JP6851975B2 - 画素配列構造、表示基板、表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

（関連出願の相互参照）
本出願は、２０１６年７月２２日に提出した中国特許出願番号２０１６１０５８５８９４．４の優先権を主張し、その内容が全て本出願に援用される。

本発明は表示技術に関し、特に、画素配列構造、表示基板、表示デバイス及びその製造方法に関する。

表示デバイスに対しての高いディスプレイ解像度の要求によって、表示デバイスの製造難度及びコストが高くなっている。特に、現在のＡＭＯＬＥＤ（アクティブマトリクス式有機発光ダイオード）領域では、ＦＭＭ（ファイン・メタル・マスク）技術における制限のために、ＰＰＩ（ピクセル・パー・インチ、画素密度）の高い表示デバイスを製造するのが困難となっている。

ストライプＲＧＢサブ画素（ストライプＲＧＢ）からなる画素では、ストライプサブ画素の方向に対し垂直方向の一画素ピッチ内に３つのサブ画素ＲＧＢが配置される。このため、画素密度が３００ｐｐｉを超えると、現在のＦＭＭ処理が所望の画素密度を実現するのは非常に難しい。

それ故、本開示の一実施例は画素配列構造に関するものである。画素配列構造は、第１画素及び第２画素を含む。第１画素は、第１の側及び第１の側の反対側である第３の側を有する。第２画素は、第１の側及び第１の側の反対側である第３の側を有する。第１画素及び第２画素は、行方向及び列方向に交互に配置される。第１画素及び第２画素は、各々第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素を含む。第１画素における第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素は三角分布をなす。第２画素における第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素は、第１画素における三角分布を転倒させた三角分布をなす。第１画素及び第２画素の各々における第２サブ画素及び第３サブ画素は、略同一行に位置する。一実施例において、第１画素及び第２画素の各々における第２サブ画素及び第３サブ画素は、同一行に位置する。

第１画素及び第２画素の各々における第１サブ画素は、画素の中心領域に配置されてもよい。第１画素及び第２画素の各々における第１サブ画素は、緑サブ画素であってもよい。第１画素及び第２画素の各々における第２サブ画素及び第３サブ画素は、画素の縁部領域に位置してもよい。第１画素において、第１サブ画素の反対側に設けられる第２サブ画素の縁部及び第１サブ画素の反対側に設けられる第３サブ画素の縁部は、第１画素の第１の側と極めて近接して配置されてもよい。行方向において第１画素に隣接する第２画素では、第１サブ画素の反対側に設けられる第２サブ画素の縁部、及び第１サブ画素の反対側に設けられる第３サブ画素の縁部は、第２画素の第３の側と極めて近接して配置されてもよい。第１画素の第１の側及び第２画素の第３の側は、第１画素及び第２画素の第１サブ画素の相対する両側にそれぞれ位置してもよい。第１画素において、第１サブ画素は第３の側と第２及び第３サブ画素との間の領域に配置されてもよい。第２画素において、第１サブ画素は第１の側と第２及び第３サブ画素との間の領域に配置される。一実施形態では、第１画素において、第１サブ画素の反対側に設けられる第２サブ画素の縁部、及び第１サブ画素の反対側に設けられる第３サブ画素の縁部は、第１の側と重なる。第２画素において、第１サブ画素の反対側に設けられる第２サブ画素の縁部、及び第１サブ画素の反対側に設けられる第３サブ画素の縁部は、第３の側と重なる。

第１画素において、第１サブ画素の中心から第３の側までの垂直距離は、第１サブ画素の中心から第１の側までの垂直距離より小さくてもよい。第２画素において、第１サブ画素の中心から第１の側までの垂直距離は、第１サブ画素の中心から第３の側までの垂直距離より小さくてもよい。

第１画素及び第２画素の各々において、第２サブ画素及び第３サブ画素に隣接する第１サブ画素の縁部は、第２直線と極めて近接して配置されてもよい。第２直線は、行方向に対して平行であり、第１の側及び第３の側までの垂直距離が等しい線である。一実施形態では、第２サブ画素及び第３サブ画素に隣接する第１サブ画素の縁部は第２直線と重なる。

同一画素における第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素は、二等辺三角分布をなしてもよい。第１画素と第２画素は各々長方形又は正方形の画素であってもよい。第１画素及び第２画素の各々において、第２サブ画素及び第３サブ画素は行方向において長方形又は正方形の画素の２つの角部付近に位置し、第２サブ画素の２つの隣接する垂直縁部及び第３サブ画素の２つの隣接する垂直縁部は長方形又は正方形の画素の２つの隣接する垂直縁部とそれぞれ極めて近接して配置されてもよい。一実施形態では、第２サブ画素の２つの隣接する垂直縁部及び第３サブ画素の２つの隣接する垂直縁部は、長方形又は正方形の画素の２つの隣接する垂直縁部とそれぞれ重なってもよい。

第１サブ画素は第２サブ画素と第３サブ画素との垂直二等分線上に位置してもよい。一実施形態では、第１サブ画素の中心は第２サブ画素と第３サブ画素との垂直二等分線上に位置する。第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素は各々長方形又は正方形のサブ画素であってもよい。

列方向に互いに隣接する第１画素と第２画素とは鏡面対称であってもよい。第１画素における第２サブ画素及び第３サブ画素は、第１画素に隣接する第２画素内の第２サブ画素及び第３サブ画素とそれぞれ列方向において隣接する。一実施形態においては、隣接する第２サブ画素又は隣接する第３サブ画素の少なくとも一対が統合されてもよい。

本開示の別の実施例は、本開示の一実施形態による画素配列構造を含む表示基板に関するものである。表示基板はＯＬＥＤ表示基板であってもよい。

本開示の別の実施例は、本開示の一実施形態による表示基板を含む表示デバイスに関するものである。

本開示の別の実施例は、本開示の一実施形態による表示基板の形成工程を含む、表示基板の製造方法に関するものである。表示基板はＯＬＥＤ表示基板であってもよい。この方法は、ＦＭＭマスク板を用いて蒸着技術によりＯＬＥＤ表示基板のサブ画素を形成する工程を含んでもよい。ＦＭＭマスク板は少なくともひとつの第１開口を含んでもよい。第１開口は同一色の少なくとも２つの隣接するサブ画素に対応してもよい。

本開示の別の実施例は、本開示の一実施形態による表示基板の形成に用いるＦＭＭマスク板に関するものである。ＦＭＭマスク板は少なくともひとつの第１開口を含んでもよい。第１開口は同一色の少なくとも２つの隣接するサブ画素に対応してもよい。

本発明の主題は、本明細書の結論部分における請求項で具体的に記載され、明確に請求した。本発明の上記及び他の目的、特徴及び利点は、添付図面とともに以下の記載を参照することにより明らかとなる。

一実施形態の画素配列構造を示す概略図である。 一実施形態の画素配列構造を示す概略図である。 一実施形態の画素配列構造を示す概略図である。 一実施形態の画素配列構造を示す概略図である。

本発明の実施形態を参照しつつ、本開示について説明する。本発明の説明全体を通して、図１〜３を参照する。図を参照する際には、全図を通して同様の構造及びエレメントには同一の符号を付してある。

別途定義しない限り、本明細書で使用される技術用語又は科学用語は、本発明が属する領域の当業者によって一般的に理解される意味と同一の意味を有する。本明細書及び請求項で使用される「第１」、「第２」等の用語は、順番、数量又は重要性を暗示すものではなく、異なる部品を区別するためのものに過ぎない。同様に、「１つ」等の用語は、数的限界を示すものではなく、少なくとも１つあることを意味する。「結ぶ」等の用語は、直接又は間接を問わず、物理的又は機械的な結びつきに限定されない。「上部」、「底部」、「左」、「右」等の用語は、相対的な位置関係を示すに過ぎない。記載された対象物の絶対位置に変更があると、それにあわせて相対位置関係にも変更が生じる。

図１は、本開示のいくつかの実施形態による画素配列構造を示す概略図である。画素配列構造は、複数の第１画素１０Ａと、複数の第２画素１０Ｂと、を含む。第１画素１０Ａ及び第２画素１０Ｂは、行方向及び列方向に交互に配置される。第１画素１０Ａを取り囲む画素はすべて第２画素であり、第２画素１０Ｂを取り囲む画素はすべて第１画素である。即ち、縁部にある画素を除き、第１画素は各々第２画素に取り囲まれ、第２画素は各々第１画素に取り囲まれる。第１画素は、第１の側３１と、第２の側３２と、第１の側３１の反対側である第３の側３３と、第２の側３２の反対側である第４の側３４と、を有する。第２画素は、第１の側４１と、第２の側４２と、第１の側４１の反対側である第３の側４３と、第２の側４２の反対側である第４の側４４と、を有する。第１画素１０Ａ及び第２画素１０Ｂは、各々第１サブ画素１１と、第２サブ画素１２と、第３サブ画素１３と、を含む。

一実施形態では、第１画素１０Ａにおける第１サブ画素１１、第２サブ画素１２及び第３サブ画素１３は、三角分布をなす。第２画素１０Ｂにおける第１サブ画素１１、第２サブ画素１２及び第３サブ画素１３は、第１画素における三角分布を転倒させた三角分布をなす。第１画素及び第２画素の各々における第２サブ画素及び第３サブ画素は、略同一行に位置する。「略同一行に位置する」とは、第２サブ画素及び第３サブ画素の中心と行方向とを結ぶ線の間で形成される鋭角が５度未満であることを意味する。

一実施形態では、第１画素における第１サブ画素は第１画素の中心領域に位置する。第２画素における第１サブ画素は第２画素の中心領域に位置する。「中心領域」とは、第１画素又は第２画素の中心が第１画素又は第２画素の第１サブ画素の一部にそれぞれ位置することを意味する。

一実施形態では、第１サブ画素は緑サブ画素である。

一実施形態では、第１画素及び第２画素の各々における第２サブ画素及び第３サブ画素は、画素の縁部領域に位置する。

一実施形態では、第１画素において、第２サブ画素１２の縁部と、第１サブ画素１１の反対側に設けられる第３サブ画素１３の縁部とは、第１画素１０Ａの第１の側３１と極めて近接して配置される。ここで「極めて近接して配置される」とは、第２サブ画素の中心から第１の側３１までの垂直距離が第２サブ画素の垂直側の長さより小さく、第３サブ画素の中心から第１の側までの垂直距離が第３サブ画素の垂直側の長さより小さいことを意味する。

行方向において第１画素に隣接する第２画素では、第２サブ画素１２の縁部と、第１サブ画素１１の反対側に設けられる第３サブ画素１３の縁部とは、第２画素１０Ｂの第３の側４３と極めて近接して配置される。ここで「極めて近接して配置される」とは、第２サブ画素の中心から第３の側４３までの垂直距離が第２サブ画素の垂直側の長さより小さく、第３サブ画素の中心から第３の側４３までの垂直距離が第３サブ画素の垂直側の長さより小さいことを意味する。

第１画素１０Ａの第１の側３１及び第２画素１０Ｂの第３の側４３は、第１画素１０Ａ及び第２画素１０Ｂの第１サブ画素の相対する両側にそれぞれ配置される。第１画素１０Ａにおいて、第１サブ画素は第３の側３３と第２及び第３サブ画素との間の領域に配置される。第２画素において、第１サブ画素は第１の側４１と第２及び第３サブ画素の間の領域に設けられる。

一実施形態では、第１画素において、第１サブ画素の反対側に設けられる第２サブ画素の縁部及び第３サブ画素の縁部は、第１の側３１と重なる。第２画素において、第２サブ画素の縁部及び第３サブ画素の縁部は、第３の側４３と重なる。

一実施形態では、第１画素１０Ａにおいて、第１サブ画素の中心から第３の側３３までの垂直距離が第１サブ画素の中心から第１の側３１までの垂直距離より小さい。第２画素において、第１サブ画素の中心から第１の側４１までの垂直距離が第１サブ画素の中心から第３の側４３までの垂直距離より小さい。

一実施形態では、第１画素及び第２画素の各々において、第２サブ画素及び第３サブ画素に隣接する第１サブ画素の縁部が第２直線２２と極めて近接して配置され、第２直線２２は、行方向に平行であり、第１の側及び第３の側までの垂直距離が等しい。ここで「極めて近接して配置される」とは、第１サブ画素の中心から第２直線２２までの垂直距離が第１サブ画素の垂直側の長さより小さいことを意味する。

一実施形態では、第２サブ画素及び第３サブ画素に隣接する第１サブ画素の縁部は第２直線２２と重なる。

一実施形態では、同一画素における第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素は、二等辺三角分布をなす。第１画素と第２画素は各々長方形又は正方形の画素であってもよい。

一実施形態では、第１画素及び第２画素の各々において、第２サブ画素及び第３サブ画素は行方向において長方形又は正方形の画素の２つの角部付近に位置し、第２サブ画素の２つの隣接する垂直縁部及び第３サブ画素の２つの隣接する垂直縁部が長方形又は正方形の画素の２つの隣接する垂直縁部とそれぞれ極めて近接して配置される。ここで「極めて近接して配置される」とは、サブ画素の中心から画素の一側までの垂直距離が、画素の前記側に垂直なサブ画素の垂直側の長さより小さいことを意味する。

一実施形態では、第２サブ画素の２つの隣接する垂直縁部及び第３サブ画素の２つの隣接する垂直縁部は、長方形又は正方形の画素の２つの隣接する垂直縁部とそれぞれ重なる。

一実施形態では、第１画素及び第２画素の各々において、第１サブ画素は、第２サブ画素と第３サブ画素との垂直二等分線上に位置する。別の実施例において、第１画素及び第２画素の各々において、第１サブ画素の中心は第２サブ画素と第３サブ画素との垂直二等分線上に位置する。

一実施形態では、第１画素における第２サブ画素及び第３画素は、第１画素に隣接する第２画素における第２サブ画素及び第３画素と列方向に隣接する。

一実施形態では、図１に示すように、行方向において、色の異なる３つのサブ画素が同一行の２つの隣接する画素のピッチ内に配置される。列方向において、同一色の２つのサブ画素が同一列の２つの隣接する画素のピッチ内に配置される。この実施形態は、行方向において２つの隣接する画素のピッチ内に６つのサブ画素が配置され、列方向における２つの隣接する画素のピッチ内に２つのサブ画素が配置される従来技術と比較して、サブ画素の数が大幅に減らされるため、画素の製造における難度が軽減され、ＰＰＩの高い（例えば、解像度５００ｐｐｉ以上）表示デバイスの製造が可能となる。

一実施形態においては、同一列に、同一色の２つのサブ画素のみ含まれ、２つのサブ画素は互いに隣接する（図１に示す同一の楕円形の点線に囲まれた２つのサブ画素を参照）。いくつかの実施形態におけるサブ画素を形成するための蒸着処理では、同じ数の画素の画素ピッチにおけるサブ画素の数が減少する。同一の楕円形の点線に囲まれた２つの隣接するサブ画素は、ひとつのＦＭＭ開口蒸着により形成することができる。それ故、ＦＭＭの開口の数（密度）を効果的に低減することで、高解像度ＡＭＯＬＥＤにおけるＦＭＭ技術の限界をブレークスルーし、ＡＭＯＬＥＤにおいて３００ｐｐｉ以上の解像度を実現できる。

一実施形態では、画素配列構造における画素はリアル（Ｒｅａｌ）画素である。それ故、高ＰＰＩにおいてもグラフィカルイメージの表示は比較的鮮明である。これは、特殊グラフィックスや画像を表示するにあたり非常に重要である。例えば、デジタル腕時計のポインタの表示及びその他の細部が滑らかで、シャープな感じを与える。

一実施形態では、図１に示すように、同一列において、隣接する第１及び第２画素１０Ａ及び１０Ｂは鏡面対称である。即ち、第２画素１０Ｂにおける第１サブ画素１１、第２サブ画素１２及び第３サブ画素１３の配列構造は、第１画素１０Ａにおける第１サブ画素１１、第２サブ画素１２及び第３サブ画素のそれと鏡面対称である。

一実施形態では、同一列において、隣接する第１及び第２画素１０Ａ及び１０Ｂは鏡面対称でない。例えば、第１画素１０Ａの第１サブ画素１１の中心及び第２画素１０Ｂの第１サブ画素１１の中心は同一直線上になくてもよい。

一実施形態では、同一画素において、第１サブ画素１１、第２サブ画素１２及び第３サブ画素１３は二等辺三角分布を有する。即ち、第１サブ画素１１、第２サブ画素１２及び第３サブ画素１３の中心を結ぶ線は二等辺三角をなす。別の実施例では、第１サブ画素１１、第２サブ画素１２及び第３サブ画素１３は、正三角分布を有する。

一実施形態では、列方向において、第１サブ画素から同一画素における第２サブ画素又は第３サブ画素の中心とを結ぶ線までの垂直距離が、同一の第１サブ画素から行方向に隣接する別の画素における別の第２サブ画素と別の第３サブ画素の中心とを結ぶ線までの垂直距離より大きい。

一実施形態では、同一画素内において、行方向に平行であり第２サブ画素１２及び第３サブ画素１３に隣接する第１サブ画素１１の縁部は、第２直線２２上に位置する。一実施形態では、第２直線２２は、第１の側と平行であり、第１の側と第３の側との間に位置する。一実施形態では、第２直線２２から第１の側及び第３の側までの距離は同一である。２本の直線間の距離とは、通常、２本の直線間の垂直距離を指す。

一実施形態では、第１サブ画素１１、第２サブ画素１２及び第３サブ画素１３はすべて長方形のサブ画素である。製造上の実際の必要に応じて、これらのサブ画素は、円形、三角形、平行四辺形等の他の形状に形成することができ、本発明では限定しない。

一実施形態では、第１画素１０Ａ及び第２画素１０Ｂは各々長方形の画素である。第１画素１０Ａ及び第２画素１０Ｂは、サブ画素の分布をより均一にし、表示品質を改善することから、各々正方形の画素であることが好ましい。製造上の実際の必要に応じて、円形、三角形、平行四辺形等の他の形状とすることも可能であり、本発明では限定しない。

別の実施形態では、第１サブ画素１１は、画素の輝度に対する影響の大きいサブ画素であり、第２サブ画素１２及び第３サブ画素１３は、画素の輝度に対する影響の小さいサブ画素である。即ち、画素における第１サブ画素１１の画素の輝度への影響は画素における第２サブ画素１２及び第３サブ画素１３のそれより大きいため、画素の輝度分布がより均一となり、表示デバイスの表示品質が改善される。

一実施形態では、同一の画素において、第２サブ画素１２及び第３サブ画素１３は、長方形の画素の一側の両端に位置する。第２サブ画素１２の２つの垂直縁部及び第３サブ画素１３の２つの垂直縁部は、画素の２つの隣接する垂直縁部と極めて近接して配置されるのが好ましい。別の実施形態では、第２サブ画素１２の２つの垂直縁部及び第３サブ画素１３の２つの垂直縁部は、画素の２つの隣接する垂直縁部と完全に重なる。本発明の別の実施形態では、第２サブ画素１２又は第３サブ画素１３の位置の微調整が行われる可能性がある。

一実施形態では、画素が長方形の画素である場合、同一画素内において、第１サブ画素１１が第２サブ画素１２と第３サブ画素１３との間の垂直二等分線上に位置する。第１サブ画素１１の中心は第２サブ画素１２と第３サブ画素１３との間の垂直二等分線上に位置することが好ましい。

一実施形態では、第１画素において、画素が長方形の画素である場合、第１サブ画素１１の中心から第１の側までの垂直距離は、第１サブ画素１１の中心から第３の側（第１の側の反対側）までの垂直距離より大きい。第１画素に隣接する第２画素において、第１サブ画素１１の中心から第３の側までの距離は第１サブ画素１１の中心から第１の側までの距離より大きい。それ故、第１サブ画素１１は、図４に示す実施形態より第１画素及び第２画素に沿って一層均一に分布される。

図４は、本発明の一実施形態による画素配列構造を示す概略図である。一実施形態では、図４に示すように、第１画素において、第２画素及び第３画素の反対側に設けられる第１サブ画素の縁部は第３の側３３と重なる。第２画素において、第２画素及び第３画素の反対側に設けられる第１サブ画素の縁部は第１の側４１と重なる。

一実施形態では、同一の画素において、第１の側と平行かつ隣接する第１サブ画素１１の縁部は、画素の第２の側の垂直二等分線と極めて近接して配置される。本発明の他の実施形態において、第１サブ画素１１は、第３の側と画素の第２の側の垂直二等分線との間にある他の位置に提供されてもよい。

人間の目は緑色により敏感である一方で、赤色及び青色にはさほど敏感でないため、一実施形態では、第１サブ画素１１は緑サブ画素であり、第２サブ画素１２は赤サブ画素又は青サブ画素であり、第３サブ画素１３は青又は赤サブ画素であってもよい。他の色のサブ画素を用いる可能性は排除されない。

図２は、本発明の一実施形態による画素配列構造を示す概略図である。この実施形態は、同一列において、鏡面対称である隣接する第１及び第２画素１０Ａ及び１０Ｂの第２サブ画素１２及び第３サブ画素１３が統合されて、サブピクセルレンダリング（ＳＰＲ）アルゴリズム駆動で第１画素１０Ａ及び第２画素１０Ｂにより共有される、という点で図１に示す実施形態と異なる。共有とは、第１画素１０Ａにおける第２サブ画素１２及び第２画素１０Ｂにおける第２サブ画素１２がユニタリ構造を有することを意味する。第１画素１０Ａにおける第３サブ画素１３と第２画素１０Ｂにおける第３サブ画素１３は、ユニタリ構造を有する。ただし、当業者であれば、表示する際、その発光を個別に制御できることを理解できよう。

いわゆるＳＰＲ技術（仮想画素の再構成に由来する）とは、ディスプレイ解像度レベルが人間の目の解像度レベルと等しい場合、色の異なるサブ画素に対する人間の目の解像度の差異を利用して、赤、緑及び青（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の３色のサブ画素により簡単に定義される画素（Ｐｉｘｅｌ）の従来モデルを変更できることを意味する。異なる画素は、位置解像度に鈍感な色を有するいくつかのサブ画素を共有することもできる。このため、比較的少数のサブ画素を用いて同一の画素解像度表現能力を擬似的に実現することで、製造難度及びコストを低減できる。

一実施形態では、同一列において隣接する第１及び第２画素１０Ａ及び１０Ｂ内にそれぞれ位置する第２サブ画素１２は統合される。同一列において隣接する第１及び第２画素１０Ａ及び１０Ｂ内にそれぞれ位置する第３サブ画素１３は統合される。別の実施形態では、隣接する第１及び第２画素１０Ａ及び１０Ｂにおける第１及び第２サブ画素１２或いは第３サブ画素１３の一対のみがひとつの画素に組み込まれる。

図３は、本発明の一実施形態による画素配列構造を示す概略図である。この実施形態は、同一列において、鏡面対称である隣接する第１画素１０Ａ及び第２画素１０Ｂ内の第３サブ画素１３が統合され、ＳＰＲアルゴリズムにより駆動され、第１画素１０Ａ及び第２画素１０Ｂにより共有される点で、図１に示す実施形態と異なる。

人間の目は青色に最も敏感でないため、第３サブ画素１３は青サブ画素であることが望ましい。

別の実施形態では、同一列内の隣接する第１画素及び第２画素における第１サブ画素も共有されることができ、例えば、図３に示す同一の楕円形の点線内に位置する２つの第１サブ画素は共有されることができる。

本発明の実施形態は、上記の任意の実施形態における画素配列構造を含む表示基板をさらに提供する。

表示基板はＯＬＥＤ表示基板であることが好ましい。

本発明の一実施形態は、上記表示基板を含む表示デバイスをさらに提供する。

本発明の一実施形態では、表示基板を作製するために、表示基板の製造方法をさらに提供する。

この実施形態において、表示基板はＯＬＥＤ表示基板であり、その製造方法は、ＦＭＭマスク板を用いて蒸着技術によりＯＬＥＤ表示基板のサブ画素を形成する工程を含んでもよい。ＦＭＭマスク板は、少なくともひとつの第１開口を含み、第１開口は同一色の少なくとも２つの隣接するサブ画素に対応してもよい。

本発明の一実施形態は、ＯＬＥＤ表示基板の形成に用いることのできるＦＭＭマスク板をさらに提供する。ＦＭＭマスク板は、少なくともひとつの第１開口を含み、第１開口は同一色の少なくとも２つの隣接するサブ画素に対応してもよい。

本発明の様々な実施形態に関する以上の記載は例示を目的としており、全てを網羅している訳ではなく、また開示された形態そのものに本発明を限定するものでもない。上記実施形態の範囲及び趣旨を逸脱することなく、多くの変更や変形は当業者にとって明らかとなろう。本開示で使用する用語は、実施形態の原理、実際上の適用或いは市場で見られる技術を超える技術的な改良を最適に説明するために、又は本開示に開示する実施形態を他の当業者が理解するのを可能とするために、選択したものである。

１０Ａ 第１画素
１０Ｂ 第２画素
１１ 第１サブ画素
１２ 第２サブ画素
１３ 第３サブ画素
２２ 第２直線
３１ 第１の側
３２ 第２の側
３３ 第３の側
３４ 第４の側
４１ 第１の側
４２ 第２の側
４３ 第３の側
４４ 第４の側

Claims (20)

1. 第１の側及び前記第１の側の反対側である第３の側を有する第１画素と、
   第１の側及び前記第１の側の反対側である第３の側を有する第２画素と、を含み、
   前記第１画素及び前記第２画素は、
   第１サブ画素と、
   第２サブ画素と、
   第３サブ画素と、を各々含み、
   前記第１画素及び前記第２画素は、行方向及び列方向に交互に配置され、
   前記第１画素における前記第１サブ画素、前記第２サブ画素及び前記第３サブ画素は、三角分布をなし、
   前記第２画素における前記第１サブ画素、前記第２サブ画素及び前記第３サブ画素は、前記第１画素における前記三角分布を転倒させた三角分布をなし、
   前記第１画素及び前記第２画素の各々において、前記第２サブ画素及び前記第３サブ画素は、略同一行に位置し、前記第１サブ画素は、緑サブ画素であり、
   前記第１画素において、前記第１サブ画素から離れる側における前記第２サブ画素の縁部、及び前記第１サブ画素から離れる側における前記第３サブ画素の縁部は、前記第１の側と極めて近接して配置され、前記第１サブ画素から離れる側における前記第２及び第３サブ画素の縁部と前記第１の側との垂直距離は、前記第２及び第３サブ画素から離れる側における前記第１サブ画素の縁部と前記第３の側との垂直距離より小さく、
   前記第２画素において、前記第１サブ画素から離れる側における前記第２サブ画素の縁部、及び前記第１サブ画素から離れる側における前記第３サブ画素の縁部は、前記第３の側と極めて近接して配置され、前記第１サブ画素から離れる側における前記第２及び第３サブ画素の縁部と前記第３の側との垂直距離は、前記第２及び第３サブ画素から離れる側における前記第１サブ画素の縁部と前記第１の側との垂直距離より小さい、画素配列構造。
2. 前記第１画素及び前記第２画素の各々における前記第２サブ画素及び前記第３サブ画素は同一行に位置する、請求項１に記載の画素配列構造。
3. 前記第１画素における前記第１サブ画素は、前記第１画素の中心領域に位置し、前記第２画素おける前記第１サブ画素は、前記第２画素の中心領域に位置する、請求項１に記載の画素配列構造。
4. 前記第１画素における前記第２サブ画素及び前記第３サブ画素は、前記第１画素の縁部領域に位置し、前記第２画素における前記第２サブ画素及び前記第３サブ画素は、前記第２画素の縁部領域に位置する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の画素配列構造。
5. 前記第１画素において、前記第１サブ画素は前記第３の側と前記第２及び第３サブ画素との間の領域に配置され、
   前記第２画素において、前記第１サブ画素は前記第１の側と前記第２及び第３サブ画素との間の領域に配置される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の画素配列構造。
6. 前記第１画素において、前記第１サブ画素から離れる側における前記第２サブ画素の縁部、及び前記第１サブ画素から離れる側における前記第３サブ画素の縁部は、前記第１の側と重なり、
   前記第２画素において、前記第１サブ画素から離れる側における前記第２サブ画素の縁部、及び前記第１サブ画素から離れる側における前記第３サブ画素の縁部は、前記第３の側と重なる、請求項５に記載の画素配列構造。
7. 前記第１画素において、前記第１サブ画素の中心から前記第３の側までの垂直距離が前記第１サブ画素の中心から前記第１の側までの垂直距離より小さく、
   前記第２画素において、前記第１サブ画素の中心から前記第１の側までの垂直距離が前記第１サブ画素の中心から前記第３の側までの垂直距離より小さい、請求項１〜６のいずれか一項に記載の画素配列構造。
8. 前記第１画素及び前記第２画素の各々において、前記第２サブ画素及び前記第３サブ画素に隣接する前記第１サブ画素の縁部が第２直線と極めて近接して配置され、前記第２直線は、前記行方向に平行であり、前記第１の側及び前記第３の側までの垂直距離が等しい、請求項１〜７のいずれか一項に記載の画素配列構造。
9. 前記第１画素及び第２画素の各々において、前記第２サブ画素及び前記第３サブ画素に隣接する前記第１サブ画素の前記縁部は前記第２直線と重なる、請求項８に記載の画素配列構造。
10. 同一画素の前記第１サブ画素、前記第２サブ画素及び前記第３サブ画素は二等辺三角分布をなす、請求項１〜９のいずれか一項に記載の画素配列構造。
11. 前記第１画素及び前記第２画素の各々は、長方形又は正方形の画素である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の画素配列構造。
12. 前記第１画素及び前記第２画素の各々において、前記第２サブ画素及び前記第３サブ画素は前記行方向において前記長方形又は正方形の画素の２つの角部付近に位置し、前記第２サブ画素の２つの隣接する垂直縁部及び前記第３サブ画素の２つの隣接する垂直縁部が前記長方形又は正方形の画素の２つの隣接する垂直縁部とそれぞれ極めて近接して配置される、請求項１１に記載の画素配列構造。
13. 前記第２サブ画素の前記２つの隣接する垂直縁部及び前記第３サブ画素の前記２つの隣接する垂直縁部は、前記長方形又は正方形の画素の前記２つの隣接する垂直縁部とそれぞれ重なる、請求項１２に記載の画素配列構造。
14. 列方向において互いに隣接する前記第１画素及び前記第２画素は鏡面対称である、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の画素配列構造。
15. 前記第１画素における前記第２サブ画素及び前記第３サブ画素は、前記第１画素に隣接する前記第２画素における前記第２サブ画素及び前記第３サブ画素とそれぞれ前記列方向において隣接する、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の画素配列構造。
16. 前記隣接する第２サブ画素又は前記隣接する第３サブ画素の少なくとも一対が統合される、請求項１５に記載の画素配列構造。
17. 請求項１〜１６のいずれか一項に記載の画素配列構造を含む表示基板。
18. 第１の側及び前記第１の側の反対側である第３の側を有する第１画素と、
    第１の側及び前記第１の側の反対側である第３の側を有する第２画素と、を含み、
    前記第１画素及び前記第２画素は、第１サブ画素と、第２サブ画素と、第３サブ画素と、を各々含み、
    前記第１画素及び前記第２画素は、行方向及び列方向に交互に配置され、
    前記第１画素における前記第１サブ画素、前記第２サブ画素及び前記第３サブ画素は、三角分布をなし、前記第２画素における前記第１サブ画素、前記第２サブ画素及び前記第３サブ画素は、前記第１画素における前記三角分布を転倒させた三角分布をなし、
    前記第１画素及び前記第２画素の各々において、前記第２及び前記第３サブ画素は、略同一行に位置し、前記第１サブ画素は、緑サブ画素であり、
    前記第１画素の第１の側が、前記列方向において前記第２画素の第３の側に隣接する、各々の第１の対の隣接する第１及び第２画素において、前記第１画素における前記第２サブ画素及び第３サブ画素がそれぞれ、前記第２画素における前記第２サブ画素及び第３サブ画素に隣接し、前記隣接する第２サブ画素又は前記隣接する第３サブ画素の少なくとも一対が、統合され、ファイン・メタル・マスク（ＦＭＭ）マスク板の１つの開口を用いて製造され、前記隣接する第２サブ画素又は前記隣接する第３サブ画素の少なくとも一対が、サブピクセルレンダリング（ＳＰＲ）アルゴリズムで駆動され、前記第１画素及び第２画素によって共有される、表示基板。
19. 前記第２画素の第１の側が、前記列方向において前記第１画素の第３の側に隣接する、各々の第２の対の隣接する第１及び第２画素において、前記第１画素における第１サブ画素及び前記第２画素における第１サブ画素が、前記ＦＭＭマスク板の１つの開口を用いて製造される、請求項１８に記載の表示基板。
20. 前記第２の対の隣接する第１及び第２画素における第１の垂直距離が、前記第１の対の隣接する第１及び第２画素における第２の垂直距離、及び／又は、前記第１の対の隣接する第１及び第２画素における第３の垂直距離より大きく、
    前記第２の対の隣接する第１及び第２画素において、前記第１の垂直距離が、前記第２画素の第１の側に近い前記第２画素における第１サブ画素の縁部から、前記第１画素の第３の側に近い前記第１画素における第１サブ画素の縁部までであり、
    前記第１の対の隣接する第１及び第２画素において、前記第２の垂直距離が、前記第１画素の第１の側に近い前記第１画素における第２サブ画素の縁部から、前記第２画素の第３の側に近い前記第２画素における第２サブ画素の縁部までであり、
    前記第１の対の隣接する第１及び第２画素において、前記第３の垂直距離が、前記第１画素の第１の側に近い前記第１画素における第３サブ画素の縁部から、前記第２画素の第３の側に近い前記第２画素における第３サブ画素の縁部までである、請求項１９に記載の表示基板。

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