JP6862529B2 - 表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は、映像を表示する表示装置に関する。
情報化社会が発展するにつれて、映像を表示するための表示装置への要求が様々な形で高まっている。これにより、最近では液晶表示装置（ＬＣＤ、Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ、Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）、量子ドット発光表示装置（ＱＬＥＤ：Ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ）、有機発光表示装置（ＯＬＥＤ、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ）など複数の表示装置が活用されている。
表示装置の中でも、有機発光表示装置は自己発光型であって、液晶表示装置（ＬＣＤ）に比べて視野角、コントラスト比などに優れており、別途のバックライトを必要としないので軽量薄型が可能であり、消費電力において有利であるという長所がある。また、有機発光表示装置は、直流低電圧駆動が可能であり、応答速度が速く、特に製造コストが安価な長所がある。
最近では、このような表示装置を含むヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ，Ｈｅａｄ Ｍｏｕｎｔｅｄ Ｄｉｓｐｌａｙ）が開発されている。ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）は、眼鏡やヘルメットの形態で着用して、使用者の目の前の近い距離に焦点が形成される仮想現実（ＶＲ，Ｖｉｒｔｕａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ）または拡張現実（Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ）のメガネ型モニター装置である。
このようなヘッドマウントディスプレイは、高解像度の稠密な画素間隔によりＦＭＭ（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）を用いて、サブ画素ごとに異なる色の発光層を精密にパターン形成するのには困難がある。
特開２０１６−２０１０９０
本発明は、高解像度の表示装置を提供することを技術的課題とする。
本発明の一実施例に係る表示装置は、第１および第２サブ画素を有する複数の画素を備えた基板であって、前記第１および第２サブ画素の各々が、第１発光領域および第２２発光領域と、前記第１発光領域に備えられた第１電極と、前記第１電極上に備えられた第１発光層と、前記第１発光層上に備えられた第２電極と、前記第２電極上に備えられた第２発光層と、前記第２発光層上に備えられた第３電極とを含み、前記第１発光領域において、前記基板と前記第１電極の間に備えられ前記第２発光領域まで延長され、前記第１発光領域に備えられた前記第１発光層で発光した光を前記第２発光領域にガイドする光ガイド構造物を含む。
本発明によると、各サブ画素が第１発光層及び第２発光層を独立して発光させることができる。これにより、本発明は、複数のスタックが電荷生成層を間に置いて配置されるタンデム構造を有する表示装置と比較して電力消費を大幅に削減することができる。
また、本発明は、第１発光領域にのみ発光層がパターン形成され、第２発光領域で発光層がパターン形成されない。また、第１サブ画素及び第２サブ画素に同じ発光層をパターン形成する。すなわち、第１および第２発光層は、各サブ画素の第１発光領域に形成することができ、各サブ画素の第２発光領域を露出させることができる。これにより、第１サブ画素の第１発光領域と第２サブ画素の第１発光領域の間に第２発光領域が存在するようになり、ＦＭＭ（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）を移動させる必要がないので、ＦＭＭを用いて発光層をパターン形成しても、第１サブ画素と第２サブ画素間の間隔を最小限に抑えることができる。
また、本発明は、第１電極と第２電極の間で発光した光を、光ガイド構造物を介して第２発光領域にガイドした後、前方に放出する。これにより、本発明は、第２発光領域での光効率を大幅に向上させることができる。
本発明で得られる効果は、以上で言及した効果に制限されず、言及していないその他の効果は以下の記載から、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されるであろう。
本発明の一実施例に係る表示装置を示す斜視図である。 図１の第１基板、ソースドライブＩＣ、軟性フィルム、回路基板、およびタイミング制御部を示す平面図である。 本発明の第１実施例に係る第１基板を概略的に示す平面図である。 サブ画素の光ガイド構造物、第１電極、第２電極及び第３電極を概略的に示す平面図である。 図３のＩ−Ｉの第１例を示す断面図である。 図５に示した光ガイド構造物を概略的に示す斜視図である。 図６ａに示した光ガイド構造物のＩＩ−ＩＩ線の断面図である。 第１サブ画素及び第２サブ画素で光の経路を概略的に示す図である。 図５の変形された実施例を示す断面図である。 図５の他の変形された実施例を示す断面図である。 図５のまた他の変形された実施例を示す断面図である。 図３のＩ−Ｉの第２例を示す断面図である。 図１１の第１サブ画素及び第２サブ画素で光の経路を概略的に示す図である。 図３のＩ−Ｉの第３例を示す断面図である。 図１３の第１サブ画素及び第２サブ画素で光の経路を概略的に示す図である。 本発明のまた他の実施例に係る表示装置に関するものであり、これはヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）装置に関するものである。 本発明のまた他の実施例に係る表示装置に関するものであり、これはヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）装置に関するものである。 本発明のまた他の実施例に係る表示装置に関するものであり、これはヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）装置に関するものである。
本発明の利点および特徴、そしてそれらを達成する方法は添付の図と共に詳細に後述されている実施例を参照すると明確になるだろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施例に限定されるものではなく、異なる多様な形態で具現されるものであり、単に本実施例は、本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、請求項の範疇によってのみ定義される。
本発明の実施例を説明するための図に開示された形状、大きさ、比率、角度、数などは例示的なものなので、本発明は、図に示した事項に限定されるものではない。明細書全体にわたって同一参照符号は同一の構成要素を指す。また、本発明を説明するにおいて、関連する公知技術に対する詳細な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすると判断された場合、その詳細な説明は省略する。
本明細書で言及した「含む」、「有する」、「からなる」などが使用されている場合は、「〜だけ」が使用されていない限り、他の部分を追加できる。構成要素を単数表現の場合に特に明示的な記載事項がない限り、複数が含まれる場合を含む。
構成要素を解釈するに当たり、別途の明示的な記載がなくても誤差の範囲を含むものと解釈する。
位置関係の説明である場合には、例えば、「〜の上に」、「〜の上部に」、「〜の下部に」、「〜の隣に」など２つの部分の位置関係が説明されている場合は、「すぐに」または「直接」が使用されていない限り、二つの部分の間に一つ以上の他の部分が位置することもできる。
時間の関係に対する説明である場合には、例えば、「〜の後」、「〜に続いて」、「〜次の」、「〜前に」などで時間的前後関係が説明されている場合は、「すぐに」または「直接」が使用されていない限り、連続していない場合も含むことができる。
第１、第２などが多様な構成要素を記述するために使用されるが、これらの構成要素はこれらの用語によって制限されない。これらの用語は、ただ一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用されるものである。したがって、以下に記載されている第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素であることもある。
「Ｘ軸方向」、「Ｙ軸方向」および「Ｚ軸方向」とは、互いの関係が垂直方向になされた幾何学的な関係だけで解釈されてはならず、本発明の構成は、機能的に作用することができる範囲内より広い方向性を有することを意味することができる。
「少なくとも一つ」の用語は、複数の関連項目から提示可能なすべての組み合わせを含むものと理解されなければならない。たとえば、「第１項目、第２項目及び第３項目のうち少なくとも一つ」の意味は、第１項目、第２項目または第３項目のそれぞれだけでなく、第１項目、第２項目及び第３項目の中の二つ以上から提示することができるすべての項目の組み合わせを意味することができる。
本発明のいくつかの実施例のそれぞれの特徴が部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能で、技術的に多様な連動および駆動が可能であり、各実施例が互いに独立して実施可能であり得、関連の関係で一緒に実施することもできる。
以下、添付した図を参照して、本発明の好ましい実施例について詳細に説明することにする。
図１は、本発明の一実施例に係る表示装置を示す斜視図である。図２は図１の第１基板、ソースドライブＩＣ、軟性フィルム、回路基板、およびタイミング制御部を示す平面図である。
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施例に係る表示装置１００は、表示パネル１１０、ソースドライブ集積回路（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ、以下「ＩＣ」と称する）１４０、軟性フィルム１５０、回路基板１６０、およびタイミング制御部１７０を含む。
表示パネル１１０は、第１基板１１１と第２基板１１２を含む。第２基板１１２は、封止基板であり得る。第１基板１１１は、プラスチックフィルム（ｐｌａｓｔｉｃ ｆｉｌｍ）、ガラス基板（ｇｌａｓｓ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）、または半導体工程を用いて形成されたシリコンウエハ基板であり得る。第２基板１１２は、プラスチックフィルム、ガラス基板、または封止フィルムであり得る。
第２基板１１２と向き合う第１基板１１１の一面上にはゲートライン、データライン、およびサブ画素が形成される。サブ画素は、ゲートラインとデータラインの交差構造によって定義される領域に備えられる。
表示パネル１１０は、画素が形成されて画像を表示する表示領域（ＤＡ）と画像を表示しない非表示領域（ＮＤＡ）に区分することができる。表示領域（ＤＡ）には、ゲートライン、データライン、及び画素が形成され得る。非表示領域（ＮＤＡ）は、ゲート駆動部およびパッドが形成され得る。
ゲート駆動部は、タイミング制御部１７０から入力するゲート制御信号によってゲートラインにゲート信号を供給する。ゲート駆動部は、表示パネル１１０の表示領域（ＤＡ）の一側または両方外側の非表示領域（ＤＡ）にＧＩＰ（ｇａｔｅ ｄｒｉｖｅｒ ｉｎ ｐａｎｅｌ）方式で形成され得る。または、ゲート駆動部は、駆動チップに製作して軟性フィルムに実装してＴＡＢ（ｔａｐｅ ａｕｔｏｍａｔｅｄ ｂｏｎｄｉｎｇ）方式で表示パネル１１０の表示領域（ＤＡ）の一側または両方外側の非表示領域（ＤＡ）に付着できる。
ソースドライブＩＣ１４０には、タイミング制御部１７０からデジタルビデオデータとソース制御信号が入力する。ソースドライブＩＣ１４０は、ソース制御信号によって、デジタルビデオデータをアナログデータ電圧に変換してデータラインに供給する。ソースドライブＩＣ１４０を駆動チップで製作する場合、ＣＯＦ（ｃｈｉｐ ｏｎ ｆｉｌｍ）またはＣＯＰ（ｃｈｉｐ ｏｎ ｐｌａｓｔｉｃ）方式で軟性フィルム１５０に実装することができる。
表示パネル１１０の非表示領域（ＮＤＡ）には、データパッドのようなパッドが形成され得る。軟性フィルム１５０には、パッドとソースドライブＩＣ１４０を接続する配線、パッドと回路基板１６０の配線を接続する配線が形成され得る。軟性フィルム１５０は、異方性導電フィルム（ａｎｔｉｓｏｔｒｏｐｉｃ ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｆｉｌｍ）を用いてパッド上に取り付けられ、これにより、パッドと軟性フィルム１５０の配線が接続し得る。
回路基板１６０を軟性フィルム１５０に付着することができる。回路基板１６０は、駆動チップに具現された多数の回路を実装できる。例えば、回路基板１６０には、タイミング制御部１７０を実装できる。回路基板１６０は、プリント回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）またはフレキシブルプリント回路基板（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）であり得る。
タイミング制御部１７０には、回路基板１６０のケーブルを介して外部のシステムボードからデジタルビデオデータとタイミング信号が入力する。タイミング制御部１７０は、タイミング信号に基づいて、ゲート駆動部の動作タイミングを制御するためのゲート制御信号とソースドライブＩＣ１４０を制御するためのソース制御信号を発生する。タイミング制御部１７０は、ゲート制御信号をゲート駆動部に供給し、ソース制御信号をソースドライブＩＣ１４０に供給する。
図３は、本発明の一実施例に係る表示装置の画素を概略的に示す平面図である。
図３を参照すると、表示領域（ＤＡ）には、画像を表示する画素（Ｐ）が形成される。画素（Ｐ）のそれぞれは、２つのサブ画素、すなわち、第１サブ画素（ＳＰ１）および第２サブ画素（ＳＰ２）からなる。
本発明の一実施例に係る表示装置１００は、第１サブ画素（ＳＰ１）および第２サブ画素（ＳＰ２）から少なくとも３色の光が放出されることを特徴とする。第１サブ画素は、２つの異なる色の光を発光することができ、第２サブ画素は２つの異なる光を発光することができる。第１サブ画素によって発光した光の内の１つは第２サブ画素によって発光した光の中の１つと同じであり得る。
より詳細には、第１サブ画素（ＳＰ１）は、第１発光領域（ＥＡ１）及び第２発光領域（ＥＡ２）を含むことができる。第１サブ画素（ＳＰ１）は、第１発光領域（ＥＡ１）で第１色の光を放出し、第２発光領域（ＥＡ２）で第２色の光を放出することができる。第１サブ画素（ＳＰ１）は、第発光領域（ＥＡ１）と第２発光領域（ＥＡ２）の間に非発光領域（ＮＥＡ）が備えられ得る。第１、第２および第３色は、互いに異なり得る。
第２サブ画素（ＳＰ２）は、第１発光領域（ＥＡ１）及び第２発光領域（ＥＡ２）を含み得る。第２サブ画素（ＳＰ２）は、第１発光領域（ＥＡ１）で第１色の光を放出し、第２発光領域（ＥＡ２）で第３色の光を放出できる。第２サブ画素（ＳＰ２）は、第１発光領域（ＥＡ１）と第２発光領域（ＥＡ２）の間に非発光領域（ＮＥＡ）を備え得る。
これにより、第１サブ画素（ＳＰ１）および第２サブ画素（ＳＰ２）は、第１色の光、第２色の光及び第３色の光を放出することができるようになる。
以下では、いくつかの実施例と一緒に第１サブ画素（ＳＰ１）および第２サブ画素（ＳＰ２）についてより詳細に説明する。
第１実施例
図４は、サブ画素の光ガイド構造物、第１電極、第２電極及び第３電極を概略的に示した平面図であり、図５は、図３のＩ−Ｉの第１例を示す断面図である。図６ａは、図５に示した光ガイド構造物を概略的に示す斜視図であり、図６ｂは、図６ａに示した光ガイド構造物のＩＩ―ＩＩ線の断面図である。図７は図５の第１サブ画素および第２サブ画素で光の経路を概略的に示す図である。図８は、図５の変形された実施例を示す断面図であり、図９は、図５の他の変形された実施例を示す断面図であり、図１０は、図５のまた他の変形された実施例を示す断面図である。
図４〜図７を参照すると、本発明の第１実施例に係る表示装置は、第１基板１１１、第２基板１１２、第１駆動薄膜トランジスタ（Ｔ１）、第２駆動薄膜トランジスタ（Ｔ２）、電源ライン１８０、光ガイド構造物１９０、第１電極２１０、第１バンク２１５、第２バンク２３５、第１発光層２２０、第２電極２３０、第２発光層２４０、第３電極２５０、封止層３００およびカラーフィルタ層４００を含む。
第１基板１１１は、プラスチックフィルム（ｐｌａｓｔｉｃ ｆｉｌｍ）、ガラス基板（ｇｌａｓｓ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）、または半導体工程を用いて形成されたシリコンウエハ基板であり得る。第１基板１１１は、透明な材料からなり得、不透明な材料からもなり得る。
本発明の第１実施例に係る表示装置１００は、発光した光が上部に向かって放出されるいわゆる上部発光（Ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式からなるので、第１基板１１１の物質は、透明な材料だけでなく不透明な材料も使用することができる。
第１基板１１１上には、第１サブ画素（ＳＰ１）および第２サブ画素（ＳＰ２）を備え得る。第１サブ画素（ＳＰ１）は、青色（Ｂ）光と緑色（Ｇ）の光を放出し、第２サブ画素（ＳＰ２）は、青色（Ｂ）光と赤色（Ｒ）光を放出するように設けることができるが、必ずしもこれに限定されるものではない。また、それぞれのサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）の配列順序は多様に変更され得る。
以下では、説明の便宜上、第１サブ画素（ＳＰ１）は、青色（Ｂ）光と赤色（Ｒ）光を放出し、第２サブ画素（ＳＰ２）は、青色（Ｂ）光と緑色（Ｇ）光を放出することに仮定して説明する。
第１基板１１１上には、各種信号ライン、第１駆動薄膜トランジスタ（Ｔ１）、第２駆動薄膜トランジスタ（Ｔ２）およびコンデンサなどを含む回路素子が、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）ごとに形成される。前記信号ラインは、ゲートライン、データライン、電源ライン１８０、及び基準ラインを含むことができる。
第１駆動薄膜トランジスタ（Ｔ１）は、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）ごとに備えられ、ゲートラインにゲート信号が入力する場合、データラインのデータ電圧によって第１電極２１０に所定の電圧を供給する。
第２駆動薄膜トランジスタ（Ｔ２）は、画素（Ｐ）ごとに備えられて、ゲートラインにゲート信号が入力する場合、データラインのデータ電圧に基づいて、第３電極２５０に所定の電圧を供給する。一つの第２駆動薄膜トランジスタ（Ｔ２）は、図５に示すように、第１サブ画素（ＳＰ１）と第２サブ画素（ＳＰ２）が共有することができるが、必ずしもこれに限定されない。他の一実施例において、第２駆動薄膜トランジスタ（Ｔ２）は、第１駆動薄膜トランジスタ（Ｔ１）のように、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）ごとに設けることもできる。
このような第１駆動薄膜トランジスタ（Ｔ１）及び第２駆動薄膜トランジスタ（Ｔ２）のそれぞれは、アクティブ層（ＡＣＴ）、ゲート電極（ＧＥ）、ソース電極（ＳＥ）及びドレイン電極（ＤＥ）を含む。
第１基板１１１上には、アクティブ層（ＡＣＴ）が形成される。アクティブ層（ＡＣＴ）は、シリコン系半導体物質または酸化物系半導体物質で形成できる。第１基板１１１とアクティブ層（ＡＣＴ）の間には、アクティブ層（ＡＣＴ）に入射する外部光を遮断するための遮光層（未図示）をさらに形成できる。
アクティブ層（ＡＣＴ）上には、ゲート絶縁膜（Ｉ１）が形成され得る。ゲート絶縁膜（Ｉ１）は無機膜、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはこれらの多重膜で形成することができる。
ゲート絶縁膜（Ｉ１）上には、ゲート電極（ＧＥ）を形成できる。ゲート電極（ＧＥ）は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、および銅（Ｃｕ）のいずれかひとつ、またはこれらの合金からなる単一層または多重層であり得るが、これに限定されない。
ゲート電極（ＧＥ）上には、層間絶縁膜（Ｉ２）が形成され得る。層間絶縁膜（Ｉ２）は無機膜、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはこれらの多重膜で形成することができる。
層間絶縁膜（Ｉ２）上には、ソース電極（ＳＥ）とドレイン電極（ＤＥ）が形成され得る。ソース電極（ＳＥ）とドレイン電極（ＤＥ）のそれぞれは、ゲート絶縁膜（Ｉ１）と層間絶縁膜（Ｉ２）を貫通するコンタクトホール（ＣＨ１、ＣＨ２）を介して、アクティブ層（ＡＣＴ）に接続し得る。ソース電極（ＳＥ）とドレイン電極（ＤＥ）のそれぞれは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、および銅（Ｃｕ）のいずれかひとつ、またはこれらの合金からなる単一層または多重層であり得るが、これに限定されない。
一方、層間絶縁膜（Ｉ２）上には、電源ライン１８０がさらに形成され得る。電源ライン１８０は、表示領域（ＤＡ）のサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）それぞれに配置され、第２電極２３０と接続する。電源ライン１８０は、表示領域（ＤＡ）で第２方向（Ｙ軸方向）に延長形成され得る。複数の第１サブ画素（ＳＰ１）は第２方向に沿って配置できる。複数の第２サブ画素（ＳＰ２）は第２方向に沿って配置できる。このような場合、電源ライン１８０は第２方向に沿って配置された複数の第１サブ画素（ＳＰ１）各々の第２電極２３０と接続できる。そして電源ライン１８０は、第２方向に沿って配置された複数の第２サブ画素（ＳＰ２）各々の第２電極２３０と接続できる。電源ライン１８０は、一端がパッドに接続して、パッドから外部電源の供給を受けることができる。
このような電源ライン１８０は、第１および第２駆動薄膜トランジスタ（Ｔ１、Ｔ２）のソース電極（ＳＥ）及びドレイン電極（ＤＥ）と同一の物質で形成され得るが、必ずしもこれに限定されない。電源ライン１８０は、第１および第２駆動薄膜トランジスタ（Ｔ１、Ｔ２）のアクティブ層（ＡＣＴ）またはゲート電極（ＧＥ）と同じ層で同じ物質で形成できる。
第１および第２駆動薄膜トランジスタ（Ｔ１、Ｔ２）のソース電極（ＳＥ）、ドレイン電極（ＤＥ）、および電源ライン１８０上には、平坦化膜（Ｉ３）を形成できる。平坦化膜（Ｉ３）は、第１及び第２駆動薄膜トランジスタ（Ｔ１、Ｔ２）による段差を平坦化する。
平坦化膜（Ｉ３）は、開口部を含むことができる。開口部は、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）それぞれに備えられた第１駆動薄膜トランジスタ（Ｔ１）の間に形成され得る。開口部は、図５に示すように、層間絶縁膜（Ｉ２）および第１駆動薄膜トランジスタ（Ｔ１）のソース電極（ＳＥ）またはドレイン電極（ＤＥ）の一部を露出させるように形成され得るが、必ずしもこれに限定されない。他の一実施例において、開口部は、平坦化膜（Ｉ３）を完全に貫通せずに平坦化膜（Ｉ３）の一部の厚さだけ除去して形成することもできる。
このような平坦化膜（Ｉ３）を、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）などの有機膜で形成できる。
光ガイド構造物１９０は、平坦化膜（Ｉ３）の開口部上に備えられ、第１発光層２２０で発光した光が第２発光領域（ＥＡ２）に放出されるようにガイドする。
光ガイド構造物１９０は、図６ａ及び図６ｂに示すように、第１幅（Ｗ１）を有する下面１９０ａ、及び第１幅（Ｗ１）よりも大きい第２幅（Ｗ２）を有する上面１９０ｂを含むことができる。光ガイド構造物１９０は、下面１９０ａおよび上面１９０ｂが四角形状を有することができる。このような場合、光ガイド構造物１９０は、下面１９０ａと上面１９０ｂを接続する４つの側面１９０ｃ、１９０ｄ、１９０ｅ、１９０ｆが形成され得る。また、光ガイド構造物１９０は、下面１９０ａの第１幅（Ｗ１）が上面１９０ｂの第２幅（Ｗ２）よりも小さいので、４つの側面１９０ｃ、１９０ｄ、１９０ｅ、１９０ｆが傾斜面であり得る。ここで、傾斜面１９０ｃ、１９０ｄ、１９０ｅ、１９０ｆのそれぞれは、下面１９０ａと９０度よりも大きい傾斜角（θ）を有する。
このような光ガイド構造物１９０は、反射体１９２および誘電体１９４からなり得る。
反射体１９２は、下面１９０ａおよび傾斜面１９０ｃ、１９０ｄ、１９０ｅ、１９０ｆからなる反射空間を形成する。反射体１９２は、反射率の高い金属物質、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）などで形成され、第１発光層２２０で発光した光を反射空間で反射させて第２発光領域（ＥＡ２）にガイドする。
一方、反射体１９２は、第１駆動薄膜トランジスタ（Ｔ１）のソース電極（ＳＥ）またはドレイン電極（ＤＥ）の一部に接続する。これにより、反射体１９２は、第１駆動薄膜トランジスタ（Ｔ１）のソース電極（ＳＥ）またはドレイン電極（ＤＥ）から第１電圧が印加され得る。反射体１９２は、図５に示すように平坦化膜（Ｉ３）の開口部に露出している第１駆動薄膜トランジスタ（Ｔ１）のソース電極（ＳＥ）またはドレイン電極（ＤＥ）の一部に直接形成され得るが、必ずしもこれに限定されない。他の一実施例において、反射体１９２は、コンタクトホールを介して第１駆動薄膜トランジスタ（Ｔ１）のソース電極（ＳＥ）またはドレイン電極（ＤＥ）の一部に接続することもできる。
誘電体１９４は、反射空間を埋めるように形成され、上面１９０ｂが平坦化膜（Ｉ３）と段差が発生しないようにする。
第１電極２１０は、第１サブ画素（ＳＰ１）および第２サブ画素（ＳＰ２）のそれぞれにパターン形成される。第１サブ画素（ＳＰ１）に一つの第１電極２１０が形成され、第２サブ画素（ＳＰ２）に、もう一つの第１電極２１０が形成される。すなわち、第１電極２１０は、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）各々のために別途に形成できる。第１電極２１０は、各々のサブ画素の第２発光領域（ＥＡ２）を露出させながら第１発光領域（ＥＡ１）に形成できる。
第１電極２１０は、光ガイド構造物１９０上に備えられて、光ガイド構造物１９０の反射体１９２に接続する。詳細には、第１電極２１０は、下面が反射体１９２の第１傾斜面１９０ｃの一端と直接に接するように形成できる。これにより、第１電極２１０は、光ガイド構造物１９０の反射体１９２を介して第１駆動薄膜トランジスタ（Ｔ１）のソース電極（ＳＥ）またはドレイン電極（ＤＥ）から第１電圧を印加し得る。
第１電極２１０は、図４及び図５に示すように光ガイド構造物１９０の上面１９０ｂの一部を露出させ、光ガイド構造物１９０の上面１９０ｂの残りを覆うように形成される。これにより、光ガイド構造物１９０は、第１電極２１０と重畳した第１領域（Ａｌ）および第１電極２１０と、重畳しない第２領域（Ａ２）が形成される。
第１電極２１０は、第１発光層２２０で発光した光が光ガイド構造物１９０に入射することができるようにＩＴＯ、ＩＺＯのような透明な金属物質（ＴＣＯ、Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ）で形成され得る。第１電極２１０は、アノード電極であり得る。
第１バンク２１５は、光ガイド構造物１９０または平坦化膜（Ｉ３）上で、第１電極２１０の先端を覆うように形成され得る。詳細には、第１電極２１０は、一端が平坦化膜（Ｉ３）上に形成され、他端が光ガイド構造物１９０の誘電体１９４上に形成され得る。第１バンク２１５ａは、平坦化膜（Ｉ３）上で第１電極２１０の一端を覆うように形成され得る。また、第１バンク２１５ｂは、光ガイド構造物１９０の誘電体１９４上に第１電極２１０の他端を覆うように形成され得る。それによって、第１電極２１０の先端に電流が集中して発光効率が低下することを防止することができる。
第１バンク２１５は、相対的に薄い厚さの無機絶縁膜からなり得るが、相対的に厚い厚さの有機絶縁膜からもなり得る。また、第１バンク２１５は、光を吸収することができる物質、例えば、ブラック染料を含むことができる。これにより、第１バンク２１５ｂは、第１発光領域（ＥＡ１）と第２発光領域（ＥＡ２）の間で混色が発生することを防止することができる。
第１発光層２２０は、第１サブ画素（ＳＰ１）および第２サブ画素（ＳＰ２）それぞれにパターン形成される。第１サブ画素（ＳＰ１）に一つの第１発光層２２０が形成され、第２サブ画素（ＳＰ２）に、もう一つの第１発光層２２０が形成される。
第１発光層２２０は、第１電極２１０上に形成される。第１発光層２２０は、第１バンク２１５上にも形成することができる。特に、第１発光層２２０は、平坦化膜（Ｉ３）上で第１電極２１０の一端を覆うように形成された第１バンク２１５ａの第１側面、上面及び前記第１側面と向き合う第２側面上にも形成することができる。しかし、必ずしもこれに限定されない。他の一実施例において、第１発光層２２０は、図９に示すように平坦化膜（Ｉ３）上で第１電極２１０の一端を覆うように形成された第１バンク２１５ａの第１側面および上面の一部上のみに形成することもできる。第１発光層２２０は、第１および第２サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）各々に別途に形成することができる。第１発光層２２０は、各々のサブ画素の第２発光領域（ＥＡ２）を露出させながら第１発光領域（ＥＡ１）に形成することができる。
このような第１発光層２２０は、正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、発光層（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、および電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）を含むことができる。第１電極２１０に第１電圧が印加され、第２電極２３０に第２電圧が印加されると、第１発光層２２０は、正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層と電子輸送層を介して発光層に移動するようになり、発光層で互いに結合して、所定の色で発光することになる。
第１発光層２２０は、赤色光を発光する赤色発光層、緑色光を発光する緑色発光層、青色光を発光する青色発光層および黄色光を発光する黄色発光層のいずれかひとつであり得るが、必ずしもこれに限定されない。
第２電極２３０は、第１サブ画素（ＳＰ１）および第２サブ画素（ＳＰ２）のそれぞれにパターン形成される。第１サブ画素（ＳＰ１）に一つの第２電極２３０が形成され、第２サブ画素（ＳＰ２）に、もう一つの第２電極２３０が形成される。第２電極２３０を、第１および第２サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）各々に別途に形成できる。第２電極２３０を、各々のサブ画素の第２発光領域（ＥＡ２）を露出させながら第１発光領域（ＥＡ１）に形成できる。
第２電極２３０は、第１発光層２２０上に備えられる。第２電極２３０は、図５に示すように一端が平坦化膜（Ｉ３）上に形成され、他端が第１バンク２１５ｂ上に形成され得る。このような場合、第２電極２３０は、一端で平坦化膜（Ｉ３）を貫通するコンタクトホール（ＣＨ３）を介して電源ライン１８０に接続し得る。ただし、必ずしもこれらに限定されない。他の一実施例において、第２電極２３０は、図９に示すように、一端および他端の両方が第１バンク２１５ａ、２１５ｂ上に形成することもできる。このような場合、第２電極２３０は、一端で第１バンク２１５ａおよび平坦化膜（Ｉ３）を貫通するコンタクトホール（ＣＨ３）を介して電源ライン１８０に接続され得る。これにより、第２電極２３０は、電源ライン１８０を介して第２電圧が印加され得る。
このような第２電極２３０は、第１発光層２２０で発光した光を光ガイド構造物１９０方向に反射させ、第２発光層２４０で発光した光を第３電極２５０、つまり、前方に反射させることができる。
そのために、第２電極２３０は、アルミニウムとチタンの積層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯ）、Ａｇ合金、およびＡｇ合金とＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯ）のような反射率の高い金属物質で形成することができる。Ａｇ合金は、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、および銅（Ｃｕ）などの合金であり得る。
第２バンク２３５を、第１バンク２１５上で第２電極２３０の端の一部を覆うように形成できる。詳細には、第２電極２３０は、一端を平坦化膜（Ｉ３）上に形成し、他端を第１バンク２１５ｂ上に形成できる。第２バンク２３５ａを、第１バンク２１５ｂ上に形成された第２電極２３０の他端を覆うように形成できる。それによって、第２電極２３０の他端への電流の集中による発光効率の低下を防止できる。
一方、第２バンク２３５は、図５に示すように平坦化膜（Ｉ３）上に形成された第２電極２３０の一端を覆わなくてもよい。第２バンク２３５が平坦化膜（Ｉ３）上に形成された第２電極２３０の一端を覆わないことで、第１発光領域（ＥＡ１）がより広い面積を有し得る。
ただし、図５では、第２バンク２３５が平坦化膜（Ｉ３）上に形成された第２電極２３０の一端を覆わない例を示しているが、必ずしもこれに限定されない。他の一実施例において、第２バンク２３５ｃは、図８に示すように平坦化膜（Ｉ３）上に形成された第２電極２３０の一端を覆うように形成され得る。また、第２バンク２３５ａは、第１バンク２１５上に形成された第２電極２３０の他端を覆うように形成され得る。それによって、第２電極２３０の一端および他端に電流が集中して発光効率が低下することを防止することができる。
第２バンク２３５ｂは、光ガイド構造物１９０の反射体１９２の一部を覆うように形成され得る。光ガイド構造物１９０の反射体１９２は、第２発光領域（ＥＡ２）で露出し得る。露出した反射体１９２上に第３電極２５０が蒸着されると、第１電極２１０と第３電極２５０が電気的に接続し得る。このような場合、第１発光層２２０と第２発光層２４０を独立して駆動させることができなくなる。反射体１９２と第３電極２５０が電気的に絶縁されるように、第２バンク２３５ｂは、露出した反射体１９２を覆うように形成され得る。
第２バンク２３５は、相対的に薄い厚さの無機絶縁膜からなり得るが、相対的に厚い厚さの有機絶縁膜からもなり得る。また、第２バンク２３５は、光を吸収することができる物質、例えば、ブラック染料を含んでもよい。これにより、第２バンク２３５は、第１発光領域（ＥＡ１）と第２発光領域（ＥＡ２）の間で混色が発生することを防止することができる。
第２発光層２４０は、第１サブ画素（ＳＰ１）および第２サブ画素（ＳＰ２）のそれぞれにパターン形成される。第１サブ画素（ＳＰ１）に一つの第２発光層２４０が形成され、第２サブ画素（ＳＰ２）に、もう一つの第２発光層２４０が形成される。第２発光層２４０は、第１および第２サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）各々に別途に形成できる。第２発光層２４０を、各々のサブ画素の第２発光領域（ＥＡ２）を露出させながら第１発光領域（ＥＡ１）に形成できる。
第２発光層２４０は、第２電極２３０上に形成される。第２発光層２４０は、第２バンク２３５ａ上にも形成することができる。
このような第２発光層２４０は、正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、発光層（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、および電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）を含むことができる。第３電極２５０に第３電圧が印加され、第２電極２３０に第２電圧が印加されると、第２発光層２４０は、正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層と電子輸送層を介して発光層に移動するようになり、発光層で互いに結合して所定の色で発光するようになる。
第２発光層２４０は、赤色光を発光する赤色発光層、緑色光を発光する緑色発光層、青色光を発光する青色発光層および黄色光を発光する黄色発光層のいずれかひとつであり得るが、必ずしもこれに限定されない。
ただし、第２発光層２４０は、第１発光層２２０と異なる色の光を発光できる。第１発光層２２０が第１色波長帯の光および第２色波長帯の光を発光する発光層である場合、第２発光層２４０は、第３色波長帯の光を発光する発光層であり得る。例えば、第１発光層２２０は、赤色および緑色の混色である黄色光を発光する黄色発光層であり、第２発光層２４０は、青色光を発光する青色発光層であり得る。
第３電極２５０は、図５に示すように画素（Ｐ）ごとにパターン形成され得るが、必ずしもこれに限定されない。第２駆動薄膜トランジスタ（Ｔ２）が一つの画素（Ｐ）に含まれた第１サブ画素（ＳＰ１）および第２サブ画素（ＳＰ２）を共有する場合、第３電極２５０は、１つの画素（Ｐ）に含まれた第１サブ画素（ＳＰ１）および第２サブ画素（ＳＰ２）を共有できる。また、第３電極２５０は、各画素（Ｐ）毎に別途に備えることができる。
他の実施例において、第２駆動薄膜トランジスタ（Ｔ２）が、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）ごとに形成される場合、第３電極２５０は、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）ごとにパターン形成され得る。
一つの第３電極２５０は、第１サブ画素（ＳＰ１）および第２サブ画素（ＳＰ２）それぞれに備えられた第２発光層２４０、光ガイド構造物１９０の誘電体１９４、及び第２バンク２３５ｂ上に備えられる。光ガイド構造物１９０の誘電体１９４は、図５に示すように、第１電極２１０が形成されない第２領域（Ａ２）の一部領域が露出し得る。第３電極２５０は、第２発光層２４０だけでなく、光ガイド構造物１９０の誘電体１９４及び第２バンク２３５ｂを覆うことができるよう広く形成することができる。
第３電極２５０は、平坦化膜（Ｉ３）を貫通するコンタクトホール（ＣＨ４）を介して第２駆動薄膜トランジスタ（Ｔ２）に接続され得る。これにより、第３電極２５０は、第２駆動薄膜トランジスタ（Ｔ２）のソース電極（ＳＥ）またはドレイン電極（ＤＥ）から第３電圧が印加され得る。ここで、第３電圧は、第１電極２１０に印加される第１電圧と異なり得る。
第３電極２５０を、第２発光層２４０で発光した光が透過することができるようにＩＴＯ、ＩＺＯのような透明な金属物質（ＴＣＯ、Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ）で形成できる。第３電極２５０は、アノード電極であり得る。
封止層３００は、第３電極２５０を覆うように形成され得る。封止層３００は、第１発光層２２０、第２発光層２４０及び第３電極２５０に酸素または水分が浸透することを防止する役割をする。このために、封止層３００は、少なくとも一つの無機膜と少なくとも一つの有機膜を含むことができる。
詳細には、封止層３００は、第１無機膜および有機膜を含むことができる。一実施例において、封止層３００は、第２無機膜をさらに含むことができる。
第１無機膜は、第３電極２５０を覆うように形成される。有機膜は、第１無機膜上に形成され、異物（ｐａｒｔｉｃｌｅｓ）が第１無機膜を貫通して、第１発光層２２０、第２発光層２４０及び第３電極２５０に投入されることを防止するために十分な厚さで形成することが好ましい。第２無機膜は、有機膜を覆うように形成される。第２無機膜を省略することができる。
第１および第２無機膜のそれぞれは、シリコン窒化物、アルミニウム窒化物、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物またはチタン酸化物で形成され得る。第１および第２無機膜は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法またはＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で蒸着され得るが、これらに限定されるものではない。
有機膜は、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）またはポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）で形成できる。有機膜は、有機物を用いる蒸着（ｖａｐｏｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、プリンティング（ｐｒｉｎｔｉｎｇ）、スリットコーティング（ｓｌｉｔ ｃｏａｔｉｎｇ）技法で形成できるが、これらに限定されず、インクジェット（ｉｎｋ−ｊｅｔ）工程でも形成できる。
カラーフィルタ層４００は、図５に示すように封止層３００上に備えられ得るが、必ずしもこれに限定されない。他の一実施例において、カラーフィルタ層４００は、図１０に示すように封止層３００と第３電極２５０の間に備えられ得る。
カラーフィルタ層４００は、第１サブ画素（ＳＰ１）の第２発光領域（ＥＡ２）に対応するように配置された第１カラーフィルタ（ＣＦ１）と第２サブ画素（ＳＰ２）の第２発光領域（ＥＡ２）に対応するように配置された第２カラーフィルタ（ＣＦ２）を含むことができる。第１カラーフィルタ（ＣＦ１）と第２カラーフィルタ（ＣＦ２）は、異なる色波長帯の光を透過させられる。
例えば、第１発光層２２０は、黄色光を発光する黄色発光層であり得る。第１カラーフィルタ（ＣＦ１）は、赤色波長帯の光を透過させる赤色カラーフィルタであり得、第２カラーフィルタ（ＣＦ２）は、緑色波長帯の光を透過させる緑色カラーフィルタであり得る。これにより、第１サブ画素（ＳＰ１）の第２発光領域（ＥＡ２）では赤色光が放出され、第２サブ画素（ＳＰ２）の第２発光領域（ＥＡ２）では緑色光が放出され得る。
一方、第１サブ画素（ＳＰ１）の第１発光領域（ＥＡ１）及び第２サブ画素（ＳＰ２）の第１発光領域（ＥＡ１）のそれぞれに対応する位置には、カラーフィルタを配置しないことがあり得る。
例えば、第２発光層２４０は、青色光を発光する青色発光層であり得る。これにより、第１サブ画素（ＳＰ１）の第１発光領域（ＥＡ１）及び第２サブ画素（ＳＰ２）の第１発光領域（ＥＡ１）のそれぞれでは、別途のカラーフィルタを通過しなくても、青色光が放出され得る。
第２基板１１２は、第１基板１１１の第１面と向き合うように備えられる。ここで、第１基板１１１の第１面は、第１駆動薄膜トランジスタ（Ｔ１）、第２駆動薄膜トランジスタ（Ｔ２）、電源ライン１８０、光ガイド構造物１９０、第１電極２１０、第１バンク２１５、第２バンク２３５、第１発光層２２０、第２電極２３０、第２発光層２４０、第３電極２５０および封止層３００が形成された面に該当する。第２基板１１２は、封止基板として、プラスチックフィルム（ｐｌａｓｔｉｃ ｆｉｌｍ）、ガラス基板（ｇｌａｓｓ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）または封止のフィルムであり得る。
本発明の第１実施例に係る表示装置１００は、一つの画素（Ｐ）が２つのサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）だけを含んでいるが、１つの画素（Ｐ）に含まれた２つのサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）で少なくとも３つの色の光が放出され得る。
例えて説明すると、第１発光層２２０は、赤色波長帯の光（Ｌ１）と緑色波長帯の光（Ｌ２）が混合した黄色波長帯の光（Ｌ４）を発光する黄色発光層であり、第２発光層２４０は、青色波長帯の光（Ｌ３）を発光する青色発光層であり得る。
第１サブ画素（ＳＰ１）および第２サブ画素（ＳＰ２）のそれぞれは、図７に示すように、第１発光領域（ＥＡ１）と第２発光領域（ＥＡ２）を含む。
第１サブ画素（ＳＰ１）の第１発光領域（ＥＡ１）では、第２発光層２４０で発光した光（Ｌ３）が放出され得る。第２発光層２４０は、第３電極２５０に第３電圧が印加され、第２電極２３０に第２電圧が印加されると、青色波長帯の光（Ｌ３）を発光することができる。ここで、発光した青色波長帯の光（Ｌ３）は、第３電極２５０を透過して前方に進むことができる。または発光した青色波長帯の光（Ｌ３）は、第２電極２３０に反射した後、第３電極２５０を透過して前方に進むことができる。これにより、第１サブ画素（ＳＰ１）は、第１発光領域（ＥＡ１）で青色波長帯の光（Ｌ３）を放出することになる。
第１サブ画素（ＳＰ１）の第２発光領域（ＥＡ２）では、第１発光層２２０で発光した光（Ｌ４）の赤色波長帯の光（Ｌ１）が放出され得る。第１発光層２２０は、第１電極２１０に第１電圧が印加され、第２電極２３０に第２電圧が印加されると、赤色波長帯の光（Ｌ１）と緑色波長帯の光（Ｌ２）が混合した黄色波長帯の光（Ｌ４）を発光することができる。ここで、発光した黄色波長帯の光（Ｌ４）は、光ガイド構造物１９０の第１傾斜面１９０ｃに配置された反射体１９２に反射して第２発光領域（ＥＡ２）の方向に移動することができる。そして、その後、黄色波長帯の光（Ｌ４）は、光ガイド構造物１９０の第２傾斜面１９０ｄに配置された反射体１９２に再び反射して第１カラーフィルタ（ＣＦ１）に進むことができる。
または発光した黄色波長帯の光（Ｌ４）は、第２電極２３０に反射した後、光ガイド構造物１９０の方向に進行し得る。そして、その後、黄色波長帯の光（Ｌ４）は、光ガイド構造物１９０の第１傾斜面１９０ｃに配置された反射体１９２に反射して第２発光領域（ＥＡ２）の方向に移動することができる。そして、その後、黄色波長帯の光（Ｌ４）は、光ガイド構造物１９０の第２傾斜面１９０ｄに配置された反射体１９２に再び反射して第１カラーフィルタ（ＣＦ１）に進むことができる。第１カラーフィルタ（ＣＦ１）は、黄色波長帯の光（Ｌ４）から赤色波長帯の光（Ｌ１）のみを透過させることができる。これにより、第１サブ画素（ＳＰ１）は、第２発光領域（ＥＡ２）で赤色波長帯の光（Ｌ１）を放出することになる。
すなわち、第１サブ画素（ＳＰ１）は、青色波長帯の光（Ｌ３）および赤色波長帯の光（Ｌ１）を放出することになる。
第２サブ画素（ＳＰ２）の第１発光領域（ＥＡ１）では、第２発光層２４０で発光した光（Ｌ３）が放出され得る。第２発光層２４０は、第３電極２５０に第３電圧が印加され、第２電極２３０に第２電圧が印加されると、青色波長帯の光（Ｌ３）を発光できる。ここで、発光した青色波長帯の光（Ｌ３）は、第３電極２５０を透過して前方に進んでもよく、第２電極２３０に反射した後、第３電極２５０を透過して前方に進んでもよい。これにより、第２サブ画素（ＳＰ２）は、第１発光領域（ＥＡ１）で青色波長帯の光（Ｌ３）を放出することになる。
第２サブ画素（ＳＰ２）の第２発光領域（ＥＡ２）では、第１発光層２２０で発光した光（Ｌ４）の中で緑色波長帯の光（Ｌ２）が放出され得る。第１発光層２２０は、第１電極２１０に第１電圧が印加され、第２電極２３０に第２電圧が印加されると、赤色波長帯の光（Ｌ１）と緑色波長帯の光（Ｌ２）が混合した黄色波長帯の光（Ｌ４）を発光できる。ここで、発光した黄色波長帯の光（Ｌ４）は、光ガイド構造物１９０の第１傾斜面１９０ｃに配置された反射体１９２に反射して第２発光領域（ＥＡ２）の方向に移動することができる。そして、その後、黄色波長帯の光（Ｌ４）は、光ガイド構造物１９０の第２傾斜面１９０ｄに配置された反射体１９２に再び反射して第２カラーフィルタ（ＣＦ２）に進むことができる。
または発光した黄色波長帯の光（Ｌ４）は、第２電極２３０に反射した後、光ガイド構造物１９０の方向に進むことができる。そして、その後、黄色波長帯の光（Ｌ４）は、光ガイド構造物１９０の第１傾斜面１９０ｃに配置された反射体１９２に反射して第２発光領域（ＥＡ２）の方向に移動できる。その後、黄色波長帯の光（Ｌ４）は、光ガイド構造物１９０の第２傾斜面１９０ｄに配置された反射体１９２に再び反射して第２カラーフィルタ（ＣＦ２）に進むことができる。第２カラーフィルタ（ＣＦ２）は、黄色波長帯の光（Ｌ４）から緑色波長帯の光（Ｌ２）のみを透過させることができる。これにより、第２サブ画素（ＳＰ２）は、第２発光領域（ＥＡ２）で緑色波長帯の光（Ｌ２）を放出することになる。
すなわち、第２サブ画素（ＳＰ２）は、青色波長帯の光（Ｌ３）および緑色波長帯の光（Ｌ２）を放出することになる。
結果的に、第１サブ画素（ＳＰ１）および第２サブ画素（ＳＰ２）は、青色波長帯の光（Ｌ３）、赤色波長帯の光（Ｌ１）および緑色波長帯の光（Ｌ２）を放出することができる。
本発明の第１実施例に係る表示装置１００は、各サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）が第１発光層２２０及び第２発光層２４０のうち少なくとも一つを発光させ得る。
例えば、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）は、第１電極２１０及び第２電極２３０に電圧が印加され、第１発光層２２０のみが発光することができる。詳細には、サブ画素（Ｓｐ１、ＳＰ２）は、第１電極２１０に第１発光層２２０を発光させるための第１電圧が印加され、第２電極２３０に第２電圧が印加され、第３電極２５０に電圧が印加されないことがあり得る。これにより、第１電極２１０及び第２電極２３０の間に備えられた第１発光層２２０は発光し、第２電極２３０及び第３電極２５０の間に備えられた第２発光層２４０は発光しないことがあり得る。
また他の例として、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）は、第２電極２３０及び第３電極２５０に電圧が印加され、第２発光層２４０のみを発光できる。詳細には、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）は、第１電極２１０に電圧が印加されず、第２電極２３０に第２電圧が印加され、第３電極２５０に第２発光層２４０を発光させるための第３電圧が印加され得る。これにより、第１電極２１０及び第２電極２３０の間に備えられた第１発光層２２０は発光せず、第２電極２３０及び第３電極２５０の間に備えられた第２発光層２４０は発光できる。
また他の例として、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）は、第１電極２１０、第２電極２３０及び第３電極２５０に電圧が印加され、第１発光層２２０及び第２発光層２４０をともに発光できる。詳細には、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）は、第１電極２１０に第１発光層２２０を発光させるための第１電圧が印加され、第２電極２３０に第２電圧が印加され、第３電極２５０に第２発光層２４０を発光させるための第３電圧が印加され得る。ここで、第１電圧と第３電圧は、互いに異なる色の発光層を発光させるためのものなので、互いに異なる。これにより、第１電極２１０及び第２電極２３０の間に備えられた第１発光層２２０、及び第２電極２３０及び第３電極２５０の間に備えられた第２発光層２４０を同時に発光できる。
上述したように、本発明の第１実施例に係る表示装置１００は、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）それぞれで第１発光層２２０及び第２発光層２４０を独立して発光できる。これにより、本発明は、複数のスタックが電荷生成層を間に置いて配置されるタンデム構造を有する表示装置と比較して電力消費を大幅に削減することができる。
一方、従来の表示装置は、ＦＭＭ（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）を用いて、サブ画素ごとに異なる色の発光層をパターン形成するために、サブ画素間の間隔を一定値以上設けなければならない。例えば、第１サブ画素に赤色発光層をパターン形成し、第２サブ画素に緑色発光層をパターン形成し、第３サブ画素に青色発光層をパターン形成することができる。このような場合、ＦＭＭの開口部を第１サブ画素に整列させた後、赤色発光層を蒸着することができる。ここで、赤色発光層は、ＦＭＭの開口部を介してＦＭＭで覆われた第２サブ画素及び第３サブ画素にも一部積層し得る。これを防止するために、サブ画素の間を一定値以上に離隔させることにより、赤色発光層が第２サブ画素及び第３サブ画素に蒸着しないようにする。
一方、第１サブ画素に赤色発光層をパターン形成した後、ＦＭＭの開口部を第２サブ画素に整列させた後、緑色発光層を蒸着できる。そして、第２サブ画素に緑色発光層をパターン形成した後、ＦＭＭの開口部を第３サブ画素に整列させた後、青色発光層を蒸着できる。このように、サブ画素ごとに異なる色の発光層をパターン形成するために、ＦＭＭの移動および整列を繰り返すことができる。この場合、ＦＭＭの移動および整列による工程誤差を考慮して、サブ画素間を一定値以上に離隔させなければならない。
このような理由から、ＦＭＭを用いて、サブ画素ごとに異なる色の発光層をパターン形成する表示装置では、サブ画素間の間隔を減らすには限界がある。
本発明の第１実施例に係る表示装置１００は、第１発光領域（ＥＡ１）のみに発光層２２０、２４０がパターン形成され、第２発光領域（ＥＡ２）には発光層２２０、２４０がパターン形成されない。本発明の第１実施例に係る表示装置１００は、第１サブ画素（ＳＰ１）の第１発光領域（ＥＡ１）と第２サブ画素（ＳＰ２）の第１発光領域（ＥＡ１）の間に第２発光領域（ＥＡ２）が存在することになる。
また、本発明の第１実施例に係る表示装置１００は、第１サブ画素（ＳＰ１）および第２サブ画素（ＳＰ２）に、同じ発光層２２０、２４０をパターン形成する。各サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）ごとに異なる発光層をパターン形成しなくてもよいので、本発明の第１実施例に係る表示装置１００は、ＦＭＭ（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）を移動させる必要がない。
これにより、本発明の第１実施例に係る表示装置１００は、ＦＭＭを用いて発光層２２０、２４０をパターン形成しても、第１サブ画素（ＳＰ１）と第２サブ画素（ＳＰ２）間の間隔を最小限に抑えることができる。
また、本発明の第１実施例に係る表示装置１００は、第２電極２３０を反射電極に形成することにより、第２発光層２４０で発光した光、例えば、青色光が第２電極２３０に反射して前方に放出され得る。このような本発明の第１実施例に係る表示装置１００は、ＦＭＭを用いて、サブ画素ごとに異なる色の発光層をパターン形成する従来の表示装置と同等レベルの光効率を維持することができる。
また、本発明の第１実施例に係る表示装置１００は、第２電極２３０を反射電極で形成することにより、第１発光層２２０で発光した光、例えば、赤色光および緑色光が第２電極２３０に反射した後、光ガイド構造物１９０で再び反射して前方に放出され得る。このような本発明の第１実施例に係る表示装置１００は、光ガイド構造物１９０を介して改善された光抽出効果を提供することができる。
図１１は、図３のＩ−Ｉの第２例を示す断面図であり、図１２は、図１１の第１サブ画素および第２サブ画素での光の経路を概略的に示す図である。
図１１及び図１２を参照すると、本発明の第２実施例に係る表示装置は、第１基板１１１、第２基板１１２、第１駆動薄膜トランジスタ（Ｔ１）、第２駆動薄膜トランジスタ（Ｔ２）、電源ライン１８０、光ガイド構造物１９０、第１電極２１０、第１バンク２１５、第２バンク２３５、第３発光層２６０、第４発光層２７０、第２電極２３０、第２発光層２４０、第３電極２５０および封止層３００を含む。第１および第２実施例で、第２駆動薄膜トランジスタ（Ｔ２）および第３電極２５０は、１つの画素（Ｐ）に含まれた第１および第２サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）によって共有することができる。第３電極２５０は、第１および第２サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）の第１および第２発光領域（ＥＡ１、ＥＡ２）上に接続することができる。
本発明の第２実施例に係る表示装置１００は、第３発光層２６０および第４発光層２７０を含むという点で、図５に示した本発明の第１実施による表示装置１００と差がある。これにより、本発明の第２実施例に係る表示装置１００は、第３発光層２６０および第４発光層２７０を除いた構成が、図５に示した本発明の第１実施による表示装置１００の構成と実質的に同一である。以下では、本発明の第２実施例に係る表示装置１００の第１基板１１１、第２基板１１２、第１駆動トランジスタ（Ｔ１）、第２駆動薄膜トランジスタ（Ｔ２）、電源ライン１８０、光ガイド構造物１９０、第１電極２１０、第１バンク２１５、第２バンク２３５、第２電極２３０、第３電極２５０および封止層３００に対する詳細な説明は省略する。
第１基板１１１上には、第１サブ画素（ＳＰ１）および第２サブ画素（ＳＰ２）が備えられ得る。第１サブ画素（ＳＰ１）は、青色（Ｂ）光および緑色（Ｇ）の光を放出し、第２サブ画素（ＳＰ２）は、青色（Ｂ）光および赤色（Ｒ）光を放出するように備えられ得るが、必ずしもこれに限定されるものではない。また、それぞれのサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）の配列順序は多様に変更され得る。
以下では、説明の便宜上、第１サブ画素（ＳＰ１）は、青色（Ｂ）光および赤色（Ｒ）光を放出し、第２サブ画素（ＳＰ２）は、青色（Ｂ）光および緑色（Ｇ）光を放出することに仮定して説明する。
第３発光層２６０は、第１サブ画素（ＳＰ１）にパターン形成される。第３発光層２６０は、第１電極２１０上に形成される。第３発光層２６０は、第１バンク２１５上にも形成することができる。特に、第３発光層２６０は、平坦化膜（Ｉ３）上で第１電極２１０の一端を覆うように形成された第１バンク２１５ａの第１側面、上面および前記第１側面と向き合う第２側面上にも形成することができる。しかし、必ずしもこれに限定されない。他の一実施例において、第３発光層２６０は、平坦化膜（Ｉ３）上で第１電極２１０の一端を覆うように形成された第１バンク２１５ａの第１側面および上面の一部上にのみに形成することもできる。
このような第３発光層２６０は、正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、発光層（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、および電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）を含むことができる。第１電極２１０に第４電圧が印加され、第２電極２３０に第２電圧が印加されると、第３発光層２６０は、正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層と電子輸送層を介して発光層に移動するようになり、発光層で互いに結合して所定の色で発光することになる。
第３発光層２６０は、赤色光を発光する赤色発光層、緑色光を発光する緑色発光層、青色光を発光する青色発光層および黄色光を発光する黄色発光層のいずれかひとつであり得るが、必ずしもこれに限定されない。
第４発光層２７０は、第２サブ画素（ＳＰ２）にパターン形成される。第４発光層２７０は、第１電極２１０上に形成される。第４発光層２７０は、第１バンク２１５上にも形成することができる。特に、第４発光層２７０は、平坦化膜（Ｉ３）上で第１電極２１０の一端を覆うように形成された第１バンク２１５ａの第１側面、上面及び前記第１側面と向き合う第２側面上にも形成することができる。しかし、必ずしもこれに限定されない。他の一実施例において、第４発光層２７０は、平坦化膜（Ｉ３）上で第１電極２１０の一端を覆うように形成された第１バンク２１５ａの第１側面および上面の一部上にのみに形成することもできる。
このような第４発光層２７０は、正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、発光層（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、および電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）を含むことができる。第１電極２１０に第５電圧が印加され、第２電極２３０に第２電圧が印加されると、第４発光層２７０は、正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層と電子輸送層を介して発光層に移動するようになり、発光層で互いに結合して所定の色で発光することになる。
第４発光層２７０は、赤色光を発光する赤色発光層、緑色光を発光する緑色発光層、青色光を発光する青色発光層および黄色光を発光する黄色発光層のいずれかひとつであり得るが、必ずしもこれに限定されない。
ただし、第４発光層２７０は、第３発光層２６０と異なる色の光を発光することができる。第３発光層２６０が第１色波長帯の光を発光する発光層である場合、第４発光層２７０は、第２色波長帯の光を発光する発光層であり得る。例えば、第３発光層２６０は、赤色波長帯の光を発光する赤色発光層であり、第４発光層２７０は、緑色波長帯の光を発光する緑色発光層であり得る。
第２発光層２４０は、第１サブ画素（ＳＰ１）および第２サブ画素（ＳＰ２）のそれぞれにパターン形成される。第１サブ画素（ＳＰ１）に一つの第２発光層２４０が形成され、第２サブ画素（ＳＰ２）に、もう一つの第２発光層２４０が形成される。
第２発光層２４０は、第２電極２３０上に形成される。第２発光層２４０は、第２バンク２３５上にも形成され得る。
このような第２発光層２４０は、正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、発光層（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、および電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）を含むことができる。第３電極２５０に第３電圧が印加され、第２電極２３０に第２電圧が印加されると、第２発光層２４０は、正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層と電子輸送層を介して発光層に移動するようになり、発光層で互いに結合して所定の色で発光することになる。
第２発光層２４０は、赤色光を発光する赤色発光層、緑色光を発光する緑色発光層、青色光を発光する青色発光層および黄色光を発光する黄色発光層のいずれかひとつであり得るが、必ずしもこれに限定されない。
ただし、第２発光層２４０は、第３発光層２６０および第４発光層２７０と異なる色の光を発光することができる。第３発光層２６０が第１色波長帯の光を発光する発光層であり、第４発光層２７０が第２色波長帯の光を発光する発光層である場合、第２発光層２４０は、第３色の波長帯の光を発光する発光層であり得る。例えば、第３発光層２６０は、赤色波長帯の光を発光する赤色発光層であり、第４発光層２７０は、緑色波長帯の光を発光する緑色発光層であり、第２発光層２４０は、青色波長帯の光を発光する青色発光層であり得る。
本発明の第２実施例に係る表示装置１００は、一つの画素（Ｐ）が２つのサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）だけを含んでいるが、２つのサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）で、少なくとも３つの色の光が放出され得る。
例えて説明すると、第３発光層２６０は、赤色波長帯の光（Ｌ１）を発光する赤色発光層であり、第４発光層２７０は、緑色波長帯の光（Ｌ２）を発光する緑色発光層であり、第２発光層２４０は、青色波長帯の光（Ｌ３）を発光する青色発光層であり得る。
第１サブ画素（ＳＰ１）および第２サブ画素（ＳＰ２）のそれぞれは、図１２に示すように、第１発光領域（ＥＡ１）と第２発光領域（ＥＡ２）を含む。
第１サブ画素（ＳＰ１）の第１発光領域（ＥＡ１）では、第２発光層２４０で発光した光（Ｌ３）が放出され得る。第２発光層２４０は、第３電極２５０に第３電圧が印加され、第２電極２３０に第２電圧が印加されると、青色波長帯の光（Ｌ３）を発光できる。ここで、発光した青色波長帯の光（Ｌ３）は、第３電極２５０を透過して前方に進んでもよいし、第２電極２３０に反射した後、第３電極２５０を透過して前方に進んでもよい。これにより、第１サブ画素（ＳＰ１）は、第１発光領域（ＥＡ１）で青色波長帯の光（Ｌ３）を放出することになる。
第１サブ画素（ＳＰ１）の第２発光領域（ＥＡ２）では、第３発光層２６０で発光した光（Ｌ１）が放出され得る。第３発光層２６０は、第１電極２１０に第４の電圧が印加され、第２電極２３０に第２電圧が印加されると、赤色波長帯の光（Ｌ１）を発光できる。ここで、発光した赤色波長帯の光（Ｌ１）は、光ガイド構造物１９０の第１傾斜面１９０ｃに配置された反射体１９２に反射して第２発光領域（ＥＡ２）の方向に移動できる。その後、赤色波長帯の光（Ｌ１）は、光ガイド構造物１９０の第２傾斜面１９０ｄに配置された反射体１９２に再び反射して前方に進行し得る。
または発光した赤色波長帯の光（Ｌ１）は、第２電極２３０に反射した後、光ガイド構造物１９０の方向に進むことができる。その後、赤色波長帯の光（Ｌ１）は、光ガイド構造物１９０の第１傾斜面１９０ｃに配置された反射体１９２に反射して第２発光領域（ＥＡ２）の方向に移動することができる。その後、赤色波長帯の光（Ｌ１）は、光ガイド構造物１９０の第２傾斜面１９０ｄに配置された反射体１９２に再び反射して前方に進むことができる。これにより、第１サブ画素（ＳＰ１）は、第２発光領域（ＥＡ２）で赤色波長帯の光（Ｌ１）を放出することになる。
すなわち、第１サブ画素（ＳＰ１）は、青色波長帯の光（Ｌ３）および赤色波長帯の光（Ｌ１）を放出することになる。
第２サブ画素（ＳＰ２）の第１発光領域（ＥＡ１）で、第２発光層２４０で発光した光（Ｌ３）が放出され得る。第２発光層２４０は、第３電極２５０に第３電圧が印加され、第２電極２３０に第２電圧が印加されると、青色波長帯の光（Ｌ３）を発光できる。ここで、発光した青色波長帯の光（Ｌ３）は、第３電極２５０を透過して前方に進むことができる。または発光した青色波長帯の光（Ｌ３）は、第２電極２３０に反射した後、第３電極２５０を透過して前方に進むことができる。これにより、第２サブ画素（ＳＰ２）は、第１発光領域（ＥＡ１）で青色波長帯の光（Ｌ３）を放出することになる。
第２サブ画素（ＳＰ２）の第２発光領域（ＥＡ２）で、第４発光層２７０で発光した光（Ｌ２）が放出され得る。第４発光層２７０は、第１電極２１０に第５電圧が印加され、第２電極２３０に第２電圧が印加されると、緑色波長帯の光（Ｌ２）を発光することができる。ここで、発光した緑色波長帯の光（Ｌ２）は、光ガイド構造物１９０の第１傾斜面１９０ｃに配置された反射体１９２に反射して第２発光領域（ＥＡ２）の方向に移動することができる。その後、緑色波長帯の光（Ｌ２）は、光ガイド構造物１９０の第２傾斜面１９０ｄに配置された反射体１９２に再び反射して前方に進むことができる。
また、発光した緑色波長帯の光（Ｌ２）は、第２電極２３０に反射した後、光ガイド構造物１９０の方向に進むことができる。そして、その後、緑色波長帯の光（Ｌ２）は、光ガイド構造物１９０の第１傾斜面１９０ｃに配置された反射体１９２に反射して第２発光領域（ＥＡ２）の方向に移動することができる。そして、その後、緑色波長帯の光（Ｌ２）は、光ガイド構造物１９０の第２傾斜面１９０ｄに配置された反射体１９２に再び反射して前方に進むことができる。これにより、第２サブ画素（ＳＰ２）は、第２発光領域（ＥＡ２）で緑色波長帯の光（Ｌ２）を放出することになる。
すなわち、第２サブ画素（ＳＰ２）は、青色波長帯の光（Ｌ３）および緑色波長帯の光（Ｌ２）を放出することになる。
結果的に、第１サブ画素（ＳＰ１）および第２サブ画素（ＳＰ２）は、青色波長帯の光（Ｌ３）、赤色波長帯の光（Ｌ１）および緑色波長帯の光（Ｌ２）を放出することができる。
本発明の第２実施例に係る表示装置１００は、第１サブ画素（ＳＰ１）に第３発光層２６０を形成し、第２サブ画素（ＳＰ２）に第４発光層２７０を形成する。第１サブ画素（ＳＰ１）の第３発光層２６０で発光した光は、光ガイド構造物１９０を介して第２発光領域（ＥＡ２）にガイドされて、前方に放出され得る。第２サブ画素（ＳＰ２）の第４発光層２７０で発光した光は、光ガイド構造物１９０を介して第２発光領域（ＥＡ２）にガイドされて、前方に放出され得る。ここで、本発明の第２実施例に係る表示装置１００は、本発明の第１実施例に係る表示装置とは異なり、第１サブ画素（ＳＰ１）の第３発光層２６０で発光した光と第２サブ画素（ＳＰ２）の第４発光層２７０で発光した光が、カラーフィルタを通過せずにそのまま放出され得るので、光効率を向上できる。
図１３は、図３のＩ−Ｉの第３例を示す断面図であり、図１４は、図１３の第１サブ画素及び第２サブ画素での光の経路を概略的に示す図である。
図１３及び図１４を参照すると、本発明の第３実施例に係る表示装置は、第１基板１１１、第２基板１１２、第１駆動薄膜トランジスタ（Ｔ１）、第２駆動薄膜トランジスタ（Ｔ２）、電源ライン１８０、光ガイド構造物１９０、第１電極２１０、第１バンク２１５、第２バンク２３５、第３発光層２６０、第４発光層２７０、第２電極２３０、第２発光層２４０、第３電極２５０および封止層３００を含む。
本発明の第３実施例に係る表示装置１００は、第３発光層２６０および第４発光層２７０を含むという点で、図５に示した本発明の第１実施による表示装置１００と差がある。これにより、本発明の第３実施例に係る表示装置１００は、第２駆動薄膜トランジスタ（Ｔ２）、第２発光層２４０、第３発光層２６０、第４発光層２７０および第３電極２５０を除いた構成が、図５に示した本発明の第１実施例に係る表示装置１００の構成と実質的に同一である。以下では、本発明の第３実施例に係る表示装置１００の第１基板１１１、第２基板１１２、第１駆動薄膜トランジスタ（Ｔ１）、電源ライン１８０、光ガイド構造物１９０、第１電極２１０、第１バンク２１５、第２バンク２３５、第２電極２３０および封止層３００に対する詳細な説明は省略する。
第１基板１１１上に第１サブ画素（ＳＰ１）および第２サブ画素（ＳＰ２）が備えられる。第１サブ画素（ＳＰ１）は、青色（Ｂ）光および緑色（Ｇ）の光を放出し、第２サブ画素（ＳＰ２）は、青色（Ｂ）光および赤色（Ｒ）光を放出するように備えられ得るが、必ずしもこれに限定されるものではない。また、それぞれのサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）の配列順序は多様に変更され得る。
以下では、説明の便宜上、第１サブ画素（ＳＰ１）は、青色（Ｂ）光および赤色（Ｒ）光を放出し、第２サブ画素（ＳＰ２）は、青色（Ｂ）光および緑色（Ｇ）光を放出することに仮定して説明する。
第２駆動薄膜トランジスタ（Ｔ２）は、図５に示した第２駆動薄膜トランジスタ（Ｔ２）とは異なり、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）ごとに備えられ、ゲートラインにゲート信号が入力する場合、データラインのデータ電圧によって、第３電極２５０に所定の電圧を供給する。
第２発光層２４０は、第１サブ画素（ＳＰ１）および第２サブ画素（ＳＰ２）のそれぞれにパターン形成される。すなわち、第２発光層２４０は、第１および第２サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）の第１発光領域（ＥＡ１）に各々形成することができる。第１サブ画素（ＳＰ１）に一つの第２発光層２４０が形成され、第２サブ画素（ＳＰ２）に、もう一つの第２発光層２４０が形成される。１つの画素（Ｐ）に含まれた第１および第２サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）の第１発光層２２０は、同一な波長の光を放出することができ、同一な物質からなり得る。
第２発光層２４０は、第１電極２１０上に形成される。第２発光層２４０は、第１バンク２１５上にも形成できる。特に、第２発光層２４０は、平坦化膜（Ｉ３）上で第１電極２１０の一端を覆うように形成された第１バンク２１５ａの第１側面、上面及び前記第１側面と向き合う第２側面上にも形成できる。しかし、必ずしもこれに限定されない。他の一実施例において、第２発光層２４０は、平坦化膜（Ｉ３）上で第１電極２１０の一端を覆うように形成された第１バンク２１５ａの第１側面と上面の一部上にのみに形成することもできる。
このような第２発光層２４０は、正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、発光層（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、および電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）を含むことができる。第１電極２１０に第３電圧が印加され、第２電極２３０に第２電圧が印加されると、第２発光層２４０は、正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層と電子輸送層を介して発光層に移動するようになり、発光層で互いに結合して所定の色で発光することになる。
第２発光層２４０は、赤色光を発光する赤色発光層、緑色光を発光する緑色発光層、青色光を発光する青色発光層および黄色光を発光する黄色発光層のいずれかひとつであり得るが、必ずしもこれに限定されない。
第３発光層２６０は、第１サブ画素（ＳＰ１）にパターン形成される。第３発光層２６０は、第１サブ画素（ＳＰ１）の第２電極２３０上に形成される。第３発光層２６０を、第２バンク２３５上にも形成できる。
このような第３発光層２６０は、正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、発光層（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、および電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）を含むことができる。第３電極２５０に第４の電圧が印加され、第２電極２３０に第２電圧が印加されると、第３発光層２６０は、正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層と電子輸送層を介して発光層に移動するようになり、発光層で互いに結合して所定の色で発光することになる。
第３発光層２６０は、赤色光を発光する赤色発光層、緑色光を発光する緑色発光層、青色光を発光する青色発光層および黄色光を発光する黄色発光層のいずれかひとつであり得るが、必ずしもこれに限定されない。
第４発光層２７０は、第２サブ画素（ＳＰ２）にパターン形成される。第４発光層２７０は、第２サブ画素（ＳＰ２）の第１電極２１０上に形成される。第４発光層２７０は、第２バンク２３５上にも形成することができる。
このような第４発光層２７０は、正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、発光層（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、および電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）を含むことができる。第３電極２５０に第５電圧が印加され、第２電極２３０に第２電圧が印加されると、第４発光層２７０は、正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層と電子輸送層を介して発光層に移動するようになり、発光層で互いに結合して所定の色で発光することになる。
第４発光層２７０は、赤色光を発光する赤色発光層、緑色光を発光する緑色発光層、青色光を発光する青色発光層および黄色光を発光する黄色発光層のいずれかひとつであり得るが、必ずしもこれに限定されない。
ただし、第４発光層２７０は、第３発光層２６０と異なる色の光を発光することができる。第３発光層２６０が第１色波長帯の光を発光する発光層である場合、第４発光層２７０は、第２色波長帯の光を発光する発光層であり得る。例えば、第３発光層２６０は、赤色波長帯の光を発光する赤色発光層であり、第４発光層２７０は、緑色波長帯の光を発光する緑色発光層であり得る。
一方、第２発光層２４０は、第３発光層２６０および第４発光層２７０と異なる色の光を発光できる。第３発光層２６０が第１色波長帯の光を発光する発光層であり、第４発光層２７０が第２色波長帯の光を発光する発光層である場合、第２発光層２４０は、第３色の波長帯の光を発光する発光層であり得る。例えば、第３発光層２６０は、赤色波長帯の光を発光する赤色発光層であり、第４発光層２７０は、緑色波長帯の光を発光する緑色発光層であり、第２発光層２４０は、青色波長帯の光を発光する青色発光層であり得る。
第３電極２５０は、図１３に示すように、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）ごとにパターン形成される。第１サブ画素（ＳＰ１）に一つの第３電極２５０が形成され、第２サブ画素（ＳＰ２）に、もう一つの第３電極２５０が形成される。第３電極２５０は、平坦化膜（Ｉ３）を貫通するコンタクトホール（ＣＨ４）を介して第２駆動薄膜トランジスタ（Ｔ２）に接続され得る。これにより、第１サブ画素（ＳＰ１）に備えられた第３電極２５０は、第２駆動薄膜トランジスタ（Ｔ２）のソース電極（ＳＥ）またはドレイン電極（ＤＥ）から第３発光層２６０を発光させるための第４電圧が印加され得る。また、第２サブ画素（ＳＰ２）に備えた第３電極２５０は、第２駆動薄膜トランジスタ（Ｔ２）のソース電極（ＳＥ）またはドレイン電極（ＤＥ）から第４発光層２７０を発光させるための第５電圧が印加され得る。
本発明の第３実施例に係る表示装置１００は、一つの画素（Ｐ）が２つのサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）だけを含んでいるが、２つのサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２）で、少なくとも３つの色の光が放出され得る。
例えて説明すると、第３発光層２６０は、赤色波長帯の光（Ｌ１）を発光する赤色発光層であり、第４発光層２７０は、緑色波長帯の光（Ｌ２）を発光する緑色発光層であり、第２発光層２４０は、青色波長帯の光（Ｌ３）を発光する青色発光層であり得る。
第サブ画素（ＳＰ１）および第２サブ画素（ＳＰ２）のそれぞれは、図１４に示すように、第１発光領域（ＥＡ１）と第２発光領域（ＥＡ２）を含む。
第１サブ画素（ＳＰ１）の第１発光領域（ＥＡ１）では、第３発光層２６０で発光した光（Ｌ１）が放出され得る。第３発光層２６０は、第３電極２５０に第４の電圧が印加され、第２電極２３０に第２電圧が印加されると、赤色波長帯の光（Ｌ１）を発光できる。ここで、発光した赤色波長帯の光（Ｌ１）は、第３電極２５０を透過して前方に進むことができる。または発光した赤色波長帯の光（Ｌ１）は、第２電極２３０に反射した後、第３電極２５０を透過して前方に進むことができる。これにより、第１サブ画素（ＳＰ１）は、第１発光領域（ＥＡ１）で赤色波長帯の光（Ｌ１）を放出することになる。
第１サブ画素（ＳＰ１）の第２発光領域（ＥＡ２）では、第２発光層２４０で発光した光（Ｌ３）が放出され得る。第２発光層２４０は、第１電極２１０に第３電圧が印加され、第２電極２３０に第２電圧が印加されると、青色波長帯の光（Ｌ３）を発光できる。ここで、発光した青色波長帯の光（Ｌ３）は、光ガイド構造物１９０の第１傾斜面１９０ｃに配置された反射体１９２に反射して第２発光領域（ＥＡ２）の方向に移動することができる。その後、青色波長帯の光（Ｌ３）は、光ガイド構造物１９０の第２傾斜面１９０ｄに配置された反射体１９２に再び反射して前方に進むことができる。
また、発光した青色波長帯の光（Ｌ３）は、第２電極２３０に反射した後、光ガイド構造物１９０の方向に進むことができる。そして、その後、青色波長帯の光（Ｌ３）は、光ガイド構造物１９０の第１傾斜面１９０ｃに配置された反射体１９２に反射して第２発光領域（ＥＡ２）の方向に移動することができる。そして、その後、青色波長帯の光（Ｌ３）は、光ガイド構造物１９０の第２傾斜面１９０ｄに配置された反射体１９２に再び反射して前方に進行し得る。これにより、第１サブ画素（ＳＰ１）は、第２発光領域（ＥＡ２）で青色波長帯の光（Ｌ３）を放出することになる。
すなわち、第１サブ画素（ＳＰ１）は、青色波長帯の光（Ｌ３）および赤色波長帯の光（Ｌ１）を放出することになる。
第２サブ画素（ＳＰ２）の第１発光領域（ＥＡ１）では、第４発光層２７０で発光した光（Ｌ２）が放出され得る。第４発光層２７０は、第３電極２５０に第５電圧が印加され、第２電極２３０に第２電圧が印加されると、緑色波長帯の光（Ｌ２）を発光できる。ここで、発光した緑色波長帯の光（Ｌ２）は、第３電極２５０を透過して前方に進むことができる。また、発光した緑色波長帯の光（Ｌ２）は、第２電極２３０に反射した後、第３電極２５０を透過して前方に進むことができる。これにより、第２サブ画素（ＳＰ２）は、第１発光領域（ＥＡ１）で緑色波長帯の光（Ｌ２）を放出することになる。
第２サブ画素（ＳＰ２）の第２発光領域（ＥＡ２）では、第２発光層２４０で発光した光（Ｌ３）が放出され得る。第２発光層２４０は、第１電極２１０に第３電圧が印加され、第２電極２３０に第２電圧が印加されると、青色波長帯の光（Ｌ３）を発光することができる。ここで、発光した青色波長帯の光（Ｌ３）は、光ガイド構造物１９０の第１傾斜面１９０ｃに配置された反射体１９２に反射して第２発光領域（ＥＡ２）の方向に移動することができる。そして、その後、青色波長帯の光（Ｌ３）は、光ガイド構造物１９０の第２傾斜面１９０ｄに配置された反射体１９２に再び反射して前方に進行し得る。
また、発光した青色波長帯の光（Ｌ３）は、第２電極２３０に反射した後、光ガイド構造物１９０の方向に進行し得る。その後、青色波長帯の光（Ｌ３）は、光ガイド構造物１９０の第１傾斜面１９０ｃに配置された反射体１９２に反射して第２発光領域（ＥＡ２）の方向に移動することができる。その後、青色波長帯の光（Ｌ３）は、光ガイド構造物１９０の第２傾斜面１９０ｄに配置された反射体１９２に再び反射して前方に進むことができる。これにより、第２サブ画素（ＳＰ２）は、第２発光領域（ＥＡ２）で青色波長帯の光（Ｌ３）を放出することになる。
すなわち、第２サブ画素（ＳＰ２）は、青色波長帯の光（Ｌ３）および緑色波長帯の光（Ｌ２）を放出することになる。
結果的に、第１サブ画素（ＳＰ１）および第２サブ画素（ＳＰ２）は、青色波長帯の光（Ｌ３）、赤色波長帯の光（Ｌ１）および緑色波長帯の光（Ｌ２）を放出することができる。
本発明の第３実施例に係る表示装置１００は、第２発光層２４０で発光した光、例えば、青色光を第２発光領域（ＥＡ２）から放出するようにできる。第２発光層２４０で発光した光は、光ガイド構造物１９０を介して第２発光領域（ＥＡ２）にガイドされて、前方に放出され得る。これにより、第２発光層２４０で発光した光の光効率を、ＦＭＭを用いてサブ画素ごとに異なる色の発光層をパターン形成する従来の表示装置よりも大幅に向上できる。
図１５ａ〜図１５ｃは、本発明のまた他の実施例に係る表示装置に関するものであり、これはヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）装置に関するものである。図１５ａは概略的な斜視図であり、図１５ｂは、ＶＲ（Ｖｉｒｔｕａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ）構造の概略的な平面図であり、図１５ｃは、ＡＲ（Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ）構造の概略的な断面図である。
図１５ａから分かるように、本発明に係るヘッドマウントディスプレイ装置は、収納ケース１０、およびヘッド装着バンド３０を含んでなる。
収納ケース１０は、その内部に表示装置、レンズアレイ、および接眼レンズなどの構成を収納している。
ヘッド装着バンド３０は、収納ケース１０に固定される。ヘッド装着バンド３０は、使用者の頭の上面と両側面を囲むように形成された例を示したが、これに限定されない。ヘッド装着バンド３０は、使用者の頭にヘッドマウントディスプレイを固定するためのものであり、メガネフレーム形態またはヘルメット形態の構造物に置き換えることができる。
図１５ｂから分かるように、本発明に係るＶＲ（Ｖｉｒｔｕａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ）構造のヘッドマウントディスプレイは、左眼用表示装置１２と右眼用表示装置１１、レンズアレイ１３、および左眼接眼レンズ２０ａと右眼接眼レンズ２０ｂを含んでなる。
左眼用表示装置１２と右眼用表示装置１１、レンズアレイ１３、および左眼接眼レンズ２０ａと右眼接眼レンズ２０ｂは、前述した収納ケース１０に収納される。
左眼用表示装置１２と右眼用表示装置１１は、同じ映像を表示することができ、この場合、使用者は、２Ｄ映像を視聴することができる。または、左眼用表示装置１２は左眼映像を表示して、右眼用表示装置１１は右眼映像を表示することができ、この場合、使用者は、立体映像を視聴することができる。左眼用表示装置１２と右眼用表示装置１１のそれぞれは、前述した図１〜図１４による表示装置からなり得る。ここで、図１〜図１４で画像が表示される面に該当する上側の部分、例として、カラーフィルタ層４００が、前記レンズアレイ１３と向き合うことになる。
レンズアレイ１３は、左眼接眼レンズ２０ａと左眼用表示装置１２のそれぞれと離隔し、左眼接眼レンズ２０ａと左眼用表示装置１２の間に備えられ得る。つまり、レンズアレイ１３は、左眼接眼レンズ２０ａの前方および左眼用表示装置１２の後方に位置することができる。また、レンズアレイ１３は、右眼接眼レンズ２０ｂと右眼用表示装置１１のそれぞれと離隔し、右眼接眼レンズ２０ｂと右眼用表示装置１１の間に備えられ得る。つまり、レンズアレイ１３は、右眼接眼レンズ２０ｂの前方および右眼用表示装置１１の後方に位置できる。
レンズアレイ１３は、マイクロレンズアレイ（Ｍｉｃｒｏ Ｌｅｎｓ Ａｒｒａｙ）であり得る。レンズアレイ１３は、ピンホールアレイ（Ｐｉｎ Ｈｏｌｅ Ａｒｒａｙ）に置き換えることができる。レンズアレイ１３により、左眼用表示装置１２または右眼用表示装置１１に表示される映像は、使用者に拡大して見え得る。
左眼接眼レンズ２０ａには、使用者の左眼（ＬＥ）が位置し、右眼接眼レンズ２０ｂには、使用者の右眼（ＲＥ）が位置することができる。
図１５ｃから分かるように、本発明に係るＡＲ（Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ）構造のヘッドマウントディスプレイは、左眼用表示装置１２、レンズアレイ１３、左眼接眼レンズ２０ａ、透過反射部１４、および透過窓１５を含んでなる。図１５ｃには、便宜上左内側の構成だけを示すが、右内側の構成も左内側の構成と同じである。
左眼用表示装置１２、レンズアレイ１３、左眼接眼レンズ２０ａ、透過反射部１４、および透過窓１５は、前述した収納ケース１０に収納される。
左眼用表示装置１２は、透過窓１５を覆わずに、透過反射部１４の一側、例として上側に配置され得る。これにより、左眼用表示装置１２が透過窓１５を通じて見える外部の背景を遮らずに透過反射部１４に映像を提供できる。
左眼用表示装置１２は、前述した図１〜図１４による表示装置からなり得る。ここで、図１〜図１４で画像が表示される面に該当する上側の部分は、例として、カラーフィルタ層４００が透過反射部１４と向き合うことになる。
レンズアレイ１３は、左眼接眼レンズ２０ａと透過反射部１４の間に備えられ得る。左眼接眼レンズ２０ａには、使用者の左眼が位置する。
透過反射部１４は、レンズアレイ１３と透過窓１５の間に配置される。透過反射部１４は、光の一部を透過させ、光の他の一部を反射させる反射面１４ａを含むことができる。反射面１４ａは、左眼用表示装置１２に示された映像が、レンズアレイ１３に進むように形成される。したがって、使用者は透過窓１５を介して外部の背景と左眼用表示装置１２によって表示される映像の両方を見ることができる。つまり、使用者は現実の背景と仮想の映像を重ねて一つの映像として見ることができるので、拡張現実（ＡＲ、Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ）を具現できる。透過窓１５は、透過反射部１４の前方に配置する。
以上、添付した図を参照して、本発明の実施例をさらに詳細に説明したが、本発明は、必ずしもこのような実施例で限定されるわけではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で多様に変形実施ことができる。したがって、本発明に開示された実施例は、本発明の技術思想を限定するためのものではなく説明するためのものであり、このような実施例により、本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。したがって、以上で記述した実施例は、すべての面で例示的なものであり限定的ではないと理解されなければならない。本発明の保護範囲は、特許請求の範囲によって解釈され、その同等の範囲内にあるすべての技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されなければならない。
１００：表示装置
１１０：表示パネル
１１１：第１基板
１１２：第２基板
１４０：ソースドライブＩＣ
１５０：軟性フィルム
１６０：回路基板
１７０：タイミング制御部
１８０：電源ライン
１９０：光ガイド構造物
２１０：第１電極
２２０：第１発光層
２３０：第２電極
２４０：第２発光層
２５０：第３電極
３００：封止層
４００：カラーフィルタ層

Claims (17)

  1. 第１サブ画素および第２サブ画素を有する複数の画素を備えた基板であって、
    前記第１サブ画素および前記第２サブ画素の各々が、
    第１発光領域および第２発光領域と、
    前記第１発光領域に備えられた第１電極と、
    前記第１電極上に備えられた第１発光層と、
    前記第１発光層上に備えられた第２電極と、
    前記第２電極上に備えられた第２発光層と、
    前記第２発光層上に備えられた第３電極と
    を含み、
    前記第３電極は透明電極であり、
    前記第１発光領域において、前記基板と前記第１電極の間に備えられ前記第２発光領域まで延長され、前記第１発光領域に備えられた前記第１発光層で発光した光を前記第２発光領域にガイドする光ガイド構造物を含む表示装置。
  2. 前記第２電極が、反射電極であり、前記第１電極は、透明電極である請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記第２電極が、前記第１発光層で発光した光を前記光ガイド構造物の方向に反射させ、
    前記第２電極が、前記第２発光層で発光した光を前記第３電極の方向に反射させる請求項２に記載の表示装置。
  4. 前記光ガイド構造物が、第１幅を有する下面、前記第１幅よりも大きい第２幅を有する上面、前記下面と前記上面を連結する第１傾斜面と第２傾斜面を含む請求項１に記載の表示装置。
  5. 前記光ガイド構造物が、前記第１電極と重畳する第１領域および前記第１電極と重畳しない第２領域を含む請求項１に記載の表示装置。
  6. 前記光ガイド構造物が、反射空間を形成し、前記第１発光層から発光した光を反射させて前記第２発光領域にガイドする反射体を含む請求項４に記載の表示装置。
  7. 前記基板上に備えられた第１駆動薄膜トランジスタをさらに含み、
    前記光ガイド構造物の反射体が、前記第１電極と前記第１駆動薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極を電気的に接続する請求項６に記載の表示装置。
  8. 前記基板上に備えられた第２駆動薄膜トランジスタをさらに含み、
    前記第３電極が、前記第２駆動薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極に接続する請求項１に記載の表示装置。
  9. 前記第１サブ画素に備えられた第３電極と前記第２サブ画素に備えられた第３電極が、互いに接続し、一つの第２駆動薄膜トランジスタは、前記第１および第２サブ画素に共通に備えられる請求項８に記載の表示装置。
  10. 前記第３電極が、一つの画素の前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素の各々に別途に備えられ、前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素各々の第３電極は、各々の第２駆動薄膜トランジスタに接続している請求項８に記載の表示装置。
  11. 一つのサブ画素の前記第１発光層と前記第２発光層が、異なる色の波長帯の光を発光する請求項１に記載の表示装置。
  12. 前記各画素において、
    前記第１サブ画素の第１発光領域と前記第２サブ画素の第１発光領域が、第１色波長帯の光を放出するように構成され、前記第１サブ画素の第２発光領域は、第２色波長帯の光を放出するように構成され、前記第２サブ画素の第２発光領域は、第３色波長帯の光を放出するように構成するか、
    前記第１サブ画素の第２発光領域と前記第２サブ画素の第２発光領域が、第１色波長帯の光を放出するように構成され、前記第２サブ画素の第１発光領域は、第２色波長帯の光を放出するように構成され、前記第２サブ画素の第１発光領域は、第３色波長帯の光を放出するように構成され、
    前記第１、第２および第３色波長帯は、互いに異なる請求項１に記載の表示装置。
  13. 前記各サブ画素が、前記第２発光領域に備えられたカラーフィルタをさらに含み、
    前記カラーフィルタは、前記第１発光層から発光した光の一部のみを放出する請求項１に記載の表示装置。
  14. 前記各画素において、
    前記第１サブ画素が、第１色波長帯の光及び第３色波長帯の光を放出するように構成され、前記第２サブ画素は、第２色波長帯の光及び第3色波長帯の光を放出するように構成され、前記第１、第２および第３色波長帯は、互いに異なる請求項１に記載の表示装置。
  15. 前記各画素において、
    前記第１サブ画素の第１発光層と前記第２サブ画素の第１発光層が、同一な物質からなり同一な波長帯の光を放出するように構成され、前記第１サブ画素の第２発光層と前記第２サブ画素の第２発光層は、互いに異なる物質からなり、異なる色の波長帯の光を放出するように構成するか、
    前記第１サブ画素の第１発光層と前記第２サブ画素の第１発光層が、互いに異なる物質からなり、異なる波長帯の光を放出するように構成され、前記第１サブ画素の第２発光層と前記第２サブ画素の第２発光層は、同一な物質からなり同一な色の波長帯の光を放出するように構成するか、
    前記第１サブ画素の第１発光層と前記第２サブ画素の第１発光層が、同一な物質からなり同一な波長帯の光を放出するように構成され、前記第１サブ画素の第２発光層と前記第２サブ画素の第２発光層は、同一な物質からなり同一な色の波長帯の光を放出するように構成される請求項１に記載の表示装置。
  16. 収納ケースと、
    前記収納ケースに固定されたヘッド装着バンドと
    を含み、
    前記収納ケースは、請求項1〜請求項１５のいずれか一項による表示装置、接眼レンズ及び前記表示装置と前記接眼レンズとの間に配置されたレンズアレイを収納する、ヘッドマウントディスプレイ。
  17. 前記接眼レンズが、右眼接眼レンズおよび左眼接眼レンズを含み、前記表示装置は、右眼用表示装置と左眼用表示装置を含む請求項１６に記載のヘッドマウントディスプレイ。
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