JP6769040B2 - How to inspect electronic devices - Google Patents

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Description

本発明は、発熱部品の温度を検出可能な電子装置が備える熱伝導材の放熱機能を検査する検査方法に関する。 The present invention relates to an inspection method for inspecting a heat dissipation function of the heat conduction member with a temperature of the heat generating component detectable electronic device.

従来、基板に対し、スイッチング素子等の発熱素子と、その発熱素子が発熱する温度を測定するためのサーミスタ等が実装された電子装置が知られている。
特許文献1に記載の電子装置は、サーミスタを用いて発熱部品の温度を検出し、発熱部品が許容温度を超えて加熱することの無いように、発熱部品に供給される電流量を制限している。
また、この電子装置は、発熱部品に対して基板とは反対側に設けられたヒートシンクと発熱部品との間に、熱伝導材としての放熱ゲルが充填されている。これにより、発熱部品が発する熱は、放熱ゲルを経由してヒートシンクに放熱される。
Conventionally, an electronic device in which a heat generating element such as a switching element and a thermistor or the like for measuring the temperature at which the heat generating element generates heat is mounted on a substrate is known.
The electronic device described in Patent Document 1 detects the temperature of the heat-generating component by using a thermistor, and limits the amount of current supplied to the heat-generating component so that the heat-generating component does not heat beyond the permissible temperature. There is.
Further, in this electronic device, a heat radiating gel as a heat conductive material is filled between the heat sink and the heat generating component provided on the side opposite to the substrate with respect to the heat generating component. As a result, the heat generated by the heat generating component is dissipated to the heat sink via the heat radiating gel.

特開2015−126089号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2015-126809

しかしながら、特許文献1には、基板に複数の発熱部品を実装する場合にサーミスタを取り付ける位置に関する記載がされていない。仮に、複数の発熱部品のうち発熱温度が比較的低い発熱部品の近傍にサーミスタを実装した場合、その発熱部品よりも発熱温度が高い発熱部品の温度を正確に検出することが困難になることが懸念される。 However, Patent Document 1 does not describe the position where the thermistor is attached when a plurality of heat generating components are mounted on the substrate. If the thermistor is mounted in the vicinity of a heat-generating component whose heat-generating temperature is relatively low among a plurality of heat-generating components, it may be difficult to accurately detect the temperature of the heat-generating component whose heat-generating temperature is higher than that of the heat-generating component. I am concerned.

また、この電子装置は、基板とヒートシンクとを組付けた後、ヒートシンクと発熱部品との間に放熱ゲルが確実に充填されているか否かを視認することができない。そのため、仮に、ヒートシンクと発熱部品との間に放熱ゲルが充填されていないか、または、そこに充填された放熱ゲルの放熱機能が不十分な場合、発熱部品が発する熱がヒートシンクに適切に放熱されないことが懸念される。 Further, in this electronic device, after assembling the substrate and the heat sink, it is not possible to visually recognize whether or not the heat radiating gel is surely filled between the heat sink and the heat generating component. Therefore, if the heat-dissipating gel is not filled between the heat sink and the heat-generating component, or if the heat-dissipating gel filled therein has an insufficient heat-dissipating function, the heat generated by the heat-generating component is appropriately dissipated to the heat sink. There is concern that it will not be done.

本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、発熱部品の温度を正確に検出可能な電子装置、及び、その電子装置が備える熱伝導材の放熱機能を検査する検査方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above points, and provides an electronic device capable of accurately detecting the temperature of a heat generating component, and an inspection method for inspecting the heat dissipation function of the heat conductive material included in the electronic device. The purpose is.

発明は、電子装置が備える熱伝導材の放熱機能を検査する検査方法である。この検査方法は、第1温度取得ステップ、第2温度取得ステップ、判定ステップ、上限閾値設定ステップ、および検査ステップを含む。第1温度取得ステップでは、電子装置の構成を備えた第1の基準製品において、発熱部品に所定の電流パターンで電力を供給したときに検出部が検出した温度を取得する。第2温度取得ステップでは、電子装置の構成から熱伝導材を除いた第2の基準製品において、発熱部品に所定の電流パターンで電力を供給したときに検出部が検出した温度を取得する。判定ステップでは、第1温度取得ステップで取得した温度と第2温度取得ステップで取得した温度との差が、所定の閾値より大きいか否かを判定する。上限閾値設定ステップでは、第1温度取得ステップで取得した温度と第2温度取得ステップで取得した温度との差が所定の閾値より大きいとき、第1温度取得ステップで検出された温度と第2温度取得ステップで検出された温度との間の温度で上限閾値を設定する。検査ステップでは、検査品の発熱部品に所定の電流パターンで電力を供給し、その検査品が備える検出部が検出した温度が、上限閾値より低いか否かを検査する。 The present invention is an inspection method for inspecting the heat dissipation function of a heat conductive material included in an electronic device. This inspection method includes a first temperature acquisition step, a second temperature acquisition step, a determination step, an upper limit threshold setting step, and an inspection step. In the first temperature acquisition step, in the first reference product having the configuration of the electronic device, the temperature detected by the detection unit when the electric power is supplied to the heat generating component in a predetermined current pattern is acquired. In the second temperature acquisition step, in the second reference product obtained by removing the heat conductive material from the configuration of the electronic device, the temperature detected by the detection unit when power is supplied to the heat generating component in a predetermined current pattern is acquired. In the determination step, it is determined whether or not the difference between the temperature acquired in the first temperature acquisition step and the temperature acquired in the second temperature acquisition step is larger than a predetermined threshold value. In the upper limit threshold setting step, when the difference between the temperature acquired in the first temperature acquisition step and the temperature acquired in the second temperature acquisition step is larger than a predetermined threshold value, the temperature detected in the first temperature acquisition step and the second temperature The upper threshold is set by the temperature between the temperature detected in the acquisition step. In the inspection step, electric power is supplied to the heat-generating component of the inspection product in a predetermined current pattern, and it is inspected whether or not the temperature detected by the detection unit included in the inspection product is lower than the upper limit threshold value.

これにより、第1温度取得ステップで検出された温度と第2温度取得ステップで検出された温度との間の温度で上限閾値を設定したので、検査ステップで検査品の温度特性に公差がある場合でも、第1温度取得ステップで取得した温度と上限閾値との温度差により、その差を吸収することが可能である。したがって、この検査方法により、検査品が備える熱伝導材の放熱機能の検査に関し、誤検出を抑制することができる。 As a result, the upper limit threshold is set by the temperature between the temperature detected in the first temperature acquisition step and the temperature detected in the second temperature acquisition step. Therefore, when there is a tolerance in the temperature characteristics of the inspection product in the inspection step. But, due to the temperature difference between the temperature and the upper limit threshold value obtained by the first temperature acquisition step, it is possible to absorb the tolerances. Therefore, according to this inspection method, it is possible to suppress erroneous detection in the inspection of the heat dissipation function of the heat conductive material included in the inspection product .

本発明の第1実施形態による電子装置の断面図である。It is sectional drawing of the electronic apparatus according to 1st Embodiment of this invention. 図1のII方向の平面図である。It is a top view in the II direction of FIG. 図2のIII部分の拡大図である。It is an enlarged view of the part III of FIG. 第1実施形態による電子装置の回路構成図である。It is a circuit block diagram of the electronic device by 1st Embodiment. 第1実施形態による電子装置の検査方法のフローチャートである。It is a flowchart of the inspection method of the electronic device by 1st Embodiment. 第1実施形態による電子装置の検査方法で用いる電流パターンの例示である。This is an example of a current pattern used in the method for inspecting an electronic device according to the first embodiment. 第1実施形態による電子装置の温度特性の一例を示すグラフである。It is a graph which shows an example of the temperature characteristic of the electronic apparatus by 1st Embodiment. 第1実施形態による電子装置の温度特性の一例を示すグラフである。It is a graph which shows an example of the temperature characteristic of the electronic apparatus by 1st Embodiment. 第1実施形態による電子装置の検査方法のフローチャートである。It is a flowchart of the inspection method of the electronic device by 1st Embodiment. 第2実施形態による電子装置の平面図である。It is a top view of the electronic apparatus according to 2nd Embodiment. 第3実施形態による電子装置の平面図である。It is a top view of the electronic apparatus according to 3rd Embodiment.

以下、本発明の複数の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、図面は、いずれも模式図であり、適宜、縦横比等を変更したり、一部の部品の記載を省略したりしている。 Hereinafter, a plurality of embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. All of the drawings are schematic views, and the aspect ratio and the like are changed as appropriate, and the description of some parts is omitted.

〔第1実施形態〕
本発明の第1実施形態を図1〜図9に示す。本実施形態の電子装置1は、種々の製品の制御等に適用することが可能なものである。ここでは、その一例として、車両の電動パワーステアリング装置において運転者による操舵を補助するためのアシストトルクを発生するモータ2を駆動制御する電子装置1について説明する。
[First Embodiment]
The first embodiment of the present invention is shown in FIGS. 1 to 9. The electronic device 1 of the present embodiment can be applied to control of various products and the like. Here, as an example thereof, an electronic device 1 that drives and controls a motor 2 that generates an assist torque for assisting steering by a driver in an electric power steering device of a vehicle will be described.

(制御装置の構成)
まず、電子装置1の構成について説明する。
図1および図2に示すように、電子装置1は、基板10、複数のスイッチング素子20、ヒートシンク30、マイコン40およびサーミスタ50等を備えている。
(Control device configuration)
First, the configuration of the electronic device 1 will be described.
As shown in FIGS. 1 and 2, the electronic device 1 includes a substrate 10, a plurality of switching elements 20, a heat sink 30, a microcomputer 40, a thermistor 50, and the like.

基板10は、例えばFR−4等のプリント配線板であり、略矩形に形成されている。基板10は、4隅および中央に設けられた孔に挿入されるねじ31により、ヒートシンク30に固定されている。
ヒートシンク30は、アルミ等の熱伝導性のよい材料により形成され、所定の熱マスを有する。また、ヒートシンク30は、基板10等を支持する筐体としても機能するものである。
以下の説明において、基板10のヒートシンク30側の面を第1面11と称し、ヒートシンク30と反対側の面を第2面12と称することとする。すなわち、ヒートシンク30は、基板10の第1面11側に位置している。
The substrate 10 is a printed wiring board such as FR-4, and is formed in a substantially rectangular shape. The substrate 10 is fixed to the heat sink 30 by screws 31 inserted into the holes provided at the four corners and the center.
The heat sink 30 is made of a material having good thermal conductivity such as aluminum and has a predetermined heat mass. The heat sink 30 also functions as a housing for supporting the substrate 10 and the like.
In the following description, the surface of the substrate 10 on the heat sink 30 side is referred to as the first surface 11, and the surface on the side opposite to the heat sink 30 is referred to as the second surface 12. That is, the heat sink 30 is located on the first surface 11 side of the substrate 10.

基板10の第1面11には、4個のスイッチング素子20、シャント抵抗25、コンデンサ26、リレー27およびコネクタ28などが実装されている。
スイッチング素子20は、例えばMOSFET(金属酸化物半導体電界効果トランジスタ)である。なお、スイッチング素子20として、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)等を適用してもよい。4個のスイッチング素子20およびシャント抵抗25は、「発熱部品」の一例に相当する。
Four switching elements 20, a shunt resistor 25, a capacitor 26, a relay 27, a connector 28, and the like are mounted on the first surface 11 of the substrate 10.
The switching element 20 is, for example, a MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor). An IGBT (insulated gate bipolar transistor) or the like may be applied as the switching element 20. The four switching elements 20 and the shunt resistor 25 correspond to an example of a "heating component".

4個のスイッチング素子20とシャント抵抗25とは、ヒートシンク30に設けられた凹部32に収容されている。スイッチング素子20、シャント抵抗25及びそれらが実装された基板10の第1面11と、ヒートシンク30の凹部32の内壁との間には、熱伝導材としての放熱ゲル33が充填されている。放熱ゲル33は、通電等によりスイッチング素子20およびシャント抵抗25が発する熱を、ヒートシンク30へ伝熱する機能を有するものである。 The four switching elements 20 and the shunt resistor 25 are housed in a recess 32 provided in the heat sink 30. A heat radiating gel 33 as a heat conductive material is filled between the switching element 20, the shunt resistor 25, the first surface 11 of the substrate 10 on which they are mounted, and the inner wall of the recess 32 of the heat sink 30. The heat radiating gel 33 has a function of transferring the heat generated by the switching element 20 and the shunt resistor 25 to the heat sink 30 by energization or the like.

コンデンサ26およびリレー27などの大型の電子部品は、ヒートシンク30に設けられた収容室34に収容されている。なお、上述したスイッチング素子20等を収容するヒートシンク30の凹部32は、大型の電子部品を収容する収容室34よりも浅く形成されている。これにより、ヒートシンク30は、スイッチング素子20等を収容する凹部32が形成された箇所の熱マスを大きく確保し、スイッチング素子20等の放熱効率を高めている。
コネクタ28は、モータ2、バッテリ3(図4参照)および車両の各種センサ等との電気的接続に用いられる。
Large electronic components such as the capacitor 26 and the relay 27 are housed in a storage chamber 34 provided in the heat sink 30. The recess 32 of the heat sink 30 for accommodating the switching element 20 and the like described above is formed to be shallower than the accommodating chamber 34 for accommodating large electronic components. As a result, the heat sink 30 secures a large amount of heat mass at the location where the recess 32 for accommodating the switching element 20 and the like is formed, and enhances the heat dissipation efficiency of the switching element 20 and the like.
The connector 28 is used for electrical connection with the motor 2, the battery 3 (see FIG. 4), various sensors of the vehicle, and the like.

基板10の第2面12には、マイコン40、カスタムIC41、および、温度検出素子としてのサーミスタ50などが実装されている。マイコン40およびカスタムIC41は、いずれもCPU、ROM、RAMおよびI/O等を有する半導体パッケージである。マイコン40およびカスタムIC41は、車両の各部に設けられたセンサ類からの信号に基づき、スイッチング素子20の作動を制御することにより、モータ2の回転駆動を制御する。
マイコン40およびカスタムIC41は、スイッチング素子20、シャント抵抗25、コンデンサ26およびリレー27などの比較的大電流が流れる電子部品に対し、基板10の長手方向に離れた位置に設けられている。これにより、スイッチング素子20等に大電流が流れることによるノイズの影響を低減することが可能である。
A microcomputer 40, a custom IC 41, a thermistor 50 as a temperature detecting element, and the like are mounted on the second surface 12 of the substrate 10. The microcomputer 40 and the custom IC 41 are both semiconductor packages having a CPU, ROM, RAM, I / O, and the like. The microcomputer 40 and the custom IC 41 control the rotational drive of the motor 2 by controlling the operation of the switching element 20 based on the signals from the sensors provided in each part of the vehicle.
The microcomputer 40 and the custom IC 41 are provided at positions separated from each other in the longitudinal direction of the substrate 10 with respect to electronic components such as a switching element 20, a shunt resistor 25, a capacitor 26, and a relay 27 through which a relatively large current flows. This makes it possible to reduce the influence of noise caused by the large current flowing through the switching element 20 and the like.

サーミスタ50は、4個のスイッチング素子20のうち発熱温度が比較的高いスイッチング素子21,22に近い位置で、基板10を挟んで第2面12に実装されている。なお、サーミスタ50は、4個のスイッチング素子20のうち温度上昇が最も高いスイッチング素子21,22に近い位置に実装することがより好ましい。
サーミスタ50は、例えばNTCまたはPTCサーミスタであり、サーミスタ50自身の温度変化により、抵抗値が変化する。なお、基板10の第2面12にサーミスタ50を設けることで、サーミスタ50自身の熱が放熱ゲル33を経由してヒートシンク30へ伝わることが防がれる。
サーミスタ50からの出力は、マイコン40に入力される。マイコン40は、サーミスタ50の出力によりサーミスタ50の温度を検出する検出部として機能する。検出部としてのマイコン40が検出する温度はサーミスタ50の温度であるが、その温度はスイッチング素子20の発熱温度、またはサーミスタ50が設けられた位置の基板10の温度に相当するものである。
The thermistor 50 is mounted on the second surface 12 with the substrate 10 interposed therebetween at a position close to the switching elements 21 and 22 having a relatively high heat generation temperature among the four switching elements 20. It is more preferable that the thermistor 50 is mounted at a position close to the switching elements 21 and 22 having the highest temperature rise among the four switching elements 20.
The thermistor 50 is, for example, an NTC or PTC thermistor, and the resistance value changes depending on the temperature change of the thermistor 50 itself. By providing the thermistor 50 on the second surface 12 of the substrate 10, it is possible to prevent the heat of the thermistor 50 itself from being transferred to the heat sink 30 via the heat radiation gel 33.
The output from the thermistor 50 is input to the microcomputer 40. The microcomputer 40 functions as a detection unit that detects the temperature of the thermistor 50 by the output of the thermistor 50. The temperature detected by the microcomputer 40 as the detection unit is the temperature of the thermistor 50, and the temperature corresponds to the heat generation temperature of the switching element 20 or the temperature of the substrate 10 at the position where the thermistor 50 is provided.

次に、本実施形態の電子装置1の回路構成の一例について、図4を参照して説明する。なお、図4では便宜上、電子装置1の中にモータ2が記載されているが、このモータ2は電子装置1の外部において、電子装置1とは別個に設けられるものである。
4個のスイッチング素子20は、例えばHブリッジ回路を構成している。以下の説明において、適宜、電源側に接続される2個のスイッチング素子20をそれぞれ第1スイッチング素子21、第2スイッチング素子22と称し、グランド側に接続される2個のスイッチング素子20をそれぞれ第3スイッチング素子23、第4スイッチング素子24と称することとする。
Next, an example of the circuit configuration of the electronic device 1 of the present embodiment will be described with reference to FIG. In FIG. 4, for convenience, the motor 2 is described in the electronic device 1, but the motor 2 is provided outside the electronic device 1 separately from the electronic device 1.
The four switching elements 20 form, for example, an H-bridge circuit. In the following description, the two switching elements 20 connected to the power supply side will be referred to as the first switching element 21 and the second switching element 22, respectively, and the two switching elements 20 connected to the ground side will be referred to as the first switching element 20, respectively. It will be referred to as a 3 switching element 23 and a 4th switching element 24.

このHブリッジ回路では、第1、第3スイッチング素子21,23が直列に接続され、第2、第4スイッチング素子22,24が直列に接続されている。また、直列に接続された第1、第3スイッチング素子21,23と、直列に接続された第2、第4スイッチング素子22,24とが並列に接続されている。
第1、第2スイッチング素子21、22の接続点は、リレー27およびチョークコイル29を経由して、バッテリ3の正極と接続される。チョークコイル29は、ノイズを低減する。
バッテリ3と並列に接続されたコンデンサ26は、電荷を蓄えることにより、スイッチング素子20への電力供給を補助したり、サージ電圧などのノイズ成分を抑制したりする。
第3、第4スイッチング素子23、24の接続点は、シャント抵抗25を経由してバッテリ3の負極と接続される。シャント抵抗25は、モータ2に通電される電流の検出に用いられる。
第1、第3スイッチング素子21,23の接続点と、第2、第4スイッチング素子22,24の接続点の間に直流モータ2が接続される。
In this H-bridge circuit, the first and third switching elements 21 and 23 are connected in series, and the second and fourth switching elements 22 and 24 are connected in series. Further, the first and third switching elements 21 and 23 connected in series and the second and fourth switching elements 22 and 24 connected in series are connected in parallel.
The connection points of the first and second switching elements 21 and 22 are connected to the positive electrode of the battery 3 via the relay 27 and the choke coil 29. The choke coil 29 reduces noise.
The capacitor 26 connected in parallel with the battery 3 stores electric charges to assist the power supply to the switching element 20 and suppress noise components such as surge voltage.
The connection points of the third and fourth switching elements 23 and 24 are connected to the negative electrode of the battery 3 via the shunt resistor 25. The shunt resistor 25 is used to detect the current applied to the motor 2.
The DC motor 2 is connected between the connection points of the first and third switching elements 21 and 23 and the connection points of the second and fourth switching elements 22 and 24.

ここで、Hブリッジ回路の動作について説明する。Hブリッジ回路は、マイコン40およびカスタムIC41などで構成される制御部42からの制御信号により駆動制御される。
まず、制御部42が第3スイッチング素子23のオフ、第2スイッチング素子22のオフ、第1スイッチング素子21のオン、第4スイッチング素子24のオンをこの順で瞬時に行うと、バッテリ3の正極から電流が、チョークコイル29、リレー27、第1スイッチング素子21、モータ2、第4スイッチング素子24、シャント抵抗25、バッテリ3の負極に、この順で流れる。これにより、モータ2は、所定の方向(以下「正方向」という)に回転する。
Here, the operation of the H-bridge circuit will be described. The H-bridge circuit is driven and controlled by a control signal from a control unit 42 composed of a microcomputer 40, a custom IC 41, and the like.
First, when the control unit 42 instantly turns off the third switching element 23, turns off the second switching element 22, turns on the first switching element 21, and turns on the fourth switching element 24 in this order, the positive electrode of the battery 3 is used. Current flows from the choke coil 29, the relay 27, the first switching element 21, the motor 2, the fourth switching element 24, the shunt resistance 25, and the negative electrode of the battery 3 in this order. As a result, the motor 2 rotates in a predetermined direction (hereinafter referred to as "positive direction").

次に、制御部42が第4スイッチング素子24のオフ、第1スイッチング素子21のオフ、第2スイッチング素子22のオン、第3スイッチング素子23のオンをこの順で瞬時に行うと、バッテリ3の正極から電流が、チョークコイル29、リレー27、第2スイッチング素子22、モータ2、第3スイッチング素子23、シャント抵抗25、バッテリ3の負極に、この順で流れる。これにより、モータ2は、正方向とは反対方向(以下「逆方向」という)に回転する。
ところで、上述したように制御部42がモータ2の回転方向を正方向から逆方向に変えるとき、制御部42が第4スイッチング素子24のオフを行うと、それまで第1スイッチング素子21、モータ2、第4スイッチング素子24の順に流れていた電流は、一瞬のみ、第1スイッチング素子21、モータ2、第2スイッチング素子22の順に回流する。
Next, when the control unit 42 instantly turns off the fourth switching element 24, turns off the first switching element 21, turns on the second switching element 22, and turns on the third switching element 23 in this order, the battery 3 A current flows from the positive electrode to the choke coil 29, the relay 27, the second switching element 22, the motor 2, the third switching element 23, the shunt resistor 25, and the negative electrode of the battery 3 in this order. As a result, the motor 2 rotates in a direction opposite to the forward direction (hereinafter referred to as "reverse direction").
By the way, as described above, when the control unit 42 changes the rotation direction of the motor 2 from the forward direction to the reverse direction, if the control unit 42 turns off the fourth switching element 24, the first switching element 21 and the motor 2 until then. The current flowing in the order of the fourth switching element 24 is circulated in the order of the first switching element 21, the motor 2, and the second switching element 22 for a moment.

このような電流の回流は、モータ2の回転方向を逆方向から正方向に変えるときにも、同様に発生する。すなわち、制御部42が第3スイッチング素子23のオフを行うと、それまで第2スイッチング素子22、モータ2、第3スイッチング素子23の順に流れていた電流は、一瞬のみ、第2スイッチング素子22、モータ2、第1スイッチング素子21の順に流れる。したがって、Hブリッジ回路においては、電源側に接続される第1スイッチング素子21と第2スイッチング素子22の発熱温度が、グランド側に接続される第3スイッチング素子23と第4スイッチング素子24の発熱温度よりも高いものとなる。 Such current circulation also occurs when the rotation direction of the motor 2 is changed from the reverse direction to the forward direction. That is, when the control unit 42 turns off the third switching element 23, the current that has been flowing in the order of the second switching element 22, the motor 2, and the third switching element 23 until then is only for a moment, and the second switching element 22 The motor 2 and the first switching element 21 flow in this order. Therefore, in the H-bridge circuit, the heat generation temperature of the first switching element 21 and the second switching element 22 connected to the power supply side is the heat generation temperature of the third switching element 23 and the fourth switching element 24 connected to the ground side. Will be higher than.

そこで、本実施形態では、図3に示すように、サーミスタ50を実装する位置を、4個のスイッチング素子20のうち発熱温度が比較的高いスイッチング素子21,22に近い位置としている。なお、図3では、基板10の第1面11に実装されている第1スイッチング素子21と第2スイッチング素子22を破線で示し、基板10の第2面12に実装されているサーミスタ50とそのサーミスタ50が実装されている基板10の配線パターン51を実線で示している。以下、サーミスタ50が実装されている基板10の配線パターン51を、受熱用配線パターン51と称する。 Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 3, the position where the thermistor 50 is mounted is set to a position close to the switching elements 21 and 22 having a relatively high heat generation temperature among the four switching elements 20. In FIG. 3, the first switching element 21 and the second switching element 22 mounted on the first surface 11 of the substrate 10 are shown by broken lines, and the thermistor 50 mounted on the second surface 12 of the substrate 10 and the thermistor 50 thereof. The wiring pattern 51 of the board 10 on which the thermistor 50 is mounted is shown by a solid line. Hereinafter, the wiring pattern 51 of the substrate 10 on which the thermistor 50 is mounted is referred to as a heat receiving wiring pattern 51.

基板10の第1面11に実装されている第1スイッチング素子21と第2スイッチング素子22は、それぞれドレイン端子211,221、ソース端子212,222、ゲート端子213,223を有する。図3では、第1スイッチング素子21と第2スイッチング素子22のドレイン端子211,221、ソース端子212,222が接続する配線パターンが基板10の第1面11に設けられ、且つ、その配線パターンの発熱が大きくなる領域を二点鎖線Fで示している。以下、第1スイッチング素子21および第2スイッチング素子22が有するドレイン端子211,221およびソース端子212,222が接続する基板10の配線パターンを、電力配線パターン14と称する。 The first switching element 21 and the second switching element 22 mounted on the first surface 11 of the substrate 10 have drain terminals 211,221, source terminals 212, 222, and gate terminals 213, 223, respectively. In FIG. 3, a wiring pattern for connecting the drain terminals 211 and 221 and the source terminals 212 and 222 of the first switching element 21 and the second switching element 22 is provided on the first surface 11 of the substrate 10, and the wiring pattern thereof. The region where heat generation is large is shown by the alternate long and short dash line F. Hereinafter, the wiring pattern of the substrate 10 to which the drain terminals 211 and 221 and the source terminals 212 and 222 of the first switching element 21 and the second switching element 22 are connected is referred to as a power wiring pattern 14.

ここで、第2面12に設けられた受熱用配線パターン51は、第1面11に設けられた電力配線パターン14に対向する位置に設けられている。これにより、第1スイッチング素子21および第2スイッチング素子22からドレイン端子211,221およびソース端子212,222を経由して電力配線パターン14に伝わった熱は、それに対向する受熱用配線パターン51に伝わる。
また、この受熱用配線パターン51は、第1スイッチング素子21および第2スイッチング素子22が有するドレイン端子211,221およびソース端子212,222がそれぞれ接続する複数の電力配線パターン14に跨るようにして設けられている。これにより、1個のサーミスタ50を用いて、第1スイッチング素子21と第2スイッチング素子22の両方の発熱温度を検出することが可能である。
Here, the heat receiving wiring pattern 51 provided on the second surface 12 is provided at a position facing the power wiring pattern 14 provided on the first surface 11. As a result, the heat transferred from the first switching element 21 and the second switching element 22 to the power wiring pattern 14 via the drain terminals 211 and 221 and the source terminals 212 and 222 is transferred to the heat receiving wiring pattern 51 facing the power wiring pattern 14. ..
Further, the heat receiving wiring pattern 51 is provided so as to straddle a plurality of power wiring patterns 14 to which the drain terminals 211 and 221 and the source terminals 212 and 222 of the first switching element 21 and the second switching element 22 are connected, respectively. Has been done. Thereby, it is possible to detect the heat generation temperature of both the first switching element 21 and the second switching element 22 by using one thermistor 50.

しかしながら、上述した電子装置1の構成では、基板10とヒートシンク30とを組付けた後、ヒートシンク30とスイッチング素子20との間に放熱ゲル33が確実に充填されているか否かを視認することができない。仮に、基板10に孔を開けるなどして、放熱ゲル33が充填されていることを確認できたとしても、その放熱ゲル33が確実に放熱機能を発揮するか否かを保証することは困難である。そこで、本実施形態では、電子装置1が備える放熱ゲル33が放熱機能を発揮するか否かを、次に説明する検査方法により検査する。 However, in the configuration of the electronic device 1 described above, after assembling the substrate 10 and the heat sink 30, it is possible to visually recognize whether or not the heat radiation gel 33 is surely filled between the heat sink 30 and the switching element 20. Can not. Even if it can be confirmed that the heat radiating gel 33 is filled by making a hole in the substrate 10, it is difficult to guarantee whether or not the heat radiating gel 33 surely exhibits the heat radiating function. is there. Therefore, in the present embodiment, whether or not the heat radiating gel 33 included in the electronic device 1 exhibits the heat radiating function is inspected by the inspection method described below.

(検査方法)
電子装置1における放熱ゲル33の放熱機能に関する検査方法について、図5〜図9を参照して説明する。
この検査方法では、先ず、2個の基準製品を用いて、複数の電子装置1を検査する際に使用する上限閾値Tth_maxを設定する。次に、その上限閾値Tth_maxを用いて、複数の電子装置1が備える放熱ゲル33の放熱機能を検査する。
(Inspection method)
An inspection method regarding the heat dissipation function of the heat dissipation gel 33 in the electronic device 1 will be described with reference to FIGS. 5 to 9.
In this inspection method, first, the upper limit threshold value Tth_max used when inspecting a plurality of electronic devices 1 is set by using two reference products. Next, the heat dissipation function of the heat dissipation gel 33 included in the plurality of electronic devices 1 is inspected using the upper limit threshold value Tth_max.

上述した上限閾値Tth_maxを設定する方法を、図5のフローチャートに示す。
まず、電流パターン選択ステップ(S1)として、検査に使用する電流パターンを選択する。その電流パターンとして、図6(A)〜(D)に示すものが例示される。最初の電流パターン選択ステップ(S1)では、n番目の電流パターンとして、例えば図6(A)に示すものを選択したものとする。
The method of setting the above-mentioned upper limit threshold value Tth_max is shown in the flowchart of FIG.
First, as the current pattern selection step (S1), the current pattern used for the inspection is selected. Examples of the current pattern are those shown in FIGS. 6 (A) to 6 (D). In the first current pattern selection step (S1), it is assumed that, for example, the current pattern shown in FIG. 6A is selected as the nth current pattern.

次に、第1温度取得ステップ(S2)として、上述した電子装置1の構成と同一の構成を備えた第1の基準製品を用意する。そして、その第1の基準製品のスイッチング素子20に対し、図6(A)に示す電流パターンを印加する。このとき、サーミスタ50の出力に基づいてマイコン40が検出した温度を、検査機5(図1,図2参照)により取得する。図7(A)の実線Pは、その検査機5により取得された温度変化の一例である。 Next, as the first temperature acquisition step (S2), a first reference product having the same configuration as the configuration of the electronic device 1 described above is prepared. Then, the current pattern shown in FIG. 6A is applied to the switching element 20 of the first reference product. At this time, the temperature detected by the microcomputer 40 based on the output of the thermistor 50 is acquired by the inspection machine 5 (see FIGS. 1 and 2). The solid line P in FIG. 7A is an example of the temperature change acquired by the inspection machine 5.

続いて、第2温度取得ステップ(S3)として、上述した電子装置1の構成から放熱ゲル33を除いた構成を備えた第2の基準製品(図示していない)を用意する。すなわち、第2の基準製品は、放熱ゲル33を備えていないものである。そして、その第2の基準製品のスイッチング素子20に対し、第1温度取得ステップ(S2)と同じ電流パターンを印加する。このとき、サーミスタ50の出力に基づいてマイコン40が検出した温度を、検査機5により取得する。図7(A)の実線Qは、その検査機5により取得された温度変化の一例である。 Subsequently, as the second temperature acquisition step (S3), a second reference product (not shown) having a configuration in which the heat radiation gel 33 is removed from the configuration of the electronic device 1 described above is prepared. That is, the second reference product does not include the heat dissipation gel 33. Then, the same current pattern as in the first temperature acquisition step (S2) is applied to the switching element 20 of the second reference product. At this time, the temperature detected by the microcomputer 40 based on the output of the thermistor 50 is acquired by the inspection machine 5. The solid line Q in FIG. 7A is an example of the temperature change acquired by the inspection machine 5.

次に、判定ステップ(S4)として、先ず、第1温度取得ステップ(S2)の際に電流パターンを印加してから一定時間K秒経過後に取得した温度(以下「第1取得温度」という)Aと、第2温度取得ステップ(S3)の際に電流パターンを印加してから一定時間K秒経過後に取得した温度(以下「第2取得温度」という)Bとの差Mを求める。そして、その温度の差Mが、所定の閾値αより大きいか否かを判定する。なお、所定の閾値αは、複数の電子装置1の温度特性の公差に応じて適宜設定されるものである。温度の差Mが、所定の閾値αより大きいとき、処理は、電流パターン決定ステップ(S5)に移行する。 Next, as the determination step (S4), first, the temperature acquired after a lapse of a certain period of time K seconds after applying the current pattern in the first temperature acquisition step (S2) (hereinafter referred to as "first acquisition temperature") A. And the difference M from the temperature (hereinafter referred to as "second acquisition temperature") B acquired after a lapse of a certain time K seconds after applying the current pattern in the second temperature acquisition step (S3) is obtained. Then, it is determined whether or not the temperature difference M is larger than the predetermined threshold value α. The predetermined threshold value α is appropriately set according to the tolerance of the temperature characteristics of the plurality of electronic devices 1. When the temperature difference M is larger than the predetermined threshold value α, the process proceeds to the current pattern determination step (S5).

電流パターン決定ステップ(S5)では、上述した第1温度取得ステップ(S2)、第1温度取得ステップ(S3)および判定ステップ(S4)で使用した電流パターンを、複数の電子装置1が備える放熱ゲル33の放熱機能を検査する際の電流パターンとして決定する。
続いて、上限閾値設定ステップ(S6)では、複数の電子装置1が備える放熱ゲル33の放熱機能を検査する際に使用する上限閾値Tth_maxを設定する。図7(A)に示したように、この上限閾値Tth_maxは、第1取得温度Aと取得温度Bとの間の温度に設定する。
In the current pattern determination step (S5), the heat dissipation gel provided in the plurality of electronic devices 1 is the current pattern used in the first temperature acquisition step (S2), the first temperature acquisition step (S3), and the determination step (S4) described above. It is determined as a current pattern when inspecting the heat dissipation function of 33.
Subsequently, in the upper limit threshold setting step (S6), the upper limit threshold value Tth_max used when inspecting the heat dissipation function of the heat dissipation gel 33 included in the plurality of electronic devices 1 is set. As shown in FIG. 7A, this upper limit threshold value Tth_max is set to a temperature between the first acquisition temperature A and the acquisition temperature B.

一方、図7(B)に示したように、上述した第1温度取得ステップ(S2)においてサーミスタ50の温度が実線Rのように変化し、上述した第2温度取得ステップ(S3)においてサーミスタ50の温度が実線Sのように変化する場合が考えられる。この場合、判定ステップ(S4)において、第1取得温度Cと第2取得温度Dとの差Nは、所定の閾値αより小さいことがある。温度の差Nが、所定の閾値αより大きいとき、処理は、電流パターン変更ステップ(S7)に移行する。 On the other hand, as shown in FIG. 7B, the temperature of the thermistor 50 changes as shown by the solid line R in the first temperature acquisition step (S2) described above, and the thermistor 50 changes in the second temperature acquisition step (S3) described above. It is conceivable that the temperature of is changed as shown by the solid line S. In this case, in the determination step (S4), the difference N between the first acquisition temperature C and the second acquisition temperature D may be smaller than the predetermined threshold value α. When the temperature difference N is larger than the predetermined threshold value α, the process shifts to the current pattern change step (S7).

電流パターン変更ステップ(S7)では、検査に使用するn番目の電流パターンを1繰り上げ、n=n+1とする。その後、処理は、再び、電流パターン選択ステップ(S1)に戻る。次の電流パターン選択ステップ(S1)では、n番目の電流パターンとして、例えば図6(B)に示すものを選択する。このようにして、第1温度取得ステップ(S2)および第2温度取得ステップ(S3)において電子装置1の発熱部品に供給する電流パターンが変更される。 In the current pattern change step (S7), the nth current pattern used for the inspection is incremented by 1 so that n = n + 1. After that, the process returns to the current pattern selection step (S1) again. In the next current pattern selection step (S1), for example, the current pattern shown in FIG. 6B is selected as the nth current pattern. In this way, the current pattern supplied to the heat generating component of the electronic device 1 is changed in the first temperature acquisition step (S2) and the second temperature acquisition step (S3).

その後、処理は、判定ステップ(S4)において第1取得温度と第2取得温度との差が所定の閾値αより大きいものとなるまで、図6(A)〜(D)に例示したような種々の電流パターンを用いて、各ステップ(S1〜S4およびS7)を繰り返し実行する。
これにより、複数の電子装置1を検査する際に使用する上限閾値Tth_maxと、その際の電流パターンが設定される。
なお、図8に示したように、複数の電子装置1を検査する際に使用する上限閾値Tth_maxと共に、下限閾値Tth_minを設定してもよい。
After that, various processes are performed as illustrated in FIGS. 6 (A) to 6 (D) until the difference between the first acquisition temperature and the second acquisition temperature becomes larger than the predetermined threshold value α in the determination step (S4). Each step (S1 to S4 and S7) is repeatedly executed using the current pattern of.
As a result, the upper limit threshold value Tth_max used when inspecting the plurality of electronic devices 1 and the current pattern at that time are set.
As shown in FIG. 8, the lower limit threshold value Tth_min may be set together with the upper limit threshold value Tth_max used when inspecting a plurality of electronic devices 1.

続いて、複数の電子装置1が備える放熱ゲル33の放熱機能を検査する方法を、図9のフローチャートを参照して説明する。
まず、電流パターン選択ステップ(S10)として、上述した電流パターン決定ステップ(S5)で決定した電流パターンを、この検査に使用する電流パターンとして選択する。
Subsequently, a method of inspecting the heat dissipation function of the heat dissipation gel 33 included in the plurality of electronic devices 1 will be described with reference to the flowchart of FIG.
First, as the current pattern selection step (S10), the current pattern determined in the above-mentioned current pattern determination step (S5) is selected as the current pattern to be used for this inspection.

次に、検査ステップ(S11)として、所定の電子装置1のスイッチング素子20に対し、電流パターン選択ステップ(S10)で選択した電流パターンを印加する。そして、その電流パターンを印加してから一定時間K秒経過後に取得した温度(以下「検査温度」という)が、上限閾値設定ステップ(S6)で設定した上限閾値Tth_maxより小さいか否かを判定する。 Next, as the inspection step (S11), the current pattern selected in the current pattern selection step (S10) is applied to the switching element 20 of the predetermined electronic device 1. Then, it is determined whether or not the temperature acquired after a lapse of a certain period of time K seconds after applying the current pattern (hereinafter referred to as "inspection temperature") is smaller than the upper limit threshold value Tth_max set in the upper limit threshold value setting step (S6). ..

検査温度が上限閾値Tth_maxより小さいとき、その所定の電子装置1が備える放熱ゲル33の放熱機能は有効に機能しているものと判定し(S12)、その所定の電子装置1の検査を終了する。
一方、検査温度が上限閾値Tth_maxより大きいとき、その所定の電子装置1が放熱ゲル33を備えていないか、または、放熱ゲル33を備えていたとしてもその放熱機能が有効に機能していないものと判定し(S13)、その所定の電子装置1の検査を終了する。
続いて、S10からS13の処理により、複数の電子装置1の検査を順次行ってゆく。
When the inspection temperature is smaller than the upper limit threshold value Tth_max, it is determined that the heat dissipation function of the heat dissipation gel 33 included in the predetermined electronic device 1 is functioning effectively (S12), and the inspection of the predetermined electronic device 1 is completed. ..
On the other hand, when the inspection temperature is larger than the upper limit threshold value Tth_max, the predetermined electronic device 1 does not have the heat radiating gel 33, or even if the heat radiating gel 33 is provided, the heat radiating function does not function effectively. (S13), and the inspection of the predetermined electronic device 1 is completed.
Subsequently, by the processing of S10 to S13, the inspection of the plurality of electronic devices 1 is sequentially performed.

(作用効果)
本実施形態の電子装置1は、次の作用効果を奏する。
(1)本実施形態では、サーミスタ50が、基板10に放熱ゲル33が塗布された第1面11とは反対側の第2面12に設けられるので、サーミスタ50自身の熱が放熱ゲル33を経由してヒートシンク30に放熱されることが防がれる。また、サーミスタ50は、複数のスイッチング素子20のうち発熱温度が比較的高いスイッチング素子21,22の温度変化によりサーミスタ50自身の温度が変化する。したがって、電子装置1は、サーミスタ50の出力により、そのスイッチング素子21,22の温度を正確に検出可能である。その結果、電子装置1は、全てのスイッチング素子21〜24に供給する電流量を適切に制限することができる。
なお、サーミスタ50は、複数のスイッチング素子20のうち温度上昇が最も高いスイッチング素子21,22に近い位置に実装することがより好ましい。
(Action effect)
The electronic device 1 of the present embodiment has the following effects.
(1) In the present embodiment, the thermistor 50 is provided on the second surface 12 opposite to the first surface 11 on which the heat radiation gel 33 is applied to the substrate 10, so that the heat of the thermistor 50 itself causes the heat radiation gel 33. It is possible to prevent heat from being dissipated to the heat sink 30 via the heat sink 30. Further, in the thermistor 50, the temperature of the thermistor 50 itself changes due to a temperature change of the switching elements 21 and 22 having a relatively high heat generation temperature among the plurality of switching elements 20. Therefore, the electronic device 1 can accurately detect the temperature of the switching elements 21 and 22 by the output of the thermistor 50. As a result, the electronic device 1 can appropriately limit the amount of current supplied to all the switching elements 21 to 24.
It is more preferable that the thermistor 50 is mounted at a position close to the switching elements 21 and 22 having the highest temperature rise among the plurality of switching elements 20.

(2)本実施形態では、基板10はスイッチング素子20が実装された第1面11とは反対側となる第2面12に、サーミスタ50が実装される受熱用配線パターン51を備える。
これにより、スイッチング素子20が発する熱を受熱用配線パターン51に受熱させ、その熱によりサーミスタ50の温度を変化させることが可能である。したがって、電子装置1は、サーミスタ50により、スイッチング素子20の急峻な温度上昇を敏感に測定することができる。
(2) In the present embodiment, the substrate 10 is provided with a heat receiving wiring pattern 51 on which the thermistor 50 is mounted on the second surface 12 which is opposite to the first surface 11 on which the switching element 20 is mounted.
As a result, the heat generated by the switching element 20 can be received by the heat receiving wiring pattern 51, and the temperature of the thermista 50 can be changed by the heat. Therefore, the electronic device 1 can sensitively measure the steep temperature rise of the switching element 20 by the thermistor 50.

(3)本実施形態では、受熱用配線パターン51は、発熱温度が比較的高いスイッチング素子21,22のドレイン端子211,221またはソース端子212,222が接続する電力配線パターン14に対向する位置に設けられる。
これにより、スイッチング素子20が発する熱を電力配線パターン14から受熱用配線パターン51に伝熱させ、その熱によりサーミスタ50の温度を変化させることが可能である。したがって、電子装置1は、サーミスタ50により、スイッチング素子20の急峻な温度上昇を敏感に測定することができる。
(3) In the present embodiment, the heat receiving wiring pattern 51 is located at a position facing the power wiring pattern 14 to which the drain terminals 211 and 221 or the source terminals 212 and 222 of the switching elements 21 and 22 having a relatively high heat generation temperature are connected. Provided.
As a result, the heat generated by the switching element 20 can be transferred from the power wiring pattern 14 to the heat receiving wiring pattern 51, and the temperature of the thermistor 50 can be changed by the heat. Therefore, the electronic device 1 can sensitively measure the steep temperature rise of the switching element 20 by the thermistor 50.

(4)本実施形態では、受熱用配線パターン51は、複数のスイッチング素子20が接続する複数の電力配線パターン14に対向する位置において、複数の電力配線パターン14に跨るようにして設けられる。
これにより、1個のサーミスタ50を用いて、複数のスイッチング素子20の温度を検出することが可能である。
(4) In the present embodiment, the heat receiving wiring pattern 51 is provided so as to straddle the plurality of power wiring patterns 14 at positions facing the plurality of power wiring patterns 14 to which the plurality of switching elements 20 are connected.
Thereby, it is possible to detect the temperatures of the plurality of switching elements 20 by using one thermistor 50.

(5)本実施形態では、発熱温度が比較的高いスイッチング素子21,22は、Hブリッジ回路を構成している複数のスイッチング素子20のうち、電源側に接続されるスイッチング素子21,22である。
これにより、複数のスイッチング素子20の中で、発熱温度が比較的高いスイッチング素子21,22を容易に特定することが可能である。
(5) In the present embodiment, the switching elements 21 and 22 having a relatively high heat generation temperature are the switching elements 21 and 22 connected to the power supply side among the plurality of switching elements 20 constituting the H-bridge circuit. ..
This makes it possible to easily identify the switching elements 21 and 22 having a relatively high heat generation temperature among the plurality of switching elements 20.

本実施形態の電子装置1を検査する検査方法は、次の作用効果を奏する。
(6)本実施形態では、上限閾値設定ステップにおいて、第1取得温度と第2取得温度との差が所定の閾値αより大きいとき、検査ステップで使用する上限閾値Tth_maxを設定する。
これにより、第1取得温度と上限閾値Tth_maxとの温度差を大きく確保することが可能である。したがって、検査ステップで検査する所定の電子装置1の温度特性に公差がある場合でも、第1取得温度と上限閾値Tth_maxとの温度差により、その交差を吸収することが可能である。したがって、この検査方法により、所定の電子装置1が備える放熱ゲル33の放熱機能の検査に関し、誤検出を抑制することができる。
The inspection method for inspecting the electronic device 1 of the present embodiment has the following effects.
(6) In the present embodiment, when the difference between the first acquisition temperature and the second acquisition temperature is larger than the predetermined threshold value α in the upper limit threshold setting step, the upper limit threshold value Tth_max used in the inspection step is set.
As a result, it is possible to secure a large temperature difference between the first acquisition temperature and the upper limit threshold value Tth_max. Therefore, even if there is a tolerance in the temperature characteristics of the predetermined electronic device 1 to be inspected in the inspection step, it is possible to absorb the intersection by the temperature difference between the first acquisition temperature and the upper limit threshold value Tth_max. Therefore, according to this inspection method, it is possible to suppress erroneous detection regarding the inspection of the heat dissipation function of the heat dissipation gel 33 included in the predetermined electronic device 1.

(7)本実施形態では、電流パターン変更ステップにおいて、第1取得温度と第2取得温度との差が、所定の閾値αより小さいとき、電子装置1のスイッチング素子20に供給する電流パターンを変更する。
これにより、第1取得温度と第2取得温度との差が所定の閾値αより大きいものとなる電流パターン、すなわち検査に用いる適切な電流パターンを選択することが可能である。
(7) In the present embodiment, when the difference between the first acquisition temperature and the second acquisition temperature is smaller than the predetermined threshold value α in the current pattern change step, the current pattern supplied to the switching element 20 of the electronic device 1 is changed. To do.
Thereby, it is possible to select a current pattern in which the difference between the first acquisition temperature and the second acquisition temperature is larger than a predetermined threshold value α, that is, an appropriate current pattern used for the inspection.

〔第2実施形態〕
本発明の第2実施形態を図10に示す。以下の説明において、上述した第1実施形態と実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
第2実施形態では、4個のスイッチング素子20のうち発熱温度が比較的高い2個のスイッチング素子21,22が、コネクタ28とは反対側で基板10の長手方向に並んで配置されている。そのため、サーミスタ50は、その2個のスイッチング素子21,22に近い位置で、基板10を挟んで実装されている。これにより、第2実施形態の電子装置1も、第1実施形態と同様に、サーミスタ50の出力により、スイッチング素子21,22の温度を正確に検出し、全てのスイッチング素子20に供給する電流量を適切に制限することができる。
[Second Embodiment]
A second embodiment of the present invention is shown in FIG. In the following description, the same reference numerals will be given to the configurations substantially the same as those of the first embodiment described above, and the description thereof will be omitted.
In the second embodiment, the two switching elements 21 and 22, which have a relatively high heat generation temperature among the four switching elements 20, are arranged side by side in the longitudinal direction of the substrate 10 on the opposite side of the connector 28. Therefore, the thermistor 50 is mounted so as to sandwich the substrate 10 at positions close to the two switching elements 21 and 22. As a result, the electronic device 1 of the second embodiment also accurately detects the temperature of the switching elements 21 and 22 by the output of the thermistor 50 and supplies the current amount to all the switching elements 20 as in the first embodiment. Can be appropriately restricted.

〔第3実施形態〕
本発明の第3実施形態を図11に示す。第3実施形態では、4個のスイッチング素子20のうち発熱温度が比較的高い2個のスイッチング素子21,22が、基板10の長手方向中央付近において、基板10の短手方向に並んで配置されている。そのため、サーミスタ50は、その2個のスイッチング素子21,22に近い位置で、基板10を挟んで実装されている。これにより、第3実施形態の電子装置1も、第1、第2実施形態と同様に、サーミスタ50の出力により、スイッチング素子21,22の温度を正確に検出し、全てのスイッチング素子20に供給する電流量を適切に制限することができる。
[Third Embodiment]
A third embodiment of the present invention is shown in FIG. In the third embodiment, two switching elements 21 and 22 having a relatively high heat generation temperature among the four switching elements 20 are arranged side by side in the lateral direction of the substrate 10 near the center in the longitudinal direction of the substrate 10. ing. Therefore, the thermistor 50 is mounted so as to sandwich the substrate 10 at positions close to the two switching elements 21 and 22. As a result, the electronic device 1 of the third embodiment also accurately detects the temperature of the switching elements 21 and 22 by the output of the thermistor 50 and supplies the temperature to all the switching elements 20 as in the first and second embodiments. The amount of current to be generated can be appropriately limited.

(他の実施形態)
(1)上述した実施形態では、車両の電動パワーステアリング装置に使用されるモータ2を駆動制御する電子装置1を例にして説明した。これに対し、他の実施形態では、電子装置1は、モータ2の駆動に限らず、種々の製品の制御等に適用可能なものである。
(Other embodiments)
(1) In the above-described embodiment, the electronic device 1 that drives and controls the motor 2 used in the electric power steering device of the vehicle has been described as an example. On the other hand, in another embodiment, the electronic device 1 is applicable not only to driving the motor 2 but also to controlling various products.

(2)上述した実施形態では、スイッチング素子20は、Hブリッジ回路を構成しているものを例に説明した。これに対し、他の実施形態では、スイッチング素子20は、例えば三相インバータ回路など種々の回路を構成するものでもよく、または、単に通電のオン、オフを行うものでもよい。 (2) In the above-described embodiment, the switching element 20 has been described by taking the one constituting the H-bridge circuit as an example. On the other hand, in another embodiment, the switching element 20 may constitute various circuits such as a three-phase inverter circuit, or may simply turn on / off the energization.

(3)上述した実施形態では、複数の発熱部品としての複数のスイッチング素子20やシャント抵抗25を基板10の一部に纏めて配置した。これに対し、他の実施形態では、複数の発熱部品としての複数のスイッチング素子20やシャント抵抗25は、基板10のどの位置に配置してもよいし、基板10に分散して配置してもよい。また、複数の発熱部品のうち、その一部の発熱部品を基板10の第1面11に配置し、残りの発熱部品を基板10の第2面12に配置してもよい。すなわち、本発明は、複数の発熱部品を基板に配置する位置に限定は無い。
この場合でも、本発明は、基板に設置された複数の発熱部品のうち発熱温度が比較的高い発熱部品の近くに温度検出素子が設けられるという位置関係が成立していれば良い。
(3) In the above-described embodiment, a plurality of switching elements 20 and shunt resistors 25 as a plurality of heat generating components are collectively arranged on a part of the substrate 10. On the other hand, in another embodiment, the plurality of switching elements 20 and the shunt resistors 25 as the plurality of heat generating components may be arranged at any position on the substrate 10 or may be dispersedly arranged on the substrate 10. Good. Further, among the plurality of heat-generating components, some of the heat-generating components may be arranged on the first surface 11 of the substrate 10, and the remaining heat-generating components may be arranged on the second surface 12 of the substrate 10. That is, in the present invention, there is no limitation on the position where a plurality of heat generating components are arranged on the substrate.
Even in this case, in the present invention, it is sufficient that the positional relationship is established in which the temperature detection element is provided near the heat generating component having a relatively high heat generating temperature among the plurality of heat generating components installed on the substrate.

(4)上述した実施形態では、温度検出素子としてサーミスタ50を例に説明した。これに対し、他の実施形態では、温度検出素子は、例えば白金測温抵抗体など種々の素子用いることが可能である。 (4) In the above-described embodiment, the thermistor 50 has been described as an example of the temperature detecting element. On the other hand, in other embodiments, the temperature detection element can use various elements such as a platinum resistance temperature detector.

(5)上述した実施形態では、発熱部品としてMOSFETまたはIGBTなどのスイッチング素子20およびシャント抵抗25を例に説明した。これに対し、他の実施形態では、発熱部品は、例えばコンデンサ26またはコイル29などとしてもよい。 (5) In the above-described embodiment, a switching element 20 such as a MOSFET or an IGBT and a shunt resistor 25 have been described as examples as heat generating components. On the other hand, in other embodiments, the heat generating component may be, for example, a capacitor 26 or a coil 29.

(6)上述した実施形態では、熱伝導材として放熱ゲル33を例に説明した。これに対し、他の実施形態では、熱伝導材は、例えば放熱シートまたは放熱グリスなどでもよい。
このように、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の形態で実施可能である。
(6) In the above-described embodiment, the heat radiating gel 33 has been described as an example as the heat conductive material. On the other hand, in other embodiments, the heat conductive material may be, for example, a heat radiating sheet or a heat radiating grease.
As described above, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be implemented in various forms without departing from the spirit of the invention.

1 ・・・電子装置
10・・・基板
20・・・スイッチング素子(発熱部品)
30・・・ヒートシンク
33・・・放熱ゲル(熱伝導材)
40・・・マイコン(検出部)
50・・・サーミスタ(温度検出素子)
1 ... Electronic device 10 ... Substrate 20 ... Switching element (heat generating component)
30 ... Heat sink 33 ... Heat dissipation gel (heat conductive material)
40 ... Microcomputer (detector)
50 ... Thermistor (temperature detection element)

Claims (5)

基板(10)、前記基板に実装された複数の発熱部品(20〜25)、前記発熱部品に対し前記基板とは反対側に設けられたヒートシンク(30)、前記発熱部品と前記ヒートシンクとの間に充填された熱伝導材(33)、前記基板に前記熱伝導材が充填された面(11)とは反対側の面(12)で複数の前記発熱部品のうち発熱温度が比較的高い前記発熱部品(21,22)の近くに設けられた温度検出素子(50)、および、前記温度検出素子の出力により温度を検出可能な検出部(40)を備えた電子装置(1)が備える前記熱伝導材の放熱機能を検査することの可能な検査方法であって、
前記電子装置の構成を備えた第1の基準製品において、前記発熱部品に所定の電流パターンで電力を供給したときに前記検出部が検出した温度を取得する第1温度取得ステップ(S2)と、
前記電子装置の構成から前記熱伝導材を除いた第2の基準製品において、前記発熱部品に所定の電流パターンで電力を供給したときに前記検出部が検出した温度を取得する第2温度取得ステップ(S3)と、
前記第1温度取得ステップで取得した温度と前記第2温度取得ステップで取得した温度との差(M,N)が、所定の閾値(α)より大きいか否かを判定する判定ステップ(S4)と、
前記第1温度取得ステップで取得した温度と前記第2温度取得ステップで取得した温度との差が前記所定の閾値より大きいとき、前記第1温度取得ステップで検出された温度と前記第2温度取得ステップで検出された温度との間の温度で上限閾値(Tth_max)を設定する上限閾値設定ステップ(S6)と、
前記電子装置の構成を備えた検査品において、前記発熱部品に前記所定の電流パターンで電力を供給し、前記検査品が備える前記検出部が検出した温度が、前記上限閾値より低いか否かを検査する検査ステップ(S11)と、を含む電子装置の検査方法。
A substrate (10) , a plurality of heat-generating components (20 to 25) mounted on the substrate, a heat sink (30) provided on the opposite side of the heat-generating component from the substrate, and between the heat-generating component and the heat sink. The heat conductive material (33) filled in the above, and the surface (12) opposite to the surface (11) in which the heat conductive material is filled in the substrate, the heat generating temperature is relatively high among the plurality of heat generating parts. The electronic device (1) including a temperature detection element (50) provided near the heat generating component (21, 22) and a detection unit (40) capable of detecting the temperature by the output of the temperature detection element. It is an inspection method that can inspect the heat dissipation function of the heat conductive material.
In the first reference product having the configuration of the electronic device, the first temperature acquisition step (S2) for acquiring the temperature detected by the detection unit when power is supplied to the heat generating component in a predetermined current pattern,
In the second reference product in which the heat conductive material is removed from the configuration of the electronic device, a second temperature acquisition step of acquiring the temperature detected by the detection unit when power is supplied to the heat generating component in a predetermined current pattern. (S3) and
A determination step (S4) for determining whether or not the difference (M, N) between the temperature acquired in the first temperature acquisition step and the temperature acquired in the second temperature acquisition step is larger than a predetermined threshold value (α). When,
When the difference between the temperature acquired in the first temperature acquisition step and the temperature acquired in the second temperature acquisition step is larger than the predetermined threshold value, the temperature detected in the first temperature acquisition step and the second temperature acquisition The upper limit threshold setting step (S6) for setting the upper limit threshold value (Tth_max) at the temperature between the temperature detected in the step and
In the inspection product having the configuration of the electronic device, power is supplied to the heat generating component in the predetermined current pattern, and whether or not the temperature detected by the detection unit included in the inspection product is lower than the upper limit threshold value is determined. A method for inspecting an electronic device including an inspection step (S11) to be inspected.
前記第1温度取得ステップで取得した温度と前記第2温度取得ステップで取得した温度との差が、前記所定の閾値より小さいとき、前記第1温度取得ステップおよび前記第2温度取得ステップにおいて前記電子装置の前記発熱部品に供給する電流パターンを変更する電流パターン変更ステップ(S7)をさらに含む請求項に記載の電子装置の検査方法。 When the difference between the temperature acquired in the first temperature acquisition step and the temperature acquired in the second temperature acquisition step is smaller than the predetermined threshold value, the electrons in the first temperature acquisition step and the second temperature acquisition step. The method for inspecting an electronic device according to claim 1 , further comprising a current pattern changing step (S7) for changing the current pattern supplied to the heat generating component of the device. 前記電子装置の前記基板は、発熱温度が比較的高い前記発熱部品が実装された面とは反対側の面に、前記温度検出素子が実装される受熱用配線パターン(51)を備える請求項1または2に記載の電子装置の検査方法 1. The substrate of the electronic device includes a heat receiving wiring pattern (51) on which the temperature detection element is mounted on a surface opposite to the surface on which the heat generating component having a relatively high heat generation temperature is mounted. Alternatively, the method for inspecting an electronic device according to 2 . 前記電子装置の前記受熱用配線パターンは、発熱温度が比較的高い前記発熱部品が有するドレイン端子(211,221)またはソース端子(212,222)が接続する電力配線パターン(14)に対向する位置に設けられるものである請求項に記載の電子装置の検査方法 The heat receiving wiring pattern of the electronic device is located at a position facing the power wiring pattern (14) to which the drain terminals (21,221) or source terminals (212, 222) of the heat generating component having a relatively high heat generation temperature are connected. The method for inspecting an electronic device according to claim 3 , which is provided in 1. 前記電子装置の前記受熱用配線パターンは、発熱温度の高い複数の前記発熱部品のドレイン端子またはソース端子が接続する複数の電力配線パターンに対向する位置において、複数の前記電力配線パターンに跨るようにして設けられるものである請求項またはに記載の電子装置の検査方法 The heat receiving wiring pattern of the electronic device straddles the plurality of power wiring patterns at positions facing the plurality of power wiring patterns to which the drain terminals or source terminals of the plurality of heat generating components having a high heat generation temperature are connected. The method for inspecting an electronic device according to claim 3 or 4 , wherein the method is provided .
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