JP6901318B2 - Lead frame manufacturing method and manufacturing equipment - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 171
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 60
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 25
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 20
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 18
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 35
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 33
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Description
開示の実施形態は、リードフレームの製造方法および製造装置に関する。 The disclosed embodiments relate to a method and apparatus for manufacturing a lead frame.
従来、リードフレームを所定のピッチでめっき処理装置内に順送りし、順送りされたその都度めっき処理を行う技術が知られている。かかるめっき処理においては、めっき膜とリードフレームに形成されたパターンとの位置を合わせるため、リードフレームに形成されたパイロット孔を用いて、リードフレームの位置が検出される（たとえば、特許文献１参照）。 Conventionally, there is known a technique in which lead frames are sequentially fed into a plating processing apparatus at a predetermined pitch, and plating processing is performed each time the lead frames are sequentially fed. In such a plating process, in order to align the positions of the plating film and the pattern formed on the lead frame, the position of the lead frame is detected by using the pilot holes formed in the lead frame (see, for example, Patent Document 1). ).
しかしながら、上述のめっき処理では、パイロット孔に洗浄液などの液体が残留している場合に、リードフレームの位置を検出する検出光がパイロット孔を通過できなくなることから、リードフレームの位置決めができなくなる恐れがあった。 However, in the above-mentioned plating process, when a liquid such as a cleaning liquid remains in the pilot hole, the detection light for detecting the position of the lead frame cannot pass through the pilot hole, so that the lead frame may not be positioned. was there.
実施形態の一態様は、上記に鑑みてなされたものであって、めっき処理においてリードフレームの位置決めをより確実に実施することができるリードフレームの製造方法および製造装置を提供することを目的とする。 One aspect of the embodiment is made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a lead frame manufacturing method and a manufacturing apparatus capable of more reliably positioning of the lead frame in the plating process. ..
実施形態の一態様に係るリードフレームの製造方法は、搬送工程と、位置決め工程と、めっき工程と、を含む。前記搬送工程は、所定のパターンが形成された帯状のリードフレームを所定のピッチで長手方向に搬送する。前記位置決め工程は、所定のピッチで搬送された前記リードフレームを、画像センサを用いて位置決めする。前記めっき工程は、前記リードフレームにおいて前記所定のピッチに対応する部分ごとにめっき膜を形成する。 The method for manufacturing a lead frame according to one aspect of the embodiment includes a transfer step, a positioning step, and a plating step. In the transfer step, the strip-shaped lead frame in which a predetermined pattern is formed is conveyed in the longitudinal direction at a predetermined pitch. In the positioning step, the lead frame conveyed at a predetermined pitch is positioned using an image sensor. In the plating step, a plating film is formed for each portion of the lead frame corresponding to the predetermined pitch.
実施形態の一態様によれば、めっき処理においてリードフレームの位置決めをより確実に実施することができる。 According to one aspect of the embodiment, the lead frame can be positioned more reliably in the plating process.
以下、添付図面を参照して、本願の開示するリードフレームの製造方法および製造装置について説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。 Hereinafter, the lead frame manufacturing method and the manufacturing apparatus disclosed in the present application will be described with reference to the accompanying drawings. The present invention is not limited to the embodiments shown below.
＜リードフレームの概要＞
最初に、図１を参照しながら、実施形態に係るリードフレーム１の概要について説明する。図１は、実施形態に係るリードフレーム１の模式図および拡大図である。図１に示すリードフレーム１は、ＱＦＰ（Quad Flat Package）タイプの半導体装置の製造に用いられるリードフレームである。
<Overview of lead frame>
First, the outline of the
なお、実施形態ではＱＦＰタイプの半導体装置の製造に用いられるリードフレームについて示すが、その他のタイプ、たとえばＳＯＰ（Small Outline Package）やＳＯＮ（Small Outline Non-leaded package）、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）などの半導体装置の製造に用いられるリードフレームに適用するようにしてもよい。 In the embodiment, a lead frame used for manufacturing a QFP type semiconductor device is shown, but other types such as SOP (Small Outline Package), SON (Small Outline Non-leaded package), and QFN (Quad Flat Non-leaded) are shown. It may be applied to a lead frame used for manufacturing a semiconductor device such as a package).
実施形態に係るリードフレーム１は、銅や銅合金、鉄ニッケル合金などで構成される金属板に、エッチング加工やスタンピング加工などが施されて所定のパターンが形成される。リードフレーム１は、図１の（ａ）に示すように、平面視で帯形状を有し、長手方向に沿って複数の単位リードフレーム２と、複数の分割部３とが交互に並んで形成されている。
In the
単位リードフレーム２は、リードフレーム１を用いて製造される半導体装置の一つ一つに対応する部位である。また、隣接する単位リードフレーム２同士は、分割部３により区分けされている。分割部３は、たとえば、リードフレーム１の短手方向に延びるスリット状に形成される。
The
図１の（ｂ）に示すように、単位リードフレーム２は、ダイパッド４と、複数のリード５と、ダイパッド支持部６と、スリット７とを有する。ダイパッド４は、単位リードフレーム２の中央部分に設けられる。かかるダイパッド４のおもて面側には、図示しない半導体チップが搭載可能である。
As shown in FIG. 1B, the
複数のリード５は、ダイパッド４の周囲に並んで配置されており、それぞれの先端部が単位リードフレーム２の外縁部からダイパッド４に向かって伸びている。かかるリード５は、ダイパッド４に配置される半導体チップの電極とボンディングワイヤなどで電気的に接続されることにより、半導体装置の外部端子として機能する。
The plurality of
ダイパッド支持部６は、ダイパッド４と単位リードフレーム２の外縁部とを連結し、ダイパッド４を単位リードフレーム２に支持する。ダイパッド支持部６は、たとえば、ダイパッド４の四隅にそれぞれ設けられる。
The die
スリット７は、たとえば、単位リードフレーム２において分割部３に隣接する位置に形成される。スリット７は、たとえば、１つの単位リードフレーム２に高温処理（たとえば、めっき処理）が施される際に、隣接する単位リードフレーム２への高温処理の影響を低減させるために設けられる。
The
ここまで説明したように、リードフレーム１には、単位リードフレーム２ごとに、ダイパッド４やリード５などの所定のパターンが形成される。なお、図１には図示していないが、リードフレーム１における長辺側の側面にパイロット孔が並んで設けられていてもよい。
As described above, in the
＜めっき処理装置の概要＞
つづいて、図２を参照しながら、実施形態に係るめっき処理装置１０の概要について説明する。図２は、実施形態に係るめっき処理装置１０の構成を説明するための図であり、かかるめっき処理装置１０を側面から見た図である。
<Overview of plating equipment>
Subsequently, the outline of the
めっき処理装置１０は、上流側から順に供給側リール２０と、搬送部３０と、第１撮像部４０と、めっき部５０と、第２撮像部６０と、搬送部７０と、巻取側リール８０とを備える。そして、めっき処理装置１０は、供給側リール２０にセットされる帯形状のリードフレーム１を、搬送部３０および搬送部７０を動作させることにより、巻取側リール８０まで搬送可能に構成される。そこで、本実施形態の説明では、供給側リール２０側を「上流側」と呼称し、巻取側リール８０側を「下流側」と呼称する。尚、図示していないが、めっき処理装置１０は、めっき前処理工程（洗浄、下地めっき）やめっき後処理工程（洗浄、防錆処理）等、めっき処理以外の工程を備えていてもよい。
The
搬送部３０および搬送部７０は、図１で説明したリードフレーム１を、所定のピッチＰ（図５参照）で順送りに搬送する。また、搬送部３０は、リードフレーム１を上流側に引っ張るように保持しながらリードフレーム１を搬送する。一方で、搬送部７０は、リードフレーム１を下流側に引っ張るように保持しながらリードフレーム１を搬送する。
The
したがって、搬送部３０と搬送部７０との間では、リードフレーム１に対して上流側および下流側から所定のテンションがかかり、リードフレーム１が撓まないように保持される。
Therefore, between the
搬送部３０と搬送部７０との間には、めっき部５０が設けられる。かかるめっき部５０には、所定の大きさのめっきマスク（図示せず）が設けられ、かかるめっきマスクを用いてリードフレーム１における所定の領域に銀めっきなどのめっき膜８（図６参照）が形成される。
A plating
実施形態のめっきマスクは、上述の所定のピッチＰに対応する大きさを有し、搬送部３０、７０により所定のピッチＰで順送りされたリードフレーム１に対して、送られた都度めっき膜８を形成する。換言すると、搬送部３０、７０を用いて順送りされる所定のピッチＰの長さは、めっき部５０に設置されるめっきマスクの大きさに基づいて決定される。
The plating mask of the embodiment has a size corresponding to the above-mentioned predetermined pitch P, and the
なお、実施形態のめっき部５０において、めっきマスクはリードフレーム１の下面側に設けられており、上方に向けて噴出させためっき液をリードフレーム１の下面に付着させることにより、リードフレーム１の下面にめっき膜８が形成される。また、めっき部５０には、図示しない電極が設けられ、リードフレーム１に対して電界を印加することができる。
In the
また、めっき処理装置１０において、搬送部３０とめっき部５０との間には第１撮像部４０が設けられ、めっき部５０と搬送部７０との間には第２撮像部６０が設けられる。第１撮像部４０および第２撮像部６０は、ともに画像センサで構成される。
Further, in the
すなわち、第１撮像部４０はめっき部５０でめっき処理される前のリードフレーム１を撮像可能であり、第２撮像部６０はめっき部５０でめっき処理された後のリードフレーム１を撮像可能である。なお、実施形態では、図２に示すように、第２撮像部６０はリードフレーム１の下面側に配置され、めっき膜８が形成されたリードフレーム１の下面を撮像する。
That is, the
さらに、めっき処理装置１０には、ここまで説明した各部を制御する制御装置９０が備えられる。つづいては、かかる制御装置９０の構成について、図３を参照しながら説明する。
Further, the
＜制御装置の構成＞
図３は、実施形態に係る制御装置９０の概略構成を示すブロック図である。図３に示すように、制御装置９０は、制御部９１と記憶部９２とを有する。
<Control device configuration>
FIG. 3 is a block diagram showing a schematic configuration of the
制御部９１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含む。かかるマイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、搬送部３０、７０や第１撮像部４０、めっき部５０、第２撮像部６０などの制御を実現する。
The
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置９０の記憶部９２にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
The program may be recorded on a recording medium that can be read by a computer, and may be installed from the recording medium in the storage unit 92 of the
記憶部９２は、たとえば、ＲＡＭ、フラッシュメモリ（Flash Memory）などの半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置によって実現される。 The storage unit 92 is realized by, for example, a semiconductor memory element such as a RAM or a flash memory, or a storage device such as a hard disk or an optical disk.
制御部９１は、位置決め部９１ａと、めっき処理部９１ｂと、検出部９１ｃと、補正部９１ｄとを有する。位置決め部９１ａは、めっき処理を行うため下流側に順送りされたリードフレーム１に対して、めっきマスクとの相対位置を正確に合わせるための位置決め処理を行う。つづいては、かかる位置決め処理について、図４を参照しながら説明する。
The
図４は、実施形態に係るリードフレーム１の位置決め処理を説明するための模式図であり、第１撮像部４０により撮像された画像の一例を示している。図４に示すように、めっき処理装置１０には、リードフレーム１に隣接し、かつ第１撮像部４０で撮像可能な位置に位置決めマーク４１が設けられる。
FIG. 4 is a schematic view for explaining the positioning process of the
位置決め部９１ａは、第１撮像部４０を制御して、リードフレーム１および位置決めマーク４１を撮像する。そして、位置決め部９１ａは、撮像された画像に基づいて、リードフレーム１における所定の部位（図４の例ではスリット７）と、位置決めマーク４１との距離Ｌ１を検出しながら、搬送部３０、７０を制御して、距離Ｌ１が所定の目標値Ｇとなるようにリードフレーム１を上流側または下流側に移動させる。
The
そして、距離Ｌ１が目標値Ｇになるようにリードフレーム１を位置合わせすることにより、リードフレーム１とめっきマスクとの相対位置を正確に合わせることができる。なお、かかる目標値Ｇは、たとえば、事前にリードフレーム１のテストサンプルをめっき処理装置１０で処理して、処理されたテストサンプルにおけるめっき膜８（図６参照）の位置に基づいて決定することができる。
Then, by aligning the
実施形態では、画像センサである第１撮像部４０を用いて、リードフレーム１の位置決め処理を実施する。したがって、実施形態によれば、パイロット孔などに洗浄液などの液体が残留した場合にも、リードフレーム１の位置決めをより確実に実施することができる。
In the embodiment, the
図３に戻り、制御部９１の説明を続ける。めっき処理部９１ｂは、めっき部５０などを制御して、図５に示すように、リードフレーム１において所定のピッチＰに対応する部分ごとにめっき膜８（図６参照）を形成する。図５は、実施形態に係るリードフレーム１のめっき処理および検出処理を説明するための図である。
Returning to FIG. 3, the description of the
めっき処理部９１ｂは、図５に示すように、所定のピッチＰに対応する長さの領域Ｒ（ａ）に対して、１回のめっき工程でめっき膜８を形成する。つづいて、めっき処理部９１ｂは、所定のピッチＰで１回順送りされたリードフレーム１に対し、領域Ｒ（ａ）に隣接する領域Ｒ（ａ＋１）に対して、１回のめっき工程でめっき膜８を形成する。つづいて、めっき処理部９１ｂは、所定のピッチＰで１回順送りされたリードフレーム１に対し、領域Ｒ（ａ＋１）に隣接する領域Ｒ（ａ＋２）に対して、１回のめっき工程でめっき膜８を形成する。
As shown in FIG. 5, the
このように、順送りされたリードフレーム１に対して、所定の領域Ｒ（ｘ）（ここで、ｘはめっき処理が行われる順番）に順次めっき処理を行うことにより、めっきマスクの大きさが限られためっき処理装置１０でも、帯状のリードフレーム１の全域にめっき処理を行うことができる。
In this way, the size of the plating mask is limited by sequentially plating the sequentially fed
なお、図５の例では、単位リードフレーム２が６個含まれる所定の領域Ｒ（ｘ）に対して、１回のめっき工程でめっき膜８を形成している。しかしながら、めっき処理が一度に行われる領域Ｒ（ｘ）はかかる例に限られず、めっきマスクの大きさなどに基づいて任意に決定することができる。
In the example of FIG. 5, the
図３に戻り、制御部９１の説明を続ける。検出部９１ｃは、第２撮像部６０を制御して、リードフレーム１に形成されためっき膜８と、リードフレーム１に形成されたパターンとの相対的な位置ずれ量Ａを検出する。実施形態では、第２撮像部６０を用いて、図５に示すように、１回のめっき工程でめっき膜８が形成された領域Ｒ（ａ）における最後尾の部分と、次にめっき膜８が形成された領域Ｒ（ａ＋１）における先頭の部分とを同時に撮像する。
Returning to FIG. 3, the description of the
つづいて、実施形態にかかる検出処理の詳細について、図６を参照しながら説明する。図６は、実施形態に係る検出処理および補正処理の詳細を説明するための図であり、第２撮像部６０により撮像された画像に対応する。
Subsequently, the details of the detection process according to the embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a diagram for explaining the details of the detection process and the correction process according to the embodiment, and corresponds to the image captured by the
検出部９１ｃは、領域Ｒ（ａ）の最後尾におけるめっき膜８の端部と、リードフレーム１に形成されたパターンにおける所定の部位（図６の例ではスリット７）との距離Ｌｅ（以降、最後尾の距離Ｌｅとも呼称する。）を検出する。また、検出部９１ｃは、隣接する領域Ｒ（ａ＋１）の先頭におけるめっき膜８の端部と、リードフレーム１に形成されたパターンにおける所定の部位（図６の例ではスリット７）との距離Ｌｆ（以降、先頭の距離Ｌｆとも呼称する。）を検出する。
The detection unit 91c is a distance Le (hereinafter, a distance Le) between the end portion of the
ここで、実施形態では、領域Ｒ（ａ＋１）における先頭の距離Ｌｆを、領域Ｒ（ａ）における先頭の距離Ｌｆとみなす。これにより、実施形態では、領域Ｒ（ａ）における先頭の距離Ｌｆと、最後尾の距離Ｌｅとを同時に検出することができる。 Here, in the embodiment, the head distance Lf in the region R (a + 1) is regarded as the head distance Lf in the region R (a). Thereby, in the embodiment, the head distance Lf and the tail distance Le in the region R (a) can be detected at the same time.
ここで、検出部９１ｃは、めっき膜８とリードフレーム１に形成されたパターンとの位置ずれ量Ａを下記の式（１）から算出し、算出された位置ずれ量Ａの情報を補正部９１ｄに送る。
Ａ＝（Ｌｅ−Ｌｆ）／２ ・・・（１）
Here, the detection unit 91c calculates the misalignment amount A between the
A = (Le-Lf) / 2 ... (1)
図３に戻り、制御部９１の説明を続ける。補正部９１ｄは、受信した位置ずれ量Ａに基づいて、以降のめっき処理における位置ずれ量Ａが小さくなるように所定のピッチＰを補正する。たとえば、１回のめっき工程でめっき膜８が形成される領域Ｒ（ｘ）の全体において（すなわち、先頭から最後尾まで）、めっき膜８とパターンとの位置ずれが均等になるように補正する。具体的には、補正部９１ｄは、以降のめっき処理で、所定の領域Ｒ（ｘ）における先頭の距離Ｌｆと最後尾の距離Ｌｅとが等しくなるように補正する。
Returning to FIG. 3, the description of the
たとえば、図６の例では、最後尾の距離Ｌｅが先頭の距離Ｌｆより大きい。すなわち、１回のめっき処理で形成されためっき膜８は、リードフレーム１の下流側にずれている。したがって、補正部９１ｄは、以降のめっき処理でめっき膜８の位置を上流側にシフトさせるように補正する。
For example, in the example of FIG. 6, the last distance Le is larger than the first distance Lf. That is, the
たとえば、補正部９１ｄは、以降のめっき処理で先頭の距離Ｌｆと最後尾の距離Ｌｅとが等しくなるように、上述した位置決め処理における目標値Ｇを補正する。具体的には、目標値Ｇの値を、下記の式（２）で算出される目標値Ｇｃに補正する。
Ｇｃ＝Ｇ＋Ａ ・・・（２）
For example, the correction unit 91d corrects the target value G in the positioning process described above so that the head distance Lf and the tail distance Le become equal in the subsequent plating process. Specifically, the value of the target value G is corrected to the target value Gc calculated by the following formula (2).
Gc = G + A ... (2)
そして、目標値Ｇを目標値Ｇｃに補正することにより、搬送処理で順送りされる所定のピッチＰの値が補正される。 Then, by correcting the target value G to the target value Gc, the value of the predetermined pitch P that is sequentially fed in the transport process is corrected.
図６の例では、最後尾の距離Ｌｅが先頭の距離Ｌｆより大きいことから、位置ずれ量Ａの値はプラスになる。これにより、補正された目標値Ｇｃは、補正前の目標値Ｇに比べて大きくなる。すなわち、図４に示した位置決め処理において、距離Ｌ１が大きくなるように位置決めされる。 In the example of FIG. 6, since the distance Le at the end is larger than the distance Lf at the beginning, the value of the misalignment amount A is positive. As a result, the corrected target value Gc becomes larger than the target value G before correction. That is, in the positioning process shown in FIG. 4, positioning is performed so that the distance L1 becomes large.
したがって、補正前に比べてリードフレーム１が下流側に位置決めされることから、以降のめっき処理でめっき膜８の位置が上流側にシフトし、先頭の距離Ｌｆと最後尾の距離Ｌｅとが等しくなるように補正される。
Therefore, since the
なお、図６の例では、最後尾の距離Ｌｅが先頭の距離Ｌｆより大きい場合について示したが、最後尾の距離Ｌｅが先頭の距離Ｌｆより小さい場合についても同様の処理で補正処理を行えばよい。すなわち、最後尾の距離Ｌｅが先頭の距離Ｌｆより小さい場合は、以降のめっき処理でめっき膜８の位置を下流側にシフトさせて、すなわち、リードフレーム１が上流側に位置決めされるようにして、先頭の距離Ｌｆと最後尾の距離Ｌｅとが等しくなるように補正すればよい。
In the example of FIG. 6, the case where the last distance Le is larger than the first distance Lf is shown, but if the last distance Le is smaller than the first distance Lf, the correction process can be performed in the same manner. Good. That is, when the last distance Le is smaller than the first distance Lf, the position of the
実施形態では、画像センサである第２撮像部６０を用いて、１回のめっき工程でめっき膜８が形成された領域Ｒ（ｘ）の全体において、リードフレーム１に形成されたパターンとめっき膜８との位置ずれが均等になるように補正する。これにより、１回のめっき工程でめっき膜８が形成される領域全体で、めっき膜８の位置ずれが大きい箇所が少なくなることから、高精度なめっき膜を提供できると共に、めっき処理の歩留まりを向上させることができる。
In the embodiment, the pattern and the plating film formed on the
また、実施形態では、第２撮像部６０による一度の撮像により、所定の領域Ｒ（ｘ）全体の位置ずれ量Ａを検出することができる。これにより、短時間で位置ずれ量Ａを検出することができることから、めっき処理装置１０における処理時間を短くすることができる。
Further, in the embodiment, the amount of misalignment A of the entire predetermined region R (x) can be detected by one imaging by the
ここで、実施形態では、第２撮像部６０をカラー画像が取得可能な画像センサで構成するとよい。これにより、銅などで構成されるリードフレーム１と、銀めっきなどのめっき膜８との境界部分をより正確に検出することができる。すなわち、第２撮像部６０をカラー画像が取得可能な画像センサで構成することにより、位置ずれ量Ａの検出処理をより正確に実施することができる。
Here, in the embodiment, the
一方で、第２撮像部６０を白黒画像が取得可能な画像センサで構成してもよい。第２撮像部６０を白黒画像が取得可能な画像センサで構成した場合でも、画像の輝度などを正確に検出することにより、リードフレーム１とめっき膜８との境界部分を正確に検出することができる。
On the other hand, the
また、第１撮像部４０は、白黒画像が取得可能な画像センサで構成されてもよいし、カラー画像が取得可能な画像センサで構成されてもよい。たとえば、第１撮像部４０を解像度の高い画像センサで構成することにより、リードフレーム１の位置決め処理をより正確に実施することができる。
Further, the
＜めっき処理の詳細＞
つづいて、図７を参照しながら、実施形態に係るめっき処理の詳細について説明する。図７は、実施形態に係るめっき処理装置１０が実行するめっき処理の処理手順を示すフローチャートである。
<Details of plating process>
Subsequently, the details of the plating process according to the embodiment will be described with reference to FIG. 7. FIG. 7 is a flowchart showing a processing procedure of the plating process executed by the
まず、制御部９１は、搬送部３０、７０を制御して、リードフレーム１を供給側リール２０から所定のピッチＰで下流側に搬送する（ステップＳ１０）。次に、位置決め部９１ａは、第１撮像部４０と、搬送部３０、７０とを制御して、リードフレーム１を所定の位置に位置決めする（ステップＳ１１）。
First, the
そして、めっき処理部９１ｂは、めっき部５０を制御して、リードフレーム１における所定の領域Ｒ（ｘ）に対してめっき処理を行う（ステップＳ１２）。つづいて、検出部９１ｃは、第２撮像部６０を制御して、リードフレーム１に形成されるパターンに対するめっき膜８の位置ずれ量Ａを検出する（ステップＳ１３）。
Then, the
次に、補正部９１ｄは、検出された位置ずれ量Ａに基づいて、以降の搬送処理における所定のピッチＰの値を補正する（ステップＳ１４）。そして、制御部９１は、リードフレーム１の全域において、めっき処理がすべて完了しているか否かを判定する（ステップＳ１５）。ここで、めっき処理がすべて完了している場合（ステップＳ１５，Ｙｅｓ）、処理を終了させる。一方、めっき処理がすべて完了していない場合（ステップＳ１５，Ｎｏ）、ステップＳ１０の処理に戻る。
Next, the correction unit 91d corrects the value of the predetermined pitch P in the subsequent transfer process based on the detected misalignment amount A (step S14). Then, the
以上、本発明の各実施形態について説明したが、本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。たとえば、上述の実施形態では、めっき部５０においてめっき膜８がリードフレーム１の下面に形成される場合について示したが、めっき膜８がリードフレーム１の上面に形成されるようにめっき部５０を構成してもよいし、めっき処理装置１０においてリードフレーム１の両面が横を向くように搬送し、横側からめっき膜８を形成してもよい。なお、これらの場合は、第２撮像部６０をリードフレーム１のめっき膜形成面が撮像可能な位置に配置すればよい。
Although each embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to each of the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above-described embodiment, the case where the
以上のように、実施形態に係るリードフレーム１の製造方法は、搬送工程（ステップＳ１０）と、位置決め工程（ステップＳ１１）と、めっき工程（ステップＳ１２）と、を含む。搬送工程（ステップＳ１０）は、複数のパターンが形成された帯状のリードフレーム１を所定のピッチＰで長手方向に搬送する。位置決め工程（ステップＳ１１）は、所定のピッチＰで搬送されたリードフレーム１を、第１の画像センサ（第１撮像部４０）を用いて位置決めする。めっき工程（ステップＳ１２）は、リードフレーム１において所定のピッチＰに対応する領域Ｒ（ｘ）ごとにめっき膜８を形成する。これにより、めっき工程においてリードフレーム１の位置決めをより確実に実施することができる。
As described above, the method for manufacturing the
また、実施形態に係るリードフレーム１の製造方法は、検出工程（ステップＳ１３）と、補正工程（ステップＳ１４）と、をさらに含む。検出工程（ステップＳ１３）は、リードフレーム１に形成された所定のパターンと、めっき工程（ステップＳ１２）で形成されためっき膜８との相対的な位置ずれ量Ａを、第２の画像センサ（第２撮像部６０）により検出する。補正工程（ステップＳ１４）は、検出された位置ずれ量Ａに基づいて、以降の位置ずれ量Ａが小さくなるように所定のピッチＰを補正する。これにより、めっき処理の歩留まりを向上させることができる。
Further, the method for manufacturing the
また、実施形態に係るリードフレーム１の製造方法において、検出工程（ステップＳ１３）は、１回のめっき工程（ステップＳ１２）で形成されためっき膜８における最後尾の部分と、かかるめっき膜８の次に形成されためっき膜８における先頭の部分とを第２の画像センサ（第２撮像部６０）で同時に撮像して行われる。これにより、めっき処理装置１０における処理時間を短くすることができる。
Further, in the method for manufacturing the
また、実施形態に係るリードフレーム１の製造方法において、補正工程（ステップＳ１４）は、１回のめっき工程（ステップＳ１２）でめっき膜８が形成される領域Ｒ（ｘ）全体において、リードフレーム１に形成されるパターンとめっき膜８との位置ずれが均等になるように補正される。これにより、めっき処理の歩留まりを向上させることができる。
Further, in the method for manufacturing the
また、実施形態に係るリードフレーム１の製造装置（めっき処理装置１０）は、搬送部３０、７０と、位置決め部９１ａと、めっき部５０とを備える。搬送部３０、７０は、所定のパターンが形成された帯状のリードフレーム１を所定のピッチＰで長手方向に搬送する。位置決め部９１ａは、所定のピッチＰで搬送されたリードフレーム１を、第１の画像センサ（第１撮像部４０）を用いて位置決めする。めっき部５０は、リードフレーム１において所定のピッチＰに対応する領域Ｒ（ｘ）ごとにめっき膜８を形成する。これにより、めっき工程においてリードフレーム１の位置決めをより確実に実施することができる。
Further, the
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。 Further effects and variations can be easily derived by those skilled in the art. For this reason, the broader aspects of the invention are not limited to the particular details and representative embodiments expressed and described above. Therefore, various modifications can be made without departing from the spirit or scope of the general concept of the invention as defined by the appended claims and their equivalents.
１ リードフレーム
２ 単位リードフレーム
３ 分割部
８ めっき膜
１０ めっき処理装置
２０ 供給側リール
３０、７０ 搬送部
４０ 第１撮像部
５０ めっき部
６０ 第２撮像部
８０ 巻取側リール
９０ 制御装置
９１ 制御部
９１ａ 位置決め部
９１ｂ めっき処理部
９１ｃ 検出部
９１ｄ 補正部
1 Lead
Claims (4)
所定のピッチで搬送された前記リードフレームを、第１の画像センサを用いて位置決めする位置決め工程と、
前記リードフレームにおいて前記所定のピッチに対応する領域ごとにめっき膜を形成するめっき工程と、
前記リードフレームに形成された前記パターンと、前記めっき工程で形成された前記めっき膜との相対的な位置ずれ量を、第２の画像センサにより検出する検出工程と、
検出された前記位置ずれ量に基づいて、以降の前記位置ずれ量が小さくなるように前記所定のピッチを補正する補正工程と、を含むこと
を特徴とするリードフレームの製造方法。 A transport process in which a strip-shaped lead frame in which a predetermined pattern is formed is conveyed in the longitudinal direction at a predetermined pitch, and
A positioning step of positioning the lead frame conveyed at a predetermined pitch using a first image sensor, and
A plating step of forming a plating film for each region corresponding to the predetermined pitch in the lead frame, and
A detection step of detecting the relative displacement amount between the pattern formed on the lead frame and the plating film formed in the plating step by a second image sensor.
A method for manufacturing a lead frame, which comprises a correction step of correcting the predetermined pitch so that the subsequent misalignment amount becomes smaller based on the detected misalignment amount.
１回の前記めっき工程で形成された前記めっき膜における最後尾の部分と、当該めっき膜の次に形成された前記めっき膜における先頭の部分とを第２の画像センサで同時に撮像して行われること
を特徴とする請求項１に記載のリードフレームの製造方法。 The detection step is
The last portion of the plating film formed in one of the plating steps and the first portion of the plating film formed next to the plating film are simultaneously imaged by a second image sensor. The method for manufacturing a lead frame according to claim 1 , wherein the lead frame is manufactured.
１回の前記めっき工程で前記めっき膜が形成される領域全体において、前記パターンと前記めっき膜との位置ずれが均等になるように補正されること
を特徴とする請求項１または２に記載のリードフレームの製造方法。 The correction step is
In the entire area where the plating film is formed by one of the plating process, according to claim 1 or 2, characterized in that the misalignment between the plating film and the pattern is corrected so as to equalize Lead frame manufacturing method.
所定のピッチで搬送された前記リードフレームを、第１の画像センサを用いて位置決めする位置決め部と、
前記リードフレームにおいて前記所定のピッチに対応する領域ごとにめっき膜を形成するめっき部と、
前記リードフレームに形成された前記パターンと、前記めっき部で形成された前記めっき膜との相対的な位置ずれ量を、第２の画像センサにより検出する検出部と、
検出された前記位置ずれ量に基づいて、以降の前記位置ずれ量が小さくなるように前記所定のピッチを補正する補正部と、を備えること
を特徴とするリードフレームの製造装置。 A transport unit that transports a strip-shaped lead frame in which a predetermined pattern is formed at a predetermined pitch in the longitudinal direction,
A positioning unit that positions the lead frame conveyed at a predetermined pitch using a first image sensor, and a positioning unit.
A plating portion that forms a plating film for each region corresponding to the predetermined pitch in the lead frame, and a plating portion.
A detection unit that detects the relative displacement amount between the pattern formed on the lead frame and the plating film formed on the plating portion by a second image sensor.
A lead frame manufacturing apparatus including a correction unit that corrects the predetermined pitch so that the subsequent misalignment amount becomes smaller based on the detected misalignment amount.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017099874A JP6901318B2 (en) | 2017-05-19 | 2017-05-19 | Lead frame manufacturing method and manufacturing equipment |
| CN201810390664.1A CN108962760B (en) | 2017-05-19 | 2018-04-27 | Method and apparatus for manufacturing lead frame |
| TW107114878A TWI755528B (en) | 2017-05-19 | 2018-05-02 | Method and device for manufacturing lead frame |
| SG10201803860QA SG10201803860QA (en) | 2017-05-19 | 2018-05-08 | Method and device for manufacturing lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017099874A JP6901318B2 (en) | 2017-05-19 | 2017-05-19 | Lead frame manufacturing method and manufacturing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018195755A JP2018195755A (en) | 2018-12-06 |
| JP6901318B2 true JP6901318B2 (en) | 2021-07-14 |
Family
ID=64499656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017099874A Active JP6901318B2 (en) | 2017-05-19 | 2017-05-19 | Lead frame manufacturing method and manufacturing equipment |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6901318B2 (en) |
| CN (1) | CN108962760B (en) |
| SG (1) | SG10201803860QA (en) |
| TW (1) | TWI755528B (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115295520B (en) * | 2022-10-10 | 2023-01-10 | 广东气派科技有限公司 | QFN (quad Flat No lead) stamping frame, stamping die and preparation method |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5939054A (en) * | 1982-08-27 | 1984-03-03 | Nippon Mining Co Ltd | Method and apparatus for plating metallic strip |
| TW438057U (en) * | 1999-08-05 | 2001-05-28 | Chen Tsung Jr | Device for etching the whole roll of material tape of IC lead frame soft circuit board and for positioning and punching before electroplating |
| TW474335U (en) * | 1999-11-04 | 2002-01-21 | Hai-Ming Wu | Feeding mechanism improvement for sheet shape component allowing continuously used in electroplating process |
| CN2431990Y (en) * | 2000-06-08 | 2001-05-30 | 陈聪智 | Positioning-punching mechanism before etching and electroplating for coil formed strip of IC wire frame circuit soft board |
| TW470082U (en) * | 2000-06-12 | 2001-12-21 | Wen-Chian Huang | Materiel retrieving machine for material of conductive wire rack |
| TWM292418U (en) * | 2005-11-24 | 2006-06-21 | Wei-Yue Wu | Winding-flow dust-collection equipment |
| CN101231993B (en) * | 2007-01-23 | 2011-02-09 | 米辑电子股份有限公司 | Circuit component |
| JP4386929B2 (en) * | 2007-04-09 | 2009-12-16 | 日東電工株式会社 | TAB tape carrier manufacturing method |
| JP5851897B2 (en) * | 2012-03-19 | 2016-02-03 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP6529250B2 (en) * | 2014-12-18 | 2019-06-12 | 日東電工株式会社 | Optical display panel manufacturing method and optical display panel manufacturing system |
-
2017
- 2017-05-19 JP JP2017099874A patent/JP6901318B2/en active Active
-
2018
- 2018-04-27 CN CN201810390664.1A patent/CN108962760B/en active Active
- 2018-05-02 TW TW107114878A patent/TWI755528B/en active
- 2018-05-08 SG SG10201803860QA patent/SG10201803860QA/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SG10201803860QA (en) | 2018-12-28 |
| CN108962760A (en) | 2018-12-07 |
| TW201902315A (en) | 2019-01-01 |
| TWI755528B (en) | 2022-02-21 |
| JP2018195755A (en) | 2018-12-06 |
| CN108962760B (en) | 2023-09-19 |
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Legal Events
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|
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