JP6864548B2 - Semiconductor device - Google Patents
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Description
本発明はESD保護回路が接続された増幅回路を有する半導体装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor device having an amplifier circuit to which an ESD protection circuit is connected.
演算増幅回路の特性に影響を与える要素として入力バイアス電流がある。入力バイアス電流は演算増幅回路の入力端子に流れる電流であり、入力端子に入力する信号を増幅する場合の誤差要因の1つとなる。通常、入力バイアス電流の小さな演算増幅回路が要求されるときは、MOS型半導体装置が使用される。MOS型半導体装置はゲ一トが絶縁体で構成されており、ゲ一トには電流が流れないためである。 The input bias current is an element that affects the characteristics of the math amplifier circuit. The input bias current is a current flowing through the input terminal of the arithmetic amplifier circuit, and is one of the error factors when amplifying the signal input to the input terminal. Usually, when an arithmetic amplifier circuit having a small input bias current is required, a MOS type semiconductor device is used. This is because the gate of the MOS type semiconductor device is composed of an insulator, and no current flows through the gate.
しかし、MOS型半導体装置で演算増幅回路を構成しても、入力バイアス電流をゼロにすることはできない。通常では、入力端子にはESD破壊を防ぐためのESD保護回路が接続されており、このESD保護回路の2個のダイオードのリーク電流の差分がその入力端子に流れるためである。このリーク電流は温度に依存して高温になるほど指数関数的に大きくなる。そこで、ESD保護回路に流れるリーク電流の影響を受けないようにする手法が提案されている。 However, even if the arithmetic amplifier circuit is configured by the MOS type semiconductor device, the input bias current cannot be made zero. Normally, an ESD protection circuit for preventing ESD destruction is connected to the input terminal, and the difference between the leakage currents of the two diodes of the ESD protection circuit flows to the input terminal. This leakage current increases exponentially as the temperature increases depending on the temperature. Therefore, a method has been proposed in which the leakage current flowing through the ESD protection circuit is not affected.
図9に従来のリーク電流補償回路を備えた半導体装置を示す。この半導体装置は、最高電位VDDが印加する高電位電源端子1と、最低電位VSSが印加する低電位電源端子4と、反転入力端子2に印加される電圧と非反転入力端子3に印加される電圧の差分を増幅して出力端子5に出力する第1演算増幅回路6と、第1、第2リーク電流補償回路10E1、10E2を有する。第1演算増幅回路6の反転入力端子2と出力端子5の間には帰還回路7が接続されている。
FIG. 9 shows a semiconductor device provided with a conventional leak current compensation circuit. This semiconductor device is applied to the high potential
第1リーク電流補償回路10E1は、入力ノード12が非反転入力端子3に接続され出力ノード13が反転入力端子2に接続され、内部のESD保護回路14により反転入力端子2に印加するESDを吸収すると共に、その反転入力端子2にリーク電流が流れないようにしている。第2リーク電流補償回路10E2は、第1リーク電流補償回路10E1と同一構成であり、入力ノード12が反転入力端子2に接続され出力ノード13が非反転入力端子3に接続されている。
In the first leak current compensation circuit 10E1, the
このように、第1、第2リーク電流補償回路10E1,10E2によって、反転入力端子2と非反転入力端子3をESDから保護すると共に、そこにリーク電流が流れないようにしている。
In this way, the first and second leakage current compensation circuits 10E1 and 10E2 protect the inverting
第1リーク電流補償回路10E1は、非反転入力端子が入力ノード12に接続された第2演算増幅回路11を有する。その第2演算増幅回路11の出力端子と高電位電源端子1との間に接続されたダイオードD1及び低電位電源端子4との間に接続されたダイオードD2により、ESD回路14が構成されている。また、第2演算増幅回路11の反転入力端子と出力端子の間に第1アンチパラレルダイオードD3,D4が接続され、第2演算増幅回路11の出力端子と出力ノード13の間に第2アンチパラレルダイオードD5,D6が接続されている。ダイオードD3とダイオードD5、ダイオードD4とダイオードD6はそれぞれ同一特性である。出力ノード13に印加される静電気は、第2アンチパラレルダイオードD5,D6を介してESD保護回路14によって電源端子1,4へ放出される。第2リーク電流補償回路10E2も同じ構成であり、同様に動作する。
The first leak current compensation circuit 10E1 has a second
図10は図9の第1リーク電流補償回路10E1をP型半導体基板上に作成したときの等価回路である。この場合、P型半導体基板が低電位電源端子4に接続されるので、ダイオードD4のカソードとP型半導体基板との間に寄生ダイオーDaが生成され、ダイオードD6のカソードとP型半導体基板との間にも寄生ダイオードDbが生成される。なお、キャパシタCaは寄生素子で、ダイオードD4のカソードとP型半導体基板との間に生成される空乏層容量や、第2演算増幅回路11の入力容量及び配線容量で生成される。また、キャパシタCbも寄生素子で、ダイオードD6のカソードとP型半導体基板との間に生成される空乏層容量や配線容量、出力ノード13に接続される容量等で生成される。第2リーク電流補償回路10E2も同じP型半導体基板上に作成されるので、同様である。
FIG. 10 is an equivalent circuit when the first leakage current compensation circuit 10E1 of FIG. 9 is formed on a P-type semiconductor substrate. In this case, since the P-type semiconductor substrate is connected to the low-potential
第1演算増幅回路6は、反転入力端子2と出力端子5との間に帰還回路7が接続されるので、負帰還作用によってその反転入力端子2と非反転入力端子3は同電位となる。また、第2演算増幅回路11は、出力端子と反転入力端子の間に第1アンチパラレルダイオードD3,D4が接続されているので、同様に、負帰還作用によってその反転入力端子と非反転入力端子は同電位となる。以上から、第1演算増幅回路6の反転入力端子2、非反転入力端子3、第2演算増幅回路11の反転入力端子、非反転入力端子はすべて同電位となる。
In the first
このため、出力ノード13に接続される第2寄生ダイオードDbに印加される電圧と、第2演算増幅回路11の反転入力端子に接続される第1寄生ダイオードDaに印加される電圧は等しくなる。
Therefore, the voltage applied to the second parasitic diode Db connected to the
第1寄生ダイオードDaで発生するリーク電流は、第1アンチパラレルダイオードD3,D4を介して供給される。このとき、第1アンチパラレルダイオードD3,D4の両端に発生する電圧と等しい電圧が、第2アンチパラレルダイオードD5,D6の両端に印加される。このため、第1寄生ダイオードDaに流れるリーク電流と等しい電流が、第2アンチパラレルダイオードD5,D6を介して第2寄生ダイオードDbへ供給される。 The leak current generated in the first parasitic diode Da is supplied via the first antiparallel diodes D3 and D4. At this time, a voltage equal to the voltage generated across the first antiparallel diodes D3 and D4 is applied to both ends of the second antiparallel diodes D5 and D6. Therefore, a current equal to the leakage current flowing through the first parasitic diode Da is supplied to the second parasitic diode Db via the second antiparallel diodes D5 and D6.
図10に示すように、ダイオードD3の逆方向電流をIa1、ダイオードD4の順方向電流をIa2、寄生ダイオードDaの逆方向電流をIa3、寄生キャパシタCaの電流をIa4とすると、ダイオードD3のアノードのノードの電流は、キルヒホッフの法則によって、
Ia1+Ia2+Ia3+Ia4=0 (1)
となる。
As shown in FIG. 10, assuming that the reverse current of the diode D3 is Ia1, the forward current of the diode D4 is Ia2, the reverse current of the parasitic diode Da is Ia3, and the current of the parasitic capacitor Ca is Ia4, the anode of the diode D3 The current of the node is determined by Kirchhoff's law.
Ia1 + Ia2 + Ia3 + Ia4 = 0 (1)
Will be.
また、ダイオードD5の逆方向電流をIb1、ダイオードD6の順方向電流をIb2、寄生ダイオードDbの逆方向電流をIb3、寄生キャパシタCbの電流をIb4とし、出力ノード13に流れるリーク電流をIrとすると、ダイオードD5のアノードのノードの電流は、キルヒホッフの法則によって、
Ib1+Ib2+Ib3+Ib4+Ir=0 (2)
となる。
Further, assuming that the reverse current of the diode D5 is Ib1, the forward current of the diode D6 is Ib2, the reverse current of the parasitic diode Db is Ib3, the current of the parasitic capacitor Cb is Ib4, and the leak current flowing through the
Ib1 + Ib2 + Ib3 + Ib4 + Ir = 0 (2)
Will be.
ダイオードD3〜D6,Da,Dbは同一特性、つまりD3=D5、D4=D6、Da=Dbであるので、Ia1=Ib1、Ia2=Ib2、Ia3=Ib3、Ia4=Ib4であり、この結果リーク電流Ir=0となり、出力ノード13に流れるリーク電流を0にすることができる。なお、ESD保護回路14のダイオードD1に付随する図示しない寄生ダイオードによりリーク電流が流れるが、このリーク電流は第2演算増幅回路11の出力端子で吸収され出力ノード13には影響を与えない。
Since the diodes D3 to D6, Da, and Db have the same characteristics, that is, D3 = D5, D4 = D6, and Da = Db, Ia1 = Ib1, Ia2 = Ib2, Ia3 = Ib3, and Ia4 = Ib4, and as a result, the leakage current. Ir = 0, and the leak current flowing through the
ところで、図9の構成では、第1リーク電流補償回路10E1において第2演算増幅回路11に第1アンチパラレルダイオードD3,D4で構成される負帰還ループが形成され、第2演算増幅回路11の出力信号の位相が第1アンチパラレルダイオードD3,D4と反転入力端子の寄生容量Caによって遅らされ、この遅れた信号が反転入力端子に帰還されるので、負帰還ループシステムの安定性が悪化して発振するおそれがあった。第2リーク電流補償回路10E2においても同様であった。
By the way, in the configuration of FIG. 9, in the first leakage current compensation circuit 10E1, a negative feedback loop composed of the first antiparallel diodes D3 and D4 is formed in the second
この安定性の悪化は、図11に示すように、第1リーク電流補償回路10E1の第1アンチパラレルダイオードD3,D4に並列に第1キャパシタC1を接続した第1リーク電流補償回路10Fによって解決することができる。第2リーク電流補償回路10E2についても同様にして解決することができる。
As shown in FIG. 11, this deterioration in stability is solved by the first leakage
このように第1キャパシタC1を接続した場合は、出力ノード13に静的な電圧が入力されたときは、第2演算増幅回路11の出力端子の電圧も静的で、第1キャパシタC1に電流は流れないため、第1アンチパラレルダイオードD3,D4と同一構造の第2アンチパラレルダイオードD5,D6により、出力ノード13のリーク電流Irを0に補償することができる。
When the first capacitor C1 is connected in this way, when a static voltage is input to the
しかしながら、矩形波等の動的な電圧が出力ノード13に入力する場合は、リーク電流Irを0に補償することができない問題があった。それは、第2演算増幅回路11の出力電圧が動的になるため、図12に示すように、キャパシタC1に流れる電流Ia5が動的な電流となるためである。この電流Ia5は補償されないため、リーク電流Irが動的に増加する。矩形波電圧が入力された時の動的なリーク電流Irは次に示す手順により導くことができる。
However, when a dynamic voltage such as a square wave is input to the
ダイオードD3のアノードのノードの電流は、キルヒホッフの法則によって、
Ia1+Ia2+Ia3+Ia4+Ia5=0 (3)
となる。
The current at the anode node of diode D3 is determined by Kirchhoff's law.
Ia1 + Ia2 + Ia3 + Ia4 + Ia5 = 0 (3)
Will be.
出力ノード13に入力する矩形電圧の非連続点(時刻t=0)後の直流信号として扱うことができる時刻において、第2演算増幅回路11の反転入力端子の寄生キャパシタCa及び出力ノード13の寄生キャパシタCbには電流が流れないため、式(2)と式(3)を引算すると、Ia5=|−Ir|であり、電流の方向に注意して、リーク電流Irは、
Ia5=Ir (4)
となる。
At a time that can be treated as a DC signal after the discontinuous point (time t = 0) of the rectangular voltage input to the
Ia5 = Ir (4)
Will be.
このリーク電流Irを求めるには、電流Ia5を求めればよく、時刻t>0において電流Ia5は、各ダイオードの飽和電流Isを用いて、以下のように表される。Is1はダイオードD3の飽和電流、Is2はダイオードD4の飽和電流、Is4は寄生ダイオードDaの飽和電流である。
Ia5+Is2・exp[(q/kT)×(1/C1)∫Ia5・dt−1]
=−(Is1+Is4) (5)
To obtain this leak current Ir, the current Ia5 may be obtained, and at time t> 0, the current Ia5 is expressed as follows using the saturation current Is of each diode. Is1 is the saturation current of the diode D3, Is2 is the saturation current of the diode D4, and Is4 is the saturation current of the parasitic diode Da.
Ia5 + Is2 ・ exp [(q / kT) × (1 / C1) ∫Ia5 ・ dt-1]
=-(Is1 + Is4) (5)
この式(5)の解であるIa5が位相補償用キャパシタC1に流れる電流である。式(4)によりリーク電流Irの動的な変化を表している。図13は図12の出力ノード13に矩形波電圧を入力した時のリーク電流Irの動的な変化のシミュレーション結果である。式(4)で示した通り、リーク電流Irと位相補償用キャパシタC1の電流Ia5は一致しており、式(5)で示された電流の変化の様子を表している。
Ia5, which is the solution of the equation (5), is the current flowing through the phase compensation capacitor C1. Equation (4) represents the dynamic change of the leak current Ir. FIG. 13 is a simulation result of a dynamic change of the leak current Ir when a rectangular wave voltage is input to the
以上のように、図11に示したような位相補償用キャパシタC1を接続したリーク電流補償回路10Fでは、出力ノード13に入力する信号が動的な電圧であるときに、リーク電流が動的に変動する問題点があった。
As described above, in the leak
本発明の目的はこのような問題点を解消し、静的な入力電圧だけでなく動的な入力電圧に対してもリーク電流を補償した半導体装置を提供することである。 An object of the present invention is to solve such a problem and to provide a semiconductor device in which a leakage current is compensated not only for a static input voltage but also for a dynamic input voltage.
上記目的を達成するために、請求項1にかかる発明は、反転入力端子と非反転入力端子を備え前記反転入力端子と出力端子との間に帰還回路が接続される第1演算増幅回路と、該第1演算増幅回路の前記反転入力端子と前記非反転入力端子の一方に入力ノードが接続され他方に出力ノードが接続されるリーク電流補償回路と、を備える半導体装置において、前記リーク電流補償回路は、非反転入力端子が前記入力ノードに接続される第2演算増幅回路と、該第2演算増幅回路の出力端子と高電位電源端子及び低電位電源端子との間に接続されるESD保護回路と、前記第2演算増幅回路の反転入力端子に一端が接続され前記第2演算増幅回路の前記出力端子に他端が接続される第1アンチパラレルダイオードと、前記出力ノードに一端が接続され前記第2演算増幅回路の前記出力端子に他端が接続され且つ前記第1アンチパラレルダイオードと同一特性の第2アンチパラレルダイオードと、一端が前記第2演算増幅回路の前記反転入力端子に接続され他端が前記第2演算増幅回路の前記出力端子に接続される第1キャパシタと、一端が前記出力ノードに接続され他端が前記第2演算増幅回路の前記出力端子に接続され前記第1キャパシタと同一特性の第2キャパシタと、を備え、前記ESD保護回路は、カソードが前記高電位電源端子に接続される第1ダイオードと、アノードが前記低電位電源端子に接続される第2ダイオードとからなり、前記第1ダイオードのアノードと前記第2ダイオードのカソードの共通接続点が前記第2演算増幅回路の前記出力端子に接続されていることを特徴とする。
請求項2にかかる発明は、請求項1に記載の半導体装置において、前記第1キャパシタは前記一端が第1抵抗を介して前記第2演算増幅回路の前記反転入力端子に接続され、前記第2キャパシタは前記一端が第2抵抗を介して前記出力ノードに接続されていることを特徴とする。
請求項3にかかる発明は、請求項2に記載の半導体装置において、前記第1キャパシタは前記他端が第3抵抗を介して前記第2演算増幅回路の前記出力端子に接続され、前記第2キャパシタは前記他端が第4抵抗を介して前記第2演算増幅回路の前記出力端子に接続されていることを特徴とする。
請求項4にかかる発明は、請求項2に記載の半導体装置において、前記第2演算増幅回路の前記出力端子と前記ESD保護回路の前記共通接続点との間に第5抵抗が挿入接続され、前記第1アンチパラレルダイオードの前記他端と前記第2アンチパラレルダイオードの前記他端が前記ESD保護回路の前記共通接続点に接続され、前記第1キャパシタの前記他端と前記第2キャパシタの前記他端が前記第2演算増幅回路の前記出力端子に接続されていることを特徴とする。
請求項5にかかる発明は、請求項1乃至4の何れか1つに記載の半導体装置において、前記リーク電流補償回路は、前記入力ノードが前記第1演算増幅回路の前記非反転入力端子に接続され、前記出力ノードが前記第1演算増幅回路の前記反転入力端子に接続されていることを特徴とする。
請求項6にかかる発明は、請求項1乃至4の何れか1つに記載の半導体装置において、前記リーク電流補償回路は、前記入力ノードが前記第1演算増幅回路の前記反転入力端子に接続され、前記出力ノードが前記第1演算増幅回路の前記非反転入力端子に接続されていることを特徴とする。
請求項7は、請求項1乃至4の何れか1つに記載の半導体装置において、前記リーク電流補償回路として、前記入力ノードが前記第1演算増幅回路の前記非反転入力端子に接続され、前記出力ノードが前記第1演算増幅回路の前記反転入力端子に接続されている第1リーク電流補償回路と、前記入力ノードが前記第1演算増幅回路の前記反転入力端子に接続され、前記出力ノードが前記第1演算増幅回路の前記非反転入力端子に接続されている第2リーク電流補償回路が用いられていることを特徴とする。
In order to achieve the above object, the invention according to
According to the second aspect of the present invention, in the semiconductor device according to the first aspect, one end of the first capacitor is connected to the inverting input terminal of the second arithmetic amplifier circuit via a first resistor. The capacitor is characterized in that one end thereof is connected to the output node via a second resistor.
According to the third aspect of the present invention, in the semiconductor device according to the second aspect, the other end of the first capacitor is connected to the output terminal of the second arithmetic amplifier circuit via a third resistor. The other end of the capacitor is connected to the output terminal of the second arithmetic amplifier circuit via a fourth resistor.
According to the fourth aspect of the present invention, in the semiconductor device according to the second aspect, a fifth resistor is inserted and connected between the output terminal of the second arithmetic amplifier circuit and the common connection point of the ESD protection circuit. The other end of the first antiparallel diode and the other end of the second antiparallel diode are connected to the common connection point of the ESD protection circuit, and the other end of the first capacitor and the other end of the second capacitor. The other end is connected to the output terminal of the second arithmetic amplifier circuit.
The invention according to
The invention according to
According to
本発明によれば、第1キャパシタと第2キャパシタに同一電流が流れるので、出力ノードに入力する電圧が静的な電圧ばかりでなく動的な電圧であっても、そこに流れるリーク電流を補償することができる。 According to the present invention, since the same current flows through the first capacitor and the second capacitor, even if the voltage input to the output node is not only a static voltage but also a dynamic voltage, the leakage current flowing there is compensated. can do.
<第1実施例>
図1は本発明の第1実施例の第1リーク電流補償回路10A1と第2リーク電流補償回路10A2を有する半導体装置を示す回路図である。第1リーク電流補償回路10A1は、最高電位VDDが印加する高電位電源端子1と、最低電位VSSが印加する低電位電源端子4と、非反転入力端子が入力ノード12に接続された第2演算増幅回路11と、その第2演算増幅回路11の反転入力端子と出力端子の間に接続された第1アンチパラレルダイオードD3,D4と、第2演算増幅回路11の出力端子と出力ノード13の間に接続された第2アンチパラレルダイオードD5,D6と、第2演算増幅回路11の出力端子と高電位電源端子1との間に接続されたダイオードD1及び第2演算増幅回路11の出力端子と低電位電源端子4との間に接続されたダイオードD2により構成されるESD保護回路14とを備える。ダイオードD3とダイオードD5、ダイオードD4とダイオードD6はそれぞれ同一特性である。さらに、第1アンチパラレルダイオードD3,D4には並列に位相補償用キャパシタC1が接続され、第2アンチパラレルダイオードD5,D6には並列にリーク電流補償用キャパシタC2が接続されている。リーク電流補償用キャパシタC2は位相補償用キャパシタC1と同一特性、つまり同一構造同一容量である。第1リーク電流補償回路10A2も第1リーク電流補償回路10A1と同じ構成である。
<First Example>
FIG. 1 is a circuit diagram showing a semiconductor device having a first leakage current compensation circuit 10A1 and a second leakage current compensation circuit 10A2 according to a first embodiment of the present invention. In the first leakage current compensation circuit 10A1, the high potential
第1リーク電流補償回路10A1の入力ノード12は非反転入力端子3に接続され、出力ノード13は反転入力端子2に接続される。また、第2リーク電流補償回路10A2の入力ノード12は反転入力端子2に接続され、出力ノード13は非反転入力端子3に接続される。反転入力端子2に印加されるESDは、第1リーク電流補償回路10A1の出力ノード13と第1リーク電流補償回路10A1の第2アンチパラレルダイオードD5,D6を介してESD保護回路14によって電源端子1,4へ放出される。非反転入力端子3に印加されるESDは、第2リーク電流補償回路10A2の出力ノード13と第2リーク電流補償回路10A2の第2アンチパラレルダイオードD5,D6を介してESD保護回路14によって電源端子1,4へ放出される。
The
図2は図1の半導体装置の第1リーク電流補償回路10A1をP型半導体基板上に作成したときの等価回路である。このとき、ダイオードD4とP型半導体基板との間に寄生ダイオーDaが生成され、ダイオードD6とP型半導体基板との間に寄生ダイオードDbが生成される。なお、キャパシタCaは寄生素子で、ダイオードD4のカソードとP型半導体基板との間に生成される空乏層容量や、第2演算増幅回路11の入力容量及び配線容量で生成される。また、キャパシタCbも寄生素子で、ダイオードD6のカソードとP型半導体基板との間に生成される空乏層容量や配線容量、出力ノード13に接続される容量等で生成される。第2リーク電流補償回路10A2も同様であるので、以下では第1リーク電流補償回路10A1を代表して説明する。
FIG. 2 is an equivalent circuit when the first leakage current compensation circuit 10A1 of the semiconductor device of FIG. 1 is formed on a P-type semiconductor substrate. At this time, a parasitic diode Da is generated between the diode D4 and the P-type semiconductor substrate, and a parasitic diode Db is generated between the diode D6 and the P-type semiconductor substrate. The capacitor Ca is a parasitic element, and is generated by the depletion layer capacitance generated between the cathode of the diode D4 and the P-type semiconductor substrate, and the input capacitance and the wiring capacitance of the second
入力ノード12には、そこに前記した第1演算増幅回路6の反転入力端子2が接続され、出力ノード13には非反転入力端子3が接続されているので、その第1演算増幅回路6の負帰還作用によってその入力ノード12と出力ノード13は同電位となる。また、第2演算増幅回路11は、出力端子と反転入力端子の間に第2アンチパラレルダイオードD3,D4が接続されているので、同様に、負帰還作用によってその第2演算増幅回路11の反転入力端子と非反転入力端子も同電位となる。
Since the inverting
このため、第1演算増幅回路6の反転入力端子2に接続される第2寄生ダイオードDbに印加される電圧と第2演算増幅回路11の反転入力端子に接続される第1寄生ダイオードDaに印加される電圧は等しくなる。
Therefore, the voltage applied to the second parasitic diode Db connected to the inverting
第1寄生ダイオードDaで発生するリーク電流は、第1アンチパラレルダイオードD3,D4を介して供給される。このとき、第1アンチパラレルダイオードD3,D4の両端に発生する電圧と等しい電圧が、第2アンチパラレルダイオードD5,D6の両端に印加される。このため、第1寄生ダイオードDaに流れるリーク電流と等しい電流が、第2アンチパラレルダイオードD5,D6を介して第2寄生ダイオードDbへ供給される。 The leak current generated in the first parasitic diode Da is supplied via the first antiparallel diodes D3 and D4. At this time, a voltage equal to the voltage generated across the first antiparallel diodes D3 and D4 is applied to both ends of the second antiparallel diodes D5 and D6. Therefore, a current equal to the leakage current flowing through the first parasitic diode Da is supplied to the second parasitic diode Db via the second antiparallel diodes D5 and D6.
ここで、図2に示すように、ダイオードD3の逆方向電流をIa1,ダイオードD4の順方向電流をIa2、寄生ダイオードDaの逆方向電流をIa3、寄生キャパシタCaの電流をIa4、キャパシタC1の電流をIa5とする。また、ダイオードD5の逆方向電流をIb1、ダイオードD6の順方向電流をIb2、寄生ダイオードDbの逆方向電流をIb3、寄生キャパシタCbの電流をIb4、キャパシタC2に流れる電流をIb5とし、出力ノード13に流れるリーク電流をIrとする。 Here, as shown in FIG. 2, the reverse current of the diode D3 is Ia1, the forward current of the diode D4 is Ia2, the reverse current of the parasitic diode Da is Ia3, the current of the parasitic capacitor Ca is Ia4, and the current of the capacitor C1. Let be Ia5. Further, the reverse current of the diode D5 is Ib1, the forward current of the diode D6 is Ib2, the reverse current of the parasitic diode Db is Ib3, the current of the parasitic capacitor Cb is Ib4, and the current flowing through the capacitor C2 is Ib5. Let Ir be the leak current flowing through.
これによって、ダイオードD3のアノードのノードの電流は、キルヒホッフの法則によって、
Ia1+Ia2+Ia3+Ia4+Ia5=0 (6)
となり、ダイオードD5のアノードのノードの電流は、キルヒホッフの法則によって、
Ib1+Ib2+Ib3+Ib4+Ib5+Ir=0 (7)
となる。ダイオードD3〜D6、Da,Dbは同一特性であり、Ia1=Ib1、Ia2=Ib2、Ia3=Ib3、Ia4=Ib4、Ia5=Ib5であるので、リーク電流Ir=0となり、出力ノード13から反転入力端子2に流れるリーク電流をキャンセルすることができる。
Thereby, the current at the anode node of the diode D3 is, according to Kirchhoff's law.
Ia1 + Ia2 + Ia3 + Ia4 + Ia5 = 0 (6)
Therefore, the current at the anode node of the diode D5 is determined by Kirchhoff's law.
Ib1 + Ib2 + Ib3 + Ib4 + Ib5 + Ir = 0 (7)
Will be. Since the diodes D3 to D6, Da, and Db have the same characteristics, and Ia1 = Ib1, Ia2 = Ib2, Ia3 = Ib3, Ia4 = Ib4, and Ia5 = Ib5, the leak current is Ir = 0, and the inverting input is performed from the
出力ノード13で発生する動的なリーク電流は、第1アンチパラレルダイオードD3,D4及びキャパシタC1に動的に流れる電流と、第2アンチパラレルダイオードD5,D6及びキャパシタC2に動的に流れる電流の差により発生するが、その差をなくすことでリーク電流を補償できる。
The dynamic leakage current generated at the
静的および動的な電圧に対して、第2演算増幅回路11の反転入力端子に接続される位相補償用キャパシタC1とリーク電流補償回路10A1の出力ノード13に接続されるリーク電流補償キャパシタC2の両端電圧が等しくなる。キャパシタC1とキャパシタC2が同一構造であれば、キャパシタC1に流れる過渡電流Ia5とキャパシタC2に流れる過渡電流Ib5は等しくなる。
For static and dynamic voltages, the phase compensation capacitor C1 connected to the inverting input terminal of the second
図3に入力信号として矩形波電圧を入力したときのリーク電流IrとキャパシタC1,C2の電流Ia5,Ib5の波形を示す。リーク電流Ir=0となり、キャパシタC1に流れる電流Ia5とキャパシタC2に流れる電流Ib5は同じである。 FIG. 3 shows the waveforms of the leak current Ir and the currents Ia5 and Ib5 of the capacitors C1 and C2 when a square wave voltage is input as an input signal. The leak current Ir = 0, and the current Ia5 flowing through the capacitor C1 and the current Ib5 flowing through the capacitor C2 are the same.
以上のことから、図1の第1リーク電流補償回路10A1を持つ半導体装置は、同一構造の位相補償用のキャパシタC1とリーク電流補償用のキャパシタC2を備えることによって、静的な電圧だけでなく、動的な電圧に対しても反転入力端子2のリーク電流を補償できる。第2リーク電流補償回路10A2も同様に動作して、非反転入力端子3のリーク電流を補償できる。
From the above, the semiconductor device having the first leakage current compensation circuit 10A1 of FIG. 1 includes not only a static voltage but also a static voltage by providing a capacitor C1 for phase compensation and a capacitor C2 for leakage current compensation having the same structure. , The leakage current of the inverting
なお、N型基板上に半導体装置を構成した場合は、高電位電源端子1をカソードとする寄生ダイオードがダイオードD3,D5のアノード側にそれぞれ生成される。しかしこの場合でも、入力ノード12、出力ノード13、第2演算増幅回路11の反転入力端子と非反転入力端子は同一電位に制御されるので、ダイオードD3のアノード側の寄生ダイオードと、ダイオードD5のアノード側の寄生ダイオードに同じリーク電流が流れ、P型基板上に半導体装置を構成した場合と同様に、出力ノード13のリーク電流を補償できる。
When the semiconductor device is configured on the N-type substrate, parasitic diodes having the high potential
<第2実施例>
図4は第2実施例のリーク電流補償回路10Bを示す。本実施例では、位相補償用キャパシタC1と第2演算増幅回路11の反転入力端子との間に保護抵抗R1を挿入し、リーク電流補償用キャパシタC2と出力ノード13との間に保護抵抗R2を挿入している。保護抵抗R1,R2は同一構造同一抵抗値である。このように保護抵抗R1,R2を挿入接続することにより、ESD印加によるキャパシタC1,C2の絶縁破壊や容量変動を防ぐことができる。
<Second Example>
FIG. 4 shows the leak
このリーク電流補償回路10Bも、図1の半導体装置に適用するときは、入力ノード12を非反転入力端子3に接続し、出力ノード13を反転入力端子2に接続する第1リーク電流補償回路と、入力ノード12を反転入力端子2に接続し、出力ノード13を非反転入力端子2に接続する第2リーク電流補償回路として使用することができる。
When applied to the semiconductor device of FIG. 1, the leak
<第3実施例>
図5は第3実施例のリーク電流補償回路10Cを示す。本実施例では、位相補償用キャパシタC1の両側に直列に保護抵抗R1,R3を挿入し、リーク電流補償用キャパシタC2の両側に直列に保護抵抗R2,R4を挿入している。保護抵抗R1,R2は同一構造同一抵抗値である。また、保護抵抗R3,R4も同一構造同一抵抗値である。
<Third Example>
FIG. 5 shows the leak current compensation circuit 10C of the third embodiment. In this embodiment, the protection resistors R1 and R3 are inserted in series on both sides of the phase compensation capacitor C1, and the protection resistors R2 and R4 are inserted in series on both sides of the leakage current compensation capacitor C2. The protection resistors R1 and R2 have the same structure and the same resistance value. Further, the protection resistors R3 and R4 also have the same structure and the same resistance value.
このように保護抵抗R1〜R4を挿入接続することにより、ESD印加によるキャパシタC1,C2の絶縁破壊や容量変動をより効果的に防ぐことができる。本実施例では、キャパシタC1,C2のESD耐性を第2実施例よりも高めることができる。 By inserting and connecting the protection resistors R1 to R4 in this way, it is possible to more effectively prevent dielectric breakdown and capacitance fluctuation of the capacitors C1 and C2 due to the application of ESD. In this embodiment, the ESD resistance of the capacitors C1 and C2 can be increased as compared with the second embodiment.
このリーク電流補償回路10Cも、図1の半導体装置に適用するときは、入力ノード12を非反転入力端子3に接続し、出力ノード13を反転入力端子2に接続する第1リーク電流補償回路と、入力ノード12を反転入力端子2に接続し、出力ノード13を非反転入力端子2に接続する第2リーク電流補償回路として使用することができる。
When applied to the semiconductor device of FIG. 1, the leak current compensation circuit 10C is also a first leak current compensation circuit in which the
<第4実施例>
図6は第4実施例のリーク電流補償回路10Dを示す。本実施例では、図4で説明したリーク電流補償回路10Bにおいて、演算増幅回路11の出力端子とESD保護回路14の間に直列に保護抵抗R5を挿入接続する。また、位相補償用キャパシタC1とリーク電流補償用キャパシタC2の共通接続点を、抵抗R5と第2演算増幅回路11の出力端子の共通接続点に接続する。さらに、第1及び第2アンチパラレルダイオードD3〜D6の共通接続点を、抵抗R5とESD保護回路14との共通接続点に接続する。
<Fourth Example>
FIG. 6 shows the leak
本実施例によれば、ESD印加による第2演算増幅回路11の出力トランジスタの破壊および特性変動を防ぐことができる。また、図5のリーク電流補償回路10Cにおける保護抵抗R3,R4を保護抵抗R5によって共通化できるので、素子数を削減して回路面積を小さくすることができる。
According to this embodiment, it is possible to prevent the output transistor of the second
このリーク電流補償回路10Dも、図1の半導体装置に適用するときは、入力ノード12を非反転入力端子3に接続し、出力ノード13を反転入力端子2に接続する第1リーク電流補償回路と、入力ノード12を反転入力端子2に接続し、出力ノード13を非反転入力端子2に接続する第2リーク電流補償回路として使用することができる。
When applied to the semiconductor device of FIG. 1, the leak
<第5実施例>
図7は第5実施例の半導体装置を示す。本実施例は、反転入力端子2のESD保護を第1リーク電流補償回路10A1内のESD保護回路14によって行い、非反転入力端子3のESD保護はESD保護回路8によって行うようにしたものである。ESD保護回路8は、カソードが高電位電源端子1に接続されアノードが非反転入力端子3に接続されたダイオードD7と、カソードが非反転入力端子3に接続されアノードが低電位電源端子4に接続されたダイオードD8とで構成されている。
<Fifth Example>
FIG. 7 shows the semiconductor device of the fifth embodiment. In this embodiment, the ESD protection of the inverting
本実施例は、非反転入力端子3のリーク電流補償が不要な場合に適用できる。なお、リーク電流補償回路10A1に代えて、図4のリーク電流補償回路10B、図5のリーク電流補償回路10C、図6のリーク電流補償回路10Dを使用することもできる。
This embodiment can be applied when the leakage current compensation of the
<第6実施例>
図8は第6実施例の半導体装置を示す。本実施例は、非反転入力端子3のESD保護を第2リーク電流補償回路10A2内のESD保護回路14によって行い、反転入力端子2のESD保護はESD保護回路9によって行うようにしたものである。ESD保護回路9は、カソードが高電位電源端子1に接続されアノードが反転入力端子2に接続されたダイオードD9と、カソードが反転入力端子2に接続されアノードが低電位電源端子4に接続されたダイオードD10とで構成されている。
<Sixth Example>
FIG. 8 shows the semiconductor device of the sixth embodiment. In this embodiment, the ESD protection of the
本実施例は、反転入力端子2のリーク電流補償が不要な場合に適用できる。なお、リーク電流補償回路10A2に代えて、図4のリーク電流補償回路10B、図5のリーク電流補償回路10C、図6のリーク電流補償回路10Dを使用することもできる。
This embodiment can be applied when the leakage current compensation of the inverting
1:高電位電源端子、2:反転入力端子、3:非反転入力端子、4:低電位電源端子、5:出力端子、6:演算増幅回路、7:帰還回路、8,9:ESD保護回路
10A〜10F:リーク電流補償回路、11:演算増幅回路、12:入力ノード、13:出力ノード、14:ESD保護回路
1: High potential power supply terminal 2: Inverted input terminal 3: Non-inverting input terminal 4: Low potential power supply terminal 5: Output terminal, 6: Computational amplification circuit, 7: Feedback circuit, 8, 9: ESD protection circuit 10A-10F: Leakage current compensation circuit, 11: Computational amplification circuit, 12: Input node, 13: Output node, 14: ESD protection circuit
Claims (7)
前記リーク電流補償回路は、非反転入力端子が前記入力ノードに接続される第2演算増幅回路と、該第2演算増幅回路の出力端子と高電位電源端子及び低電位電源端子との間に接続されるESD保護回路と、前記第2演算増幅回路の反転入力端子に一端が接続され前記第2演算増幅回路の前記出力端子に他端が接続される第1アンチパラレルダイオードと、前記出力ノードに一端が接続され前記第2演算増幅回路の前記出力端子に他端が接続され且つ前記第1アンチパラレルダイオードと同一特性の第2アンチパラレルダイオードと、一端が前記第2演算増幅回路の前記反転入力端子に接続され他端が前記第2演算増幅回路の前記出力端子に接続される第1キャパシタと、一端が前記出力ノードに接続され他端が前記第2演算増幅回路の前記出力端子に接続され前記第1キャパシタと同一特性の第2キャパシタと、を備え
前記ESD保護回路は、カソードが前記高電位電源端子に接続される第1ダイオードと、アノードが前記低電位電源端子に接続される第2ダイオードとからなり、前記第1ダイオードのアノードと前記第2ダイオードのカソードの共通接続点が前記第2演算増幅回路の前記出力端子に接続されていることを特徴とする半導体装置。 A first arithmetic amplification circuit having an inverting input terminal and a non-inverting input terminal and a feedback circuit connected between the inverting input terminal and an output terminal, and the inverting input terminal and the non-inverting input of the first arithmetic amplification circuit. In a semiconductor device comprising a leak current compensation circuit in which an input node is connected to one of the terminals and an output node is connected to the other.
The leak current compensation circuit is connected between a second arithmetic amplification circuit in which a non-inverting input terminal is connected to the input node, and an output terminal of the second arithmetic amplification circuit, a high potential power supply terminal, and a low potential power supply terminal. To the ESD protection circuit, the first antiparallel diode whose one end is connected to the inverting input terminal of the second arithmetic amplification circuit and the other end is connected to the output terminal of the second arithmetic amplification circuit, and the output node. A second antiparallel diode having one end connected to the output terminal of the second arithmetic amplification circuit and having the same characteristics as the first antiparallel diode, and one end to the inverting input of the second arithmetic amplification circuit. A first capacitor connected to a terminal and the other end connected to the output terminal of the second arithmetic amplification circuit, and one end connected to the output node and the other end connected to the output terminal of the second arithmetic amplification circuit. The ESD protection circuit includes a second capacitor having the same characteristics as the first capacitor, a first diode having a cathode connected to the high potential power supply terminal, and a second diode having an anode connected to the low potential power supply terminal. A semiconductor device including a diode, wherein a common connection point between the anode of the first diode and the cathode of the second diode is connected to the output terminal of the second arithmetic amplification circuit.
前記第1キャパシタは前記一端が第1抵抗を介して前記第2演算増幅回路の前記反転入力端子に接続され、前記第2キャパシタは前記一端が第2抵抗を介して前記出力ノードに接続されていることを特徴とする半導体装置。 In the semiconductor device according to claim 1,
One end of the first capacitor is connected to the inverting input terminal of the second arithmetic amplifier circuit via a first resistor, and one end of the second capacitor is connected to the output node via a second resistor. A semiconductor device characterized by being present.
前記第1キャパシタは前記他端が第3抵抗を介して前記第2演算増幅回路の前記出力端子に接続され、前記第2キャパシタは前記他端が第4抵抗を介して前記第2演算増幅回路の前記出力端子に接続されていることを特徴とする半導体装置。 In the semiconductor device according to claim 2,
The other end of the first capacitor is connected to the output terminal of the second arithmetic amplifier circuit via a third resistor, and the other end of the second capacitor is connected to the output terminal of the second arithmetic amplifier circuit via a fourth resistor. A semiconductor device, characterized in that it is connected to the output terminal of the above.
前記第2演算増幅回路の前記出力端子と前記ESD保護回路の前記共通接続点との間に第5抵抗が挿入接続され、前記第1アンチパラレルダイオードの前記他端と前記第2アンチパラレルダイオードの前記他端が前記ESD保護回路の前記共通接続点に接続され、前記第1キャパシタの前記他端と前記第2キャパシタの前記他端が前記第2演算増幅回路の前記出力端子に接続されていることを特徴とする半導体装置。 In the semiconductor device according to claim 2,
A fifth resistor is inserted and connected between the output terminal of the second arithmetic amplifier circuit and the common connection point of the ESD protection circuit, and the other end of the first antiparallel diode and the second antiparallel diode are connected. The other end is connected to the common connection point of the ESD protection circuit, and the other end of the first capacitor and the other end of the second capacitor are connected to the output terminal of the second arithmetic amplifier circuit. A semiconductor device characterized by this.
前記リーク電流補償回路は、前記入力ノードが前記第1演算増幅回路の前記非反転入力端子に接続され、前記出力ノードが前記第1演算増幅回路の前記反転入力端子に接続されていることを特徴とする半導体装置。 In the semiconductor device according to any one of claims 1 to 4.
The leak current compensation circuit is characterized in that the input node is connected to the non-inverting input terminal of the first arithmetic amplifier circuit, and the output node is connected to the inverting input terminal of the first arithmetic amplifier circuit. Semiconductor device.
前記リーク電流補償回路は、前記入力ノードが前記第1演算増幅回路の前記反転入力端子に接続され、前記出力ノードが前記第1演算増幅回路の前記非反転入力端子に接続されていることを特徴とする半導体装置。 In the semiconductor device according to any one of claims 1 to 4.
The leak current compensation circuit is characterized in that the input node is connected to the inverting input terminal of the first arithmetic amplifier circuit, and the output node is connected to the non-inverting input terminal of the first arithmetic amplifier circuit. Semiconductor device.
前記リーク電流補償回路として、前記入力ノードが前記第1演算増幅回路の前記非反転入力端子に接続され、前記出力ノードが前記第1演算増幅回路の前記反転入力端子に接続されている第1リーク電流補償回路と、前記入力ノードが前記第1演算増幅回路の前記反転入力端子に接続され、前記出力ノードが前記第1演算増幅回路の前記非反転入力端子に接続されている第2リーク電流補償回路が用いられていることを特徴とする半導体装置。
In the semiconductor device according to any one of claims 1 to 4.
As the leak current compensation circuit, a first leak in which the input node is connected to the non-inverting input terminal of the first arithmetic amplifier circuit and the output node is connected to the inverting input terminal of the first arithmetic amplifier circuit. The current compensation circuit and the second leak current compensation in which the input node is connected to the inverting input terminal of the first arithmetic amplifier circuit and the output node is connected to the non-inverting input terminal of the first arithmetic amplifier circuit. A semiconductor device characterized in that a circuit is used.
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