JP6775131B2 - 電源装置 - Google Patents
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Description
する電源装置では、絶縁型トランスの2次側の巻き線に生じる交流電力を整流し平滑した
後直流電力として出力していた。この直流電力は1次側の巻き線に流す電流を制御するこ
とによってその電圧を制御することができ、リアクタに蓄える電磁エネルギーで昇圧され
るものである。
側の巻き線に通電される電流を制御する場合、複数のスイッチング素子が全てオフ状態に
成る場合がある。この時、リアクタに電磁エネルギーが蓄積されているとこの電磁エネル
ギーの行き場(電流が流れる経路)がなくなりスイッチング素子の端子間電圧を上昇させ
る。この端子間電圧がスイッチング素子の耐圧を超えるとこのスイッチング素子は破損に
至る。スイッチング素子の破損を防止するためにリアクタの電磁エネルギーを解放、放電
または消費させるためにリアクタの両端子にスナバ回路を設けるものがあった。(特許文
献1参照)
電流を吸収可能なスナバ回路が記載されている。このスナバ回路はトランス(絶縁型トラ
ンスに相当)に流れる電流の遮断時にインダクタから流れる電流を吸収させるものであっ
た。インダクタに蓄積された電磁エネルギーを吸収(コンデンサで吸収後に抵抗で消費)
することによってスイッチング素子の印加電圧が耐圧以上になりこのスイッチング素子が
破損に至ることを防止していた。
側の巻き線への通電を制御する複数のスイッチング素子のオン/オフ状態とスナバ用スイ
ッチング素子のオン/オフ状態とを同期させる必要がある。1次側の巻き線に電流を通電
しているときに時にスナバ用スイッチング素子をオン状態にするとこの1次側の巻き線に
電流が流れなくなり電源装置の出力電圧が低下する。またリアクタに電磁エネルギーを蓄
積しているときにスナバ用スイッチング素子をオン状態にするとこの電磁エネルギーがス
ナバ回路に吸収され電源装置の出力電圧が低下する。
オン状態にするが、この間に時間遅れが生じる。この時間遅れの間にリアクタに蓄積され
ていた電磁エネルギーは複数のスイッチング素子のオン/オフ状態の変化に伴うスパイク
電圧とぶつかり合い高圧のスパイク状の電圧となってリアクタと複数のスイッチング素子
とを繋ぐ配線に生じる。また、コンデンサは少なくともこの高圧のスパイク状の電圧に耐
えうる耐圧特性が必要になる。更に特許文献1に記載のものではリアクタの電磁エネルギ
ーがコンデンサで吸収されるので、スナバ用スイッチング素子をオフ状態にした際にリア
クタの出力側(2次側)の電圧が実質的に入力側(1次側)の電圧まで低下している。こ
のため配線の電圧が上昇するまでに時間遅れが生じ、電源装置の出力電圧が目標電圧へ収
束する際の遅れにつながり出力電圧の追従性が抑制されるものであった。
置から出力されることはなく、電源装置の変換効率の低下につながる。この電磁エネルギ
ーの損失量は電源装置の出力が大きさに連れて大きくなるものである。
ネルギーを吸収すると共に、コンデンサの端子電圧を制御するものである。
のスイッチング素子のオン/オフ状態を組み合わせて絶縁型トランスの1次側巻き線へ交
互に極性を変えて通電し、当該絶縁型トランスの2次側巻き線に誘起する交流電力を整流
し平滑した直流電力を出力する電源装置において、配線からダイオードを介して充電され
るコンデンサと、当該コンデンサの端子電圧が予め定めた電圧以上の時にコンデンサに充
電された電荷を放電させる放電用のスイッチング素子とを備えるものである。
耐圧を下げると共に電圧低下による損失の抑制を図るものである。
状態を組み合わせて絶縁型トランスの1次側巻き線へ交互に極性を変えて通電し、当該絶
縁型トランスの2次側巻き線に誘起する交流電力を整流し平滑した直流電力を出力する電
源回路に用いることができるものである。
が入力される端子であり、例えば太陽電池など出力電圧が自然環境によって変化する直流
電力を出力する直流電源などが接続可能である。
ージ内に収納しているIPM(Intelligent Power Moduleであ
り電力を制御するパワーMOSFETや絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)
などのパワースイッチング素子を収納すると共に、これらスイッチング素子の駆動回路や
自己保護機能を組み込んだ電力用の半導体素子)である。尚、スイッチング素子2a、ス
イッチング素子2bは単相ブリッジ状の結線を成すスイッチング素子とは別に夫々パッケ
ージされた素子を用いても良いものである。
配置され、これらのスイッチング素子のドライブ回路やドライブ電源回路なども同時にパ
ッケージ内に収納されている。IPM2には、少なくともスイッチング素子2a乃至2f
の夫々のエミッタ端子、コレクタ端子、及びオン/オフ状態を制御する信号L、信号S、
信号Dを入力する端子が設けられている。(エミッタ端子、コレクタ端子はスイッチング
素子にトランジスタを用いた際の名称であり、ドレン端子、ソース端子などスイッチング
素子の種類に応じて読み換えるものである。)
された電圧レベルの信号)であり、スイッチング素子2bのオン/オフ状態の制御に用い
られる。信号Sはスイッチング素子2aのオン/オフ状態を制御するものである。信号D
はスイッチング素子2c乃至スイッチング素子2fのオン/オフ状態を制御するものであ
る。信号L、信号S、信号Dは制御部4から出力される。
ターンなどを含む)がつながる。この配線5には、ダイオード6を介してスイッチング素
子2a、スイッチング素子2c、スイッチング素子2eがつながっている。ダイオード6
、スイッチング素子2aの直列回路は配線5をリアクタ1の入力端(1次側)1aにつな
げる第1のスナバ回路を構成している。
状態が制御され、スイッチング素子2c、スイッチング素子2fがオン状態でスイッチン
グ素子2d乃至スイッチング素子2eがオフ状態の場合と、スイッチング素子2c、スイ
ッチング素子2fがオフ状態でスイッチング素子2d乃至スイッチング素子2eがオン状
態の場合とが交互に繰り返されることにより絶縁型トランス7の1次側巻き線7aへ交互
に極性を変えて電流が通電される。
ジ状に結線した全波整流回路8で整流された後コンデンサ9で平滑され直流電力となる。
この直流電力の電圧は1次側巻き線7aに通電する電流量と絶縁型トランス7の巻き線比
に基づき、リップルはスイッチング素子2c乃至スイッチング素子2fのスイッチング周
波数に基づく。リップルはこの周波数を高くすれば小さくなるが絶縁型トランス7の損失
が増加する。この直流電力は電源装置の出力に相当し、この直流電力は6個のスイッチン
グ素子を3相インバータ回路に結線したインバータ部10で3相の疑似正弦波に変換され
た後、コンデンサ及びリアクタで構成されるフィルタ11を介して高周波成分が除去また
は減衰された後三相交流電力UVWで出力される。この三相交流電力は交流負荷または系
統に重畳することが可能である。インバータ部10のスイッチング素子のオン/オフ状態
を制御する信号Iは制御部から出力され、この信号Iは例えばPWM(Pulse Wi
dth Modulation)方式に基づくものである。尚、インバータ部10の回路
結線をNPC(中性点クランプ)方式や階調方式などの回路結線とすることも可能であり
信号Iは夫々の回路結線に合わせて制御部4で生成すれば良い。
ン/オフ状態の変化を示す説明図である。T1の期間では、スイッチング素子2c、スイ
ッチング素子2fがオン状態でスイッチング素子2d、スイッチング素子2eがオフ状態
の場合と、スイッチング素子2c、スイッチング素子2fがオフ状態でスイッチング素子
2d、スイッチング素子2eがオン状態の場合とが交互に繰り返され1周期分の交流電力
が生成され絶縁型トランス7の1次側巻き線7aに供給される。
ッチング素子2aがオン状態となる。従って、リアクタ1の2次側1bから出力される電
磁エネルギーはダイオード6、スイッチング素子2aを介してリアクタ1の1次側1aに
吸収される。期間T2はこの電磁エネルギーがリアクタ1の抵抗分で消費される時間を考
量して設定される。尚、期間T2の前後には夫々のスイッチング素子の動作遅れを考慮し
てスイッチング素子2aを早めにオン状態に変え、また遅れてオフ状態にしている。スイ
ッチング素子の耐圧、応答速度が充分であれば省略することも可能である。また、絶縁型
トランス7の一次側巻き線7aを流れていた電流があれば同時に吸収される。
イッチング素子2c及びスイッチング素子2fの組み合わせまたはスイッチング素子2d
及びスイッチング素子2eの組み合わせがオフ状態に変わる時にリアクタ1の出力側1b
から出力される電磁エネルギー(電流)と絶縁型トランス7の1次側の漏れインダクタン
スによって1次側巻き線7aからリアクタ1の出力側1bに向かって流れる電流とが配線
5でぶつかり、瞬間的にスパイク状の高電圧(条件によっては数千ボルトに達する。)と
なる。このスパイク状のサージ電圧(エネルギー)は配線5につながるダイオード12及
びコンデンサ13から成る第2のスナバ回路で吸収される。
所定値以上になった際にスイッチング素子2bをオン状態にする。スイッチング素子2b
がオン状態に成ることによって、配線5が抵抗14、スイッチング素子2bの直列回路を
介してリアクタ1の1次側1aにつながる放電回路を構成する。従って、配線5に生じた
スパイク状のサージ電圧のうち予め定めた電圧以上の部分はリアクタ1の1次側1aへ流
れ、抵抗14で消費されて減衰する。尚、コンデンサ13の電荷は抵抗を介して当該コン
デンサの端子間で放電するようにしても良く、図1に示した回路結線に限るものではない
。
に印加される。比較器3の他方の端子には信号L(電圧信号)が印加され、この信号Lは
制御部4のD/A端子の出力(デジタル/アナログ変換された電圧)であり制御部4によ
って電圧が任意に制御される。従って、コンデンサ13の端子電圧は信号Lに相当する予
め定めた電圧以下に制御されるので、コンデンサ13の耐圧はスパイク状のサージ電圧の
ピークより充分に低くかつ予め定めた電圧以上の電圧であれば良い。尚、比較器3の動作
には所定のディファレンシャルを設定することも可能である。また、比較器3を用いた動
作回路に換えて、コンデンサ13の端子電圧を制御部4へ取り込み、この制御部4からオ
ンデューティを制御したスイッチング信号をスイッチング素子2bへ出力するように構成
することも可能である。
電圧に近い予め定めた電圧にすることができる。コンデンサ13の端子電圧をこのように
設定することによってコンデンサ13の端子電圧(電荷の放電)に伴うエネルギー損失を
抑制することができる。すなわち、電源装置の変換効率を上げることができる。また、端
子P、端子Nに太陽電池を接続しこの太陽電池を最適動作点で発電するように制御した場
合、配線5の電圧は変動するので、制御部4はこの電圧を検出し、この電圧に基づき信号
Lの電圧レベルを変えてコンデンサ13の予め定められた電圧を可変制御すれば太陽電池
の発電領域にわたって変換効率を上げることができるものである。
圧する際のスイッチング素子の動作によるパルス状のサージ電圧を抑制する電源装置に用
いられるものである。
るためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明はその趣旨を逸脱すること
なく、変更、改良され得ると共に本発明にはその等価物が含まれることは勿論である。
2 IPM
4 制御部
5 配線
6 ダイオード
7 絶縁型トランス
8 全波整流回路
9 コンデンサ
10 インバータ部
11 フィルタ
Claims (4)
- リアクタの出力側及び配線を順に介して得られる直流電流を複数のスイッチング素子の
オン/オフ状態を組み合わせて絶縁型トランスの1次側巻き線へ交互に極性を変えて通電
し、当該絶縁型トランスの2次側巻き線に誘起する交流電力を整流し平滑した直流電力を
出力する電源装置において、
前記配線から第1ダイオードを介して充電されるコンデンサを有するスナバ回路と、
当該コンデンサの端子電圧が予め定めた電圧以上の時に前記コンデンサに充電された電
荷を放電させる放電用のスイッチング素子と、
前記複数のスイッチング素子が全てオフになり前記絶縁型トランスの1次側巻き線へ電
流を通電しない際に動作して前記リアクタから出力される電磁エネルギーを前記リアクタ
の入力側へ放電する前記放電用のスイッチング素子とは別のスナバ用スイッチング素子を
備えることを特徴とする電源装置。 - 前記スナバ用スイッチング素子は、前記複数のスイッチング素子が全てオフになり前記
絶縁型トランスの1次側巻き線へ電流を通電しなくなる前にオン状態にすることを特徴と
する請求項1に記載の電源装置。 - 前記スナバ用スイッチング素子は、前記複数のスイッチング素子のオン/オフ状態の組
み合わせが前記絶縁型トランスの1次側巻き線へ電流を通電する組み合わせになった後に
オフ状態にすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電源装置。 - 前記スナバ用スイッチング素子は、前記コンデンサを介さずに第2ダイオードと直列接
続され、当該直列回路は前記リアクタの出力端と入力端とを接続することを特徴とする請
求項1乃至請求項3の何れかに記載の電源装置。
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