JP6785752B2 - グレージング入射x線反射率独立モデル - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 49
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 27
- 238000001692 glancing-incidence X-ray reflectometry Methods 0.000 claims description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 17
- 238000000560 X-ray reflectometry Methods 0.000 claims description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 claims description 3
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 claims description 2
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 11
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 11
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000012897 Levenberg–Marquardt algorithm Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000002139 neutron reflectometry Methods 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000012552 review Methods 0.000 description 2
- -1 LaB6 Chemical class 0.000 description 1
- 229910025794 LaB6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001465382 Physalis alkekengi Species 0.000 description 1
- 241000168036 Populus alba Species 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000003278 mimic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B15/00—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
- G01B15/02—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons for measuring thickness
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B15/00—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N9/00—Investigating density or specific gravity of materials; Analysing materials by determining density or specific gravity
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
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- G01N2223/052—Investigating materials by wave or particle radiation by diffraction, scatter or reflection reflection
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- General Health & Medical Sciences (AREA)
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Description
”Model-independent method for reconstruction of scattering-length-density profiles using neutron or x-ray reflectivity data ”, Xiao-Lin Zhou and Sow-Hsin Chen, Physical Review E, Volume 47, Number 5, pages 3174 to 3190, June 1993 for a description of the method
複数の既知の物理材料及びこれらの物理材料間の界面で構成される薄膜積層体の特性を測定する方法であって、
当該方法は、
積層体内の複数の物理材料の順序付きリストを画定するステップと、
各物理材料についてそれぞれ画定されたインデックス値を画定するステップであって、
画定されたインデックス値は、順序付きリストに沿って、単調に増加し又は単調に減少するステップと、
角度範囲について、強度に対する角度の測定されたグレージングインデックスX線反射曲線を補足するステップと、薄膜積層体を表すN個のサブレイヤー(i)の配列をセッティングするステップであって、
サブレイヤーの配列の各要素が、サブレイヤーの組成を表す画定されたパラメーターPjを有する、ステップと、
パラメーターPjをフィッティングするステップであって、フィッティングされたパラメーター
[外1]
を得るために、パラメーターPjの関数としての角度に対する計算されたグレージングインデックスX線反射曲線が、角度に対する測定されたグレージングインデックスX線反射曲線に、角度範囲にわたって最も正確に適合するように、パラメーターPjをフィッティングするステップと、
フィッティングされたパラメーター
[外2]
に基づいて薄膜積層体の構成の測定(measure)を出力するステップと、
を含み、
パラメーターPjは、
(a)パラメーターPjが画定されたインデックス値の1つを有する場合に、それぞれの物理材料を表すために、及び、
(b)値Pjが一組の画定インデックス値の間にある場合に、一組の画定インデックス値の両物理材料の混合物の組成を表すために、Pjの値は、組成が純粋な第1物理材料から第2物理材料へと変化するにつれて、一組のうちの第1物理材料のインデックス値から一組のうちの他の物理材料のインデックス値へ、単調に変化する、
画定された値を有する。
ここで、
Nは、測定されたデータ点の数であり、
θは、GIXRR測定の入射角であり、
Icalc(θ,P)は、GIXRRの算出された強度であり、
Iexp(θ,P)は、GIXRRの測定された強度であり、
σ(θ)はGIXRR測定の不確定度であり、
lはフィッティングパラメーターの数である。
ベクトルPの成分としてのパラメーターをフィッティングするステップを含み、
方法は、
Nは、測定されたデータ点の数であり、
θは、GIXRR測定の入射角であり、
Icalc(θ,P)は、GIXRRの算出された強度であり、
Iexp(θ,P)は、GIXRRの測定された強度であり、
σ(θ)はGIXRR測定の不確定度であり、
lはフィッティングパラメーターの数であり、さらに、
NΛは、ベクトルxの長さであり、
rは、プロファイル平滑度(profile smoothness)の度合いを特定する調整パラメーターである。
ここで、||は引数の整数部分を返す整数関数であり、frac()は整数部分を超える余剰を返す小数部分関数であり、
frac(x)=x−|x| (2)
である。
ωj B=frac(Pj) (3)
によって、与えられる。
[外3]
を見出す。
Nは、測定されたデータ点の数であり、
θは、GIXRR測定の入射角であり、
Icalc(θ,P)は、GIXRRの算出された強度であり、
Iexp(θ,P)は、GIXRRの測定された強度であり、
σ(θ)はGIXRR測定の不確定度であり、
lはフィッティングパラメーターの数である。
NΛは、前記ベクトルxの長さであり、
rは、少数の、プロファイル平滑度の度合いを特定する調整パラメーターである、第1項は、期間内の連続性を支配し、第2及び第3番項はその境界上での連続性を設定する。同じ平滑化が構造の上部及び下部に適用された。
この方法の強みは、単一の実数パラメーターが、基板上の複数の層から複数の組成を表すことができる単一の変数を使用して、屈折率の実部及び虚部の両方を表すことができるという事実にある。各サブレイヤーの屈折率の実部及び虚部は、実際の潜在的な構成と一致し、フィッティングアルゴリズムを真の可能な実体(a true potential reality)を表すように強制する。Pの定義は、光学定数の実部と虚部のクラマース・クローニッヒの関係(Karmers-Kroning relationship)が自動的に満たされることを保証する。この制約はフィッティングを可能にし、他のアプローチが単純に機能しない場合でも収束する。
必要であれば、一定の密度を有する層を模倣し、フィッティングパラメーターの不必要な増加を避けるために、いくつかの薄層は同じ光学定数を有すると予測されることができる。
図5及び6は、上述の、シリコンの上にランタン、その上にルテニウム、その上に空気の実施例についての実験データとフィッティングラインを示す。
発明者は、最初に、シリコン層上にランタン層、その上にルテニウム層を有する比較例に従ったモデルを用いて測定データにフィッティングしようとした。小さい角度については合理的なフィッティングを与えることができたが、1°又は2°を超える角度についてはできなかった。結果として生じるχ2値は不十分な12.5であった。フィッティングは図5Aに示され、結果として生じるδ値プロファイルは図5Bに示される。
場合によっては、ベクトルPの初期のモデルが最適値からあまりに遠い場合、上記の通りの方法は1つのステップで曲線全体にフィッティングさせることが困難な場合がある。この場合、方法は、以下で詳細に説明するように、曲線中の複数のセグメントにフィッティングすることにより適用され得る。この方法は図7のフローチャートに記載されている。
フローチャートから分かるように、方法は、式(8)及び(9)で表されるように少数のサブレイヤーを使用して、制限された角度範囲にフィッティングされることにより開始され、フィッティングがその角度範囲にわたって得られると、角度範囲が拡張され、サブレイヤーの数が増やされる。
さらに、上述の方法は、値Pjの特定の表現を使用し、この表現に対する変形が可能であることに留意されたい。
(a)パラメーターPiが画定されたインデックス値の1つを有する場合に、それぞれの物理材料を表すために、及び、
(b)値Piが一組の画定されたインデックスの間にある場合に、一組のインデックス値の物理材料の混合物の組成を表すために、
画定され、
Pjの値は、前記組成が純粋な第1物理材料から第2物理材料へと変化するにつれて、一組のうちの第1物理材料のインデックス値から前記一組のうちの他の物理材料のインデックス値へ、単調に変化する。
(c)光学定数をPiと結びつける定義式を使用して計算することにより、又は、ルックアップテーブルから最も近い値の間を補間することにより、薄板の光学定数Iを見出すことができる。
上記で定義した実施形態では、インデックス値は単純にそれぞれの整数であり、空気にはインデックス値1が与えられ、それに最上層から始まる複数の後続の層は順に2、3等が与えられる。空気にインデックス値0を与え、最上層から1で始まることも可能であることはいうまでもない、又は、例えば最上層にインデックス値1を与え、次の層はインデックス値1001を、その次の層はインデックス値2001を与える等ということも可能である。通常は、表現が滑らかであることが好ましいので、実数により表される中間値では実数演算が使用されるが、しかしながら十分に大きい値を取ることによって、インデックス値の整数演算も使用され得る。
さらに、パラメーターPの値は、正でも負でもよいことに留意されたい。
Claims (11)
- 複数の既知の物理材料及び複数の前記物理材料間の界面で構成される薄膜積層体の特性を測定する方法であって、
当該方法は、
前記積層体内の異なる物理材料の複数の層の順序付きリストを画定し、各物理材料についてそれぞれ画定インデックス値を画定するステップであって、前記画定インデックス値は、前記順序付きリストに沿って、単調に増加し又は単調に減少する、ステップと、
角度範囲について、角度に対する強度の測定されたグレージング入射X線反射(GIXXR)曲線を補足するステップと、
前記薄膜積層体を表すN個のサブレイヤー(j)の配列を設定するステップであって、前記サブレイヤーの配列の各要素が、前記サブレイヤーの組成を表す画定したパラメーターPjを有する、ステップと、
前記パラメーターPjをフィッティングするステップであって、フィッティングされたパラメーター
[外1]
を得るために、前記パラメーターPjの関数としての角度に対する計算されたグレージング入射X線反射曲線が、角度に対する前記測定されたグレージング入射X線反射曲線に、前記角度範囲にわたって最も正確に適合するように、前記パラメーターPjをフィッティングするステップと、
前記フィッティングされたパラメーター
[外2]
に基づいて前記薄膜積層体の前記組成の測定を出力するステップと、
を含み、
前記パラメーターPjは、
(a)前記パラメーターPjが前記画定インデックス値の1つを有する場合に、それぞれの前記物理材料を表すために、及び
(b)値Pjが一組の画定インデックス値の間にある場合に、前記一組の画定インデックス値の両物理材料の混合物の組成を表すために、Pjの値は、前記組成が純粋な第1物理材料から第2物理材料へと変化するにつれて、前記一組のうちの第1物理材料の画定インデックス値から前記一組のうちの他の物理材料の画定インデックス値へ、単調に変化する、
画定された値を有する、方法。 - 前記画定インデックス値は、前記リスト内での前記物理材料の位置を表す整数であり、かつ、
非整数値Pjは、インデックス値|Pj|により表される前記材料の部分(1−frac(Pj))と、インデックス値|Pj|+1により表される前記材料の部分frac(Pj)と、を有する組成を表し、
ここで、||は、Pjの整数部分を返す整数関数であり、frac()は整数部分を超える超過を返す小数部分関数である、
請求項1記載の方法。 - 前記パラメーターPjをフィッティングする前記ステップは、
各測定角度について、前記計算されたグレージング入射X線反射曲線から前記測定されたグレージング入射X線反射曲線を減算することによって、得られる残差の2乗の合計の値を最小化するステップを含む、
請求項1又は2記載の方法。 - 前記パラメーターPjをフィッティングする前記ステップは、
ベクトルPの成分としての前記パラメーターをフィッティングするステップを含み、
当該方法は、
Nは、測定されたデータ点の数であり、
θは、GIXRR測定の入射角であり、
Icalc(θ,P)は、GIXRRの算出された強度であり、
Iexp(θ,P)は、GIXRRの測定された強度であり、
σ(θ)は、GIXRR測定の不確定度であり、
lは、前記フィッティングのパラメーターの数であり、
Rregは、プロファイル平滑度の度合いを特定する調整パラメーターである、
請求項1又は2記載の方法。 - 前記最小化するステップを実行するために、レーベンベルク・マルクワルト・アルゴリズムが使用される、
請求項3乃至5のいずれか1項記載の方法。 - Pjの値の関数としてPjにより表される材料に対する屈折率の実部の表示、及びPjの値の関数としてPjにより表される材料に対する屈折率の虚部の表示を供給するステップ、をさらに含み、
前記計算されたグレージング入射反射率値は、前記実部の表示及び前記虚部の表示を使用してPjの値から得られる屈折率値を使用して算出される、
請求項1乃至6のいずれか1項記載の方法。 - 第1上部角度までの第1角度範囲について、前記角度に対する強度の測定されたグレージング入射X線反射曲線をフィッティングするステップと、
前記角度に対する測定されたグレージング入射X線反射曲線をフィッティングする前記ステップを、少なくとも1つのそれぞれの上部角度までの少なくとも1つの後続の角度範囲について繰り返すステップであって、
各後続の角度範囲は、先行する前記ステップよりもより高い上部角度を有する、ステップと、
を含む、請求項1乃至8のいずれか1項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP16206361.4 | 2016-12-22 | ||
EP16206361.4A EP3339846B1 (en) | 2016-12-22 | 2016-12-22 | Method of measuring properties of a thin film stack |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018105862A JP2018105862A (ja) | 2018-07-05 |
JP6785752B2 true JP6785752B2 (ja) | 2020-11-18 |
Family
ID=57708404
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017244800A Active JP6785752B2 (ja) | 2016-12-22 | 2017-12-21 | グレージング入射x線反射率独立モデル |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10416101B2 (ja) |
EP (1) | EP3339846B1 (ja) |
JP (1) | JP6785752B2 (ja) |
CN (1) | CN108225224B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3428629B1 (en) * | 2017-07-14 | 2022-12-07 | Malvern Panalytical B.V. | Analysis of x-ray spectra using curve fitting |
CN111540420B (zh) * | 2020-05-09 | 2020-12-22 | 新磊半导体科技(苏州)有限公司 | 一种外延材料结构的结构参数确定方法及计算机程序产品 |
CN118583095A (zh) * | 2024-08-06 | 2024-09-03 | 长沙韶光芯材科技有限公司 | 一种异形玻璃基板镀膜厚度在线监测方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7062013B2 (en) * | 2001-04-12 | 2006-06-13 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | X-ray reflectometry of thin film layers with enhanced accuracy |
US6512814B2 (en) * | 2001-04-12 | 2003-01-28 | Jordan Valley Applied Radiation | X-ray reflectometer |
JP4224376B2 (ja) * | 2003-10-20 | 2009-02-12 | 株式会社リガク | 膜構造解析方法およびその装置 |
US7120228B2 (en) * | 2004-09-21 | 2006-10-10 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | Combined X-ray reflectometer and diffractometer |
CN101206112A (zh) * | 2007-12-20 | 2008-06-25 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种纳米级多层膜结构的测量方法 |
US8513603B1 (en) * | 2010-05-12 | 2013-08-20 | West Virginia University | In-situ determination of thin film and multilayer structure and chemical composition using x-ray fluorescence induced by grazing incidence electron beams during thin film growth |
US9377695B2 (en) * | 2011-02-24 | 2016-06-28 | Asml Netherlands B.V. | Grazing incidence reflectors, lithographic apparatus, methods for manufacturing a grazing incidence reflector and methods for manufacturing a device |
CN102435155A (zh) * | 2011-11-24 | 2012-05-02 | 上海华力微电子有限公司 | 一种薄膜厚度的量测方法 |
BR112014017483A8 (pt) * | 2012-01-16 | 2017-07-04 | Bayer Ip Gmbh | derivados de espiroindolina e composições farmacêuticas dos mesmos |
US20140168758A1 (en) * | 2012-12-13 | 2014-06-19 | Kla-Tencor Corporation | Carbon as grazing incidence euv mirror and spectral purity filter |
CN103245310B (zh) * | 2013-04-27 | 2015-08-19 | 哈尔滨工业大学 | 一种采用x射线反射仪测量样品表面特性的方法 |
CN105631193A (zh) * | 2015-12-21 | 2016-06-01 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 基于混合遗传算法的极紫外多层膜结构参数反演方法 |
-
2016
- 2016-12-22 EP EP16206361.4A patent/EP3339846B1/en active Active
-
2017
- 2017-12-15 CN CN201711352834.9A patent/CN108225224B/zh active Active
- 2017-12-21 JP JP2017244800A patent/JP6785752B2/ja active Active
- 2017-12-22 US US15/853,257 patent/US10416101B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108225224B (zh) | 2021-10-08 |
JP2018105862A (ja) | 2018-07-05 |
EP3339846B1 (en) | 2020-12-09 |
EP3339846A1 (en) | 2018-06-27 |
US10416101B2 (en) | 2019-09-17 |
CN108225224A (zh) | 2018-06-29 |
US20180180561A1 (en) | 2018-06-28 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191129 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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