JP6826764B2 - ガス遮断・放出機構 - Google Patents
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Description
ＨＰＡＬの硫化反応工程において、その工程内で使用する硫化反応槽内の液面レベルを監視する計装機器、具体的にはマイクロウェーブ式レベル計の不具合が発生した場合に、連続運転しながらでも、レベル計の交換、修理を可能とするガス遮断・放出機構に関する。
ＨＰＡＬ技術を用いた低品位Ｎｉ鉱の製錬では、その製造工程内で硫化水素ガスとニッケル水溶液の反応によりミックスサルファイド（以下、ＭＳと称す場合もある）が製造される。
その製造工程に含まれる硫化反応工程では、密閉容器の硫化反応槽を複数、例えば４基（図２には、その一部の第１反応槽Ｒ１及び第２反応槽Ｒ２を示す）が直列に配置され、それぞれの硫化反応槽（例えば、第１反応槽Ｒ１）には、その液面監視用マイクロウェーブ式レベル計Ｌ１、第１反応槽圧力監視用圧力伝送器Ｐ１、硫化水素ガス監視用流量計Ｆ１ＨＳと流量調節弁Ｖ１ＨＳ、及び流量計Ｆ１ＨＳからのデータに基づき流量調節弁Ｖ１ＨＳの開閉を制御する第１反応槽流量制御器ＦＩＣ１、並びに反応槽内に第１反応槽攪拌機Ｓ１が備えられている。また、この硫化反応槽を用いた場合、その運転は定期休転期日までの半年〜１年程度を連続して行う。なお、他の反応槽においても同様の装置が設置されている。
その製造工程に含まれる硫化反応工程では、密閉容器の硫化反応槽を複数、例えば４基（図２には、その一部の第１反応槽Ｒ１及び第２反応槽Ｒ２を示す）が直列に配置され、それぞれの硫化反応槽（例えば、第１反応槽Ｒ１）には、その液面監視用マイクロウェーブ式レベル計Ｌ１、第１反応槽圧力監視用圧力伝送器Ｐ１、硫化水素ガス監視用流量計Ｆ１ＨＳと流量調節弁Ｖ１ＨＳ、及び流量計Ｆ１ＨＳからのデータに基づき流量調節弁Ｖ１ＨＳの開閉を制御する第１反応槽流量制御器ＦＩＣ１、並びに反応槽内に第１反応槽攪拌機Ｓ１が備えられている。また、この硫化反応槽を用いた場合、その運転は定期休転期日までの半年〜１年程度を連続して行う。なお、他の反応槽においても同様の装置が設置されている。
ここで、この工程における液移送は、それぞれの反応槽の間の圧力差を用いて行われ、反応槽の間、例えば図２に示す第１反応槽Ｒ１と第２反応槽Ｒ２間には、主圧力弁Ｖ１と微調整用の圧力調節弁Ｖ１Ｐが配置されている。圧力調節弁Ｖ１Ｐが開くと反応槽の間でガスが移送され、その際に反応槽のガス量が増減するので液体にかかる圧力が変化し、液移送の速度が変化する。このように、圧力調節弁Ｖ１Ｐは各反応槽の液面レベルの調整にも用いることができる。
なお、図２において、ＬＩＣ１はレベル計Ｌ１からの出力を取込み、第１反応槽の液面レベルに応じて圧力調節弁Ｖ１Ｐを開閉して液面レベルを制御する第１レベル制御器、Ｓｆは硫化反応槽内の液表面、Ｌ２は第２反応槽Ｒ２に備付の液面監視用マイクロウェーブ式レベル計、ＦＩＣ２は第２反応槽流量制御器、Ｐ２は第２反応槽圧力監視用圧力伝送器、Ｆ２ＨＳは第２反応槽硫化水素ガス監視用流量計、Ｖ２ＨＳは第２反応槽流量調節弁、Ｓ２は第２反応槽攪拌機、Ｖ１とＶ２は主圧力弁、Ｖ２Ｐは圧力調節弁、ＬＩＣ２は第２レベル制御器、Ｒ３は第３硫化反応槽である。
なお、図２において、ＬＩＣ１はレベル計Ｌ１からの出力を取込み、第１反応槽の液面レベルに応じて圧力調節弁Ｖ１Ｐを開閉して液面レベルを制御する第１レベル制御器、Ｓｆは硫化反応槽内の液表面、Ｌ２は第２反応槽Ｒ２に備付の液面監視用マイクロウェーブ式レベル計、ＦＩＣ２は第２反応槽流量制御器、Ｐ２は第２反応槽圧力監視用圧力伝送器、Ｆ２ＨＳは第２反応槽硫化水素ガス監視用流量計、Ｖ２ＨＳは第２反応槽流量調節弁、Ｓ２は第２反応槽攪拌機、Ｖ１とＶ２は主圧力弁、Ｖ２Ｐは圧力調節弁、ＬＩＣ２は第２レベル制御器、Ｒ３は第３硫化反応槽である。
反応槽へは、ニッケル水溶液の濃度に応じて硫化水素ガスが吹き込まれるが、これに伴い反応槽内の圧力変動が発生し、反応槽の液面レベルも変動する。
これに対して反応条件管理や攪拌機の保護という観点から液面レベルを適正に保つ必要があり、その液面レベルの監視には、使用するレベル計を含め、その監視系統には高い信頼性が必要とされる。
これに対して反応条件管理や攪拌機の保護という観点から液面レベルを適正に保つ必要があり、その液面レベルの監視には、使用するレベル計を含め、その監視系統には高い信頼性が必要とされる。
通常、液面レベルの監視には、マイクロウェーブ式レベル計が使用されている。即ち、マイクロウェーブ式レベル計は、レベル計に備付のアンテナから発信されたマイクロ波が、計測物の表面（本発明では硫化反応槽に貯留したニッケル水溶液の液面）にて反射され、反射パルスとしてアンテナで受信されるまでの往復伝播時間を測定して、液面までの距離を求めるものであり、非接触で測定できるという特徴以外に、高温・高圧の環境下や真空中でも測定が可能、さらに測定対象物周辺に存在する気体や蒸気の圧力・温度の影響をほとんど受けないなどといった特徴がある。
この特徴から硫化反応槽の液面レベル測定にもマイクロウェーブ式レベル計が採用されている。
この特徴から硫化反応槽の液面レベル測定にもマイクロウェーブ式レベル計が採用されている。
ところで、この硫化反応槽およびその液面レベル測定には以下に述べるような問題がある。
［硫化水素ガスに含まれる硫黄粉によるレベル計指示不良の発生］
即ち、硫化反応槽へ吹き込まれる硫化水素ガスには、そのガス製造プロセス由来の硫黄成分が含まれていることがある。また、硫化水素ガスはニッケル水溶液中の硫酸イオンによって酸化されて硫黄を生じる。そこで、このような硫黄成分は、操業の経過時間とともに反応槽上部、また反応槽上部に設置されているレベル計のセンサ表面全体に汚れを生じさせる。このような状態になるとレベル計は正常な反射波を検出することが困難となり、レベル計指示の固定や、指示の振れが発生するなどの不具合を招く。このような場合、レベル計を取り外して清掃する以外に機能回復の方法がない。
［硫化水素ガスに含まれる硫黄粉によるレベル計指示不良の発生］
即ち、硫化反応槽へ吹き込まれる硫化水素ガスには、そのガス製造プロセス由来の硫黄成分が含まれていることがある。また、硫化水素ガスはニッケル水溶液中の硫酸イオンによって酸化されて硫黄を生じる。そこで、このような硫黄成分は、操業の経過時間とともに反応槽上部、また反応槽上部に設置されているレベル計のセンサ表面全体に汚れを生じさせる。このような状態になるとレベル計は正常な反射波を検出することが困難となり、レベル計指示の固定や、指示の振れが発生するなどの不具合を招く。このような場合、レベル計を取り外して清掃する以外に機能回復の方法がない。
［レベル計指示不良時の反応槽の液面レベルの監視不全］
硫化反応槽には、硫化水素ガスが吹き込まれており、内部の圧力変動よって、反応槽の液面レベルも変動する。硫化反応槽にはマイクロウェーブ式レベル計が１台取り付けられているが、この１台が機能しなくなると、反応槽内の液面レベルを監視できず、運転の継続が困難となる問題がある。
硫化反応槽には、硫化水素ガスが吹き込まれており、内部の圧力変動よって、反応槽の液面レベルも変動する。硫化反応槽にはマイクロウェーブ式レベル計が１台取り付けられているが、この１台が機能しなくなると、反応槽内の液面レベルを監視できず、運転の継続が困難となる問題がある。
［レベル計指示不良時における点検・補修の困難性］
硫化反応槽は密閉型の反応容器であり、内部には反応用の硫化水素ガスが常に吹き込まれている。そこで、レベル計の点検・補修にあたっては、安全の観点から通常大気圧までの減圧、さらに内部の残留硫化水素ガスを除去する作業が事前の段取りとして必要となる。さらにレベル計を取り外してタンクを開放することとなる為、硫化反応工程を停止しなければならない。
硫化反応槽は密閉型の反応容器であり、内部には反応用の硫化水素ガスが常に吹き込まれている。そこで、レベル計の点検・補修にあたっては、安全の観点から通常大気圧までの減圧、さらに内部の残留硫化水素ガスを除去する作業が事前の段取りとして必要となる。さらにレベル計を取り外してタンクを開放することとなる為、硫化反応工程を停止しなければならない。
本発明は、このような問題が生じる状況を解決するためになされたものであり、硫化反応槽に取り付けられているマイクロウェーブ式レベル計の指示不良が発生しても、硫化反応工程の操業を停止することなく、さらに操業を継続しながらも、レベル計のメンテナンスを可能とする硫化反応槽の管理設備を提供する。
本発明は、液面レベルの監視系統において、使用するレベル計を二重化し、さらに操業中であっても硫化反応槽とレベル計との間を、物質の流出入を遮断できる構造とすることで、１台のレベル計にて不具合が発生した場合でも、もう１台のレベル計にて液面レベルを測定して操業を継続し、一方不具合のあるレベル計についても取り外し点検、補修、交換が可能となる。
したがって、オンラインメンテナンスを可能とするシステムの構築が可能となり、上記課題が解決できることを見出し、本発明の完成に至った。
したがって、オンラインメンテナンスを可能とするシステムの構築が可能となり、上記課題が解決できることを見出し、本発明の完成に至った。
即ち、本発明の第１の発明は、ガス流出側配管と、前記ガス流出側配管の一方の端部に直列に順に連結して接続された２基の開閉弁ＡＶＵ、ＡＶＬと、前記開閉弁ＡＶＬのガス流入側に一方の端部が連結して接続されたガス流入側配管と、
前記ガス流出側配管から分岐した配管と、前記分岐した配管の端部に備わるベント開閉弁ＶａとベントノズルＶｎとで構成され、
前記ガス流出側配管、前記２基の開閉弁ＡＶＵ、ＡＶＬ、およびガス流入側配管が、ガス流入側とガス流出側間で直線状の空間を内部に保有し、前記ガス流入側配管の他方の端部と連結した槽の前記槽内部に貯留された液体の液面レベルを測定するマイクロウェーブ式レベル計が、前記ガス流出側配管の他方の端部に連結されていることを特徴とするＨＰＡＬ技術を用いた低品位Ｎｉ鉱の製錬方法における硫化反応工程で使用される硫化反応槽を用いた場合におけるガス遮断・放出機構である。
前記ガス流出側配管から分岐した配管と、前記分岐した配管の端部に備わるベント開閉弁ＶａとベントノズルＶｎとで構成され、
前記ガス流出側配管、前記２基の開閉弁ＡＶＵ、ＡＶＬ、およびガス流入側配管が、ガス流入側とガス流出側間で直線状の空間を内部に保有し、前記ガス流入側配管の他方の端部と連結した槽の前記槽内部に貯留された液体の液面レベルを測定するマイクロウェーブ式レベル計が、前記ガス流出側配管の他方の端部に連結されていることを特徴とするＨＰＡＬ技術を用いた低品位Ｎｉ鉱の製錬方法における硫化反応工程で使用される硫化反応槽を用いた場合におけるガス遮断・放出機構である。
レベル計がガス遮断・放出機構を連結して設置したことにより、操業運転中でも硫化反応槽との間のガス遮断とレベル計と槽間にあるガスの放出が可能となり、レベル計に不具合が発生しても、硫化反応工程の操業を停止させることなく、安全にレベル計のオンラインメンテナンスを可能とする。即ち操業への影響を低減することができることから工業上顕著な効果を奏するものである。
ＨＰＡＬ技術における硫化反応工程で、従来使用されている硫化反応槽は２４時間の連続運転を行っており、図２に示すように第１、第２硫化反応槽Ｒ１、Ｒ２に備えつけられた液面レベル監視用レベル計Ｌ１、Ｌ２は、休転毎でしか補修・整備・交換を行うことができない。
そこで、本発明では硫化反応槽の液面レベル監視の不具合による硫化反応工程への影響を防止し、その連続操業を可能とするための硫化反応槽の管理設備を構築するもので、図３に示す構成を採っており、以下のような特徴を備えている。
図３は本発明に係る硫化反応槽コントロールイメージ図で、Ｌ１、Ｌ２は既設レベル計、Ｌ１２、Ｌ２２は本発明において新たに設けた第二のレベル計、ＳＷ１、ＳＷ２はレベルコントロール入力選択スイッチ、１０はガス遮断機構、１１はガス放出機構である。
そこで、本発明では硫化反応槽の液面レベル監視の不具合による硫化反応工程への影響を防止し、その連続操業を可能とするための硫化反応槽の管理設備を構築するもので、図３に示す構成を採っており、以下のような特徴を備えている。
図３は本発明に係る硫化反応槽コントロールイメージ図で、Ｌ１、Ｌ２は既設レベル計、Ｌ１２、Ｌ２２は本発明において新たに設けた第二のレベル計、ＳＷ１、ＳＷ２はレベルコントロール入力選択スイッチ、１０はガス遮断機構、１１はガス放出機構である。
本発明については以下の操作が可能となる。
第一に、レベル計を二重化することで、一方のレベル計の指示不良が発生した場合でも、残るもう１つの健全なレベル計により硫化反応槽の液面レベル監視を継続する操作。
第二に、不具合を生じたレベル計に関しては、当該レベル計の配管系統に配置された２基の手動弁を「閉」位置とすることで、硫化反応槽とレベル計の間のガスの流出入を遮断する操作。
第三に、当該レベル計の配管系統に配置されたガス放出機構より、配管に残留しているガス（残留ガス）を配管内から脱圧する操作。
第四に、上記第二及び第三の操作を経て、不具合を生じたレベル計を取り外し、点検整備、交換する操作。
第五に、硫化反応槽を使用する硫化反応工程を停止せずに、連続運転操業状態で上記第四の操作を実施する操作。
それらの詳細を以下に示す。
第一に、レベル計を二重化することで、一方のレベル計の指示不良が発生した場合でも、残るもう１つの健全なレベル計により硫化反応槽の液面レベル監視を継続する操作。
第二に、不具合を生じたレベル計に関しては、当該レベル計の配管系統に配置された２基の手動弁を「閉」位置とすることで、硫化反応槽とレベル計の間のガスの流出入を遮断する操作。
第三に、当該レベル計の配管系統に配置されたガス放出機構より、配管に残留しているガス（残留ガス）を配管内から脱圧する操作。
第四に、上記第二及び第三の操作を経て、不具合を生じたレベル計を取り外し、点検整備、交換する操作。
第五に、硫化反応槽を使用する硫化反応工程を停止せずに、連続運転操業状態で上記第四の操作を実施する操作。
それらの詳細を以下に示す。
［レベル計の二重化］
先ず、レベル計の二重化は、図３に示すように、既設レベル計Ｌ１、Ｌ２付近に、第二のレベル計Ｌ１２、Ｌ２２を設置する。
第二のレベル計Ｌ１２、Ｌ２２の設置位置は、発信したマイクロ波が、既設レベル計によるマイクロ波と干渉せずに受信できる位置、即ち、正確な液面レベルを測定可能な位置に設置する。
先ず、レベル計の二重化は、図３に示すように、既設レベル計Ｌ１、Ｌ２付近に、第二のレベル計Ｌ１２、Ｌ２２を設置する。
第二のレベル計Ｌ１２、Ｌ２２の設置位置は、発信したマイクロ波が、既設レベル計によるマイクロ波と干渉せずに受信できる位置、即ち、正確な液面レベルを測定可能な位置に設置する。
このようにレベル計を二重化した場合のレベル計のコントロールループを図４に示す。図４は第１反応槽Ｒ１におけるもので、Ｌ１は既設レベル計、Ｌ１２は新設の第二のレベル計、ＳＷ１はレベルコントロール入力選択スイッチ、Ｖ１Ｐは圧力調節弁、ＬＩＣ１はレベル制御器である。
レベル制御器ＬＩＣ１は、レベル計（Ｌ１、Ｌ１２）からのマイクロ波の受信データを用いて開閉信号を発生し、この開閉信号を圧力調節弁Ｖ１Ｐに送信して開閉させ、もって液面レベルの調整を行うものである。このような液面レベルの調整は、例えばＰＩＤ制御で行われる。
どちらかのレベル計の不具合を検出した場合、正常なレベル計からの受信データのみを用いるように切り替えることが望ましい。受信データに基づいて不具合の検出が可能な場合は、レベル制御器ＬＩＣ１がこの切り替え機能を備えてもよい。
レベル制御器ＬＩＣ１は、レベル計（Ｌ１、Ｌ１２）からのマイクロ波の受信データを用いて開閉信号を発生し、この開閉信号を圧力調節弁Ｖ１Ｐに送信して開閉させ、もって液面レベルの調整を行うものである。このような液面レベルの調整は、例えばＰＩＤ制御で行われる。
どちらかのレベル計の不具合を検出した場合、正常なレベル計からの受信データのみを用いるように切り替えることが望ましい。受信データに基づいて不具合の検出が可能な場合は、レベル制御器ＬＩＣ１がこの切り替え機能を備えてもよい。
［連続操業運転システムの構築］
レベル計の硫化反応槽への取付に際しては、不具合を生じたレベル計の取り外し、点検整備、交換などのメンテナンスが連続操業運転状態で可能なように、図５に示すように、レベル計Ｌを硫化反応槽Ｒに直に取り付けずに、ガス流出側配管Ｐｏ、２基の開閉弁ＡＶＵ、ＡＶＬ、ガス流入側配管Ｐｉを順に直列に連結、接続することで、ガス流入側とガス流出側間で直線状の空間を内部に保有する構成のガス遮断機構１０を、レベル計Ｌと硫化反応槽Ｒ間に、それぞれのレベル計ごとに設ける。
レベル計の硫化反応槽への取付に際しては、不具合を生じたレベル計の取り外し、点検整備、交換などのメンテナンスが連続操業運転状態で可能なように、図５に示すように、レベル計Ｌを硫化反応槽Ｒに直に取り付けずに、ガス流出側配管Ｐｏ、２基の開閉弁ＡＶＵ、ＡＶＬ、ガス流入側配管Ｐｉを順に直列に連結、接続することで、ガス流入側とガス流出側間で直線状の空間を内部に保有する構成のガス遮断機構１０を、レベル計Ｌと硫化反応槽Ｒ間に、それぞれのレベル計ごとに設ける。
さらに、この２基の開閉弁（ＡＶＵ，ＡＶＬ）によるガス遮断機構１０とレベル計Ｌの中間のガス流出側配管Ｐｏから分岐して図５に示すガス放出機構１１を備える。このガス放出機構１１を設けることで、ガス遮断機構１０とレベル計Ｌ間の配管内の残留ガスを外部に排出するもので、メンテナンス作業の安全性を確保する意味で重要な役割を果たすものである。
設置するガス放出機構１１は、「ガス遮断機構−レベル計」のラインから分岐し、その分岐先にベント開閉弁ＶａとベントノズルＶｎを備えた構造を図５では示しているが、その形態に拘ることなく、安全に配管内の残留ガスを排出する機構が望まれる。
設置するガス放出機構１１は、「ガス遮断機構−レベル計」のラインから分岐し、その分岐先にベント開閉弁ＶａとベントノズルＶｎを備えた構造を図５では示しているが、その形態に拘ることなく、安全に配管内の残留ガスを排出する機構が望まれる。
［レベル計の監視システム］
また、レベル計を使用せずに液面レベルを評価、監視し、レベル計が計測した液面レベルと比較することで、使用しているレベル計の計測機能の劣化度合いの評価や、故障などの監視を行う監視システムを備えることができる。
そこで、その液面レベルの評価・監視法としては、硫化反応槽を攪拌している状態における攪拌機の電流値と、その電流値における液面レベル間の相関関係を予め求めておき、運転中の硫化反応槽で使用されている攪拌機の電流値から、その時の液面レベルを予測値として算出する。
その予測値と、レベル計による計測値との差の時系列変化を捉えることで、レベル計の補修、交換などのメンテナンス時期を判定することが可能となる。たとえば、予測値と計測値との差が２０％を超えるか、予測値と計測値との相関係数が０．５を下回ったら補修、交換する。
また、レベル計を使用せずに液面レベルを評価、監視し、レベル計が計測した液面レベルと比較することで、使用しているレベル計の計測機能の劣化度合いの評価や、故障などの監視を行う監視システムを備えることができる。
そこで、その液面レベルの評価・監視法としては、硫化反応槽を攪拌している状態における攪拌機の電流値と、その電流値における液面レベル間の相関関係を予め求めておき、運転中の硫化反応槽で使用されている攪拌機の電流値から、その時の液面レベルを予測値として算出する。
その予測値と、レベル計による計測値との差の時系列変化を捉えることで、レベル計の補修、交換などのメンテナンス時期を判定することが可能となる。たとえば、予測値と計測値との差が２０％を超えるか、予測値と計測値との相関係数が０．５を下回ったら補修、交換する。
Ｒ 硫化反応槽
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３ 第１、第２、第３硫化反応槽
Ｌ 液面監視用マイクロウェーブ式レベル計
Ｌ１、Ｌ２ 既設の液面監視用マイクロウェーブ式レベル計
Ｌ１２、Ｌ２２ 新設の第２液面監視用マイクロウェーブ式レベル計
Ｐ１、Ｐ２ 反応槽圧力監視用圧力伝送器
Ｐｏ 流出側配管
Ｐｉ 流入側配管
Ｐｂ 分岐した配管
Ｆ１ＨＳ、Ｆ２ＨＳ 硫化水素ガス監視用流量計
Ｖ１ＨＳ、Ｖ２ＨＳ 流量調節弁
ＦＩＣ１、ＦＩＣ２ 反応槽流量制御器
Ｓ１、Ｓ２ 攪拌機
Ｖ１、Ｖ２ 主圧力弁
Ｖ１Ｐ、Ｖ２Ｐ 圧力調節弁
ＬＩＣ１、ＬＩＣ２ レベル制御器
ＳＷ１、ＳＷ２ レベルコントロール入力選択スイッチ
Ｓｆ 硫化反応槽内の液表面
ＡＶＵ，ＡＶＬ 上部開閉弁、下部開閉弁
Ｖａ ベント開閉弁
Ｖｎ ベントノズル
ｐ１、ｐ２ 第１、第２硫化反応槽内の圧力
１０ ガス遮断機構
１１ ガス放出機構
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３ 第１、第２、第３硫化反応槽
Ｌ 液面監視用マイクロウェーブ式レベル計
Ｌ１、Ｌ２ 既設の液面監視用マイクロウェーブ式レベル計
Ｌ１２、Ｌ２２ 新設の第２液面監視用マイクロウェーブ式レベル計
Ｐ１、Ｐ２ 反応槽圧力監視用圧力伝送器
Ｐｏ 流出側配管
Ｐｉ 流入側配管
Ｐｂ 分岐した配管
Ｆ１ＨＳ、Ｆ２ＨＳ 硫化水素ガス監視用流量計
Ｖ１ＨＳ、Ｖ２ＨＳ 流量調節弁
ＦＩＣ１、ＦＩＣ２ 反応槽流量制御器
Ｓ１、Ｓ２ 攪拌機
Ｖ１、Ｖ２ 主圧力弁
Ｖ１Ｐ、Ｖ２Ｐ 圧力調節弁
ＬＩＣ１、ＬＩＣ２ レベル制御器
ＳＷ１、ＳＷ２ レベルコントロール入力選択スイッチ
Ｓｆ 硫化反応槽内の液表面
ＡＶＵ，ＡＶＬ 上部開閉弁、下部開閉弁
Ｖａ ベント開閉弁
Ｖｎ ベントノズル
ｐ１、ｐ２ 第１、第２硫化反応槽内の圧力
１０ ガス遮断機構
１１ ガス放出機構
Claims (1)
- ガス流出側配管と、前記ガス流出側配管の一方の端部に直列に順に連結して接続された２基の開閉弁ＡＶＵ、ＡＶＬと、前記開閉弁ＡＶＬのガス流入側に一方の端部が連結して接続されたガス流入側配管と、
前記ガス流出側配管から分岐した配管と、前記分岐した配管の端部に備わるベント開閉弁ＶａとベントノズルＶｎとで構成され、
前記ガス流出側配管、前記２基の開閉弁ＡＶＵ、ＡＶＬ、およびガス流入側配管が、ガス流入側とガス流出側間で直線状の空間を内部に保有し、前記ガス流入側配管の他方の端部と連結した槽の前記槽内部に貯留された液体の液面レベルを測定するマイクロウェーブ式レベル計が、前記ガス流出側配管の他方の端部に連結されていることを特徴とするＨＰＡＬ技術を用いた低品位Ｎｉ鉱の製錬方法における硫化反応工程で使用される硫化反応槽を用いた場合におけるガス遮断・放出機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019170404A JP6826764B2 (ja) | 2019-09-19 | 2019-09-19 | ガス遮断・放出機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019170404A JP6826764B2 (ja) | 2019-09-19 | 2019-09-19 | ガス遮断・放出機構 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2016032525A Division JP6589685B2 (ja) | 2016-02-23 | 2016-02-23 | 硫化反応槽の管理設備と、前記管理設備を備えるＨＰＡＬ技術を用いた低品位Ｎｉ鉱の製錬方法 |
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