JP6910726B2 - 半導体集積回路 - Google Patents
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Description
実施の形態1における半導体集積回路を説明する。図1は、実施の形態1における半導体集積回路の構成を示す回路図である。
実施の形態2における半導体集積回路を説明する。なお、実施の形態1と同様の構成および動作については説明を省略する。
実施の形態3における半導体集積回路を説明する。なお、実施の形態1または2と同様の構成および動作については説明を省略する。
実施の形態4における半導体集積回路を説明する。なお、実施の形態1から3のいずれかと同様の構成および動作については説明を省略する。
実施の形態5における半導体集積回路を説明する。なお、実施の形態1から4のいずれかと同様の構成および動作については説明を省略する。
図6は、実施の形態6における半導体集積回路の構成を示す回路図である。実施の形態6の半導体集積回路は、実施の形態5に示した半導体集積回路の第1回路10にスイッチング素子11を含む。スイッチング素子11は、SiCを含むトランジスタからなる半導体デバイスであり、高電圧を取り扱うことが可能なパワー半導体デバイスまたは電力半導体デバイスと呼ばれる半導体デバイスである。ここでは、スイッチング素子11は、SiC MOSFETである。
Claims (6)
- 低電圧の制御信号によって制御され、前記低電圧の制御信号よりも高電圧で駆動する第1回路と、
前記第1回路に前記低電圧の制御信号を出力して、前記第1回路の駆動を制御する第2回路と、
各々が直列に接続される複数の絶縁素子を含み、前記第1回路と前記第2回路との間を直列に接続する絶縁回路と、を備え、
前記複数の絶縁素子の各々は、磁気結合素子または容量結合素子であり、
前記絶縁回路は、
各前記絶縁素子が前記磁気結合素子である場合各前記絶縁素子にて前記第1回路と前記第2回路とを磁気結合させることにより前記制御信号を前記第2回路から前記第1回路に伝達し、各前記絶縁素子が前記容量結合素子である場合各前記絶縁素子にて前記第1回路と前記第2回路とを容量結合させることにより前記制御信号を前記第2回路から前記第1回路に伝達し、かつ、各前記絶縁素子にて前記第1回路と前記第2回路との間を絶縁することにより前記高電圧が前記第1回路から前記第2回路に印加されることを防ぎ、
前記絶縁回路は、前記複数の絶縁素子のうち、隣接する2つの絶縁素子の間に接続される短絡検知回路を含み、
前記短絡検知回路は、前記隣接する2つの絶縁素子間の電位差に基づき絶縁破壊を検知し、前記絶縁破壊に関する情報を前記第2回路に出力する、半導体集積回路。 - 前記第1回路は、スイッチング素子を含み、
前記第2回路は、前記スイッチング素子に前記制御信号を出力して前記スイッチング素子の駆動を制御することにより、前記第1回路の前記駆動を制御し、
前記スイッチング素子は、SiCを含むトランジスタからなる半導体デバイスである請求項1に記載の半導体集積回路。 - 低電圧の制御信号によって制御され、前記低電圧の制御信号よりも高電圧で駆動する第1回路と、
前記第1回路に前記低電圧の制御信号を出力して、前記第1回路の駆動を制御する第2回路と、
各々が直列に接続される少なくとも1つの絶縁素子と導通状態から絶縁状態に切り替え可能な少なくとも1つの遮断素子とを含み、前記第1回路と前記第2回路との間を直列に接続する絶縁回路と、
前記第1回路と前記第2回路との間に設けられ、短絡電流を検知する短絡検知回路と、を備え、
前記絶縁素子は、磁気結合素子または容量結合素子であり、
前記遮断素子は、前記絶縁素子に対し前記第1回路側に接続されており、
前記絶縁回路は、
前記絶縁素子が前記磁気結合素子である場合前記絶縁素子にて前記第1回路と前記第2回路とを磁気結合させることにより前記制御信号を前記第2回路から前記第1回路に伝達し、前記絶縁素子が前記容量結合素子である場合前記絶縁素子にて前記第1回路と前記第2回路とを容量結合させることにより前記制御信号を前記第2回路から前記第1回路に伝達し、かつ、前記短絡検知回路による前記短絡電流の検知に基づいて前記遮断素子を前記絶縁状態に切り替えることにより前記高電圧が前記第1回路から前記第2回路に印加されることを防ぐ半導体集積回路。 - 前記短絡検知回路は、前記絶縁素子に対し前記第1回路側に接続され、
前記遮断素子は、前記短絡電流の前記検知に基づいて電気的な導通を遮断するヒューズ素子を含む請求項3に記載の半導体集積回路。 - 前記短絡検知回路は、前記絶縁素子に対し前記第1回路側に接続され、
前記遮断素子は、前記短絡電流の前記検知に基づいて電気的な導通の入切を切り替えて前記導通を遮断するリレースイッチを含む請求項3または請求項4に記載の半導体集積回路。 - 前記第1回路は、スイッチング素子を含み、
前記第2回路は、前記スイッチング素子に前記制御信号を出力して前記スイッチング素子の駆動を制御することにより、前記第1回路の前記駆動を制御し、
前記スイッチング素子は、SiCを含むトランジスタからなる半導体デバイスである請求項3から請求項5のいずれか一項に記載の半導体集積回路。
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