JP6923419B2 - Substrate processing equipment and substrate processing method - Google Patents
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Description
本発明は、基板を処理する基板処理装置及び基板処理方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate.
特許文献１に記載されている基板処理装置は、基板を１枚ずつ処理する枚葉型である。そして、基板処理装置は、室温のリン酸水溶液と、リン酸水溶液の沸点よりも高い温度を有する高温の硫酸水溶液とを供給配管内で混合して、リン酸と硫酸と水との混合液を生成する。硫酸水溶液と混合されたリン酸水溶液は、硫酸水溶液の熱によって加熱される。さらに、リン酸水溶液と硫酸水溶液とが混合されることにより、希釈熱が発生する。そして、硫酸水溶液と混合されたリン酸水溶液は、硫酸水溶液の熱だけでなく、希釈熱によっても加熱される。従って、混合液に含まれるリン酸水溶液が沸点付近まで加熱され、沸点付近のリン酸水溶液を含む混合液（以下、「処理液」と記載する。）が基板に吐出される。その結果、シリコン窒化膜が形成された基板をエッチング処理する場合に、高い選択比と、高いエッチングレートとを得ることができる。エッチング処理が所定時間にわたって行われると、バルブが閉じられて、ノズルからの混合液の吐出が停止する。 The substrate processing apparatus described in Patent Document 1 is a single-wafer type that processes substrates one by one. Then, the substrate processing apparatus mixes a phosphoric acid aqueous solution at room temperature and a high-temperature sulfuric acid aqueous solution having a temperature higher than the boiling point of the phosphoric acid aqueous solution in the supply pipe to prepare a mixed solution of phosphoric acid, sulfuric acid and water. Generate. The phosphoric acid aqueous solution mixed with the sulfuric acid aqueous solution is heated by the heat of the sulfuric acid aqueous solution. Further, the heat of dilution is generated by mixing the phosphoric acid aqueous solution and the sulfuric acid aqueous solution. Then, the phosphoric acid aqueous solution mixed with the sulfuric acid aqueous solution is heated not only by the heat of the sulfuric acid aqueous solution but also by the heat of dilution. Therefore, the phosphoric acid aqueous solution contained in the mixed solution is heated to near the boiling point, and the mixed solution containing the phosphoric acid aqueous solution near the boiling point (hereinafter, referred to as “treatment solution”) is discharged to the substrate. As a result, a high selectivity and a high etching rate can be obtained when the substrate on which the silicon nitride film is formed is etched. When the etching process is performed for a predetermined time, the valve is closed and the discharge of the mixed solution from the nozzle is stopped.
しかしながら、特許文献１に記載された基板処理装置では、処理中の基板の周囲環境の温度（以下、「環境温度」と記載する。）の変動によって、複数の基板間で、処理結果に若干のバラツキが生じる可能性がある。 However, in the substrate processing apparatus described in Patent Document 1, due to fluctuations in the temperature of the ambient environment of the substrate being processed (hereinafter, referred to as "environmental temperature"), the processing result may be slightly different among the plurality of substrates. There may be variations.
具体的には、処理中の基板の環境温度の変動が、処理液の温度に若干の影響を及ぼす可能性がある。特に、高温の処理液を使用する場合は、環境温度と処理液の温度との差が大きいため、環境温度の変動の影響は、高温でない処理液を使用する場合よりも大きくなる。 Specifically, fluctuations in the environmental temperature of the substrate during processing may have a slight effect on the temperature of the processing liquid. In particular, when a high-temperature treatment liquid is used, the difference between the environmental temperature and the temperature of the treatment liquid is large, so that the influence of fluctuations in the environmental temperature is greater than when a non-high-temperature treatment liquid is used.
環境温度の変動が処理液の温度に若干でも影響を及ぼすと、複数の基板間で、処理結果に若干のバラツキが生じる可能性がある。特に、近年、処理結果の若干のバラツキでさえも抑制することを要求される場合がある。換言すれば、複数の基板間で、処理結果の均一性の更なる向上が要求される場合がある。 If fluctuations in the environmental temperature affect the temperature of the treatment liquid even slightly, there is a possibility that the treatment results may vary slightly among the plurality of substrates. In particular, in recent years, it may be required to suppress even a slight variation in processing results. In other words, it may be required to further improve the uniformity of the processing result among the plurality of substrates.
例えば、一般的に、基板処理装置では、処理液を貯蔵する処理液タンク、および、処理液を基板に供給する準備段階において処理液を循環させる循環配管において、処理液を所定の温度に調整する措置が行われたり、当該処理液の流量および吐出時間を処理工程に応じて所定の値に設定する措置が行われたりしている。しかしながら、例えば環境温度の変動に伴い、実際に基板に投入された処理液の温度は微妙に変動する。その結果、従来装置、特に高温の処理液による処理を行う従来装置においては、処理液タンクおよび循環配管の温度調整を行ったり、処理液の流量および吐出時間の制御を行ったりするにも関わらず、複数の基板間で処理液による処理結果にバラツキが生じるという問題が生じていた。 For example, in general, in a substrate processing apparatus, the processing liquid is adjusted to a predetermined temperature in a processing liquid tank for storing the treatment liquid and a circulation pipe for circulating the treatment liquid in a preparatory stage for supplying the treatment liquid to the substrate. Measures have been taken, and measures have been taken to set the flow rate and discharge time of the treatment liquid to predetermined values according to the treatment process. However, for example, the temperature of the processing liquid actually put into the substrate fluctuates slightly as the environmental temperature fluctuates. As a result, in the conventional device, particularly the conventional device that performs treatment with a high-temperature treatment liquid, the temperature of the treatment liquid tank and the circulation pipe is adjusted, and the flow rate and discharge time of the treatment liquid are controlled. However, there has been a problem that the treatment result by the treatment liquid varies among a plurality of substrates.
そこで、本願の発明者は、積算熱量に着目して、複数の基板間で処理結果にバラツキが生じる原因を詳細に検討した。積算熱量は、基板に投入される処理液の熱量の積算値を表す物理量を示す。具体的には、積算熱量は、処理液の温度の時間積分値によって表される。 Therefore, the inventor of the present application has focused on the integrated heat quantity and investigated in detail the cause of the variation in the processing results among the plurality of substrates. The integrated heat quantity indicates a physical quantity representing an integrated value of the heat quantity of the processing liquid charged to the substrate. Specifically, the integrated heat quantity is represented by the time integral value of the temperature of the processing liquid.
図１２を参照して、積算熱量について説明する。図１２は、一般的な基板処理装置での処理液の温度推移を示す図である。図１２に示すように、横軸は時間を示し、縦軸は処理液の温度を示す。時刻ｔ０は処理液の吐出開始時刻を示し、時刻ｔｅは処理液の吐出終了時刻を示す。温度Ｔｒは環境温度を示す。 The integrated heat quantity will be described with reference to FIG. FIG. 12 is a diagram showing the temperature transition of the processing liquid in a general substrate processing apparatus. As shown in FIG. 12, the horizontal axis represents time and the vertical axis represents the temperature of the treatment liquid. The time t0 indicates the discharge start time of the treatment liquid, and the time te indicates the discharge end time of the treatment liquid. Temperature Tr indicates the environmental temperature.
曲線Ｃ１は、１枚目の基板を処理している時の処理液の温度推移を示す。曲線Ｃ２は、２枚目の基板を処理している時の処理液の温度推移を示す。曲線Ｃ３は、３枚目の基板を処理している時の処理液の温度推移を示す。 The curve C1 shows the temperature transition of the processing liquid when processing the first substrate. Curve C2 shows the temperature transition of the processing liquid when processing the second substrate. Curve C3 shows the temperature transition of the processing liquid when processing the third substrate.
１枚目〜３枚目の基板の処理時間は、一定（ｔｅ−ｔ０）である。そして、曲線Ｃ１及び曲線Ｃ２に示すように、１枚目の基板と２枚目の基板とで、処理液の温度推移は略同一である。従って、１枚目の基板と２枚目の基板とで、積算熱量は、略同一である。その結果、１枚目の基板と２枚目の基板とで、処理結果は略等しい。 The processing time of the first to third substrates is constant (te-t0). Then, as shown in the curves C1 and C2, the temperature transition of the treatment liquid is substantially the same between the first substrate and the second substrate. Therefore, the integrated heat quantity is substantially the same between the first substrate and the second substrate. As a result, the processing results of the first substrate and the second substrate are substantially the same.
しかしながら、曲線Ｃ３に示すように、環境温度の変動の影響を受けたために、ある時間帯において、３枚目の基板に対する処理液の温度が、１枚目の基板に対する処理液の温度よりも若干低い。従って、３枚目の基板に対する積算熱量は、１枚目の基板に対する積算熱量よりも若干小さい。更に、処理結果は積算熱量に依存する。その結果、１枚目の基板と３枚目の基板とで、処理結果が若干異なる可能性がある。 However, as shown in curve C3, the temperature of the treatment liquid for the third substrate is slightly higher than the temperature of the treatment liquid for the first substrate in a certain time zone due to the influence of the fluctuation of the environmental temperature. Low. Therefore, the integrated heat quantity for the third substrate is slightly smaller than the integrated heat quantity for the first substrate. Further, the processing result depends on the integrated heat quantity. As a result, the processing result may be slightly different between the first substrate and the third substrate.
以上、図１２を参照して説明したように、本願の発明者は、環境温度の変動の影響によって積算熱量が複数の基板間で異なると、複数の基板間で処理結果に若干のバラツキが生じる可能性があることを突き止めた。 As described above with reference to FIG. 12, the inventor of the present application causes a slight variation in the processing result among the plurality of substrates when the integrated heat quantity differs among the plurality of substrates due to the influence of the fluctuation of the environmental temperature. I found out that there is a possibility.
そこで、本願の発明者は、積算熱量の観点から、基板処理装置及び基板処理方法について鋭意研究を行った。 Therefore, the inventor of the present application has conducted intensive research on the substrate processing apparatus and the substrate processing method from the viewpoint of the integrated heat quantity.
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、複数の基板間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of improving the uniformity of treatment results by a treatment liquid among a plurality of substrates.
本発明の一局面によれば、基板処理装置は、基板を処理する。基板処理装置は、チャンバーと、ノズルと、供給配管と、バルブと、温度検出部と、制御部とを備える。チャンバーは、前記基板を収容する。ノズルは、前記チャンバー内に配置され、前記基板に向けて処理液を吐出する。供給配管は、前記ノズルに前記処理液を供給する。バルブは、前記ノズルに向かって前記供給配管内を流れる前記処理液を通過させる開状態と、前記供給配管から前記ノズルへの前記処理液の供給を停止する閉状態とに切り替え可能である。温度検出部は、前記チャンバー内の前記処理液の温度を検出する。制御部は、前記処理液の温度に応じた吐出終了時間情報によって示される吐出終了時間に基づいて前記バルブを制御して、前記処理液に基づく積算熱量が所定値になるように前記処理液の吐出時間を制御する。前記積算熱量は、前記基板に投入される前記処理液の熱量の積算値を表す物理量を示す。前記吐出終了時間は、前記処理液の温度に応じた温度プロファイルに基づいて推測された時間である。前記温度プロファイルは、前記処理液によって前記基板を処理する前に予め作成されており、前記処理液と同じ処理液を前記基板と同じ基板に吐出したときに、前記同じ処理液の温度の時間推移を表す。 According to one aspect of the invention, the substrate processing apparatus processes the substrate. The substrate processing device includes a chamber, a nozzle, a supply pipe, a valve, a temperature detection unit, and a control unit. The chamber houses the substrate. The nozzle is arranged in the chamber and discharges the processing liquid toward the substrate. The supply pipe supplies the treatment liquid to the nozzle. The valve can be switched between an open state in which the processing liquid flowing in the supply pipe is passed toward the nozzle and a closed state in which the supply of the treatment liquid from the supply pipe to the nozzle is stopped. The temperature detection unit detects the temperature of the treatment liquid in the chamber. The control unit controls the valve based on the discharge end time indicated by the discharge end time information according to the temperature of the treatment liquid, so that the integrated heat amount based on the treatment liquid becomes a predetermined value of the treatment liquid. Control the discharge time. The integrated heat quantity indicates a physical quantity representing an integrated value of the heat quantity of the processing liquid charged to the substrate. The discharge end time is a time estimated based on a temperature profile corresponding to the temperature of the treatment liquid. The temperature profile is created in advance before treating the substrate with the treatment liquid, and when the same treatment liquid as the treatment liquid is discharged to the same substrate as the substrate, the temperature transition of the temperature of the same treatment liquid is changed over time. Represents.
本発明の基板処理装置において、前記制御部は、前記バルブが前記開状態から前記閉状態になるように、前記吐出終了時間情報の示す前記吐出終了時間に基づいて前記バルブを制御することが好ましい。前記吐出終了時間情報の示す前記吐出終了時間は、前記同じ処理液の温度の時間積分値が前記所定値と等しくなる時間を示すことが好ましい。 In the substrate processing apparatus of the present invention, the control unit is configured so that the valve is in the closed state from the open state, it is preferable to control the valve based on the discharge end time indicated by the ejection end time information .. Is the discharge end time indicated by the previous SL ejection end time information, it is preferable to indicate the time that the time integral value of the temperature of the same treatment solution becomes equal to the predetermined value.
本発明の基板処理装置において、前記制御部は、前記処理液を前記基板に向けて吐出している期間中に選択処理を実行することが好ましい。前記選択処理は、複数の前記吐出終了時間情報から、前記処理液の温度に対応する吐出終了時間情報を選択する処理を示すことが好ましい。前記制御部は、前記選択した吐出終了時間情報の示す前記吐出終了時間に基づいて前記バルブを制御して、前記バルブを前記開状態から前記閉状態にすることが好ましい。前記複数の吐出終了時間情報は、それぞれ、互いに異なる複数の前記温度プロファイルに基づいて予め規定されていることが好ましい。 In the substrate processing apparatus of the present invention, it is preferable that the control unit executes the selection process during the period in which the processing liquid is discharged toward the substrate. It is preferable that the selection process indicates a process of selecting the discharge end time information corresponding to the temperature of the processing liquid from the plurality of discharge end time information. It is preferable that the control unit controls the valve based on the discharge end time indicated by the selected discharge end time information to change the valve from the open state to the closed state. It is preferable that the plurality of discharge end time information is predetermined based on the plurality of temperature profiles that are different from each other.
本発明の基板処理装置において、前記制御部は、前記選択処理を１回だけ実行することが好ましい。 In the substrate processing apparatus of the present invention, it is preferable that the control unit executes the selection process only once.
本発明の基板処理装置において、前記温度検出部は、前記処理液を吐出中の複数の所定検出時刻で前記処理液の温度を検出することが好ましい。前記制御部は、前記所定検出時刻ごとに、前記所定検出時刻で検出された前記処理液の温度に基づいて前記選択処理を実行することが好ましい。 In the substrate processing apparatus of the present invention, it is preferable that the temperature detection unit detects the temperature of the processing liquid at a plurality of predetermined detection times during discharge of the processing liquid. It is preferable that the control unit executes the selection process at each predetermined detection time based on the temperature of the treatment liquid detected at the predetermined detection time.
本発明の基板処理装置において、前記処理液は、燐酸、又は、硫酸過酸化水素水混合液を含むことが好ましい。 In the substrate processing apparatus of the present invention, the treatment liquid preferably contains phosphoric acid or a mixed solution of hydrogen peroxide solution.
本発明の基板処理装置において、複数の前記チャンバーが備えられることが好ましい。前記チャンバーごとに、前記ノズルと前記供給配管と前記バルブと前記温度検出部とが備えられることが好ましい。前記制御部は、前記チャンバーごとに、前記積算熱量が前記所定値になるように前記処理液の吐出時間を制御することが好ましい。 It is preferable that the substrate processing apparatus of the present invention is provided with a plurality of the chambers. It is preferable that each chamber is provided with the nozzle, the supply pipe, the valve, and the temperature detection unit. It is preferable that the control unit controls the discharge time of the processing liquid so that the integrated heat amount becomes the predetermined value for each chamber.
本発明の他の局面によれば、基板処理方法は、基板を処理する方法である。基板処理方法は、チャンバーに収容された前記基板に向けて処理液を吐出する吐出工程と、前記チャンバー内の前記処理液の温度を検出する検出工程と、前記処理液の温度に応じた吐出終了時間情報によって示される吐出終了時間に基づいて、前記処理液に基づく積算熱量が所定値になるように前記処理液の吐出時間を制御する制御工程とを含む。前記積算熱量は、前記基板に投入される前記処理液の熱量の積算値を表す物理量を示す。前記吐出終了時間は、前記処理液の温度に応じた温度プロファイルに基づいて推測された時間である。前記温度プロファイルは、前記処理液によって前記基板を処理する前に予め作成されており、前記処理液と同じ処理液を前記基板と同じ基板に吐出したときに、前記同じ処理液の温度の時間推移を表す。 According to another aspect of the present invention, the substrate processing method is a method of processing a substrate. The substrate processing method includes a discharge step of discharging the treatment liquid toward the substrate housed in the chamber, a detection step of detecting the temperature of the treatment liquid in the chamber, and a discharge end according to the temperature of the treatment liquid. It includes a control step of controlling the discharge time of the treatment liquid so that the integrated heat quantity based on the treatment liquid becomes a predetermined value based on the discharge end time indicated by the time information. The integrated heat quantity indicates a physical quantity representing an integrated value of the heat quantity of the processing liquid charged to the substrate. The discharge end time is a time estimated based on a temperature profile corresponding to the temperature of the treatment liquid. The temperature profile is created in advance before treating the substrate with the treatment liquid, and when the same treatment liquid as the treatment liquid is discharged to the same substrate as the substrate, the temperature transition of the temperature of the same treatment liquid is changed over time. Represents.
本発明の基板処理方法において、前記制御工程は、前記吐出終了時間情報の示す前記吐出終了時間に基づいて前記処理液の吐出を終了する終了工程を含むことが好ましい。前記吐出終了時間情報の示す前記吐出終了時間は、前記同じ処理液の温度の時間積分値が前記所定値と等しくなる時間を示すことが好ましい。 In the substrate processing method of the present invention, the control step preferably includes a termination step of terminating the discharge of the processing liquid based on the ejection end time indicated by the ejection end time information. Is the discharge end time indicated by the previous SL ejection end time information, it is preferable to indicate the time that the time integral value of the temperature of the same treatment solution becomes equal to the predetermined value.
本発明の基板処理方法において、前記制御工程は、前記処理液を前記基板に向けて吐出している期間中に選択処理を実行する選択工程をさらに含むことが好ましい。前記選択処理は、複数の前記吐出終了時間情報から、前記処理液の温度に対応する吐出終了時間情報を選択する処理を示すことが好ましい。前記終了工程では、前記選択した吐出終了時間情報の示す前記吐出終了時間に基づいて前記処理液の吐出を終了することが好ましい。前記複数の吐出終了時間情報は、それぞれ、互いに異なる複数の前記温度プロファイルに基づいて予め規定されていることが好ましい。 In the substrate processing method of the present invention, it is preferable that the control step further includes a selection step of executing the selection process during the period in which the treatment liquid is discharged toward the substrate. It is preferable that the selection process indicates a process of selecting the discharge end time information corresponding to the temperature of the processing liquid from the plurality of discharge end time information. In the end step, it is preferable to end the discharge of the treatment liquid based on the discharge end time indicated by the selected discharge end time information. It is preferable that the plurality of discharge end time information is predetermined based on the plurality of temperature profiles that are different from each other.
本発明の基板処理方法において、前記選択工程では、前記選択処理を１回だけ実行することが好ましい。 In the substrate processing method of the present invention, it is preferable to execute the selection process only once in the selection step.
本発明の基板処理方法において、前記検出工程では、前記処理液を吐出中の複数の所定検出時刻で前記処理液の温度を検出することが好ましい。前記選択工程では、前記所定検出時刻ごとに、前記所定検出時刻で検出された前記処理液の温度に基づいて前記選択処理を実行することが好ましい。 In the substrate processing method of the present invention, in the detection step, it is preferable to detect the temperature of the processing liquid at a plurality of predetermined detection times during discharge of the processing liquid. In the selection step, it is preferable to execute the selection process at each predetermined detection time based on the temperature of the treatment liquid detected at the predetermined detection time.
本発明の基板処理方法において、前記処理液は、燐酸、又は、硫酸過酸化水素水混合液を含むことが好ましい。 In the substrate treatment method of the present invention, the treatment liquid preferably contains phosphoric acid or a mixed solution of hydrogen peroxide solution.
本発明の基板処理方法において、前記制御工程では、複数の前記基板をそれぞれ収容する複数の前記チャンバーごとに、前記積算熱量が前記所定値になるように前記処理液の吐出時間を制御することが好ましい。 In the substrate processing method of the present invention, in the control step, the discharge time of the processing liquid can be controlled so that the integrated heat quantity becomes the predetermined value for each of the plurality of chambers accommodating the plurality of substrates. preferable.
本発明によれば、複数の基板間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる。 According to the present invention, the uniformity of the treatment result by the treatment liquid can be improved among a plurality of substrates.
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are designated by the same reference numerals and the description is not repeated.
（実施形態１）
図１〜図５を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理装置１００について説明する。図１は、基板処理装置１００を示す図である。図１に示すように、基板処理装置１００は基板Ｗを処理する。具体的には、基板処理装置１００は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型である。基板処理装置１００は、チャンバー１と、ノズル３と、供給配管５と、バルブ７と、温度検出部９と、制御部１１と、記憶部１３とを備える。
(Embodiment 1)
The
チャンバー１は基板Ｗを収容する。基板Ｗは、実施形態１では、略円板状である。ノズル３はチャンバー１内に配置される。ノズル３は、基板Ｗに向けて処理液を吐出する。処理液は薬液である。例えば、基板処理装置１００が、シリコン窒化膜が形成された基板に対してエッチング処理を実行する場合は、処理液は燐酸を含む。例えば、基板処理装置１００が、レジストの除去処理を実行する場合は、処理液は硫酸過酸化水素水混合液（ｓｕｌｆｕｒｉｃ ａｃｉｄ／ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｐｅｒｏｘｉｄｅ ｍｉｘｔｕｒｅ：ＳＰＭ）を含む。燐酸又はＳＰＭを含む処理液は、高温で使用される処理液の一例である。
The chamber 1 houses the substrate W. In the first embodiment, the substrate W has a substantially disk shape. The
供給配管５はノズル３に接続される。供給配管５はノズル３に処理液を供給する。供給配管５に供給される処理液の温度は、室温よりも高い規定温度（以下、「規定温度ＴＭ」と記載する。）以上の特定温度に維持されている。規定温度ＴＭは、基板Ｗに対して規定の処理レート（例えば、規定のエッチングレート又は規定の対象物除去レート）を実現できる温度を示す。換言すれば、規定温度ＴＭは、基板Ｗに対して、規定時間内に規定の処理結果（例えば、規定のエッチング量又は規定の対象物除去量）を達成できる温度を示す。規定温度ＴＭは、燐酸を含む処理液では、例えば、１７５℃である。規定温度ＴＭは、ＳＰＭを含む処理液では、例えば、２００℃である。
The
バルブ７は供給配管５に配置される。バルブ７は、開閉バルブであり、開状態と閉状態とに切り替え可能である。開状態とは、ノズル３に向かって供給配管５内を流れる処理液を通過させる状態のことである。閉状態とは、供給配管５からノズル３への処理液の供給を停止する状態のことである。
The valve 7 is arranged in the
温度検出部９は、チャンバー１内の処理液の温度を検出する。実施形態１では、温度検出部９は、供給配管５内の処理液の温度を検出する。具体的には、温度検出部９の測温部（不図示）が供給配管５内の処理液に接触して、処理液の温度を検出する。温度検出部９は、ノズル３の近傍で供給配管５内の処理液の温度を検出することが好ましい。温度検出部９が温度を検出する位置がノズル３に近いほど、検出された温度が、基板Ｗ上の処理液の温度に近くなるからである。
The
例えば、温度検出部９は温度センサーを含む。温度センサーは、例えば、熱電対及び計測器を含む。具体的には、熱電対が供給配管５に挿入される。そして、熱電対が、供給配管５内の処理液の温度を検出して、温度に対応する電圧信号を計測器に出力する。計測器は、電圧信号を温度に変換して、温度を示す情報を制御部１１に出力する。計測器は、チャンバー１内に配置されていてもよいし、チャンバー１外に配置されていてもよい。熱電対の測温接点は、供給配管５内において、ノズル３の近傍に配置することが好ましい。測温接点は温度検出部９の測温部に相当する。なお、温度検出部９は、供給配管５の外面の温度を検出することによって、処理液の温度を間接的に検出してもよい。また、例えば、温度検出部９は、ノズル３の内部で処理液の温度を検出してもよいし、ノズル３の外面の温度を検出することによって処理液の温度を間接的に検出してもよい。
For example, the
温度検出部９がチャンバー１内で処理液の温度を検出する限りにおいては、供給配管５以外の位置及びノズル３以外の位置で処理液の温度を検出してもよい。例えば、温度検出部９は、処理液が基板Ｗに吐出された後に基板Ｗ上の処理液の温度を検出してもよい。基板Ｗ上の処理液の温度を検出する場合、例えば、温度検出部９は放射温度計を含む。放射温度計は、基板Ｗに吐出された処理液から放射される赤外線又は可視光線の強度を測定して、基板Ｗに吐出された処理液の温度を測定する。そして、放射温度計は、処理液の温度を示す信号を制御部１１に出力する。
As long as the
制御部１１は、基板Ｗに向けて処理液を吐出している期間中に温度検出部９によって検出された処理液の温度に基づいて、処理液の吐出時間を制御する。具体的には、制御部１１は、処理液の温度に基づいてバルブ７を制御して、処理液に基づく積算熱量が所定値ＰＶになるように処理液の吐出時間を制御する。制御部１１の制御によって「積算熱量が所定値になること」は、「積算熱量が所定値に略等しくなること」を示す。所定値ＰＶは、処理液による規定の処理結果を達成できるように、例えば、実験的及び／又は経験的に定められる。
The
図２を参照して、積算熱量について説明する。図２は、処理液の温度推移を示す図である。図２に示すように、横軸は時間を示し、縦軸は処理液の温度を示す。温度Ｔｒは、基板Ｗの周囲環境の温度（以下、「環境温度」と記載する。）を示す。 The integrated heat quantity will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a diagram showing the temperature transition of the treatment liquid. As shown in FIG. 2, the horizontal axis represents time and the vertical axis represents the temperature of the treatment liquid. The temperature Tr indicates the temperature of the ambient environment of the substrate W (hereinafter, referred to as “environmental temperature”).
曲線Ｃは、処理液によって基板Ｗを処理している時の処理液の温度推移を示す。処理液の温度は、温度検出部９によって検出された温度を示している。時刻ｔ０で処理液の吐出が開始される。従って、時刻ｔ０で処理液が温度検出部９の測温部に接触する。その結果、温度検出部９によって検出された処理液の温度が急峻に上昇する。さらに、時刻ｔｅで処理液の吐出が終了するとともに処理液がサックバック（吸引）される。従って、時刻ｔｅで処理液が測温部から離間する。その結果、温度検出部９によって検出された処理液の温度は急峻に下降する。
The curve C shows the temperature transition of the treatment liquid when the substrate W is treated with the treatment liquid. The temperature of the treatment liquid indicates the temperature detected by the
曲線Ｃで囲まれた領域（斜線領域）の面積が積算熱量を示す。基板Ｗを処理している時の処理液の温度は、基板Ｗに投入される処理液の熱量に略比例するからである。具体的には、積算熱量は、基板Ｗを処理している時の処理液の温度の積算値によって表される。換言すれば、積算熱量は、処理液の温度の時間積分値によって表される。図２を参照して説明される例では、積算熱量は、時刻ｔ０から時刻ｔｅまでの処理液の温度の時間積分値によって表されている。更に換言すれば、積算熱量は、基板Ｗに投入される処理液の熱量の積算値を表す物理量を示す。 The area of the region (diagonal line region) surrounded by the curve C indicates the integrated heat quantity. This is because the temperature of the processing liquid when processing the substrate W is substantially proportional to the amount of heat of the processing liquid charged into the substrate W. Specifically, the integrated heat quantity is represented by the integrated value of the temperature of the processing liquid when the substrate W is being processed. In other words, the integrated heat quantity is represented by the time integral value of the temperature of the treatment liquid. In the example described with reference to FIG. 2, the integrated heat quantity is represented by the time integral value of the temperature of the processing liquid from time t0 to time te. In other words, the integrated heat quantity indicates a physical quantity representing an integrated value of the heat quantity of the processing liquid charged into the substrate W.
なお、時刻ｔ０では、温度検出部９によって検出された処理液の温度が規定温度ＴＭ以上である。従って、図２において、積算熱量の積算開始時刻は、処理液の温度が規定温度ＴＭ以上である期間中のいずれかの時刻である。積算熱量の積算終了時刻は、処理液の吐出が終了した時刻である。
At time t0, the temperature of the processing liquid detected by the
以上、図１及び図２を参照して説明したように、実施形態１によれば、制御部１１は、処理液の温度に基づいてバルブ７を制御して、積算熱量が所定値ＰＶになるように処理液の吐出時間を制御する。例えば、温度検出部９によって検出された処理液の温度が、処理液の基準温度に略等しい場合には、処理液の吐出時間を所定時間ＰＴに設定して、積算熱量を所定値ＰＶにする。処理液の基準温度は、基板Ｗを処理する時の処理液の温度の基準値を示す。例えば、検出された処理液の温度が、処理液の基準温度よりも低い場合には、処理液の吐出時間を所定時間ＰＴよりも長くして、積算熱量を所定値ＰＶにする。例えば、検出された処理液の温度が、処理液の基準温度よりも高い場合には、処理液の吐出時間を所定時間ＰＴよりも短くして、積算熱量を所定値ＰＶにする。
As described above with reference to FIGS. 1 and 2, according to the first embodiment, the
従って、基板Ｗの環境温度が変動した場合でも、積算熱量は所定値ＰＶになる。つまり、複数の基板Ｗ間で、１枚の基板Ｗに対する積算熱量は一定である。従って、処理液による基板Ｗの処理結果が環境温度に依存することが抑制される。その結果、複数の基板Ｗ間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる。換言すれば、複数の基板Ｗ間で、処理液による処理結果のバラツキを抑制できる。 Therefore, even if the environmental temperature of the substrate W fluctuates, the integrated heat quantity becomes a predetermined value PV. That is, the integrated heat amount for one substrate W is constant among the plurality of substrates W. Therefore, it is suppressed that the treatment result of the substrate W by the treatment liquid depends on the environmental temperature. As a result, the uniformity of the treatment result by the treatment liquid can be improved among the plurality of substrates W. In other words, it is possible to suppress variations in the treatment results due to the treatment liquid among the plurality of substrates W.
また、実施形態１によれば、制御部１１の制御は、高温の処理液（例えば、燐酸を含む処理液又はＳＰＭを含む処理液）を使用する場合に特に有効である。高温の処理液を使用する場合は、環境温度と処理液の温度との差が大きいため、環境温度の変動が処理液の温度に及ぼす影響は、高温でない処理液を使用する場合よりも大きくなるからである。実施形態１によれば、高温の処理液を使用する場合でも、複数の基板Ｗ間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる。
Further, according to the first embodiment, the control of the
次に、図１及び図３を参照して制御部１１について更に具体的に説明する。図１に示すように、制御部１１は、吐出終了時間情報ＳＴに基づいて処理液の吐出時間を制御する。吐出終了時間情報ＳＴは、温度プロファイルに基づいて予め規定され、積算熱量が所定値ＰＶになるときの処理液の吐出終了時間を示す。吐出終了時間情報ＳＴの示す吐出終了時間は、処理液の吐出終了時刻を特定する時間を示す。つまり、吐出終了時間情報ＳＴは、処理液の吐出終了時刻を特定する。
Next, the
具体的には、制御部１１は、処理液の吐出開始後に、バルブ７が開状態から閉状態になるように、吐出終了時間情報ＳＴに基づいてバルブ７を制御する。更に具体的には、処理液を吐出している時の現在の時刻が、吐出終了時間情報ＳＴによって特定される吐出終了時刻に一致した時に、制御部１１は、開状態から閉状態になるようにバルブ７を制御する。その結果、積算熱量が所定値ＰＶになった時に処理液の吐出が終了する。
Specifically, the
次に、図３を参照して、温度プロファイルＰＦ及び吐出終了時間情報ＳＴについて説明する。図３は、温度プロファイルＰＦを示す図である。図３に示すように、横軸は時間を示し、縦軸は処理液の温度を示す。時刻ｔ０は処理液の吐出開始時刻を示す。時刻ｔｅ１、時刻ｔｅ２、及び時刻ｔｅ３は、処理液の吐出終了時刻を示す。温度Ｔｒは環境温度を示す。処理液の温度は、温度検出部９によって検出された温度を示している。
Next, the temperature profile PF and the discharge end time information ST will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a diagram showing a temperature profile PF. As shown in FIG. 3, the horizontal axis represents time and the vertical axis represents the temperature of the treatment liquid. The time t0 indicates the discharge start time of the processing liquid. Time te1, time te2, and time te3 indicate the discharge end time of the processing liquid. Temperature Tr indicates the environmental temperature. The temperature of the treatment liquid indicates the temperature detected by the
温度プロファイルＰＦの各々は、基板Ｗを処理する前に実験的及び／又は経験的に予め作成されている。温度プロファイルＰＦの各々は、基板Ｗに吐出する処理液と同じ処理液（以下、「同一処理液ＳＬ」と記載する。）を基板Ｗと同じ基板に吐出したときに、同一処理液ＳＬの温度の時間推移を表す。 Each of the temperature profiles PF is experimentally and / or empirically pre-made prior to processing the substrate W. Each of the temperature profile PFs is the temperature of the same treatment liquid SL when the same treatment liquid as the treatment liquid discharged to the substrate W (hereinafter, referred to as “same treatment liquid SL”) is discharged to the same substrate as the substrate W. Represents the time transition of.
換言すれば、温度プロファイルＰＦの各々は、吐出中の同一処理液ＳＬの温度と吐出経過時間との関係を表している。そして、同一処理液ＳＬに基づく積算熱量が所定値ＰＶになるように、つまり、同一処理液ＳＬの温度の時間積分値が所定値ＰＶになるように、温度プロファイルＰＦの各々が規定される。複数の温度プロファイルＰＦの始点時刻（例えばｔ０）は互いに同一である。温度プロファイルＰＦの始点時刻は、同一処理液ＳＬの温度が規定温度ＴＭ以上である期間中のいずれかの時刻である。実施形態１では、吐出開始時刻ｔ０が温度プロファイルＰＦの各々の始点時刻と一致する。複数の温度プロファイルＰＦの終点時刻（例えば、ｔｅ１〜ｔｅ３）は互いに異なる。温度プロファイルＰＦの終点時刻は、積算熱量が所定値ＰＶになった時刻である。 In other words, each of the temperature profiles PF represents the relationship between the temperature of the same processing liquid SL during discharge and the elapsed discharge time. Then, each of the temperature profile PFs is defined so that the integrated heat quantity based on the same treatment liquid SL becomes a predetermined value PV, that is, the time integral value of the temperature of the same treatment liquid SL becomes a predetermined value PV. The start point times (for example, t0) of the plurality of temperature profiles PF are the same as each other. The start point time of the temperature profile PF is any time during the period in which the temperature of the same processing liquid SL is equal to or higher than the specified temperature TM. In the first embodiment, the discharge start time t0 coincides with the start point time of each of the temperature profile PFs. The end time points (for example, te1 to te3) of the plurality of temperature profiles PF are different from each other. The end point time of the temperature profile PF is the time when the integrated heat quantity reaches the predetermined value PV.
吐出終了時間情報ＳＴの示す吐出終了時間は、温度プロファイルＰＦの各々において、同一処理液ＳＬの温度の時間積分値が所定値ＰＶと等しくなる時間を示す。従って、実施形態１によれば、温度プロファイルＰＦを予め作成することによって、吐出終了時間情報ＳＴを容易に規定できる。 The discharge end time indicated by the discharge end time information ST indicates the time when the time integral value of the temperature of the same processing liquid SL becomes equal to the predetermined value PV in each of the temperature profile PFs. Therefore, according to the first embodiment, the discharge end time information ST can be easily defined by creating the temperature profile PF in advance.
具体的には、吐出終了時間情報ＳＴは、温度プロファイルＰＦごとに異なっている。つまり、複数の吐出終了時間情報ＳＴは、それぞれ、互いに異なる複数の温度プロファイルＰＦに基づいて予め規定されている。複数の温度プロファイルＰＦにおいて、同一処理液ＳＬの温度の最大値は異なっている。従って、複数の温度プロファイルＰＦは、互いに異なる温度条件で作成されている。また、実施形態１では、吐出終了時間情報ＳＴの示す吐出終了時間は、温度プロファイルＰＦの始点時刻から終点時刻までの時間を示す。 Specifically, the discharge end time information ST is different for each temperature profile PF. That is, the plurality of discharge end time information STs are predetermined based on a plurality of temperature profiles PFs that are different from each other. In a plurality of temperature profiles PF, the maximum value of the temperature of the same treatment liquid SL is different. Therefore, the plurality of temperature profiles PF are created under different temperature conditions. Further, in the first embodiment, the discharge end time indicated by the discharge end time information ST indicates the time from the start point time to the end point time of the temperature profile PF.
複数の温度プロファイルＰＦのうち、温度プロファイルＰＦ１から規定される吐出終了時間情報ＳＴを「吐出終了時間情報ＳＴ１」と記載し、温度プロファイルＰＦ２から規定される吐出終了時間情報ＳＴを「吐出終了時間情報ＳＴ２」と記載し、温度プロファイルＰＦ３から規定される吐出終了時間情報ＳＴを「吐出終了時間情報ＳＴ３」と記載する場合がある。 Of the plurality of temperature profiles PF, the discharge end time information ST defined by the temperature profile PF1 is described as "discharge end time information ST1", and the discharge end time information ST specified by the temperature profile PF2 is referred to as "discharge end time information". It may be described as "ST2", and the discharge end time information ST defined by the temperature profile PF3 may be described as "discharge end time information ST3".
吐出終了時間情報ＳＴ１は、温度プロファイルＰＦ１において、同一処理液ＳＬの吐出開始時刻ｔ０から吐出終了時刻ｔｅ１までの時間（吐出終了時間）を示す。吐出終了時刻ｔｅ１が温度プロファイルＰＦ１の終点時刻である。つまり、吐出終了時間情報ＳＴ１は、温度プロファイルＰＦ１の始点時刻から終点時刻までの時間（吐出終了時間）を示す。 The discharge end time information ST1 indicates the time (discharge end time) from the discharge start time t0 of the same processing liquid SL to the discharge end time te1 in the temperature profile PF1. The discharge end time te1 is the end point time of the temperature profile PF1. That is, the discharge end time information ST1 indicates the time (discharge end time) from the start point time to the end point time of the temperature profile PF1.
吐出終了時間情報ＳＴ２は、温度プロファイルＰＦ２において、同一処理液ＳＬの吐出開始時刻ｔ０から吐出終了時刻ｔｅ２までの時間（吐出終了時間）を示す。吐出終了時刻ｔｅ２が温度プロファイルＰＦ２の終点時刻である。つまり、吐出終了時間情報ＳＴ２は、温度プロファイルＰＦ２の始点時刻から終点時刻までの時間（吐出終了時間）を示す。 The discharge end time information ST2 indicates the time (discharge end time) from the discharge start time t0 of the same processing liquid SL to the discharge end time te2 in the temperature profile PF2. The discharge end time te2 is the end point time of the temperature profile PF2. That is, the discharge end time information ST2 indicates the time (discharge end time) from the start point time to the end point time of the temperature profile PF2.
吐出終了時間情報ＳＴ３は、温度プロファイルＰＦ３において、同一処理液ＳＬの吐出開始時刻ｔ０から吐出終了時刻ｔｅ３までの時間（吐出終了時間）を示す。吐出終了時刻ｔｅ３が温度プロファイルＰＦ３の終点時刻である。つまり、吐出終了時間情報ＳＴ３は、温度プロファイルＰＦ３の始点時刻から終点時刻までの時間（吐出終了時間）を示す。 The discharge end time information ST3 indicates the time (discharge end time) from the discharge start time t0 of the same processing liquid SL to the discharge end time te3 in the temperature profile PF3. The discharge end time te3 is the end point time of the temperature profile PF3. That is, the discharge end time information ST3 indicates the time (discharge end time) from the start point time to the end point time of the temperature profile PF3.
制御部１１は、複数の吐出終了時間情報ＳＴから、いずれかの吐出終了時間情報ＳＴを選択する。つまり、制御部１１は、処理液を基板Ｗに向けて吐出している期間中に選択処理を実行する。選択処理は、複数の吐出終了時間情報ＳＴから、処理液の温度に対応する吐出終了時間情報ＳＴを選択する処理を示す。具体的には、選択処理は、複数の温度プロファイルＰＦのうち処理液の温度に最も近い温度プロファイルＰＦから規定された吐出終了時間情報ＳＴを、複数の吐出終了時間情報ＳＴから選択する処理を示す。処理液の温度は、処理液を吐出している期間中に、温度検出部９によって検出された処理液の温度を示す。
The
そして、制御部１１は、選択した吐出終了時間情報ＳＴに基づいてバルブ７を制御して、バルブ７を開状態から閉状態にする。その結果、積算熱量が所定値ＰＶになった時に処理液の吐出が終了する。
Then, the
以上、図１及び図３を参照して説明したように、実施形態１によれば、処理液を基板Ｗに向けて吐出している期間中に選択処理を実行して、処理液の温度に対応する吐出終了時間情報ＳＴを選択する。従って、吐出中の処理液の温度に応じた更に適切な吐出終了時間情報ＳＴに基づいて処理液の吐出時間を制御できる。その結果、複数の基板Ｗ間で、処理液による処理結果の均一性を更に向上できる。 As described above with reference to FIGS. 1 and 3, according to the first embodiment, the selection process is executed during the period in which the treatment liquid is discharged toward the substrate W to bring the temperature of the treatment liquid to the temperature of the treatment liquid. Select the corresponding discharge end time information ST. Therefore, the discharge time of the treatment liquid can be controlled based on the more appropriate discharge end time information ST according to the temperature of the treatment liquid being discharged. As a result, the uniformity of the treatment result by the treatment liquid can be further improved among the plurality of substrates W.
引き続き図３を参照して具体例を挙げながら、温度プロファイルＰＦに基づく吐出終了時間の推測について説明する。一例として、処理液（以下、吐出終了時間の推測の説明において「処理液Ｑ」と記載する。）を基板Ｗに吐出している期間において、温度プロファイルＰＦ１〜ＰＦ３の時間軸と同じ時間軸上の時刻ｘ１で検出された処理液Ｑの温度が「Ｔｄ」である場合を説明する。この場合、時刻ｘ１での温度プロファイルＰＦ１上の処理液の温度は「Ｔ１」である。時刻ｘ２での温度プロファイルＰＦ２上の処理液の温度は「Ｔ２」である。時刻ｘ１での温度プロファイルＰＦ３上の処理液の温度は「Ｔ３」である。 Subsequently, with reference to FIG. 3, the estimation of the discharge end time based on the temperature profile PF will be described with reference to a specific example. As an example, on the same time axis as the time axis of the temperature profiles PF1 to PF3 during the period in which the treatment liquid (hereinafter, referred to as “treatment liquid Q” in the description of estimating the discharge end time) is discharged to the substrate W. The case where the temperature of the processing liquid Q detected at the time x1 of the above is "Td" will be described. In this case, the temperature of the treatment liquid on the temperature profile PF1 at time x1 is "T1". The temperature of the treatment liquid on the temperature profile PF2 at time x2 is "T2". The temperature of the treatment liquid on the temperature profile PF3 at time x1 is "T3".
そして、温度Ｔ１〜温度Ｔ３のうち処理液Ｑの温度Ｔｄに最も近い温度に対応する温度プロファイルＰＦは、時刻ｘ１で温度Ｔｄを有する処理液Ｑの温度推移に近似する。例えば、温度Ｔ１〜温度Ｔ３のうち処理液Ｑの温度Ｔｄに最も近い温度が温度Ｔ１である場合、時刻ｘ１で温度Ｔ１を有する温度プロファイルＰＦ１は、処理液Ｑの温度推移に近似する。加えて、温度プロファイルＰＦ１は、積算熱量が所定値ＰＶになるように規定されている。 Then, the temperature profile PF corresponding to the temperature closest to the temperature Td of the processing liquid Q among the temperatures T1 to T3 approximates the temperature transition of the processing liquid Q having the temperature Td at time x1. For example, when the temperature T1 is the closest to the temperature Td of the treatment liquid Q among the temperatures T1 to T3, the temperature profile PF1 having the temperature T1 at time x1 approximates the temperature transition of the treatment liquid Q. In addition, the temperature profile PF1 is defined so that the integrated heat quantity becomes a predetermined value PV.
従って、処理液Ｑに基づく積算熱量が所定値ＰＶになるときの吐出終了時間は、温度プロファイルＰＦ１の始点時刻ｔ０から終点時刻ｔｅ１までの時間（つまり、吐出終了時間情報ＳＴ１の示す吐出終了時間）に略一致することが推測できる。つまり、制御部１１は、処理液Ｑの温度と温度プロファイルＰＦ１とに基づいて、処理液Ｑの吐出終了時間を推測できる。
Therefore, the discharge end time when the integrated heat quantity based on the processing liquid Q reaches the predetermined value PV is the time from the start point time t0 to the end point time te1 of the temperature profile PF1 (that is, the discharge end time indicated by the discharge end time information ST1). It can be inferred that it is almost the same as. That is, the
その結果、制御部１１は、時刻ｘ１で処理液Ｑの温度に最も近い温度プロファイルＰＦ１から規定された吐出終了時間情報ＳＴ１に基づいてバルブ７を開状態から閉状態にすることで、処理液Ｑに基づく積算熱量を所定値ＰＶにすることができる。
As a result, the
次に、図３及び図４を参照して、制御部１１が選択処理で参照する吐出終了時間テーブルＴＢについて説明する。図４は、吐出終了時間テーブルＴＢを示す図である。図３及び図４に示すように、記憶部１３は吐出終了時間テーブルＴＢを記憶する。吐出終了時間テーブルＴＢは、所定検出時刻ｘ１に対して定められ、複数の参照温度（実施形態１では、参照温度Ｔ１〜参照温度Ｔ３）をそれぞれ複数の吐出終了時間情報ＳＴ（実施形態１では、吐出終了時間情報ＳＴ１〜吐出終了時間情報ＳＴ３）と関連付けている。
Next, the discharge end time table TB referred to by the
吐出終了時間テーブルＴＢにおいて、参照温度Ｔ１は、所定検出時刻ｘ１における温度プロファイルＰＦ１上の温度Ｔ１を示す。そして、吐出終了時間情報ＳＴ１は、温度プロファイルＰＦ１の始点時刻ｔ０から終点時刻ｔｅ１までの時間を示す。 In the discharge end time table TB, the reference temperature T1 indicates the temperature T1 on the temperature profile PF1 at the predetermined detection time x1. Then, the discharge end time information ST1 indicates the time from the start point time t0 to the end point time te1 of the temperature profile PF1.
吐出終了時間テーブルＴＢにおいて、参照温度Ｔ２は、所定検出時刻ｘ１における温度プロファイルＰＦ２上の温度Ｔ２を示す。そして、吐出終了時間情報ＳＴ２は、温度プロファイルＰＦ２の始点時刻ｔ０から終点時刻ｔｅ２までの時間を示す。 In the discharge end time table TB, the reference temperature T2 indicates the temperature T2 on the temperature profile PF2 at the predetermined detection time x1. Then, the discharge end time information ST2 indicates the time from the start point time t0 to the end point time te2 of the temperature profile PF2.
吐出終了時間テーブルＴＢにおいて、参照温度Ｔ３は、所定検出時刻ｘ１における温度プロファイルＰＦ３上の温度Ｔ３を示す。そして、吐出終了時間情報ＳＴ３は、温度プロファイルＰＦ３の始点時刻ｔ０から終点時刻ｔｅ３までの時間を示す。 In the discharge end time table TB, the reference temperature T3 indicates the temperature T3 on the temperature profile PF3 at the predetermined detection time x1. Then, the discharge end time information ST3 indicates the time from the start point time t0 to the end point time te3 of the temperature profile PF3.
制御部１１は、選択処理において、吐出終了時間テーブルＴＢを参照して、処理液の温度に最も近い参照温度に関連付けられた吐出終了時間情報ＳＴを選択する。従って、実施形態１によれば、簡素な処理によって、複数の吐出終了時間情報ＳＴから適切な吐出終了時間情報ＳＴを容易に選択できる。
In the selection process, the
なお、実施形態１では、３つの温度プロファイルＰＦ（温度プロファイルＰＦ１〜ＰＦ３）を作成したため、吐出終了時間テーブルＴＢは３つの参照温度（参照温度Ｔ１〜Ｔ３）を有していた。ただし、温度プロファイルＰＦの数は、２以上であれば、特に限定されないし、参照温度の数も、温度プロファイルＰＦの数に対応して２以上であれば、特に限定されない。積算熱量が更に精度良く所定値ＰＶになるように制御するためには、温度プロファイルＰＦの数と参照温度の数とは多い程好ましい。吐出中の処理液の温度に更に近似した参照温度を選択できるからである。 In the first embodiment, since the three temperature profiles PF (temperature profiles PF1 to PF3) were created, the discharge end time table TB had three reference temperatures (reference temperatures T1 to T3). However, the number of temperature profile PFs is not particularly limited as long as it is 2 or more, and the number of reference temperatures is not particularly limited as long as it is 2 or more corresponding to the number of temperature profile PFs. In order to control the integrated heat quantity to be a predetermined value PV with higher accuracy, it is preferable that the number of temperature profile PFs and the number of reference temperatures are large. This is because a reference temperature that is closer to the temperature of the processing liquid being discharged can be selected.
次に、図１及び図５を参照して、基板処理装置１００が実行する基板処理方法について説明する。図５は、基板処理方法を示すフローチャートである。図５に示すように、基板処理方法は、基板Ｗを処理する方法であり、工程Ｓ１〜工程Ｓ７を含む。
Next, the substrate processing method executed by the
工程Ｓ１において、温度検出部９は、処理液の温度の検出を開始する。そして、温度検出部９は、処理液を基板Ｗに吐出する期間中に、処理液の温度を検出する。温度検出部９は、処理液の温度を示す情報を制御部１１に出力する。工程Ｓ１は、「チャンバー１内の処理液の温度を検出する検出工程」の一例に相当する。
In step S1, the
工程Ｓ３において、ノズル３は、基板Ｗに向けて処理液の吐出を開始する。具体的には、制御部１１は、バルブ７が閉状態から開状態になるように、バルブ７を制御する。工程Ｓ３は、「チャンバー１に収容された基板Ｗに向けて処理液を吐出する吐出工程」の一例に相当する。
In step S3, the
工程Ｓ５において、制御部１１は、現在の時刻が所定検出時刻ｘ１になったか否かを判定する。
In step S5, the
否定判定がされた場合（工程Ｓ５でＮｏ）、処理は工程Ｓ５で待機する。 If a negative determination is made (No in step S5), the process waits in step S5.
一方、肯定判定がされた場合（工程Ｓ５でＹｅｓ）、処理は工程Ｓ７に進む。 On the other hand, if an affirmative determination is made (Yes in step S5), the process proceeds to step S7.
工程Ｓ７において、制御部１１は、所定検出時刻ｘ１で検出された処理液の温度に基づいて、処理液に基づく積算熱量が所定値ＰＶになるように処理液の吐出時間を制御する。工程Ｓ９は「制御工程」の一例に相当する。
In step S7, the
具体的には、工程Ｓ７は、工程Ｓ７１〜工程Ｓ７５を含む。 Specifically, step S7 includes steps S71 to S75.
工程Ｓ７１において、制御部１１は選択処理を実行する。具体的には、制御部１１は、吐出終了時間テーブルＴＢ（図４）を参照して、処理液の温度に最も近い参照温度に関連付けられた吐出終了時間情報ＳＴを選択する。工程Ｓ７１は「処理液を基板Ｗに向けて吐出している期間中に選択処理を実行する選択工程」の一例に相当する。
In step S71, the
工程Ｓ７３において、現在の時刻が、選択された吐出終了時間情報ＳＴによって特定される吐出終了時刻になったか否かを、制御部１１は判定する。
In step S73, the
否定判定がされた場合（工程Ｓ７３でＮｏ）、処理は工程Ｓ７３で待機する。従って、制御部１１は、選択処理を１回だけ実行する。
If a negative determination is made (No in step S73), the process waits in step S73. Therefore, the
一方、肯定判定がされた場合（工程Ｓ７３でＹｅｓ）、処理は工程Ｓ７５に進む。 On the other hand, if an affirmative determination is made (Yes in step S73), the process proceeds to step S75.
工程Ｓ７５において、ノズル３は、処理液の吐出を終了する。具体的には、制御部１１は、バルブ７が開状態から閉状態になるように、バルブ７を制御する。工程Ｓ７５は、「吐出終了時間情報ＳＴに基づいて処理液の吐出を終了する終了工程」の一例に相当する。
In step S75, the
以上、図１及び図５を参照して説明したように、実施形態１によれば、制御部１１は、選択処理を１回だけ実行する。従って、簡素な処理によって、複数の基板Ｗ間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる。
As described above with reference to FIGS. 1 and 5, according to the first embodiment, the
なお、制御部１１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）のようなプロセッサーを含む。記憶部１３は、記憶装置を含み、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。記憶部１３は、半導体メモリーのような主記憶装置と、半導体メモリー及び／又はハードディスクドライブのような補助記憶装置とを含む。記憶部１３は、リムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部１１のプロセッサーは、記憶部１３の記憶装置が記憶しているコンピュータープログラムを実行して、基板処理方法を実行する。
The
（変形例）
図１、図６、及び図７を参照して、実施形態１の変形例に係る基板処理装置１００について説明する。変形例が複数回の選択処理を実行する点で、変形例は実施形態１と異なる。以下、変形例が実施形態１と異なる点を主に説明する。
(Modification example)
The
図１に示すように、温度検出部９は、処理液を吐出中の複数の所定検出時刻で処理液の温度を検出する。そして、制御部１１は、所定検出時刻ごとに、所定検出時刻で検出された処理液の温度に基づいて選択処理を実行する。その結果、変形例によれば、時間の経過とともに処理液の温度が変動した場合であっても、所定検出時刻ごとに、処理液の温度に応じた適切な吐出終了時間情報ＳＴを選択できる。その結果、複数の基板Ｗ間で、処理液による処理結果の均一性を更に向上できる。
As shown in FIG. 1, the
次に、図３及び図６を参照して、制御部１１が選択処理で参照する吐出終了時間テーブルＴＢについて説明する。図６は、吐出終了時間テーブルＴＢを示す図である。図３及び図６に示すように、記憶部１３は、互いに異なる複数の吐出終了時間テーブルＴＢを記憶する。
Next, the discharge end time table TB referred to by the
複数の吐出終了時間テーブルＴＢ（吐出終了時間テーブルＴＢ１〜吐出終了時間テーブルＴＢＮ）は、それぞれ、複数の所定検出時刻（所定検出時刻ｘ１〜所定検出時間ｘＮ）に対して定められている。「Ｎ」は２以上の整数を示す。変形例では、「Ｎ」は３以上の整数である。 Each of the plurality of discharge end time tables TB (discharge end time table TB1 to discharge end time table TBN) is set for a plurality of predetermined detection times (predetermined detection time x 1 to predetermined detection time x N). "N" indicates an integer of 2 or more. In the modified example, "N" is an integer of 3 or more.
吐出終了時間テーブルＴＢ１は、所定検出時刻ｘ１に対して定められ、複数の参照温度（変形例では、参照温度Ｔ１〜参照温度Ｔ３）をそれぞれ複数の吐出終了時間情報ＳＴ（変形例では、吐出終了時間情報ＳＴ１〜吐出終了時間情報ＳＴ３）と関連付けている。吐出終了時間テーブルＴＢ１は、図４を参照して説明した吐出終了時間テーブルＴＢと同じである。 The discharge end time table TB1 is set for a predetermined detection time x1, and a plurality of reference temperatures (reference temperature T1 to reference temperature T3 in the modified example) are set to a plurality of discharge end time information STs (discharge end in the modified example). It is associated with the time information ST1 to the discharge end time information ST3). The discharge end time table TB1 is the same as the discharge end time table TB described with reference to FIG.
吐出終了時間テーブルＴＢ２は、所定検出時刻ｘ２に対して定められ、複数の参照温度（変形例では、参照温度Ｔ４〜参照温度Ｔ６）をそれぞれ複数の吐出終了時間情報ＳＴ（変形例では、吐出終了時間情報ＳＴ１〜吐出終了時間情報ＳＴ３）と関連付けている。そして、参照温度Ｔ４は、所定検出時刻ｘ２における温度プロファイルＰＦ１上の温度Ｔ４を示す。参照温度Ｔ５は、所定検出時刻ｘ２における温度プロファイルＰＦ２上の温度Ｔ５を示す。参照温度Ｔ６は、所定検出時刻ｘ３における温度プロファイルＰＦ３上の温度Ｔ６を示す。 The discharge end time table TB2 is set for a predetermined detection time x2, and a plurality of reference temperatures (reference temperature T4 to reference temperature T6 in the modified example) are set to a plurality of discharge end time information STs (discharge end in the modified example). It is associated with the time information ST1 to the discharge end time information ST3). Then, the reference temperature T4 indicates the temperature T4 on the temperature profile PF1 at the predetermined detection time x2. The reference temperature T5 indicates the temperature T5 on the temperature profile PF2 at the predetermined detection time x2. The reference temperature T6 indicates the temperature T6 on the temperature profile PF3 at the predetermined detection time x3.
吐出終了時間テーブルＴＢ３〜吐出終了時間テーブルＴＢＮは、吐出終了時間テーブルＴＢ１及び吐出終了時間テーブルＴＢ２と同様にして、温度プロファイルＰＦ１〜温度プロファイルＰＦ３に基づいて作成されている。 The discharge end time table TB3 to the discharge end time table TBN are created based on the temperature profiles PF1 to the temperature profile PF3 in the same manner as the discharge end time table TB1 and the discharge end time table TB2.
制御部１１は、選択処理において、所定検出時刻ごとに、所定検出時刻に対して定められた吐出終了時間テーブルＴＢを参照して、処理液の温度に最も近い参照温度に関連付けられた吐出終了時間情報ＳＴを選択する。
In the selection process, the
なお、温度プロファイルＰＦの数は、２以上であれば、特に限定されないし、吐出終了時間テーブルＴＢの各々において、参照温度の数も、温度プロファイルＰＦの数に対応して２以上であれば、特に限定されない。 The number of temperature profile PFs is not particularly limited as long as it is 2 or more, and the number of reference temperatures in each of the discharge end time tables TB is also 2 or more corresponding to the number of temperature profile PFs. There is no particular limitation.
次に、図１及び図７を参照して、変形例に係る基板処理装置１００が実行する基板処理方法について説明する。図７は、基板処理方法を示すフローチャートである。図７に示すように、基板処理方法は、基板Ｗを処理する方法であり、工程Ｓ１１〜工程Ｓ１７を含む。
Next, with reference to FIGS. 1 and 7, a substrate processing method executed by the
工程Ｓ１１において、温度検出部９は、処理液の温度の検出を開始する。そして、温度検出部９は、処理液を吐出中の複数の所定検出時刻で処理液の温度を検出する。工程Ｓ１１は、工程Ｓ１（図５）と同様であり、「検出工程」の一例に相当する。
In step S11, the
工程Ｓ１３において、ノズル３は、基板Ｗに向けて処理液の吐出を開始する。工程Ｓ１３は、工程Ｓ３（図５）と同様であり、「吐出工程」の一例に相当する。
In step S13, the
工程Ｓ１５において、現在の時刻が、複数の所定検出時刻のうちのいずれかの所定検出時刻になったか否かを、制御部１１は判定する。
In step S15, the
否定判定がされた場合（工程Ｓ１５でＮｏ）、処理は工程Ｓ１５で待機する。 If a negative determination is made (No in step S15), the process waits in step S15.
一方、肯定判定がされた場合（工程Ｓ１５でＹｅｓ）、処理は工程Ｓ１７に進む。 On the other hand, if an affirmative determination is made (Yes in step S15), the process proceeds to step S17.
工程Ｓ１７において、制御部１１は、所定検出時刻で検出された処理液の温度に基づいて、処理液に基づく積算熱量が所定値ＰＶになるように処理液の吐出時間を制御する。工程Ｓ１７は、工程Ｓ７（図５）と同様であり、「制御工程」の一例に相当する。
In step S17, the
具体的には、工程Ｓ１７は、工程Ｓ１７１〜工程Ｓ１７５を含む。 Specifically, step S17 includes steps S171 to S175.
工程Ｓ１７１において、制御部１１は、所定検出時刻で検出された処理液の温度に基づいて選択処理を実行する。具体的には、制御部１１は、複数の吐出終了時間テーブルＴＢ（図６）のうち、所定検出時刻に対して定められた吐出終了時間テーブルＴＢを参照して、処理液の温度に最も近い参照温度に関連付けられた吐出終了時間情報ＳＴを選択する。例えば、工程Ｓ１５において現在の時刻が所定検出時刻ｘ１であると判定されている場合は、制御部１１は、所定検出時刻ｘ１に対して定められた吐出終了時間テーブルＴＢ１を参照する。工程Ｓ１７１は、「選択工程」の一例に相当する。
In step S171, the
工程Ｓ１７３において、現在の時刻が、選択された吐出終了時間情報ＳＴによって特定される吐出終了時刻になったか否かを、制御部１１は判定する。
In step S173, the
否定判定がされた場合（工程Ｓ１７３でＮｏ）、処理は工程Ｓ１５に戻る。 If a negative determination is made (No in step S173), the process returns to step S15.
一方、肯定判定がされた場合（工程Ｓ１７３でＹｅｓ）、処理は工程Ｓ１７５に進む。 On the other hand, if an affirmative determination is made (Yes in step S173), the process proceeds to step S175.
工程Ｓ１７５において、ノズル３は、処理液の吐出を終了する。工程Ｓ１７５は、工程Ｓ７８（図５）と同様であり、「終了工程」の一例に相当する。
In step S175, the
なお、制御部１１のプロセッサーは、記憶部１３の記憶装置が記憶しているコンピュータープログラムを実行して、基板処理方法を実行する。
The processor of the
（実施形態２）
図８〜図１１を参照して、本発明の実施形態２に係る基板処理装置１００Ａについて説明する。実施形態２が複数のチャンバー１を備えている点で、実施形態２は実施形態１及び変形例と異なる。以下、実施形態２が実施形態１及び変形例と異なる点を主に説明する。なお、図８〜図１０において、理解を容易にするため、互いに直交するＸ軸とＹ軸とＺ軸とを記載している。Ｘ軸及びＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。
(Embodiment 2)
The
まず、図８を参照して、基板処理装置１００Ａについて説明する。図８は、基板処理装置１００Ａを示す平面図である。図８に示すように、基板処理装置１００Ａは、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、複数の処理ユニット２２と、複数の流体ボックス２４と、処理液キャビネット２６と、制御装置２８とを備える。制御装置２８は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、及び処理ユニット２２を制御する。制御装置２８は、制御部１１と、記憶部１３とを含む。
First, the
ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと処理ユニット２２との間で基板Ｗを搬送する。処理ユニット２２の各々は、基板Ｗに処理液を吐出して、基板Ｗを処理する。流体ボックス２４の各々は流体機器を収容する。処理液キャビネット２６は処理液を収容する。
Each of the load port LPs accommodates a plurality of substrates W in a laminated manner. The indexer robot IR conveys the substrate W between the load port LP and the center robot CR. The center robot CR conveys the substrate W between the indexer robot IR and the
具体的には、複数の処理ユニット２２は、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置された複数のタワーＴＷ（実施形態２では４つのタワーＴＷ）を形成している。各タワーＴＷは、上下に積層された複数の処理ユニット２２（実施形態２では３つの処理ユニット２２）を含む。複数の流体ボックス２４は、それぞれ、複数のタワーＴＷに対応している。処理液キャビネット２６内の処理液は、いずれかの流体ボックス２４を介して、流体ボックス２４に対応するタワーＴＷに含まれる全ての処理ユニット２２に供給される。
Specifically, the plurality of
次に、図９を参照して、処理ユニット２２について説明する。図９は、処理ユニット２２の内部を示す図である。図９に示すように、処理ユニット２２は、チャンバー１と、ノズル３と、温度検出部９と、スピンチャック３０と、カップ３２と、待機ポット３４と、ノズル移動ユニット３６とを含む。基板処理装置１００Ａは、供給配管５と、バルブ７と、流量計３８と、流量調整バルブ４０とを含む。
Next, the
チャンバー１は略箱形状を有する。スピンチャック３０は、チャンバー１内で基板Ｗを水平に保持しながら、回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させる。カップ３２は略筒形状を有する。カップ３２は、基板Ｗから排出された処理液を受け止める。
Chamber 1 has a substantially box shape. The
待機ポット３４は、ノズル３の待機位置の下方に配置される。待機位置は、回転軸線Ａ１に対してスピンチャック３０よりも外側の第１所定位置を示す。ノズル移動ユニット３６は、回動軸線Ａ２の回りに回動して、ノズル３を水平に移動させる。具体的には、ノズル移動ユニット３６は、ノズル３の待機位置と処理位置との間で、ノズル３を水平に移動させる。処理位置は、基板Ｗの上方の第２所定位置を示す。
The
ノズル３に対する処理液の供給開始及び供給停止は、バルブ７によって切り替えられる。ノズル３に供給される処理液の流量は、流量計３８によって検出される。流量は、流量調整バルブ４０によって変更可能である。バルブ７が開状態になると、処理液が、流量調整バルブ４０の開度に対応する流量で供給配管５からノズル３に供給される。その結果、ノズル３から処理液が吐出される。開度は、流量調整バルブ４０が開いている程度を示す。
The start and stop of supply of the processing liquid to the
ノズル３は、基板Ｗに処理液を吐出する前に、プリディスペンス処理を実行する。プリディスペンス処理とは、基板Ｗに処理液を吐出する前に、待機ポット３４に向けて処理液を吐出する処理のことである。
The
制御部１１は、図１〜図５を参照して説明した実施形態１に係る制御部１１、又は、図６及び図７を参照して説明した変形例に係る制御部１１と同様に動作する。従って、実施形態２によれば、実施形態１又は変形例と同様に、１つのチャンバー１で１枚ずつ処理される複数の基板Ｗ間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる。
The
また、実施形態２では、基板処理装置１００Ａは、チャンバー１ごとに、ノズル３と供給配管５とバルブ７と温度検出部９とを備える。そして、制御部１１は、複数の基板Ｗをそれぞれ収容する複数のチャンバー１ごとに、積算熱量が所定値ＰＶになるように処理液の吐出時間を制御する。従って、複数のチャンバー１にわたって、処理液による基板Ｗの処理結果が環境温度に依存することが抑制される。その結果、複数のチャンバー１で処理される複数の基板Ｗ間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる。例えば、１つのタワーＴＷ内の複数のチャンバー１間で、複数の基板Ｗに対して、処理液による処理結果の均一性を向上できる。例えば、複数のタワーＴＷ間で、複数の基板Ｗに対して、処理液による処理結果の均一性を向上できる。なお、基板処理装置１００Ａは、図５に示す基板処理方法をチャンバー１ごとに実行する。又は、基板処理装置１００Ａは、図７に示す基板処理方法をチャンバー１ごとに実行する。
Further, in the second embodiment, the
次に、図１０を参照して、ノズル３への処理液の供給について説明する。図１０は、基板処理装置１００Ａの配管を示す図である。図１０に示すように、基板処理装置１００Ａは、各タワーＴＷにおいて、処理ユニット２２ごとに、供給配管５とバルブ７と流量計３８と流量調整バルブ４０とを備えている。バルブ７と流量計３８と流量調整バルブ４０とは、タワーＴＷに対応する流体ボックス２４に収容される。各供給配管５の一部は流体ボックス２４に収容され、各供給配管５の他の一部はチャンバー１に収容される。
Next, the supply of the treatment liquid to the
また、基板処理装置１００Ａは、処理液タンク６０と、循環配管６１と、ポンプ６５と、フィルター６６と、温度調節器６７とを備える。処理液タンク６０とポンプ６５とフィルター６６と温度調節器６７とは、処理液キャビネット２６に収容される。循環配管６１の一部は処理液キャビネット２６に収容され、循環配管６１の他の一部は流体ボックス２４に収容される。
Further, the
循環配管６１は、処理液タンク６０から下流に延びる上流配管６２と、上流配管６２から分岐した複数の個別配管６３と、各個別配管６３から処理液タンク６０まで下流に延びる下流配管６４とを含む。
The
上流配管６２の上流端は、処理液タンク６０に接続されている。下流配管６４の下流端は、処理液タンク６０に接続されている。上流配管６２の上流端は、循環配管６１の上流端に相当し、下流配管６４の下流端は、循環配管６１の下流端に相当する。各個別配管４３は、上流配管６２の下流端から下流配管６４の上流端に延びている。
The upstream end of the
複数の個別配管６３は、それぞれ、複数のタワーＴＷに対応している。１つのタワーＴＷに含まれる３つの処理ユニット２２に対応する３つの供給配管５は、１つの個別配管６３に接続されている。
Each of the plurality of individual pipes 63 corresponds to a plurality of tower TWs. The three
ポンプ６５は、処理液タンク６０内の処理液を循環配管６１に送る。フィルター６６は、循環配管６１を流れる処理液から異物を除去する。温度調節器６７は、処理液タンク６０内の処理液の温度を調節する。温度調節器６７は、例えば、処理液を加熱するヒーターである。
The
ポンプ６５、フィルター６６、及び温度調節器６７は、上流配管６２に配置されている。処理液タンク６０内の処理液は、ポンプ６５によって上流配管６２に送られ、上流配管６２から複数の個別配管６３に流れる。個別配管６３内の処理液は、下流配管６４に流れ、下流配管６４から処理液タンク６０に戻る。処理液タンク６０内の処理液は、規定温度ＴＭ以上の特定温度になるように温度調節器６７によって加熱されて上流配管６２に送り込まれる。従って、循環配管６１を循環する処理液の温度は、規定温度ＴＭ以上の特定温度に維持される。
The
そして、循環配管６１内で特定温度に維持されている処理液が、供給配管５に供給される。その結果、実施形態２によれば、積算熱量が所定値ＰＶになるように処理液の吐出時間を制御するという簡素な制御によって、複数の基板Ｗ間で、処理液による処理結果の均一性を向上できる。
Then, the processing liquid maintained at a specific temperature in the
次に、図１１を参照して、処理液の温度推移について説明する。図１１は、基板処理装置１００Ａでの処理液の温度推移を示す図である。図１１に示すように、横軸は時間を示し、縦軸は処理液の温度を示す。処理液の温度は、温度検出部９によって検出された処理液の温度を示す。曲線Ｂ１は処理液の温度を示し、線Ｂ２はバルブ７の状態を示す。
Next, the temperature transition of the treatment liquid will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a diagram showing a temperature transition of the processing liquid in the
時刻ｔ１０において、ノズル３が待機位置に位置する状態で、バルブ７が閉状態から開状態にされる。その結果、プリディスペンス処理が開始される。そして、時刻ｔ１１において、バルブ７が開状態から閉状態にされる。その結果、プリディスペンス処理が終了する。時刻ｔ１１において、ノズル３が待機位置から処理位置に向かって移動する。そして、時刻ｔ１２において、ノズル３が処理位置に到達すると、バルブ７が閉状態から開状態にされる。その結果、処理液が基板Ｗに向けて吐出される。さらに、時刻ｔ１３において、バルブ７が閉状態から開状態にされる。その結果、１枚の基板Ｗの処理が終了する。
At time t10, the valve 7 is changed from the closed state to the open state while the
実施形態２では、プリディスペンス処理をすることによって、基板Ｗへの処理液の吐出前に、処理液の温度が規定温度ＴＭ以上になる。そして、プリディスペンス処理の後、時刻ｔ１２以降の期間において、制御部１１は、処理液の温度に基づいてバルブ７を制御して、処理液に基づく積算熱量が所定値ＰＶになるように処理液の吐出時間を制御する。
In the second embodiment, by performing the predispensing treatment, the temperature of the processing liquid becomes equal to or higher than the specified temperature TM before the treatment liquid is discharged to the substrate W. Then, after the pre-dispensing treatment, in the period after time t12, the
以上、図面を参照しながら本発明の実施形態（変形例を含む。）について説明した。但し、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である（例えば、下記に示す（１）〜（３））。また、上記の実施形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる３実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質、形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。 The embodiments (including modifications) of the present invention have been described above with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be implemented in various embodiments without departing from the gist of the present invention (for example, (1) to (3) shown below). In addition, various inventions can be formed by appropriately combining the plurality of components disclosed in the above embodiments. For example, some components may be removed from all the components shown in the embodiments. Further, the components over the three different embodiments may be combined as appropriate. In order to make the drawings easier to understand, each component is schematically shown, and the thickness, length, number, spacing, etc. of each component shown are actual for the convenience of drawing creation. May be different. Further, the material, shape, dimensions, etc. of each component shown in the above embodiment are merely examples, and are not particularly limited, and various changes can be made without substantially deviating from the effects of the present invention. be.
（１）図４及び図６を参照して説明した実施形態１（以下、変形例を含む。）及び実施形態２では、制御部１１は、吐出終了時間テーブルＴＢを参照した。ただし、積算熱量が所定値ＰＶになるように吐出時間を制御する限りにおいては、制御部１１は、温度プロファイルＰＦを参照して、吐出終了時間情報ＳＴを決定してもよい。この場合、記憶部１３は複数の温度プロファイルＰＦを記憶する。
(1) In the first embodiment (hereinafter, a modification is included) and the second embodiment described with reference to FIGS. 4 and 6, the
例えば、図３に示すように、制御部１１は、所定検出時刻ｘ１で検出された処理液の温度（以下、「温度Ｔｄ」と記載する場合がある。）を、温度プロファイルＰＦ１〜ＰＦ３の各々の所定検出時刻ｘ１での温度Ｔ１〜Ｔ３と比較する。そして、制御部１１は、温度Ｔ１〜Ｔ３から、温度Ｔｄに最も近い温度（例えば、温度Ｔ１）を選択する。さらに、制御部１１は、選択した温度を有する温度プロファイルＰＦ（例えば、温度プロファイルＰＦ１）を選択する。そして、制御部１１は、選択した温度プロファイルＰＦの始点時刻（例えば、ｔ０）から終点時刻（例えば、ｔｅ１）までの時間を吐出終了時間（つまり、吐出終了時間情報ＳＴ）に決定する。
For example, as shown in FIG. 3, the
（２）図１〜図１１を参照して説明した実施形態１及び実施形態２では、吐出終了時間情報ＳＴの示す吐出終了時間は、温度プロファイルＰＦの始点時刻から終点時刻までの時間を示したが、処理液の吐出終了時刻を特定できる限りにおいては、吐出終了時間を任意に定義できる。例えば、吐出終了時間は、所定検出時刻から温度プロファイルＰＦの終点時刻までの時間であってもよいし、温度プロファイルＰＦの終点時刻であってもよい。 (2) In the first and second embodiments described with reference to FIGS. 1 to 11, the discharge end time indicated by the discharge end time information ST indicates the time from the start point time to the end point time of the temperature profile PF. However, as long as the discharge end time of the treatment liquid can be specified, the discharge end time can be arbitrarily defined. For example, the discharge end time may be the time from the predetermined detection time to the end time of the temperature profile PF, or may be the end time of the temperature profile PF.
（３）図１及び図９を参照して説明した実施形態１及び実施形態２では、バルブ７はチャンバー１の外部に配置されたが、ノズル３に対する処理液の供給開始及び供給停止を実現できる限りにおいては、バルブ７はチャンバー１の内部に配置されていてもよい。また、供給配管５にヒーターが配置されていてもよい。供給配管５内の処理液を加熱するためである。ヒーターは、チャンバー１の内部に配置されていてもよいし、チャンバー１の外部に配置されていてもよい。
(3) In the first and second embodiments described with reference to FIGS. 1 and 9, the valve 7 is arranged outside the chamber 1, but it is possible to start and stop the supply of the processing liquid to the
本発明は、基板を処理する基板処理装置及び基板処理方法に関するものであり、産業上の利用可能性を有する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate, and has industrial applicability.
１ チャンバー
３ ノズル
５ 供給配管
７ バルブ
９ 温度検出部
１１ 制御部
１００、１００Ａ 基板処理装置
Ｗ 基板
Claims (14)
前記基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内に配置され、前記基板に向けて処理液を吐出するノズルと、
前記ノズルに前記処理液を供給する供給配管と、
前記ノズルに向かって前記供給配管内を流れる前記処理液を通過させる開状態と、前記供給配管から前記ノズルへの前記処理液の供給を停止する閉状態とに切り替え可能なバルブと、
前記チャンバー内の前記処理液の温度を検出する温度検出部と、
前記処理液の温度に応じた吐出終了時間情報によって示される吐出終了時間に基づいて前記バルブを制御して、前記処理液に基づく積算熱量が所定値になるように前記処理液の吐出時間を制御する制御部と
を備え、
前記積算熱量は、前記基板に投入される前記処理液の熱量の積算値を表す物理量を示し、
前記吐出終了時間は、前記処理液の温度に応じた温度プロファイルに基づいて推測された時間であり、
前記温度プロファイルは、前記処理液によって前記基板を処理する前に予め作成されており、前記処理液と同じ処理液を前記基板と同じ基板に吐出したときに、前記同じ処理液の温度の時間推移を表す、基板処理装置。 It is a substrate processing device that processes substrates.
A chamber for accommodating the substrate and
A nozzle arranged in the chamber and discharging the processing liquid toward the substrate,
A supply pipe that supplies the treatment liquid to the nozzle,
A valve that can be switched between an open state in which the processing liquid flowing in the supply pipe is passed toward the nozzle and a closed state in which the supply of the treatment liquid from the supply pipe to the nozzle is stopped.
A temperature detection unit that detects the temperature of the treatment liquid in the chamber, and
The valve is controlled based on the discharge end time indicated by the discharge end time information according to the temperature of the treatment liquid, and the discharge time of the treatment liquid is controlled so that the integrated heat amount based on the treatment liquid becomes a predetermined value. Equipped with a control unit
The accumulated heat quantity, indicates a physical quantity which represents the integrated value of heat quantity of the processing liquid is introduced into the substrate,
The discharge end time is a time estimated based on a temperature profile corresponding to the temperature of the treatment liquid.
The temperature profile is created in advance before processing the substrate with the treatment liquid, and when the same treatment liquid as the treatment liquid is discharged to the same substrate as the substrate, the temperature transition of the temperature of the same treatment liquid is time-dependent. Represents a substrate processing device.
前記吐出終了時間情報の示す前記吐出終了時間は、前記同じ処理液の温度の時間積分値が前記所定値と等しくなる時間を示す、請求項１に記載の基板処理装置。 Wherein the control unit, so that the valve is in the closed state from the open state to control the valve based on the discharge end time indicated by the ejection end time information,
Before Symbol the discharge end time indicated by the ejection end time information indicates the time at which the time integration value of the temperature of the same treatment solution becomes equal to the predetermined value, the substrate processing apparatus according to claim 1.
前記選択処理は、複数の前記吐出終了時間情報から、前記処理液の温度に対応する吐出終了時間情報を選択する処理を示し、
前記制御部は、前記選択した吐出終了時間情報の示す前記吐出終了時間に基づいて前記バルブを制御して、前記バルブを前記開状態から前記閉状態にし、
前記複数の吐出終了時間情報は、それぞれ、互いに異なる複数の前記温度プロファイルに基づいて予め規定されている、請求項２に記載の基板処理装置。 The control unit executes the selection process during the period in which the processing liquid is discharged toward the substrate.
The selection process indicates a process of selecting discharge end time information corresponding to the temperature of the processing liquid from a plurality of the discharge end time information.
The control unit controls the valve based on the discharge end time indicated by the selected discharge end time information to change the valve from the open state to the closed state.
The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the plurality of discharge end time information is predetermined based on a plurality of temperature profiles that are different from each other.
前記制御部は、前記所定検出時刻ごとに、前記所定検出時刻で検出された前記処理液の温度に基づいて前記選択処理を実行する、請求項３に記載の基板処理装置。 The temperature detection unit detects the temperature of the treatment liquid at a plurality of predetermined detection times during discharge of the treatment liquid.
The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the control unit executes the selection process based on the temperature of the processing liquid detected at the predetermined detection time at each predetermined detection time.
前記チャンバーごとに、前記ノズルと前記供給配管と前記バルブと前記温度検出部とが備えられ、
前記制御部は、前記チャンバーごとに、前記積算熱量が前記所定値になるように前記処理液の吐出時間を制御する、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。 Multiple said chambers are provided
Each chamber is provided with the nozzle, the supply pipe, the valve, and the temperature detector.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the control unit controls the discharge time of the processing liquid so that the integrated heat amount becomes the predetermined value for each chamber.
チャンバーに収容された前記基板に向けて処理液を吐出する吐出工程と、
前記チャンバー内の前記処理液の温度を検出する検出工程と、
前記処理液の温度に応じた吐出終了時間情報によって示される吐出終了時間に基づいて、前記処理液に基づく積算熱量が所定値になるように前記処理液の吐出時間を制御する制御工程と
を含み、
前記積算熱量は、前記基板に投入される前記処理液の熱量の積算値を表す物理量を示し、
前記吐出終了時間は、前記処理液の温度に応じた温度プロファイルに基づいて推測された時間であり、
前記温度プロファイルは、前記処理液によって前記基板を処理する前に予め作成されており、前記処理液と同じ処理液を前記基板と同じ基板に吐出したときに、前記同じ処理液の温度の時間推移を表す、基板処理方法。 It is a substrate processing method that processes a substrate.
A discharge process for discharging the processing liquid toward the substrate housed in the chamber, and
A detection step for detecting the temperature of the treatment liquid in the chamber, and
Including a control step of controlling the discharge time of the treatment liquid so that the integrated heat amount based on the treatment liquid becomes a predetermined value based on the discharge end time indicated by the discharge end time information according to the temperature of the treatment liquid. ,
The accumulated heat quantity, indicates a physical quantity which represents the integrated value of heat quantity of the processing liquid is introduced into the substrate,
The discharge end time is a time estimated based on a temperature profile corresponding to the temperature of the treatment liquid.
The temperature profile is created in advance before processing the substrate with the treatment liquid, and when the same treatment liquid as the treatment liquid is discharged to the same substrate as the substrate, the temperature transition of the temperature of the same treatment liquid is time-dependent. Represents a substrate processing method.
前記吐出終了時間情報の示す前記吐出終了時間は、前記同じ処理液の温度の時間積分値が前記所定値と等しくなる時間を示す、請求項８に記載の基板処理方法。 Wherein the control step includes a termination step of terminating the discharge of the processing liquid based on the ejection end time indicated by the ejection end time information,
Is the discharge end time indicated by the previous SL ejection end time information, indicating the time at which the time integration value of the temperature of the same treatment solution becomes equal to the predetermined value, the substrate processing method according to claim 8.
前記選択処理は、複数の前記吐出終了時間情報から、前記処理液の温度に対応する吐出終了時間情報を選択する処理を示し、
前記終了工程では、前記選択した吐出終了時間情報の示す前記吐出終了時間に基づいて前記処理液の吐出を終了し、
前記複数の吐出終了時間情報は、それぞれ、互いに異なる複数の前記温度プロファイルに基づいて予め規定されている、請求項９に記載の基板処理方法。 The control step further includes a selection step of executing the selection process during the period of discharging the treatment liquid toward the substrate.
The selection process indicates a process of selecting discharge end time information corresponding to the temperature of the processing liquid from a plurality of the discharge end time information.
In the end step, the discharge of the treatment liquid is completed based on the discharge end time indicated by the selected discharge end time information.
The substrate processing method according to claim 9, wherein the plurality of discharge end time information is predetermined based on a plurality of temperature profiles that are different from each other.
前記選択工程では、前記所定検出時刻ごとに、前記所定検出時刻で検出された前記処理液の温度に基づいて前記選択処理を実行する、請求項１０に記載の基板処理方法。 In the detection step, the temperature of the treatment liquid is detected at a plurality of predetermined detection times during discharge of the treatment liquid.
The substrate processing method according to claim 10, wherein in the selection step, the selection process is executed at each predetermined detection time based on the temperature of the processing liquid detected at the predetermined detection time.
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