JP6774368B2 - Maintenance method of heat treatment equipment - Google Patents

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Description

本発明は、半導体基板、液晶表示用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板に対して熱処理を行う熱処理装置のメンテナンス方法に関する。 The present invention relates to a maintenance method for a heat treatment apparatus that heat-treats a substrate such as a semiconductor substrate, a glass substrate for liquid crystal display, a glass substrate for a photomask, or a substrate for an optical disk.

熱処理装置は、チャンバと熱処理プレートとを備えている。熱処理プレートは、チャンバの内部に設けられている。熱処理プレートは、水平姿勢で載置された基板に対して熱処理を行うが、この熱処理において、次のような問題がある。すなわち、基板上には、塗布液が塗布されている。熱処理プレートによって基板が加熱されると、塗布液から昇華物が発生する。そして、昇華物が冷却されると、昇華物が結晶化し、チャンバの内壁に付着および堆積する。この問題に対して、熱処理装置は、チャンバ内の気体を排気し、トラップ部によって昇華物を除去するように構成されている（例えば、特許文献１〜３参照）。 The heat treatment apparatus includes a chamber and a heat treatment plate. The heat treatment plate is provided inside the chamber. The heat treatment plate heat-treats a substrate placed in a horizontal position, and this heat treatment has the following problems. That is, the coating liquid is applied on the substrate. When the substrate is heated by the heat treatment plate, a sublimated product is generated from the coating liquid. Then, when the sublimated product is cooled, the sublimated product crystallizes and adheres to and deposits on the inner wall of the chamber. To solve this problem, the heat treatment apparatus is configured to exhaust the gas in the chamber and remove the sublimated material by the trap portion (see, for example, Patent Documents 1 to 3).

なお、特許文献２，３には、熱処理プレートに対して昇降する蓋状のチャンバを備えた熱処理装置が開示されている。蓋状のチャンバが上昇すると、熱処理プレートの側方が全周で開放される。 In addition, Patent Documents 2 and 3 disclose a heat treatment apparatus provided with a lid-shaped chamber that moves up and down with respect to the heat treatment plate. When the lid-shaped chamber rises, the sides of the heat treatment plate are opened all around.

特開平０６−０８４７８２号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 06-08472 特許第４４６７２６６号公報Japanese Patent No. 4467266 特許第４２９０５７９号公報Japanese Patent No. 4290579

上述の特許文献２，３の熱処理装置は、基板を取り出す際に、蓋状のチャンバが上昇して熱処理プレートの側方が全周で開放されるように構成されている。しかしながら、内部圧力やガス濃度を調節するために密閉性能が求められる場合には、熱処理プレートの一方向に基板を出入りさせる基板出入口を設けた構成を採用したい。しかしながら、基板出入口と別にチャンバのメンテナンス用の開口部が必要となるが、極力、開口部の個数は少なくしたい。 The heat treatment apparatus of Patent Documents 2 and 3 described above is configured such that when the substrate is taken out, the lid-shaped chamber rises and the sides of the heat treatment plate are opened all around. However, when sealing performance is required to adjust the internal pressure and gas concentration, it is desirable to adopt a configuration in which a substrate entrance / exit is provided in one direction of the heat treatment plate. However, although an opening for maintenance of the chamber is required separately from the substrate entrance / exit, the number of openings should be reduced as much as possible.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、開口部の個数を増やさずに、基板出入口とは別に設けられたチャンバの開口部によって、チャンバ内のメンテナンスができる熱処理装置のメンテナンス方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and is a heat treatment apparatus capable of performing maintenance in the chamber by means of chamber openings provided separately from the substrate entrance / exit without increasing the number of openings . The purpose is to provide a maintenance method.

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明に係る熱処理装置のメンテナンス方法は、基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内の下部に設けられ、基板を熱処理する熱処理プレートと、前記チャンバの側壁に設けられた基板出入口とを備えた熱処理装置のメンテナンス方法において、着脱部によって、前記基板出入口とは別に前記チャンバの側壁に設けられた排気口に接続されて前記チャンバ内の気体を排気する排気ダクト部を前記チャンバから取り外す工程と、前記チャンバから前記排気ダクト部を取り外した後、前記チャンバ外まで延ばすための信号線が接続された温度センサを有する温度測定用基板を、前記排気口を通じて前記チャンバに搬入する工程と、前記温度測定用基板の搬入後、前記温度測定用基板を用いて温度を測定する工程と、前記着脱部によって、前記チャンバに前記排気ダクト部を取り付ける工程と、を備えていることを特徴とするものである。 The present invention has the following configuration in order to achieve such an object. That is, the maintenance method of the heat treatment apparatus according to the present invention includes a chamber for accommodating the substrate, a heat treatment plate provided in the lower part of the chamber for heat-treating the substrate, and a substrate entrance / exit provided on the side wall of the chamber. In the maintenance method of the heat treatment apparatus, the step of removing the exhaust duct portion, which is connected to the exhaust port provided on the side wall of the chamber separately from the substrate inlet / outlet and exhausts the gas in the chamber, from the chamber by the detachable portion. After removing the exhaust duct portion from the chamber, a step of carrying a temperature measurement substrate having a temperature sensor to which a signal line extending to the outside of the chamber is connected into the chamber through the exhaust port and the temperature. It is characterized in that it includes a step of measuring the temperature using the temperature measuring board after carrying in the measuring board, and a step of attaching the exhaust duct portion to the chamber by the detachable portion. is there.

本発明に係る熱処理装置のメンテナンス方法によれば、基板出入口とは別にチャンバの側壁には、排気口が設けられており、その排気口には、チャンバ内の気体を排気する排気ダクト部が接続されている。排気ダクト部は、着脱部によって、チャンバから取り外され、また、チャンバに取り付けられるようになっている。排気ダクト部をチャンバから取り外すと、排気口が開かれる。この排気口がメンテナンス用の開口部となる。これにより、開口部の個数を増やさずに、基板出入口とは別に設けられたチャンバの開口部によって、チャンバ内のメンテナンスができる。
また、無線の温度測定用基板は、熱処理プレートによる加熱で無線回路が壊れてしまう場合がある。そのため、有線の温度測定用基板が用いられるが、基板搬送ロボットにより基板出入口を通じて有線の温度測定用基板を送ることは難しい。そのため、チャンバから排気ダクト部を取り外した後、有線の温度測定用基板を、排気口を通じて熱処理プレートに容易に搬送することができる。 According to the maintenance method of the heat treatment apparatus according to the present invention, an exhaust port is provided on the side wall of the chamber separately from the substrate inlet / outlet, and an exhaust duct portion for exhausting the gas in the chamber is connected to the exhaust port. Has been done. The exhaust duct portion is removed from the chamber and attached to the chamber by the attachment / detachment portion. When the exhaust duct part is removed from the chamber, the exhaust port is opened. This exhaust port serves as an opening for maintenance. As a result, maintenance inside the chamber can be performed by the openings of the chamber provided separately from the substrate entrance / exit without increasing the number of openings.
Further, in the wireless temperature measurement substrate, the wireless circuit may be broken by heating by the heat treatment plate. Therefore, a wired temperature measurement board is used, but it is difficult for the board transfer robot to send the wired temperature measurement board through the board entrance / exit. Therefore, after removing the exhaust duct portion from the chamber, the wired temperature measurement substrate can be easily conveyed to the heat treatment plate through the exhaust port.

また、上述の熱処理装置のメンテナンス方法において、前記温度測定用基板の搬入後、前記排気ダクト部と異なる蓋部に設けられた通路を通じて、前記温度センサから延びる前記信号線をチャンバ外に引き出しながら、前記排気口を塞ぐように前記チャンバに前記蓋部を取り付ける工程と、を更に備えていることが好ましい。排気ダクト部に代えて蓋部をチャンバに取り付けると、排気口は蓋部によって塞がれる。そのため、排気口を通じて気体が出入りすることを抑制でき、外乱の影響を抑えながら温度測定できる。 Further, in the above-mentioned maintenance method of the heat treatment apparatus, after the temperature measurement substrate is carried in, the signal line extending from the temperature sensor is pulled out of the chamber through a passage provided in a lid portion different from the exhaust duct portion. It is preferable to further include a step of attaching the lid portion to the chamber so as to close the exhaust port. When the lid is attached to the chamber instead of the exhaust duct, the exhaust port is closed by the lid. Therefore, it is possible to suppress the inflow and outflow of gas through the exhaust port, and the temperature can be measured while suppressing the influence of disturbance.

また、上述の熱処理装置のメンテナンス方法において、前記蓋部を取り付ける工程は、前記チャンバおよび前記蓋部のうち一方に設けられた受け部材と、前記チャンバおよび前記蓋部のうち他方に設けられ、前記受け部材に引っ掛けるフックおよび、前記フックを操作するレバーとを有するフック可動部とを備えた留め具によって、前記レバーの操作により、前記受け部材に前記フックを引っ掛けながら、前記蓋部を前記チャンバに押し付けて、この引っ掛けおよび押し付け状態を保持することで、前記排気口を塞ぐように前記チャンバに前記蓋部を取り付けることを特徴とするが好ましい。このような留め具により、受け部材にフックを引っ掛けながら、蓋部をチャンバに押し付けて、この引っ掛けおよび押し付け状態が保持されるので、排気口が設けられたチャンバと蓋部とを密着させることができる。そのため、さらに、排気口を通じて気体が出入りすることを抑制できる。 Further, in the above-mentioned maintenance method of the heat treatment apparatus, the step of attaching the lid portion is provided on one of the chamber and the lid portion and a receiving member provided on the other of the chamber and the lid portion. hook and hooked to the receiving member, the fastener comprising a hook movable portion and a lever for operating the hook, by the operation of the lever, while hooking the hook into the receiving member, the lid to the chamber It is preferable that the lid portion is attached to the chamber so as to close the exhaust port by pressing and holding the hooked and pressed state. With such a fastener, the lid portion is pressed against the chamber while hooking the hook on the receiving member, and the hooked and pressed state is maintained, so that the chamber provided with the exhaust port and the lid portion can be brought into close contact with each other. it can. Therefore, it is possible to further prevent gas from entering and exiting through the exhaust port.

本発明に係る熱処理装置のメンテナンス方法によれば、排気ダクト部をチャンバから取り外すと、排気口が開かれる。この排気口がメンテナンス用の開口部となる。これにより、開口部の個数を増やさずに、基板出入口とは別に設けられたチャンバの開口部によって、チャンバ内のメンテナンスができる。
According to the maintenance method of the heat treatment apparatus according to the present invention, when the exhaust duct portion is removed from the chamber, the exhaust port is opened. This exhaust port serves as an opening for maintenance. As a result, maintenance inside the chamber can be performed by the openings of the chamber provided separately from the substrate entrance / exit without increasing the number of openings.

実施例に係る熱処理装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the heat treatment apparatus which concerns on Example. （ａ）は、チャンバ等の平面図であり、（ｂ）は、チャンバを正面から見たときの排気口およびチャンバのフランジを示す図である。(A) is a plan view of a chamber and the like, and (b) is a view showing an exhaust port and a flange of the chamber when the chamber is viewed from the front. 気体回収部およびトラップ部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the gas recovery part and the trap part. 気体回収部およびトラップ部を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the gas recovery part and the trap part. （ａ）は、チャンバと気体回収部の連結部分を拡大した縦断面図であり、（ｂ）は、チャンバから気体回収部を取り外した状態を示す縦断面図である。(A) is an enlarged vertical sectional view of the connecting portion between the chamber and the gas recovery unit, and (b) is a vertical sectional view showing a state in which the gas recovery unit is removed from the chamber. （ａ）は、Ｌ字部材によりチャンバに対して気体回収部を引っ掛けた状態を示す縦断面図であり、（ｂ）は、チャンバから気体回収部を取り外した状態を示す縦断面図である。(A) is a vertical cross-sectional view showing a state in which the gas recovery part is hooked on the chamber by an L-shaped member, and (b) is a vertical cross-sectional view showing a state in which the gas recovery part is removed from the chamber. （ａ）は、気体回収部をチャンバおよびトラップ下部に取り付けた状態を示す図であり、（ｂ）は、気体回収部をチャンバおよびトラップ下部から取り外した状態を示す図であり、（ｃ）は、温度測定用基板をチャンバ内に搬入した状態を示す図であり、（ｄ）は、温度測定用蓋部をチャンバに取り付けた状態を示す図である。(A) is a diagram showing a state in which the gas recovery unit is attached to the chamber and the lower part of the trap, (b) is a diagram showing a state in which the gas recovery unit is removed from the chamber and the lower part of the trap, and (c) is a diagram showing a state. It is a figure which shows the state which carried in the temperature measuring substrate into a chamber, and (d) is a figure which shows the state which attached the temperature measuring lid part to a chamber. 搬送治具を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the transport jig. （ａ）は、留め具の変形例を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）の留め具等を右側から見た右側面図である。(A) is a plan view showing a modified example of the fastener, and (b) is a right side view of the fastener and the like of (a) seen from the right side. 留め具の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of the fastener. 留め具の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of the fastener.

以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。図１は、実施例に係る熱処理装置の概略構成図である。 Hereinafter, Example 1 of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a heat treatment apparatus according to an embodiment.

＜熱処理装置１の構成＞
熱処理装置１は、基板Ｗを熱処理するものである。熱処理装置１は、チャンバ２、熱処理プレート３、支持ピン昇降部４、ガス供給バッファ部５、不活性ガス供給部７、シャッター部９、排気ダクト部１１、制御部１３および設定部１５を備えている。 <Structure of heat treatment apparatus 1>
The heat treatment apparatus 1 heat-treats the substrate W. The heat treatment apparatus 1 includes a chamber 2, a heat treatment plate 3, a support pin elevating unit 4, a gas supply buffer unit 5, an inert gas supply unit 7, a shutter unit 9, an exhaust duct unit 11, a control unit 13, and a setting unit 15. There is.

なお、本実施例の熱処理装置１は、特許文献２，３のように、熱処理プレートに対して蓋状のチャンバが昇降する構成となっていない。すなわち、本実施例の熱処理装置１は、内部圧力やガス濃度を調節するために密閉性能を得られるように構成されている。 Note that the heat treatment apparatus 1 of this embodiment does not have a configuration in which a lid-shaped chamber moves up and down with respect to the heat treatment plate as in Patent Documents 2 and 3. That is, the heat treatment apparatus 1 of this embodiment is configured to obtain sealing performance in order to adjust the internal pressure and the gas concentration.

チャンバ２は、基板Ｗを収容するものである。チャンバ２は、基板出入口２１、排気口２３および上部開口部２５を備えている。基板出入口２１は、チャンバ２の側壁に設けられ、チャンバ２内に基板Ｗを搬出および搬入するための開口である。排気口２３は、チャンバ２内の気体を排気するための開口である。なお、排気口２３等は後述する。 The chamber 2 accommodates the substrate W. The chamber 2 includes a substrate entrance / exit 21, an exhaust port 23, and an upper opening 25. The substrate entrance / exit 21 is provided on the side wall of the chamber 2 and is an opening for carrying in / out the substrate W into the chamber 2. The exhaust port 23 is an opening for exhausting the gas in the chamber 2. The exhaust port 23 and the like will be described later.

熱処理プレート３は、基板Ｗを水平姿勢で載置した状態で熱処理するものである。熱処理プレート３は、チャンバ２内の下部に設けられている。熱処理プレート３は、ベース板２７に取り付けられており、チャンバ２の底部に設けられたもう１つの開口に挿入されることで配置される。ベース板２７は、ＯリングＲＧを介在させてチャンバ２に取り付けられている。なお、ＯリングＲＧの劣化を防止するために、ＯリングＲＧの近傍に、冷却水が循環する冷却管２８が設けられている。 The heat treatment plate 3 heat-treats the substrate W in a horizontal position. The heat treatment plate 3 is provided at the lower part in the chamber 2. The heat treatment plate 3 is attached to the base plate 27 and is arranged by being inserted into another opening provided at the bottom of the chamber 2. The base plate 27 is attached to the chamber 2 with an O-ring RG interposed therebetween. In order to prevent deterioration of the O-ring RG, a cooling pipe 28 through which cooling water circulates is provided in the vicinity of the O-ring RG.

熱処理プレート３は、ヒータ２９を備えている。ヒータ２９は、熱処理プレート３を温調し、例えば、３００℃〜４００℃の範囲で調節する。また、熱処理プレート３には、図示しないプロキシミティボールが埋設されている。これにより、基板Ｗの下面と熱処理プレート３の表面との間に所定の隙間を形成する（例えば０．１ｍｍ）。 The heat treatment plate 3 includes a heater 29. The heater 29 adjusts the temperature of the heat treatment plate 3 in the range of, for example, 300 ° C. to 400 ° C. Further, a proximity ball (not shown) is embedded in the heat treatment plate 3. As a result, a predetermined gap is formed between the lower surface of the substrate W and the surface of the heat treatment plate 3 (for example, 0.1 mm).

支持ピン昇降部４は、３本の支持ピン３１（図１では図示の関係上、２本のみ示す）、昇降部材３３、およびアクチュエータ３５を備えている。３本の支持ピン３１は、平面視で略正三角形状に配置されている。支持ピン３１は、熱処理プレート３を貫通するように、設けられている。支持ピン３１は、昇降部材３３で支持されており、アクチュエータ３５は、昇降部材３３を介在させて支持ピン３１を昇降させる。 The support pin elevating unit 4 includes three support pins 31 (only two are shown in FIG. 1 for the purpose of illustration), an elevating member 33, and an actuator 35. The three support pins 31 are arranged in a substantially regular triangular shape in a plan view. The support pin 31 is provided so as to penetrate the heat treatment plate 3. The support pin 31 is supported by the elevating member 33, and the actuator 35 raises and lowers the support pin 31 with the elevating member 33 interposed therebetween.

ガス供給バッファ部５は、上部開口部２５に蓋をするように、ＯリングＲＧを介在させてチャンバ２に取り付けられている。ガス供給バッファ部５は、チャンバ２に対して着脱可能に構成されている。チャンバ２からガス供給バッファ部５を取り外した場合、上部開口部２５は、チャンバ２内をメンテナンスするための開口となる。ガス供給バッファ部５は、例えばパンチングメタルで構成された拡散板３７を備えている。拡散板３７は、不活性ガス供給部７により供給された窒素（Ｎ２）ガスを、拡散板３７の貫通口３７Ａを通じて熱処理空間ＨＳに拡散させる。なお、熱処理空間ＨＳは、略直方体に形成されている。 The gas supply buffer portion 5 is attached to the chamber 2 with an O-ring RG interposed therebetween so as to cover the upper opening 25. The gas supply buffer unit 5 is configured to be removable from the chamber 2. When the gas supply buffer portion 5 is removed from the chamber 2, the upper opening 25 becomes an opening for maintaining the inside of the chamber 2. The gas supply buffer unit 5 includes, for example, a diffuser plate 37 made of punching metal. The diffusion plate 37 diffuses the nitrogen (N 2 ) gas supplied by the inert gas supply unit 7 into the heat treatment space HS through the through port 37A of the diffusion plate 37. The heat treatment space HS is formed in a substantially rectangular parallelepiped.

不活性ガス供給部７は、不活性ガスとして窒素ガスをチャンバ２（ガス供給バッファ部５）に供給する。不活性ガス供給部７は、例えば２個の流体調整弁などを備え、窒素ガスの流量を二段階に切り替え可能に構成されている。 The inert gas supply unit 7 supplies nitrogen gas as an inert gas to the chamber 2 (gas supply buffer unit 5). The inert gas supply unit 7 is provided with, for example, two fluid control valves, and is configured to be able to switch the flow rate of nitrogen gas in two stages.

シャッター部９は、基板出入口２１の前面に設けられている。シャッター部９は、シャッター本体３９とアクチュエータ４１とを備えている。アクチュエータ４１は、シャッター本体３９を上下方向に移動させる。これにより、シャッター本体３９を実線または破線の位置に移動させて、基板出入口２１を開閉する。また、シャッター本体３９には、ＯリングＲＧが設けられており、シャッター本体３９で基板出入口２１を閉じた際に、ＯリングＲＧは、シャッター本体３９とチャンバ２との間に配置される。 The shutter portion 9 is provided on the front surface of the substrate entrance / exit 21. The shutter unit 9 includes a shutter body 39 and an actuator 41. The actuator 41 moves the shutter body 39 in the vertical direction. As a result, the shutter body 39 is moved to the position of the solid line or the broken line, and the substrate entrance / exit 21 is opened and closed. Further, the shutter main body 39 is provided with an O-ring RG, and when the substrate entrance / exit 21 is closed by the shutter main body 39, the O-ring RG is arranged between the shutter main body 39 and the chamber 2.

制御部１３は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）、メモリ、タイマを備えている。制御部１３は、熱処理プレート３、支持ピン昇降部４、不活性ガス供給部７、シャッター部９、排気ダクト部１１などの熱処理装置１の各構成を制御する。メモリには、熱処理の手順を規定した複数個のレシピやその他熱処理装置１に必要な動作プログラムが記憶されている。設定部１５は、オペレータによって操作されるものであり、複数個のレシピの一つを選択したり、レシピを編集したり、処理の開始を指示したり、警報発生時の操作を指示したりする。なお、設定部１５は、液晶モニタなどの表示部並びに、マウス、キーボード、各種スイッチなどの入力部を備えている。 The control unit 13 includes a central processing unit (CPU), a memory, and a timer. The control unit 13 controls each configuration of the heat treatment device 1 such as the heat treatment plate 3, the support pin elevating unit 4, the inert gas supply unit 7, the shutter unit 9, and the exhaust duct unit 11. A plurality of recipes defining the heat treatment procedure and other operation programs required for the heat treatment apparatus 1 are stored in the memory. The setting unit 15 is operated by an operator, and selects one of a plurality of recipes, edits a recipe, instructs the start of processing, and instructs an operation when an alarm is generated. .. The setting unit 15 includes a display unit such as a liquid crystal monitor and an input unit such as a mouse, a keyboard, and various switches.

＜チャンバ２の排気口２３等および排気ダクト部１１の構成＞
次に、チャンバ２の排気口２３等および排気ダクト部１１を説明する。図２（ａ）は、チャンバ２等の平面図であり、図２（ｂ）は、チャンバ２を正面から見たとき（ＡＡ視）の排気口２３およびチャンバ２のフランジ２Ｂを示す図である。 <Structure of the exhaust port 23 and the like of the chamber 2 and the exhaust duct portion 11>
Next, the exhaust port 23 and the like of the chamber 2 and the exhaust duct portion 11 will be described. FIG. 2A is a plan view of the chamber 2 and the like, and FIG. 2B is a view showing the exhaust port 23 and the flange 2B of the chamber 2 when the chamber 2 is viewed from the front (AA view). ..

排気口２３は、基板出入口２１とは別にチャンバ２の側壁に設けられている。本実施例では、排気口２３は、基板出入口２１と対向するチャンバ２の側壁に設けられている。なお、必要により、排気口２３は、基板出入口２１と対向して配置されていなくてもよい。排気口２３は、水平方向に扁平である。排気口２３は、基板出入口２１と略同じ大きさの開口を有している。具体的に、排気口２３は、チャンバ２の内部の幅ＨＡ２と略同じ開口幅ＨＡ１を有する。すなわち、排気口２３の開口幅ＨＡ１は、チャンバ２の左内側壁２Ｌと右内側壁２Ｒとの間の幅ＨＡ２と略同じである。このため、排気口２３に排気ダクト部１１が接続されていない場合、排気口２３からも基板Ｗを出し入れできる。 The exhaust port 23 is provided on the side wall of the chamber 2 separately from the substrate entrance / exit 21. In this embodiment, the exhaust port 23 is provided on the side wall of the chamber 2 facing the substrate entrance / exit 21. If necessary, the exhaust port 23 may not be arranged so as to face the substrate entrance / exit 21. The exhaust port 23 is flat in the horizontal direction. The exhaust port 23 has an opening having substantially the same size as the substrate entrance / exit 21. Specifically, the exhaust port 23 has an opening width HA1 that is substantially the same as the width HA2 inside the chamber 2. That is, the opening width HA1 of the exhaust port 23 is substantially the same as the width HA2 between the left inner side wall 2L and the right inner side wall 2R of the chamber 2. Therefore, when the exhaust duct portion 11 is not connected to the exhaust port 23, the substrate W can be taken in and out from the exhaust port 23 as well.

なお、排気口２３は、図２（ｂ）、後述する図５（ａ）のように、チャンバ２の内部の高さＴＡ２と略同じ開口高さＴＡ１を有している。すなわち、図５（ａ）のように、排気口２３の開口高さＴＡ１は、チャンバ２の内部の天井２Ｕと基板載置面３Ａとの間の高さＴＡ２と略同じである。 The exhaust port 23 has an opening height TA1 substantially the same as the height TA2 inside the chamber 2, as shown in FIG. 2B and FIG. 5A described later. That is, as shown in FIG. 5A, the opening height TA1 of the exhaust port 23 is substantially the same as the height TA2 between the ceiling 2U inside the chamber 2 and the substrate mounting surface 3A.

なお、図２（ａ）において、符号２Ａは、基板出入口２１が形成されたフランジであり、符号２Ｃは、上部開口部２５が形成されたフランジである。また、上部開口部２５は、基板Ｗの直径よりも大きい直径の開口を有している。 In FIG. 2A, reference numeral 2A is a flange on which the substrate entrance / exit 21 is formed, and reference numeral 2C is a flange on which the upper opening 25 is formed. Further, the upper opening 25 has an opening having a diameter larger than the diameter of the substrate W.

熱処理装置１は、一般的に、複数の処理ユニットを備えた基板処理装置に搭載される。そのため、基板出入口２１側には、基板Ｗを搬送する基板搬送機構ＴＲ（図１参照）が配置されている。すなわち、基板出入口２１は、基板処理装置の内側を向いて配置される。また、図２（ａ）における左右方向および紙面と直交する方向には、他の処理ユニットが配置される。そして、排気口２３側には、基板処理装置のカバーが配置される。すなわち、排気口２３は基板処理装置の外側を向いている。このため、基板処理装置のカバーを外せば、排気口２３が外側に向いて現れるように構成されている。 The heat treatment apparatus 1 is generally mounted on a substrate processing apparatus including a plurality of processing units. Therefore, a substrate transport mechanism TR (see FIG. 1) for transporting the substrate W is arranged on the substrate inlet / outlet 21 side. That is, the substrate entrance / exit 21 is arranged so as to face the inside of the substrate processing apparatus. Further, other processing units are arranged in the left-right direction and the direction orthogonal to the paper surface in FIG. 2A. Then, a cover of the substrate processing device is arranged on the exhaust port 23 side. That is, the exhaust port 23 faces the outside of the substrate processing device. Therefore, when the cover of the substrate processing apparatus is removed, the exhaust port 23 is configured to appear outward.

図１に戻る。排気ダクト部１１は、チャンバ２内の気体を排気するための機構である。排気ダクト部１１は、気体回収部５１、トラップ部５３、排気管５５、開閉弁５７，アスピレータ（aspirator）５９、および空気供給部６１を備えている。アスピレータ５９は、ポンプとして機能し、気体回収部５１等を通じてチャンバ２の内部の気体を排気するための吸引力を生成する。空気供給部６１は、アスピレータ５９を動作させるための空気を供給する。空気供給部６１は、空気配管６１Ａ、２個の開閉弁６１Ｂ、６１Ｃ、および２個の流量調整弁６１Ｄ，６１Ｅを備えている。図１のように、空気供給部６１は、空気の流量を二段階に切り替え可能に構成されている。 Return to FIG. The exhaust duct portion 11 is a mechanism for exhausting the gas in the chamber 2. The exhaust duct unit 11 includes a gas recovery unit 51, a trap unit 53, an exhaust pipe 55, an on-off valve 57, an aspirator 59, and an air supply unit 61. The aspirator 59 functions as a pump and generates a suction force for exhausting the gas inside the chamber 2 through the gas recovery unit 51 and the like. The air supply unit 61 supplies air for operating the aspirator 59. The air supply unit 61 includes an air pipe 61A, two on-off valves 61B and 61C, and two flow rate adjusting valves 61D and 61E. As shown in FIG. 1, the air supply unit 61 is configured so that the flow rate of air can be switched in two stages.

図３は、気体回収部５１およびトラップ部５３を示す斜視図である。図４は、それらの概略構成図である。 FIG. 3 is a perspective view showing a gas recovery unit 51 and a trap unit 53. FIG. 4 is a schematic configuration diagram thereof.

図２（ａ）、図３、図４等に示す気体回収部５１は、排気を行うために、チャンバ２内の気体を回収するものである。気体回収部５１は、図２（ａ）、図２（ｂ）に示す排気口２３と略同じの大きさ（幅ＨＡ１および高さＴＡ１）の開口部５１Ａを有する。そして、気体回収部５１は、その一端の開口部５１Ａを排気口２３に接続させてチャンバ２に取り付けられる。すなわち、開口部５１Ａと排気口２３とが位置が一致するように、気体回収部５１がチャンバ２に取り付けられる。 The gas recovery unit 51 shown in FIGS. 2A, 3, 4, 4 and the like recovers the gas in the chamber 2 in order to exhaust the gas. The gas recovery unit 51 has an opening 51A having substantially the same size (width HA1 and height TA1) as the exhaust port 23 shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b). Then, the gas recovery unit 51 is attached to the chamber 2 by connecting the opening 51A at one end to the exhaust port 23. That is, the gas recovery unit 51 is attached to the chamber 2 so that the opening 51A and the exhaust port 23 are aligned in position.

トラップ部５３は、図４のように、気体回収部５１の他端の開口部５１Ｂに接続されている。トラップ部５３は、気体回収部５１で回収された気体中の昇華物を結晶化して昇華物を除去するものである。昇華物は、上述のように、基板Ｗ上の塗布液から発生する。図４のように、トラップ部５３は、トラップ流路５３Ａ、流入口５３Ｂ、流出口側流路５３Ｄ、流出口５３Ｅ、気体冷却部である冷却管５３Ｆ、および昇華物収集部５３Ｇを備えている。 As shown in FIG. 4, the trap portion 53 is connected to the opening 51B at the other end of the gas recovery portion 51. The trap unit 53 crystallizes the sublimated product in the gas recovered by the gas recovery unit 51 to remove the sublimated product. The sublimated product is generated from the coating liquid on the substrate W as described above. As shown in FIG. 4, the trap unit 53 includes a trap flow path 53A, an inflow port 53B, an outflow port side flow path 53D, an outflow port 53E, a cooling pipe 53F which is a gas cooling unit, and a sublimation material collecting unit 53G. ..

トラップ流路５３Ａは、管状（中空円筒状）の部材の内部に形成され、下端５３Ｈが閉ざされて構成されている。トラップ流路５３Ａは、気体回収部５１で回収された気体を通すためのものである。流入口５３Ｂは、図４のように、気体回収部５１の他端の開口部５１Ｂに接続されている。流入口５３Ｂを通って流入した気体は、トラップ流路５３Ａ、流出口側流路５３Ｄを順番に通った後、流出口５３Ｅから流出する。流出口側流路５３Ｄは、トラップ流路５３Ａと流出口５３Ｅとの間を繋ぐ流路である。 The trap flow path 53A is formed inside a tubular (hollow cylindrical) member, and the lower end 53H is closed. The trap flow path 53A is for passing the gas recovered by the gas recovery unit 51. As shown in FIG. 4, the inflow port 53B is connected to the opening 51B at the other end of the gas recovery unit 51. The gas that has flowed in through the inflow port 53B passes through the trap flow path 53A and the outflow port side flow path 53D in this order, and then flows out from the outflow port 53E. The outlet side flow path 53D is a flow path connecting the trap flow path 53A and the outlet 53E.

冷却管５３Ｆは、トラップ流路５３Ａの流入口５３Ｂと流出口側流路５３Ｄとの間のトラップ流路５３Ａの外周に設けられている。冷却管５３Ｆは、冷却水が循環するようになっており、気体中の昇華物を結晶化（固化）させる。流出口側流路５３Ｄは、トラップ流路５３Ａの下端５３Ｈよりも高い位置でトラップ流路５３Ａに接続されている。これにより、流出口側流路５３Ｄと下端５３Ｈとの間には、冷却管５３Ｆで結晶化された昇華物を収集する昇華物収集部５３Ｇが形成される。そのため、結晶化された昇華物を昇華物収集部５３Ｇに収集させることができ、また、昇華物除去後の気体を、流出口側流路５３Ｄ、流出口５３Ｅを順番に通じてトラップ部５３の下流の排気管５５等に送ることができる。 The cooling pipe 53F is provided on the outer periphery of the trap flow path 53A between the inflow port 53B and the outflow port side flow path 53D of the trap flow path 53A. Cooling water circulates in the cooling pipe 53F, and the sublimated product in the gas is crystallized (solidified). The outlet side flow path 53D is connected to the trap flow path 53A at a position higher than the lower end 53H of the trap flow path 53A. As a result, a sublimation material collecting unit 53G for collecting the sublimation material crystallized by the cooling pipe 53F is formed between the outlet side flow path 53D and the lower end 53H. Therefore, the crystallized sublimated material can be collected by the sublimated material collecting unit 53G, and the gas after removing the sublimated material is passed through the outlet side flow path 53D and the outlet 53E in order to the trap unit 53. It can be sent to the downstream exhaust pipe 55 or the like.

図５（ａ）は、チャンバ２と気体回収部５１の連結部分を拡大した縦断面図である。図５（ｂ）は、チャンバ２から気体回収部５１を取り外した状態を示す縦断面図である。 FIG. 5A is an enlarged vertical sectional view of the connecting portion between the chamber 2 and the gas recovery unit 51. FIG. 5B is a vertical cross-sectional view showing a state in which the gas recovery unit 51 is removed from the chamber 2.

気体回収部５１は、チャンバ２に対して着脱可能に構成されている。すなわち、熱処理装置１は、チャンバ２から気体回収部５１を取り外し、およびチャンバ２に気体回収部５１を取り付けるためのパッチン錠６３を備えている。チャンバ２および気体回収部５１は、例えばステンレス鋼で構成されている。なお、パッチン錠６３は、本発明の着脱部および留め具に相当する。 The gas recovery unit 51 is configured to be removable from the chamber 2. That is, the heat treatment apparatus 1 is provided with a snap lock 63 for removing the gas recovery unit 51 from the chamber 2 and attaching the gas recovery unit 51 to the chamber 2. The chamber 2 and the gas recovery unit 51 are made of, for example, stainless steel. The snap lock 63 corresponds to the attachment / detachment portion and the fastener of the present invention.

パッチン錠６３は、受け部材６４とフック可動部６５とを備えている。受け部材６４は、チャンバ２のフランジ２Ｂに設けられている。一方、フック可動部６５（後述する基台６５Ｆ）は、気体回収部５１のフランジ５１Ｃに設けられている。また、フック可動部６５は、フック６５Ａ、レバー６５Ｂ、アーム６５Ｃ、第１軸６５Ｄ、第２軸６５Ｅ、および基台６５Ｆを備えている。フック６５Ａは受け部材６４に引っ掛けるものである。レバー６５Ｂは、フック６５Ａを操作するものである。レバー６５Ｂは、基台６５Ｆに対して第１軸６５Ｄ周りに回転可能に連結されている。アーム６５Ｃの一端には、フック６５Ａが設けられており、アーム６５Ｃの他端には、第２軸６５Ｅが設けられている。アーム６５Ｃは、レバー６５Ｂに対して第２軸６５Ｅ周りに回転可能に連結されている。 The snap lock 63 includes a receiving member 64 and a hook movable portion 65. The receiving member 64 is provided on the flange 2B of the chamber 2. On the other hand, the hook movable portion 65 (base 65F described later) is provided on the flange 51C of the gas recovery portion 51. Further, the hook movable portion 65 includes a hook 65A, a lever 65B, an arm 65C, a first shaft 65D, a second shaft 65E, and a base 65F. The hook 65A is hooked on the receiving member 64. The lever 65B operates the hook 65A. The lever 65B is rotatably connected to the base 65F around the first shaft 65D. A hook 65A is provided at one end of the arm 65C, and a second shaft 65E is provided at the other end of the arm 65C. The arm 65C is rotatably connected to the lever 65B around the second shaft 65E.

パッチン錠６３は、レバー６５Ｂ操作によって、受け部材６４にフック６５Ａを引っ掛けながら、気体回収部５１をチャンバ２に押し付けて、この引っ掛けおよび押し付け状態を保持する。また、パッチン錠６３は、レバー６５Ｂ操作によって、フック６５Ａを操作することで、保持された上述の引っ掛けおよび押し付け状態を解放する。なお、パッチン錠６３は、てこの原理を用いた構成となっており、第１軸６５Ｄが支点、第２軸６５Ｅが作用点、第２軸６５Ｅを挟んで第１軸６５Ｄの反対側のレバー６５Ｂの位置（例えば矢印周辺）が力点となる。 The snap lock 63 presses the gas recovery unit 51 against the chamber 2 while hooking the hook 65A on the receiving member 64 by operating the lever 65B, and holds the hooked and pressed state. Further, the snap lock 63 releases the above-mentioned hooked and pressed state held by operating the hook 65A by operating the lever 65B. The snap lock 63 has a structure using the principle of leverage, the first axis 65D is a fulcrum, the second axis 65E is an action point, and the lever on the opposite side of the first axis 65D with the second axis 65E in between. The position of 65B (for example, around the arrow) is the point of emphasis.

図３のように、パッチン錠６３は４箇所に設けられている。また、気体回収部５１のフランジ５１Ｃの上面には、２個のＬ字部材６６が設けられている。Ｌ字部材６６は、チャンバ２に引っ掛けて用いられる。Ｌ字部材６６は、重量のある気体回収部５１をチャンバ２に移動可能に仮取り付け（仮固定）するものである。そのため、パッチン錠６３のフック６５Ａが受け部材６４から外れていても、気体回収部５１は、取り付けられていた位置に保持される。図６（ａ）は、Ｌ字部材６６によりチャンバ２に対して気体回収部５１を引っ掛けた状態を示す縦断面図である。図６（ｂ）は、チャンバ２から気体回収部５１を取り外した状態を示す縦断面図である。 As shown in FIG. 3, the snap lock 63 is provided at four places. Further, two L-shaped members 66 are provided on the upper surface of the flange 51C of the gas recovery unit 51. The L-shaped member 66 is used by being hooked on the chamber 2. The L-shaped member 66 temporarily attaches (temporarily fixes) the heavy gas recovery unit 51 to the chamber 2 so as to be movable. Therefore, even if the hook 65A of the snap lock 63 is disengaged from the receiving member 64, the gas recovery unit 51 is held at the position where it was attached. FIG. 6A is a vertical cross-sectional view showing a state in which the gas recovery unit 51 is hooked on the chamber 2 by the L-shaped member 66. FIG. 6B is a vertical cross-sectional view showing a state in which the gas recovery unit 51 is removed from the chamber 2.

なお、図５（ａ）において、フック可動部６５と受け部材６４は、逆に設けられてもよい。すなわち、フック可動部６５がチャンバ２に設けられ、受け部材６４が気体回収部５１に設けられていてもよい。受け部材６４は、チャンバ２および気体回収部５１のうち一方に設けられ、フック可動部６５は、チャンバ２および気体回収部５１のうち他方に設けられている。また、図３において、パッチン錠６３の個数は４個に限定されず、Ｌ字部材６６は２個に限定されない。図６（ａ）の破線ＢＬのように、Ｌ字部材６６は、気体回収部５１を載せるように、チャンバ２のフランジ２Ｂの下面に設けられてもよい。 In addition, in FIG. 5A, the hook movable portion 65 and the receiving member 64 may be provided in reverse. That is, the hook movable portion 65 may be provided in the chamber 2, and the receiving member 64 may be provided in the gas recovery portion 51. The receiving member 64 is provided in one of the chamber 2 and the gas recovery unit 51, and the hook movable portion 65 is provided in the other of the chamber 2 and the gas recovery unit 51. Further, in FIG. 3, the number of snap locks 63 is not limited to four, and the number of L-shaped members 66 is not limited to two. As shown by the broken line BL in FIG. 6A, the L-shaped member 66 may be provided on the lower surface of the flange 2B of the chamber 2 so as to mount the gas recovery unit 51.

また、チャンバ２のフランジ２Ｂには、ＯリングＲＧ１が設けられる。ＯリングＲＧ１は、フランジ２Ｂと気体回収部５１のフランジ５１Ｃとの間に配置される。また、フランジ２Ｂには、ＯリングＲＧ１の近くに冷却水が循環する冷却流路２８Ａが設けられている。冷却流路２８Ａの冷却により、ＯリングＲＧ１の劣化を防止できる。 Further, an O-ring RG1 is provided on the flange 2B of the chamber 2. The O-ring RG1 is arranged between the flange 2B and the flange 51C of the gas recovery unit 51. Further, the flange 2B is provided with a cooling flow path 28A in which cooling water circulates near the O-ring RG1. By cooling the cooling flow path 28A, deterioration of the O-ring RG1 can be prevented.

＜熱処理装置１の動作＞
次に、熱処理装置１の動作について説明する。図１を参照する。シャッター部９のアクチュエータ４１は、シャッター本体３９を下降させて、基板出入口２１を開く。また、支持ピン昇降部４のアクチュエータ３５は、支持ピン３１を上昇させる。基板搬送機構ＴＲは、チャンバ２内の支持ピン３１上に基板Ｗを搬送する。基板搬送機構ＴＲがチャンバ２外に後退した後、シャッター本体３９を上昇して、基板出入口２１を閉じる。支持ピン３１は上昇したままである。 <Operation of heat treatment device 1>
Next, the operation of the heat treatment apparatus 1 will be described. See FIG. The actuator 41 of the shutter unit 9 lowers the shutter body 39 to open the substrate entrance / exit 21. Further, the actuator 35 of the support pin elevating part 4 raises the support pin 31. The substrate transport mechanism TR transports the substrate W onto the support pins 31 in the chamber 2. After the substrate transport mechanism TR retracts to the outside of the chamber 2, the shutter body 39 is raised to close the substrate entrance / exit 21. The support pin 31 remains elevated.

その後、チャンバ２内の気体を置換する。すなわち、不活性ガス供給部７は、チャンバ２に窒素ガスを供給する。この際、排気ダクト部１１は、空気供給部６１によりアスピレータ５９に空気を供給し、開閉弁５７を開く。これにより、排気ダクト部１１は、排気口２３を通じて、チャンバ２内の気体を排気する。なお、チャンバ２への窒素ガスの供給、およびチャンバ２内の気体の排気は、予め設定されたレシピに従って調整される。 After that, the gas in the chamber 2 is replaced. That is, the inert gas supply unit 7 supplies nitrogen gas to the chamber 2. At this time, the exhaust duct portion 11 supplies air to the ejector 59 by the air supply portion 61, and opens the on-off valve 57. As a result, the exhaust duct portion 11 exhausts the gas in the chamber 2 through the exhaust port 23. The supply of nitrogen gas to the chamber 2 and the exhaust of the gas in the chamber 2 are adjusted according to a preset recipe.

その後、レシピに基づき、酸素濃度が所定値以下になると、支持ピン３１を下降して、基板Ｗを熱処理プレート３上に載置する。これにより熱処理を開始する。熱処理が終了すると、支持ピン３１を上昇し、基板Ｗを冷却する。冷却後、窒素ガスの供給および排気を停止する（開閉弁５７等を閉じる）。そして、基板出入口２１が開いた後、基板搬送機構ＴＲは、熱処理後の基板Ｗを搬送する。 Then, based on the recipe, when the oxygen concentration becomes equal to or less than a predetermined value, the support pin 31 is lowered and the substrate W is placed on the heat treatment plate 3. This starts the heat treatment. When the heat treatment is completed, the support pin 31 is raised to cool the substrate W. After cooling, the supply and exhaust of nitrogen gas are stopped (the on-off valve 57 and the like are closed). Then, after the substrate entrance / exit 21 is opened, the substrate transport mechanism TR transports the heat-treated substrate W.

次に、気体回収部５１およびトラップ部５３の動作を説明する。基板Ｗ上には、ＤＳＡ（Directed Self-Assembly）プロセスにおけるブロック共重合体（block copolymer）を含む塗布液、あるいは、反射防止膜を形成するための塗布液が塗布されている。なお、塗布液は、これらの液に限定されない。基板Ｗが熱処理プレート３に載置されて基板Ｗが高温になると、塗布液から昇華物が発生する。詳しくは、塗布液の溶剤に溶剤以外の成分が溶け出して、溶け出した溶剤以外の成分が溶剤と共に蒸発する。これにより、昇華物が発生する。発生した昇華物は、チャンバ２内の気体に含まれる（混入する）。 Next, the operations of the gas recovery unit 51 and the trap unit 53 will be described. A coating liquid containing a block copolymer in a DSA (Directed Self-Assembly) process or a coating liquid for forming an antireflection film is coated on the substrate W. The coating liquid is not limited to these liquids. When the substrate W is placed on the heat treatment plate 3 and the substrate W becomes hot, a sublimated product is generated from the coating liquid. Specifically, components other than the solvent dissolve in the solvent of the coating liquid, and the components other than the dissolved solvent evaporate together with the solvent. As a result, a sublimated product is generated. The generated sublimated product is contained (mixed) in the gas in the chamber 2.

昇華物を含む気体は、排気口２３を通じて排気される。排気口２３は、図２（ａ）のように、チャンバ２の内部の幅ＨＡ２と略同じ幅ＨＡ１を有している。また、気体回収部５１は、排気口２３と略同じ大きさの開口部５１Ａを一端に有し、その一端の開口部５１Ａを排気口２３に接続させてチャンバ２に取り付けられている。そのため、図２（ａ）の符号ＹＳで示す四隅で気体を滞留させることなく、チャンバ２内から気体を回収することができる。気体回収部５１で回収した気体は、他端の開口部５１Ｂを通じて、トラップ部５３に送られる。トラップ部５３において、冷却管５３Ｆは、送られた気体を冷却し、気体中の昇華物を結晶化する。結晶化した昇華物は、昇華物収集部５３Ｇに収集され、昇華物除去後の気体は、排気管５５に送られて排気される。 The gas containing the sublimated material is exhausted through the exhaust port 23. As shown in FIG. 2A, the exhaust port 23 has a width HA1 substantially the same as the width HA2 inside the chamber 2. Further, the gas recovery unit 51 has an opening 51A having substantially the same size as the exhaust port 23 at one end, and the opening 51A at one end is connected to the exhaust port 23 and attached to the chamber 2. Therefore, the gas can be recovered from the chamber 2 without retaining the gas at the four corners indicated by the reference numerals YS in FIG. 2A. The gas recovered by the gas recovery unit 51 is sent to the trap unit 53 through the opening 51B at the other end. In the trap portion 53, the cooling pipe 53F cools the sent gas and crystallizes the sublimated product in the gas. The crystallized sublimated material is collected by the sublimated material collecting unit 53G, and the gas after removing the sublimated material is sent to the exhaust pipe 55 and exhausted.

＜熱処理装置１のメンテナンス方法＞
次に、熱処理装置１のメンテナンス方法について説明する。なお、本実施例において、熱処理プレート３に温度測定用基板８１を載置して温度測定をする作業を一例にメンテナンス方法について説明する。 <Maintenance method of heat treatment device 1>
Next, the maintenance method of the heat treatment apparatus 1 will be described. In this embodiment, the maintenance method will be described by taking as an example the work of placing the temperature measuring substrate 81 on the heat treatment plate 3 and measuring the temperature.

〔ステップＳ０１〕気体回収部５１の取り外し
図７（ａ）において、レバー６５Ｂ操作により、パッチン錠６３のロックを解除し、チャンバ２から気体回収部５１を取り外す。すなわち、チャンバ２に気体回収部５１が取り付けられている場合、パッチン錠６３は、受け部材６４にフック６５Ａを引っ掛けながら、チャンバ２に対して気体回収部５１が押し付けた状態が保持されている。レバー６５Ｂ操作により、この保持された引っ掛けおよび押し付け状態を解除する。これにより、チャンバ２から気体回収部５１が取り外される。なお、図６に示すＬ字部材６６により、気体回収部５１は、チャンバ２に引っ掛けて、仮取り付けの状態になっている。 [Step S01] Removal of Gas Recovery Unit 51 In FIG. 7A, the lock of the snap lock 63 is released by operating the lever 65B, and the gas recovery unit 51 is removed from the chamber 2. That is, when the gas recovery unit 51 is attached to the chamber 2, the snap lock 63 is held in a state where the gas recovery unit 51 is pressed against the chamber 2 while hooking the hook 65A on the receiving member 64. By operating the lever 65B, the held hooked and pressed state is released. As a result, the gas recovery unit 51 is removed from the chamber 2. The gas recovery unit 51 is hooked on the chamber 2 by the L-shaped member 66 shown in FIG. 6 and is temporarily attached.

気体回収部５１は、チャンバ２に対して着脱可能であるだけでなく、トラップ部５３（トラップ下部６８）に対しても着脱可能である。図７（ａ）において、連結部材６９を取り外して、気体回収部５１およびトラップ上部６７が一体となったものと、冷却管５３Ｆを含むトラップ下部６８とを分離する。これにより、フレーム７１からトラップ下部６８を取り外したり、冷却管５３Ｆと接続される配管などを取り外したりしなくてもよい。そのため、気体回収部５１を容易に取り外すことができる。Ｌ字部材６６による引っ掛けた状態も解除し、気体回収部５１等を取り外した後の状態を図７（ｂ）に示す。 The gas recovery unit 51 is not only removable to the chamber 2, but also to the trap unit 53 (trap lower portion 68). In FIG. 7A, the connecting member 69 is removed to separate the gas recovery unit 51 and the trap upper portion 67 into one and the trap lower portion 68 including the cooling pipe 53F. As a result, it is not necessary to remove the trap lower portion 68 from the frame 71, or remove the pipe connected to the cooling pipe 53F. Therefore, the gas recovery unit 51 can be easily removed. FIG. 7B shows a state after the hooked state by the L-shaped member 66 is also released and the gas recovery unit 51 and the like are removed.

〔ステップＳ０２〕基板の手動搬入
図７（ｂ）において、排気口２３を通じて温度測定用基板８１を搬入する。温度測定用基板８１は、図７（ｃ）のように、有線タイプである。無線タイプの場合、測定温度が高いため無線回路が壊れてしまう場合がある。温度測定用基板８１は、基板面内を１７箇所で温度測定するため、１７個の温度センサ８３を備えている。温度センサ８３は、熱電対、測温抵抗体またはサーミスタなどで構成される。温度センサ８３には各々、チャンバ２外まで延ばすための信号線（配線）８４が接続されている。信号線８４は、図示しない温度計本体に温度情報等を送る。図７（ｃ）において、図示の便宜上、温度測定用基板８１は、１つの温度センサ８３を備えている。 [Step S02] Manual loading of the substrate In FIG. 7B, the temperature measuring substrate 81 is loaded through the exhaust port 23. As shown in FIG. 7C, the temperature measurement substrate 81 is a wired type. In the case of the wireless type, the wireless circuit may be broken because the measurement temperature is high. The temperature measuring substrate 81 is provided with 17 temperature sensors 83 in order to measure the temperature in the surface of the substrate at 17 points. The temperature sensor 83 is composed of a thermocouple, a resistance temperature detector, a thermistor, or the like. A signal line (wiring) 84 for extending to the outside of the chamber 2 is connected to each of the temperature sensors 83. The signal line 84 sends temperature information and the like to a thermometer body (not shown). In FIG. 7C, for convenience of illustration, the temperature measurement substrate 81 includes one temperature sensor 83.

なお、温度センサ８３は、１７個に限定されない。例えば、温度センサ８３は、１個、５個、９個またはその他の個数でもよい。すなわち、温度測定用基板８１は、少なくとも１個の温度センサ８３を備えている。 The number of temperature sensors 83 is not limited to 17. For example, the temperature sensors 83 may be 1, 5, 9, or other numbers. That is, the temperature measurement substrate 81 includes at least one temperature sensor 83.

温度測定用基板８１の搬入は、図８の搬送治具８６を用いて行う。図８において、搬送治具８６は、取手部８７、干渉回避溝８８および基板載置部８９を備えている。取手部８７は、メンテナンス者が持つため部分である。干渉回避溝８８は、熱処理装置１の支持ピン３１と干渉しないように設けられている。基板載置部８９は、温度測定用基板８１などの基板Ｗを載置する部分である。 The temperature measurement substrate 81 is carried in using the transfer jig 86 shown in FIG. In FIG. 8, the transfer jig 86 includes a handle portion 87, an interference avoidance groove 88, and a substrate mounting portion 89. The handle portion 87 is a portion for the maintenance person to hold. The interference avoidance groove 88 is provided so as not to interfere with the support pin 31 of the heat treatment apparatus 1. The substrate mounting portion 89 is a portion on which a substrate W such as a temperature measuring substrate 81 is mounted.

図７（ｂ）において、アクチュエータ３５（図１参照）は、昇降部材３３を介して支持ピン３１を上昇させる。上昇後、メンテナンス者は、搬送治具８６に温度測定用基板８１を載置する。その後、メンテナンス者は、排気口２３を通じて、支持ピン３１を干渉回避溝８８に通しつつ、搬送治具８６をチャンバ２内に侵入させる。そして、メンテナンス者は、チャンバ２内の支持ピン３１上に温度測定用基板８１を載置する。載置後、メンテナンス者は、搬送治具８６をチャンバ２外に後退させる。図７（ｃ）は、温度測定用基板８１を搬入した状態を示す図である。 In FIG. 7B, the actuator 35 (see FIG. 1) raises the support pin 31 via the elevating member 33. After ascending, the maintenance person places the temperature measurement substrate 81 on the transfer jig 86. After that, the maintenance person allows the transfer jig 86 to enter the chamber 2 while passing the support pin 31 through the interference avoidance groove 88 through the exhaust port 23. Then, the maintenance person places the temperature measurement substrate 81 on the support pin 31 in the chamber 2. After mounting, the maintenance person retracts the transfer jig 86 out of the chamber 2. FIG. 7C is a diagram showing a state in which the temperature measuring substrate 81 is carried in.

〔ステップＳ０３〕温度測定用蓋部の取り付け
図７（ｃ）において、温度測定用基板８１の搬入後、排気口２３を塞ぐようにチャンバ２に温度測定用蓋部９０を取り付ける。まず、図７（ｄ）に示す温度測定用蓋部９０をチャンバ２に仮取り付けする。温度測定用蓋部９０には、図７（ｄ）のように、２個のＬ字部材６６、切り欠き部９１、および４個のパッチン錠６３が設けられている。チャンバ２のフランジ２Ｂ（図６（ａ）参照）に温度測定用蓋部９０に設けられたＬ字部材６６を引っ掛けて仮取り付けする。これにより、排気口２３を塞ぐようにチャンバ２に温度測定用蓋部９０を取り付ける。この際、図７（ｄ）のように、１７個の温度センサ８３の各々から延びる信号線８４を温度測定用蓋部９０に設けられた切り欠き部９１を通じてチャンバ２外に引き出す。 [Step S03] Attachment of the temperature measurement lid portion In FIG. 7C, after the temperature measurement substrate 81 is carried in, the temperature measurement lid portion 90 is attached to the chamber 2 so as to close the exhaust port 23. First, the temperature measurement lid 90 shown in FIG. 7D is temporarily attached to the chamber 2. As shown in FIG. 7D, the temperature measuring lid 90 is provided with two L-shaped members 66, a notch 91, and four snap locks 63. The L-shaped member 66 provided on the temperature measurement lid 90 is hooked on the flange 2B of the chamber 2 (see FIG. 6A) to be temporarily attached. As a result, the temperature measurement lid 90 is attached to the chamber 2 so as to close the exhaust port 23. At this time, as shown in FIG. 7D, the signal line 84 extending from each of the 17 temperature sensors 83 is pulled out of the chamber 2 through the notch 91 provided in the temperature measurement lid 90.

温度測定用蓋部９０をチャンバ２に仮取り付けした後、パッチン錠６３によって、温度測定用蓋部９０をチャンバ２に取り付ける（本取り付け）。パッチン錠６３は、上述のように、レバー６５Ｂ操作により、受け部材６４にフック６５Ａを引っ掛けながらチャンバ２に温度測定用蓋部９０を押し付けて、この引っ掛けおよび押し付け状態を保持するように構成されている。また、パッチン錠６３は、レバー６５Ｂ操作により、保持された引っ掛けおよび押し付け状態を解放するように構成されている。 After the temperature measurement lid 90 is temporarily attached to the chamber 2, the temperature measurement lid 90 is attached to the chamber 2 by the snap lock 63 (main attachment). As described above, the snap lock 63 is configured to hold the hook and the pressed state by pressing the temperature measuring lid 90 against the chamber 2 while hooking the hook 65A on the receiving member 64 by operating the lever 65B. There is. Further, the snap lock 63 is configured to release the held hooked and pressed state by operating the lever 65B.

パッチン錠６３は、受け部材６４にフック６５Ａを引っ掛けながら、温度測定用蓋部９０をチャンバ２に押し付けて、この引っ掛けおよび押し付け状態を保持する。これにより、排気口２３が設けられたチャンバ２と温度測定用蓋部９０とを密着させることができる。また、Ｌ字部材６６によって温度測定用蓋部９０をチャンバ２に仮取り付けするよりも、排気口２３を通じて気体が出入りすることを抑制できる。 The snap lock 63 holds the hooked and pressed state by pressing the temperature measuring lid 90 against the chamber 2 while hooking the hook 65A on the receiving member 64. As a result, the chamber 2 provided with the exhaust port 23 and the temperature measurement lid 90 can be brought into close contact with each other. Further, the L-shaped member 66 can suppress the inflow and outflow of gas through the exhaust port 23, rather than temporarily attaching the temperature measurement lid 90 to the chamber 2.

なお、温度測定用蓋部９０は、本発明の蓋部に相当する。切り欠き部９１は、本発明の通路に相当する。本発明の通路は、管状通路であってもよい。必要により、温度測定用蓋部９０をチャンバ２に取り付けるためのパッチン錠６３およびＬ字部材６６のいずれか一方を設けないようにしてもよい。 The temperature measurement lid 90 corresponds to the lid of the present invention. The cutout portion 91 corresponds to the passage of the present invention. The passage of the present invention may be a tubular passage. If necessary, either the patchon lock 63 or the L-shaped member 66 for attaching the temperature measuring lid 90 to the chamber 2 may not be provided.

〔ステップＳ０４〕温度測定
その後、支持ピン３１を下降して、温度測定用基板８１を熱処理プレート３上に載置する。温度測定用基板８１を用いて温度を測定する。温度測定の際、チャンバ２内が大気圧の状態で行われる。 [Step S04] Temperature measurement After that, the support pin 31 is lowered to place the temperature measurement substrate 81 on the heat treatment plate 3. The temperature is measured using the temperature measuring substrate 81. At the time of temperature measurement, the inside of the chamber 2 is performed in a state of atmospheric pressure.

本実施例のメンテナンス方法において、チャンバ２に対して気体回収部５１を取り外した後、温度センサ８３を有する温度測定用基板８１を、排気口２３を通じてチャンバ２内に搬入している。無線の温度測定用基板は、熱処理プレート３による加熱で無線回路が壊れてしまう場合がある。そのため、有線（信号線８４）の温度測定用基板８１が用いられるが、基板搬送機構ＴＲ（ロボット）により基板出入口２１を通じて有線の温度測定用基板８１を送ることは難しい。そのため、チャンバ２に対して気体回収部５１を取り外した後、有線の温度測定用基板８１を、排気口２３を通じてチャンバ２内に容易に搬入ことができる。 In the maintenance method of this embodiment, after the gas recovery unit 51 is removed from the chamber 2, the temperature measurement substrate 81 having the temperature sensor 83 is carried into the chamber 2 through the exhaust port 23. In the wireless temperature measurement substrate, the wireless circuit may be broken by heating by the heat treatment plate 3. Therefore, although a wired (signal line 84) temperature measurement board 81 is used, it is difficult to send the wired temperature measurement board 81 through the board entrance / exit 21 by the board transfer mechanism TR (robot). Therefore, after the gas recovery unit 51 is removed from the chamber 2, the wired temperature measurement substrate 81 can be easily carried into the chamber 2 through the exhaust port 23.

また、本実施例のメンテナンス方法において、温度測定用基板の搬入後、気体回収部５１と異なる温度測定用蓋部９０に設けられた切り欠き部を通じて、温度センサ８３から延びる信号線８４をチャンバ２外に引き出しながら、排気口２３を塞ぐようにチャンバ２に温度測定用蓋部９０を取り付け（仮取り付け）している。気体回収部５１に代えてチャンバ２に取り付けると、排気口２３は温度測定用蓋部９０によって塞がれる。そのため、排気口２３を通じて気体が出入りすることを抑制でき、外乱の影響を抑えながら温度測定できる。 Further, in the maintenance method of the present embodiment, after the temperature measurement substrate is carried in, the signal line 84 extending from the temperature sensor 83 is connected to the chamber 2 through a notch provided in the temperature measurement lid 90 different from the gas recovery unit 51. The temperature measurement lid 90 is attached (temporarily attached) to the chamber 2 so as to close the exhaust port 23 while pulling out. When attached to the chamber 2 instead of the gas recovery unit 51, the exhaust port 23 is closed by the temperature measurement lid portion 90. Therefore, it is possible to suppress the inflow and outflow of gas through the exhaust port 23, and the temperature can be measured while suppressing the influence of disturbance.

〔ステップＳ０５〕温度測定用蓋部の取り外し
温度測定の終了後、支持ピン３１を上昇させて温度測定用基板８１を熱処理プレート３から離す。チャンバ２に対して温度測定用蓋部９０を取り外す。すなわち、パッチン錠６３によって、保持された引っ掛けおよび押し付け状態を解放する（ロック解除）。この際、Ｌ字部材６６により、温度測定用蓋部９０は、チャンバ２に対して仮取り付けされている。このＬ字部材６６による引っ掛け状態を解除して、チャンバ２に対して温度測定用蓋部９０を完全に取り外す。これにより、図７（ｃ）のように、排気口２３が現れる。 [Step S05] Removal of the temperature measurement lid portion After the temperature measurement is completed, the support pin 31 is raised to separate the temperature measurement substrate 81 from the heat treatment plate 3. The temperature measuring lid 90 is removed from the chamber 2. That is, the snap lock 63 releases the held hooked and pressed state (unlock). At this time, the temperature measurement lid 90 is temporarily attached to the chamber 2 by the L-shaped member 66. The hooked state by the L-shaped member 66 is released, and the temperature measurement lid 90 is completely removed from the chamber 2. As a result, the exhaust port 23 appears as shown in FIG. 7 (c).

〔ステップＳ０６〕基板の手動搬出
図７（ｃ）において、メンテナンス者は、排気口２３を通じて、支持ピン３１を干渉回避溝８８に通しつつ、搬送治具８６をチャンバ２内に侵入させる。その後、支持ピン３１上の温度測定用基板８１を搬送治具８６に載置する。そして、搬送治具８６を後退させて、温度測定用基板８１をチャンバ２外に搬出する。 [Step S06] Manual unloading of the substrate In FIG. 7 (c), the maintenance person allows the transfer jig 86 to enter the chamber 2 while passing the support pin 31 through the interference avoidance groove 88 through the exhaust port 23. After that, the temperature measurement substrate 81 on the support pin 31 is placed on the transfer jig 86. Then, the transfer jig 86 is retracted, and the temperature measurement substrate 81 is carried out of the chamber 2.

〔ステップＳ０７〕気体回収部５１の取り付け
図７（ｂ）において、支持ピン３１を下降する。その後、気体回収部５１のＬ字部材６６により、図６のように、チャンバ２に対して気体回収部５１を仮取り付けする。その後、連結部材６９により、気体回収部５１およびトラップ上部６７が一体となったものと、冷却管５３Ｆを含むトラップ下部６８とを連結する。その後、パッチン錠６３のレバー６５Ｂの操作により、受け部材６４にフック６５Ａを引っ掛けながらチャンバ２に気体回収部５１を押し付けて、この引っ掛けおよび押し付け状態を保持する（ロック）。これにより、チャンバ２に気体回収部５１が取り付けられる。図７（ａ）に示す状態に戻る。 [Step S07] Installation of Gas Recovery Unit 51 In FIG. 7B, the support pin 31 is lowered. After that, the gas recovery unit 51 is temporarily attached to the chamber 2 by the L-shaped member 66 of the gas recovery unit 51 as shown in FIG. After that, the connecting member 69 connects the gas recovery unit 51 and the trap upper portion 67 together with the trap lower portion 68 including the cooling pipe 53F. After that, by operating the lever 65B of the snap lock 63, the gas recovery unit 51 is pressed against the chamber 2 while hooking the hook 65A on the receiving member 64, and the hooked and pressed state is held (locked). As a result, the gas recovery unit 51 is attached to the chamber 2. The state returns to the state shown in FIG. 7 (a).

本実施例によれば、基板出入口２１とは別にチャンバ２の側壁には、排気口２３が設けられており、その排気口２３には、チャンバ２内の気体を排気する気体回収部５１が接続されている。気体回収部５１は、パッチン錠６３によって、チャンバ２から取り外され、また、チャンバ２に取り付けられるようになっている。気体回収部５１をチャンバ２から取り外すと、排気口２３が開かれる。この排気口２３がメンテナンス用の開口部となる。これにより、開口部の個数を増やさずに、基板出入口２１とは別に設けられたチャンバ２の開口部によって、チャンバ２内のメンテナンスができる。 According to this embodiment, an exhaust port 23 is provided on the side wall of the chamber 2 separately from the substrate entrance / exit 21, and a gas recovery unit 51 for exhausting the gas in the chamber 2 is connected to the exhaust port 23. Has been done. The gas recovery unit 51 is removed from the chamber 2 by the snap lock 63 and attached to the chamber 2. When the gas recovery unit 51 is removed from the chamber 2, the exhaust port 23 is opened. The exhaust port 23 serves as an opening for maintenance. As a result, maintenance inside the chamber 2 can be performed by the openings of the chamber 2 provided separately from the substrate entrance / exit 21 without increasing the number of openings.

また、パッチン錠６３は、チャンバ２に設けられた受け部材６４と、気体回収部５１に設けられ、受け部材６４に引っ掛けるフック６５Ａおよび、フック６５Ａを操作するレバー６５Ｂを有するフック可動部６５とを備えている。パッチン錠６３は、レバー６５Ｂ操作により、受け部材６４にフック６５Ａを引っ掛けながら、気体回収部５１をチャンバ２に押し付けて、この引っ掛けおよび押し付け状態を保持する。また、パッチン錠６３は、レバー６５Ｂ操作により、保持された上述の引っ掛けおよび押し付け状態を解放する。 Further, the snap lock 63 has a receiving member 64 provided in the chamber 2, a hook 65A provided in the gas recovery unit 51 for hooking on the receiving member 64, and a hook movable portion 65 having a lever 65B for operating the hook 65A. I have. The snap lock 63 presses the gas recovery unit 51 against the chamber 2 while hooking the hook 65A on the receiving member 64 by operating the lever 65B, and holds the hooked and pressed state. Further, the snap lock 63 releases the held hooked and pressed state by operating the lever 65B.

チャンバ２内の密閉は重要である。そのため、排気口２３を塞ぐために、排気口２３が設けられたチャンバ２と気体回収部５１との接合面の密閉を保つことが求められる。しかしながら、高温で熱処理すると、チャンバ２と気体回収部５１との接合面で焼付きが生じる。また、ボルトによってチャンバ２に気体回収部５１を取り付けていると、ボルトのネジ部分でも焼付きが生じる。これにより、ボルトが外れにくくなり作業効率が低下する。また、ボルトを外すときの力でボルトの頭部がちぎれてしまう可能性がある。ボルトの頭部がちぎれてしまうと、その後の対応が困難となる。本発明の留め具によれば、熱処理による焼付きが生じた場合であっても、レバー６５Ｂ操作により、チャンバ２から気体回収部５１を取り外すことができるので、気体回収部５１の取り外しが容易である。また、レバー６５Ｂ操作により、気体回収部５１の取り付けおよび取り外しができるので、工具を必要としない。このことによっても、気体回収部５１の取り付けおよび取り外しが容易となる。 Sealing within chamber 2 is important. Therefore, in order to close the exhaust port 23, it is required to keep the joint surface between the chamber 2 provided with the exhaust port 23 and the gas recovery unit 51 sealed. However, when the heat treatment is performed at a high temperature, seizure occurs at the joint surface between the chamber 2 and the gas recovery unit 51. Further, when the gas recovery unit 51 is attached to the chamber 2 by a bolt, seizure also occurs at the screw portion of the bolt. As a result, the bolt is hard to come off and the work efficiency is lowered. In addition, the head of the bolt may be torn off by the force when removing the bolt. If the head of the bolt is torn off, it will be difficult to deal with it thereafter. According to the fastener of the present invention, the gas recovery unit 51 can be removed from the chamber 2 by operating the lever 65B even when seizure occurs due to heat treatment, so that the gas recovery unit 51 can be easily removed. is there. Further, since the gas recovery unit 51 can be attached and detached by operating the lever 65B, no tool is required. This also facilitates the attachment and detachment of the gas recovery unit 51.

本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。 The present invention is not limited to the above embodiment, and can be modified and implemented as follows.

（１）上述した実施例では、チャンバ２に対する気体回収部５１の取り付けは、パッチン錠６３により行っていた。チャンバ２に対する気体回収部５１の取り付けは、図９のような留め具９３であってもよい。留め具９３は、受け部材９４とフック可動部９５とを備えている。受け部材９４は、フランジ２Ｂに固定されている。受け部材９４は、傾斜部９４Ａと保持部９４Ｂとを備えている。傾斜部９４Ａは、チャンバ２に対して気体回収部５１を段階的に押し付けるものである。傾斜部９４Ａと保持部９４Ｂとの間には段差がある。この段差により、保持部９４Ｂでフック９５Ａが保持される。 (1) In the above-described embodiment, the gas recovery unit 51 is attached to the chamber 2 by the snap lock 63. The gas recovery unit 51 may be attached to the chamber 2 by a fastener 93 as shown in FIG. The fastener 93 includes a receiving member 94 and a hook movable portion 95. The receiving member 94 is fixed to the flange 2B. The receiving member 94 includes an inclined portion 94A and a holding portion 94B. The inclined portion 94A pushes the gas recovery portion 51 stepwise against the chamber 2. There is a step between the inclined portion 94A and the holding portion 94B. The hook 95A is held by the holding portion 94B by this step.

一方、フック可動部９５は、フック９５Ａ、レバー９５Ｂ、回転軸９５Ｄおよび基台９５Ｆを備えている。基台９５Ｆは、気体回収部５１のフランジ５１Ｃに設けられている。レバー９５Ｂは、基台９５Ｆに対して回転軸９５Ｄ周りに回転可能である。レバー９５Ｂの一端には回転軸９５Ｄが設けられ、レバー９５Ｂの他端にはフック９５Ａが設けられている。 On the other hand, the hook movable portion 95 includes a hook 95A, a lever 95B, a rotating shaft 95D, and a base 95F. The base 95F is provided on the flange 51C of the gas recovery unit 51. The lever 95B can rotate about the rotation shaft 95D with respect to the base 95F. A rotating shaft 95D is provided at one end of the lever 95B, and a hook 95A is provided at the other end of the lever 95B.

すなわち、留め具９３は、レバー９５Ｂ操作により、受け部材９４にフック９５Ａを引っ掛けながらチャンバ２に気体回収部５１を押し付けて、この引っ掛けおよび押し付け状態を保持し、また、レバー９５Ｂ操作により、保持された引っ掛けおよび押し付け状態を解除するように構成されている。 That is, the fastener 93 presses the gas recovery unit 51 against the chamber 2 while hooking the hook 95A on the receiving member 94 by operating the lever 95B to hold the hooked and pressed state, and is held by operating the lever 95B. It is configured to release the hooked and pressed state.

（２）上述した実施例では、チャンバ２に対する気体回収部５１の取り付けは、パッチン錠６３により行っていた。また、図５（ａ）では、チャンバ２のフランジ２Ｂには、別部材として、受け部材６４が設けられていた。この点、図１０のように、受け部材６４は、フランジ２Ｂに一体形成されていてもよい。 (2) In the above-described embodiment, the gas recovery unit 51 is attached to the chamber 2 by the snap lock 63. Further, in FIG. 5A, the flange 2B of the chamber 2 is provided with a receiving member 64 as a separate member. In this regard, as shown in FIG. 10, the receiving member 64 may be integrally formed with the flange 2B.

（３）上述した実施例では、チャンバ２に対する気体回収部５１の取り付けは、片側２個のパッチン錠６３の協働により行っていた。すなわち、図５（ａ）において、上下２個のパッチン錠６３により行っていた。しかしながら、上下２個のパッチン錠６３のいずれか一方を、図１１のような２つの部材で構成される接触部９７に置き換えてもよい。 (3) In the above-described embodiment, the gas recovery unit 51 is attached to the chamber 2 in cooperation with two snap locks 63 on each side. That is, in FIG. 5A, the snap lock 63 was used for the upper and lower two snap locks 63. However, one of the upper and lower snap locks 63 may be replaced with a contact portion 97 composed of two members as shown in FIG.

（４）上述した実施例および各変形例では、仮取り付けのためにＬ字部材６６が設けられていたが、必要によりＬ字部材６６を設けなくてもよい。また、仮取り付けできる仮取り付け部材であれば、Ｌ字形状でなくてもよい。 (4) In the above-described embodiment and each modification, the L-shaped member 66 is provided for temporary attachment, but the L-shaped member 66 may not be provided if necessary. Further, as long as it is a temporary attachment member that can be temporarily attached, it does not have to be L-shaped.

（５）上述した実施例および各変形例では、排気口２３は、チャンバの内部の幅ＨＡ２と略同じ開口幅ＨＡ１を有していた。この点、図２（ａ）、図２（ｂ）のように、排気口２３の開口幅ＨＡ１は、チャンバ２の内部の幅ＨＡ２未満であってもよい。すなわち、排気口２３は、熱処理プレート３上の基板Ｗを排気口２３が設けられたチャンバ２の側壁に水平投影させた場合の水平方向の投影長さＨＡ３以上の開口幅ＨＡ１を有してもよい。これにより、少なくとも基板Ｗの上方における昇華物を含む気体の滞留を抑制しつつ排気口２３を通じて回収できる。なお、熱処理プレート３の基板載置面３Ａ、および基板Ｗは円形であったが、矩形でもよい。 (5) In the above-described embodiment and each modification, the exhaust port 23 has an opening width HA1 substantially the same as the width HA2 inside the chamber. In this regard, as shown in FIGS. 2A and 2B, the opening width HA1 of the exhaust port 23 may be less than the width HA2 inside the chamber 2. That is, even if the exhaust port 23 has an opening width HA1 having a projection length HA3 or more in the horizontal direction when the substrate W on the heat treatment plate 3 is horizontally projected onto the side wall of the chamber 2 provided with the exhaust port 23. Good. As a result, the gas can be recovered through the exhaust port 23 while suppressing the retention of the gas containing the sublimated material at least above the substrate W. Although the substrate mounting surface 3A and the substrate W of the heat treatment plate 3 are circular, they may be rectangular.

１ … 熱処理装置
２ … チャンバ
３ … 熱処理プレート
７ … 不活性ガス供給部
１１ … 排気ダクト部
２１ … 基板出入口
２３ … 排気口
２８Ａ … 冷却流路
２Ｂ … フランジ
５１ … 気体回収部
５３ … トラップ部
５１Ａ … 開口部
５１Ｂ … 開口部
５１Ｃ … フランジ
５３Ａ … トラップ流路
６３ … パッチン錠
６４，９４ … 受け部材
６４，９５ … フック可動部
６５Ａ，９５Ａ … フック
６５Ｂ，９５Ｂ … レバー
８１ … 温度測定用基板
８３ … 温度センサ
８４ … 信号線
９３ … 留め具
ＨＡ１ … 幅
ＨＡ３ … 投影長さ 1 ... Heat treatment device 2 ... Chamber 3 ... Heat treatment plate 7 ... Inactive gas supply part 11 ... Exhaust duct part 21 ... Board inlet / outlet 23 ... Exhaust port 28A ... Cooling flow path 2B ... Flange 51 ... Gas recovery part 53 ... Trap part 51A ... Opening 51B ... Opening 51C ... Flange 53A ... Trap flow path 63 ... Snap lock 64, 94 ... Receiving member 64, 95 ... Hook movable part 65A, 95A ... Hook 65B, 95B ... Lever 81 ... Temperature measurement board 83 ... Temperature Sensor 84… Signal line 93… Fastener HA1… Width HA3… Projection length

Claims (3)

基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内の下部に設けられ、基板を熱処理する熱処理プレートと、前記チャンバの側壁に設けられた基板出入口とを備えた熱処理装置のメンテナンス方法において、
着脱部によって、前記基板出入口とは別に前記チャンバの側壁に設けられた排気口に接続されて前記チャンバ内の気体を排気する排気ダクト部を前記チャンバから取り外す工程と、
前記チャンバから前記排気ダクト部を取り外した後、前記チャンバ外まで延ばすための信号線が接続された温度センサを有する温度測定用基板を、前記排気口を通じて前記チャンバに搬入する工程と、
前記温度測定用基板の搬入後、前記温度測定用基板を用いて温度を測定する工程と、
前記着脱部によって、前記チャンバに前記排気ダクト部を取り付ける工程と、
を備えていることを特徴とする熱処理装置のメンテナンス方法。 In a maintenance method of a heat treatment apparatus including a chamber for accommodating a substrate, a heat treatment plate provided at a lower portion in the chamber for heat-treating a substrate, and a substrate inlet / outlet provided on a side wall of the chamber.
A step of removing the exhaust duct portion from the chamber, which is connected to an exhaust port provided on the side wall of the chamber separately from the substrate entrance / exit by the attachment / detachment portion and exhausts the gas in the chamber.
After removing the exhaust duct portion from the chamber, a step of carrying a temperature measurement substrate having a temperature sensor to which a signal line extending to the outside of the chamber is connected into the chamber through the exhaust port.
After the temperature measurement substrate is brought in, the step of measuring the temperature using the temperature measurement substrate and
The step of attaching the exhaust duct portion to the chamber by the detachable portion, and
A maintenance method for a heat treatment apparatus, which comprises. 請求項１の熱処理装置のメンテナンス方法において、
前記温度測定用基板の搬入後、前記排気ダクト部と異なる蓋部に設けられた通路を通じて、前記温度センサから延びる前記信号線をチャンバ外に引き出しながら、前記排気口を塞ぐように前記チャンバに前記蓋部を取り付ける工程と、
を更に備えていることを特徴とする熱処理装置のメンテナンス方法。 In the maintenance method of the heat treatment apparatus according to claim 1 ,
After the temperature measurement substrate is carried in, the signal line extending from the temperature sensor is pulled out of the chamber through a passage provided in a lid portion different from the exhaust duct portion, and the exhaust port is closed in the chamber. The process of attaching the lid and
A maintenance method for a heat treatment apparatus, which further comprises. 請求項２の熱処理装置のメンテナンス方法において、
前記蓋部を取り付ける工程は、
前記チャンバおよび前記蓋部のうち一方に設けられた受け部材と、
前記チャンバおよび前記蓋部のうち他方に設けられ、
前記受け部材に引っ掛けるフックおよび、前記フックを操作するレバーとを有するフック可動部とを備えた留め具によって、前記レバーの操作により、前記受け部材に前記フックを引っ掛けながら、前記蓋部を前記チャンバに押し付けて、この引っ掛けおよび押し付け状態を保持することで、前記排気口を塞ぐように前記チャンバに前記蓋部を取り付けることを特徴とする熱処理装置のメンテナンス方法。 In the maintenance method of the heat treatment apparatus according to claim 2 .
The step of attaching the lid is
A receiving member provided on one of the chamber and the lid, and
Provided on the other of the chamber and the lid,
Hook hooked on the receiving member and, by fasteners having a hook movable portion and a lever for operating the hook, by the operation of the lever, while hooking the hook into the receiving member, wherein the lid chamber A method for maintaining a heat treatment apparatus, which comprises attaching the lid portion to the chamber so as to close the exhaust port by pressing the lid portion against the chamber and holding the hooked and pressed state.
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JP4373359B2 (en) * 2005-04-19 2009-11-25 クリーンサアフェイス技術株式会社 Board case
JP4737083B2 (en) * 2006-12-28 2011-07-27 東京エレクトロン株式会社 Heating device, coating, developing device and heating method
JP4589942B2 (en) * 2007-05-29 2010-12-01 エスペック株式会社 Gas processing unit
JP5062057B2 (en) * 2008-06-25 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 Vacuum processing equipment

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