JP2004534252A - 材料パラメータの決定 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、材料のパラメータを決定する方法に関する。特に、本発明は、材料のパラメータを決定するためにX線の散乱を用いることに関する。材料は、例えば、多数の非常に薄い層から構成される半導体試料でありうる。特に関心となるパラメータは、これらの層の組成及び厚さである。
【0002】
材料試料にX線分析を受けさせてX線散乱プロファイルを生成することにより材料試料を分析することは周知である。半導体基板を分析するとき、実際のプロファイルは材料の近似用の予想プロファイルと比較される。2つのプロファイルが異なる場合は、予想プロファイルは、2つのプロファイルを比較することにより発生される誤差データに基づいて変更される。この処理は、2つのプロファイルが略一致するまで繰り返され、一致する点では分析されている材料のパラメータは最後に変更された予想プロファイルに用いられたパラメータからわかっている。
【0003】
この技術は、多くの用途についてうまくいくが、幾つかの弱点がある。予測されたモデルの実験データへの当てはめは、プロファイルを生じさせる物理的機構が所望のパラメータに対して非常に敏感であるときは特に複雑となることがあり、X線散乱手順はこの分野に分類され、関心となるパラメータを達成するために反復的な手順でモデルの変更及び比較を行うことが必要である。計算されたプロファイルと実験プロファイルの間のずれに幾つかの最小があれば、自動改善処理中にしばしば不正確な解が生ずることとなる。この処理を改善する多くの方法が提案されている。
【0004】
米国特許第5442676号は、材料試料の特定の特性を決定する方法に関する。測定は、少なくとも部分的には特定の特性によって決定される構造的特徴を有する実験プロファイルを取得するために試料に対して行われ、選択されたパラメータを用いて試料に対する予想プロファイルが計算される。構造的特徴を減少させ、それにより平滑化された実験プロファイルを生じさせるよう、実験プロファイルに対してある度合いの平滑化が適用され、平滑化され計算されたプロファイルを生成するよう、計算されたプロファイルに対して同じ度合いの平滑化が適用される。平滑化され計算されたプロファイルは、平滑化されたプロファイル間の差を決定するよう平滑化された実験プロファイルと比較される。計算されたプロファイルは、次に、平滑化され変更されたプロファイルが平滑化された実験プロファイルに当てはまるまでパラメータのうちの少なくとも1つを変化させることによって変更される。構造的な特徴が戻り、最終的な変更され計算されたプロファイルが実験プロファイルに対する所望の当てはめを与え、それにより最終的な変更されたプロファイルに使用されるパラメータから特定の特性が決定されることを可能とするよう、上述のステップは毎回以前よりも小さい平滑化の度合いを用いて変更され計算されたプロファイルで繰り返される。これは、一般的には、特に最初の推量が近くないときは、当てはめ手順に必要な計算時間を減少させるはずである。更に、実験プロファイル及び計算されたプロファイルの平滑化は、もし平滑化が行われなければ間違った結果の可能性を高めるか少なくとも計算時間に不必要な増加を生じさせるような当てはめ手順中に生ずる付随的又は間違った最小の可能性をなくすか少なくとも減少させる。
【0005】
1998年1月30日にjournal Physica Bに発表されたエー・ディー・デーン(A.D.Dane)外による文献「Application of genetic algorithms for characterization of thin layered materials by glancing incidence x−ray reflectometry」では、材料の特徴を示すために公知の遺伝的アルゴリズムを使用することを提案している。遺伝的アルゴリズムは、最適化技術であり、2つのX線プロファイルを比較し、計算されたプロファイルを変更する処理中に使用される。遺伝的アルゴリズムは、一回の実行で良い当てはめを見いだすことが可能である。これは、反射測定値の分析に必要な人間の努力と専門的知識の量を減少させる。更に、可能な解を見過ごす確率を減少させる。
【0006】
米国特許第5530732号は、多重量子井戸構造といった、周期的に積層された構造のヘテロ界面での変性層の組成及び厚さを決定する方法を開示する。実際の構造のX線回折構造は測定され、理論上のX線分析パターンは、動的X線理論を用いて、また、パターン中の付随的なピークの付近のX線回折フリンジに特に注意を払って計算される。理論上のパターン上の主なピークと付随的なピークの夫々の位置は、まず測定されたパターンに当てはめられる。変性層の厚さ及び組成は、計算されたパターンが測定されたパターンに一致するまで反復的な分析で調整され、それにより積層された周期的な構造の正確な分析が与えられる。
【0007】
しかしながら、データが大きい角度的範囲にわたるものでありフリンジ効果が多い場合は、局所最小の密度は非常に高くなる。一般的な局所最小条件は、図3に示される。プロファイル全体を予想プロファイル(図2)に自動的に当てはめようとする処理は、幾つかのフリンジが重なり合い(プロファイルが重ねられたとき)間違った最小を与えることで、事実上不可能となる。
【0008】
従って、本発明は、材料のパラメータを決定する改善された方法を提供することを目的とする。
【0009】
本発明によれば、
a)材料の近似用の予想X線散乱プロファイルを計算する段階と、
b)材料の実際のX線散乱プロファイルを取得する段階と、
c)予想X線散乱プロファイルの選択された範囲を実際のX線散乱プロファイルの選択された範囲と比較し、選択された範囲に亘る前記プロファイル間の差に基づいて誤差データを発生する段階と、
d)誤差データに従って予想X線散乱プロファイルを変更する段階と、
e)予想X線散乱プロファイルの範囲が実際のX線散乱プロファイルの範囲に略一致するまで前記段階c)及びd)を繰り返す段階と、
f)範囲を拡張する段階と、
g)予想X線散乱プロファイルが実際のX線散乱プロファイルに略一致するまで段階c)乃至f)を繰り返し、それにより最後に変更された予想X線散乱プロファイルに用いられたパラメータから材料のパラメータを決定する段階とを含む、材料のパラメータを決定する方法が提供される。
【0010】
本発明によれば、まず予想X線散乱プロファイルの範囲を実際のX線散乱プロファイルに当てはめることにより、より複雑なX線散乱プロファイルの場合でも、比較的短い期間で正確な当てはめに達する、材料のパラメータを決定する方法を提供することが可能である。
【0011】
有利には、方法の段階c)の前に、プロファイルに対して、ある度合いの平滑化が適用される。プロファイルに対して平滑化を適用することにより、より簡単に、より速く、2つのプロファイルを一致させることができる。望ましくは、方法の段階d)の変更は、反復的なアルゴリズムを用いることによって達成される。また、方法の段階c)の前に、予想X線散乱プロファイルを変更するためにまず遺伝的アルゴリズムを使用することが望まれる。
【0012】
マッチングを行うときに最初の回に範囲を選択するとき、範囲はプロファイルのあまり感度の高くない領域であることが有利である。技術は、X線散乱プロファイルがX線反射プロファイルであり、範囲がX線散乱プロファイルのうちの散乱された強度が限界的なエッジ部から急速に低下する部分を含むときに、特に効を奏する。
【0013】
本発明の実施例について、例としてのみ、添付の図面を参照して説明する。
【0014】
例えば半導体試料でありうる材料のパラメータを決定するために、X線散乱技術を用いた分析が行われうる。このような技術は、例えばSpringer−Verlag社によって1999年に出版されたヴィー・ホーリー(V.Holy)外による「High Resolution X−Ray Scattering from Thin Films and Multilayers」から周知である。図1は、このような材料のパラメータを決定する方法のフローチャートである。
【0015】
第1の段階10は、材料の近似用の予想X線散乱プロファイルを計算することである。分析が、例えば半導体製造装置での品質管理のために行われるとき、分析を行っているユーザは、試料の構成要素について良い知識をもつこととなる。ユーザが試料の構成要素を知らないとき、最良の推量は入手可能な情報からなされねばならない。構成要素の情報から、周知であるが、例えばImperial College Pressから2000年に出版されたピー・エフ・フュースター(P.F.Fewster)による「X−ray scattering from semiconductors」に記載されている技術を用いて、ユーザは分析されている材料の近似用の予想プロファイルを計算しうる。
【0016】
第2の段階12は、例えば、材料のX線散乱プロファイルを生じさせるためにX線反射計の中で試料を分析することにより、試料の実際のX線散乱プロファイルを得ることである。
【0017】
第3の段階14は、選択された範囲に亘って2つのX線散乱プロファイルを比較することである。この範囲は、各プロファイルの最初の10%であってもよく、或いは、ユーザによって設定される任意の所望の範囲であってもよい。範囲を比較するとき、選択された範囲に亘るプロファイル間の差に基づいて誤差データが発生される。第4の段階16において、予想X線散乱プロファイルは、段階14において発生される誤差データに従って、周知であるが、例えば1994年にJ.Appl.Cryst.に発表されたジェー・ジー・イー・クラップ(J.G.E.Klappe)及びピー・エフ・フュースター(P.F.Fewster)による「Fitting of Rocking Curves from Ion−Implanted Semiconductors」に記載された方法で変更される。
【0018】
段階18において、予想X線散乱プロファイルの範囲が実際のX線散乱プロファイルの範囲に一致するかどうかを調べるチェックが行われる。一致がどの程度近くなくてはならないかは、ユーザによって設定され得、これは発生された誤差データが所定の閾値を下回るということと事実上同じである。2つのプロファイルが範囲に亘って一致しない場合、ユーザは段階14へ戻り、段階14及び16は2つのプロファイルの範囲が略一致するまで繰り返される。この一致が生じた場合、方法の次の段階は、範囲が所定の規程に従って拡張される段階20である。この規程の実現可能性は、散乱プロファイル全体である範囲への拡張、或いは、プロファイル全体への段階毎のアプローチを含む。例えば、範囲が散乱プロファイル全体の1/n(nは任意の自然数)である場合、拡張は、最終的な繰り返しのときに範囲がプロファイル全体となるまで、毎回1/nずつ範囲を増加させる。
【0019】
段階22において、予想散乱プロファイルが実際のX線散乱プロファイルに略一致するかを調べるために第2のチェックが行われる。一致しない場合、ユーザは段階14へ戻り、段階14、16、18、20及び22は、2つのプロファイルが略一致するまで繰り返される。この点において、方法はエンド24において終了し、それにより材料のパラメータは最後に変更された予想X線散乱プロファイルに使用されたパラメータから決定される。
【0020】
図1の方法は、元の近似やプロファイル範囲及び範囲拡張ステップといったユーザにより定義される面をユーザが入力するための適切なユーザインタフェースを有するコンピュータ上のソフトウエア中で実行される。ユーザは、ディスプレイを介して、一致の進行を見て、時が経つうちに結果を受信することができる。
【0021】
図2及び図3は、特定の材料の使用のためのX線反射測定プロファイルを示す。反射測定は、非常に低い入射角のX線で試料を照射することを含むX線散乱の1つの形式である。角度は、x軸上にオメガとして示され、反射光線の測定された強度はy軸上に対数的に示され、これはX線反射測定プロファイルのための従来の配置である。分析されている材料は、以下のように構成されると想定される。
【0022】
基板:GaAs(ヒ化ガリウム)
以下の2つの層、即ち:
層1:AlAs(ヒ化アルミニウム)85ナノメートル厚
層2:GaAs 75ナノメートル厚
の8回の繰り返しの超格子。
【0023】
図2は、そのような材料が発生するであろう予想X線散乱プロファイルを示し、図3は登録商標Philips X’Pert MRD装置中で材料を分析することによって得られる材料の実際のX線散乱プロファイルを示す。図3のプロファイルからわかるように、実際の材料は、ユーザによって選択される近似とはその組成が異なる。
【0024】
最初に比較されマッチングされるべき2つのプロファイルの範囲は、プロファイルのうちの0.325度までの部分である。これは、プロファイルのあまり感度の高くない領域であり、また、散乱された強度が限界的なエッジ部(このプロファイルでは約0.3度)から急速に低下する部分も含む。このエッジ部の付近では、最も高い強度を有するため、プロファイルは試料の一般的な全体的な構造を示す。即ち、全てのパラメータは、この範囲内のこのデータに当てはまるためには実際の値を近似せねばならない。しかしながら、より高い角度にあるデータは、構造中のより細かい詳細を表わし、小さいパラメータ変化に対して非常に感度が高い。これは、間違った最小に関連する重大な問題を引き起こしうる。この高い角度のデータは、当てはめ処理を支配し、実際のパラメータを決定する可能性を非常に困難としうる。手順は、予想プロファイルを反復的に変化させ、高い角度のデータを最初に無視することによって強度を限界的なエッジ部に近くに当てはめることである。この範囲に対する最も良い当てはめを生じさせるためにプロファイルが変化された場合、範囲は拡張され、モデルは改善されたパラメータを生じさせるよう更に改善される。範囲は、予想X線散乱プロファイル全体が実際の散乱プロファイルに一致するまで、毎回0.1度のステップずつ増加される。
【0025】
2つのプロファイルの一致の処理を助けるため、多くの改善点が用いられる。第1の改善点は、プロファイルの比較の前に、2つのプロファイルに対してある度合いの平滑化が適用され、次に平滑化されたプロファイルがマッチング処理に使用されることである。この平滑化の度合いは、処理のある点において、一連のステップで或いは全てを一度に、ゼロへと減少されねばならない(実際のプロファイルをその元の形へ戻す)。この平滑化の除去は、理想的には何回か又は殆どのマッチングが生じた後に行われる。第2の改善点は、プロファイルの比較の前に(そしていかなる平滑化も適用される前に)、予想X線プロファイルを変更するために遺伝的アルゴリズムが使用されることである。遺伝的アルゴリズムを用いることにより、予想プロファイルは主のマッチング処理が始まる前に実際のプロファイルに近くされる。このようにして、ユーザによる最初の推量は、プロファイルの正確な当てはめの間に改善される。これらの改善点のいずれも、改善された方法を与える。
【図面の簡単な説明】
【0026】
【図1】材料のパラメータを決定する方法のフローチャートを示す図である。
【図2】材料の予想X線散乱プロファイルを示す図である。
【図3】図2の材料の実際のX線散乱プロファイルを示す図である。
Claims (10)
- 材料のパラメータを決定する方法であって、
a)前記材料の近似用の予想X線散乱プロファイルを計算する段階と、
b)前記材料の実際のX線散乱プロファイルを取得する段階と、
c)前記予想X線散乱プロファイルの選択された範囲を前記実際のX線散乱プロファイルの選択された範囲と比較し、前記選択された範囲に亘る前記プロファイル間の差に基づいて誤差データを発生する段階と、
d)前記誤差データに従って前記予想X線散乱プロファイルを変更する段階と、
e)前記予想X線散乱プロファイルの範囲が前記実際のX線散乱プロファイルの範囲に略一致するまで前記段階c)及びd)を繰り返す段階と、
f)前記範囲を拡張する段階と、
g)前記予想X線散乱プロファイルが前記実際のX線散乱プロファイルに略一致するまで前記段階c)乃至f)を繰り返し、それにより最後に変更された予想X線散乱プロファイルに用いられたパラメータから前記材料のパラメータを決定する段階とを含む、方法。 - 前記方法の段階f)は、前記範囲が散乱プロファイル全体となるよう前記範囲を拡張することを含む、請求項1記載の方法。
- 前記範囲は散乱プロファイル全体の1/nであり、ただしnは任意の自然数であり、前記拡張は前記範囲を毎回1/nずつ増加させる、請求項1記載の方法。
- 前記方法の段階d)の前に、ある度合いの平滑化が前記プロファイルに適用される、請求項1乃至3のうちいずれか一項記載の方法。
- 前記方法の段階d)における変更は、反復的なアルゴリズムを用いることによって達成される、請求項1乃至4のうちいずれか一項記載の方法。
- 前記アルゴリズムは遺伝的アルゴリズムである、請求項5記載の方法。
- 前記範囲は前記プロファイルのあまり感度の高くない領域である、請求項1乃至6のうちいずれか一項記載の方法。
- 前記X線散乱プロファイルはX線反射プロファイルである、請求項1乃至7のうちいずれか一項記載の方法。
- 前記範囲は、前記X線散乱プロファイルのうちの、散乱された強度が限界的なエッジ部から急速に低下する部分を含む、請求項8記載の方法。
- 請求項1乃至9のうちいずれか一項記載の方法を行うようにされる、材料のパラメータを決定する装置。
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Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7582051B2 (en) * | 2005-06-10 | 2009-09-01 | Cardiokinetix, Inc. | Peripheral seal for a ventricular partitioning device |
JP3953754B2 (ja) * | 2001-06-27 | 2007-08-08 | 株式会社リガク | 密度不均一試料解析方法ならびにその装置およびシステム |
EP1522958B1 (en) * | 2003-10-07 | 2007-01-24 | Bruker AXS GmbH | Determining parameters of a sample by X-ray scattering applying an extended genetic algorithm with truncated use of the mutation operator |
DE60329105D1 (de) * | 2003-10-07 | 2009-10-15 | Bruker Axs Gmbh | Anwendung eines verbesserten genetischen Algorithmus zur Anpassung von Röntgenstreu-Daten |
US7388677B2 (en) * | 2004-03-22 | 2008-06-17 | Timbre Technologies, Inc. | Optical metrology optimization for repetitive structures |
US7804934B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-09-28 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Accurate measurement of layer dimensions using XRF |
US20060187466A1 (en) * | 2005-02-18 | 2006-08-24 | Timbre Technologies, Inc. | Selecting unit cell configuration for repeating structures in optical metrology |
US7103142B1 (en) * | 2005-02-24 | 2006-09-05 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | Material analysis using multiple X-ray reflectometry models |
US20060256916A1 (en) * | 2005-05-13 | 2006-11-16 | Rudolph Technologies, Inc. | Combined ultra-fast x-ray and optical system for thin film measurements |
US7113566B1 (en) * | 2005-07-15 | 2006-09-26 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | Enhancing resolution of X-ray measurements by sample motion |
US7894321B2 (en) * | 2005-09-28 | 2011-02-22 | Epson Toyocom Corporation | Laminated wave plate and optical pickup using the same |
KR101374308B1 (ko) * | 2005-12-23 | 2014-03-14 | 조르단 밸리 세미컨덕터즈 리미티드 | Xrf를 사용한 층 치수의 정밀 측정법 |
US20070274447A1 (en) * | 2006-05-15 | 2007-11-29 | Isaac Mazor | Automated selection of X-ray reflectometry measurement locations |
US8000435B2 (en) * | 2006-06-22 | 2011-08-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and system for error compensation |
FR2904421B1 (fr) * | 2006-07-28 | 2008-10-31 | Areva Np Sas | Procede de caracterisation non destructif, notammenent pour les particules de combustible nucleaire pour reacteur a haute temperature |
IL180482A0 (en) * | 2007-01-01 | 2007-06-03 | Jordan Valley Semiconductors | Inspection of small features using x - ray fluorescence |
US7680243B2 (en) * | 2007-09-06 | 2010-03-16 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | X-ray measurement of properties of nano-particles |
US20090071002A1 (en) * | 2007-09-18 | 2009-03-19 | United Technologies Corp. | Methods for Repairing Gas Turbine Engine Components |
CN102160085B (zh) * | 2008-09-16 | 2013-11-20 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 成像装置 |
FI20095843A (fi) * | 2009-08-14 | 2011-02-15 | Con Boys Oy | Menetelmä ja järjestelmä epäjärjestäytyneestä materiaalista sirontamittauksilla mitatun aineiston analysoimiseksi |
US9390984B2 (en) | 2011-10-11 | 2016-07-12 | Bruker Jv Israel Ltd. | X-ray inspection of bumps on a semiconductor substrate |
US10013518B2 (en) * | 2012-07-10 | 2018-07-03 | Kla-Tencor Corporation | Model building and analysis engine for combined X-ray and optical metrology |
US9389192B2 (en) | 2013-03-24 | 2016-07-12 | Bruker Jv Israel Ltd. | Estimation of XRF intensity from an array of micro-bumps |
US9632043B2 (en) | 2014-05-13 | 2017-04-25 | Bruker Jv Israel Ltd. | Method for accurately determining the thickness and/or elemental composition of small features on thin-substrates using micro-XRF |
CN106852115A (zh) | 2014-09-28 | 2017-06-13 | 卡迪欧凯尼迪克斯公司 | 用于治疗心功能不全的装置 |
US9829448B2 (en) | 2014-10-30 | 2017-11-28 | Bruker Jv Israel Ltd. | Measurement of small features using XRF |
RU2581744C1 (ru) * | 2014-11-21 | 2016-04-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) | Способ определения параметров решетки в выбранной малой области эпитаксиального слоя с градиентом химического состава |
US10898330B2 (en) | 2017-03-28 | 2021-01-26 | Edwards Lifesciences Corporation | Positioning, deploying, and retrieving implantable devices |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06229950A (ja) * | 1992-12-21 | 1994-08-19 | Philips Electron Nv | 物質サンプルの特性決定方法及びその利用法 |
JP2000121582A (ja) * | 1998-10-14 | 2000-04-28 | Fujitsu Ltd | 金属多層膜のx線反射率プロファイル解析方法及び記憶媒体 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2289833B (en) | 1994-05-24 | 1998-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | Method and apparatus for evaluating thin-film multilayer structure |
US5740226A (en) | 1995-11-30 | 1998-04-14 | Fujitsu Limited | Film thickness measuring and film forming method |
US6226348B1 (en) * | 1998-12-15 | 2001-05-01 | Philips Electronics North America Corporation | X-ray diffractometer method for determining thickness of multiple non-metallic crystalline layers and fourier transform method |
US6453006B1 (en) * | 2000-03-16 | 2002-09-17 | Therma-Wave, Inc. | Calibration and alignment of X-ray reflectometric systems |
-
2001
- 2001-07-10 GB GBGB0116825.1A patent/GB0116825D0/en not_active Ceased
-
2002
- 2002-06-25 US US10/179,323 patent/US6823043B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-10 EP EP02751519A patent/EP1405061A2/en not_active Withdrawn
- 2002-07-10 JP JP2003512691A patent/JP2004534252A/ja active Pending
- 2002-07-10 WO PCT/IB2002/003078 patent/WO2003006972A2/en active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06229950A (ja) * | 1992-12-21 | 1994-08-19 | Philips Electron Nv | 物質サンプルの特性決定方法及びその利用法 |
JP2000121582A (ja) * | 1998-10-14 | 2000-04-28 | Fujitsu Ltd | 金属多層膜のx線反射率プロファイル解析方法及び記憶媒体 |
Non-Patent Citations (3)
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A. D. DANE 外4名: ""Application of genetic algorithms for characterization of thin layered materials by glancing incid", PHYSICA B, vol. Volume 253, Issues 3-4, JPN4006006835, 15 October 1998 (1998-10-15), pages 254 - 268, ISSN: 0000731939 * |
A. D. DANE 外4名: ""Application of genetic algorithms for characterization of thin layered materials by glancing incid", PHYSICA B, vol. Volume 253, Issues 3-4, JPNX006044666, 15 October 1998 (1998-10-15), pages 254 - 268, ISSN: 0000776344 * |
A. D. DANE 外4名: ""Application of genetic algorithms for characterization of thin layered materials by glancing incid", PHYSICA B, vol. Volume 253, Issues 3-4, JPNX007010886, 15 October 1998 (1998-10-15), pages 254 - 268, ISSN: 0000824975 * |
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Publication number | Publication date |
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