JP6973077B2 - 窒化物面発光レーザ - Google Patents

Description

本技術は、例えば、積層方向にレーザ光を射出する窒化物面発光レーザに関する。

面発光レーザには、一般に、活性層を含む半導体層の上下に光反射層（Distributed Bragg Reflector層；ＤＢＲ層）が設けられている。面発光レーザは、この２つのＤＢＲ層の間で光を共振させることによりレーザ発振が生じる。このため、ＤＢＲ層を形成する半導体表面をサブ・ナノメートルオーダーで平滑にする必要がある。適切な平滑度が得られないと各ＤＢＲ層の光反射率が低下し、特性(発振閾値等)のバラツキが大きくなり、しいては、レーザ発振を得ることすら困難となる。また、共振器長の制御も重要である。共振器長もナノメートルオーダーで制御する必要があり、設計値から乖離すると十分な利得を得ることが儘ならず、レーザ発振を得ることが困難となる。

この問題に対し、例えば、特許文献１では、選択成長法を用いてＤＢＲ層として機能しうる多層膜誘電体層を半導体層に埋め込む方法が提案されている。この方法ではＤＢＲ層となる多層膜誘電体層の上に、光取り出し部を形成するためのアライメント工程がある。このため、アライメントのバラつきを考慮して光取り出し部よりも大きな多層膜誘電体層が形成され、埋め込まれていた。

特開平１０−３０８５５８号公報

しかしながら、大口径の多層膜誘電体層を埋め込んだ場合には、デバイス特性の検査および電極中の欠陥の修復等が困難になる。このため、信頼性を向上させることが難しく、また、製造歩留まりが低下するという問題があった。

従って、信頼性および製造歩留まりを向上させることが可能な窒化物面発光レーザを提供することが望ましい。

本技術の一実施形態の第１の窒化物面発光レーザは、基板と、基板の上に設けられた第１半導体層と、第１半導体層の上に設けられた活性層と、活性層の上に設けられ、活性層から発せられた光を射出する射出窓を有する第２半導体層と、基板の上において第１半導体層に埋め込み形成されると共に、射出窓と対向する位置に設けられた第１誘電体多層膜と、基板の上において第１半導体層に埋め込み形成され、第１誘電体多層膜と隣り合い、且つ、射出窓とは対向しない位置に設けられた第２誘電体多層膜と、第１半導体層、活性層および第２半導体層を間にして、１つの第１誘電体多層膜と対向し、且つ、第２誘電体多層膜とは対向しない位置に設けられた第３誘電体多層膜と、第１誘電体多層膜と対向する位置に設けられた電流注入領域と、第１誘電体多層膜と第２誘電体多層膜との間に設けられた開口部とを備えている。第１誘電体多層膜と第２誘電体多層膜との間の距離をＷ、第１誘電体多層膜の基板に対する法線方向の厚みをＨとするとき、第１誘電体多層膜、開口部および電流注入領域は、第１誘電体多層膜の上面の端縁と、電流注入領域の端縁とを最短距離で結ぶ線分と、第１誘電体多層膜の上面とのなす角θが、arctan（Ｈ／Ｗ）以上９０°以下となるように形成されている。

本技術の一実施形態の第１の窒化物面発光レーザでは、第１誘電体多層膜の上面の端縁と、電流注入領域の端縁とを最短距離で結ぶ線分と、第１誘電体多層膜の上面とのなす角θが、arctan（Ｈ／Ｗ）以上９０°以下となるようにした。これにより、基板側から第１誘電体多層膜に遮られることなく、電流注入領域およびその近傍へのレーザ光や励起光の照射が可能となる。

本技術の一実施形態の第２の窒化物面発光レーザは、基板と、基板の上に設けられた第１半導体層と、第１半導体層の上に設けられた活性層と、活性層の上に設けられ、活性層から発せられた光を射出する射出窓を有する第２半導体層と、基板の上において第１半導体層に埋め込み形成されると共に、射出窓と対向する位置に設けられた第１誘電体多層膜と、基板の上において第１半導体層に埋め込み形成され、第１誘電体多層膜と隣り合い、且つ、射出窓とは対向しない位置に設けられた第２誘電体多層膜と、第１半導体層、活性層および第２半導体層を間にして、１つの第１誘電体多層膜と対向し、且つ、第２誘電体多層膜とは対向しない位置に設けられた第３誘電体多層膜と、第１誘電体多層膜と対向する位置に設けられた電流注入領域と、第１誘電体多層膜と第２誘電体多層膜との間に設けられた開口部とを備えている。第１誘電体多層膜と第２誘電体多層膜との間の距離をＷ、第１誘電体多層膜の上面の外縁から引いた垂線と第１誘電体多層膜の底辺との交点から開口部までの距離をＷ’、第１誘電体多層膜の基板に対する法線方向の厚みをＨとするとき、第１誘電体多層膜、開口部および電流注入領域は、第１誘電体多層膜の上面の端縁と、電流注入領域の端縁とを最短距離で結ぶ線分と、第１誘電体多層膜の上面とのなす角θが、arctan（Ｈ／（Ｗ＋Ｗ’））以上９０°以下となるように形成されている。

本技術の一実施形態の第２の窒化物面発光レーザでは、第１誘電体多層膜の上面の端縁と、電流注入領域の端縁とを最短距離で結ぶ線分と、第１誘電体多層膜の上面とのなす角θが、arctan（Ｈ／（Ｗ＋Ｗ’））以上９０°以下となるようにした。これにより、基板側から第１誘電体多層膜に遮られることなく、電流注入領域およびその近傍へのレーザ光や励起光の照射が可能となる。

本技術の一実施形態の第１および一実施形態の第２の窒化物面発光レーザによれば、第１誘電体多層膜、開口部および電流注入領域を、第１の窒化物半導体レーザでは、角θが、arctan（Ｈ／Ｗ）以上９０°以下となるように、第２の窒化物面発光レーザでは、角θが、arctan（Ｈ／（Ｗ＋Ｗ’））以上９０°以下となるようにしたので、基板側から第１誘電体多層膜に遮られることなく、電流注入領域およびその近傍へのレーザ光や励起光の照射が可能となる。よって、窒化物面発光レーザの信頼性および製造歩留まりを向上させることが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。

本技術の第１の実施の形態に係る面発光型の半導体レーザの断面図である。 図１に示した半導体レーザの要部を説明するための拡大模式図である。 図１に示した半導体レーザの誘電体多層膜の平面形状の一例を表す模式図である。 図１に示した半導体レーザの誘電体多層膜の平面形状の他の例を表す模式 図である。 図１に示した半導体レーザの誘電体多層膜の平面形状の他の例を表す模式 図である。 図１に示した半導体レーザの誘電体多層膜の平面形状の他の例を表す模式 図である。 図１に示した半導体レーザにおけるデバイス特性検査を説明するための模式図である。 図１に示した半導体レーザにおける欠陥修復を説明するための模式図である。 本技術の第２の実施の形態に係る面発光型の半導体レーザの断面図である。 図７に示した半導体レーザの要部を説明するための拡大模式図である。 図７に示した半導体レーザの誘電体多層膜の他の形状を表す模式図である。 図７に示した半導体レーザにおけるデバイス特性検査を説明するための模式図である。 図７に示した半導体レーザにおける欠陥修復を説明するための模式図である。

以下、本技術における一実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（基板側の誘電体多層膜の断面が矩形状である半導体レーザ）
１−１．全体構成
１−２．製造方法
１−３．作用・効果
２．第２の実施の形態（基板側の誘電体多層膜の断面が順テーパ形状を有する半導体レーザ）
２−１．要部構成
２−２．作用・効果

＜１．第１の実施の形態＞
図１は、本技術の第１の実施の形態に係る窒化物面発光レーザ（半導体レーザ１）の断面構成の一例を表したものである。半導体レーザ１は、基板１１と、基板１１の面Ｓ１に接する複数の誘電体多層膜４１とを有する。複数の誘電体多層膜４１は間隔をあけて基板１１上に設けられている。半導体レーザ１は、さらに、半導体層２０、絶縁膜２４、透明電極３２、第２電極３３および第２ＤＢＲ層４２がこの順に積層された構成を有する。複数の誘電体多層膜４１のうち、第２ＤＢＲ層４２と対向する誘電体多層膜４１を第１ＤＢＲ層４１Ａとすると、一組の第１ＤＢＲ層４１Ａおよび第２ＤＢＲ層４２が、共振器として機能する。半導体層２０は、第１半導体層２１、活性層２２、第２半導体層２３が基板１１側からこの順に積層され積層された構成を有する。各誘電体多層膜４１は、第１半導体層２１によって埋め込まれており、第１ＤＢＲ層４１Ａと、第１ＤＢＲ層４１Ａと隣り合う誘電体多層膜４１との間には、溝状の開口部４１Ｈが形成されている。第１ＤＢＲ層４１Ａの上面の端縁と、電流注入領域Ｒの端縁とを最短距離で結ぶ線分と、第１ＤＢＲ層４１Ａの上面とのなす角が、所定の範囲内となっている。半導体レーザ１は、基板１１の面Ｓ２（面Ｓ１と対向する面）に接する第１電極３１を有する。なお、図１の半導体レーザ１は模式的に表したものであり、実際の寸法とは異なっている。

（１−１．全体構成）
基板１１は、半導体層２０の製造に用いられた素子形成基板である。基板１１は、半導体層２０（第１半導体層２１）に接して設けられている。基板１１は、例えば、ＧａＮ基板、サファイア基板、ＧａＡｓ基板、ＳｉＣ基板、アルミナ基板、ＺｎＳ基板、ＺｎＯ基板、ＬｉＭｇＯ基板、ＬｉＧａＯ₂基板、ＭｇＡｌ₂Ｏ₄基板、ＩｎＰ基板といった各種の基板を用いることができる。この他、ＡｌＮ等からなる絶縁性基板、Ｓｉ、ＳｉＣ、Ｇｅ等からなる半導体基板、金属製基板や合金製基板を用いてもよい。基板１１の積層方向の厚み（以下、単に厚みという）、例えば、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍであることが好ましい。

半導体層２０は、第１半導体層２１、活性層２２および第２半導体層２３が基板１１側から順に積層された構成を有する。第１半導体層２１および第２半導体層２３は、互いに異なる導電型を有し、例えば、第１半導体層２１はｎ型の化合物半導体から形成され、第２半導体層２３はｐ型の化合物半導体から形成されている。第１半導体層２１、活性層２２および第２半導体層２３は、それぞれ、窒化物系化合物半導体によって構成されている。具体的な窒化物系化合物半導体としては、ＧａＮ系化合物半導体、例えばＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮが挙げられる。この他、ＡｌＮ、ＡｌＩｎＮおよびＩｎＮが挙げられる。更に、これらの化合物半導体には、所望に応じて、ホウ素（Ｂ）原子やタリウム（Ｔｌ）原子、ヒ素（Ａｓ）原子、リン（Ｐ）原子、アンチモン（Ｓｂ）原子が含まれていてもよい。活性層２２は、量子井戸構造を有することが望ましい。具体的には、単一量子井戸構造（ＱＷ構造）を有していてもよいし、多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）を有していてもよい。量子井戸構造を有する活性層２２は、井戸層及び障壁層が、少なくとも１層、積層された構造を有するが、（井戸層を構成する化合物半導体，障壁層を構成する化合物半導体）の組合せとして、（Ｉｎ_yＧａ_(1-y)Ｎ，ＧａＮ）、（Ｉｎ_yＧａ_(1-y)Ｎ，Ｉｎ_zＧａ_(1-z)Ｎ）［但し、ｙ＞ｚ］、（Ｉｎ_yＧａ_(1-y)Ｎ，ＡｌＧａＮ）、（ＡｌＧａＮ／ＧａＮ）、（ＡｌｚＧａ_1-zＮ/ＡｌｙＧａ_1-yＮ）［但し、ｙ＞ｚ］が
挙げられる。

なお、第１半導体層２１および第２半導体層２３は、それぞれ単一構造の層であってもよいし、多層構造の層であってもよい。また、超格子構造の層であってもよい。更に、組成傾斜層、濃度傾斜層を備えた層とすることもできる。

半導体層２０（具体的には、第２半導体層２３）と第２電極３３との間には、電流狭窄構造が形成されている。電流狭窄構造は、例えば、第２半導体層２３上に設けられた絶縁膜２４によって構成される。絶縁膜２４は、第２半導体層２３が露出する開口２４Ａを有し、この開口が半導体層２０（第２半導体層２３）における電流注入領域Ｒとなる。このとき、半導体層２０（第２半導体層２３）における電流注入領域Ｒが、活性層２２から発せられた光を射出する射出窓２４Ｗと対応している。絶縁膜２４は、例えば、ＳｉＯ_x，ＳｉＮ_xあるいはＡｌＯ_xによって形成されている。

なお、電流狭窄構造は、必ずしも絶縁膜２４によって形成されている必要はない。例えば、第２半導体層２３を反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching；ＲＩＥ）法等によりエッチングしてメサ構造を形成してもよいし、あるいは、積層された第２半導体層２３の一部の層を横方向から部分的に酸化して電流注入領域を形成してもよい。更に、第２半導体層２３に不純物をイオン注入して導電性が低下した領域を形成してもよいし、更にまた、これらを、適宜、組み合わせてもよい。但し、第２半導体層２３上には、透明電極３２が設けられており、この透明電極３２は、電流が流れる第２半導体層２３の一部と電気的に接続されている必要がある。

第１電極３１は、半導体層２０が形成された基板１１の面Ｓ１とは反対側の面Ｓ２に設けられている。第１電極３１は、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、Ｔｉ（チタン）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、Ｚｎ（亜鉛）、錫（Ｓｎ）およびインジウム（Ｉｎ）のうちの少なくとも１種類の金属（合金を含む）を含む単層膜または積層膜であることが好ましい。具体的には、例えば、Ｔｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ａｌ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ／Ｐｔ、Ｎｉ／Ｐｔ、Ｐｄ／Ｐｔ、Ａｇ／Ｐｄ等の積層膜が挙げられる。なお、多層膜構造における「／」の前の層ほど、より活性層２２側に位置する。

透明電極３２は、半導体層２０上、具体的には、第２半導体層２３上に設けられている。透明電極３２は、第２半導体層２３のうち、上記の射出窓２４Ｗに接して設けられている。透明電極３２は、光透過性を有するいわゆる透明導電性材料によって形成されている。具体的な透明導電性材料としては、例えば、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ，Indium Tin Oxide，ＳｎドープのＩｎ₂Ｏ₃、結晶性ＩＴＯおよびアモルファスＩＴＯを含む）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ，Indium Zinc Oxide）、ＩＦＯ（ＦドープのＩｎ₂Ｏ₃）、酸化錫（ＳｎＯ₂）、ＡＴＯ（ＳｂドープのＳｎＯ₂）、ＦＴＯ（ＦドープのＳｎＯ₂）、酸化亜鉛（ＺｎＯ、ＡｌドープのＺｎＯやＢドープのＺｎＯを含む）が挙げられる。この他、ガリウム酸化物、チタン酸化物、ニオブ酸化物、ニッケル酸化物等を母層とする透明導電膜を用いてもよい。但し、透明電極３２を構成する材料は、後述する第２ＤＢＲ層４２と透明電極３２との配置状態によるが、透明導電性材料に限定するものではなく、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、コバルト（Ｃｏ）、ロジウム（Ｒｈ）等の金属を用いることもできる。透明電極３２は、これらの材料の少なくとも１種類から構成すればよい。

第２電極３３は、透明電極３２上に設けられたものであり、外部の電極あるいは回路と電気的に接続するためのものである。第２電極３３は、例えば、Ｔｉ（チタン）、アルミニウム（Ａｌ）、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｄ（パラジウム）のうちの少なくとも１種類の金属を含む単層膜または積層膜であることが好ましい。具体的には、例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ／Ｃｒ／Ａｕ等の積層膜が挙げられる。

誘電体多層膜４１は、基板１１の面内に複数設けられており、第１半導体層２１によって埋め込まれている。隣り合う誘電体多層膜４１の間には溝状の開口部４１Ｈが設けられており、開口部４１Ｈは、第１半導体層２１によって埋設されている。誘電体多層膜４１は、例えば、Ｓｉ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｃ、Ｔａ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｙ、Ｂ、Ｔｉ等の酸化物、窒化物（例えば、ＳｉＮ_x、ＡｌＮ_x、ＡｌＧａＮ、ＧａＮ_x、ＢＮ_x等）あるいはフッ化物等によって形成されている。具体的には、ＳｉＯ_x、ＴｉＯ_x、ＮｂＯ_x、ＺｒＯ_x、ＴａＯ_x、ＺｎＯ_x、ＡｌＯ_x、ＨｆＯ_x、ＳｉＮ_x、ＡｌＮ_x等が挙げられる。第１ＤＢＲ層４１Ａは、上記誘電体材料のうち、屈折率が異なる誘電体材料から成る２種類以上の誘電体膜（例えば、高い屈折率を有するＴａＯ_xと、低い屈折率を有するＳｉＯ_xと）が交互に積層された構成となっていることが好ましい。これにより、光反射効果が得られる。２種類の誘電体膜の組み合わせとしては、例えば、ＳｉＯ_x／ＴａＯ_xのほか、ＳｉＯ_x／ＳｉＮ_x、ＳｉＯ_x／ＮｂＯ_x、ＳｉＯ_x／ＺｒＯ_x、ＳｉＯ_x／ＡｌＮ_x等が挙げられる。所望の光反射率を得るために、各誘電体膜を構成する材料、膜厚および積層数等を、適宜選択すればよい。誘電体多層膜４１は、例えば、［１１２０］方向に横方向成長するように配置または配列させることが好ましい。

誘電体多層膜４１の側面は、基板１１に対して垂直、または概ね垂直となっている。隣り合う誘電体多層膜４１の間に設けられている開口部４１Ｈは、必ずしも隣り合う全ての誘電体多層膜４１の間で均一な幅である必要はないが、本実施の形態では、少なくとも第１ＤＢＲ層４１Ａと、第１ＤＢＲ層４１Ａに隣り合う誘電体多層膜４１との間の溝状の開口部４１Ｈの幅は以下の範囲を満たすように設けられている。図２は、本実施の形態の要部（第１ＤＢＲ層４１Ａ、開口部４１Ｈおよび電流注入領域Ｒの位置関係）を説明するためのものである。第１ＤＢＲ層４１Ａ、開口部４１Ｈおよび電流注入領域Ｒは、第１ＤＢＲ層４１Ａと、第１ＤＢＲ層４１Ａに隣り合う誘電体多層膜４１との間の距離（開口部４１Ｈの幅）をＷ、第１ＤＢＲ層４１Ａの基板１１に対する法線方向の厚みをＨとするとき、第１ＤＢＲ層４１Ａ、開口部４１Ｈおよび電流注入領域Ｒは、第１ＤＢＲ層４１Ａの上面の端縁と、電流注入領域Ｒの端縁とを最短距離で結ぶ線分ＬＮと、第１ＤＢＲ層４１Ａの上面とのなす角θが、arctan（Ｈ／Ｗ）以上９０°以下となるように形成されている。図２では、第１ＤＢＲ層４１Ａの上面の端縁と、線分ＬＮとが互いに接する点がＸ₁で表されており、電流注入領域Ｒの端縁と、線分ＬＮとが互いに接する点がＸ₂で表されている。これにより、基板１１の裏面（面Ｓ２）側から第１ＤＢＲ層４１Ａに遮られることなく、電流注入領域Ｒを開口部４１Ｈから確認することが可能となる。この条件を満たす各値の一具体例としては、例えば、開口部４１Ｈの幅Ｗを４．５μｍ、第１ＤＢＲ層４１Ａの厚みＨを２．５μｍとした場合のarctan（Ｈ／Ｗ）は約２９°となる。よって、線分ＬＮと、第１ＤＢＲ層４１Ａの上面との成す角θは２９°≦θ≦９０°の範囲あればよく、例えば４５°となる。

各誘電体膜の厚みは、用いる材料等により適宜調整することができ、発光波長λ０、用いる材料の発光波長λ０での屈折率ｎによって決定される。具体的には、λ０／（４ｎ）の奇数倍とすることが好ましい。例えば、発光波長λ０が４１０ｎｍの発光素子において、誘電体多層膜４１をＳｉＯ_x／ＮｂＯ_yから構成する場合には、各誘電体膜の厚みは４０ｎｍ〜７０ｎｍ程度であることが好ましい。積層数は、５以上であることが好ましく、より好ましくは、１５以上である。誘電体多層膜４１全体の厚みは、例えば、０．６μｍ〜３．０μｍであることが好ましい。

誘電体多層膜４１の平面形状は、図３に示したように例えば格子（矩形）状、図４Ａに示したように正六角形を含む多角形状、図４Ｂに示したように楕円を含む円形状、図４Ｃに示したようにストライプ状（Ｄ）あるいは島状形状に形成されている。誘電体多層膜４１の断面形状は、図１に示したように矩形状でもよいし、あるいは台形状に形成してもよい。

第２ＤＢＲ層４２は、半導体層２０を間にして第１ＤＢＲ層４１Ａと対向する位置に設けられており、具体的には、透明電極３２上に設けられている。第２ＤＢＲ層４２は、誘電体多層膜４１と同様に、Ｓｉ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｃ、Ｔａ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｙ、Ｂ、Ｔｉ等の酸化物、窒化物（例えば、ＳｉＮ_x、ＡｌＮ_x、ＡｌＧａＮ、ＧａＮ_x、ＢＮ_x等）あるいはフッ化物等によって形成されている。第２ＤＢＲ層４２も誘電体多層膜４１と同様に、ＳｉＮ_xやＴａＯ_x等の高屈折率材料と、ＳｉＯ_x等の低屈折率材料とを交互に積層することが好ましく、これにより、高い光反射率を得ることができる。所望の光反射率を得るためには、各誘電体膜を構成する材料のほか、膜厚および積層数等を適宜選択すればよい。各誘電体膜の厚みは、用いる材料等により適宜調整することができ、発光波長λ０、用いる材料の発光波長λ０での屈折率ｎによって決定される。具体的には、λ０／（４ｎ）の奇数倍とすることが好ましい。例えば、発光波長λ０が４１０ｎｍの発光素子において、誘電体多層膜４１をＳｉＯ_x／ＮｂＯ_yから構成する場合には、各誘電体膜の厚みは４０ｎｍ〜７０ｎｍ程度であることが好ましい。積層数は２以上、好ましくは、２〜１５である。誘電体多層膜４１全体の厚みは、例えば、０．６μｍ〜１．７μｍであることが好ましい。

（１−２．製造方法）
本実施の形態の半導体レーザ１は、例えば、次のようにして製造することができる。

まず、基板１１上に、複数の誘電体多層膜４１を形成する。具体的には、例えば、スパッタ、ＣＶＤおよび蒸着等いずれの成膜方法を用いてＳｉＯ_x膜およびＳｉＮ_x膜を交互に、例えば５層積層された多層膜を形成したのち、例えば、多層膜を選択的にエッチングすることにより側面が溝状の開口部４１Ｈに囲まれた複数の誘電体多層膜４１を形成する。エッチング工程にはフッ化水素酸等によるウェットエッチング、ＲＩＥ装置等を用いたドライエッチング等を用いることができる。これにより、基板１１の面内に複数の誘電体多層膜４１が形成される。

次に、誘電体多層膜４１を覆う半導体層２０および開口２４Ａを有する絶縁膜２４を形成する。具体的には、誘電体多層膜４１を選択成長用マスクとして用い、基板１１をＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition；有機金属化学気相成長）装置に設置し、所望の温度に加熱した状態で、例えば、ｎ型ＧａＮからなる第１半導体層２１、活性層（発光層）２２、例えば、ｐ型ＧａＮからなる第２半導体層２３等を含む半導体層２０を成長させる。成長には、Ｇａ原料としてトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、Ａｌ原料としてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、Ｉｎ原料としてトリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、ｎ型不純物のＳｉの原料としてシラン（ＳｉＨ₄）、ｐ型不純物のＭｇの原料としてシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ₂Ｍｇ）、Ｎ原料としてアンモニアガス（ＮＨ₃）等を用いる。ここでは、例えば、第１半導体層２１を５μｍ、活性層２２を８０ｎｍ、第２半導体層２３を１００ｎｍ成長させる。続いて、電流狭窄構造を形成する絶縁膜２４を形成する。例えばＳｉＯ₂膜を、例えばスパッタ、ＣＶＤおよび蒸着等いずれの成膜方法を用いて、例えば２００ｎｍの厚みで成膜したのち、選択的にエッチングすることにより、電流注入領域Ｒとなる第２半導体層２３が露出した開口２４Ａを有する絶縁膜２４を形成する。エッチング工程にはフッ化水素酸等によるウェットエッチング、ＲＩＥ装置等を用いたドライエッチング等を用いることができる。これにより、誘電体多層膜４１を覆う半導体層２０および電流狭窄構造となる開口２４Ａを有する絶縁膜２４が形成される。ここで、電流注入領域Ｒの面積は、電流注入領域Ｒに対向する誘電体多層膜４１（第１ＤＢＲ層４１Ａ）の面積の半分以下となっていることが好ましい。電流注入領域Ｒの面積は、例えば、２５πμｍ²程度である。このようにした場合には、半導体層２０の欠陥領域（特異点）を避けて電流注入領域Ｒを形成することができる。

続いて、透明電極３２、第２電極３３および第２ＤＢＲ層４２を形成する。具体的には、例えばＩＴＯ膜を、例えば、スパッタ、ＣＶＤおよび蒸着等いずれの成膜方法を用いて５０ｎｍ厚みに成膜したのち、選択的にエッチングすることにより、所望の形状を有する透明電極３２を形成する。エッチング工程には塩酸等によるウェットエッチング、リアクティブイオンエッチング装置等を用いたドライエッチング等を用いることができる。次に、例えばＡｕ、ＰｔおよびＴｉを、例えば、スパッタ、ＣＶＤおよび蒸着等いずれの成膜方法を用いてこの順に成膜したのち、選択的にエッチングすることにより、所望の部分にのみＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ膜を残して第２電極３３を形成する。エッチング工程には酸等によるウェットエッチング、リアクティブイオンエッチング装置等を用いたドライエッチング、ＰＲ法によるリフトオフ等を用いることができる。続いて、例えば、スパッタ、ＣＶＤおよび蒸着等いずれの成膜方法を用いてＳｉＯ_x膜およびＳｉＮ_x膜を交互に、例えば、５層積層された誘電体多層膜を形成したのち、例えば、選択的にエッチングすることにより所望の形状を有する第２ＤＢＲ層４２を形成する。エッチング工程にはフッ化水素酸等によるウェットエッチング、ＲＩＥ装置等を用いたドライエッチング等を用いることができる。

次に、基板１１を裏面側から研削および研磨を行ったのち、第１電極３１を成膜する。最後に、基板１１から素子を劈開等によって切り出す。以上により、図１に示した半導体レーザ１が完成する。

半導体レーザ１は、上記のように、基板１１の面Ｓ１に、複数の誘電体多層膜４１、第１半導体層２１、活性層２２、第２半導体層２３、透明電極３２および第２ＤＢＲ層４２がこの順に積層され、基板１１の面Ｓ１に対向する他の面Ｓ２には第１電極３１が形成された構成を有する。第１ＤＢＲ層４１Ａおよび第２ＤＢＲ層４２のいずれか一方（ここでは、第２ＤＢＲ層４２側）には、活性層２２への電流注入効率を高め、閾地電流を下げるために電流注入領域を狭める電流狭窄構造（絶縁膜２４の開口２４Ａ）が設けられている。半導体レーザ１では、第１電極３１および透明電極３２から注入された電流が電流狭窄構造により狭窄されたのち、活性層２２に注入される。これにより、電子と正孔の再結合による発光が生じる。この光は、第１ＤＢＲ層４１Ａおよび第２ＤＢＲ層４２によって反射され、所定の波長でレーザ発振が生じ、第１ＤＢＲ層４１Ａまたは第２ＤＢＲ層４２を介して外部にレーザ光として射出される。

（１−３．作用・効果）
前述したように、活性層を含む半導体層の上下にＤＢＲ層を有する面発光レーザでは、ＤＢＲ層の間で光を共振させてレーザ発振を生じさせるために、共振器長の制御およびＤＢＲ層の表面をサブ・ナノメートルオーダーで平滑にする必要がある。このため、ＤＢＲ層を選択成長用マスクとして用いて半導体層を成長させ、このＤＢＲ層が半導体層に埋め込まれた面発光レーザが開発されているが、ＤＢＲ層上に光取り出し部を形成する際のアライメントのばらつきを考慮してＤＢＲ層は光取り出し部よりも大きく設計されていた。

しかしながら、大口径の誘電体多層膜を埋め込んだ場合には、デバイス特性の検査および電極中の欠陥の修復等が困難になる。デバイス特性の検査は、例えば、基板の裏面側から発光層となる活性層に励起光が照射される。このとき、半導体層２０を構成するＧａＮの光吸収および誘電体多層膜のストップバンドを回避して直接活性層を励起することが望ましいが、大口径の誘電体多層膜を形成した場合、誘電体多層膜を避けて励起光を照射することが難しかった。また、一般的な窒化物面発光レーザに用いられる電極には、ＩＴＯ等の透明電極材料が用いられるが、ＩＴＯは欠陥を含みやすい。このＩＴＯ膜中の欠陥はレーザ光を照射することで修復することができるが、基板の裏面側から修復用のレーザ光を欠陥部に照射するためには、大口径の誘電体層は妨げになりやすかった。このため、信頼性を向上させることが難しく、また、製造歩留まりが低下するという問題があった。

これに対して、本実施の形態では、第１ＤＢＲ層４１Ａの上面の端縁と、電流注入領域Ｒの端縁とを最短距離で結ぶ線分ＬＮと、第１ＤＢＲ層４１Ａの上面とのなす角θが、arctan（Ｈ／Ｗ）以上９０°以下となっている。

図５は、半導体レーザ１のデバイス特性の検査方法を模式的に表したものである。図６は、半導体レーザ１に設けられた透明電極３２中の欠陥修復の方法を模式的に表したものである。デバイス特性の検査および電極（透明電極３２）中の欠陥修復は、上述したように、基板１１の裏面（面Ｓ２）側から励起光Ｌ１あるいはレーザ光Ｌ２を、それぞれ、活性層２２あるいは透明電極３２に照射することによって行われる。本実施の形態では、上記のように、角θが、arctan（Ｈ／Ｗ）以上９０°以下となっているので、基板１１側から第１ＤＢＲ層４１Ａに遮られることなく、レーザ光Ｌ２を電流注入領域Ｒに、励起光Ｌ１を電流注入領域Ｒ下の活性層２２に選択的に照射することが可能となる。よって、外部要因に左右されることなくデバイス特性の検査（光励起検査）および透明電極３２の欠陥修復が可能となる。その結果、半導体レーザ１の信頼性および製造歩留まりが向上する。

以下に、本技術の第２の実施の形態について説明する。なお、第１の実施の形態と同様の構成については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

＜２．第２の実施の形態＞
図７は、本技術の第２の実施の形態に係る窒化物面発光レーザ（半導体レーザ２）の断面構成の一例を表したものである。半導体レーザ２は、第１の実施の形態の半導体レーザ１において、誘電体多層膜４１の代わりに、誘電体多層膜５１を備えている点で、上記第１の実施の形態と相違する。誘電体多層膜５１は、誘電体多層膜４１と同様の積層構造となっており、誘電体多層膜５１の側面が順テーパ状に傾斜されている点で、誘電体多層膜４１の断面構成と相違している。複数の誘電体多層膜５１のうち、第２ＤＢＲ層４２と対向する誘電体多層膜５１を第１ＤＢＲ層５１Ａとすると、一組の第１ＤＢＲ層５１Ａおよび第２ＤＢＲ層４２が、共振器として機能する。半導体層２０は、第１半導体層２１、活性層２２、第２半導体層２３が基板１１側からこの順に積層され積層された構成を有する。各誘電体多層膜５１は、第１半導体層２１によって埋め込まれており、第１ＤＢＲ層５１Ａと、第１ＤＢＲ層５１Ａと隣り合う誘電体多層膜５１との間には、溝状の開口部５１Ｈが形成されている。第１ＤＢＲ層５１Ａの上面の端縁と、電流注入領域Ｒの端縁とを最短距離で結ぶ線分と、第１ＤＢＲ層５１Ａの上面とのなす角が、所定の範囲内となっている。半導体レーザ２は、基板１１の面Ｓ２（面Ｓ１と対向する面）に接する第１電極３１を有する。なお、図７の半導体レーザ１は模式的に表したものであり、実際の寸法とは異なっている。

（２−１．要部構成）
誘電体多層膜５１は、基板１１の面内に複数設けられており、第１半導体層２１によって埋め込まれている。隣り合う誘電体多層膜５１の間には溝状の開口部５１Ｈが設けられており、開口部５１Ｈには、第１半導体層２１が埋設されている。誘電体多層膜５１は、例えば、Ｓｉ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｃ、Ｔａ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｙ、Ｂ、Ｔｉ等の酸化物、窒化物（例えば、ＳｉＮ_x、ＡｌＮ_x、ＡｌＧａＮ、ＧａＮ_x、ＢＮ_x等）あるいはフッ化物等によって形成されている。具体的には、ＳｉＯ_x、ＴｉＯ_x、ＮｂＯ_x、ＺｒＯ_x、ＴａＯ_x、ＺｎＯ_x、ＡｌＯ_x、ＨｆＯ_x、ＳｉＮ_x、ＡｌＮ_x等が挙げられる。第１ＤＢＲ層５１Ａは、上記誘電体材料のうち、屈折率が異なる誘電体材料から成る２種類以上の誘電体膜（例えば、高い屈折率を有するＴａＯ_xと、低い屈折率を有するＳｉＯ_xと）が交互に積層された構成となっていることが好ましい。これにより、光反射効果が得られる。２種類の誘電体膜の組み合わせとしては、例えば、ＳｉＯ_x／ＴａＯ_xのほか、ＳｉＯ_x／ＳｉＮ_x、ＳｉＯ_x／ＮｂＯ_x、ＳｉＯ_x／ＺｒＯ_x、ＳｉＯ_x／ＡｌＮ_x等が挙げられる。所望の光反射率を得るために、各誘電体膜を構成する材料、膜厚および積層数等を、適宜選択すればよい。誘電体多層膜５１は、例えば、［１１２０］方向に横方向成長するように配置または配列させることが好ましい。

隣り合う誘電体多層膜５１の間に設けられている開口部５１Ｈは、必ずしも隣り合う全ての誘電体多層膜５１の間で均一な幅である必要はないが、本実施の形態では、第１ＤＢＲ層５１Ａと、第１ＤＢＲ層５１Ａに隣り合う誘電体多層膜５１との間の溝状の開口部５１Ｈの幅は、以下の範囲を満たすように設けられている。

図８は、本実施の形態の要部（第１ＤＢＲ層５１Ａ、開口部５１Ｈおよび電流注入領域Ｒの位置関係）を説明するためのものである。第１ＤＢＲ層５１Ａ、開口部５１Ｈおよび電流注入領域Ｒは、第１ＤＢＲ層５１Ａと、第１ＤＢＲ層５１Ａに隣り合う誘電体多層膜５１との間の距離（開口部５１Ｈの幅）をＷ、第１ＤＢＲ層５１Ａの上面の外縁から引いた垂線と第１ＤＢＲ層５１Ａの底辺との交点から開口部５１Ｈまでの距離をＷ'、第１ＤＢＲ層５１Ａの基板１１に対する法線方向の厚みをＨとするとき、第１ＤＢＲ層５１Ａ、開口部５１Ｈおよび電流注入領域Ｒは、第１ＤＢＲ層５１Ａの上面の端縁と、電流注入領域Ｒの端縁とを最短距離で結ぶ線分ＬＮと、第１ＤＢＲ層５１Ａの上面とのなす角θが、arctan（Ｈ／（Ｗ＋Ｗ'））以上９０°以下となるように形成されている。図８では、第１ＤＢＲ層５１Ａの上面の端縁と、線分ＬＮとが互いに接する点がＸ₁で表されており、電流注入領域Ｒの端縁と、線分ＬＮとが互いに接する点がＸ₂で表されている。これにより、基板１１の裏面（面Ｓ２）側から第１ＤＢＲ層５１Ａに遮られることなく、電流注入領域Ｒを開口部５１Ｈから確認することが可能となる。この条件を満たす各値の具体的な数値は、例えば、開口幅Ｗは４．５μｍ、上部外周部Ｘ１から引いた垂線と第１ＤＢＲ層５１Ａの底辺との交点から開口部５１Ｈまでの距離Ｗ'を２μｍおよび第１ＤＢＲ層４１Ａの厚みＨを２．５μｍとした場合のarctan（Ｈ／（Ｗ＋Ｗ'））は約２１°となる。よって、線分ＬＮと、第１ＤＢＲ層５１Ａの上面との成す角θは２１°≦θ≦９０°の範囲であればよく、例えば３０°程度となる。

なお、誘電体多層膜５１の断面形状は、順テーパ形状以外に、例えば、図９（Ａ）に示したように、誘電体多層膜５１の上部角の一部（例えば、誘電体多層膜５１の上面から側面Ｓ１，Ｓ２の一部）が削られた形状としてもよい。また、誘電体多層膜５１の断面形状は必ずしも対称である必要はなく、図９（Ｂ）に示したように、一方の側面（ここでは、側面Ｓ１）のみの上部角が削られていてもよい。更にまた、基板１１上に設けられた複数の誘電体多層膜５１のすべてが同じ形状である必要はなく、第１ＤＢＲ層５１Ａとなる誘電体多層膜５１のみが、上記形状に加工されていてもよい。

その他の構成については、第１の実施の形態と同様である。

（２−２．作用・効果）
本実施の形態では、第１ＤＢＲ層５１Ａの上面の端縁と、電流注入領域Ｒの端縁とを最短距離で結ぶ線分ＬＮと、第１ＤＢＲ層５１Ａの上面とのなす角θが、arctan（Ｈ／（Ｗ＋Ｗ'））以上９０°以下となっている。

図１０は、半導体レーザ２のデバイス特性の検査方法を模式的に表したものである。図１１は、半導体レーザ２に設けられた透明電極３２中の欠陥修復の方法を模式的に表したものである。デバイス特性の検査および電極（透明電極３２）中の欠陥修復は、上述したように、基板１１の裏面（面Ｓ２）側から励起光Ｌ１あるいはレーザ光Ｌ２を、それぞれ、活性層２２あるいは透明電極３２に照射することによって行われる。基板１１から第１ＤＢＲ層５１Ａに遮られることなく、レーザ光Ｌ２を電流注入領域Ｒに、励起光Ｌ１を電流注入領域Ｒ下の活性層２２に選択的に照射することが可能となる。よって、外部要因に左右されることなくデバイス特性の検査（光励起検査）および透明電極３２の欠陥修復が可能となる。その結果、半導体レーザ２の信頼性および製造歩留まりが向上する。

以上、第１実施の形態および第２の実施の形態を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形可能である。

なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であってこれに限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。

なお、本技術は以下の様な構成をとることも可能である。
（１）
基板と、
前記基板の上に設けられた第１半導体層と、
前記第１半導体層の上に設けられた活性層と、
前記活性層の上に設けられ、前記活性層から発せられた光を射出する射出窓を有する第２半導体層と、
前記基板の上において前記第１半導体層に埋め込み形成されると共に、前記射出窓と対向する位置に設けられた第１誘電体多層膜と、
前記基板の上において前記第１半導体層に埋め込み形成され、前記第１誘電体多層膜と隣り合い、且つ、前記射出窓とは対向しない位置に設けられた第２誘電体多層膜と、
前記第１半導体層、前記活性層および前記第２半導体層を間にして、１つの前記第１誘電体多層膜と対向し、且つ、前記第２誘電体多層膜とは対向しない位置に設けられた第３誘電体多層膜と、
前記第１誘電体多層膜と対向する位置に設けられた電流注入領域と、
前記第１誘電体多層膜と前記第２誘電体多層膜との間に設けられた開口部とを備え、
前記第１誘電体多層膜と前記第２誘電体多層膜との間の距離をＷ、前記第１誘電体多層膜の前記基板に対する法線方向の厚みをＨとするとき、
前記第１誘電体多層膜、前記開口部および前記電流注入領域は、前記第１誘電体多層膜の上面の端縁と、前記電流注入領域の端縁とを最短距離で結ぶ線分と、前記第１誘電体多層膜の上面とのなす角θが、arctan（Ｈ／Ｗ）以上９０°以下となるように形成されている
窒化物面発光レーザ。
（２）
前記第１誘電体多層膜の側面は、前記基板に対して垂直である、前記（１）に記載の窒化物面発光レーザ。
（３）
前記電流注入領域の面積は、前記第１誘電体多層膜の面積の半分以下である、前記（１）または（２）に記載の窒化物面発光レーザ。
（４）
前記第１半導体層、前記活性層および前記第２半導体層は、ＧａＮ系化合物半導体によって構成されている、前記（１）乃至（３）のうちのいずれか１つに記載の窒化物面発光レーザ。
（５）
基板と、
前記基板の上に設けられた第１半導体層と、
前記第１半導体層の上に設けられた活性層と、
前記活性層の上に設けられ、前記活性層から発せられた光を射出する射出窓を有する第２半導体層と、
前記基板の上において前記第１半導体層に埋め込み形成されると共に、前記射出窓と対向する位置に設けられた第１誘電体多層膜と、
前記基板の上において前記第１半導体層に埋め込み形成され、前記第１誘電体多層膜と隣り合い、且つ、前記射出窓とは対向しない位置に設けられた第２誘電体多層膜と、
前記第１半導体層、前記活性層および前記第２半導体層を間にして、１つの前記第１誘電体多層膜と対向し、且つ、前記第２誘電体多層膜とは対向しない位置に設けられた第３誘電体多層膜と、
前記第１誘電体多層膜と対向する位置に設けられた電流注入領域と、
前記第１誘電体多層膜と前記第２誘電体多層膜との間に設けられた開口部とを備え、
前記第１誘電体多層膜と前記第２誘電体多層膜との間の距離をＷ、前記第１誘電体多層膜の上面の外縁から引いた垂線と前記第１誘電体多層膜の底辺との交点から前記開口部までの距離をＷ’、前記第１誘電体多層膜の前記基板に対する法線方向の厚みをＨとするとき、
前記第１誘電体多層膜、前記開口部および前記電流注入領域は、前記第１誘電体多層膜の上面の端縁と、前記電流注入領域の端縁とを最短距離で結ぶ線分と、第１誘電体多層膜の上面とのなす角θが、arctan（Ｈ／（Ｗ＋Ｗ’））以上９０°以下となるように形成されている
窒化物面発光レーザ。
（６）
前記第１誘電体多層膜の側面の少なくとも一部は、順テーパ形状を有している、前記（６）に記載の窒化物面発光レーザ。
（７）
前記電流注入領域の面積は、前記第１誘電体多層膜の面積の半分以下である、前記（６）または（７）に記載の窒化物面発光レーザ。
（８）
前記第１半導体層、前記活性層および前記第２半導体層は、ＧａＮ系化合物半導体によって構成されている、前記（５）乃至（７）のうちのいずれか１つに記載の窒化物面発光レーザ。

本出願は、日本国特許庁において２０１５年９月２日に出願された日本特許出願番号２０１５−１７２７４８号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願の全ての内容を参照によって本出願に援用する。

当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。

Claims (8)

1. 基板と、
   前記基板の上に設けられた第１半導体層と、
   前記第１半導体層の上に設けられた活性層と、
   前記活性層の上に設けられ、前記活性層から発せられた光を射出する射出窓を有する第２半導体層と、
   前記基板の上において前記第１半導体層に埋め込み形成されると共に、前記射出窓と対向する位置に設けられた第１誘電体多層膜と、
   前記基板の上において前記第１半導体層に埋め込み形成され、前記第１誘電体多層膜と隣り合い、且つ、前記射出窓とは対向しない位置に設けられた第２誘電体多層膜と、
   前記第１半導体層、前記活性層および前記第２半導体層を間にして、１つの前記第１誘電体多層膜と対向し、且つ、前記第２誘電体多層膜とは対向しない位置に設けられた第３誘電体多層膜と、
   前記第１誘電体多層膜と対向する位置に設けられた電流注入領域と、
   前記第１誘電体多層膜と前記第２誘電体多層膜との間に設けられた開口部とを備え、
   前記第１誘電体多層膜と前記第２誘電体多層膜との間の距離をＷ、前記第１誘電体多層膜の前記基板に対する法線方向の厚みをＨとするとき、
   前記第１誘電体多層膜、前記開口部および前記電流注入領域は、前記第１誘電体多層膜の上面の端縁と、前記電流注入領域の端縁とを最短距離で結ぶ線分と、前記第１誘電体多層膜の上面とのなす角θが、arctan（Ｈ／Ｗ）以上９０°以下となるように形成されている
   窒化物面発光レーザ。
2. 前記第１誘電体多層膜の側面は、前記基板に対して垂直である、請求項１に記載の窒化物面発光レーザ。
3. 前記電流注入領域の面積は、前記第１誘電体多層膜の面積の半分以下である、請求項１に記載の窒化物面発光レーザ。
4. 前記第１半導体層、前記活性層および前記第２半導体層は、ＧａＮ系化合物半導体によって構成されている、請求項１に記載の窒化物面発光レーザ。
5. 基板と、
   前記基板の上に設けられた第１半導体層と、
   前記第１半導体層の上に設けられた活性層と、
   前記活性層の上に設けられ、前記活性層から発せられた光を射出する射出窓を有する第２半導体層と、
   前記基板の上において前記第１半導体層に埋め込み形成されると共に、前記射出窓と対向する位置に設けられた第１誘電体多層膜と、
   前記基板の上において前記第１半導体層に埋め込み形成され、前記第１誘電体多層膜と隣り合い、且つ、前記射出窓とは対向しない位置に設けられた第２誘電体多層膜と、
   前記第１半導体層、前記活性層および前記第２半導体層を間にして、１つの前記第１誘電体多層膜と対向し、且つ、前記第２誘電体多層膜とは対向しない位置に設けられた第３誘電体多層膜と、
   前記第１誘電体多層膜と対向する位置に設けられた電流注入領域と、
   前記第１誘電体多層膜と前記第２誘電体多層膜との間に設けられた開口部とを備え、
   前記第１誘電体多層膜と前記第２誘電体多層膜との間の距離をＷ、前記第１誘電体多層膜の上面の外縁から引いた垂線と前記第１誘電体多層膜の底辺との交点から前記開口部までの距離をＷ’、前記第１誘電体多層膜の前記基板に対する法線方向の厚みをＨとするとき、
   前記第１誘電体多層膜、前記開口部および前記電流注入領域は、前記第１誘電体多層膜の上面の端縁と、前記電流注入領域の端縁とを最短距離で結ぶ線分と、第１誘電体多層膜の上面とのなす角θが、arctan（Ｈ／（Ｗ＋Ｗ’））以上９０°以下となるように形成されている
   窒化物面発光レーザ。
6. 前記第１誘電体多層膜の側面の少なくとも一部は、順テーパ形状を有している、請求項５に記載の窒化物面発光レーザ。
7. 前記電流注入領域の面積は、前記第１誘電体多層膜の面積の半分以下である、請求項５に記載の窒化物面発光レーザ。
8. 前記第１半導体層、前記活性層および前記第２半導体層は、ＧａＮ系化合物半導体によって構成されている、請求項５に記載の窒化物面発光レーザ。

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