JP6991778B2 - 検査装置および閾値算出方法 - Google Patents

Description

本発明は、検査対象の部品に検査用信号を供給したときに生じる被検出信号に基づく波形に閾値以上の値のパルス波形が含まれているときにその部品を不良と判定する検査装置、および閾値を算出する閾値算出方法に関するものである。

この種の検査装置として下記特許文献１に開示された微弱信号検出装置（以下、「検出装置」ともいう）が知られている。この検出装置は、センサ、増幅器、帯域フィルタ、検波器、ローパスフィルタ、Ａ／Ｄ変換器、最小値検出回路、メモリ、積算回路および判定回路を備えて所定周波数の信号を検出可能に構成されている。具体的には、この検出装置では、センサによって検出された被検出信号が、増幅器によって増幅され、次いで、帯域フィルタによって所定周波数信号が抽出される。続いて、所定周波数信号が、検波器によって包絡線検波され、次いで、ローパスフィルタによって高周波成分が除去された後に、Ａ／Ｄ変換器によってデジタル信号に変換される。続いて、デジタル信号の所定時間における最小値が最小値検出回路によって検出され、メモリに記憶される。次いで、積算回路が所定時間ごとの最小値を積算する。続いて、判定回路が積算された最小値の平均値と閾値（基準レベル）とを比較して、センサによって検出された被検出信号に所定周波数の信号が含まれているか否かを判定する。この場合、最小値の平均値が閾値以上のときには、被検出信号に所定周波数の信号が含まれていると判定し、最小値の平均値が閾値未満のときには、被検出信号に所定周波数の信号が含まれていないと判定する。

特開平１－１４００７４号公報（第２－３頁、第１図）

ところが、上記した検出装置を含む従来のこの種の検査装置には、改善すべき以下の課題がある。具体的には、例えば、検査対象のコイルに検査用信号を供給したときの被検出信号に閾値以上の値のパルス波（所定周波数信号）が含まれているときに、放電やレアショートなどの不良が発生していると判定する検査装置では、検査用信号を供給した直後の過渡期間に検出される値が大きいことから被検出信号が不良と判定されるのを回避するため、閾値を比較的大きく設定する必要がある。このため、このような検査装置には、過渡期間後に不良による比較的小さな値のパルス波が発生していても、そのパルス波の値が閾値未満となり、不良が発生していないと誤判定されるおそれがあるという課題が存在し、その改善が望まれている。

本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、適正な閾値を算出して正確な検査を実現し得る検査装置および適正な閾値を算出し得る閾値算出方法を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく請求項１記載の検査装置は、検査対象の部品に検査用信号を供給したときに生じる被検出信号に基づく波形に閾値以上の値のパルス波形が含まれているときに当該部品を不良と判定する検査部と、前記閾値を算出する演算部とを備えた検査装置であって、前記演算部は、コイル、抵抗およびコンデンサのいずれかを前記部品として検査するための前記閾値を算出するときに、前記被検出信号を予め決められたサンプリング周期でサンプリングしたサンプリング値によって表される第１波形を特定する第１処理と、前記第１波形から高周波成分を除去した第２波形を特定する第２処理と、前記第２波形上の各位置における傾きまたは傾きの変化量を示す値の経時変化によって表される第３波形を特定する第３処理と、前記第１波形における連続するａ個（ａは、４以上の自然数）の前記サンプリング値が変動するパルス波形が当該第１波形に含まれているときに当該パルス波形の突出部分が強調されるように当該サンプリング値を増減させた第４波形を特定する第４処理と、前記第３波形における前記サンプリング周期毎の各値の中から連続するｂ個（ｂは、３以上の自然数）の値を選択して当該各値の各絶対値のうちの最大の値を第１最大値として取得する処理を当該ｂ個の各値の組み合わせを時間軸に沿って変更しつつ行って当該取得した各第１最大値によって表される第５波形を特定する第５処理と、前記第４波形における前記サンプリング周期毎の各値の絶対値を第１絶対値として取得する処理を時間軸に沿って行って当該取得した各第１絶対値によって表される第６波形を特定する第６処理と、前記各第１最大値に予め決められた第１係数をそれぞれ乗算した各値を対応する前記各第１絶対値からそれぞれ減算した各減算値によって表される第７波形を特定する第７処理と、前記第７波形における負の値となる部分を０の値となるように変形した第８波形を特定する第８処理と、前記第８波形の各値の平均値を算出する第９処理と、前記第８波形の各値の最大値に予め決められた第２係数を乗算した値を前記平均値で除算した値を第３係数として算出する第１０処理とを良品の前記部品について実行し、検査対象の前記部品について前記第１処理から第９処理を実行して算出した前記平均値に前記第３係数を乗算した値を前記閾値として算出することにより、前記部品に前記検査用信号を供給したときの過渡現象の発生期間における前記被検出信号の大きな値の影響を低減可能な当該閾値を算出する。

また、請求項２記載の検査装置は、請求項１記載の検査装置において、前記演算部は、前記第３処理において、前記第２波形上の連続する３つの位置の両端における当該第２波形の各値の差分値の１／２の値、および当該３つの位置のうちの連続する２つの位置における当該第２波形の各値の差分値のいずれかの値を当該３つの位置の中央における前記傾きを示す値とする。

また、請求項３記載の検査装置は、請求項１記載の検査装置において、前記演算部は、前記第３処理において、前記第２波形上の各位置における２階微分値を前記傾きを示す値とする。

また、請求項４記載の検査装置は、請求項１から３のいずれかに記載の検査装置において、前記演算部は、前記第４処理において、前記突出部分の前記サンプリング値に予め決められた正の値を乗算すると共に前記突出部分を除く部分の前記サンプリング値に予め決められた負の値を乗算して当該サンプリング値を増減させる。

また、請求項５記載の検査装置は、請求項１から４のいずれかに記載の検査装置において、前記演算部は、良品の前記部品について前記第７処理を実行したときの前記過渡現象の発生期間における前記減算値が０以下となる値を前記第１係数として前記各第１最大値に乗算する。

また、請求項６記載の閾値算出方法は、検査対象の部品に検査用信号を供給したときに生じる被検出信号に基づく波形に閾値以上の値のパルス波形が含まれているときに当該部品を不良と判定する際の当該閾値を算出する閾値算出方法であって、コイル、抵抗およびコンデンサのいずれかを前記部品として検査するための前記閾値を算出するときに、前記被検出信号を予め決められたサンプリング周期でサンプリングしたサンプリング値によって表される第１波形を特定する第１処理と、前記第１波形から高周波成分を除去した第２波形を特定する第２処理と、前記第２波形上の各位置における傾きまたは傾きの変化量を示す値の経時変化によって表される第３波形を特定する第３処理と、前記第１波形における連続するａ個（ａは、４以上の自然数）の前記サンプリング値が変動するパルス波形が当該第１波形に含まれているときに当該パルス波形の突出部分が強調されるように当該サンプリング値を増減させた第４波形を特定する第４処理と、前記第３波形における前記サンプリング周期毎の各値の中から連続するｂ個（ｂは、３以上の自然数）の値を選択して当該各値の各絶対値のうちの最大の値を第１最大値として取得する処理を当該ｂ個の各値の組み合わせを時間軸に沿って変更しつつ行って当該取得した各第１最大値によって表される第５波形を特定する第５処理と、前記第４波形における前記サンプリング周期毎の各値の絶対値を第１絶対値として取得する処理を時間軸に沿って行って当該取得した各第１絶対値によって表される第６波形を特定する第６処理と、前記各第１最大値に予め決められた第１係数をそれぞれ乗算した各値を対応する前記各第１絶対値からそれぞれ減算した各減算値によって表される第７波形を特定する第７処理と、前記第７波形における負の値となる部分を０の値となるように変形した第８波形を特定する第８処理と、前記第８波形の各値の平均値を算出する第９処理と、前記第８波形の各値の最大値に予め決められた第２係数を乗算した値を前記平均値で除算した値を第３係数として算出する第１０処理とを良品の前記部品について実行し、検査対象の前記部品について前記第１処理から第９処理を実行して算出した前記平均値に前記第３係数を乗算した値を前記閾値として算出することにより、前記部品に前記検査用信号を供給したときの過渡現象の発生期間における前記被検出信号の大きな値の影響を低減可能な当該閾値を算出する。

請求項１記載の検査装置、および請求項６記載の閾値算出方法では、良品の部品について第１処理～第１０処理を実行して第３係数を算出し、検査対象の部品について第１処理～第９処理を実行して算出した平均値に第３係数を乗算した値を閾値として算出する。また、この検査装置および閾値算出方法では、第７処理において、第２波形の各位置における傾きを示す値に基づいて取得した第１最大値に第１係数を乗算した値を、第４波形の値に基づいて取得した第１絶対値から減算する。この場合、検査用信号を供給した直後の過渡現象が発生する過渡期間においては、第１最大値および第１絶対値の双方が大きな値となる。このため、この検査装置および閾値算出方法によれば、第７処理において、第１最大値に第１係数を乗算した値を第１絶対値から減算することにより、閾値を算出する際の過渡期間における大きい値の影響を十分に低減することができる結果、適正な閾値を算出することができる。したがって、この検査装置および閾値算出方法によれば、適正な閾値を用いた正確な検査を実現することができる。

また、請求項２記載の検査装置では、第３処理において、第２波形上の連続する３つの位置の両端における第２波形の各値の差分値の１／２の値、および当該３つの位置のうちの連続する２つの位置における当該第２波形の各値の差分値のいずれかの値を３つの位置の中央における傾きを示す値とする。この場合、例えば、第２波形上の各位置における微分値を傾きを示す値とする構成および方法では、第２波形における急激な変化をしている部分（パルス波形）の頂点（変曲点）において傾きを示す値が０となるため、急激な変化を的確に表すことが困難なことがある。これに対して、この検査装置および閾値算出方法では、第２波形の変曲点における傾きを示す値が０となることがないため、第３波形（第３処理で特定される波形）におけるｂ個の値のうちの最大値（第１最大値）によって表される第５波形（第５処理で特定される波形）において急激な変化を的確に表すことができる。

また、請求項３記載の検査装置では、第２波形上の各位置における２階微分値を傾きの変化量を示す値とする。この場合、２階微分値は、第２波形における値の変化が激しいほど（ピークが鋭いほど）大きな値となる。このため、この構成および方法によれば、被検出信号の波形に変化が激しい部分が含まれている場合において、閾値を算出する際に変化が激しい部分による影響をより確実に低減させることができる。

また、請求項４記載の検査装置によれば、第４処理において、パルスの突出部分のサンプリング値に正の値を乗算すると共に突出部分を除く部分のサンプリング値に負の値を乗算してサンプリング値を増減させることにより、簡易な方法でありながら、パルス波形の突出部分を確実に強調させることができる。

また、請求項５記載の検査装置では、良品の部品について第７処理を実行したときの過渡現象の発生期間における減算値が０以下となる値を第１係数として各第１最大値に乗算する。この場合、波形が大きく変動する過渡現象の発生期間において第７波形の一部が正の領域に突出している（減算値が０を超えている）ときには、閾値を算出する際に過渡現象の発生期間における波形の変動が大きく影響して適正な閾値の算出が困難となることがある。したがって、この検査装置および閾値算出方法によれば、過渡現象の発生期間における減算値が０以下となる値を第１係数とすることにより、過渡現象の発生期間における波形の変動の影響を低く抑えることができる結果、より適正な閾値を算出することができる。

検査装置１の構成を示す構成図である。 閾値算出処理５０のフローチャートである。 第１波形Ｗ１の波形図である。 第２波形Ｗ２の波形図である。 第３波形Ｗ３の波形図である。 第４波形Ｗ４の波形図である。 各変動パターンＰ１～Ｐ４のパターン図である。 パルス波形Ｗｐ１ａ，Ｗｐ１ｂの波形図である。 パルス波形Ｗｐ１ａ，Ｗｐ１ｃの波形図である。 パルス波形Ｗｐ２ａ，Ｗｐ２ｂの波形図である。 パルス波形Ｗｐ３ａ，Ｗｐ３ｂの波形図である。 パルス波形Ｗｐ４ａ，Ｗｐ４ｂの波形図である。 第５波形Ｗ５の波形図である。 第６波形Ｗ６の波形図である。 係数α１が０．１のときの第７波形Ｗ７の波形図である。 係数α１が０．２のときの第７波形Ｗ７の波形図である。 第８波形Ｗ８ａの波形図である。 第８波形Ｗ８ｂの波形図である。 第８波形Ｗ８ｂと閾値Ｍｔとを比較した比較図である。

以下、検査装置および閾値算出方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。

最初に、検査装置の一例としての図１に示す検査装置１の構成について説明する。検査装置１は、同図に示すように、信号出力部１０、検出部１１、Ａ／Ｄ変換部１２、制御部１３、記憶部１４、表示部１５、操作部１６および処理部１７を備えて、コイル１００（部品（特に電子部品）の一例）を検査可能に構成されている。

信号出力部１０は、制御部１３の制御に従って検査用信号Ｓｔ（例えば、インパルス電圧）を出力する。

検出部１１は、制御部１３の制御に従い、コイル１００に検査用信号Ｓｔを供給したときに生じる被検出信号Ｓｄ（コイル１００を流れる電流）を検出する。

Ａ／Ｄ変換部１２は、制御部１３の制御に従い、検出部１１によって検出された被検出信号Ｓｄを予め決められたサンプリング周期でサンプリング（Ａ／Ｄ変換）した各サンプリング値Ｍｓを含むサンプリングデータＤｓを生成するサンプリング処理を実行する。

制御部１３は、処理部１７の指示に従い、信号出力部１０による検査用信号Ｓｔの出力、検出部１１による被検出信号Ｓｄの検出、およびＡ／Ｄ変換部１２によるサンプリング処理の実行を制御する。

記憶部１４は、処理部１７の指示に従ってＡ／Ｄ変換部１２によって生成されたサンプリングデータＤｓを記憶する。また、記憶部１４は、処理部１７によって実行される後述する閾値算出処理５０（閾値算出方法による処理：図２参照）において用いられている予め決められた係数α１，α２（第１係数および第２係数にそれぞれ相当する）を記憶する。また、記憶部１４は、閾値算出処理５０において処理部１７によって特定または算出される値Ｍ３，Ｍ４，Ｍ８、平均値Ｍａ，Ｍｂ、値Ｍｍ１，Ｍｄ１，Ｍｍ８、係数α３（第３係数に相当する）および閾値Ｍｔを記憶する。

表示部１５は、処理部１７の指示に従って検査結果等の各種の画像を表示する。

操作部１６は、各種のスイッチやボタンを備えて構成され、これらのスイッチやボタンが操作されたときに操作信号を出力する。

処理部１７は、操作部１６から出力される操作信号に従って検査装置１を構成する各部に各種の処理を実行させる。また、処理部１７は、検査部として機能し、コイル１００に検査用信号Ｓｔを供給したときに生じる被検出信号Ｓｄに基づいてコイル１００を検査する（コイル１００の良否を判定する）検査処理を実行する。具体的には、処理部１７は、被検出信号Ｓｄに基づく波形（図１９に示す後述する第８波形Ｗ８ｂ）に閾値Ｍｔ以上の値のパルス波形Ｗｐ（同図参照）が含まれているときにコイル１００を不良と判定する。また、処理部１７は、演算部として機能し、閾値算出処理５０（図２参照）を実行して閾値Ｍｔを算出する。

次に、検査装置１を用いてコイル１００を検査する方法、およびその際の各部の動作について、図面を参照して説明する。

検査対象のコイル１００（以下、検査対象のコイル１００を「１００ｂ」ともいう）の検査に先立ち、検査の際に必要な閾値Ｍｔの算出を検査装置１に行わせる。具体的には、まず、信号出力部１０および検出部１１に接続されている図外の検査用プローブを良品のコイル１００（ショート等の欠陥がないコイル１００であって、以下、「コイル１００ａ」ともいう）の両端部に接触させる。次いで、操作部１６を操作して、被検出信号Ｓｄの検出を指示する。この際に、操作部１６が操作信号を出力する。

続いて、処理部１７が、操作部１６から出力された操作信号に従い、制御部１３に対して、信号出力部１０、検出部１１およびＡ／Ｄ変換部１２の制御を指示する。これに応じて、制御部１３が、信号出力部１０を制御して、検査用信号Ｓｔとしてのインパルス電圧を出力させる。この際に、検査用信号Ｓｔがコイル１００ａに供給され、これに伴ってコイル１００ａに被検出信号Ｓｄとしての電流が流れる。また、制御部１３は、検出部１１を制御して被検出信号Ｓｄを検出させると共に、Ａ／Ｄ変換部１２を制御して、サンプリング処理を実行させる。このサンプリング処理では、Ａ／Ｄ変換部１２は、被検出信号Ｓｄを入力し、予め決められたサンプリング周期でサンプリング（Ａ／Ｄ変換）した各サンプリング値Ｍｓを含むサンプリングデータＤｓを生成する。また、処理部１７は、このサンプリングデータＤｓ（コイル１００ａについてのサンプリングデータＤｓ）を制御部１３を介して入力し、記憶部１４に記憶させる。

次いで、検査用プローブを検査対象のコイル１００ｂの両端部に接触させ、続いて、操作部１６を操作して、被検出信号Ｓｄの検出を指示する。次いで、処理部１７が、操作部１６から出力された操作信号に従い、上記したコイル１００ａについての被検出信号Ｓｄの検出の際の処理と同様にして、制御部１３に対して、信号出力部１０、検出部１１およびＡ／Ｄ変換部１２の制御を指示し、これに応じて、制御部１３が信号出力部１０、検出部１１およびＡ／Ｄ変換部１２を制御することにより、コイル１００ｂについてのサンプリングデータＤｓが生成される。また、処理部１７は、制御部１３を介して入力したコイル１００ｂについてのサンプリングデータＤｓを記憶部１４に記憶させる。

続いて、操作部１６を操作して閾値の算出を指示する。次いで、処理部１７が、操作部１６から出力された操作信号に従って図２に示す閾値算出処理５０（閾値算出方法による処理）を実行する。この閾値算出処理５０では、処理部１７は、記憶部１４から良品のコイル１００ａについてのサンプリングデータＤｓを読み出す（ステップ５１）。

続いて、処理部１７は、第１処理～第１０処理を実行する（ステップ５２）。以下、第１処理～第１０処理について順を追って説明する。

まず、第１処理では、処理部１７は、コイル１００ａについてのサンプリングデータＤｓに含まれる各サンプリング値Ｍｓに基づいて被検出信号Ｓｄの波形である第１波形Ｗ１（図３参照）を特定する。なお、図３では、横軸の次元（ディメンション）を時間（ｔ）とし、縦軸の次元を電流値（ｉ）としている。

次いで、第２処理では、処理部１７は、第１波形Ｗ１から高周波成分を除去した第２波形Ｗ２（図４参照）を特定する。なお、図４では、図３に示す第１波形Ｗ１の一部（同図において、矢印Ａで示す部分）に相当する部分を拡大して図示している。また、図４では、横軸の次元を時間（ｔ）とし、縦軸の次元を電流値（ｉ）としている。

続いて、第３処理では、処理部１７は、第２波形Ｗ２上の各位置（例えば、各サンプリング周期に対応する各位置）における傾きを示す値（以下、この値を「傾き値Ｌ」ともいう）の経時変化によって表される第３波形Ｗ３（図５参照）を特定する。この場合、処理部１７は、一例として、第２波形Ｗ２上の各サンプリング周期に対応する連続して隣接する３つの位置のうちの両端の位置における各値の差分値（具体的には、後の時点における各値から先の時点における値を差し引いた値）を１／２にした値を、３つの位置のうちの中央の位置における傾き値Ｌとする処理を、３つの位置の組み合わせを時間軸に沿って１つずつ（１サンプリング周期ずつ）変更しつつ行う。この場合、この方法で算出した値を傾き値Ｌとすることで、例えば、第２波形Ｗ２上の各位置における微分値を傾き値Ｌとするのと比較して、傾き値Ｌの変化率がならされて、第３波形Ｗ３によって表される傾き値Ｌの変化を実際の傾き値Ｌの変化により近づけることができる。なお、図５では、横軸の次元を時間（ｔ）とし、縦軸の次元を電流値／時間（ｉ／ｔ）としている。

次いで、第４処理では、処理部１７は、第１波形Ｗ１（図３参照）にパルス波形Ｗｐが含まれているか否かを判別し、パルス波形Ｗｐが含まれているときには、そのパルス波形Ｗｐの突出部分を以下のようにして強調させた第４波形Ｗ４（図６参照）を特定する。なお、図６では、横軸の次元を時間（ｔ）とし、縦軸の次元を電流値（ｉ）としている。

この場合、パルス波形Ｗｐの形状、すなわちパルス波形Ｗｐにおけるサンプリング値Ｍｓの変動パターンは、一般的に、図７に示す第１変動パターンＰ１～第４変動パターンＰ４に分類される。このため、処理部１７は、第１波形Ｗ１における連続して隣接する４～７個（４以上の自然数であるａ個の一例）の各サンプリング値Ｍｓの変動パターンが、これらの第１変動パターンＰ１～第４変動パターンＰ４のいずれかと一致したときに、それらのサンプリング値Ｍｓによって表される波形をパルス波形Ｗｐと判定する（パルス波形Ｗｐが含まれていると判定する）。

また、処理部１７は、パルス波形Ｗｐにおける各サンプリング値Ｍｓの変動パターンに対応して規定された処理（以下に説明する各フィルタ処理（強調処理））を実行することにより、パルス波形Ｗｐの突出部分のサンプリング値Ｍｓに正の値を乗算すると共に突出部分を除く部分のサンプリング値Ｍｓに負の値を乗算してサンプリング値Ｍｓを増減させ、これによってパルス波形Ｗｐの突出部分を強調させる。なお、図１７に示す第１変動パターンＰ１～第４変動パターンＰ４をそれぞれ上下に反転させた（負の向きに突出する）変動パターンも存在する（図示を省略する）。この場合、処理部１７は、各サンプリング値Ｍｓの変動パターンが負の向きに突出するこれらの変動パターンと一致したときにも、それらのサンプリング値Ｍｓによって表される波形をパルス波形Ｗｐと判定し、上記と同様の処理（各フィルタ処理）を実行してパルス波形Ｗｐの突出部分を強調させる。

第１変動パターンＰ１では、パルス波形Ｗｐにおける５つのサンプリング値Ｍｓを時間軸に沿ってサンプリング値Ｍｓ１，Ｍｓ２，Ｍｓ３，Ｍｓ４，Ｍｓ５としたときに（図８参照）、次に示す第１のフィルタ処理（強調処理）によってサンプリング値Ｍｓ１～Ｍｓ５を増減してサンプリング値Ｍｃ１，Ｍｃ２，Ｍｃ３，Ｍｃ４，Ｍｃ５を算出する（同図参照）。
Ｍｃ１＝Ｍｓ１×（－１／４），Ｍｃ２＝Ｍｓ２×（－１／４），Ｍｃ３＝Ｍｓ３×（４／４），Ｍｃ４＝Ｍｓ２×（－１／４），Ｍｃ５＝Ｍｓ２×（－１／４）・・・第１のフィルタ処理

例えば、図８の上段に示す第１変動パターンＰ１のパルス波形Ｗｐ１ａが第１波形Ｗ１に含まれている場合において、処理部１７が第１のフィルタ処理を実行したときには、パルス波形Ｗｐ１ａの突出部分が、同図の下段に示すパルス波形Ｗｐ１ｂのように強調される。なお、図８および後述する図９～図１２では、横軸の次元を時間（ｔ）とし、縦軸の次元を電流値（ｉ）としている。

また、第１変動パターンＰ１では、上記したサンプリング値Ｍｓ１～Ｍｓ５を次に示す第２のフィルタ処理（強調処理）によって増減してサンプリング値Ｍｃ１～Ｍｃ５を算出することもできる（図９参照）。
Ｍｃ１＝Ｍｓ１×（－２／６），Ｍｃ２＝Ｍｓ２×（－１／６），Ｍｃ３＝Ｍｓ３×（６／６），Ｍｃ４＝Ｍｓ４×（－１／６），Ｍｃ５＝Ｍｓ５×（－２／６）・・・第２のフィルタ処理

また、例えば、図９の上段に示す第１変動パターンＰ１のパルス波形Ｗｐ１ａが第１波形Ｗ１に含まれている場合において、処理部１７が第２のフィルタ処理を実行したときには、パルス波形Ｗｐ１ａの突出部分が、同図の下段に示すパルス波形Ｗｐ１ｃのように強調される。

第２変動パターンＰ２では、パルス波形における４つのサンプリング値Ｍｓを時間軸に沿ってサンプリング値Ｍｓ１，Ｍｓ２，Ｍｓ３，Ｍｓ４としたときに（図１０参照）、次に示す第３のフィルタ処理（強調処理）によってサンプリング値Ｍｓ１～Ｍｓ４を増減してサンプリング値Ｍｃ１，Ｍｃ２，Ｍｃ３，Ｍｃ４を算出する（同図参照）。
Ｍｃ１＝Ｍｓ１×（－１／４），Ｍｃ２＝Ｍｓ２×（４／４），Ｍｃ３＝Ｍｓ３×（４／４），Ｍｃ４＝Ｍｓ４×（－１／４）・・・第３のフィルタ処理

また、例えば、図１０の上段に示す第２変動パターンＰ２のパルス波形Ｗｐ２ａが第１波形Ｗ１に含まれている場合において、処理部１７が第３のフィルタ処理を実行したときには、パルス波形Ｗｐ２ａの突出部分が、同図の下段に示すパルス波形Ｗｐ２ｂのように強調される。

第３変動パターンＰ３では、パルス波形における６つのサンプリング値Ｍｓを時間軸に沿ってサンプリング値Ｍｓ１，Ｍｓ２，Ｍｓ３，Ｍｓ４，Ｍｓ５，Ｍｓ６としたときに（図１１参照）、次に示す第４のフィルタ処理（強調処理）によってサンプリング値Ｍｓ１～Ｍｓ６を増減してサンプリング値Ｍｃ１，Ｍｃ２，Ｍｃ３，Ｍｃ４，Ｍｃ５，Ｍｃ６を算出する（同図参照）。
Ｍｃ１＝Ｍｓ１×（－１／４），Ｍｃ２＝Ｍｓ２×（－１／４），Ｍｃ３＝Ｍｓ３×（２／４），Ｍｃ４＝Ｍｓ４×（２／４），Ｍｃ５＝Ｍｓ５×（－１／４），Ｍｃ６＝Ｍｓ６×（－１／４）・・・第４のフィルタ処理

また、例えば、図１１の上段に示す第３変動パターンＰ３のパルス波形Ｗｐ３ａが第１波形Ｗ１に含まれている場合において、処理部１７が第４のフィルタ処理を実行したときには、パルス波形Ｗｐ３ａの突出部分が、同図の下段に示すパルス波形Ｗｐ３ｂのように強調される。

第４変動パターンＰ４では、パルス波形における７つのサンプリング値Ｍｓを時間軸に沿ってサンプリング値Ｍｓ１，Ｍｓ２，Ｍｓ３，Ｍｓ４，Ｍｓ５，Ｍｓ６，Ｍｓ７としたときに、次に示す第５のフィルタ処理（強調処理）によってサンプリング値Ｍｓ１～Ｍｓ７を増減してサンプリング値Ｍｃ１，Ｍｃ２，Ｍｃ３，Ｍｃ４，Ｍｃ５，Ｍｃ６，Ｍｃ７を算出する。
Ｍｃ１＝Ｍｓ１×（－１／５），Ｍｃ２＝Ｍｓ２×（－１／５），Ｍｃ３＝Ｍｓ３×（１／２），Ｍｃ４＝Ｍｓ４×（－１／５），Ｍｃ５＝Ｍｓ５×（１／２），Ｍｃ６＝Ｍｓ６×（－１／５），Ｍｃ７＝Ｍｓ７×（－１／５）・・・第５のフィルタ処理

また、例えば、図１２の上段に示す第４変動パターンＰ４のパルス波形Ｗｐ４ａが第１波形Ｗ１に含まれている場合において、処理部１７が第５のフィルタ処理を実行したときには、パルス波形Ｗｐ４ａの突出部分が、同図の下段に示すパルス波形Ｗｐ４ｂのように強調される。

続いて、第５処理では、処理部１７は、上記した第３波形Ｗ３（図５参照）におけるサンプリング周期毎の各値（以下、「値Ｍ３」ともいう）の中から連続して隣接する５個（３以上の自然数であるｂ個の一例）の値Ｍ３を選択して各値Ｍ３の各絶対値のうちの最大の値Ｍｍ１（第１最大値）を取得する処理を、５個の各値Ｍ３の組み合わせを時間軸に沿って１つずつ（１サンプリング周期ずつ）変更しつつ行い、取得した各値Ｍｍ１によって表される第５波形Ｗ５（図１３参照）を特定する。なお、図１３では、横軸の次元を時間（ｔ）とし、縦軸の次元を電流値／時間（ｉ／ｔ）としている。

次いで、第６処理では、処理部１７は、第４波形Ｗ４（図６参照）におけるサンプリング周期毎の各値（以下、「値Ｍ４」ともいう）を絶対値に変換した値Ｍｄ１（第１絶対値）を取得する処理を、時間軸に沿って行い、取得した各値Ｍｄ１によって表される第６波形Ｗ６（図１４参照）を特定する。なお、図１４では、横軸の次元を時間（ｔ）とし、縦軸の次元を電流値（ｉ）としている。

続いて、第７処理では、処理部１７は、第５波形Ｗ５（図１３参照）における各値Ｍｍ１に予め決められた係数α１（第１係数）をそれぞれ乗算した各値（Ｍｍ１×α１）を、第６波形Ｗ６（図１４参照）における対応する各値Ｍｄ１（各値Ｍｍ１とそれぞれ同じサンプリング周期でかつ同じ時点での各値Ｍｄ１）からそれぞれ減算した各減算値によって表される第７波形Ｗ７（図１５，１６参照）を特定する。なお、図１５では、α１を０．１としたときの第７波形Ｗ７を図示し、図１６では、α１を０．２としたときの第７波形Ｗ７を図示している。

ここで、図３に示すように、検査用信号Ｓｔを供給した直後の過渡現象が発生する過渡期間Ｔ（過渡現象の発生期間）においては、第１波形Ｗ１の変化が激しいため、図５に示すように、過渡期間Ｔにおける値Ｍ３（第２波形Ｗ２の各位置における傾きを示す値）が大きな値となり、この結果、図１３に示すように、過渡期間Ｔにおける第５波形Ｗ５の値Ｍｍ１が大きな値となる。また、図３に示すように、過渡期間Ｔにおいては、第１波形Ｗ１の値も大きいため、図６に示すように、第４波形Ｗ４の値Ｍ４も大きくなり、この結果、図１４に示すように、過渡期間Ｔにおける値Ｍｄ１が大きな値となる。一方、適正な閾値Ｍｔを算出するためには、過渡期間Ｔにおける大きい値の影響を低減する必要がある。この場合、上記したように過渡期間Ｔにおいては、値Ｍｍ１および値Ｍｄ１の双方が大きな値となる。このため、第７処理において、値Ｍｄ１から値Ｍｍ１×α１を減算することで、過渡期間Ｔにおける大きい値の影響を低減することが可能となる。

一方、図１５に示すように、係数α１が小さい値のときには（この例では、α１＝０．１）、過渡期間Ｔにおいて第７波形Ｗ７が正の領域に突出する。この場合、波形が大きく変動する過渡期間Ｔにおいて第７波形Ｗ７の一部が正の領域に突出している（減算値が０を超えている）ときには、閾値Ｍｔを算出する際に過渡期間Ｔにおける波形の変動が大きく影響して適正な閾値Ｍｔの算出が困難となることがある。このため、過渡期間Ｔにおける波形の変動の影響を低く抑えるために、過渡期間Ｔにおいて第７波形Ｗ７が正の領域にできるだけ突出せず、かつ過渡期間Ｔ以外の期間における第７波形Ｗ７の値ができるだけ大きな値となるような係数α１（この例では、α１＝０．２）を予め規定する。なお、図１５，１６および後述する図１７～図１９では、横軸の次元を時間（ｔ）とし、縦軸の次元を電流値および電流値／時間の双方の特性を有する次元（ｉ，ｉ／ｔ）としている。

次いで、第８処理では、処理部１７は、第７波形Ｗ７（図１６参照）における負の値となる部分を０の値となるように変形した第８波形（以下、コイル１００ａについて第８波形を「第８波形Ｗ８ａ」ともいう：図１７参照）を特定する。また、処理部１７は、第８波形Ｗ８ａ（第８波形Ｗ８ａを示す波形データ）を記憶部１４に記憶させる。

続いて、第９処理では、処理部１７は、第８波形Ｗ８ａの各値Ｍ８の平均値Ｍａを算出する。

次いで、第１０処理では、処理部１７は、第８波形Ｗ８ａの各値Ｍ８のうちの最大の値Ｍｍ８を求め、値Ｍｍ８に予め決められた係数α２（第２係数）を乗算した値（Ｍｍ８×α２）を算出する。この場合、係数α２は誤判定を低減するための係数（余裕値）であって、一例として、値１．２に規定されている。続いて、処理部１７は、Ｍｍ８×α２を平均値Ｍａで除算した値を係数α３（第３係数）として算出する。次いで、処理部１７は、算出した係数α３を記憶部１４に記憶させる。

以上により、コイル１００ａについてのサンプリングデータＤｓに基づく第１処理～第１０処理が終了する。

続いて、処理部１７は、記憶部１４から検査対象のコイル１００ｂについてのサンプリングデータＤｓを読み出す（ステップ５３）。

次いで、処理部１７は、上記した第１処理～第９処理と同様の処理をコイル１００ｂについてのサンプリングデータＤｓに基づいて実行する（ステップ５４）。この場合、第８処理で特定したコイル１００ｂについて第８波形を「第８波形Ｗ８ｂ」（図１８参照）ともいい、第９処理で算出した第８波形Ｗ８ｂの各値Ｍ８の平均値を「平均値Ｍｂ」ともいう。

続いて、処理部１７は、閾値Ｍｔを算出する（ステップ５５）。具体的には、処理部１７は、上記した第１０処理で算出した係数α３を記憶部１４から読み出す。次いで、処理部１７は、コイル１００ｂについての平均値Ｍｂに係数α３を乗算した値を閾値Ｍｔとして算出する。続いて、処理部１７は、算出した閾値Ｍｔを記憶部１４に記憶させて、閾値算出処理５０を終了する。

次いで、操作部１６を操作して、コイル１００ｂについての検査処理の実行を指示する。続いて、処理部１７が操作部１６から出力された操作信号に従って検査処理を実行する。この検査処理では、処理部１７は、上記した閾値算出処理５０において、コイル１００ｂについてのサンプリングデータＤｓに基づいて実行した第８処理（ステップ５４）で特定したコイル１００ｂについての第８波形Ｗ８ｂを記憶部１４から読み出す。また、処理部１７は、閾値算出処理５０のステップ５５で算出した閾値Ｍｔを記憶部１４から読み出す。次いで、処理部１７は、第８波形Ｗ８ｂと閾値Ｍｔとを比較する。この場合、図１９に示すように、第８波形Ｗ８ｂに閾値Ｍｔ以上の値のパルス波形Ｗｐが含まれているときには、処理部１７は、コイル１００ｂを不良と判定する。一方、第８波形Ｗ８ｂに閾値Ｍｔ以上の値のパルス波形Ｗｐが含まれていないときには、処理部１７は、コイル１００ｂを良品と判定する。続いて、処理部１７は、検査結果（判定結果）を表示部１５に表示させて、検査処理を終了する。

このように、この検査装置１および閾値算出方法では、良品のコイル１００ａについて第１処理～第１０処理を実行して係数α３を算出し、検査対象のコイル１００ｂについて第１処理～第９処理を実行して算出した平均値Ｍｂに係数α３を乗算した値を閾値Ｍｔとして算出する。また、この検査装置１および閾値算出方法では、第７処理において、第２波形Ｗ２の各位置における傾き値Ｌに基づいて取得した値Ｍｍ１に係数α１を乗算した値を、第４波形Ｗ４の値Ｍ４に基づいて取得した値Ｍｄ１から減算する。この場合、検査用信号Ｓｔを供給した直後の過渡現象が発生する過渡期間Ｔにおいては、値Ｍｍ１および値Ｍｄ１の双方が大きな値となる。このため、この検査装置１および閾値算出方法によれば、第７処理において、値Ｍｍ１に係数α１を乗算した値を値Ｍｄ１から減算することにより、閾値Ｍｔを算出する際の過渡期間Ｔにおける大きい値の影響を十分に低減することができる結果、適正な閾値Ｍｔを算出することができる。したがって、この検査装置１および閾値算出方法によれば、適正な閾値Ｍｔを用いた正確な検査を実現することができる。

また、この検査装置１および閾値算出方法では、第３処理において、第２波形Ｗ２上の連続する３つの位置の両端における第２波形Ｗ２の各値の差分値の１／２の値を３つの位置の中央における傾き値Ｌとする。この場合、例えば、第２波形Ｗ２上の各位置における微分値を傾き値Ｌとする構成および方法では、第２波形Ｗ２における急激な変化をしている部分（パルス波形Ｗｐ）の頂点（変曲点）において傾き値Ｌが０となるため、急激な変化を的確に表すことが困難なことがある。これに対して、この検査装置１および閾値算出方法では、第２波形Ｗ２の変曲点における傾きを示す値が０となることがないため、第３波形Ｗ３（第３処理で特定される波形）におけるｂ個の値のうちの最大の値Ｍｍ１（第１最大値）によって表される第５波形Ｗ５（第５処理で特定される波形）において急激な変化を的確に表すことができる。

また、この検査装置１および閾値算出方法によれば、第４処理において、パルス波形Ｗｐの突出部分のサンプリング値Ｍｓに正の値を乗算すると共に突出部分を除く部分のサンプリング値Ｍｓに負の値を乗算してサンプリング値Ｍｓを増減させることにより、簡易な方法でありながら、パルス波形Ｗｐの突出部分を確実に強調させることができる。

また、この検査装置１および閾値算出方法では、良品のコイル１００ａについて第７処理を実行したときの過渡期間Ｔ（過渡現象の発生期間）における減算値が０以下となる値を係数α１として各値Ｍｍ１に乗算する。この場合、波形が大きく変動する過渡期間Ｔにおいて第７波形Ｗ７の一部が正の領域に突出している（減算値が０を超えている）ときには、閾値Ｍｔを算出する際に過渡期間Ｔにおける波形の変動が大きく影響して適正な閾値Ｍｔの算出が困難となることがある。したがって、この検査装置１および閾値算出方法によれば、過渡期間Ｔにおける減算値が０以下となる値を係数α１とすることにより、過渡期間Ｔにおける波形の変動の影響を低く抑えることができる結果、より適正な閾値Ｍｔを算出することができる。

なお、検査装置および閾値算出方法は、上記の構成および方法に限定されない。例えば、第３処理において、連続して隣接する３つの位置の両端における各値の差分値の１／２の値を３つの位置の中央における傾き値Ｌ（傾きを示す値）として、この傾き値Ｌの経時変化によって表される波形を第３波形Ｗ３として特定する例について上記したが、連続して隣接するｎ個（ｎは２以上の任意の整数）の位置の両端における各値の差分値の１／（ｎ－１）の値を例えばｎ個の位置の左から２番目の位置における傾き値Ｌとする構成および方法を採用することもできる。また、第２波形Ｗ２の各位置における微分値を傾き値Ｌとする構成および方法を採用することもできる。

また、第２波形Ｗ２の各位置における２階微分値（傾きの変化量）を傾き値Ｌに替えて変化の大きさを示す量とする構成および方法を採用することもできる。この場合、２階微分値は、第２波形Ｗ２における値の変化が激しいほど（ピークが鋭いほど）大きな値となる。このため、この構成および方法によれば、被検出信号Ｓｄの波形に、より変化が激しい部分が含まれている場合において、閾値Ｍｔを算出する際に変化が激しい部分による影響をより確実に低減させることができる。

また、第５処理において、第３波形Ｗ３における連続して隣接する５個の値Ｍ３の各絶対値のうちの最大の値Ｍｍ１を取得する例について上記したが、値Ｍｍ１を取得する処理の対象とする値Ｍ３の数は５個に限定されず、２個以上の任意の数（自然数）に規定することができる。

また、検査用信号Ｓｔとしてのインパルス電圧を供給したときに生じる（流れる）被検出信号Ｓｄとしての電流を検出する構成および方法に適用した例について上記したが、他の検査用信号Ｓｔ（例えば、電流）を供給し、他の被検出信号Ｓｄ（例えば、電圧）を検出する構成および方法に適用することもできる。

また、コイル１００以外の部品（例えば、抵抗やコンデンサ）を検査するときに用いる閾値Ｍｔを算出する際に適用することもできる。

また、処理部１７が演算部および検査部として機能する例（検査部および演算部を一体とした構成例）について上記したが、検査部および演算部を別体とする構成を採用することもできる。

１ 検査装置
１７ 処理部
１００，１００ａ，１００ｂ コイル
Ｌ 傾き値
Ｍａ，Ｍｂ 平均値
Ｍｍ１，Ｍｄ１，Ｍｍ８ 値
Ｍｓ，Ｍｓ１～Ｍｓ７，Ｍｃ１～Ｍｃ７ サンプリング値
Ｍｔ 閾値
Ｓｔ 検査用信号
Ｓｄ 被検出信号
Ｗ１ 第１波形
Ｗ２ 第２波形
Ｗ３ 第３波形
Ｗ４ 第４波形
Ｗ５ 第５波形
Ｗ６ 第６波形
Ｗ７ 第７波形
Ｗ８ａ，Ｗ８ｂ 第８波形
Ｗｐ，Ｗｐ１ａ～Ｗｐ４ａ，Ｗｐ１ｂ～Ｗｐ４ｂ，Ｗｐ１ｃ パルス波形
α１，α２，α３ 係数

Claims (6)

1. 検査対象の部品に検査用信号を供給したときに生じる被検出信号に基づく波形に閾値以上の値のパルス波形が含まれているときに当該部品を不良と判定する検査部と、前記閾値を算出する演算部とを備えた検査装置であって、
   前記演算部は、コイル、抵抗およびコンデンサのいずれかを前記部品として検査するための前記閾値を算出するときに、前記被検出信号を予め決められたサンプリング周期でサンプリングしたサンプリング値によって表される第１波形を特定する第１処理と、前記第１波形から高周波成分を除去した第２波形を特定する第２処理と、前記第２波形上の各位置における傾きまたは傾きの変化量を示す値の経時変化によって表される第３波形を特定する第３処理と、前記第１波形における連続するａ個（ａは、４以上の自然数）の前記サンプリング値が変動するパルス波形が当該第１波形に含まれているときに当該パルス波形の突出部分が強調されるように当該サンプリング値を増減させた第４波形を特定する第４処理と、前記第３波形における前記サンプリング周期毎の各値の中から連続するｂ個（ｂは、３以上の自然数）の値を選択して当該各値の各絶対値のうちの最大の値を第１最大値として取得する処理を当該ｂ個の各値の組み合わせを時間軸に沿って変更しつつ行って当該取得した各第１最大値によって表される第５波形を特定する第５処理と、前記第４波形における前記サンプリング周期毎の各値の絶対値を第１絶対値として取得する処理を時間軸に沿って行って当該取得した各第１絶対値によって表される第６波形を特定する第６処理と、前記各第１最大値に予め決められた第１係数をそれぞれ乗算した各値を対応する前記各第１絶対値からそれぞれ減算した各減算値によって表される第７波形を特定する第７処理と、前記第７波形における負の値となる部分を０の値となるように変形した第８波形を特定する第８処理と、前記第８波形の各値の平均値を算出する第９処理と、前記第８波形の各値の最大値に予め決められた第２係数を乗算した値を前記平均値で除算した値を第３係数として算出する第１０処理とを良品の前記部品について実行し、検査対象の前記部品について前記第１処理から第９処理を実行して算出した前記平均値に前記第３係数を乗算した値を前記閾値として算出することにより、前記部品に前記検査用信号を供給したときの過渡現象の発生期間における前記被検出信号の大きな値の影響を低減可能な当該閾値を算出する検査装置。
2. 前記演算部は、前記第３処理において、前記第２波形上の連続する３つの位置の両端における当該第２波形の各値の差分値の１／２の値、および当該３つの位置のうちの連続する２つの位置における当該第２波形の各値の差分値のいずれかの値を当該３つの位置の中央における前記傾きを示す値とする請求項１記載の検査装置。
3. 前記演算部は、前記第３処理において、前記第２波形上の各位置における２階微分値を前記傾きを示す値とする請求項１記載の検査装置。
4. 前記演算部は、前記第４処理において、前記突出部分の前記サンプリング値に予め決められた正の値を乗算すると共に前記突出部分を除く部分の前記サンプリング値に予め決められた負の値を乗算して当該サンプリング値を増減させる請求項１から３のいずれかに記載の検査装置。
5. 前記演算部は、良品の前記部品について前記第７処理を実行したときの前記過渡現象の発生期間における前記減算値が０以下となる値を前記第１係数として前記各第１最大値に乗算する請求項１から４のいずれかに記載の検査装置。
6. 検査対象の部品に検査用信号を供給したときに生じる被検出信号に基づく波形に閾値以上の値のパルス波形が含まれているときに当該部品を不良と判定する際の当該閾値を算出する閾値算出方法であって、
   コイル、抵抗およびコンデンサのいずれかを前記部品として検査するための前記閾値を算出するときに、前記被検出信号を予め決められたサンプリング周期でサンプリングしたサンプリング値によって表される第１波形を特定する第１処理と、前記第１波形から高周波成分を除去した第２波形を特定する第２処理と、前記第２波形上の各位置における傾きまたは傾きの変化量を示す値の経時変化によって表される第３波形を特定する第３処理と、前記第１波形における連続するａ個（ａは、４以上の自然数）の前記サンプリング値が変動するパルス波形が当該第１波形に含まれているときに当該パルス波形の突出部分が強調されるように当該サンプリング値を増減させた第４波形を特定する第４処理と、前記第３波形における前記サンプリング周期毎の各値の中から連続するｂ個（ｂは、３以上の自然数）の値を選択して当該各値の各絶対値のうちの最大の値を第１最大値として取得する処理を当該ｂ個の各値の組み合わせを時間軸に沿って変更しつつ行って当該取得した各第１最大値によって表される第５波形を特定する第５処理と、前記第４波形における前記サンプリング周期毎の各値の絶対値を第１絶対値として取得する処理を時間軸に沿って行って当該取得した各第１絶対値によって表される第６波形を特定する第６処理と、前記各第１最大値に予め決められた第１係数をそれぞれ乗算した各値を対応する前記各第１絶対値からそれぞれ減算した各減算値によって表される第７波形を特定する第７処理と、前記第７波形における負の値となる部分を０の値となるように変形した第８波形を特定する第８処理と、前記第８波形の各値の平均値を算出する第９処理と、前記第８波形の各値の最大値に予め決められた第２係数を乗算した値を前記平均値で除算した値を第３係数として算出する第１０処理とを良品の前記部品について実行し、検査対象の前記部品について前記第１処理から第９処理を実行して算出した前記平均値に前記第３係数を乗算した値を前記閾値として算出することにより、前記部品に前記検査用信号を供給したときの過渡現象の発生期間における前記被検出信号の大きな値の影響を低減可能な当該閾値を算出する閾値算出方法。

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