JP6962178B2 - Electronic components - Google Patents

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Description

本発明の一側面は、電子部品に関する。 One aspect of the present invention relates to electronic components.

例えば、特許文献1には、基板と、封入部と、電磁保護層と、を備える電子デバイスが記載されている。この電子デバイスでは、電磁保護層が基板及び封入部の側面を被覆している。これにより、外部からの電磁波の影響を抑制することができる。電磁保護層は、基板の側面に設けられた接点に電気的に接続されることにより、アース(接地)されている。 For example, Patent Document 1 describes an electronic device including a substrate, an encapsulation portion, and an electromagnetic protective layer. In this electronic device, an electromagnetic protective layer covers the sides of the substrate and the encapsulation. As a result, the influence of electromagnetic waves from the outside can be suppressed. The electromagnetic protective layer is grounded by being electrically connected to a contact provided on the side surface of the substrate.

特表2013−534366号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-534366

ところで、素体と、素体の表面に設けられた端子電極と、を備える電子部品において、端子電極から離間して素体の表面に金属シールド膜を設けると共に、金属シールド膜と端子電極とを内部導体により接続することが考えられる。この場合において、端子電極の表面にめっき膜を形成する要求があるが、金属シールド膜の形成前にめっき処理を行うと、素体の表面に露出した端子電極の端部と素体との間の隙間を通って、素体の内部にめっき液が浸入するおそれがある。 By the way, in an electronic component provided with an element body and a terminal electrode provided on the surface of the element body, a metal shield film is provided on the surface of the element body at a distance from the terminal electrode, and the metal shield film and the terminal electrode are provided. It is conceivable to connect with an inner conductor. In this case, there is a requirement to form a plating film on the surface of the terminal electrode, but if the plating process is performed before the formation of the metal shield film, between the end of the terminal electrode exposed on the surface of the element body and the element body. There is a risk that the plating solution will infiltrate into the body through the gaps between the two.

本発明の一側面は、素体の内部にめっき液が浸入することを抑制可能な電子部品を提供する。 One aspect of the present invention provides an electronic component capable of suppressing the infiltration of the plating solution into the body.

本発明の一側面に係る電子部品は、素体と、素体の表面に設けられた端子電極と、端子電極から離間して、素体の表面に設けられた金属シールド膜と、素体の内部に配置され、端子電極に接続された第1端面と、金属シールド膜に接続された第2端面と、を有する接続導体と、第2端面に設けられ、第2端面と金属シールド膜とを接続しているめっき膜と、を備え、素体は、第2端面の縁部を覆う被覆部を有している。 The electronic component according to one aspect of the present invention includes the element body, the terminal electrode provided on the surface of the element body, the metal shield film provided on the surface of the element body separated from the terminal electrode, and the element body. A connecting conductor having a first end surface arranged inside and connected to a terminal electrode and a second end surface connected to a metal shield film, and a second end surface provided on the second end surface and a metal shield film. It comprises a connecting plating film, and the element body has a covering portion that covers the edge portion of the second end surface.

この電子部品では、素体が、第2端面の縁部を覆う被覆部を有している。したがって、金属シールド膜の形成前にめっき処理が行われた場合でも、第2端面の縁部が素体の被覆部により覆われているので、素体の内部にめっき液が浸入することを抑制できる。 In this electronic component, the element body has a covering portion that covers the edge portion of the second end face. Therefore, even if the plating treatment is performed before the formation of the metal shield film, the edge portion of the second end surface is covered with the covering portion of the element body, so that the plating solution is prevented from entering the inside of the element body. can.

第2端面は、素体の表面よりも素体の内側に配置されていてもよい。この場合、第2端面に設けられためっき膜の表面と、素体の表面との間に段差が形成されることを抑制できる。 The second end surface may be arranged inside the element body with respect to the surface of the element body. In this case, it is possible to prevent the formation of a step between the surface of the plating film provided on the second end surface and the surface of the element body.

めっき膜は、被覆部の表面にも設けられていてもよい。この場合、めっき膜と金属シールド膜との接触面積が増える。これにより、めっき膜と金属シールド膜とが、熱膨張又は熱収縮により互いの界面で剥離する界面剥離を抑制することができる。 The plating film may also be provided on the surface of the covering portion. In this case, the contact area between the plating film and the metal shield film increases. As a result, it is possible to suppress interfacial peeling in which the plating film and the metal shield film are peeled off at the interface between each other due to thermal expansion or contraction.

金属シールド膜は、めっき膜よりも厚くてもよい。この場合、仮にめっき膜が素体の表面から突出するように形成されていても、金属シールド膜の表面に段差が形成されることを抑制できる。 The metal shield film may be thicker than the plating film. In this case, even if the plating film is formed so as to protrude from the surface of the element body, it is possible to suppress the formation of a step on the surface of the metal shield film.

素体は、直方体形状を呈しており、その表面として、実装面とされる第1面と、第1面と互いに対向している第2面と、第1面と第2面との間を連結するように延びている第3面と、を含み、端子電極は、第1面に設けられており、金属シールド膜は、第2面及び第3面に設けられていてもよい。この場合、金属シールド膜が第1面以外の表面を覆っているので、外部からの影響を効果的に抑制することができる。 The element body has a rectangular parallelepiped shape, and as its surface, between the first surface to be a mounting surface, the second surface facing the first surface, and the first surface and the second surface. The terminal electrode may be provided on the first surface, and the metal shield film may be provided on the second and third surfaces, including a third surface extending so as to be connected. In this case, since the metal shield film covers the surfaces other than the first surface, the influence from the outside can be effectively suppressed.

本発明の一側面は、素体の内部にめっき液が浸入することを抑制可能な電子部品を提供する。 One aspect of the present invention provides an electronic component capable of suppressing the infiltration of the plating solution into the body.

図1は、一実施形態に係る電子部品を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an electronic component according to an embodiment. 図2は、図1のII-II線に沿っての金属シールド膜、接続導体、端子電極及びめっき膜の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of the metal shield film, the connecting conductor, the terminal electrode, and the plating film along the line II-II of FIG. 図3は、第2端面の周辺部分を拡大して示す断面図である。FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing a peripheral portion of the second end face. 図4は、素体の分解斜視図である。FIG. 4 is an exploded perspective view of the element body. 図5は、素体内の構成を示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing the configuration inside the element body. 図6は、電子部品の等価回路を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing an equivalent circuit of electronic components.

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description of the drawings, the same or equivalent elements are designated by the same reference numerals, and duplicate description will be omitted.

図1は、一実施形態に係る電子部品を示す斜視図である。図2は、図1のII-II線に沿っての金属シールド膜、接続導体、端子電極及びめっき膜の断面構成を示す図である。
図1及び図2に示されるように、電子部品1は、素体2と、金属シールド膜3と、一対の接続導体4と、端子電極5と、端子電極6と、端子電極7と、マーク8と、を備えている。電子部品1は、例えば、複数の絶縁体層が積層されてなる積層型電子部品である。本実施形態では、積層型のハイパスフィルタを例とし、電子部品1について説明を行う。なお、図2では、素体2が一点鎖線で示されている。
FIG. 1 is a perspective view showing an electronic component according to an embodiment. FIG. 2 is a diagram showing a cross-sectional configuration of a metal shield film, a connecting conductor, a terminal electrode, and a plating film along the line II-II of FIG.
As shown in FIGS. 1 and 2, the electronic component 1 includes a body 2, a metal shield film 3, a pair of connecting conductors 4, a terminal electrode 5, a terminal electrode 6, a terminal electrode 7, and a mark. 8 and. The electronic component 1 is, for example, a laminated electronic component in which a plurality of insulator layers are laminated. In the present embodiment, the electronic component 1 will be described by taking a laminated high-pass filter as an example. In FIG. 2, the element body 2 is shown by a alternate long and short dash line.

素体2は、直方体形状を呈している。直方体形状には、角部及び稜線部が面取りされている直方体の形状、及び、角部及び稜線部が丸められている直方体の形状が含まれる。素体2は、その外表面として、互いに対向している一対の主面2a,2bと、一対の主面2a,2bの間を連結するように延びており且つ互いに対向している一対の側面2c,2dと、一対の主面2a,2bの間を連結するように延びており且つ互いに対向している一対の側面2e,2fと、を有している。主面2aは、例えば電子部品1を図示しない他の電子機器(例えば、回路基板、又は、電子部品等)に実装する際、他の電子機器と対向する面(実装面)として規定される。 The element body 2 has a rectangular parallelepiped shape. The rectangular parallelepiped shape includes a rectangular parallelepiped shape in which the corners and ridges are chamfered, and a rectangular parallelepiped in which the corners and ridges are rounded. As its outer surface, the element body 2 extends so as to connect between a pair of main surfaces 2a and 2b facing each other and a pair of main surfaces 2a and 2b, and a pair of side surfaces facing each other. It has 2c and 2d and a pair of side surfaces 2e and 2f extending so as to connect between the pair of main surfaces 2a and 2b and facing each other. The main surface 2a is defined as a surface (mounting surface) facing the other electronic device when, for example, the electronic component 1 is mounted on another electronic device (for example, a circuit board, an electronic component, etc.) (not shown).

一対の主面2a,2bが互いに対向している方向D1と、一対の側面2c,2dが互いに対向している方向D2と、一対の側面2e,2fが互いに対向している方向D3とは、互いに略直交している。素体2の方向D1の長さは、例えば、0.8mmであり、素体2の方向D2の長さは、例えば、2mmであり、素体2の方向D3の長さは、例えば1.25mmである。 The direction D1 in which the pair of main surfaces 2a and 2b face each other, the direction D2 in which the pair of side surfaces 2c and 2d face each other, and the direction D3 in which the pair of side surfaces 2e and 2f face each other They are almost orthogonal to each other. The length of the direction D1 of the element body 2 is, for example, 0.8 mm, the length of the direction D2 of the element body 2 is, for example, 2 mm, and the length of the direction D3 of the element body 2 is, for example, 1. It is 25 mm.

素体2は、複数の絶縁体層10(図4参照)が積層されることによって構成されている。各絶縁体層10は、方向D1において積層されている。すなわち、各絶縁体層10の積層方向は、方向D1と一致している。各絶縁体層10は、平面視で略矩形状を呈している。実際の素体2では、各絶縁体層10は、その層間の境界が視認できない程度に一体化されている。各絶縁体層10は、例えば、誘電体材料(BaTiO系材料、Ba(Ti,Zr)O系材料、(Ba,Ca)TiO系材料、ガラス材料、又はアルミナ材料など)を含むセラミックグリーンシートの焼結体により構成される。 The element body 2 is formed by laminating a plurality of insulator layers 10 (see FIG. 4). Each insulator layer 10 is laminated in the direction D1. That is, the stacking direction of each insulator layer 10 coincides with the direction D1. Each insulator layer 10 has a substantially rectangular shape in a plan view. In the actual element body 2, each insulator layer 10 is integrated so that the boundary between the layers cannot be visually recognized. Each insulator layer 10 is a ceramic containing, for example, a dielectric material (BaTiO 3 material, Ba (Ti, Zr) O 3 material, (Ba, Ca) TiO 3 material, glass material, alumina material, etc.). It is composed of a sintered body of green sheet.

金属シールド膜3は、主面2b及び側面2c,2d,2e,2fに設けられている。金属シールド膜3は、各端子電極5〜7と、各端子電極5〜7が設けられた主面2aとから離間して設けられている。各端子電極5〜7及び主面2aは、金属シールド膜3に覆われておらず、金属シールド膜3から露出している。金属シールド膜3は、実装面である主面2a以外の主面2b及び側面2c,2d,2e,2fを隙間なく覆っている。このため、電子部品1では、外部からの電磁波等の影響を効果的に抑制することができる。 The metal shield film 3 is provided on the main surface 2b and the side surfaces 2c, 2d, 2e, 2f. The metal shield film 3 is provided so as to be separated from the terminal electrodes 5 to 7 and the main surface 2a on which the terminal electrodes 5 to 7 are provided. The terminal electrodes 5 to 7 and the main surface 2a are not covered with the metal shield film 3 and are exposed from the metal shield film 3. The metal shield film 3 covers the main surface 2b and the side surfaces 2c, 2d, 2e, and 2f other than the main surface 2a, which is the mounting surface, without gaps. Therefore, the electronic component 1 can effectively suppress the influence of electromagnetic waves and the like from the outside.

金属シールド膜3は、金属(例えば、Cu又はAg)からなる金属膜である。本実施形態では、金属シールド膜3は、下地層として機能するSUS(ステンレス鋼)層と、金属シールド膜3の本体として機能するCu層と、保護層として機能するSUS層とからなる層構造を有している。主面2bにおけるCu層の厚さは、例えば4μmである。側面2c,2d,2e,2fにおけるCu層の厚さは、例えば2μmである。主面2bにおける下地層(SUS層)の厚さは、例えば0.4μmである。側面2c,2d,2e,2fにおける下地層(SUS層)の厚さは、例えば0.2μmである。主面2bにおける保護層(SUS層)の厚さは、例えば0.4μmである。側面2c,2d,2e,2fにおける保護層(SUS層)の厚さは、例えば0.2μmである。 The metal shield film 3 is a metal film made of a metal (for example, Cu or Ag). In the present embodiment, the metal shield film 3 has a layer structure composed of a SUS (stainless steel) layer that functions as an underlayer, a Cu layer that functions as the main body of the metal shield film 3, and a SUS layer that functions as a protective layer. Have. The thickness of the Cu layer on the main surface 2b is, for example, 4 μm. The thickness of the Cu layer on the side surfaces 2c, 2d, 2e, and 2f is, for example, 2 μm. The thickness of the base layer (SUS layer) on the main surface 2b is, for example, 0.4 μm. The thickness of the base layer (SUS layer) on the side surfaces 2c, 2d, 2e, and 2f is, for example, 0.2 μm. The thickness of the protective layer (SUS layer) on the main surface 2b is, for example, 0.4 μm. The thickness of the protective layer (SUS layer) on the side surfaces 2c, 2d, 2e, and 2f is, for example, 0.2 μm.

接続導体4は、素体2の内部に配置されている。接続導体4は、第1端面4a及び第2端面4bを有している。第1端面4aは、主面2aから露出し、端子電極6に接続されている。第2端面4bは、側面2e又は側面2fから露出し、金属シールド膜3のうち、側面2e又は側面2fに設けられた部分に接続されている。 The connecting conductor 4 is arranged inside the element body 2. The connecting conductor 4 has a first end surface 4a and a second end surface 4b. The first end surface 4a is exposed from the main surface 2a and is connected to the terminal electrode 6. The second end surface 4b is exposed from the side surface 2e or the side surface 2f and is connected to a portion of the metal shield film 3 provided on the side surface 2e or the side surface 2f.

図3は、第2端面の周辺部分を拡大して示す断面図である。図1〜図3に示されるように、第2端面4bは、側面2e,2fよりも素体2の内側に配置されている。第2端面4bは、縁部4cと、中央部4dと、を有している。縁部4cは、枠状を呈し、中央部4dを取り囲んでいる。中央部4dは、縁部4cの内側に位置している。中央部4dは、側面2e,2fから露出している。第2端面4bは、例えば、長辺が100μm、短辺が10μmである長方形状を呈している。縁部4cの幅(縁部4cが延在する方向に直交する方向の長さ)は、例えば、1μm以上3μm以下である。 FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing a peripheral portion of the second end face. As shown in FIGS. 1 to 3, the second end surface 4b is arranged inside the element body 2 with respect to the side surfaces 2e and 2f. The second end surface 4b has an edge portion 4c and a central portion 4d. The edge portion 4c has a frame shape and surrounds the central portion 4d. The central portion 4d is located inside the edge portion 4c. The central portion 4d is exposed from the side surfaces 2e and 2f. The second end surface 4b has, for example, a rectangular shape having a long side of 100 μm and a short side of 10 μm. The width of the edge portion 4c (the length in the direction orthogonal to the extending direction of the edge portion 4c) is, for example, 1 μm or more and 3 μm or less.

素体2は、縁部4cを覆う被覆部2mを有している。側面2e,2fに直交する方向(方向D3)から見て、被覆部2mは、縁部4cと同形状を呈し、縁部4cと重なっている。素体2が被覆部2mを有していることにより、第2端面4bの縁は、素体2により塞がれた状態となっている。 The element body 2 has a covering portion 2m that covers the edge portion 4c. When viewed from the direction orthogonal to the side surfaces 2e and 2f (direction D3), the covering portion 2m has the same shape as the edge portion 4c and overlaps with the edge portion 4c. Since the element body 2 has the covering portion 2 m, the edge of the second end surface 4b is in a state of being closed by the element body 2.

各端子電極5〜7は、素体2の主面2aに設けられている。各端子電極5〜7は、方向D2において、互いに離間している。主面2aにおいて、端子電極6は、方向D2の中央部に位置し、端子電極5は、端子電極6よりも側面2c側に位置し、端子電極7は、端子電極6よりも側面2d側に位置している。各端子電極5〜7は、主面2aに直交する方向(方向D1)から見て、矩形状を呈している。各端子電極5〜7の方向D3の長さは、互いに同等である。端子電極5の方向D2の長さは、端子電極7の方向D2の長さと同等である。端子電極6の方向D2の長さは、端子電極5及び端子電極7の方向D2の長さよりも長い。端子電極6の方向D2の長さは、端子電極5及び端子電極7の方向D2の長さの約2倍である。各端子電極5〜7は、主面2aの外縁から離間している。このため、例えば電子部品1をはんだ実装する際に、はんだが主面2aから側面2c,2d,2e,2fに回り込むことを抑制することができる。 The terminal electrodes 5 to 7 are provided on the main surface 2a of the element body 2. The terminal electrodes 5 to 7 are separated from each other in the direction D2. On the main surface 2a, the terminal electrode 6 is located at the center of the direction D2, the terminal electrode 5 is located on the side surface 2c side of the terminal electrode 6, and the terminal electrode 7 is located on the side surface 2d side of the terminal electrode 6. positioned. Each of the terminal electrodes 5 to 7 has a rectangular shape when viewed from a direction (direction D1) orthogonal to the main surface 2a. The lengths of the directions D3 of the terminal electrodes 5 to 7 are equal to each other. The length of the direction D2 of the terminal electrode 5 is equivalent to the length of the direction D2 of the terminal electrode 7. The length of the direction D2 of the terminal electrode 6 is longer than the length of the direction D2 of the terminal electrode 5 and the terminal electrode 7. The length of the direction D2 of the terminal electrode 6 is about twice the length of the direction D2 of the terminal electrode 5 and the terminal electrode 7. The terminal electrodes 5 to 7 are separated from the outer edge of the main surface 2a. Therefore, for example, when the electronic component 1 is solder-mounted, it is possible to prevent the solder from wrapping around from the main surface 2a to the side surfaces 2c, 2d, 2e, and 2f.

各端子電極5〜7は、導電材(例えばAg又はPd)を含んでいる。各端子電極5〜7は、導電性材料(例えばAg粉末又はPd粉末)を含む導電性ペーストの焼結体により構成されている。導電性ペーストは、例えば、スクリーン印刷により主面2aに付与される。 Each terminal electrode 5 to 7 contains a conductive material (for example, Ag or Pd). Each terminal electrode 5 to 7 is composed of a sintered body of a conductive paste containing a conductive material (for example, Ag powder or Pd powder). The conductive paste is applied to the main surface 2a by, for example, screen printing.

マーク8は、電子部品1の実装方向を識別するために設けられている。マーク8は、主面2bに設けられている。マーク8は、主面2bの方向D2の中央部よりも側面2c側に設けられている。マーク8は、例えば、素体2とは異なる材質により構成され、素体2とは異なる表面粗さを有している。金属シールド膜3は、素体2及びマーク8の表面粗さに追従して形成される。このため、金属シールド膜3のうち、素体2の表面に形成された部分と、マーク8の表面に形成された部分とでは、光の反射状態が異なっている。これにより、金属シールド膜3の外側からでもマーク8を識別することができる。マーク8の厚さは、例えば、後述するバレル研磨によって除去されない厚さに設定されている。 The mark 8 is provided to identify the mounting direction of the electronic component 1. The mark 8 is provided on the main surface 2b. The mark 8 is provided on the side surface 2c side of the central portion of the direction D2 of the main surface 2b. The mark 8 is made of a material different from that of the element body 2, for example, and has a surface roughness different from that of the element body 2. The metal shield film 3 is formed so as to follow the surface roughness of the element body 2 and the mark 8. Therefore, in the metal shield film 3, the portion formed on the surface of the element body 2 and the portion formed on the surface of the mark 8 have different light reflection states. Thereby, the mark 8 can be identified even from the outside of the metal shield film 3. The thickness of the mark 8 is set to a thickness that is not removed by barrel polishing described later, for example.

図3に示されるように、電子部品1は、めっき膜11及びめっき膜12を備えている。めっき膜11は、各端子電極5〜7の表面に設けられている。めっき膜12は、第2端面4bの中央部4dに設けられている。めっき膜12は、素体2の被覆部2mの表面にも設けられている。めっき膜12は、中央部4d及び被覆部2mに一体的に設けられ、これらを覆っている。めっき膜12は、中央部4d及び被覆部2mと、金属シールド膜3とにそれぞれ当接している。めっき膜12は、中央部4dと金属シールド膜3とを接続している。めっき膜12は、例えば、金属シールド膜3よりも薄い。 As shown in FIG. 3, the electronic component 1 includes a plating film 11 and a plating film 12. The plating film 11 is provided on the surface of each of the terminal electrodes 5 to 7. The plating film 12 is provided at the central portion 4d of the second end surface 4b. The plating film 12 is also provided on the surface of the covering portion 2 m of the element body 2. The plating film 12 is integrally provided on the central portion 4d and the coating portion 2m and covers them. The plating film 12 is in contact with the central portion 4d, the covering portion 2m, and the metal shield film 3, respectively. The plating film 12 connects the central portion 4d and the metal shield film 3. The plating film 12 is thinner than, for example, the metal shield film 3.

めっき膜11,12は、例えば、同じ材料により構成されている。めっき膜11,12は、例えば、Niめっき層及びAuめっき層からなる層構造、Niめっき層及びSnめっき層からなる層構造、又はCuめっき層、Niめっき層、及びSnめっき層からなる層構造を有している。めっき膜11,12は、例えば、電解めっき又は無電解めっきにより形成される。めっき膜11,12は、異なる材料により構成されていてもよい。 The plating films 11 and 12 are made of, for example, the same material. The plating films 11 and 12 have, for example, a layer structure composed of a Ni plating layer and an Au plating layer, a layer structure composed of a Ni plating layer and a Sn plating layer, or a layer structure composed of a Cu plating layer, a Ni plating layer, and a Sn plating layer. have. The plating films 11 and 12 are formed by, for example, electrolytic plating or electroless plating. The plating films 11 and 12 may be made of different materials.

図4は、素体の分解斜視図である。図5は、素体内の構成を示す斜視図である。図4及び図5に示されるように、電子部品1は、複数のコイル導体21〜28と、接続導体29と、を有している。コイル導体21,22,23,24は、方向D1において互いに異なる位置(層)に配置されている。コイル導体21,22,23,24は、スルーホール導体を通じて互いに接続され、インダクタL1を構成している。コイル導体25,26,27,28は、方向D1において互いに異なる位置(層)に配置されている。コイル導体25,26,27,28は、スルーホール導体を通じて互いに接続され、インダクタL2を構成している。 FIG. 4 is an exploded perspective view of the element body. FIG. 5 is a perspective view showing the configuration inside the element body. As shown in FIGS. 4 and 5, the electronic component 1 has a plurality of coil conductors 21 to 28 and a connecting conductor 29. The coil conductors 21, 22, 23, 24 are arranged at different positions (layers) from each other in the direction D1. The coil conductors 21, 22, 23, 24 are connected to each other through through-hole conductors to form the inductor L1. The coil conductors 25, 26, 27, and 28 are arranged at different positions (layers) from each other in the direction D1. The coil conductors 25, 26, 27, and 28 are connected to each other through through-hole conductors to form the inductor L2.

接続導体29は、コイル導体24とコイル導体28とを接続することにより、インダクタL1とインダクタL2とを接続している。方向D1から見て、接続導体29は、方向D2の中央部に配置され、インダクタL1は接続導体29よりも側面2c側に配置され、インダクタL2は接続導体29よりも側面2d側に配置されている。接続導体29は、スルーホール導体を通じて端子電極6に接続されている。 The connecting conductor 29 connects the inductor L1 and the inductor L2 by connecting the coil conductor 24 and the coil conductor 28. When viewed from the direction D1, the connecting conductor 29 is arranged at the center of the direction D2, the inductor L1 is arranged on the side surface 2c side of the connecting conductor 29, and the inductor L2 is arranged on the side surface 2d side of the connecting conductor 29. There is. The connecting conductor 29 is connected to the terminal electrode 6 through a through-hole conductor.

コイル導体21,25は、方向D1において互いに同じ位置(層)に配置されている。コイル導体22,26は、方向D1において互いに同じ位置(層)に配置されている。コイル導体23,27は、方向D1において互いに同じ位置(層)に配置されている。コイル導体24,28及び接続導体29は、方向D1において互いに同じ位置(層)に配置されている。 The coil conductors 21 and 25 are arranged at the same positions (layers) as each other in the direction D1. The coil conductors 22 and 26 are arranged at the same position (layer) as each other in the direction D1. The coil conductors 23 and 27 are arranged at the same positions (layers) as each other in the direction D1. The coil conductors 24 and 28 and the connecting conductor 29 are arranged at the same position (layer) as each other in the direction D1.

電子部品1は、内部電極31〜47と、接続導体48〜50と、を有している。内部電極35,37,39,41,43は、絶縁体層10を挟んで互いに対向して配置され、キャパシタC1を構成している。内部電極36,38,40,42,44,46,47は、絶縁体層10を挟んで互いに対向して配置され、キャパシタC2を構成している。内部電極31,33,35,43,45は、絶縁体層10を挟んで互いに対向して配置され、キャパシタC3を構成している。内部電極32,34,36は、絶縁体層10を挟んで互いに対向して配置され、キャパシタC4を構成している。 The electronic component 1 has internal electrodes 31 to 47 and connecting conductors 48 to 50. The internal electrodes 35, 37, 39, 41, and 43 are arranged so as to face each other with the insulator layer 10 interposed therebetween, and constitute the capacitor C1. The internal electrodes 36, 38, 40, 42, 44, 46, 47 are arranged so as to face each other with the insulator layer 10 interposed therebetween, forming the capacitor C2. The internal electrodes 31, 33, 35, 43, and 45 are arranged so as to face each other with the insulator layer 10 interposed therebetween, and constitute the capacitor C3. The internal electrodes 32, 34, and 36 are arranged so as to face each other with the insulator layer 10 interposed therebetween, forming the capacitor C4.

内部電極31,32は、方向D1において互いに同じ位置(層)に配置されている。内部電極33,34は、方向D1において互いに同じ位置(層)に配置されている。内部電極35,36は、方向D1において互いに同じ位置(層)に配置されている。内部電極37,38及び接続導体48は、方向D1において互いに同じ位置(層)に配置されている。 The internal electrodes 31 and 32 are arranged at the same positions (layers) as each other in the direction D1. The internal electrodes 33 and 34 are arranged at the same positions (layers) as each other in the direction D1. The internal electrodes 35 and 36 are arranged at the same positions (layers) as each other in the direction D1. The internal electrodes 37 and 38 and the connecting conductor 48 are arranged at the same positions (layers) as each other in the direction D1.

内部電極39,40及び接続導体49,50は、方向D1において互いに同じ位置(層)に配置されている。内部電極41,42は、方向D1において互いに同じ位置(層)に配置されている。内部電極43,44は、方向D1において互いに同じ位置(層)に配置されている。内部電極45,46は、方向D1において互いに同じ位置(層)に配置されている。 The internal electrodes 39, 40 and the connecting conductors 49, 50 are arranged at the same positions (layers) as each other in the direction D1. The internal electrodes 41 and 42 are arranged at the same positions (layers) as each other in the direction D1. The internal electrodes 43 and 44 are arranged at the same positions (layers) as each other in the direction D1. The internal electrodes 45 and 46 are arranged at the same positions (layers) as each other in the direction D1.

内部電極31,32と、内部電極33,34と、内部電極35,36と、内部電極37,38と、内部電極39,40と、内部電極41,42と、内部電極43,44と、内部電極45,46と、内部電極47とは、方向D1において互いに異なる位置(層)に配置されている。 Internal electrodes 31, 32, internal electrodes 33, 34, internal electrodes 35, 36, internal electrodes 37, 38, internal electrodes 39, 40, internal electrodes 41, 42, internal electrodes 43, 44, and internal electrodes. The electrodes 45 and 46 and the internal electrodes 47 are arranged at different positions (layers) in the direction D1.

内部電極31,35,39,43は、スルーホール導体を通じて端子電極5に接続されている。内部電極32,36,40,44,47は、スルーホール導体を通じて端子電極7に接続されている。内部電極37,41は、スルーホール導体を通じて互いに接続されている。内部電極38,42,46は、スルーホール導体を通じて互いに接続されている。 The internal electrodes 31, 35, 39, 43 are connected to the terminal electrode 5 through a through-hole conductor. The internal electrodes 32, 36, 40, 44, 47 are connected to the terminal electrode 7 through a through-hole conductor. The internal electrodes 37 and 41 are connected to each other through a through-hole conductor. The internal electrodes 38, 42, 46 are connected to each other through a through-hole conductor.

接続導体48は、内部電極37と内部電極38とを接続することにより、キャパシタC1とキャパシタC2とを接続している。接続導体49は側面2eに露出し、金属シールド膜3に接続された一端部と、スルーホール導体を通じて端子電極6とに接続された他端部と、を有している。接続導体50は側面2fに露出し、金属シールド膜3に接続された一端部と、スルーホール導体を通じて端子電極6とに接続された他端部と、を有している。金属シールド膜3と端子電極6とは、接続導体49,50及びスルーホール導体を通じて互いに接続されている。 The connecting conductor 48 connects the capacitor C1 and the capacitor C2 by connecting the internal electrode 37 and the internal electrode 38. The connecting conductor 49 is exposed on the side surface 2e and has one end connected to the metal shield film 3 and the other end connected to the terminal electrode 6 through the through-hole conductor. The connecting conductor 50 is exposed on the side surface 2f and has one end connected to the metal shield film 3 and the other end connected to the terminal electrode 6 through the through-hole conductor. The metal shield film 3 and the terminal electrode 6 are connected to each other through connecting conductors 49 and 50 and through-hole conductors.

上述の接続導体4(図2参照)は、接続導体49,50及びスルーホール導体により構成されている。接続導体4の第1端面4a(図2参照)は、スルーホール導体の端面により構成されている。接続導体4の第2端面4b(図2参照)は、接続導体49,50の一端部の端面により構成されている。 The connection conductor 4 (see FIG. 2) described above is composed of connection conductors 49 and 50 and through-hole conductors. The first end surface 4a (see FIG. 2) of the connecting conductor 4 is composed of end surfaces of through-hole conductors. The second end surface 4b (see FIG. 2) of the connecting conductor 4 is composed of end surfaces of one ends of the connecting conductors 49 and 50.

内部電極33,45とコイル導体21の端部とは、スルーホール導体を通じて互いに接続されている。内部電極34とコイル導体25の端部とは、スルーホール導体を通じて互いに接続されている。 The internal electrodes 33 and 45 and the ends of the coil conductor 21 are connected to each other through a through-hole conductor. The internal electrode 34 and the end of the coil conductor 25 are connected to each other through a through-hole conductor.

コイル導体21〜28と、接続導体29と、内部電極31〜47と、接続導体48〜50と、スルーホール導体とは、導電材(例えばAg又はPd)を含んでいる。コイル導体21〜28と、接続導体29と、内部電極31〜47と、接続導体48〜50と、スルーホール導体とは、導電性材料(例えばAg粉末又はPd粉末)を含む導電性ペーストの焼結体により構成されている。 The coil conductors 21 to 28, the connecting conductor 29, the internal electrodes 31 to 47, the connecting conductors 48 to 50, and the through-hole conductor include a conductive material (for example, Ag or Pd). The coil conductors 21 to 28, the connecting conductors 29, the internal electrodes 31 to 47, the connecting conductors 48 to 50, and the through-hole conductor are fired from a conductive paste containing a conductive material (for example, Ag powder or Pd powder). It is composed of a body.

図6は、電子部品の等価回路を示す図である。図6に示されるように、電子部品1では、端子電極5は、信号が入力される入力端子TINを構成し、端子電極6は、グラウンド端子Gを構成し、端子電極7は、信号が出力される出力端子TOUTを構成している。キャパシタC1及びキャパシタC2は、入力端子TINと出力端子TOUTとの間に直列に接続されている。キャパシタC1の一端は、入力端子TINに接続されている。キャパシタC1の他端は、キャパシタC2の一端に接続されている。キャパシタC2の他端は、出力端子TOUTに接続されている。 FIG. 6 is a diagram showing an equivalent circuit of electronic components. As shown in FIG. 6, in the electronic component 1, the terminal electrode 5 constitutes an input terminal T IN to which a signal is input, the terminal electrode 6 constitutes a ground terminal G, and the terminal electrode 7 has a signal. The output terminal T OUT to be output is configured. Capacitors C1 and C2 are connected in series between the input terminal T IN and the output terminal T OUT. One end of the capacitor C1 is connected to the input terminal T IN. The other end of the capacitor C1 is connected to one end of the capacitor C2. The other end of the capacitor C2 is connected to the output terminal T OUT.

キャパシタC3、インダクタL1、インダクタL2、及びキャパシタC4は、直列にこの順に接続されている。キャパシタC3、インダクタL1、インダクタL2、及びキャパシタC4は、キャパシタC1及びキャパシタC2と並列に接続されている。キャパシタC3の一端は、入力端子TINに接続されている。キャパシタC3の他端は、インダクタL1の一端に接続されている。インダクタL1の他端は、インダクタL2の一端に接続されている。インダクタL2の他端は、キャパシタC4の一端に接続されている。キャパシタC4の他端は、出力端子TOUTに接続されている。インダクタL1の他端と、インダクタL2の一端とは、グラウンド端子Gに接続されている。 The capacitor C3, the inductor L1, the inductor L2, and the capacitor C4 are connected in series in this order. The capacitor C3, the inductor L1, the inductor L2, and the capacitor C4 are connected in parallel with the capacitor C1 and the capacitor C2. One end of the capacitor C3 is connected to the input terminal T IN. The other end of the capacitor C3 is connected to one end of the inductor L1. The other end of the inductor L1 is connected to one end of the inductor L2. The other end of the inductor L2 is connected to one end of the capacitor C4. The other end of the capacitor C4 is connected to the output terminal T OUT. The other end of the inductor L1 and one end of the inductor L2 are connected to the ground terminal G.

続いて、電子部品1の製造方法の一例について説明する。 Subsequently, an example of the manufacturing method of the electronic component 1 will be described.

まず、グリーンシートを作成し、脱バインダ処理を行う。次に、導電性材料(例えばAg粉末又はPd粉末)と、共材として素体2の構成材料とを含む導電性ペーストをグリーンシート上に付与(塗布)し、端子電極5〜7と、コイル導体21〜28と、接続導体29と、内部電極31〜47と、接続導体48〜50と、スルーホール導体とに対応する導体パターンを形成する。一方、マーク8の構成材料を含むペーストをグリーンシート上に付与(塗布)し、マーク8に対応するパターンを形成する。続いて、グリーンシートを積層し、積層体グリーンを作製する。次に、積層体グリーンを所定の温度で加熱しながら、積層方向に所定の圧力でプレスし、積層体基板とする。続いて、積層体基板をチップ単位に切断する。これにより、複数のグリーンチップが得られる。得られたグリーンチップにおいて、接続導体4の第1端面4a及び第2端面4bとなる導体パターンの端面は、例えば、グリーンチップの表面と同一平面をなしている。 First, a green sheet is created and the binder is removed. Next, a conductive paste containing a conductive material (for example, Ag powder or Pd powder) and a constituent material of the element body 2 as a co-material is applied (coated) on the green sheet, and the terminal electrodes 5 to 7 and the coil are formed. Conductor patterns corresponding to conductors 21 to 28, connecting conductors 29, internal electrodes 31 to 47, connecting conductors 48 to 50, and through-hole conductors are formed. On the other hand, a paste containing the constituent material of the mark 8 is applied (coated) on the green sheet to form a pattern corresponding to the mark 8. Subsequently, the green sheets are laminated to prepare a laminated green. Next, while heating the laminate green at a predetermined temperature, it is pressed at a predetermined pressure in the lamination direction to obtain a laminate substrate. Subsequently, the laminated substrate is cut into chip units. As a result, a plurality of green chips can be obtained. In the obtained green chip, the end surfaces of the conductor patterns that serve as the first end surface 4a and the second end surface 4b of the connecting conductor 4 form, for example, the same plane as the surface of the green chip.

次に、グリーンチップを研磨することにより、グリーンチップの面取りを行う。続いて、グリーンチップを所定の条件で焼成する。これにより、表面に端子電極5〜7及びマーク8が配置されると共に、内部に接続導体4等が配置された状態の素体2が得られる。導電性ペーストの熱収縮率が、グリーンチップの熱収縮率よりも大きい場合、接続導体4の第1端面4a及び第2端面4bは、素体2の表面よりも素体2の内側に引っ込む。上述のように、導電性ペーストには、共材として素体2の構成材料が含まれている。素体2の構成材料は、焼成時に素体2に向かって移動する。これにより、縁部4c上に被覆部2mが形成される。 Next, the green chips are chamfered by polishing the green chips. Subsequently, the green chips are fired under predetermined conditions. As a result, the element body 2 in which the terminal electrodes 5 to 7 and the mark 8 are arranged on the surface and the connecting conductor 4 and the like are arranged inside can be obtained. When the heat shrinkage rate of the conductive paste is larger than the heat shrinkage rate of the green chip, the first end surface 4a and the second end surface 4b of the connecting conductor 4 are retracted inside the element body 2 from the surface of the element body 2. As described above, the conductive paste contains the constituent material of the element body 2 as a common material. The constituent material of the element body 2 moves toward the element body 2 at the time of firing. As a result, the covering portion 2m is formed on the edge portion 4c.

続いて、電解めっき又は無電解めっきにより、めっき膜11,12を形成する。次に、例えば、スパッタリングにより、主面2b及び側面2c,2d,2e,2fに金属シールド膜3を形成する。これにより、電子部品1が形成される。 Subsequently, the plating films 11 and 12 are formed by electrolytic plating or electroless plating. Next, for example, the metal shield film 3 is formed on the main surface 2b and the side surfaces 2c, 2d, 2e, and 2f by sputtering, for example. As a result, the electronic component 1 is formed.

以上説明したように、素体2は、第2端面4bの縁部4cを覆う被覆部2mを有している。したがって、金属シールド膜3の形成前にめっき処理が行われた場合でも、めっき液は、縁部4cと被覆部2mとの間の隙間を通過しなければ、素体2の内部に浸入することができない。このため、電子部品1によれば、素体2の内部にめっき液が浸入することを抑制できる。金属シールド膜3は、素体2の内部に配置された接続導体4により端子電極6に接続されている。接続導体4を用いず、金属シールド膜3を素体2の表面で端子電極6と接続させることも考えられるが、その場合、電子部品1をはんだ実装する際に、金属シールド膜3と端子電極6との接続部分を通じて、はんだが主面2aから側面2c,2d,2e,2fに回り込むおそれがある。電子部品1では、接続導体4を用いることにより、素体2の表面において金属シールド膜3を端子電極6から離間して設けることができるので、電子部品1をはんだ実装する際のはんだの回り込みを抑制可能となる。 As described above, the element body 2 has a covering portion 2m that covers the edge portion 4c of the second end surface 4b. Therefore, even if the plating treatment is performed before the formation of the metal shield film 3, the plating solution does not penetrate into the element body 2 unless it passes through the gap between the edge portion 4c and the coating portion 2m. I can't. Therefore, according to the electronic component 1, it is possible to prevent the plating solution from entering the inside of the element body 2. The metal shield film 3 is connected to the terminal electrode 6 by a connecting conductor 4 arranged inside the element body 2. It is conceivable to connect the metal shield film 3 to the terminal electrode 6 on the surface of the element body 2 without using the connection conductor 4, but in that case, when the electronic component 1 is solder-mounted, the metal shield film 3 and the terminal electrode are connected. There is a possibility that the solder wraps around from the main surface 2a to the side surfaces 2c, 2d, 2e, and 2f through the connecting portion with 6. In the electronic component 1, by using the connecting conductor 4, the metal shield film 3 can be provided on the surface of the element body 2 at a distance from the terminal electrode 6, so that the solder wraparound when the electronic component 1 is solder-mounted can be prevented. It can be suppressed.

第2端面4bは、側面2e,2fよりも素体2の内側に配置されている。このため、第2端面4bに設けられためっき膜12の表面と、側面2e,2fとの間に段差が形成されることを抑制できる。例えば、スパッタリングにより金属シールド膜3を形成する場合、めっき膜12の表面と、側面2e,2fとの間に段差が存在すると、段差部分に金属シールド膜3を形成できないおそれがある。電子部品1では、段差が抑制されるので、金属シールド膜3を隙間なく形成することができる。 The second end surface 4b is arranged inside the element body 2 with respect to the side surfaces 2e and 2f. Therefore, it is possible to prevent the formation of a step between the surface of the plating film 12 provided on the second end surface 4b and the side surfaces 2e and 2f. For example, when the metal shield film 3 is formed by sputtering, if there is a step between the surface of the plating film 12 and the side surfaces 2e and 2f, the metal shield film 3 may not be formed at the step portion. In the electronic component 1, since the step is suppressed, the metal shield film 3 can be formed without a gap.

めっき膜12は、被覆部2mの表面にも設けられているので、めっき膜12と金属シールド膜3との接触面積が増える。このため、熱膨張又は熱収縮により、めっき膜12と金属シールド膜3とが互いの界面で剥離する界面剥離を抑制することができる。 Since the plating film 12 is also provided on the surface of the covering portion 2 m, the contact area between the plating film 12 and the metal shield film 3 increases. Therefore, it is possible to suppress interfacial peeling in which the plating film 12 and the metal shield film 3 are peeled off at the interface between the plating film 12 and the metal shield film 3 due to thermal expansion or contraction.

金属シールド膜3は、めっき膜12よりも厚い。このため、仮にめっき膜12が側面2e,2fから突出するように形成されていたとしても、金属シールド膜3の表面に段差が形成されることを抑制できる。 The metal shield film 3 is thicker than the plating film 12. Therefore, even if the plating film 12 is formed so as to protrude from the side surfaces 2e and 2f, it is possible to suppress the formation of a step on the surface of the metal shield film 3.

素体2は、直方体形状を呈しており、その表面として、主面2a,2b及び側面2c,2d,2e,2fを有している。端子電極5〜7は、主面2aに設けられており、金属シールド膜3は、主面2a以外の主面2b及び側面2c,2d,2e,2fに設けられている。このように、電子部品1では、実装面である主面2a以外の主面2b及び側面2c,2d,2e,2fを金属シールド膜3が隙間なく覆っているので、外部からの電磁波等の影響を効果的に抑制することができる。 The element body 2 has a rectangular parallelepiped shape, and has main surfaces 2a and 2b and side surfaces 2c, 2d, 2e and 2f as its surfaces. The terminal electrodes 5 to 7 are provided on the main surface 2a, and the metal shield film 3 is provided on the main surface 2b and the side surfaces 2c, 2d, 2e, 2f other than the main surface 2a. As described above, in the electronic component 1, since the metal shield film 3 covers the main surface 2b and the side surfaces 2c, 2d, 2e, and 2f other than the main surface 2a, which are the mounting surfaces, without gaps, the influence of electromagnetic waves from the outside and the like. Can be effectively suppressed.

本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。 The present invention is not necessarily limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the gist thereof.

上記実施形態では、ハイパスフィルタを例に説明したが、電子部品1は、ダイプレクサ、トリプレクサ等の高周波LCモジュールであってもよく、端子電極の数は3つに限られない。また、本発明は、コンデンサ、インダクタ、バリスタ、又はサーミスタ等の電子部品に適用されてもよい。 In the above embodiment, the high-pass filter has been described as an example, but the electronic component 1 may be a high-frequency LC module such as a diplexer or a triplexer, and the number of terminal electrodes is not limited to three. Further, the present invention may be applied to electronic components such as capacitors, inductors, varistor, and thermistors.

上記実施形態では、端子電極5〜7の焼結金属層に対応するパターン及びマーク8に対応するパターンは、グリーンシートの積層前に形成されるが、グリーンシートの積層後に形成されてもよいし、面取り工程後に形成されてもよいし、素体2を焼成する工程後に形成されてもよい。端子電極5〜7の焼結金属層及びマーク8は、素体2を焼成する工程後において、主面2a,2bに導電性ペースト及びマーク8の構成材料を含むペーストを付与し、焼き付けることにより形成されてもよい。 In the above embodiment, the pattern corresponding to the sintered metal layer of the terminal electrodes 5 to 7 and the pattern corresponding to the mark 8 are formed before laminating the green sheet, but may be formed after laminating the green sheet. , It may be formed after the chamfering step, or it may be formed after the step of firing the element body 2. The sintered metal layers and marks 8 of the terminal electrodes 5 to 7 are formed by applying a conductive paste and a paste containing the constituent materials of marks 8 to the main surfaces 2a and 2b after the step of firing the element body 2 and baking them. It may be formed.

上記実施形態では、共材として素体2の構成材料を加えた導電性ペーストを焼成することにより、接続導体4と共に、素体2の被覆部2mを形成しているが、被覆部2mの形成方法は、これに限られない。例えば、グリーンチップの状態で、焼成により被覆部2mとなる部分を、焼成により接続導体4となる導体パターンの端面に形成してもよい。 In the above embodiment, the conductive paste to which the constituent material of the element body 2 is added as a co-material is fired to form the covering portion 2m of the element body 2 together with the connecting conductor 4, but the covering portion 2m is formed. The method is not limited to this. For example, in the state of a green chip, a portion that becomes a covering portion 2 m by firing may be formed on the end face of a conductor pattern that becomes a connecting conductor 4 by firing.

電子部品1は、少なくとも1つの接続導体4を備えていればよい。接続導体4は、側面2e,2fに限られず、主面2b又は側面2c,2dに露出し、金属シールド膜3のうち、主面2b又は側面2c,2dに設けられた部分に接続されていてもよい。金属シールド膜3は、主面2b及び側面2c,2d,2e,2fの五面に設けられているが、主面2b及び側面2c,2d,2e,2fのうち少なくとも一面以上に設けられていればよい。 The electronic component 1 may include at least one connecting conductor 4. The connecting conductor 4 is not limited to the side surfaces 2e and 2f, but is exposed on the main surface 2b or the side surfaces 2c and 2d, and is connected to the portion of the metal shield film 3 provided on the main surface 2b or the side surfaces 2c and 2d. May be good. The metal shield film 3 is provided on the five surfaces of the main surface 2b and the side surfaces 2c, 2d, 2e, and 2f, but is provided on at least one of the main surface 2b and the side surfaces 2c, 2d, 2e, and 2f. Just do it.

1…電子部品、2…素体、2a…主面(第1面),2b…主面(第2面)、2c,2d,2e,2f…側面(第3面)、2m…被覆部、3…金属シールド膜、4…接続導体、4a…第1端面、4b…第2端面、5,6,7…端子電極、11,12…めっき膜。

1 ... Electronic component, 2 ... Elementary body, 2a ... Main surface (first surface), 2b ... Main surface (second surface), 2c, 2d, 2e, 2f ... Side surface (third surface), 2m ... Covering part, 3 ... Metal shield film, 4 ... Connecting conductor, 4a ... First end face, 4b ... Second end face, 5, 6, 7 ... Terminal electrodes, 11, 12 ... Plating film.

Claims (5)

素体と、
前記素体の表面に設けられた端子電極と、
前記端子電極から離間して、前記素体の表面に設けられた金属シールド膜と、
前記素体の内部に配置され、前記端子電極に接続された第1端面と、前記金属シールド膜に接続された第2端面と、を有する接続導体と、
前記第2端面に設けられ、前記第2端面と前記金属シールド膜とを接続しているめっき膜と、を備え、
前記素体は、前記第2端面の縁部を覆う被覆部を有している、電子部品。
With the body
The terminal electrodes provided on the surface of the element body and
A metal shield film provided on the surface of the element body, separated from the terminal electrode,
A connecting conductor having a first end surface arranged inside the element body and connected to the terminal electrode and a second end surface connected to the metal shield film.
A plating film provided on the second end surface and connecting the second end surface and the metal shield film is provided.
The element body is an electronic component having a covering portion covering the edge portion of the second end surface.
前記第2端面は、前記素体の表面よりも前記素体の内側に配置されている、請求項1に記載の電子部品。 The electronic component according to claim 1, wherein the second end surface is arranged inside the element body with respect to the surface of the element body. 前記めっき膜は、前記被覆部の表面にも設けられている、請求項1又は2に記載の電子部品。 The electronic component according to claim 1 or 2, wherein the plating film is also provided on the surface of the covering portion. 前記金属シールド膜は、前記めっき膜よりも厚い、請求項1〜3のいずれか一項に記載の電子部品。 The electronic component according to any one of claims 1 to 3, wherein the metal shield film is thicker than the plating film. 前記素体は、直方体形状を呈しており、その表面として、実装面とされる第1面と、前記第1面と互いに対向している第2面と、前記第1面と前記第2面との間を連結するように延びている第3面と、を含み、
前記端子電極は、前記第1面に設けられており、
前記金属シールド膜は、前記第2面及び前記第3面に設けられている、請求項1〜4のいずれか一項に記載の電子部品。

The element body has a rectangular parallelepiped shape, and its surfaces are a first surface to be mounted, a second surface facing the first surface, and the first surface and the second surface. Includes a third surface that extends to connect with and
The terminal electrode is provided on the first surface, and the terminal electrode is provided on the first surface.
The electronic component according to any one of claims 1 to 4, wherein the metal shield film is provided on the second surface and the third surface.

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