリ１０ａが完全に組み立てられたとき、第１と第２の組のセンサ１７４、１８４は反対方向を向く。例えば、第１の組のセンサ１７４は、ベース１２０の下面１２０ｂに向かって下向きに面し、第２の組のセンサ１８４は、ベース１２０の上面１２０ａに向かって面する。第２の組のセンサ１８４は、８つのセンサ１８８を含むものとして示され、各センサは、長手方向２に沿って第２のセンサ基板１８０上に整列させることができる。しかし、第２の組のセンサ１８４は、８つよりも多い、または少ないセンサ１８８を含むことができる。第２の組のセンサ１８４を異なる配置にすることができると考えられるが、第２の組のセンサ１８４の配置は、一般に第２の流体通路１４８の形状と位置合わせされ、これについては以下でさらに述べる。センサ１７８と同様に、いずれのセンサ１８８も電位差測定センサでよい。代替として、センサ１８８は、電流測定、導電率測定、温度測定、光学、または圧電センサでよい。第１と第２の組のセンサ１７４、１８４は実質的に同じものとして示されているが、第１と第２の組のセンサ１７４、１８４が、異なる種類、配置、または数のセンサを画成することもできる。例えば、第１および第２の組のセンサ１７４、１８４のうちの一方が電位差測定センサを含むことができ、第１および第２の組のセンサ１７４、１８４のうちの他方が、電位差測定以外の種類のセンサを含むことができる。

第１および第２のセンサ基板１７０、１８０はそれぞれ、ベース１２０に固定される。第１のセンサ基板１７０が完全に形成され、第１の組のセンサ１７４、第１の基板１７０をベース１２０の第１の凹部１２２ａに接着剤で取り付けることができる。さらに、第２のセンサ基板１８０をベース１２０の第２の凹部１２２ｂに接着剤で取り付けることができる。図４Ａ～図４Ｂに示されているように、第１および第２のセンサ基板１７０、１８０は、ベース１２０に取り付けられるときに、互いに角度的にオフセットして位置することができる。この構成では、第１のセンサ基板１７０は、第１の軸Ａ_１に沿って位置し、第２のセンサ基板１８０は、第１の軸Ａ_１から角度θだけ角度的にオフセットされた第２の軸Ａ_２に沿って位置する。第１および第２の軸Ａ_１、Ａ_２の向きは以下でさらに述べる。この構成では、第１および第２のセンサ基板１７０、１８０は、第１のセンサ基板１７０の少なくとも一部分が第２のセンサ基板１８０の少なくとも一部分と垂直方向に沿って位置合わせされるように、垂直方向４に沿って少なくとも部分的に互いに重なる。さらに、第１のセンサ基板１７０の少なくとも一部分は、第２のセンサ基板１８０の少なくとも一部分と垂直方向に沿って位置合わせされないことがある。

ここで、図４Ａ～図４Ｂおよび図６Ａ～図６Ｂを参照すると、ベース１２０は、センサアセンブリ１０ａを通してサンプル流体を輸送するための複数の通路を画成することができる。ベース１２０と、ベース１２０に含まれる通路とは射出成形によって形成することができるが、他の手段も考えられる。ベース１２０は、サンプル分析システム（図示せず）の別の部分からサンプル流体を受けるための、上面１２０ａに位置する入口１２４を含むことができる。図に示されているように、入口は上面１２０ｂに沿って、第１の基板１７０の一部分および第１の凹部１２２ａに重なる位置に位置することができ、それにより、入口１２４から第１の基板１７０へのサンプル流体の流路長が最小限にされる。しかし、入口１２４は、上面１２０ａに沿った、または代替として下面１２０ｂに沿った別の場所に位置することができることを理解されたい。第１の入口通路１２８は、入口１２４から第１の流体通路１３２まで実質的に垂直に延びることができ、第１の流体通路１３２は、第１の組のセンサ１７４がサンプル流体に露出される流体チャネルの一部分である。第１の流体通路１３２は、第１の凹部１２２ａに対して実質的に開かれる。例えば、第１の流体通路１３２は、第１の内側表面１２３ａから下面１２０ｂに向かって延び、下面１２０ｂの手前で終端することができる。第１の流体通路１３２は、同じ方向に沿った第１の凹部１２２ａの長さよりも短い長さを画成することができる。追加として、または代替として、第１の流体通路１３２は、同じ方向に沿った第１の凹部１２２ａの幅よりも狭い幅を画成することができる。第１の流体通路１３２は、実質的に第１の軸Ａ_１に沿って延びることができ、それにより、サンプル流体が第１の流体通路１３２を通って流れるとき、サンプル流体は、第１の軸Ａ_１と同一直線上にある第１の流れ方向Ｆ_１に沿って流れる。

第１の流体通路１３２は、ベース１２０によって部分的に画成され、第１のセンサ基板１７０によって部分的に画成されている。その結果、第１の組のセンサ１７４は第１の流体通路１３２に露出され、第１の流体通路１３２を通って流れるサンプル流体が第１の組のセンサ１７４の第１のセンサ１７８それぞれと接触し、それにより、センサ１７８は、サンプル流体の任意の所望の構成を検出することができる。第１の組のセンサ１７４は、長手方向２に沿って整列されているものとして示されているので、第１の組のセンサ１７４は、第１の流体通路１３２、第１の流れ方向Ｆ_１、および第１の軸Ａ_１と実質的に位置合わせすることができる。

第１の流体通路１３２の下流で、センサアセンブリ１０ａは、サンプル流体を第１の流体通路１３２から第２の流体通路１４８に輸送する単一の通路を含むことがある。図示される実施形態では、これは、第１の流体通路１３２から第２の流体通路１４８まで実質的に垂直方向４に沿って延びる第１の移送通路１４０を含む。１つの特定の通路が示されているが、第１および第２の流体通路１３２、１４８の間の通路を異なる構成にすることもできると考えられる。

引き続き図４Ａ～図４Ｂおよび図６Ａ～図６Ｂを参照すると、第２の流体通路１４８は、第１の流体通路１３２の下流に直列に位置する。第２の流体通路１４８は、第２の凹部１２２ｂに対して実質的に開いている。例えば、第２の流体通路１４８は、第２の内面１２３ｂから上面１２０ａに向かって延び、上面１２０ａの手前で終端することができる。第２の流体通路１４８は、同じ方向に沿った第２の凹部１２２ｂの長さよりも短い長さを画成することができる。追加として、または代替として、第２の流体通路１４８は、同じ方向に沿った第２の凹部１２２ｂの幅よりも狭い幅を画成することができる。第２の流体通路１４８は、第２の軸Ａ_２に沿って延びることができ、それにより、第２の流体通路１４８を通って流れるサンプル流体は、第２の軸Ａ_２と同一直線上にある第２の流れ方向Ｆ_２に沿って流れる。第２の軸Ａ_２は、第１の軸Ａ_１から角度θだけ角度的にオフセットされている。同様に、第１の流れ方向Ｆ_１は、第２の流れ方向から角度θだけ角度的にオフセットされている。図示される実施形態では、角度θは約９０度である。しかし、代替として、第１および第２の流体通路１３２、１４８は、角度θが異なるように向けることもできると考えられる。例えば、角度θは、約０度～約１８０度でよい。一実施形態では、角度θは０度である。別の実施形態では、角度θは１８０度である。その結果、第１と第２の流体方向Ｆ_１、Ｆ_２は、実質的に同じ方向に延びることができる。代替として、第１と第２の流体方向Ｆ_１、Ｆ_２は互いに反対でもよい。

センサアセンブリ１０ａが完全に組み立てられるとき、第２の流体通路１４８は、ベース１２０によって部分的に画成され、第２のセンサ基板１８０によって部分的に画成される。その結果、第２の組のセンサ１８４は第２の流体通路１４８に露出され、第２の流体通路１４８を通って流れるサンプル流体が第２の組のセンサのセンサ１８８それぞれと接触し、それにより、センサ１８８は、サンプル流体の任意の所望の構成を検出することができる。第２の組のセンサ１８４は、長手方向２に沿って整列されているものとして示されているので、第２の組のセンサ１８４は、第２の流体通路１４８、第２の流れ方向Ｆ_２、および第２の軸Ａ_２と実質的に位置合わせすることができる。

第２の流体通路１４８の下流で、ベース１２０は、第２の流体通路１４８から出口１６０まで延びる一連の通路を含むことができる。出口１６０は、廃棄のためにサンプル流体を放出してサンプル分析システムに戻すように構成される。ベース１２０は、第２の流体通路１４８から第２の移送通路１５６に延びる垂直延在出口通路１２０を含むことができる。第２の移送通路１５６は、湾曲路に沿って、第２の流体通路１４８から出口１６０まで延びることができる。しかし、出口通路１２０および第２の移送通路１５６が、サンプル流体を第２の流体通路１４８から出口１６０に向けるものとして示されているが、より多い、もしくはより少ない通路、または通路の異なる配置が考えられる。出口１６０は、ベース１２０の下面１２０ｂに画成され、前端部１２０ｃの近くに位置することができる。出口１６０は、第１または第２のセンサ基板１７０、１８０のいずれにも重ならないように位置することができる。しかし、入口１６０は、下面１２０ｂに沿った、または代替として上面１２０ａに沿った別の場所に位置することができることを理解されたい。

図７Ａ～図７Ｂを参照すると、センサアセンブリ１０ｂは、センサアセンブリ１０ａと同様の構成を含み、そのため、同じ参照番号が使用される。センサアセンブリ１０ｂでは、ベース１２０’は、サンプル流体の様々な側面を試験、分析、および表示するためのサンプル分析システム（図示せず）に組み込まれるように構成される。ベース１２０’は、上面１２０ａ、垂直方向４に沿って上面１２０ａとは反対側の下面１２０ｂ、前端部１２０ｃ、長手方向２に沿って前端部１２０ｃとは反対側の後端部１２０ｄ、第１の側面１２０ｅ、および横方向３に沿って第１の側面１２０ｅとは反対側の第２の側面１２０ｆを有する。例示される実施形態では、ベース１２０’は、実質的に直方体の形状を画成する。しかし、ベース１２０’は、望むように他の形状を画成することもできる。例えば、ベース２０は、方形、矩形、楕円形でよく、またはサンプル分析システムでの配置および使用を容易にする任意の他の形状を有することができる。

ベース１２０’は、センサ基板１７０および１８０を保持するための複数の凹部を含むことができる。例示される実施形態によれば、ベース１２０’は、上面１２０ａからベース１２０’内に延び、第１のセンサ基板１７０を少なくとも部分的に受けるように構成された第１の凹部１２２ａを含む。また、ベース１２０’は、下面１２０ｂからベース１２０’内に延び、第２のセンサ基板１８０を少なくとも部分的に受けるように構成された第２の凹部１２２ｂを含む。その結果、第１と第２のセンサ基板１７０、１８０は、ベース１２０’の反対側に沿って位置する。第１と第２の凹部１２２ａ、１２２ｂは、第１と第２のセンサ基板１７０、１８０が互いに重なることができるように、垂直方向４に沿って実質的に位置合わせすることができる。

図７Ａに示されているように、第１および第２の凹部１２２ａ、１２２ｂ、ならびに同様に第１および第２のセンサ基板１７０、１８０は、ベース１２０’に沿って長手方向に同一に位置することができる。すなわち、第１および第２の凹部１２２ａ、１２２ｂは、前端部１２０ｃおよび後端部１２０ｄから等間隔に配置することができる。同様に、図７Ｂに示されているように、第１および第２の凹部１２２ａ、１２２ｂ、ならびに同様に第１および第２のセンサ基板１７０、１８０は、ベース１２０’に沿って横方向に同一に位置することができる。すなわち、第１および第２の凹部１２２ａ、１２２ｂは、第１の側部１２０ｅおよび第２の側部１２０ｆから等間隔に配置することができる。

ベース１２０’は、サンプル流体を受けるための第１および第２の流体通路１３２、１４８をさらに含むことができ、第１の流体通路１３２は第１の凹部１２２ａに開いており、第２の流体通路１４８は第２の凹部１２２ｂに開いている。第１の流体通路１３２は、一組のセンサ１７４の各センサ１７８がサンプル流体に露出されるベース１２０’の領域を画成し、第２の流体通路１４８は、第２の組のセンサ１８４の各センサ１８０がサンプル流体に露出されるベース１２０’の領域を画成する。凹部１２２ａ、１２２ｂおよび基板１７０、１８０と同様に、第１と第２の流体通路１３２、１４８は、第１と第２の流体通路１３２、１４８が垂直方向４に沿って位置合わせされるように、互いに重なることができる。第１の流体通路１３２は、第１の凹部１２２ａからベース１２０’内に延びることができる。例えば、第１の流体通路１３２は、第１の内側表面１２３ａから下面１２０ｂに向かって延び、下面１２０ｂの手前で終端することができる。さらに、第１の流体通路１３２は、長手方向２に沿った第１の凹部１２２ａの長さよりも短い、長手方向２に沿った長さを画成することができる。追加として、または代替として、第１の流体通路１３２は、横方向３に沿った第１の凹部１２２ａの幅よりも狭い、横方向３に沿った幅を画成することができる。第２の流体通路１４８は、第２の凹部１２２ｂからベース１２０’内に延びることができる。例えば、第２の流体通路１４８は、第２の内面１２３ｂから上面１２０ａに向かって延び、上面１２０ａの手前で終端することができる。第２の流体通路１４８は、長手方向２に沿った第２の凹部１２２ｂの長さよりも短い、長手方向２に沿った長さを画成することができる。追加として、または代替として、第２の流体通路１４８は、横方向３に沿った第２の凹部１２２ｂの幅よりも狭い、横方向３に沿った幅を画成することができる。第１の流体通路１３２は、第１の軸Ａ_１に沿って延びることができ、第２の流体通路１４８は、第２の軸Ａ_２に沿って延びることができ、第１と第２の軸Ａ_１、Ａ_２は互いに実質的に平行である。一実施形態では、第１および第２の軸Ａ_１、Ａ_２はそれぞれ、長手方向２に沿って延びることができる。センサアセンブリ１０ｂの第１と第２の流体通路１３２、１４８内の流体の流れの方向は、互いに実質的に反対であり得る。

図８Ａおよび図８Ｂを参照して、センサアセンブリ１０ｃを述べる。センサアセンブリ１０ｃがセンサアセンブリ１０ａと同様の構成を含む場合、同じ参照番号が使用される。センサアセンブリ１０ｃでは、第１および第２のセンサ基板１７０、１８０は、ベース１２０’’の反対側に沿って位置する。第１と第２のセンサ基板１７０、１８０は、互いに重ならないように位置することができるが、長手方向２に沿って直列に位置し、長手方向２に沿って実質的に位置合わせされる。同様に、第１と第２の流体通路１３２、１４８も、互いに重ならないことがあるが、長手方向２に沿って直列に位置し、長手方向２に沿って実質的に位置合わせされる。センサアセンブリ１０ｃの第１と第２の流体通路１３２、１４８内の流体の流れの方向は、実質的に同じであり得る。

センサアセンブリ１０、１０ａ、１０ｂ、および１０ｃは、センサアセンブリ１０、１０ａ、１０ｂ、および１０ｃを通って延びる流体経路の体積が小さいので、流体サンプル、特に新生児からのものを分析する際に利点をもたらす。センサアセンブリの連続性およびセンサ基板の配置により、複数の分析物を検出するために必要なサンプル流体の体積が最小限にされて、サンプル流体の供給が節約される、および／またはコストが削減される。上で論じたセンサアセンブリ１０、１０ａ、１０ｂ、および１０ｃの単純な構成は、単一のセンサアセンブリに組み込むことができるセンサの数を最大化し、センサアセンブリに必要な複雑さを低減するという追加の利益を提供する。

本発明は、以下の例示的実施形態を含む：

実施形態１は、センサアセンブリである。センサアセンブリは、上面、上面とは反対側の下面、および第１のセンサ基板の下面に沿って配設された第１の組のセンサを有する第１のセンサ基板を含む。センサアセンブリは、上面、上面とは反対側の下面、および第２のセンサ基板の下面に沿って配設された第２の組のセンサを有する第２のセンサ基板を含む。センサアセンブリは、ベースを含む。ベースは、上面、垂直方向に沿ってベースの上面とは反対側の下面、および前端部を有する。ベースは、垂直方向に垂直な長手方向に沿って前端部とは反対側の後端部、ベースの上面から延び、第１のセンサ基板を少なくとも部分的に保持する第１の凹部、およびベースの上面から延び、第２のセンサ基板を少なくとも部分的に保持する第２の凹部を有する。ベースは、流体を受けるための第１の流体通路、および第１の流体通路に対して直列でありそこへ開いている第２の流体通路を有する。第１の組のセンサは第１の流体通路に露出され、第２の組のセンサは第２の流体通路に露出される。

実施形態２は、第１および第２の流体通路は、流体が第１の流体通路を通って第１の流れ方向に流れ、第２の流体通路を通って、第１の流れ方向とは反対の第２の流れ方向に流れるように長手方向に沿って延びる実施形態１に記載のセンサアセンブリである。

実施形態３は、第１と第２のセンサ基板は、長手方向に垂直な横方向に沿って離間配置される実施形態１に記載のセンサアセンブリである。

実施形態４は、第１の凹部および第２の凹部はそれぞれ、横方向に沿って実質的に位置合わせされる実施形態３に記載のセンサアセンブリである。

実施形態５は、実質的に横方向に沿って第１の流体通路から第２の流体通路に延びる移送通路をさらに含む実施形態３に記載のセンサアセンブリである。

実施形態６は、第１と第２のセンサ基板は実質的に互いに平行に位置する実施形態１に記載のセンサアセンブリである。

実施形態７は、第１の流体通路は、ベースの本体および第１のセンサ基板のそれぞれによって部分的に画成され、第２の流体通路は、ベースの本体および第２のセンサ基板のそれぞれによって部分的に画成される実施形態１に記載のセンサアセンブリである。

実施形態８は、ベースの下面は、流体を受けるための入口、および流体を放出するための出口を画成する実施形態１に記載のセンサアセンブリである。

実施形態９は、第１および第２の組のセンサのうちの一方は電位差測定センサを含み、第１および第２の組のセンサのうちの他方は別の種類のセンサを含む実施形態１に記載のセンサアセンブリである。

実施形態１０は、センサアセンブリである。センサアセンブリは、上面、上面とは反対側の下面、および第１のセンサ基板の下面に配設された第１の組のセンサを有する第１のセンサ基板を含む。センサアセンブリは、上面、上面とは反対側の下面、および第２のセンサ基板の上面に配設された第２の組のセンサを有する第２のセンサ基板を含む。センサアセンブリはベースを含む。ベースは、上面、垂直方向に沿ってベースの上面とは反対側の下面、および前端部を有する。ベースは、垂直方向に垂直な長手方向に沿って前端部とは反対側の後端部、ベースの上面から延び、第１のセンサ基板を少なくとも部分的に保持する第１の凹部、およびベースの下面から延び、第２のセンサ基板を少なくとも部分的に保持する第２の凹部を有する。ベースは、流体を受けるための第１の流体通路、および第１の流体通路に対して直列でありそこへ開いている第２の流体通路を有する。第１の組のセンサは第１の流体通路に露出され、第２の組のセンサは第２の流体通路に露出される。

実施形態１１は、第１のセンサ通路は第１の軸に沿って延び、第２のセンサ通路は、ある角度だけ第１の軸からオフセットされた第２の軸に沿って延びる実施形態１０に記載のセンサアセンブリである。

実施形態１２は、角度は約９０度である実施形態１１に記載のセンサアセンブリである。

実施形態１３は、角度は約１８０度である実施形態１１に記載のセンサアセンブリである。

実施形態１４は、流体は、第１の流体通路を通って第１の流れ方向に流れ、第２の流体通路を通って、第１の流れ方向とは反対の第２の流れ方向に流れる実施形態１０に記載のセンサアセンブリである。

実施形態１５は、第１のセンサ基板は、垂直方向に沿って第２のセンサ基板に重なる実施形態１０に記載のセンサアセンブリである。

実施形態１６は、第１と第２のセンサ基板は、垂直方向に沿って実質的に位置合わせされる実施形態１５に記載のセンサアセンブリである。

実施形態１７は、第１の流体通路から第２の流体通路に延びる移送通路をさらに含み、移送通路は、実質的に垂直方向に沿って延びる実施形態１０に記載のセンサアセンブリである。

実施形態１８は、第１の流体通路は、ベースおよび第１のセンサ基板のそれぞれによって部分的に画成され、第２の流体通路は、ベースおよび第２のセンサ基板のそれぞれによって部分的に画成される実施形態１０に記載のセンサアセンブリである。

実施形態１９は、ベースの上面は、流体を受けるための入口を画成し、ベースの下面は、流体を放出するための出口を画成する実施形態１０に記載のセンサアセンブリである。

実施形態２０は、第１および第２の組のセンサのうちの一方は電位差測定センサを含み、第１および第２の組のセンサのうちの他方は別の種類のセンサを含む実施形態１０に記載のセンサアセンブリである。

本開示を他の用途にも適用することができ、本開示の範囲から逸脱することなく修正することができることを当業者も理解されよう。したがって、本開示の範囲は、上述した例示的な実施形態に限定されることを意図するものではなく、添付の特許請求の範囲によってのみ限定される。

Claims (14)

1. センサアセンブリであって：
   上面、上面とは反対側の下面、および第１のセンサ基板の下面に沿って配設された第１の組のセンサを有する第１のセンサ基板と；
   上面、上面とは反対側の下面、および第２のセンサ基板の下面に沿って配設された第２の組のセンサを有する第２のセンサ基板と；
   上面、垂直方向に沿ってベースの上面とは反対側の下面、前端部、垂直方向に垂直な長手方向に沿って前端部とは反対側の後端部、ベースの上面から延び、第１のセンサ基板を少なくとも部分的に保持する第１の凹部、ベースの上面から延び、第２のセンサ基板を少なくとも部分的に保持する第２の凹部、流体を受けるための第１の流体通路、および第１の流体通路に対して直列でありそこへ開いている第２の流体通路を有するベースと、を含み、
   ここで、第１の組のセンサは第１の流体通路に露出され、第２の組のセンサは第２の流体通路に露出され、
   第１および第２の流体通路は、流体が第１の流体通路を通って第１の流れ方向に流れ、第２の流体通路を通って、第１の流れ方向とは反対の第２の流れ方向に流れるように長手方向に沿って延び、
   第１と第２のセンサ基板は、長手方向に垂直な横方向に沿って離間配置され、
   センサアセンブリは、実質的に横方向に沿って第１の流体通路と第２の流体通路との間に延びる移送通路をさらに含み、
   ベースの下面は、流体を受けるための入口、および流体を放出するための出口を画成する
   前記センサアセンブリ。
2. 第１の凹部および第２の凹部はそれぞれ、横方向に沿って実質的に位置合わせされる請求項１に記載のセンサアセンブリ。
3. 第１と第２のセンサ基板は、実質的に互いに平行に位置する請求項１に記載のセンサアセンブリ。
4. 第１の流体通路は、ベースおよび第１のセンサ基板のそれぞれによって部分的に画成され、第２の流体通路は、ベースおよび第２のセンサ基板のそれぞれによって部分的に画成される請求項１に記載のセンサアセンブリ。
5. 第１および第２のセンサ基板はそれぞれ、第１および第２の凹部内に接着剤で固定される請求項１に記載のセンサアセンブリ。
6. 第１および第２の組のセンサのうちの一方は電位差測定センサであり、第１および第２の組のセンサのうちの他方は別の種類のセンサを含む請求項１に記載のセンサアセンブリ。
7. センサアセンブリであって：
   上面、上面とは反対側の下面、および第１のセンサ基板の上面に配設された第１の組のセンサを有する第１のセンサ基板と；
   上面、上面とは反対側の下面、および第２のセンサ基板の下面に配設された第２の組のセンサを画成する第２のセンサ基板と；
   上面、垂直方向に沿ってベースの上面とは反対側の下面、前端部、垂直方向に垂直な長手方向に沿って前端部とは反対側の後端部、ベースの下面から延び、第１のセンサ基板を少なくとも部分的に保持する第１の凹部、ベースの上面から延び、第２のセンサ基板を少なくとも部分的に保持する第２の凹部、流体を受けるための第１の流体通路、および第１の流体通路に対して直列でありそこへ開いている第２の流体通路を画成する本体を有するベースと、を含み、
   ここで、第１の組のセンサは第１の流体通路に露出され、第２の組のセンサは第２の流体通路に露出され、
   流体は、第１の流体通路を通って第１の流れ方向に流れ、第２の流体通路を通って、第１の流れ方向とは反対の第２の流れ方向に流れ、
   センサアセンブリは、第１の流体通路から第２の流体通路に延びる移送通路をさらに含み、移送通路は、実質的に垂直方向に沿って延び、
   ベースの上面は、流体を受けるための入口を画成し、ベースの下面は、流体を放出するための出口を画成する
   前記センサアセンブリ。
8. 第１のセンサ基板は、垂直方向に沿って第２のセンサ基板に重なる位置に保持される請求項７に記載のセンサアセンブリ。
9. 第１の流体通路は第１の軸に沿って延び、第２の流体通路は、第１の軸からある角度だけオフセットされた第２の軸に沿って延びる請求項７に記載のセンサアセンブリ。
10. 角度は約９０度である請求項９に記載のセンサアセンブリ。
11. 角度は約１８０度である請求項９に記載のセンサアセンブリ。
12. 第１と第２のセンサ基板は、垂直方向に沿って実質的に位置合わせされる請求項７に記載のセンサアセンブリ。
13. 第１の流体通路は、ベースおよび第１のセンサ基板のそれぞれによって部分的に画成され、第２の流体通路は、ベースおよび第２のセンサ基板のそれぞれによって部分的に画成される請求項７に記載のセンサアセンブリ。
14. 第１および第２の組のセンサのうちの一方は電位差測定センサを含み、第１および第２の組のセンサのうちの他方は別の種類のセンサを含む請求項７に記載のセンサアセンブリ。

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