JP6831093B2 - Mg基複合材とその製造方法および摺動部材 - Google Patents
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Description
本発明の摺動部材は、前記Mg基複合材を含む摺動部材であって、Mg基複合材からなる摺動面を有し、摺動面が摩擦摩耗を受けた際に、この摩擦摩耗を受けた部分にSiC粒子が再凝集して自己被膜形成能を示すと共に、摺動部材は、乾式摩擦摩耗試験によって得られる摩擦係数が0.15以下であることを特徴としている。
本発明のMg基複合材の製造方法は、前記Mg基複合材の製造方法であって、Mg粉末と、平均径0.05μm以上のSiC粉末とを含有する混合粉末をビレット内に充填、封入する工程、であって、前記混合粉末におけるSiC粉末の含有量が、Mg粉末とSiC粉末との合計量に対して65質量%未満であり、混合粉末を充填、封入した前記ビレットに、50℃以上、550℃以下の温度で断面減少率50%以上の温間または熱間ひずみ付与加工を施す工程を含むことを特徴としている。
このMg基複合材の製造方法は、温間または熱間ひずみ付与加工が、押出加工、鍛造加工、圧延加工、または引抜加工であることが好ましい。
<Mg粉末およびSiC粉末の平均径>
レーザー回折・散乱式粒度分布測定装置を用いて、レーザー回折・散乱法による粒度分布の測定値から、累積分布によるメディアン径(d50、体積基準)を平均径とする。
<SiC粒子の平均径>
個々の粒子の粒径は、SEMまたは光学顕微鏡で観察した像より、D=(L1+L2)/2(ただし、Dは粒径、L1は粒子の長径、L1は粒子の短径を示す。)の式を用いて求める。
平均径は、SEMまたは光学顕微鏡で観察した像より、100個以上の粒子を抽出して個々の粒子の粒径を上記式より求め、その平均値を算出する。
<Mg母相の結晶粒サイズ>
JIS H 0542:2008「マグネシウム合金圧延板の結晶粒度試験方法」記載の切片法により測定、算出する。
本発明に使用される粉末は、Mg粉末およびSiC粉末を含む。
Mg粉末は、純マグネシウムからなり、粉末粒子の密度が1.74である。Mg粉末の平均径は、1μm以上であることが好ましい。粉末径が1μm以上であると、Mgは酸素との反応性が高いため、Mgと添加粉末との混合中に発熱し、発火する危険性を低減でき、作業工程の安全性を高めることができる。Mg粉末は、通常の粉末の他、フライス加工や旋盤加工に代表される機械加工によってMgバルク材から生じる切削粉であってもよく、これらも本明細書では広義にMg粉末と表現する。Mg粉末の平均径の上限は、特に限定されないが、Mg粉末同士の結合・焼結を考慮すると1000μm以下が好ましい。
混合粉末を温間または熱間ひずみ付与加工用ビレットに充填する。代表的なビレットの概略を図1に示す。ビレットに用いる材質(素材)は、MgやMg合金などの温間または熱間ひずみ付与加工ができる金属材料であることが好ましい。勿論、MgやMg合金以外の金属材料、例えば、AlやAl合金であってもよい。
温間または熱間ひずみ付与加工の目的は、Mg粉末が結合・焼結し、健全なMg母相にすることと、SiC粉末をSiC粒子としてMg母相内に偏析することなく均質に分散することである。温間または熱間加工の温度は、50℃以上、550℃以下が好ましい。加工温度が50℃未満であると、加工温度が低いため、Mg粉末同士が結合・焼結しない場合がある。また、ビレットに用いた金属材料が加工中に割れてしまい健全な複合材を作製することができない場合がある。加工温度が550℃を超えると、Mg粉末が高温に曝されるため、酸化物(MgO)の形成が懸念される。また、押出加工の金型寿命の低下の原因となり得る。
本発明のMg基複合材の微細組織について説明する。Mg粉末は、温間または熱間ひずみ付与加工中に結合・焼結し、Mg母相を形成するが、Mg基複合材の強度特性を維持するために、Mg母相の大きさ、すなわち結晶粒サイズは、200μm以下であることが好ましく、100μm以下であることがより好ましく、50μm以下であることが更に好ましい。結晶粒サイズが200μmより粗大な場合、素材に占める結晶粒界の割合が少ないため、転位運動が結晶粒界によって阻害されず、強度特性を改善することが難しい。
<実施例1>
市販の純Mg粉末(粉末径180μm)と、市販のSiC粉末(粉末径2〜3μm)を用いた。SiC粉末の質量は、SiC粉末とMg粉末の混合粉末の質量に対して、17%、25%、32%(Mg基複合材のMg母相に分散するSiC粒子の面積率10%、15%、20%に相当)となるようにそれぞれ秤量し、乳鉢内にて、Mg粉末と乾式混合した。MgとSiCの混合粉末を充填するために、外径40mm、長さ70mmからなる市販のMg合金(Mg‐3Al‐1Zn;AZ31)材を使用し、機械加工にて内径20mm、深さ55mmの穴を開け、図1に示すコップ型形状からなる押出ビレットを作製した。前記混合粉を押出ビレット内に充填した後、直径20mm、厚さ5mmからなるMg合金(AZ31)材を用いて密閉した。その後、250℃に設定したコンテナ内で30分間以上保持した後、押出比16:1にて押出による熱間ひずみ付与加工を行い、直径10mmで長さ500mm以上の形状からなる押出材(以下、Mg基押出複合材と称する。)を作製した。表1に、各Mg基押出複合材の創製条件をまとめている。図2にMg基押出複合材の外観および断面写真を示す。外観写真から、表面にはき裂や欠陥などがなく、健全な長尺材の創製が確認できる。また、断面観察から、外周部は、Mg合金(AZ31)からなり、内部は、MgとSiCからなる複合材によって作製されていることが分かる。
市販のSiC粉末(粉末径130nm)で、SiC粉末の質量がSiC粉末とMg粉末の混合粉末の質量に対して17%(Mg基複合材のMg母相に分散するSiC粒子の面積率10%に相当)であること以外は、実施例1と全く同じ手順で、混合粉末を作製し、混合粉末をビレットに充填した後、押出加工を行った。平均結晶粒サイズや硬度特性、摩擦摩耗特性の結果について表1にまとめている。混合粉末のSiC粉末径が微細であっても、実施例1と同様に、優れた摩擦摩耗特性を示すことが確認できる。
SiC粉末を用いなかったこと以外は、実施例と全く同じ手順で、Mg粉末をビレットに充填し、押出加工を行った。以下、得られた試料はMg基押出材と称する。
市販のSiC粉末(粉末径20nm)で、SiC粉末の質量がSiC粉末とMg粉末の混合粉末の質量に対して17%(Mg基複合材のMg母相に分散するSiC粒子の面積率10%に相当)であること以外は、実施例1と全く同じ手順で混合粉末を作製し、混合粉末をビレットに充填した後、押出加工を行った。以下、得られた試料は、Mg基押出複合材比較例と称する。
Claims (8)
- SiC粒子の含有量が65質量%未満、残部をMg及び不可避的不純物とする組成を有し、
前記Mg基複合材の金属組織において平均径0.05μm以上のSiC粒子がMg母相中に分散すると共に、前記Mg母相の結晶粒サイズが200μm以下であり、
摩擦摩耗を受けた際に、この摩擦摩耗を受けた部分に前記SiC粒子が再凝集して自己被膜形成能を示すと共に、乾式摩擦摩耗試験によって得られる摩擦係数が0.15以下であるMg基複合材。 - 前記Mg母相の結晶粒サイズが50μm以下である請求項1に記載のMg基複合材。
- 前記SiC粒子の含有量が50質量%未満である請求項1または2に記載のMg基複合材。
- 前記SiC粒子の平均径が0.1μm以上100μm以下である請求項1乃至3の何れか1項に記載のMg基複合材。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載のMg基複合材を含む摺動部材であって、
前記Mg基複合材からなる摺動面を有し、
前記摺動面が摩擦摩耗を受けた際に、この摩擦摩耗を受けた部分に前記SiC粒子が再凝集して自己被膜形成能を示すと共に、乾式摩擦摩耗試験によって得られる摩擦係数が0.15以下である摺動部材。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載のMg基複合材の製造方法であって、
Mg粉末と、平均径0.05μm以上のSiC粉末とを含有する混合粉末をビレット内に充填、封入する工程、であって、前記混合粉末におけるSiC粉末の含有量が、Mg粉末とSiC粉末との合計量に対して65質量%未満であり、
前記混合粉末を充填、封入した前記ビレットに、50℃以上、550℃以下の温度で断面減少率50%以上の温間または熱間ひずみ付与加工を施す工程を含む、Mg基複合材の製造方法。 - 前記温間または熱間ひずみ付与加工を施す工程は、前記混合粉末を充填、封入した前記ビレットに、50℃以上、250℃以下の温度で断面減少率50%以上の温間または熱間ひずみ付与加工を施す、請求項6に記載のMg基複合材の製造方法。
- 前記温間または熱間ひずみ付与加工が、押出加工、鍛造加工、圧延加工、または引抜加工である請求項6または7に記載のMg基複合材の製造方法。
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