JP6749569B2 - 研磨装置のヘッド進退装置 - Google Patents
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具体的な一例としては、白金(Pt)触媒を使用した触媒基準エッチング法を行うとPt成分が被加工物に付着する。被加工物表面に付着したPt成分は被加工物の使用用途により有害物質となることがある。有害成分又は物質がPt成分である場合、除去のための洗浄工程で洗浄液として王水を使用して煮沸することがあるが、被加工物が熱に弱い場合や耐薬品性で王水に耐性が無い場合には煮沸王水は使用できない。そこで、有害成分や有害物質であるPt成分などを被加工物表面ごとNiやFe等の洗浄用物質と装置ノズルより出る洗浄用液や気体で低減又は除去する。洗浄用物質は、貴金属、遷移金属、セラミックス系固体触媒、塩基性固体触媒、酸性固体触媒などの触媒で3次元形状から原子レベルの薄膜までを含む。被加工物は、触媒基準のクリーニングで洗浄用物質と液や気体により溶ける必要がある。洗浄用物質の選定は、被加工物と洗浄用物質で候補を選び。洗浄用物質の使用により被加工物に付着する洗浄用物質の成分を低減又は除去する洗浄工程や洗浄液と被加工物の相性で選ぶ。洗浄用物質により付着する洗浄用成分を被加工物から除去する洗浄はウェット洗浄、ドライ洗浄、スクラブ洗浄などの洗浄で、洗浄用物質により付着した成分が除去または、低減できる洗浄であれば良い。被加工物の使用用途の条件を満たす洗浄である必要がある。触媒基準のクリーニングと異なり洗浄用成分の低減又は除去は被加工物を溶かさない洗浄が好ましい。被加工物との相性で被加工物に潜傷やピットが発生しないRCA洗浄などの洗浄が好ましい。こうすることで王水などに耐性の無い被加工物の表面から、従来は、煮沸王水などを使用しないと除去出来ないとされている一方で、除去しなければ被加工物の品質に悪影響を及ぼす有害成分や有害物質を低減又は除去することができる。被加工物に付着する有害成分はPt成分に限定されない。従来半導体基板のクリーニング(洗浄工程)は、パーティクル(ゴミ)を減らす。金属汚染を避けるが、本第12発明では被加工物に新しい汚染源になる成分も洗浄用物質として使用することで、煮沸王水など強烈な薬品を使わなくても潜傷やピットが発生しないクリーニングが可能になる。クリーニング(洗浄)は大きく2タイプあり、被加工物を溶かさない有害物質だけを除去する洗浄と有害物質と共に被加工物を除去する洗浄がある。本発明の洗浄用物質は有害物質と共に被加工物を除去する洗浄である。有害物質と共に被加工物を除去する洗浄の欠点は表面を悪化させることであったが、本第12発明の最適なクリーニングは従来の有害物質と共に被加工物を除去する洗浄に比べて触媒と触媒反応に必要な液体や気体が当たったところだけ原子レベルで除去できるので表面の平坦性を維持しやすい洗浄(触媒基準のクリーニング)である。そのため研磨加工、特に触媒基準エッチング法と相性が良い。触媒基準エッチング法の欠点であった除去困難な金属有害物質の低減又は除去が可能となる。
特に数ナノレベルの加工量の管理が求められるエピタキシャル膜に対する触媒基準エッチング法を用いた量産加工プロセスにおいては、加工圧力の厳密な管理が求められるため、本発明が有用である。
また、研磨装置を複数設けて互いの反力を相殺する構造にした場合には、並列する被加工物に対して荷重のかかり方にバラつきが無い方が、より理想的な加工が行えるため、本発明が有用である。
図1には研磨装置のヘッド進退装置の概略部分断面側面図を示す。図1において、ヘッド機構Hの本体は軸線をほぼ一致させた本体下半部1と本体上半部2に分離されている。本体下半部1の下面には下方へ主軸3が突出している。主軸3は逆円錐台形の本体部31を備え、本体部31の下端フランジ32に大径のヘッド部33が装着されている。そして、ヘッド部33の下面に公知の構造で被加工物たる円形基板Sが保持されている。主軸3は、本体下半部1内に設置された図略のダイレクトドライブ(DD)モータ、あるいは外部モータとのベルト連結によって、その軸回りに回転駆動される。なお、図1は基板Sの被研磨面である下面が研磨パッドPに接した状態を示している。
上記実施形態では複動エアシリンダを使用したが、単動エアシリンダを使用しても良く、またエアシリンダに限らず油圧シリンダ等を使用しても良い。
複動シリンダを使用した場合、上記実施形態では上側圧力室53にレギュレータ61を、下側圧力室54に電空レギュレータ62を接続しているが、上側圧力室53に電空レギュレータ62を接続し、下側圧力室54にレギュレータ61を接続して、上側圧力室53の内圧を変更するようにしても良い。また、上側および下側の各圧力室53,54にいずれも電空レギュレータを接続して、両圧力室53,54の内圧を適宜変更するようにしても良い。
補助送り機構としては上記実施形態で示したボールねじ機構に代えて、通常のねじ送り機構、あるいはピストン摺動抵抗の小さなシリンダを使用しても良い。
上記実施形態ではヘッド機構のホルダに被加工物を装着したが、ホルダに研磨パッドを装着して下方の被加工物に当接させる構造としても良い。被加工物保持部は加圧方式、吸引方式、チャック方式など加工が成立する公知の形状でも良い。被加工物はCMPや触媒基準エッチング法など各研磨やクリーニングが成立する基板以外でもよい。厚みや形状が異なる物も対応可能である。材質はSiC、GaN、サファイヤ、ダイヤ、Si、石英など各研磨やクリーニングが成立すればよい。例えば、触媒基準エッチングの場合、触媒基準エッチングが成立する被加工物であればよい。
メッキ工程を行う場合には、図9に示すように、ヘッド部33の外周にリング状の電極保持部34を設け、これの下面に研磨パッドPに対向させてメッキや電解研磨用の補助電極35を固定する。
Claims (13)
- 対向する被加工物ないし研磨パッドの一方をヘッド機構に装着して前記被加工物と研磨パッドを押し付けて前記被加工物の表面を研磨する研磨装置において、ピストンロッドの先端に前記ヘッド機構を設けて当該ヘッド機構を進退作動させるシリンダと、前記シリンダのピストンロッドに係合して当該ピストンロッドをその進退方向へ前記シリンダの摺動抵抗以上の力で付勢する補助送り機構と、前記ピストンロッドの押付圧を検出する圧力検出手段とを備え、前記補助送り機構は前記押付圧が所望値になるように前記シリンダのピストンロッドを付勢するように設定されている研磨装置のヘッド進退装置。
- 前記シリンダは複動型のエアシリンダであり、前記エアシリンダの一方の圧力室にレギュレータを連結するとともに、前記エアシリンダの他方の圧力室に圧力変更が可能なレギュレータ機構を連結した請求項1に記載の研磨装置のヘッド進退装置。
- 前記ヘッド機構の本体を、前記シリンダの軸方向において、一定範囲で相対移動可能な本体部分に分離し、一方の本体部分をピストンロッドの先端に固定するとともに、他方の本体部分に前記被加工物ないし研磨パッドの一方を装着し、かつ前記本体部分の対向面の一方に前記圧力検出手段としてのロードセルを設けた請求項1又は2に記載の研磨装置のヘッド進退装置。
- 前記分離された本体部分の対向間隙を前記ロードセルの厚みよりも大きく設定した請求項3に記載の研磨装置のヘッド進退装置。
- 前記補助送り機構として、ねじ棒の正逆回転に応じてねじ軸方向へトラベルナットが正逆移動するねじ機構を使用した請求項1ないし4のいずれか一つに記載の研磨装置のヘッド進退装置。
- 前記トラベルナットが所定の間隙を形成して前記ピストンロッドないし前記一方の本体部に係合している請求項5に記載の研磨装置のヘッド進退装置。
- 前記被加工物と前記研磨パッドを当接させた状態で前記シリンダによる加圧を行う請求項1ないし6のいずれか一つに記載の研磨装置のヘッド進退装置
- 前記研磨パッドは、少なくとも表面に、前記被加工物の表面を触媒基準エッチングによって平坦化するための触媒層を備え、前記被加工物もしくは、被加工物保持部分を当接又は近接させた後に触媒基準エッチングに必要な平均化の動作を行う請求項1ないし7のいずれか一つに記載の研磨装置のヘッド進退装置。
- 前記研磨パッドと前記被加工物や前記被加工物保持部分が近接または、当接する動作の際に前記研磨パッドと前記被加工物や被加工物保持部分間の少なくともいずれかが平行ではない傾く状態になる可能性がある請求項8に記載の研磨装置のヘッド進退装置。
- 前記研磨パッドを前記被加工物に当接又は近接させる前に、触媒反応阻害成分除去で用いることが可能な液体または気体の少なくともいずれかを前記研磨パッドに当接させることを可能にした請求項1ないし9のいずれか一つに記載の研磨装置のヘッド進退装置。
- ケミカルポリッシングや触媒基準エッチング法などの液や気体を使った砥粒を使用しないエッチングや化学反応、紫外線(UV)照射により被加工物から潜傷を先に除去する潜傷除去工程と、当該潜傷除去工程の後、被加工物の表面仕上げ研磨を行うことを特徴とする請求項1ないし10のいずれか一つに記載の研磨装置のヘッド進退装置。
- 品質を損なう有害成分が少なくとも付着した前記被加工物を、液体または気体の少なくともいずれかが存在する状態で洗浄用物質に当接または近接させて、前記被加工物の表面に付着した前記有害成分を、前記洗浄用物質による触媒反応によって前記被加工物の表面を含めて低減又は除去することを特徴とする請求項1ないし11のいずれか一つに記載の研磨装置のヘッド進退装置。
- 請求項1ないし12の少なくともいずれかに記載の構成を有する研磨装置。
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