JP6810804B2 - 試験片を検査する方法および荷電粒子マルチビーム装置 - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 494
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 83
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 54
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 28
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 24
- 206010073261 Ovarian theca cell tumour Diseases 0.000 claims description 16
- 208000001644 thecoma Diseases 0.000 claims description 16
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 claims description 10
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 110
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 17
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 15
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 13
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 12
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 230000009471 action Effects 0.000 description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 6
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000012552 review Methods 0.000 description 2
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 2
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
- H01J37/145—Combinations of electrostatic and magnetic lenses
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1472—Deflecting along given lines
- H01J37/1474—Scanning means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/153—Electron-optical or ion-optical arrangements for the correction of image defects, e.g. stigmators
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical or photographic arrangements associated with the tube
- H01J37/226—Optical arrangements for illuminating the object; optical arrangements for collecting light from the object
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/045—Diaphragms
- H01J2237/0451—Diaphragms with fixed aperture
- H01J2237/0453—Diaphragms with fixed aperture multiple apertures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/049—Focusing means
- H01J2237/0492—Lens systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/10—Lenses
- H01J2237/103—Lenses characterised by lens type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/153—Correcting image defects, e.g. stigmators
- H01J2237/1534—Aberrations
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/153—Correcting image defects, e.g. stigmators
- H01J2237/1536—Image distortions due to scanning
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2817—Pattern inspection
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実施形態1:荷電粒子ビーム装置内で1次荷電粒子ビームレットのアレイによって試験片を検査する方法であって、荷電粒子ビーム源の荷電粒子ビームエミッタによって1次荷電粒子ビームを生成することと、1次荷電粒子ビームによって多開孔レンズ板を照射して、集束された1次荷電粒子ビームレットのアレイを生成することと、開孔部を含む少なくとも2つの電極によって荷電粒子ビーム装置の像面湾曲を補正することと、1次荷電粒子ビームレットをレンズによって荷電粒子ビーム装置の対物レンズの方へ誘導することと、レンズ内に配置された偏向器アレイを通って1次荷電粒子ビームレットを案内することであり、レンズおよび偏向器アレイの複合動作により、1次荷電粒子ビームレットが荷電粒子ビーム装置の対物レンズのコマフリー点を通って誘導される、案内することと、対物レンズによって試験片上の別個の場所に1次荷電粒子ビームレットを集束させ、試験片を別個の場所で同時に検査することとを含む方法。
Claims (14)
- 荷電粒子ビーム装置内で1次荷電粒子ビームレットのアレイによって試験片を検査する方法であって、前記荷電粒子ビーム装置は、前記荷電粒子ビーム装置のz方向に延びる光軸を有し、前記方法は、
荷電粒子ビームエミッタによって1次荷電粒子ビームを生成することと、
前記1次荷電粒子ビームによって表面を有する多開孔レンズ板を照射して、集束された前記1次荷電粒子ビームレットのアレイを生成することと、
前記多開孔レンズ板の前記表面上に少なくとも第1の電極によって電界を生成することと、
ここで、前記第1の電極は、前記1次荷電粒子ビーム又は前記1次荷電粒子ビームレットのための1つの開孔部を有しており、
前記少なくとも第1の電極によって提供される前記電界のz方向における電界成分が非回転対称であり、
対物レンズによって前記試験片上の別個の場所に前記1次荷電粒子ビームレットを集束させ、前記試験片を前記別個の場所で同時に検査することと、
を含む方法。 - 前記少なくとも第1の電極は、伝播する前記1次荷電粒子ビームレットの方向で、前記多開孔レンズ板の前または後に配置される、請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも第1の電極によって提供される前記電界の非回転対称のz成分は、前記少なくとも第1の電極が円周方向に少なくとも2つの別個の電極セグメントに区分けされることによって提供され、特に区分けされた前記少なくとも第1の電極は、双極子、4極子、またはより高次の極を提供する、請求項1または2に記載の方法。
- 前記少なくとも第1の電極によって提供される前記電界の非回転対称のz成分は、前記荷電粒子ビーム装置の前記光軸に直交する平面に対して傾斜している前記少なくとも第1の電極によって提供される、請求項1から3までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記試験片のサンプル傾斜または局所的サンプル傾斜を測定することと、
前記傾斜に比例する電界強度または前記サンプル傾斜もしくは前記局所的サンプル傾斜を少なくとも部分的に補償する電界強度を有する前記電界を生成することと、
をさらに含む、請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法。 - 1次荷電粒子ビームレットのアレイによって試験片を検査する荷電粒子ビーム装置であって、前記荷電粒子ビーム装置のz方向に延びる光軸を備え、前記荷電粒子ビーム装置は、
1次荷電粒子ビームレットのアレイを生成する荷電粒子ビーム源であり、荷電粒子ビームを放出する荷電粒子ビームエミッタ、および、表面を有する多開孔レンズ板を備え、前記多開孔レンズ板は、1次荷電粒子ビームレットのアレイを生成および集束させるために少なくとも2つの開口を備え、前記1次荷電粒子ビームによって照射されるように配置される、荷電粒子ビーム源と、
前記多開孔レンズ板の前記表面上に電界を生成する少なくとも第1の電極であり、前記1次荷電粒子ビームまたは前記1次荷電粒子ビームレットが通過する1つの開孔部を有するとともに、前記荷電粒子ビーム装置の前記光軸に直交する平面に対して傾斜しており、かつ/または、円周方向に少なくとも2つの別個の電極セグメントに区分けされている少なくとも第1の電極と、
前記1次荷電粒子ビームレットのアレイのうちの各1次荷電粒子ビームレットを前記試験片上の別個の場所へ集束させる対物レンズと、
をさらに備える荷電粒子ビーム装置。 - 前記別個の電極セグメントは、異なる電圧によって別個に付勢可能であり、特に区分けされた前記第1の電極は、双極子、4極子、またはより高次の極を提供する、請求項6に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記少なくとも第1の電極は、伝播する前記1次荷電粒子ビームレットの方向で、前記多開孔レンズ板の前または後に配置される、請求項6又は7に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記第1の電極は、前記z方向に直交するx方向または前記z方向に直交するy方向に傾斜している、請求項6から8までのいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記荷電粒子ビーム装置は、前記試験片を傾斜させて支持するように適合される、請求項7から9までのいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 試験片を検査するマルチカラム顕微鏡であって、
1次荷電粒子ビームレットのアレイによって試験片を検査する荷電粒子ビーム装置を備え、前記荷電粒子ビーム装置は、前記荷電粒子ビーム装置のz方向に延びる光軸を備え、前記荷電粒子ビーム装置は、
1次荷電粒子ビームレットのアレイを生成する荷電粒子ビーム源をさらに備え、前記荷電粒子ビーム源は、
荷電粒子ビームを放出する荷電粒子ビームエミッタ、
1次荷電粒子ビームレットのアレイを生成および集束させるために少なくとも2つの開口を備える多開孔レンズ板であり、前記1次荷電粒子ビームによって照射されるように配置された多開孔レンズ板、ならびに
前記多開孔レンズ板の表面上に電界を生成する少なくとも第1の電極であり、前記1次荷電粒子ビームまたは前記1次荷電粒子ビームレットが通過する1つの開孔部を有し、
前記荷電粒子ビーム装置の前記光軸に直交する平面に対して傾斜しており、かつ/または円周方向に少なくとも2つの別個の電極セグメントに区分けされた少なくとも第1の電極を備え、前記荷電粒子ビーム装置は、
前記1次荷電粒子ビームレットのアレイのうちの各1次荷電粒子ビームレットを前記試験片上の別個の場所へ集束させる対物レンズをさらに備え、
前記マルチカラム顕微鏡は、
さらなる1次荷電粒子ビームレットのアレイを生成するさらなる荷電粒子ビーム源をさらに備える、マルチカラム顕微鏡。 - 前記対物レンズのコマフリー点を通って前記1次荷電粒子ビームレットのアレイのうちの1次荷電粒子ビームレットを案内するレンズモジュールおよび偏向器モジュールのうちの少なくとも1つ
をさらに備える、請求項7から10までのいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム装置。 - 前記対物レンズのコマフリー点を通って前記1次荷電粒子ビームレットのアレイのうちの1次荷電粒子ビームレットを案内するレンズモジュールおよび偏向器モジュールのうちの少なくとも1つ
をさらに備える、請求項11に記載のマルチカラム顕微鏡。 - 対物レンズアレイの前記それぞれの光軸へ前記1次荷電粒子ビームレットのアレイのうちの前記1次荷電粒子ビームレットを案内するコリメータレンズおよび偏向器アレイのうちの少なくとも1つを有するコリメータ
をさらに備える、請求項11又は13に記載のマルチカラム顕微鏡。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/366,455 US9922796B1 (en) | 2016-12-01 | 2016-12-01 | Method for inspecting a specimen and charged particle multi-beam device |
US15/366,455 | 2016-12-01 | ||
PCT/EP2017/079797 WO2018099756A1 (en) | 2016-12-01 | 2017-11-20 | Method for inspecting a specimen and charged particle multi-beam device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019537223A JP2019537223A (ja) | 2019-12-19 |
JP6810804B2 true JP6810804B2 (ja) | 2021-01-06 |
Family
ID=60388079
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019529505A Active JP6810804B2 (ja) | 2016-12-01 | 2017-11-20 | 試験片を検査する方法および荷電粒子マルチビーム装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9922796B1 (ja) |
EP (1) | EP3549152A1 (ja) |
JP (1) | JP6810804B2 (ja) |
KR (1) | KR102295389B1 (ja) |
CN (1) | CN110192263B (ja) |
TW (1) | TWI695404B (ja) |
WO (1) | WO2018099756A1 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10453645B2 (en) * | 2016-12-01 | 2019-10-22 | Applied Materials Israel Ltd. | Method for inspecting a specimen and charged particle multi-beam device |
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CN112567493A (zh) * | 2018-08-09 | 2021-03-26 | Asml荷兰有限公司 | 用于多个带电粒子束的装置 |
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CN110798959A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-02-14 | 复旦大学 | 一种多方向带电粒子束流转向装置 |
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SE545152C2 (en) * | 2021-09-21 | 2023-04-18 | Scienta Omicron Ab | Charged particle spectrometer operable in an angular mode |
US11651934B2 (en) | 2021-09-30 | 2023-05-16 | Kla Corporation | Systems and methods of creating multiple electron beams |
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2016
- 2016-12-01 US US15/366,455 patent/US9922796B1/en active Active
-
2017
- 2017-11-20 EP EP17800865.2A patent/EP3549152A1/en active Pending
- 2017-11-20 CN CN201780074728.0A patent/CN110192263B/zh active Active
- 2017-11-20 KR KR1020197018988A patent/KR102295389B1/ko active IP Right Grant
- 2017-11-20 JP JP2019529505A patent/JP6810804B2/ja active Active
- 2017-11-20 WO PCT/EP2017/079797 patent/WO2018099756A1/en unknown
- 2017-11-22 TW TW106140439A patent/TWI695404B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110192263A (zh) | 2019-08-30 |
TW201833967A (zh) | 2018-09-16 |
JP2019537223A (ja) | 2019-12-19 |
CN110192263B (zh) | 2021-08-13 |
EP3549152A1 (en) | 2019-10-09 |
US9922796B1 (en) | 2018-03-20 |
WO2018099756A1 (en) | 2018-06-07 |
KR20190091318A (ko) | 2019-08-05 |
TWI695404B (zh) | 2020-06-01 |
KR102295389B1 (ko) | 2021-09-02 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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