JP6893514B2 - ハイブリッドインスペクタ - Google Patents
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Description
Claims (30)
- 標本の光学ベースの出力を、光を前記標本に向け、光を前記標本から検出することによって生成するように構成された光学ベースのサブシステムと、
前記標本の電子ビームベースの出力を、電子を前記標本に向け、電子を前記標本から検出することによって生成するように構成された電子ビームベースのサブシステムと、
前記標本について生成された前記光学ベースの出力および前記電子ビームベースの出力を受信するように構成された1つ以上のコンピュータサブシステムであって、前記1つ以上のコンピュータサブシステムは、前記標本について生成された前記光学ベースの出力および前記電子ビームベースの出力のうちの少なくとも一部を使用して1つ以上の関数を計算するように構成された1つ以上の仮想システムを備え、前記1つ以上の仮想システムは、その中に前記標本を載置させることができない、1つ以上のコンピュータサブシステムと、
前記1つ以上のコンピュータサブシステムによって実行される1つ以上の構成要素であって、前記標本のための1つ以上のシミュレーションを実施するように構成された1つ以上のモデルを備える、1つ以上の構成要素と、を備え、
前記1つ以上のコンピュータサブシステムは、前記光学ベースの出力、前記電子ビームベースの出力、前記1つ以上の関数の計算結果、および前記1つ以上のシミュレーションの結果のうちの少なくとも2つに基づいて、前記標本における欠陥を検出するように構成され、前記1つ以上のコンピュータサブシステムは、前記1つ以上のモデルを使用して前記欠陥を検出することを実施するようにさらに構成されており、前記1つ以上のモデルは、前記欠陥を検出するために使用される前記光学ベースの出力、前記電子ビームベースの出力、前記1つ以上の関数の計算結果、前記1つ以上のシミュレーションの結果のうちの前記少なくとも2つを選択するようにさらに構成されているシステム。 - 請求項1に記載のシステムであって、前記1つ以上の仮想システムは、前記標本の設計情報に基づいて前記標本についての基準を生成するようにさらに構成されており、前記基準は、前記標本における前記欠陥を検出するために使用されるシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記欠陥を検出することは、前記光学ベースの出力、前記電子ビームベースの出力、前記1つ以上の関数の前記計算結果、および前記1つ以上のシミュレーションの前記結果のうちの前記少なくとも2つと組み合わせて前記標本の設計情報に基づいてさらに実施されるシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記欠陥を検出することは、前記光学ベースの出力を第1の基準と比較すること、および前記電子ビームベースの出力を第2の基準と比較することを含むシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記1つ以上の仮想システムは、前記標本について生成された前記光学ベースの出力および前記電子ビームベースの出力のすべてを格納するようにさらに構成されているシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記1つ以上の仮想システムは、前記標本について生成された前記光学ベースの出力および前記電子ビームベースの出力を使用することなく前記標本の情報を生成するように、ならびに前記1つ以上の仮想システムによって生成された前記情報を前記1つ以上の仮想システムに格納するようにさらに構成されているシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記1つ以上のコンピュータサブシステムは、別のシステムによって生成された前記標本の情報を受信するようにさらに構成されており、前記1つ以上の仮想システムは、前記情報を格納するようにさらに構成されており、前記欠陥を検出することは、前記光学ベースの出力、前記電子ビームベースの出力、前記1つ以上の関数の前記計算結果、前記1つ以上のシミュレーションの前記結果のうちの前記少なくとも2つと組み合わせて、格納された前記情報に基づいてさらに実施されるシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記標本は、検査用設計構造を含み、前記1つ以上のコンピュータサブシステムは、前記検査用設計構造について生成された前記光学ベースの出力および前記電子ビームベースの出力のうちの少なくとも1つを抽出し、抽出された前記出力に基づいて1つ以上の関数を計算するようにさらに構成されているシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記欠陥を検出することが容積測定検査を含むシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記欠陥を検出することがハイパースペクトル検査を含むシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記欠陥を検出することが多モード検査を含むシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記1つ以上のモデルは、検出された前記欠陥を分類するようにさらに構成されており、前記1つ以上のコンピュータサブシステムは、前記分類の結果に基づいて検出された前記欠陥をサンプリングするようにさらに構成されているシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記1つ以上の構成要素は、少なくとも前記光学ベースのサブシステムおよび前記電子ビームベースのサブシステムを制御するように構成された単一のレシピをさらに含むシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記1つ以上のコンピュータサブシステムは、プロセスウィンドウ認定法で検出された欠陥の情報を用いて前記1つ以上のモデルをトレーニングするようにさらに構成されているシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記1つ以上のモデルが1つ以上の深層学習ベースのモデルを含むシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記1つ以上のモデルが1つ以上の機械学習ベースのモデルを含むシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記1つ以上のモデルが1つ以上の識別モデルを含むシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記1つ以上のモデルが1つ以上の生成的モデルを含むシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記1つ以上のシミュレーションは、前記標本の設計情報に基づいて前記標本のための1つ以上のシミュレーション画像を生成することを含み、前記電子ビームベースの出力は、前記電子ビームベースのサブシステムによって生成された前記標本の1つ以上の実画像を含み、前記1つ以上のシミュレーション画像は、前記標本が前記1つ以上の実画像内でどのように見えるかを例証するシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記1つ以上のシミュレーションは、前記標本の設計情報および前記光学ベースの出力に基づいて前記標本のための1つ以上のシミュレーション画像を生成することを含み、前記電子ビームベースの出力は、前記電子ビームベースのサブシステムによって生成された前記標本の1つ以上の実画像を含み、前記1つ以上のシミュレーション画像は、前記標本が前記1つ以上の実画像内でどのように見えるかを例証するシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記検出することは、前記光学ベースの出力に基づいて検出された欠陥が有害であるかどうかを前記電子ビームベースの出力に基づいて決定することを含むシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記光学ベースの出力および前記電子ビームベースの出力のうちの少なくとも1つを前記生成することは、前記標本上の計測マーカの情報に基づいて実施され、前記1つ以上のコンピュータサブシステムは、前記計測マーカにおいて生成された前記光学ベースの出力および前記電子ビームベースの出力のうちの前記少なくとも1つに基づいて前記標本の計測情報を生成するようにさらに構成されているシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記光学ベースの出力は、前記光学ベースのサブシステムのパラメータの2つ以上の異なる値を用いて前記光学ベースのサブシステムによって生成された出力であるシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記電子ビームベースの出力は、前記電子ビームベースのサブシステムのパラメータの2つ以上の異なる値を用いて前記電子ビームベースのサブシステムによって生成された出力であるシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記標本がウェハであるシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記標本がレチクルであるシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記光学ベースのサブシステムおよび前記電子ビームベースのサブシステムは、前記1つ以上のコンピュータサブシステムを介してのみ互いに結合されるシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記光学ベースのサブシステムおよび前記電子ビームベースのサブシステムは、前記1つ以上のコンピュータサブシステムおよび共通の標本ハンドリングサブシステムを介してのみ互いに結合されるシステム。
- 標本の光学ベースの出力を、光を前記標本に向け、光を前記標本から検出することによって生成することと、
前記標本の電子ビームベースの出力を、電子を前記標本に向け、電子を前記標本から検出することによって生成することと、
1つ以上のコンピュータシステムを用いて前記標本について生成された前記光学ベースの出力および前記電子ビームベースの出力を受信することであって、前記1つ以上のコンピュータシステムは、前記標本について生成された前記光学ベースの出力および前記電子ビームベースの出力のうちの少なくとも一部を使用して1つ以上の関数を計算するように構成された1つ以上の仮想システムを備え、前記1つ以上の仮想システムは、その中に前記標本を載置させることができず、1つ以上の構成要素が、前記1つ以上のコンピュータシステムによって実行され、前記1つ以上の構成要素は、前記標本のための1つ以上のシミュレーションを実施するように構成された1つ以上のモデルを含む、受信することと、
前記光学ベースの出力、前記電子ビームベースの出力、前記1つ以上の関数の計算結果、前記1つ以上のシミュレーションの結果のうちの少なくとも2つに基づいて前記標本における欠陥を検出することと、を含み、
前記欠陥を検出することは、前記1つ以上のモデルを使用して前記欠陥を検出し、前記1つ以上のモデルは、前記欠陥を検出するために使用される前記光学ベースの出力、前記電子ビームベースの出力、前記1つ以上の関数の前記計算結果、前記1つ以上のシミュレーションの前記結果のうちの前記少なくとも2つを選択するように構成されている、標本における欠陥を検出するためのコンピュータ実装の方法。 - 標本における欠陥を検出するためのコンピュータ実装の方法を実施するための1つ以上のコンピュータシステムに対して実行可能なプログラム命令を格納する非一時的なコンピュータ可読媒体であって、前記コンピュータ実装の方法は、
標本の光学ベースの出力を、光を前記標本に向け、光を前記標本から検出することによって生成することと、
前記標本の電子ビームベースの出力を、電子を前記標本に向け、電子を前記標本から検出することによって生成することと、
1つ以上のコンピュータシステムを用いて前記標本について生成された前記光学ベースの出力および前記電子ビームベースの出力を受信することであって、前記1つ以上のコンピュータシステムは、前記標本について生成された前記光学ベースの出力および前記電子ビームベースの出力のうちの少なくとも一部を使用して1つ以上の関数を計算するように構成された1つ以上の仮想システムを備え、前記1つ以上の仮想システムは、その中に前記標本を載置させることができず、1つ以上の構成要素が、前記1つ以上のコンピュータシステムによって実行され、前記1つ以上の構成要素は、前記標本のための1つ以上のシミュレーションを実施するように構成された1つ以上のモデルを含む、受信することと、
前記光学ベースの出力、前記電子ビームベースの出力、前記1つ以上の関数の計算結果、前記1つ以上のシミュレーションの結果のうちの少なくとも2つに基づいて前記標本における欠陥を検出することと、を含み、
前記欠陥を検出することは、前記1つ以上のモデルを使用して前記欠陥を検出し、前記1つ以上のモデルは、前記欠陥を検出するために使用される前記光学ベースの出力、前記電子ビームベースの出力、前記1つ以上の関数の前記計算結果、前記1つ以上のシミュレーションの前記結果のうちの前記少なくとも2つを選択するように構成されている、非一時的なコンピュータ可読媒体。
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CN109313145A (zh) * | 2016-07-15 | 2019-02-05 | 株式会社理学 | X射线检测设备、x射线薄膜检测方法和测量摇摆曲线的方法 |
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US10267748B2 (en) | 2016-10-17 | 2019-04-23 | Kla-Tencor Corp. | Optimizing training sets used for setting up inspection-related algorithms |
US10395358B2 (en) | 2016-11-10 | 2019-08-27 | Kla-Tencor Corp. | High sensitivity repeater defect detection |
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US10657638B2 (en) * | 2017-04-28 | 2020-05-19 | Mentor Graphics Corporation | Wafer map pattern detection based on supervised machine learning |
US11237872B2 (en) | 2017-05-23 | 2022-02-01 | Kla-Tencor Corporation | Semiconductor inspection and metrology systems for distributing job among the CPUs or GPUs based on logical image processing boundaries |
US10551827B2 (en) * | 2017-07-25 | 2020-02-04 | Kla-Tencor Corporation | Hybrid inspection system for efficient process window discovery |
JP6942555B2 (ja) * | 2017-08-03 | 2021-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
US10437951B2 (en) * | 2017-08-23 | 2019-10-08 | International Business Machines Corporation | Care area generation by detection optimized methodology |
US10699926B2 (en) | 2017-08-30 | 2020-06-30 | Kla-Tencor Corp. | Identifying nuisances and defects of interest in defects detected on a wafer |
US10713534B2 (en) | 2017-09-01 | 2020-07-14 | Kla-Tencor Corp. | Training a learning based defect classifier |
US10607119B2 (en) | 2017-09-06 | 2020-03-31 | Kla-Tencor Corp. | Unified neural network for defect detection and classification |
JP6935641B2 (ja) * | 2017-09-27 | 2021-09-15 | 株式会社日立ハイテク | システム、特定検査向け支援方法およびプログラム |
US11187992B2 (en) * | 2017-10-23 | 2021-11-30 | Applied Materials, Inc. | Predictive modeling of metrology in semiconductor processes |
US10656518B2 (en) * | 2017-12-17 | 2020-05-19 | United Microelectronics Corp. | Automatic inline detection and wafer disposition system and method for automatic inline detection and wafer disposition |
US10970834B2 (en) * | 2018-01-05 | 2021-04-06 | Kla-Tencor Corporation | Defect discovery using electron beam inspection and deep learning with real-time intelligence to reduce nuisance |
US10677742B2 (en) * | 2018-03-09 | 2020-06-09 | Kla-Tencor Corp. | Detecting die repeating programmed defects located in backgrounds with non-repeating features |
US10679333B2 (en) * | 2018-03-14 | 2020-06-09 | Kla-Tencor Corporation | Defect detection, classification, and process window control using scanning electron microscope metrology |
US11514357B2 (en) * | 2018-03-19 | 2022-11-29 | Kla-Tencor Corporation | Nuisance mining for novel defect discovery |
US11170255B2 (en) | 2018-03-21 | 2021-11-09 | Kla-Tencor Corp. | Training a machine learning model with synthetic images |
US10599951B2 (en) | 2018-03-28 | 2020-03-24 | Kla-Tencor Corp. | Training a neural network for defect detection in low resolution images |
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DE102018207880A1 (de) | 2018-05-18 | 2019-11-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Bewerten einer unbekannten Auswirkung von Defekten eines Elements eines Photolithographieprozesses |
DE102018207882A1 (de) | 2018-05-18 | 2019-11-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Analyse eines Elements eines Photolithographieprozesses mit Hilfe eines Transformationsmodells |
US10713769B2 (en) | 2018-06-05 | 2020-07-14 | Kla-Tencor Corp. | Active learning for defect classifier training |
DE102018209562B3 (de) | 2018-06-14 | 2019-12-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtungen und Verfahren zur Untersuchung und/oder Bearbeitung eines Elements für die Photolithographie |
US10796065B2 (en) * | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Kla-Tencor Corporation | Hybrid design layout to identify optical proximity correction-related systematic defects |
DE102018211099B4 (de) | 2018-07-05 | 2020-06-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Bewerten eines statistisch verteilten Messwertes beim Untersuchen eines Elements eines Photolithographieprozesses |
US11170971B2 (en) * | 2018-07-24 | 2021-11-09 | Kla Corporation | Multiple working distance height sensor using multiple wavelengths |
US10872403B2 (en) * | 2018-08-10 | 2020-12-22 | Micron Technology, Inc. | System for predicting properties of structures, imager system, and related methods |
JP6724267B1 (ja) * | 2018-09-03 | 2020-07-15 | 株式会社Preferred Networks | 学習装置、推論装置、学習モデルの生成方法及び推論方法 |
CN112640038A (zh) * | 2018-09-03 | 2021-04-09 | 首选网络株式会社 | 学习装置、推断装置及学习完成模型 |
CN109724984B (zh) * | 2018-12-07 | 2021-11-02 | 上海交通大学 | 一种基于深度学习算法的缺陷检测识别装置和方法 |
KR102611986B1 (ko) | 2018-12-19 | 2023-12-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 형상 예측 방법 |
US10922808B2 (en) | 2019-02-14 | 2021-02-16 | KLA—Tencor Corp. | File selection for test image to design alignment |
US11551348B2 (en) | 2019-04-09 | 2023-01-10 | KLA Corp. | Learnable defect detection for semiconductor applications |
WO2020234767A1 (en) * | 2019-05-22 | 2020-11-26 | Xitadel Cae Technologies India Pvt. Ltd. | Machine learning for rapid automatic computer-aided engineering modeling |
EP3751753A1 (en) * | 2019-06-13 | 2020-12-16 | Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V. | Method and system of massive mimo communciation |
JP7159128B2 (ja) * | 2019-08-08 | 2022-10-24 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
JP7173937B2 (ja) | 2019-08-08 | 2022-11-16 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
JP7189103B2 (ja) * | 2019-08-30 | 2022-12-13 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
JP7148467B2 (ja) * | 2019-08-30 | 2022-10-05 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
JP7413105B2 (ja) * | 2019-09-25 | 2024-01-15 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置 |
JP7391735B2 (ja) * | 2019-09-25 | 2023-12-05 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置 |
US11580650B2 (en) | 2019-10-01 | 2023-02-14 | KLA Corp. | Multi-imaging mode image alignment |
US11087449B2 (en) | 2019-10-24 | 2021-08-10 | KLA Corp. | Deep learning networks for nuisance filtering |
WO2021111768A1 (ja) * | 2019-12-03 | 2021-06-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 設定システム、設定方法及びプログラム |
TWI834015B (zh) * | 2019-12-19 | 2024-03-01 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 帶電粒子多射束系統及相關的非暫時性電腦可讀媒體 |
KR102228957B1 (ko) * | 2019-12-30 | 2021-03-17 | 주식회사 고영테크놀러지 | 인쇄 회로 기판 검사 장치, 스크린 프린터의 결함 유형 결정 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 |
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WO2021250884A1 (ja) * | 2020-06-12 | 2021-12-16 | 株式会社日立ハイテク | 欠陥検査のための方法、システム、及びコンピューター可読媒体 |
US11232550B2 (en) * | 2020-06-29 | 2022-01-25 | Applied Materials Israel Ltd. | Generating a training set usable for examination of a semiconductor specimen |
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US11810284B2 (en) * | 2020-08-21 | 2023-11-07 | Kla Corporation | Unsupervised learning for repeater-defect detection |
US20220114438A1 (en) * | 2020-10-09 | 2022-04-14 | Kla Corporation | Dynamic Control Of Machine Learning Based Measurement Recipe Optimization |
US20220128899A1 (en) * | 2020-10-22 | 2022-04-28 | D2S, Inc. | Methods and systems to determine shapes for semiconductor or flat panel display fabrication |
US11676266B2 (en) | 2020-11-04 | 2023-06-13 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for inspecting pattern collapse defects |
CN112213343B (zh) * | 2020-12-03 | 2021-03-16 | 中国科学院自动化研究所 | 塑料条带承载生物超薄切片快速成像方法、系统、装置 |
US20220196580A1 (en) * | 2020-12-21 | 2022-06-23 | Globalfoundries U.S. Inc. | Defect inspection methods of semiconductor wafers |
US12020418B2 (en) * | 2021-04-22 | 2024-06-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Image processing method and system, and non-transitory computer readable medium |
US11983865B2 (en) * | 2021-05-05 | 2024-05-14 | KLA Corp. | Deep generative model-based alignment for semiconductor applications |
TWI839650B (zh) * | 2021-10-25 | 2024-04-21 | 美商學觀有限責任公司 | 基於數位資料的評分裝置及方法 |
WO2023127081A1 (ja) * | 2021-12-28 | 2023-07-06 | 株式会社日立ハイテク | 画像検査装置、画像処理方法 |
CN115277123B (zh) * | 2022-07-12 | 2024-01-19 | 上海交通大学 | 车用can总线注入攻击异常检测方法及系统 |
Family Cites Families (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2945448B2 (ja) * | 1989-07-19 | 1999-09-06 | オリンパス光学工業株式会社 | 表面形状測定装置 |
AU2003247868A1 (en) | 2002-07-15 | 2004-02-02 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Defect inspection methods that include acquiring aerial images of a reticle for different lithographic process variables |
US6902855B2 (en) | 2002-07-15 | 2005-06-07 | Kla-Tencor Technologies | Qualifying patterns, patterning processes, or patterning apparatus in the fabrication of microlithographic patterns |
US7729529B2 (en) | 2004-12-07 | 2010-06-01 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Computer-implemented methods for detecting and/or sorting defects in a design pattern of a reticle |
US7769225B2 (en) | 2005-08-02 | 2010-08-03 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern |
US7570796B2 (en) * | 2005-11-18 | 2009-08-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
US7676077B2 (en) | 2005-11-18 | 2010-03-09 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
US7528943B2 (en) * | 2005-12-27 | 2009-05-05 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method and apparatus for simultaneous high-speed acquisition of multiple images |
JP5283830B2 (ja) | 2006-06-13 | 2013-09-04 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 欠陥検査方法 |
US7373215B2 (en) * | 2006-08-31 | 2008-05-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Transistor gate shape metrology using multiple data sources |
US8698093B1 (en) | 2007-01-19 | 2014-04-15 | Kla-Tencor Corporation | Objective lens with deflector plates immersed in electrostatic lens field |
US8213704B2 (en) | 2007-05-09 | 2012-07-03 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern |
US8611639B2 (en) | 2007-07-30 | 2013-12-17 | Kla-Tencor Technologies Corp | Semiconductor device property extraction, generation, visualization, and monitoring methods |
US8126255B2 (en) | 2007-09-20 | 2012-02-28 | Kla-Tencor Corp. | Systems and methods for creating persistent data for a wafer and for using persistent data for inspection-related functions |
KR20100092014A (ko) | 2007-11-12 | 2010-08-19 | 마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비 | 패턴 에러들을 검출하기 위한 방법들 및 장치들 |
US8041106B2 (en) | 2008-12-05 | 2011-10-18 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for detecting defects on a reticle |
US8664594B1 (en) | 2011-04-18 | 2014-03-04 | Kla-Tencor Corporation | Electron-optical system for high-speed and high-sensitivity inspections |
US8692204B2 (en) | 2011-04-26 | 2014-04-08 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for electron beam detection |
US9277186B2 (en) * | 2012-01-18 | 2016-03-01 | Kla-Tencor Corp. | Generating a wafer inspection process using bit failures and virtual inspection |
US8716662B1 (en) | 2012-07-16 | 2014-05-06 | Kla-Tencor Corporation | Methods and apparatus to review defects using scanning electron microscope with multiple electron beam configurations |
US8948495B2 (en) * | 2012-08-01 | 2015-02-03 | Kla-Tencor Corp. | Inspecting a wafer and/or predicting one or more characteristics of a device being formed on a wafer |
US9222895B2 (en) * | 2013-02-25 | 2015-12-29 | Kla-Tencor Corp. | Generalized virtual inspector |
US9098891B2 (en) | 2013-04-08 | 2015-08-04 | Kla-Tencor Corp. | Adaptive sampling for semiconductor inspection recipe creation, defect review, and metrology |
US9183624B2 (en) | 2013-06-19 | 2015-11-10 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer with run time use of design data |
US9347862B2 (en) | 2013-08-06 | 2016-05-24 | Kla-Tencor Corp. | Setting up a wafer inspection process using programmed defects |
US9224660B2 (en) | 2013-08-30 | 2015-12-29 | Kla-Tencor Corp. | Tuning wafer inspection recipes using precise defect locations |
US10410338B2 (en) * | 2013-11-04 | 2019-09-10 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for correlating optical images with scanning electron microscopy images |
US9293298B2 (en) * | 2013-12-23 | 2016-03-22 | Kla-Tencor Corp. | Defect discovery and inspection sensitivity optimization using automated classification of corresponding electron beam images |
US20150204799A1 (en) | 2014-01-21 | 2015-07-23 | International Business Machines Corporation | Computer-based defect root cause and yield impact determination in layered device manufacturing for products and services |
US9087176B1 (en) * | 2014-03-06 | 2015-07-21 | Kla-Tencor Corporation | Statistical overlay error prediction for feed forward and feedback correction of overlay errors, root cause analysis and process control |
US9262821B2 (en) | 2014-05-12 | 2016-02-16 | Kla-Tencor Corp. | Inspection recipe setup from reference image variation |
US9535010B2 (en) * | 2014-05-15 | 2017-01-03 | Kla-Tencor Corp. | Defect sampling for electron beam review based on defect attributes from optical inspection and optical review |
US9816939B2 (en) | 2014-07-22 | 2017-11-14 | Kla-Tencor Corp. | Virtual inspection systems with multiple modes |
CN107004019B (zh) | 2014-10-06 | 2019-05-28 | 马里有限公司 | 单向和双向数据流系统和方法 |
US10267746B2 (en) | 2014-10-22 | 2019-04-23 | Kla-Tencor Corp. | Automated pattern fidelity measurement plan generation |
US10747830B2 (en) | 2014-11-21 | 2020-08-18 | Mesh Labs Inc. | Method and system for displaying electronic information |
US9816940B2 (en) | 2015-01-21 | 2017-11-14 | Kla-Tencor Corporation | Wafer inspection with focus volumetric method |
US10012599B2 (en) | 2015-04-03 | 2018-07-03 | Kla-Tencor Corp. | Optical die to database inspection |
US9767548B2 (en) | 2015-04-24 | 2017-09-19 | Kla-Tencor Corp. | Outlier detection on pattern of interest image populations |
US10393671B2 (en) | 2015-04-29 | 2019-08-27 | Kla-Tencor Corp. | Intra-die defect detection |
US10359371B2 (en) | 2015-08-24 | 2019-07-23 | Kla-Tencor Corp. | Determining one or more characteristics of a pattern of interest on a specimen |
US10186026B2 (en) | 2015-11-17 | 2019-01-22 | Kla-Tencor Corp. | Single image detection |
US9965901B2 (en) | 2015-11-19 | 2018-05-08 | KLA—Tencor Corp. | Generating simulated images from design information |
US10074167B2 (en) | 2015-12-06 | 2018-09-11 | Kla-Tencor Corporation | Reducing registration and design vicinity induced noise for intra-die inspection |
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