JP6759881B2 - 生体分子検出装置および生体分子検出装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1には、本実施形態に係る生体分子検出装置Xの概略平面図が示される。また、図2には、生体分子検出装置XのセンサセルCEの概略断面図が示される。図1に示すように、CMOS集積回路基板10には、制御信号線である複数本のワード線Wおよびビット線Bの各交点に配置された複数のセンサセルCEが、マトリックス状に配置されている。本実施形態のCMOS集積回路基板10は、64×64のセンサセルCEで構成されている。
図2に示すように、本実施形態における生体分子検出装置Xの製造方法は、CMOS集積回路基板10の上に検知電極13を成膜してパターニング加工する工程と、検知電極13の上に酸化膜16を成膜する工程と、酸化膜16の上に磁性体14を成膜する工程と、酸化膜16および磁性体14をパターニング加工する工程と、磁性体14および検知電極13の上に保護膜15を成膜してパターニング加工する工程と、を備えている。
続いて、図4〜図7を用いて、上述したように、検出部1の背面に磁石3を配置すると共に検知電極13の周囲に磁性体14を配置することで、反磁性粒子22が均一に分散するか否かを検証する。
(1)上述した実施形態では、検知電極13の中央を露出させたが、検知電極13の中央から端部に向かって偏倚した表面の一部を露出させても良い。また、保護膜15と検知電極13とで囲まれる領域に溝部20を形成せずに、例えば図4に示すように、検知電極13の中央を露出させずに保護膜15で覆ってホール部分28を形成しても良い。
(2)上述した実施形態では、酵素反応による酸化物と還元物との濃度比を酸化還元電位として検出したが、例えば、検知電極13の上にイオン感応膜を修飾させ、界面電荷量の変化を電位変化として検出しても良い。この場合、生体分子Sとイオン感応膜との反応による検体溶液KのpH変化量を界面電荷量の変化として検出する。また、検知電極13に生体分子Sを直接付着させて電荷を検出しても良い。これらの場合でも、本実施形態のように、検知電極13の周囲に磁石3からの磁束が流れる磁性体14を配置し、生体分子Sを補足する抗体などが表面に固定された反磁性粒子22を用いれば、検知電極13に対向する位置に反磁性粒子22が均一に移動するので、生体分子Sの検出精度を高めることができる。
(3)センサセルCEは整列させずに不規則に配置しても良いし、センサセルCEを64×64ではなく、128×128で配列するなど、検出対象に応じて形状、配置を変更しても良い。
2 収容部
3 磁石
13 検知電極(電極)
14 磁性体
15 保護膜
16 酸化膜
20 溝部
21 プローブ分子
22 反磁性粒子
D 粒径
L 磁性体の間隔
K 検体溶液
S 生体分子
Claims (4)
- 生体分子を含む検体溶液とプローブ分子が表面に固定された反磁性粒子とを収容可能な収容部と、
前記収容部の底部に配置され、前記生体分子と前記プローブ分子との反応によって発生した電気信号を検出する検出部と、
前記検出部の背面に配置される磁石と、を備え、
前記検出部は、前記電気信号を検知する電極と、当該電極の周囲に配置されて前記磁石からの磁束が流れる磁性体と、前記磁性体を覆う保護膜と、を有している生体分子検出装置。 - 前記検出部は、前記保護膜が前記磁性体の内周側を覆う状態で配置されており、前記保護膜と前記電極とで囲まれる領域に溝部が形成されている請求項1に記載の生体分子検出装置。
- 前記磁性体の間隔は、前記反磁性粒子の粒径以下に設定されている請求項1又は2に記載の生体分子検出装置。
- 電気信号を検知する電極の上に酸化膜を成膜する工程と、
前記酸化膜の上に前記磁性体を成膜する工程と、
前記電極の周囲を前記酸化膜および前記磁性体が覆うと共に前記電極の表面の一部が露出するように、前記酸化膜および前記磁性体をパターニング加工する工程と、
前記磁性体および前記電極の上に前記保護膜を成膜し、前記磁性体の内周側を覆うと共に前記電極の表面の一部が露出するように、前記保護膜をパターニング加工する工程と、
を備えた請求項1から3のいずれか一項に記載の生体分子検出装置の製造方法。
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