JP6867703B2 - ドープされた半導体材料の粒状体を備える太陽電池および太陽電池を製造する方法 - Google Patents

ドープされた半導体材料の粒状体を備える太陽電池および太陽電池を製造する方法 Download PDF

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Description

本発明は、太陽光を電気に直接変換する太陽電池と、同太陽電池を製造する方法とに関する。
太陽電池は、太陽光を電気に直接変換するデバイスである。太陽電池の表面に入射する光は、電力を生じさせる。太陽電池は吸光層を有する。光子のエネルギーが吸光層の材料のバンドギャップに等しいときまたはより大きいときに、光子は材料に吸収され、光励起電子が発生する。シリコンは、太陽電池に用いられる最も一般的な半導体材料である。標準的なシリコン太陽電池は、ドープされたシリコンの薄いウェハから作られる。前面は、ベースとは別の方法でドープされ、PN接合を形成する。照光下で、光子が吸収され、PN接合で分離される電子−孔対を形成する。太陽電池の後面では、金属板が余分な電荷キャリアをベースから収集し、前面では、金属線が余分な電荷キャリアをエミッタから収集する。よって、従来のシリコン太陽電池は、前面接触型エミッタを有する。前面の集電線を用いた良好な集電と集光とはトレードオフの関係にある。金属線のサイズを大きくすることによって、伝導性が高まり、集電性が向上する。しかし、金属線のサイズを大きくすることによって、太陽光の集光領域がより多く隠され、太陽電池の効率低下をもたらす。
この課題に対する既知の解決策が、背面接触型太陽電池である。背面接触型太陽電池は、前面接触型エミッタを太陽電池の背面に移すことによって、より高い効率を実現する。
米国特許第4357400号明細書は、レドックス電解質中のドープされたシリコン粒子を有する背面接触型太陽電池を開示している。太陽電池は、基板の一面に交互積層された2つの導電層を有する絶縁基板を含む。一方の導電型の離散した半導体粒子が一方の導電層に配置され、反対の導電型の半導体粒子が他方の導電層に配置される。全ては、レドックス電解質に浸され封入される。レドックス電解質が粒子に接触することで、光子が半導体粒子に衝突することに応じて2つの導電層間に電位が発生する。半導体粒子は、好ましくは、直径100ミクロン未満の球状シリコン体である。粒子は、モノドープされており、すなわち、一方のドーピング型の外側層と、別のドーピング型の内側体とを有する粒子である。導電層は、例えば、アルミニウムの薄層である。導電層は、例えば櫛歯を有する、パターンで基板にスパッタリングされエッチングされる。
半導電性粒子をシルクスクリーニングによって適用し、導体の表面に付着させることができる。半導電性粒子を銅またはニッケルの金属薄層によって覆ったり、導電層に融合または電気メッキしたりすることもできる。
この太陽電池の欠点は、製造プロセスが複雑であり、時間を要することである。よって、太陽電池は、製造費が高くつく。
国際公開第2013/149787号は、多孔質絶縁層と、多孔質絶縁層の上部に形成された多孔質導電金属層を含む作動電極と、太陽の方を向いた導電金属層の上部に配置された吸着染料を含む多孔質半導体層とを含む色素増感型太陽電池を開示している。多孔質半導体層は、吸着染料分子によってTiO2粒子の表面に染色されたTiO2金属酸化物粒子を含む。色素増感型太陽電池は、多孔質絶縁層の反対面に配置された導電層を含む対向電極を更に含む。作動電極と対向電極との間に電解質が満たされる。この太陽電池の利点は、製造が容易であり、速い点である。よって、太陽電池は、製造費が安くすむ。シリコン太陽電池と比べた、この種の太陽電池の欠点は、染料分子の吸光能力がシリコンよりも低いという事実によって、最大効率がより低い点である。
色素増感型太陽電池の更なる発展形態では、TiO2層に注入される染料の代わりにペロブスカイトを使用することによって、電池の効率が増加される。国際公開第2014/184379号では、多孔質導電性面に直接配置されたペロブスカイト吸光層を有する太陽電池が説明されている。太陽電池は、導電層間の絶縁層内に部分的に形成された、第2の導電層および第3の導電性ネットワークを更に備える。国際公開第2013/171520号では、ペロブスカイト吸光層を含む他の解決策であって、ペロブスカイトの多孔質層が、コンパクトなTiO2層に適用され、液体電解質などの電荷輸送材料で湿潤された解決策が説明されている。ペロブスカイト吸光層の互いに反対側の面に配置された、FTOアノードおよび銀カソードが、導電層として働く。しかし、ペロブスカイトは、例えば、高価である、安定していない、環境に有害であるなど、いくつかの欠点を有する。
米国特許第4357400号明細書 国際公開第2013/149787号 国際公開第2014/184379号 国際公開第2013/171520号
本発明の目的は、上記の課題を少なくとも部分的に克服すること、および改良された太陽電池を提供することである。
この目的は、請求項1に規定する太陽電池によって実現される。
太陽電池は、多孔質絶縁基板と、多孔質絶縁基板の互いに反対側の面に配置された、第1の多孔質導電層および第2の多孔質導電層と、ドープされた半導体材料の複数の粒状体を備え、第1の導電層と電気的に接触している吸光層と、第2の導電層と吸光層との間で電荷キャリアを移動させるように多孔質導電層、多孔質絶縁基板および吸光層を通って一体に配置された電解質とを備える。
本発明による太陽電池は、製造が容易であり、低コスト材料で作ることができる。このため、この太陽電池は、先行技術の太陽電池よりも安価である。シリコンなどの、変換効率が高く環境に優しい安定した材料を吸光層内の粒状体として用いることができる。本発明による太陽電池を薄く柔軟に作ることができる。
吸光層の粒状体は、入射光の方を向いた上部分と、下部分とを有する。粒状体は、第1の多孔質導電層と電気的に接触しているものである。粒状体の下部分は、第1の多孔質導電層と物理的に接触することができ、第1の多孔質導電層内に突出することができる。
粒状体と第1の多孔質導電層との良好な電気的接触を有することが望ましい。第1および第2の導電層ならびに絶縁基板は、電解質による導電層および基板を通じたイオン輸送を可能にするように多孔質でなければならない。しかし、第1の導電層の細孔性によって、粒状体を導電層に結合し、粒状体と多孔質導電層との十分な電気的接触をもたらすことが困難になることがある。
本発明のある実施形態によれば、吸光層の粒状体は、入射光の方を向いた上部分と、第1の多孔質導電層内に突出する下部分とを有する。粒状体の下部分が多孔質導電層内に突出しているという事実によって、粒状体と多孔質導電層との接触面の領域が増大する。接触領域を増大させることによって、粒状体と多孔質導電層との結合が促される。増大した接触領域は、粒状体と導電層との向上した電気的接触を更にもたらす。例えば、粒状体は、焼結によって多孔質導電層に結合される。
本発明のある実施形態によれば、ドープされた半導体材料の粒状体の一部は、第1の導電層と物理的および電気的に接触している。
本発明のある実施形態によれば、粒状体はSiで作られている。シリコンは、安価であり、環境に優しく、安定しており、吸光能力が高く、高効率の吸光層をもたらすので、太陽電池に用いるのに適した材料である。
本発明のある実施形態によれば、第1の多孔質導電層は、チタン(Ti)またはチタン合金を含む。好ましくは、第1の導電層の少なくとも主要部分が、チタンまたはチタン合金で作られる。適宜に、第2の多孔質導電層もチタンまたはチタン合金を含む。好ましくは、第2の導電層の少なくとも主要部分が、チタンまたはチタン合金で作られる。チタンは、電解質による腐食に耐える能力によって、導電層に用いるのに適した材料である。
本発明のある実施形態によれば、粒状体はシリコンで作られており、第1の導電層はチタンを含み、粒状体と第1の導電層との界面が、ケイ化チタンを含む。「粒状体と第1の導電層との界面」は、粒状体と導電層との物理的な接触のゾーンを意味する。好ましくは、粒状体と導電層との物理的な接触のゾーンは、ケイ化チタンから成る。ケイ化チタンは、良好な電気伝導性を有する。粒状体と第1の導電層との界面がケイ化チタンを含むという事実によって、粒状体と導電層との電気的接触が更に向上する。したがって、太陽電池の効率が高まる。ケイ化チタンは、太陽電池の製造中に粒状体と第1の導電層との界面に形成される。
ケイ化チタンは、いくつかの種類、例えば、TiSi、TiSi、TiSi、TiSi、TiSiで存在することができる。
本発明のある実施形態によれば、粒状体と第1の導電層との界面は、TiSiを含む。TiSiは、2つの種類、C49−TiSiおよびC54−TiSiで存在する。
本発明のある実施形態によれば、電解質は液体電解質である。
本発明のある実施形態によれば、ドープされた半導体材料の粒状体は、モノドープされている。適宜に、粒状体は、モノドープされたシリコンで作られる。モノドープされた粒状体は、粒状体全体が、同じドーピング型を有することを意味する。例えば、モノドープされた粒状体は、P型またはN型のいずれかであるが、部分的にN型および部分的にP型ではないものとすることができる。モノドープされた粒状体を生成するのは、容易であり、コストが低い。
本発明のある実施形態によれば、第1の多孔質導電層は導電性粒子を含み、粒状体は導電性粒子に結合されている。導電性粒子は、物理的および電気的に互いに接触している。適宜に、粒状体はシリコンで作ることができ、導電性粒子はチタンを含み、粒子と粒状体との界面はケイ化チタンを含む。よって、粒状体と粒子との電気的接触が向上する。
本発明のある実施形態によれば、導電性粒子の表面の少なくとも一部が酸化物で覆われている。導電性粒子の表面のうち粒状体と接触していない部分は、酸化物で覆われる。酸化物は、電子または孔が導電層と電解質との間で移動するのを妨げることで導電層と電解質との短絡を防ぐ、保護および電気的絶縁層を粒子上に提供する。
本発明のある実施形態によれば、導電性粒子の表面の少なくとも一部が、TiOで覆われている。適宜に、導電性粒子はチタンを含み、導電性粒子の表面のうち粒状体に接触していない部分は、チタン酸化物で覆われる。チタン酸化物は、導電層と電解質との短絡を防ぐ保護酸化物層をチタン粒子上に提供する。
好ましくは、半導体粒状体は、100μm未満のサイズを有する。
本発明の目的は、請求項12に規定するような、本発明による太陽電池を生産する方法を提供することによっても実現される。
方法は、
− 多孔質絶縁基板の一面に第1の多孔質導電層を形成することと、
− 多孔質絶縁基板の反対面に第2の多孔質導電層を形成することと、
− ドープされた半導体材料で作られた粒状体の層で第1の多孔質導電層をコーティングすることと、
− 粒状体を第1の多孔質導電層に結合する、非酸化環境中または真空中での太陽電池の第1の熱処理と、
− 多孔質導電層の表面が形成されるまでの、酸化環境中での太陽電池の第2の熱処理とを含む。
非酸化環境中での第1の熱処理は、粒状体と第1の多孔質導電層とを結合させ、第2の熱処理は、多孔質導電層の表面に電気絶縁酸化物層を形成させることで、電解質と導電層との短絡を防ぐ。第2の熱処理中、第1の多孔質導電層のうち粒状体と接触していない表面、または導電層の他の粒子と接触している表面が酸化される。
例えば、ドープされた粒状体を含むインクを第1の導電層の表面に堆積させることによって、吸光層を製造することができる。任意の適切なパターンでインクを表面に堆積させることができる。例えば、導電性粒子を含むインクを第1の多孔質導電層の一面に堆積させることによって、第1の多孔質導電層を製造することができる。例えば、導電性粒子を含むインクを多孔質絶縁基板の反対面に堆積させることによって、第2の多孔質導電層を製造することができる。
本発明のある実施形態によれば、第1の多孔質導電層は導電性粒子を含み、第1の熱処理は、粒状体が第1の多孔質導電層の粒子に焼結されるまで行われ、第2の熱処理は、導電性粒子の表面のうち粒状体と接触していない部分、または導電層の他の粒子と接触している部分が酸化されるまで行われる。適宜に、第1の導電層の導電性粒子はチタンを含み、第2の熱処理はTiOを形成させる。
本発明のある実施形態によれば、粒状体はシリコンで作られており、第1の導電層はチタンを含む。非酸化環境中または真空中での第1の熱処理は、粒状体と第1の導電層との界面にケイ化チタンを形成させる。酸化環境中での第2の熱処理は、多孔質導電層の導電性粒子の表面にTiOを形成させる。粒状体と第1の導電層の粒子との間のケイ化チタンの形成は、シリコン粒状体と第1の導電層の粒子との電気的接触を向上させる。導電性粒子上のTiOの形成は、第1の導電層の粒子上の電気的絶縁層を実現し、よって、電解質と導電性粒子との短絡を防ぐ。
本発明のある実施形態によれば、太陽電池は、550℃超の温度で少なくとも2時間、真空中で熱処理される。熱処理の継続時間は、温度に依存する。温度が高いほど、時間が短い。
本発明のある実施形態によれば、方法は、粒状体が、第1の多孔質導電層内に部分的に突出するように、粒状体の層に圧力を加えることを含む。このステップは、第1および第2の熱処理ステップの前に行われるものである。第1の導電層に向かって粒状体の層に圧力を加えることによって、粒状体は、第1の多孔質導電層に部分的に押し込まれ、それによって粒状体と粒子との接触領域が増大し、これによって、粒状体が多孔質導電層に結合し易くなり、粒状体と多孔質導電層との電気伝導性が向上する。
本発明のある実施形態によれば、ドープされた半導体材料で作られた粒状体の層で第1の多孔質導電層をコーティングするステップは、ドープされた粒状体を含むインクを第1の多孔質導電層の表面に堆積させることを含む。
本発明のある実施形態によれば、第1の多孔質導電層を形成するステップは、導電性粒子を含むインクを第1の多孔質導電層の一面に堆積させることを含み、第2の多孔質導電層を形成するステップは、導電性粒子を含むインクを多孔質導電層の反対面に堆積させることを含む。
ここで、本発明について、添付図を参照して、本発明の様々な実施形態の説明によって、より綿密に説明する。
本発明による太陽電池の例を示す図である。 本発明による太陽電池の例の吸光層および第1の導電層の拡大部分を示す図である。 本発明による太陽電池を製造する方法の例を例示するフロー図である。
図1は、本発明による太陽電池1の例を示している。太陽電池1は、多孔質絶縁基板2と、絶縁基板2の一面に配置された第1の多孔質導電層4と、絶縁基板2の反対面に配置された第2の導電層6と、第1の導電層4に配置され、第1の導電層4と電気的に接触する吸光層8とを備える。吸光層8は、ドープされた半導体材料の複数の粒状体10を備える。吸光層8は、太陽電池の上面に配置される。上面は、太陽光が粒状体10に当たって光励起電子を発生させるように、太陽の方に向いているものである。第1の多孔質導電層4は、吸光層8から光発生電子を取り出すバック接点として機能する。第2の導電層は触媒を含むことができる。
太陽電池は、吸光層8から第2の多孔質導電層6に電荷を移動させる電解質を更に備える。この実施形態では、電解質は液体電解質である。液体電解質は、例えば、半導体粒状体へまたは半導体粒状体から電荷すなわち電子または孔を移動させることができるレドックス電解質である。レドックス電解質は、第2の導電層へまたは第2の導電層からも電荷を移動させることができる。電解質の例としては、電解質を含むI/I レドックス対またはフェロセン化合物が挙げられるが、他の電解質を使用することもできる。絶縁基板2の細孔性は、絶縁基板を通じたイオン輸送を可能にする。第1および第2の導電層4、6の細孔は、導電層を通じたイオン輸送を可能にする。例えば、適用された層を有する基板は、液体電解質に浸され封入される。液体電解質は、第1および第2の多孔質導電層4、6の細孔、多孔質絶縁基板2の細孔、ならびに吸光層8内の粒状体10同士の間の隙間に満たされる。太陽電池は、太陽電池を密閉し電解質の漏れを防ぐ、ケースまたは他の手段も備える。第1および第2の導電層4、6は、絶縁基板2によって物理的および電気的に分離され、したがって、導電層4、6は、物理的または電気的に直接接触しない。しかし、導電層4、6は、多孔質絶縁基板に進入する電解質イオンを介して電気的に接続される。
好ましくは、粒状体は、ドープされたシリコンで作られる。シリコンは、例えば、安価である、化学的に安定している、高い吸光能力によって高い効率をもたらすなど、いくつかの利点を有する。好ましくは、粒状体は、P型ドープされたシリコンまたはN型ドープされたシリコンなどの、モノドープされたシリコンで作られる。ドーピングは、半導体中の電子および孔の数を変化させるために使用される技術である。N型ドーピングが、利用可能な電子の数を増やすことによって半導体の導電性を高める。P型ドーピングが、孔の数を増やすことによって導電性を高める。適宜に、多孔質絶縁基板は、マイクロガラス繊維またはマイクロセラミック繊維などのマイクロ繊維ベースの基板である。例えば、多孔質基板は、ガラス紙と組み合わされたガラス織物をベースとする。これによって、薄く強い基板を提供することが可能となる。多孔質導電層4、6を形成する材料は、電解質に耐えるように適切な耐腐食性を有していなければならない。適宜に、多孔質導電層は、チタンまたはチタン合金またはそれらの混合物で作られる。最も好ましくは、多孔質導電層は、チタンまたはチタン合金またはそれらの混合物で作られる。多孔質導電層4、6は、例えば、金属水酸化物粒子を含む堆積物を多孔質絶縁基板2に堆積させ、堆積物を処理し、その結果、固体金属水酸化物粒子が金属に変質し、金属粒子が焼結して多孔質導電層を形成するようにすることによって、形成される。金属水酸化物粉末、例えば水酸化チタン粉末の堆積物は、都合良く、多孔質絶縁基板に印刷することができる。
太陽電池1はまた、太陽電池の上面を覆う第1のシート14と、太陽電池の下面を覆い、電解質に対する液体バリアとして働く第2のシート16と含む。太陽電池の上面の第1のシート14は、光が通過するように透明である必要がある。シート14、16は、例えば、ポリマー材料で作られる。第1および第2の導電層4、6には、外部回路との接続用の接点18、19が設けられる。第1および第2の導電層は、外部回路を通じて互いに接続される。よって、一方の種類の電荷キャリア、すなわち電子または孔が、外部回路を介して第1の導電層4から第2の導電層6に輸送され、他の種類の電荷キャリア、すなわち電子または孔が、電解質を介して第1の導電層4から第2の導電層6に輸送される、電気回路が形成される。
図2は、吸光層8および第1の多孔質導電層4の例の拡大部分を示している。第1の多孔質導電層4は、導電性材料で作られた複数の導電性粒子12を備える。第1の導電層の導電性粒子12は、物理的および電気的に互いに接触している。粒状体10は、第1の導電層4のいくつかの導電性粒子12と物理的および電気的に接触している。吸光層8の粒状体10の大部分は、粒状体10と第1の導電層4との接触面を増大させるために第1の導電層4に進入している。粒状体10の大部分は、太陽電池から離れる方向に向いた上部分20と、第1の多孔質導電層に突出する下部分22とを有する。粒状体10の上部分20は、第1の導電層4の上方に配置され、下部分22は、第1の導電層内に進入している。好ましくは、粒状体10は、粒状体と第1の導電層4との十分な接触領域を提供するために、100μm未満のサイズを有する。好ましくは、粒状体10は、シリコン(Si)で作られ、粒子12は、チタン(Ti)で作られ、または少なくとも部分的にチタンを含み、粒状体10と粒子12との界面24は、ケイ化チタンの層を備え、SiとTiとの良好な電気的接触をもたらす。
以下では、本発明による太陽電池を製造する方法について説明する。図3は、本発明による太陽電池を製造する方法の例を例示するフロー図である。
ステップ1:多孔質絶縁基板の一面に第1の多孔質導電層を形成する、ブロック30。これは、例えば、多孔質絶縁基板の一面に、導電性粒子を含むインクで印刷することによって行われる。多孔質絶縁基板は、例えば、多孔質マイクロガラス繊維ベースの基板である。
例えば、TiHをテルピネオールと混ぜることによって、第1のインクが調製される。インクは、次いで、0.3mmのジルコニアビーズを用いて、6000RPMで25分間ビーズミルにかけられる。ジルコニアビーズは、ろ過によってインクから分離される。インクは、2マイクロメートルよりも小さな直径のTiH粒子を含む。その後に、第1のインクは、厚さ15μmの多孔質マイクロガラス繊維ベースの基板に印刷される。第1のインクは、次いで、200℃で5分間乾燥される。印刷された層は、第1の多孔質導電層を形成する。適宜に、導電性粒子は、大きすぎて多孔質絶縁基板を通って進入することができない。
ステップ2:多孔質絶縁基板の反対面に第2の多孔質導電層を形成する、ブロック32。これは、例えば、多孔質絶縁基板の反対面に、導電性粒子を含むインクで印刷することによって行われる。適宜に、導電性粒子は、大きすぎて多孔質絶縁基板を通って進入することができない。
例えば、TiHをテルピネオールと混ぜることによって、第2のインクが調製される。インクは、次いで、0.3mmのジルコニアビーズを用いて、6000RPMで25分間ビーズミルにかけられる。ジルコニアビーズは、ろ過によってインクから分離される。インクは、2マイクロメートルよりも小さな直径のTiH粒子を含む。ろ過されたインクは、次いで、第2の導電層を堆積させるインクを形成するために、プラチナコーティングされた導電性粒子と混ぜられる。その後に、第2のインクは、多孔質絶縁基板の反対面に印刷される。印刷された基板は、次いで、200℃で5分間乾燥される。第2の印刷された層は、第2の導電層を形成する。
ステップ3:ドープされた半導体材料で作られた粒状体の層で第1の多孔質導電層をコーティングして、吸光層を形成する、ブロック34。これは、例えば、ドープされたシリコンなどのドープされた半導体材料の粒状体の粉末を含むインクを第1の導電層に印刷することによって行われる。代わりに、ドープされたシリコンなどのドープされた半導体材料の粒状体の粉末を第1の導電層に噴霧することができる。適切な噴霧技術が、電気噴霧または静電噴霧である。
ステップ4:粒状体が第1の多孔質導電層に部分的に突出するように、粒状体の層に圧力を加える、ブロック36。例えば、メンブレンプレスまたはローラプレスを用いて、粒状体の上部に圧力を加えることができる。ステップ4は随意である。
ステップ5:粒状体が第1の多孔質導電層に焼結されるまで、太陽電池を真空中で熱処理する、ブロック38。粒状体の層および多孔質導電層は、第1の導電層上に粒状体の多孔質層を形成するように真空焼結される。焼結中、粒状体は、第1の導電層の導電性粒子に結合して、それらの間の機械的および電気的接触を達成する。好ましくは、太陽電池は、550℃超の温度で少なくとも2時間、真空中で熱処理される。例えば、印刷された基板は、585℃で真空焼結され、次いで、室温まで冷やされる。焼結中の圧力は、0.0001mbar未満である。真空中での熱処理中、粒状体のシリコンと粒子のチタンとが反応しており、粒状体と粒子との界面にケイ化チタンを形成する。よって、粒状体と第1の導電層の粒子との間にケイ化チタンの層が形成され、粒状体と粒子との電気的接触を向上させる。
ステップ6:第1の多孔質導電層の残りの表面が酸化されるまで、太陽電池を空気中で熱処理する、ブロック40。次のステップでは、太陽電池は、第1および第2の導電層の導電性粒子上の電気絶縁酸化物層を実現するように空気中で熱処理される。

Claims (14)

  1. − 多孔質絶縁基板(2)と、
    − 前記多孔質絶縁基板の互いに反対側の面に配置された、第1の多孔質導電層(4)および第2の多孔質導電層(6)と、
    − 前記第1の導電層と電気的に接触している吸光層(8)と、
    − 前記第2の導電層と前記吸光層との間で電荷キャリアを移動させるように前記多孔質導電層、前記多孔質絶縁基板および前記吸光層を通って一体に配置された電解質とを備える太陽電池において、
    前記吸光層(8)が、ドープされた半導体材料の複数の粒状体(10)を含み、前記第1の多孔質導電層(4)は、物理的および電気的に互いに接触している導電性粒子(12)を含み、前記粒状体(10)は、前記導電性粒子と物理的および電気的に接触していることを特徴とする、太陽電池。
  2. 前記ドープされた半導体材料の粒状体(10)の一部は、前記第1の導電層(4)と物理的および電気的に接触している、請求項1に記載の太陽電池。
  3. 前記粒状体(10)はSiで作られている、請求項1または2に記載の太陽電池。
  4. 前記第1の多孔質導電層(4)は、チタンまたはチタン合金を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の太陽電池。
  5. 前記粒状体(10)と前記第1の多孔質導電層(4)との物理的接触のゾーン(24)が、ケイ化チタンから成る、請求項1〜4のいずれか一項に記載の太陽電池。
  6. 前記ドープされた半導体材料の粒状体(10)は、モノドープされている、請求項1〜5のいずれか一項に記載の太陽電池。
  7. 前記吸光層(8)の前記粒状体(10)は、入射光の方を向いた上部分(20)と、前記第1の多孔質導電層(4)内に突出する下部分(22)とを有する、請求項1〜6のいずれか一項に記載の太陽電池。
  8. 前記電解質は液体電解質である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の太陽電池。
  9. 前記導電性粒子(12)の表面の少なくとも一部が、酸化物で覆われている、請求項に記載の太陽電池。
  10. 前記導電性粒子(12)の表面の少なくとも一部が、TiOで覆われている、請求項に記載の太陽電池。
  11. − 多孔質絶縁基板(2)の一面に第1の多孔質導電層(4)を形成することと、
    − 前記多孔質絶縁基板(2)の反対面に第2の多孔質導電層(6)を形成することとを含む、請求項1に記載の太陽電池を製造する方法において、
    − ドープされた半導体材料で作られた粒状体(10)の層(8)で前記第1の多孔質導電層(4)をコーティングすることと、
    − 前記粒状体(10)を前記第1の多孔質導電層(4)に結合する、非酸化環境中または真空中での太陽電池の第1の熱処理と、
    − 酸化物面を前記多孔質導電層に形成する、酸化環境中での太陽電池の第2の熱処理と を更に含むことを特徴とする方法。
  12. 前記粒状体(10)は、ドープされたシリコンで作られており、前記第1の導電層(4)はチタンを含み、前記第1の熱処理によって前記粒状体と前記第1の導電層(4)との物理的接触のゾーン(24)にケイ化チタンを形成させ、前記第2の熱処理によって前記第1の多孔質導電層(4)にTiOを形成させる、請求項11に記載の方法。
  13. 前記第1の熱処理は、550℃超の温度で少なくとも2時間行われる、請求項11または12に記載の方法。
  14. 前記方法は、前記粒状体が、前記第1の多孔質導電層(4)内に部分的に突出するように、前記粒状体(10)の前記層(8)に圧力を加えることを含む、請求項1113のいずれか一項に記載の方法。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3598465A1 (en) * 2018-07-16 2020-01-22 Exeger Operations AB Photovoltaic cell with fiber mesh support and charger for portable electronics
US10964486B2 (en) 2013-05-17 2021-03-30 Exeger Operations Ab Dye-sensitized solar cell unit and a photovoltaic charger including the solar cell unit
SE540184C2 (en) * 2016-07-29 2018-04-24 Exeger Operations Ab A light absorbing layer and a photovoltaic device including a light absorbing layer
AU2019305888B2 (en) * 2018-07-16 2024-02-22 Exeger Operations Ab A dye-sensitized solar cell unit, a photovoltaic charger including the dye-sensitized solar cell unit and a method for producing the solar cell unit

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4357400A (en) 1979-12-11 1982-11-02 Electric Power Research Institute, Inc. Photoelectrochemical cell employing discrete semiconductor bodies
US4628013A (en) 1983-05-02 1986-12-09 Phillips Petroleum Company Photoelectrochemical cell
EP0858669B1 (en) 1995-10-31 1999-11-03 Ecole Polytechnique Féderale de Lausanne (EPFL) A battery of photovoltaic cells and process for manufacturing the same
JP2001156321A (ja) * 1999-03-09 2001-06-08 Fuji Xerox Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
EP1175938A1 (en) * 2000-07-29 2002-01-30 The Hydrogen Solar Production Company Limited Photocatalytic film of iron oxide, electrode with such a photocatalytic film, method of producing such films, photoelectrochemical cell with the electrode and photoelectrochemical system with the cell, for the cleavage of water into hydrogen and oxygen
DE60123714T2 (de) * 2000-08-15 2007-10-04 FUJI PHOTO FILM CO., LTD., Minamiashigara Photoelektrische Zelle und Herstellungsmethode
EP1624472A3 (en) * 2004-07-08 2011-03-16 Sumitomo Chemical Company, Limited Porous Electrodes, Devices including the Porous Electrodes, and Methods for their Production
KR20070099840A (ko) * 2006-04-05 2007-10-10 삼성에스디아이 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
US20110023932A1 (en) 2007-12-12 2011-02-03 Atsushi Fukui Photosensitized solar cell, production method thereof and photosensitized solar cell module
CN103841904B (zh) * 2011-09-30 2018-01-09 柯惠Lp公司 疝修复装置和方法
KR102032581B1 (ko) * 2011-10-11 2019-11-08 엑세거 스웨덴 에이비 염료 감응형 태양 전지의 제조 방법 및 그렇게 제조된 태양 전지
SE537669C2 (sv) 2012-04-04 2015-09-29 Exeger Sweden Ab Färgämnessensiterad solcellsmodul med seriekopplad struktursamt sätt för framställning av solcellen
ES2566914T3 (es) 2012-05-18 2016-04-18 Isis Innovation Limited Dispositivo fotovoltaico que comprende perovskitas
EP2997585B1 (en) 2013-05-17 2019-08-14 Exeger Operations AB A dye-sensitized solar cell and a method for manufacturing the solar cell
SE537836C2 (sv) * 2014-02-06 2015-11-03 Exeger Sweden Ab En transparent färgämnessensibiliserad solcell samt ett sättför framställning av densamma

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