JP6862487B2 - エラー訂正回路を有するメモリ - Google Patents
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Description
200:メモリ
ADD:アドレスデコーダ
BL:ビット線
BL1:第一ビット線
BL2:第二ビット線
BLSA:ビット線センサ
BLSA1:第一ビット線センサ
BLSA2:第二ビット線センサ
C:コンデンサ
CSL0、CSL1、CSLN:列選択線
D:データ
D1:第一部分データ
D2:第二部分データ
DB1:第一部分書き込みビット又は第一部分読み出しビット
DB2:第二部分書き込みビット又は第二部分読み出しビット
ECC1:第一エラー訂正回路
ECC2:第二エラー訂正回路
ECCD1:第一部分書き込みデータ又は第一部分読み出しデータ
ECCD2:第二部分書き込みデータ又は第二部分読み出しデータ
M:メモリセル
M1:第一メモリセル
M2:第二メモリセル
MC/MC(11):メモリセルブロック
MCC、MCC(1)、MCC(P−1)、MCC(P)、MCC(P+1)、MCC(P+2)、MCC(N):メモリセル列
MCR:メモリセル行
MIO:メイン入出力線
RSW:ロースイッチ
SD、SD(1)、SD(P−1)、SD(P)、SD(P+1)、SD(P+2)、SD(N):検出駆動回路
S:選択信号
SW1:第一選択スイッチ
SW2:第二選択スイッチ
SWD:サブワード線ドライバ
T:トランジスタ
Claims (10)
- エラー訂正回路を有し、第一部分データ及び第二部分データを含む特定データの読み出し又は書き込みを許容するメモリであって、
前記第一部分データのエラー訂正を実行して、書き込みモードにおいて第一部分書き込みデータを生成させ又は読み出しモードにおいて第一部分読み出しデータを受信する第一エラー訂正回路と、
前記第二部分データのエラー訂正を実行して、前記書き込みモードにおいて第二部分書き込みデータを生成させ又は前記読み出しモードにおいて第二部分読み出しデータを受信する第二エラー訂正回路と、
複数のメモリセル列と、
それぞれ前記複数のメモリセル列に結合され、前記第一エラー訂正回路と前記第二エラー訂正回路に結合される複数の検出駆動回路と、を含み、
前記書き込みモードにおいて、前記複数の検出駆動回路は、それぞれ前記第一部分書き込みデータの複数の第一部分書き込みビットを受信し、それぞれ前記第二部分書き込みデータの複数の第二部分書き込みビットを受信し、各前記検出駆動回路は、対応する第一部分書き込みビットと第二部分書き込みビットを結合させて、対応するメモリセル列を書き込み、
前記読み出しモードにおいて、前記複数の検出駆動回路は、それぞれ前記複数のメモリセル列の保存されたデータを検出して、前記複数の第一部分読み出しデータと前記複数の第二部分読み出しデータを生成させるメモリ。 - 前記複数のメモリセル列は、第一エラー訂正コードメモリセル列と、第二エラー訂正コードメモリセル列と、を含み、前記第一エラー訂正コードメモリセル列と前記第二エラー訂正コードメモリセル列は、いずれも前記第一部分書き込みデータにおける第一エラー訂正コードの一部分と前記第二部分書き込みデータにおける第二エラー訂正コードの一部分を保存し、前記第一エラー訂正コードメモリセル列及び前記第二エラー訂正コードメモリセル列は、隣接して配置され、前記複数のメモリセル列は、複数の第一データコードメモリセル列と複数の第二データコードメモリセル列を更に含み、前記複数の第一データコードメモリセル列は隣接して配置され、前記第一エラー訂正コードメモリセル列の第一側に配置され、前記複数の第二データコードメモリセル列は隣接して配置され、前記第二エラー訂正コードメモリセル列の第二側に配置され、前記第一側と前記第二側は対向する請求項1に記載のメモリ。
- 各前記メモリセル列は、相互に直列に結合される複数のメモリセルブロックを含み、各前記メモリセルブロックは、
ワード線に制御される複数のメモリセルと、
前記複数のメモリセルにおける複数の第一メモリセルの複数の第一ビット線に結合される第一ビット線センサと、
選択信号に基づき、前記複数の第一ビット線から選択された複数の第一選中ビット線を対応する前記検出駆動回路に結合させる複数の第一選択スイッチと、
前記複数のメモリセルの複数の第二メモリセルにおける複数の第二ビット線に結合される第二ビット線センサと、
前記選択信号に基づき、前記複数の第二ビット線から選択された複数の第二選中ビット線を対応する前記検出駆動回路に結合させる複数の第二選択スイッチと、を含み、
前記複数の第一メモリセルと前記複数の第二メモリセルは交互に配列している請求項1に記載のメモリ。 - 各前記メモリセルブロックは、前記ワード線に結合され、ワード線信号を生成させるためのワード線ドライバを更に含む請求項3に記載のメモリ。
- 前記第一部分書き込みデータと前記第二部分書き込みデータのビット数は同じであり、前記第一部分読み出しデータと前記第二部分読み出しデータのビット数は同じである請求項1〜4のいずれか一項に記載のメモリ。
- 前記メモリは、前記複数のメモリセル列と前記複数の検出駆動回路に結合され、前記書き込みモードにおいて、前記複数の第一部分書き込みビットと前記複数の第二部分書き込みビットが対応するメモリセル列のアドレスを指定し、前記書き込みモードにおいて、前記複数の第一部分読み出しデータと前記複数の第二部分読み出しデータが対応するメモリセル列のアドレスを指定するアドレスデコード回路を更に含む請求項1〜4のいずれか一項に記載のメモリ。
- 各前記メモリセルは、
前記第一ビット線センサに結合されるトランジスタと、
前記トランジスタと基準電位端との間に結合されるコンデンサと、を含む請求項3に記載のメモリ。 - 前記読み出しモードにおいて、各前記検出駆動回路は、対応するメモリセル列から少なくとも2ビットの保存されたデータを検出する請求項1〜4のいずれか一項に記載のメモリ。
- 各前記検出駆動回路は、前記少なくとも2ビットの保存されたデータを少なくとも1ビットの第一部分読み出しデータと少なくとも1ビットの第二部分読み出しデータに分割する請求項8に記載のメモリ。
- 各前記第一エラー訂正コードと各前記第二エラー訂正コードはいずれも少なくとも2ビットである請求項2に記載のメモリ。
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