JP6819931B2 - Thin-film mask and thin-film mask manufacturing method - Google Patents

Thin-film mask and thin-film mask manufacturing method Download PDF

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本発明は、複数の貫通孔が形成された有効領域を有する蒸着マスク及び蒸着マスク製造方法に関する。 The present invention relates to a vapor deposition mask and a method for producing a vapor deposition mask having an effective region in which a plurality of through holes are formed.

近年、スマートフォンやタブレットＰＣ等の持ち運び可能なデバイスで用いられる表示装置に対して、高精細であること、例えば画素密度が４００ｐｐｉ以上であることが求められている。また、持ち運び可能なデバイスにおいても、ウルトラフルハイビジョンに対応することへの需要が高まっており、この場合、表示装置の画素密度が例えば８００ｐｐｉ以上であることが求められる。 In recent years, display devices used in portable devices such as smartphones and tablet PCs are required to have high definition, for example, a pixel density of 400 ppi or more. Further, even in a portable device, there is an increasing demand for supporting ultra full high-definition, and in this case, the pixel density of the display device is required to be, for example, 800 ppi or more.

表示装置の中でも、応答性の良さ、消費電力の低さやコントラストの高さのため、有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置の画素を形成する方法として、所望のパターンで配列された貫通孔を含む蒸着マスクを用い、所望のパターンで画素を形成する方法が知られている。具体的には、はじめに、有機ＥＬ表示装置用の基板（有機ＥＬ基板）を蒸着装置に投入し、次に、蒸着装置内で有機ＥＬ基板に対して蒸着マスクを密着させ、有機材料を有機ＥＬ基板に蒸着させる蒸着工程を行う。 Among display devices, organic EL display devices are attracting attention because of their good responsiveness, low power consumption, and high contrast. As a method of forming pixels of an organic EL display device, a method of forming pixels in a desired pattern by using a vapor deposition mask including through holes arranged in a desired pattern is known. Specifically, first, the substrate for the organic EL display device (organic EL substrate) is put into the vapor deposition apparatus, and then the vapor deposition mask is brought into close contact with the organic EL substrate in the vapor deposition apparatus, and the organic material is brought into organic EL. A thin-film deposition process is performed to deposit on a substrate.

蒸着マスクを用いて蒸着材料を被蒸着基板上に成膜する場合、基板だけでなく蒸着マスクにも蒸着材料が付着する。例えば、蒸着材料の中には、蒸着マスクの板面への法線方向に対して大きく傾斜した方向に沿って被蒸着基板に向かうものも存在するが、そのような蒸着材料は、被蒸着基板に到達するよりも前に蒸着マスクの貫通孔の壁面に到達して付着し得る。この場合、被蒸着基板のうち蒸着マスクの貫通孔の壁面の近傍に位置する領域には蒸着材料が付着しにくくなり、この結果、付着する蒸着材料の厚さが他の部分に比べて小さくなってしまったり、蒸着材料が付着していない部分が生じてしまったりすることが考えられる。すなわち、蒸着マスクの貫通孔の壁面の近傍における蒸着が不安定になってしまうことが考えられる。したがって、有機ＥＬ表示装置の画素を形成するために蒸着マスクが用いられる場合、画素の寸法精度や位置精度が低下してしまい、この結果、有機ＥＬ表示装置の発光効率が低下してしまうことになる。 When a thin-film deposition material is deposited on a substrate to be vapor-deposited using a thin-film deposition mask, the thin-film deposition material adheres not only to the substrate but also to the thin-film deposition mask. For example, some thin-film deposition materials are directed toward the vapor-deposited substrate along a direction that is greatly inclined with respect to the normal direction of the vapor-film mask to the plate surface. Can reach and adhere to the wall surface of the through hole of the vapor deposition mask before reaching. In this case, the vapor-deposited material is less likely to adhere to the region of the substrate to be vapor-deposited located near the wall surface of the through hole of the vapor-deposited mask, and as a result, the thickness of the adhered vapor-deposited material becomes smaller than that of other parts. It is conceivable that there will be a part where the vapor deposition material is not attached. That is, it is conceivable that the vapor deposition near the wall surface of the through hole of the vapor deposition mask becomes unstable. Therefore, when the vapor deposition mask is used to form the pixels of the organic EL display device, the dimensional accuracy and the position accuracy of the pixels are lowered, and as a result, the light emission efficiency of the organic EL display device is lowered. Become.

このような問題を解決し得る蒸着マスクの一例として、特許文献１に開示されているような蒸着マスクが挙げられる。特許文献１に開示された蒸着マスクは、めっき処理を利用して製造されている。まず、絶縁性の基板上に導電性パターンを形成し、その後電解めっき法を用いて導電性パターン上に第１金属層を形成する。次に、第１金属層上に開口を有するレジストパターンを形成し、電解めっき法を用いてこの開口内に第２金属層を形成する。その後、レジストパターン、導電性パターン及び基板を除去することにより、第１金属層及び第２金属層を有する蒸着マスクが得られる。 As an example of a thin-film deposition mask that can solve such a problem, there is a thin-film deposition mask as disclosed in Patent Document 1. The thin-film mask disclosed in Patent Document 1 is manufactured by utilizing a plating process. First, a conductive pattern is formed on the insulating substrate, and then a first metal layer is formed on the conductive pattern by using an electrolytic plating method. Next, a resist pattern having an opening is formed on the first metal layer, and a second metal layer is formed in the opening by using an electrolytic plating method. Then, by removing the resist pattern, the conductive pattern and the substrate, a thin-film mask having the first metal layer and the second metal layer can be obtained.

特許文献１に開示された技術では、めっき処理を利用して蒸着マスクを製造するので、薄厚化された蒸着マスクを得られる利点がある。薄厚化された蒸着マスクによれば、蒸着マスクの板面への法線方向に対して大きく傾斜した方向から被蒸着基板に向かう蒸着材料のうち、蒸着マスクの貫通孔の壁面に到達して付着する蒸着材料の割合を低減させることができる。すなわち、蒸着マスクの板面への法線方向に対して大きく傾斜した方向から被蒸着基板に向かう蒸着材料を、蒸着マスクの貫通孔内に露出した被蒸着基板上に適切に付着させることができる。したがって、有機ＥＬ表示装置の画素を形成するために蒸着マスクが用いられた場合に、画素の寸法精度や位置精度が低下し有機ＥＬ表示装置の発光効率が低下してしまうことを効果的に防止できるという利点がある。 In the technique disclosed in Patent Document 1, since the vapor deposition mask is manufactured by using the plating treatment, there is an advantage that a thin-film deposition mask can be obtained. According to the thinned vapor deposition mask, among the vapor deposition materials from the direction greatly inclined with respect to the normal direction to the plate surface of the vapor deposition mask toward the substrate to be deposited, the vapor deposition material reaches the wall surface of the through hole of the vapor deposition mask and adheres. The proportion of thin-film deposition material to be deposited can be reduced. That is, the thin-film deposition material directed from the direction largely inclined with respect to the normal direction to the plate surface of the thin-film deposition mask toward the thin-film deposition substrate can be appropriately adhered onto the thin-film deposition substrate exposed in the through holes of the thin-film deposition mask. .. Therefore, when the vapor deposition mask is used to form the pixels of the organic EL display device, it is effectively prevented that the dimensional accuracy and the position accuracy of the pixels are lowered and the luminous efficiency of the organic EL display device is lowered. There is an advantage that it can be done.

蒸着材料の被蒸着基板への蒸着の際、蒸着マスクは、例えば枠状のフレームに取り付けられて使用され得る。とりわけ、蒸着材料を通過させるための複数の貫通孔が形成された有効領域と、この有効領域を挟んで位置する一対の耳部領域と、を有する蒸着マスクを用いる場合、蒸着マスクの耳部領域がフレームにスポット溶接等により固定されて使用され得る。しかしながら、薄厚化された蒸着マスクは取り扱いが困難であり、フレームに取り付けるための搬送中等において、蒸着マスクに変形を生じることがあった。 When depositing a vapor deposition material on a substrate to be deposited, the vapor deposition mask can be used, for example, by being attached to a frame-shaped frame. In particular, when a vapor deposition mask having an effective region in which a plurality of through holes for passing a vapor deposition material are formed and a pair of ear regions located across the effective region is used, the ear region of the vapor deposition mask is used. Can be used by being fixed to the frame by spot welding or the like. However, the thinned vapor deposition mask is difficult to handle, and the vapor deposition mask may be deformed during transportation for attaching to the frame.

特許文献２には、メタルマスク本体の外周縁に補強枠を積層したものが開示されている。このような技術によれば、薄板状のメタルマスクが補強枠により支持されるので、薄板状のメタルマスクの取り扱い性を向上させることができる。 Patent Document 2 discloses a metal mask in which a reinforcing frame is laminated on the outer peripheral edge of the main body. According to such a technique, since the thin plate-shaped metal mask is supported by the reinforcing frame, the handleability of the thin plate-shaped metal mask can be improved.

特開２０１６−１４８１１３号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-148113 特開２００７−８３４１１号公報JP-A-2007-83411

しかしながら、本件発明者らの検討によれば、蒸着マスクの取り扱い性向上のために蒸着マスクの耳部領域を単に有効領域よりも厚く形成すると、蒸着マスクの有効領域と耳部領域との間にその厚さが急激に変化する箇所が生じ、蒸着マスクを架張した状態でフレームに固定したときに、すなわち蒸着マスクに張力が生じた状態でフレームに固定したときに、厚さが急激に変化する箇所に応力が集中して変形し、これにより蒸着マスクにシワを生じ得ることが知見された。また、場合によっては、当該箇所に応力集中に起因する亀裂が生じたり、当該箇所で蒸着マスクが破断することも起こり得る。 However, according to the study by the present inventors, if the ear region of the vapor deposition mask is formed thicker than the effective region in order to improve the handleability of the vapor deposition mask, the area between the effective region and the ear region of the vapor deposition mask is formed. There is a place where the thickness changes abruptly, and when the vapor deposition mask is fixed to the frame in a stretched state, that is, when the vapor deposition mask is fixed to the frame in a tensioned state, the thickness changes abruptly. It was found that stress was concentrated and deformed at the site where the film was formed, which could cause wrinkles on the vapor deposition mask. Further, in some cases, cracks due to stress concentration may occur at the site, or the vapor deposition mask may break at the site.

本発明は、このような点を考慮してなされたものであって、蒸着マスクを架張した際に当該蒸着マスクにシワが生じることを抑制することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of such a point, and an object of the present invention is to prevent wrinkles from being generated on the vapor-deposited mask when the vapor-film mask is stretched.

本発明の蒸着マスクは、
複数の貫通孔が形成された有効領域と、前記有効領域を挟んで位置する一対の耳部領域と、を有し、
前記耳部領域の厚さは、前記有効領域の厚さよりも大きく、
前記耳部領域における前記有効領域側に位置する第１領域において、前記蒸着マスクの厚さは、前記有効領域から離間するにつれて大きくなるように変化している。 The vapor deposition mask of the present invention
It has an effective region in which a plurality of through holes are formed, and a pair of ear regions located across the effective region.
The thickness of the ear region is larger than the thickness of the effective region.
In the first region located on the effective region side of the selvage region, the thickness of the vapor deposition mask changes so as to increase as the distance from the effective region increases.

本発明の蒸着マスク製造方法は、
複数の貫通孔が形成された有効領域と、前記有効領域を挟んで位置する一対の耳部領域と、を有する蒸着マスクを製造する蒸着マスク製造方法であって、
絶縁性を有する基材上に所定のパターンで第１開口部が設けられた第１金属層を形成する第１成膜工程と、
前記第１金属層上に、遮蔽板と前記遮蔽板の周縁に沿って取り付けられた弾性部材とを有する遮蔽部材を前記弾性部材が前記第１金属層に対面するようにして配置し、前記遮蔽部材を前記第１金属層に向けて押圧して前記弾性部材を弾性変形させ、前記遮蔽部材から露出した前記第１金属層上に耳部金属層を形成する耳部金属層形成工程と、
前記第１開口部に連通する第２開口部が設けられた第２金属層を前記第１金属層上に形成する第２成膜工程と、
前記第１金属層、前記耳部金属層及び前記第２金属層の組み合わせ体を前記基材から分離させる分離工程と、を有する。 The vapor deposition mask manufacturing method of the present invention
A vapor deposition mask manufacturing method for manufacturing a vapor deposition mask having an effective region in which a plurality of through holes are formed and a pair of ear regions located across the effective region.
A first film forming step of forming a first metal layer in which a first opening is provided in a predetermined pattern on a base material having an insulating property, and
A shielding member having a shielding plate and an elastic member attached along the peripheral edge of the shielding plate is arranged on the first metal layer so that the elastic member faces the first metal layer, and the shielding is performed. An ear metal layer forming step of pressing a member toward the first metal layer to elastically deform the elastic member to form an ear metal layer on the first metal layer exposed from the shielding member.
A second film forming step of forming a second metal layer provided with a second opening communicating with the first opening on the first metal layer.
It has a separation step of separating the combination of the first metal layer, the selvage metal layer and the second metal layer from the base material.

本発明の蒸着マスク製造方法において、前記第１金属層、前記耳部金属層及び前記第２金属層は、めっきにより形成されてもよい。 In the vapor deposition mask manufacturing method of the present invention, the first metal layer, the selvage metal layer, and the second metal layer may be formed by plating.

本発明によれば、蒸着マスクを架張した際に当該蒸着マスクにシワが生じることを抑制することができる。 According to the present invention, it is possible to prevent wrinkles from being generated in the thin-film deposition mask when the thin-film deposition mask is stretched.

図１は、本発明の一実施の形態を説明するための図であって、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の一例を概略的に示す平面図である。FIG. 1 is a diagram for explaining an embodiment of the present invention, and is a plan view schematically showing an example of a thin-film deposition mask device including a thin-film deposition mask. 図２は、図１に示す蒸着マスク装置を用いた蒸着方法を説明するための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining a thin-film deposition method using the thin-film deposition mask device shown in FIG. 図３は、図１に示された蒸着マスクを示す部分平面図である。FIG. 3 is a partial plan view showing the vapor deposition mask shown in FIG. 図４は、図３に示された蒸着マスクの一部を拡大して示す部分平面図である。FIG. 4 is a partial plan view showing a part of the vapor deposition mask shown in FIG. 3 in an enlarged manner. 図５は、図４のＶ−Ｖ線に対応する断面を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a cross section corresponding to the VV line of FIG. 図６は、図３のＶＩ−ＶＩ線に対応する断面を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a cross section corresponding to the VI-VI line of FIG. 図７は、蒸着マスクを製造するために用いられるパターン基板の製造方法の一例の一工程を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing one step of an example of a method for manufacturing a pattern substrate used for manufacturing a vapor deposition mask. 図８は、蒸着マスクを製造するために用いられるパターン基板の製造方法の一例の一工程を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing one step of an example of a method for manufacturing a pattern substrate used for manufacturing a vapor deposition mask. 図９は、蒸着マスクを製造するために用いられるパターン基板の製造方法の一例の一工程を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing one step of an example of a method for manufacturing a pattern substrate used for manufacturing a vapor deposition mask. 図１０は、蒸着マスクを製造するために用いられるパターン基板の製造方法の一例の一工程を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing one step of an example of a method for manufacturing a pattern substrate used for manufacturing a vapor deposition mask. 図１１は、蒸着マスクの製造方法の一例の一工程を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing one step of an example of a method for manufacturing a vapor deposition mask. 図１２は、蒸着マスクの製造方法の一例の一工程を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing one step of an example of a method for manufacturing a vapor deposition mask. 図１３は、本実施の形態の蒸着マスクの製造方法で用いられる遮蔽部材を示す平面図である。FIG. 13 is a plan view showing a shielding member used in the method for manufacturing a vapor deposition mask according to the present embodiment. 図１４は、図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線に対応する断面を示す図である。FIG. 14 is a diagram showing a cross section corresponding to the XIV-XIV line of FIG. 図１５は、蒸着マスクを製造するために用いられる中間部材上に遮蔽部材を載置した状態を示す平面図である。FIG. 15 is a plan view showing a state in which the shielding member is placed on the intermediate member used for manufacturing the vapor deposition mask. 図１６は、図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線に対応する断面を示す図である。FIG. 16 is a diagram showing a cross section corresponding to the XVI-XVI line of FIG. 図１７は、蒸着マスクの製造方法の一例の一工程を示す図である。FIG. 17 is a diagram showing one step of an example of a method for manufacturing a vapor deposition mask. 図１８は、蒸着マスクの製造方法の一例の一工程を示す図である。FIG. 18 is a diagram showing one step of an example of a method for manufacturing a vapor deposition mask. 図１９は、蒸着マスクの製造方法の一例の一工程を示す図である。FIG. 19 is a diagram showing one step of an example of a method for manufacturing a vapor deposition mask. 図２０は、蒸着マスクの製造方法の一例の一工程を示す図である。FIG. 20 is a diagram showing one step of an example of a method for manufacturing a vapor deposition mask. 図２１は、蒸着マスクの製造方法の一例の一工程を示す図である。FIG. 21 is a diagram showing one step of an example of a method for manufacturing a vapor deposition mask. 図２２は、蒸着マスクの製造方法の一例の一工程を示す図である。FIG. 22 is a diagram showing one step of an example of a method for manufacturing a vapor deposition mask.

以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺及び縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings attached to the present specification, the scale, aspect ratio, etc. are appropriately changed from those of the actual product and exaggerated for the convenience of illustration and comprehension.

図１〜図２２は、本発明による一実施の形態を説明するための図である。以下の実施の形態では、有機ＥＬ表示装置を製造する際に有機材料を所望のパターンで基板上にパターニングするために用いられる蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法を例にあげて説明する。ただし、このような適用に限定されることなく、種々の用途に用いられる蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法に対し、本発明を適用することができる。 1 to 22 are diagrams for explaining one embodiment according to the present invention. In the following embodiment, a vapor deposition mask and a method for manufacturing a vapor deposition mask used for patterning an organic material on a substrate in a desired pattern when manufacturing an organic EL display device will be described as an example. However, the present invention is not limited to such application, and the present invention can be applied to a vapor deposition mask and a method for manufacturing a vapor deposition mask used for various purposes.

なお、本明細書において、「板」、「シート」、「フィルム」の用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「板」はシートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。 In addition, in this specification, the terms "board", "sheet", and "film" are not distinguished from each other based only on the difference in designation. For example, "board" is a concept that includes members that can be called sheets or films.

また、「板面（シート面、フィルム面）」とは、対象となる板状（シート状、フィルム状）の部材を全体的かつ大局的に見た場合において対象となる板状部材（シート状部材、フィルム状部材）の平面方向と一致する面のことを指す。また、板状（シート状、フィルム状）の部材に対して用いる法線方向とは、当該部材の板面（シート面、フィルム面）に対する法線方向のことを指す。 Further, the "plate surface (sheet surface, film surface)" is a plate-like member (sheet-like) that is a target when the target plate-like (sheet-like, film-like) member is viewed as a whole and from a broad perspective. A surface that coincides with the plane direction of a member or film-like member). Further, the normal direction used for the plate-shaped (sheet-shaped, film-shaped) member refers to the normal direction with respect to the plate surface (sheet surface, film surface) of the member.

さらに、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件及び物理的特性並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」、「同等」等の用語や長さや角度並びに物理的特性の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。 In addition, as used herein, terms such as "parallel," "orthogonal," "same," "equivalent," and lengths and angles that specify the shape, geometric conditions, and physical properties and their degree. In addition, the values of physical properties, etc. shall be interpreted including the range in which similar functions can be expected without being bound by the strict meaning.

まず、蒸着マスク２０を含む蒸着マスク装置１０の一例について、図１及び図２を参照して説明する。ここで、図１は、蒸着マスク２０を含む蒸着マスク装置１０の一例を示す平面図であり、図２は、図１に示す蒸着マスク装置１０の使用方法を説明するための図である。 First, an example of the vapor deposition mask device 10 including the vapor deposition mask 20 will be described with reference to FIGS. 1 and 2. Here, FIG. 1 is a plan view showing an example of the vapor deposition mask device 10 including the vapor deposition mask 20, and FIG. 2 is a diagram for explaining how to use the vapor deposition mask device 10 shown in FIG.

図１及び図２に示された蒸着マスク装置１０は、平面視において略矩形状の形状を有する複数の蒸着マスク２０と、複数の蒸着マスク２０の周縁部に取り付けられたフレーム１５と、を備えている。蒸着マスク２０は、複数の貫通孔２５が形成された有効領域２２と、有効領域２２を挟んで位置する一対の耳部領域２４と、を有し、各耳部領域２４において、フレーム１５に取り付けられている。図１及び図２に示された例では、蒸着マスク２０が撓んでしまうことがないように、フレーム１５は、蒸着マスク２０をその長手方向に架張した状態で、すなわち蒸着マスク２０の長手方向に張力が生じた状態で、保持している。蒸着マスク２０とフレーム１５とは、例えばスポット溶接により互いに対して固定されている。 The thin-film deposition mask device 10 shown in FIGS. 1 and 2 includes a plurality of thin-film deposition masks 20 having a substantially rectangular shape in a plan view, and a frame 15 attached to a peripheral portion of the plurality of thin-film deposition masks 20. ing. The vapor deposition mask 20 has an effective region 22 in which a plurality of through holes 25 are formed, and a pair of selvage regions 24 located across the effective region 22, and is attached to the frame 15 in each selvage region 24. Has been done. In the examples shown in FIGS. 1 and 2, the frame 15 is in a state where the vapor deposition mask 20 is stretched in the longitudinal direction, that is, in the longitudinal direction of the vapor deposition mask 20 so that the vapor deposition mask 20 does not bend. It is held in a state where tension is generated. The vapor deposition mask 20 and the frame 15 are fixed to each other by spot welding, for example.

有効領域２２には、蒸着対象物である被蒸着基板（例えば有機ＥＬ基板９２）へ蒸着材料９８（例えば有機発光材料）を蒸着させる際に蒸着材料９８を通過させることを意図された複数の貫通孔２５が、所望のパターンで形成されている。この蒸着マスク装置１０は、図２に示すように、蒸着マスク２０の第１面２０ａが、被蒸着基板の下面に対面するようにして、蒸着マスク２０が蒸着装置９０内に支持され、被蒸着基板への蒸着材料９８の蒸着に使用される。 In the effective region 22, a plurality of penetrations intended to pass the thin-film deposition material 98 when the thin-film deposition material 98 (for example, the organic light-emitting material) is vapor-deposited on the substrate to be vapor-deposited (for example, the organic EL substrate 92). The holes 25 are formed in a desired pattern. In this thin-film deposition mask device 10, as shown in FIG. 2, the first surface 20a of the vapor deposition mask 20 faces the lower surface of the substrate to be vapor-deposited, and the thin-film deposition mask 20 is supported in the thin-film deposition device 90 to be deposited. It is used for vapor deposition of the vapor deposition material 98 on a substrate.

蒸着装置９０内で、有機ＥＬ基板９２の、蒸着マスク２０と反対の側の面（図２では上面）上に、磁石９３が配置される。これにより、蒸着マスク２０は、磁石９３からの磁力によって磁石９３に引き寄せられ、有機ＥＬ基板９２に密着するようになる。蒸着装置９０内には、蒸着マスク装置１０の下方に、蒸着材料９８を収容するるつぼ９４と、るつぼ９４を加熱するヒータ９６とが配置されている。るつぼ９４内の蒸着材料９８は、ヒータ９６からの加熱により、気化又は昇華して有機ＥＬ基板９２の表面に付着するようになる。上述したように、蒸着マスク２０には多数の貫通孔２５が形成されており、蒸着材料９８はこの貫通孔２５を介して有機ＥＬ基板９２に付着する。この結果、蒸着マスク２０の貫通孔２５の位置に対応した所望のパターンで、蒸着材料９８が有機ＥＬ基板９２の表面に成膜される。 In the vapor deposition apparatus 90, the magnet 93 is arranged on the surface (upper surface in FIG. 2) of the organic EL substrate 92 opposite to the vapor deposition mask 20. As a result, the vapor deposition mask 20 is attracted to the magnet 93 by the magnetic force from the magnet 93 and comes into close contact with the organic EL substrate 92. In the thin-film deposition apparatus 90, a crucible 94 for accommodating the vapor deposition material 98 and a heater 96 for heating the crucible 94 are arranged below the vapor deposition mask apparatus 10. The vaporized material 98 in the crucible 94 is vaporized or sublimated by heating from the heater 96 and adheres to the surface of the organic EL substrate 92. As described above, a large number of through holes 25 are formed in the vapor deposition mask 20, and the vapor deposition material 98 adheres to the organic EL substrate 92 through the through holes 25. As a result, the vapor deposition material 98 is formed on the surface of the organic EL substrate 92 in a desired pattern corresponding to the position of the through hole 25 of the vapor deposition mask 20.

上述したように、本実施の形態では、貫通孔２５が各有効領域２２において所定のパターンで配置されている。なお、複数の色によるカラー表示を行いたい場合には、例えば、各色に対応する蒸着マスク２０が搭載された蒸着機をそれぞれ準備し、有機ＥＬ基板９２を各蒸着機に順に投入する。これによって、例えば、赤色用の有機発光材料、緑色用の有機発光材料及び青色用の有機発光材料を順に有機ＥＬ基板９２に蒸着させることができる。 As described above, in the present embodiment, the through holes 25 are arranged in a predetermined pattern in each effective region 22. If it is desired to display colors in a plurality of colors, for example, a vapor deposition machine equipped with a vapor deposition mask 20 corresponding to each color is prepared, and the organic EL substrate 92 is sequentially charged into each vapor deposition machine. Thereby, for example, the organic light emitting material for red, the organic light emitting material for green, and the organic light emitting material for blue can be vapor-deposited on the organic EL substrate 92 in this order.

ところで蒸着処理は、高温雰囲気となる蒸着装置９０の内部で実施される場合がある。この場合、蒸着処理の間、蒸着装置９０の内部に保持される蒸着マスク２０、フレーム１５及び有機ＥＬ基板９２も加熱される。この際、蒸着マスク２０、フレーム１５及び有機ＥＬ基板９２は、各々の熱膨張係数に基づいた寸法変化の挙動を示すことになる。この場合、蒸着マスク２０やフレーム１５と有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数が大きく異なっていると、それらの寸法変化の差異に起因した位置ずれが生じ、この結果、有機ＥＬ基板９２上に付着する蒸着材料９８の寸法精度や位置精度が低下してしまう。このような課題を解決するため、蒸着マスク２０及びフレーム１５の熱膨張係数が、有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数と同等の値であることが好ましい。例えば、有機ＥＬ基板９２としてガラス基板が用いられる場合、蒸着マスク２０及びフレーム１５の主要な材料として、ニッケルを含む鉄合金を用いることができる。具体的には、３４質量％以上３８質量％以下のニッケルを含むインバー材や、ニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材などの鉄合金を、蒸着マスク２０を構成する後述する第１金属層３２及び第２金属層３７の材料として用いることができる。 By the way, the thin-film deposition treatment may be carried out inside the thin-film deposition apparatus 90 which has a high temperature atmosphere. In this case, the vapor deposition mask 20, the frame 15, and the organic EL substrate 92 held inside the vapor deposition apparatus 90 are also heated during the vapor deposition process. At this time, the vapor deposition mask 20, the frame 15, and the organic EL substrate 92 exhibit the behavior of dimensional change based on their respective coefficients of thermal expansion. In this case, if the coefficient of thermal expansion of the vapor deposition mask 20 or frame 15 and the organic EL substrate 92 are significantly different, a positional shift occurs due to the difference in their dimensional changes, and as a result, the organic EL substrate 92 adheres to the organic EL substrate 92. The dimensional accuracy and position accuracy of the vapor-deposited material 98 are lowered. In order to solve such a problem, it is preferable that the coefficient of thermal expansion of the vapor deposition mask 20 and the frame 15 is a value equivalent to the coefficient of thermal expansion of the organic EL substrate 92. For example, when a glass substrate is used as the organic EL substrate 92, an iron alloy containing nickel can be used as the main material of the vapor deposition mask 20 and the frame 15. Specifically, an iron alloy such as an Invar material containing 34% by mass or more and 38% by mass or less of nickel or a superinvar material containing cobalt in addition to nickel is used as a first metal layer to be described later to form a vapor deposition mask 20. It can be used as a material for 32 and the second metal layer 37.

なお、蒸着処理の際に、蒸着マスク２０、フレーム１５及び有機ＥＬ基板９２の温度が高温には達しない場合は、蒸着マスク２０及びフレーム１５の熱膨張係数を有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数と同等の値にする必要は特にない。この場合、蒸着マスク２０を構成する後述する第１金属層３２、第２金属層３７又は耳部金属層３８の材料として、上述の鉄合金以外の材料を用いてもよい。例えば、クロムを含む鉄合金など、上述のニッケルを含む鉄合金以外の鉄合金を用いてもよい。クロムを含む鉄合金としては、例えば、いわゆるステンレスと称される鉄合金を用いることができる。また、ニッケルやニッケル−コバルト合金など、鉄合金以外の合金を用いてもよい。 If the temperatures of the vapor deposition mask 20, the frame 15 and the organic EL substrate 92 do not reach high temperatures during the vapor deposition process, the coefficient of thermal expansion of the vapor deposition mask 20 and the frame 15 is taken as the coefficient of thermal expansion of the organic EL substrate 92. There is no particular need for equivalent values. In this case, a material other than the above-mentioned iron alloy may be used as the material of the first metal layer 32, the second metal layer 37, or the selvage metal layer 38 that constitutes the vapor deposition mask 20. For example, an iron alloy other than the above-mentioned nickel-containing iron alloy, such as an iron alloy containing chromium, may be used. As the iron alloy containing chromium, for example, a so-called stainless steel iron alloy can be used. Further, alloys other than iron alloys such as nickel and nickel-cobalt alloys may be used.

次に、蒸着マスク２０について、図１及び図３〜図６を参照して説明する。図３は、図１の蒸着マスク２０を第２面２０ｂの側から見て示す部分平面図であり、図４は、蒸着マスク２０の有効領域２２の一部を拡大して示す平面図であって、とりわけ図３のＩＶで示された一点鎖線で囲まれた部分に対応する図であり、図５は、図４のＶ−Ｖ線に対応する、蒸着マスク２０の断面を示す図である。図６は、蒸着マスク２０の耳部領域２４の断面形状を示す図であって、図３のＶＩ−ＶＩ線に対応する、蒸着マスク２０の断面を示す図である。 Next, the vapor deposition mask 20 will be described with reference to FIGS. 1 and 3 to 6. FIG. 3 is a partial plan view showing the vapor deposition mask 20 of FIG. 1 as viewed from the side of the second surface 20b, and FIG. 4 is a plan view showing a part of the effective region 22 of the vapor deposition mask 20 in an enlarged manner. In particular, it is a diagram corresponding to the portion surrounded by the alternate long and short dash line shown by IV in FIG. 3, and FIG. 5 is a diagram showing a cross section of the vapor deposition mask 20 corresponding to the VV line in FIG. .. FIG. 6 is a diagram showing a cross-sectional shape of the selvage region 24 of the vapor deposition mask 20, and is a diagram showing a cross section of the vapor deposition mask 20 corresponding to the VI-VI line of FIG.

図１に示すように、本実施の形態において、蒸着マスク２０は、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有している。とりわけ図示された例では、蒸着マスク２０は、長手方向（図１では上下方向、図３では左右方向）を有する略矩形状の輪郭を有している。蒸着マスク２０は、規則的な配列で貫通孔２５が形成された有効領域２２と、有効領域２２を取り囲む周囲領域２３と、有効領域２２を挟んで位置する一対の耳部領域２４と、を含んでいる。とりわけ本実施の形態では、一対の耳部領域２４は、有効領域２２及び周囲領域２３を挟んで位置しており、長手方向を有する蒸着マスク２０における、長手方向の両端部を形成している。 As shown in FIG. 1, in the present embodiment, the vapor deposition mask 20 has a substantially quadrangular contour in a plan view, and more accurately, a substantially rectangular contour in a plan view. In particular, in the illustrated example, the vapor deposition mask 20 has a substantially rectangular contour having a longitudinal direction (vertical direction in FIG. 1 and horizontal direction in FIG. 3). The vapor deposition mask 20 includes an effective region 22 in which through holes 25 are formed in a regular arrangement, a peripheral region 23 surrounding the effective region 22, and a pair of ear regions 24 located across the effective region 22. I'm out. In particular, in the present embodiment, the pair of ear regions 24 are located so as to sandwich the effective region 22 and the peripheral region 23, and form both ends in the longitudinal direction of the vapor deposition mask 20 having the longitudinal direction.

周囲領域２３は有効領域２２を支持するための領域であり、耳部領域２４は蒸着マスク２０をフレーム１５に取り付けるための領域である。したがって、周囲領域２３及び耳部領域２４は、いずれも有機ＥＬ基板９２へ蒸着されることを意図された蒸着材料９８が通過する領域ではない。例えば、有機ＥＬ表示装置用の有機発光材料の蒸着に用いられる蒸着マスク２０においては、有効領域２２は、有機発光材料が蒸着して画素を形成するようになる有機ＥＬ基板９２の表示領域となる区域に対面する、蒸着マスク２０内の領域のことである。ただし、種々の目的から、周囲領域２３や耳部領域２４に貫通孔や凹部が形成されていてもよい。図１に示された例において、各有効領域２２は、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有している。なお、図示はしないが、各有効領域２２は、有機ＥＬ基板９２の表示領域の形状に応じて、様々な形状の輪郭を有することができる。例えば各有効領域２２は、円形状の輪郭を有していてもよい。 The peripheral region 23 is an region for supporting the effective region 22, and the selvage region 24 is an region for attaching the vapor deposition mask 20 to the frame 15. Therefore, neither the peripheral region 23 nor the selvage region 24 is a region through which the vapor-deposited material 98 intended to be vapor-deposited on the organic EL substrate 92 passes. For example, in the vapor deposition mask 20 used for vapor deposition of an organic light emitting material for an organic EL display device, the effective region 22 is a display region of the organic EL substrate 92 on which the organic light emitting material is vapor-deposited to form pixels. It is an area in the vapor deposition mask 20 facing the area. However, for various purposes, through holes and recesses may be formed in the peripheral region 23 and the selvage region 24. In the example shown in FIG. 1, each effective region 22 has a substantially quadrangular contour in a plan view, or more accurately, a substantially rectangular contour in a plan view. Although not shown, each effective region 22 can have contours having various shapes depending on the shape of the display region of the organic EL substrate 92. For example, each effective region 22 may have a circular contour.

図１に示された例において、蒸着マスク２０の複数の有効領域２２は、蒸着マスク２０の長手方向と平行な一方向に沿って所定の間隔を空けて一列に配列されている。図示された例では、一つの有効領域２２が一つの有機ＥＬ表示装置に対応するようになっている。すなわち、図１に示された蒸着マスク装置１０（蒸着マスク２０）によれば、被蒸着基板上への多面付蒸着が可能となっている。 In the example shown in FIG. 1, the plurality of effective regions 22 of the vapor deposition mask 20 are arranged in a row at predetermined intervals along one direction parallel to the longitudinal direction of the vapor deposition mask 20. In the illustrated example, one effective region 22 corresponds to one organic EL display device. That is, according to the thin-film deposition mask device 10 (thin-film deposition mask 20) shown in FIG. 1, multi-sided vapor deposition on the substrate to be deposited is possible.

図４に示すように、各有効領域２２に形成された複数の貫通孔２５は、当該有効領域２２において、互いに直交する二方向に沿ってそれぞれ所定のピッチで配列されている。この貫通孔２５の形状などについて、以下に詳細に説明する。ここでは、蒸着マスク２０がめっき処理によって形成される場合の、貫通孔２５の形状などについて説明する。 As shown in FIG. 4, the plurality of through holes 25 formed in each effective region 22 are arranged at predetermined pitches in the effective region 22 along two directions orthogonal to each other. The shape of the through hole 25 and the like will be described in detail below. Here, the shape of the through hole 25 and the like when the vapor deposition mask 20 is formed by the plating process will be described.

図５に示すように、蒸着マスク２０は、所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２と、第１開口部３０に連通する第２開口部３５が設けられた第２金属層３７と、を備えている。第２金属層３７は、第１金属層３２よりも蒸着マスク２０の第２面２０ｂ側に配置されている。図５に示す例においては、第１金属層３２の第２金属層３７と反対側の面が蒸着マスク２０の第１面２０ａを構成し、第２金属層３７の第１金属層３２と反対側の面が蒸着マスク２０の第２面２０ｂを構成している。 As shown in FIG. 5, the vapor deposition mask 20 is provided with a first metal layer 32 provided with a first opening 30 in a predetermined pattern, and a second opening 35 communicating with the first opening 30. It includes two metal layers 37. The second metal layer 37 is arranged on the second surface 20b side of the vapor deposition mask 20 with respect to the first metal layer 32. In the example shown in FIG. 5, the surface of the first metal layer 32 opposite to the second metal layer 37 constitutes the first surface 20a of the vapor deposition mask 20 and is opposite to the first metal layer 32 of the second metal layer 37. The side surface constitutes the second surface 20b of the vapor deposition mask 20.

本実施の形態においては、第１開口部３０と第２開口部３５とが互いに連通することにより、蒸着マスク２０を貫通する貫通孔２５が構成されている。この場合、蒸着マスク２０の第１面２０ａ側における貫通孔２５の開口寸法や開口形状は、第１金属層３２の第１開口部３０によって画定される。一方、蒸着マスク２０の第２面２０ｂ側における貫通孔２５の開口寸法や開口形状は、第２金属層３７の第２開口部３５によって画定される。言い換えると、貫通孔２５には、第１金属層３２の第１開口部３０によって画定される形状、及び、第２金属層３７の第２開口部３５によって画定される形状の両方が付与されている。 In the present embodiment, the first opening 30 and the second opening 35 communicate with each other to form a through hole 25 penetrating the vapor deposition mask 20. In this case, the opening size and opening shape of the through hole 25 on the first surface 20a side of the vapor deposition mask 20 are defined by the first opening 30 of the first metal layer 32. On the other hand, the opening size and opening shape of the through hole 25 on the second surface 20b side of the vapor deposition mask 20 are defined by the second opening 35 of the second metal layer 37. In other words, the through hole 25 is provided with both a shape defined by the first opening 30 of the first metal layer 32 and a shape defined by the second opening 35 of the second metal layer 37. There is.

図４に示すように、貫通孔２５を構成する第１開口部３０や第２開口部３５は、平面視において略多角形状になっていてもよい。ここでは第１開口部３０及び第２開口部３５が、略四角形状、より具体的には略正方形状になっている例が示されている。また図示はしないが、第１開口部３０や第２開口部３５は、略六角形状や略八角形状など、その他の略多角形状になっていてもよい。なお「略多角形状」とは、多角形の角部が丸められている形状を含む概念である。また図示はしないが、第１開口部３０や第２開口部３５は、円形状や、楕円形状等の形状を有していてもよい。また、平面視において第２開口部３５が第１開口部３０を囲う輪郭を有する限りにおいて、第１開口部３０の形状と第２開口部３５の形状が相似形になっている必要はない。 As shown in FIG. 4, the first opening 30 and the second opening 35 forming the through hole 25 may have a substantially polygonal shape in a plan view. Here, an example is shown in which the first opening 30 and the second opening 35 have a substantially square shape, more specifically, a substantially square shape. Although not shown, the first opening 30 and the second opening 35 may have other substantially polygonal shapes such as a substantially hexagonal shape and a substantially octagonal shape. The "substantially polygonal shape" is a concept including a shape in which the corners of the polygon are rounded. Although not shown, the first opening 30 and the second opening 35 may have a circular shape, an elliptical shape, or the like. Further, as long as the second opening 35 has a contour surrounding the first opening 30 in a plan view, the shape of the first opening 30 and the shape of the second opening 35 need not be similar to each other.

図５において、符号４１は、第１金属層３２と第２金属層３７とが接続される接続部を表している。また符号Ｓ０は、第１金属層３２と第２金属層３７との接続部４１における貫通孔２５の寸法を表している。なお図５においては、第１金属層３２と第２金属層３７とが接している例を示したが、これに限られることはなく、第１金属層３２と第２金属層３７との間にその他の層が介在されていてもよい。例えば、第１金属層３２と第２金属層３７との間に、第１金属層３２上における第２金属層３７の析出を促進させるための触媒層が設けられていてもよい。 In FIG. 5, reference numeral 41 represents a connecting portion to which the first metal layer 32 and the second metal layer 37 are connected. Further, reference numeral S0 represents the dimension of the through hole 25 in the connecting portion 41 between the first metal layer 32 and the second metal layer 37. Note that FIG. 5 shows an example in which the first metal layer 32 and the second metal layer 37 are in contact with each other, but the present invention is not limited to this, and the space between the first metal layer 32 and the second metal layer 37 is not limited to this. Other layers may be interposed in the. For example, a catalyst layer for promoting the precipitation of the second metal layer 37 on the first metal layer 32 may be provided between the first metal layer 32 and the second metal layer 37.

図５に示すように、第２面２０ｂにおける貫通孔２５（第２開口部３５）の開口寸法Ｓ２は、第１面２０ａにおける貫通孔２５（第１開口部３０）の開口寸法Ｓ１よりも大きくなっている。 As shown in FIG. 5, the opening size S2 of the through hole 25 (second opening 35) on the second surface 20b is larger than the opening size S1 of the through hole 25 (first opening 30) on the first surface 20a. It has become.

図５において、蒸着マスク２０の第２面２０ｂ側における貫通孔２５（第２開口部３５）の端部３６を通る蒸着材料９８の経路であって、有機ＥＬ基板９２に到達することができる経路のうち、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対してなす角度が最小となる経路が、符号Ｌ１で表されている。また、経路Ｌ１と蒸着マスク２０の法線方向Ｎとがなす角度が、符号θ１で表されている。斜めに移動する蒸着材料９８を、可能な限り有機ＥＬ基板９２に到達させるためには、角度θ１を大きくすることが有利となる。例えば角度θ１を４５°以上にすることが好ましい。 In FIG. 5, it is a path of the vapor deposition material 98 passing through the end portion 36 of the through hole 25 (second opening 35) on the second surface 20b side of the vapor deposition mask 20, and is a path capable of reaching the organic EL substrate 92. Of these, the path that minimizes the angle formed by the vapor deposition mask 20 with respect to the normal direction N is represented by reference numeral L1. Further, the angle formed by the path L1 and the normal direction N of the vapor deposition mask 20 is represented by the reference numeral θ1. In order for the thin-film deposition material 98 that moves diagonally to reach the organic EL substrate 92 as much as possible, it is advantageous to increase the angle θ1. For example, it is preferable that the angle θ1 is 45 ° or more.

上述の開口寸法Ｓ０，Ｓ１，Ｓ２は、有機ＥＬ表示装置の画素密度や上述の角度θ１の所望値などを考慮して、適切に設定される。例えば、４００ｐｐｉ以上の画素密度の有機ＥＬ表示装置を作製する場合、接続部４１における貫通孔２５の開口寸法Ｓ０は、１５μｍ以上６０μｍ以下の範囲内に設定され得る。また、第１面２０ａにおける第１開口部３０の開口寸法Ｓ１は、１０μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定され、第２面２０ｂにおける第２開口部３５の開口寸法Ｓ２は、１５μｍ以上６０μｍ以下の範囲内に設定され得る。 The above-mentioned aperture dimensions S0, S1, and S2 are appropriately set in consideration of the pixel density of the organic EL display device, the desired value of the above-mentioned angle θ1, and the like. For example, when an organic EL display device having a pixel density of 400 ppi or more is manufactured, the opening size S0 of the through hole 25 in the connection portion 41 can be set within a range of 15 μm or more and 60 μm or less. Further, the opening size S1 of the first opening 30 on the first surface 20a is set within the range of 10 μm or more and 50 μm or less, and the opening size S2 of the second opening 35 on the second surface 20b is 15 μm or more and 60 μm or less. Can be set within range.

図５に示された例では、有効領域２２における第１金属層３２及び第２金属層３７の合計厚さＴ１すなわち蒸着マスク２０の厚さＴ１は、例えば５μｍ以上５０μｍ以下とすることができる。有効領域２２における蒸着マスク２０の厚さＴ１が、このような厚さを有している場合、蒸着マスク２０が所望の耐久性を有しつつも十分に薄厚化されているので、有機ＥＬ基板９２に、斜め方向、すなわち有機ＥＬ基板９２の板面及び当該板面への法線方向の両方に対して傾斜した方向、から向かう蒸着材料の当該有機ＥＬ基板９２への付着が阻害されることを抑制すること、すなわち有機材料の付着ムラの発生を抑制することが可能になる。これにより、当該有機ＥＬ基板９２を有する有機ＥＬ表示装置において、輝度ムラが生じることを効果的に防止することができる。 In the example shown in FIG. 5, the thickness T 1 of the total thickness T 1 i.e. evaporation mask 20 of the first metal layer 32 and the second metal layer 37 in the effective region 22, for example, be a 5μm or 50μm or less it can. When the thickness T 1 of the vapor deposition mask 20 in the effective region 22 has such a thickness, the vapor deposition mask 20 has the desired durability but is sufficiently thinned, so that the organic EL Adhesion of the vapor-deposited material toward the substrate 92 from an oblique direction, that is, a direction inclined with respect to both the plate surface of the organic EL substrate 92 and the normal direction to the plate surface, to the organic EL substrate 92 is hindered. This can be suppressed, that is, the occurrence of uneven adhesion of organic materials can be suppressed. As a result, it is possible to effectively prevent the occurrence of uneven brightness in the organic EL display device having the organic EL substrate 92.

次に、図３及び図６を参照して、蒸着マスク２０の耳部領域２４について詳述する。図示されているように、蒸着マスク２０の耳部領域２４は、有効領域２２側に位置する第１領域２６と、第１領域２６に有効領域２２と反対側から隣接する第２領域２７とを有している。 Next, the selvage region 24 of the vapor deposition mask 20 will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 6. As shown in the figure, the selvage mask 20 has a first region 26 located on the effective region 22 side and a second region 27 adjacent to the first region 26 from the opposite side to the effective region 22. Have.

図示された例では、蒸着マスク２０の耳部領域２４の厚さＴ２は、有効領域２２の厚さＴ１よりも大きくなっている。とりわけ、蒸着マスク２０の耳部領域２４における第２領域２７の厚さＴ２が、有効領域２２の厚さＴ１よりも大きくなっている。この耳部領域２４の厚さＴ２は、例えば１５μｍ以上５０μｍ以下とすることができる。このような厚さＴ２を有する耳部領域２４を備えた蒸着マスク２０によれば、比較的厚く形成された耳部領域２４により薄厚化された有効領域２２を支持することができるので、有効領域２２における変形を抑制し、蒸着マスク２０の取り扱い性を向上させることができる。 In the illustrated example, the thickness T 2 of the selvage region 24 of the vapor deposition mask 20 is larger than the thickness T 1 of the effective region 22. In particular, the thickness T 2 of the second region 27 in the selvage region 24 of the vapor deposition mask 20 is larger than the thickness T 1 of the effective region 22. The thickness T 2 of the selvage region 24 can be, for example, 15 μm or more and 50 μm or less. According to the vapor deposition mask 20 provided with the selvage region 24 having such a thickness T 2 , the effective region 22 thinned by the selvage region 24 formed to be relatively thick can be supported, which is effective. Deformation in the region 22 can be suppressed and the handleability of the vapor deposition mask 20 can be improved.

このため、図６に示された例では、蒸着マスク２０の耳部領域２４は、第１金属層３２と、第２金属層３７と、第１金属層３２及び第２金属層３７の間に配置された耳部金属層３８と、を有している。耳部金属層３８は、蒸着マスク２０の耳部領域２４の厚さＴ２を、有効領域２２の厚さＴ１よりも大きくすることを意図して設けられている。この耳部金属層３８の厚さは、例えば１０μｍ以上４５μｍ以下とすることができる。耳部金属層３８は、後述の蒸着マスク２０製造方法に起因して、その有効領域２２側の端部に、有効領域２２と耳部領域２４の並べられた方向（図６の左右方向）、及び、蒸着マスク２０の法線方向（図６の上下方向）、の両方に対して傾斜した傾斜面３９を有している。図示された例では、傾斜面３９は、有効領域２２と耳部領域２４の並べられた方向、及び、蒸着マスク２０の法線方向の両方に平行な断面（以下、第１断面ともいう）、すなわち図６に示す断面、において、有効領域２２側から有効領域２２と反対側へ向かうにつれて、第１面２０ａ側から第２面２０ｂ側へ向かう傾斜を有している。とりわけ、傾斜面３９は、後述の蒸着マスク２０製造方法に起因して、第１断面において、有効領域２２側から有効領域２２と反対側へ向かうにつれて、蒸着マスク２０の法線方向とのなす角度が小さくなるように、言い換えると蒸着マスク２０の板面方向とのなす角度が大きくなるように、形成されている。すなわち、傾斜面３９は、第１断面において、耳部金属層３８側へ向かって凹んだ、凹面として形成されている。 Therefore, in the example shown in FIG. 6, the selvage region 24 of the vapor deposition mask 20 is located between the first metal layer 32, the second metal layer 37, the first metal layer 32, and the second metal layer 37. It has an arranged ear metal layer 38. The selvage metal layer 38 is provided with the intention of making the thickness T 2 of the selvage region 24 of the vapor deposition mask 20 larger than the thickness T 1 of the effective region 22. The thickness of the selvage metal layer 38 can be, for example, 10 μm or more and 45 μm or less. Due to the method for manufacturing the vapor deposition mask 20 described later, the ear metal layer 38 has the effective region 22 and the ear region 24 arranged side by side (horizontal direction in FIG. 6) at the end on the effective region 22 side. It also has an inclined surface 39 that is inclined with respect to both the normal direction of the vapor deposition mask 20 (the vertical direction in FIG. 6). In the illustrated example, the inclined surface 39 has a cross section parallel to both the direction in which the effective region 22 and the ear region 24 are arranged and the normal direction of the vapor deposition mask 20 (hereinafter, also referred to as a first cross section). That is, in the cross section shown in FIG. 6, it has an inclination from the first surface 20a side to the second surface 20b side as it goes from the effective region 22 side to the side opposite to the effective region 22. In particular, the inclined surface 39 has an angle formed with the normal direction of the vapor deposition mask 20 as it goes from the effective region 22 side to the side opposite to the effective region 22 in the first cross section due to the method for manufacturing the vapor deposition mask 20 described later. In other words, the vapor deposition mask 20 is formed so that the angle formed with the plate surface direction becomes large. That is, the inclined surface 39 is formed as a concave surface that is recessed toward the selvage metal layer 38 side in the first cross section.

図示された例では、耳部金属層３８上に第２金属層３７が形成されており、これにより、第１領域２６における第２金属層３７は、その第２面２０ｂに、耳部金属層３８の傾斜面３９に対応した傾斜面２９を有している。すなわち、蒸着マスク２０は、第１領域２６における第２面２０ｂに、傾斜面２９を有している。図示された例では、傾斜面２９は、第１断面において、有効領域２２側から有効領域２２と反対側へ向かうにつれて、すなわち有効領域２２側から第２領域２７側へ向かうにつれて、第１面２０ａ側から第１面２０ａと反対側へ向かう傾斜を有している。なお、傾斜面２９は、第１断面において、傾斜面３９と同一の形状を有している必要はない。すなわち、傾斜面３９は、第１断面において、耳部金属層３８側へ向かって凹んだ、凹面として形成されている場合に、傾斜面２９が同様の凹面として形成されていなくてもよい。 In the illustrated example, the second metal layer 37 is formed on the selvage metal layer 38, whereby the second metal layer 37 in the first region 26 is formed on the selvage metal layer 20b on the second surface 20b. It has an inclined surface 29 corresponding to the inclined surface 39 of 38. That is, the thin-film deposition mask 20 has an inclined surface 29 on the second surface 20b in the first region 26. In the illustrated example, the inclined surface 29 has a first surface 20a in the first cross section as it goes from the effective region 22 side to the side opposite to the effective region 22, that is, from the effective region 22 side to the second region 27 side. It has an inclination from the side toward the side opposite to the first surface 20a. The inclined surface 29 does not have to have the same shape as the inclined surface 39 in the first cross section. That is, when the inclined surface 39 is formed as a concave surface recessed toward the selvage metal layer 38 side in the first cross section, the inclined surface 29 may not be formed as a similar concave surface.

耳部領域２４の第１領域２６において、蒸着マスク２０の厚さは、有効領域２２から離間するにつれて大きくなるように変化している。ここでいう「大きくなるように変化する」とは、有効領域２２と耳部領域２４の並べられた方向（図３及び図６における左右方向）及び蒸着マスク２０の法線方向の両方に平行な断面、すなわち図６に示す断面、において第１領域２６を全体的かつ大局的に見た場合に、当該断面における蒸着マスク２０の厚さが有効領域２２から離間するにつれて大きくなるように変化することを意味する。したがって、図６に示されているような、蒸着マスク２０の厚さが有効領域２２から離間するにつれて常に大きくなるように変化し続けることのみならず、一部の領域において厚さが変化しない場合や厚さが小さくなるものも、ここでいう「大きくなるように変化する」に含まれる。結果として、第１領域２６の有効領域２２と反対側の端部すなわち第２領域２７側の端部における蒸着マスク２０の厚さは、第１領域２６の有効領域２２側の端部における蒸着マスク２０の厚さよりも大きくなっている。 In the first region 26 of the selvage region 24, the thickness of the vapor deposition mask 20 changes so as to increase away from the effective region 22. The term "changing to be larger" as used herein is parallel to both the side-by-side direction of the effective region 22 and the ear region 24 (the left-right direction in FIGS. 3 and 6) and the normal direction of the vapor deposition mask 20. When the first region 26 is viewed as a whole and globally in the cross section, that is, the cross section shown in FIG. 6, the thickness of the vapor deposition mask 20 in the cross section changes so as to increase as the distance from the effective region 22 increases. Means. Therefore, as shown in FIG. 6, not only the thickness of the vapor deposition mask 20 keeps changing so as to always increase as the distance from the effective region 22 increases, but also the thickness does not change in a part of the regions. Those with a smaller thickness are also included in the "change to increase" here. As a result, the thickness of the vapor deposition mask 20 at the end opposite to the effective region 22 of the first region 26, that is, the end on the side of the second region 27, is the thickness of the vapor deposition mask 20 at the end of the first region 26 on the effective region 22 side. It is larger than the thickness of 20.

蒸着マスク２０の耳部領域２４が、このような厚さを有する第１領域２６を有していることにより、蒸着マスク２０の有効領域２２と耳部領域２４との間の厚さの変化が緩やかになり、蒸着マスク２０を架張したときの、有効領域２２と耳部領域２４との間の箇所への応力集中による蒸着マスク２０の変形を抑制することができる。これにより、有効領域２２と耳部領域２４との間の箇所における蒸着マスク２０の変形に起因して、蒸着マスク２０にシワが生じることを効果的に防止することができる。 Since the ear region 24 of the vapor deposition mask 20 has the first region 26 having such a thickness, the change in thickness between the effective region 22 of the vapor deposition mask 20 and the ear region 24 can be changed. It becomes loose, and when the vapor deposition mask 20 is stretched, deformation of the vapor deposition mask 20 due to stress concentration on a portion between the effective region 22 and the ear region 24 can be suppressed. As a result, it is possible to effectively prevent wrinkles from being generated in the vapor deposition mask 20 due to the deformation of the vapor deposition mask 20 at the portion between the effective region 22 and the ear region 24.

ここで、図６に示された例では、蒸着マスク２０の耳部金属層３８が、その有効領域２２側の端部に傾斜面３９を有していることにより、耳部領域２４の第１領域２６における第２面２０ｂに傾斜面２９を形成することができ、これにより、第１領域２６において、蒸着マスク２０の厚さを、有効領域２２から離間するにつれて大きくなるように変化させることができる。 Here, in the example shown in FIG. 6, the selvage metal layer 38 of the vapor deposition mask 20 has an inclined surface 39 at the end on the effective region 22 side, so that the first of the selvage regions 24 is An inclined surface 29 can be formed on the second surface 20b in the region 26, whereby the thickness of the vapor deposition mask 20 in the first region 26 can be changed so as to increase away from the effective region 22. it can.

第１金属層３２、第２金属層３７及び耳部金属層３８を構成する主要な材料としては、ニッケルを含む鉄合金を用いることができる。具体的には、３４質量％以上３８質量％以下のニッケルを含むインバー材や、ニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材などの鉄合金を用いることができる。また、これに限られず、第１金属層３２及び第２金属層３７を構成する主要な材料として、例えば、クロムを含む鉄合金など、上述のニッケルを含む鉄合金以外の鉄合金を用いてもよい。クロムを含む鉄合金としては、例えば、いわゆるステンレスと称される鉄合金を用いることができる。また、ニッケルやニッケル−コバルト合金など、鉄合金以外の合金を用いてもよい。なお、第１金属層３２及び第２金属層３７は、同一の組成を有する材料から構成されてもよいし、異なる組成を有する材料から構成されてもよい。 An iron alloy containing nickel can be used as the main material constituting the first metal layer 32, the second metal layer 37, and the selvage metal layer 38. Specifically, an iron alloy such as an Invar material containing 34% by mass or more and 38% by mass or less of nickel, or a superinvar material containing cobalt in addition to nickel can be used. Further, the present invention is not limited to this, and as a main material constituting the first metal layer 32 and the second metal layer 37, for example, an iron alloy other than the above-mentioned nickel-containing iron alloy such as an iron alloy containing chromium may be used. Good. As the iron alloy containing chromium, for example, a so-called stainless steel iron alloy can be used. Further, alloys other than iron alloys such as nickel and nickel-cobalt alloys may be used. The first metal layer 32 and the second metal layer 37 may be made of materials having the same composition or may be made of materials having different compositions.

次に、蒸着マスク２０の製造方法の一例について説明する。ここでは、蒸着マスク２０の第１金属層３２及び第２金属層３７がめっきで形成される例について説明する。本実施の形態の蒸着マスク２０の製造方法は、第１金属層を形成する第１成膜工程と、前記第１金属層上に耳部金属層を形成する耳部金属層形成工程と、前記第１金属層上に第２金属層を形成する第２成膜工程と、前記第１金属層、前記耳部金属層及び前記第２金属層の組み合わせ体を前記基材から分離させる分離工程と、を有する。 Next, an example of a method for manufacturing the vapor deposition mask 20 will be described. Here, an example in which the first metal layer 32 and the second metal layer 37 of the vapor deposition mask 20 are formed by plating will be described. The method for manufacturing the vapor deposition mask 20 of the present embodiment includes a first film forming step of forming a first metal layer, an ear metal layer forming step of forming an ear metal layer on the first metal layer, and the above-mentioned. A second film forming step of forming a second metal layer on the first metal layer, and a separation step of separating the combination of the first metal layer, the ear metal layer, and the second metal layer from the base material. , Have.

〔パターン基板準備工程〕
はじめに、パターン基板５０を作製する方法の一例について説明する。はじめに、基材５１を準備する。次に図７に示すように、導電性材料からなる導電層５２ａを形成する。導電層５２ａは、パターニングされることによって導電性パターン５２となる層である。 [Pattern board preparation process]
First, an example of a method for manufacturing the pattern substrate 50 will be described. First, the base material 51 is prepared. Next, as shown in FIG. 7, a conductive layer 52a made of a conductive material is formed. The conductive layer 52a is a layer that becomes a conductive pattern 52 by being patterned.

絶縁性及び適切な強度を有する限りにおいて、基材５１を構成する材料や基材５１の厚さが特に限られることはない。例えば基材５１を構成する材料として、ガラスや合成樹脂などを用いることができる。 As long as it has insulating properties and appropriate strength, the material constituting the base material 51 and the thickness of the base material 51 are not particularly limited. For example, glass, synthetic resin, or the like can be used as the material constituting the base material 51.

導電層５２ａを構成する材料としては、金属材料や酸化物導電性材料等の導電性を有する材料が適宜用いられる。金属材料の例としては、例えばクロムや銅などを挙げることができる。好ましくは、後述する第１レジストパターン５３に対する高い密着性を有する材料が、導電層５２ａを構成する材料として用いられる。例えば第１レジストパターン５３が、アクリル系光硬化性樹脂を含むレジスト膜など、いわゆるドライフィルムと称されるものをパターニングすることによって作製される場合、導電層５２ａを構成する材料として、ドライフィルムに対する高い密着性を有する銅が用いられることが好ましい。 As the material constituting the conductive layer 52a, a conductive material such as a metal material or an oxide conductive material is appropriately used. Examples of metal materials include, for example, chromium and copper. Preferably, a material having high adhesion to the first resist pattern 53, which will be described later, is used as the material constituting the conductive layer 52a. For example, when the first resist pattern 53 is produced by patterning a so-called dry film such as a resist film containing an acrylic photocurable resin, the dry film can be used as a material constituting the conductive layer 52a. It is preferable to use copper having high adhesion.

導電層５２ａは、例えばスパッタリングや無電解めっき等により形成される。導電層５２ａを厚く形成しようとすると、導電層５２ａの形成に長時間を要する。一方、導電層５２ａの厚さは、薄すぎると抵抗値が大きくなり、電解めっき処理により第１金属層３２が形成されにくくなる。したがって、例えば導電層５２ａの厚さは、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。 The conductive layer 52a is formed by, for example, sputtering, electroless plating, or the like. If the conductive layer 52a is to be formed thickly, it takes a long time to form the conductive layer 52a. On the other hand, if the thickness of the conductive layer 52a is too thin, the resistance value becomes large, and it becomes difficult for the first metal layer 32 to be formed by the electrolytic plating treatment. Therefore, for example, the thickness of the conductive layer 52a is preferably in the range of 50 nm or more and 500 nm or less.

次に図８に示すように、導電層５２ａ上に、所定のパターンを有する第１レジストパターン５３を形成する。第１レジストパターン５３を形成する方法としては、後述する第２レジストパターン５５の場合と同様に、フォトリソグラフィー法などが採用され得る。第１レジストパターン５３用の材料に所定のパターンで光を照射する方法としては、所定のパターンで露光光を透過させる露光マスクを用いる方法や、所定のパターンで露光光を第１レジストパターン５３用の材料に対して相対的に走査する方法などが採用され得る。その後、図９に示すように、導電層５２ａのうち第１レジストパターン５３によって覆われていない部分を、エッチングによって除去する。次に図１０に示すように、第１レジストパターン５３を除去する。これによって、第１金属層３２に対応するパターンを有する導電性パターン５２が形成されたパターン基板５０を得ることができる。 Next, as shown in FIG. 8, a first resist pattern 53 having a predetermined pattern is formed on the conductive layer 52a. As a method for forming the first resist pattern 53, a photolithography method or the like can be adopted as in the case of the second resist pattern 55 described later. As a method of irradiating the material for the first resist pattern 53 with light in a predetermined pattern, a method using an exposure mask that transmits the exposure light in a predetermined pattern or an exposure light in a predetermined pattern for the first resist pattern 53. A method of scanning relative to the material of the above can be adopted. Then, as shown in FIG. 9, the portion of the conductive layer 52a that is not covered by the first resist pattern 53 is removed by etching. Next, as shown in FIG. 10, the first resist pattern 53 is removed. As a result, the pattern substrate 50 on which the conductive pattern 52 having the pattern corresponding to the first metal layer 32 is formed can be obtained.

〔第１成膜工程〕
次に、パターン基板５０を利用して上述の第１金属層３２を作製する第１成膜工程について説明する。ここでは、絶縁性を有する基材５１上に所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２を形成する。具体的には、導電性パターン５２が形成された基材５１上に第１めっき液を供給して、導電性パターン５２上に第１金属層３２を析出させる第１めっき処理工程を実施する。例えば、導電性パターン５２が形成された基材５１を、第１めっき液が充填されためっき槽に浸す。これによって、図１１に示すように、基材５１上に、所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２を得ることができる。第１金属層３２の厚さは、例えば５μｍ以下になっている。なお、基材５１上に第１金属層３２を形成するとは、基材５１上に直接第１金属層３２を形成することに限られず、基材５１上に導電性パターン５２等の他の層を介して第１金属層３２を形成することをも含む。 [First film formation process]
Next, the first film forming step of producing the above-mentioned first metal layer 32 by using the pattern substrate 50 will be described. Here, the first metal layer 32 in which the first opening 30 is provided in a predetermined pattern is formed on the insulating base material 51. Specifically, a first plating treatment step is carried out in which the first plating solution is supplied onto the base material 51 on which the conductive pattern 52 is formed, and the first metal layer 32 is deposited on the conductive pattern 52. For example, the base material 51 on which the conductive pattern 52 is formed is immersed in a plating tank filled with the first plating solution. As a result, as shown in FIG. 11, it is possible to obtain the first metal layer 32 provided with the first opening 30 in a predetermined pattern on the base material 51. The thickness of the first metal layer 32 is, for example, 5 μm or less. The formation of the first metal layer 32 on the base material 51 is not limited to the formation of the first metal layer 32 directly on the base material 51, and other layers such as the conductive pattern 52 are formed on the base material 51. It also includes forming the first metal layer 32 via the above.

導電性パターン５２上に第１金属層３２を析出させることができる限りにおいて、第１めっき処理工程の具体的な方法が特に限られることはない。例えば第１めっき処理工程は、導電性パターン５２に電流を流すことによって導電性パターン５２上に第１金属層３２を析出させる、いわゆる電解めっき処理工程として実施されてもよい。若しくは、第１めっき処理工程は、無電解めっき処理工程であってもよい。なお第１めっき処理工程が無電解めっき処理工程である場合、導電性パターン５２上には適切な触媒層が設けられていてもよい。若しくは、導電性パターン５２が、触媒層として機能するよう構成されていてもよい。電解めっき処理工程が実施される場合にも、導電性パターン５２上に触媒層が設けられていてもよい。 As long as the first metal layer 32 can be deposited on the conductive pattern 52, the specific method of the first plating treatment step is not particularly limited. For example, the first plating treatment step may be carried out as a so-called electroplating treatment step in which the first metal layer 32 is deposited on the conductive pattern 52 by passing an electric current through the conductive pattern 52. Alternatively, the first plating treatment step may be an electroless plating treatment step. When the first plating process is an electroless plating process, an appropriate catalyst layer may be provided on the conductive pattern 52. Alternatively, the conductive pattern 52 may be configured to function as a catalyst layer. Even when the electrolytic plating treatment step is carried out, the catalyst layer may be provided on the conductive pattern 52.

用いられる第１めっき液の成分は、第１金属層３２に求められる特性に応じて適宜定められる。例えば、第１めっき液として、ニッケル化合物を含む溶液と、鉄化合物を含む溶液との混合溶液を用いることができる。例えば、スルファミン酸ニッケルや臭化ニッケルを含む溶液と、スルファミン酸第一鉄を含む溶液との混合溶液を用いることができる。めっき液には、様々な添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、ホウ酸などのｐＨ緩衝剤、サッカリンナトリウなどの一次光沢剤、ブチンジオール、プロパギルアルコール、クマリン、ホルマリン、チオ尿素などの二次光沢剤や、酸化防止剤などが用いられ得る。 The components of the first plating solution used are appropriately determined according to the characteristics required for the first metal layer 32. For example, as the first plating solution, a mixed solution of a solution containing a nickel compound and a solution containing an iron compound can be used. For example, a mixed solution of a solution containing nickel sulfamate or nickel bromide and a solution containing ferrous sulfamate can be used. The plating solution may contain various additives. As the additive, a pH buffer such as boric acid, a primary brightener such as saccharin natriu, a secondary brightener such as butinediol, propagyl alcohol, coumarin, formalin, and thiourea, and an antioxidant may be used. ..

〔第２レジストパターン形成工程〕
次に、基材５１上及び第１金属層３２上に、所定の隙間５６を空けて第２レジストパターン５５を形成する第２レジストパターン形成工程を実施する。図１２は、基材５１上に形成された第２レジストパターン５５を示す断面図である。図１２に示すように、レジスト形成工程は、第１金属層３２の第１開口部３０が第２レジストパターン５５によって覆われるとともに、第２レジストパターン５５の隙間５６が第１金属層３２上に位置するように実施される。なお、このとき、耳部領域２４に対応する領域には、第２レジストパターン５５は形成されない。ここで、隙間５６とは、第２レジストパターン５５が形成されていない箇所を指している。したがって、蒸着マスク２０の耳部領域２４に対応する領域にも隙間５６が形成されているといえる。 [Second resist pattern forming step]
Next, a second resist pattern forming step of forming the second resist pattern 55 on the base material 51 and the first metal layer 32 with a predetermined gap 56 is carried out. FIG. 12 is a cross-sectional view showing a second resist pattern 55 formed on the base material 51. As shown in FIG. 12, in the resist forming step, the first opening 30 of the first metal layer 32 is covered with the second resist pattern 55, and the gap 56 of the second resist pattern 55 is formed on the first metal layer 32. Implemented to be located. At this time, the second resist pattern 55 is not formed in the region corresponding to the selvage region 24. Here, the gap 56 refers to a portion where the second resist pattern 55 is not formed. Therefore, it can be said that the gap 56 is also formed in the region corresponding to the selvage region 24 of the vapor deposition mask 20.

以下、レジスト形成工程の一例について説明する。はじめに、基材５１上及び第１金属層３２上にドライフィルムを貼り付けることによって、ネガ型のレジスト膜を形成する。ドライフィルムの例としては、例えば日立化成製のＲＹ３３１０など、アクリル系光硬化性樹脂を含むものを挙げることができる。また、第２レジストパターン５５用の材料を基材５１上に塗布し、その後に必要に応じて焼成を実施することにより、レジスト膜を形成してもよい。次に、レジスト膜のうち隙間５６となるべき領域に光を透過させないようにした露光マスクを準備し、露光マスクをレジスト膜上に配置する。その後、真空密着によって露光マスクをレジスト膜に十分に密着させる。なおレジスト膜として、ポジ型のものが用いられてもよい。この場合、露光マスクとして、レジスト膜のうちの除去したい領域に光を透過させるようにした露光マスクが用いられる。 Hereinafter, an example of the resist forming step will be described. First, a negative type resist film is formed by sticking a dry film on the base material 51 and the first metal layer 32. Examples of the dry film include those containing an acrylic photocurable resin such as RY3310 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. Further, the resist film may be formed by applying the material for the second resist pattern 55 on the base material 51 and then performing firing as necessary. Next, an exposure mask that does not allow light to pass through the region of the resist film that should be the gap 56 is prepared, and the exposure mask is placed on the resist film. After that, the exposure mask is sufficiently adhered to the resist film by vacuum adhesion. A positive type resist film may be used as the resist film. In this case, as the exposure mask, an exposure mask that allows light to pass through the region of the resist film to be removed is used.

その後、レジスト膜を露光マスク越しに露光する。さらに、露光されたレジスト膜に像を形成するためにレジスト膜を現像する。以上のようにして、図１２に示すような中間部材５８を得ることができる。図示された例では、中間部材５８は、基材５１、基材５１上に配置された導電性パターン５２、導電性パターン５２上に析出した第１金属層３２、及び、第１金属層３２上に位置する隙間５６が設けられるとともに第１金属層３２の第１開口部３０を覆う第２レジストパターン５５を有している。なお、第２レジストパターン５５を基材５１及び第１金属層３２に対してより強固に密着させるため、現像工程の後に第２レジストパターン５５を加熱する熱処理工程を実施してもよい。 After that, the resist film is exposed through the exposure mask. Further, the resist film is developed to form an image on the exposed resist film. As described above, the intermediate member 58 as shown in FIG. 12 can be obtained. In the illustrated example, the intermediate member 58 is on the base material 51, the conductive pattern 52 arranged on the base material 51, the first metal layer 32 precipitated on the conductive pattern 52, and the first metal layer 32. It has a second resist pattern 55 that covers the first opening 30 of the first metal layer 32 as well as being provided with a gap 56 located at. In addition, in order to make the second resist pattern 55 adhere more firmly to the base material 51 and the first metal layer 32, a heat treatment step of heating the second resist pattern 55 may be performed after the developing step.

〔耳部金属層形成工程〕
次に、耳部領域２４に対応する領域内に耳部金属層３８を形成する耳部金属層形成工程を実施する。まず、図１３及び図１４を参照して、耳部金属層形成工程で使用される遮蔽部材６０について説明する。図１３は、遮蔽部材６０を示す平面図であり、図１４は、図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線に対応する断面において遮蔽部材６０を示す断面図である。耳部金属層形成工程では、第１金属層３２上に、遮蔽板６１と遮蔽板６１の周縁に沿って取り付けられた弾性部材６５とを有する遮蔽部材６０を弾性部材６５が第１金属層３２に対面するようにして配置し、遮蔽部材６０を第１金属層３２に向けて押圧して弾性部材６５を弾性変形させ、遮蔽部材６０から露出した第１金属層３２上に耳部金属層３８を形成する。 [Slave metal layer forming process]
Next, the selvage metal layer forming step of forming the selvage metal layer 38 in the region corresponding to the selvage region 24 is carried out. First, the shielding member 60 used in the selvage metal layer forming step will be described with reference to FIGS. 13 and 14. FIG. 13 is a plan view showing the shielding member 60, and FIG. 14 is a cross-sectional view showing the shielding member 60 in the cross section corresponding to the XIV-XIV line of FIG. In the ear metal layer forming step, the elastic member 65 is provided with a shielding member 60 having a shielding plate 61 and an elastic member 65 attached along the peripheral edge of the shielding plate 61 on the first metal layer 32. The shielding member 60 is pressed toward the first metal layer 32 to elastically deform the elastic member 65, and the ear metal layer 38 is placed on the first metal layer 32 exposed from the shielding member 60. To form.

遮蔽部材６０は、遮蔽板６１と、遮蔽板６１の周縁に沿って取り付けられた弾性部材６５と、を備えている。図１３に示された例では、遮蔽板６１は、略矩形状の平面形状を有しており、遮蔽板６１の周縁に沿って、弾性部材６５を保持するための溝６３が形成されている。溝６３は、平面視において、遮蔽板６１の各辺の内側に、対応する辺に沿って形成されている。遮蔽板６１を構成する材料は特に限られないが、一例として、ガラス材料や、アクリル樹脂等の樹脂材料を用いることができる。遮蔽板６１の厚さは、例えば１ｍｍ以上１０ｍｍ以下とすることができる。遮蔽板６１の厚さが１ｍｍ以上であると、遮蔽部材６０に良好な剛性を付与することができ、遮蔽板６１が撓んで第１金属層３２や第２レジストパターン５５に接触することを防止することができる。また、遮蔽板６１の厚さが１０ｍｍ以下であると、遮蔽部材６０の軽量化を図ることができ、耳部金属層３８を形成するためのめっき装置の負荷を軽減することができる。 The shielding member 60 includes a shielding plate 61 and an elastic member 65 attached along the peripheral edge of the shielding plate 61. In the example shown in FIG. 13, the shielding plate 61 has a substantially rectangular planar shape, and a groove 63 for holding the elastic member 65 is formed along the peripheral edge of the shielding plate 61. .. The groove 63 is formed inside each side of the shielding plate 61 along the corresponding side in a plan view. The material constituting the shielding plate 61 is not particularly limited, but as an example, a glass material or a resin material such as an acrylic resin can be used. The thickness of the shielding plate 61 can be, for example, 1 mm or more and 10 mm or less. When the thickness of the shielding plate 61 is 1 mm or more, good rigidity can be imparted to the shielding member 60, and the shielding plate 61 is prevented from bending and coming into contact with the first metal layer 32 and the second resist pattern 55. can do. Further, when the thickness of the shielding plate 61 is 10 mm or less, the weight of the shielding member 60 can be reduced, and the load on the plating device for forming the selvage metal layer 38 can be reduced.

図示された例では、弾性部材６５は、弾性材料から形成されており、環状の形状を有している。弾性部材６５を構成する弾性材料としては、種々の弾性を有する材料を用いることができるが、一例として、クロロプレンゴム、シリコーンゴム、イソプレンゴム、ウレタンゴム、エボナイト、エチレンゴム、スチレンゴム、ブタジエンゴム等を用いることができる。弾性部材６５は、接着剤等により遮蔽板６１の溝６３内に固定される。弾性部材６５の遮蔽板６１からの突出高さは、例えば１ｍｍ以上２０ｍｍ以下とすることができる。なお、弾性部材６５は、環状に形成されたものに限られず、長尺状の弾性材料を環状にし、端部どうしを接着剤等で結合したものであってもよい。 In the illustrated example, the elastic member 65 is made of an elastic material and has an annular shape. As the elastic material constituting the elastic member 65, materials having various elasticity can be used, and as an example, chloroprene rubber, silicone rubber, isoprene rubber, urethane rubber, ebonite, ethylene rubber, styrene rubber, butadiene rubber and the like can be used. Can be used. The elastic member 65 is fixed in the groove 63 of the shielding plate 61 with an adhesive or the like. The protruding height of the elastic member 65 from the shielding plate 61 can be, for example, 1 mm or more and 20 mm or less. The elastic member 65 is not limited to the one formed in an annular shape, and may be a long elastic material made into an annular shape and the ends bonded to each other with an adhesive or the like.

図１５〜図１７は、遮蔽部材６０の使用方法を説明するための図である。図１５は、図１２に示した中間部材５８上に遮蔽部材６０を載置した状態を示す平面図であり、図１６は、図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線に対応する断面を示す図であり、図１７は、図１６のＸＶＩＩで示された一点鎖線で囲まれた部分に対応する図である。図１５では、中間部材５８上における、最終的に蒸着マスク２０となるべき領域が符号２０’を付した二点鎖線で示されており、有効領域２２となるべき領域が符号２２’を付した二点鎖線で示されている。なお、図１５及び図１６では、中間部材５８に含まれる各部材（基材５１、導電性パターン５２、第１金属層３２及び第２レジストパターン５５）の図示は省略している。 15 to 17 are views for explaining how to use the shielding member 60. FIG. 15 is a plan view showing a state in which the shielding member 60 is placed on the intermediate member 58 shown in FIG. 12, and FIG. 16 is a view showing a cross section corresponding to the XVI-XVI line of FIG. FIG. 17 is a diagram corresponding to the portion surrounded by the alternate long and short dash line shown by XVII in FIG. In FIG. 15, the region on the intermediate member 58 that should finally become the vapor deposition mask 20 is indicated by the alternate long and short dash line with reference numeral 20', and the region that should become the effective region 22 is indicated by reference numeral 22'. It is indicated by a two-dot chain line. In addition, in FIGS. 15 and 16, each member (base material 51, conductive pattern 52, first metal layer 32, and second resist pattern 55) included in the intermediate member 58 is not shown.

図１５に示された例では、中間部材５８には、複数の、最終的に蒸着マスク２０となるべき領域２０’が一方向（図１５の上下方向）に沿って配列されており、各領域２０’は、その長手方向が当該一方向と直交する方向（図１５の左右方向）に延びている。図示された例では、当該一方向に沿って五つの領域２０’が配列されている。各領域２０’内には、複数の、最終的に有効領域２２となるべき領域２２’が各領域２０’の長手方向に沿って配列されている。図示された例では、各領域２０’の長手方向に沿って五つの領域２２’が配列されている。なお、領域２０’及び領域２２’の配列数は、これに限られない。 In the example shown in FIG. 15, a plurality of regions 20'which should finally become the vapor deposition mask 20 are arranged along one direction (vertical direction in FIG. 15) in the intermediate member 58, and each region is arranged. 20'extends in a direction whose longitudinal direction is orthogonal to the one direction (horizontal direction in FIG. 15). In the illustrated example, five regions 20'are arranged along the one direction. Within each region 20', a plurality of regions 22'which should eventually become the effective region 22 are arranged along the longitudinal direction of each region 20'. In the illustrated example, five regions 22'are arranged along the longitudinal direction of each region 20'. The number of sequences in the region 20'and the region 22'is not limited to this.

耳部金属層形成工程では、まず、図１５及び図１６に示されているように、遮蔽部材６０の弾性部材６５が中間部材５８に対面するようにして、中間部材５８上に遮蔽部材６０を載置する。具体的には、図１７に示されているように、遮蔽部材６０の弾性部材６５が、第１金属層３２の基材５１の反対側の面に接するようにして、配置される。図１５に示されているように、遮蔽部材６０が中間部材５８上に配置された状態において、環状の弾性部材６５は、平面視で、対応する全ての領域２２’を取り囲むように配置されている。したがって、領域２２’に位置する第１金属層３２は、基材５１、遮蔽板６１及び環状の弾性部材６５によって取り囲まれた空間内に位置することになる。 In the selvage metal layer forming step, first, as shown in FIGS. 15 and 16, the shielding member 60 is placed on the intermediate member 58 so that the elastic member 65 of the shielding member 60 faces the intermediate member 58. Place it. Specifically, as shown in FIG. 17, the elastic member 65 of the shielding member 60 is arranged so as to be in contact with the surface of the first metal layer 32 on the opposite side of the base material 51. As shown in FIG. 15, in a state where the shielding member 60 is arranged on the intermediate member 58, the annular elastic member 65 is arranged so as to surround all the corresponding regions 22'in a plan view. There is. Therefore, the first metal layer 32 located in the region 22'is located in the space surrounded by the base material 51, the shielding plate 61, and the annular elastic member 65.

次に、遮蔽部材６０（遮蔽板６１）を中間部材５８へ向けて、すなわち第１金属層３２へ向けて、押圧する。この押圧力により、図１８に示すように、弾性部材６５が遮蔽板６１と中間部材５８との間で弾性変形する。詳細には、弾性部材６５の遮蔽板６１の溝６３から突出した部分における側面６５ａ，６５ｂが、弾性部材６５の外側に向けて膨らむように弾性変形する。さらに詳細には、弾性部材６５の延在方向に直交する断面、すなわち図１８に示した断面、において、弾性部材６５の外側側面６５ａ及び内側側面６５ｂは、それぞれ弾性部材６５の外側に向けて略円弧状に突出するように弾性変形する。これにより、弾性部材６５を中間部材５８に密着させることができるとともに、弾性部材６５の外側側面６５ａにおける中間部材５８側（第１金属層３２側）に、弾性部材６５の延在方向に直交する断面において、中間部材５８の板面方向（図１８の左右方向）、及び、中間部材５８の法線方向（図１８の上下方向）、の両方に対して傾斜した傾斜面６５ａ１を形成することができる。 Next, the shielding member 60 (shielding plate 61) is pressed toward the intermediate member 58, that is, toward the first metal layer 32. Due to this pressing force, as shown in FIG. 18, the elastic member 65 is elastically deformed between the shielding plate 61 and the intermediate member 58. Specifically, the side surfaces 65a and 65b of the portion of the shielding plate 61 of the elastic member 65 protruding from the groove 63 are elastically deformed so as to bulge toward the outside of the elastic member 65. More specifically, in the cross section orthogonal to the extending direction of the elastic member 65, that is, the cross section shown in FIG. 18, the outer side surface 65a and the inner side surface 65b of the elastic member 65 are substantially outward toward the outside of the elastic member 65, respectively. It elastically deforms so as to protrude in an arc shape. As a result, the elastic member 65 can be brought into close contact with the intermediate member 58, and is orthogonal to the intermediate member 58 side (first metal layer 32 side) on the outer side surface 65a of the elastic member 65 in the extending direction of the elastic member 65. In the cross section, it is possible to form an inclined surface 65a1 inclined with respect to both the plate surface direction of the intermediate member 58 (horizontal direction in FIG. 18) and the normal direction of the intermediate member 58 (vertical direction in FIG. 18). it can.

この状態で、遮蔽部材６０から露出した第１金属層３２上に耳部金属層形成用のめっき液を供給して、第１金属層３２上に耳部金属層３８を析出させる耳部めっき処理工程を実施する。例えば、遮蔽部材６０を中間部材５８へ向けて押圧した状態で、中間部材５８及び遮蔽部材６０を耳部金属層形成用のめっき液が充填されためっき槽に浸す。これによって、図１９に示すように、遮蔽部材６０から露出した第１金属層３２上に耳部金属層３８を形成することができる。耳部金属層３８の厚さは、例えば１０μｍ以上４５μｍ以下とすることができる。なお、このとき、弾性部材６５と中間部材５８（第１金属層３２）とは、遮蔽部材６０及び中間部材５８の間に付加された押圧力により密着しているので、遮蔽部材６０と中間部材５８との間の、図１５に示した平面視における環状の弾性部材６５の内側には、めっき液は浸入しない。したがって、遮蔽部材６０と中間部材５８との間の、平面視における環状の弾性部材６５の内側に位置する第１金属層３２上には、耳部金属層３８は形成されない。 In this state, a plating solution for forming the selvage metal layer is supplied onto the first metal layer 32 exposed from the shielding member 60, and the selvage metal layer 38 is deposited on the first metal layer 32. Carry out the process. For example, in a state where the shielding member 60 is pressed toward the intermediate member 58, the intermediate member 58 and the shielding member 60 are immersed in a plating tank filled with a plating solution for forming the selvage metal layer. As a result, as shown in FIG. 19, the selvage metal layer 38 can be formed on the first metal layer 32 exposed from the shielding member 60. The thickness of the selvage metal layer 38 can be, for example, 10 μm or more and 45 μm or less. At this time, since the elastic member 65 and the intermediate member 58 (first metal layer 32) are in close contact with each other due to the pressing force applied between the shielding member 60 and the intermediate member 58, the shielding member 60 and the intermediate member are in close contact with each other. The plating solution does not penetrate into the inside of the annular elastic member 65 in the plan view shown in FIG. 15 between the 58 and the annular member 65. Therefore, the selvage metal layer 38 is not formed on the first metal layer 32 located inside the annular elastic member 65 in the plan view between the shielding member 60 and the intermediate member 58.

耳部めっき処理工程において、めっき液は、弾性部材６５の傾斜面６５ａ１と第１金属層３２とで形成される鋭角状の隙間にも浸入し、当該隙間内の第１金属層３２上にも耳部金属層３８を析出させる。したがって、析出した耳部金属層３８の有効領域２２側の端部には、弾性部材６５の傾斜面６５ａ１に沿って傾斜面６５ａ１と相補形状をなす傾斜面３９が形成される。 In the selvage plating treatment step, the plating solution also penetrates into the sharp gap formed by the inclined surface 65a1 of the elastic member 65 and the first metal layer 32, and also on the first metal layer 32 in the gap. The selvage metal layer 38 is deposited. Therefore, an inclined surface 39 forming a complementary shape with the inclined surface 65a1 is formed along the inclined surface 65a1 of the elastic member 65 at the end portion of the deposited metal layer 38 on the effective region 22 side.

第１金属層３２上に耳部金属層３８を析出させることができる限りにおいて、耳部めっき処理工程の具体的な方法が特に限られることとはない。例えば、耳部めっき処理工程は、第１金属層３２に電流を流すことによって第１金属層３２上に耳部金属層３８を析出させる、いわゆる電解めっき処理工程として実施されてもよい。若しくは、耳部めっき処理工程は、無電解めっき処理工程であってもよい。なお耳部めっき処理工程が無電解めっき処理工程である場合、第１金属層３２上には適切な触媒層が設けられていてもよい。電解めっき処理工程が実施される場合にも、第１金属層３２上に触媒層が設けられていてもよい。 As long as the selvage metal layer 38 can be deposited on the first metal layer 32, the specific method of the selvage plating treatment step is not particularly limited. For example, the ear plating treatment step may be carried out as a so-called electroplating treatment step in which the ear metal layer 38 is deposited on the first metal layer 32 by passing an electric current through the first metal layer 32. Alternatively, the selvage plating treatment step may be an electroless plating treatment step. When the selvage plating process is an electroless plating process, an appropriate catalyst layer may be provided on the first metal layer 32. Even when the electrolytic plating treatment step is carried out, the catalyst layer may be provided on the first metal layer 32.

耳部金属層形成用のめっき液としては、上述の第１めっき液と同一のめっき液が用いられてもよい。若しくは、第１めっき液とは異なるめっき液が耳部金属層形成用のめっき液として用いられてもよい。第１めっき液の組成と耳部金属層形成用のめっき液の組成とが同一である場合、第１金属層３２を構成する金属の組成と、耳部金属層３８を構成する金属の組成も同一になる。 As the plating solution for forming the selvage metal layer, the same plating solution as the above-mentioned first plating solution may be used. Alternatively, a plating solution different from the first plating solution may be used as the plating solution for forming the selvage metal layer. When the composition of the first plating solution and the composition of the plating solution for forming the selvage metal layer are the same, the composition of the metal constituting the first metal layer 32 and the composition of the metal constituting the selvage metal layer 38 are also the same. Be the same.

その後、遮蔽部材６０を除去することにより、図２０に示されているように、第１金属層３２上に、有効領域２２側の端部に傾斜面３９を有する耳部金属層３８が得られる。 After that, by removing the shielding member 60, as shown in FIG. 20, the selvage metal layer 38 having the inclined surface 39 at the end on the effective region 22 side is obtained on the first metal layer 32. ..

〔第２成膜工程〕
次に、第２金属層３７を第１金属層３２及び耳部金属層３８上に形成する第２成膜工程を実施する。第２成膜工程では、第１開口部３０に連通する第２開口部３５が設けられた第２金属層３７を第１金属層３２上に形成する。とりわけ本実施の形態では、第２成膜工程において、第２金属層３７を、第１金属層３２上及び耳部金属層３８上にまたがるようにして形成する。具体的には、第２レジストパターン５５の隙間５６及び耳部金属層３８上に第２めっき液を供給して、第１金属層３２及び耳部金属層３８上に第２金属層３７を析出させる第２めっき処理工程を実施する。例えば、第１金属層３２及び耳部金属層３８が形成された基材５１を、第２めっき液が充填されためっき槽に浸す。これによって、図２１に示すように、第１金属層３２及び耳部金属層３８上に第２金属層３７を形成することができる。第２金属層３７の厚さは、有効領域２２における蒸着マスク２０の金属層の厚さＴ１が５μｍ以上５０μｍ以下になるように設定される。 [Second film formation process]
Next, a second film forming step of forming the second metal layer 37 on the first metal layer 32 and the selvage metal layer 38 is carried out. In the second film forming step, the second metal layer 37 provided with the second opening 35 communicating with the first opening 30 is formed on the first metal layer 32. In particular, in the present embodiment, in the second film forming step, the second metal layer 37 is formed so as to straddle the first metal layer 32 and the selvage metal layer 38. Specifically, the second plating solution is supplied onto the gap 56 of the second resist pattern 55 and the ear metal layer 38, and the second metal layer 37 is deposited on the first metal layer 32 and the ear metal layer 38. The second plating treatment step is carried out. For example, the base material 51 on which the first metal layer 32 and the selvage metal layer 38 are formed is immersed in a plating tank filled with a second plating solution. As a result, as shown in FIG. 21, the second metal layer 37 can be formed on the first metal layer 32 and the selvage metal layer 38. The thickness of the second metal layer 37 is set so that the thickness T 1 of the metal layer of the vapor deposition mask 20 in the effective region 22 is 5 μm or more and 50 μm or less.

図２１に示された例では、有効領域２２における第１金属層３２の厚さと、耳部領域２４における第１金属層３２の厚さとは、同一となっている。また、有効領域２２における第２金属層３７の厚さと、耳部領域２４における第２金属層３７の厚さも、同一となっている。したがって、耳部領域２４の厚さＴ２は、耳部金属層３８の存在に起因して、有効領域２２の厚さＴ１よりも大きくなる。 In the example shown in FIG. 21, the thickness of the first metal layer 32 in the effective region 22 and the thickness of the first metal layer 32 in the selvage region 24 are the same. Further, the thickness of the second metal layer 37 in the effective region 22 and the thickness of the second metal layer 37 in the selvage region 24 are also the same. Therefore, the thickness T 2 of the selvage region 24 is larger than the thickness T 1 of the effective region 22 due to the presence of the selvage metal layer 38.

また、図示された例では、耳部領域２４の第１領域２６における第２金属層３７は、耳部金属層３８の傾斜面３９に沿って形成される。これにより、耳部領域２４の第１領域２６において、第１金属層３２、第２金属層３７及び耳部金属層３８の合計厚さすなわち最終的に製造される蒸着マスク２０の厚さは、有効領域２２から離間するにつれて大きくなるように変化する。結果として、第１領域２６の有効領域２２と反対側の端部すなわち第２領域２７側の端部における第１金属層３２、第２金属層３７及び耳部金属層３８の合計厚さは、第１領域２６の有効領域２２側の端部における第１金属層３２、第２金属層３７及び耳部金属層３８の合計厚さ（図示された例では第１金属層３２及び第２金属層３７の合計厚さ）よりも大きくなっている。 Further, in the illustrated example, the second metal layer 37 in the first region 26 of the selvage region 24 is formed along the inclined surface 39 of the selvage metal layer 38. As a result, in the first region 26 of the selvage region 24, the total thickness of the first metal layer 32, the second metal layer 37, and the selvage metal layer 38, that is, the thickness of the vapor deposition mask 20 finally produced is reduced. It changes so as to increase away from the effective region 22. As a result, the total thickness of the first metal layer 32, the second metal layer 37, and the ear metal layer 38 at the end of the first region 26 opposite to the effective region 22, that is, the end on the second region 27 side, is The total thickness of the first metal layer 32, the second metal layer 37, and the ear metal layer 38 at the end of the first region 26 on the effective region 22 side (in the illustrated example, the first metal layer 32 and the second metal layer). It is larger than the total thickness of 37).

第１金属層３２及び耳部金属層３８上に第２金属層３７を析出させることができる限りにおいて、第２めっき処理工程の具体的な方法が特に限られることとはない。例えば、第２めっき処理工程は、第１金属層３２及び耳部金属層３８に電流を流すことによって第１金属層３２及び耳部金属層３８上に第２金属層３７を析出させる、いわゆる電解めっき処理工程として実施されてもよい。若しくは、第２めっき処理工程は、無電解めっき処理工程であってもよい。なお第２めっき処理工程が無電解めっき処理工程である場合、第１金属層３２及び耳部金属層３８上には適切な触媒層が設けられていてもよい。電解めっき処理工程が実施される場合にも、第１金属層３２及び耳部金属層３８上に触媒層が設けられていてもよい。 As long as the second metal layer 37 can be deposited on the first metal layer 32 and the selvage metal layer 38, the specific method of the second plating treatment step is not particularly limited. For example, in the second plating treatment step, a second metal layer 37 is deposited on the first metal layer 32 and the ear metal layer 38 by passing a current through the first metal layer 32 and the ear metal layer 38, that is, so-called electroplating. It may be carried out as a plating process. Alternatively, the second plating treatment step may be an electroless plating treatment step. When the second plating process is an electroless plating process, an appropriate catalyst layer may be provided on the first metal layer 32 and the selvage metal layer 38. Even when the electrolytic plating treatment step is carried out, the catalyst layer may be provided on the first metal layer 32 and the selvage metal layer 38.

第２めっき液としては、上述の第１めっき液や耳部金属層形成用のめっき液と同一のめっき液が用いられてもよい。若しくは、第１めっき液や耳部金属層形成用のめっき液とは異なるめっき液が第２めっき液として用いられてもよい。第１めっき液の組成と第２めっき液の組成とが同一である場合、第１金属層３２を構成する金属の組成と、第２金属層３７を構成する金属の組成も同一になる。また、耳部金属層形成用のめっき液の組成と第２めっき液の組成とが同一である場合、耳部金属層３８を構成する金属の組成と、第２金属層３７を構成する金属の組成も同一になる。 As the second plating solution, the same plating solution as the above-mentioned first plating solution or the plating solution for forming the selvage metal layer may be used. Alternatively, a plating solution different from the first plating solution or the plating solution for forming the selvage metal layer may be used as the second plating solution. When the composition of the first plating solution and the composition of the second plating solution are the same, the composition of the metal constituting the first metal layer 32 and the composition of the metal constituting the second metal layer 37 are also the same. When the composition of the plating solution for forming the selvage metal layer and the composition of the second plating solution are the same, the composition of the metal constituting the selvage metal layer 38 and the composition of the metal constituting the second metal layer 37 The composition is also the same.

なお図２１においては、第２レジストパターン５５の上面と第２金属層３７の上面とが一致するようになるまで第２めっき処理工程が継続される例を示したが、これに限られることはない。第２金属層３７の上面が第２レジストパターン５５の上面よりも下方に位置する状態で、第２めっき処理工程が停止されてもよい。 Note that FIG. 21 shows an example in which the second plating treatment step is continued until the upper surface of the second resist pattern 55 and the upper surface of the second metal layer 37 coincide with each other, but the present invention is limited to this. Absent. The second plating process may be stopped in a state where the upper surface of the second metal layer 37 is located below the upper surface of the second resist pattern 55.

〔除去工程〕
その後、第２レジストパターン５５を除去する除去工程を実施する。除去工程は、パターン基板５０、第１金属層３２、耳部金属層３８、第２金属層３７及び第２レジストパターン５５の積層体を、例えばアルカリ系の剥離液に浸漬することにより行われる。これにより、図２２に示されているように、第２レジストパターン５５を、パターン基板５０、第１金属層３２及び第２金属層３７から剥離させることができる。 [Removal process]
After that, a removing step of removing the second resist pattern 55 is carried out. The removing step is performed by immersing the laminated body of the pattern substrate 50, the first metal layer 32, the selvage metal layer 38, the second metal layer 37 and the second resist pattern 55 in, for example, an alkaline stripping solution. As a result, as shown in FIG. 22, the second resist pattern 55 can be peeled off from the pattern substrate 50, the first metal layer 32, and the second metal layer 37.

〔分離工程〕
次に、第１金属層３２、耳部金属層３８及び第２金属層３７の組み合わせ体を基材５１から分離させる分離工程を実施する。分離工程では、まず、第１金属層３２、耳部金属層３８、第２金属層３７及びパターン基板５０の積層体を、導電性パターン５２をエッチング可能なエッチング液に浸漬する。次に、第１金属層３２、耳部金属層３８及び第２金属層３７の組み合わせ体を基材５１から引き剥がして分離させる。その後、第１金属層３２、耳部金属層３８及び第２金属層３７の組み合わせ体を再度エッチング液に浸漬し、第１金属層３２に付着して残存している導電性パターン５２を完全にエッチング除去する。これによって、図６に示したような、所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２と、第１開口部３０に連通する第２開口部３５が設けられた第２金属層３７と、耳部領域２４において第１金属層３２と第２金属層３７との間に配置された耳部金属層３８と、を備えた蒸着マスク２０を得ることができる。 [Separation process]
Next, a separation step of separating the combination of the first metal layer 32, the selvage metal layer 38, and the second metal layer 37 from the base material 51 is performed. In the separation step, first, the laminate of the first metal layer 32, the selvage metal layer 38, the second metal layer 37, and the pattern substrate 50 is immersed in an etching solution capable of etching the conductive pattern 52. Next, the combination of the first metal layer 32, the selvage metal layer 38, and the second metal layer 37 is peeled off from the base material 51 and separated. After that, the combination of the first metal layer 32, the selvage metal layer 38, and the second metal layer 37 is immersed in the etching solution again to completely remove the remaining conductive pattern 52 attached to the first metal layer 32. Etching removal. As a result, as shown in FIG. 6, the first metal layer 32 provided with the first opening 30 in a predetermined pattern and the second opening 35 communicating with the first opening 30 are provided. It is possible to obtain a vapor deposition mask 20 including the metal layer 37 and the selvage metal layer 38 arranged between the first metal layer 32 and the second metal layer 37 in the selvage region 24.

本実施の形態の蒸着マスク２０は、複数の貫通孔２５が形成された有効領域２２と、有効領域２２を挟んで位置する一対の耳部領域２４と、を有し、耳部領域２４の厚さＴ２は、有効領域２２の厚さＴ１よりも大きく、耳部領域２４における有効領域２２側に位置する第１領域２６において、蒸着マスク２０の厚さは、有効領域２２から離間するにつれて大きくなるように変化している。 The vapor deposition mask 20 of the present embodiment has an effective region 22 in which a plurality of through holes 25 are formed, and a pair of selvage regions 24 located across the effective region 22, and the thickness of the selvage region 24 is thick. T 2 is larger than the thickness T 1 of the effective region 22, and in the first region 26 located on the effective region 22 side of the selvage region 24, the thickness of the vapor deposition mask 20 increases as the distance from the effective region 22 increases. It is changing to be larger.

このような蒸着マスク２０によれば、耳部領域２４の厚さＴ２が有効領域２２の厚さＴ１よりも大きいので、比較的厚く形成された耳部領域２４により薄厚化された有効領域２２を支持することができるので、有効領域２２における変形を抑制し、蒸着マスク２０の取り扱い性を向上させることができる。 According to such a vapor deposition mask 20, since the thickness T 2 of the selvage region 24 is larger than the thickness T 1 of the effective region 22, the effective region thinned by the selvage region 24 formed to be relatively thick. Since 22 can be supported, deformation in the effective region 22 can be suppressed and the handleability of the vapor deposition mask 20 can be improved.

また、耳部領域２４における有効領域２２側に位置する第１領域２６において、蒸着マスク２０の厚さが、有効領域２２から離間するにつれて大きくなるように変化しているので、蒸着マスク２０の有効領域２２と耳部領域２４との間の厚さの変化が緩やかになり、蒸着マスク２０を架張したときの、有効領域２２と耳部領域２４との間の箇所への応力集中による蒸着マスク２０の変形を抑制することができる。これにより、有効領域２２と耳部領域２４との間の箇所における蒸着マスク２０の変形に起因して、蒸着マスク２０にシワが生じることを効果的に防止することができる。 Further, in the first region 26 located on the effective region 22 side of the ear region 24, the thickness of the vapor deposition mask 20 changes so as to increase as the distance from the effective region 22 increases, so that the vapor deposition mask 20 is effective. The change in thickness between the region 22 and the ear region 24 becomes gradual, and when the vapor deposition mask 20 is stretched, the vapor deposition mask due to stress concentration on the portion between the effective region 22 and the ear region 24. The deformation of 20 can be suppressed. As a result, it is possible to effectively prevent wrinkles from being generated in the vapor deposition mask 20 due to the deformation of the vapor deposition mask 20 at the portion between the effective region 22 and the ear region 24.

本実施の形態の蒸着マスク製造方法は、絶縁性を有する基材５１上に所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２を形成する第１成膜工程と、第１金属層３２上に、遮蔽板６１と遮蔽板６１の周縁に沿って取り付けられた弾性部材６５とを有する遮蔽部材６０を弾性部材６５が第１金属層３２に対面するようにして配置し、遮蔽部材６０を第１金属層３２に向けて押圧して弾性部材６５を弾性変形させ、遮蔽部材６０から露出した第１金属層３２上に耳部金属層３８を形成する耳部金属層形成工程と、第１開口部３０に連通する第２開口部３５が設けられた第２金属層３７を第１金属層３２上に形成する第２成膜工程と、第１金属層３２、耳部金属層３８及び第２金属層３７の組み合わせ体を基材５１から分離させる分離工程と、を有する。 The vapor deposition mask manufacturing method of the present embodiment includes a first film forming step of forming a first metal layer 32 in which a first opening 30 is provided in a predetermined pattern on a base material 51 having an insulating property, and a first. A shielding member 60 having a shielding plate 61 and an elastic member 65 attached along the peripheral edge of the shielding plate 61 is arranged on the metal layer 32 so that the elastic member 65 faces the first metal layer 32, and shields the metal layer 32. An ear metal layer forming step of pressing the member 60 toward the first metal layer 32 to elastically deform the elastic member 65 to form the ear metal layer 38 on the first metal layer 32 exposed from the shielding member 60. , A second film forming step of forming a second metal layer 37 provided with a second opening 35 communicating with the first opening 30 on the first metal layer 32, a first metal layer 32, and an ear metal layer. It has a separation step of separating the combination of 38 and the second metal layer 37 from the base material 51.

このような蒸着マスク製造方法によれば、その有効領域２２側に、弾性部材６５が弾性変形することにより形成される外側側面６５ａの傾斜面６５ａ１に沿った形状が付与された耳部金属層３８を、遮蔽部材６０から露出した第１金属層３２上に形成することができる。これにより、蒸着マスク２０の耳部領域２４における有効領域２２側に位置する第１領域２６に、その厚さが有効領域２２から離間するにつれて大きくなるように変化する形状を付与することができる。 According to such a thin-film deposition mask manufacturing method, the ear metal layer 38 is provided with a shape along the inclined surface 65a1 of the outer side surface 65a formed by elastic deformation of the elastic member 65 on the effective region 22 side. Can be formed on the first metal layer 32 exposed from the shielding member 60. As a result, the first region 26 located on the effective region 22 side of the selvage mask 20 can be provided with a shape whose thickness changes as the distance from the effective region 22 increases.

また、本実施の形態の蒸着マスク２０製造方法は、第１金属層３２、耳部金属層３８及び第２金属層３７は、めっきにより形成される。 Further, in the method for manufacturing the vapor deposition mask 20 of the present embodiment, the first metal layer 32, the selvage metal layer 38 and the second metal layer 37 are formed by plating.

このような蒸着マスク製造方法によれば、簡便な方法により、蒸着マスク２０の耳部領域２４における有効領域２２側に位置する第１領域２６に、その厚さが有効領域２２から離間するにつれて大きくなるように変化する形状を付与することができる。 According to such a thin-film deposition mask manufacturing method, a simple method is used to increase the thickness of the first region 26 located on the effective region 22 side of the selvage mask 20 in the ear region 24 as the thickness thereof increases from the effective region 22. It is possible to give a shape that changes so as to be.

１０ 蒸着マスク装置
１５ フレーム
２０ 蒸着マスク
２０ａ 第１面
２０ｂ 第２面
２２ 有効領域
２３ 周囲領域
２４ 耳部領域
２５ 貫通孔
２６ 第１領域
２７ 第２領域
２９ 傾斜面
３０ 第１開口部
３２ 第１金属層
３５ 第２開口部
３７ 第２金属層
３８ 耳部金属層
３９ 傾斜面
４１ 接続部
５０ パターン基板
５１ 基材
５２ 導電性パターン
５３ 第１レジストパターン
５５ 第２レジストパターン
５６ 隙間
５８ 中間部材
６０ 遮蔽部材
６１ 遮蔽板
６３ 溝
６５ 弾性部材
９０ 蒸着装置
９２ 有機ＥＬ基板
９３ 磁石
９８ 蒸着材料 10 Thin-film mask device 15 Frame 20 Thin-film mask 20a First surface 20b Second surface 22 Effective area 23 Peripheral area 24 Ear area 25 Through hole 26 First area 27 Second area 29 Inclined surface 30 First opening 32 First metal Layer 35 Second opening 37 Second metal layer 38 Ear metal layer 39 Inclined surface 41 Connection part 50 Pattern substrate 51 Base material 52 Conductive pattern 53 First resist pattern 55 Second resist pattern 56 Gap 58 Intermediate member 60 Shielding member 61 Shield plate 63 Groove 65 Elastic member 90 Evaporation device 92 Organic EL substrate 93 Magnet 98 Evaporation material

Claims (2)

複数の貫通孔が形成された有効領域と、前記有効領域を挟んで位置する一対の耳部領域と、を有する蒸着マスクを製造する蒸着マスク製造方法であって、
絶縁性を有する基材上に所定のパターンで第１開口部が設けられた第１金属層を形成する第１成膜工程と、
前記第１金属層上に、遮蔽板と前記遮蔽板の周縁に沿って取り付けられた弾性部材とを有する遮蔽部材を前記弾性部材が前記第１金属層に対面するようにして配置し、前記遮蔽部材を前記第１金属層に向けて押圧して前記弾性部材を弾性変形させ、前記遮蔽部材から露出した前記第１金属層上に耳部金属層を形成する耳部金属層形成工程と、
前記第１開口部に連通する第２開口部が設けられた第２金属層を前記第１金属層上に形成する第２成膜工程と、
前記第１金属層、前記耳部金属層及び前記第２金属層の組み合わせ体を前記基材から分離させる分離工程と、を有する蒸着マスク製造方法。 A vapor deposition mask manufacturing method for manufacturing a vapor deposition mask having an effective region in which a plurality of through holes are formed and a pair of ear regions located across the effective region.
A first film forming step of forming a first metal layer in which a first opening is provided in a predetermined pattern on a base material having an insulating property, and
A shielding member having a shielding plate and an elastic member attached along the peripheral edge of the shielding plate is arranged on the first metal layer so that the elastic member faces the first metal layer, and the shielding is performed. An ear metal layer forming step of pressing a member toward the first metal layer to elastically deform the elastic member to form an ear metal layer on the first metal layer exposed from the shielding member.
A second film forming step of forming a second metal layer provided with a second opening communicating with the first opening on the first metal layer.
A method for producing a thin-film deposition mask, comprising a separation step of separating the combination of the first metal layer, the selvage metal layer, and the second metal layer from the base material. 前記第１金属層、前記耳部金属層及び前記第２金属層は、めっきにより形成される、請求項１に記載の蒸着マスク製造方法。 The vapor deposition mask manufacturing method according to claim 1 , wherein the first metal layer, the selvage metal layer, and the second metal layer are formed by plating.
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