JP6748795B2 - Electronics - Google Patents

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Description

本発明の一態様は、表示装置に関する。または、表示装置を備える電子機器に関する。
特に、可撓性を有する表示装置に関する。または、可撓性を有する表示装置を備える電子
機器に関する。
One embodiment of the present invention relates to a display device. Alternatively, the present invention relates to an electronic device including a display device.
In particular, the present invention relates to a flexible display device. Alternatively, the present invention relates to an electronic device including a flexible display device.

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明
の一態様は、物、方法、又は、製造方法に関する。本発明の一態様は、プロセス、マシン
、マニュファクチャ、又は、組成物(コンポジション・オブ・マター)に関する。そのた
め、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、
表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置
、それらの駆動方法、又は、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
Note that one embodiment of the present invention is not limited to the above technical field. One embodiment of the invention disclosed in this specification and the like relates to an object, a method, or a manufacturing method. One aspect of the present invention relates to a process, machine, manufacture, or composition (composition of matter). Therefore, more specifically, as a technical field of one embodiment of the present invention disclosed in this specification, a semiconductor device,
A display device, a light-emitting device, a power storage device, a storage device, an electronic device, a lighting device, an input device, an input/output device, a driving method thereof, or a manufacturing method thereof can be given as an example.

なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる
装置全般を指す。トランジスタなどの半導体素子をはじめ、半導体回路、演算装置、記憶
装置は、半導体装置の一態様である。撮像装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、電
気光学装置、発電装置(薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池等を含む)、及び電子機器は、
半導体装置を有している場合がある。
Note that in this specification and the like, a semiconductor device generally means a device that can function by utilizing semiconductor characteristics. A semiconductor circuit such as a transistor, a semiconductor circuit, an arithmetic unit, and a memory device are one mode of the semiconductor device. The imaging device, the display device, the liquid crystal display device, the light emitting device, the electro-optical device, the power generation device (including the thin film solar cell, the organic thin film solar cell, etc.), and the electronic device are
It may have a semiconductor device.

近年、表示装置は様々な用途への応用が期待されており、多様化が進められている。例
えば携帯用途の電子機器などに用いられる表示装置は、薄型であること、軽量であること
、または破損しにくいこと等が求められている。また、従来にない新たな用途が求められ
ている。
In recent years, display devices are expected to be applied to various purposes and are being diversified. For example, display devices used in portable electronic devices and the like are required to be thin, lightweight, and less likely to be damaged. In addition, there is a demand for new applications that have never existed before.

また、特許文献1には、フィルム基板上に、スイッチング素子であるトランジスタや有
機EL(Electro Luminescence)素子を備えたフレキシブルなアク
ティブマトリクス型の発光装置が開示されている。
In addition, Patent Document 1 discloses a flexible active matrix light emitting device including a transistor that is a switching element and an organic EL (Electro Luminescence) element on a film substrate.

特開2003−174153号公報JP, 2003-174153, A

近年、表示装置の表示領域を大型化させることで表示する表示量を増やし、表示の一覧
性の向上を図ることが検討されている。一方、携帯機器用途等では、表示領域を大型化さ
せると可搬性(ポータビリティともいう)が低下してしまう。そのため、表示の一覧性の
向上と、高い可搬性を両立することは困難であった。
In recent years, it has been considered to increase the display amount by increasing the display area of a display device to improve the listability of the display. On the other hand, in a mobile device application or the like, if the display area is enlarged, the portability (also referred to as portability) is reduced. Therefore, it has been difficult to achieve both high displayability and high portability.

また、表示パネルに、ユーザーインターフェースとしての入力手段を備える構成が望ま
れている。例えば、画面に指やスタイラス等で触れることで入力する機能を付加した表示
装置(タッチパネル)がある。
Further, it is desired that the display panel be provided with an input means as a user interface. For example, there is a display device (touch panel) having a function of inputting by touching the screen with a finger or a stylus.

本発明の一態様は、可搬性に優れた電子機器を提供することを課題の一とする。または
、一覧性に優れた電子機器を提供することを課題の一とする。または、破損しにくい電子
機器を提供することを課題の一とする。または、新たな入力手段を備える電子機器を提供
することを課題の一とする。
An object of one embodiment of the present invention is to provide an electronic device with excellent portability. Another object is to provide an electronic device with an excellent listability. Another object is to provide an electronic device that is not easily damaged. Another object is to provide an electronic device including a new input unit.

または、本発明の一態様は、電子機器を薄型化することを課題の一とする。または、電
子機器を軽量化することを課題の一とする。または、新規な電子機器を提供することを課
題の一とする。
Alternatively, it is an object of one embodiment of the present invention to reduce the thickness of an electronic device. Another object is to reduce the weight of electronic devices. Another object is to provide a new electronic device.

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様
は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。また、上記以外の課題は、明
細書等の記載から自ずと明らかになるものであり、明細書等の記載から上記以外の課題を
抽出することが可能である。
Note that the description of these problems does not prevent the existence of other problems. One aspect of the present invention need not solve all of these problems. In addition, problems other than the above are naturally clarified from the description in the specification and the like, and problems other than the above can be extracted from the description in the specification and the like.

本発明の一態様は、第1の支持体と、第2の支持体と、接続部と、表示パネルと、を有
する電子機器である。また表示パネルは折り曲げて表示することのできる機能を有する。
第1の支持体と第2の支持体とは、接続部により接続し、第1の支持体と第2の支持体と
は、接続部を介して相対的に回転する機能を有する。また表示パネルは、第1の支持体に
固定される部分を有し、第2の支持体に対して一方向に動くことができるように、第2の
支持体に支持されていることを特徴とする。
One embodiment of the present invention is an electronic device including a first support, a second support, a connecting portion, and a display panel. In addition, the display panel has a function of bending and displaying.
The first support body and the second support body are connected by a connecting portion, and the first support body and the second supporting body have a function of relatively rotating via the connecting portion. Further, the display panel has a portion fixed to the first support and is supported by the second support so as to be movable in one direction with respect to the second support. And

また、本発明の他の一態様は、第1の支持体と、第2の支持体と、接続部と、表示パネ
ルと、検出手段と、を有する電子機器である。また表示パネルは折り曲げて表示すること
のできる機能を有する、第1の支持体と第2の支持体とは、接続部により接続し、接続部
を介して相対的に回転する機能を有する。また表示パネルは、第1の支持体に固定される
部分を有し、第2の支持体に対して一方向に動くことができるように、第2の支持体に支
持され、第1の支持体と第2の支持体とを相対的に回転させたときに、第2の支持体との
相対位置が変化する機能を有する。また検出手段は、表示パネルと第2の支持体との相対
位置を検出する機能を有することを特徴とする。
Another embodiment of the present invention is an electronic device including a first supporting body, a second supporting body, a connecting portion, a display panel, and a detecting means. The display panel has a function of bending and displaying, and has a function of connecting the first support body and the second support body by a connection portion and relatively rotating through the connection portion. The display panel has a portion fixed to the first support and is supported by the second support so as to be movable in one direction with respect to the second support. It has a function of changing the relative position of the second support when the body and the second support are relatively rotated. Further, the detection means is characterized by having a function of detecting the relative position between the display panel and the second support.

また、上記において、上記検出手段は、発光素子と、受光素子と、を有し、発光素子及
び受光素子の一方は、表示パネルに固定されて設けられ、発光素子及び受光素子の他方が
、第2の支持体に固定されて設けられ、受光素子は、発光素子からの発光を検出する機能
を有することが好ましい。
Further, in the above, the detection means includes a light emitting element and a light receiving element, one of the light emitting element and the light receiving element is fixedly provided to the display panel, and the other of the light emitting element and the light receiving element is It is preferable that the light receiving element, which is fixedly provided on the second support, has a function of detecting light emitted from the light emitting element.

または、上記において、上記検出手段は、発光素子と、受光素子と、を有し、発光素子
及び受光素子は、それぞれ第2の支持体に固定されて設けられ、発光素子は、表示パネル
の一部に光を照射する機能を有し、受光素子は、表示パネルからの反射光を検出する機能
を有することが好ましい。
Alternatively, in the above, the detection means includes a light-emitting element and a light-receiving element, the light-emitting element and the light-receiving element are each fixedly provided to the second support, and the light-emitting element is one of the display panels. It is preferable that the light-receiving element has a function of irradiating the portion with light and the light-receiving element has a function of detecting reflected light from the display panel.

または、上記において、上記表示パネルは、表示部と、非表示部を有し、表示部は、第
1の発光素子を有し、検出手段は、第2の発光素子と受光素子と、を有し、第2の発光素
子は、非表示部に設けられ、受光素子は、第2の支持体に固定されて設けられ、受光素子
は、第2の発光素子からの発光を検出する機能を有することが好ましい。
Alternatively, in the above, the display panel has a display portion and a non-display portion, the display portion has a first light emitting element, and the detection means has a second light emitting element and a light receiving element. The second light emitting element is provided in the non-display portion, the light receiving element is provided so as to be fixed to the second support, and the light receiving element has a function of detecting light emitted from the second light emitting element. It is preferable.

また、上記において、表示パネルは、第1の支持体、接続部、及び第2の支持体の、各
々の厚さ方向の中心位置と重ならないように位置することが好ましい。
Further, in the above, it is preferable that the display panel is positioned so as not to overlap the center positions of the first support body, the connection portion, and the second support body in the thickness direction.

また、上記接続部は、弾性体を有することが好ましい。 Further, it is preferable that the connecting portion has an elastic body.

また、上記表示パネルは、タッチセンサとしての機能を有することが好ましい。または
、上記表示パネルに重ねて、タッチセンサが設けられていることが好ましい。
The display panel preferably has a function as a touch sensor. Alternatively, a touch sensor is preferably provided so as to overlap with the display panel.

本発明によれば、可搬性に優れた電子機器を提供できる。または、一覧性に優れた電子
機器を提供できる。または、破損しにくい電子機器を提供できる。または、新たな入力手
段を備える電子機器を提供できる。または、新たな電子機器を提供できる。
According to the present invention, an electronic device having excellent portability can be provided. Alternatively, it is possible to provide an electronic device having excellent listability. Alternatively, an electronic device that is not easily damaged can be provided. Alternatively, it is possible to provide an electronic device including a new input unit. Alternatively, a new electronic device can be provided.

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
Note that the description of these effects does not disturb the existence of other effects. Note that one embodiment of the present invention does not necessarily have to have all of these effects. It should be noted that the effects other than these are apparent from the description of the specification, drawings, claims, etc., and the effects other than these can be extracted from the description of the specification, drawings, claims, etc. Is.

実施の形態に係る、電子機器の構成例。6 is a configuration example of an electronic device according to an embodiment. 実施の形態に係る、電子機器の構成例。6 is a configuration example of an electronic device according to an embodiment. 実施の形態に係る、電子機器の構成例。6 is a configuration example of an electronic device according to an embodiment. 実施の形態に係る、電子機器の構成例。6 is a configuration example of an electronic device according to an embodiment. 実施の形態に係る、電子機器の構成例。6 is a configuration example of an electronic device according to an embodiment. 実施の形態に係る、電子機器の構成例。6 is a configuration example of an electronic device according to an embodiment. 実施の形態に係る、電子機器の構成例。6 is a configuration example of an electronic device according to an embodiment. 実施の形態に係る、電子機器の構成例。6 is a configuration example of an electronic device according to an embodiment. 実施の形態に係る、電子機器の構成例。6 is a configuration example of an electronic device according to an embodiment. 実施の形態に係る、発光パネルの一例を示す図。FIG. 6 illustrates an example of a light-emitting panel according to an embodiment. 実施の形態に係る、発光パネルの一例を示す図。FIG. 6 illustrates an example of a light-emitting panel according to an embodiment. 実施の形態に係る、発光パネルの作製方法例を説明する図。6A to 6C are diagrams illustrating an example of a method for manufacturing a light-emitting panel according to an embodiment. 実施の形態に係る、発光パネルの作製方法例を説明する図。6A to 6C are diagrams illustrating an example of a method for manufacturing a light-emitting panel according to an embodiment. 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す図。FIG. 6 is a diagram showing an example of a touch panel according to an embodiment. 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す図。FIG. 6 is a diagram showing an example of a touch panel according to an embodiment. 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す図。FIG. 6 is a diagram showing an example of a touch panel according to an embodiment. 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す図。FIG. 6 is a diagram showing an example of a touch panel according to an embodiment. タッチセンサのブロック図及びタイミングチャート図。A block diagram and a timing chart of a touch sensor. タッチセンサの回路図。Circuit diagram of the touch sensor. 実施の形態に係る、電子機器の構成例。6 is a configuration example of an electronic device according to an embodiment.

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定
されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更
し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態
の記載内容に限定して解釈されるものではない。
Embodiments will be described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following description, and it is easily understood by those skilled in the art that modes and details can be variously modified without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, the present invention should not be construed as being limited to the description of the embodiments below.

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には
同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様
の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
Note that, in the structure of the invention described below, the same portions or portions having similar functions are denoted by the same reference numerals in different drawings, and repeated description thereof is omitted. Further, when referring to the same function, the hatch pattern may be the same and may not be given a reference numeral in particular.

なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、
明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されな
い。
Note that in each drawing described in this specification, the size of each component, the layer thickness, or the region is as follows.
May be exaggerated for clarity. Therefore, it is not necessarily limited to that scale.

なお、本明細書等における「第1」、「第2」等の序数詞は、構成要素の混同を避ける
ために付すものであり、数的に限定するものではない。
Note that the ordinal numbers such as “first” and “second” in this specification and the like are added to avoid confusion among components, and are not numerically limited.

(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器の構成例について、図面を参照して説明
する。
(Embodiment 1)
In this embodiment, structural examples of electronic devices of one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

本発明の一態様の電子機器は、可撓性を有する表示パネルと、これを支持する2つの支
持体を備える構成とする。また2つの支持体は接続部によって接続される。接続部を介し
て2つの筐体を相対的に回転させ、電子機器を折り畳むことが可能である。したがって、
本発明の一態様の電子機器は、表示パネルの表示面を平坦な状態に保持すること、表示パ
ネルの表示面が内側になるように折り曲げること(内曲げ)、表示パネルの表示面が外側
になるように折り曲げること等が可能である。
An electronic device of one embodiment of the present invention includes a flexible display panel and two supports that support the display panel. Further, the two supports are connected by the connecting portion. It is possible to fold the electronic device by relatively rotating the two housings via the connecting portion. Therefore,
An electronic device according to one embodiment of the present invention is to hold a display surface of a display panel in a flat state, bend the display surface of the display panel to be inside (inward bending), and display the display surface of the display panel to outside. It can be bent so that

本発明の一態様の電子機器は、表示パネルを展開した状態では、継ぎ目のない広い表示
領域により一覧性に優れる。また表示パネルを折り畳んだ状態では、可搬性に優れる。
The electronic device according to one embodiment of the present invention is excellent in viewability due to a wide display area without a joint when the display panel is unfolded. Moreover, when the display panel is folded, it is excellent in portability.

ここで、本発明の一態様の電子機器において、表示パネルは一方の支持体には固定され
、他方の支持体には、一方向にスライドするように、固定されることなく支持されるよう
に設けることが好ましい。そして2つの支持体の角度を変化させたときに、表示パネルが
固定されていない支持体に対してスライドし、両者の相対的な位置が変化する構成とする
ことが好ましい。このような構成とすることで、2つの支持体の角度を変化させ、表示パ
ネルの一部を曲げるときに、表示パネルを曲げる向きにのみ力がかかり、これとは垂直な
向きに(すなわち、表示パネルの厚さ方向に垂直な向きに)かかる力を実質的に無くすこ
とが可能となる。すなわち、表示パネルがスライドすることによって表示パネルを曲げる
際に表示パネルを引っ張る、または圧縮する力がかからないため、表示パネルの破損が抑
制され、信頼性の高い電子機器が実現できる。
Here, in the electronic device of one embodiment of the present invention, the display panel is fixed to one of the supports and is supported by the other support so as to slide in one direction without being fixed. It is preferable to provide. Then, when the angles of the two supports are changed, it is preferable that the display panel slides with respect to the support that is not fixed, and the relative positions of the two change. With such a configuration, when the angles of the two supports are changed and a part of the display panel is bent, a force is applied only in the direction in which the display panel is bent, and in a direction perpendicular to this (that is, It is possible to substantially eliminate the force applied in the direction perpendicular to the thickness direction of the display panel). That is, when the display panel is bent and the display panel is bent, a force for pulling or compressing the display panel is not applied. Therefore, damage to the display panel is suppressed, and a highly reliable electronic device can be realized.

さらに、上述のように表示パネルがスライドした際に、その変位量を検出できる検出手
段を備えていることが好ましい。表示パネルの変位量は、2つの支持体の角度に依存して
変化するため、この変位量を検出することで2つの支持体の角度を検出することが可能と
なる。例えば表示パネルと、表示パネルが固定されていない側の支持体との相対的な位置
の変化を検出することにより、表示パネルの変位量を検出することができる。この相対的
な位置の変化は、好ましくは光学的に検出することが好ましい。また、機械的、または電
気的に検出する構成としてもよい。
Furthermore, it is preferable to include a detection unit that can detect the amount of displacement when the display panel slides as described above. Since the amount of displacement of the display panel changes depending on the angle between the two supports, it is possible to detect the angle between the two supports by detecting this amount of displacement. For example, the displacement amount of the display panel can be detected by detecting a change in the relative position between the display panel and the support body on the side where the display panel is not fixed. This change in relative position is preferably detected optically. Further, it may be configured to detect mechanically or electrically.

このように、2つの支持体の角度を検出可能な構成とすることで、その角度を電子機器
における一つの入力手段として用いることが可能となる。例えば、2つの支持体の角度に
応じて表示パネルへの表示を切り替えることなどが可能となる。また、表示パネルの表示
面が内側になるように折り畳まれた状態では、表示パネルの表示を停止するなどの動作を
行うことができる。
In this way, by making the angle of the two supports detectable, it becomes possible to use the angle as one input means in the electronic device. For example, it is possible to switch the display on the display panel according to the angle between the two supports. Further, in a state where the display surface of the display panel is folded inside, an operation such as stopping the display of the display panel can be performed.

より具体的には、以下のような構成とすることができる。 More specifically, the following configurations can be adopted.

[構成例]
図1(A)に、本発明の一態様の電子機器10の斜視概略図を示す。
[Example of configuration]
FIG. 1A is a schematic perspective view of an electronic device 10 according to one embodiment of the present invention.

電子機器10は、支持体11aと、支持体11bと、接続部12と、表示パネル13と
、検出手段14と、を有する。
The electronic device 10 includes a support 11a, a support 11b, a connecting portion 12, a display panel 13, and a detecting unit 14.

支持体11aと支持体11bとは、接続部12を介して接続されている。表示パネル1
3は、支持体11a、支持体11b及び接続部12に重ねて配置されている。また表示パ
ネル13は、少なくとも支持体11a及び支持体11bに支持されている。
The support 11a and the support 11b are connected via the connecting portion 12. Display panel 1
3 is arranged so as to overlap the support 11a, the support 11b, and the connecting portion 12. The display panel 13 is supported by at least the support 11a and the support 11b.

具体的には、表示パネル13は、支持体11aに固定される領域を有する。さらに表示
パネル13は、支持体11bに固定されることなく、一方向にスライドすることができる
ように支持体11bに支持されている。
Specifically, the display panel 13 has a region fixed to the support 11a. Further, the display panel 13 is supported by the support 11b so that it can slide in one direction without being fixed to the support 11b.

また、表示パネル13は可撓性を有する。また表示パネル13は複数の画素を有する領
域(表示領域ともいう)を有し、表示領域に画像を表示することができる。画素は表示素
子を備える。なお、以下では表示パネル13の表面のうち、画像が表示される側の面を表
示面と表記する場合がある。
Further, the display panel 13 has flexibility. The display panel 13 has a region having a plurality of pixels (also referred to as a display region), and an image can be displayed in the display region. The pixel includes a display element. In the following, of the surfaces of the display panel 13, the surface on the side where the image is displayed may be referred to as the display surface.

支持体11aと支持体11bとは、接続部12を介して相対的に回転させることができ
る。例えば、支持体11aと支持体11bとを接続部12を介して折り畳む、またはねじ
るなどの変形を加えることができる。したがって、電子機器10は、表示パネル13の表
示面が平坦である状態から、表示面が曲がった状態に可逆的に変形させることができる。
The support 11a and the support 11b can be relatively rotated via the connecting portion 12. For example, the support 11a and the support 11b can be deformed by folding or twisting via the connecting portion 12. Therefore, the electronic device 10 can reversibly deform the display surface of the display panel 13 from a flat display surface to a curved display surface.

支持体11a及び支持体11bとしては、剛性を有していてもよいし、支持体自体が捩
りや湾曲させる力に対して変形可能な部材を用いてもよい。支持体11a及び支持体11
bは少なくとも表示パネル13、または接続部12よりも可撓性の低い材料を用いればよ
く、硬質ゴムなどの弾性体などをその骨格に用いてもよい。そのほか、各筐体を構成しう
る材料としては、プラスチック、アルミニウムなどの金属、ステンレスやチタン合金など
の合金、シリコーンゴムなどのゴム等を用いることができる。
The support 11a and the support 11b may have rigidity, or a member that is deformable with respect to a force of twisting or bending of the support itself may be used. Support 11a and support 11
For b, at least a material having a lower flexibility than the display panel 13 or the connecting portion 12 may be used, and an elastic body such as hard rubber may be used for its skeleton. In addition, as a material that can form each housing, a metal such as plastic or aluminum, an alloy such as stainless steel or a titanium alloy, or a rubber such as silicone rubber can be used.

接続部12は、一部または全部が弾性変形する材料を好適に用いることができる。例え
ば接続部12の全部が弾性体である、または少なくとも曲がる部分に弾性体を有する構成
をとすることができる。または、接続部12として、1以上の回転軸を有するヒンジを有
する構成を適用することもできる。
For the connecting portion 12, a material that is partially or entirely elastically deformable can be preferably used. For example, the connecting portion 12 may be entirely elastic, or may have an elastic body at least in a bent portion. Alternatively, a structure having a hinge having one or more rotation shafts can be applied as the connecting portion 12.

接続部12として弾性変形する材料を用いた場合、支持体11aと支持体11bを相対
的に回転させる力が与えられない場合には、図1(A)に示す表示面が平坦な状態に保持
することができる。また図1(C)や図1(E)の状態に保持するために、支持体11a
と支持体11bとを固定する機構を有していることが好ましい。例えば支持体11aと支
持体11bとを機械的に脱着可能とした脱着具を別途有していてもよいし、または支持体
11aと支持体11bとが脱着機構を備えていてもよい。または、支持体11aと支持体
11bとを磁力により固定する構成としてもよい。
When a material that elastically deforms is used for the connection portion 12 and a force that relatively rotates the support 11a and the support 11b is not applied, the display surface shown in FIG. 1A is kept flat. can do. Further, in order to maintain the state of FIG. 1(C) or FIG. 1(E), the support 11a
It is preferable to have a mechanism for fixing the and the support 11b. For example, the support 11a and the support 11b may be separately provided with a detachable tool capable of being mechanically detached, or the support 11a and the support 11b may be provided with a detachment mechanism. Alternatively, the support 11a and the support 11b may be fixed by magnetic force.

また、接続部12としてヒンジを有する構成とする場合には、図1(C)や図1(E)
の状態に支持体11aと支持体11bとの相対位置を固定する機構を備えるヒンジを用い
ることで、上述した脱着具や脱着機構が不要となるため好ましい。また、段階的な固定位
置を有するヒンジを用いることにより、図1(B)や図1(D)のように、表示パネル1
3の表示面が湾曲した状態で使用することもできる。
Further, in the case where the connecting portion 12 has a hinge, the structure shown in FIG.
It is preferable to use a hinge provided with a mechanism for fixing the relative positions of the support body 11a and the support body 11b in this state, because the above-described detachment tool or detachment mechanism is unnecessary. In addition, by using a hinge having a gradual fixed position, the display panel 1 can be formed as shown in FIGS. 1B and 1D.
It can also be used in a state where the display surface of 3 is curved.

接続部12としては、例えば支持体11a及び支持体11bよりもヤング率の低い材料
を用いることができる。また、支持体11a及び支持体11bよりもヤング率の高い材料
、またはヤング率が同程度の材料を用いた場合であっても、接続部12の厚さを支持体1
1a及び支持体11bよりも薄い材料を適用することもできる。接続部12を構成しうる
材料としては、プラスチック、ゴム、金属、または合金等を用いることができる。例えば
シリコーン樹脂などの材料や、ゲルを用いてもよい。
As the connecting portion 12, for example, a material having a lower Young's modulus than the support 11a and the support 11b can be used. In addition, even when a material having a Young's modulus higher than that of the support 11a and the support 11b or a material having a similar Young's modulus is used, the thickness of the connecting portion 12 is set to
It is also possible to apply a material thinner than 1a and the support 11b. As a material that can form the connecting portion 12, plastic, rubber, metal, alloy, or the like can be used. For example, a material such as a silicone resin or a gel may be used.

図1(A)は、表示パネル13の表示面を平坦な状態に保持した状態を示す。この状態
から表示パネル13の表示面を内側に曲げるように電子機器10を変形させることで、図
1(B)の状態を経て図1(C)の状態に可逆的に変形させることができる。図1(C)
では、表示パネル13が支持体11a及び支持体11bに挟み込まれて収納されている状
態である。電子機器10を使用しない際、または鞄等に収納する際などにはこのような形
態とすることができる。
FIG. 1A shows a state in which the display surface of the display panel 13 is held flat. By deforming the electronic device 10 from this state so that the display surface of the display panel 13 is bent inward, the state can be reversibly changed from the state of FIG. 1B to the state of FIG. 1C. Figure 1(C)
Then, the display panel 13 is in a state of being housed by being sandwiched between the support 11a and the support 11b. Such a form can be used when the electronic device 10 is not used or when the electronic device 10 is stored in a bag or the like.

また、図1(A)に示す状態から表示パネル13の表示面を外側に曲げるように電子機
器10を変形させることで、図1(D)の状態を経て図1(E)の状態に可逆的に変形さ
せることができる。図1(E)では、表示パネル13の表示面が電子機器10の上面、側
面及び下面に沿って位置している状態である。図1(E)に示す状態では図1(A)に示
す状態と比べて小型であるため、公共の場所で使用する場合や移動中に使用する場合など
には好適である。
Further, by deforming the electronic device 10 from the state shown in FIG. 1A so that the display surface of the display panel 13 is bent outward, the state shown in FIG. 1D is reversible to the state shown in FIG. Can be deformed. In FIG. 1E, the display surface of the display panel 13 is located along the upper surface, the side surface, and the lower surface of the electronic device 10. Since the state shown in FIG. 1E is smaller than the state shown in FIG. 1A, it is suitable for use in a public place or during movement.

[断面構成例]
図2(A)は、図1(A)中に示す切断面X1における、電子機器10の断面概略図を
示している。また、図2(B)は図1(B)中に示す切断面X2における断面概略図であ
り、図2(C)は図1(D)中に示す切断面X3における断面概略図である。
[Cross-section configuration example]
FIG. 2A shows a schematic cross-sectional view of the electronic device 10 taken along the cutting plane X1 shown in FIG. 2B is a schematic cross-sectional view taken along the cutting plane X2 shown in FIG. 1B, and FIG. 2C is a schematic cross-sectional view taken along the cutting plane X3 shown in FIG. 1D.

図2(A)において、表示パネル13は、支持体11a、支持体11b、および接続部
12の各々の上面に沿って配置されている。また表示パネル13にはFPC(Flexi
ble Print Circuit)15が接続されており、FPC15を介して支持
体11aの内部に設けられる回路基板16と電気的に接続している。また、回路基板16
は第1の支持体11aの内部に設けられるバッテリ17と電気的に接続している。また、
図2(A)に示すようにバッテリ17は第2の支持体11bの内部にも設けられていても
よい。なお、ここでは図示しないが、支持体11bの内部に検出手段14の駆動を制御す
るためのIC等を実装した回路基板を有していてもよい。例えば、当該ICは、検出手段
14を駆動する機能と、検出手段14から出力された信号を取り出す機能を有していても
よい。
In FIG. 2A, the display panel 13 is arranged along the upper surface of each of the support 11a, the support 11b, and the connecting portion 12. Further, the display panel 13 has an FPC (Flexi
The ble print circuit 15 is connected, and is electrically connected to the circuit board 16 provided inside the support body 11 a through the FPC 15. In addition, the circuit board 16
Is electrically connected to a battery 17 provided inside the first support 11a. Also,
As shown in FIG. 2A, the battery 17 may be provided inside the second support 11b. Although not shown here, a circuit board on which an IC or the like for controlling the drive of the detection means 14 is mounted may be provided inside the support body 11b. For example, the IC may have a function of driving the detection unit 14 and a function of extracting a signal output from the detection unit 14.

表示パネル13は支持体11aに固定されるように支持されている。例えば表示パネル
13の一部が支持体11aに接着されていてもよいし、ねじ等の固定具により機械的に固
定されていてもよい。
The display panel 13 is supported so as to be fixed to the support 11a. For example, a part of the display panel 13 may be bonded to the support 11a, or may be mechanically fixed by a fixing tool such as a screw.

一方、表示パネル13は、支持体11bに固定されずに支持されている。具体的には、
図2(A)において、表示パネル13が支持体11bに対して左右方向にスライドできる
ように支持されている。
On the other hand, the display panel 13 is supported without being fixed to the support 11b. In particular,
In FIG. 2A, the display panel 13 is supported so as to be slidable in the left-right direction with respect to the support 11b.

ここで、表示パネル13の厚さ方向(図2(A)では上下方向)、及び表示パネル13
が曲げられるときの湾曲方向とは垂直な方向(図2(A)では紙面に垂直な方向)のうち
、一方、または両方に、表示パネル13が動く(ずれる)ことのないように、表示パネル
13が支持体11bに支持されていることが好ましい。
Here, the thickness direction of the display panel 13 (vertical direction in FIG. 2A), and the display panel 13
In order to prevent the display panel 13 from moving (shifting) in one or both of the directions perpendicular to the bending direction when the sheet is bent (directions perpendicular to the paper surface in FIG. 2A), It is preferable that 13 is supported by the support 11b.

以上のように、表示パネル13が、支持体11aに固定され、且つ支持体11bに固定
されないように支持されている。そのため、接続部12を介して支持体11aと支持体1
1bを相対的に回転させたときに、表示パネル13が支持体11bに対してずれることで
、表示パネル13の厚さ方向に垂直な方向にかかる応力が緩和され、表示パネル13が破
損するなどの不具合を抑制することができる。したがって、信頼性の高い電子機器10を
実現できる。
As described above, the display panel 13 is fixed to the support 11a and is supported not to be fixed to the support 11b. Therefore, the support 11a and the support 1 are connected via the connecting portion 12.
When the display panel 13 is displaced relative to the support 11b when the 1b is rotated relatively, the stress applied in the direction perpendicular to the thickness direction of the display panel 13 is relieved, and the display panel 13 is damaged. Can be suppressed. Therefore, the highly reliable electronic device 10 can be realized.

図2(A)では、検出手段14が第2の支持体11bに配置されている例を示している
。検出手段14は、支持体11bと表示パネル13の相対的な位置を検出する機能を有す
る。なお検出手段14の具体的な構成例については後述する。ここで、図2(A)では検
出手段14が支持体11bに配置される構成を示しているが、検出手段14の位置はその
構成に応じて適宜設定されうる。
FIG. 2A shows an example in which the detection means 14 is arranged on the second support 11b. The detection means 14 has a function of detecting the relative positions of the support 11b and the display panel 13. A specific configuration example of the detection means 14 will be described later. Here, FIG. 2A shows a configuration in which the detection means 14 is arranged on the support 11b, but the position of the detection means 14 can be appropriately set according to the configuration.

図2(B)および図2(C)には、支持体11bの一部を拡大した図も合わせて示して
いる。
2(B) and 2(C) also show an enlarged view of a part of the support 11b.

図2(B)に示すように、表示パネル13の表示面が内側になるように曲げたとき、表
示パネル13の支持体11b側の端部が外側に移動するように、表示パネル13と支持体
11bとの相対的な位置がずれる。一方、図2(C)に示すように表示パネル13の表示
面が外側になるように曲げたとき、表示パネル13の支持体11b側の端部が内側に移動
するように、表示パネル13と支持体11bとの相対的な位置がずれる。
As shown in FIG. 2B, when the display surface of the display panel 13 is bent so as to be inward, the display panel 13 is supported so that the end portion of the display panel 13 on the support body 11b side moves outward. The position relative to the body 11b is displaced. On the other hand, when the display surface of the display panel 13 is bent outward as shown in FIG. The relative position with respect to the support 11b is displaced.

このように、表示パネル13を曲げたときに生じる表示パネル13と支持体11bとの
相対的な位置のずれを検出することで、このずれの値から支持体11aと支持体11bと
の相対的な位置関係を算出することができる。その結果、電子機器10の形状を検出する
ことが可能となる。
In this way, by detecting the relative positional deviation between the display panel 13 and the support 11b that occurs when the display panel 13 is bent, the relative value between the support 11a and the support 11b can be determined from the value of this deviation. It is possible to calculate various positional relationships. As a result, the shape of the electronic device 10 can be detected.

以上が断面構成例についての説明である。 The above is the description of the cross-sectional configuration example.

[表示パネルの変位量について]
以下では、表示パネル13を曲げるように電子機器10を変形させたときに生じる、表
示パネル13と支持体11bとの相対的な位置のずれの量(変位量)について説明する。
[Displacement of display panel]
Below, the amount of displacement (displacement amount) of the relative position between the display panel 13 and the support 11b that occurs when the electronic device 10 is deformed so that the display panel 13 is bent will be described.

図3(A)は、本発明の一態様の電子機器を模式的に示した図である。図3(A)に示
す電子機器は、支持体11aと支持体11bとが弾性を有する接続部12によって接続さ
れている構成を有する。また、支持体11a、接続部12、及び支持体11bの一方の面
には表示パネル13_1が設けられ、他方の面には表示パネル13_2が設けられている
。なお、図3(A)では表示パネル13_1及び表示パネル13_2が支持体11aの表
面の一部に固定されていることを示すためにハッチングパターンを付している。
FIG. 3A is a diagram schematically illustrating an electronic device of one embodiment of the present invention. The electronic device illustrated in FIG. 3A has a structure in which the supporting body 11a and the supporting body 11b are connected to each other by a connecting portion 12 having elasticity. Further, the display panel 13_1 is provided on one surface of the support 11a, the connecting portion 12, and the support 11b, and the display panel 13_2 is provided on the other surface. Note that in FIG. 3A, a hatching pattern is given to indicate that the display panel 13_1 and the display panel 13_2 are fixed to part of the surface of the support 11a.

なお、ここでは接続部12を曲げたときに、表示パネルの表示面が内側になる場合と外
側になる場合の両方を同時に説明するため、2つの表示パネルを有する例を用いて説明す
る。
Here, in order to simultaneously explain both the case where the display surface of the display panel is inside and the case where the display surface is outside when the connecting portion 12 is bent, an example having two display panels will be described.

また図3(A)に示すように、支持体11a、支持体11b及び接続部12のそれぞれ
の厚さを厚さtとする。また、接続部12の長さを長さL0とする。また表示パネル13
_1と表示パネル13_2のそれぞれの端部と、支持体11bの端部とは一致していると
する。また、図3(A)には接続部12の中立線(neautral lineともいう
)12aを破線で示している。ここで本明細書等において中立線とは、物体に応力が掛っ
ていない場合において、その物体の断面における厚さ方向の中央を結ぶ線のことを言う。
Further, as shown in FIG. 3A, the thickness of each of the support 11a, the support 11b, and the connecting portion 12 is set to a thickness t. Further, the length of the connecting portion 12 is set to L0. The display panel 13
It is assumed that the respective end portions of _1 and the display panel 13_2 and the end portion of the support body 11b coincide with each other. Further, in FIG. 3A, a neutral line (also referred to as a neutral line) 12a of the connecting portion 12 is shown by a broken line. In this specification and the like, the neutral line refers to a line connecting the centers of the cross-sections of the object in the thickness direction when no stress is applied to the object.

ここで、図3(B)に示すように、接続部12の中立線12aを曲率半径r0で角度θ
だけ湾曲させたときを考える。このとき、接続部12が弾性体であるため、接続部12を
湾曲させたときに生じる応力により、接続部12の中立線12aよりも内側の部分は縮み
、接続部12の中立線12aよりも外側の部分は伸びることとなる。
Here, as shown in FIG. 3(B), the neutral line 12a of the connecting portion 12 has an angle θ with a radius of curvature r0.
Think only when it is bent. At this time, since the connecting portion 12 is an elastic body, due to the stress generated when the connecting portion 12 is bent, the portion inside the neutral line 12a of the connecting portion 12 contracts, and the portion above the neutral line 12a of the connecting portion 12 contracts. The outer part will be stretched.

なお、ここでは簡単のために、接続部12を湾曲させたとき、接続部12の厚さは変わ
らず、且つ、接続部12の中立線12aが常に接続部12の厚さの中央を通り、且つ接続
部12の中立線12aが接続部12の一端から他端にかけて一定の曲率半径で湾曲する場
合を考える。
Here, for simplicity, when the connecting portion 12 is bent, the thickness of the connecting portion 12 does not change, and the neutral line 12a of the connecting portion 12 always passes through the center of the thickness of the connecting portion 12, Also, consider a case where the neutral line 12a of the connecting portion 12 is curved with a constant radius of curvature from one end to the other end of the connecting portion 12.

図3(B)において、接続部12の中立線12aの長さはL0である。また接続部12
の内側の面における曲率半径r1、及び外側の面における曲率半径r2は、それぞれ以下
のようになる。
In FIG. 3B, the length of the neutral line 12a of the connecting portion 12 is L0. Also, the connecting portion 12
The radius of curvature r1 on the inner surface and the radius of curvature r2 on the outer surface are as follows.

Figure 0006748795
Figure 0006748795

したがって、図3(B)に示す断面における、接続部12の内側の表面の長さL1と、
外側の表面の長さL2は、それぞれ以下のようになる。
Therefore, the length L1 of the inner surface of the connecting portion 12 in the cross section shown in FIG.
The length L2 of the outer surface is as follows.

Figure 0006748795
Figure 0006748795

ここで、表示パネル13_1は接続部12の内側の面に接して設けられているため、表
示パネル13_1が伸縮しないとすると、表示パネル13_1の端部が支持体11bの端
部よりも外側にずれるように、表示パネル13_1の一部が支持体11bに対して移動す
る。同様に、表示パネル13_2は接続部12の外側の面に接して設けられているため、
表示パネル13_2の端部が支持体11bの端部よりも内側にずれるように、表示パネル
13_2の一部が支持体11bに対して移動する。表示パネル13_1の支持体11bに
対する変位量d1、及び表示パネル13_2の支持体11bに対する変位量d2は、外側
への変位量を正とすると以下のようになる。
Here, since the display panel 13_1 is provided in contact with the inner surface of the connecting portion 12, if the display panel 13_1 does not expand and contract, the end portion of the display panel 13_1 shifts outward from the end portion of the support 11b. Thus, a part of the display panel 13_1 moves with respect to the support 11b. Similarly, since the display panel 13_2 is provided in contact with the outer surface of the connecting portion 12,
A part of the display panel 13_2 moves with respect to the support 11b so that the end of the display panel 13_2 is displaced inward from the end of the support 11b. The displacement amount d1 of the display panel 13_1 with respect to the support 11b and the displacement amount d2 of the display panel 13_2 with respect to the support 11b are as follows when the outward displacement amount is positive.

Figure 0006748795
Figure 0006748795

式(3)より、表示パネル13_1の変位量d1、及び表示パネル13_2の変位量d
2は、いずれも接続部12の厚さtと、角度θに依存することが分かる。接続部12の厚
さtが一定であるとすると、変位量d1または変位量d2を検知することにより、角度θ
を見積もることができる。
From equation (3), the displacement amount d1 of the display panel 13_1 and the displacement amount d of the display panel 13_2
It can be seen that both 2 depend on the thickness t of the connecting portion 12 and the angle θ. Assuming that the thickness t of the connecting portion 12 is constant, the angle θ is detected by detecting the displacement amount d1 or the displacement amount d2.
Can be estimated.

また、表示パネル13_1の変位量d1、及び表示パネル13_2の変位量d2の大き
さは、表示パネル13_1または表示パネル13_2と中立線12aとの距離が大きいほ
ど大きくなる。したがって、表示パネルは少なくとも中立線12aから離れて位置してい
ることが好ましい。すなわち、表示パネルは、支持体11a、接続部12、及び第2の支
持体11bの、各々の厚さ方向の中心位置と重ならないように位置することが好ましい。
Further, the magnitudes of the displacement amount d1 of the display panel 13_1 and the displacement amount d2 of the display panel 13_2 increase as the distance between the display panel 13_1 or the display panel 13_2 and the neutral line 12a increases. Therefore, it is preferable that the display panel is located at least apart from the neutral line 12a. That is, it is preferable that the display panel is positioned so as not to overlap the center positions of the support 11a, the connecting portion 12, and the second support 11b in the thickness direction.

なお、実際には接続部12の湾曲部の厚さが薄くなる部分が生じる場合がある。したが
って、図3(B)の表示パネル13_1のように表示面を内曲げする場合と、表示パネル
13_2のように表示面を外曲げする場合とではその変位量の絶対値に差が生じ、上述の
値とは異なる変位量となる場合がある。そのため、表示パネル13と支持体11bとの相
対的な変位量から角度θを算出する場合には、接続部12を湾曲させたときの形状変化を
考慮して、補正することが好ましい。
Note that, in reality, there may be a portion where the thickness of the curved portion of the connecting portion 12 becomes thin. Therefore, when the display surface is bent inward as in the display panel 13_1 in FIG. 3B and when the display surface is bent as in the display panel 13_2, the absolute value of the displacement amount is different, and The displacement amount may be different from the value of. Therefore, when the angle θ is calculated from the relative displacement amount between the display panel 13 and the support body 11b, it is preferable to take into consideration the shape change when the connecting portion 12 is bent and to make a correction.

またここでは、接続部12として板状の形状である場合を示したがこれに限られない。
例えば、図4(A)、(B)に示すように、内部に空洞を有する接続部12とすることで
、当該空洞内に配線18を設けることもできる。配線18により、支持体11a及び支持
体11bの内部に設けられる回路基板やバッテリ等を相互に電気的に接続することができ
る。また、図4(C)、(D)に示すように、接続部12を蛇腹構造を有する形態とする
ことで、接続部12を曲げたときに接続部12にかかる応力を低減することができる。ま
た、図4(E)、(F)に示すように、接続部12を、内部に空洞が設けられた蛇腹構造
を有する形態とし、当該空洞内に配線18を設ける構成としてもよい。
Further, here, the case where the connecting portion 12 has a plate shape is shown, but the connecting portion 12 is not limited to this.
For example, as shown in FIGS. 4A and 4B, the wiring 18 can be provided in the cavity by forming the connecting portion 12 having the cavity inside. The wiring 18 can electrically connect the circuit boards and batteries provided inside the support 11a and the support 11b to each other. In addition, as shown in FIGS. 4C and 4D, by forming the connecting portion 12 to have a bellows structure, the stress applied to the connecting portion 12 when the connecting portion 12 is bent can be reduced. .. Alternatively, as shown in FIGS. 4E and 4F, the connecting portion 12 may be configured to have a bellows structure in which a cavity is provided, and the wiring 18 may be provided in the cavity.

またここでは、接続部12として弾性体を用いた場合について説明したが、接続部12
としてヒンジを用いる場合には、支持体11aと支持体11bの相対的な可動範囲を制限
できるため、より精密に支持体11bと表示パネル13との相対的な変位量から角度θを
算出することができるため好ましい。このとき、ヒンジが2以上の回転軸を有する構成と
すると、より自由度の高い設計が可能なため好ましい。
Further, here, the case where the elastic body is used as the connecting portion 12 has been described, but the connecting portion 12
When a hinge is used as, since the relative movable range of the support 11a and the support 11b can be limited, the angle θ can be calculated more accurately from the relative displacement amount between the support 11b and the display panel 13. It is preferable because it can At this time, it is preferable that the hinge has a structure having two or more rotation shafts because a more flexible design is possible.

以上が表示パネルの変位量についての説明である。 The above is the description of the displacement amount of the display panel.

[検出手段の構成例]
上述のように検出手段14は、支持体11bと表示パネル13の相対的な位置の変化を
検出する機能を有する機構のことを指す。
[Example of configuration of detection means]
As described above, the detection unit 14 refers to a mechanism having a function of detecting a change in the relative position between the support 11b and the display panel 13.

検出手段14として、光学的に位置の変化を検出する構成とすることが好ましい。例え
ば、支持体11bに発光素子または受光素子の一方が設けられ、表示パネル13に他方が
設けられる構成とすることができる。または、支持体11bに発光素子と受光素子の両方
を設け、表示パネル13に反射した発光素子からの光を受光素子によって検出する構成と
してもよい。また、発光素子と受光素子の両方を表示パネル13に設け、支持体11bか
らの反射光を受光する構成としてもよい。
It is preferable that the detecting means 14 be configured to optically detect a change in position. For example, the support 11b may be provided with one of the light emitting element and the light receiving element, and the display panel 13 may be provided with the other. Alternatively, the support 11b may be provided with both a light emitting element and a light receiving element, and the light from the light emitting element reflected by the display panel 13 may be detected by the light receiving element. Further, both the light emitting element and the light receiving element may be provided on the display panel 13 to receive the reflected light from the support 11b.

より具体的には、以下のような構成を用いることができる。 More specifically, the following configurations can be used.

〔構成例1〕
図5(A)に、支持体11bの検出手段14を含む領域の断面概略図を示す。
[Structure example 1]
FIG. 5A shows a schematic cross-sectional view of a region including the detecting means 14 of the support 11b.

支持体11bは、表示パネル13を支持する第1の部分31と、表示パネル13の表示
面側に位置する第2の部分32と、表示パネル13の表示面側とは反対側に位置する第3
の部分と、を有する。第2の部分32と第3の部分33は、支持体11bの外装部材とし
て機能してもよい。
The support 11b includes a first portion 31 that supports the display panel 13, a second portion 32 that is located on the display surface side of the display panel 13, and a second portion that is located on the opposite side of the display surface side of the display panel 13. Three
And a part of. The second portion 32 and the third portion 33 may function as an exterior member of the support body 11b.

検出手段14は、複数の受光素子21と、発光素子22と、を有する。 The detection unit 14 has a plurality of light receiving elements 21 and a light emitting element 22.

図5(A)に示す構成では、複数の受光素子21はそれぞれ支持体11bの第2の部分
32の、表示パネル13と対向する面に固定して配置されている。また発光素子22は、
表示パネル13に固定して配置されている。発光素子22は、支持体11bの第2の部分
32側、より具体的には受光素子21側に光を発することができる。
In the configuration shown in FIG. 5A, the plurality of light receiving elements 21 are fixedly arranged on the surface of the second portion 32 of the support 11b facing the display panel 13. Further, the light emitting element 22 is
It is fixedly arranged on the display panel 13. The light emitting element 22 can emit light to the second portion 32 side of the support 11b, more specifically to the light receiving element 21 side.

発光素子22が発する光としては、可視光であってもよいし、赤外線、または紫外線で
あってもよい。例えば、300nmから3000nmの波長の範囲に1以上のピークを有
する光を発する発光素子を適用することができる。特に、750nm以上の波長の赤外線
を用いると、可視光や紫外線を用いた場合に比べ支持体11bからの光漏れを考慮する必
要性が低いため設計が容易であり、また安全性を高めることが可能となるため好ましい。
The light emitted by the light emitting element 22 may be visible light, infrared light, or ultraviolet light. For example, a light-emitting element that emits light having one or more peaks in the wavelength range of 300 nm to 3000 nm can be used. In particular, when infrared rays having a wavelength of 750 nm or more are used, there is less need to consider light leakage from the support 11b as compared with the case where visible light or ultraviolet rays are used, so that the design is easy and the safety can be improved. It is preferable because it becomes possible.

発光素子22としては、例えばLED(Light Emitting Diode)
、有機EL素子、または無機EL素子などの発光素子を適用することができる。特に、表
示パネル13が画素に有機EL素子などの発光素子を有する場合には、発光素子22とし
て当該画素と同一工程で作製された発光素子を用いると、部品点数を削減することができ
る。その場合、発光素子22からの発光は可視光を含む光となる。
As the light emitting element 22, for example, an LED (Light Emitting Diode) is used.
A light emitting element such as an organic EL element or an inorganic EL element can be applied. In particular, when the display panel 13 has a light emitting element such as an organic EL element in a pixel, if the light emitting element manufactured in the same step as the pixel is used as the light emitting element 22, the number of parts can be reduced. In that case, the light emitted from the light emitting element 22 becomes light including visible light.

受光素子21は、発光素子22からの発光を受光することのできる素子である。受光素
子21としては、例えばフォトダイオード、フォトトランジスタなどの光電変換素子を含
む受光素子を適用することができる。そのほか、CCDイメージセンサ、CMOSイメー
ジセンサ等の固体撮像素子を適用することもできる。
The light receiving element 21 is an element capable of receiving light emitted from the light emitting element 22. As the light receiving element 21, for example, a light receiving element including a photoelectric conversion element such as a photodiode or a phototransistor can be applied. Besides, a solid-state image sensor such as a CCD image sensor or a CMOS image sensor can be applied.

また後述するように、表示パネル13に受光素子21を設ける態様とすることもできる
。このとき、特に表示パネル13が表示領域にフォトダイオード等の光電変換素子を有す
る光学型のタッチパネルの場合には、受光素子21と当該光電変換素子を同一工程で作製
することが好ましい。
Further, as will be described later, the light receiving element 21 may be provided on the display panel 13. At this time, particularly when the display panel 13 is an optical touch panel having a photoelectric conversion element such as a photodiode in the display area, it is preferable to manufacture the light receiving element 21 and the photoelectric conversion element in the same step.

図5(B)、(C)は、検出手段14及びその主要な周辺部を示す斜視概略図である。 FIGS. 5B and 5C are schematic perspective views showing the detection unit 14 and its main peripheral portion.

表示パネル13は、表示部13aと、非表示部13bとを有する。表示部13aは、複
数の画素を有し、画像等を表示することのできる部分である。また、非表示部13bの一
部には、発光素子22が配置されている。支持体11bの第2の部分32は、表示パネル
13の非表示部13bと重なるように配置されている。
The display panel 13 has a display portion 13a and a non-display portion 13b. The display unit 13a has a plurality of pixels and can display an image or the like. Further, the light emitting element 22 is arranged in a part of the non-display portion 13b. The second portion 32 of the support 11b is arranged so as to overlap the non-display portion 13b of the display panel 13.

図5(B)に示すように、発光素子22が発する光23は、表示パネル13の表示面側
に発せられる。このとき、光23の進行方向に位置する受光素子21が、光23を検知す
る。
As shown in FIG. 5B, the light 23 emitted from the light emitting element 22 is emitted to the display surface side of the display panel 13. At this time, the light receiving element 21 located in the traveling direction of the light 23 detects the light 23.

続いて図5(B)の状態から、図5(C)に示す矢印の方向に表示パネル13が支持体
11bに対して相対的に変位したとする。このとき、発光素子22と複数の受光素子21
との相対的な位置が変化するため、図5(B)の状態の時とは異なる受光素子21が、発
光素子22が発する光23の進行方向に位置することとなる。
Subsequently, it is assumed that the display panel 13 is displaced relative to the support 11b in the direction of the arrow shown in FIG. 5C from the state of FIG. 5B. At this time, the light emitting element 22 and the plurality of light receiving elements 21
Since the relative position with respect to changes, the light receiving element 21 different from that in the state of FIG. 5B is located in the traveling direction of the light 23 emitted from the light emitting element 22.

なお、図5(B)等では光23の進行方向が表示パネル13の表面に対して概略垂直な
向きである場合を示すが、これに限られず斜め方向に進行してもよい。また発光素子22
として、指向性の高い発光素子を用いてもよいし、進行方向に対して強度分布を有する発
光素子を用いてもよい。
Note that FIG. 5B and the like show the case where the traveling direction of the light 23 is a direction substantially perpendicular to the surface of the display panel 13, but the traveling direction is not limited to this, and the traveling direction may be an oblique direction. In addition, the light emitting element 22
As the light emitting element, a light emitting element having high directivity may be used, or a light emitting element having an intensity distribution in the traveling direction may be used.

このように、複数の受光素子21により受光した光23の検出強度を比較することによ
り、表示パネル13と支持体11bとの相対的な位置関係を検出することが可能となる。
In this way, by comparing the detection intensities of the light 23 received by the plurality of light receiving elements 21, it becomes possible to detect the relative positional relationship between the display panel 13 and the support 11b.

検出手段14によって検出される位置の精度は、表示パネル13と支持体11bとの相
対的な変位方向に対して、複数の受光素子21をできるだけ隙間なく配列させることによ
り向上させることができる。例えば、図6(A)に示すように、変位の方向に平行なベク
トル(矢印)に対する、隣接する2つの受光素子21の投影が互いに重なるように配置す
ることにより、検出される位置の精度を高めることができる。
The accuracy of the position detected by the detection means 14 can be improved by arranging the plurality of light receiving elements 21 with as little space as possible in the relative displacement direction between the display panel 13 and the support 11b. For example, as shown in FIG. 6A, by arranging the projections of two adjacent light receiving elements 21 on a vector (arrow) parallel to the direction of displacement so as to overlap each other, the accuracy of the detected position is improved. Can be increased.

また、図6(B)に示すように、隣接する2つの受光素子21を、隙間をあけて配列し
た場合であっても、発光素子22からの光23の角度依存性があらかじめ分かっている場
合には、複数の受光素子21による検出強度の値から、検出強度のピーク位置を算出する
ことにより、高い精度で発光素子22の位置を検出することが可能である。
Further, as shown in FIG. 6B, even when two adjacent light receiving elements 21 are arranged with a gap, when the angular dependence of the light 23 from the light emitting element 22 is known in advance. In addition, it is possible to detect the position of the light emitting element 22 with high accuracy by calculating the peak position of the detected intensity from the values of the intensity detected by the plurality of light receiving elements 21.

なお、ここでは検出手段14として、複数の受光素子21を支持体11bの第2の部分
32に設け、発光素子22を表示パネル13に設ける構成としたが、これに限られない。
例えば図7(A)に示すように、表示パネル13に複数の受光素子を設け、支持体11b
の第2の部分32に発光素子22を設ける構成としてもよい。
Although the plurality of light receiving elements 21 are provided in the second portion 32 of the support 11b and the light emitting elements 22 are provided in the display panel 13 as the detecting means 14 here, the present invention is not limited to this.
For example, as shown in FIG. 7A, the display panel 13 is provided with a plurality of light receiving elements, and the support 11b is provided.
The light emitting element 22 may be provided in the second portion 32 of the.

また、図7(B)に示すように、支持体11bの第1の部分31が開口部を有する構成
とし、表示パネル13の表示面とは反対側に光を発する発光素子22と、支持体11bの
第3の部分33に設けられた複数の受光素子21を備える構成としてもよい。
In addition, as shown in FIG. 7B, the first portion 31 of the supporting body 11b has an opening, and the light emitting element 22 which emits light to the side opposite to the display surface of the display panel 13 and the supporting body. It may be configured to include a plurality of light receiving elements 21 provided in the third portion 33 of 11b.

また、図7(C)に示すように、表示パネル13の表示面とは反対側に複数の受光素子
21を設け、支持体11bの第3の部分に発光素子22を設ける構成としてもよい。
Further, as shown in FIG. 7C, a plurality of light receiving elements 21 may be provided on the side opposite to the display surface of the display panel 13, and the light emitting element 22 may be provided on the third portion of the support 11b.

また図7(B)、(C)において、第1の部分31の開口部は少なくとも発光素子22
の発する光を透過すればよく、透光性を有する部材を有していてもよい。
Further, in FIGS. 7B and 7C, the opening of the first portion 31 is at least the light emitting element 22.
It suffices to transmit the light emitted by, and may have a member having a light-transmitting property.

以上が構成例1についての説明である。 The above is the description of Configuration Example 1.

〔構成例2〕
以下では上記構成例1とは構成の一部が異なる構成例について説明する。なお上記と重
複する部分については説明を省略する場合がある。
[Structure example 2]
Hereinafter, a configuration example in which a part of the configuration is different from the configuration example 1 will be described. The description of the same parts as those described above may be omitted.

図8(A)は、検出手段14及びその主要な周辺部を示す斜視概略図である。 FIG. 8A is a schematic perspective view showing the detection means 14 and its main peripheral portion.

支持体11bの第2の部分32の表示パネル13と対向する面には、受光素子21と発
光素子22が並べて配置されている。
A light receiving element 21 and a light emitting element 22 are arranged side by side on the surface of the second portion 32 of the support 11b facing the display panel 13.

図8(A)に示すように、発光素子22が発する光23は、表示パネル13の非表示部
13bの一部に反射し、その反射光の一部が受光素子21によって受光される。表示パネ
ル13が支持体11bに対して変位することに伴って、受光素子21で受光する光の強度
が変化するため、この変化を検出することで表示パネル13と支持体11bとの相対的な
変位量を検出することができる。
As shown in FIG. 8A, the light 23 emitted by the light emitting element 22 is reflected by a part of the non-display portion 13 b of the display panel 13, and a part of the reflected light is received by the light receiving element 21. Since the intensity of the light received by the light receiving element 21 changes as the display panel 13 is displaced with respect to the support 11b, the relative change between the display panel 13 and the support 11b can be detected by detecting this change. The amount of displacement can be detected.

表示パネル13の非表示部13bにおいて、発光素子22が発する光23を反射する部
分には、反射率の異なる部分を有していることが好ましい。より具体的には、表示パネル
13の変位方向に対して垂直な方向に沿って、反射率の異なる部分を有していればよい。
例えば、非表示部13bに設けられる配線のパターンや、駆動回路のパターン等を利用す
ることもできる。
In the non-display portion 13b of the display panel 13, it is preferable that the portion that reflects the light 23 emitted from the light emitting element 22 has a portion having a different reflectance. More specifically, it suffices to have portions having different reflectances along the direction perpendicular to the displacement direction of the display panel 13.
For example, a wiring pattern provided in the non-display portion 13b, a driving circuit pattern, or the like can be used.

また、表示パネル13の非表示部13bの表面、または内部に、位置検出のためのパタ
ーンを別途形成してもよい。例えば表示パネル13を変位させたときに、反射率の高い部
分と低い部分とが交互に出現するようなパターンを形成すればよい。このようなパターン
は印刷法などにより形成してもよいし、表示パネル13の表面に凹凸形状を形成したもの
を用いてもよい。
In addition, a pattern for position detection may be separately formed on the surface or inside of the non-display portion 13b of the display panel 13. For example, when the display panel 13 is displaced, a pattern in which high reflectance portions and low reflectance portions alternately appear may be formed. Such a pattern may be formed by a printing method or the like, or a display panel 13 having an uneven surface may be used.

図8(B)乃至(E)に、表示パネル13の非表示部13bが有する位置検出のための
パターンの一例を示す。なお各図における矢印は、表示パネル13の変位方向を示してい
る。
8B to 8E show an example of a pattern for position detection that the non-display portion 13b of the display panel 13 has. The arrow in each drawing indicates the displacement direction of the display panel 13.

図8(A)では第1の反射率を有する第1の領域24と、第2の反射率を有する第2の
領域25とを有する。表示パネル13の変位方向に略平行な向きに、ストライプ状の第2
の領域25が複数配列したパターンを有している。
In FIG. 8A, the first region 24 having the first reflectance and the second region 25 having the second reflectance are provided. The stripe-shaped second display is arranged in a direction substantially parallel to the displacement direction of the display panel 13.
The area 25 has a pattern in which a plurality of areas are arranged.

ここで、第1の反射率と第2の反射率との反射率の差は、例えば5%以上、好ましくは
10%以上、より好ましくは15%以上であればよい。また第1の反射率と第2の反射率
とはその反射率に差があればよく、第1の反射率が第2の反射率よりも高くてもよいし、
低くてもよい。
Here, the difference in reflectance between the first reflectance and the second reflectance may be, for example, 5% or more, preferably 10% or more, and more preferably 15% or more. Further, the first reflectance and the second reflectance may have a difference in reflectance, and the first reflectance may be higher than the second reflectance,
May be low.

また、図8(C)に示すように、ストライプ状の第2の領域25が、変位方向に対して
斜めに配置されていてもよい。また、図8(D)に示すように、第2の領域25が格子状
の形状を有していてもよい。また図8(E)に示すように、第2の領域25がドット状に
配列したパターンであってもよい。
Further, as shown in FIG. 8C, the stripe-shaped second regions 25 may be arranged obliquely with respect to the displacement direction. Further, as shown in FIG. 8D, the second region 25 may have a lattice shape. Alternatively, as shown in FIG. 8E, the second region 25 may have a dot-shaped pattern.

なお、ここでは2つの反射率の異なる部分が、規則的に配列している例を示したが、2
以上の反射率の異なる部分が規則的に配列していてもよい。また、2以上の反射率の異な
る部分が不規則に配置された構成としてもよい。
Note that here, an example in which two portions having different reflectances are regularly arranged is shown.
The above portions having different reflectances may be regularly arranged. Further, two or more portions having different reflectances may be arranged irregularly.

また、ここでは受光素子21と発光素子22とを支持体11bの第2の部分32に配置
する場合について説明したが、第3の部分33に配置する構成としてもよい。その場合、
構成例1で例示したように、発光素子22が発する光を透過する開口部を有する第1の部
分31を設ければよい。
Although the case where the light receiving element 21 and the light emitting element 22 are arranged in the second portion 32 of the support 11b has been described here, the light receiving element 21 and the light emitting element 22 may be arranged in the third portion 33. In that case,
As illustrated in the configuration example 1, the first portion 31 having the opening for transmitting the light emitted from the light emitting element 22 may be provided.

このように、支持体11bに受光素子21と発光素子22の両方を設け、反射光を利用
して表示パネル13と支持体11bとの相対的な位置を検出する構成とすることで、部品
点数を削減できる。また表示パネル13の非表示部13bに設けられる一検出のためのパ
ターンとして、表示パネル13が有する配線等のパターンを利用することができるため、
設計の自由度を高めることが可能となる。
As described above, by providing both the light receiving element 21 and the light emitting element 22 on the support body 11b and detecting the relative position between the display panel 13 and the support body 11b by using the reflected light, the number of parts is increased. Can be reduced. Further, as a pattern for one detection provided in the non-display portion 13b of the display panel 13, a pattern such as wiring of the display panel 13 can be used,
It is possible to increase the degree of freedom in design.

以上が構成例2についての説明である。 The above is the description of Configuration Example 2.

なお、本実施の形態では、2つの支持体を備える構成としたが、3つ以上の支持体を備
える構成とすることもできる。支持体の数が多いほど、電子機器を様々な形状に変形する
ことが可能となり用途の幅が広がる。図9(A)乃至(C)には3つの支持体(支持体1
1c、11d、11e)を備える電子機器の構成例を示している。図9(A)に示す電子
機器は、表示パネル13を2か所で曲げることにより図9(B)に示す形態を経て図9(
C)のように電子機器を折り畳むことができる。
In addition, in this Embodiment, although it was set as the structure provided with two support bodies, it can also be set as the structure provided with three or more support bodies. As the number of supports increases, the electronic device can be transformed into various shapes, and the range of applications expands. In FIGS. 9A to 9C, three supports (support 1
1c, 11d, 11e) is a configuration example of an electronic device. The electronic device shown in FIG. 9A has the configuration shown in FIG. 9B by bending the display panel 13 at two places.
The electronic device can be folded as in C).

また、3つ以上の支持体を有する構成とした場合、表示パネル13はそのうちの1つの
支持体に固定され、他の支持体には固定されることなくスライドできるように支持される
構成とすればよい。また表示パネル13を支持しない支持体のうち、1つ以上の支持体に
、上述した検出手段を設ける構成とすればよい。すなわち、電子機器が備える支持体数が
nとすると、そのうちの1以上n−1以下の支持体に、検出手段を設ける構成とすればよ
い。検出手段を有する支持体の数が多いほど、電子機器の形態をより詳細に検出すること
が可能となるため好ましい。好ましくは表示パネル13を支持しないすべての支持体に検
出手段を設けるとよい。
When the display panel 13 has three or more supports, the display panel 13 may be fixed to one of the supports and may be slidably supported on the other support. Good. Further, among the supports that do not support the display panel 13, one or more supports may be provided with the above-described detection means. That is, assuming that the number of supports provided in the electronic device is n, the detection means may be provided on one or more and n-1 or less of the supports. The larger the number of supports having detection means, the more detailed the form of the electronic device can be detected, which is preferable. It is preferable to provide the detection means on all the supports that do not support the display panel 13.

また、本発明の一態様の電子機器は、支持体に様々な入力手段、出力手段、または入出
力手段を設ける構成とすることができる。例えば、図20では、入力ボタン41、電源ボ
タン42、外部接続端子43、カードスロット44、光学センサ45、カメラ46、光源
47、スピーカ48及びマイク49が、支持体11aまたは支持体11bに設けられてい
る例を示している。また、図20では、支持体11a及び支持体11bのそれぞれにバッ
テリ17が内蔵されている。また支持体11bの一部にアンテナ51が実装されている。
In addition, the electronic device of one embodiment of the present invention can have a structure in which a variety of input means, output means, or input/output means is provided in a supporting body. For example, in FIG. 20, the input button 41, the power button 42, the external connection terminal 43, the card slot 44, the optical sensor 45, the camera 46, the light source 47, the speaker 48, and the microphone 49 are provided on the support 11a or the support 11b. Shows an example. Further, in FIG. 20, the battery 17 is built in each of the support 11a and the support 11b. The antenna 51 is mounted on a part of the support 11b.

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
At least part of this embodiment can be implemented in appropriate combination with any of the other embodiments described in this specification.

(実施の形態2)
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器が有する表示パネルに適用可能な発光パ
ネルの構成例及び作製方法例について説明する。
(Embodiment 2)
In this embodiment, a structural example and a manufacturing method example of a light-emitting panel which can be applied to the display panel included in the electronic device of one embodiment of the present invention will be described.

[具体例1]
図10(A)に発光パネルの平面図を示し、図10(A)における一点鎖線A1−A2
間の断面図の一例を図10(C)に示す。具体例1で示す発光パネルは、カラーフィルタ
方式を用いたトップエミッション型の発光パネルである。本実施の形態において、発光パ
ネルは、例えば、R(赤)、G(緑)、B(青)の3色の副画素で1つの色を表現する構
成や、R(赤)、G(緑)、B(青)、W(白)、またはR(赤)、G(緑)、B(青)
、Y(黄)の4色の副画素で1つの色を表現する構成等が適用できる。色要素としては特
に限定はなく、RGBW以外の色を用いてもよく、例えば、イエロー、シアン、マゼンタ
などで構成されてもよい。
[Specific Example 1]
A plan view of the light-emitting panel is shown in FIG. 10A, and a dashed-dotted line A1-A2 in FIG.
An example of a cross-sectional view between them is shown in FIG. The light emitting panel shown in Example 1 is a top emission type light emitting panel using a color filter system. In this embodiment, the light-emitting panel has a structure in which one color is represented by three sub-pixels of R (red), G (green), and B (blue), and R (red), G (green), and the like. ), B (blue), W (white), or R (red), G (green), B (blue)
, Y (yellow) sub-pixels of four colors can express one color. The color elements are not particularly limited, and colors other than RGBW may be used, and may be composed of, for example, yellow, cyan, magenta, or the like.

図10(A)に示す発光パネルは、発光部804、駆動回路部806、FPC(Fle
xible Printed Circuit)808を有する。発光部804及び駆動
回路部806に含まれる発光素子やトランジスタは基板801、基板803、及び封止層
823によって封止されている。
The light-emitting panel illustrated in FIG. 10A includes a light-emitting portion 804, a driver circuit portion 806, an FPC (Fle
xible Printed Circuit) 808. Light emitting elements and transistors included in the light emitting portion 804 and the drive circuit portion 806 are sealed by the substrate 801, the substrate 803, and the sealing layer 823.

図10(C)に示す発光パネルは、基板801、接着層811、絶縁層813、複数の
トランジスタ、導電層857、絶縁層815、絶縁層817、複数の発光素子、絶縁層8
21、封止層823、オーバーコート849、着色層845、遮光層847、絶縁層84
3、接着層841、及び基板803を有する。封止層823、オーバーコート849、絶
縁層843、接着層841、及び基板803は可視光を透過する。
The light-emitting panel illustrated in FIG. 10C includes a substrate 801, an adhesive layer 811, an insulating layer 813, a plurality of transistors, a conductive layer 857, an insulating layer 815, an insulating layer 817, a plurality of light-emitting elements, and an insulating layer 8.
21, sealing layer 823, overcoat 849, coloring layer 845, light shielding layer 847, insulating layer 84
3, an adhesive layer 841, and a substrate 803. The sealing layer 823, the overcoat 849, the insulating layer 843, the adhesive layer 841, and the substrate 803 transmit visible light.

発光部804は、接着層811及び絶縁層813を介して基板801上にトランジスタ
820及び発光素子830を有する。発光素子830は、絶縁層817上の下部電極83
1と、下部電極831上のEL層833と、EL層833上の上部電極835と、を有す
る。下部電極831は、トランジスタ820のソース電極又はドレイン電極と電気的に接
続する。下部電極831の端部は、絶縁層821で覆われている。下部電極831は可視
光を反射することが好ましい。上部電極835は可視光を透過する。
The light-emitting portion 804 includes a transistor 820 and a light-emitting element 830 over the substrate 801 with the adhesive layer 811 and the insulating layer 813 provided therebetween. The light emitting device 830 has a lower electrode 83 on the insulating layer 817.
1 and the EL layer 833 on the lower electrode 831 and the upper electrode 835 on the EL layer 833. The lower electrode 831 is electrically connected to the source electrode or the drain electrode of the transistor 820. An end portion of the lower electrode 831 is covered with an insulating layer 821. The lower electrode 831 preferably reflects visible light. The upper electrode 835 transmits visible light.

また、発光部804は、発光素子830と重なる着色層845と、絶縁層821と重な
る遮光層847と、を有する。着色層845及び遮光層847はオーバーコート849で
覆われている。発光素子830とオーバーコート849の間は封止層823で充填されて
いる。
In addition, the light emitting portion 804 includes a coloring layer 845 that overlaps with the light emitting element 830, and a light shielding layer 847 that overlaps with the insulating layer 821. The coloring layer 845 and the light shielding layer 847 are covered with an overcoat 849. A space between the light emitting element 830 and the overcoat 849 is filled with a sealing layer 823.

絶縁層815は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏
する。また、絶縁層817は、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能
を有する絶縁層を選択することが好適である。
The insulating layer 815 has an effect of suppressing diffusion of impurities into the semiconductor included in the transistor. As the insulating layer 817, it is preferable to select an insulating layer having a planarization function in order to reduce surface unevenness due to the transistor.

駆動回路部806は、接着層811及び絶縁層813を介して基板801上にトランジ
スタを複数有する。図10(C)では、駆動回路部806が有するトランジスタのうち、
1つのトランジスタを示している。
The driver circuit portion 806 includes a plurality of transistors over the substrate 801 with the adhesive layer 811 and the insulating layer 813 provided therebetween. In FIG. 10C, among the transistors included in the driver circuit portion 806,
One transistor is shown.

絶縁層813と基板801は接着層811によって貼り合わされている。また、絶縁層
843と基板803は接着層841によって貼り合わされている。絶縁層813や絶縁層
843に透水性の低い膜を用いると、発光素子830やトランジスタ820に水等の不純
物が侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。
The insulating layer 813 and the substrate 801 are attached to each other with an adhesive layer 811. The insulating layer 843 and the substrate 803 are attached to each other with an adhesive layer 841. It is preferable to use a film with low water permeability for the insulating layer 813 and the insulating layer 843 because impurities such as water can be prevented from entering the light-emitting element 830 and the transistor 820 and the reliability of the light-emitting panel can be increased.

導電層857は、駆動回路部806に外部からの信号(ビデオ信号、クロック信号、ス
タート信号、又はリセット信号等)や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。
ここでは、外部入力端子としてFPC808を設ける例を示している。工程数の増加を防
ぐため、導電層857は、発光部や駆動回路部に用いる電極や配線と同一の材料、同一の
工程で作製することが好ましい。ここでは、導電層857を、トランジスタ820を構成
する電極と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。
The conductive layer 857 is electrically connected to an external input terminal which transmits a signal (a video signal, a clock signal, a start signal, a reset signal, or the like) or a potential from the outside to the driver circuit portion 806.
Here, an example in which an FPC 808 is provided as an external input terminal is shown. In order to prevent an increase in the number of steps, the conductive layer 857 is preferably formed using the same material and the same step as the electrodes and wirings used for the light emitting portion and the driver circuit portion. Here, an example is shown in which the conductive layer 857 is formed using the same material and the same step as the electrode included in the transistor 820.

図10(C)に示す発光パネルでは、接続体825が基板803上に位置する。接続体
825は、基板803、接着層841、絶縁層843、封止層823、絶縁層817、及
び絶縁層815に設けられた開口を介して導電層857と接続している。また、接続体8
25はFPC808に接続している。接続体825を介してFPC808と導電層857
は電気的に接続する。導電層857と基板803とが重なる場合には、基板803を開口
する(又は開口部を有する基板を用いる)ことで、導電層857、接続体825、及びF
PC808を電気的に接続させることができる。
In the light-emitting panel illustrated in FIG. 10C, the connection body 825 is located over the substrate 803. The connection body 825 is connected to the conductive layer 857 through the openings provided in the substrate 803, the adhesive layer 841, the insulating layer 843, the sealing layer 823, the insulating layer 817, and the insulating layer 815. Also, the connecting body 8
25 is connected to the FPC 808. The FPC 808 and the conductive layer 857 through the connection body 825.
Connect electrically. In the case where the conductive layer 857 and the substrate 803 overlap with each other, the conductive layer 857, the connection body 825, and F are formed by opening the substrate 803 (or using a substrate having an opening portion).
The PC 808 can be electrically connected.

具体例1では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層813やトランジスタ820、発光素
子830を作製し、該作製基板を剥離し、接着層811を用いて基板801上に絶縁層8
13やトランジスタ820、発光素子830を転置することで作製できる発光パネルを示
している。また、具体例1では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層843、着色層845
及び遮光層847を作製し、該作製基板を剥離し、接着層841を用いて基板803上に
絶縁層843、着色層845及び遮光層847を転置することで作製できる発光パネルを
示している。
In Specific Example 1, the insulating layer 813, the transistor 820, and the light-emitting element 830 are manufactured over a manufacturing substrate having high heat resistance, the manufacturing substrate is separated, and the insulating layer 8 is formed over the substrate 801 using the adhesive layer 811.
13 shows a light emitting panel that can be manufactured by transposing the transistor 13, the transistor 820, and the light emitting element 830. In addition, in Specific Example 1, the insulating layer 843 and the coloring layer 845 are formed over a manufacturing substrate having high heat resistance.
And a light-blocking layer 847 are manufactured, the manufacturing substrate is separated, and an insulating layer 843, a coloring layer 845, and a light-blocking layer 847 are transferred to the substrate 803 by using an adhesive layer 841 to manufacture a light-emitting panel.

基板に、耐熱性が低い材料(樹脂など)を用いる場合、作製工程で基板に高温をかける
ことが難しいため、該基板上にトランジスタや絶縁層を作製する条件に制限がある。また
、基板に透水性が高い材料(樹脂など)を用いる場合、高温をかけて、透水性の低い膜を
形成することが好ましい。本実施の形態の作製方法では、耐熱性の高い作製基板上でトラ
ンジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて、信頼性の高いトランジスタや十分に透水
性の低い膜を形成することができる。そして、それらを基板801や基板803へと転置
することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、
軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実現できる。作製方法の詳細は後述
する。
When a material having low heat resistance (resin or the like) is used for the substrate, it is difficult to apply high temperature to the substrate in a manufacturing process; therefore, conditions for forming a transistor or an insulating layer over the substrate are limited. When a material having high water permeability (resin or the like) is used for the substrate, it is preferable to apply high temperature to form a film having low water permeability. In the manufacturing method of this embodiment, a transistor or the like can be manufactured over a manufacturing substrate with high heat resistance; therefore, a highly reliable transistor or a film with sufficiently low water permeability can be formed by applying high temperature. Then, by transferring them to the substrate 801 or the substrate 803, a highly reliable light-emitting panel can be manufactured. Accordingly, in one aspect of the present invention,
It is possible to realize a light emitting panel which is lightweight or thin and has high reliability. Details of the manufacturing method will be described later.

なお、上述した発光素子830と同一工程で作製した発光素子を非表示部に設けること
により、実施の形態1で例示した発光素子22として用いることができる。
Note that a light-emitting element manufactured in the same step as the above-described light-emitting element 830 can be provided in the non-display portion and can be used as the light-emitting element 22 illustrated in Embodiment 1.

[具体例2]
図10(B)に発光パネルの平面図を示し、図10(B)における一点鎖線A3−A4
間の断面図の一例を図10(D)に示す。具体例2で示す発光パネルは、具体例1とは異
なる、カラーフィルタ方式を用いたトップエミッション型の発光パネルである。ここでは
、具体例1と異なる点のみ詳述し、具体例1と共通する点は説明を省略する。
[Specific example 2]
A plan view of the light-emitting panel is shown in FIG. 10B, and a dashed-dotted line A3-A4 in FIG.
An example of a cross-sectional view in between is shown in FIG. The light emitting panel shown in the second specific example is a top emission type light emitting panel using a color filter system, which is different from the first specific example. Here, only the points different from the specific example 1 will be described in detail, and the points common to the specific example 1 will be omitted.

図10(D)に示す発光パネルは、図10(C)に示す発光パネルと下記の点で異なる
The light-emitting panel shown in FIG. 10D is different from the light-emitting panel shown in FIG. 10C in the following points.

図10(D)に示す発光パネルは、絶縁層821上にスペーサ827を有する。スペー
サ827を設けることで、基板801と基板803の間隔を調整することができる。
The light-emitting panel illustrated in FIG. 10D includes a spacer 827 over the insulating layer 821. By providing the spacer 827, the distance between the substrate 801 and the substrate 803 can be adjusted.

また、図10(D)に示す発光パネルは、基板801と基板803の大きさが異なる。
接続体825が絶縁層843上に位置し、基板803と重ならない。接続体825は、絶
縁層843、封止層823、絶縁層817、及び絶縁層815に設けられた開口を介して
導電層857と接続している。基板803に開口を設ける必要がないため、基板803の
材料が制限されない。
In the light-emitting panel illustrated in FIG. 10D, the sizes of the substrate 801 and the substrate 803 are different.
The connection body 825 is located over the insulating layer 843 and does not overlap with the substrate 803. The connection body 825 is connected to the conductive layer 857 through the openings provided in the insulating layer 843, the sealing layer 823, the insulating layer 817, and the insulating layer 815. Since there is no need to provide an opening in the substrate 803, the material of the substrate 803 is not limited.

なお、上述した発光素子830と同一工程で作製した発光素子を非表示部に設けること
により、実施の形態1で例示した発光素子22として用いることができる。
Note that a light-emitting element manufactured in the same step as the above-described light-emitting element 830 can be provided in the non-display portion and can be used as the light-emitting element 22 illustrated in Embodiment 1.

[具体例3]
図11(A)に発光パネルの平面図を示し、図11(A)における一点鎖線A5−A6
間の断面図の一例を図11(C)に示す。具体例3で示す発光パネルは、塗り分け方式を
用いたトップエミッション型の発光パネルである。
[Specific Example 3]
A plan view of the light-emitting panel is shown in FIG. 11A, and dashed-dotted line A5-A6 in FIG.
An example of a cross-sectional view between the two is shown in FIG. The light emitting panel shown in Example 3 is a top emission type light emitting panel using a separate coating system.

図11(A)に示す発光パネルは、発光部804、駆動回路部806、FPC808を
有する。発光部804及び駆動回路部806に含まれる発光素子やトランジスタは基板8
01、基板803、枠状の封止層824、及び封止層823によって封止されている。
The light-emitting panel illustrated in FIG. 11A includes a light-emitting portion 804, a driver circuit portion 806, and an FPC 808. The light emitting element and the transistor included in the light emitting unit 804 and the driving circuit unit 806 are the substrate 8
01, the substrate 803, the frame-shaped sealing layer 824, and the sealing layer 823.

図11(C)に示す発光パネルは、基板801、接着層811、絶縁層813、複数の
トランジスタ、導電層857、絶縁層815、絶縁層817、複数の発光素子、絶縁層8
21、封止層823、枠状の封止層824、及び基板803を有する。封止層823及び
基板803は可視光を透過する。
The light-emitting panel illustrated in FIG. 11C includes a substrate 801, an adhesive layer 811, an insulating layer 813, a plurality of transistors, a conductive layer 857, an insulating layer 815, an insulating layer 817, a plurality of light-emitting elements, and an insulating layer 8.
21, the sealing layer 823, the frame-shaped sealing layer 824, and the substrate 803. The sealing layer 823 and the substrate 803 transmit visible light.

枠状の封止層824は、封止層823よりもガスバリア性が高い層であることが好まし
い。これにより、外部から水分や酸素が発光パネルに侵入することを抑制できる。したが
って、信頼性の高い発光パネルを実現することができる。
The frame-shaped sealing layer 824 is preferably a layer having a higher gas barrier property than the sealing layer 823. This can prevent moisture and oxygen from entering the light emitting panel from the outside. Therefore, a highly reliable light emitting panel can be realized.

具体例3では、封止層823を介して発光素子830の発光が発光パネルから取り出さ
れる。したがって、封止層823は、枠状の封止層824に比べて透光性が高いことが好
ましい。また、封止層823は、枠状の封止層824に比べて屈折率が高いことが好まし
い。また、封止層823は、枠状の封止層824に比べて硬化時の体積の収縮が小さいこ
とが好ましい。
In the specific example 3, the light emission of the light emitting element 830 is extracted from the light emitting panel through the sealing layer 823. Therefore, it is preferable that the sealing layer 823 have higher light-transmitting properties than the frame-shaped sealing layer 824. Further, the sealing layer 823 preferably has a higher refractive index than the frame-shaped sealing layer 824. Further, the sealing layer 823 preferably has a smaller volume shrinkage during curing than the frame-shaped sealing layer 824.

発光部804は、接着層811及び絶縁層813を介して基板801上にトランジスタ
820及び発光素子830を有する。発光素子830は、絶縁層817上の下部電極83
1と、下部電極831上のEL層833と、EL層833上の上部電極835と、を有す
る。下部電極831は、トランジスタ820のソース電極又はドレイン電極と電気的に接
続する。下部電極831の端部は、絶縁層821で覆われている。下部電極831は可視
光を反射することが好ましい。上部電極835は可視光を透過する。
The light-emitting portion 804 includes a transistor 820 and a light-emitting element 830 over the substrate 801 with the adhesive layer 811 and the insulating layer 813 provided therebetween. The light emitting device 830 has a lower electrode 83 on the insulating layer 817.
1 and the EL layer 833 on the lower electrode 831 and the upper electrode 835 on the EL layer 833. The lower electrode 831 is electrically connected to the source electrode or the drain electrode of the transistor 820. An end portion of the lower electrode 831 is covered with an insulating layer 821. The lower electrode 831 preferably reflects visible light. The upper electrode 835 transmits visible light.

駆動回路部806は、接着層811及び絶縁層813を介して基板801上にトランジ
スタを複数有する。図11(C)では、駆動回路部806が有するトランジスタのうち、
1つのトランジスタを示している。
The driver circuit portion 806 includes a plurality of transistors over the substrate 801 with the adhesive layer 811 and the insulating layer 813 provided therebetween. In FIG. 11C, among the transistors included in the driver circuit portion 806,
One transistor is shown.

絶縁層813と基板801は接着層811によって貼り合わされている。絶縁層813
に透水性の低い膜を用いると、発光素子830やトランジスタ820に水等の不純物が侵
入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。
The insulating layer 813 and the substrate 801 are attached to each other with an adhesive layer 811. Insulating layer 813
It is preferable to use a film with low water permeability for the light-emitting element 830 and the transistor 820 because impurities such as water can be suppressed and the reliability of the light-emitting panel can be increased.

導電層857は、駆動回路部806に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と
電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてFPC808を設ける例を示している
。また、ここでは、導電層857を、トランジスタ820を構成する電極と同一の材料、
同一の工程で作製した例を示す。
The conductive layer 857 is electrically connected to the driving circuit portion 806 and an external input terminal for transmitting a signal or a potential from the outside. Here, an example in which an FPC 808 is provided as an external input terminal is shown. In addition, here, the conductive layer 857 is formed of the same material as an electrode included in the transistor 820,
An example manufactured in the same process is shown.

図11(C)に示す発光パネルでは、接続体825が基板803上に位置する。接続体
825は、基板803、封止層823、絶縁層817、及び絶縁層815に設けられた開
口を介して導電層857と接続している。また、接続体825はFPC808に接続して
いる。接続体825を介してFPC808と導電層857は電気的に接続する。
In the light-emitting panel illustrated in FIG. 11C, the connection body 825 is located over the substrate 803. The connection body 825 is connected to the conductive layer 857 through the openings provided in the substrate 803, the sealing layer 823, the insulating layer 817, and the insulating layer 815. Further, the connection body 825 is connected to the FPC 808. The FPC 808 and the conductive layer 857 are electrically connected to each other through the connection body 825.

具体例3では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層813やトランジスタ820、発光素
子830を作製し、該作製基板を剥離し、接着層811を用いて基板801上に絶縁層8
13やトランジスタ820、発光素子830を転置することで作製できる発光パネルを示
している。耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて
、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い膜を形成することができる。そして、
それらを基板801へと転置することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これに
より、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実現で
きる。
In Specific Example 3, the insulating layer 813, the transistor 820, and the light-emitting element 830 are manufactured over a manufacturing substrate having high heat resistance, the manufacturing substrate is separated, and the insulating layer 8 is formed over the substrate 801 using the adhesive layer 811.
13 shows a light emitting panel that can be manufactured by transposing the transistor 13, the transistor 820, and the light emitting element 830. Since a transistor or the like can be manufactured over a manufacturing substrate with high heat resistance, a highly reliable transistor or a film with sufficiently low water permeability can be formed by applying high temperature. And
By transferring them to the substrate 801, a highly reliable light-emitting panel can be manufactured. Accordingly, in one embodiment of the present invention, a light-emitting panel which is lightweight or thin and has high reliability can be realized.

なお、上述した発光素子830と同一工程で作製した発光素子を非表示部に設けること
により、実施の形態1で例示した発光素子22として用いることができる。
Note that a light-emitting element manufactured in the same step as the above-described light-emitting element 830 can be provided in the non-display portion and can be used as the light-emitting element 22 illustrated in Embodiment 1.

[具体例4]
図11(B)に発光パネルの平面図を示し、図11(B)における一点鎖線A7−A8
間の断面図の一例を図11(D)に示す。具体例4で示す発光パネルは、カラーフィルタ
方式を用いたボトムエミッション型の発光パネルである。
[Specific Example 4]
A plan view of the light-emitting panel is shown in FIG. 11B, which is a dashed-dotted line A7-A8 in FIG.
An example of a cross-sectional view between them is shown in FIG. The light emitting panel shown in Example 4 is a bottom emission type light emitting panel using a color filter system.

図11(D)に示す発光パネルは、基板801、接着層811、絶縁層813、複数の
トランジスタ、導電層857、絶縁層815、着色層845、絶縁層817a、絶縁層8
17b、導電層816、複数の発光素子、絶縁層821、封止層823、及び基板803
を有する。基板801、接着層811、絶縁層813、絶縁層815、絶縁層817a、
及び絶縁層817bは可視光を透過する。
The light-emitting panel illustrated in FIG. 11D includes a substrate 801, an adhesive layer 811, an insulating layer 813, a plurality of transistors, a conductive layer 857, an insulating layer 815, a coloring layer 845, an insulating layer 817a, and an insulating layer 8.
17b, the conductive layer 816, the plurality of light emitting elements, the insulating layer 821, the sealing layer 823, and the substrate 803.
Have. Substrate 801, adhesive layer 811, insulating layer 813, insulating layer 815, insulating layer 817a,
The insulating layer 817b transmits visible light.

発光部804は、接着層811及び絶縁層813を介して基板801上にトランジスタ
820、トランジスタ822、及び発光素子830を有する。発光素子830は、絶縁層
817上の下部電極831と、下部電極831上のEL層833と、EL層833上の上
部電極835と、を有する。下部電極831は、トランジスタ820のソース電極又はド
レイン電極と電気的に接続する。下部電極831の端部は、絶縁層821で覆われている
。上部電極835は可視光を反射することが好ましい。下部電極831は可視光を透過す
る。発光素子830と重なる着色層845を設ける位置は、特に限定されず、例えば、絶
縁層817aと絶縁層817bの間や、絶縁層815と絶縁層817aの間等に設ければ
よい。
The light emitting portion 804 includes a transistor 820, a transistor 822, and a light emitting element 830 over a substrate 801 with an adhesive layer 811 and an insulating layer 813 provided therebetween. The light emitting element 830 includes a lower electrode 831 on the insulating layer 817, an EL layer 833 on the lower electrode 831, and an upper electrode 835 on the EL layer 833. The lower electrode 831 is electrically connected to the source electrode or the drain electrode of the transistor 820. An end portion of the lower electrode 831 is covered with an insulating layer 821. The upper electrode 835 preferably reflects visible light. The lower electrode 831 transmits visible light. The position where the colored layer 845 which overlaps with the light-emitting element 830 is not particularly limited and may be provided, for example, between the insulating layers 817a and 817b, between the insulating layers 815 and 817a, or the like.

駆動回路部806は、接着層811及び絶縁層813を介して基板801上にトランジ
スタを複数有する。図11(C)では、駆動回路部806が有するトランジスタのうち、
2つのトランジスタを示している。
The driver circuit portion 806 includes a plurality of transistors over the substrate 801 with the adhesive layer 811 and the insulating layer 813 provided therebetween. In FIG. 11C, among the transistors included in the driver circuit portion 806,
Two transistors are shown.

絶縁層813と基板801は接着層811によって貼り合わされている。絶縁層813
に透水性の低い膜を用いると、発光素子830やトランジスタ820、822に水等の不
純物が侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。
The insulating layer 813 and the substrate 801 are attached to each other with an adhesive layer 811. Insulating layer 813
It is preferable to use a film with low water permeability for the light emitting element 830 and the transistors 820 and 822 because impurities such as water can be prevented from entering and the reliability of the light emitting panel can be increased.

導電層857は、駆動回路部806に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と
電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてFPC808を設ける例を示している
。また、ここでは、導電層857を、導電層816と同一の材料、同一の工程で作製した
例を示す。
The conductive layer 857 is electrically connected to the driving circuit portion 806 and an external input terminal for transmitting a signal or a potential from the outside. Here, an example in which an FPC 808 is provided as an external input terminal is shown. In addition, here, an example is shown in which the conductive layer 857 is manufactured using the same material and the same process as the conductive layer 816.

具体例4では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層813やトランジスタ820、発光素
子830等を作製し、該作製基板を剥離し、接着層811を用いて基板801上に絶縁層
813やトランジスタ820、発光素子830等を転置することで作製できる発光パネル
を示している。耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をか
けて、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い膜を形成することができる。そし
て、それらを基板801へと転置することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。こ
れにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実
現できる。
In Specific Example 4, the insulating layer 813, the transistor 820, the light-emitting element 830, and the like are manufactured over a manufacturing substrate having high heat resistance, the manufacturing substrate is separated, and the insulating layer 813 and the transistor are formed over the substrate 801 using the adhesive layer 811. A light emitting panel which can be manufactured by transposing 820, a light emitting element 830, and the like is shown. Since a transistor or the like can be manufactured over a manufacturing substrate with high heat resistance, a highly reliable transistor or a film with sufficiently low water permeability can be formed by applying high temperature. Then, by transferring them to the substrate 801, a highly reliable light-emitting panel can be manufactured. Accordingly, in one embodiment of the present invention, a light-emitting panel which is lightweight or thin and has high reliability can be realized.

なお、上述した発光素子830と同一工程で作製した発光素子を非表示部に設けること
により、実施の形態1で例示した発光素子22として用いることができる。
Note that a light-emitting element manufactured in the same step as the above-described light-emitting element 830 can be provided in the non-display portion and can be used as the light-emitting element 22 illustrated in Embodiment 1.

[具体例5]
図11(E)に具体例1〜4とは異なる発光パネルの例を示す。
[Specific Example 5]
FIG. 11E illustrates an example of a light-emitting panel which is different from the specific examples 1 to 4.

図11(E)に示す発光パネルは、基板801、接着層811、絶縁層813、導電層
814、導電層857a、導電層857b、発光素子830、絶縁層821、封止層82
3、及び基板803を有する。
A light emitting panel illustrated in FIG. 11E includes a substrate 801, an adhesive layer 811, an insulating layer 813, a conductive layer 814, a conductive layer 857a, a conductive layer 857b, a light emitting element 830, an insulating layer 821, and a sealing layer 82.
3 and a substrate 803.

導電層857a及び導電層857bは、発光パネルの外部接続電極としての機能を有し
、FPC等と電気的に接続させることができる。
The conductive layers 857a and 857b have a function as external connection electrodes of the light-emitting panel and can be electrically connected to an FPC or the like.

発光素子830は、下部電極831、EL層833、及び上部電極835を有する。下
部電極831の端部は、絶縁層821で覆われている。発光素子830はボトムエミッシ
ョン型、トップエミッション型、又はデュアルエミッション型である。光を取り出す側の
電極、基板、絶縁層等は、それぞれ可視光を透過する。導電層814は、下部電極831
と電気的に接続する。
The light emitting element 830 has a lower electrode 831, an EL layer 833, and an upper electrode 835. An end portion of the lower electrode 831 is covered with an insulating layer 821. The light emitting element 830 is a bottom emission type, a top emission type, or a dual emission type. The electrodes, the substrate, the insulating layer, and the like on the light extraction side each transmit visible light. The conductive layer 814 is the lower electrode 831.
To be electrically connected to.

光を取り出す側の基板は、光取り出し構造として、半球レンズ、マイクロレンズアレイ
、凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を有していてもよい。例えば、樹脂基
板上に上記レンズやフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率
を有する接着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を形成することができる。
The substrate on the light extraction side may have a hemispherical lens, a microlens array, a film having a concavo-convex structure, a light diffusion film, or the like as the light extraction structure. For example, the light extraction structure can be formed by adhering the lens or film on a resin substrate using an adhesive having a similar refractive index to the substrate or the lens or film.

導電層814は必ずしも設ける必要は無いが、下部電極831の抵抗に起因する電圧降
下を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極835と電
気的に接続する導電層を絶縁層821上、EL層833上、又は上部電極835上などに
設けてもよい。
The conductive layer 814 is not necessarily provided, but is preferably provided because a voltage drop due to the resistance of the lower electrode 831 can be suppressed. For the same purpose, a conductive layer electrically connected to the upper electrode 835 may be provided over the insulating layer 821, the EL layer 833, the upper electrode 835, or the like.

導電層814は、銅、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジ
ム、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする
合金材料等を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層814の膜厚は
、例えば、0.1μm以上3μm以下とすることができ、好ましくは、0.1μm以上0
.5μm以下である。
The conductive layer 814 is a single layer or a stacked layer using a material selected from copper, titanium, tantalum, tungsten, molybdenum, chromium, neodymium, scandium, nickel, aluminum, or an alloy material containing any of these as a main component. Can be formed. The thickness of the conductive layer 814 can be, for example, 0.1 μm or more and 3 μm or less, preferably 0.1 μm or more and 0 or less.
. It is 5 μm or less.

上部電極835と電気的に接続する導電層の材料にペースト(銀ペーストなど)を用い
ると、該導電層を構成する金属が粒状になって凝集する。そのため、該導電層の表面が粗
く隙間の多い構成となり、EL層833が該導電層を完全に覆うことが難しく、上部電極
と該導電層との電気的な接続をとることが容易になり好ましい。
When a paste (silver paste or the like) is used as the material of the conductive layer electrically connected to the upper electrode 835, the metal forming the conductive layer becomes granular and aggregates. Therefore, the surface of the conductive layer is rough and has many gaps, it is difficult for the EL layer 833 to completely cover the conductive layer, and electrical connection between the upper electrode and the conductive layer is easy, which is preferable. ..

具体例5では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層813や発光素子830等を作製し、
該作製基板を剥離し、接着層811を用いて基板801上に絶縁層813や発光素子83
0等を転置することで作製できる発光パネルを示している。耐熱性の高い作製基板上で、
高温をかけて、十分に透水性の低い膜を形成し、基板801へと転置することで、信頼性
の高い発光パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり
、且つ信頼性の高い発光パネルを実現できる。
In Specific Example 5, the insulating layer 813, the light-emitting element 830, and the like are manufactured over a manufacturing substrate with high heat resistance,
The manufacturing substrate is peeled off, and the insulating layer 813 and the light emitting element 83 are provided over the substrate 801 by using the adhesive layer 811.
It shows a light emitting panel that can be produced by transposing 0 and the like. On a high heat resistant fabrication substrate,
A highly reliable light-emitting panel can be manufactured by applying a high temperature to form a film having sufficiently low water permeability and transferring the film to the substrate 801. Accordingly, in one embodiment of the present invention, a light-emitting panel which is lightweight or thin and has high reliability can be realized.

なお、ここでは、表示素子として、発光素子を用いた場合の例を示したが、本発明の一
態様は、これに限定されない。
Although an example of using a light-emitting element as a display element is shown here, one embodiment of the present invention is not limited to this.

例えば、本明細書等において、表示素子、表示素子を有する装置である表示装置または
表示パネル、発光素子、及び発光素子を有する装置である発光装置は、様々な形態を用い
ること、又は様々な素子を有することができる。表示素子、表示装置、表示パネル、発光
素子又は発光装置の一例としては、EL(エレクトロルミネッセンス)素子(有機物及び
無機物を含むEL素子、有機EL素子、無機EL素子)、LED(白色LED、赤色LE
D、緑色LED、青色LEDなど)、トランジスタ(電流に応じて発光するトランジスタ
)、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ
(GLV)、プラズマディスプレイ(PDP)、MEMS(マイクロ・エレクトロ・メカ
ニカル・システム)を用いた表示素子、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、D
MS(デジタル・マイクロ・シャッター)、MIRASOL(登録商標)、IMOD(イ
ンターフェアレンス・モジュレーション)素子、シャッター方式のMEMS表示素子、光
干渉方式のMEMS表示素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプ
レイ、カーボンナノチューブ、など、電気磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射
率、透過率などが変化する表示媒体を有するものがある。EL素子を用いた表示装置の一
例としては、ELディスプレイなどがある。電子放出素子を用いた表示装置の一例として
は、フィールドエミッションディスプレイ(FED)又はSED方式平面型ディスプレイ
(SED:Surface−conduction Electron−emitter
Disply)などがある。液晶素子を用いた表示装置の一例としては、液晶ディスプ
レイ(透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、
直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ)などがある。電子インク、電子粉流
体、又は電気泳動素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパなどがある。なお、
半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一
部、または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電
極の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに
、その場合、反射電極の下に、SRAMなどの記憶回路を設けることも可能である。これ
により、さらに、消費電力を低減することができる。
For example, in this specification and the like, a display device, a display device that is a device including a display element, a display panel, a light-emitting element, and a light-emitting device that is a device including a light-emitting element use various modes or various elements. Can have Examples of a display element, a display device, a display panel, a light-emitting element, or a light-emitting device include an EL (electroluminescence) element (an EL element containing an organic substance and an inorganic substance, an organic EL element, an inorganic EL element), an LED (a white LED, a red LE).
D, green LED, blue LED, etc.), transistor (transistor that emits light in response to current), electron emission element, liquid crystal element, electronic ink, electrophoretic element, grating light valve (GLV), plasma display (PDP), MEMS ( Display element using a micro electro mechanical system, digital micromirror device (DMD), D
MS (Digital Micro Shutter), MIRASOL (registered trademark), IMOD (Interference Modulation) element, shutter type MEMS display element, optical interference type MEMS display element, electrowetting element, piezoelectric ceramic display, carbon Some include a display medium, such as a nanotube, whose contrast, brightness, reflectance, transmittance and the like change due to an electromagnetic effect. An example of a display device using an EL element is an EL display. As an example of a display device using an electron-emitting device, a field emission display (FED) or a SED type flat-panel display (SED: Surface-conduction Electron-emitter) is used.
Display) etc. As an example of a display device using a liquid crystal element, a liquid crystal display (transmissive liquid crystal display, semi-transmissive liquid crystal display, reflective liquid crystal display,
Direct-viewing type liquid crystal display, projection type liquid crystal display) etc. An example of a display device using electronic ink, an electronic powder fluid, or an electrophoretic element is electronic paper. In addition,
In the case of realizing a semi-transmissive liquid crystal display or a reflective liquid crystal display, some or all of the pixel electrodes may have a function as a reflective electrode. For example, part or all of the pixel electrode may include aluminum, silver, or the like. Further, in that case, a memory circuit such as SRAM can be provided below the reflective electrode. Thereby, the power consumption can be further reduced.

なお、上述した発光素子830と同一工程で作製した発光素子を非表示部に設けること
により、実施の形態1で例示した発光素子22として用いることができる。
Note that a light-emitting element manufactured in the same step as the above-described light-emitting element 830 can be provided in the non-display portion and can be used as the light-emitting element 22 illustrated in Embodiment 1.

[材料の一例]
次に、発光パネルに用いることができる材料等を説明する。なお、本明細書中で先に説
明した構成については説明を省略する場合がある。
[Example of material]
Next, materials and the like that can be used for the light emitting panel will be described. Note that the description of the configuration described earlier in this specification may be omitted.

基板には、ガラス、石英、有機樹脂、金属、合金などの材料を用いることができる。発
光素子からの光を取り出す側の基板は、該光に対する透光性を有する材料を用いる。
Materials such as glass, quartz, organic resins, metals, and alloys can be used for the substrate. For the substrate on the side from which light from the light emitting element is extracted, a material having a property of transmitting the light is used.

特に、可撓性基板を用いることが好ましい。例えば、有機樹脂や可撓性を有する程度の
厚さのガラス、金属、合金を用いることができる。
In particular, it is preferable to use a flexible substrate. For example, it is possible to use an organic resin, glass, metal, or alloy having a thickness such that it has flexibility.

ガラスに比べて有機樹脂は比重が小さいため、可撓性基板として有機樹脂を用いると、
ガラスを用いる場合に比べて発光パネルを軽量化でき、好ましい。
Since organic resin has a smaller specific gravity than glass, using an organic resin as a flexible substrate
This is preferable because the light-emitting panel can be made lighter than when glass is used.

基板には、靱性が高い材料を用いることが好ましい。これにより、耐衝撃性に優れ、破
損しにくい発光パネルを実現できる。例えば、有機樹脂基板や、厚さの薄い金属基板もし
くは合金基板を用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しに
くい発光パネルを実現できる。
It is preferable to use a material having high toughness for the substrate. This makes it possible to realize a light-emitting panel that has excellent impact resistance and is less likely to be damaged. For example, by using an organic resin substrate, a thin metal substrate, or an alloy substrate, a light-emitting panel which is lighter in weight and less likely to be damaged than a glass substrate can be realized.

金属材料や合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、発光パ
ネルの局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料や合金材料を用いた
基板の厚さは、10μm以上200μm以下が好ましく、20μm以上50μm以下であ
ることがより好ましい。
A metal material and an alloy material are preferable because they have high thermal conductivity and can easily conduct heat to the entire substrate, so that a local temperature increase in the light-emitting panel can be suppressed. The thickness of the substrate using a metal material or an alloy material is preferably 10 μm or more and 200 μm or less, more preferably 20 μm or more and 50 μm or less.

金属基板や合金基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウ
ム、銅、鉄、チタン、ニッケル等の金属、またはこれら金属から選ばれた一以上の金属を
含む合金を用いることができる。合金としては、例えば、アルミニウム合金もしくはステ
ンレス等を好適に用いることができる。
The material forming the metal substrate or the alloy substrate is not particularly limited, but for example, a metal such as aluminum, copper, iron, titanium, nickel, or an alloy containing one or more metals selected from these metals is used. You can As the alloy, for example, an aluminum alloy or stainless steel can be preferably used.

また、基板に、熱放射率が高い材料を用いると発光パネルの表面温度が高くなることを
抑制でき、発光パネルの破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、基板を金属基板と熱
放射率の高い層(例えば、金属酸化物やセラミック材料を用いることができる)の積層構
造としてもよい。
In addition, when a material having a high thermal emissivity is used for the substrate, it is possible to suppress an increase in the surface temperature of the light emitting panel, and it is possible to suppress damage to the light emitting panel and a decrease in reliability. For example, the substrate may have a laminated structure of a metal substrate and a layer having a high thermal emissivity (for example, a metal oxide or a ceramic material can be used).

可撓性及び透光性を有する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PE
T)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリ
ル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート(PC)樹
脂、ポリエーテルスルホン(PES)樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポ
リスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱
膨張率の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド
樹脂、PET等を好適に用いることができる。また、繊維体に樹脂を含浸した基板(プリ
プレグともいう)や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張率を下げた基板を使用する
こともできる。
Examples of the flexible and translucent material include polyethylene terephthalate (PE
T), polyester resin such as polyethylene naphthalate (PEN), polyacrylonitrile resin, polyimide resin, polymethylmethacrylate resin, polycarbonate (PC) resin, polyethersulfone (PES) resin, polyamide resin, cycloolefin resin, polystyrene resin, Polyamideimide resin, polyvinyl chloride resin and the like can be mentioned. In particular, it is preferable to use a material having a low coefficient of thermal expansion, and for example, a polyamideimide resin, a polyimide resin, PET or the like can be preferably used. Alternatively, a substrate in which a fibrous body is impregnated with a resin (also referred to as a prepreg) or a substrate in which an inorganic filler is mixed with an organic resin to reduce the coefficient of thermal expansion can be used.

可撓性基板としては、上記材料を用いた層が、装置の表面を傷などから保護するハード
コート層(例えば、窒化シリコン層など)や、押圧を分散可能な材質の層(例えば、アラ
ミド樹脂層など)等と積層されて構成されていてもよい。
As the flexible substrate, a layer using the above material may be a hard coat layer (for example, a silicon nitride layer) that protects the surface of the device from scratches, or a layer that can disperse the pressure (for example, an aramid resin). Layer) and the like may be laminated.

可撓性基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成
とすると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い発光パネルとすることが
できる。
The flexible substrate can also be used by stacking a plurality of layers. In particular, when the glass layer is provided, the barrier property against water and oxygen can be improved and a highly reliable light-emitting panel can be obtained.

例えば、発光素子に近い側からガラス層、接着層、及び有機樹脂層を積層した可撓性基
板を用いることができる。当該ガラス層の厚さとしては20μm以上200μm以下、好
ましくは25μm以上100μm以下とする。このような厚さのガラス層は、水や酸素に
対する高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さとしては、1
0μm以上200μm以下、好ましくは20μm以上50μm以下とする。このような有
機樹脂層をガラス層よりも外側に設けることにより、ガラス層の割れやクラックを抑制し
、機械的強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料を
基板に適用することにより、極めて信頼性が高いフレキシブルな発光パネルとすることが
できる。
For example, a flexible substrate in which a glass layer, an adhesive layer, and an organic resin layer are stacked from the side closer to the light emitting element can be used. The thickness of the glass layer is 20 μm or more and 200 μm or less, preferably 25 μm or more and 100 μm or less. The glass layer having such a thickness can simultaneously realize high barrier property against water and oxygen and flexibility. The thickness of the organic resin layer is 1
The thickness is 0 μm or more and 200 μm or less, preferably 20 μm or more and 50 μm or less. By providing such an organic resin layer on the outer side of the glass layer, cracks and cracks in the glass layer can be suppressed and mechanical strength can be improved. By applying such a composite material of a glass material and an organic resin to a substrate, a highly reliable flexible light emitting panel can be obtained.

接着層や封止層には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型
接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤とし
てはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂
、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透
湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート
等を用いてもよい。
For the adhesive layer and the sealing layer, various curable adhesives such as an ultraviolet curable photocurable adhesive, a reaction curable adhesive, a thermosetting adhesive, and an anaerobic adhesive can be used. These adhesives include epoxy resin, acrylic resin, silicone resin, phenol resin, polyimide resin,
Examples thereof include imide resin, PVC (polyvinyl chloride) resin, PVB (polyvinyl butyral) resin, EVA (ethylene vinyl acetate) resin, and the like. In particular, a material having low moisture permeability such as epoxy resin is preferable. Alternatively, a two-liquid mixed type resin may be used. Alternatively, an adhesive sheet or the like may be used.

また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物(酸
化カルシウムや酸化バリウム等)のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用い
ることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を
吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が機能素子に
侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が向上するため好ましい。
Further, the above resin may contain a desiccant. For example, a substance that adsorbs water by chemisorption, such as an alkaline earth metal oxide (such as calcium oxide or barium oxide), can be used. Alternatively, a substance that adsorbs water by physical adsorption, such as zeolite or silica gel, may be used. The inclusion of the desiccant is preferable because impurities such as moisture can be prevented from entering the functional element and the reliability of the light-emitting panel can be improved.

また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、発光素子
からの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、
ゼオライト、ジルコニウム等を用いることができる。
Further, by mixing the resin with a filler having a high refractive index or a light scattering member, the light extraction efficiency from the light emitting element can be improved. For example, titanium oxide, barium oxide,
Zeolite, zirconium, etc. can be used.

発光パネルが有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、スタガ型のトラ
ンジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート
型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる
半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム、炭化シリコン、窒化ガ
リウム等が挙げられる。または、In−Ga−Zn系金属酸化物などの、インジウム、ガ
リウム、亜鉛のうち少なくとも一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。
The structure of the transistor included in the light emitting panel is not particularly limited. For example, a staggered transistor or an inverted staggered transistor may be used. Further, either a top gate type or a bottom gate type transistor structure may be used. The semiconductor material used for the transistor is not particularly limited, and examples thereof include silicon, germanium, silicon carbide, gallium nitride, and the like. Alternatively, an oxide semiconductor containing at least one of indium, gallium, and zinc such as an In—Ga—Zn-based metal oxide may be used.

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、
結晶性を有する半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領
域を有する半導体)のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トラン
ジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
The crystallinity of a semiconductor material used for a transistor is not particularly limited, and an amorphous semiconductor,
Any of semiconductors having crystallinity (microcrystalline semiconductor, polycrystalline semiconductor, single crystal semiconductor, or semiconductor partially having a crystalline region) may be used. It is preferable to use a semiconductor having crystallinity because deterioration of transistor characteristics can be suppressed.

ここで、画素や、駆動回路、また後述するタッチセンサ等に用いられるトランジスタな
どの半導体装置には、酸化物半導体を適用することが好ましい。特にシリコンよりもバン
ドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好ましい。シリコンよりもバンドギャ
ップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態
における電流を低減できるため好ましい。
Here, an oxide semiconductor is preferably applied to a semiconductor device such as a pixel, a driver circuit, or a transistor used for a touch sensor described later or the like. In particular, it is preferable to apply an oxide semiconductor whose bandgap is larger than that of silicon. It is preferable to use a semiconductor material having a wider bandgap and a smaller carrier density than silicon because the current in the off state of the transistor can be reduced.

例えば、上記酸化物半導体として、少なくとも少なくともインジウム(In)もしくは
亜鉛(Zn)を含むことが好ましい。より好ましくは、In−M−Zn系酸化物(MはA
l、Ti、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、CeまたはHf等の金属)で表記される
酸化物を含む。
For example, the above oxide semiconductor preferably contains at least indium (In) or zinc (Zn). More preferably, an In-M-Zn-based oxide (M is A
1, a metal such as Ti, Ga, Ge, Y, Zr, Sn, La, Ce or Hf).

特に、半導体層として、複数の結晶部を有し、当該結晶部はc軸が半導体層の被形成面
、または半導体層の上面に対し垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界を有さない
酸化物半導体膜を用いることが好ましい。
In particular, the semiconductor layer has a plurality of crystal parts, the c-axis of which is perpendicular to the formation surface of the semiconductor layer or the upper surface of the semiconductor layer, and the grain boundaries are provided between adjacent crystal parts. It is preferable to use an oxide semiconductor film having no.

このような酸化物半導体は、結晶粒界を有さないために表示パネルを湾曲させたときの
応力によって酸化物半導体膜にクラックが生じてしまうことが抑制される。したがって、
可撓性を有し、湾曲させて用いる表示パネルなどに、このような酸化物半導体を好適に用
いることができる。
Since such an oxide semiconductor does not have a crystal grain boundary, cracks in the oxide semiconductor film are suppressed from being caused by stress when the display panel is bent. Therefore,
Such an oxide semiconductor can be preferably used for a display panel or the like which has flexibility and is bent.

半導体層としてこのような材料を用いることで、電気特性の変動が抑制され、信頼性の
高いトランジスタを実現できる。
By using such a material for the semiconductor layer, variation in electrical characteristics is suppressed and a highly reliable transistor can be realized.

また、その低いオフ電流により、トランジスタを介して容量に蓄積した電荷を長期間に
亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各
表示領域に表示した画像の諧調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。そ
の結果、極めて消費電力の低減された電子機器を実現できる。
In addition, due to the low off-state current, the charge accumulated in the capacitor through the transistor can be held for a long time. By applying such a transistor to a pixel, it is possible to stop the driving circuit while maintaining the gradation of the image displayed in each display region. As a result, an electronic device with extremely reduced power consumption can be realized.

トランジスタの特性安定化等のため、下地膜を設けることが好ましい。下地膜としては
、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無
機絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法
、CVD(Chemical Vapor Deposition)法(プラズマCVD
法、熱CVD法、MOCVD(Metal Organic CVD)法など)、ALD
(Atomic Layer Deposition)法、塗布法、印刷法等を用いて形
成できる。なお、下地膜は、必要で無ければ設けなくてもよい。上記各構成例では、絶縁
層813がトランジスタの下地膜を兼ねることができる。
It is preferable to provide a base film in order to stabilize the characteristics of the transistor. As the base film, an inorganic insulating film such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a silicon nitride oxide film can be used, and can be formed as a single layer or a stacked layer. The base film is formed by a sputtering method, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method (plasma CVD
Method, thermal CVD method, MOCVD (Metal Organic CVD) method, etc., ALD
It can be formed using an (Atomic Layer Deposition) method, a coating method, a printing method, or the like. Note that the base film may be omitted if not necessary. In each of the above structure examples, the insulating layer 813 can also serve as a base film of the transistor.

発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝
度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード(LED)、有機
EL素子、無機EL素子等を用いることができる。
As the light-emitting element, an element capable of emitting light can be used, and an element whose luminance is controlled by current or voltage is included in its category. For example, a light emitting diode (LED), an organic EL element, an inorganic EL element, or the like can be used.

発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型
のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる
。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好まし
い。
The light emitting element may be any of a top emission type, a bottom emission type and a dual emission type. A conductive film that transmits visible light is used for the electrode on the light extraction side. Further, it is preferable to use a conductive film that reflects visible light for the electrode on the side from which light is not extracted.

可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物(ITO:
Indium Tin Oxide)、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添
加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム
、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もし
くはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物(例
えば、窒化チタン)等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる
。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウ
ムの合金とITOの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。
また、グラフェン等を用いてもよい。
Examples of the conductive film that transmits visible light include indium oxide and indium tin oxide (ITO:
Indium tin oxide), indium zinc oxide, zinc oxide, gallium-added zinc oxide, or the like can be used. Further, metal materials such as gold, silver, platinum, magnesium, nickel, tungsten, chromium, molybdenum, iron, cobalt, copper, palladium, or titanium, alloys containing these metal materials, or nitrides of these metal materials (for example, Titanium nitride) or the like can also be used by forming it so thin that it has a light-transmitting property. Alternatively, a stacked film of any of the above materials can be used as the conductive layer. For example, it is preferable to use a laminated film of an alloy of silver and magnesium and ITO, because conductivity can be increased.
Alternatively, graphene or the like may be used.

可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タング
ステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又
はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ラン
タン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチ
タンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミ
ニウムを含む合金(アルミニウム合金)や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、
銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む
合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金
属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金
属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記
可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とITO
の積層膜、銀とマグネシウムの合金とITOの積層膜などを用いることができる。
For the conductive film that reflects visible light, use a metal material such as aluminum, gold, platinum, silver, nickel, tungsten, chromium, molybdenum, iron, cobalt, copper, or palladium, or an alloy containing these metal materials. You can Further, lanthanum, neodymium, germanium, or the like may be added to the above metal material or alloy. Also, alloys containing aluminum (aluminum alloys) such as aluminum-titanium alloys, aluminum-nickel alloys, aluminum-neodymium alloys, silver-copper alloys, silver-palladium-copper alloys,
It can be formed using an alloy containing silver such as an alloy of silver and magnesium. An alloy containing silver and copper is preferable because it has high heat resistance. Further, by stacking a metal film or a metal oxide film in contact with the aluminum alloy film, oxidation of the aluminum alloy film can be suppressed. Examples of materials for the metal film and the metal oxide film include titanium and titanium oxide. In addition, a conductive film that transmits visible light and a film formed of a metal material may be stacked. For example, silver and ITO
And a laminated film of an alloy of silver and magnesium and ITO can be used.

電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、イ
ンクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形
成することができる。
The electrodes may be formed by a vapor deposition method or a sputtering method, respectively. In addition, a discharge method such as an inkjet method, a printing method such as a screen printing method, or a plating method can be used.

下部電極831及び上部電極835の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加す
ると、EL層833に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入さ
れた電子と正孔はEL層833において再結合し、EL層833に含まれる発光物質が発
光する。
When a voltage higher than the threshold voltage of the light emitting element is applied between the lower electrode 831 and the upper electrode 835, holes are injected into the EL layer 833 from the anode side and electrons are injected from the cathode side. The injected electrons and holes are recombined in the EL layer 833, and the light emitting substance contained in the EL layer 833 emits light.

EL層833は少なくとも発光層を有する。EL層833は、発光層以外の層として、
正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物
質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質(電子輸送性及び正孔輸送性が高い
物質)等を含む層をさらに有していてもよい。
The EL layer 833 has at least a light emitting layer. The EL layer 833 is a layer other than the light emitting layer.
A substance having a high hole injecting property, a substance having a high hole transporting property, a hole blocking material, a substance having a high electron transporting property, a substance having a high electron injecting property, or a bipolar substance (having an electron transporting property and a hole transporting property). It may further have a layer containing a high substance).

EL層833には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無
機化合物を含んでいてもよい。EL層833を構成する層は、それぞれ、蒸着法(真空蒸
着法を含む)、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することがで
きる。
For the EL layer 833, either a low molecular compound or a high molecular compound can be used, and an inorganic compound may be contained. The layers forming the EL layer 833 can be formed by a method such as an evaporation method (including a vacuum evaporation method), a transfer method, a printing method, an inkjet method, a coating method, or the like.

発光素子830として、白色発光の発光素子を適用する場合には、EL層833に2種
類以上の発光物質を含む構成とすることが好ましい。例えば2以上の発光物質の各々の発
光が補色の関係となるように、発光物質を選択することにより白色発光を得ることができ
る。例えば、それぞれR(赤)、G(緑)、B(青)、Y(黄)、O(橙)等の発光を示
す発光物質、またはR、G、Bのうち2以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光
物質のうち、2以上を含むことが好ましい。また、発光素子830からの発光のスペクト
ルが、可視光領域の波長(例えば350nm〜750nm)の範囲内に2以上のピークを
有する発光素子を適用することが好ましい。また、黄色の波長領域にピークを有する材料
の発光スペクトルは、緑色及び赤色の波長領域にもスペクトル成分を有する材料であるこ
とが好ましい。
When a white light emitting element is used as the light emitting element 830, it is preferable that the EL layer 833 include two or more kinds of light emitting substances. For example, white light emission can be obtained by selecting the light-emitting substance so that the light emission of each of the two or more light-emitting substances has a complementary color relationship. For example, a luminescent substance that emits light such as R (red), G (green), B (blue), Y (yellow), and O (orange), or a spectral component of two or more colors of R, G, and B. It is preferable to include two or more of the light-emitting substances that emit light including. In addition, it is preferable to apply a light-emitting element in which a spectrum of light emitted from the light-emitting element 830 has two or more peaks within a wavelength range of a visible light region (e.g., 350 nm to 750 nm). The emission spectrum of the material having a peak in the yellow wavelength region is preferably a material having spectral components also in the green and red wavelength regions.

より好ましくは、EL層833は、一の色を発光する発光材料を含む発光層と、他の色
を発光する発光材料を含む発光層とが積層された構成とすることが好ましい。例えば、E
L層833における複数の発光層は、互いに接して積層されていてもよいし、分離層を介
して積層されていてもよい。例えば、蛍光発光層と燐光発光層との間に分離層を設ける構
成としてもよい。
More preferably, the EL layer 833 preferably has a structure in which a light-emitting layer containing a light-emitting material emitting one color and a light-emitting layer containing a light-emitting material emitting another color are stacked. For example, E
The plurality of light emitting layers in the L layer 833 may be in contact with each other and stacked, or may be stacked via a separation layer. For example, a separation layer may be provided between the fluorescent light emitting layer and the phosphorescent light emitting layer.

分離層は、例えば燐光発光層中で生成する燐光材料等の励起状態から蛍光発光層中の蛍
光材料等へのデクスター機構によるエネルギー移動(特に三重項エネルギー移動)を防ぐ
ために設けることができる。分離層は数nm程度の厚さがあればよい。具体的には、0.
1nm以上20nm以下、あるいは1nm以上10nm以下、あるいは1nm以上5nm
以下である。分離層は、単一の材料(好ましくはバイポーラ性の物質)、又は複数の材料
(好ましくは正孔輸送性材料及び電子輸送性材料)を含む。
The separation layer can be provided, for example, in order to prevent energy transfer (particularly triplet energy transfer) from an excited state of a phosphorescent material or the like generated in the phosphorescent light emitting layer to the fluorescent material or the like in the fluorescent light emitting layer. The separation layer may have a thickness of about several nm. Specifically, 0.
1 nm or more and 20 nm or less, or 1 nm or more and 10 nm or less, or 1 nm or more and 5 nm
It is the following. The separation layer includes a single material (preferably a bipolar substance) or a plurality of materials (preferably a hole transporting material and an electron transporting material).

分離層は、該分離層と接する発光層に含まれる材料を用いて形成してもよい。これによ
り、発光素子の作製が容易になり、また、駆動電圧が低減される。例えば、燐光発光層が
、ホスト材料、アシスト材料、及び燐光材料(ゲスト材料)からなる場合、分離層を、該
ホスト材料及びアシスト材料で形成してもよい。上記構成を別言すると、分離層は、燐光
材料を含まない領域を有し、燐光発光層は、燐光材料を含む領域を有する。これにより、
分離層と燐光発光層とを燐光材料の有無で蒸着することが可能となる。また、このような
構成とすることで、分離層と燐光発光層を同じチャンバーで成膜することが可能となる。
これにより、製造コストを削減することができる。
The separation layer may be formed using a material contained in the light emitting layer which is in contact with the separation layer. This facilitates the production of the light emitting element and reduces the driving voltage. For example, when the phosphorescent emitting layer is made of a host material, an assist material, and a phosphorescent material (guest material), the separation layer may be formed of the host material and the assist material. In other words, the separation layer has a region containing no phosphorescent material, and the phosphorescent emitting layer has a region containing a phosphorescent material. This allows
The separation layer and the phosphorescent emitting layer can be vapor-deposited with or without the phosphorescent material. Further, with such a structure, the separation layer and the phosphorescent emitting layer can be formed in the same chamber.
Thereby, the manufacturing cost can be reduced.

また、発光素子830は、EL層を1つ有するシングル素子であってもよいし、複数の
EL層が電荷発生層を介して積層されたタンデム素子であってもよい。
The light-emitting element 830 may be a single element having one EL layer or a tandem element in which a plurality of EL layers are stacked with a charge generation layer interposed therebetween.

発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられていることが好ましい。これに
より、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性の低下を抑
制できる。
The light emitting element is preferably provided between a pair of insulating films having low water permeability. This can prevent impurities such as water from entering the light emitting element, and can suppress deterioration in reliability of the light emitting device.

透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜等の窒素と珪素を
含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、
酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
As the insulating film having low water permeability, a film containing nitrogen and silicon such as a silicon nitride film or a silicon oxynitride film, a film containing nitrogen and aluminum such as an aluminum nitride film, or the like can be given. Also,
A silicon oxide film, a silicon oxynitride film, an aluminum oxide film, or the like may be used.

例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、1×10−5[g/m・day]以
下、好ましくは1×10−6[g/m・day]以下、より好ましくは1×10−7
g/m・day]以下、さらに好ましくは1×10−8[g/m・day]以下とす
る。
For example, the water vapor transmission rate of an insulating film having low water permeability is 1×10 −5 [g/m 2 ·day] or less, preferably 1×10 −6 [g/m 2 ·day] or less, and more preferably 1 ×10 -7 [
g/m 2 ·day] or less, and more preferably 1×10 −8 [g/m 2 ·day] or less.

透水性の低い絶縁膜を、絶縁層813や絶縁層843に用いることが好ましい。 It is preferable to use an insulating film having low water permeability for the insulating layer 813 and the insulating layer 843.

絶縁層815としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニ
ウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層817、絶縁層817a、
及び絶縁層817bとしては、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミド
アミド、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料をそれぞれ用いることができる。また、
低誘電率材料(low−k材料)等を用いることができる。また、絶縁膜を複数積層させ
ることで、各絶縁層を形成してもよい。
As the insulating layer 815, for example, an inorganic insulating film such as a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, or an aluminum oxide film can be used. In addition, the insulating layer 817, the insulating layer 817a,
As the insulating layer 817b, for example, an organic material such as polyimide, acrylic, polyamide, polyimide amide, or benzocyclobutene resin can be used. Also,
A low dielectric constant material (low-k material) or the like can be used. Alternatively, each insulating layer may be formed by stacking a plurality of insulating films.

絶縁層821としては、有機絶縁材料又は無機絶縁材料を用いて形成する。樹脂として
は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキ
シ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に感光性の樹脂材料を用い、そ
の開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好
ましい。
The insulating layer 821 is formed using an organic insulating material or an inorganic insulating material. As the resin, for example, polyimide resin, polyamide resin, acrylic resin, siloxane resin, epoxy resin, or phenol resin can be used. Particularly, it is preferable to use a photosensitive resin material and form the side wall of the opening so as to form an inclined surface having a continuous curvature.

絶縁層821の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法
、蒸着法、液滴吐出法(インクジェット法等)、印刷法(スクリーン印刷、オフセット印
刷等)等を用いればよい。
A method for forming the insulating layer 821 is not particularly limited, and a photolithography method, a sputtering method, an evaporation method, a droplet discharging method (inkjet method or the like), a printing method (screen printing, offset printing, or the like) may be used.

スペーサ827は、無機絶縁材料、有機絶縁材料、金属材料等を用いて形成することが
できる。例えば、無機絶縁材料や有機絶縁材料としては、上記絶縁層に用いることができ
る各種材料が挙げられる。金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いることが
できる。導電材料を含むスペーサ827と上部電極835とを電気的に接続させる構成と
することで、上部電極835の抵抗に起因した電位降下を抑制できる。また、スペーサ8
27は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。
The spacer 827 can be formed using an inorganic insulating material, an organic insulating material, a metal material, or the like. Examples of the inorganic insulating material and the organic insulating material include various materials that can be used for the insulating layer. Titanium, aluminum or the like can be used as the metal material. With the structure in which the spacer 827 including a conductive material and the upper electrode 835 are electrically connected to each other, potential drop due to the resistance of the upper electrode 835 can be suppressed. Also, the spacer 8
27 may have a forward taper shape or an inverse taper shape.

トランジスタの電極や配線、又は発光素子の補助電極等として機能する、発光パネルに
用いる導電層は、例えば、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アル
ミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を
用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、導電層は、導電性の金属酸化
物を用いて形成してもよい。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム(In
)、酸化スズ(SnO等)、酸化亜鉛(ZnO)、ITO、インジウム亜鉛酸化物(I
−ZnO等)又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用い
ることができる。
The conductive layer used for a light-emitting panel, which functions as an electrode or wiring of a transistor, an auxiliary electrode of a light-emitting element, or the like, includes a metal material such as molybdenum, titanium, chromium, tantalum, tungsten, aluminum, copper, neodymium, or scandium, or a material thereof. A single layer or a stacked layer can be formed using an alloy material containing the element. Alternatively, the conductive layer may be formed using a conductive metal oxide. As the conductive metal oxide, indium oxide (In 2 O 3 or the like), tin oxide (SnO 2 or the like), zinc oxide (ZnO), ITO, indium zinc oxide (I
n 2 O 3 —ZnO, etc.) or these metal oxide materials containing silicon oxide can be used.

着色層は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の光を
透過する赤色(R)のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色(G)のカラ
ーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色(B)のカラーフィルタなどを用いるこ
とができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソ
グラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。
The colored layer is a colored layer that transmits light in a specific wavelength band. For example, a red (R) color filter that transmits light in the red wavelength band, a green (G) color filter that transmits light in the green wavelength band, and a blue (B) filter that transmits light in the blue wavelength band A color filter or the like can be used. Each colored layer is formed at a desired position using various materials by a printing method, an inkjet method, an etching method using a photolithography method, or the like.

遮光層は、隣接する着色層の間に設けられている。遮光層は隣接する発光素子からの光
を遮光し、隣接する発光素子間における混色を抑制する。ここで、着色層の端部を、遮光
層と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層としては、
発光素子からの発光を遮る材料を用いることができ、例えば、金属材料や顔料や染料を含
む樹脂材料を用いてブラックマトリクスを形成すればよい。なお、遮光層は、駆動回路部
などの発光部以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるた
め好ましい。
The light shielding layer is provided between the adjacent colored layers. The light shielding layer blocks light from the adjacent light emitting elements and suppresses color mixing between the adjacent light emitting elements. Here, light leakage can be suppressed by providing the end portion of the colored layer so as to overlap the light shielding layer. As the light shielding layer,
A material that blocks light emission from the light emitting element can be used, and for example, the black matrix may be formed using a metal material or a resin material containing a pigment or a dye. Note that it is preferable to provide the light-blocking layer in a region other than the light-emitting portion such as the driver circuit portion because unintended light leakage due to guided light or the like can be suppressed.

また、着色層及び遮光層を覆うオーバーコートを設けてもよい。オーバーコートを設け
ることで、着色層に含有された不純物等の発光素子への拡散を防止することができる。オ
ーバーコートは、発光素子からの発光を透過する材料から構成され、例えば窒化シリコン
膜、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜や、アクリル膜、ポリイミド膜等の有機絶縁膜を用い
ることができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよい。
Further, an overcoat may be provided to cover the coloring layer and the light shielding layer. By providing the overcoat, diffusion of impurities contained in the coloring layer into the light emitting element can be prevented. The overcoat is made of a material that transmits light emitted from the light emitting element. For example, an inorganic insulating film such as a silicon nitride film or a silicon oxide film, or an organic insulating film such as an acrylic film or a polyimide film can be used. A laminated structure of a film and an inorganic insulating film may be used.

また、封止層の材料を着色層及び遮光層上に塗布する場合、オーバーコートの材料とし
て封止層の材料に対してぬれ性の高い材料を用いることが好ましい。例えば、オーバーコ
ートとして、ITO膜などの酸化物導電膜や、透光性を有する程度に薄いAg膜等の金属
膜を用いることが好ましい。
When the material for the sealing layer is applied on the colored layer and the light shielding layer, it is preferable to use a material having high wettability with respect to the material for the sealing layer as the overcoat material. For example, it is preferable to use an oxide conductive film such as an ITO film or a metal film such as an Ag film that is thin enough to have a light-transmitting property as the overcoat.

接続体としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート状の
、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子としては、
例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、2種類以上の金属が層状となった粒子を用
いることが好ましい。または、粒状の樹脂の表面を金属で被覆した材料を用いることが好
ましい。
As the connection body, a paste-like or sheet-like material obtained by mixing metal particles with a thermosetting resin and exhibiting anisotropic conductivity by thermocompression bonding can be used. As metal particles,
For example, it is preferable to use particles in which two or more kinds of metals are layered, such as nickel particles coated with gold. Alternatively, it is preferable to use a material in which the surface of a granular resin is coated with a metal.

[作製方法例]
次に、発光パネルの作製方法を図12及び図13を用いて例示する。ここでは、具体例
1(図11(C))の構成の発光パネルを例に挙げて説明する。
[Example of manufacturing method]
Next, a method for manufacturing a light-emitting panel will be illustrated with reference to FIGS. Here, the light-emitting panel having the structure of Specific Example 1 (FIG. 11C) will be described as an example.

まず、作製基板201上に剥離層203を形成し、剥離層203上に絶縁層813を形
成する。次に、絶縁層813上に複数のトランジスタ、導電層857、絶縁層815、絶
縁層817、複数の発光素子、及び絶縁層821を形成する。なお、導電層857が露出
するように、絶縁層821、絶縁層817、及び絶縁層815は開口する(図12(A)
)。
First, the peeling layer 203 is formed over the formation substrate 201, and the insulating layer 813 is formed over the peeling layer 203. Next, the plurality of transistors, the conductive layer 857, the insulating layer 815, the insulating layer 817, the plurality of light-emitting elements, and the insulating layer 821 are formed over the insulating layer 813. Note that the insulating layer 821, the insulating layer 817, and the insulating layer 815 are opened so that the conductive layer 857 is exposed (FIG. 12A).
).

また、作製基板205上に剥離層207を形成し、剥離層207上に絶縁層843を形
成する。次に、絶縁層843上に遮光層847、着色層845、及びオーバーコート84
9を形成する(図12(B))。
Further, the peeling layer 207 is formed over the manufacturing substrate 205, and the insulating layer 843 is formed over the peeling layer 207. Next, the light-blocking layer 847, the coloring layer 845, and the overcoat 84 are formed over the insulating layer 843.
9 is formed (FIG. 12B).

作製基板201及び作製基板205としては、それぞれ、ガラス基板、石英基板、サフ
ァイア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。
As the manufacturing substrate 201 and the manufacturing substrate 205, a glass substrate, a quartz substrate, a sapphire substrate, a ceramic substrate, a metal substrate, or the like can be used, respectively.

また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラ
ス、バリウムホウケイ酸ガラス等のガラス材料を用いることができる。後の加熱処理の温
度が高い場合には、歪み点が730℃以上のものを用いるとよい。なお、酸化バリウム(
BaO)を多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。他にも、結晶化ガ
ラスなどを用いることができる。
Further, for the glass substrate, for example, a glass material such as aluminosilicate glass, aluminoborosilicate glass, barium borosilicate glass can be used. When the temperature of the subsequent heat treatment is high, a strain having a strain point of 730° C. or higher is preferably used. In addition, barium oxide (
By including a large amount of BaO), a more practical heat resistant glass can be obtained. Alternatively, crystallized glass or the like can be used.

作製基板にガラス基板を用いる場合、作製基板と剥離層との間に、酸化シリコン膜、酸
化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラ
ス基板からの汚染を防止でき、好ましい。
When a glass substrate is used as the manufacturing substrate, formation of an insulating film such as a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, a silicon nitride film, or a silicon nitride oxide film between the manufacturing substrate and the peeling layer can prevent contamination from the glass substrate. It can be prevented and is preferable.

剥離層203及び剥離層207としては、それぞれ、タングステン、モリブデン、チタ
ン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウ
ム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む
合金材料、又は該元素を含む化合物材料からなり、単層又は積層された層である。シリコ
ンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。
As the peeling layer 203 and the peeling layer 207, an element selected from tungsten, molybdenum, titanium, tantalum, niobium, nickel, cobalt, zirconium, zinc, ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium, and silicon, and the element, respectively, can be used. It is a single layer or a laminated layer made of an alloy material containing the above or a compound material containing the element. The crystal structure of the layer containing silicon may be amorphous, microcrystalline, or polycrystalline.

剥離層は、スパッタリング法、プラズマCVD法、塗布法、印刷法等により形成できる
。なお、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。
The peeling layer can be formed by a sputtering method, a plasma CVD method, a coating method, a printing method, or the like. The coating method includes a spin coating method, a droplet discharge method, and a dispensing method.

剥離層が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブ
デンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは
酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタングステ
ンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、
タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相
当する。
When the separation layer has a single-layer structure, it is preferable to form a tungsten layer, a molybdenum layer, or a layer containing a mixture of tungsten and molybdenum. Alternatively, a layer containing tungsten oxide or oxynitride, a layer containing molybdenum oxide or oxynitride, or a layer containing oxide or oxynitride of a mixture of tungsten and molybdenum may be formed. In addition,
The mixture of tungsten and molybdenum corresponds to, for example, an alloy of tungsten and molybdenum.

また、剥離層として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構
造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁
膜を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を含む
層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処
理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素(NO)プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い
溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ
処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混
合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層の表面状態
を変えることにより、剥離層と後に形成される絶縁膜との密着性を制御することが可能で
ある。
In the case where a layered structure of a layer containing tungsten and a layer containing an oxide of tungsten is formed as the separation layer, a layer containing tungsten is formed and an insulating film formed of an oxide is formed thereover. The fact that a layer containing an oxide of tungsten is formed at the interface between the tungsten layer and the insulating film may be utilized. Further, the surface of the layer containing tungsten is subjected to thermal oxidation treatment, oxygen plasma treatment, nitrous oxide (N 2 O) plasma treatment, treatment with a highly oxidizing solution such as ozone water, etc. You may form the layer containing. Further, the plasma treatment or the heat treatment may be performed in oxygen, nitrogen, nitrous oxide alone, or in a mixed gas atmosphere of the gas and other gas. By changing the surface state of the peeling layer by the above plasma treatment or heat treatment, it is possible to control the adhesion between the peeling layer and an insulating film to be formed later.

各絶縁層は、スパッタリング法、プラズマCVD法、塗布法、印刷法等を用いて形成す
ることが可能であり、例えば、プラズマCVD法によって成膜温度を250℃以上400
℃以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。
Each insulating layer can be formed by a sputtering method, a plasma CVD method, a coating method, a printing method, or the like. For example, the film formation temperature is 250° C. or higher and 400 by the plasma CVD method.
By forming the film at a temperature of not more than 0° C., it is possible to obtain a dense film having a very low water permeability.

その後、作製基板205の着色層845等が設けられた面又は作製基板201の発光素
子230等が設けられた面に封止層823となる材料を塗布し、封止層823を介して該
面同士が対向するように、作製基板201及び作製基板205を貼り合わせる(図12(
C))。
After that, a material to be the sealing layer 823 is applied to the surface of the manufacturing substrate 205 provided with the coloring layer 845 or the surface of the manufacturing substrate 201 provided with the light-emitting element 230, and the surface is provided with the sealing layer 823 interposed therebetween. The manufacturing substrate 201 and the manufacturing substrate 205 are attached so that they face each other (see FIG.
C)).

そして、作製基板201を剥離し、露出した絶縁層813と基板801を、接着層81
1を用いて貼り合わせる。また、作製基板205を剥離し、露出した絶縁層843と基板
803を、接着層841を用いて貼り合わせる。図13(A)では、基板803が導電層
857と重ならない構成としたが、導電層857と基板803が重なっていてもよい。
Then, the manufacturing substrate 201 is peeled off, and the exposed insulating layer 813 and the substrate 801 are attached to the adhesive layer 81.
Stick together using 1. Further, the manufacturing substrate 205 is separated, and the exposed insulating layer 843 and the substrate 803 are attached to each other with the adhesive layer 841. Although the substrate 803 does not overlap with the conductive layer 857 in FIG. 13A, the conductive layer 857 and the substrate 803 may overlap with each other.

なお、剥離工程は、様々な方法を適宜用いることができる。例えば、剥離層として、被
剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、当該金属酸化膜を結晶化によ
り脆弱化して、被剥離層を作製基板から剥離することができる。また、耐熱性の高い作製
基板と被剥離層の間に、剥離層として水素を含む非晶質珪素膜を形成した場合はレーザ光
の照射又はエッチングにより当該非晶質珪素膜を除去することで、被剥離層を作製基板か
ら剥離することができる。また、剥離層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む
層を形成し、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、さらに剥離層の一部を溶液やNF
、BrF、ClF等のフッ化ガスを用いたエッチングで除去した後、脆弱化された
金属酸化膜において剥離することができる。さらには、剥離層として窒素、酸素や水素等
を含む膜(例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など)を
用い、剥離層にレーザ光を照射して剥離層内に含有する窒素、酸素や水素をガスとして放
出させ被剥離層と基板との剥離を促進する方法を用いてもよい。また、被剥離層が形成さ
れた作製基板を機械的に除去又は溶液やNF、BrF、ClF等のフッ化ガスによ
るエッチングで除去する方法等を用いることができる。この場合、剥離層を設けなくとも
よい。
Note that various methods can be appropriately used for the peeling step. For example, when a layer including a metal oxide film is formed as a peeling layer on the side which is in contact with the layer to be peeled, the metal oxide film can be weakened by crystallization and the layer to be peeled can be peeled from the formation substrate. In the case where an amorphous silicon film containing hydrogen is formed as a peeling layer between a manufacturing substrate having high heat resistance and a layer to be peeled, the amorphous silicon film can be removed by irradiation with laser light or etching. The layer to be peeled can be peeled from the production substrate. Further, as a peeling layer, a layer including a metal oxide film is formed on a side which is in contact with a peeled layer, the metal oxide film is weakened by crystallization, and a part of the peeling layer is dissolved in a solution or NF.
After being removed by etching using a fluoride gas such as 3 , 3 , BrF 3 , ClF 3 or the like, the metal oxide film that has been weakened can be peeled off. Further, a film containing nitrogen, oxygen, hydrogen, or the like (eg, an amorphous silicon film containing hydrogen, a hydrogen-containing alloy film, or an oxygen-containing alloy film) is used as the separation layer, and the separation layer is irradiated with laser light. A method may be used in which nitrogen, oxygen, or hydrogen contained in the peeling layer is released as a gas to promote peeling between the layer to be peeled and the substrate. Further, a method of mechanically removing the production substrate on which the layer to be peeled is formed or by etching with a solution or a fluoride gas such as NF 3 , BrF 3 , or ClF 3 can be used. In this case, the peeling layer may not be provided.

また、上記剥離方法を複数組み合わせることでより容易に剥離工程を行うことができる
。つまり、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフや
メスなどによる機械的な除去を行い、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから
、物理的な力(機械等による)によって剥離を行うこともできる。
In addition, the peeling step can be performed more easily by combining a plurality of the above peeling methods. That is, laser light irradiation, etching of the peeling layer with gas or solution, mechanical removal with a sharp knife or scalpel to make the peeling layer and the layer to be peeled easily peeled off, and then physically removed. Peeling can also be performed by force (by a machine or the like).

また、剥離層と被剥離層との界面に液体を浸透させて作製基板から被剥離層を剥離して
もよい。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。
Alternatively, the layer to be peeled may be peeled from the manufacturing substrate by allowing a liquid to penetrate into the interface between the peeling layer and the layer to be peeled. Further, when peeling, it may be peeled while applying a liquid such as water.

その他の剥離方法としては、剥離層をタングステンで形成した場合は、アンモニア水と
過酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うとよい。
As another peeling method, when the peeling layer is formed of tungsten, peeling may be performed while etching the peeling layer with a mixed solution of aqueous ammonia and hydrogen peroxide.

なお、作製基板と被剥離層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい
。例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド、ポリエステル、ポ
リオレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート、アクリル等の有機樹脂を形成し、有機樹
脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。この場合、有機樹脂を加熱することにより、
作製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。又は、作製基板と有機樹脂の間に金
属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で
剥離を行ってもよい。
Note that when peeling is possible at the interface between the formation substrate and the layer to be peeled, the peeling layer may not be provided. For example, glass is used as a manufacturing substrate, an organic resin such as polyimide, polyester, polyolefin, polyamide, polycarbonate, or acrylic is formed in contact with the glass, and an insulating film, a transistor, or the like is formed over the organic resin. In this case, by heating the organic resin,
It can be peeled off at the interface between the production substrate and the organic resin. Alternatively, a metal layer may be provided between the manufacturing substrate and the organic resin, and the metal layer may be heated by supplying an electric current to the metal layer to perform separation at the interface between the metal layer and the organic resin.

最後に、絶縁層843及び封止層823を開口することで、導電層857を露出させる
(図13(B))。なお、基板803が導電層857と重なる構成の場合は、導電層85
7を露出させるために、基板803及び接着層841も開口する(図13(C))。開口
の手段は特に限定されず、例えばレーザアブレーション法、エッチング法、イオンビーム
スパッタリング法などを用いればよい。また、導電層857上の膜に鋭利な刃物等を用い
て切り込みを入れ、物理的な力で膜の一部を引き剥がしてもよい。
Finally, the insulating layer 843 and the sealing layer 823 are opened to expose the conductive layer 857 (FIG. 13B). Note that in the case where the substrate 803 overlaps with the conductive layer 857, the conductive layer 85
The substrate 803 and the adhesive layer 841 are also opened to expose 7 (FIG. 13C). The means for opening is not particularly limited, and for example, a laser ablation method, an etching method, an ion beam sputtering method or the like may be used. Alternatively, a cut may be made in the film over the conductive layer 857 by using a sharp blade or the like, and part of the film may be peeled off by physical force.

以上により、発光パネルを作製することができる。 Through the above steps, a light-emitting panel can be manufactured.

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
At least part of this embodiment can be implemented in appropriate combination with any of the other embodiments described in this specification.

(実施の形態3)
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器が有する表示パネルに適用可能な、折り
曲げ可能なタッチパネルの構成例について、図14〜図17を用いて説明する。なお、各
層に用いることのできる材料については、実施の形態2を参照することができる。
(Embodiment 3)
In this embodiment, structural examples of a foldable touch panel that can be applied to the display panel included in the electronic device of one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. Note that Embodiment 2 can be referred to for materials that can be used for each layer.

[構成例1]
図14(A)はタッチパネルの上面図である。図14(B)は図14(A)の一点鎖線
A−B間及び一点鎖線C−D間の断面図である。図14(C)は図14(A)の一点鎖線
E−F間の断面図である。
[Configuration example 1]
FIG. 14A is a top view of the touch panel. 14B is a cross-sectional view taken along dashed-dotted line AB in FIG. 14A and dashed-dotted line CD. FIG. 14C is a cross-sectional view taken along alternate long and short dash line E-F in FIG.

図14(A)に示すように、タッチパネル390は表示部301を有する。 As shown in FIG. 14A, the touch panel 390 has a display portion 301.

表示部301は、複数の画素302と複数の撮像画素308を備える。撮像画素308
は表示部301に触れる指等を検知することができる。これにより、撮像画素308を用
いてタッチセンサを構成することができる。
The display unit 301 includes a plurality of pixels 302 and a plurality of imaging pixels 308. Imaging pixel 308
Can detect a finger or the like touching the display portion 301. Accordingly, a touch sensor can be configured using the image pickup pixels 308.

画素302は、複数の副画素(例えば副画素302R)を備え、副画素は発光素子及び
発光素子を駆動する電力を供給することができる画素回路を備える。
The pixel 302 includes a plurality of subpixels (for example, the subpixel 302R), and the subpixel includes a light emitting element and a pixel circuit which can supply power for driving the light emitting element.

画素回路は、選択信号を供給することができる配線及び画像信号を供給することができ
る配線と電気的に接続される。
The pixel circuit is electrically connected to a wiring capable of supplying a selection signal and a wiring capable of supplying an image signal.

また、タッチパネル390は選択信号を画素302に供給することができる走査線駆動
回路303g(1)と、画像信号を画素302に供給することができる画像信号線駆動回
路303s(1)を備える。
The touch panel 390 also includes a scan line driver circuit 303g(1) that can supply a selection signal to the pixel 302 and an image signal line driver circuit 303s(1) that can supply an image signal to the pixel 302.

撮像画素308は、光電変換素子及び光電変換素子を駆動する撮像画素回路を備える。 The imaging pixel 308 includes a photoelectric conversion element and an imaging pixel circuit that drives the photoelectric conversion element.

撮像画素回路は、制御信号を供給することができる配線及び電源電位を供給することが
できる配線と電気的に接続される。
The imaging pixel circuit is electrically connected to a wiring that can supply a control signal and a wiring that can supply a power supply potential.

制御信号としては、例えば記録された撮像信号を読み出す撮像画素回路を選択すること
ができる信号、撮像画素回路を初期化することができる信号、及び撮像画素回路が光を検
知する時間を決定することができる信号などを挙げることができる。
As the control signal, for example, a signal capable of selecting an imaging pixel circuit for reading a recorded imaging signal, a signal capable of initializing the imaging pixel circuit, and a time at which the imaging pixel circuit detects light are determined. It is possible to name a signal that can be used.

タッチパネル390は制御信号を撮像画素308に供給することができる撮像画素駆動
回路303g(2)と、撮像信号を読み出す撮像信号線駆動回路303s(2)を備える
The touch panel 390 includes an image pickup pixel drive circuit 303g(2) capable of supplying a control signal to the image pickup pixel 308 and an image pickup signal line drive circuit 303s(2) for reading an image pickup signal.

図14(B)に示すように、タッチパネル390は、基板510及び基板510に対向
する基板570を有する。
As shown in FIG. 14B, the touch panel 390 includes a substrate 510 and a substrate 570 facing the substrate 510.

可撓性を有する材料を基板510及び基板570に好適に用いることができる。 A flexible material can be favorably used for the substrate 510 and the substrate 570.

意図しない不純物の透過が抑制された材料を基板510及び基板570に好適に用いる
ことができる。例えば、水蒸気の透過率が10−5g/m・day以下、好ましくは1
−6g/m・day以下である材料を好適に用いることができる。
A material in which transmission of unintended impurities is suppressed can be preferably used for the substrate 510 and the substrate 570. For example, the water vapor transmission rate is 10 −5 g/m 2 ·day or less, preferably 1
0 -6 g / m 2 · day or less is material can be suitably used.

線膨張率がおよそ等しい材料を基板510及び基板570に好適に用いることができる
。例えば、線膨張率が1×10−3/K以下、好ましくは5×10−5/K以下、より好
ましくは1×10−5/K以下である材料を好適に用いることができる。
Materials having approximately the same linear expansion coefficient can be preferably used for the substrate 510 and the substrate 570. For example, a material having a coefficient of linear expansion of 1×10 −3 /K or less, preferably 5×10 −5 /K or less, more preferably 1×10 −5 /K or less can be preferably used.

基板510は、可撓性基板510b、意図しない不純物の発光素子への拡散を防ぐ絶縁
層510a、及び可撓性基板510bと絶縁層510aを貼り合わせる接着層510cが
積層された積層体である。
The substrate 510 is a stacked body in which a flexible substrate 510b, an insulating layer 510a that prevents unintended diffusion of impurities into a light-emitting element, and an adhesive layer 510c that bonds the flexible substrate 510b and the insulating layer 510a are stacked.

基板570は、可撓性基板570b、意図しない不純物の発光素子への拡散を防ぐ絶縁
層570a、及び可撓性基板570bと絶縁層570aを貼り合わせる接着層570cの
積層体である。
The substrate 570 is a stack of a flexible substrate 570b, an insulating layer 570a that prevents unintended diffusion of impurities into the light-emitting element, and an adhesive layer 570c that attaches the flexible substrate 570b and the insulating layer 570a.

例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド(ナイロン、アラミド等)、ポリ
イミド、ポリカーボネートまたはアクリル、ウレタン、エポキシもしくはシロキサン結合
を有する樹脂含む材料を接着層に用いることができる。
For example, a material containing polyester, polyolefin, polyamide (nylon, aramid, etc.), polyimide, polycarbonate or a resin having an acrylic, urethane, epoxy or siloxane bond can be used for the adhesive layer.

封止層560は基板570と基板510を貼り合わせている。封止層560は空気より
大きい屈折率を備える。また、封止層560側に光を取り出す場合は、封止層560は光
学接合層を兼ねる。画素回路及び発光素子(例えば第1の発光素子350R)は基板51
0と基板570の間にある。
The substrate 570 and the substrate 510 are attached to each other by the sealing layer 560. The sealing layer 560 has a refractive index larger than that of air. When light is extracted to the sealing layer 560 side, the sealing layer 560 also serves as an optical bonding layer. The pixel circuit and the light emitting element (for example, the first light emitting element 350R) are provided on the substrate 51.
0 and the substrate 570.

画素302は、副画素302R、副画素302G及び副画素302Bを有する(図14
(C))。また、副画素302Rは発光モジュール380Rを備え、副画素302Gは発
光モジュール380Gを備え、副画素302Bは発光モジュール380Bを備える。
The pixel 302 includes a subpixel 302R, a subpixel 302G, and a subpixel 302B (FIG. 14).
(C)). Further, the sub-pixel 302R includes a light-emitting module 380R, the sub-pixel 302G includes a light-emitting module 380G, and the sub-pixel 302B includes a light-emitting module 380B.

例えば副画素302Rは、第1の発光素子350R及び第1の発光素子350Rに電力
を供給することができるトランジスタ302tを含む画素回路を備える(図14(B))
。また、発光モジュール380Rは第1の発光素子350R及び光学素子(例えば着色層
367R)を備える。
For example, the sub-pixel 302R includes a pixel circuit including a first light-emitting element 350R and a transistor 302t that can supply power to the first light-emitting element 350R (FIG. 14B).
.. Further, the light emitting module 380R includes a first light emitting element 350R and an optical element (for example, a coloring layer 367R).

発光素子350Rは、第1の下部電極351R、上部電極352、下部電極351Rと
上部電極352の間のEL層353を有する(図14(C))。
The light-emitting element 350R includes a first lower electrode 351R, an upper electrode 352, and an EL layer 353 between the lower electrode 351R and the upper electrode 352 (FIG. 14C).

EL層353は、第1のEL層353a、第2のEL層353b、及び第1のEL層3
53aと第2のEL層353bの間の中間層354を備える。
The EL layer 353 includes the first EL layer 353a, the second EL layer 353b, and the first EL layer 3
An intermediate layer 354 is provided between 53a and the second EL layer 353b.

発光モジュール380Rは、第1の着色層367Rを基板570に有する。着色層は特
定の波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色又は青色等を呈する
光を選択的に透過するものを用いることができる。または、発光素子の発する光をそのま
ま透過する領域を設けてもよい。
The light emitting module 380R includes the first coloring layer 367R on the substrate 570. The colored layer may be one that transmits light having a specific wavelength, and for example, one that selectively transmits light exhibiting red, green, blue, or the like can be used. Alternatively, a region through which light emitted from the light emitting element is directly transmitted may be provided.

例えば、発光モジュール380Rは、第1の発光素子350Rと第1の着色層367R
に接する封止層360を有する。
For example, the light emitting module 380R includes the first light emitting element 350R and the first colored layer 367R.
A sealing layer 360 which is in contact with.

第1の着色層367Rは第1の発光素子350Rと重なる位置にある。これにより、発
光素子350Rが発する光の一部は、光学接合層を兼ねる封止層360及び第1の着色層
367Rを透過して、図中の矢印に示すように発光モジュール380Rの外部に射出され
る。
The first colored layer 367R is positioned so as to overlap with the first light-emitting element 350R. As a result, part of the light emitted from the light emitting element 350R is transmitted through the sealing layer 360 also serving as an optical bonding layer and the first colored layer 367R, and is emitted to the outside of the light emitting module 380R as indicated by the arrow in the figure. To be done.

タッチパネル390は、遮光層367BMを基板570に有する。遮光層367BMは
、着色層(例えば第1の着色層367R)を囲むように設けられている。
The touch panel 390 includes a light shielding layer 367BM on the substrate 570. The light-blocking layer 367BM is provided so as to surround the coloring layer (eg, the first coloring layer 367R).

タッチパネル390は、反射防止層367pを表示部301に重なる位置に備える。反
射防止層367pとして、例えば円偏光板を用いることができる。
The touch panel 390 includes an antireflection layer 367p at a position overlapping the display unit 301. As the antireflection layer 367p, for example, a circularly polarizing plate can be used.

タッチパネル390は、絶縁層321を備える。絶縁層321はトランジスタ302t
を覆っている。なお、絶縁層321は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層とし
て用いることができる。また、不純物のトランジスタ302t等への拡散を抑制すること
ができる層が積層された絶縁層を、絶縁層321に適用することができる。
The touch panel 390 includes an insulating layer 321. The insulating layer 321 is the transistor 302t
Covers. Note that the insulating layer 321 can be used as a layer for planarizing unevenness due to the pixel circuit. Further, an insulating layer in which a layer capable of suppressing diffusion of impurities into the transistor 302t or the like is stacked can be applied to the insulating layer 321.

タッチパネル390は、発光素子(例えば第1の発光素子350R)を絶縁層321上
に有する。
The touch panel 390 includes a light emitting element (eg, the first light emitting element 350R) over the insulating layer 321.

タッチパネル390は、第1の下部電極351Rの端部に重なる隔壁328を絶縁層3
21上に有する。また、基板510と基板570の間隔を制御するスペーサ329を、隔
壁328上に有する。
The touch panel 390 includes the partition wall 328 that overlaps the end portion of the first lower electrode 351R as the insulating layer 3.
21 on. In addition, a spacer 329 that controls the distance between the substrate 510 and the substrate 570 is provided over the partition wall 328.

画像信号線駆動回路303s(1)は、トランジスタ303t及び容量303cを含む
。なお、駆動回路は画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。図14
(B)に示すようにトランジスタ303tは絶縁層321上に第2のゲート304を有し
ていてもよい。第2のゲート304はトランジスタ303tのゲートと電気的に接続され
ていてもよいし、これらに異なる電位が与えられていてもよい。また、必要であれば、第
2のゲート304をトランジスタ308t、トランジスタ302t等に設けてもよい。
The image signal line driver circuit 303s(1) includes a transistor 303t and a capacitor 303c. Note that the driver circuit can be formed over the same substrate in the same step as the pixel circuit. 14
As illustrated in (B), the transistor 303t may have the second gate 304 over the insulating layer 321. The second gate 304 may be electrically connected to the gate of the transistor 303t, or may have different potentials applied thereto. If necessary, the second gate 304 may be provided in the transistor 308t, the transistor 302t, or the like.

撮像画素308は、光電変換素子308p及び光電変換素子308pに照射された光を
検知するための撮像画素回路を備える。また、撮像画素回路は、トランジスタ308tを
含む。
The imaging pixel 308 includes a photoelectric conversion element 308p and an imaging pixel circuit for detecting light emitted to the photoelectric conversion element 308p. The imaging pixel circuit also includes a transistor 308t.

例えばpin型のフォトダイオードを光電変換素子308pに用いることができる。 For example, a pin photodiode can be used for the photoelectric conversion element 308p.

タッチパネル390は、信号を供給することができる配線311を備え、端子319が
配線311に設けられている。なお、画像信号及び同期信号等の信号を供給することがで
きるFPC309(1)が端子319に電気的に接続されている。なお、FPC309(
1)にはプリント配線基板(PWB)が取り付けられていても良い。
The touch panel 390 includes a wiring 311 that can supply a signal, and a terminal 319 is provided on the wiring 311. An FPC 309(1) capable of supplying signals such as an image signal and a synchronization signal is electrically connected to the terminal 319. In addition, FPC309 (
A printed wiring board (PWB) may be attached to 1).

同一の工程で形成されたトランジスタを、トランジスタ302t、トランジスタ303
t、トランジスタ308t等のトランジスタに適用できる。トランジスタの構成について
は、実施の形態2を参照できる。
Transistors formed in the same process are replaced by a transistor 302t and a transistor 303.
and the transistor such as the transistor 308t. Embodiment 2 can be referred to for the structure of the transistor.

また、トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、タッチパネルを構成する各
種配線及び電極に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニ
ッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタングステ
ンからなる単体金属、又はこれを主成分とする合金を単層構造又は積層構造として用いる
。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積
層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシ
ウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二
層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜又は窒化チタン膜と、そ
のチタン膜又は窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上
にチタン膜又は窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜又は窒化モリブデン膜と
、そのモリブデン膜又は窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、
さらにその上にモリブデン膜又は窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、
酸化インジウム、酸化錫又は酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。また、マンガ
ンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。
In addition to the gates, sources, and drains of transistors, as materials that can be used for various wirings and electrodes that form a touch panel, aluminum, titanium, chromium, nickel, copper, yttrium, zirconium, molybdenum, silver, tantalum, or A simple metal composed of tungsten or an alloy containing this as a main component is used as a single layer structure or a laminated structure. For example, a single-layer structure of an aluminum film containing silicon, a two-layer structure of laminating an aluminum film on a titanium film, a two-layer structure of laminating an aluminum film on a tungsten film, and a copper film on a copper-magnesium-aluminum alloy film. Stacked two-layer structure, two-layer structure in which a copper film is stacked on a titanium film, two-layer structure in which a copper film is stacked on a tungsten film, a titanium film or a titanium nitride film and the titanium film or the titanium nitride film A three-layer structure in which an aluminum film or a copper film is further laminated, and a titanium film or a titanium nitride film is further formed thereon; a molybdenum film or a molybdenum nitride film; Stacking membranes,
Further, there is a three-layer structure in which a molybdenum film or a molybdenum nitride film is formed thereover. In addition,
A transparent conductive material containing indium oxide, tin oxide or zinc oxide may be used. Further, it is preferable to use copper containing manganese because controllability of a shape by etching is enhanced.

なお、上述した発光素子(例えば第1の発光素子350R等)と同一工程で作製した発
光素子を非表示部に設けることにより、実施の形態1で例示した発光素子22として用い
ることができる。また、上述した光電変換素子308p及び撮像画素回路を含む撮像画素
308と同一工程で作製した撮像画素を非表示部に設けることにより、実施の形態1で例
示した受光素子21として用いることができる。
Note that a light-emitting element manufactured in the same step as the above-described light-emitting element (e.g., the first light-emitting element 350R or the like) is provided in the non-display portion and can be used as the light-emitting element 22 described in Embodiment 1. Further, by providing an imaging pixel manufactured in the same process as the imaging pixel 308 including the photoelectric conversion element 308p and the imaging pixel circuit described above in the non-display portion, it can be used as the light receiving element 21 exemplified in the first embodiment.

[構成例2]
図15(A)、(B)は、タッチパネル505の斜視図である。なお明瞭化のため、代
表的な構成要素を示す。図16は、図15(A)に示す一点鎖線X1−X2間の断面図で
ある。
[Configuration example 2]
15A and 15B are perspective views of the touch panel 505. For clarity, representative components are shown. FIG. 16 is a cross-sectional view taken along alternate long and short dash line X1-X2 shown in FIG.

タッチパネル505は、表示部501とタッチセンサ595を備える(図15(B))
。また、タッチパネル505は、基板510、基板570及び基板590を有する。なお
、基板510、基板570及び基板590はいずれも可撓性を有する。
The touch panel 505 includes a display portion 501 and a touch sensor 595 (FIG. 15B).
.. In addition, the touch panel 505 includes a substrate 510, a substrate 570, and a substrate 590. Note that each of the substrate 510, the substrate 570, and the substrate 590 has flexibility.

表示部501は、基板510、基板510上に複数の画素及び当該画素に信号を供給す
ることができる複数の配線511を備える。複数の配線511は、基板510の外周部に
まで引き回され、その一部が端子519を構成している。端子519はFPC509(1
)と電気的に接続する。
The display portion 501 includes a substrate 510, a plurality of pixels on the substrate 510, and a plurality of wirings 511 that can supply signals to the pixels. The plurality of wirings 511 are routed to the outer peripheral portion of the substrate 510, and some of them form terminals 519. The terminal 519 is connected to the FPC 509 (1
) And electrical connection.

基板590には、タッチセンサ595と、タッチセンサ595と電気的に接続する複数
の配線598を備える。複数の配線598は基板590の外周部に引き回され、その一部
は端子を構成する。そして、当該端子はFPC509(2)と電気的に接続される。なお
、図15(B)では明瞭化のため、基板590の裏面側(紙面奥側)に設けられるタッチ
センサ595の電極や配線等を実線で示している。
The substrate 590 includes a touch sensor 595 and a plurality of wirings 598 electrically connected to the touch sensor 595. The plurality of wirings 598 are routed around the outer peripheral portion of the substrate 590, and a part of them constitutes terminals. Then, the terminal is electrically connected to the FPC 509(2). Note that in FIG. 15B, electrodes, wirings, and the like of the touch sensor 595 provided on the back surface side (back side of the paper surface) of the substrate 590 are illustrated by solid lines for clarity.

タッチセンサ595として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容
量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。
As the touch sensor 595, for example, a capacitance type touch sensor can be applied. As the electrostatic capacity method, there are a surface type electrostatic capacity method, a projection type electrostatic capacity method and the like.

投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式な
どがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。
Projection-type capacitance methods include self-capacitance methods and mutual capacitance methods, mainly due to differences in drive methods. The use of the mutual capacitance method is preferable because simultaneous multiple points can be detected.

以下では、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用する場合について、図15(B)
を用いて説明する。
In the following, FIG. 15B shows a case where a projection capacitive touch sensor is applied.
Will be explained.

なお、指等の検知対象の近接または接触を検知することができるさまざまなセンサを適
用することができる。
Note that various sensors that can detect proximity or contact of a detection target such as a finger can be applied.

投影型静電容量方式のタッチセンサ595は、電極591と電極592を有する。電極
591は複数の配線598のいずれかと電気的に接続し、電極592は複数の配線598
の他のいずれかと電気的に接続する。
The projected capacitive touch sensor 595 includes an electrode 591 and an electrode 592. The electrode 591 is electrically connected to any of the plurality of wirings 598, and the electrode 592 is connected to the plurality of wirings 598.
Electrically connect to any of the other.

電極592は、図15(A)、(B)に示すように、一方向に繰り返し配置された複数
の四辺形が角部で接続された形状を有する。
As shown in FIGS. 15A and 15B, the electrode 592 has a shape in which a plurality of quadrilaterals which are repeatedly arranged in one direction are connected to each other by a corner portion.

電極591は四辺形であり、電極592が延在する方向と交差する方向に繰り返し配置
されている。
The electrode 591 has a quadrilateral shape and is repeatedly arranged in a direction intersecting with the extending direction of the electrode 592.

配線594は、電極592を挟む二つの電極591を電気的に接続する。このとき、電
極592と配線594の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい。これによ
り、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のムラを低減できる。その結
果、タッチセンサ595を透過する光の輝度ムラを低減することができる。
The wiring 594 electrically connects the two electrodes 591 which sandwich the electrode 592. At this time, it is preferable that the area of the intersection of the electrode 592 and the wiring 594 be as small as possible. As a result, the area of the region where the electrode is not provided can be reduced, and the unevenness of the transmittance can be reduced. As a result, it is possible to reduce the uneven brightness of the light passing through the touch sensor 595.

なお、電極591、電極592の形状はこれに限られず、様々な形状を取りうる。例え
ば、複数の電極591をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介して電極5
92を、電極591と重ならない領域ができるように離間して複数設ける構成としてもよ
い。このとき、隣接する2つの電極592の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー
電極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい。
Note that the shapes of the electrodes 591 and the electrodes 592 are not limited to this and can take various shapes. For example, the plurality of electrodes 591 are arranged so that a gap is not formed as much as possible, and the electrodes
A plurality of 92 may be provided so as to be separated from each other so that a region which does not overlap with the electrode 591 is formed. At this time, it is preferable to provide a dummy electrode electrically insulated from two adjacent electrodes 592 because the area of a region having different transmittance can be reduced.

タッチセンサ595は、基板590、基板590上に千鳥状に配置された電極591及
び電極592、電極591及び電極592を覆う絶縁層593並びに隣り合う電極591
を電気的に接続する配線594を備える。
The touch sensor 595 includes a substrate 590, electrodes 591 and electrodes 592 arranged in a staggered manner on the substrate 590, an insulating layer 593 covering the electrodes 591 and electrodes 592, and an adjacent electrode 591.
The wiring 594 for electrically connecting

接着層597は、タッチセンサ595が表示部501に重なるように、基板590を基
板570に貼り合わせている。
The adhesive layer 597 attaches the substrate 590 to the substrate 570 so that the touch sensor 595 overlaps the display portion 501.

電極591及び電極592は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光性を有
する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物
、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。な
お、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形
成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法として
は、熱を加える方法等を挙げることができる。
The electrodes 591 and the electrodes 592 are formed using a conductive material having a light-transmitting property. As the light-transmitting conductive material, a conductive oxide such as indium oxide, indium tin oxide, indium zinc oxide, zinc oxide, or zinc oxide to which gallium is added can be used. Note that a film containing graphene can also be used. The film containing graphene can be formed by reducing a film containing graphene oxide, which is formed into a film shape, for example. Examples of the reducing method include a method of applying heat.

透光性を有する導電性材料を基板590上にスパッタリング法により成膜した後、フォ
トリソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して、電極59
1及び電極592を形成することができる。
After a conductive material having a light-transmitting property is formed over the substrate 590 by a sputtering method, an unnecessary portion is removed by various patterning techniques such as a photolithography method and the electrode 59 is formed.
1 and the electrode 592 can be formed.

また、絶縁層593に用いる材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、
シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム
などの無機絶縁材料を用いることもできる。
The material used for the insulating layer 593 is, for example, a resin such as acrylic or epoxy,
In addition to a resin having a siloxane bond, an inorganic insulating material such as silicon oxide, silicon oxynitride, or aluminum oxide can be used.

また、電極591に達する開口が絶縁層593に設けられ、配線594が隣接する電極
591を電気的に接続する。透光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を高まること
ができるため、配線594に好適に用いることができる。また、電極591及び電極59
2より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線594に好適に用いることが
できる。
Further, an opening reaching the electrode 591 is provided in the insulating layer 593, and the wiring 594 electrically connects the adjacent electrodes 591. Since the light-transmitting conductive material can increase the aperture ratio of the touch panel, it can be preferably used for the wiring 594. In addition, the electrode 591 and the electrode 59
A material having higher conductivity than 2 can reduce the electric resistance and thus can be preferably used for the wiring 594.

一の電極592は一方向に延在し、複数の電極592がストライプ状に設けられている
One electrode 592 extends in one direction, and a plurality of electrodes 592 are provided in a stripe shape.

配線594は電極592と交差して設けられている。 The wiring 594 is provided so as to intersect with the electrode 592.

一対の電極591が一の電極592を挟んで設けられ、配線594は一対の電極591
を電気的に接続している。
A pair of electrodes 591 is provided so as to sandwich the one electrode 592, and a wiring 594 is provided as a pair of electrodes 591.
Are electrically connected.

なお、複数の電極591は、一の電極592と必ずしも直交する方向に配置される必要
はなく、90度未満の角度をなすように配置されてもよい。
Note that the plurality of electrodes 591 do not necessarily have to be arranged in a direction orthogonal to the one electrode 592, and may be arranged so as to form an angle of less than 90 degrees.

一の配線598は、電極591又は電極592と電気的に接続される。配線598の一
部は、端子として機能する。配線598としては、例えば、アルミニウム、金、白金、銀
、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラ
ジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。
The one wiring 598 is electrically connected to the electrode 591 or the electrode 592. A part of the wiring 598 functions as a terminal. As the wiring 598, for example, a metal material such as aluminum, gold, platinum, silver, nickel, titanium, tungsten, chromium, molybdenum, iron, cobalt, copper, or palladium, or an alloy material containing the metal material can be used. it can.

なお、絶縁層593及び配線594を覆う絶縁層を設けて、タッチセンサ595を保護
することができる。
Note that the touch sensor 595 can be protected by providing an insulating layer which covers the insulating layer 593 and the wiring 594.

また、接続層599は、配線598とFPC509(2)を電気的に接続する。 In addition, the connection layer 599 electrically connects the wiring 598 and the FPC 509(2).

接続層599としては、様々な異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic
Conductive Film)や、異方性導電ペースト(ACP:Anisotro
pic Conductive Paste)などを用いることができる。
As the connection layer 599, various anisotropic conductive films (ACF: Anisotropic) are used.
Conductive Film) and anisotropic conductive paste (ACP: Anisotro)
pic Conductive Paste) or the like can be used.

接着層597は、透光性を有する。例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を用いるこ
とができ、具体的には、アクリル、ウレタン、エポキシ、またはシロキサン結合を有する
樹脂などの樹脂を用いることができる。
The adhesive layer 597 has a light-transmitting property. For example, a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin can be used, and specifically, a resin such as acrylic, urethane, epoxy, or a resin having a siloxane bond can be used.

表示部501は、マトリクス状に配置された複数の画素を備える。画素は表示素子と表
示素子を駆動する画素回路を備える。
The display portion 501 includes a plurality of pixels arranged in a matrix. The pixel includes a display element and a pixel circuit that drives the display element.

本実施の形態では、白色の光を射出する有機EL素子を表示素子に適用する場合につい
て説明するが、表示素子はこれに限られない。
In this embodiment, the case where an organic EL element that emits white light is applied to a display element is described; however, the display element is not limited to this.

例えば、副画素毎に射出する光の色が異なるように、発光色が異なる有機EL素子を副
画素毎に適用してもよい。
For example, organic EL elements having different emission colors may be applied to each sub-pixel so that the color of light emitted from each sub-pixel is different.

基板510、基板570、及び封止層560は、構成例1と同様の構成が適用できる。 For the substrate 510, the substrate 570, and the sealing layer 560, a structure similar to that in Structural Example 1 can be applied.

画素は、副画素502Rを含み、副画素502Rは発光モジュール580Rを備える。 The pixel includes a sub pixel 502R, and the sub pixel 502R includes a light emitting module 580R.

副画素502Rは、第1の発光素子550R及び第1の発光素子550Rに電力を供給
することができるトランジスタ502tを含む画素回路を備える。また、発光モジュール
580Rは第1の発光素子550R及び光学素子(例えば着色層567R)を備える。
The sub-pixel 502R includes a pixel circuit including a first light emitting element 550R and a transistor 502t capable of supplying power to the first light emitting element 550R. Further, the light emitting module 580R includes a first light emitting element 550R and an optical element (for example, the coloring layer 567R).

発光素子550Rは、下部電極、上部電極、下部電極と上部電極の間にEL層を有する
The light emitting element 550R has a lower electrode, an upper electrode, and an EL layer between the lower electrode and the upper electrode.

発光モジュール580Rは、光を取り出す方向に第1の着色層567Rを有する。 The light emitting module 580R has a first colored layer 567R in the light extraction direction.

また、封止層560が光を取り出す側に設けられている場合、封止層560は、第1の
発光素子550Rと第1の着色層567Rに接する。
Further, when the sealing layer 560 is provided on the light extraction side, the sealing layer 560 is in contact with the first light-emitting element 550R and the first coloring layer 567R.

第1の着色層567Rは第1の発光素子550Rと重なる位置にある。これにより、発
光素子550Rが発する光の一部は第1の着色層567Rを透過して、図中に示す矢印の
方向の発光モジュール580Rの外部に射出される。
The first coloring layer 567R is positioned so as to overlap with the first light-emitting element 550R. As a result, part of the light emitted by the light emitting element 550R passes through the first colored layer 567R and is emitted to the outside of the light emitting module 580R in the direction of the arrow shown in the figure.

表示部501は、光を射出する方向に遮光層567BMを有する。遮光層567BMは
、着色層(例えば第1の着色層567R)を囲むように設けられている。
The display portion 501 has a light shielding layer 567BM in a light emitting direction. The light-blocking layer 567BM is provided so as to surround the coloring layer (eg, the first coloring layer 567R).

表示部501は、反射防止層567pを画素に重なる位置に備える。反射防止層567
pとして、例えば円偏光板を用いることができる。
The display portion 501 includes the antireflection layer 567p at a position overlapping the pixel. Antireflection layer 567
As p, for example, a circularly polarizing plate can be used.

表示部501は、絶縁膜521を備える。絶縁膜521はトランジスタ502tを覆っ
ている。なお、絶縁膜521は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用い
ることができる。また、不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を、絶縁膜521に適
用することができる。これにより、予期せぬ不純物の拡散によるトランジスタ502t等
の信頼性の低下を抑制できる。
The display portion 501 includes an insulating film 521. The insulating film 521 covers the transistor 502t. Note that the insulating film 521 can be used as a layer for planarizing unevenness due to the pixel circuit. Further, a stacked film including a layer that can suppress diffusion of impurities can be applied to the insulating film 521. As a result, it is possible to prevent the reliability of the transistor 502t and the like from being deteriorated due to the unexpected diffusion of impurities.

表示部501は、発光素子(例えば第1の発光素子550R)を絶縁膜521上に有す
る。
The display portion 501 has a light emitting element (eg, the first light emitting element 550R) over the insulating film 521.

表示部501は、第1の下部電極の端部に重なる隔壁528を絶縁膜521上に有する
。また、基板510と基板570の間隔を制御するスペーサを、隔壁528上に有する。
The display portion 501 has a partition 528 which overlaps with an end portion of the first lower electrode over the insulating film 521. In addition, a spacer that controls the distance between the substrate 510 and the substrate 570 is provided over the partition 528.

走査線駆動回路503g(1)は、トランジスタ503t及び容量503cを含む。な
お、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。
The scan line driver circuit 503g(1) includes a transistor 503t and a capacitor 503c. Note that the driver circuit can be formed over the same substrate in the same step as the pixel circuit.

表示部501は、信号を供給することができる配線511を備え、端子519が配線5
11に設けられている。なお、画像信号及び同期信号等の信号を供給することができるF
PC509(1)が端子519に電気的に接続されている。
The display portion 501 includes a wiring 511 capable of supplying a signal, and a terminal 519 has a wiring 5
11 is provided. It should be noted that F that can supply signals such as image signals and synchronization signals
PC 509(1) is electrically connected to the terminal 519.

なお、FPC509(1)にはプリント配線基板(PWB)が取り付けられていても良
い。
A printed wiring board (PWB) may be attached to the FPC 509(1).

表示部501は、走査線、信号線及び電源線等の配線を有する。上述した様々な導電膜
を配線に用いることができる。
The display portion 501 has wirings such as a scan line, a signal line, and a power supply line. The various conductive films described above can be used for wiring.

なお、様々なトランジスタを表示部501に適用できる。ボトムゲート型のトランジス
タを表示部501に適用する場合の構成を、図16(A)、(B)に図示する。
Note that various transistors can be applied to the display portion 501. A structure in the case of applying a bottom-gate transistor to the display portion 501 is illustrated in FIGS.

例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図16(A)に図
示するトランジスタ502t及びトランジスタ503tに適用することができる。
For example, a semiconductor layer containing an oxide semiconductor, amorphous silicon, or the like can be applied to the transistor 502t and the transistor 503t illustrated in FIG.

例えば、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体
層を、図16(B)に図示するトランジスタ502t及びトランジスタ503tに適用す
ることができる。
For example, a semiconductor layer containing polycrystalline silicon which is crystallized by a treatment such as laser annealing can be applied to the transistor 502t and the transistor 503t illustrated in FIG.

また、トップゲート型のトランジスタを表示部501に適用する場合の構成を、図16
(C)に図示する。
In addition, a structure in which a top-gate transistor is applied to the display portion 501 is shown in FIG.
It is shown in FIG.

例えば、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン膜
等を含む半導体層を、図16(C)に図示するトランジスタ502t及びトランジスタ5
03tに適用することができる。
For example, a semiconductor layer including a single crystal silicon film transferred from polycrystalline silicon or a single crystal silicon substrate or the like is formed into a transistor 502t and a transistor 5 illustrated in FIG.
It can be applied to 03t.

なお、上述した発光素子(例えば第1の発光素子550R等)と同一工程で作製した発
光素子を非表示部に設けることにより、実施の形態1で例示した発光素子22として用い
ることができる。
Note that a light-emitting element manufactured in the same step as the above-described light-emitting element (eg, the first light-emitting element 550R or the like) is provided in the non-display portion and can be used as the light-emitting element 22 described in Embodiment 1.

[構成例3]
図17は、タッチパネル505Bの断面図である。本実施の形態で説明するタッチパネ
ル505Bは、供給された画像情報をトランジスタが設けられている側に表示する表示部
501を備える点及びタッチセンサが表示部の基板510側に設けられている点が、構成
例2のタッチパネル505とは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様
の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。
[Configuration example 3]
FIG. 17 is a sectional view of the touch panel 505B. The touch panel 505B described in this embodiment includes a display portion 501 which displays supplied image information on the side where a transistor is provided and a touch sensor which is provided on the substrate 510 side of the display portion. The touch panel 505 of Configuration Example 2 is different. Here, different configurations are described in detail, and the above description is used for portions where similar configurations can be used.

第1の着色層567Rは第1の発光素子550Rと重なる位置にある。また、図17(
A)に示す発光素子550Rは、トランジスタ502tが設けられている側に光を射出す
る。これにより、発光素子550Rが発する光の一部は第1の着色層567Rを透過して
、図中に示す矢印の方向の発光モジュール580Rの外部に射出される。
The first coloring layer 567R is positioned so as to overlap with the first light-emitting element 550R. In addition, in FIG.
The light-emitting element 550R illustrated in A) emits light to the side where the transistor 502t is provided. As a result, part of the light emitted by the light emitting element 550R passes through the first colored layer 567R and is emitted to the outside of the light emitting module 580R in the direction of the arrow shown in the figure.

表示部501は、光を射出する方向に遮光層567BMを有する。遮光層567BMは
、着色層(例えば第1の着色層567R)を囲むように設けられている。
The display portion 501 has a light shielding layer 567BM in a light emitting direction. The light-blocking layer 567BM is provided so as to surround the coloring layer (eg, the first coloring layer 567R).

タッチセンサ595は、表示部501の基板510側に設けられている(図17(A)
)。
The touch sensor 595 is provided on the substrate 510 side of the display portion 501 (FIG. 17A).
).

接着層597は、基板510と基板590の間にあり、表示部501とタッチセンサ5
95を貼り合わせる。
The adhesive layer 597 is provided between the substrate 510 and the substrate 590, and the display portion 501 and the touch sensor 5 are provided.
Stick 95 together.

なお、様々なトランジスタを表示部501に適用できる。ボトムゲート型のトランジス
タを表示部501に適用する場合の構成を、図17(A)、(B)に図示する。
Note that various transistors can be applied to the display portion 501. A structure in which a bottom-gate transistor is applied to the display portion 501 is illustrated in FIGS.

例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図17(A)に図
示するトランジスタ502t及びトランジスタ503tに適用することができる。
For example, a semiconductor layer containing an oxide semiconductor, amorphous silicon, or the like can be applied to the transistor 502t and the transistor 503t illustrated in FIG.

例えば、多結晶シリコン等を含む半導体層を、図17(B)に図示するトランジスタ5
02t及びトランジスタ503tに適用することができる。
For example, a semiconductor layer including polycrystalline silicon or the like is used as the transistor 5 illustrated in FIG.
02t and the transistor 503t.

また、トップゲート型のトランジスタを表示部501に適用する場合の構成を、図17
(C)に図示する。
17A and 17B show a structure in which a top-gate transistor is applied to the display portion 501.
It is shown in FIG.

例えば、多結晶シリコン又は転写された単結晶シリコン膜等を含む半導体層を、図17
(C)に図示するトランジスタ502t及びトランジスタ503tに適用することができ
る。
For example, a semiconductor layer including polycrystalline silicon, a transferred single crystal silicon film, or the like is formed as shown in FIG.
It can be applied to the transistor 502t and the transistor 503t illustrated in FIG.

なお、上述した発光素子(例えば第1の発光素子550R等)と同一工程で作製した発
光素子を非表示部に設けることにより、実施の形態1で例示した発光素子22として用い
ることができる。
Note that a light-emitting element manufactured in the same step as the above-described light-emitting element (eg, the first light-emitting element 550R or the like) is provided in the non-display portion and can be used as the light-emitting element 22 described in Embodiment 1.

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
At least part of this embodiment can be implemented in appropriate combination with any of the other embodiments described in this specification.

(実施の形態4)
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器が有する表示パネルに適用可能なタッチ
パネルの駆動方法の例について、図面を参照して説明する。
(Embodiment 4)
In this embodiment, an example of a touch panel driving method which can be applied to a display panel included in an electronic device of one embodiment of the present invention will be described with reference to drawings.

[センサの検知方法の例]
図18(A)は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図18
(A)では、パルス電圧出力回路601、電流検出回路602を示している。なお図18
(A)では、パルス電圧が与えられる電極621、電流の変化を検知する電極622をそ
れぞれ、X1−X6、Y1−Y6のそれぞれ6本の配線として示している。また図18(
A)は、電極121および電極122が重畳することで形成される容量603を図示して
いる。なお、電極121と電極122とはその機能を互いに置き換えてもよい。
[Example of sensor detection method]
FIG. 18A is a block diagram illustrating a structure of a mutual capacitance touch sensor. FIG.
In (A), a pulse voltage output circuit 601 and a current detection circuit 602 are shown. Note that FIG.
In (A), an electrode 621 to which a pulse voltage is applied and an electrode 622 for detecting a change in current are shown as six wirings X1-X6 and Y1-Y6, respectively. 18 (
A) shows a capacitor 603 formed by overlapping the electrodes 121 and 122. The functions of the electrode 121 and the electrode 122 may be replaced with each other.

パルス電圧出力回路601は、X1−X6の配線に順にパルスを印加するための回路で
ある。X1−X6の配線にパルス電圧が印加されることで、容量603を形成する電極1
21および電極122は電界が生じる。この電極間に生じる電界が遮蔽等により容量60
3の相互容量に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、または接触を検出す
ることができる。
The pulse voltage output circuit 601 is a circuit for sequentially applying pulses to the wirings X1-X6. The electrode 1 forming the capacitor 603 by applying the pulse voltage to the wirings X1-X6
An electric field is generated at 21 and the electrode 122. The electric field generated between the electrodes is blocked by the capacitance 60
It is possible to detect the proximity or contact of the detection target by utilizing the change in the mutual capacitance of No. 3.

電流検出回路602は、容量603での相互容量の変化による、Y1〜Y6の配線での
電流の変化を検出するための回路である。Y1−Y6の配線では、被検知体の近接、また
は接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接、または接触
により相互容量が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検出は
、積分回路等を用いて行えばよい。
The current detection circuit 602 is a circuit for detecting a change in current in the wirings Y1 to Y6 due to a change in mutual capacitance in the capacitor 603. In the wirings Y1 to Y6, there is no change in the current value detected without the proximity or contact of the detected object, but if the mutual capacitance decreases due to the proximity or contact of the detected object, the current value will decrease. Detect changes that decrease. The current may be detected using an integrating circuit or the like.

次いで図18(B)には、図18(A)で示す相互容量方式のタッチセンサにおける入
出力波形のタイミングチャートを示す。図18(B)では、1フレーム期間で各行列での
被検知体の検出を行うものとする。また図18(B)では、被検知体を検出しない場合(
非タッチ)と被検知体を検出する場合(タッチ)との2つの場合について示している。な
おY1−Y6の配線については、検出される電流値に対応する電圧値とした波形を示して
いる。
Next, FIG. 18B shows a timing chart of input/output waveforms in the mutual capacitance touch sensor shown in FIG. In FIG. 18B, detection objects are detected in each matrix in one frame period. Further, in FIG. 18B, when the detected object is not detected (
Two cases are shown: non-touch) and detection (touch) of the detected object. Regarding the wirings Y1 to Y6, a waveform having a voltage value corresponding to the detected current value is shown.

X1−X6の配線には、順にパルス電圧が与えられ、該パルス電圧にしたがってY1−
Y6の配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、X1−X6
の配線の電圧の変化に応じてY1−Y6の波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接
または接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化す
る。
A pulse voltage is sequentially applied to the wirings X1-X6, and Y1-
The waveform on the wiring of Y6 changes. If there is no proximity or contact with the detected object, X1-X6
The waveform of Y1-Y6 changes uniformly according to the change of the voltage of the wiring. On the other hand, since the current value decreases at the location where the object to be detected approaches or contacts, the waveform of the voltage value corresponding to this also changes.

このように、相互容量の変化を検出することにより、被検知体の近接または接触を検知
することができる。
In this way, by detecting the change in mutual capacitance, it is possible to detect the proximity or contact of the detection target.

また、図18(A)ではタッチセンサとして配線の交差部に容量603のみを設けるパ
ッシブ型のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを備えたアクティブ型
のタッチセンサとしてもよい。図19にアクティブ型のタッチセンサに含まれる一つのセ
ンサ回路の例を示している。
18A illustrates the structure of a passive touch sensor in which only the capacitor 603 is provided at a wiring intersection as a touch sensor, an active touch sensor including a transistor and a capacitor may be used. FIG. 19 shows an example of one sensor circuit included in the active touch sensor.

センサ回路は容量603と、トランジスタ611と、トランジスタ612と、トランジ
スタ613とを有する。トランジスタ613はゲートに信号G2が与えられ、ソース又は
ドレインの一方に電圧VRESが与えられ、他方が容量603の一方の電極およびトラン
ジスタ611のゲートと電気的に接続する。トランジスタ611はソース又はドレインの
一方がトランジスタ612のソース又はドレインの一方と電気的に接続し、他方に電圧V
SSが与えられる。トランジスタ612はゲートに信号G2が与えられ、ソース又はドレ
インの他方が配線MLと電気的に接続する。容量603の他方の電極には電圧VSSが与
えられる。
The sensor circuit includes a capacitor 603, a transistor 611, a transistor 612, and a transistor 613. A signal G2 is applied to a gate of the transistor 613, a voltage VRES is applied to one of a source and a drain, and the other is electrically connected to one electrode of the capacitor 603 and the gate of the transistor 611. One of a source and a drain of the transistor 611 is electrically connected to one of a source and a drain of the transistor 612, and the other has a voltage V
SS is given. A signal G2 is applied to the gate of the transistor 612, and the other of the source and the drain is electrically connected to the wiring ML. The voltage VSS is applied to the other electrode of the capacitor 603.

続いて、センサ回路の動作について説明する。まず信号G2としてトランジスタ613
をオン状態とする電位が与えられることで、トランジスタ611のゲートが接続されるノ
ードnに電圧VRESに対応した電位が与えられる。次いで信号G2としてトランジスタ
613をオフ状態とする電位が与えられることで、ノードnの電位が保持される。
Next, the operation of the sensor circuit will be described. First, as the signal G2, the transistor 613 is used.
The potential corresponding to the voltage VRES is applied to the node n to which the gate of the transistor 611 is connected by applying the potential for turning on the transistor. Then, a potential for turning off the transistor 613 is applied as the signal G2, so that the potential of the node n is held.

続いて、指等の被検知体の近接または接触により、容量603の相互容量が変化するこ
とに伴い、ノードnの電位がVRESから変化する。
Then, the potential of the node n changes from VRES as the mutual capacitance of the capacitance 603 changes due to the proximity or contact of the detection target such as a finger.

読み出し動作は、信号G1にトランジスタ612をオン状態とする電位を与える。ノー
ドnの電位に応じてトランジスタ611に流れる電流、すなわち配線MLに流れる電流が
変化する。この電流を検出することにより、被検知体の近接または接触を検出することが
できる。
In the reading operation, the signal G1 is supplied with a potential for turning on the transistor 612. The current flowing through the transistor 611, that is, the current flowing through the wiring ML changes depending on the potential of the node n. By detecting this current, it is possible to detect the proximity or contact of the detected object.

トランジスタ611、トランジスタ612、トランジスタ613としては、チャネルが
形成される半導体層に酸化物半導体を適用したトランジスタを用いることが好ましい。特
にトランジスタ613にこのようなトランジスタを適用することにより、ノードnの電位
を長期間に亘って保持することが可能となり、ノードnにVRESを供給しなおす動作(
リフレッシュ動作)の頻度を減らすことができる。
As the transistor 611, the transistor 612, and the transistor 613, a transistor in which an oxide semiconductor is used for a semiconductor layer in which a channel is formed is preferably used. In particular, by applying such a transistor to the transistor 613, the potential of the node n can be held for a long period of time, and the operation of re-supplying VRES to the node n (
The frequency of refresh operations can be reduced.

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
At least part of this embodiment can be implemented in appropriate combination with any of the other embodiments described in this specification.

10 電子機器
11a 支持体
11b 支持体
11c 支持体
11d 支持体
11e 支持体
12 接続部
12a 中立線
13 表示パネル
13_1 表示パネル
13_2 表示パネル
13a 表示部
13b 非表示部
14 検出手段
15 FPC
16 回路基板
17 バッテリ
18 配線
21 受光素子
22 発光素子
23 光
24 領域
25 領域
31 部分
32 部分
33 部分
41 入力ボタン
42 電源ボタン
43 外部接続端子
44 カードスロット
45 光学センサ
46 カメラ
47 光源
48 スピーカ
49 マイク
51 アンテナ
121 電極
122 電極
201 作製基板
203 剥離層
205 作製基板
207 剥離層
230 発光素子
301 表示部
302 画素
302B 副画素
302G 副画素
302R 副画素
302t トランジスタ
303c 容量
303g(1) 走査線駆動回路
303g(2) 撮像画素駆動回路
303s(1) 画像信号線駆動回路
303s(2) 撮像信号線駆動回路
303t トランジスタ
304 ゲート
308 撮像画素
308p 光電変換素子
308t トランジスタ
309 FPC
311 配線
319 端子
321 絶縁層
328 隔壁
329 スペーサ
350R 発光素子
351R 下部電極
352 上部電極
353 EL層
353a EL層
353b EL層
354 中間層
360 封止層
367BM 遮光層
367p 反射防止層
367R 着色層
380B 発光モジュール
380G 発光モジュール
380R 発光モジュール
390 タッチパネル
501 表示部
502R 副画素
502t トランジスタ
503c 容量
503g 走査線駆動回路
503t トランジスタ
505 タッチパネル
505B タッチパネル
509 FPC
510 基板
510a 絶縁層
510b 可撓性基板
510c 接着層
511 配線
519 端子
521 絶縁膜
528 隔壁
550R 発光素子
560 封止層
567BM 遮光層
567p 反射防止層
567R 着色層
570 基板
570a 絶縁層
570b 可撓性基板
570c 接着層
580R 発光モジュール
590 基板
591 電極
592 電極
593 絶縁層
594 配線
595 タッチセンサ
597 接着層
598 配線
599 接続層
601 パルス電圧出力回路
602 電流検出回路
603 容量
611 トランジスタ
612 トランジスタ
613 トランジスタ
621 電極
622 電極
801 基板
803 基板
804 発光部
806 駆動回路部
808 FPC
811 接着層
813 絶縁層
814 導電層
815 絶縁層
816 導電層
817 絶縁層
817a 絶縁層
817b 絶縁層
820 トランジスタ
821 絶縁層
822 トランジスタ
823 封止層
824 封止層
825 接続体
827 スペーサ
830 発光素子
831 下部電極
833 EL層
835 上部電極
841 接着層
843 絶縁層
845 着色層
847 遮光層
849 オーバーコート
857 導電層
857a 導電層
857b 導電層
10 electronic equipment 11a support 11b support 11c support 11d support 11e support 12 connection part 12a neutral line 13 display panel 13_1 display panel 13_2 display panel 13a display part 13b non-display part 14 detection means 15 FPC
16 circuit board 17 battery 18 wiring 21 light receiving element 22 light emitting element 23 light 24 area 25 area 31 part 32 part 33 part 41 input button 42 power button 43 external connection terminal 44 card slot 45 optical sensor 46 camera 47 light source 48 speaker 49 microphone 51 Antenna 121 Electrode 122 Electrode 201 Fabrication substrate 203 Release layer 205 Production substrate 207 Release layer 230 Light emitting element 301 Display unit 302 Pixel 302B Subpixel 302G Subpixel 302R Subpixel 302t Transistor 303c Capacitance 303g(1) Scan line driver circuit 303g(2) Imaging pixel drive circuit 303s(1) Image signal line drive circuit 303s(2) Imaging signal line drive circuit 303t Transistor 304 Gate 308 Imaging pixel 308p Photoelectric conversion element 308t Transistor 309 FPC
311 wiring 319 terminal 321 insulating layer 328 partition wall 329 spacer 350R light emitting element 351R lower electrode 352 upper electrode 353 EL layer 353a EL layer 353b EL layer 354 intermediate layer 360 sealing layer 367BM light shielding layer 367p antireflection layer 367R coloring layer 380B light emitting module 380G Light emitting module 380R Light emitting module 390 Touch panel 501 Display unit 502R Sub-pixel 502t Transistor 503c Capacity 503g Scan line driving circuit 503t Transistor 505 Touch panel 505B Touch panel 509 FPC
510 substrate 510a insulating layer 510b flexible substrate 510c adhesive layer 511 wiring 519 terminal 521 insulating film 528 partition wall 550R light emitting element 560 sealing layer 567BM light shielding layer 567p antireflection layer 567R coloring layer 570 substrate 570a insulating layer 570b flexible substrate 570c Adhesive layer 580R Light emitting module 590 Substrate 591 Electrode 592 Electrode 593 Insulation layer 594 Wiring 595 Touch sensor 597 Adhesive layer 598 Wiring 599 Connection layer 601 Pulse voltage output circuit 602 Current detection circuit 603 Capacitance 611 Transistor 612 Transistor 613 Transistor 621 Electrode 622 Electrode 801 Substrate 803 substrate 804 light emitting unit 806 drive circuit unit 808 FPC
811 Adhesive layer 813 Insulating layer 814 Conductive layer 815 Insulating layer 816 Conductive layer 817 Insulating layer 817a Insulating layer 817b Insulating layer 820 Transistor 821 Insulating layer 822 Transistor 823 Sealing layer 824 Sealing layer 825 Connector 827 Spacer 830 Light emitting element 831 Lower electrode 833 EL layer 835 Upper electrode 841 Adhesive layer 843 Insulating layer 845 Coloring layer 847 Light shielding layer 849 Overcoat 857 Conductive layer 857a Conductive layer 857b Conductive layer

Claims (5)

可撓性を有する表示パネルと、前記表示パネルを支持する機能を有する支持体と、受光素子と、を有し、
前記表示パネルは、酸化物半導体を有するトランジスタを含む画素を有し、
前記支持体は、前記表示パネルと重なる開口部を有し、
前記受光素子は、前記表示パネルの表示面の逆側であって且つ前記開口部と重なる位置に配置され、
前記受光素子は、前記表示パネル側から前記開口部を透過した光を検出する機能を有し、
前記表示パネルは、前記受光素子が検出した前記光に応じて表示が制御される機能を有する電子機器。
A display panel having flexibility, a support having a function of supporting the display panel, and a light receiving element,
The display panel includes a pixel including a transistor including an oxide semiconductor,
The support has an opening overlapping with the display panel,
The light receiving element is arranged on the opposite side of the display surface of the display panel and at a position overlapping the opening,
The light receiving element has a function of detecting light transmitted through the opening from the display panel side,
The display panel, an electronic apparatus having a function of displaying is controlled according to the light which the light receiving element has detected.
可撓性を有する表示パネルと、前記表示パネルを支持する機能を有する支持体と、受光素子と、を有し、
前記表示パネルは、酸化物半導体を有するトランジスタを含む画素を有し、
前記支持体は、前記表示パネルと重なる開口部を有し、
前記表示パネルは、折り曲げることが可能な領域を有し、且つ前記領域は前記開口部とは重ならず、
前記受光素子は、前記表示パネルの表示面の逆側であって且つ前記開口部と重なる位置に配置され、
前記受光素子は、前記表示パネル側から前記開口部を透過した光を検出する機能を有し、
前記表示パネルは、前記受光素子が検出した前記光に応じて表示が制御される機能を有する電子機器。
A display panel having flexibility, a support having a function of supporting the display panel, and a light receiving element,
The display panel includes a pixel including a transistor including an oxide semiconductor,
The support has an opening overlapping with the display panel,
The display panel has a foldable region, and the region does not overlap the opening,
The light receiving element is arranged on the opposite side of the display surface of the display panel and at a position overlapping the opening,
The light receiving element has a function of detecting light transmitted through the opening from the display panel side,
The display panel, an electronic apparatus having a function of displaying is controlled according to the light which the light receiving element has detected.
可撓性を有する表示パネルと、前記表示パネルを支持する機能を有する支持体と、受光素子と、を有し、A display panel having flexibility, a support having a function of supporting the display panel, and a light receiving element,
前記表示パネルは、酸化物半導体を有するトランジスタを含む画素を有し、The display panel includes a pixel including a transistor including an oxide semiconductor,
前記支持体は、前記表示パネルと重なる開口部を有し、The support has an opening overlapping with the display panel,
前記受光素子は、前記表示パネルの表示面の逆側であって且つ前記開口部と重なる位置に配置され、The light receiving element is arranged on the opposite side of the display surface of the display panel and at a position overlapping the opening,
前記表示パネルは、前記受光素子が検出した光に応じて表示が制御される機能を有し、The display panel has a function of controlling display according to light detected by the light receiving element,
前記光は、前記表示パネル側から前記開口部を透過して、前記受光素子へ入射する電子機器。The electronic device transmits the light from the display panel side through the opening and enters the light receiving element.
可撓性を有する表示パネルと、前記表示パネルを支持する機能を有する支持体と、受光素子と、を有し、A display panel having flexibility, a support having a function of supporting the display panel, and a light receiving element,
前記表示パネルは、酸化物半導体を有するトランジスタを含む画素を有し、The display panel includes a pixel including a transistor including an oxide semiconductor,
前記支持体は、前記表示パネルと重なる開口部を有し、The support has an opening overlapping with the display panel,
前記表示パネルは、折り曲げることが可能な領域を有し、且つ前記領域は前記開口部とは重ならず、The display panel has a foldable region, and the region does not overlap the opening,
前記受光素子は、前記表示パネルの表示面の逆側であって且つ前記開口部と重なる位置に配置され、The light receiving element is arranged on the opposite side of the display surface of the display panel and at a position overlapping the opening,
前記表示パネルは、前記受光素子が検出した光に応じて表示が制御される機能を有し、The display panel has a function of controlling display according to light detected by the light receiving element,
前記光は、前記表示パネル側から前記開口部を透過して、前記受光素子へ入射する電子機器。The electronic device transmits the light from the display panel side through the opening and enters the light receiving element.
請求項1乃至4のいずれか一において、
前記表示パネルは、前記受光素子と重なる位置に発光素子を有する電子機器。
In any one of Claim 1 thru|or 4 ,
The display panel is an electronic device having a light emitting element at a position overlapping with the light receiving element.
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