JP6826531B2 - 少なくとも1つのマニピュレータを有する投影露光装置 - Google Patents
少なくとも1つのマニピュレータを有する投影露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6826531B2 JP6826531B2 JP2017526899A JP2017526899A JP6826531B2 JP 6826531 B2 JP6826531 B2 JP 6826531B2 JP 2017526899 A JP2017526899 A JP 2017526899A JP 2017526899 A JP2017526899 A JP 2017526899A JP 6826531 B2 JP6826531 B2 JP 6826531B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optimization
- movement
- value
- exposure apparatus
- projection exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005457 optimization Methods 0.000 claims description 121
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 116
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 claims description 53
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 50
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 claims description 47
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 33
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 27
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 14
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 9
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 claims description 8
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 13
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 13
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 12
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000003936 working memory Effects 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 238000002945 steepest descent method Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000004441 surface measurement Methods 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 230000014616 translation Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
- G03F7/70266—Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706843—Metrology apparatus
- G03F7/706849—Irradiation branch, e.g. optical system details, illumination mode or polarisation control
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Lenses (AREA)
Description
10 投影露光装置
12 露光放射線源
14 露光放射線
16 照明系
18 マスク
20 マスク変位台
22 投影レンズ
24 基板
26 基板変位台
28 傾斜軸
30 中央制御デバイス
34 マニピュレータコントローラ
40 移動確立デバイス
42 最適化アルゴリズム
44 メリット関数
46 制約
48 作業変数
49 伝達メモリ
50 移動指令
54 状態発生器
55 波面測定デバイス
56 メモリ
58 シミュレーションデバイス
60 圧力センサ
62 現在照射強度
64 状態特徴付け
64a 現在状態特徴付け
x1からx4 移動
E1からE4 光学要素
M1からM4 マニピュレータ
42 最適化アルゴリズム
46 制約
49 伝達メモリ
50 移動指令
Claims (13)
- マイクロリソグラフィのための投影露光装置であって、
マスク構造を結像するための投影レンズと、
前記投影レンズの少なくとも1つの光学要素の光学効果を移動(トラベル:travel)に沿って該光学要素の特性を操作することによって変更するように構成された少なくとも1つのマニピュレータと、
前記少なくとも1つのマニピュレータのための移動指令を発生させるための移動確立デバイスと、
を含み、
前記移動確立デバイスは、少なくとも1つの内部作業変数を用いて最適化アルゴリズムを実行することにより、最初に前記投影レンズの第1の状態特徴付けから第1の移動指令を発生させるように構成され、該最適化アルゴリズムは、該投影レンズの波面収差のレベルを低くするように構成され、該内部作業変数は、該最適化アルゴリズムにより該第1の移動指令として出力される最適化結果とは異なり、
前記最適化アルゴリズムは、前記最適化の行程において前記内部作業変数の値を変更し、かつ該最適化の終了時に存在する該内部作業変数の該値を伝達値として保存するように構成され、
前記移動確立デバイスは、前記最適化アルゴリズムの繰り返し実行により、前記第1の状態特徴付けに対して更新された前記投影レンズの更なる状態特徴付けから更なる移動指令を発生させ、そして、該最適化アルゴリズムの該繰り返し実行を行うときに、前記保存された伝達値を前記少なくとも1つの内部作業変数の開始値として使用するように更に構成され、
前記少なくとも1つの内部作業変数は、
i)前記少なくとも1つのマニピュレータの前記移動に対する限界値であって、該限界値は、前記最適化アルゴリズムの実行中に複数回設定される、該限界値と、
ii)関連するパラメータがそれぞれの時点で限界値から最大で10%だけ外れているか否かに関する情報であって、前記最適化アルゴリズムは、該関連するパラメータに対する該限界値を指定する少なくとも1つの制約を考慮してメリット関数を最適化するように構成される、該情報と、
iii)Karush−Kuhn−Tucker条件の少なくとも1つのラグランジュ変数と、
iv)与えられた時点で前記最適化アルゴリズムによって選択される最適化変数の変化方向と
からなる一群の中からの少なくとも1つを含む
ことを特徴とする投影露光装置。 - 前記最適化アルゴリズムは、メリット関数を該メリット関数の外側で記述される少なくとも1つの制約を考慮して最適化するように構成され、ここにおいて少なくとも1つの制約が、該メリット関数において用いられるパラメータに関する固定限界値を含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の投影露光装置。 - 投影露光装置の作動中に前記投影レンズの前記第1の状態特徴付けと前記更なる、更新された状態特徴付けとを与えるように構成された状態発生器を更に含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の投影露光装置。
- 前記最適化アルゴリズムは、前記最適化の前記行程において前記内部作業変数の前記値を反復的に変更するように構成される、
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の投影露光装置。 - 前記最適化アルゴリズムは、1秒よりも短い期間内に前記更なる移動指令を確立するように構成される、
ことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の投影露光装置。 - 前記状態特徴付けは、各場合に、前記投影レンズの結像品質を特徴付ける1組の収差パラメータを含み、該状態特徴付けは、前記更なる状態特徴付けの複数の選択された収差パラメータが、前記第1の状態特徴付けの対応する該収差パラメータから各場合に10%未満だけしか外れないほど頻繁に更新される、
ことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の投影露光装置。 - 前記選択された収差パラメータは、その割り当てられたゼルニケ多項式が奇ゼルニケ多項式であるn≦100のゼルニケ係数Znの群からの少なくとも2つのゼルニケ係数を含む、
ことを特徴とする請求項6に記載の投影露光装置。 - 前記移動確立デバイスは、露光工程中の前記最適化アルゴリズムの繰り返し実行によって多数の更なる移動指令を発生させ、かつ先行の移動指令の該発生中に格納された前記伝達値をここで前記少なくとも1つの内部作業変数のそれぞれの開始値として各場合に使用するように構成される、
ことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の投影露光装置。 - 前記露光工程中に発生される前記多数の更なる移動指令は、少なくとも50個の移動指令を含む、
ことを特徴とする請求項8に記載の投影露光装置。 - 前記メリット関数の外側で記述される前記少なくとも1つの制約は、前記少なくとも1つのマニピュレータによって実行される前記移動に対する固定境界を含む、
ことを特徴とする請求項2から請求項9のいずれか1項に記載の投影露光装置。 - 前記状態発生器は、レチクルの前記マスク構造が前記投影レンズを用いて基板の上に一度結像される露光工程中に該投影レンズの前記状態特徴付けを複数回更新するように構成される、
ことを特徴とする請求項3に記載の投影露光装置。 - 複数の光学要素を含んでマスク構造を結像するための投影レンズを含むマイクロリソグラフィのための投影露光装置を制御する方法であって、
前記投影レンズの波面収差のレベルを低くするように最適化を実行することによって前記投影レンズの第1の状態特徴付けから第1の移動(トラベル:travel)指令を発生させる段階であって、該最適化の行程において、少なくとも1つの内部作業変数の値が変更され、該最適化の終了時に存在する該内部作業変数の該値が伝達値として保存される前記発生させる段階であって、該内部作業変数は、該最適化アルゴリズムにより該第1の移動指令として出力される最適化結果とは異なる段階と、
前記第1の移動指令によって定義された移動に沿って前記光学要素の特性を操作することにより、該光学要素のうちの少なくとも1つの光学効果を変更する段階と、
前記最適化の繰り返し実行により、前記第1の状態特徴付けに対して更新された前記投影レンズの更なる状態特徴付けから更なる移動指令を発生させる段階であって、前記保存された伝達値が前記少なくとも1つの内部作業変数の開始値として使用される前記発生させる段階と、
を含み、
前記少なくとも1つの内部作業変数は、
i)前記少なくとも1つのマニピュレータの前記移動に対する限界値であって、該限界値は、前記最適化アルゴリズムの実行中に複数回設定される、該限界値と、
ii)関連するパラメータがそれぞれの時点で限界値から最大で10%だけ外れているか否かに関する情報であって、前記最適化アルゴリズムは、該関連するパラメータに対する該限界値を指定する少なくとも1つの制約を考慮してメリット関数を最適化するように構成される、該情報と、
iii)Karush−Kuhn−Tucker条件の少なくとも1つのラグランジュ変数と、
iv)与えられた時点で前記最適化アルゴリズムによって選択される最適化変数の変化方向と
からなる一群の中からの少なくとも1つを含む
ことを特徴とする方法。 - それぞれの前記最適化は、メリット関数の該メリット関数の外側で記述される少なくとも1つの制約を考慮する最適化によって実施され、ここにおいて少なくとも1つの制約が、該メリット関数において用いられるパラメータに関する固定限界値を含む、
ことを特徴とする請求項12に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102014223750.5A DE102014223750A1 (de) | 2014-11-20 | 2014-11-20 | Projektionsbelichtungsanlage mit mindestens einem Manipulator |
DE102014223750.5 | 2014-11-20 | ||
PCT/EP2015/002277 WO2016078753A1 (en) | 2014-11-20 | 2015-11-13 | Projection exposure apparatus with at least one manipulator |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017536579A JP2017536579A (ja) | 2017-12-07 |
JP2017536579A5 JP2017536579A5 (ja) | 2018-12-27 |
JP6826531B2 true JP6826531B2 (ja) | 2021-02-03 |
Family
ID=54838302
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017526899A Active JP6826531B2 (ja) | 2014-11-20 | 2015-11-13 | 少なくとも1つのマニピュレータを有する投影露光装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9927714B2 (ja) |
EP (1) | EP3221749B1 (ja) |
JP (1) | JP6826531B2 (ja) |
KR (1) | KR102513281B1 (ja) |
DE (1) | DE102014223750A1 (ja) |
WO (1) | WO2016078753A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102015209051B4 (de) * | 2015-05-18 | 2018-08-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsobjektiv mit Wellenfrontmanipulator sowie Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage |
DE102016203591A1 (de) * | 2016-03-04 | 2017-09-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung zum Verändern einer Oberflächenform eines optischen Elements mittels Elektronenbestrahlung |
DE102019200218B3 (de) * | 2019-01-10 | 2020-06-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Steuerungsvorrichtung, Justieranordnung und Verfahren zur Steuerung eines Manipulators bezüglich einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie |
DE102019200981B3 (de) * | 2019-01-25 | 2020-06-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie |
WO2020170563A1 (ja) * | 2019-02-19 | 2020-08-27 | Jfeスチール株式会社 | 連続鋳造機の制御方法、連続鋳造機の制御装置、及び鋳片の製造方法 |
WO2020170836A1 (ja) * | 2019-02-19 | 2020-08-27 | Jfeスチール株式会社 | 連続鋳造機の制御方法、連続鋳造機の制御装置、及び鋳片の製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005327769A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Nikon Corp | 算出方法、調整方法及び露光方法、露光装置及び像形成状態調整システム、並びにプログラム及び情報記録媒体 |
US7370313B2 (en) | 2005-08-09 | 2008-05-06 | Infineon Technologies Ag | Method for optimizing a photolithographic mask |
DE102008003916A1 (de) | 2007-01-23 | 2008-07-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Messvorrichtung sowie Verfahren zum Messen einer Bestrahlungsstärkeverteilung |
DE102008011501A1 (de) * | 2008-02-25 | 2009-08-27 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zum Betreiben eines Beleuchtungssystems einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
DE102008042356A1 (de) | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage mit optimierter Justagemöglichkeit |
NL2003654A (en) | 2008-11-06 | 2010-05-10 | Brion Tech Inc | Methods and system for lithography calibration. |
DE102011080437A1 (de) | 2010-09-30 | 2012-04-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildendes optisches System für die Mikrolithographie |
DE102012201410B4 (de) * | 2012-02-01 | 2013-08-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage mit einer Messvorrichtung zum Vermessen eines optischen Elements |
DE102012205096B3 (de) * | 2012-03-29 | 2013-08-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage mit mindestens einem Manipulator |
DE102013203338A1 (de) * | 2013-02-28 | 2014-08-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Modellbasierte Steuerung einer optischen Abbildungseinrichtung |
JP6236095B2 (ja) * | 2013-03-13 | 2017-11-22 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ装置 |
DE102013204427A1 (de) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Anordnung zur thermischen Aktuierung eines Spiegels, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
-
2014
- 2014-11-20 DE DE102014223750.5A patent/DE102014223750A1/de not_active Ceased
-
2015
- 2015-11-13 EP EP15807595.2A patent/EP3221749B1/en active Active
- 2015-11-13 WO PCT/EP2015/002277 patent/WO2016078753A1/en active Application Filing
- 2015-11-13 JP JP2017526899A patent/JP6826531B2/ja active Active
- 2015-11-13 KR KR1020177016327A patent/KR102513281B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-04-11 US US15/484,402 patent/US9927714B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102513281B1 (ko) | 2023-03-23 |
EP3221749A1 (en) | 2017-09-27 |
US9927714B2 (en) | 2018-03-27 |
DE102014223750A1 (de) | 2016-05-25 |
WO2016078753A1 (en) | 2016-05-26 |
KR20170088367A (ko) | 2017-08-01 |
US20170219932A1 (en) | 2017-08-03 |
JP2017536579A (ja) | 2017-12-07 |
EP3221749B1 (en) | 2019-01-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6826531B2 (ja) | 少なくとも1つのマニピュレータを有する投影露光装置 | |
TWI480673B (zh) | 具有至少一操縱器的投影曝光設備及其操作方法 | |
JP6388897B2 (ja) | 少なくとも1つのマニピュレータを含む投影露光装置 | |
JP2017536579A5 (ja) | ||
JP6333304B2 (ja) | 投影レンズの少なくとも1つのマニピュレータを制御するための制御デバイス | |
JP2019061285A (ja) | 調整機能を最適化した投影露光装置 | |
JP2016200818A5 (ja) | ||
JP7441640B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置に関してマニピュレータを制御する制御装置及び方法 | |
JP5815987B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
US9829800B2 (en) | System correction from long timescales | |
TWI785747B (zh) | 用於控制投影透鏡之操縱器的控制器件 | |
JP7457678B2 (ja) | 露光装置、露光方法および物品製造方法 | |
US20200241426A1 (en) | Microlithographic projection exposure apparatus | |
WO2024110341A1 (en) | Projection exposure apparatus with manipulators |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20181113 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181113 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20190122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191118 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20200217 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200309 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200518 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200818 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201116 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20201216 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210115 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6826531 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |