JP6808517B2 - Contact condition improvement device - Google Patents

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Description

本発明は、測定対象の被接触部とプローブとの接触状態を改善する接触状態改善装置に関するものである。 The present invention relates to a contact state improving device for improving the contact state between the contacted portion to be measured and the probe.

測定対象の被測定量を測定する測定装置として、下記特許文献1において出願人が開示した測定装置(バッテリテスタ)が知られている。この測定装置は、測定対象(バッテリ)の被接触部(電極)に接触させたプローブ(端子)を介して入出力する電気信号に基づいて測定対象体の被測定量(内部抵抗)を測定可能に構成されている。 As a measuring device for measuring a measured quantity to be measured, a measuring device (battery tester) disclosed by the applicant in Patent Document 1 below is known. This measuring device can measure the amount to be measured (internal resistance) of the object to be measured based on the electric signal input / output via the probe (terminal) in contact with the contacted portion (electrode) of the object to be measured (battery). It is configured in.

特開2007−212340号公報(第4頁、第1図)JP-A-2007-212340 (Page 4, Fig. 1)

ところが、上記の測定装置には、改善すべき以下の課題が存在する。具体的には、上記の測定装置では、測定対象の被接触部に接触させたプローブを介して入出力する電気信号に基づいて測定対象の被測定量を測定しているが、被接触部の表面に金属酸化物等の絶縁被膜が形成されているときには、プローブと被接触部との接触状態が不良となって被測定量を正しく測定することが困難となることがある。この場合、出力する電気信号の電圧を上昇させて絶縁被膜を破壊して、プローブと被接触部との間の接触状態を改善する接触状態改善機能を備えた測定装置(例えば、特開2011−85463号公報において出願人が開示したインピーダンス測定装置:以下、この種の測定装置を「改善機能付き測定装置」ともいう)が開発されている。しかしながら、この種の改善機能付き測定装置では、接触状態改善機能だけを独立して使用することができないため、接触状態改善機能を備えていない上記の測定装置と改善機能付き測定装置の接触状態改善機能とを用いて測定を行うことは困難である。したがって、接触状態改善機能を備えていない上記の測定装置を用いて被接触部の表面に絶縁被膜が形成されている測定対象の被測定量を正しく測定することは依然として困難であり、この結果、接触状態改善機能を備えていない上記の測定装置を有効活用することができないという課題が存在し、その改善が望まれている。 However, the above-mentioned measuring device has the following problems to be improved. Specifically, in the above-mentioned measuring device, the measured amount of the measurement target is measured based on the electric signal input / output via the probe brought into contact with the contacted portion of the measurement target. When an insulating film such as a metal oxide is formed on the surface, the contact state between the probe and the contacted portion may be poor, and it may be difficult to accurately measure the measured amount. In this case, a measuring device having a contact state improving function for improving the contact state between the probe and the contacted portion by increasing the voltage of the output electric signal to destroy the insulating film (for example, JP-A-2011-). Impedance measuring device disclosed by the applicant in Japanese Patent Application Laid-Open No. 85463: Hereinafter, this type of measuring device is also referred to as "measuring device with improvement function"). However, in this type of measuring device with an improvement function, only the contact state improving function cannot be used independently. Therefore, the contact state improvement between the above measuring device and the measuring device with the improving function that do not have the contact state improving function. It is difficult to make measurements using functions. Therefore, it is still difficult to accurately measure the measured amount of the measurement target in which the insulating film is formed on the surface of the contacted portion by using the above-mentioned measuring device that does not have the contact state improving function. There is a problem that the above-mentioned measuring device, which does not have a contact state improving function, cannot be effectively used, and improvement thereof is desired.

本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、接触状態改善機能を備えていない測定装置を有効活用し得る接触状態改善装置を提供することを主目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a contact state improving device capable of effectively utilizing a measuring device having no contact state improving function.

上記目的を達成すべく請求項1記載の接触状態改善装置は、測定対象の被接触部に接触させたプローブを介して入出力する出力信号および入力信号に基づいて当該測定対象の被測定量を測定する測定装置に接続可能に構成されて、前記被接触部と前記プローブとの接触状態を改善する接触状態改善装置であって、前記測定装置における前記出力信号を出力するための一対の出力端子にそれぞれ接続可能な一対の第1端子と、前記測定装置における前記入力信号を入力するための一対の入力端子にそれぞれ接続可能な一対の第2端子と、前記出力信号を前記被接触部に供給するための一対の前記プローブをそれぞれ接続可能な一対の第3端子と、前記各第2端子にそれぞれ接続されると共に前記入力信号を入力するための一対の前記プローブをそれぞれ接続可能な一対の第4端子と、前記第3端子と第4端子との間に供給する接触改善用信号を生成する信号生成部と、前記各第1端子と前記各第3端子とをそれぞれ接続する第1状態、および前記各第1端子の少なくとも一方と当該少なくとも一方の第1端子に対応する前記第3端子とを非接続とすると共に前記信号生成部と当該第3端子とを接続する第2状態を切り替える切替え部とを備えている。 In order to achieve the above object, the contact state improving device according to claim 1 measures the measured amount of the measurement target based on the output signal and the input signal input / output via the probe in contact with the contacted portion of the measurement target. A contact state improving device that is configured to be connectable to a measuring device to be measured and improves the contact state between the contacted portion and the probe, and is a pair of output terminals for outputting the output signal in the measuring device. A pair of first terminals that can be connected to each other, a pair of second terminals that can be connected to a pair of input terminals for inputting the input signal in the measuring device, and the output signal are supplied to the contacted portion. A pair of third terminals to which each of the pair of probes can be connected, and a pair of third terminals to which the pair of probes to be connected to each of the second terminals and to input the input signal can be connected to each other. A first state in which the four terminals, a signal generation unit that generates a contact improvement signal supplied between the third terminal and the fourth terminal, and each of the first terminals and the third terminals are connected to each other. And, at least one of the first terminals and the third terminal corresponding to the at least one first terminal are disconnected, and the second state of connecting the signal generator and the third terminal is switched. It has a department.

また、請求項2記載の接触状態改善装置は、請求項1記載の接触状態改善装置において、前記切替え部は、第2状態において前記各第1端子の双方と当該各第1端子にそれぞれ対応する前記各第3端子の双方とをそれぞれ非接続とすると共に前記信号生成部と当該各第3端子の双方とを接続する。 Further, the contact state improving device according to claim 2 is the contact state improving device according to claim 1, and the switching unit corresponds to both of the first terminals and the first terminals in the second state, respectively. Both of the third terminals are disconnected from each other, and both the signal generation unit and the third terminals are connected.

また、請求項3記載の接触状態改善装置は、請求項1または2記載の接触状態改善装置において、前記信号生成部は、前記切替え部によって前記第1状態から前記第2状態への切替えが実行されたときに前記接触改善用信号を生成する。 Further, in the contact state improving device according to claim 3, in the contact state improving device according to claim 1, the signal generation unit is switched from the first state to the second state by the switching unit. When this is done, the contact improvement signal is generated.

また、請求項4記載の接触状態改善装置は、請求項1から3のいずれかに記載の接触状態改善装置において、前記被接触部と前記プローブとの接触状態の良否を判定する判定部を備え、前記判定部は、前記被接触部と前記プローブとの接触状態が不良と判定したときに前記切替え部に対して、第1状態から前記第2状態への切替えを実行させる。 Further, the contact state improving device according to claim 4 includes a determining unit for determining the quality of the contact state between the contacted portion and the probe in the contact state improving device according to any one of claims 1 to 3. When the determination unit determines that the contact state between the contacted portion and the probe is defective, the determination unit causes the switching unit to switch from the first state to the second state.

請求項1記載の接触状態改善装置によれば、測定装置の出力端子に接続可能な第1端子と、測定装置の入力端子に接続可能な第2端子と、出力信号を供給するプローブを接続可能な第3端子と、第2端子に接続されると共に入力信号を入力するプローブを接続可能な第4端子と、接触改善用信号を生成する信号生成部と、第1端子と第3端子とを接続する第1状態、および第1端子と第3端子とを非接続とし信号生成部と第3端子とを接続する第2状態を切り替える切替え部とを備えたことにより、接触状態改善機能を備えていない測定装置に接触状態改善装置を接続することで、測定対象の被接触部とプローブとの接触状態を改善して正確な測定を行うことができる。したがって、この接触状態改善装置によれば、接触状態改善機能を備えていない測定装置を十分に有効活用することができる。 According to the contact state improving device according to claim 1, a first terminal that can be connected to the output terminal of the measuring device, a second terminal that can be connected to the input terminal of the measuring device, and a probe that supplies an output signal can be connected. A third terminal, a fourth terminal that is connected to the second terminal and can be connected to a probe that inputs an input signal, a signal generator that generates a contact improvement signal, and a first terminal and a third terminal. The contact state improvement function is provided by providing the first state to be connected and the switching unit for switching the second state in which the signal generation unit and the third terminal are connected by disconnecting the first terminal and the third terminal. By connecting the contact state improving device to the measuring device that has not been used, the contact state between the contacted portion to be measured and the probe can be improved and accurate measurement can be performed. Therefore, according to this contact state improving device, it is possible to fully effectively utilize the measuring device that does not have the contact state improving function.

また、請求項2記載の接触状態改善装置によれば、切替え部が、第2状態において一対の第1端子の双方と一対の第3端子の双方とをそれぞれ非接続とすると共に信号生成部と各第3端子の双方とを接続することにより、高電位側のプローブを接触させる被接触部とそのプローブとの接触状態、および低電位側のプローブを接触させる被接触部とそのプローブとの接触状態の双方を改善することができるため、より正確な測定を行うことができる。 Further, according to the contact state improving device according to claim 2, the switching unit disconnects both of the pair of first terminals and both of the pair of third terminals in the second state, and also connects with the signal generation unit. By connecting both of the third terminals, the contact state between the contacted portion that contacts the probe on the high potential side and the probe, and the contact between the contacted portion that contacts the probe on the low potential side and the probe. Since both conditions can be improved, more accurate measurements can be made.

また、請求項3記載の接触状態改善装置によれば、信号生成部が、切替え部によって第1状態から第2状態への切替えが実行されたときに接触改善用信号を生成することにより、初期状態において切替え部が第1状態を維持するように構成することで、接触改善用信号の生成に用いる電源部の電力の消耗を抑えることができる。 Further, according to the contact state improving device according to claim 3, the signal generating unit generates a contact improving signal when the switching unit switches from the first state to the second state, thereby initially. By configuring the switching unit to maintain the first state in the state, it is possible to suppress power consumption of the power supply unit used for generating the contact improvement signal.

また、請求項4記載の接触状態改善装置によれば、判定部が、被接触部とプローブとの接触状態が不良と判定したときに切替え部に対して第1状態から第2状態への切替えを実行させることにより、被接触部とプローブとの接触状態が不良であるか否かの判定処理、および接触状態が不良であるときに接触状態を改善する処理の実行を自動的に行わせることができるため、作業効率(測定効率)十分に向上させることができる。 Further, according to the contact state improving device according to claim 4, when the determination unit determines that the contact state between the contacted portion and the probe is defective, the switching unit is switched from the first state to the second state. By executing the above, the process of determining whether or not the contact state between the contacted portion and the probe is defective and the process of improving the contact state when the contact state is poor are automatically executed. Therefore, the work efficiency (measurement efficiency) can be sufficiently improved.

接触状態改善装置1の構成を示す構成図である。It is a block diagram which shows the structure of the contact state improvement apparatus 1. 接触状態改善装置1の使用方法を説明する第1の説明図である。It is 1st explanatory drawing explaining the use method of the contact state improvement apparatus 1. 接触状態改善装置1の使用方法を説明する第2の説明図である。It is a 2nd explanatory drawing explaining the usage method of the contact state improvement apparatus 1.

以下、接触状態改善装置の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments of the contact state improving device will be described with reference to the accompanying drawings.

最初に、接触状態改善装置の一例としての図1に示す接触状態改善装置1の構成について説明する。接触状態改善装置1は、測定対象(例えば、図2に示す電子部品100)の被接触部(同図に示す被接触部101a,101b:以下、区別しないときには「被接触部101」ともいう)に接触させたプローブ(同図に示すプローブ60a〜60d:以下、区別しないときには「プローブ60」ともいう)を介して入出力する出力信号So(一例として、直流定電流信号)および入力信号Si(一例として、電圧信号)に基づいて測定対象(例えば、同図に示す電子部品100)の被測定量(一例として、抵抗値)を測定する測定装置(例えば、同図に示す測定装置50)に接続可能(着脱可能)に構成されて、被接触部とプローブとの接触状態を改善する機能(「接触状態改善機能」)を有している。 First, the configuration of the contact state improving device 1 shown in FIG. 1 as an example of the contact state improving device will be described. The contact state improving device 1 is a contacted portion of a measurement target (for example, the electronic component 100 shown in FIG. 2) (contacted portions 101a and 101b shown in the figure: hereinafter, also referred to as “contacted portion 101” when not distinguished). Output signal So (as an example, DC constant current signal) and input signal Si (for example, DC constant current signal) that are input and output via probes (probes 60a to 60d shown in the figure: hereinafter also referred to as “probe 60” when not distinguished). As an example, a measuring device (for example, the measuring device 50 shown in the figure) for measuring a measured amount (for example, a resistance value) of a measurement target (for example, the electronic component 100 shown in the figure) based on a voltage signal). It is configured to be connectable (detachable) and has a function of improving the contact state between the contacted portion and the probe (“contact state improvement function”).

具体的には、接触状態改善装置1は、図1に示すように、第1端子11a,11b(以下、区別しないときには「第1端子11」ともいう)、第2端子12a,12b(以下、区別しないときには「第2端子12」ともいう)、第3端子13a,13b(以下、区別しないときには「第3端子13」ともいう)、第4端子14a,14b(以下、区別しないときには「第4端子14」ともいう)、および信号生成部21a,21b(以下、区別しないときには「信号生成部21」ともいう)、切替え部31a,31b(以下、区別しないときには「切替え部31」ともいう)、および判定部41a,41b(以下、区別しないときには「判定部41」ともいう)を備えて構成されている。 Specifically, as shown in FIG. 1, the contact state improving device 1 includes first terminals 11a and 11b (hereinafter, also referred to as "first terminal 11" when not distinguished) and second terminals 12a and 12b (hereinafter, also referred to as "first terminal 11"). When not distinguished, it is also referred to as "second terminal 12"), third terminals 13a, 13b (hereinafter, also referred to as "third terminal 13" when not distinguished), fourth terminals 14a, 14b (hereinafter, when not distinguished, "fourth terminal" Terminal 14 ”), signal generation units 21a and 21b (hereinafter, also referred to as“ signal generation unit 21 ”when not distinguished), switching units 31a, 31b (hereinafter, also referred to as“ switching unit 31 ”when not distinguished). And the determination units 41a and 41b (hereinafter, also referred to as "determination unit 41" when not distinguished) are provided.

第1端子11aは、図2に示すように、測定装置50に設けられている出力信号Soを出力するための高電位側(Hi側)の出力端子54aとの接続が可能に構成されている。また、第1端子11bは、同図に示すように、測定装置50に設けられている出力信号Soを出力するための低電位(Lo側)の出力端子54bとの接続が可能に構成されている。 As shown in FIG. 2, the first terminal 11a is configured to be able to be connected to the output terminal 54a on the high potential side (Hi side) for outputting the output signal So provided in the measuring device 50. .. Further, as shown in the figure, the first terminal 11b is configured to be able to be connected to the low potential (Lo side) output terminal 54b for outputting the output signal So provided in the measuring device 50. There is.

第2端子12aは、図2に示すように、測定装置50に設けられている入力信号Siを入力するための高電位側の入力端子55aとの接続が可能に構成されている。また、第2端子12bは、同図に示すように、測定装置50に設けられている入力信号Siを入力するための低電位側の入力端子55bとの接続が可能に構成されている。 As shown in FIG. 2, the second terminal 12a is configured to be able to be connected to the input terminal 55a on the high potential side for inputting the input signal Si provided in the measuring device 50. Further, as shown in the figure, the second terminal 12b is configured to be able to be connected to the input terminal 55b on the low potential side for inputting the input signal Si provided in the measuring device 50.

第3端子13a,13bは、図2に示すように、出力信号Soを電子部品100の被接触部101a,101bに供給するためのプローブ60a,60bがそれぞれ接続される端子であって、一例として、プローブ60a,60bのケーブルに取り付けられているプラグを接続可能なジャックでそれぞれ構成されている。この場合、第3端子13aは、出力信号Soの高電位側を供給するプローブ60aに対応し、第3端子13bは、出力信号Soの低電位側を供給するプローブ60bに対応している。 As shown in FIG. 2, the third terminals 13a and 13b are terminals to which probes 60a and 60b for supplying the output signal So to the contacted portions 101a and 101b of the electronic component 100 are connected, respectively, and as an example. , Each consists of jacks to which plugs attached to the cables of probes 60a and 60b can be connected. In this case, the third terminal 13a corresponds to the probe 60a that supplies the high potential side of the output signal So, and the third terminal 13b corresponds to the probe 60b that supplies the low potential side of the output signal So.

第4端子14a,14bは、図2に示すように、入力信号Siを入力するためのプローブ60c,60dがそれぞれ接続される端子であって、一例として、プローブ60c,60dのケーブルに取り付けられているプラグを接続可能なジャックでそれぞれ構成されている。この場合、第4端子14aは、入力信号Siの高電位側を入力するプローブ60cに対応し、第4端子14bは、入力信号Siの低電位側を入力するプローブ60dに対応している。また、図1に示すように、第4端子14aは、第2端子12aに接続され、第4端子14bは、第2端子12bに接続されている。 As shown in FIG. 2, the fourth terminals 14a and 14b are terminals to which the probes 60c and 60d for inputting the input signal Si are connected, respectively, and are attached to the cables of the probes 60c and 60d as an example. It consists of jacks to which the plugs can be connected. In this case, the fourth terminal 14a corresponds to the probe 60c that inputs the high potential side of the input signal Si, and the fourth terminal 14b corresponds to the probe 60d that inputs the low potential side of the input signal Si. Further, as shown in FIG. 1, the fourth terminal 14a is connected to the second terminal 12a, and the fourth terminal 14b is connected to the second terminal 12b.

信号生成部21a,21bは、図1に示すように、同一に構成されて、第3端子13aと第4端子14aとの間および第3端子13bと第4端子14bとの間に供給する接触改善用信号Sbをそれぞれ生成する。ここで、接触改善用信号Sbは、例えば、被接触部101の表面に金属酸化物等の絶縁被膜が形成されているときに、その絶縁被膜を破壊して、被接触部101とプローブ60との接触(導通)状態を改善するための電気信号であって、一例として、電圧値Vmが10V程度で、電流値Imが10mA程度に制御される。 As shown in FIG. 1, the signal generation units 21a and 21b are configured in the same manner and supply contact between the third terminal 13a and the fourth terminal 14a and between the third terminal 13b and the fourth terminal 14b. The improvement signal Sb is generated respectively. Here, the contact improvement signal Sb, for example, when an insulating film such as a metal oxide is formed on the surface of the contacted portion 101, breaks the insulating film to cause the contacted portion 101 and the probe 60. It is an electric signal for improving the contact (conduction) state of, and as an example, the voltage value Vm is controlled to about 10V and the current value Im is controlled to about 10mA.

この場合、信号生成部21a,21bは、一例として、図1に示すように、出力電圧が1.5V程度の電池で構成された電源部22、昇圧型のスイッチングレギュレータで構成された信号生成回路23、プルアップ用の抵抗24a,24b、電流制限用の抵抗24c、平滑用のコンデンサ25、およびスイッチの一例であるMOSFET26をそれぞれ備えて構成されている。この場合、信号生成回路23は、切替え部31によって後述する第1状態から第2状態への切替えが実行されたときに作動する。このため、この信号生成部21a,21bでは、第1状態から第2状態への切替えが実行されたときに接触改善用信号Sbが生成される。 In this case, as an example, the signal generation units 21a and 21b are signal generation circuits composed of a power supply unit 22 composed of a battery having an output voltage of about 1.5 V and a boost-type switching regulator, as shown in FIG. 23, resistors 24a and 24b for pull-up, resistors 24c for current limiting, a capacitor 25 for smoothing, and MOSFET 26 which is an example of a switch are provided. In this case, the signal generation circuit 23 operates when the switching unit 31 executes switching from the first state to the second state, which will be described later. Therefore, in the signal generation units 21a and 21b, the contact improvement signal Sb is generated when the switching from the first state to the second state is executed.

また、信号生成部21a,21bは、互いにフローティング状態となるように、各々の基準電位(低電位)が相互に切り離されている(非接続となっている)。なお、抵抗24cを可変抵抗で構成することで、接触改善用信号Sbの電流値を任意の電流値に制限可能な構成とすることもできる。 Further, the signal generation units 21a and 21b are separated from each other (disconnected) from each other with reference potentials (low potentials) so as to be in a floating state with each other. By configuring the resistor 24c with a variable resistor, the current value of the contact improvement signal Sb can be limited to an arbitrary current value.

切替え部31aは、第1端子11aと第3端子13aとを接続する第1状態、および第1端子11aと第3端子13aとを非接続とすると共に信号生成部21aと第3端子13aとを接続する第2状態を切り替える。この場合、切替え部31aは、判定部41aから出力される制御信号Scに応じて作動する。具体的には、切替え部31aは、制御信号Scが出力されていない状態(初期状態)では、第1状態を維持し、制御信号Scが出力されている状態では、第2状態を維持する。また、切替え部31aは、手動操作に応じても作動して、第1状態および第2状態を切り替える。 The switching unit 31a disconnects the first state of connecting the first terminal 11a and the third terminal 13a, the first terminal 11a and the third terminal 13a, and connects the signal generation unit 21a and the third terminal 13a. Switch the second state to connect. In this case, the switching unit 31a operates in response to the control signal Sc output from the determination unit 41a. Specifically, the switching unit 31a maintains the first state in the state where the control signal Sc is not output (initial state), and maintains the second state in the state where the control signal Sc is output. The switching unit 31a also operates in response to a manual operation to switch between the first state and the second state.

切替え部31bは、切替え部31aと同様にして、判定部41bから出力される制御信号Scおよび手動操作に応じて、第1端子11bと第3端子13bとを接続する第1状態、および第1端子11bと第3端子13bとを非接続とすると共に信号生成部21bと第3端子13bとを接続する第2状態を切り替える。 Similar to the switching unit 31a, the switching unit 31b connects the first terminal 11b and the third terminal 13b according to the control signal Sc output from the determination unit 41b and the manual operation, and the first state. The terminal 11b and the third terminal 13b are disconnected, and the second state of connecting the signal generation unit 21b and the third terminal 13b is switched.

判定部41a,41bは、図外の起動スイッチが操作されたときに起動し、各プローブ60と電子部品100の被接触部101との接触状態の良否を判定する判定処理を行う。この場合、判定部41aは、判定処理において、第3端子13aおよび第4端子14aの間(第3端子13aおよび第4端子14aにそれぞれ接続されているプローブ60a,60cの間)に判定用信号を出力して、被接触部101aにおけるプローブ60a,60cの接触部位の間の抵抗値を、判定用信号の電流値、および第3端子13aと第4端子14aとの間の電圧値に基づいて特定し、その抵抗値が基準値以上のときには、プローブ60a,60cと被接触部101aとの接触状態が不良であると判定する。 The determination units 41a and 41b are activated when an start switch (not shown) is operated, and perform a determination process for determining the quality of the contact state between each probe 60 and the contacted portion 101 of the electronic component 100. In this case, the determination unit 41a receives a determination signal between the third terminal 13a and the fourth terminal 14a (between the probes 60a and 60c connected to the third terminal 13a and the fourth terminal 14a, respectively) in the determination process. Is output, and the resistance value between the contact portions of the probes 60a and 60c in the contacted portion 101a is determined based on the current value of the determination signal and the voltage value between the third terminal 13a and the fourth terminal 14a. When the resistance value is specified and the resistance value is equal to or higher than the reference value, it is determined that the contact state between the probes 60a and 60c and the contacted portion 101a is poor.

また、判定部41bは、判定処理において、第3端子13bおよび第4端子14bの間(第3端子13bおよび第4端子14bにそれぞれ接続されているプローブ60b,60dの間)に判定用信号を出力して、被接触部101bにおけるプローブ60b,60dの接触部位の間の抵抗値を、判定用信号の電流値、および第3端子13bと第4端子14bとの間の電圧値に基づいて特定し、その抵抗値が基準値以上のときには、プローブ60b,60dと被接触部101bとの接触状態が不良であると判定する。また、判定部41a,41bは、プローブ60と被接触部101との接触状態を不良と判定したときには制御信号Scを出力して、切替え部31a.31bに対して、第1状態から前記第2状態への切替えを実行させる。 Further, in the determination process, the determination unit 41b transmits a determination signal between the third terminal 13b and the fourth terminal 14b (between the probes 60b and 60d connected to the third terminal 13b and the fourth terminal 14b, respectively). Output to specify the resistance value between the contact portions of the probes 60b and 60d in the contacted portion 101b based on the current value of the determination signal and the voltage value between the third terminal 13b and the fourth terminal 14b. When the resistance value is equal to or higher than the reference value, it is determined that the contact state between the probes 60b and 60d and the contacted portion 101b is poor. Further, the determination units 41a and 41b output a control signal Sc when the contact state between the probe 60 and the contacted unit 101 is determined to be defective, and the switching unit 31a. 31b is made to execute the switching from the first state to the second state.

次に、接触状態改善装置1の使用方法について、図面を参照して説明する。 Next, a method of using the contact state improving device 1 will be described with reference to the drawings.

最初に、測定対象の被測定量を4端子法で測定する測定装置50に接触状態改善装置1を接続して使用する使用方法について説明する。この場合、測定装置50は、図2に示すように、出力信号Soとしての直流定電流信号を生成する信号生成部51と、入力信号Siとしての電圧信号の電圧値Vmを検出する電圧検出部52と、出力信号Soの電流値Imおよび電圧検出部52によって検出された電圧値Vmに基づいて被測定量としての抵抗値を算出する処理部53と、上記した出力端子54a,54bおよび入力端子55a,55bとを備えている。また、接触状態改善装置1は、初期状態において、上記した第1状態(第1端子11aと第3端子13aとが接続され、第1端子11bと第3端子13bとが接続されている状態)に維持されているものとする。 First, a usage method in which the contact state improving device 1 is connected to the measuring device 50 for measuring the measured quantity to be measured by the four-terminal method will be described. In this case, as shown in FIG. 2, the measuring device 50 has a signal generation unit 51 that generates a DC constant current signal as the output signal So and a voltage detection unit that detects the voltage value Vm of the voltage signal as the input signal Si. 52, a processing unit 53 that calculates a resistance value as a measured quantity based on the current value Im of the output signal So and the voltage value Vm detected by the voltage detection unit 52, and the output terminals 54a and 54b and the input terminals described above. It includes 55a and 55b. Further, in the initial state, the contact state improving device 1 is in the above-mentioned first state (a state in which the first terminal 11a and the third terminal 13a are connected and the first terminal 11b and the third terminal 13b are connected). It shall be maintained at.

まず、図2に示すように、接触状態改善装置1の第1端子11aと測定装置50の出力端子54a(高電位側の出力端子)とを接続すると共に、接触状態改善装置1の第1端子11bと測定装置50の出力端子54b(低電位側の出力端子)とを接続する。次いで、同図に示すように、接触状態改善装置1の第2端子12aと測定装置50の入力端子55a(高電位側の入力端子)とを接続すると共に、接触状態改善装置1の第2端子12bと測定装置50の入力端子55b(低電位側の入力端子)とを接続する。 First, as shown in FIG. 2, the first terminal 11a of the contact state improving device 1 and the output terminal 54a (output terminal on the high potential side) of the measuring device 50 are connected, and the first terminal of the contact state improving device 1 is connected. 11b and the output terminal 54b (output terminal on the low potential side) of the measuring device 50 are connected. Next, as shown in the figure, the second terminal 12a of the contact state improving device 1 and the input terminal 55a (input terminal on the high potential side) of the measuring device 50 are connected, and the second terminal of the contact state improving device 1 is connected. The 12b and the input terminal 55b (the input terminal on the low potential side) of the measuring device 50 are connected.

続いて、図2に示すように、プローブ60aのケーブルに取り付けられている図外のプラグを接触状態改善装置1の第3端子13aに接続すると共に、プローブ60bのケーブルに取り付けられている図外のプラグを接触状態改善装置1の第3端子13bに接続する。次いで、同図に示すように、プローブ60cのケーブルに取り付けられている図外のプラグを接触状態改善装置1の第4端子14aに接続すると共に、プローブ60dのケーブルに取り付けられている図外のプラグを接触状態改善装置1の第4端子14bに接続する。 Subsequently, as shown in FIG. 2, a plug (not shown) attached to the cable of the probe 60a is connected to the third terminal 13a of the contact state improving device 1, and the plug attached to the cable of the probe 60b is not shown. Is connected to the third terminal 13b of the contact state improving device 1. Next, as shown in the figure, a plug (not shown) attached to the cable of the probe 60c is connected to the fourth terminal 14a of the contact state improving device 1, and a plug (not shown) attached to the cable of the probe 60d is connected. The plug is connected to the fourth terminal 14b of the contact state improving device 1.

続いて、図2に示すように、プローブ60a,60cを測定対象としての電子部品100の被接触部101aに接触させると共に、プローブ60b,60dを電子部品100の被接触部101bに接触させる。 Subsequently, as shown in FIG. 2, the probes 60a and 60c are brought into contact with the contacted portion 101a of the electronic component 100 to be measured, and the probes 60b and 60d are brought into contact with the contacted portion 101b of the electronic component 100.

次いで、接触状態改善装置1における図外の起動スイッチを操作する。これに応じて接触状態改善装置1の判定部41a,41bが起動して、判定処理を実行する。判定部41aは、この判定処理において、第3端子13aおよび第4端子14aの間(第3端子13aおよび第4端子14aにそれぞれ接続されているプローブ60a,60cの間)に判定用信号を出力して、被接触部101aにおけるプローブ60a,60cの接触部位の間の抵抗値を、判定用信号の電流値、および第3端子13aと第4端子14aの間の電圧値に基づいて特定する。この場合、例えば、被接触部101aの表面に金属酸化物等の絶縁被膜が形成されておらず、被接触部101aとプローブ60a,60cとの接触状態が良好なときには、抵抗値が基準値よりも小さいため、判定部41aは、接触状態が良好であると判別して制御信号Scを出力しない。この際には、切替え部31aによる第1状態から第2状態への切替えが実行されずに、第1端子11aと第3端子13aとが接続された第1状態が維持される。 Next, the start switch (not shown) in the contact state improving device 1 is operated. In response to this, the determination units 41a and 41b of the contact state improving device 1 are activated to execute the determination process. In this determination process, the determination unit 41a outputs a determination signal between the third terminal 13a and the fourth terminal 14a (between the probes 60a and 60c connected to the third terminal 13a and the fourth terminal 14a, respectively). Then, the resistance value between the contact portions of the probes 60a and 60c in the contacted portion 101a is specified based on the current value of the determination signal and the voltage value between the third terminal 13a and the fourth terminal 14a. In this case, for example, when an insulating film such as a metal oxide is not formed on the surface of the contacted portion 101a and the contact state between the contacted portion 101a and the probes 60a and 60c is good, the resistance value is higher than the reference value. Therefore, the determination unit 41a determines that the contact state is good and does not output the control signal Sc. At this time, the switching unit 31a does not switch from the first state to the second state, and the first state in which the first terminal 11a and the third terminal 13a are connected is maintained.

一方、被接触部101aの表面に金属酸化物等の絶縁被膜が形成されていて、被接触部101aとプローブ60a,60cとの接触状態が不良なときには、被接触部101aにおけるプローブ60a,60cの接触部位の間の抵抗値が基準値よりも大きいため、判定部41aは、判定処理において、接触状態が不良であると判別して制御信号Scを切替え部31aに出力する。この際には、切替え部31aが、図1に破線で示すように動作して、第1状態から第2状態への切替えを実行する。これにより、第1端子11aと第3端子13aとが非接続となると共に、信号生成部21aと第3端子13aとが接続される。 On the other hand, when an insulating film such as a metal oxide is formed on the surface of the contacted portion 101a and the contact state between the contacted portion 101a and the probes 60a, 60c is poor, the probe 60a, 60c in the contacted portion 101a Since the resistance value between the contact portions is larger than the reference value, the determination unit 41a determines that the contact state is defective in the determination process and outputs the control signal Sc to the switching unit 31a. At this time, the switching unit 31a operates as shown by the broken line in FIG. 1 to execute switching from the first state to the second state. As a result, the first terminal 11a and the third terminal 13a are disconnected, and the signal generation unit 21a and the third terminal 13a are connected.

また、信号生成部21aでは、第1状態から第2状態への切替え(図1に破線で示す切替え部31aの動作)により、抵抗24aによってプルアップされていた信号生成回路23のイネーブル端子が電源部22の低電位側に接続されることによって信号生成回路23が作動し、電源部22の出力電圧(1.5V程度)を10V程度に昇圧させた接触改善用信号Sbを出力する。同時に、MOSFET26は、抵抗24bによってプルアップされていたゲート端子が電源部22の低電位側に接続されることによって作動して、信号生成回路23によって生成された接触改善用信号Sbを抵抗24cを介して第3端子13aに出力する。この際に、抵抗24cは、接触改善用信号Sbの電流値Imを10mA程度に制限(制御)する。 Further, in the signal generation unit 21a, the enable terminal of the signal generation circuit 23 pulled up by the resistor 24a is powered by the switching from the first state to the second state (operation of the switching unit 31a shown by the broken line in FIG. 1). The signal generation circuit 23 operates by being connected to the low potential side of the unit 22, and outputs a contact improvement signal Sb in which the output voltage (about 1.5V) of the power supply unit 22 is boosted to about 10V. At the same time, the MOSFET 26 operates by connecting the gate terminal pulled up by the resistor 24b to the low potential side of the power supply unit 22, and transmits the contact improvement signal Sb generated by the signal generation circuit 23 to the resistor 24c. It is output to the third terminal 13a via. At this time, the resistor 24c limits (controls) the current value Im of the contact improvement signal Sb to about 10 mA.

この際に、接触改善用信号Sbは、信号生成部21a、第4端子14a、プローブ60c、被接触部101a、プローブ60a、第3端子13a、および信号生成部21aからなる電流経路を流れることにより、被接触部101aに供給される。これにより、被接触部101aの表面に形成されている絶縁被膜が破壊されて、被接触部101aとプローブ60a,60cとの接触状態が改善される(接触状態が良好となる)。 At this time, the contact improvement signal Sb flows through the current path including the signal generation unit 21a, the fourth terminal 14a, the probe 60c, the contacted portion 101a, the probe 60a, the third terminal 13a, and the signal generation unit 21a. , Is supplied to the contacted portion 101a. As a result, the insulating film formed on the surface of the contacted portion 101a is destroyed, and the contact state between the contacted portion 101a and the probes 60a and 60c is improved (the contact state becomes good).

次いで、被接触部101aとプローブ60a,60cとの接触状態が良好となったことにより、被接触部101aにおけるプローブ60a,60cの接触部位の間の抵抗値が基準値よりも小さくなるため、判定部41aが制御信号Scの出力を停止する。これに応じて、切替え部31aが、第2状態から第1状態への切替えを実行し、第1端子11aと第3端子13aとが接続される。 Next, since the contact state between the contacted portion 101a and the probes 60a, 60c is improved, the resistance value between the contacted portions of the probes 60a, 60c in the contacted portion 101a becomes smaller than the reference value. The unit 41a stops the output of the control signal Sc. In response to this, the switching unit 31a executes switching from the second state to the first state, and the first terminal 11a and the third terminal 13a are connected.

また、判定部41bは、上記した判定部41aが実行した判定処理と同様の処理を実行して制御信号Scの出力および出力停止を行い、これに応じて切替え部31bが上記した切替え部31aと同様に動作すると共に、信号生成部21bが切替え部31bの動作に応じて上記した信号生成部21aと同様に動作する。これにより、被接触部101bの表面に形成されている絶縁被膜が破壊されて、被接触部101bとプローブ60b,60dとの接触状態が改善される(接触状態が良好となる)。 Further, the determination unit 41b executes the same processing as the determination processing executed by the determination unit 41a to output and stop the output of the control signal Sc, and the switching unit 31b and the switching unit 31a described above accordingly. In addition to operating in the same manner, the signal generation unit 21b operates in the same manner as the signal generation unit 21a described above according to the operation of the switching unit 31b. As a result, the insulating film formed on the surface of the contacted portion 101b is destroyed, and the contact state between the contacted portion 101b and the probes 60b and 60d is improved (the contact state is improved).

なお、上記の例では、判定部41a,41bに判定処理を実行させることで切替え部31a,31bに第1状態と第2状態との切替えを実行させているが、切替え部31a,31bを手動操作することで、第1状態と第2状態との切替えを実行させることもできる。 In the above example, the determination units 41a and 41b are made to execute the determination process so that the switching units 31a and 31b are made to switch between the first state and the second state. However, the switching units 31a and 31b are manually operated. By operating, switching between the first state and the second state can be executed.

続いて、測定装置50における図外の操作部を操作して測定の開始を指示する。これに応じて、測定装置50の信号生成部51が出力信号Soを生成する。また、出力信号Soは、測定装置50の出力端子54a,54bを介して出力され(図2参照)、出力端子54a,54bに接続されている第1端子11a,11bを介して接触状態改善装置1に入力する。また、図1に示すように、切替え部31a,31bによって第1状態が維持されている。このため、第1端子11a,11bを介して入力した出力信号Soは、切替え部31a,31bおよび第3端子13a,13bを介して、第3端子13a,13bに接続されているプローブ60a,60bにそれぞれ出力される(図2参照)。 Subsequently, an operation unit (not shown) in the measuring device 50 is operated to instruct the start of measurement. In response to this, the signal generation unit 51 of the measuring device 50 generates the output signal So. Further, the output signal So is output via the output terminals 54a and 54b of the measuring device 50 (see FIG. 2), and is a contact state improving device via the first terminals 11a and 11b connected to the output terminals 54a and 54b. Enter in 1. Further, as shown in FIG. 1, the first state is maintained by the switching units 31a and 31b. Therefore, the output signal So input via the first terminals 11a and 11b is connected to the probes 60a and 60b to the third terminals 13a and 13b via the switching units 31a and 31b and the third terminals 13a and 13b. (See Fig. 2).

この場合、上記した判定部41a,41bの判定処理、並びに信号生成部21a,21bおよび切替え部31a,31bの各動作により、各被接触部101と各プローブ60との接触状態が改善されている(接触状態が良好となっている)。このため、出力信号Soがプローブ60a,60bから被接触部101a,101bに供給されて電子部品100を流れ、これによって被接触部101a,101bの間に電子部品100の抵抗値に応じた入力信号Siとしての電圧信号が発生する(図2参照)。 In this case, the contact state between each contacted portion 101 and each probe 60 is improved by the above-mentioned determination processing of the determination units 41a and 41b and each operation of the signal generation units 21a and 21b and the switching units 31a and 31b. (The contact condition is good). Therefore, the output signal So is supplied from the probes 60a and 60b to the contacted portions 101a and 101b and flows through the electronic component 100, whereby the input signal corresponding to the resistance value of the electronic component 100 is connected between the contacted portions 101a and 101b. A voltage signal as Si is generated (see FIG. 2).

また、被接触部101aとプローブ60cとの接触状態、および被接触部101bとプローブ60dとの接触状態が良好なため、入力信号Siがプローブ60b,60dおよび第4端子14a,14bを介して接触状態改善装置1に入力する。 Further, since the contact state between the contacted portion 101a and the probe 60c and the contact state between the contacted portion 101b and the probe 60d are good, the input signal Si comes into contact with the probes 60b and 60d and the fourth terminals 14a and 14b. Input to the state improvement device 1.

次いで、接触状態改善装置1に入力した入力信号Siが、第4端子14a,14bにそれぞれ接続されている第2端子12a,12b、および第2端子12a,12bにそれぞれ接続されている測定装置50の入力端子55a,55bを介して測定装置50に入力する(図2参照)。 Next, the input signal Si input to the contact state improving device 1 is connected to the second terminals 12a and 12b and the second terminals 12a and 12b, respectively, which are connected to the fourth terminals 14a and 14b, respectively. Input to the measuring device 50 via the input terminals 55a and 55b of (see FIG. 2).

続いて、測定装置50の電圧検出部52が、入力端子55a,55bを介して入力した入力信号Siの電圧値Vmを検出する(図2参照)。次いで、測定装置50の処理部53が、出力信号Soの電流値Imと電圧検出部52によって検出された電圧値Vmとに基づいて被測定量としての抵抗値を算出する。続いて、処理部53は、算出した抵抗値を図外の表示部に表示させる。この場合、各被接触部101と各プローブ60との接触状態が改善されているため、プローブ60a,60bを介して出力信号Soを被接触部101a,101bに確実に供給すると共に、プローブ60c,60dを介して入力信号Siを測定装置50に確実に入力することができる結果、電子部品100の抵抗値を正確に測定することができる。 Subsequently, the voltage detection unit 52 of the measuring device 50 detects the voltage value Vm of the input signal Si input via the input terminals 55a and 55b (see FIG. 2). Next, the processing unit 53 of the measuring device 50 calculates the resistance value as the measured quantity based on the current value Im of the output signal So and the voltage value Vm detected by the voltage detecting unit 52. Subsequently, the processing unit 53 causes the calculated resistance value to be displayed on a display unit (not shown). In this case, since the contact state between each contacted portion 101 and each probe 60 is improved, the output signal So is reliably supplied to the contacted portions 101a and 101b via the probes 60a and 60b, and the probes 60c, As a result of being able to reliably input the input signal Si to the measuring device 50 via the 60d, the resistance value of the electronic component 100 can be accurately measured.

上記したように、この接触状態改善装置1を用いることで、接触状態改善機能を備えていない測定装置50を用いて接触状態を改善しつつ測定対象の被測定量を正確に測定することができるため、接触状態改善機能を備えていない測定装置50を十分に有効活用することが可能となる。 As described above, by using the contact state improving device 1, it is possible to accurately measure the measured amount to be measured while improving the contact state by using the measuring device 50 which does not have the contact state improving function. Therefore, it is possible to fully effectively utilize the measuring device 50 which does not have the contact state improving function.

次に、測定対象の被測定量を2端子法で測定する測定装置70(図3参照)に接触状態改善装置1を接続して使用する使用方法について説明する。なお、以下の説明において、上記した測定装置50と同様の構成要素については、同じ符号を付して、重複する説明を省略する。この場合、測定装置70は、同図に示すように、上記した、信号生成部51、電圧検出部52および処理部53を備えている。また、測定装置70は、出力信号Soの出力および入力信号Siの入力をするための高電位側の入出力端子71aと、出力信号Soの出力および入力信号Siの入力をするための低電位側の入出力端子71bとを備えている。 Next, a usage method in which the contact state improving device 1 is connected to the measuring device 70 (see FIG. 3) for measuring the measured quantity to be measured by the two-terminal method will be described. In the following description, the same components as those of the measuring device 50 described above are designated by the same reference numerals, and duplicate description will be omitted. In this case, as shown in the figure, the measuring device 70 includes the signal generation unit 51, the voltage detection unit 52, and the processing unit 53 described above. Further, the measuring device 70 has an input / output terminal 71a on the high potential side for outputting the output signal So and inputting the input signal Si, and a low potential side for outputting the output signal So and inputting the input signal Si. The input / output terminal 71b of the above is provided.

この使用例では、図3に示すように、接触状態改善装置1の第1端子11aと測定装置70の入出力端子71a(高電位側の入出力端子)とを接続すると共に、接触状態改善装置1の第1端子11bと測定装置70の入出力端子71b(低電位側の入出力)とを接続する。次いで、同図に示すように、プローブ60aのプラグを接触状態改善装置1の第3端子13aに接続すると共に、プローブ60bのプラグを接触状態改善装置1の第3端子13bに接続する。続いて、プローブ60cのプラグを接触状態改善装置1の第4端子14aに接続すると共に、プローブ60dのプラグを接触状態改善装置1の第4端子14bに接続する。 In this usage example, as shown in FIG. 3, the first terminal 11a of the contact state improving device 1 and the input / output terminal 71a (input / output terminal on the high potential side) of the measuring device 70 are connected, and the contact state improving device is connected. The first terminal 11b of No. 1 and the input / output terminal 71b (input / output on the low potential side) of the measuring device 70 are connected. Next, as shown in the figure, the plug of the probe 60a is connected to the third terminal 13a of the contact state improving device 1, and the plug of the probe 60b is connected to the third terminal 13b of the contact state improving device 1. Subsequently, the plug of the probe 60c is connected to the fourth terminal 14a of the contact state improving device 1, and the plug of the probe 60d is connected to the fourth terminal 14b of the contact state improving device 1.

次いで、図3に示すように、プローブ60a,60cを測定対象としての電子部品100の被接触部101aに接触させると共に、プローブ60b,60dを電子部品100の被接触部101bに接触させる。 Next, as shown in FIG. 3, the probes 60a and 60c are brought into contact with the contacted portion 101a of the electronic component 100 to be measured, and the probes 60b and 60d are brought into contact with the contacted portion 101b of the electronic component 100.

次いで、接触状態改善装置1における図外の起動スイッチを操作する。これに応じて接触状態改善装置1の判定部41a,41bが上記した判定処理を実行して制御信号Scの出力および出力停止を行い、これに応じて切替え部31a,31bが上記した動作をすると共に、信号生成部21a,21bが切替え部31a,31bの動作に応じて上記した動作をする。これにより、被接触部101a,101bの表面に形成されている絶縁被膜が形成されているときには、その絶縁被膜が破壊されて、被接触部101a,101bと各プローブ60との接触状態が改善される(接触状態が良好となる)。 Next, the start switch (not shown) in the contact state improving device 1 is operated. In response to this, the determination units 41a and 41b of the contact state improving device 1 execute the above-mentioned determination process to output and stop the output of the control signal Sc, and the switching units 31a and 31b perform the above-mentioned operations accordingly. At the same time, the signal generation units 21a and 21b perform the above operations according to the operations of the switching units 31a and 31b. As a result, when the insulating film formed on the surface of the contacted portions 101a and 101b is formed, the insulating film is destroyed and the contact state between the contacted portions 101a and 101b and each probe 60 is improved. (The contact condition becomes good).

なお、判定部41a,41bに判定処理を実行させることなく、切替え部31a,31bを手動操作することで、第1状態と第2状態との切替えを実行させることもできる。また、この実施例では、測定装置70が測定対象の被測定量を2端子法で測定する構成のため、プローブ60c,60dは、各被接触部101と各プローブ60との接触状態の改善に用いるだけで、被測定量を測定する際には用いられない。このため、接触状態を改善する処理の終了後には、プローブ60c,60dを被接触部101a,101bから離反させても(接触状態を解除しても)よいし、プローブ60c,60dのプラグを第4端子14a,14bから取り外してもよい。 It is also possible to switch between the first state and the second state by manually operating the switching units 31a and 31b without causing the determination units 41a and 41b to execute the determination process. Further, in this embodiment, since the measuring device 70 measures the measured amount to be measured by the two-terminal method, the probes 60c and 60d are used to improve the contact state between each contacted portion 101 and each probe 60. It is only used, not used when measuring the amount to be measured. Therefore, after the processing for improving the contact state is completed, the probes 60c and 60d may be separated from the contacted portions 101a and 101b (the contact state may be released), or the plugs of the probes 60c and 60d may be plugged. It may be removed from the four terminals 14a and 14b.

続いて、測定装置70における図外の操作部を操作して測定の開始を指示する。これに応じて、測定装置70の信号生成部51が出力信号Soを生成し、出力信号Soが、測定装置70の入出力端子71a,71bに接続されている第1端子11a,11b、第1端子11a,11bに接続されている第3端子13a,13b、および第3端子13a,13bに接続されているプローブ60a,60bに出力される。 Subsequently, an operation unit (not shown) in the measuring device 70 is operated to instruct the start of measurement. In response to this, the signal generation unit 51 of the measuring device 70 generates the output signal So, and the output signal So is connected to the input / output terminals 71a, 71b of the measuring device 70, the first terminals 11a, 11b, 1st. It is output to the third terminals 13a and 13b connected to the terminals 11a and 11b and the probes 60a and 60b connected to the third terminals 13a and 13b.

この場合、各被接触部101と各プローブ60との接触状態が改善されているため、出力信号Soがプローブ60a,60bから被接触部101a,101bに供給されて電子部品100を流れ、これによって被接触部101a,101bの間に電子部品100の抵抗値に応じた入力信号Siとしての電圧信号が発生する。 In this case, since the contact state between each contacted portion 101 and each probe 60 is improved, the output signal So is supplied from the probes 60a and 60b to the contacted portions 101a and 101b and flows through the electronic component 100, whereby the electronic component 100 flows. A voltage signal as an input signal Si corresponding to the resistance value of the electronic component 100 is generated between the contacted portions 101a and 101b.

続いて、測定装置70の電圧検出部52が、入出力端子71a,71b間の電圧値Vm(入出力端子71a,71bを介して入力した入力信号Siの電圧値Vm)を検出する。次いで、測定装置70の処理部53が、出力信号Soの電流値Imと電圧検出部52によって検出された電圧値Vmとに基づいて被測定量としての抵抗値を算出する。続いて、処理部53は、算出した抵抗値を図外の表示部に表示させる。 Subsequently, the voltage detection unit 52 of the measuring device 70 detects the voltage value Vm between the input / output terminals 71a and 71b (the voltage value Vm of the input signal Si input via the input / output terminals 71a and 71b). Next, the processing unit 53 of the measuring device 70 calculates the resistance value as the measured quantity based on the current value Im of the output signal So and the voltage value Vm detected by the voltage detecting unit 52. Subsequently, the processing unit 53 causes the calculated resistance value to be displayed on a display unit (not shown).

この使用例においても、接触状態改善装置1を用いることで、接触状態改善機能を備えていない測定装置70を用いて接触状態を改善しつつ測定対象の被測定量を正確に測定することができるため、接触状態改善機能を備えていない測定装置70を十分に有効活用することが可能となる。 Also in this usage example, by using the contact state improving device 1, it is possible to accurately measure the measured amount to be measured while improving the contact state by using the measuring device 70 which does not have the contact state improving function. Therefore, it is possible to fully effectively utilize the measuring device 70 which does not have the contact state improving function.

このように、この接触状態改善装置1は、測定装置50の出力端子54に接続可能な第1端子11と、測定装置50の入力端子55に接続可能な第2端子12と、出力信号Soを供給するプローブ60を接続可能な第3端子13と、第2端子12に接続されると共に入力信号Siを入力するプローブ60を接続可能な第4端子14と、接触改善用信号Sbを生成する信号生成部21と、第1端子11と第3端子13とを接続する第1状態、および第1端子11と第3端子13とを非接続とし信号生成部21と第3端子13とを接続する第2状態を切り替える切替え部31とを備えている。このため、この接触状態改善装置1によれば、接触状態改善機能を備えていない測定装置50,70に接触状態改善装置1を接続することで、被接触部101とプローブ60との接触状態を改善して正確な測定を行うことができる。したがって、この接触状態改善装置1によれば、接触状態改善機能を備えていない測定装置50,70を十分に有効活用することができる。 As described above, the contact state improving device 1 has a first terminal 11 that can be connected to the output terminal 54 of the measuring device 50, a second terminal 12 that can be connected to the input terminal 55 of the measuring device 50, and an output signal So. A third terminal 13 to which the probe 60 to be supplied can be connected, a fourth terminal 14 to which the probe 60 connected to the second terminal 12 and input the input signal Si can be connected, and a signal for generating a contact improvement signal Sb. The first state in which the generation unit 21 and the first terminal 11 and the third terminal 13 are connected, and the signal generation unit 21 and the third terminal 13 are connected by disconnecting the first terminal 11 and the third terminal 13. It includes a switching unit 31 for switching the second state. Therefore, according to the contact state improving device 1, by connecting the contact state improving device 1 to the measuring devices 50 and 70 having no contact state improving function, the contact state between the contacted portion 101 and the probe 60 can be changed. It can be improved and accurate measurement can be performed. Therefore, according to the contact state improving device 1, the measuring devices 50 and 70 having no contact state improving function can be fully utilized.

また、この接触状態改善装置1によれば、切替え部31が、第2状態において第1端子11a,11bの双方と第3端子13a,13bの双方とをそれぞれ非接続とすると共に信号生成部21a,21bの双方と第3端子13a,13bの双方とをそれぞれ接続することにより、高電位側のプローブ60a,60cを接触させる被接触部101aとプローブ60a,60cとの接触状態、および低電位側のプローブ60b,60dを接触させる被接触部101bとプローブ60b,60dとの接触状態の双方を改善することができるため、より正確な測定を行うことができる。 Further, according to the contact state improving device 1, the switching unit 31 disconnects both the first terminals 11a and 11b and both the third terminals 13a and 13b in the second state, and the signal generation unit 21a. , 21b and both the third terminals 13a and 13b are connected to each other to bring the probes 60a and 60c on the high potential side into contact with each other, and the contact state between the probes 60a and 60c and the low potential side. Since both the contact state between the contacted portion 101b and the probes 60b and 60d, which are in contact with the probes 60b and 60d, can be improved, more accurate measurement can be performed.

また、この接触状態改善装置1によれば、信号生成部21が、切替え部31によって第1状態から第2状態への切替えが実行されたときに接触改善用信号Sbを生成することにより、初期状態において切替え部31が第1状態を維持するように構成することで、接触改善用信号Sbの生成に用いる電源部22の電力の消耗を抑えることができる。 Further, according to the contact state improving device 1, the signal generating unit 21 generates a contact improving signal Sb when the switching unit 31 switches from the first state to the second state, thereby initially. By configuring the switching unit 31 to maintain the first state in the state, it is possible to suppress power consumption of the power supply unit 22 used for generating the contact improvement signal Sb.

また、この接触状態改善装置1によれば、判定部41が、被接触部101とプローブ60との接触状態が不良と判定したときに切替え部31に対して第1状態から第2状態への切替えを実行させることにより、被接触部101とプローブ60との接触状態が不良であるか否かの判定処理、および接触状態が不良であるときに接触状態を改善する処理の実行を自動的に行わせることができるため、作業効率(測定効率)十分に向上させることができる。 Further, according to the contact state improving device 1, when the determination unit 41 determines that the contact state between the contacted unit 101 and the probe 60 is defective, the switching unit 31 is switched from the first state to the second state. By executing the switching, the process of determining whether or not the contact state between the contacted portion 101 and the probe 60 is defective and the process of improving the contact state when the contact state is poor are automatically executed. Since it can be performed, the work efficiency (measurement efficiency) can be sufficiently improved.

なお、接触状態改善装置は、上記した接触状態改善装置1の構成に限定されない、例えば、2つの信号生成部21a,21bおよび2つの切替え部31a,31bを備えて、第2状態において第1端子11a,11bの双方と第3端子13a,13bの双方とをそれぞれ非接続とすると共に信号生成部21a,21bと第3端子13a,13bの双方とをそれぞれ接続する構成例について上記したが、信号生成部21a,21bのいずれか一方と、その一方に対応する1つの切替え部31だけを備えた構成、つまり第3端子13aと第4端子14aとの間、および第3端子13bと第4端子14bとの間のいずれか一方にのみ接触改善用信号Sbを供給する構成を採用することもできる。この構成においても、一方の被接触部101に接触させている2つのプローブ60を、接触改善用信号Sbが供給される第3端子13および第4端子14に接続して、一方の被接触部101と2つのプローブ60との接触状態を改善した後に、他方の被接触部101に接触させている2つのプローブ60を、接触改善用信号Sbが供給される第3端子13および第4端子14に接続し直して他方の被接触部101と2つのプローブ60との接触状態を改善することで、2つの被接触部101の双方と各プローブ60との接触状態を改善することができる。 The contact state improving device is not limited to the configuration of the contact state improving device 1 described above, and includes, for example, two signal generation units 21a and 21b and two switching units 31a and 31b, and the first terminal in the second state. Although both of the 11a and 11b and both the third terminals 13a and 13b are disconnected from each other and both the signal generation units 21a and 21b and the third terminals 13a and 13b are connected to each other, the signal A configuration including only one of the generation units 21a and 21b and one switching unit 31 corresponding to the one, that is, between the third terminal 13a and the fourth terminal 14a, and between the third terminal 13b and the fourth terminal. It is also possible to adopt a configuration in which the contact improvement signal Sb is supplied to only one of the 14b and the 14b. Also in this configuration, the two probes 60 that are in contact with one of the contacted portions 101 are connected to the third terminal 13 and the fourth terminal 14 to which the contact improvement signal Sb is supplied, and one of the contacted portions is connected. After improving the contact state between the 101 and the two probes 60, the two probes 60 that are in contact with the other contacted portion 101 are supplied with the contact improvement signal Sb at the third terminal 13 and the fourth terminal 14. By reconnecting to and improving the contact state between the other contacted portion 101 and the two probes 60, the contact state between both of the two contacted portions 101 and each probe 60 can be improved.

また、切替え部31によって第1状態から第2状態への切替えが実行されたときに接触改善用信号Sbの生成を自動的に開始するように信号生成部21を構成した例について上記したが、第1状態においても接触改善用信号Sbを生成する構成の信号生成部21を採用することもできる。 Further, the example in which the signal generation unit 21 is configured so as to automatically start the generation of the contact improvement signal Sb when the switching unit 31 switches from the first state to the second state has been described above. A signal generation unit 21 having a configuration for generating a contact improvement signal Sb can also be adopted in the first state.

また、被接触部101とプローブ60との接触状態の良否を判定する判定部41から出力される制御信号Scによって切替え部31に対して第1状態と第2状態との切替えを実行させる構成例について上記したが、例えば、被接触部101とプローブ60との接触状態の良否を判定可能な信号を出力する機能を測定装置が有しているときに、その信号によって切替え部31に対して第1状態と第2状態との切替えを実行させる構成を採用することもできる。また、手動操作だけで第1状態と第2状態との切替えを実行する切替え部31を備えた構成を採用することもできる。 Further, a configuration example in which the switching unit 31 is made to switch between the first state and the second state by the control signal Sc output from the determination unit 41 that determines the quality of the contact state between the contacted unit 101 and the probe 60. However, for example, when the measuring device has a function of outputting a signal capable of determining the quality of the contact state between the contacted portion 101 and the probe 60, the signal causes the switching unit 31 to output a signal. It is also possible to adopt a configuration in which switching between the first state and the second state is executed. It is also possible to adopt a configuration including a switching unit 31 that executes switching between the first state and the second state only by manual operation.

また、被測定量の一例としての抵抗値を測定する測定装置50,70に接触状態改善装置1を接続して使用する例について上記したが、抵抗値以外の各種の被測定量(例えば、容量やインダクタンス)を測定する各種の測定装置に接触状態改善装置1を接続して使用することができる。 Further, the example in which the contact state improving device 1 is connected to the measuring devices 50 and 70 for measuring the resistance value as an example of the measured quantity is used, but various measured quantities other than the resistance value (for example, capacitance) have been described above. The contact state improving device 1 can be connected to various measuring devices for measuring (or inductance).

1 接触状態改善装置
11a,11b 第1端子
12a,12b 第2端子
13a,13b 第3端子
14a,14b 第4端子
21a,21b 信号生成部
31a,31b 切替え部
41a,41b 判定部
50,70 測定装置
60a〜60d プローブ
100 電子部品
101a,101b 被接触部
Sb 接触改善用信号
Si 入力信号
So 出力信号
1 Contact state improvement device 11a, 11b 1st terminal 12a, 12b 2nd terminal 13a, 13b 3rd terminal 14a, 14b 4th terminal 21a, 21b Signal generation unit 31a, 31b Switching unit 41a, 41b Judgment unit 50, 70 Measuring device 60a to 60d Probe 100 Electronic components 101a, 101b Contacted part Sb Contact improvement signal Si input signal So output signal

Claims (4)

測定対象の被接触部に接触させたプローブを介して入出力する出力信号および入力信号に基づいて当該測定対象の被測定量を測定する測定装置に接続可能に構成されて、前記被接触部と前記プローブとの接触状態を改善する接触状態改善装置であって、
前記測定装置における前記出力信号を出力するための一対の出力端子にそれぞれ接続可能な一対の第1端子と、前記測定装置における前記入力信号を入力するための一対の入力端子にそれぞれ接続可能な一対の第2端子と、前記出力信号を前記被接触部に供給するための一対の前記プローブをそれぞれ接続可能な一対の第3端子と、前記各第2端子にそれぞれ接続されると共に前記入力信号を入力するための一対の前記プローブをそれぞれ接続可能な一対の第4端子と、前記第3端子と第4端子との間に供給する接触改善用信号を生成する信号生成部と、前記各第1端子と前記各第3端子とをそれぞれ接続する第1状態、および前記各第1端子の少なくとも一方と当該少なくとも一方の第1端子に対応する前記第3端子とを非接続とすると共に前記信号生成部と当該第3端子とを接続する第2状態を切り替える切替え部とを備えている接触状態改善装置。
It is configured to be connectable to a measuring device that measures the measured quantity of the measurement target based on the output signal and input signal input / output via the probe that is in contact with the contacted portion of the measurement target. A contact state improving device for improving the contact state with the probe.
A pair of first terminals that can be connected to a pair of output terminals for outputting the output signal in the measuring device, and a pair that can be connected to a pair of input terminals for inputting the input signal in the measuring device. The second terminal, the pair of third terminals to which the pair of probes for supplying the output signal to the contacted portion can be connected, and the input signal connected to each of the second terminals. A pair of fourth terminals to which the pair of probes for input can be connected, a signal generation unit for generating a contact improvement signal supplied between the third terminal and the fourth terminal, and each of the first terminals. The first state in which the terminals and the third terminals are connected to each other, and at least one of the first terminals and the third terminal corresponding to the at least one first terminal are disconnected and the signal is generated. A contact state improving device including a switching unit for switching a second state for connecting the unit and the third terminal.
前記切替え部は、第2状態において前記各第1端子の双方と当該各第1端子にそれぞれ対応する前記各第3端子の双方とをそれぞれ非接続とすると共に前記信号生成部と当該各第3端子の双方とを接続する請求項1記載の接触状態改善装置。 In the second state, the switching unit disconnects both of the first terminals and both of the third terminals corresponding to the first terminals, and also disconnects both the signal generation unit and the third terminal. The contact state improving device according to claim 1, which connects both terminals. 前記信号生成部は、前記切替え部によって前記第1状態から前記第2状態への切替えが実行されたときに前記接触改善用信号を生成する請求項1または2記載の接触状態改善装置。 The contact state improving device according to claim 1 or 2, wherein the signal generating unit generates the contact improving signal when switching from the first state to the second state is executed by the switching unit. 前記被接触部と前記プローブとの接触状態の良否を判定する判定部を備え、
前記判定部は、前記被接触部と前記プローブとの接触状態が不良と判定したときに前記切替え部に対して、第1状態から前記第2状態への切替えを実行させる請求項1から3のいずれかに記載の接触状態改善装置。
A determination unit for determining the quality of the contact state between the contacted portion and the probe is provided.
According to claims 1 to 3, the determination unit causes the switching unit to switch from the first state to the second state when the contact state between the contacted portion and the probe is determined to be defective. The contact condition improving device according to any one.
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