JP6811709B2 - 半導体プロセシング装置放出物の処理のためのコントローラ - Google Patents

Description

本開示の実施形態は一般に半導体プロセシング装置（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ）に関する。より詳細には、本開示の実施形態は、半導体プロセスにおいて生成される化合物の処理（ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）のためのコントローラに関する。

半導体プロセシングにおいて使用されるプロセスガスは、有害であることがある多くの化合物を含む。これらのプロセシング設備からの放出物（ｅｆｆｌｕｅｎｔ）は、これらの有害な化合物または害をなす他の副生物を含むことがあり、それらの化合物または副生物は、規制上の必要からならびに／または環境上および安全上の懸念から、廃棄する前に処理されなければならない。これらの化合物の１つがパーフルオロカーボン（ＰＦＣ）であり、ＰＦＣは例えばエッチングプロセスで使用されている。したがって、最新のプロセシング装置は、そのプロセシング装置内で生成される有害な放出物を処理する処理技術を含む。
ＰＦＣおよび他の地球温暖化ガスを処理するため、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）源が、他の試薬（ｒｅａｇｅｎｔ）とともに使用されている。ＩＣＰプラズマ源によって生成されるプラズマはこれらの化合物を解離させ、解離したガスは反応して、より害の少ない物質を形成する。しかしながら、これらの有害な化合物を効果的に処理してより害の少ない成分にするため、前処理および除害（ａｂａｔｅｍｅｎｔ）の技術および方法はより複雑になった。現在の除害技術では、堆積プロセスで使用されるあるタイプのガスおよび粒子状物質、ならびに堆積プロセスで生成されるあるタイプのガスおよび粒子状物質、例えば堆積プロセスによって生成される絶縁性物質または導電性物質を処理することが困難である。これらの有害な化合物の処理がより複雑になるにつれて、処理プロセスの制御の複雑さも増している。
現在の処理技術に対する制御は、市販のプログラム可能な論理制御装置（ＰＬＣ）に依存している。しかしながら、ＰＬＣは限定された機能を有し、しばしば、非常に幅の狭い厳密なルーチンに沿って処理プロセスを制御することだけしかできない。少なくともいくつかのハードウェア適応および外部論理が必要とされ、仮に「プログラム可能」であったとしても、プログラミングは通常、非常に単純な論理構造に限定される。また、エラー報告、システムインターフェースポートおよびデータロギングを提供するようにＰＬＣをプログラムすることは、一般的な産業においては事実上知られておらず、現在のＰＬＣ設計の性質から、実際には、（リレー論理実施態様の場合などのように）実行不可能である可能性がある。

したがって、当技術分野では、半導体プロセスにおける処理技術を操作する改良されたコントローラが求められている。

本明細書に開示された実施形態は、半導体プロセシング装置放出物の処理のためのコントローラ、および半導体プロセシングシステムによって生成された有害な放出物を処理する方法を含む。
上に挙げた本発明の諸特徴を詳細に理解することができるように、そのうちのいくつかが添付図面に示された実施形態を参照することによって、上に概要を示した本発明をより具体的に説明する。しかしながら、添付図面は本開示の典型的な実施形態だけを示したものであり、したがって添付図面を本開示の範囲を限定するものと考えるべきではないことに留意すべきである。等しく有効な別の実施形態を本発明が受け入れる可能性があるためである。

コントローラによって管理される放出物前処理システムを有する半導体プロセシングシステムの略側面図である。 放出物前処理システムの略上面図である。 放出物前処理システムのコントローラのブロック図である。 半導体プロセシングシステムによって生成された有害な放出物を処理する方法の流れ図である。

理解を容易にするため、可能な場合には、上記の図に共通する同一の要素を示すのに同一の参照符号を使用した。特段の言及なしに、１つの実施形態の要素および特徴を他の実施形態に有益に組み込むことが企図される。
図１Ａは、コントローラ１００によって管理される放出物前処理システム１２０を有する半導体プロセシングシステム１７０の略側面図である。半導体プロセシングシステム１７０は真空プロセシングチャンバ１９０を含む。真空プロセシングチャンバ１９０は一般に、物理的気相堆積プロセス、化学気相堆積プロセス、プラズマアシスト（ドライ）エッチングプロセス、プラズマ処理プロセス、基板アニールプロセス、前洗浄プロセス、イオン注入プロセスまたは他の集積回路製造プロセスなどの少なくとも１つの集積回路製造プロセスを実行するように構成されている。真空プロセシングチャンバ１９０内で実行されるプロセスは、プラズマアシストプロセスであることがある。一例では、真空プロセシングチャンバ１９０内で実行されるプロセスが、シリコンベースの材料を堆積させるプラズマ堆積プロセスである。別の例では、真空プロセシングチャンバ１９０内で実行されるプロセスが、シリコンベースの材料にトレンチ、ビアなどの特徴を形成するプラズマアシストエッチングプロセスである。

真空プロセシングチャンバ１９０は、フォアライン１９２によって放出物前処理システム１２０に結合されたチャンバ排気管を有する。放出物前処理システム１２０の排気管は、排気導管１９４によって、ポンプおよび設備排気管に結合されている。図１では、このポンプおよび設備排気管が、単一の参照符号１９６によって概略的に示されている。これらのポンプは一般に、真空プロセシングチャンバ１９０から排気するために利用され、真空プロセシングチャンバ１９０の放出物を大気中に出す準備のため、設備排気管は一般に、スクラバまたは他の排気洗浄装置を含む。放出物の流れは矢印１１０によって概略的に示されている。
放出物前処理システム１２０は、真空プロセシングチャンバ１９０を出たガス、化合物および／または他の物質を、より環境にやさしくかつ／またはよりプロセス装置にやさしい組成物に転化させることができるように、このようなガスおよび／または他の材料に対して前処理プロセスまたは除害プロセスを実行する目的に利用される。放出物前処理システム１２０の詳細および放出物前処理システム１２０の制御の詳細については、後に図２においてさらに説明する。

いくつかの実施態様では、フォアライン１９２および／または放出物前処理システム１２０のうちの少なくとも一方に、処理試薬源１１４が結合される。処理試薬源１１４は、放出物前処理システム１２０内に試薬を供給する。真空プロセシングチャンバ１９０を出た物質と反応して、それらの物質を、より環境にやさしくかつ／もしくはよりプロセス装置にやさしい組成物に転化させるため、または、他の方法で、真空プロセシングチャンバ１９０を出た物質を、より環境にやさしくかつ／もしくはよりプロセス装置にやさしい組成物に転化させるのを支援するために、この試薬にエネルギーを与えることができる。

任意選択で、放出物前処理システム１２０および／または排気導管１９４のうちの少なくとも一方に、圧力調整モジュール１８２を結合することができる。圧力調整モジュール１８２は、Ａｒ、Ｎまたは他の適当なガスなどの圧力調整ガスを注入する。この圧力調整ガスの注入は、放出物前処理システム１２０内の圧力をより良好に制御すること、および、それによってより効率的な除害性能を提供することを可能にする。例えば、圧力調整モジュール１８２によって供給される圧力調整ガスを利用して、放出物前処理システム１２０を通過する放出物の流量および／または圧力を安定させることができ、それによってプロセス制御をより予測可能なものにすることができ、それによって除害結果の制御をより良好にすることができる。
放出物前処理システム１２０は真空プロセシングチャンバ１９０の下流に配されている。放出物前処理システム１２０内で生成されたプラズマは、真空プロセシングチャンバ１９０から出て来た放出物中の化合物にエネルギーを与え、かつ／またはそれらの化合物を部分的にもしくは完全に解離させ、それによって放出物中の化合物をより害のない形に転化させる。

図２は、放出物前処理システム１２０の略上面図である。放出物前処理システム１２０はコントローラ１００によって管理され、プラズマリアクタ２１０を含む。放出物前処理システム１２０は、ドア２０４を備えた格納容器２１１を有し、格納容器２１１は、プラズマリアクタ２１０を取り囲んでいる。格納容器２１１は一般に、放出物前処理システム１２０によって生み出される可能性がある、熱および電力による潜在的な危険から技術者を保護する。ドア２０４に隣接してセンサ２０６を配することができる。センサ２０６は、ドア２０４の位置を示すメトリック（ｍｅｔｒｉｃ）、例えば信号を提供するように動作可能である。例えば、閉じられかつ／または安全が保証された位置にドア２０４があるかどうかを示すメトリックを提供するように、センサ２０６を動作可能とすることができる。

プラズマリアクタ２１０は、本体２０２、ならびに放出物がそこから入ることができる第１の開口２２０および放出物がそこから出ることができる第２の開口２２２を有する。第１の開口２２０は、フォアライン１９２に結合するように構成することができ、第２の開口２２２は、排気導管１９４に結合するように構成することができる。本体１０２は、円形、正方形、長方形または他の適当な形状とすることができる。一実施形態では、本体１０２がトロイド（ｔｏｒｏｉｄａｌ）形状を有する。本体１０２を貫通する中心部２０３を形成することができる。中心部２０３は、円形、正方形、長方形または他の適当な形状とすることができる。一実施形態では、本体１０２および中心部が、内部容積２２４内にトーラス（ｔｏｒｕｓ）形状を形成する。他の実施形態では、本体１０２が中心部２０３を含まない。

本体２０２は温度センサ２０８を有することができる。温度センサ２０８は、プラズマリアクタ２１０に関する温度情報を提供することができる。例えば、プラズマリアクタ２１０の温度が、放出物の処理が十分でない可能性がある温度、またはプロセス装置を損傷する可能性がある温度となることがある。この熱センサは、離散的な温度の読みを提供することができ、または最大しきい値もしくは最小しきい値を知らせることができる。
プラズマリアクタ２１０はＲＦアンテナ２３６を有する。１つまたは複数のインダクタコイルなどのＲＦアンテナ２３６を、プラズマリアクタ２１０の本体２０２に隣接して提供することができる。ＲＦエネルギーなどのエネルギーを放出物ガスに誘導結合して、放出物ガスから形成された放出物前処理システム１２０のプラズマリアクタ２１０内のプラズマを維持するため、ＲＦ発生器２３０は、整合回路２３２を通してＲＦアンテナ２３６に電力を供給することができる。ＲＦセンサ２３５は、ＲＦアンテナ２３６からのＲＦを監視または測定することができる。このＲＦセンサは、コントローラ１００にフィードバックを提供することができる。加えて、ＲＦ発生器２３０に発生器センサ２３４を結合することができる。発生器センサ２３４は、ＲＦ発生器２３０からＲＦアンテナ２３６へのエネルギーの流れを制御するリレーを含むことができ、または発生器センサ２３４をそのようなリレーとすることもできる。発生器センサ２３４はさらに、ＲＦ発生器２３０とインターフェースすることができ、発生器の状態を示す情報を監視することができる。ＲＦ発生器２３０の動作は、コントローラ１００によって独立してかつ／または発生器センサ２３４を通して制御することができる。コントローラ１００は、放出物前処理システム１２０内の他の構成要素の動作も制御する。

真空プロセシングチャンバ１９０を出た副生物、または放出物前処理システム１２０が遠隔プラズマ源である例における遠隔プラズマを発生させるための前駆体ガスおよび／もしくはキャリアガスなどの放出物は、矢印１１０によって示された流れを有することができ、第１の開口２２０を通ってプラズマリアクタ２１０に入ることができる。放出物中の副生物は、ケイ素、タングステン、チタンまたはアルミニウムを含む物質を含む可能性がある。本明細書に開示された放出物前処理システム１２０を使用して処理することができる放出物中に存在するケイ素含有物質の例は、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）、シラン（ＳｉＨ₄）、ジシラン、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ₄）、窒化ケイ素（ＳｉＮ_x）、ジクロロシラン（ＳｉＨ₂Ｃｌ₂）、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ₂Ｃｌ₆）ビス（ｔ−ブチルアミノ）シラン、トリシリルアミン、ジシリルメタン、トリシリルメタン、テトラシリルメタン、テトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）（Ｓｉ（ＯＥｔ）₄）、ジシロキサン、例えばジシロキサン（ＳｉＨ₃ＯＳｉＨ₃）、トリシロキサン（ＳｉＨ₃ＯＳｉＨ₂ＯＳｉＨ₃）、テトラシロキサン（ＳｉＨ₃ＯＳｉＨ₂ＯＳｉＨ₂ＯＳｉＨ₃）およびシクロトリシロキサン（−ＳｉＨ₂ＯＳｉＨ₂ＯＳｉＨ₂Ｏ−）などである。本明細書に開示された方法を使用して除害することができる放出物中に存在するタングステン含有物質の例は、例えばＷ（ＣＯ）₆、ＷＦ₆、ＷＣｌ₆またはＷＢｒ₆などである。本明細書に開示された方法を使用して除害することができる放出物中に存在するチタン含有物質の例は、例えばＴｉＣｌ₄およびＴｉＢｒ₄などである。本明細書に開示された方法を使用して除害することができる放出物中に存在するアルミニウム含有物質の例は、例えばトリメチルアルミニウムなどである。

真空プロセシングチャンバを出て放出物前処理システム１２０に入る放出物に、処理試薬源１１４からの１種または数種の除害剤を導入することができる。処理試薬源１１４は、遮断弁２４４および試薬マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４２を有することができる。遮断弁２４４は、試薬の流れを急速に遮断するように構成することができる。試薬ＭＦＣ２４２は、真空プロセシングチャンバ１９０の放出物に適した試薬として結合する、離散的な量の成分ガスを供給することができる。試薬ＭＦＣ２４２によって提供される試薬流の量および遮断弁２４４の動作は、コントローラ１００によって制御することができる。コントローラ１００は、放出物前処理システム１２０内の他の構成要素の動作も制御する。

処理試薬源１１４から放出物前処理システム１２０に導入される試薬は例えば、ＣＨ₄、Ｈ₂Ｏ、Ｈ₂、ＮＦ₃、ＳＦ₆、Ｆ₂、ＨＣｌ、ＨＦ、Ｃｌ₂、ＨＢｒ、Ｈ₂、Ｈ₂Ｏ、Ｏ₂、Ｎ₂、Ｏ₃、ＣＯ、ＣＯ₂、ＮＨ₃、Ｎ₂Ｏ、ＣＨ₄およびこれらの組合せを含むことができる。この除害剤はさらに、ＣＨ_xＦ_yとＯ₂および／またはＨ₂Ｏとの組合せ、ならびにＣＦ_xとＯ₂および／またはＨ₂Ｏとの組合せを含むことができる。異なる組成を有する放出物に対しては異なる除害剤を使用することができる。

加えて、真空プロセシングチャンバを出て放出物前処理システム１２０に入る放出物に、水分配システム（ＷＤＳ）２５０を導入することができる。ＷＤＳ２５０は、ＷＤＳ遮断弁２５４および水マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２５２を有することができる。ＷＤＳ遮断弁２５４は、水流を急速に開きまたは閉じるように構成することができる。水ＭＦＣ２５２は、真空プロセシングチャンバ１９０の放出物と結合する、制御された量の水または水蒸気を供給することができる。水ＭＦＣ２５２およびＷＤＳ遮断弁２５４の動作は、コントローラ１００によって制御することができる。コントローラ１００は、放出物前処理システム１２０内の他の構成要素の動作も制御する。

ＭＦＣ２５２、２４２などのＭＦＣは、放出物前処理システム１２０に流入する流体の流れを制御する。これらのＭＦＣは、予め決められたプロセスレシピ（ｐｒｏｃｅｓｓ ｒｅｃｉｐｅ）に合わせて流れを調節することができる。ＭＦＣ２５２、２４２は、コントローラ１００からのアナログまたはディジタル信号に応じて動作することができる。ＭＦＣ２５２、２４２は、目標値の９０％以内に達するまでに、使用される具体的な型式によって約０．５秒〜約２秒の間の応答時間を有することがある。ＭＦＣ２５２、２４２は、＋／−１５ＶＤＣの電力供給で動作することができる。

この水および試薬は、フォアライン１９２の中を移動している放出物に導入される。この混合ガスの圧力が、処理プロセスの限界内および装置の許容範囲内にあることを保証するために、フォアライン１９２内の圧力を圧力センサ２４８が監視してもよい。排気導管１９４上の圧力調整モジュール１８２は、装置の安全および放出物の適切な処理を保証するために、排気導管１９４内の圧力を監視するセンサ２８５を有することができる。センサ２８５は、圧力調整モジュール１８２の部分とすることができ、圧力調整モジュール１８２の動作に関するフィードバックをコントローラ１００に提供することができる。コントローラ１００は、センサ２８５からのこの情報を利用して、圧力調整モジュール１８２の動作を制御する。

この混合ガスの流れを、真空ポンピングシステム２９６によって引っ張って、プラズマリアクタ２１０を通過させることができる。矢印１１０によって示されているこの流れは、プラズマリアクタ２１０内で、本体２０２の中心部２０３によって、２つのストリーム１１０Ａおよび１１０Ｂに分かれることができ、次いで、プラズマリアクタ２１０の本体２０２を出るときに第２の開口２２２のところで再び結合して、ストリーム１１０Ｃになることができる。この混合ガスの２つのストリーム１１０Ａおよび１１０Ｂは、プラズマリアクタ２１０内に形成されたプラズマによって解離させた後に、より害の少ない物質として第２の開口２２２から出すことができる。真空ポンピングシステム２９６は、真空ポンピングシステム２９６を監視するセンサ２９９を有することができる。センサ２９９は、真空ポンピングシステム２９６の動作に関する情報を、システムコントローラに、または放出物前処理システム１２０のコントローラ１００によって提供することができる。センサ２９９によって提供された情報に応じて、システムコントローラ（またはコントローラ１００）は、真空ポンピングシステム２９６の動作を制御することができる。

放出物前処理システム１２０はさらに、排気導管１９４上またはフォアライン１９２上に配された除害システム２９８を含むことができる。除害システム２９８は、化学物質、温度または他の適当なプロセスをさらに導入して、放出物に関連した危険を終わらせ、弱めまたは減らすことができる。除害システム２９８はセンサ２９９を有することができる。センサ２９９は、一方向通信または双方向通信を有することができ、除害システム２９８の状態、すなわちオン状態もしくはオフ状態、または除害システム２９８に対する動作パラメータ、例えば温度情報、化学物質流情報などを提供することができる。センサ２９９をコントローラ１００に結合することができ、コントローラ１００は、この情報を利用して、放出物前処理システム１２０内の他の構成要素の動作を制御する。
コントローラ１００は、金属薄板ハウジングなどのハウジングと、プリント基板アセンブリ（ＰＣＢＡ）と、ディスプレイと、マウス、キーボード、タッチスクリーンまたはユーザがコントローラ１００と対話する他の方法などのヒューマンインターフェースとを含む。コントローラ１００はさらに、コントローラ１００に接続された全てのハードウェアをサポートするファームウェアを有する。コントローラ１００は、コントローラ１００と対話している複数のセンサからのプログラムコマンドおよびデータを記憶するための不揮発性メモリを有することができる。加えて、この大容量メモリは、データロギング機能およびエラーロギング機能をサポートすることができる。

交流（ＡＣ）発電機またはコントローラ１００が動作するための電気エネルギーを供給する他の適当な電源などの電源２８８に、放出物前処理システム１２０のコントローラ１００を接続することができる。あるいは、電源２８８は、電池または燃料電池などの直流（ＤＣ）電源でもよい。コントローラ１００を保護するため、電源２８８によってコントローラ１００に供給されるエネルギーを、ヒューズおよびフィルタリングに結合することができる。コントローラ１００にエネルギーを供給することに加えて、電源２８８は、多数のコントローラまたは他のデバイスにもエネルギーを供給することができる。例えば、電源２８８は、「ユニバーサルインプット（ｕｎｉｖｅｒｓａｌ ｉｎｐｕｔ）」スイッチング電源とすることができ、２４ＶＤＣ出力で約５０ワットを供給することができる。コントローラ１００と電源２８８の間のリンク２８６は、状態情報を電源２８８に提供し、電源２８８の制御も提供するスマートリンクとすることができる。コントローラ１００はさらに、コントローラ１００が電源異常に応答するのに十分な時間を提供するためにコントローラ１００に提供されたバックアップ電源（図示せず）を有することができる。コントローラ１００は、出力ドライブ必要量を除けば約４ワットで低電力動作する高効率設計を有する。

コントローラ１００は、少なくとも放出物前処理システム１２０を制御するための通信用の入出力（ＩＯ）ポート２８０を有することができる。ＩＯポート２８０は、アナログＩＯポート２８２を含むことができる。一例では、コントローラ１００が、約０〜１０ボルトで動作して、ＭＦＣ２５２、２４２を駆動し、またはＲＦ発生器２３０へのコマンドを発生器センサ２３４を通して駆動する、少なくとも３２個のアナログ制御出力を有することができる。加えて、コントローラ１００は、約０〜１０ボルトで動作する少なくとも８つのアナログ制御入力、例えば８つのアナログ制御入力を有することができ、センサ２４８、２９９のところで流れを感知することができ、またはＲＦセンサ２３５のところでＲＦアンテナ２３６からのＲＦ出力を測定することができる。

加えて、ＩＯポート２８０はディジタルＩＯポート２８１を含むことができる。コントローラ１００は、５６個のディジタル制御入力など、少なくとも２４個のディジタル制御入力（絶縁されている）、オープンコレクタである少なくとも８つのプログラム可能なディジタルドライバ出力、少なくとも８つのプログラム定義のディジタル制御入力（絶縁されている）、１つまたは複数のポート接続およびデータリンクステータスインジケータを備える１つまたは複数のＤｅｖｉｃｅ Ｎｅｔ（ＤＮＥＴ）インターフェースを有することができる。コントローラ１００は、セットアップ、監視または診断用の２つ以上のシリアルＩ／Ｏポート、ＭＦＣ２５２、２４２などのＭＦＣの接続ステータスを提供する８つ以上のＬＥＤインジケータを有することができる。

加えて、コントローラ１００は、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、ＲＪ１１、ＲＪ４５、８０１１．ｘまたは外部デバイスと通信する他の適当な手段などのネットワークインターフェースを有することができる。加えて、コントローラ１００は、コントローラ１００によって制御されているさまざまなデバイスの望まれていない状態を検出しそれに応答するインターロックループ２８４を有することができる。ディジタルＩＯポート２１８は特に、ディジタルネットワークポートを含むことができ、単一のデュアルチャネル上で動作することができる。アナログＩＯポート２８２は、コマンドおよび圧力センサ信号用のインターフェースを含むことができる。

コントローラ１００は、フォアライン１９２内の圧力を監視する圧力センサ２４８、排気導管１９４内の圧力を監視する圧力センサ２９９、プラズマリアクタ２１０の温度を監視する温度センサ２０８、または放出物前処理システム１２０内の他のセンサのうちの１つまたは複数のセンサと通信して、判断を下し、システム動作を決定することができる。例えば、コントローラ１００が、温度センサ２０８の情報から、温度が高すぎると判定し、プラズマリアクタ２１０内のシステム構成要素を保護するため、プラズマリアクタ２１０に対する調整を実施する。第２の例では、センサ２０６が、ドア２０４の開状態をコントローラ１００に知らせ、コントローラ１００は、電気的危険によるオペレータまたはその他の人の損傷を防ぐため、ＲＦ発生器２３０からＲＦアンテナ２３６への送電を止めるよう発生器センサ２３４にコマンドを送る。

コントローラ１００は、真空プロセシングチャンバ１９０からの放出物を処理する一組のシーケンスを作成するように完全にプログラム可能である。それらのプログラムシーケンスは、放出物レシピごとに形成することができる。それらの放出物レシピは、１つまたは複数のプロセスレシピに対応することができる。したがって、有害な放出物ガスを排出するそれぞれのプロセスレシピは、有害な放出物ガスを形成するガスを対象とする処理レシピを有することができる。さまざまなプロセスレシピからの有害な放出物ガスに対して利用されるこれらのさまざまな処理レシピに対応するため、コントローラ１００は、１６個以上のプログラミングシーケンスをサポートすることができる。これらのプログラミングシーケンスは、単純なテキストエディタまたはこの目的のために作られたシーケンスエディタＧＵＩによって変更することができる。プログラミングシーケンスはそれぞれ、放出物を処理するレシピを形成する最大１５個の命令シーケンスを有することができる。例えば、プログラムシーケンスは、コントローラ１００内にレシピを形成し、そのレシピは、特に、ガス流（目標値およびイネーブル）、ＲＦ電力（目標値およびイネーブル）、ループ、事象の持続時間、障害トラッピング、インターロックロギング、および事象ロギングをイネーブルする機能を有することができる。図４は、コントローラ１００が利用することができる例示的なシーケンスプログラム４００を示す。

図４に示されたシーケンスプログラム４００は命令シーケンス４１０から始まり、命令シーケンス４１０ではシーケンスプログラム４００がアイドル状態にある。シーケンスプログラム４００は実行コマンドを待ち、実行コマンドを受け取ると、命令シーケンス４２０に移動する。命令シーケンス４２０で、プラズマリアクタ２１０にＮＨ₃を、所定の時間、例えば約１秒間流入させる。命令シーケンス４３０で、ＲＦ発生器２３０が、ＲＦアンテナ２３６にエネルギーを供給して、プラズマリアクタ２１０内にＲＦエネルギーを発生させる。命令シーケンス４４０で、ｄｏ ｗｈｉｌｅループなどのループを実行する。停止する命令または命令シーケンス４５０へ進む命令をシーケンスプログラム４００が受け取るまで、プログラムは命令シーケンス４４０に留まる。例えば、シーケンスプログラム４００は、シーケンスプログラム４００を停止させる障害を受け取ることがあり、または、ストップ命令、もしくは命令シーケンス４５０に移動する他の命令を受け取ることがある。命令シーケンス４５０で、ＮＨ₃をオフにする。命令シーケンス４６０に移動する前に遅延、例えば約１秒の遅延を置く。命令シーケンス４６０で、ＲＦ電力をオフにし、命令シーケンス４１０で、シーケンスプログラム４００は再びアイドル状態に入る。加えて、シーケンスプログラム４００中のどこかで、温度センサ２０８に基づく高温限界などの限界を超えた場合、シーケンスプログラム４００は、命令シーケンス４１０中に指定された条件、または指定された他のシーケンス中に指定された条件を実行し、停止して、アイドル状態に入る。

それぞれの命令シーケンスの制御フィールド内で、多くの項目を、その命令シーケンスを出てそのシーケンスの次の命令に移る「限界」として指定することができる。さらに、限界項目の大部分には「障害」のタグを付けることができ、このタグが付くことによって、命令シーケンスは停止し、コントローラ障害状態に入る。障害（および状態変化一般）を、ＬＥＤまたはディスプレイによってハードウェアインターフェース上に示すことができる。このインジケータは、実行中ステータスを表示し、障害でオフになり、障害ラインを表示して、エラーが起こったことを示すことができる。

一例では、障害が検出された場合にコントローラ１００が警告を発することができる。この警告は、可聴、視覚的および／または電子的フラグとすることができる。例えば、コントローラ１００は、サイレンなどの可聴警報信号を生成することによって、可聴警告を発することができる。別の例では、コントローラ１００が、ストロボなどの視覚的警報信号を生成することによって、視覚的警告を発することができる。別の例では、コントローラ１００が、テキストメッセージ、電子メールまたは他のディジタル通信信号などの電子信号を生成することによって、電子的警告を発することができる。

図３は、一実施形態に基づくコントローラ１００のブロック図である。コントローラ１００は、６４ビットまたは任意選択で１２８ビットの固有の読取り専用ＩＤシリアル番号を有することができ、加えて、電力バックアップを備える内部リアルタイムクロックを有することができる。コントローラ１００は、プログラムを実行し、取り付けられたデバイスと通信するマイクロコントローラ（ＭＣＵ）３５０を有する。ＭＣＵ３５０は、プロセッサコア、メモリおよびプログラム可能な入力／出力周辺装置を含む。例えば、ＭＣＵ３５０は、約１２８ｋｂのフラッシュメモリ、４ｋｂのＥＥＰＲＯＭおよび４ｋｂのＲＡＭを有することができる。ＭＣＵ３５０には、プログラミング、消去および再プログラミングを実施することができる。ＭＣＵ３５０を、レシピメモリ３３４およびログメモリ３３６などの拡張不揮発性ランダムアクセスメモリ（ＮＶＲＡＭ）に取り付けることができる。

レシピメモリ３３４は、約３２ｋｂのＮＶＲＡＭとすることができ、プロセシングシステムからの放出物を処理するためにＭＣＵ３５０が実行するシーケンスプログラムを記憶することができる。レシピメモリ３３４は、放出物を処理するためのレシピおよびコントローラ１００のセットアップ情報を記憶している。名前が付けられた１６個以上のレシピを記憶域に記憶するように、レシピメモリ３３４を構成することができる。レシピはそれぞれ、命令またはシーケンスを繰り返すためのジャンプ／ループバック（カウンタ付き）オプションを含む、いくつかの命令、例えば約１５個の命令を含むことができる。レシピは、レシピ名（ＡＳＣＩＩ、最大３２文字）およびレシピ日付スタンプ（そのレシピが最後にアップロードまたは変更された時）を含むことができる。レシピ内の１６個の命令はそれぞれ、出力ドライブＤＯパターン（弁イネーブルおよびＲＦイネーブルならびに他の制御ビット）、出力ドライブＲＦ電力またはアナログＭＦＣフローコマンド（４チャネル^*）、ＤＮＥＴ対応のＭＦＣに対するＤＮＥＴ通信（最大６３デバイス）、４つのアナログリターン信号に対する許容範囲の上限および下限、エクスカーション（ｅｘｃｕｒｓｉｏｎ）に対するディスポジション（ｄｉｓｐｏｓｉｔｉｏｎ）／オプションフラグ（例−打切り、警報、ログのみ）、ならびにカウント限界付きのルーピング機能のための「次の」ステップポインタ（カウント限界が０である場合、そのシーケンスは、次に大きな番号のステップにデフォルト設定する）を含むことができる。その命令のために持続時間が増大する間に入れ子型ループを可能にするためのそれぞれのステップの個々のカウンタおよびフラグは、０．１秒間隔で設定することができる。

ログメモリ３３６は、約１２８ｋｂのＮＶＲＡＭとすることができ、コントローラ１００および処理システムの動作に関するカスタマイズ可能な情報を記憶することができる。指定された出発点から要求されたリターンの数だけ時間的に後方に、多数のログエントリリターンまたはリセットがある。それぞれの個々のログエントリの長さは１６バイトとすることができる。ログエントリはリセットすることができる。ログエントリのリセットは、エラーログの内容、カウンタおよびポインタの全てを含むことができ、これらを含む記憶領域をフォーマットする。ログメモリ３３６内の空間を節約するため、ログエントリの間隔および内容はカスタマイズ可能とすることができる。一実施形態では、エラー処理（ｅｒｒｏｒ ｈａｎｄｌｉｎｇ）およびプログラムシーケンスストップだけを記録するため、ログに入る材料が変更されまたはフィルタにかけられる。ログメモリは、例えばサービス中の日付（最初のプロセス露出）、時間で表された累積プロセス時間（レシピを活動的に実行している時間）、時間で表された累積ＲＦオン時間、時間で表された累積電力オン時間、レシピタイプごとの成功裏に完了したレシピサイクルの回数、レシピタイプごとの打ち切られたレシピサイクルの回数（そのレシピ中に起こったあるエラーまたは予想外の事象）、ならびにＲＦエラー、ＭＦＣエラー、インターロックエラー、サイクル打切り（ツールコントローラから）、温度超過エラーおよび圧力エラーを含むエラーカウンタのうちの１つまたは複数のデータなどの、記録された履歴／累積データを記憶することができる。加えて、ログメモリ３３６はエラー／事象記録を記憶することができ、このエラー／事象記録は例えば、時刻／日付スタンプ、レシピおよびステップ番号、ならびにエラーのタイプを示すエラーコードのうちの１つまたは複数を含むことができる。例えば、ログエントリは、００００の「エラーコード」を有することができ、このエラーコードは、全てのステップが失敗なしで完了したときのように、シーケンスが正常にストップしたことを意味することがある。シーケンスステップ定義内の限界を項目が超えると、実行中のシーケンスステップは終了または停止し、ログメモリ３３６にエラーコードが記憶される。コントローラエラーメッセージの例は、シーケンス正常終了（Ｓｅｑｕｅｎｃｅ ｅｎｄｅｄ ｎｏｒｍａｌｌｙ）、シーケンス開始（Ｓｅｑｕｅｎｃｅ ｈａｓ ｓｔａｒｔｅｄ）、パージＮ２流れ障害（Ｐｕｒｇｅ Ｎ２ ｆｌｏｗ ｆａｕｌｔ）、パージＣＤＡ流れ障害（Ｐｕｒｇｅ ＣＤＡ ｆｌｏｗ ｆａｕｌｔ）、ＷＤＳ障害（ＷＤＳ ｆａｕｌｔ）、試薬０流量ミスマッチ（Ｒｅａｇｅｎｔ ０ ｒａｔｅ ｍｉｓｍａｔｃｈ）、試薬１流量ミスマッチ（Ｒｅａｇｅｎｔ １ ｒａｔｅ ｍｉｓｍａｔｃｈ）、試薬２流量ミスマッチ（Ｒｅａｇｅｎｔ ２ ｒａｔｅ ｍｉｓｍａｔｃｈ）、試薬３流量ミスマッチ（Ｒｅａｇｅｎｔ ３ ｒａｔｅ ｍｉｓｍａｔｃｈ）、ＲＦ発生器電力ミスマッチ（ＲＦ ｇｅｎａｒａｔｏｒ ｐｏｗｅｒ ｍｉｓｍａｔｃｈ）、ＲＦ発生器内部障害（ＲＦ ｇｅｎａｒａｔｏｒ ｉｎｔｅｒｎａｌ ｆａｕｌｔ）、真空圧力超過（Ｖａｃｕｕｍ ｏｖｅｒｐｒｅｓｓｕｒｅ）、フォアライン圧力超過（Ｆｏｒｅｌｉｎｅ ｏｖｅｒｐｒｅｓｓｕｒｅ）、試薬０圧力超過（Ｒｅａｇｅｎｔ ０ ｏｖｅｒｐｒｅｓｓｕｒｅ）、試薬１圧力超過（Ｒｅａｇｅｎｔ １ ｏｖｅｒｐｒｅｓｓｕｒｅ）、本体温度超過限界（Ｂｏｄｙ ｏｖｅｒ−ｔｅｍｐ ｌｉｍｉｔ）、冷却水流不足（Ｉｎｓｕｆｆｉｃｅｎｔ ｃｏｏｌｉｎｇ ｗａｔｅｒ ｆｌｏｗ）、主ドア開障害（Ｍａｉｎ ｄｏｏｒ ｏｐｅｎ ｆａｕｌｔ）、ガスボックスカバー開障害（Ｇａｓ ｂｏｘ ｃｏｖｅｒ ｏｐｅｎ ｆａｕｌｔ）、ガスボックス排気障害（Ｇａｓ ｂｏｘ ｅｘｈａｕｓｔ ｆａｕｌｔ）、シーケンスＤＩ障害（Ｓｅｑｕｅｎｃｅ ＤＩ ｆａｕｌｔ）またはシーケンスＡＩ障害（Ｓｅｑｕｅｎｃｅ ＡＩ ｆａｕｌｔ）を含むことができる。しかしながら、上記のリストは決して排他的なものではないこと、および上記のリストは参照のためだけに示されていることを理解すべきである。最大１０２４個の累積エラー／事象を、ＦＩＦＯ方式でログメモリ３３６に記録することができる。

コントローラ１００にディスプレイ３２６を取り付けることができる。ディスプレイ３２６は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、発光ダイオードディスプレイ（ＬＥＤ）または他のタイプのディスプレイとすることができる。一実施形態では、コントローラ１００がＬＣＤディスプレイ３２６を有する。ＬＣＤディスプレイ３２６は、ステータスおよび情報の英数字表示を提供することができる。ディスプレイ３２６は、ディスプレイ３２６のために使用可能な空間に応じて、２０文字４行または４０文字４行を有することができる。コントローラ１００のユーザプログラミングを容易にするため、ディスプレイ３２６上でＧＵＩインターフェースを使用可能とすることができる。コントローラ１００は、デバイスおよびデバイスのデータ項目に名前を付ける能力、ならびにディスプレイ３２６上で見るためにそれらをスケーリングする能力を有する。例えば、ＲＦ発生器２３０を、「ＲＦ ｇｅｎ １」と定義することができ、そのコマンド出力およびフィードバック入力をスケーリングして、「０〜１００％」ではなく「ｘｘｘｘｘＷ」として表示することができる。

ステータス情報を提供するため、ＭＣＵ３５０にインジケータＬＥＤ３４０を取り付けることができる。インジケータＬＥＤ３４０は、インターロック論理３４２とも対話することができる。インターロック論理３４２は、処理システム内の状態または条件を示すメッセージ３６４をリミットスイッチから受け取ることができる。例えば、ドア２０４のセンサ２０６は、ドア２０４の開状態を示すメッセージ３６４をインターロック論理３４２に送ることができ、そのスイッチに対するインジケータＬＥＤ３４０は、その開状態の通知を表示することができる。インジケータＬＥＤ３４０は、インジケータ／センサの中でも特に、オンである発生器センサ２３４などのＤＣ電力オンインジケータ、ドア２０４の開状態および／または閉状態を示すセンサ２０６などのカバーインターロックインジケータ、温度センサ２０８などの温度超過インターロックインジケータ、圧力センサ２４８などの圧力インターロックインジケータおよび一般的な健全／障害インジケータのうちの１つまたは複数のインジケータに提供することができる。インジケータＬＥＤ３４０は、そのインジケータに関連づけられた項目のステータスまたは状態のカラーインジケータを提供することができる。例えば、ＤＣ電力を示すインジケータＬＥＤ３４０は、ＤＣ電力が「ＯＫ」であることを知らせるために緑色を示すことができ、またはＤＣ電力に問題があることを知らせるために赤色を示すことができる。第２の例では、温度センサ２０８が、コントローラ１００にメッセージ３６４を送ることができる。インターロック論理３４２は、そのメッセージ３６４から、温度超過条件が存在すると判定し、対応するインジケータＬＥＤ３４０の色を緑から赤に変化させる。

電源３３２は、少なくともＭＣＵ３５０に電力を供給する。電源３３２は、ＲＦ発生器２３０にも電力を供給することもできる。あるいは、ＲＦ発生器２３０を電源３３２の部分とすることもできる。電源３３２は、約８５ＶＡＣ〜約２６５ＶＡＣ、約４３〜約６３Ｈｚの電力を、ヒューズ付きのコネクタおよびスイッチを通してコントローラ１００に供給することができる。コントローラ１００は、この電力を直流に変換することができ、接続されたデバイスにいくつかの電力オプションを提供することができる。例えば、コントローラは、２４ＶＤＣ出力２７１、１５ＶＤＣ出力、−１５ＶＤＣ出力、および共通レグ（ｃｏｍｍｏｎ ｌｅｇ）２７４または接地を提供することができる。このようにすると、活動中のデバイスに、コントローラ１００によって電力を供給することができる。

コントローラ１００は、一定の期間、非活動状態にあるときに、低電力状態または「スリープ」状態に自動的に入る能力を有する。電源投入時、または活動中のプログラムシーケンスが終了したとき（正常終了なのか、打ち切られたのか、またはエラーによる終了なのかは問わない）に、全てのアナログ出力はゼロボルトに戻ることができ、ディジタル出力は、ユーザ定義された状態に戻る。しかしながら、ある期間のユーザ定義された非活動の後、ディジタル出力に対するユーザ定義された異なる電圧を印加することができる。したがって、ユーザは、短期（アイドル）状態と長期（イナート（ｉｎｅｒｔ））状態の両方を、必要に応じて定義することができる。これによって、単純に全てをオフにすることをせずに、柔軟性を最大にすることができる。コントローラ１００がイナート状態に入る前にプログラムシーケンスが開始された場合、シーケンスの実行は、アイドル状態から直ちに始まる。コントローラがイナート状態にあるときにプログラムシーケンスが開始された場合、ユーザ定義の電圧パターンの実行が適用され、シーケンスは直ちに始まる。必要に応じてハードウェアのスリープ解除時間を適切にするのはシーケンスプログラマの責務である。

ＭＣＵ３５０へのデータ転送、プログラム転送および他のシリアルコマンドを処理するため、コントローラ１００上にシリアルコマンドポート３６０が提供されている。シリアルコマンドポート３６０は、デバイスネット（ＤＮＥＴ）ポート３２０、および１つまたは複数のシリアル入力／出力ポート（ＳＩＯ）３２２、３２４を含むことができる。ＤＮＥＴポート３２０は、コントローラ１００上でデータ交換するためにデバイスを相互接続する目的に使用される単一のＤＮＥＴチャネル上に置くことができる。この単一のＤＮＥＴチャネルは、ホストシステムコントローラおよび放出物前処理システム１２０に接続することができる。１本または数本の引込み線（ｄｒｏｐ）、すなわち有線接続は、他のコントローラ、他のＭＦＣ、チャンバコントローラ、ロボットコントローラなどを含むことができる。それぞれ固有のアドレスを有する放出物前処理システム１２０およびホストシステムに対して、別個の引込み線を提供することができる。有利には、ＤＮＥＴネットワークは、最大６３個のデバイスに対してロバストなインターフェースを提供するが、それにも関わらず、コントローラ１００上の設置面積が小さい。

コントローラ１００上の２つのＳＩＯポート３２２、３２４は、電気的に絶縁されたＲＳ−２３２ポートとすることができる。すなわち、ポート３２２、３２４は絶縁されており、接地ループを持たない。第１のＳＩＯポート３２２、ｃｏｍ１は、主に、ホストシステムコントローラへの／からのコマンドインターフェースおよび一般的な通信インターフェースとして使用される。第１のＳＩＯポート３２２は、ホストコントローラ（または構成プログラム）が、コントローラ１００内に含まれる情報にアクセスすること、および、ホストコントローラ（または構成プログラム）が、プロセスシーケンス選択を含む、コントローラ１００の機能をプログラムすることを可能にする。第２のシリアルＳＩＯポート３２４、ｃｏｍ２は主に、サービスすなわち更新用、およびデータ演算用である。第２のシリアルＳＩＯポート３２４は、要求に応じて、シーケンス中のストリーミングデータ（セットアップオプション）および他のデータを提供するように構成することができる。一実施形態では、そのデータが、少なくとも５７．６Ｋボーの速度でストリーミングされ、そのデータを、２３０．４Ｋボーよりも速い速度でデータをストリーミングすることもできる。

Ｉ／Ｏチャネル２８０は、ＤＮＥＴ３２０の範囲外のデバイス通信のためにコントローラ１００上で使用可能である。Ｉ／Ｏチャネル２８０は、出力ドライブ、コマンド入力、インターロック／安全センサ入力（温度、圧力、カバー、ＲＦ発生器ステータスなど）、ＭＦＣ（水およびガス）およびＲＦのうちの１つまたは複数に対するチャネルを含むことができる。ＭＦＣおよびＲＦ発生器接続は、Ｉ／Ｏチャネル２８０上のＤＳＵＢ−９Ｍピンコネクタポート（シリアル）を使用して接続することができる。有利には、ＤＳＵＢ−９Ｍは、従来のポートよりも安価な配線要件を有し、相互に交換可能であり、放出物前処理システム１２０を動作させるためにコントローラ１００内に機能をプログラムするシーケンスにおいて容易に割り当てられる。加えて、Ｉ／Ｏチャネル２８０は、光学的に絶縁されたＤＡ−１５（パラレル）コネクタを使用した接続を含むことができる。一実施形態では、Ｉ／Ｏチャネル２８０を介したＭＣＵ３５０からのコマンド入力から０．１秒ほどの内に、ＲＦ発生器がランプアップまたはランプダウンする。

一例では、Ｉ／Ｏチャネル２８０が、コントローラ１００によって制御されている合計４つのアナログデバイス（ＭＦＣ、ＲＦ発生器、ミキシングデバイスおよび整合デバイス）を有することができる。ＭＦＣへのアウトバウンド通信は、アナログ出力チャネル３４８上で実施することができる。ＭＦＣへのインバウンド通信は、アナログ入力チャネル３４６上で実施することができる。図２では、アナログ入力チャネル３４６とアナログ出力チャネル３４８とがまとめてアナログＩ／Ｏポート２８２として示されている。加えて、Ｉ／Ｏチャネル２８０は、８つものディジタルＩ／Ｏチャネル２８１を含むことができる。ディジタルＩ／Ｏチャネル２８１は、アウトバウンド通信とインバウンド通信の両方を受け入れることができる。

ＭＣＵ３５０は、絶縁された入力３２８および絶縁された出力３３０を有することができる。絶縁された入力３２８および絶縁された出力３３０は、接地ループの問題を防ぐために電気的に絶縁することができる。絶縁された出力３３０は、ＭＣＵ３５０からのエラー／障害３８６の通知または実行／ストップ３８８の通知を提供することができる。絶縁された出力３３０は、エラーまたは障害による動作の停止などのプログラムシーケンスコマンドのオーバーライドまたは実行を知らせる。絶縁された入力３２８は、レシピ選択３８２および実行イネーブル３８４を含むことができる。ユーザは、レシピ選択３８２をスクロールし、真空プロセシングチャンバ１９０からの放出物に対して適切なレシピを選択することができる。適切なレシピを選択した後、ユーザは、実行イネーブル３８４を選択して、コントローラ１００のＭＣＵ３５０上でのそのレシピの実行を開始する。

コントローラ１００は、少なくとも２つのシーケンス／レシピ選択手段のための能力を有する。これらの手段は、自動化された手段によっていつでも変更することができる。したがって、前処理システム１２０を利用するウエハプロセシング装置（または他のデバイス）は、必要な記憶されたシーケンスを「オンザフライ（ｏｎ ｔｈｅ ｆｌｙ）」方式で選択し、かつ／または新たなシーケンスを随意にプログラムすることができる。例えば、ホスト制御システムは、記憶された任意のレシピ間で選択することができ、選ばれたシーケンスを、入力２８２などのセレクタ入力線によって、またはＤＮＥＴポート３２０を含むシリアルポートコマンド３６０によって開始することができる。

有利には、コントローラ１００は、予め記憶されたプログラムシーケンス（レシピ）のうちの１つのプログラムシーケンス（レシピ）を使用して動作し、一例では、予め記憶された最大１６個のプログラムシーケンス（レシピ）を含む。コントローラ１００によって、最大４つのマスフローコントローラおよび最大２つのＲＦ発生器を制御することもできる。プロセシングシステムコントローラまたは他の「フィード」デバイスコントローラとインターフェースするため、パラレル、シリアルおよびＤｅｖｉｃｅ Ｎｅｔインターフェースを使用することができる。インターロックループおよび安全ループはハードウェア法を使用して実現され、それらのループも、コントローラ１００によって監視される。コントローラ１００は、実行のために必要な全てのインターロックおよび条件が満たされた場合に、放出物前処理システム１２０が始動することを許す。ドア２０４のセンサ２０６などのインターロック、または温度センサ２０８によって決定された温度しきい値などの実行条件が変化した場合、コントローラ１００は、コマンド内に指定されたシーケンス番号に関係なく、現在実行中の全てのプログラムシーケンスをストップさせ、安全なアイドル状態に戻る。すなわちＲＦ発生器および試薬ガスがオフになる。プログラムシーケンスが再開するためには、インターロックおよび実行条件のための入力が満たされなければならない。コントローラ１００は、安全のため、動作の手直しのため、およびシステム全体の保守のために、コントローラ１００の動作ならびに障害およびエラーをログに記録する。

以上の説明は本発明の実施形態を対象としているが、本発明の基本的な範囲を逸脱することなく本発明の他の追加の実施形態を考案することができる。本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。

Claims (14)

1. 放出物前処理システムであって、
   プラズマリアクタを備え、前記プラズマリアクタが、
   プラズマプロセシングチャンバからの放出物を受け取るように構成された第１の開口と、前記プラズマリアクタから排気導管に放出物を出す第２の開口とを有する本体と、
   前記本体を貫通して形成される中心部であって、前記第１の開口に入る放出物が別々に切り離された第１及び第２の流れに分離し、前記第１及び第２の流れが前記中心部の周りを進んだ後に前記第２の開口で再結合する、中心部と、
   ＲＦエネルギーを前記本体の内側に発生させるのに適した、前記本体に配置されるＲＦアンテナと、
   を備え、
   更に、前記プラズマリアクタに電子的に接続されるコントローラを備え、前記コントローラが、
   プログラムを処理するＭＣＵと、
   前記ＭＣＵと通信するように構成された複数のＩ／Ｏポートと、
   前記ＭＣＵと通信するインターロック論理であり、前記ＭＣＵに実行状態を提供するインターロック論理と、
   メモリと
   を備え、前記メモリが、
   前記プラズマリアクタを動作させるように構成された複数のプログラムを記憶したレシピメモリ、および
   ログメモリ
   を備え、
   前記インターロック論理が前記実行状態を提供したときに前記放出物を処理する前記プラズマリアクタを動作させる前記複数のプログラムのうちの選択されたプログラムを実行するように前記ＭＣＵが構成された、
   放出物前処理システム。
2. 前記複数のＩ／Ｏポートのうちの少なくとも１つのＩ／Ｏポートが、前記プラズマリアクタの前記本体内に配置されるＲＦセンサに結合された、請求項１に記載の放出物前処理システム。
3. 前記複数のＩ／Ｏポートが、前記放出物前処理システムの近接、圧力、熱、エネルギーおよび状態情報を監視するように構成された複数のセンサに結合されており、前記コントローラが、前記プラズマリアクタに流入するガスおよび水の流れを、前記センサのうちの少なくとも１つのセンサによって提供された情報に応じて管理するように構成された、請求項２に記載の放出物前処理システム。
4. 前記Ｉ／Ｏポートが、個々に、互いから電気的に絶縁されていてもよい、請求項１に記載の放出物前処理システム。
5. 前記ＭＣＵが、エラー処理およびプログラムシーケンスストップを前記ログメモリに記録するように構成された、請求項１に記載の放出物前処理システム。
6. 前記レシピメモリが、最大１６個のレシピプログラムを記憶するように構成された、請求項１に記載の放出物前処理システム。
7. 前記ＭＣＵが、障害が発生したときに警告を生成するように構成された、請求項１に記載の放出物前処理システム。
8. 前記プログラムが複数の命令シーケンスを有し、前記命令シーケンスが、
   前記選択されたプログラムを実行するために必要なインターロックおよび条件が満たされているかどうかを判定すること、ならびに
   前記選択されたプログラムを実行するために必要な前記インターロックおよび前記条件が満たされている場合に、前記プラズマプロセシングチャンバからの放出物を、前記選択されたプログラムを使用して処理すること
   を含んでいてもよい、請求項１に記載の放出物前処理システム。
9. 前記複数のＩ／Ｏポートが、
   少なくとも３２個のアナログ制御入力および出力と、
   少なくとも５６個のディジタル制御入力および少なくとも８つのディジタル出力と
   を備える、請求項１に記載の放出物前処理システム。
10. 前記アナログ制御入力が約０〜１０ボルトで動作する、請求項９に記載の放出物前処理システム。
11. プラズマプロセシングチャンバからの放出物をコントローラを用いて処理する方法であって、
    プログラムを実行するために必要なインターロックおよび条件が満たされているかどうかを判定すること、ならびに
    選択されたプログラムを実行するために必要な前記インターロックおよび前記条件が満たされている場合に、前記プラズマプロセシングチャンバからの放出物を処理すること
    を含み、前記放出物を処理することは、
    前記プラズマプロセシングチャンバの排気ポートに連結され、前記プラズマリアクタにおけるプラズマ源に対する選択されたプログラムを用いて、プラズマリアクタにおいて前記放出物を別々に切り離された第１及び第２の流れに分割することを
    含む方法。
12. 前記プログラムが、前記コントローラのメモリに記憶された１６個の予め記憶されたプログラムのうちの１つのプログラムから、ホストコントローラによって自動的に選択され、前記プログラムが、前記プラズマリアクタに処理ガスおよび水を供給するマスフローコントローラを選択的に動作させ、前記プラズマリアクタに供給されたＲＦエネルギーを制御する命令を提供する、請求項１１に記載の方法。
13. 前記放出物に処理ガスを供給すること、
    前記プラズマ源内の温度および圧力を維持すること、ならびに
    前記プラズマリアクタ内の前記処理ガスおよび前記放出物にＲＦエネルギーを与えること
    をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
14. インターロックループおよび安全ループの両者が予め定義されたエラー状態にあることに応答して、前記放出物の前記処理をストップさせること
    をさらに含む、請求項１１に記載の方法。

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