JP6797373B2 - ガス電子増幅器用電極、ガス電子増幅器及びガス電子増幅器用電極の製造方法 - Google Patents
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Description
またフォトリソグラフィーは、レジスト塗工、露光、現像、エッチング、レジスト剥離と工程が多い。工程が多いと加工費も嵩み、量産性よくガス電子増幅器用電極を作製することができない。
以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際とは異なっていることがある。以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であり、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
図1は、本発明の一態様に係るガス電子増幅器の模式図である。ガス電子増幅器は、入射した粒子線又は電磁波により発生した電子を、電子雪崩増幅を利用して増幅し、検出するものである。
ガス電子増幅器用電極10、ドリフト電極11及び読み出し電極12のそれぞれに電圧を印加することで、ドリフト電極11とガス電子増幅器用電極10の間の領域(以下、「ドリフト領域」という)13、ガス電子増幅器用電極10と読み出し電極12の間の領域(以下、「インダクション領域」という)14には、電界が発生する。またガス電子増幅器用電極10の貫通孔3内にも電界が発生する。
図2は、本発明の一態様に係るガス電子増幅器用電極の斜視模式図である。ガス電子増幅器用電極10は、絶縁層1と、絶縁層1の両面に形成された導電層2とを備える。図2に示すように、ガス電子増幅器用電極10には、絶縁層1及び導電層2を貫く貫通孔3が複数形成されている。
また絶縁層に感光性ガラスを用いる場合は、反応ガスとして安価なアルゴンを用いることが難しく、高価なネオンを用いることが好ましいという報告がされている。これに対し、絶縁層1がセラミックスからなるガス電子増幅器用電極10は、安価なアルゴンを好適に用いることができる。
これに対し、貫通孔の孔径が厚み方向で略一定であれば、アスペクト比を高めても、実質的な開口率に差は生じない。すなわち、アスペクト比を高めても、ガス電子増幅器100の増幅率特性を低下させることはない。またアスペクト比を高めることができれば、導電層2間の短絡をより発生しにくくすることもできる。
本発明の一態様に係るガス電子増幅器用電極の製造方法は、両面に導電層が形成されたセラミックスを準備する工程と、導電層が形成されたセラミックスに打抜き加工又はレーザー加工により貫通孔を形成する工程とを有する。
まず厚み100μmの低温焼結セラミックス(LTCC)を準備した。低温焼結セラミックス(LTCC)は、ホウケイ酸ガラスを含むガラスとアルミナからなり、誘電率が7近傍であった。そして、LTCCの両面に、厚み5μmの銀ペーストを塗工した。そして、先端の直径が100μmのポンチを用いて、打抜き加工で孔径100μmの貫通孔を形成し、実施例1のガス電子増幅器用電極をえた。実施例1のガス電子増幅器用電極において、貫通孔は千鳥格子状に配列し、貫通孔間の最短ピッチは200μmであった。貫通孔の孔径は、打抜き加工した面と反対側の面で測定した。
まずフレキシブル基板用材料として両面に7μmの銅フィルムがラミネートされた液晶ポリマーを手配した。液晶ポリマー層の厚みは100μmであった。そして、まず銅フィルムの両面にレジストを塗布し、レジスト膜を形成した。そして、マスク露光と現像を行い、両面に形成されたレジスト膜に直径70μmの穴部を形成した。次いで、市販のエッチング液に浸漬し、銅のエッチング処理を行い、レジスト剥離を行った。さらに、波長10.6μm近傍のCO2レーザーを用い、エッチングされた銅をマスクとして液晶ポリマー層の所定の位置をエッチングし、貫通孔を形成した。このような手順で、比較例1のガス電子増幅器用電極を作製した。比較例1のガス電子増幅器用電極において、貫通孔は千鳥格子状に配列し、貫通孔間の最短ピッチは140μmであった。
実施例1のガス電子増幅器用電極を用いて、ガス電子増幅器を作製した。ガス電子増幅器用電極は、ドリフト電極と読み出し電極の間に3枚配設した。チャンバー内には、アルゴンと二酸化炭素を7:3の割合で混合した混合ガスを供給した。そして、ドリフト電極とガス電子増幅器用電極間に1.5 kV/cmを印加した。使用放射線源はFe55を用い、基準放射線を1MBqとした。そして、ガス電子増幅器に印加する電圧を変えながらガス電子増幅器の増幅特性を測定した。
ガス電子増幅器用電極を比較例1のものとした点以外は、実施例2と同様の条件でガス電子増幅器の増幅特性を測定した。
実施例3では、実施例1に示すガス電子増幅器用電極を作製後にエッチング処理を行った場合と行っていない場合の特性を比較した。エッチング処理を行ったものは、ヨウ化カリウムに浸漬し、純水で洗浄後、700℃で仮焼きした。
Claims (3)
- 両面に導電層が形成されたセラミックスを準備する工程と、
前記導電層が形成されたセラミックスに打抜き加工により貫通孔を形成する工程と、を有するガス電子増幅器用電極の製造方法。 - 前記貫通孔を形成後に、エッチング処理をさらに行う請求項1に記載のガス電子増幅器用電極の製造方法。
- 前記導電層間に動作時の電位差以上の電位差を加えるエージング工程をさらに行う請求項1又は2に記載のガス電子増幅器用電極の製造方法。
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