JP6797624B2 - Light source device and display device - Google Patents

Light source device and display device Download PDF

Info

Publication number
JP6797624B2
JP6797624B2 JP2016188487A JP2016188487A JP6797624B2 JP 6797624 B2 JP6797624 B2 JP 6797624B2 JP 2016188487 A JP2016188487 A JP 2016188487A JP 2016188487 A JP2016188487 A JP 2016188487A JP 6797624 B2 JP6797624 B2 JP 6797624B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light source
wavelength
liquid crystal
source unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016188487A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2018055885A (en
Inventor
佐藤 治
治 佐藤
一貴 渡部
一貴 渡部
Original Assignee
エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド, エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド filed Critical エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
Priority to JP2016188487A priority Critical patent/JP6797624B2/en
Priority to KR1020170107723A priority patent/KR102009824B1/en
Publication of JP2018055885A publication Critical patent/JP2018055885A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6797624B2 publication Critical patent/JP6797624B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133602Direct backlight
    • G02F1/133603Direct backlight with LEDs
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)

Description

本発明は、光源装置および表示装置に関する。 The present invention relates to a light source device and a display device.

近年、色再現性の良い画像を表示することができる液晶表示装置を提供するため、液晶表示素子への入射光の色純度を高める技術の開発が求められている。一例として、量子ドットを用いた技術が開発されている。量子ドットは蛍光体であり、発光ダイオード(LED)等の光源からの励起光が入射されると該励起光の波長よりも長い波長の光を生成する。量子ドットの種類や粒径を変えることによって、量子ドットが生成する光の波長を調整可能である。例えば、励起光としてLEDからの青色光を用い、量子ドットは該青色光が入射された際に半値幅が狭い緑色光および赤色光を生成するように構成される。これにより、量子ドットを用いて、光の三原色に対応する狭い波長領域の光を生成可能な高効率の光源を実現することができる。 In recent years, in order to provide a liquid crystal display device capable of displaying an image having good color reproducibility, it is required to develop a technique for increasing the color purity of the incident light on the liquid crystal display element. As an example, a technique using quantum dots has been developed. Quantum dots are phosphors, and when excitation light from a light source such as a light emitting diode (LED) is incident, they generate light having a wavelength longer than the wavelength of the excitation light. The wavelength of the light generated by the quantum dots can be adjusted by changing the type and particle size of the quantum dots. For example, blue light from an LED is used as the excitation light, and the quantum dots are configured to generate green light and red light having a narrow half-value width when the blue light is incident. As a result, it is possible to realize a highly efficient light source capable of generating light in a narrow wavelength region corresponding to the three primary colors of light by using quantum dots.

量子ドットにより生成される光は様々な方向に発せられる。特許文献1に記載の技術は、発光素子が設けられている凹部の内面を反射壁とするとともに、量子ドットを含む変換部材の側方を取り囲む反射壁を設けている。このような構成により、発光素子から発せられる光および量子ドットから発せられる光の広がりを抑制して、輝度ムラや色ムラを低減することができる。 The light produced by the quantum dots is emitted in various directions. In the technique described in Patent Document 1, the inner surface of the recess in which the light emitting element is provided is used as a reflecting wall, and the reflecting wall surrounding the side of the conversion member including the quantum dots is provided. With such a configuration, it is possible to suppress the spread of the light emitted from the light emitting element and the light emitted from the quantum dots, and reduce the luminance unevenness and the color unevenness.

特開2015−216104号公報JP-A-2015-216104 特開2015−233057号公報JP-A-2015-23307

量子ドットにより生成される光は一般的に発光素子とは異なる方向に出射することによって利用されるため、発光素子の方向へ向かう光(すなわち、励起光が入射する方向へ向かう光)は利用されず無駄になってしまう。しかしながら、特許文献1に記載の技術は、量子ドットにより生成される光の側方への広がりの抑制することを目的としているが、量子ドットから発光素子へ向かう光を考慮していない。特許文献1に記載の技術において量子ドットから発光素子に向かう光は凹部の内面で反射し得るが、量子ドットから該内面まで離れているため減衰が大きく、また該内面で光の多重反射が起こるため、量子ドットにより生成される光の利用効率は大きく低下する。 Since the light generated by the quantum dots is generally used by emitting light in a direction different from that of the light emitting element, the light directed in the direction of the light emitting element (that is, the light directed in the direction in which the excitation light is incident) is used. It will be wasted. However, although the technique described in Patent Document 1 aims to suppress the lateral spread of light generated by quantum dots, it does not consider the light directed from the quantum dots to the light emitting device. In the technique described in Patent Document 1, light directed from a quantum dot to a light emitting element can be reflected on the inner surface of the recess, but since it is far from the quantum dot to the inner surface, the attenuation is large, and multiple reflection of light occurs on the inner surface. Therefore, the utilization efficiency of the light generated by the quantum dots is greatly reduced.

本発明は、上述の問題に鑑みて行われたものであって、量子ドットにより生成される光の高い利用効率を実現できる光源装置および表示装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a light source device and a display device capable of realizing high utilization efficiency of light generated by quantum dots.

本発明の一態様は、光源装置であって、光を発生させる光源部と、前記光源部からの光によって励起される量子ドットを含む構造体と、前記光源部と前記量子ドットとの間に設けられ、前記光源部からの光を透過させるとともに前記量子ドットにより生成される光を反射する波長選択反射膜と、を備えることを特徴とする。 One aspect of the present invention is a light source device, which is between a light source unit that generates light, a structure including quantum dots excited by light from the light source unit, and the light source unit and the quantum dots. It is characterized by being provided with a wavelength selective reflection film that transmits light from the light source unit and reflects light generated by the quantum dots.

本発明によれば、光源部と量子ドットとの間に設けられた波長選択反射膜が、光源部からの光を透過させつつも、量子ドットにより生成される光を反射する。そのため、量子ドットにより生成される光が光源部に戻って減衰することを抑制し、該光の利用効率を向上させることができる。 According to the present invention, the wavelength selective reflection film provided between the light source unit and the quantum dots reflects the light generated by the quantum dots while transmitting the light from the light source unit. Therefore, it is possible to suppress the light generated by the quantum dots from returning to the light source unit and being attenuated, and to improve the utilization efficiency of the light.

第1の実施形態に係る表示装置の前面図である。It is a front view of the display device which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る表示装置の断面図である。It is sectional drawing of the display device which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る量子ドット構造体の断面図である。It is sectional drawing of the quantum dot structure which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る波長選択反射膜による光の反射を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the reflection of light by the wavelength selective reflection film which concerns on 1st Embodiment. 第2の実施形態に係る表示装置の断面図である。It is sectional drawing of the display device which concerns on 2nd Embodiment. 第3の実施形態に係る表示装置の前面図である。It is a front view of the display device which concerns on 3rd Embodiment.

以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明するが、本発明は各実施形態に限定されるものではない。なお、以下で説明する図面で、同機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略することもある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited to the respective embodiments. In the drawings described below, those having the same function are designated by the same reference numerals, and the repeated description thereof may be omitted.

(第1の実施形態)
図1は、本実施形態に係る表示装置10の前面図である。表示装置10は、液晶パネル20と、液晶パネルの背面に沿って設けられた光源装置100と、液晶パネル20および光源装置100を支持する枠30とを備える。図1において、視認性のために液晶パネル20は背面側の光源装置100を透過するように示されている。図1に示す表示装置10に含まれる各部の数および大きさは実際の構成を反映しておらず、実際の実装方法に応じて任意に設計されてよい。
(First Embodiment)
FIG. 1 is a front view of the display device 10 according to the present embodiment. The display device 10 includes a liquid crystal panel 20, a light source device 100 provided along the back surface of the liquid crystal panel, and a frame 30 that supports the liquid crystal panel 20 and the light source device 100. In FIG. 1, the liquid crystal panel 20 is shown to pass through the light source device 100 on the back side for visibility. The number and size of each part included in the display device 10 shown in FIG. 1 does not reflect the actual configuration, and may be arbitrarily designed according to the actual mounting method.

光源装置100は直下型バックライトユニットであり、液晶パネル20の背面側から液晶パネル20に光を照射する。光源装置100の詳細な構成については、図2および3を用いて後述する。液晶パネル20は、液晶層、偏光板、カラーフィルタ、および薄膜トランジスタ(TFT)等の電気回路を含む周知の構成を有する。液晶パネル20は、電気回路を通じて画素ごとに光源装置100からの光の透過率を制御することによって、所望の画像を表示する。枠30は樹脂、金属等を用いて構成されており、液晶パネル20および光源装置100を支持する。枠30の内部には、液晶パネル20および光源装置100への電気配線が配設される。なお、本実施形態ではバックライトユニットの方式として直下型バックライトユニットを例示しているが、エッジライト方式であってもよい。 The light source device 100 is a direct type backlight unit, and irradiates the liquid crystal panel 20 with light from the back side of the liquid crystal panel 20. The detailed configuration of the light source device 100 will be described later with reference to FIGS. 2 and 3. The liquid crystal panel 20 has a well-known configuration including an electric circuit such as a liquid crystal layer, a polarizing plate, a color filter, and a thin film transistor (TFT). The liquid crystal panel 20 displays a desired image by controlling the transmittance of light from the light source device 100 for each pixel through an electric circuit. The frame 30 is made of resin, metal, or the like, and supports the liquid crystal panel 20 and the light source device 100. Inside the frame 30, electrical wiring to the liquid crystal panel 20 and the light source device 100 is arranged. In the present embodiment, the direct type backlight unit is illustrated as the backlight unit method, but the edge light method may be used.

図2は、図1のA−A線から見た表示装置10の断面図である。光源装置100は、所定の波長の光を生成する光源部120、および光源部120からの光の波長を変換する量子ドット構造体110を備える。 FIG. 2 is a cross-sectional view of the display device 10 as seen from the line AA of FIG. The light source device 100 includes a light source unit 120 that generates light having a predetermined wavelength, and a quantum dot structure 110 that converts the wavelength of light from the light source unit 120.

光源部120は、発光素子121、基板122、およびフレーム123を有する。発光素子121は、所定の波長の光を生成し、液晶パネル20へ向けて照射する。発光素子121は不図示の電気配線に電気的に接続されており、該電気配線を通じて印加される電力を用いて光を生成する。発光素子121により生成される光の波長は、例えば青色光の波長領域または紫外光の波長領域である。発光素子121として、発光ダイオード(LED)、有機発光ダイオード(OLED)等の任意の発光素子を用いてよい。発光素子121からの光が励起光として後述の量子ドット構造体110に入射することによって、光源装置100は光の三原色に対応する狭い波長領域の光を生成することができる。 The light source unit 120 includes a light emitting element 121, a substrate 122, and a frame 123. The light emitting element 121 generates light having a predetermined wavelength and irradiates it toward the liquid crystal panel 20. The light emitting element 121 is electrically connected to an electric wiring (not shown), and uses the electric power applied through the electric wiring to generate light. The wavelength of light generated by the light emitting element 121 is, for example, a wavelength region of blue light or a wavelength region of ultraviolet light. As the light emitting element 121, any light emitting element such as a light emitting diode (LED) or an organic light emitting diode (OLED) may be used. When the light from the light emitting element 121 is incident on the quantum dot structure 110 described later as excitation light, the light source device 100 can generate light in a narrow wavelength region corresponding to the three primary colors of light.

フレーム123は、凹状の形状を有しており、該形状の底面に発光素子121を支持する。フレーム123の形状はこれに限られず、任意の形状でよい。フレーム123は、樹脂、金属、半導体等の任意の材料を用いて構成されてよい。フレーム123は省略されてよく、その場合には発光素子121は基板122の上に直接支持されてよい。 The frame 123 has a concave shape, and the light emitting element 121 is supported on the bottom surface of the shape. The shape of the frame 123 is not limited to this, and any shape may be used. The frame 123 may be constructed by using any material such as resin, metal, and semiconductor. The frame 123 may be omitted, in which case the light emitting element 121 may be supported directly on the substrate 122.

基板122は、液晶パネル20の表面に対して平行に延在し、複数の発光素子121およびフレーム123を支持する。本実施形態では、所定の数の発光素子121およびフレーム123が基板122の上に格子状かつ等間隔に配置される。発光素子121およびフレーム123の数および配置は、表示装置10の構成に応じて任意に設定されてよい。基板122は、樹脂、金属、半導体等の任意の材料を用いて構成されてよい。 The substrate 122 extends parallel to the surface of the liquid crystal panel 20 and supports the plurality of light emitting elements 121 and the frame 123. In this embodiment, a predetermined number of light emitting elements 121 and frames 123 are arranged on the substrate 122 in a grid pattern and at equal intervals. The number and arrangement of the light emitting elements 121 and the frame 123 may be arbitrarily set according to the configuration of the display device 10. The substrate 122 may be constructed by using any material such as resin, metal, and semiconductor.

量子ドット構造体110は液晶パネル20の背面と光源部120との間に位置し、光源部120から液晶パネル20の背面へ照射される光の光路に介在する。すなわち、光源部120からの光は、量子ドット構造体110を介して液晶パネル20の背面に照射される。量子ドット構造体110は、光源部120のフレーム123の上に直接固定されており、光源部120と一体化されている。本実施形態では、1つの発光素子121の直上に1つの量子ドット構造体110が設けられているOn−Chip型の実装方式が採用されている。量子ドット構造体110は、光源部120側に後述の波長選択反射膜111を備える。 The quantum dot structure 110 is located between the back surface of the liquid crystal panel 20 and the light source unit 120, and is interposed in the optical path of the light emitted from the light source unit 120 to the back surface of the liquid crystal panel 20. That is, the light from the light source unit 120 is applied to the back surface of the liquid crystal panel 20 via the quantum dot structure 110. The quantum dot structure 110 is directly fixed on the frame 123 of the light source unit 120 and is integrated with the light source unit 120. In this embodiment, an On-Chip type mounting method in which one quantum dot structure 110 is provided directly above one light emitting element 121 is adopted. The quantum dot structure 110 includes a wavelength selective reflection film 111 described later on the light source unit 120 side.

図3は、図1のA−A線から見た量子ドット構造体110の詳細な断面図である。量子ドット構造体110は、波長選択反射膜111、密閉容器112、ならびに密閉容器112の中に封入された量子ドット113および分散媒114を含む。分散媒114は量子ドット113を均等に分散させる液状または固体状の媒体であり、少なくとも可視光の波長領域(約380nm〜780nm)の光を透過する樹脂等の任意の材料を用いて構成される。また、光を散乱させる材料を含んでいてもよい。 FIG. 3 is a detailed cross-sectional view of the quantum dot structure 110 as seen from line AA of FIG. The quantum dot structure 110 includes a wavelength selective reflective film 111, a closed container 112, and a quantum dot 113 and a dispersion medium 114 enclosed in the closed container 112. The dispersion medium 114 is a liquid or solid medium that evenly disperses the quantum dots 113, and is composed of any material such as a resin that transmits light in at least the wavelength region of visible light (about 380 nm to 780 nm). .. It may also contain a material that scatters light.

密閉容器112は、外部空間(すなわち大気)から隔離された内部空間を有する容器であり、少なくとも可視光の波長領域(約380nm〜780nm)の光を透過するガラスや樹脂等の任意の材料を用いて構成される。水および酸素による量子ドット113の劣化を抑制するために、密閉容器112は水および酸素に対してバリア性を有する材料を用いて構成されることが望ましい。 The closed container 112 is a container having an internal space isolated from the external space (that is, the atmosphere), and uses any material such as glass or resin that transmits light in at least the wavelength region of visible light (about 380 nm to 780 nm). It is composed of. In order to suppress the deterioration of the quantum dots 113 due to water and oxygen, it is desirable that the closed container 112 is constructed by using a material having a barrier property against water and oxygen.

本実施形態において、密閉容器112は水および酸素に対するバリア性が高いガラスを用いて形成されたガラスセルとして構成される。具体的には、密閉容器112は、互いに平行な2つのガラス製の矩形板がガラス製の側壁を介して所定の間隔をおいて対向した四角柱状の構造を有する。光源部120からの光は、該2つのガラス製の矩形板に対して垂直に入射する。密閉容器112の構造は、ここに示したものに限られず、公知のものを用いてよい(例えば、特許文献2参照)。密閉容器112の形状は、例えば円柱状、多角柱状等、量子ドットを内包することが可能な任意の形状でよい。密閉容器112を構成する壁面の少なくとも一部は平面状でなく、曲面状でもよい。 In the present embodiment, the closed container 112 is configured as a glass cell formed by using glass having a high barrier property against water and oxygen. Specifically, the closed container 112 has a square columnar structure in which two glass rectangular plates parallel to each other face each other at a predetermined interval via a glass side wall. The light from the light source unit 120 is vertically incident on the two rectangular plates made of glass. The structure of the closed container 112 is not limited to that shown here, and known ones may be used (see, for example, Patent Document 2). The shape of the closed container 112 may be any shape capable of containing quantum dots, such as a columnar shape and a polygonal columnar shape. At least a part of the wall surface constituting the closed container 112 may be curved instead of flat.

量子ドット113(コロイド状量子ドットともいう)は、量子力学に従う光学特性を有するナノスケールの材料であり、粒子径が約1nm〜100nm、好ましくは1nm〜50nm、より好ましくは1nm〜20nmの微小な半導体粒子である。量子ドット113は、バンドギャップ(価電子帯および伝導帯のエネルギー差)よりも大きなエネルギーを有する光子を吸収し、その粒子径に応じた波長の光を放出する。したがって、量子ドット113は、所定の波長以下の光を吸収する性質を持ち、粒子径を調整することによって所望の波長の光を発生させることができる。本実施形態において、量子ドット113は図3のように球状であるが、これに限られず任意の形状であってよい。 Quantum dots 113 (also referred to as colloidal quantum dots) are nanoscale materials having optical properties according to quantum mechanics, and have a particle size of about 1 nm to 100 nm, preferably 1 nm to 50 nm, and more preferably 1 nm to 20 nm. It is a semiconductor particle. The quantum dot 113 absorbs a photon having an energy larger than the band gap (energy difference between the valence band and the conduction band) and emits light having a wavelength corresponding to the particle size thereof. Therefore, the quantum dot 113 has a property of absorbing light having a predetermined wavelength or less, and can generate light having a desired wavelength by adjusting the particle size. In the present embodiment, the quantum dot 113 is spherical as shown in FIG. 3, but is not limited to this and may have any shape.

量子ドット113は、少なくとも1つの半導体材料を含む。量子ドット113の半導体材料として、第IV族元素、第II−VI族化合物、第II−V族化合物、第III−VI族化合物、第III−V族化合物、第IV−VI族化合物、第I−III−VI族化合物、第II−IV−VI族化合物、第II−IV−V族化合物等を用いてよい。具体的には、量子ドット113の半導体材料として、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、MgS、MgSe、GaAs、GaN、GaP、GaSe、GaSb、HgO、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InN、InP、InSb、AlAs、A1N、A1P、AlSb、TiN、TiP、TiAs、TiSb、PbO、PbS、PbSe、PbTe、Ge、Si等を用いることができる。量子ドット113の材料として、ここに示したものに限られず、量子ドットの機能を発揮できる限り任意の材料をもちいてよい。 Quantum dots 113 include at least one semiconductor material. As the semiconductor material of the quantum dot 113, a group IV element, a group II-VI compound, a group II-V compound, a group III-VI compound, a group III-V compound, a group IV-VI compound, and a group I -III-VI group compounds, II-IV-VI group compounds, II-IV-V group compounds and the like may be used. Specifically, as the semiconductor material of the quantum dot 113, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe, MgS, MgSe, GaAs, GaN, GaP, GaSe, GaSb, HgO, HgS, HgSe, HgTe , InAs, InN, InP, InSb, AlAs, A1N, A1P, AlSb, TiN, TiP, TiAs, TiSb, PbO, PbS, PbSe, PbTe, Ge, Si and the like can be used. The material of the quantum dot 113 is not limited to the one shown here, and any material may be used as long as the function of the quantum dot can be exhibited.

光源部120が生成する光が青色光である場合には、緑色光の波長領域(約510nm以上610nm以下、好ましくは520nm以上580nm以下)に発光中心波長を有する第1の量子ドット113と、赤色光の波長領域(約600nm以上700nm以下、好ましくは610nm以上680nm以下)に発光中心波長を有する第2の量子ドット113とを組み合わせて用いる。すなわち、光源部120が生成する青色光は、量子ドット113に対する励起光として機能するとともに、光源装置100が発する可視光として機能する。本実施形態においては、青色、緑色、および赤色の3つの極大がある発光スペクトルを有する光源を示したが、量子ドットの発光中心波長および量子ドットの組み合わせはこれに限られず任意の組み合わせを用いてよい。 When the light generated by the light source unit 120 is blue light, the first quantum dot 113 having a emission center wavelength in the wavelength region of green light (about 510 nm or more and 610 nm or less, preferably 520 nm or more and 580 nm or less) and red It is used in combination with a second quantum dot 113 having an emission center wavelength in the wavelength region of light (about 600 nm or more and 700 nm or less, preferably 610 nm or more and 680 nm or less). That is, the blue light generated by the light source unit 120 functions as excitation light for the quantum dots 113 and also functions as visible light emitted by the light source device 100. In the present embodiment, a light source having an emission spectrum having three maximums of blue, green, and red is shown, but the combination of the emission center wavelength of the quantum dots and the quantum dots is not limited to this, and any combination can be used. Good.

光源部120が生成する光が紫外光である場合には、緑色光の波長領域に発光中心波長を有する第1の量子ドット113と、赤色光の波長領域に発光中心波長を有する第2の量子ドット113と、青色光の波長領域に発光中心波長を有する第3の量子ドット113とを組み合わせて用いる。すなわち、光源部120が生成する紫外光は、量子ドット113に対する励起光として機能する。 When the light generated by the light source unit 120 is ultraviolet light, a first quantum dot 113 having an emission center wavelength in the wavelength region of green light and a second quantum having an emission center wavelength in the wavelength region of red light. The dot 113 and the third quantum dot 113 having the emission center wavelength in the wavelength region of blue light are used in combination. That is, the ultraviolet light generated by the light source unit 120 functions as excitation light for the quantum dots 113.

量子ドット113は、少なくとも1つの半導体材料を含むコアと、少なくとも1つの半導体材料を含むシェルとからなるコアシェル型構造を有していてもよい。具体的には、コアとしてCdSe、シェルとしてCdZnSを有する量子ドット113、コアとしてCdZnSe、シェルとしてCdZnSを有する量子ドット113、コアとしてCdS、シェルとしてCdZnSを有する量子ドット113等を用いることができる。 The quantum dot 113 may have a core-shell type structure including a core containing at least one semiconductor material and a shell containing at least one semiconductor material. Specifically, a quantum dot 113 having CdSe as a core and CdZnS as a shell, a quantum dot 113 having CdZnSe as a core, a quantum dot 113 having CdZnS as a shell, a quantum dot 113 having CdS as a core, and a quantum dot 113 having CdZnS as a shell can be used.

波長選択反射膜111(波長選択透過膜ともいう)は、所定の波長の光を選択的に反射し、それ以外の波長の光を透過させる膜である。本実施形態で、波長選択反射膜111は、光源部120(発光素子121)が生成する励起光の波長を透過し、該励起光を用いて量子ドット113が生成する光の波長を反射するように構成される。より具体的には、光源部120が生成する光が青色光の波長領域(例えば380nm以上480nm未満)である場合には、波長選択反射膜111は青色光の波長領域を透過させ、緑色光および赤色光の波長領域(例えば480nm以上780nm以下)を反射するように構成される。また、光源部120が生成する光が紫外光の波長領域(例えば10nm以上380nm未満)である場合には、波長選択反射膜111は紫外光の波長領域を透過させ、緑色光、赤色光および青色光の波長領域(例えば380nm以上780nm以下)を反射するように構成される。これに限られず、波長選択反射膜111が透過および反射する波長領域は、光源部120および量子ドット113が生成する光の波長に応じて適宜設定される。 The wavelength selective reflection film 111 (also referred to as a wavelength selective transmission film) is a film that selectively reflects light having a predetermined wavelength and transmits light having other wavelengths. In the present embodiment, the wavelength selective reflection film 111 transmits the wavelength of the excitation light generated by the light source unit 120 (light emitting element 121) and reflects the wavelength of the light generated by the quantum dots 113 using the excitation light. It is composed of. More specifically, when the light generated by the light source unit 120 is in the wavelength region of blue light (for example, 380 nm or more and less than 480 nm), the wavelength selective reflection film 111 transmits the wavelength region of blue light, and green light and It is configured to reflect the wavelength region of red light (for example, 480 nm or more and 780 nm or less). Further, when the light generated by the light source unit 120 is in the wavelength region of ultraviolet light (for example, 10 nm or more and less than 380 nm), the wavelength selective reflection film 111 transmits the wavelength region of ultraviolet light, and green light, red light, and blue light are transmitted. It is configured to reflect the wavelength region of light (for example, 380 nm or more and 780 nm or less). Not limited to this, the wavelength region transmitted and reflected by the wavelength selective reflection film 111 is appropriately set according to the wavelength of the light generated by the light source unit 120 and the quantum dot 113.

波長選択反射膜111は、密閉容器112(量子ドット構造体110)の励起光が入射する側に設けられている。具体的には、波長選択反射膜111は密閉容器112の内部において、密閉容器112の光源部120に対向する壁面上に設けられている。波長選択反射膜111は密閉容器112の外部において、密閉容器112の光源部120に対向する壁面上に設けられてもよい。波長選択反射膜111と密閉容器112の壁面との間は接していることが望ましいが、波長選択反射膜111と密閉容器112の壁面との間に隙間が設けられてもよい。 The wavelength selective reflection film 111 is provided on the side where the excitation light of the closed container 112 (quantum dot structure 110) is incident. Specifically, the wavelength selective reflection film 111 is provided inside the closed container 112 on the wall surface of the closed container 112 facing the light source portion 120. The wavelength selective reflection film 111 may be provided outside the closed container 112 on a wall surface facing the light source portion 120 of the closed container 112. It is desirable that the wavelength selective reflective film 111 and the wall surface of the closed container 112 are in contact with each other, but a gap may be provided between the wavelength selective reflective film 111 and the wall surface of the closed container 112.

波長選択反射膜111として、所定の波長の光を選択的に反射し、それ以外の波長の光を透過させることが可能な任意の構成を用いてよい。波長選択反射膜111として、例えば誘電体多層膜を用いてよい。誘電体多層膜は、互いに屈折率の異なる無機材料または有機材料の複数の層を積層した積層体であり、該積層体を構成する層の厚みおよび屈折率に応じて所定の波長の光を反射する性質を有する。具体的な誘電体多層膜を構成する材料として、TiO、Nb、Ta、SiO、MgF、CaFなどを用いることができる。誘電体多層膜に含まれる各層の厚さは、各層の材料の屈折率および反射したい波長に応じて調整される。 As the wavelength selective reflection film 111, an arbitrary configuration capable of selectively reflecting light of a predetermined wavelength and transmitting light of other wavelengths may be used. As the wavelength selective reflection film 111, for example, a dielectric multilayer film may be used. The dielectric multilayer film is a laminate in which a plurality of layers of inorganic materials or organic materials having different refractive indexes are laminated, and reflects light having a predetermined wavelength according to the thickness and refractive index of the layers constituting the laminate. Has the property of As a specific material for forming the dielectric multilayer film, TiO 2 , Nb 2 O 5 , Ta 2 O 3 , SiO 2 , MgF 2 , CaF 2, and the like can be used. The thickness of each layer contained in the dielectric multilayer film is adjusted according to the refractive index of the material of each layer and the wavelength to be reflected.

また、波長選択反射膜111として、例えばコレステリック液晶を用いてよい。コレステリック液晶は、そのらせん構造(すなわちピッチおよび巻き方向)に応じて所定の波長および偏光の光を反射する性質を有する。具体的には、波長選択反射膜111として、右巻きのコレステリック液晶および左巻きのコレステリック液晶を積層した積層体、または右巻き(左巻き)のコレステリック液晶、半波長板および同じ巻き方向のコレステリック液晶を順に積層した積層体を用いることができる。コレステリック液晶のらせん構造のピッチは、反射したい波長に応じて調整される。 Further, as the wavelength selective reflection film 111, for example, a cholesteric liquid crystal may be used. The cholesteric liquid crystal has a property of reflecting light having a predetermined wavelength and polarized light according to its spiral structure (that is, pitch and winding direction). Specifically, as the wavelength selective reflective film 111, a laminate in which a right-handed cholesteric liquid crystal and a left-handed cholesteric liquid crystal are laminated, a right-handed (left-handed) cholesteric liquid crystal, a half-wave plate, and a cholesteric liquid crystal in the same winding direction are sequentially arranged. A laminated body can be used. The pitch of the spiral structure of the cholesteric liquid crystal is adjusted according to the wavelength to be reflected.

図4は、本実施形態に係る波長選択反射膜111による光の反射を説明する模式図である。図4の例では、光源部120(発光素子121)は青色光を生成するように構成され、波長選択反射膜111は青色光の波長領域を透過し、緑色光の波長領域および赤色光の波長領域を反射するように構成されている。図4には、量子ドット113のうち、緑色光を発するものにはGの符号が付され、赤色光を発するものにはRの文字が付されている。 FIG. 4 is a schematic diagram illustrating the reflection of light by the wavelength selective reflection film 111 according to the present embodiment. In the example of FIG. 4, the light source unit 120 (light emitting element 121) is configured to generate blue light, the wavelength selective reflection film 111 transmits the wavelength region of blue light, and the wavelength region of green light and the wavelength of red light. It is configured to reflect the area. In FIG. 4, among the quantum dots 113, those that emit green light are designated by a G, and those that emit red light are designated by the letter R.

光源部120により生成される青色光は、波長選択反射膜111を透過し、量子ドット構造体110の光源部120とは反対側にそのまま出射する。また、量子ドット113により生成される緑色光および赤色光のうち、量子ドット構造体110の光源部120とは反対側に向かう光はそのまま出射する。一方、量子ドット113により生成される緑色光および赤色光のうち、光源部120に向かう光は波長選択反射膜111により反射され、量子ドット構造体110の光源部120とは反対側に出射する。 The blue light generated by the light source unit 120 passes through the wavelength selective reflection film 111 and is emitted as it is to the side opposite to the light source unit 120 of the quantum dot structure 110. Further, of the green light and red light generated by the quantum dot 113, the light directed to the side opposite to the light source portion 120 of the quantum dot structure 110 is emitted as it is. On the other hand, of the green light and red light generated by the quantum dot 113, the light directed to the light source unit 120 is reflected by the wavelength selective reflection film 111 and emitted to the side opposite to the light source unit 120 of the quantum dot structure 110.

本実施形態によれば、光源部120からの励起光は波長選択反射膜111を透過するためほとんど減衰せず、量子ドット113から光源部120へ向かう光は波長選択反射膜111によって反射されて出射方向に戻る。このような構成により、量子ドット113により生成される光の利用効率を向上させることができる。波長選択反射膜111は量子ドット113の近傍に配置されているため、量子ドット113から光源部120へ向かう光は量子ドット113に近い位置で反射され、該光の減衰を抑制することができる。波長選択反射膜111は密閉容器112の励起光入射面の内部または外部に配置されるため、密閉容器112の構成として公知のものを用いることができ、本実施形態に係る構成を容易に導入することができる。 According to the present embodiment, the excitation light from the light source unit 120 is transmitted through the wavelength selective reflection film 111 and is hardly attenuated, and the light from the quantum dots 113 toward the light source unit 120 is reflected by the wavelength selective reflection film 111 and emitted. Go back in direction. With such a configuration, it is possible to improve the utilization efficiency of the light generated by the quantum dots 113. Since the wavelength selective reflection film 111 is arranged in the vicinity of the quantum dots 113, the light from the quantum dots 113 toward the light source unit 120 is reflected at a position close to the quantum dots 113, and the attenuation of the light can be suppressed. Since the wavelength selective reflection film 111 is arranged inside or outside the excitation light incident surface of the closed container 112, a known configuration of the closed container 112 can be used, and the configuration according to the present embodiment can be easily introduced. be able to.

(実施例)
実施例として上述の実施形態に係る光源装置100を模した試料を作製し、正面輝度の測定を行った。具体的には、基板上に中心波長を450nmかつ半値全幅を18nmとする青色LEDを載置し、表面に反射帯域の中心波長を525nmかつ半値全幅を56nmとする、無機誘電体多層膜からなる波長選択反射膜が設けられたガラス板を該LEDから離して固定した。さらに中心波長を530nmかつ半値全幅を40nmとする緑色量子ドットおよび、中心波長を639nmかつ半値全幅を30nmとする赤色量子ドットを封入した密閉容器を該ガラス板の上に載置した。このような構成において、LEDからの青色光は量子ドットを励起し、量子ドットにより生成された光およびLEDからの青色光は密閉容器から出射する。量子ドットにより生成された緑色の光のうち、LEDに向かう光は、波長選択反射膜で反射されて出射方向に戻る。また、比較例として波長選択反射膜が設けられていないガラス板を用いた試料を作製した。
(Example)
As an example, a sample imitating the light source device 100 according to the above-described embodiment was prepared, and the front luminance was measured. Specifically, it is composed of an inorganic dielectric multilayer film in which a blue LED having a center wavelength of 450 nm and a full width at half maximum of 18 nm is placed on a substrate, and a center wavelength of the reflection band is 525 nm and a full width at half maximum is 56 nm on the surface. A glass plate provided with a wavelength-selective reflective film was fixed away from the LED. Further, a closed container containing green quantum dots having a center wavelength of 530 nm and a full width at half maximum of 40 nm and red quantum dots having a center wavelength of 639 nm and a full width at half maximum of 30 nm was placed on the glass plate. In such a configuration, the blue light from the LED excites the quantum dots, and the light generated by the quantum dots and the blue light from the LED are emitted from the closed container. Of the green light generated by the quantum dots, the light directed to the LED is reflected by the wavelength selective reflection film and returns to the emission direction. In addition, as a comparative example, a sample using a glass plate not provided with a wavelength selective reflection film was prepared.

実施例および比較例においてそれぞれ青色LEDを点灯した状態で、量子ドットを封入した密閉容器を通過した光の正面輝度を測定した。正面輝度として、量子ドットを封入した密閉容器の35cm上方において視野角2度で測定された輝度を用いた。測定結果を表1に示す。 In the examples and comparative examples, the front luminance of the light passing through the closed container containing the quantum dots was measured with the blue LED lit. As the front luminance, the luminance measured at a viewing angle of 2 degrees above 35 cm of the closed container containing the quantum dots was used. The measurement results are shown in Table 1.

Figure 0006797624
Figure 0006797624

表1に示すように、波長選択反射膜が設けられた実施例では、波長選択反射膜が設けられていない比較例よりも正面輝度が向上している。したがって、波長選択反射膜を設けることによって、量子ドットにより生成された光の利用効率が向上することが確認できた。 As shown in Table 1, in the examples provided with the wavelength selective reflecting film, the front luminance is improved as compared with the comparative example in which the wavelength selective reflecting film is not provided. Therefore, it was confirmed that the utilization efficiency of the light generated by the quantum dots is improved by providing the wavelength selective reflection film.

(第2の実施形態)
第1の実施形態ではOn−Chip型の実装方式が採用されているが、本実施形態では複数の発光素子121の上方に平面状(フィルム状)の量子ドット構造体110が設けられているOn−Surface型の実装方式が採用されている。量子ドット構造体110の形状および配置以外は、第1の実施形態と同様である。バックライトユニットの方式は、第1の実施形態と同様に、直下型バックライトユニットであっても、エッジライト方式であってもよい。
(Second Embodiment)
In the first embodiment, the On-Chip type mounting method is adopted, but in the present embodiment, the planar (film-like) quantum dot structure 110 is provided above the plurality of light emitting elements 121. -A Surface type mounting method is adopted. It is the same as the first embodiment except for the shape and arrangement of the quantum dot structure 110. The backlight unit system may be a direct type backlight unit or an edge light system, as in the first embodiment.

図5は、本実施形態に係る表示装置10の断面図である。量子ドット構造体110は、液晶パネル20の背面と光源部120との間に位置し、光源部120から液晶パネル20の背面へ照射される光の光路に介在する。量子ドット構造体110は、平面状(フィルム状)の形状を有し、複数の発光素子121(すなわち光源部120に含まれる発光素子の一部または全部)の上方を覆うように延在する。量子ドット構造体110は、第1の実施形態のように密閉容器112内に量子ドット113および分散媒114を封入した構成でよく、あるいは量子ドット113を分散させた固体状の分散媒114をフィルム状に延伸した構成でもよい。該フィルム状に延伸した構成の好適な例としては、量子ドット113を分散させた固体状の分散媒114からなるフィルムが、ガスバリア性を有する層で上下から挟まれた構成が挙げられる。 FIG. 5 is a cross-sectional view of the display device 10 according to the present embodiment. The quantum dot structure 110 is located between the back surface of the liquid crystal panel 20 and the light source unit 120, and is interposed in an optical path of light emitted from the light source unit 120 to the back surface of the liquid crystal panel 20. The quantum dot structure 110 has a planar (film-like) shape, and extends so as to cover above a plurality of light emitting elements 121 (that is, a part or all of the light emitting elements included in the light source unit 120). The quantum dot structure 110 may have a configuration in which the quantum dots 113 and the dispersion medium 114 are enclosed in the closed container 112 as in the first embodiment, or the solid dispersion medium 114 in which the quantum dots 113 are dispersed is formed into a film. The structure may be stretched into a shape. A preferable example of the structure stretched into the film shape is a structure in which a film made of a solid dispersion medium 114 in which quantum dots 113 are dispersed is sandwiched from above and below by a layer having a gas barrier property.

波長選択反射膜111は、量子ドット構造体110の励起光が入射する側に設けられている。具体的には、波長選択反射膜111は量子ドット構造体110と光源部120との間において、量子ドット構造体110に沿って延在するように設けられる。本実施形態では量子ドット構造体110と波長選択反射膜111との間に隙間が設けられているが、密着していてもよい。 The wavelength selective reflection film 111 is provided on the side where the excitation light of the quantum dot structure 110 is incident. Specifically, the wavelength selective reflection film 111 is provided between the quantum dot structure 110 and the light source unit 120 so as to extend along the quantum dot structure 110. In the present embodiment, a gap is provided between the quantum dot structure 110 and the wavelength selective reflection film 111, but they may be in close contact with each other.

本実施形態においても、第1の実施形態と同様に、量子ドット113により生成される光の利用効率を向上させる効果を得ることができる。 Also in this embodiment, as in the first embodiment, the effect of improving the utilization efficiency of the light generated by the quantum dots 113 can be obtained.

(第3の実施形態)
第1の実施形態ではOn−Chip型の実装方式が採用されているが、本実施形態では液晶パネル20の端面に沿って量子ドット構造体110が設けられているOn−Endge型の実装方式が採用されている。バックライトユニットはエッジライト方式である。量子ドット構造体110および光源部120の形状および配置以外は、第1の実施形態と同様である。
(Third Embodiment)
In the first embodiment, the On-Chip type mounting method is adopted, but in the present embodiment, the On-Endge type mounting method in which the quantum dot structure 110 is provided along the end face of the liquid crystal panel 20 is used. It has been adopted. The backlight unit is an edge light type. The same as in the first embodiment except for the shape and arrangement of the quantum dot structure 110 and the light source unit 120.

図6は、本実施形態に係る表示装置10の前面図である。図6において、視認性のために枠30は内部の光源装置100を透過するように示されている。本実施形態において、量子ドット構造体110および光源部120を含む光源装置100は、液晶パネル20の端面に沿って設けられている。光源装置100からの光は、液晶パネル20の背面側に設けられた不図示の導光板を介して液晶パネル20に照射される。本実施形態では光源装置100は液晶パネル20の右側端面にのみ設けられているが、液晶パネル20の上側端面、下側端面、左側端面および右側端面のうち1つ、2つ以上または全部に設けられてよい。 FIG. 6 is a front view of the display device 10 according to the present embodiment. In FIG. 6, the frame 30 is shown to pass through the internal light source device 100 for visibility. In the present embodiment, the light source device 100 including the quantum dot structure 110 and the light source unit 120 is provided along the end face of the liquid crystal panel 20. The light from the light source device 100 is applied to the liquid crystal panel 20 through a light guide plate (not shown) provided on the back side of the liquid crystal panel 20. In the present embodiment, the light source device 100 is provided only on the right end surface of the liquid crystal panel 20, but is provided on one, two or more, or all of the upper end surface, the lower end surface, the left end surface, and the right end surface of the liquid crystal panel 20. May be done.

光源部120は、液晶パネル20の端面に沿って延在する基板122の上に設けられた複数の発光素子121を備える。第1の実施形態とは異なり、本実施形態ではフレーム123が省略されているが、フレーム123が設けられてもよい。発光素子121は液晶パネル20の端面に向けて所定の波長の光を照射する。 The light source unit 120 includes a plurality of light emitting elements 121 provided on the substrate 122 extending along the end surface of the liquid crystal panel 20. Unlike the first embodiment, the frame 123 is omitted in the present embodiment, but the frame 123 may be provided. The light emitting element 121 irradiates light having a predetermined wavelength toward the end face of the liquid crystal panel 20.

量子ドット構造体110は液晶パネル20の側面と光源部120との間に位置し、光源部120から液晶パネル20の側面へ照射される光の光路に介在する。量子ドット構造体110は、棒状(例えば円柱状または四角柱状)の形状を有している。量子ドット構造体110は、第1の実施形態のように密閉容器112内に量子ドット113および分散媒114を封入した構成でよく、あるいは量子ドット113を分散させた固体状の分散媒114を棒状に延伸した構成でもよい。 The quantum dot structure 110 is located between the side surface of the liquid crystal panel 20 and the light source unit 120, and is interposed in the optical path of light emitted from the light source unit 120 to the side surface of the liquid crystal panel 20. The quantum dot structure 110 has a rod-like shape (for example, a columnar or square columnar shape). The quantum dot structure 110 may have a configuration in which the quantum dots 113 and the dispersion medium 114 are enclosed in the closed container 112 as in the first embodiment, or the solid dispersion medium 114 in which the quantum dots 113 are dispersed may be rod-shaped. It may be a structure extended to.

波長選択反射膜111は、量子ドット構造体110の励起光が入射する側に設けられている。具体的には、波長選択反射膜111は量子ドット構造体110と光源部120との間において、量子ドット構造体110に沿って延在するように設けられる。本実施形態では量子ドット構造体110と波長選択反射膜111との間に隙間が設けられているが、密着していてもよい。 The wavelength selective reflection film 111 is provided on the side where the excitation light of the quantum dot structure 110 is incident. Specifically, the wavelength selective reflection film 111 is provided between the quantum dot structure 110 and the light source unit 120 so as to extend along the quantum dot structure 110. In the present embodiment, a gap is provided between the quantum dot structure 110 and the wavelength selective reflection film 111, but they may be in close contact with each other.

本実施形態においても、第1の実施形態と同様に、量子ドット113により生成される光の利用効率を向上させる効果を得ることができる。 Also in this embodiment, as in the first embodiment, the effect of improving the utilization efficiency of the light generated by the quantum dots 113 can be obtained.

本発明は、上述の実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately modified without departing from the spirit of the present invention.

100 表示装置
110 量子ドット構造体
111 波長選択反射膜
112 密閉容器
113 量子ドット
100 Display device 110 Quantum dot structure 111 Wavelength selective reflective film 112 Sealed container 113 Quantum dots

Claims (9)

光を発生させる光源および前記光源を支持するフレームを備える光源部と、
前記光源部からの光によって励起される量子ドットを含む容器と、
前記光源部と前記量子ドットとの間に設けられ、前記光源部からの光を透過させるとともに前記量子ドットにより生成される光を反射する波長選択反射膜と、
を備え
前記容器は前記フレーム上に直接固定され、
前記波長選択反射膜は、前記容器の内部と前記光源部に面する容器の壁面上とに設けられていることを特徴とする光源装置。
A light source unit that includes a light source that generates light and a frame that supports the light source,
A container containing quantum dots excited by light from the light source unit,
A wavelength-selective reflective film provided between the light source unit and the quantum dots, which transmits light from the light source unit and reflects light generated by the quantum dots.
Equipped with a,
The container is fixed directly on the frame and
It said wavelength-selective reflective layer includes a light source device you characterized in that it is provided with the wall surface of the container facing the interior and the light source portion of the container.
前記光源部と前記容器とは一体化されていることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。 The light source device according to claim 1, wherein the light source unit and the container are integrated. 前記光源部からの光の波長は380nm以上480nm未満であり、
前記波長選択反射膜が反射する光の波長は480nm以上780nm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の光源装置。
The wavelength of the light from the light source unit is 380 nm or more and less than 480 nm.
The light source device according to claim 1 or 2 , wherein the wavelength of light reflected by the wavelength-selective reflective film is 480 nm or more and 780 nm or less.
前記光源部からの光の波長は10nm以上380nm未満であり、
前記波長選択反射膜が反射する光の波長は380nm以上780nm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の光源装置。
The wavelength of the light from the light source unit is 10 nm or more and less than 380 nm.
The light source device according to claim 1 or 2 , wherein the wavelength of light reflected by the wavelength-selective reflective film is 380 nm or more and 780 nm or less.
前記光源部は青色光を発生させるように構成され、
前記波長選択反射膜は前記青色光を透過させるとともに、緑色光および赤色光を反射するように構成されることを特徴とする請求項1または2に記載の光源装置。
The light source unit is configured to generate blue light.
The light source device according to claim 1 or 2 , wherein the wavelength-selective reflecting film is configured to transmit the blue light and reflect green light and red light.
前記波長選択反射膜は、誘電体多層膜を含むことを特徴とする請求項1〜のいずれか一項に記載の光源装置。 The light source device according to any one of claims 1 to 5 , wherein the wavelength selective reflection film includes a dielectric multilayer film. 前記波長選択反射膜は、コレステリック液晶を含むことを特徴とする請求項1〜のいずれか一項に記載の光源装置。 The light source device according to any one of claims 1 to 5 , wherein the wavelength selective reflective film includes a cholesteric liquid crystal. 前記波長選択反射膜は、右巻きのコレステリック液晶および左巻きのコレステリック液晶を積層した積層構造と、前記右巻きのコレステリック液晶を積層した積層構造と、半波長板と前記右巻きのコレステリック液晶とを有するか、または、前記左巻きのコレステリック液晶を積層した積層構造と、半波長板と前記左巻きのコレステリック液晶とを有する請求項7に記載の光源装置。The wavelength selective reflection film has a laminated structure in which a right-handed cholesteric liquid crystal and a left-handed cholesteric liquid crystal are laminated, a laminated structure in which the right-handed cholesteric liquid crystal is laminated, and a half-wave plate and the right-handed cholesteric liquid crystal. Alternatively, the light source device according to claim 7, further comprising a laminated structure in which the left-handed cholesteric liquid crystal is laminated, a half-wave plate, and the left-handed cholesteric liquid crystal. 請求項1〜のいずれか一項に記載の前記光源装置と、前記光源装置からの光が照射される位置に設けられた液晶パネルと、を備える表示装置。 A display device including the light source device according to any one of claims 1 to 8 and a liquid crystal panel provided at a position where light from the light source device is irradiated.
JP2016188487A 2016-09-27 2016-09-27 Light source device and display device Active JP6797624B2 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016188487A JP6797624B2 (en) 2016-09-27 2016-09-27 Light source device and display device
KR1020170107723A KR102009824B1 (en) 2016-09-27 2017-08-25 Light source device and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016188487A JP6797624B2 (en) 2016-09-27 2016-09-27 Light source device and display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018055885A JP2018055885A (en) 2018-04-05
JP6797624B2 true JP6797624B2 (en) 2020-12-09

Family

ID=61836948

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016188487A Active JP6797624B2 (en) 2016-09-27 2016-09-27 Light source device and display device

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP6797624B2 (en)
KR (1) KR102009824B1 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210004019A (en) * 2019-07-03 2021-01-13 엘지디스플레이 주식회사 Color conversion sheet, backlight unit and display device
CN110335933B (en) * 2019-07-11 2020-06-02 京东方科技集团股份有限公司 Display panel, manufacturing method thereof and display device
WO2021075394A1 (en) * 2019-10-15 2021-04-22 Nsマテリアルズ株式会社 Light emitting device
WO2021166785A1 (en) * 2020-02-19 2021-08-26 ソニーグループ株式会社 Light-emitting element, light-emitting element array, and display device
WO2022107340A1 (en) * 2020-11-20 2022-05-27 昭和電工マテリアルズ株式会社 Wavelength conversion member, backlight unit, and image display device

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07248495A (en) * 1994-03-14 1995-09-26 Hitachi Ltd Liquid crystal display device
DE69940548D1 (en) * 1998-04-23 2009-04-23 Nippon Mitsubishi Oil Corp LIQUID CRYSTAL FILM
EP2212928B1 (en) * 2007-11-20 2016-06-29 Koninklijke Philips N.V. Side emitting device with wavelength conversion
JP4613947B2 (en) * 2007-12-07 2011-01-19 ソニー株式会社 Illumination device, color conversion element, and display device
KR101577300B1 (en) * 2008-10-28 2015-12-15 삼성디스플레이 주식회사 Light Emitting Diode Using Quantum Dot And Backlight Assembly Having The Same
JP2013131328A (en) * 2011-12-20 2013-07-04 Sharp Corp Lighting device, and display device
US9657920B2 (en) * 2012-11-09 2017-05-23 Saturn Licensing Llc Illumination device and display device
JP6021967B2 (en) 2014-04-21 2016-11-09 キヤノン株式会社 Light source device and image display device
JP6221950B2 (en) 2014-06-09 2017-11-01 日本電気硝子株式会社 Light emitting device
JP6185446B2 (en) * 2014-08-18 2017-08-23 富士フイルム株式会社 Backlight unit and liquid crystal display device
JP2016076634A (en) 2014-10-08 2016-05-12 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Led package, backlight unit, and liquid crystal display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180034217A (en) 2018-04-04
JP2018055885A (en) 2018-04-05
KR102009824B1 (en) 2019-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6797624B2 (en) Light source device and display device
KR102693061B1 (en) Color conversion element and display device comprising the same
US20170255055A1 (en) Quantum dot liquid crystal display device
US10976599B2 (en) Backlight unit and display device including the same
WO2017041345A1 (en) Liquid crystal display
CN107424524B (en) Miniature LED display panel
US9086619B2 (en) Optical device for projection display device having plasmons excited with fluorescence
US20180364408A1 (en) Optical member and display device including the same
KR102579289B1 (en) Color conversion element and display device comprising the same
KR102556257B1 (en) Color liquid crystal displays and display backlights
US10606123B2 (en) Display device having a light conversion member and method for fabricating the same
CN104155803A (en) Backlight module and liquid crystal display device
US20210223435A1 (en) Color filter substrate, method for manufacturing the same and display device
US9341763B1 (en) Backlight module and liquid crystal display device
KR102474116B1 (en) Display device
US20190377229A1 (en) Display device
KR20200040980A (en) Display device
WO2018103392A1 (en) Quantum dot display panel, backlight module, and liquid crystal display apparatus
CN110426890B (en) Liquid crystal display panel and liquid crystal display device
JP6687349B2 (en) Liquid crystal display
KR102264001B1 (en) Backlight unit and display device using the same
TWI759464B (en) Color liquid crystal displays and display backlights
KR101876382B1 (en) Light source device and display device
US20200166808A1 (en) Optical member and display device including the same
KR20160120413A (en) Light guide plate, optical sheet and backlight unit

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190918

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200623

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200625

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200923

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20201020

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20201118

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6797624

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250