JP6827033B2 - 磁気抵抗リレー - Google Patents
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Description
または、磁気抵抗リレーの動作モードが二極動作モードである場合、スイッチ集積回路は、励起コイルの順方向電流がIonより大きい場合にのみオフ状態からオン状態に切り換え、スイッチ集積回路は、励起コイルの順方向電流がIoffより小さい場合にのみオン状態からオフ状態に切り換え、
または、磁気抵抗リレーの動作モードが単極動作モードである場合、スイッチ集積回路は、励起コイルの順方向電流がIonより大きい場合にのみオフ状態からオン状態に切り換え、スイッチ集積回路は、励起コイルの逆方向電流がIoffより大きい場合にのみオン状態からオフ状態に切り換え、
または、磁気抵抗リレーの動作モードが両極動作モードである場合、スイッチ集積回路は、励起コイルの順方向電流がIon1より大きい場合にオフ状態からオン状態に切り換え、かつスイッチ集積回路は、励起コイルの順方向電流がIoff1より小さい場合にオン状態からオフ状態に切り換えるか、あるいは、スイッチ集積回路は、励起コイルの逆方向電流が-Ion1より大きい場合にオフ状態からオン状態に切り換え、かつスイッチ集積回路は、励起コイルの逆方向電流が-Ioff1より小さい場合にオン状態からオフ状態に切り換える。
Claims (12)
- 基板、前記基板上に配置された磁気励磁コイル、磁気抵抗センサおよびスイッチ集積回路を備え、励起信号入力電極、励起信号出力電極、スイッチ回路プラス出力電極、スイッチ回路マイナス出力電極、電力入力電極および接地電極をさらに備え、前記磁気励磁コイルの端は各々、前記励起信号入力電極および前記励起信号出力電極と接続され、前記磁気抵抗センサからの信号は、前記スイッチ集積回路に送出され、前記スイッチ回路プラス出力電極および前記スイッチ回路マイナス出力電極はそれぞれ、前記スイッチ集積回路と接続され、前記スイッチ集積回路および前記磁気抵抗センサの電力入力端および接地端はそれぞれ、前記電力入力電極および前記接地電極と接続され、動作中、前記磁気励磁コイルからの磁場は、オン/オフ信号を提供し、この信号は、前記磁気抵抗センサの磁気抵抗効果を変化させるために使用され、前記スイッチ集積回路は、前記磁気抵抗センサからの信号を受け取り、これから外部出力切り換え操作が実現され、
前記磁気励磁コイルは、平面コイルであり、
前記平面コイルは、交互に配列されたN個の細長い一直線のワイヤ1および細長い一直線のワイヤ2を備え、前記細長い一直線のワイヤ1および前記細長い一直線のワイヤ2は、互いに平行であり、任意の2つの隣接する細長い一直線のワイヤは、同じ間隔だけ分離され、隣接する細長い一直線のワイヤ1および細長い一直線のワイヤ2の端は直列に接続され、前記細長い一直線のワイヤ1および前記細長い一直線のワイヤ2は、同じサイズを有するが反対の電流方向を有する、磁気抵抗リレー。 - 前記磁気抵抗センサは、TMR、GMRまたはAMR磁気抵抗センサである、請求項1に記載の磁気抵抗リレー。
- 前記磁気抵抗センサは、基準ブリッジ磁気抵抗センサまたはプッシュプルブリッジ磁気抵抗センサである、請求項2に記載の磁気抵抗リレー。
- 前記基準ブリッジ磁気抵抗センサまたは前記プッシュプルブリッジ磁気抵抗センサは、フルブリッジ、ハーフブリッジまたは基準ブリッジ構造のものである、請求項3に記載の磁気抵抗リレー。
- 前記プッシュプルブリッジ磁気抵抗センサは、プッシュ磁気抵抗検知ユニットストリングおよびプル磁気抵抗検知ユニットストリングを備え、前記プッシュ磁気抵抗検知ユニットストリングおよび前記プル磁気抵抗検知ユニットストリングは、前記細長い一直線のワイヤ1および前記細長い一直線のワイヤ2の上または下に交互に配置される、請求項4に記載の磁気抵抗リレー。
- 前記基準ブリッジ磁気抵抗センサは、基準磁気抵抗検知ユニットストリングおよび高感度磁気抵抗検知ユニットストリングを備え、前記基準磁気抵抗検知ユニットストリングは、前記隣接する細長い一直線のワイヤ1および細長い一直線のワイヤ2の中央位置の真上または真下に配置され、前記高感度磁気抵抗検知ユニットストリングは、前記細長い一直線のワイヤ1または細長い一直線のワイヤ2の真上または真下に配置される、請求項4に記載の磁気抵抗リレー。
- 磁気遮蔽層をさらに備え、前記磁気抵抗センサは、前記磁気遮蔽層と前記磁気励磁コイルとの間に配置される、請求項1から6のいずれかに記載の磁気抵抗リレー。
- 前記磁気抵抗リレーの動作モードがシングルポイント動作モードである場合、前記スイッチ集積回路は、前記磁気励磁コイルの順方向電流がIon-offより大きい場合にのみオフ状態からオン状態に切り換え、前記スイッチ集積回路は、前記磁気励磁コイルの順方向電流がIon-offより小さい場合にのみオン状態からオフ状態に切り換え、
または、前記磁気抵抗リレーの動作モードが二極動作モードである場合、前記スイッチ集積回路は、前記磁気励磁コイルの順方向電流がIonより大きい場合にのみオフ状態からオン状態に切り換え、前記スイッチ集積回路は、前記磁気励磁コイルの順方向電流がIoffより小さい場合にのみオン状態からオフ状態に切り換え、
または、前記磁気抵抗リレーの動作モードが単極動作モードである場合、前記スイッチ集積回路は、前記磁気励磁コイルの順方向電流がIonより大きい場合にのみオフ状態からオン状態に切り換え、前記スイッチ集積回路は、前記磁気励磁コイルの逆方向電流がIoffより大きい場合にのみオン状態からオフ状態に切り換え、
または、前記磁気抵抗リレーの動作モードが両極動作モードである場合、前記スイッチ集積回路は、前記磁気励磁コイルの順方向電流がIon1より大きい場合にオフ状態からオン状態に切り換え、かつ前記スイッチ集積回路は、前記磁気励磁コイルの順方向電流がIoff1より小さい場合にオン状態からオフ状態に切り換えるか、あるいは、前記スイッチ集積回路は、前記磁気励磁コイルの逆方向電流が-Ion1より大きい場合にオフ状態からオン状態に切り換え、かつ前記スイッチ集積回路は、前記磁気励磁コイルの逆方向電流が-Ioff1より小さい場合にオン状態からオフ状態に切り換える、請求項1に記載の磁気抵抗リレー。 - 前記スイッチ集積回路は、ローパスフィルタ、増幅器、コンパレータ、ドライブラッチ制御回路およびMOSFETチューブを備え、前記ローパスフィルタは、前記磁気抵抗センサの出力信号と接続され、前記増幅器は、前記ローパスフィルタと接続され、前記コンパレータは、前記増幅器と接続され、前記コンパレータの出力結果は、前記ドライブラッチ制御回路に伝送され、前記ドライブラッチ制御回路は、前記MOSFETチューブのオン/オフをドライブし、前記MOSFETは、外部回路と接続される、請求項1に記載の磁気抵抗リレー。
- 2つのMOSFETチューブを有し、前記2つのMOSFETチューブのゲートは相互接続され、前記MOSFETチューブのうちの1つのソースは、他のMOSFETチューブのドレインと相互接続され、前記2つの相互接続されたゲートは、それぞれ前記ドライブラッチ制御回路と接続され、前記2つのMOSFETチューブの残りのソースおよびドレイン端は、前記外部回路と接続される、請求項9に記載の磁気抵抗リレー。
- 基板、前記基板上に配置された磁気励磁コイル、磁気抵抗センサおよびスイッチ集積回路を備え、励起信号入力電極、励起信号出力電極、スイッチ回路プラス出力電極、スイッチ回路マイナス出力電極、電力入力電極および接地電極をさらに備え、前記磁気励磁コイルの端は各々、前記励起信号入力電極および前記励起信号出力電極と接続され、前記磁気抵抗センサからの信号は、前記スイッチ集積回路に送出され、前記スイッチ回路プラス出力電極および前記スイッチ回路マイナス出力電極はそれぞれ、前記スイッチ集積回路と接続され、前記スイッチ集積回路および前記磁気抵抗センサの電力入力端および接地端はそれぞれ、前記電力入力電極および前記接地電極と接続され、動作中、前記磁気励磁コイルからの磁場は、オン/オフ信号を提供し、この信号は、前記磁気抵抗センサの磁気抵抗効果を変化させるために使用され、前記スイッチ集積回路は、前記磁気抵抗センサからの信号を受け取り、これから外部出力切り換え操作が実現され、
前記磁気抵抗センサは、基準ブリッジ磁気抵抗センサまたはプッシュプルブリッジ磁気抵抗センサであり、
前記磁気励磁コイルは、三次元コイルであり、
前記三次元コイルは、ソレノイドコイルであり、前記基準ブリッジ磁気抵抗センサは、基準磁気抵抗検知ユニットストリングおよび高感度磁気抵抗検知ユニットストリングを備え、前記基準磁気抵抗検知ユニットストリングおよび前記高感度磁気抵抗検知ユニットストリングは、前記ソレノイドコイルの軸に沿って別個に配置される、磁気抵抗リレー。 - 基板、前記基板上に配置された磁気励磁コイル、磁気抵抗センサおよびスイッチ集積回路を備え、励起信号入力電極、励起信号出力電極、スイッチ回路プラス出力電極、スイッチ回路マイナス出力電極、電力入力電極および接地電極をさらに備え、前記磁気励磁コイルの端は各々、前記励起信号入力電極および前記励起信号出力電極と接続され、前記磁気抵抗センサからの信号は、前記スイッチ集積回路に送出され、前記スイッチ回路プラス出力電極および前記スイッチ回路マイナス出力電極はそれぞれ、前記スイッチ集積回路と接続され、前記スイッチ集積回路および前記磁気抵抗センサの電力入力端および接地端はそれぞれ、前記電力入力電極および前記接地電極と接続され、動作中、前記磁気励磁コイルからの磁場は、オン/オフ信号を提供し、この信号は、前記磁気抵抗センサの磁気抵抗効果を変化させるために使用され、前記スイッチ集積回路は、前記磁気抵抗センサからの信号を受け取り、これから外部出力切り換え操作が実現され、
前記磁気抵抗センサは、基準ブリッジ磁気抵抗センサまたはプッシュプルブリッジ磁気抵抗センサであり、
前記磁気励磁コイルは、三次元コイルであり、
前記三次元コイルは、直列に接続された2つのソレノイドコイルを備え、前記2つのソレノイドコイルは、反対の巻き方向を有し、前記プッシュプルブリッジ磁気抵抗センサは、プッシュ磁気抵抗検知ユニットストリングおよびプル磁気抵抗検知ユニットストリングを備え、前記プッシュ磁気抵抗検知ユニットストリングおよび前記プル磁気抵抗検知ユニットストリングは、前記2つのソレノイドコイルの軸に沿って別個に配置される、磁気抵抗リレー。
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