JP6979312B2 - How to set the alignment pattern - Google Patents
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Description
本発明は、ウエーハを分割する際に加工位置を検出する際に用いるアライメントパターンを設定するアライメントパターンの設定方法に関する。 The present invention relates to an alignment pattern setting method for setting an alignment pattern used when detecting a machining position when dividing a wafer.
シリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のウエーハは、表面の格子状の分割予定ラインに区画された複数の領域にデバイスが形成されている。ウエーハは、レーザー加工装置又は切削装置等の加工装置により分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割される(例えば、特許文献1参照)。 In wafers such as disc-shaped semiconductor wafers and optical device wafers whose base materials are silicon, sapphire, gallium, etc., devices are formed in a plurality of regions partitioned by grid-like division schedule lines on the surface. The wafer is divided into individual devices along a planned division line by a processing device such as a laser processing device or a cutting device (see, for example, Patent Document 1).
特許文献1等に示された加工装置は、前述したウエーハをフルオート加工で分割する際に、予め設定されたアライメントパターンと加工対象のウエーハを撮像した画像とにパターンマッチング等の画像処理を施して、ウエーハに対する加工手段の位置合わせを行なうアライメントを遂行するとともに、加工手段が加工した加工位置が適切か否かの判定を行うカーフチェックを遂行する。 The processing apparatus shown in Patent Document 1 and the like performs image processing such as pattern matching on a preset alignment pattern and an image of an image of a wafer to be processed when the above-mentioned wafer is divided by full-automatic processing. Then, the alignment for aligning the processing means with respect to the wafer is performed, and the calf check for determining whether or not the processing position processed by the processing means is appropriate is performed.
特許文献1等に示された加工装置の加工対象のウエーハは、前述したアライメント及びカーフチェックを遂行するために、全てのデバイス毎にアライメントパターンが形成されていることと、他の部分と誤認識されることを避けるためにアライメントパターンが他の部分にはない特徴的な部分を含むことが好まれる。 The wafer to be processed by the processing apparatus shown in Patent Document 1 and the like has an alignment pattern formed for each device in order to carry out the above-mentioned alignment and calf check, and is mistakenly recognized as another part. It is preferred that the alignment pattern contains characteristic parts that are not found in other parts in order to avoid being damaged.
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、アライメントパターンが特徴的な部分を含まなくても、アライメントの精度の低下を抑制することができるアライメントパターンの設定方法を提供することである。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an alignment pattern setting method capable of suppressing a decrease in alignment accuracy even if the alignment pattern does not include a characteristic portion. To provide.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のアライメントパターンの設定方法は、表面に複数のストリートで格子状に区画されたデバイスが形成されたウエーハを該ストリートに沿って分割する際に、該ストリートの位置を検出するためのアライメントパターンの設定方法であって、該ストリートの交差部を含む画像を撮像する撮像ステップと、該交差部を含む画像が表示された装置のオペレーション画面のうちの該ストリートとデバイスとの境界を含む領域を少なくとも2つ以上指定する指定ステップと、指定した領域の全てを含む全体図を作成する全体図作成ステップと、該全体図のうちの指定した領域の外側をマスクとして形成するマスクステップと、該指定した各領域と該マスクとを含む全体図をアライメントパターンとして設定する設定ステップと、該アライメントパターンのいずれかの該領域と、該ストリートとの距離を記憶する記憶ステップと、を備える事を特徴とする。
前記アライメントパターンの設定方法において、該ウエーハを撮像して得た画像と、該アライメントパターンの該領域の画像とに画像処理が施され、画像処理の結果に基づいて、該ストリートの位置が割り出されても良い。
前記アライメントパターンの設定方法において、該全体図作成ステップでは、指定ステップにおいて指定した該領域のX軸方向及びY軸方向それぞれの座標のうち最大の座標と最小の座標とで囲まれた領域を全体図として作成しても良い。
In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object, the alignment pattern setting method of the present invention divides a waiha in which a device is formed in a grid pattern by a plurality of streets on the surface along the streets. At that time, it is a method of setting an alignment pattern for detecting the position of the street, that is, an imaging step of capturing an image including the intersection of the street, and an operation screen of an apparatus in which the image including the intersection is displayed. the Street and a designation step of designating at least two or more areas including the boundary between the devices, and the overall view creation step of creating a general view that includes all of the specified area, specified among該全body diagram of the a mask forming an the outside of the region as a mask, a setting step of setting an overall view as an alignment pattern including a respective region and the mask the specified, and one of the regions of the alignment pattern, and the street It is characterized by having a storage step for memorizing the distance of.
In the method of setting the alignment pattern, image processing is performed on the image obtained by imaging the wafer and the image of the region of the alignment pattern, and the position of the street is determined based on the result of the image processing. May be done.
In the method of setting the alignment pattern, in the overall drawing creation step, the entire area surrounded by the maximum and minimum coordinates of the X-axis direction and Y-axis direction coordinates of the region specified in the designated step is entirely. It may be created as a figure.
前記アライメントパターンの設定方法において、該指定ステップは、該ストリートに形成された部品又は加工痕を避けた位置を該領域として指定しても良い。 In the method of setting the alignment pattern, the designated step may designate a position avoiding the parts or machining marks formed on the street as the region.
前記アライメントパターンの設定方法において、該指定ステップは、該交差部を含む画像が表示された装置のオペレーション画面をなぞることにより該領域を指定しても良い。 In the method of setting the alignment pattern, the designation step may designate the region by tracing the operation screen of the device on which the image including the intersection is displayed.
本願発明のアライメントパターンの設定方法は、アライメントパターンが特徴的な部分を含まなくても、アライメントの精度の低下を抑制することができるという効果を奏する。 The method for setting an alignment pattern according to the present invention has an effect that a decrease in alignment accuracy can be suppressed even if the alignment pattern does not include a characteristic portion.
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。 An embodiment (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the contents described in the following embodiments. In addition, the components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the configurations described below can be combined as appropriate. In addition, various omissions, substitutions or changes of the configuration can be made without departing from the gist of the present invention.
〔実施形態1〕
本発明の実施形態1に係るアライメントパターンの設定方法を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係るアライメントパターンの設定方法が実施されるレーザー加工装置の構成例を示す斜視図である。図2は、図1に示されたレーザー加工装置の加工対象のウエーハの斜視図である。
[Embodiment 1]
The method of setting the alignment pattern according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing a configuration example of a laser processing apparatus in which the alignment pattern setting method according to the first embodiment is implemented. FIG. 2 is a perspective view of a wafer to be processed by the laser processing apparatus shown in FIG.
実施形態1に係るアライメントパターンの設定方法は、半導体製造工程等で用いられる加工装置が、図1及び図2に示すウエーハ100を分割する際に実施する方法である。加工装置は、ウエーハ100をレーザー加工により分割する図1に示すレーザー加工装置1、又はウエーハ100を切削して分割する切削装置である。
The method for setting an alignment pattern according to the first embodiment is a method carried out when a processing apparatus used in a semiconductor manufacturing process or the like divides a
ウエーハ100は、シリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハ100は、図2に示すように、表面101に複数のストリート102によって格子状に区画されたデバイス103が形成されている。また、ウエーハ100は、ストリート102に部品であるTEG(Test Element Group)104を形成している。TEG104は、金属等で形成され、デバイス103の設計、製造上の問題を見つけ出すためのテストパターンである。TEG104は、ウエーハ100のストリート102の予め定められた所定位置に配置されている。
The
また、実施形態1において、TEG104の配置された位置は、ストリート102同士で異なるが、本発明では、ウエーハ100は、TEG104の配置された位置が同じストリート102を複数備えても良い。なお、図2は、一部のストリート102に配置されたTEG104を示し、他のストリート102に配置されたTEG104を省略している。また、実施形態1では、ウエーハ100は、ストリート102に部品であるTEG104を形成したが、本発明では、TEG104に限定されることなく、部品としてCMP(Chemical Mechanical Polishing)用のダミーパターンを形成しても良い。CMPのダミーパターンは、CMP研磨時にウエーハ100が均一に削れて、厚みのばらつきを抑制するために、ストリート102に形成されるものであり、金属、酸化膜又は樹脂等から構成される。また、実施形態1において、ウエーハ100は、表面101の裏側の裏面105に粘着テープ110が貼着され、粘着テープ110の外周に環状フレーム111が貼着されることで、環状フレーム111と一体となっている。
Further, in the first embodiment, the positions where the TEG 104s are arranged differ between the
加工装置の一例としてのレーザー加工装置1は、図1に示すように、ウエーハ100を保持面11で吸引保持するとともに回転駆動源により軸心回りに回転可能なチャックテーブル10と、チャックテーブル10に保持されたウエーハ100が吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハ100に照射するレーザー光線照射ユニット20と、チャックテーブル10をX軸方向に移動させる図示しないX軸移動ユニットと、チャックテーブル10をY軸方向に移動させる図示しないY軸移動ユニットとを備える。また、レーザー加工装置1は、レーザー加工前後のウエーハ100を収容したカセット30を載置するとともにカセット30をZ軸方向に昇降させるカセットエレベータ40と、カセット30とチャックテーブル10との間でウエーハ100を搬送する図示しない搬送ユニットと、チャックテーブル10に保持されたウエーハ100を撮像する撮像ユニット50と、各構成要素を制御するコンピュータである制御ユニット60とを備える。
As shown in FIG. 1, the laser processing apparatus 1 as an example of the processing apparatus has a chuck table 10 that sucks and holds the
レーザー光線照射ユニット20は、チャックテーブル10に保持されたウエーハ100に対して対向し、かつレーザー光線を照射する加工ヘッド21を備える。撮像ユニット50は、レーザー光線照射ユニット20の加工ヘッド21に取り付けられている。撮像ユニット50は、チャックテーブル10に保持したウエーハ100の表面101を撮影するCCD(Charge Coupled Device)撮像素子等を備えている。撮像ユニット50は、撮像して得た画像を制御ユニット60に出力する。
The laser
制御ユニット60は、レーザー加工装置1の上述した構成要素をそれぞれ制御して、ウエーハ100に対する加工動作をレーザー加工装置1に実施させるものである。なお、制御ユニット60は、コンピュータである。制御ユニット60は、CPU(central processing unit)のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ROM(read only memory)又はRAM(random access memory)のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有する。
The
制御ユニット60の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、レーザー加工装置1を制御するための制御信号を、入出力インターフェース装置を介してレーザー加工装置1の上述した構成要素に出力する。また、制御ユニット60は、加工動作の状態や画像などを表示する表示ユニット70及びオペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力ユニット80とが接続されている。
The arithmetic processing unit of the
表示ユニット70は、液晶ディスプレイ(liquid crystal display)、有機ELディスプレイ(organic electro-luminescence display)、又は無機ELディスプレイ(Inorganic electro-luminescence display)等の表示デバイスを含む。表示デバイスの画面71は、オペレーション画面である。表示ユニット70は、文字、画像、記号及び図形等を画面内に表示する。また、表示ユニット70は、撮像ユニット50が撮像して得た画像を表示する。
The
入力ユニット80は、表示ユニット70を構成する表示デバイスの画面71に重ねられているタッチパネル81と、キーボード等の図示しない外部入力装置とを備える。タッチパネル81は、指、ペン、又はスタイラスペン等の接触又は近接を検出する。タッチパネル81は、複数の指、ペン、又はスタイラスペン等が接触又は近接したときのタッチパネル81上の位置を検出することができる。以下の説明において、タッチパネル81が検出する複数の指、ペン、及びスタイラスペン等が接触又は近接した位置を「検出位置」と表記する。入力ユニット80は、指等の接触又は近接を、検出位置とともに制御ユニット60に出力する。
The
レーザー加工装置1は、レーザー光線照射ユニット20の加工ヘッド21からウエーハ100にレーザー光線を照射しながら、X軸移動ユニット、回転駆動源、及びY軸移動ユニットにチャックテーブル10と加工ヘッド21とをストリート102に沿って相対的に移動させながらアブレーション加工を施して、ストリート102にレーザー加工溝を形成する。実施形態1において、レーザー加工装置1によりストリート102にレーザー加工溝が形成されたウエーハ100は、レーザー加工溝に沿って破断されることなどにより個々のデバイス103に分割される。
The laser machining apparatus 1 irradiates the
また、レーザー加工装置1は、制御ユニット60が、撮像ユニット50が撮像して得た画像を、表示ユニット70に出力し、表示ユニット70に表示させる。制御ユニット60は、ウエーハ100のレーザー加工前にウエーハ100と加工ヘッド21との位置合わせを行なうアライメントを遂行し、ウエーハ100のレーザー加工中にストリート102に実際に形成されたレーザー加工溝の位置及びレーザー加工溝の幅方向の両縁に形成されるチッピングの大きさを許容できるか否かの判定を行うカーフチェックを遂行する。レーザー加工装置1は、アライメントを遂行する際に、制御ユニット60が、記憶装置に予め記憶したアライメントパターン200と撮像ユニット50が撮像して得た画像とにパターンマッチングなどの画像処理を施す。
Further, in the laser processing device 1, the
次に、実施形態1に係るアライメントパターンの設定方法を説明する。図3は、実施形態1に係るアライメントパターンの設定方法の流れを示すフローチャートである。図4は、図3で示されたアライメントパターンの設定方法の撮像ステップで得た画像の一例を示す図である。図5は、図4に示された画像に図3で示されたアライメントパターンの設定方法の指定ステップを実施した一例を示す図である。図6は、図5に示す画像の要部を拡大して示す図である。図7は、図5に示された画像に図3で示されたアライメントパターンの設定方法の全体図作成ステップを実施した一例を示す図である。図8は、図7に示された画像に図3で示されたアライメントパターンの設定方法のマスクステップを実施した一例を示す図である。図9は、アライメントパターンの設定方法の記憶ステップにおいて記憶されるアライメントパターンとストリートとの距離等の一例を示す図である。 Next, a method of setting the alignment pattern according to the first embodiment will be described. FIG. 3 is a flowchart showing the flow of the alignment pattern setting method according to the first embodiment. FIG. 4 is a diagram showing an example of an image obtained in the imaging step of the alignment pattern setting method shown in FIG. FIG. 5 is a diagram showing an example in which the designation step of the alignment pattern setting method shown in FIG. 3 is performed on the image shown in FIG. FIG. 6 is an enlarged view showing a main part of the image shown in FIG. FIG. 7 is a diagram showing an example in which an overall diagram creation step of the alignment pattern setting method shown in FIG. 3 is carried out on the image shown in FIG. FIG. 8 is a diagram showing an example in which a mask step of the alignment pattern setting method shown in FIG. 3 is performed on the image shown in FIG. 7. FIG. 9 is a diagram showing an example of the distance between the alignment pattern and the street stored in the storage step of the alignment pattern setting method.
実施形態1に係るアライメントパターンの設定方法(以下、単に設定方法と記す)は、ウエーハ100のストリート102にレーザー加工溝を形成して、ウエーハ100をストリート102に沿って個々のデバイス103に分割する際に、ストリート102の位置を検出するためのアライメントパターン200を設定する方法である。アライメントパターン200は、レーザー加工装置1の制御ユニット60がストリート102にレーザー加工溝を加工する位置(座標情報)を検出する(即ち、アライメントを遂行する)際のパターンマッチングで用いられる画像情報であって、実施形態1に係る設定方法により設定されて、記憶装置に記憶される。なお、実施形態1において、位置(座標情報)は、ウエーハ100の予め設定された基準位置からのX軸方向及びY軸方向の座標を示している。
In the alignment pattern setting method according to the first embodiment (hereinafter, simply referred to as a setting method), a laser machined groove is formed in the
設定方法は、まず、オペレータが環状フレーム111と一体になったウエーハ100を収容したカセット30をレーザー加工装置1のカセットエレベータ40に載置し、オペレータが入力ユニット80を操作して、アライメントを遂行する際に撮像ユニット50が撮像するウエーハ100の表面101の位置を制御ユニット60に登録する。なお、実施形態1において、アライメントを遂行する際に撮像するウエーハ100の表面101の位置は、ストリート102同士が交差する交差部106(図2に示す)を撮像できる位置である。設定方法は、図3に示すように、撮像ステップST1と、指定ステップST2と、全体図作成ステップST3と、マスクステップST4と、設定ステップST5と、記憶ステップST6とを備える。
As for the setting method, first, the operator places the
撮像ステップST1は、ウエーハ100のストリート102の交差部106を含む画像300(図4に示す)を撮像するステップである。撮像ステップST1では、オペレータが入力ユニット80を操作して、アライメントパターン200の設定開始指示を入力すると、制御ユニット60が、搬送ユニットにカセット30からレーザー加工前のウエーハ100を1枚取り出させてチャックテーブル10の保持面11に載置させ、チャックテーブル10の保持面11にウエーハ100を吸引保持する。
The imaging step ST1 is a step of imaging an image 300 (shown in FIG. 4) including the
次に、制御ユニット60は、X軸移動ユニットによりチャックテーブル10をレーザー光線照射ユニット20の加工ヘッド21の下方に向かって移動させて、加工ヘッド21に取り付けられた撮像ユニット50の下方にチャックテーブル10に保持されたウエーハ100のアライメント遂行時に撮像する位置を配置し、撮像ユニット50にウエーハ100の表面101を撮像させる。制御ユニット60は、図4に示すように、撮像ユニット50が撮像して得たウエーハ100の表面101のストリート102の交差部106を含む画像300を表示ユニット70のオペレーション画面である画面71に表示する。なお、画像300は、撮像ユニット50が撮像して得た画像であるために、所定の階調で光の強弱が示された画像、即ち、濃淡を有する画像となっている。設定方法は、画像300を表示ユニット70の画面71に表示すると、指定ステップST2に進む。
Next, the
指定ステップST2は、交差部106を含む画像300が表示された装置である表示ユニット70の画面71のうちのストリート102と互いに異なるデバイス103との境界を含む領域400を少なくとも2つ以上指定するステップである。実施形態において、指定ステップST2では、オペレータが表示ユニット70の画面71に表示された画像300のストリート102と各デバイス103との境界を含み、ストリート102に配置されたTEG104を避けた位置を囲む領域400の外縁にスタイラスペン90を接触させて移動させて、スタイラスペン90でなぞる。
In the designation step ST2, at least two or
指定ステップST2では、制御ユニット60は、入力ユニット80のタッチパネル81のスタイラスペン90の検出位置から、スタイラスペン90が画面71上を移動した軌跡を領域400の外縁の位置として検出し、記憶装置に記憶する。なお、実施形態1において、指定ステップST2において、スタイラスペン90でなぞったが、本発明では、スタイラスペン90に限らず、指、又はペンでなぞっても良い。
In the designated step ST2, the
なお、制御ユニット60は、領域400の外縁の位置を検出し記憶する際には、表示ユニット70の画面71のピクセル単位で入力ユニット80のタッチパネル81がスタイラスペン90の位置を検出するとともに、タッチパネル81のスタイラスペン90の検出位置のピクセルを例えば「1」とし、検出位置を除くピクセルを例えば「0」と数値化する。制御ユニット60は、前述したように数値化したピクセルの位置、及び登録されたアライメントを遂行する際に撮像ユニット50が撮像するウエーハ100の表面101の位置等から領域400の外縁の位置を算出して、領域400を指定する。また、指定ステップST2では、制御ユニット60は、図5に示すように、表示ユニット70の画面71に指定された領域400を表示する。また、実施形態1において、指定ステップST2では、4つの領域400を指定するが、本発明では、4つに限らず、2つ以上の領域400を指定すれば良い。
When the
なお、制御ユニット60は、領域400の外縁が図6に示すように途切れている場合には、途切れた両端401,402同士を図6中の点線のように最短を通る線で結んで、領域400の外縁の位置を算出する。こうして、指定ステップST2では、オペレータが表示ユニット70の画面71に表示された画像300のストリート102とデバイス103との境界を含みかつストリート102に配置されたTEG104を避けた位置を、領域400として少なくとも2つ以上指定する。また、指定ステップST2では、オペレータが表示ユニット70の画像300が表示された画面71をスタイラスペン90でなぞることにより領域400を指定する。設定方法は、オペレータが入力ユニット80を操作して、領域400の指定が完了した旨を入力すると、全体図作成ステップST3に進む。
When the outer edge of the
全体図作成ステップST3は、指定ステップST2において指定した領域400の全てを含む全体図500を作成するステップである。全体図作成ステップST3では、制御ユニット60は、指定された各領域400のX軸方向及びY軸方向それぞれの座標のうち最大の座標と最小の座標とを算出する。制御ユニット60は、全ての領域400のX軸方向の複数の最大の座標のうちの最大のX軸方向座標501と、複数の最小の座標のうちの最小のX軸方向座標502とを算出するとともに、全ての領域400のY軸方向の複数の最大の座標のうちの最大のY軸方向座標503と、複数の最小の座標のうちの最小のY軸方向座標504とを算出する。
The overall drawing creation step ST3 is a step of creating an
制御ユニット60は、最大のX軸方向座標501と、最小のX軸方向座標502と、最大のY軸方向座標503と、最小のY軸方向座標504とで囲まれた領域を全体図500として作成する。全体図作成ステップST3では、制御ユニット60は、図7に示すように、表示ユニット70の画面71に全体図500を表示する。設定方法は、制御ユニット60が全体図500を作成すると、マスクステップST4に進む。
The
マスクステップST4は、全体図500のうち、指定した領域400以外をマスクするステップである。マスクステップST4では、制御ユニット60は、表示ユニット70に表示された全体図500のうちの全ての領域400の外側を図8に網掛けで示すように黒色にする画像処理を行ってマスク510を形成する。即ち、マスクステップST4では、制御ユニット60は、全体図500のうちの全ての領域400の外側をマスク510として形成する。なお、本発明では、マスクステップST4において、制御ユニット60は、表示ユニット70に表示された全体図500のうちの全ての領域400の外側を白色にする画像処理を行ってマスク510を形成しても良い。設定方法は、制御ユニット60がマスク510を形成すると、設定ステップST5に進む。
The mask step ST4 is a step of masking a region other than the designated
設定ステップST5は、マスク510が形成された全体図500をアライメントパターン200として設定するステップである。設定ステップST5では、制御ユニット60は、所定の階調の光の強弱で示された各領域400とマスク510とを含む全体図500をアライメントパターン200として設定し、記憶装置に記憶する。設定方法は、制御ユニット60がアライメントパターン200を記憶すると、記憶ステップST6に進む。
The setting step ST5 is a step of setting the
記憶ステップST6は、アライメントパターン200のいずれの領域400と、ストリート102の幅方向の中心107との距離201(図9に示す)を記憶するステップである。なお、本発明は、記憶ステップST6において、いずれの領域400と、ストリート102の端との距離を記憶しても良く、要するに、いずれの領域400と、ストリート102の任意の位置との距離を記憶すれば良い。記憶ステップST6では、オペレータが入力ユニット80を操作し、アライメントパターン200の複数の領域400のうちのいずれか一つとストリート102の幅方向の中心107との距離201を入力し、制御ユニット60は、入力された距離201を記憶装置に記憶するとともに、図9に示すように、表示ユニット70の画面71にストリート102の中心107を表示する。設定方法は、制御ユニット60が、距離201を記憶すると終了する。
The storage step ST6 is a step of storing the distance 201 (shown in FIG. 9) between any
前述したようにアライメントパターン200が設定されたレーザー加工装置1の制御ユニット60は、アライメントを遂行する際に、ウエーハ100の表面101のうちの予め登録されたアライメント遂行時に撮像する位置を撮像ユニット50に撮像させる。制御ユニット60は、アライメントを遂行する際に、撮像ユニット50が撮像して得た画像と、アライメントパターン200の領域400の画像とにパターンマッチングなどの画像処理を施す。制御ユニット60は、画像処理の結果に基づいて、撮像ユニット50が撮像して得た画像等からストリート102の位置を割り出す。
As described above, the
制御ユニット60は、互いに直交するストリート102のうち一方がX軸方向と平行になるようにチャックテーブル10を軸心回りに回転させ、領域400から記憶ステップST6で記憶された距離201となる位置にレーザー光線が照射されるように、ウエーハ100とレーザー光線照射ユニット20の加工ヘッド21との位置合わせを行う。そして、制御ユニット60は、回転駆動源にウエーハ100を軸心回りに90度回転して、互いに直交するストリート102のうちの他方のアライメントを一方と同様に遂行する。そして、制御ユニット60は、加工条件に基づいて、X軸移動ユニットとY軸移動ユニットと回転駆動源により、レーザー光線照射ユニット20の加工ヘッド21とウエーハ100とをストリート102に沿って相対的に移動させて、ストリート102にレーザー加工溝を形成する。
The
実施形態1に係る設定方法は、指定ステップST2において、ストリート102と互いに異なるデバイス103との境界を含む領域400を4つ指定する。このために、設定方法は、複数のストリート102とデバイス103との境界を含む領域400をアライメントパターン200に含めることとなる。その結果、設定方法は、複数のストリート102とデバイス103との境界を含む領域400を複数用いてアライメントを行うことを可能とするので、領域400即ちアライメントパターン200が特徴的な部分を含まなくても、アライメントの精度が低下することを抑制することができる。
In the setting method according to the first embodiment, four
また、実施形態1に係る設定方法は、指定ステップST2において、ストリート102に配設されたTEG104を避けた位置を領域400として指定し、マスクステップST4において全体図500の領域400の外側をマスク510に形成する。このために、設定方法で設定されたアライメントパターン200がストリート102に配設されたTEG104を含むことを抑制することができる。その結果、設定方法は、アライメントパターン200が光を反射するTEG104を含むことを抑制することができるので、アライメントの精度の低下を抑制することができる。
Further, in the setting method according to the first embodiment, in the designated step ST2, the position avoiding the
また、実施形態1に係る設定方法は、表示ユニット70の画面71をなぞって領域400を指定するので、領域400を容易に指定することができ、アライメントパターン200を容易に設定することができる。
Further, in the setting method according to the first embodiment, since the
〔実施形態2〕
本発明の実施形態2に係るアライメントパターンの設定方法を図面に基いて説明する。図10は、実施形態2に係るアライメントパターンの設定方法の指定ステップの画像の一例を示す図である。図11は、実施形態2に係るアライメントパターンの設定方法の指定ステップを実施した後の画像の一例を示す図である。なお、図10及び図11は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
[Embodiment 2]
The method of setting the alignment pattern according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 10 is a diagram showing an example of an image of a designation step of the alignment pattern setting method according to the second embodiment. FIG. 11 is a diagram showing an example of an image after performing the designating step of the alignment pattern setting method according to the second embodiment. In FIGS. 10 and 11, the same parts as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
実施形態2に係るアライメントパターンの設定方法(以下、単に設定方法と記す)は、実施形態1と指定ステップST2が異なること以外、実施形態1の設定方法と同じである。 The alignment pattern setting method according to the second embodiment (hereinafter, simply referred to as a setting method) is the same as the setting method of the first embodiment except that the designated step ST2 is different from the first embodiment.
実施形態2に係る設定方法の指定ステップST2では、制御ユニット60は、図10に示すように、表示ユニット70の画面71の表示された画像300内に指定領域600を表示し、入力ユニット80からのオペレータの操作通りに指定領域600を画像300上で移動させる。制御ユニット60は、入力ユニット80から指定領域600の位置を決定するオペレータの操作が入力すると、図11に示すように、決定された指定領域600を前述した領域400として実施形態1と同様に指定する(外縁の位置を算出して記憶する)。なお、実施形態2において、指定領域600の平面形状を矩形状とし、画像300上に指定領域600の各隅部601のみ表示しているが、本発明では、指定領域600の形状及び表示方法は、実施形態2に示されているものに限定されない。
In the designation step ST2 of the setting method according to the second embodiment, as shown in FIG. 10, the
実施形態2に係る設定方法は、指定ステップST2において、ストリート102と互いに異なるデバイス103との境界を含む領域400を4つ指定する。このために、設定方法は、複数のストリート102とデバイス103との境界を含む領域400をアライメントパターン200に複数含めることとなり、実施形態1と同様に、領域400即ちアライメントパターン200が特徴的な部分を含まなくても、アライメントの精度が低下することを抑制することができる。
In the setting method according to the second embodiment, four
〔実施形態3〕
本発明の実施形態3に係るアライメントパターンの設定方法を図面に基いて説明する。図12は、実施形態3に係るアライメントパターンの設定方法の撮像ステップで得た画像の一例を示す図である。図13は、実施形態3に係るアライメントパターンの設定方法の撮像ステップで得た画像に指定ステップを実施した一例を示す図である。なお、図12及び図13は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
[Embodiment 3]
The method of setting the alignment pattern according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 12 is a diagram showing an example of an image obtained in the imaging step of the alignment pattern setting method according to the third embodiment. FIG. 13 is a diagram showing an example in which a designated step is performed on an image obtained in the imaging step of the alignment pattern setting method according to the third embodiment. In FIGS. 12 and 13, the same parts as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
実施形態3に係るアライメントパターンの設定方法(以下、単に設定方法と記す)は、図12に示すように、ウエーハ100の各ストリート102に加工痕であるレーザーグルービング痕が配置されていること以外、実施形態1の設定方法と同じである。レーザーグルービング痕108は、ウエーハ100の表面101に低誘電率絶縁体被膜(Low−k膜)が形成されている場合に、切削加工によって低誘電率絶縁体被膜が剥がれることなどを抑制するために、各ストリート102の幅方向の両端それぞれに形成される。レーザーグルービング痕108は、各ストリート102の幅方向の両端にレーザー光線を用いたアブレーション加工が施されて、ストリート102と平行に形成された所謂レーザー加工溝である。なお、低誘電率絶縁体被膜は、SiOF又はBSG(SiOB)のような無機物系の膜とポリイミド系又はパリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜とから構成されている。
The method for setting the alignment pattern according to the third embodiment (hereinafter, simply referred to as a setting method) is different from that, as shown in FIG. 12, laser grooving marks, which are processing marks, are arranged on each
実施形態3に係る設定方法の指定ステップST2では、オペレータが表示ユニット70の画面71に表示された画像300のストリート102と各デバイス103との境界を含み、ストリート102に配置されたTEG104及びレーザーグルービング痕108を避けた位置を囲む領域400の外縁をスタイラスペン90でなぞって、制御ユニット60が、領域400の外縁の位置を算出して、領域400を指定する。また、指定ステップST2では、制御ユニット60は、図13に示すように、表示ユニット70の画面71に指定された領域400を表示する。このように、実施形態3に係る設定方法の指定ステップST2では、TEG104及びレーザーグルービング痕108を避けた位置を領域400として指定するが、本発明は、ストリート102にTEG104が配置されていなく、レーザーグルービング痕108のみが配置されている場合、指定ステップST2では、レーザーグルービング痕108を避けた位置を領域400として指定するのが望ましい。即ち、本発明は、指定ステップST2では、TEG104やCMP用のダミーパターンなどの部品と、加工痕であるレーザーグルービング痕108との少なくとも一方を避けた位置を領域400として指定する。
In step ST2 of designating the setting method according to the third embodiment, the operator includes the boundary between the
実施形態3に係る設定方法は、指定ステップST2において、ストリート102と互いに異なるデバイス103との境界を含む領域400を4つ指定する。このために、設定方法は、実施形態1と同様に、領域400即ちアライメントパターン200が特徴的な部分を含まなくても、アライメントの精度が低下することを抑制することができる。
In the setting method according to the third embodiment, four
また、実施形態3に係る設定方法は、指定ステップST2において、ストリート102に配設されたTEG104及びレーザーグルービング痕108を避けた位置を領域400として指定する。その結果、設定方法は、アライメントパターン200が光を反射するTEG104及びレーザーグルービング痕108を含むことを抑制することができるので、アライメントの精度の低下を抑制することができる。
Further, in the setting method according to the third embodiment, in the designation step ST2, a position avoiding the
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。なお、前述した実施形態1及び実施形態2では、加工装置の一例としてレーザー加工装置1を記載しているが、本発明のアライメントパターンの設定方法は、切削装置に用いられても良い。 The present invention is not limited to the above embodiment. That is, it can be variously modified and carried out within a range that does not deviate from the gist of the present invention. In the above-mentioned first and second embodiments, the laser machining apparatus 1 is described as an example of the machining apparatus, but the method for setting the alignment pattern of the present invention may be used for the cutting apparatus.
70 表示ユニット(装置)
71 画面(オペレーション画面)
100 ウエーハ
101 表面
102 ストリート
103 デバイス
104 TEG(部品)
106 交差部
107 中心
200 アライメントパターン
201 距離
300 画像
400 領域
500 全体図
ST1 撮像ステップ
ST2 指定ステップ
ST3 全体図作成ステップ
ST4 マスクステップ
ST5 設定ステップ
ST6 記憶ステップ
70 Display unit (device)
71 screen (operation screen)
100
106
Claims (5)
該ストリートの交差部を含む画像を撮像する撮像ステップと、
該交差部を含む画像が表示された装置のオペレーション画面のうちの該ストリートとデバイスとの境界を含む領域を少なくとも2つ以上指定する指定ステップと、
指定した領域の全てを含む全体図を作成する全体図作成ステップと、
該全体図のうちの指定した領域の外側をマスクとして形成するマスクステップと、
該指定した各領域と該マスクとを含む全体図をアライメントパターンとして設定する設定ステップと、
該アライメントパターンのいずれかの該領域と、該ストリートとの距離を記憶する記憶ステップと、
を備える事を特徴とする、アライメントパターンの設定方法。 It is a method of setting an alignment pattern for detecting the position of a street when a wafer having a device formed of a device partitioned by a grid of a plurality of streets on the surface is divided along the street.
An imaging step for capturing an image including the intersection of the streets,
A designated step for designating at least two or more areas including the boundary between the street and the device in the operation screen of the device on which the image including the intersection is displayed.
An overall view creation step that creates an overall view that includes all of the specified area,
A mask forming an outer specified were region of該全body diagram as a mask,
A setting step for setting an overall view including the designated areas and the mask as an alignment pattern, and
A storage step of storing a one of said regions of the alignment pattern, the distance between the street,
A method of setting an alignment pattern, which is characterized by having.
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