JP6922798B2 - Capacitive pressure sensor - Google Patents

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Description

本発明は、静電容量式圧力センサに関する。 The present invention relates to a capacitive pressure sensor.

圧力センサは、主として気体や液体の圧力を検出するものであり、気圧センサや高度センサ、水圧センサとして各種の装置に適用されている。また、近年においては、これを高度センサとして利用する場合の一態様として、位置情報を得るためのナビゲーション装置への応用やユーザの運動量を精緻に計測する計測器への応用等、その適用範囲が広がりつつある。 The pressure sensor mainly detects the pressure of gas or liquid, and is applied to various devices as a barometric pressure sensor, an altitude sensor, and a water pressure sensor. Further, in recent years, as one aspect of using this as an altitude sensor, its application range has been expanded to include application to a navigation device for obtaining position information and application to a measuring instrument for precisely measuring a user's momentum. It is spreading.

MEMS(Micro Electro Mechanical System)センサチップとしての静電容量式圧力
センサが知られている。静電容量式圧力センサは、可動電極を有する基板と、固定電極を有する硬質基板とを備えている。可動電極と固定電極との間には、ギャップに応じた静電容量が発生する。静電容量式圧力センサに圧力が印加されることにより、可動電極を有する基板が撓み、可動電極と固定電極との間のギャップが変化することで、静電容量の変化を検出する。静電容量の変化に応じた圧力が検出される。ダイアフラムと基板表面との間で閉塞された空間に圧力室を形成し、圧力室内に導かれる測定圧力を検出する静電容量型圧力センサにおいて、圧力室に導かれる測定圧力の少なくとも一部をセンサ外部へリークさせる圧力リーク部を設けることが提案されている(特許文献1参照)。
A capacitive pressure sensor as a MEMS (Micro Electro Mechanical System) sensor chip is known. The capacitance type pressure sensor includes a substrate having a movable electrode and a rigid substrate having a fixed electrode. A capacitance is generated between the movable electrode and the fixed electrode according to the gap. When pressure is applied to the capacitance type pressure sensor, the substrate having the movable electrode is bent, and the gap between the movable electrode and the fixed electrode is changed to detect the change in capacitance. The pressure corresponding to the change in capacitance is detected. In a capacitive pressure sensor that forms a pressure chamber in a space enclosed between the diaphragm and the surface of the substrate and detects the measured pressure guided into the pressure chamber, at least a part of the measured pressure guided to the pressure chamber is sensed. It has been proposed to provide a pressure leak portion that leaks to the outside (see Patent Document 1).

特開平8−240502号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 8-240502

静電容量式圧力センサでは、大気圧の影響を受けることにより測定精度が低下するおれがある。大気圧の影響を抑えるため、静電容量式圧力センサに貫通孔が設けられている。従来、静電容量式圧力センサにおいて、硬質基板同士を用いていたが、静電容量式圧力センサにフレキシブル性を持たせるために、硬質基板とポリイミド等のシート部材からなるフレキシブル基板とを用いている。そのため、静電容量式圧力センサの屈曲時に、フレキシブル基板側に設けた貫通孔が潰れてしまう問題がある。このような状況に鑑み、本発明は、静電容量式圧力センサに安定的に貫通孔を形成することによって静電容量式圧力センサの測定精度を向上することを目的とする。 In the capacitance type pressure sensor, the measurement accuracy may decrease due to the influence of atmospheric pressure. A through hole is provided in the capacitance type pressure sensor in order to suppress the influence of atmospheric pressure. Conventionally, hard substrates are used in a capacitance type pressure sensor, but in order to give flexibility to a capacitance type pressure sensor, a rigid substrate and a flexible substrate made of a sheet member such as polyimide are used. There is. Therefore, there is a problem that the through hole provided on the flexible substrate side is crushed when the capacitance type pressure sensor is bent. In view of such a situation, it is an object of the present invention to improve the measurement accuracy of the capacitance type pressure sensor by stably forming a through hole in the capacitance type pressure sensor.

本発明では、上記課題を解決するために、以下の手段を採用した。すなわち、本発明は、第1電極を含むフレキシブル基板と、前記フレキシブル基板に対向して配置され、前記第1電極との間に中空部を介して前記第1電極に対向配置される第2電極を含む硬質基板と、前記フレキシブル基板と前記硬質基板との間であって、前記中空部を囲むように設けられ、前記フレキシブル基板と前記硬質基板とを接合する接合部と、を備え、前記接合部は、前記中空部から前記接合部の外側に向かって前記接合部を貫通する貫通孔を有する、静電容量式圧力センサである。 In the present invention, the following means are adopted in order to solve the above problems. That is, in the present invention, a second electrode is arranged so as to face the flexible substrate including the first electrode and the flexible substrate, and is arranged to face the first electrode via a hollow portion between the first electrode and the flexible substrate. A rigid substrate including the above, and a joint portion between the flexible substrate and the hard substrate, which is provided so as to surround the hollow portion and joins the flexible substrate and the hard substrate. The portion is a capacitance type pressure sensor having a through hole penetrating the joint portion from the hollow portion toward the outside of the joint portion.

接合部の貫通孔を介して、中空部内に空気が導入されると共に、中空部内の空気が外気に排出される。これにより、静電容量式圧力センサの内部の密閉状態が解除され、大気圧と中空部内の圧力とが一致する。大気圧と中空部内の圧力とが一致することにより、大気
圧の影響を受けずに静電容量式圧力センサの測定が行われるため、静電容量式圧力センサの測定精度が向上する。接合部に貫通孔を設けることにより、静電容量式圧力センサの屈曲時に貫通孔が潰れることが抑制されるため、静電容量式圧力センサに安定的に貫通孔を形成することができる。静電容量式圧力センサに安定的に貫通孔を形成することによって静電容量式圧力センサの測定精度が向上する。
Air is introduced into the hollow portion through the through hole of the joint portion, and the air in the hollow portion is discharged to the outside air. As a result, the sealed state inside the capacitance type pressure sensor is released, and the atmospheric pressure and the pressure in the hollow portion match. By matching the atmospheric pressure with the pressure in the hollow portion, the measurement of the capacitance type pressure sensor is performed without being affected by the atmospheric pressure, so that the measurement accuracy of the capacitance type pressure sensor is improved. By providing the through hole in the joint portion, it is possible to prevent the through hole from being crushed when the capacitance type pressure sensor is bent, so that the through hole can be stably formed in the capacitance type pressure sensor. By stably forming through holes in the capacitance type pressure sensor, the measurement accuracy of the capacitance type pressure sensor is improved.

静電容量式圧力センサにおいて、前記接合部は、前記フレキシブル基板側に配置された金属部材と、前記硬質基板側に配置された絶縁部材とを含み、前記貫通孔が、前記金属部材に設けられており、前記貫通孔が、前記第1電極及び前記絶縁部材に接している。金属部材に貫通孔が設けられているため、静電容量式圧力センサの屈曲時に貫通孔が潰れることが抑制されるため、静電容量式圧力センサに安定的に貫通孔を形成することができる。 In the capacitance type pressure sensor, the joint portion includes a metal member arranged on the flexible substrate side and an insulating member arranged on the hard substrate side, and the through hole is provided in the metal member. The through hole is in contact with the first electrode and the insulating member. Since the metal member is provided with the through hole, the through hole is suppressed from being crushed when the capacitance type pressure sensor is bent, so that the through hole can be stably formed in the capacitance type pressure sensor. ..

静電容量式圧力センサにおいて、前記接合部は、前記フレキシブル基板側に配置された金属部材と、前記硬質基板側に配置された防湿性の高い絶縁部材とを含み、前記貫通孔が、前記絶縁部材に設けられており、前記貫通孔が、前記金属部材に接している。防湿性の高い絶縁部材に設けられた貫通孔を空気が通る際、防湿性の高い絶縁部材の吸湿が抑制されるため、静電容量式圧力センサの測定精度が向上する。絶縁部材に貫通孔が設けられているため、静電容量式圧力センサの屈曲時に貫通孔が潰れることが抑制されるため、静電容量式圧力センサに安定的に貫通孔を形成することができる。 In the capacitance type pressure sensor, the joint portion includes a metal member arranged on the flexible substrate side and a highly moisture-proof insulating member arranged on the hard substrate side, and the through hole is the insulation. It is provided on the member, and the through hole is in contact with the metal member. When air passes through the through hole provided in the highly moisture-proof insulating member, the moisture absorption of the highly moisture-proof insulating member is suppressed, so that the measurement accuracy of the capacitance type pressure sensor is improved. Since the insulating member is provided with the through hole, the through hole is prevented from being crushed when the capacitance type pressure sensor is bent, so that the through hole can be stably formed in the capacitance type pressure sensor. ..

静電容量式圧力センサにおいて、前記貫通孔が、前記接合部の内部で蛇行している。静電容量式圧力センサにおいて、前記貫通孔が、前記接合部の内部で分岐している。 In the capacitive pressure sensor, the through hole meanders inside the joint. In the capacitance type pressure sensor, the through hole is branched inside the joint portion.

静電容量式圧力センサにおいて、前記フレキシブル基板は前記第1電極を複数含んでおり、複数の前記第1電極に対応する複数の前記第2電極、複数の前記硬質基板及び複数の前記接合部を備える。これにより、フレキシブル基板と複数の硬質基板とが接合された静電容量式圧力センサを用いた圧力の面測定が可能となる。 In the capacitance type pressure sensor, the flexible substrate includes a plurality of the first electrodes, and the plurality of the second electrodes corresponding to the plurality of the first electrodes, the plurality of the hard substrates, and the plurality of the joints are formed. Be prepared. This makes it possible to measure the surface of pressure using a capacitance type pressure sensor in which a flexible substrate and a plurality of hard substrates are joined.

本発明によれば、静電容量式圧力センサの測定精度を向上すると共に、静電容量式圧力センサに安定的に貫通孔を形成することができる。 According to the present invention, it is possible to improve the measurement accuracy of the capacitance type pressure sensor and stably form a through hole in the capacitance type pressure sensor.

図1Aは、実施形態に係る圧力センサの一例を示す断面図である。FIG. 1A is a cross-sectional view showing an example of a pressure sensor according to an embodiment. 図1Bは、実施形態に係る圧力センサの一例を示す断面図である。FIG. 1B is a cross-sectional view showing an example of the pressure sensor according to the embodiment. 図2は、可動電極の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the movable electrode. 図3は、固定電極の平面図である。FIG. 3 is a plan view of the fixed electrode. 図4は、壁部の平面図である。FIG. 4 is a plan view of the wall portion. 図5は、実施形態に係る圧力センサの一例を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of the pressure sensor according to the embodiment. 図6は、圧力センサの平面図の一例である。FIG. 6 is an example of a plan view of the pressure sensor. 図7は、実施形態に係る圧力センサの一例を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of the pressure sensor according to the embodiment. 図8は、壁部の一例を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing an example of the wall portion. 図9は、壁部の一例を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing an example of the wall portion. 図10は、実施形態に係る圧力センサの製造工程の一例を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing an example of a manufacturing process of the pressure sensor according to the embodiment. 図11は、実施形態に係る圧力センサの製造工程の一例を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing an example of a manufacturing process of the pressure sensor according to the embodiment. 図12は、実施形態に係る圧力センサの製造工程の一例を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing an example of a manufacturing process of the pressure sensor according to the embodiment. 図13は、実施形態に係る圧力センサの製造工程の一例を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing an example of a manufacturing process of the pressure sensor according to the embodiment. 図14は、実施形態に係る圧力センサの製造工程の一例を示す図である。FIG. 14 is a diagram showing an example of a manufacturing process of the pressure sensor according to the embodiment. 図15は、実施形態に係る圧力センサの製造工程の一例を示す図である。FIG. 15 is a diagram showing an example of a manufacturing process of the pressure sensor according to the embodiment. 図16は、実施形態に係る圧力センサの製造工程の一例を示す図である。FIG. 16 is a diagram showing an example of a manufacturing process of the pressure sensor according to the embodiment. 図17は、実施形態に係る圧力センサの製造工程の一例を示す図である。FIG. 17 is a diagram showing an example of a manufacturing process of the pressure sensor according to the embodiment. 図18は、実施形態に係る圧力センサの製造工程の一例を示す図である。FIG. 18 is a diagram showing an example of a manufacturing process of the pressure sensor according to the embodiment. 図19は、実施形態に係る圧力センサの製造工程の一例を示す図である。FIG. 19 is a diagram showing an example of a manufacturing process of the pressure sensor according to the embodiment.

以下、実施形態について図を参照しながら説明する。以下に示す実施形態は、本願の一態様であり、本願の技術的範囲を限定するものではない。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings. The embodiments shown below are aspects of the present application and do not limit the technical scope of the present application.

<適用例>
まず、本発明が適用される場面の一例について説明する。図1A及び図1Bは、実施形態に係る圧力センサ100の一例を示す断面図である。圧力センサ100は、静電容量式圧力センサの一例である。圧力センサ100は、可動部10及び固定基板部20を備える。可動部10は、可撓性を有する。可動部10は、シート基板11及び可動電極12を含む。可動電極12は、導体部13及びメッキ部14を有する。可動部10は、フレキシブル基板の一例である。また、シート基板11が、フレキシブル基板の一例であってもよい。可動電極12は、第1電極の一例である。
<Application example>
First, an example of a situation in which the present invention is applied will be described. 1A and 1B are cross-sectional views showing an example of the pressure sensor 100 according to the embodiment. The pressure sensor 100 is an example of a capacitance type pressure sensor. The pressure sensor 100 includes a movable portion 10 and a fixed substrate portion 20. The movable portion 10 has flexibility. The movable portion 10 includes a sheet substrate 11 and a movable electrode 12. The movable electrode 12 has a conductor portion 13 and a plating portion 14. The movable portion 10 is an example of a flexible substrate. Further, the sheet substrate 11 may be an example of a flexible substrate. The movable electrode 12 is an example of the first electrode.

固定基板部20は、基板部21及び固定電極22を含む。固定基板部20は、可動部10との間に中空部(空隙)30を介して可動部10に対向して配置されている。固定電極22は、可動電極12との間に中空部30を介して可動電極12に対向配置されている。絶縁部23は、第1絶縁膜26及び第2絶縁膜27を有する。絶縁部23は、固定電極22を囲むようにして、固定基板部20上に設けられている。絶縁部23及び壁部24は、中空部30を囲むように設けられており、可動部10と固定基板部20とを接合する。固定基板部20は、硬質基板の一例である。固定電極22は、第2電極の一例である。絶縁部23は、固定基板部20側に配置され、壁部24は、可動部10側に配置されている。絶縁部23及び壁部24は、接合部の一例である。圧力センサ100は、可動電極12が撓むことで生じる静電容量の変化を検出することにより、可動電極12に印加された圧力を測定する。 The fixed substrate portion 20 includes a substrate portion 21 and a fixed electrode 22. The fixed substrate portion 20 is arranged between the movable portion 10 and the movable portion 10 via a hollow portion (void) 30 so as to face the movable portion 10. The fixed electrode 22 is disposed between the movable electrode 12 and the movable electrode 12 via a hollow portion 30. The insulating portion 23 has a first insulating film 26 and a second insulating film 27. The insulating portion 23 is provided on the fixed substrate portion 20 so as to surround the fixed electrode 22. The insulating portion 23 and the wall portion 24 are provided so as to surround the hollow portion 30, and join the movable portion 10 and the fixed substrate portion 20. The fixed substrate portion 20 is an example of a hard substrate. The fixed electrode 22 is an example of the second electrode. The insulating portion 23 is arranged on the fixed substrate portion 20 side, and the wall portion 24 is arranged on the movable portion 10 side. The insulating portion 23 and the wall portion 24 are examples of joint portions. The pressure sensor 100 measures the pressure applied to the movable electrode 12 by detecting the change in capacitance caused by the bending of the movable electrode 12.

図2は、可動電極12の平面図である。図3は、固定電極22の平面図である。図4は、壁部24の平面図である。なお、図1Aは、図2のB1−B1線における断面、図3のD1−D1線における断面及び図4のF1−F1線における断面に対応している。図1Bは、図2のB2−B2線における断面、図3のD2−D2線における断面及び図4のF2−F2線における断面に対応している。図2の例では、固定基板部20における可動部10との対向面の法線方向(図1A及び図1Bの矢印Aで示す方向)からの平面視において、可動電極12の形状は円形である。図3の例では、平面視において、固定電極22の形状は円形である。図2及び図3の例に限定されず、平面視において、可動電極12の形状及び固定電極22の形状は、楕円形、矩形等の他の形状であってもよい。図4の例では、平面視において、壁部24の形状は円形の環状である。図4の例に限定されず、平面視において、壁部24の形状は、楕円形の環状、矩形の環状等の他の形状であってもよい。 FIG. 2 is a plan view of the movable electrode 12. FIG. 3 is a plan view of the fixed electrode 22. FIG. 4 is a plan view of the wall portion 24. Note that FIG. 1A corresponds to the cross section taken along the line B1-B1 of FIG. 2, the cross section taken along the line D1-D1 of FIG. 3, and the cross section taken along the line F1-F1 of FIG. FIG. 1B corresponds to the cross section taken along the line B2-B2 of FIG. 2, the cross section taken along the line D2-D2 of FIG. 3, and the cross section taken along the line F2-F2 of FIG. In the example of FIG. 2, the shape of the movable electrode 12 is circular in a plan view from the normal direction (direction indicated by the arrow A in FIGS. 1A and 1B) of the surface of the fixed substrate portion 20 facing the movable portion 10. .. In the example of FIG. 3, the shape of the fixed electrode 22 is circular in a plan view. The shape of the movable electrode 12 and the shape of the fixed electrode 22 may be other shapes such as an ellipse and a rectangle in a plan view without being limited to the examples of FIGS. 2 and 3. In the example of FIG. 4, the shape of the wall portion 24 is a circular ring in a plan view. Not limited to the example of FIG. 4, in a plan view, the shape of the wall portion 24 may be another shape such as an elliptical ring shape or a rectangular ring shape.

図2に示すように、可動電極12は、グランド(GND)線16に接続されている。また、信号線15が、可動電極12を挟むようにして、グランド線16に対向配置されている。信号線15は、可動電極12から離間している。可動電極12、信号線15及びグランド線16は、可動部10における固定基板部20との対向面に設けられている。具体的には、可動電極12、信号線15及びグランド線16は、シート基板11の下面に設けられている。シート基板11の下面は、基板部21の上面と対向している。図2では、シート基板11の外形線を点線で示している。図3に示すように、固定電極22は、信号パッド28に接続されている。また、グランドパッド29が、固定電極22を挟むようにして、信号パッド28に対向配置されている。 As shown in FIG. 2, the movable electrode 12 is connected to the ground (GND) wire 16. Further, the signal line 15 is arranged to face the ground line 16 so as to sandwich the movable electrode 12. The signal line 15 is separated from the movable electrode 12. The movable electrode 12, the signal line 15, and the ground line 16 are provided on the surface of the movable portion 10 facing the fixed substrate portion 20. Specifically, the movable electrode 12, the signal line 15, and the ground line 16 are provided on the lower surface of the sheet substrate 11. The lower surface of the sheet substrate 11 faces the upper surface of the substrate portion 21. In FIG. 2, the outline of the sheet substrate 11 is shown by a dotted line. As shown in FIG. 3, the fixed electrode 22 is connected to the signal pad 28. Further, the ground pad 29 is arranged to face the signal pad 28 so as to sandwich the fixed electrode 22.

壁部24は、中空部30から壁部24の外側に向かって壁部24を貫通する貫通孔60を有する。図4の例では、壁部24に4つの貫通孔60が設けられているが、貫通孔60の個数は増減可能である。図4の例では、平面視において、貫通孔60が壁部24の内面61から外面62に向って伸びる直線形状である。図4の例に限らず、貫通孔60は他の形状であってもよい。壁部24に設けられた貫通孔60を介して、中空部30内に空気が導入されると共に、中空部30内の空気が外気に排出される。これにより、圧力センサ100の内部の密閉状態が解除され、大気圧と中空部30内の圧力とが一致する。大気圧と中空部30内の圧力とが一致することにより、大気圧の影響を受けずに圧力センサ100の測定が行われるため、圧力センサ100の測定精度が向上する。壁部24に貫通孔60を設けることにより、圧力センサ100の屈曲時に貫通孔60が潰れることが抑制されるため、圧力センサ100に安定的に貫通孔60を形成することができる。 The wall portion 24 has a through hole 60 penetrating the wall portion 24 from the hollow portion 30 toward the outside of the wall portion 24. In the example of FIG. 4, four through holes 60 are provided in the wall portion 24, but the number of through holes 60 can be increased or decreased. In the example of FIG. 4, in a plan view, the through hole 60 has a linear shape extending from the inner surface 61 of the wall portion 24 toward the outer surface 62. Not limited to the example of FIG. 4, the through hole 60 may have another shape. Air is introduced into the hollow portion 30 through the through hole 60 provided in the wall portion 24, and the air in the hollow portion 30 is discharged to the outside air. As a result, the sealed state inside the pressure sensor 100 is released, and the atmospheric pressure and the pressure inside the hollow portion 30 match. By matching the atmospheric pressure with the pressure in the hollow portion 30, the pressure sensor 100 is measured without being affected by the atmospheric pressure, so that the measurement accuracy of the pressure sensor 100 is improved. By providing the through hole 60 in the wall portion 24, it is possible to prevent the through hole 60 from being crushed when the pressure sensor 100 is bent, so that the through hole 60 can be stably formed in the pressure sensor 100.

<実施形態>
図5は、実施形態に係る圧力センサ100の一例を示す断面図である。図6は、圧力センサ100の平面図の一例である。図5は、図6のH−H線に沿った断面を示している。また、図5は、図2のC−C線における断面、図3のE−E線における断面及び図4のG−G線における断面に対応している。図6では、4つの圧力センサ100(100A、100B、100C及び100D)が例示されると共に、コネクタ200及び静電容量測定回路300が例示される。図6の例では、4つの圧力センサ100が例示されているが、圧力センサ100の個数は増減可能である。4つの圧力センサ100は、シート基板11を共有する。
<Embodiment>
FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of the pressure sensor 100 according to the embodiment. FIG. 6 is an example of a plan view of the pressure sensor 100. FIG. 5 shows a cross section along the line HH of FIG. Further, FIG. 5 corresponds to a cross section taken along the line CC of FIG. 2, a cross section taken along the line EE of FIG. 3, and a cross section taken along the line GG of FIG. In FIG. 6, four pressure sensors 100 (100A, 100B, 100C and 100D) are exemplified, and a connector 200 and a capacitance measuring circuit 300 are exemplified. In the example of FIG. 6, four pressure sensors 100 are illustrated, but the number of pressure sensors 100 can be increased or decreased. The four pressure sensors 100 share the sheet substrate 11.

可動部10は、シート基板11、可動電極12、信号線15、グランド線16を含む。シート基板11は、可撓性を有する部材(例えば、ポリイミド)で形成される。シート基板11の下面に可動電極12、信号線15、グランド線16が設けられている。可動電極12、信号線15、グランド線16は、導電性を有する。可動電極12は、導体部13A及びメッキ部14Bを有する。信号線15は、導体部13B及びメッキ部14Bを有する。グランド線16は、導体部13C及びメッキ部14Cを有する。導体部13A、13B、13Cは、例えば、Cu(銅)等の金属で形成されている。メッキ部14A、14B、14Cは、例えば、Ti(チタン)、Au(金)等の金属で形成されている。なお、導体部13A、13B、13Cを総称する場合、導体部13と称し、メッキ部14A、14B、14Cを総称する場合、メッキ部14と称する。 The movable portion 10 includes a sheet substrate 11, a movable electrode 12, a signal line 15, and a ground line 16. The sheet substrate 11 is made of a flexible member (for example, polyimide). A movable electrode 12, a signal line 15, and a ground line 16 are provided on the lower surface of the sheet substrate 11. The movable electrode 12, the signal line 15, and the ground line 16 have conductivity. The movable electrode 12 has a conductor portion 13A and a plating portion 14B. The signal line 15 has a conductor portion 13B and a plating portion 14B. The ground wire 16 has a conductor portion 13C and a plating portion 14C. The conductor portions 13A, 13B, and 13C are made of, for example, a metal such as Cu (copper). The plated portions 14A, 14B, and 14C are made of, for example, a metal such as Ti (titanium) or Au (gold). When the conductor portions 13A, 13B, and 13C are generically referred to, they are referred to as the conductor portion 13, and when the plated portions 14A, 14B, and 14C are collectively referred to, they are referred to as the plated portion 14.

固定基板部20は、基板部21、固定電極22、信号パッド28、グランドパッド29を含む。基板部21は、容易に変形しない部材(例えば、ガラス)で形成される。基板部21の厚さは、例えば、300μm以上600μm以下であるが、この範囲に限定されない。基板部21が容易に変形しない部材で形成されるため、シート基板11への圧力の印加により可動部10が撓んでも、固定基板部20の変形は抑制される。基板部21の上面に固定電極22、信号パッド28、グランドパッド29が配置されている。基板部21の上面は、シート基板11の下面と対向している。固定電極22、信号パッド28、グランドパッド29は、導電性を有する。固定電極22、信号パッド28、グランドパッド29は、例えば、Cr(クロム)等で形成されている。 The fixed substrate portion 20 includes a substrate portion 21, a fixed electrode 22, a signal pad 28, and a ground pad 29. The substrate portion 21 is formed of a member (for example, glass) that does not easily deform. The thickness of the substrate portion 21 is, for example, 300 μm or more and 600 μm or less, but is not limited to this range. Since the substrate portion 21 is formed of a member that does not easily deform, even if the movable portion 10 bends due to the application of pressure to the sheet substrate 11, the deformation of the fixed substrate portion 20 is suppressed. A fixed electrode 22, a signal pad 28, and a ground pad 29 are arranged on the upper surface of the substrate portion 21. The upper surface of the substrate portion 21 faces the lower surface of the sheet substrate 11. The fixed electrode 22, the signal pad 28, and the ground pad 29 have conductivity. The fixed electrode 22, the signal pad 28, and the ground pad 29 are made of, for example, Cr (chromium) or the like.

固定基板部20には、固定電極22、信号パッド28、グランドパッド29の周囲を囲むと共に、固定電極22、信号パッド28、グランドパッド29の一部を覆う絶縁部23が設けられている。絶縁部23は、第1絶縁膜26、第2絶縁膜27を有する。絶縁部23は、絶縁部材の一例である。第1絶縁膜26は、例えば、TEOS(テトラエトキシシラン)、SiO(二酸化ケイ素)等によって形成されている。第2絶縁膜27は、SiN(窒化ケイ素)によって形成されている。第1絶縁膜26、第2絶縁膜27は、絶縁部
材の一例である。固定電極22の一部を覆う絶縁部23A上に壁部24Aが設けられている。壁部24は、金属部材の一例である。絶縁部23A及び壁部24Aは、基板部21上において、中空部30を囲むように設けられている。信号パッド28の一部を覆う絶縁部23B上に壁部24Bが設けられている。グランドパッド29の一部を覆う絶縁部23C上に壁部24Cが設けられている。壁部24A、24B、24Cは、例えば、Cu等の金属で形成されている。なお、絶縁部23A、23B、23Cを総称する場合、絶縁部23と称する。
The fixed substrate portion 20 is provided with an insulating portion 23 that surrounds the fixed electrode 22, the signal pad 28, and the ground pad 29, and also covers a part of the fixed electrode 22, the signal pad 28, and the ground pad 29. The insulating portion 23 has a first insulating film 26 and a second insulating film 27. The insulating portion 23 is an example of an insulating member. The first insulating film 26 is formed of, for example, TEOS (tetraethoxysilane), SiO 2 (silicon dioxide), or the like. The second insulating film 27 is formed of SiN (silicon nitride). The first insulating film 26 and the second insulating film 27 are examples of insulating members. A wall portion 24A is provided on the insulating portion 23A that covers a part of the fixed electrode 22. The wall portion 24 is an example of a metal member. The insulating portion 23A and the wall portion 24A are provided on the substrate portion 21 so as to surround the hollow portion 30. A wall portion 24B is provided on the insulating portion 23B that covers a part of the signal pad 28. A wall portion 24C is provided on the insulating portion 23C that covers a part of the ground pad 29. The wall portions 24A, 24B, and 24C are made of a metal such as Cu, for example. When the insulating portions 23A, 23B, and 23C are collectively referred to, they are referred to as the insulating portion 23.

絶縁部23(23A、23B、23C)及び壁部24(24A、24B、24C)が、可動部10と固定基板部20とを接合することで可動部10と固定基板部20とが一体となり、圧力センサ100が形成される。壁部24Bは、信号線15及び信号パッド28に接触している。壁部24Bを介して、信号線15が信号パッド28に電気的に接続されている。固定電極22が、信号パッド28に接続されているため、信号線15が固定電極22に電気的に接続されている。壁部24Cを介して、グランド線16がグランドパッド29に電気的に接続されている。圧力センサ100は、可動電極12及び固定電極22を電極板とするコンデンサとして動作する。 The insulating portion 23 (23A, 23B, 23C) and the wall portion 24 (24A, 24B, 24C) join the movable portion 10 and the fixed substrate portion 20 to integrate the movable portion 10 and the fixed substrate portion 20. The pressure sensor 100 is formed. The wall portion 24B is in contact with the signal line 15 and the signal pad 28. The signal line 15 is electrically connected to the signal pad 28 via the wall portion 24B. Since the fixed electrode 22 is connected to the signal pad 28, the signal line 15 is electrically connected to the fixed electrode 22. The ground wire 16 is electrically connected to the ground pad 29 via the wall portion 24C. The pressure sensor 100 operates as a capacitor having the movable electrode 12 and the fixed electrode 22 as electrode plates.

図6に示すように、複数の信号線15がコネクタ200に接続されている。コネクタ200は、静電容量測定回路300に接続されている。図6に例示されるように、シート基板11を共有して複数の圧力センサ100を並べることが可能である。すなわち、単一のシート基板11に複数の可動電極12を設けることにより、単一のシート基板11に複数の可動電極12及び複数の固定基板部20を列状、格子状又はアレイ状に配置することが可能である。したがって、圧力センサ100は、単一のシート基板11を共有する複数のセンサ素子を有する。この場合、複数の可動電極12同士が離間し、複数の固定基板部20同士が離間している。そのため、圧力センサ100に圧力が印加された際、隣接する複数の可動部10の一方が、隣接する複数の可動部10の他方の基板が撓むことを阻害しない。したがって、圧力センサ100に圧力が印加された際における可動部10の撓みが阻害されず、圧力センサ100に印加された圧力を高い精度で測定することができる。 As shown in FIG. 6, a plurality of signal lines 15 are connected to the connector 200. The connector 200 is connected to the capacitance measuring circuit 300. As illustrated in FIG. 6, it is possible to share the sheet substrate 11 and arrange a plurality of pressure sensors 100. That is, by providing the plurality of movable electrodes 12 on the single sheet substrate 11, the plurality of movable electrodes 12 and the plurality of fixed substrate portions 20 are arranged in a row, lattice, or array on the single sheet substrate 11. It is possible. Therefore, the pressure sensor 100 has a plurality of sensor elements that share a single sheet substrate 11. In this case, the plurality of movable electrodes 12 are separated from each other, and the plurality of fixed substrate portions 20 are separated from each other. Therefore, when pressure is applied to the pressure sensor 100, one of the plurality of adjacent movable portions 10 does not prevent the other substrate of the plurality of adjacent movable portions 10 from bending. Therefore, the bending of the movable portion 10 when the pressure is applied to the pressure sensor 100 is not hindered, and the pressure applied to the pressure sensor 100 can be measured with high accuracy.

圧力センサ100では、中空部30の上方から圧力センサ100に圧力が印加されると、印加された圧力に応じて可動部10が固定基板部20に向かって撓む。また、圧力センサ100に圧力が印加されなくなると、圧力センサ100は圧力が印加される前の状態に戻る。すなわち、圧力センサ100では、印加された圧力に応じて、可動電極12と固定電極22との間の距離が変動する。可動電極12と固定電極22との間の距離が変動すると、圧力センサ100の静電容量が変動する。例えば、図6に例示される静電容量測定回路300によって圧力センサ100の静電容量の変動が測定されることで、圧力センサ100に印加された圧力が検出される。 In the pressure sensor 100, when a pressure is applied to the pressure sensor 100 from above the hollow portion 30, the movable portion 10 bends toward the fixed substrate portion 20 according to the applied pressure. When the pressure is no longer applied to the pressure sensor 100, the pressure sensor 100 returns to the state before the pressure was applied. That is, in the pressure sensor 100, the distance between the movable electrode 12 and the fixed electrode 22 fluctuates according to the applied pressure. When the distance between the movable electrode 12 and the fixed electrode 22 fluctuates, the capacitance of the pressure sensor 100 fluctuates. For example, the pressure applied to the pressure sensor 100 is detected by measuring the fluctuation of the capacitance of the pressure sensor 100 by the capacitance measuring circuit 300 illustrated in FIG.

可動部10に接続線41が設けられている。図6に示すように、隣接する可動電極12の間に接続線41が配置されており、隣接する可動電極12同士が接続線41によって接続されている。接続線41は、可動電極12と同じ材料で形成されているが、接続線41は、熱伝導性樹脂で形成されてもよい。可動電極12同士が接続されることにより、複数の可動電極12の温度が均等化される。実施形態において、接続線41の形成を省略してもよい。 A connecting line 41 is provided on the movable portion 10. As shown in FIG. 6, a connecting line 41 is arranged between the adjacent movable electrodes 12, and the adjacent movable electrodes 12 are connected to each other by the connecting line 41. The connecting wire 41 is made of the same material as the movable electrode 12, but the connecting wire 41 may be made of a heat conductive resin. By connecting the movable electrodes 12 to each other, the temperatures of the plurality of movable electrodes 12 are equalized. In the embodiment, the formation of the connecting line 41 may be omitted.

壁部24Aは、中空部30から壁部24Aの外側に向かって壁部24Aを貫通する貫通孔60を有する。壁部24Aに設けられた貫通孔60を介して、中空部30内に空気が導入されると共に、中空部30内の空気が外気に排出される。これにより、大気圧と中空部30内の圧力とが一致する。大気圧と中空部30内の圧力とが一致することにより、大気圧の影響を受けずに圧力センサ100の測定が行われるため、圧力センサ100の測定精
度が向上する。壁部24Aに貫通孔60を設けることにより、圧力センサ100に安定的に貫通孔60を形成することができる。壁部24Aに貫通孔60が設けられているため、壁部24Aの内部を空気が通り、絶縁部23Aの内部を空気が通らない。したがって、絶縁部23Aの吸湿が抑制され、圧力センサ100の測定精度が向上する。貫通孔60の形成は、壁部24Aの形成工程と同一の工程で行われる。これにより、圧力センサ100の製造工程を増加せずに、壁部24Aに貫通孔60を形成することができる。
The wall portion 24A has a through hole 60 penetrating the wall portion 24A from the hollow portion 30 toward the outside of the wall portion 24A. Air is introduced into the hollow portion 30 through the through hole 60 provided in the wall portion 24A, and the air in the hollow portion 30 is discharged to the outside air. As a result, the atmospheric pressure and the pressure in the hollow portion 30 match. By matching the atmospheric pressure with the pressure in the hollow portion 30, the pressure sensor 100 is measured without being affected by the atmospheric pressure, so that the measurement accuracy of the pressure sensor 100 is improved. By providing the through hole 60 in the wall portion 24A, the through hole 60 can be stably formed in the pressure sensor 100. Since the wall portion 24A is provided with the through hole 60, air passes through the inside of the wall portion 24A and does not pass through the inside of the insulating portion 23A. Therefore, the moisture absorption of the insulating portion 23A is suppressed, and the measurement accuracy of the pressure sensor 100 is improved. The formation of the through hole 60 is performed in the same process as the step of forming the wall portion 24A. As a result, the through hole 60 can be formed in the wall portion 24A without increasing the manufacturing process of the pressure sensor 100.

第1絶縁膜26は、TEOS、SiO等によって形成された酸化シリコン膜である。酸化シリコン膜は吸湿性を有する。酸化シリコン膜が吸湿することにより、圧力センサ100の測定に悪影響を与える可能性がある。第2絶縁膜27は、SiNによって形成された窒化シリコン膜である。窒化シリコン膜は防湿性の高い部材である。第2絶縁膜27は、防湿性の高い絶縁部材の一例である。絶縁部23が第2絶縁膜27を含むことにより、絶縁部23の吸湿が抑制され、圧力センサ100の測定精度が向上する。例えば、図5に示すように、第2絶縁膜27が第1絶縁膜26を覆うことにより、第1絶縁膜26の吸湿が抑制され、圧力センサ100の測定精度が向上する。壁部24Aに設けられた貫通孔60が、可動電極12に接していると共に、絶縁部23Aの第2絶縁膜27に接している。圧力センサ100が屈曲した際、可動電極12が貫通孔60内に進入し、可動電極12が第2絶縁膜27に接触しても、可動電極12と第2絶縁膜27とが接合されない。したがって、圧力センサ100の屈曲が解除された際、可動電極12が貫通孔60を塞がない。このため、中空部30内への空気の導入及び中空部30内から外気への空気の排出が維持される。第2絶縁膜27は、防湿性の高い部材であるため、壁部24Aに設けられた貫通孔60を空気が通る際、絶縁部23Aの第2絶縁膜27の吸湿が抑制される。したがって、絶縁部23Aの吸湿が抑制され、圧力センサ100の測定精度が向上する。 The first insulating film 26 is a silicon oxide film formed of TEOS, SiO 2, and the like. The silicon oxide film has hygroscopicity. Moisture absorption by the silicon oxide film may adversely affect the measurement of the pressure sensor 100. The second insulating film 27 is a silicon nitride film formed of SiN. The silicon nitride film is a member having high moisture resistance. The second insulating film 27 is an example of an insulating member having high moisture resistance. Since the insulating portion 23 includes the second insulating film 27, the moisture absorption of the insulating portion 23 is suppressed, and the measurement accuracy of the pressure sensor 100 is improved. For example, as shown in FIG. 5, by covering the first insulating film 26 with the second insulating film 27, the moisture absorption of the first insulating film 26 is suppressed, and the measurement accuracy of the pressure sensor 100 is improved. The through hole 60 provided in the wall portion 24A is in contact with the movable electrode 12 and in contact with the second insulating film 27 of the insulating portion 23A. When the pressure sensor 100 is bent, even if the movable electrode 12 enters the through hole 60 and the movable electrode 12 comes into contact with the second insulating film 27, the movable electrode 12 and the second insulating film 27 are not joined. Therefore, when the bending of the pressure sensor 100 is released, the movable electrode 12 does not block the through hole 60. Therefore, the introduction of air into the hollow portion 30 and the discharge of air from the inside of the hollow portion 30 to the outside air are maintained. Since the second insulating film 27 is a member having high moisture resistance, when air passes through the through hole 60 provided in the wall portion 24A, the moisture absorption of the second insulating film 27 of the insulating portion 23A is suppressed. Therefore, the moisture absorption of the insulating portion 23A is suppressed, and the measurement accuracy of the pressure sensor 100 is improved.

図7は、実施形態に係る圧力センサ100の一例を示す断面図である。図7では、圧力センサ100の一部を拡大して示している。図7に示すように、絶縁部23Aの第2絶縁膜27が、中空部30から第2絶縁膜27の外側に向かって第2絶縁膜27を貫通する貫通孔63を有してもよい。絶縁部23Aの第2絶縁膜27に設けられた貫通孔63を介して、中空部30内に空気が導入されると共に、中空部30内の空気が外気に排出される。これにより、圧力センサ100の内部の密閉状態が解除され、大気圧と中空部30内の圧力とが一致する。大気圧と中空部30内の圧力とが一致することにより、大気圧の影響を受けずに圧力センサ100の測定が行われるため、圧力センサ100の測定精度が向上する。第2絶縁膜27は、防湿性の高い部材であるため、絶縁部23Aの第2絶縁膜27に設けられた貫通孔63を空気が通る際、絶縁部23Aの第2絶縁膜27の吸湿が抑制される。したがって、絶縁部23Aの吸湿が抑制され、圧力センサ100の測定精度が向上する。図7の例では、第2絶縁膜27に設けられた貫通孔63が、壁部24Aと第2絶縁膜27との境界に配置されている。すなわち、第2絶縁膜27に設けられた貫通孔63が、壁部24Aに接している。図7の例では、第2絶縁膜27に設けられた貫通孔63が、第1絶縁膜26に接していない。したがって、貫通孔63と第1絶縁膜26との間に第2絶縁膜27が存在している。圧力センサ100が屈曲した際、壁部24Aが貫通孔63内に進入し、壁部24Aが第2絶縁膜27に接触しても、壁部24Aと第2絶縁膜27とが接合されない。したがって、圧力センサ100の屈曲が解除された際、壁部24Aが貫通孔63を塞がない。このため、中空部30内への空気の導入及び中空部30内から外気への空気の排出が維持される。図7の例に限らず、第2絶縁膜27に設けられた貫通孔63が、第1絶縁膜26に接してもよい。貫通孔63の形成は、第2絶縁膜27の形成工程と同一の工程で行われる。これにより、圧力センサ100の製造工程を増加せずに、第2絶縁膜27に貫通孔63を形成することができる。 FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of the pressure sensor 100 according to the embodiment. In FIG. 7, a part of the pressure sensor 100 is enlarged and shown. As shown in FIG. 7, the second insulating film 27 of the insulating portion 23A may have a through hole 63 penetrating the second insulating film 27 from the hollow portion 30 toward the outside of the second insulating film 27. Air is introduced into the hollow portion 30 through the through hole 63 provided in the second insulating film 27 of the insulating portion 23A, and the air in the hollow portion 30 is discharged to the outside air. As a result, the sealed state inside the pressure sensor 100 is released, and the atmospheric pressure and the pressure inside the hollow portion 30 match. By matching the atmospheric pressure with the pressure in the hollow portion 30, the pressure sensor 100 is measured without being affected by the atmospheric pressure, so that the measurement accuracy of the pressure sensor 100 is improved. Since the second insulating film 27 is a member having high moisture resistance, when air passes through the through hole 63 provided in the second insulating film 27 of the insulating portion 23A, the second insulating film 27 of the insulating portion 23A absorbs moisture. It is suppressed. Therefore, the moisture absorption of the insulating portion 23A is suppressed, and the measurement accuracy of the pressure sensor 100 is improved. In the example of FIG. 7, the through hole 63 provided in the second insulating film 27 is arranged at the boundary between the wall portion 24A and the second insulating film 27. That is, the through hole 63 provided in the second insulating film 27 is in contact with the wall portion 24A. In the example of FIG. 7, the through hole 63 provided in the second insulating film 27 is not in contact with the first insulating film 26. Therefore, the second insulating film 27 exists between the through hole 63 and the first insulating film 26. When the pressure sensor 100 is bent, even if the wall portion 24A enters the through hole 63 and the wall portion 24A comes into contact with the second insulating film 27, the wall portion 24A and the second insulating film 27 are not joined. Therefore, when the bending of the pressure sensor 100 is released, the wall portion 24A does not block the through hole 63. Therefore, the introduction of air into the hollow portion 30 and the discharge of air from the inside of the hollow portion 30 to the outside air are maintained. Not limited to the example of FIG. 7, the through hole 63 provided in the second insulating film 27 may come into contact with the first insulating film 26. The through hole 63 is formed in the same step as the step of forming the second insulating film 27. As a result, the through hole 63 can be formed in the second insulating film 27 without increasing the manufacturing process of the pressure sensor 100.

図8及び図9は、壁部24Aの一例を示す図である。図8及び図9に示すように、壁部24Aに設けられた複数の貫通孔60が、壁部24Aの内部で蛇行してもよい。平面視に
おいて、複数の貫通孔60が壁部24Aの内面61から外面62に向って蛇行しながら伸びている。また、図9に示すように、貫通孔60が、壁部24Aの内部で分岐してもよい。更に、図9に示すように、複数の貫通孔60が、壁部24Aの内部で相互に連結されてもよい。貫通孔60が、壁部24Aの内部で蛇行することにより、壁部24Aの外側から中空部30までの経路が長くなり、中空部30内へのごみの侵入が抑制される。貫通孔60が、壁部24Aの内部で分岐することにより、壁部24Aの外側から中空部30までの経路が長くなり、中空部30内へのごみの侵入が抑制される。これにより、圧力センサ100の歩留まりや信頼性が向上する。図9に示すように、壁部24Aの形状に沿って貫通孔60の一部が配置されているため、壁部24の接合力が低下せず、壁部24の接合力を均等に保つことができる。図8及び図9に示す壁部24Aの構造は、絶縁部23Aの第2絶縁膜27の構造に適用してもよい。すなわち、絶縁部23Aの第2絶縁膜27に設けられた複数の貫通孔63が、第2絶縁膜27の内部で蛇行してもよい。また、絶縁部23Aの第2絶縁膜27に設けられた複数の貫通孔63が、第2絶縁膜27の内部で分岐してもよい。更に、絶縁部23Aの第2絶縁膜27に設けられた複数の貫通孔63が、第2絶縁膜27の内部で相互に連結されてもよい。
8 and 9 are views showing an example of the wall portion 24A. As shown in FIGS. 8 and 9, a plurality of through holes 60 provided in the wall portion 24A may meander inside the wall portion 24A. In a plan view, a plurality of through holes 60 extend from the inner surface 61 of the wall portion 24A toward the outer surface 62 while meandering. Further, as shown in FIG. 9, the through hole 60 may branch inside the wall portion 24A. Further, as shown in FIG. 9, a plurality of through holes 60 may be connected to each other inside the wall portion 24A. Since the through hole 60 meanders inside the wall portion 24A, the path from the outside of the wall portion 24A to the hollow portion 30 becomes long, and the intrusion of dust into the hollow portion 30 is suppressed. By branching the through hole 60 inside the wall portion 24A, the path from the outside of the wall portion 24A to the hollow portion 30 becomes long, and the intrusion of dust into the hollow portion 30 is suppressed. As a result, the yield and reliability of the pressure sensor 100 are improved. As shown in FIG. 9, since a part of the through hole 60 is arranged along the shape of the wall portion 24A, the joining force of the wall portion 24 does not decrease, and the joining force of the wall portion 24 is kept even. Can be done. The structure of the wall portion 24A shown in FIGS. 8 and 9 may be applied to the structure of the second insulating film 27 of the insulating portion 23A. That is, the plurality of through holes 63 provided in the second insulating film 27 of the insulating portion 23A may meander inside the second insulating film 27. Further, a plurality of through holes 63 provided in the second insulating film 27 of the insulating portion 23A may branch inside the second insulating film 27. Further, a plurality of through holes 63 provided in the second insulating film 27 of the insulating portion 23A may be connected to each other inside the second insulating film 27.

<圧力センサ100の製造工程>
図10(A)から図17(B)は、圧力センサ100の製造工程の一例を示す図である。以下、図10(A)から図17(B)を参照して、圧力センサ100の製造工程の一例について説明する。
<Manufacturing process of pressure sensor 100>
10 (A) to 17 (B) are views showing an example of a manufacturing process of the pressure sensor 100. Hereinafter, an example of the manufacturing process of the pressure sensor 100 will be described with reference to FIGS. 10 (A) to 17 (B).

(固定基板部20の製造工程)
図10(A)から図13(B)は固定基板部20の製造工程の一例を示す。図10(A)、図11(A)、図12(A)、図13(A)は、固定基板部20の平面図である。図10(B)、図11(B)、図12(B)、図13(B)は、固定基板部20の断面図である。図10(B)、図11(B)、図12(B)、図13(B)のそれぞれは、図10(A)、図11(A)、図12(A)、図13(A)の各J−J線に沿った断面を示している。図10(A)、図10(B)では、基板部21の可動部10に対向する面上に固定電極22、信号パッド28、グランドパッド29が形成される。固定電極22、信号パッド28、グランドパッド29の各厚みは、例えば、200nmであるが、この値に限定されない。次に、図11(A)、図11(B)では、固定電極22の一部、信号パッド28の一部、グランドパッド29の一部を覆うように第1絶縁膜26が形成される。第1絶縁膜26の厚みは、例えば、550nmであるが、この値に限定されない。続いて、図12(A)、図12(B)では、第1絶縁膜26を覆うように第2絶縁膜27が形成される。これにより、絶縁部23Aが固定電極22の一部を覆い、絶縁部23Bが信号パッド28の一部を覆い、絶縁部23Cがグランドパッド29の一部を覆う。絶縁部23A、23B、23Cは、第1絶縁膜26、第2絶縁膜27を有する。第2絶縁膜27の厚みは、例えば、100nmであるが、この値に限定されない。固定電極22、絶縁部23A、23B、23C、信号パッド28、グランドパッド29は、例えば、フォトリソグラフィー及びエッチングを行うことによって、所定パターンに形成される。
(Manufacturing process of fixed substrate portion 20)
10 (A) to 13 (B) show an example of the manufacturing process of the fixed substrate portion 20. 10 (A), 11 (A), 12 (A), and 13 (A) are plan views of the fixed substrate portion 20. 10 (B), 11 (B), 12 (B), and 13 (B) are cross-sectional views of the fixed substrate portion 20. 10 (B), 11 (B), 12 (B), and 13 (B), respectively, are FIG. 10 (A), FIG. 11 (A), FIG. 12 (A), and FIG. 13 (A), respectively. The cross section along each JJ line of is shown. In FIGS. 10A and 10B, the fixed electrode 22, the signal pad 28, and the ground pad 29 are formed on the surface of the substrate portion 21 facing the movable portion 10. The thickness of each of the fixed electrode 22, the signal pad 28, and the ground pad 29 is, for example, 200 nm, but is not limited to this value. Next, in FIGS. 11A and 11B, the first insulating film 26 is formed so as to cover a part of the fixed electrode 22, a part of the signal pad 28, and a part of the ground pad 29. The thickness of the first insulating film 26 is, for example, 550 nm, but is not limited to this value. Subsequently, in FIGS. 12A and 12B, the second insulating film 27 is formed so as to cover the first insulating film 26. As a result, the insulating portion 23A covers a part of the fixed electrode 22, the insulating portion 23B covers a part of the signal pad 28, and the insulating portion 23C covers a part of the ground pad 29. The insulating portions 23A, 23B, and 23C have a first insulating film 26 and a second insulating film 27. The thickness of the second insulating film 27 is, for example, 100 nm, but is not limited to this value. The fixed electrode 22, the insulating portions 23A, 23B, 23C, the signal pad 28, and the ground pad 29 are formed in a predetermined pattern by, for example, photolithography and etching.

次いで、図13(A)、図13(B)では、メッキ処理を行うことにより、固定基板部20に壁部24が形成される。詳細には、絶縁部23A上に壁部24Aが形成され、絶縁部23B上に壁部24Bが形成され、絶縁部23C上に壁部24Cが形成される。壁部24A、壁部24B、壁部24Cの形成工程において、壁部24Aに貫通孔60が形成される。壁部24Bが、信号パッド28に接触しており、壁部24Bと信号パッド28とが電気的に接続される。壁部24Cが、グランドパッド29に接触しており、壁部24Bとグランドパッド29とが電気的に接続される。なお、壁部24A、24B、24Cを総称する場合、壁部24と称する。なお、壁部24をスパッタリングにより形成してもよい。即ち、スパッタ装置にて固定基板部20にメッキ層を成膜した後で、レジストを塗布してエ
ッチングすることによって壁部24のパターンを形成してもよい。
Next, in FIGS. 13 (A) and 13 (B), the wall portion 24 is formed on the fixed substrate portion 20 by performing the plating treatment. Specifically, the wall portion 24A is formed on the insulating portion 23A, the wall portion 24B is formed on the insulating portion 23B, and the wall portion 24C is formed on the insulating portion 23C. In the process of forming the wall portion 24A, the wall portion 24B, and the wall portion 24C, a through hole 60 is formed in the wall portion 24A. The wall portion 24B is in contact with the signal pad 28, and the wall portion 24B and the signal pad 28 are electrically connected. The wall portion 24C is in contact with the ground pad 29, and the wall portion 24B and the ground pad 29 are electrically connected. When the wall portions 24A, 24B, and 24C are collectively referred to, they are referred to as the wall portion 24. The wall portion 24 may be formed by sputtering. That is, the pattern of the wall portion 24 may be formed by forming a plating layer on the fixed substrate portion 20 with a sputtering apparatus and then applying a resist and etching.

(可動部10の製造工程)
図14(A)から図17(B)は可動部10の製造工程の一例を示す。図14(A)、図15(A)、図16(A)、図17(A)は、可動部10の平面図である。図14(B)、図15(B)、図16(B)、図17(B)は、可動部10の断面図である。図14(B)、図15(B)、図16(B)、図17(B)のそれぞれは、図14(A)、図15(A)、図16(A)、図17(A)の各K−K線に沿った断面を示している。図14(A)、図14(B)では、サポート基板50に固定されたシート基板11の固定基板部20に対向する面上に導体部13が形成される。導体部13は、CMP(Chemical Mechanical Polishing)によって平坦化される。図15(A)、図15(B)では、導体部1
3上にメッキ部14が形成される。例えば、導体部13上に50nmの厚みのTiと、100nmの厚みのAuとを形成することにより、導体部13上にメッキ部14が形成されてもよい。図16(A)、図16(B)では、フォトリソグラフィー及びエッチングを行うことにより、導体部13、メッキ部14のパターンが形成される。これにより、シート基板11の固定基板部20に対向する面上に可動電極12、信号線15、グランド線16、接続線41が形成される。図17(A)、図17(B)では、可動部10からサポート基板50が剥離される。
(Manufacturing process of moving part 10)
14 (A) to 17 (B) show an example of the manufacturing process of the movable portion 10. 14 (A), 15 (A), 16 (A), and 17 (A) are plan views of the movable portion 10. 14 (B), 15 (B), 16 (B), and 17 (B) are cross-sectional views of the movable portion 10. 14 (B), 15 (B), 16 (B), and 17 (B) are shown in FIGS. 14 (A), 15 (A), 16 (A), and 17 (A), respectively. The cross section along each KK line of is shown. In FIGS. 14A and 14B, the conductor portion 13 is formed on the surface of the sheet substrate 11 fixed to the support substrate 50 facing the fixed substrate portion 20. The conductor portion 13 is flattened by CMP (Chemical Mechanical Polishing). In FIGS. 15 (A) and 15 (B), the conductor portion 1
The plated portion 14 is formed on the 3. For example, the plated portion 14 may be formed on the conductor portion 13 by forming Ti having a thickness of 50 nm and Au having a thickness of 100 nm on the conductor portion 13. In FIGS. 16A and 16B, a pattern of the conductor portion 13 and the plating portion 14 is formed by performing photolithography and etching. As a result, the movable electrode 12, the signal line 15, the ground line 16, and the connecting line 41 are formed on the surface of the sheet substrate 11 facing the fixed substrate portion 20. In FIGS. 17A and 17B, the support substrate 50 is peeled off from the movable portion 10.

(可動部10と固定基板部20の接合工程)
図18は、固定基板部20と可動部10とを接合する工程の一例を示す。図18では、可動部10と固定基板部20とが接合される。接合方法は特に限定されない。可動部10と固定基板部20とは、例えば、常温接合によって接合されてもよい。常温接合では、例えば、メッキ部14の壁部24に対向する面と壁部24のメッキ部14に対向する面とに対して、当該面を平滑にする処理と当該面から不純物を除去して清浄にする処理とが行われる。これらの処理が施されたメッキ部14と壁部24とが接触すると、メッキ部14と壁部24との間で働く分子間力によって、可動部10と固定基板部20とが接合される。
(Joining process of moving part 10 and fixed substrate part 20)
FIG. 18 shows an example of a step of joining the fixed substrate portion 20 and the movable portion 10. In FIG. 18, the movable portion 10 and the fixed substrate portion 20 are joined. The joining method is not particularly limited. The movable portion 10 and the fixed substrate portion 20 may be joined by, for example, room temperature joining. In the room temperature bonding, for example, the surface of the plated portion 14 facing the wall portion 24 and the surface of the wall portion 24 facing the plated portion 14 are smoothed and impurities are removed from the surface. The process of cleaning is performed. When the plated portion 14 and the wall portion 24 that have been subjected to these treatments come into contact with each other, the movable portion 10 and the fixed substrate portion 20 are joined by the intermolecular force acting between the plated portion 14 and the wall portion 24.

図19は、図10(A)から図18までの工程によって製造された圧力センサ100について、シート基板11を共有する2つの圧力センサ100を並べた様子を例示する。図19では、固定基板部20がダイシングによって個片化されている。図19に例示するように、シート基板11を共有して複数の圧力センサ100を並べることで、圧力検出の対象とする面積を広げることが可能である。図19の例では、2つの圧力センサ100(100A、100B)が例示されているが、圧力センサ100の個数は増減可能である。 FIG. 19 illustrates a state in which two pressure sensors 100 sharing the sheet substrate 11 are arranged side by side with respect to the pressure sensor 100 manufactured by the steps from FIGS. 10A to 18. In FIG. 19, the fixed substrate portion 20 is separated by dicing. As illustrated in FIG. 19, by sharing the sheet substrate 11 and arranging a plurality of pressure sensors 100, it is possible to expand the area targeted for pressure detection. In the example of FIG. 19, two pressure sensors 100 (100A, 100B) are illustrated, but the number of pressure sensors 100 can be increased or decreased.

また、可動部10と固定基板部20の接合工程においてメッキ部14及び壁部24の表面を平坦化する処理を行わずに、可動部10、固定基板部20それぞれの製造工程で、表面の平坦性を担保するようにしてもよい。例えば、可動部10の製造工程において、シート基板11に対して可動電極12となる金属(例えばCu)をCMP処理して平坦にし、その上にスパッタ装置でメッキ部14を成膜してもよい。 Further, the surface of the movable portion 10 and the fixed substrate portion 20 is flattened in the manufacturing process of each of the movable portion 10 and the fixed substrate portion 20 without performing the process of flattening the surfaces of the plated portion 14 and the wall portion 24 in the joining process of the movable portion 10 and the fixed substrate portion 20. You may try to guarantee the sex. For example, in the manufacturing process of the movable portion 10, the metal (for example, Cu) to be the movable electrode 12 may be CMP-treated on the sheet substrate 11 to make it flat, and the plated portion 14 may be formed on the sheet substrate 11 by a sputtering device. ..

<付記>
第1電極(12)を含むフレキシブル基板(10)と、
前記フレキシブル基板(10)に対向して配置され、前記第1電極(12)との間に中空部(30)を介して前記第1電極に(12)対向配置される第2電極(22)を含む硬質基板(20)と、
前記フレキシブル基板(10)と前記硬質基板(20)との間であって、前記中空部を囲むように設けられ、前記フレキシブル基板(10)と前記硬質基板(20)とを接合する接合部(23、24)と、
を備え、
前記接合部は、前記中空部から前記接合部の外側に向かって前記接合部を貫通する貫通孔を有する、
ことを特徴とする静電容量式圧力センサ(100)。
<Additional notes>
A flexible substrate (10) including the first electrode (12) and
A second electrode (22) arranged to face the flexible substrate (10) and (12) opposed to the first electrode via a hollow portion (30) between the flexible substrate (10) and the first electrode (12). Hard substrate (20) including
A joint portion between the flexible substrate (10) and the hard substrate (20), which is provided so as to surround the hollow portion and joins the flexible substrate (10) and the rigid substrate (20). 23, 24) and
With
The joint portion has a through hole penetrating the joint portion from the hollow portion toward the outside of the joint portion.
Capacitive pressure sensor (100).

100、100A、100B、100C、100D・・・圧力センサ
10・・・可動部
11・・・シート基板
12・・・可動電極
15・・・信号線
16・・・グランド線
20・・・固定基板部
21・・・基板部
22・・・固定電極
23、23A、23B、23C・・・絶縁部
24、24A、24B、24C・・・壁部
26・・・第1絶縁膜
27・・・第2絶縁膜
30・・・中空部
60、63・・・貫通孔
100, 100A, 100B, 100C, 100D ... Pressure sensor 10 ... Movable part 11 ... Sheet substrate 12 ... Movable electrode 15 ... Signal line 16 ... Ground wire 20 ... Fixed substrate Part 21 ... Substrate part 22 ... Fixed electrode 23, 23A, 23B, 23C ... Insulation part 24, 24A, 24B, 24C ... Wall part 26 ... First insulating film 27 ... 2 Insulating film 30 ... Hollow parts 60, 63 ... Through holes

Claims (6)

第1電極を含むフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板に対向して配置され、前記第1電極との間に中空部を介して前記第1電極に対向配置される第2電極を含む硬質基板と、
前記フレキシブル基板と前記硬質基板との間であって、前記中空部を囲むように設けられ、前記フレキシブル基板と前記硬質基板とを接合する接合部と、
を備え、
前記接合部は、前記中空部から前記接合部の外側に向かって前記接合部を貫通する貫通孔を有
前記接合部は、前記フレキシブル基板側に配置され前記第1電極に接触する金属部材と、前記硬質基板側に配置された絶縁部材とを含む、
ことを特徴とする静電容量式圧力センサ。
Flexible substrate including the first electrode and
A hard substrate including a second electrode which is arranged to face the flexible substrate and is arranged to face the first electrode via a hollow portion between the flexible substrate and the first electrode.
A joint portion between the flexible substrate and the hard substrate, which is provided so as to surround the hollow portion and joins the flexible substrate and the hard substrate.
With
The joint is to have a through hole penetrating through the joint from the hollow portion toward the outside of the joint,
The joint includes a metal member arranged on the flexible substrate side and in contact with the first electrode, and an insulating member arranged on the hard substrate side.
Capacitive pressure sensor.
前記貫通孔が、前記金属部材に設けられており、
前記貫通孔が、前記第1電極及び前記絶縁部材に接している、
ことを特徴とする請求項1に記載の静電容量式圧力センサ。
The through hole is provided in the metal member, and the through hole is provided in the metal member.
The through hole is in contact with the first electrode and the insulating member.
The capacitance type pressure sensor according to claim 1.
前記絶縁部材は、防湿性が高く
前記貫通孔が、前記絶縁部材に設けられており、
前記貫通孔が、前記金属部材に接している、
ことを特徴とする請求項1に記載の静電容量式圧力センサ。
The insulating member has high moisture resistance and is
The through hole is provided in the insulating member, and the through hole is provided in the insulating member.
The through hole is in contact with the metal member,
The capacitance type pressure sensor according to claim 1.
前記貫通孔が、前記接合部の内部で蛇行している、
ことを特徴とする請求項1から3の何れか一項に記載の静電容量式圧力センサ。
The through hole meanders inside the joint.
The capacitive pressure sensor according to any one of claims 1 to 3, wherein the capacitance type pressure sensor is characterized.
前記貫通孔が、前記接合部の内部で分岐している、
ことを特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載の静電容量式圧力センサ。
The through hole is branched inside the joint.
The capacitive pressure sensor according to any one of claims 1 to 4.
前記フレキシブル基板は前記第1電極を複数含んでおり、
複数の前記第1電極に対応する複数の前記第2電極、複数の前記硬質基板及び複数の前記接合部を備える、
ことを特徴とする請求項1から5の何れか一項に記載の静電容量式圧力センサ。
The flexible substrate includes a plurality of the first electrodes.
A plurality of the second electrodes corresponding to the plurality of the first electrodes, the plurality of the hard substrates, and the plurality of the joints are provided.
The capacitive pressure sensor according to any one of claims 1 to 5, wherein the capacitance type pressure sensor is characterized.
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