JP2015225331A - Electronic apparatus - Google Patents
Electronic apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015225331A JP2015225331A JP2014112214A JP2014112214A JP2015225331A JP 2015225331 A JP2015225331 A JP 2015225331A JP 2014112214 A JP2014112214 A JP 2014112214A JP 2014112214 A JP2014112214 A JP 2014112214A JP 2015225331 A JP2015225331 A JP 2015225331A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- layer
- support
- display panel
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Abstract
Description
本発明の一態様は、表示装置に関する。または、表示装置を備える電子機器に関する。特に、可撓性を有する表示装置に関する。または、可撓性を有する表示装置を備える電子機器に関する。 One embodiment of the present invention relates to a display device. Alternatively, the present invention relates to an electronic device including a display device. In particular, the present invention relates to a flexible display device. Alternatively, the present invention relates to an electronic device including a flexible display device.
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様は、物、方法、又は、製造方法に関する。本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、又は、組成物(コンポジション・オブ・マター)に関する。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又は、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。 Note that one embodiment of the present invention is not limited to the above technical field. One embodiment of the invention disclosed in this specification and the like relates to an object, a method, or a manufacturing method. One aspect of the present invention relates to a process, a machine, a manufacture, or a composition (composition of matter). Therefore, the technical field of one embodiment of the present invention disclosed in this specification more specifically includes a semiconductor device, a display device, a light-emitting device, a power storage device, a memory device, an electronic device, a lighting device, an input device, and an input / output device. The driving method or the manufacturing method thereof can be given as an example.
なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。トランジスタなどの半導体素子をはじめ、半導体回路、演算装置、記憶装置は、半導体装置の一態様である。撮像装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、電気光学装置、発電装置(薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池等を含む)、及び電子機器は、半導体装置を有している場合がある。 Note that in this specification and the like, a semiconductor device refers to any device that can function by utilizing semiconductor characteristics. A semiconductor element such as a transistor, a semiconductor circuit, an arithmetic device, and a memory device are one embodiment of the semiconductor device. An imaging device, a display device, a liquid crystal display device, a light emitting device, an electro-optical device, a power generation device (including a thin film solar cell, an organic thin film solar cell, and the like) and an electronic device may include a semiconductor device.
近年、表示装置は様々な用途への応用が期待されており、多様化が進められている。例えば携帯用途の電子機器などに用いられる表示装置は、薄型であること、軽量であること、または破損しにくいこと等が求められている。また、従来にない新たな用途が求められている。 In recent years, display devices are expected to be applied to various uses and are being diversified. For example, a display device used for a portable electronic device or the like is required to be thin, lightweight, or hardly damaged. In addition, there is a demand for new uses that have not been achieved in the past.
また、特許文献1には、フィルム基板上に、スイッチング素子であるトランジスタや有機EL(Electro Luminescence)素子を備えたフレキシブルなアクティブマトリクス型の発光装置が開示されている。
近年、表示装置の表示領域を大型化させることで表示する表示量を増やし、表示の一覧性の向上を図ることが検討されている。一方、携帯機器用途等では、表示領域を大型化させると可搬性(ポータビリティともいう)が低下してしまう。そのため、表示の一覧性の向上と、高い可搬性を両立することは困難であった。 In recent years, it has been studied to increase the display amount by increasing the display area of the display device and to improve the display listability. On the other hand, in portable device applications and the like, if the display area is enlarged, the portability (also referred to as portability) decreases. For this reason, it has been difficult to achieve both improvement in display listability and high portability.
また、表示パネルに、ユーザーインターフェースとしての入力手段を備える構成が望まれている。例えば、画面に指やスタイラス等で触れることで入力する機能を付加した表示装置(タッチパネル)がある。 In addition, a configuration in which an input unit as a user interface is provided on the display panel is desired. For example, there is a display device (touch panel) to which a function of inputting by touching the screen with a finger or a stylus is added.
本発明の一態様は、可搬性に優れた電子機器を提供することを課題の一とする。または、一覧性に優れた電子機器を提供することを課題の一とする。または、破損しにくい電子機器を提供することを課題の一とする。または、新たな入力手段を備える電子機器を提供することを課題の一とする。 An object of one embodiment of the present invention is to provide an electronic device with excellent portability. Another object is to provide an electronic device with excellent listability. Another object is to provide an electronic device which is not easily damaged. Another object is to provide an electronic device including new input means.
または、本発明の一態様は、電子機器を薄型化することを課題の一とする。または、電子機器を軽量化することを課題の一とする。または、新規な電子機器を提供することを課題の一とする。 Another object of one embodiment of the present invention is to reduce the thickness of an electronic device. Another object is to reduce the weight of an electronic device. Another object is to provide a novel electronic device.
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。また、上記以外の課題は、明細書等の記載から自ずと明らかになるものであり、明細書等の記載から上記以外の課題を抽出することが可能である。 Note that the description of these problems does not disturb the existence of other problems. In one embodiment of the present invention, it is not necessary to solve all of these problems. Problems other than those described above are naturally clarified from the description of the specification and the like, and problems other than the above can be extracted from the description of the specification and the like.
本発明の一態様は、第1の支持体と、第2の支持体と、接続部と、表示パネルと、を有する電子機器である。また表示パネルは折り曲げて表示することのできる機能を有する。第1の支持体と第2の支持体とは、接続部により接続し、第1の支持体と第2の支持体とは、接続部を介して相対的に回転する機能を有する。また表示パネルは、第1の支持体に固定される部分を有し、第2の支持体に対して一方向に動くことができるように、第2の支持体に支持されていることを特徴とする。 One embodiment of the present invention is an electronic device including a first support, a second support, a connection portion, and a display panel. The display panel has a function of being able to be folded and displayed. The first support body and the second support body are connected by a connection portion, and the first support body and the second support body have a function of rotating relatively through the connection portion. The display panel has a portion fixed to the first support, and is supported by the second support so that the display panel can move in one direction with respect to the second support. And
また、本発明の他の一態様は、第1の支持体と、第2の支持体と、接続部と、表示パネルと、検出手段と、を有する電子機器である。また表示パネルは折り曲げて表示することのできる機能を有する、第1の支持体と第2の支持体とは、接続部により接続し、接続部を介して相対的に回転する機能を有する。また表示パネルは、第1の支持体に固定される部分を有し、第2の支持体に対して一方向に動くことができるように、第2の支持体に支持され、第1の支持体と第2の支持体とを相対的に回転させたときに、第2の支持体との相対位置が変化する機能を有する。また検出手段は、表示パネルと第2の支持体との相対位置を検出する機能を有することを特徴とする。 Another embodiment of the present invention is an electronic device including a first support, a second support, a connection portion, a display panel, and detection means. The display panel has a function of being able to bend and display. The first support body and the second support body have a function of being connected by a connecting portion and relatively rotating through the connecting portion. The display panel has a portion fixed to the first support and is supported by the second support so that the display panel can move in one direction with respect to the second support. When the body and the second support are relatively rotated, the relative position of the second support is changed. The detecting means has a function of detecting a relative position between the display panel and the second support.
また、上記において、上記検出手段は、発光素子と、受光素子と、を有し、発光素子及び受光素子の一方は、表示パネルに固定されて設けられ、発光素子及び受光素子の他方が、第2の支持体に固定されて設けられ、受光素子は、発光素子からの発光を検出する機能を有することが好ましい。
In the above, the detection means includes a light emitting element and a light receiving element, and one of the light emitting element and the light receiving element is fixed to the display panel, and the other of the light emitting element and the light receiving element is the first Preferably, the light receiving element is fixed to the
または、上記において、上記検出手段は、発光素子と、受光素子と、を有し、発光素子及び受光素子は、それぞれ第2の支持体に固定されて設けられ、発光素子は、表示パネルの一部に光を照射する機能を有し、受光素子は、表示パネルからの反射光を検出する機能を有することが好ましい。 Alternatively, in the above, the detection unit includes a light emitting element and a light receiving element, and the light emitting element and the light receiving element are each fixed to a second support, and the light emitting element is a part of the display panel. Preferably, the light receiving element has a function of irradiating light to the part, and the light receiving element has a function of detecting reflected light from the display panel.
または、上記において、上記表示パネルは、表示部と、非表示部を有し、表示部は、第1の発光素子を有し、検出手段は、第2の発光素子と受光素子と、を有し、第2の発光素子は、非表示部に設けられ、受光素子は、第2の支持体に固定されて設けられ、受光素子は、第2の発光素子からの発光を検出する機能を有することが好ましい。 Alternatively, in the above, the display panel includes a display portion and a non-display portion, the display portion includes a first light emitting element, and the detection unit includes a second light emitting element and a light receiving element. The second light emitting element is provided in the non-display portion, the light receiving element is provided fixed to the second support, and the light receiving element has a function of detecting light emission from the second light emitting element. It is preferable.
また、上記において、表示パネルは、第1の支持体、接続部、及び第2の支持体の、各々の厚さ方向の中心位置と重ならないように位置することが好ましい。 Moreover, in the above, it is preferable that the display panel is positioned so as not to overlap with the center position of each of the first support, the connection portion, and the second support in the thickness direction.
また、上記接続部は、弾性体を有することが好ましい。 Moreover, it is preferable that the said connection part has an elastic body.
また、上記表示パネルは、タッチセンサとしての機能を有することが好ましい。または、上記表示パネルに重ねて、タッチセンサが設けられていることが好ましい。 The display panel preferably has a function as a touch sensor. Alternatively, it is preferable that a touch sensor be provided over the display panel.
本発明によれば、可搬性に優れた電子機器を提供できる。または、一覧性に優れた電子機器を提供できる。または、破損しにくい電子機器を提供できる。または、新たな入力手段を備える電子機器を提供できる。または、新たな電子機器を提供できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the electronic device excellent in portability can be provided. Alternatively, an electronic device with excellent listability can be provided. Alternatively, an electronic device that is not easily damaged can be provided. Or an electronic device provided with a new input means can be provided. Alternatively, a new electronic device can be provided.
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。 Note that the description of these effects does not disturb the existence of other effects. Note that one embodiment of the present invention does not necessarily have all of these effects. It should be noted that the effects other than these are naturally obvious from the description of the specification, drawings, claims, etc., and it is possible to extract the other effects from the descriptions of the specification, drawings, claims, etc. It is.
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。 Embodiments will be described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following description, and it is easily understood by those skilled in the art that modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, the present invention should not be construed as being limited to the description of the embodiments below.
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。 Note that in structures of the invention described below, the same portions or portions having similar functions are denoted by the same reference numerals in different drawings, and description thereof is not repeated. In addition, in the case where the same function is indicated, the hatch pattern is the same, and there is a case where no reference numeral is given.
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。 Note that in each drawing described in this specification, the size, the layer thickness, or the region of each component is exaggerated for simplicity in some cases. Therefore, it is not necessarily limited to the scale.
なお、本明細書等における「第1」、「第2」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。 In the present specification and the like, ordinal numbers such as “first” and “second” are used for avoiding confusion between components, and are not limited numerically.
(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器の構成例について、図面を参照して説明する。
(Embodiment 1)
In this embodiment, structural examples of electronic devices of one embodiment of the present invention will be described with reference to drawings.
本発明の一態様の電子機器は、可撓性を有する表示パネルと、これを支持する2つの支持体を備える構成とする。また2つの支持体は接続部によって接続される。接続部を介して2つの筐体を相対的に回転させ、電子機器を折り畳むことが可能である。したがって、本発明の一態様の電子機器は、表示パネルの表示面を平坦な状態に保持すること、表示パネルの表示面が内側になるように折り曲げること(内曲げ)、表示パネルの表示面が外側になるように折り曲げること等が可能である。 An electronic device of one embodiment of the present invention includes a flexible display panel and two supports that support the display panel. The two supports are connected by a connecting portion. It is possible to fold the electronic device by relatively rotating the two housings via the connection portion. Therefore, in the electronic device of one embodiment of the present invention, the display surface of the display panel is kept flat, the display surface of the display panel is bent (inward bending), and the display surface of the display panel is It can be bent so as to be on the outside.
本発明の一態様の電子機器は、表示パネルを展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により一覧性に優れる。また表示パネルを折り畳んだ状態では、可搬性に優れる。 The electronic device of one embodiment of the present invention is excellent in listability due to a seamless wide display region when the display panel is expanded. In addition, when the display panel is folded, the portability is excellent.
ここで、本発明の一態様の電子機器において、表示パネルは一方の支持体には固定され、他方の支持体には、一方向にスライドするように、固定されることなく支持されるように設けることが好ましい。そして2つの支持体の角度を変化させたときに、表示パネルが固定されていない支持体に対してスライドし、両者の相対的な位置が変化する構成とすることが好ましい。このような構成とすることで、2つの支持体の角度を変化させ、表示パネルの一部を曲げるときに、表示パネルを曲げる向きにのみ力がかかり、これとは垂直な向きに(すなわち、表示パネルの厚さ方向に垂直な向きに)かかる力を実質的に無くすことが可能となる。すなわち、表示パネルがスライドすることによって表示パネルを曲げる際に表示パネルを引っ張る、または圧縮する力がかからないため、表示パネルの破損が抑制され、信頼性の高い電子機器が実現できる。 Here, in the electronic device of one embodiment of the present invention, the display panel is fixed to one support body and is supported by the other support body without being fixed so as to slide in one direction. It is preferable to provide it. And when the angle of two support bodies is changed, it is preferable to set it as the structure which slides with respect to the support body which the display panel is not fixed, and relative position of both changes. With such a configuration, when the angle of the two supports is changed and a part of the display panel is bent, a force is applied only in the direction in which the display panel is bent, and in a direction perpendicular to this (that is, The force applied (in a direction perpendicular to the thickness direction of the display panel) can be substantially eliminated. That is, when the display panel is bent by sliding, the display panel is not pulled or compressed, so that the display panel is prevented from being damaged, and a highly reliable electronic device can be realized.
さらに、上述のように表示パネルがスライドした際に、その変位量を検出できる検出手段を備えていることが好ましい。表示パネルの変位量は、2つの支持体の角度に依存して変化するため、この変位量を検出することで2つの支持体の角度を検出することが可能となる。例えば表示パネルと、表示パネルが固定されていない側の支持体との相対的な位置の変化を検出することにより、表示パネルの変位量を検出することができる。この相対的な位置の変化は、好ましくは光学的に検出することが好ましい。また、機械的、または電気的に検出する構成としてもよい。 Furthermore, it is preferable to include detection means that can detect the amount of displacement when the display panel slides as described above. Since the amount of displacement of the display panel changes depending on the angle of the two supports, the angle of the two supports can be detected by detecting this amount of displacement. For example, the amount of displacement of the display panel can be detected by detecting a change in the relative position between the display panel and the support on the side on which the display panel is not fixed. This relative position change is preferably detected optically. Moreover, it is good also as a structure detected mechanically or electrically.
このように、2つの支持体の角度を検出可能な構成とすることで、その角度を電子機器における一つの入力手段として用いることが可能となる。例えば、2つの支持体の角度に応じて表示パネルへの表示を切り替えることなどが可能となる。また、表示パネルの表示面が内側になるように折り畳まれた状態では、表示パネルの表示を停止するなどの動作を行うことができる。 Thus, by setting it as the structure which can detect the angle of two support bodies, it becomes possible to use the angle as one input means in an electronic device. For example, the display on the display panel can be switched according to the angle of the two supports. In addition, in a state where the display surface of the display panel is folded inward, an operation such as stopping display of the display panel can be performed.
より具体的には、以下のような構成とすることができる。 More specifically, the following configuration can be adopted.
[構成例]
図1(A)に、本発明の一態様の電子機器10の斜視概略図を示す。
[Configuration example]
FIG. 1A is a schematic perspective view of an
電子機器10は、支持体11aと、支持体11bと、接続部12と、表示パネル13と、検出手段14と、を有する。
The
支持体11aと支持体11bとは、接続部12を介して接続されている。表示パネル13は、支持体11a、支持体11b及び接続部12に重ねて配置されている。また表示パネル13は、少なくとも支持体11a及び支持体11bに支持されている。
The
具体的には、表示パネル13は、支持体11aに固定される領域を有する。さらに表示パネル13は、支持体11bに固定されることなく、一方向にスライドすることができるように支持体11bに支持されている。
Specifically, the
また、表示パネル13は可撓性を有する。また表示パネル13は複数の画素を有する領域(表示領域ともいう)を有し、表示領域に画像を表示することができる。画素は表示素子を備える。なお、以下では表示パネル13の表面のうち、画像が表示される側の面を表示面と表記する場合がある。
Moreover, the
支持体11aと支持体11bとは、接続部12を介して相対的に回転させることができる。例えば、支持体11aと支持体11bとを接続部12を介して折り畳む、またはねじるなどの変形を加えることができる。したがって、電子機器10は、表示パネル13の表示面が平坦である状態から、表示面が曲がった状態に可逆的に変形させることができる。
The
支持体11a及び支持体11bとしては、剛性を有していてもよいし、支持体自体が捩りや湾曲させる力に対して変形可能な部材を用いてもよい。支持体11a及び支持体11bは少なくとも表示パネル13、または接続部12よりも可撓性の低い材料を用いればよく、硬質ゴムなどの弾性体などをその骨格に用いてもよい。そのほか、各筐体を構成しうる材料としては、プラスチック、アルミニウムなどの金属、ステンレスやチタン合金などの合金、シリコーンゴムなどのゴム等を用いることができる。
As the
接続部12は、一部または全部が弾性変形する材料を好適に用いることができる。例えば接続部12の全部が弾性体である、または少なくとも曲がる部分に弾性体を有する構成をとすることができる。または、接続部12として、1以上の回転軸を有するヒンジを有する構成を適用することもできる。
The
接続部12として弾性変形する材料を用いた場合、支持体11aと支持体11bを相対的に回転させる力が与えられない場合には、図1(A)に示す表示面が平坦な状態に保持することができる。また図1(C)や図1(E)の状態に保持するために、支持体11aと支持体11bとを固定する機構を有していることが好ましい。例えば支持体11aと支持体11bとを機械的に脱着可能とした脱着具を別途有していてもよいし、または支持体11aと支持体11bとが脱着機構を備えていてもよい。または、支持体11aと支持体11bとを磁力により固定する構成としてもよい。
When a material that is elastically deformed is used as the
また、接続部12としてヒンジを有する構成とする場合には、図1(C)や図1(E)の状態に支持体11aと支持体11bとの相対位置を固定する機構を備えるヒンジを用いることで、上述した脱着具や脱着機構が不要となるため好ましい。また、段階的な固定位置を有するヒンジを用いることにより、図1(B)や図1(D)のように、表示パネル13の表示面が湾曲した状態で使用することもできる。
Further, when the
接続部12としては、例えば支持体11a及び支持体11bよりもヤング率の低い材料を用いることができる。また、支持体11a及び支持体11bよりもヤング率の高い材料、またはヤング率が同程度の材料を用いた場合であっても、接続部12の厚さを支持体11a及び支持体11bよりも薄い材料を適用することもできる。接続部12を構成しうる材料としては、プラスチック、ゴム、金属、または合金等を用いることができる。例えばシリコーン樹脂などの材料や、ゲルを用いてもよい。
As the
図1(A)は、表示パネル13の表示面を平坦な状態に保持した状態を示す。この状態から表示パネル13の表示面を内側に曲げるように電子機器10を変形させることで、図1(B)の状態を経て図1(C)の状態に可逆的に変形させることができる。図1(C)では、表示パネル13が支持体11a及び支持体11bに挟み込まれて収納されている状態である。電子機器10を使用しない際、または鞄等に収納する際などにはこのような形態とすることができる。
FIG. 1A shows a state where the display surface of the
また、図1(A)に示す状態から表示パネル13の表示面を外側に曲げるように電子機器10を変形させることで、図1(D)の状態を経て図1(E)の状態に可逆的に変形させることができる。図1(E)では、表示パネル13の表示面が電子機器10の上面、側面及び下面に沿って位置している状態である。図1(E)に示す状態では図1(A)に示す状態と比べて小型であるため、公共の場所で使用する場合や移動中に使用する場合などには好適である。
In addition, by deforming the
[断面構成例]
図2(A)は、図1(A)中に示す切断面X1における、電子機器10の断面概略図を示している。また、図2(B)は図1(B)中に示す切断面X2における断面概略図であり、図2(C)は図1(D)中に示す切断面X3における断面概略図である。
[Section configuration example]
FIG. 2A shows a schematic cross-sectional view of the
図2(A)において、表示パネル13は、支持体11a、支持体11b、および接続部12の各々の上面に沿って配置されている。また表示パネル13にはFPC(Flexible Print Circuit)15が接続されており、FPC15を介して支持体11aの内部に設けられる回路基板16と電気的に接続している。また、回路基板16は第1の支持体11aの内部に設けられるバッテリ17と電気的に接続している。また、図2(A)に示すようにバッテリ17は第2の支持体11bの内部にも設けられていてもよい。なお、ここでは図示しないが、支持体11bの内部に検出手段14の駆動を制御するためのIC等を実装した回路基板を有していてもよい。例えば、当該ICは、検出手段14を駆動する機能と、検出手段14から出力された信号を取り出す機能を有していてもよい。
In FIG. 2A, the
表示パネル13は支持体11aに固定されるように支持されている。例えば表示パネル13の一部が支持体11aに接着されていてもよいし、ねじ等の固定具により機械的に固定されていてもよい。
The
一方、表示パネル13は、支持体11bに固定されずに支持されている。具体的には、図2(A)において、表示パネル13が支持体11bに対して左右方向にスライドできるように支持されている。
On the other hand, the
ここで、表示パネル13の厚さ方向(図2(A)では上下方向)、及び表示パネル13が曲げられるときの湾曲方向とは垂直な方向(図2(A)では紙面に垂直な方向)のうち、一方、または両方に、表示パネル13が動く(ずれる)ことのないように、表示パネル13が支持体11bに支持されていることが好ましい。
Here, the thickness direction of the display panel 13 (the vertical direction in FIG. 2A) and the direction perpendicular to the bending direction when the
以上のように、表示パネル13が、支持体11aに固定され、且つ支持体11bに固定されないように支持されている。そのため、接続部12を介して支持体11aと支持体11bを相対的に回転させたときに、表示パネル13が支持体11bに対してずれることで、表示パネル13の厚さ方向に垂直な方向にかかる応力が緩和され、表示パネル13が破損するなどの不具合を抑制することができる。したがって、信頼性の高い電子機器10を実現できる。
As described above, the
図2(A)では、検出手段14が第2の支持体11bに配置されている例を示している。検出手段14は、支持体11bと表示パネル13の相対的な位置を検出する機能を有する。なお検出手段14の具体的な構成例については後述する。ここで、図2(A)では検出手段14が支持体11bに配置される構成を示しているが、検出手段14の位置はその構成に応じて適宜設定されうる。
FIG. 2A shows an example in which the detection means 14 is arranged on the
図2(B)および図2(C)には、支持体11bの一部を拡大した図も合わせて示している。
FIGS. 2B and 2C also show enlarged views of a part of the
図2(B)に示すように、表示パネル13の表示面が内側になるように曲げたとき、表示パネル13の支持体11b側の端部が外側に移動するように、表示パネル13と支持体11bとの相対的な位置がずれる。一方、図2(C)に示すように表示パネル13の表示面が外側になるように曲げたとき、表示パネル13の支持体11b側の端部が内側に移動するように、表示パネル13と支持体11bとの相対的な位置がずれる。
As shown in FIG. 2B, when the display surface of the
このように、表示パネル13を曲げたときに生じる表示パネル13と支持体11bとの相対的な位置のずれを検出することで、このずれの値から支持体11aと支持体11bとの相対的な位置関係を算出することができる。その結果、電子機器10の形状を検出することが可能となる。
In this way, by detecting the relative positional shift between the
以上が断面構成例についての説明である。 The above is the description of the cross-sectional configuration example.
[表示パネルの変位量について]
以下では、表示パネル13を曲げるように電子機器10を変形させたときに生じる、表示パネル13と支持体11bとの相対的な位置のずれの量(変位量)について説明する。
[Displacement of display panel]
Hereinafter, the amount of displacement (displacement) of the relative position between the
図3(A)は、本発明の一態様の電子機器を模式的に示した図である。図3(A)に示す電子機器は、支持体11aと支持体11bとが弾性を有する接続部12によって接続されている構成を有する。また、支持体11a、接続部12、及び支持体11bの一方の面には表示パネル13_1が設けられ、他方の面には表示パネル13_2が設けられている。なお、図3(A)では表示パネル13_1及び表示パネル13_2が支持体11aの表面の一部に固定されていることを示すためにハッチングパターンを付している。
FIG. 3A is a diagram schematically illustrating an electronic device of one embodiment of the present invention. The electronic device illustrated in FIG. 3A has a structure in which a
なお、ここでは接続部12を曲げたときに、表示パネルの表示面が内側になる場合と外側になる場合の両方を同時に説明するため、2つの表示パネルを有する例を用いて説明する。
Here, in order to simultaneously explain both the case where the display surface of the display panel is on the inside and the outside when the connecting
また図3(A)に示すように、支持体11a、支持体11b及び接続部12のそれぞれの厚さを厚さtとする。また、接続部12の長さを長さL0とする。また表示パネル13_1と表示パネル13_2のそれぞれの端部と、支持体11bの端部とは一致しているとする。また、図3(A)には接続部12の中立線(neautral lineともいう)12aを破線で示している。ここで本明細書等において中立線とは、物体に応力が掛っていない場合において、その物体の断面における厚さ方向の中央を結ぶ線のことを言う。
Further, as shown in FIG. 3A, the thicknesses of the
ここで、図3(B)に示すように、接続部12の中立線12aを曲率半径r0で角度θだけ湾曲させたときを考える。このとき、接続部12が弾性体であるため、接続部12を湾曲させたときに生じる応力により、接続部12の中立線12aよりも内側の部分は縮み、接続部12の中立線12aよりも外側の部分は伸びることとなる。
Here, as shown in FIG. 3B, consider a case where the
なお、ここでは簡単のために、接続部12を湾曲させたとき、接続部12の厚さは変わらず、且つ、接続部12の中立線12aが常に接続部12の厚さの中央を通り、且つ接続部12の中立線12aが接続部12の一端から他端にかけて一定の曲率半径で湾曲する場合を考える。
Here, for the sake of simplicity, when the connecting
図3(B)において、接続部12の中立線12aの長さはL0である。また接続部12の内側の面における曲率半径r1、及び外側の面における曲率半径r2は、それぞれ以下のようになる。
In FIG. 3B, the length of the
したがって、図3(B)に示す断面における、接続部12の内側の表面の長さL1と、外側の表面の長さL2は、それぞれ以下のようになる。
Therefore, in the cross section shown in FIG. 3B, the length L1 of the inner surface of the connecting
ここで、表示パネル13_1は接続部12の内側の面に接して設けられているため、表示パネル13_1が伸縮しないとすると、表示パネル13_1の端部が支持体11bの端部よりも外側にずれるように、表示パネル13_1の一部が支持体11bに対して移動する。同様に、表示パネル13_2は接続部12の外側の面に接して設けられているため、表示パネル13_2の端部が支持体11bの端部よりも内側にずれるように、表示パネル13_2の一部が支持体11bに対して移動する。表示パネル13_1の支持体11bに対する変位量d1、及び表示パネル13_2の支持体11bに対する変位量d2は、外側への変位量を正とすると以下のようになる。
Here, since the display panel 13_1 is provided in contact with the inner surface of the
式(3)より、表示パネル13_1の変位量d1、及び表示パネル13_2の変位量d2は、いずれも接続部12の厚さtと、角度θに依存することが分かる。接続部12の厚さtが一定であるとすると、変位量d1または変位量d2を検知することにより、角度θを見積もることができる。
From equation (3), it can be seen that the displacement d1 of the display panel 13_1 and the displacement d2 of the display panel 13_2 both depend on the thickness t of the connecting
また、表示パネル13_1の変位量d1、及び表示パネル13_2の変位量d2の大きさは、表示パネル13_1または表示パネル13_2と中立線12aとの距離が大きいほど大きくなる。したがって、表示パネルは少なくとも中立線12aから離れて位置していることが好ましい。すなわち、表示パネルは、支持体11a、接続部12、及び第2の支持体11bの、各々の厚さ方向の中心位置と重ならないように位置することが好ましい。
In addition, the displacement d1 of the display panel 13_1 and the displacement d2 of the display panel 13_2 increase as the distance between the display panel 13_1 or the display panel 13_2 and the
なお、実際には接続部12の湾曲部の厚さが薄くなる部分が生じる場合がある。したがって、図3(B)の表示パネル13_1のように表示面を内曲げする場合と、表示パネル13_2のように表示面を外曲げする場合とではその変位量の絶対値に差が生じ、上述の値とは異なる変位量となる場合がある。そのため、表示パネル13と支持体11bとの相対的な変位量から角度θを算出する場合には、接続部12を湾曲させたときの形状変化を考慮して、補正することが好ましい。
In practice, there may be a portion where the thickness of the curved portion of the connecting
またここでは、接続部12として板状の形状である場合を示したがこれに限られない。例えば、図4(A)、(B)に示すように、内部に空洞を有する接続部12とすることで、当該空洞内に配線18を設けることもできる。配線18により、支持体11a及び支持体11bの内部に設けられる回路基板やバッテリ等を相互に電気的に接続することができる。また、図4(C)、(D)に示すように、接続部12を蛇腹構造を有する形態とすることで、接続部12を曲げたときに接続部12にかかる応力を低減することができる。また、図4(E)、(F)に示すように、接続部12を、内部に空洞が設けられた蛇腹構造を有する形態とし、当該空洞内に配線18を設ける構成としてもよい。
Although the case where the connecting
またここでは、接続部12として弾性体を用いた場合について説明したが、接続部12としてヒンジを用いる場合には、支持体11aと支持体11bの相対的な可動範囲を制限できるため、より精密に支持体11bと表示パネル13との相対的な変位量から角度θを算出することができるため好ましい。このとき、ヒンジが2以上の回転軸を有する構成とすると、より自由度の高い設計が可能なため好ましい。
Here, the case where an elastic body is used as the
以上が表示パネルの変位量についての説明である。 The above is the description of the displacement amount of the display panel.
[検出手段の構成例]
上述のように検出手段14は、支持体11bと表示パネル13の相対的な位置の変化を検出する機能を有する機構のことを指す。
[Configuration example of detection means]
As described above, the detection means 14 refers to a mechanism having a function of detecting a relative position change between the
検出手段14として、光学的に位置の変化を検出する構成とすることが好ましい。例えば、支持体11bに発光素子または受光素子の一方が設けられ、表示パネル13に他方が設けられる構成とすることができる。または、支持体11bに発光素子と受光素子の両方を設け、表示パネル13に反射した発光素子からの光を受光素子によって検出する構成としてもよい。また、発光素子と受光素子の両方を表示パネル13に設け、支持体11bからの反射光を受光する構成としてもよい。
The detection means 14 is preferably configured to optically detect a change in position. For example, one of a light emitting element or a light receiving element is provided on the
より具体的には、以下のような構成を用いることができる。 More specifically, the following configuration can be used.
〔構成例1〕
図5(A)に、支持体11bの検出手段14を含む領域の断面概略図を示す。
[Configuration example 1]
FIG. 5A shows a schematic cross-sectional view of a region including the detection means 14 of the
支持体11bは、表示パネル13を支持する第1の部分31と、表示パネル13の表示面側に位置する第2の部分32と、表示パネル13の表示面側とは反対側に位置する第3の部分と、を有する。第2の部分32と第3の部分33は、支持体11bの外装部材として機能してもよい。
The
検出手段14は、複数の受光素子21と、発光素子22と、を有する。
The
図5(A)に示す構成では、複数の受光素子21はそれぞれ支持体11bの第2の部分32の、表示パネル13と対向する面に固定して配置されている。また発光素子22は、表示パネル13に固定して配置されている。発光素子22は、支持体11bの第2の部分32側、より具体的には受光素子21側に光を発することができる。
In the configuration shown in FIG. 5A, the plurality of light receiving
発光素子22が発する光としては、可視光であってもよいし、赤外線、または紫外線であってもよい。例えば、300nmから3000nmの波長の範囲に1以上のピークを有する光を発する発光素子を適用することができる。特に、750nm以上の波長の赤外線を用いると、可視光や紫外線を用いた場合に比べ支持体11bからの光漏れを考慮する必要性が低いため設計が容易であり、また安全性を高めることが可能となるため好ましい。
The light emitted from the
発光素子22としては、例えばLED(Light Emitting Diode)、有機EL素子、または無機EL素子などの発光素子を適用することができる。特に、表示パネル13が画素に有機EL素子などの発光素子を有する場合には、発光素子22として当該画素と同一工程で作製された発光素子を用いると、部品点数を削減することができる。その場合、発光素子22からの発光は可視光を含む光となる。
For example, a light emitting element such as an LED (Light Emitting Diode), an organic EL element, or an inorganic EL element can be used as the
受光素子21は、発光素子22からの発光を受光することのできる素子である。受光素子21としては、例えばフォトダイオード、フォトトランジスタなどの光電変換素子を含む受光素子を適用することができる。そのほか、CCDイメージセンサ、CMOSイメージセンサ等の固体撮像素子を適用することもできる。
The
また後述するように、表示パネル13に受光素子21を設ける態様とすることもできる。このとき、特に表示パネル13が表示領域にフォトダイオード等の光電変換素子を有する光学型のタッチパネルの場合には、受光素子21と当該光電変換素子を同一工程で作製することが好ましい。
As will be described later, the
図5(B)、(C)は、検出手段14及びその主要な周辺部を示す斜視概略図である。 5B and 5C are schematic perspective views showing the detection means 14 and its main peripheral part.
表示パネル13は、表示部13aと、非表示部13bとを有する。表示部13aは、複数の画素を有し、画像等を表示することのできる部分である。また、非表示部13bの一部には、発光素子22が配置されている。支持体11bの第2の部分32は、表示パネル13の非表示部13bと重なるように配置されている。
The
図5(B)に示すように、発光素子22が発する光23は、表示パネル13の表示面側に発せられる。このとき、光23の進行方向に位置する受光素子21が、光23を検知する。
As shown in FIG. 5B, the light 23 emitted from the
続いて図5(B)の状態から、図5(C)に示す矢印の方向に表示パネル13が支持体11bに対して相対的に変位したとする。このとき、発光素子22と複数の受光素子21との相対的な位置が変化するため、図5(B)の状態の時とは異なる受光素子21が、発光素子22が発する光23の進行方向に位置することとなる。
Subsequently, it is assumed that the
なお、図5(B)等では光23の進行方向が表示パネル13の表面に対して概略垂直な向きである場合を示すが、これに限られず斜め方向に進行してもよい。また発光素子22として、指向性の高い発光素子を用いてもよいし、進行方向に対して強度分布を有する発光素子を用いてもよい。
5B and the like show a case where the traveling direction of the light 23 is substantially perpendicular to the surface of the
このように、複数の受光素子21により受光した光23の検出強度を比較することにより、表示パネル13と支持体11bとの相対的な位置関係を検出することが可能となる。
In this manner, by comparing the detection intensities of the light 23 received by the plurality of light receiving
検出手段14によって検出される位置の精度は、表示パネル13と支持体11bとの相対的な変位方向に対して、複数の受光素子21をできるだけ隙間なく配列させることにより向上させることができる。例えば、図6(A)に示すように、変位の方向に平行なベクトル(矢印)に対する、隣接する2つの受光素子21の投影が互いに重なるように配置することにより、検出される位置の精度を高めることができる。
The accuracy of the position detected by the detection means 14 can be improved by arranging the plurality of light receiving
また、図6(B)に示すように、隣接する2つの受光素子21を、隙間をあけて配列した場合であっても、発光素子22からの光23の角度依存性があらかじめ分かっている場合には、複数の受光素子21による検出強度の値から、検出強度のピーク位置を算出することにより、高い精度で発光素子22の位置を検出することが可能である。
In addition, as shown in FIG. 6B, even when two adjacent
なお、ここでは検出手段14として、複数の受光素子21を支持体11bの第2の部分32に設け、発光素子22を表示パネル13に設ける構成としたが、これに限られない。例えば図7(A)に示すように、表示パネル13に複数の受光素子を設け、支持体11bの第2の部分32に発光素子22を設ける構成としてもよい。
Here, as the detection means 14, the plurality of light receiving
また、図7(B)に示すように、支持体11bの第1の部分31が開口部を有する構成とし、表示パネル13の表示面とは反対側に光を発する発光素子22と、支持体11bの第3の部分33に設けられた複数の受光素子21を備える構成としてもよい。
Further, as shown in FIG. 7B, the
また、図7(C)に示すように、表示パネル13の表示面とは反対側に複数の受光素子21を設け、支持体11bの第3の部分に発光素子22を設ける構成としてもよい。
7C, a plurality of light receiving
また図7(B)、(C)において、第1の部分31の開口部は少なくとも発光素子22の発する光を透過すればよく、透光性を有する部材を有していてもよい。
7B and 7C, the opening of the
以上が構成例1についての説明である。 The above is the description of the configuration example 1.
〔構成例2〕
以下では上記構成例1とは構成の一部が異なる構成例について説明する。なお上記と重複する部分については説明を省略する場合がある。
[Configuration example 2]
Hereinafter, a configuration example in which a part of the configuration is different from the configuration example 1 will be described. Note that a description overlapping with the above may be omitted.
図8(A)は、検出手段14及びその主要な周辺部を示す斜視概略図である。 FIG. 8A is a schematic perspective view showing the detection means 14 and its main peripheral part.
支持体11bの第2の部分32の表示パネル13と対向する面には、受光素子21と発光素子22が並べて配置されている。
A
図8(A)に示すように、発光素子22が発する光23は、表示パネル13の非表示部13bの一部に反射し、その反射光の一部が受光素子21によって受光される。表示パネル13が支持体11bに対して変位することに伴って、受光素子21で受光する光の強度が変化するため、この変化を検出することで表示パネル13と支持体11bとの相対的な変位量を検出することができる。
As shown in FIG. 8A, the light 23 emitted from the
表示パネル13の非表示部13bにおいて、発光素子22が発する光23を反射する部分には、反射率の異なる部分を有していることが好ましい。より具体的には、表示パネル13の変位方向に対して垂直な方向に沿って、反射率の異なる部分を有していればよい。例えば、非表示部13bに設けられる配線のパターンや、駆動回路のパターン等を利用することもできる。
In the
また、表示パネル13の非表示部13bの表面、または内部に、位置検出のためのパターンを別途形成してもよい。例えば表示パネル13を変位させたときに、反射率の高い部分と低い部分とが交互に出現するようなパターンを形成すればよい。このようなパターンは印刷法などにより形成してもよいし、表示パネル13の表面に凹凸形状を形成したものを用いてもよい。
Further, a pattern for position detection may be separately formed on the surface or inside of the
図8(B)乃至(E)に、表示パネル13の非表示部13bが有する位置検出のためのパターンの一例を示す。なお各図における矢印は、表示パネル13の変位方向を示している。
8B to 8E show examples of patterns for position detection that the
図8(A)では第1の反射率を有する第1の領域24と、第2の反射率を有する第2の領域25とを有する。表示パネル13の変位方向に略平行な向きに、ストライプ状の第2の領域25が複数配列したパターンを有している。
FIG. 8A includes a
ここで、第1の反射率と第2の反射率との反射率の差は、例えば5%以上、好ましくは10%以上、より好ましくは15%以上であればよい。また第1の反射率と第2の反射率とはその反射率に差があればよく、第1の反射率が第2の反射率よりも高くてもよいし、低くてもよい。 Here, the difference in reflectance between the first reflectance and the second reflectance may be, for example, 5% or more, preferably 10% or more, more preferably 15% or more. The first reflectance and the second reflectance only have to be different from each other, and the first reflectance may be higher or lower than the second reflectance.
また、図8(C)に示すように、ストライプ状の第2の領域25が、変位方向に対して斜めに配置されていてもよい。また、図8(D)に示すように、第2の領域25が格子状の形状を有していてもよい。また図8(E)に示すように、第2の領域25がドット状に配列したパターンであってもよい。
Further, as shown in FIG. 8C, the stripe-shaped
なお、ここでは2つの反射率の異なる部分が、規則的に配列している例を示したが、2以上の反射率の異なる部分が規則的に配列していてもよい。また、2以上の反射率の異なる部分が不規則に配置された構成としてもよい。 Here, an example is shown in which two portions having different reflectances are regularly arranged, but two or more portions having different reflectances may be regularly arranged. Moreover, it is good also as a structure by which the part from which two or more reflectances differ is arrange | positioned irregularly.
また、ここでは受光素子21と発光素子22とを支持体11bの第2の部分32に配置する場合について説明したが、第3の部分33に配置する構成としてもよい。その場合、構成例1で例示したように、発光素子22が発する光を透過する開口部を有する第1の部分31を設ければよい。
Although the case where the
このように、支持体11bに受光素子21と発光素子22の両方を設け、反射光を利用して表示パネル13と支持体11bとの相対的な位置を検出する構成とすることで、部品点数を削減できる。また表示パネル13の非表示部13bに設けられる一検出のためのパターンとして、表示パネル13が有する配線等のパターンを利用することができるため、設計の自由度を高めることが可能となる。
As described above, by providing both the
以上が構成例2についての説明である。 The above is the description of the configuration example 2.
なお、本実施の形態では、2つの支持体を備える構成としたが、3つ以上の支持体を備える構成とすることもできる。支持体の数が多いほど、電子機器を様々な形状に変形することが可能となり用途の幅が広がる。図9(A)乃至(C)には3つの支持体(支持体11c、11d、11e)を備える電子機器の構成例を示している。図9(A)に示す電子機器は、表示パネル13を2か所で曲げることにより図9(B)に示す形態を経て図9(C)のように電子機器を折り畳むことができる。
In addition, in this Embodiment, although it was set as the structure provided with two support bodies, it can also be set as the structure provided with three or more support bodies. The greater the number of supports, the more the electronic device can be deformed into various shapes and the range of applications is expanded. FIGS. 9A to 9C illustrate a configuration example of an electronic device including three supports (
また、3つ以上の支持体を有する構成とした場合、表示パネル13はそのうちの1つの支持体に固定され、他の支持体には固定されることなくスライドできるように支持される構成とすればよい。また表示パネル13を支持しない支持体のうち、1つ以上の支持体に、上述した検出手段を設ける構成とすればよい。すなわち、電子機器が備える支持体数がnとすると、そのうちの1以上n−1以下の支持体に、検出手段を設ける構成とすればよい。検出手段を有する支持体の数が多いほど、電子機器の形態をより詳細に検出することが可能となるため好ましい。好ましくは表示パネル13を支持しないすべての支持体に検出手段を設けるとよい。
Further, when the
また、本発明の一態様の電子機器は、支持体に様々な入力手段、出力手段、または入出力手段を設ける構成とすることができる。例えば、図20では、入力ボタン41、電源ボタン42、外部接続端子43、カードスロット44、光学センサ45、カメラ46、光源47、スピーカ48及びマイク49が、支持体11aまたは支持体11bに設けられている例を示している。また、図20では、支持体11a及び支持体11bのそれぞれにバッテリ17が内蔵されている。また支持体11bの一部にアンテナ51が実装されている。
Further, the electronic device of one embodiment of the present invention can have a structure in which a variety of input means, output means, or input / output means is provided on a support. For example, in FIG. 20, an
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。 This embodiment can be implemented in appropriate combination with at least part of the other embodiments described in this specification.
(実施の形態2)
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器が有する表示パネルに適用可能な発光パネルの構成例及び作製方法例について説明する。
(Embodiment 2)
In this embodiment, a structural example and a manufacturing method example of a light-emitting panel that can be used for the display panel included in the electronic device of one embodiment of the present invention will be described.
[具体例1]
図10(A)に発光パネルの平面図を示し、図10(A)における一点鎖線A1−A2間の断面図の一例を図10(C)に示す。具体例1で示す発光パネルは、カラーフィルタ方式を用いたトップエミッション型の発光パネルである。本実施の形態において、発光パネルは、例えば、R(赤)、G(緑)、B(青)の3色の副画素で1つの色を表現する構成や、R(赤)、G(緑)、B(青)、W(白)、またはR(赤)、G(緑)、B(青)、Y(黄)の4色の副画素で1つの色を表現する構成等が適用できる。色要素としては特に限定はなく、RGBW以外の色を用いてもよく、例えば、イエロー、シアン、マゼンタなどで構成されてもよい。
[Specific Example 1]
FIG. 10A is a plan view of the light-emitting panel, and FIG. 10C illustrates an example of a cross-sectional view taken along dashed-dotted line A1-A2 in FIG. The light-emitting panel shown in Example 1 is a top emission type light-emitting panel using a color filter method. In the present embodiment, the light-emitting panel includes, for example, a configuration in which one color is expressed by three subpixels of R (red), G (green), and B (blue), or R (red) and G (green). ), B (blue), W (white), or R (red), G (green), B (blue), Y (yellow) sub-pixels of one color can be applied. . The color element is not particularly limited, and colors other than RGBW may be used. For example, the color element may be composed of yellow, cyan, magenta, or the like.
図10(A)に示す発光パネルは、発光部804、駆動回路部806、FPC(Flexible Printed Circuit)808を有する。発光部804及び駆動回路部806に含まれる発光素子やトランジスタは基板801、基板803、及び封止層823によって封止されている。
A light-emitting panel illustrated in FIG. 10A includes a light-emitting
図10(C)に示す発光パネルは、基板801、接着層811、絶縁層813、複数のトランジスタ、導電層857、絶縁層815、絶縁層817、複数の発光素子、絶縁層821、封止層823、オーバーコート849、着色層845、遮光層847、絶縁層843、接着層841、及び基板803を有する。封止層823、オーバーコート849、絶縁層843、接着層841、及び基板803は可視光を透過する。
A light-emitting panel illustrated in FIG. 10C includes a
発光部804は、接着層811及び絶縁層813を介して基板801上にトランジスタ820及び発光素子830を有する。発光素子830は、絶縁層817上の下部電極831と、下部電極831上のEL層833と、EL層833上の上部電極835と、を有する。下部電極831は、トランジスタ820のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する。下部電極831の端部は、絶縁層821で覆われている。下部電極831は可視光を反射することが好ましい。上部電極835は可視光を透過する。
The light-emitting
また、発光部804は、発光素子830と重なる着色層845と、絶縁層821と重なる遮光層847と、を有する。着色層845及び遮光層847はオーバーコート849で覆われている。発光素子830とオーバーコート849の間は封止層823で充填されている。
In addition, the light-emitting
絶縁層815は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏する。また、絶縁層817は、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁層を選択することが好適である。
The insulating
駆動回路部806は、接着層811及び絶縁層813を介して基板801上にトランジスタを複数有する。図10(C)では、駆動回路部806が有するトランジスタのうち、1つのトランジスタを示している。
The
絶縁層813と基板801は接着層811によって貼り合わされている。また、絶縁層843と基板803は接着層841によって貼り合わされている。絶縁層813や絶縁層843に透水性の低い膜を用いると、発光素子830やトランジスタ820に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。
The insulating
導電層857は、駆動回路部806に外部からの信号(ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等)や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてFPC808を設ける例を示している。工程数の増加を防ぐため、導電層857は、発光部や駆動回路部に用いる電極や配線と同一の材料、同一の工程で作製することが好ましい。ここでは、導電層857を、トランジスタ820を構成する電極と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。
The
図10(C)に示す発光パネルでは、接続体825が基板803上に位置する。接続体825は、基板803、接着層841、絶縁層843、封止層823、絶縁層817、及び絶縁層815に設けられた開口を介して導電層857と接続している。また、接続体825はFPC808に接続している。接続体825を介してFPC808と導電層857は電気的に接続する。導電層857と基板803とが重なる場合には、基板803を開口する(又は開口部を有する基板を用いる)ことで、導電層857、接続体825、及びFPC808を電気的に接続させることができる。
In the light-emitting panel illustrated in FIG. 10C, the
具体例1では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層813やトランジスタ820、発光素子830を作製し、該作製基板を剥離し、接着層811を用いて基板801上に絶縁層813やトランジスタ820、発光素子830を転置することで作製できる発光パネルを示している。また、具体例1では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層843、着色層845及び遮光層847を作製し、該作製基板を剥離し、接着層841を用いて基板803上に絶縁層843、着色層845及び遮光層847を転置することで作製できる発光パネルを示している。
In Example 1, the insulating
基板に、耐熱性が低い材料(樹脂など)を用いる場合、作製工程で基板に高温をかけることが難しいため、該基板上にトランジスタや絶縁層を作製する条件に制限がある。また、基板に透水性が高い材料(樹脂など)を用いる場合、高温をかけて、透水性の低い膜を形成することが好ましい。本実施の形態の作製方法では、耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い膜を形成することができる。そして、それらを基板801や基板803へと転置することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実現できる。作製方法の詳細は後述する。
In the case where a material with low heat resistance (such as a resin) is used for the substrate, it is difficult to apply a high temperature to the substrate in a manufacturing process, and thus there are limitations on conditions for forming a transistor or an insulating layer over the substrate. In the case where a material with high water permeability (such as a resin) is used for the substrate, it is preferable to form a film with low water permeability by applying high temperature. In the manufacturing method of this embodiment, a transistor or the like can be manufactured over a manufacturing substrate with high heat resistance; therefore, a highly reliable transistor or a film with sufficiently low water permeability can be formed by applying high temperature. Then, by transferring them to the
なお、上述した発光素子830と同一工程で作製した発光素子を非表示部に設けることにより、実施の形態1で例示した発光素子22として用いることができる。
Note that a light-emitting element manufactured in the same process as the light-emitting
[具体例2]
図10(B)に発光パネルの平面図を示し、図10(B)における一点鎖線A3−A4間の断面図の一例を図10(D)に示す。具体例2で示す発光パネルは、具体例1とは異なる、カラーフィルタ方式を用いたトップエミッション型の発光パネルである。ここでは、具体例1と異なる点のみ詳述し、具体例1と共通する点は説明を省略する。
[Specific Example 2]
FIG. 10B is a plan view of the light-emitting panel, and FIG. 10D illustrates an example of a cross-sectional view taken along dashed-dotted line A3-A4 in FIG. The light emitting panel shown in specific example 2 is a top emission type light emitting panel using a color filter method, which is different from the specific example 1. Here, only the points different from the specific example 1 will be described in detail, and the description of the points common to the specific example 1 will be omitted.
図10(D)に示す発光パネルは、図10(C)に示す発光パネルと下記の点で異なる。 The light-emitting panel illustrated in FIG. 10D is different from the light-emitting panel illustrated in FIG.
図10(D)に示す発光パネルは、絶縁層821上にスペーサ827を有する。スペーサ827を設けることで、基板801と基板803の間隔を調整することができる。
The light-emitting panel illustrated in FIG. 10D includes a
また、図10(D)に示す発光パネルは、基板801と基板803の大きさが異なる。接続体825が絶縁層843上に位置し、基板803と重ならない。接続体825は、絶縁層843、封止層823、絶縁層817、及び絶縁層815に設けられた開口を介して導電層857と接続している。基板803に開口を設ける必要がないため、基板803の材料が制限されない。
In the light-emitting panel illustrated in FIG. 10D, the sizes of the
なお、上述した発光素子830と同一工程で作製した発光素子を非表示部に設けることにより、実施の形態1で例示した発光素子22として用いることができる。
Note that a light-emitting element manufactured in the same process as the light-emitting
[具体例3]
図11(A)に発光パネルの平面図を示し、図11(A)における一点鎖線A5−A6間の断面図の一例を図11(C)に示す。具体例3で示す発光パネルは、塗り分け方式を用いたトップエミッション型の発光パネルである。
[Specific Example 3]
FIG. 11A is a plan view of the light-emitting panel, and FIG. 11C illustrates an example of a cross-sectional view taken along dashed-dotted line A5-A6 in FIG. The light-emitting panel shown in the third specific example is a top emission type light-emitting panel using a painting method.
図11(A)に示す発光パネルは、発光部804、駆動回路部806、FPC808を有する。発光部804及び駆動回路部806に含まれる発光素子やトランジスタは基板801、基板803、枠状の封止層824、及び封止層823によって封止されている。
A light-emitting panel illustrated in FIG. 11A includes a light-emitting
図11(C)に示す発光パネルは、基板801、接着層811、絶縁層813、複数のトランジスタ、導電層857、絶縁層815、絶縁層817、複数の発光素子、絶縁層821、封止層823、枠状の封止層824、及び基板803を有する。封止層823及び基板803は可視光を透過する。
A light-emitting panel illustrated in FIG. 11C includes a
枠状の封止層824は、封止層823よりもガスバリア性が高い層であることが好ましい。これにより、外部から水分や酸素が発光パネルに侵入することを抑制できる。したがって、信頼性の高い発光パネルを実現することができる。
The frame-shaped
具体例3では、封止層823を介して発光素子830の発光が発光パネルから取り出される。したがって、封止層823は、枠状の封止層824に比べて透光性が高いことが好ましい。また、封止層823は、枠状の封止層824に比べて屈折率が高いことが好ましい。また、封止層823は、枠状の封止層824に比べて硬化時の体積の収縮が小さいことが好ましい。
In Specific Example 3, light emitted from the light-emitting
発光部804は、接着層811及び絶縁層813を介して基板801上にトランジスタ820及び発光素子830を有する。発光素子830は、絶縁層817上の下部電極831と、下部電極831上のEL層833と、EL層833上の上部電極835と、を有する。下部電極831は、トランジスタ820のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する。下部電極831の端部は、絶縁層821で覆われている。下部電極831は可視光を反射することが好ましい。上部電極835は可視光を透過する。
The light-emitting
駆動回路部806は、接着層811及び絶縁層813を介して基板801上にトランジスタを複数有する。図11(C)では、駆動回路部806が有するトランジスタのうち、1つのトランジスタを示している。
The
絶縁層813と基板801は接着層811によって貼り合わされている。絶縁層813に透水性の低い膜を用いると、発光素子830やトランジスタ820に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。
The insulating
導電層857は、駆動回路部806に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてFPC808を設ける例を示している。また、ここでは、導電層857を、トランジスタ820を構成する電極と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。
The
図11(C)に示す発光パネルでは、接続体825が基板803上に位置する。接続体825は、基板803、封止層823、絶縁層817、及び絶縁層815に設けられた開口を介して導電層857と接続している。また、接続体825はFPC808に接続している。接続体825を介してFPC808と導電層857は電気的に接続する。
In the light-emitting panel illustrated in FIG. 11C, the
具体例3では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層813やトランジスタ820、発光素子830を作製し、該作製基板を剥離し、接着層811を用いて基板801上に絶縁層813やトランジスタ820、発光素子830を転置することで作製できる発光パネルを示している。耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い膜を形成することができる。そして、それらを基板801へと転置することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実現できる。
In Example 3, the insulating
なお、上述した発光素子830と同一工程で作製した発光素子を非表示部に設けることにより、実施の形態1で例示した発光素子22として用いることができる。
Note that a light-emitting element manufactured in the same process as the light-emitting
[具体例4]
図11(B)に発光パネルの平面図を示し、図11(B)における一点鎖線A7−A8間の断面図の一例を図11(D)に示す。具体例4で示す発光パネルは、カラーフィルタ方式を用いたボトムエミッション型の発光パネルである。
[Specific Example 4]
FIG. 11B is a plan view of the light-emitting panel, and FIG. 11D illustrates an example of a cross-sectional view taken along dashed-dotted line A7-A8 in FIG. The light-emitting panel shown in Example 4 is a bottom emission type light-emitting panel using a color filter method.
図11(D)に示す発光パネルは、基板801、接着層811、絶縁層813、複数のトランジスタ、導電層857、絶縁層815、着色層845、絶縁層817a、絶縁層817b、導電層816、複数の発光素子、絶縁層821、封止層823、及び基板803を有する。基板801、接着層811、絶縁層813、絶縁層815、絶縁層817a、及び絶縁層817bは可視光を透過する。
A light-emitting panel illustrated in FIG. 11D includes a
発光部804は、接着層811及び絶縁層813を介して基板801上にトランジスタ820、トランジスタ822、及び発光素子830を有する。発光素子830は、絶縁層817上の下部電極831と、下部電極831上のEL層833と、EL層833上の上部電極835と、を有する。下部電極831は、トランジスタ820のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する。下部電極831の端部は、絶縁層821で覆われている。上部電極835は可視光を反射することが好ましい。下部電極831は可視光を透過する。発光素子830と重なる着色層845を設ける位置は、特に限定されず、例えば、絶縁層817aと絶縁層817bの間や、絶縁層815と絶縁層817aの間等に設ければよい。
The light-emitting
駆動回路部806は、接着層811及び絶縁層813を介して基板801上にトランジスタを複数有する。図11(C)では、駆動回路部806が有するトランジスタのうち、2つのトランジスタを示している。
The
絶縁層813と基板801は接着層811によって貼り合わされている。絶縁層813に透水性の低い膜を用いると、発光素子830やトランジスタ820、822に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。
The insulating
導電層857は、駆動回路部806に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてFPC808を設ける例を示している。また、ここでは、導電層857を、導電層816と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。
The
具体例4では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層813やトランジスタ820、発光素子830等を作製し、該作製基板を剥離し、接着層811を用いて基板801上に絶縁層813やトランジスタ820、発光素子830等を転置することで作製できる発光パネルを示している。耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い膜を形成することができる。そして、それらを基板801へと転置することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実現できる。
In Example 4, the insulating
なお、上述した発光素子830と同一工程で作製した発光素子を非表示部に設けることにより、実施の形態1で例示した発光素子22として用いることができる。
Note that a light-emitting element manufactured in the same process as the light-emitting
[具体例5]
図11(E)に具体例1〜4とは異なる発光パネルの例を示す。
[Specific Example 5]
FIG. 11E illustrates an example of a light-emitting panel different from the specific examples 1 to 4.
図11(E)に示す発光パネルは、基板801、接着層811、絶縁層813、導電層814、導電層857a、導電層857b、発光素子830、絶縁層821、封止層823、及び基板803を有する。
A light-emitting panel illustrated in FIG. 11E includes a
導電層857a及び導電層857bは、発光パネルの外部接続電極としての機能を有し、FPC等と電気的に接続させることができる。
The
発光素子830は、下部電極831、EL層833、及び上部電極835を有する。下部電極831の端部は、絶縁層821で覆われている。発光素子830はボトムエミッション型、トップエミッション型、又はデュアルエミッション型である。光を取り出す側の電極、基板、絶縁層等は、それぞれ可視光を透過する。導電層814は、下部電極831と電気的に接続する。
The light-emitting
光を取り出す側の基板は、光取り出し構造として、半球レンズ、マイクロレンズアレイ、凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を有していてもよい。例えば、樹脂基板上に上記レンズやフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有する接着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を形成することができる。 The substrate on the light extraction side may have a hemispherical lens, a microlens array, a film with a concavo-convex structure, a light diffusion film, or the like as the light extraction structure. For example, the light extraction structure can be formed by adhering the lens or film on a resin substrate using an adhesive having a refractive index comparable to that of the substrate or the lens or film.
導電層814は必ずしも設ける必要は無いが、下部電極831の抵抗に起因する電圧降下を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極835と電気的に接続する導電層を絶縁層821上、EL層833上、又は上部電極835上などに設けてもよい。
The
導電層814は、銅、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする合金材料等を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層814の膜厚は、例えば、0.1μm以上3μm以下とすることができ、好ましくは、0.1μm以上0.5μm以下である。
The
上部電極835と電気的に接続する導電層の材料にペースト(銀ペーストなど)を用いると、該導電層を構成する金属が粒状になって凝集する。そのため、該導電層の表面が粗く隙間の多い構成となり、EL層833が該導電層を完全に覆うことが難しく、上部電極と該導電層との電気的な接続をとることが容易になり好ましい。
When a paste (silver paste or the like) is used as a material for the conductive layer electrically connected to the
具体例5では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層813や発光素子830等を作製し、該作製基板を剥離し、接着層811を用いて基板801上に絶縁層813や発光素子830等を転置することで作製できる発光パネルを示している。耐熱性の高い作製基板上で、高温をかけて、十分に透水性の低い膜を形成し、基板801へと転置することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実現できる。
In Example 5, the insulating
なお、ここでは、表示素子として、発光素子を用いた場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。 Note that here, an example in which a light-emitting element is used as a display element is described; however, one embodiment of the present invention is not limited thereto.
例えば、本明細書等において、表示素子、表示素子を有する装置である表示装置または表示パネル、発光素子、及び発光素子を有する装置である発光装置は、様々な形態を用いること、又は様々な素子を有することができる。表示素子、表示装置、表示パネル、発光素子又は発光装置の一例としては、EL(エレクトロルミネッセンス)素子(有機物及び無機物を含むEL素子、有機EL素子、無機EL素子)、LED(白色LED、赤色LED、緑色LED、青色LEDなど)、トランジスタ(電流に応じて発光するトランジスタ)、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ(GLV)、プラズマディスプレイ(PDP)、MEMS(マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム)を用いた表示素子、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、DMS(デジタル・マイクロ・シャッター)、MIRASOL(登録商標)、IMOD(インターフェアレンス・モジュレーション)素子、シャッター方式のMEMS表示素子、光干渉方式のMEMS表示素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブ、など、電気磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を有するものがある。EL素子を用いた表示装置の一例としては、ELディスプレイなどがある。電子放出素子を用いた表示装置の一例としては、フィールドエミッションディスプレイ(FED)又はSED方式平面型ディスプレイ(SED:Surface−conduction Electron−emitter Disply)などがある。液晶素子を用いた表示装置の一例としては、液晶ディスプレイ(透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ)などがある。電子インク、電子粉流体、又は電気泳動素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパなどがある。なお、半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下に、SRAMなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電力を低減することができる。 For example, in this specification and the like, a display element, a display device or a display panel including a display element, a light-emitting element, and a light-emitting device including a light-emitting element use various forms or various elements Can have. As an example of a display element, a display device, a display panel, a light emitting element, or a light emitting device, an EL (electroluminescence) element (an EL element including an organic substance and an inorganic substance, an organic EL element, an inorganic EL element), an LED (white LED, red LED) , Green LED, blue LED, etc.), transistor (transistor that emits light in response to current), electron-emitting device, liquid crystal device, electronic ink, electrophoretic device, grating light valve (GLV), plasma display (PDP), MEMS (micro) Display elements using electro-mechanical systems, digital micromirror devices (DMD), DMS (digital micro shutters), MIRASOL (registered trademark), IMOD (interference modulation) elements, shutter-type MEMS table Some devices, such as optical interference MEMS display devices, electrowetting devices, piezoelectric ceramic displays, and carbon nanotubes, have display media whose contrast, brightness, reflectance, transmittance, and the like change due to electromagnetic action. . An example of a display device using an EL element is an EL display. As an example of a display device using an electron-emitting device, there is a field emission display (FED), a SED type flat display (SED: Surface-conduction Electron-emitter Display), or the like. As an example of a display device using a liquid crystal element, there is a liquid crystal display (a transmissive liquid crystal display, a transflective liquid crystal display, a reflective liquid crystal display, a direct view liquid crystal display, a projection liquid crystal display) and the like. An example of a display device using electronic ink, electronic powder fluid, or an electrophoretic element is electronic paper. Note that in the case of realizing a transflective liquid crystal display or a reflective liquid crystal display, part or all of the pixel electrode may have a function as a reflective electrode. For example, part or all of the pixel electrode may have aluminum, silver, or the like. Further, in that case, a memory circuit such as an SRAM can be provided under the reflective electrode. Thereby, power consumption can be further reduced.
なお、上述した発光素子830と同一工程で作製した発光素子を非表示部に設けることにより、実施の形態1で例示した発光素子22として用いることができる。
Note that a light-emitting element manufactured in the same process as the light-emitting
[材料の一例]
次に、発光パネルに用いることができる材料等を説明する。なお、本明細書中で先に説明した構成については説明を省略する場合がある。
[Example of material]
Next, materials that can be used for the light-emitting panel will be described. In addition, description may be abbreviate | omitted about the structure demonstrated previously in this specification.
基板には、ガラス、石英、有機樹脂、金属、合金などの材料を用いることができる。発光素子からの光を取り出す側の基板は、該光に対する透光性を有する材料を用いる。 For the substrate, materials such as glass, quartz, organic resin, metal, and alloy can be used. The substrate on the side from which light from the light-emitting element is extracted is formed using a material that transmits light.
特に、可撓性基板を用いることが好ましい。例えば、有機樹脂や可撓性を有する程度の厚さのガラス、金属、合金を用いることができる。 In particular, it is preferable to use a flexible substrate. For example, organic resin or flexible glass, metal, or alloy can be used.
ガラスに比べて有機樹脂は比重が小さいため、可撓性基板として有機樹脂を用いると、ガラスを用いる場合に比べて発光パネルを軽量化でき、好ましい。 Since the specific gravity of an organic resin is smaller than that of glass, it is preferable to use an organic resin as the flexible substrate because the light-emitting panel can be reduced in weight compared to the case of using glass.
基板には、靱性が高い材料を用いることが好ましい。これにより、耐衝撃性に優れ、破損しにくい発光パネルを実現できる。例えば、有機樹脂基板や、厚さの薄い金属基板もしくは合金基板を用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しにくい発光パネルを実現できる。 It is preferable to use a material having high toughness for the substrate. Thereby, it is possible to realize a light-emitting panel that is excellent in impact resistance and is not easily damaged. For example, by using an organic resin substrate, a thin metal substrate, or an alloy substrate, it is possible to realize a light-emitting panel that is lighter and less likely to be damaged than a glass substrate.
金属材料や合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、発光パネルの局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料や合金材料を用いた基板の厚さは、10μm以上200μm以下が好ましく、20μm以上50μm以下であることがより好ましい。 Metal materials and alloy materials are preferable because they have high thermal conductivity and can easily conduct heat to the entire substrate, which can suppress a local temperature increase of the light-emitting panel. The thickness of the substrate using a metal material or an alloy material is preferably 10 μm to 200 μm, and more preferably 20 μm to 50 μm.
金属基板や合金基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、鉄、チタン、ニッケル等の金属、またはこれら金属から選ばれた一以上の金属を含む合金を用いることができる。合金としては、例えば、アルミニウム合金もしくはステンレス等を好適に用いることができる。 The material constituting the metal substrate or the alloy substrate is not particularly limited. For example, a metal such as aluminum, copper, iron, titanium, nickel, or an alloy containing one or more metals selected from these metals is used. Can do. As the alloy, for example, an aluminum alloy or stainless steel can be suitably used.
また、基板に、熱放射率が高い材料を用いると発光パネルの表面温度が高くなることを抑制でき、発光パネルの破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、基板を金属基板と熱放射率の高い層(例えば、金属酸化物やセラミック材料を用いることができる)の積層構造としてもよい。 In addition, when a material having a high thermal emissivity is used for the substrate, the surface temperature of the light-emitting panel can be suppressed from being increased, and the light-emitting panel can be prevented from being broken or reduced in reliability. For example, the substrate may have a stacked structure of a metal substrate and a layer having a high thermal emissivity (for example, a metal oxide or a ceramic material can be used).
可撓性及び透光性を有する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート(PC)樹脂、ポリエーテルスルホン(PES)樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張率の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、PET等を好適に用いることができる。また、繊維体に樹脂を含浸した基板(プリプレグともいう)や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張率を下げた基板を使用することもできる。 Examples of the material having flexibility and translucency include, for example, polyester resins such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyacrylonitrile resin, polyimide resin, polymethyl methacrylate resin, polycarbonate (PC) resin, Examples include polyethersulfone (PES) resin, polyamide resin, cycloolefin resin, polystyrene resin, polyamideimide resin, and polyvinyl chloride resin. In particular, it is preferable to use a material having a low coefficient of thermal expansion. For example, a polyamideimide resin, a polyimide resin, PET, or the like can be suitably used. In addition, a substrate in which a fibrous body is impregnated with a resin (also referred to as a prepreg) or a substrate in which an inorganic filler is mixed with an organic resin to reduce the thermal expansion coefficient can be used.
可撓性基板としては、上記材料を用いた層が、装置の表面を傷などから保護するハードコート層(例えば、窒化シリコン層など)や、押圧を分散可能な材質の層(例えば、アラミド樹脂層など)等と積層されて構成されていてもよい。 As a flexible substrate, a layer using the above material is a hard coat layer (for example, a silicon nitride layer) that protects the surface of the device from scratches, or a layer of a material that can disperse the pressure (for example, an aramid resin). Layer etc.) may be laminated.
可撓性基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成とすると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い発光パネルとすることができる。 The flexible substrate can be used by stacking a plurality of layers. In particular, when the glass layer is used, the barrier property against water and oxygen can be improved and a highly reliable light-emitting panel can be obtained.
例えば、発光素子に近い側からガラス層、接着層、及び有機樹脂層を積層した可撓性基板を用いることができる。当該ガラス層の厚さとしては20μm以上200μm以下、好ましくは25μm以上100μm以下とする。このような厚さのガラス層は、水や酸素に対する高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さとしては、10μm以上200μm以下、好ましくは20μm以上50μm以下とする。このような有機樹脂層をガラス層よりも外側に設けることにより、ガラス層の割れやクラックを抑制し、機械的強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料を基板に適用することにより、極めて信頼性が高いフレキシブルな発光パネルとすることができる。 For example, a flexible substrate in which a glass layer, an adhesive layer, and an organic resin layer are stacked from the side close to the light-emitting element can be used. The thickness of the glass layer is 20 μm or more and 200 μm or less, preferably 25 μm or more and 100 μm or less. The glass layer having such a thickness can simultaneously realize a high barrier property and flexibility against water and oxygen. The thickness of the organic resin layer is 10 μm or more and 200 μm or less, preferably 20 μm or more and 50 μm or less. By providing such an organic resin layer outside the glass layer, it is possible to suppress breakage and cracking of the glass layer and improve mechanical strength. By applying such a composite material of a glass material and an organic resin to a substrate, a highly reliable flexible light-emitting panel can be obtained.
接着層や封止層には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。 For the adhesive layer and the sealing layer, various curable adhesives such as a UV curable adhesive, a reactive curable adhesive, a thermosetting adhesive, and an anaerobic adhesive can be used. Examples of these adhesives include epoxy resins, acrylic resins, silicone resins, phenol resins, polyimide resins, imide resins, PVC (polyvinyl chloride) resins, PVB (polyvinyl butyral) resins, EVA (ethylene vinyl acetate) resins, and the like. In particular, a material with low moisture permeability such as an epoxy resin is preferable. Alternatively, a two-component mixed resin may be used. Further, an adhesive sheet or the like may be used.
また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物(酸化カルシウムや酸化バリウム等)のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が機能素子に侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が向上するため好ましい。 Further, the resin may contain a desiccant. For example, a substance that adsorbs moisture by chemical adsorption, such as an alkaline earth metal oxide (such as calcium oxide or barium oxide), can be used. Alternatively, a substance that adsorbs moisture by physical adsorption, such as zeolite or silica gel, may be used. The inclusion of a desiccant is preferable because impurities such as moisture can be prevented from entering the functional element and the reliability of the light-emitting panel is improved.
また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、発光素子からの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト、ジルコニウム等を用いることができる。 Moreover, the light extraction efficiency from a light emitting element can be improved by mixing the said resin with a filler with a high refractive index, or a light-scattering member. For example, titanium oxide, barium oxide, zeolite, zirconium, or the like can be used.
発光パネルが有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム、炭化シリコン、窒化ガリウム等が挙げられる。または、In−Ga−Zn系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。 There is no particular limitation on the structure of the transistor included in the light-emitting panel. For example, a staggered transistor or an inverted staggered transistor may be used. Further, a top-gate or bottom-gate transistor structure may be employed. A semiconductor material used for the transistor is not particularly limited, and examples thereof include silicon, germanium, silicon carbide, and gallium nitride. Alternatively, an oxide semiconductor containing at least one of indium, gallium, and zinc, such as an In—Ga—Zn-based metal oxide, may be used.
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体)のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。 There is no particular limitation on the crystallinity of a semiconductor material used for the transistor, and any of an amorphous semiconductor and a semiconductor having crystallinity (a microcrystalline semiconductor, a polycrystalline semiconductor, a single crystal semiconductor, or a semiconductor partially including a crystal region) is used. May be used. It is preferable to use a crystalline semiconductor because deterioration of transistor characteristics can be suppressed.
ここで、画素や、駆動回路、また後述するタッチセンサ等に用いられるトランジスタなどの半導体装置には、酸化物半導体を適用することが好ましい。特にシリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好ましい。シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。 Here, it is preferable to use an oxide semiconductor for a semiconductor device such as a transistor used in a pixel, a driver circuit, a touch sensor described later, or the like. In particular, an oxide semiconductor having a larger band gap than silicon is preferably used. It is preferable to use a semiconductor material with a wider band gap and lower carrier density than silicon because current in an off state of the transistor can be reduced.
例えば、上記酸化物半導体として、少なくとも少なくともインジウム(In)もしくは亜鉛(Zn)を含むことが好ましい。より好ましくは、In−M−Zn系酸化物(MはAl、Ti、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、CeまたはHf等の金属)で表記される酸化物を含む。 For example, the oxide semiconductor preferably contains at least indium (In) or zinc (Zn). More preferably, an oxide represented by an In-M-Zn-based oxide (M is a metal such as Al, Ti, Ga, Ge, Y, Zr, Sn, La, Ce, or Hf) is included.
特に、半導体層として、複数の結晶部を有し、当該結晶部はc軸が半導体層の被形成面、または半導体層の上面に対し垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界を有さない酸化物半導体膜を用いることが好ましい。 In particular, the semiconductor layer has a plurality of crystal parts, and the crystal part has a c-axis oriented perpendicular to the formation surface of the semiconductor layer or the top surface of the semiconductor layer, and a grain boundary between adjacent crystal parts. It is preferable to use an oxide semiconductor film which does not contain any oxide.
このような酸化物半導体は、結晶粒界を有さないために表示パネルを湾曲させたときの応力によって酸化物半導体膜にクラックが生じてしまうことが抑制される。したがって、可撓性を有し、湾曲させて用いる表示パネルなどに、このような酸化物半導体を好適に用いることができる。 Since such an oxide semiconductor does not have a crystal grain boundary, a crack in the oxide semiconductor film due to stress when the display panel is bent is suppressed. Therefore, such an oxide semiconductor can be favorably used for a display panel which is flexible and curved.
半導体層としてこのような材料を用いることで、電気特性の変動が抑制され、信頼性の高いトランジスタを実現できる。 By using such a material for the semiconductor layer, a change in electrical characteristics is suppressed and a highly reliable transistor can be realized.
また、その低いオフ電流により、トランジスタを介して容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各表示領域に表示した画像の諧調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。その結果、極めて消費電力の低減された電子機器を実現できる。 In addition, due to the low off-state current, the charge accumulated in the capacitor through the transistor can be held for a long time. By applying such a transistor to a pixel, the driving circuit can be stopped while maintaining the gradation of an image displayed in each display region. As a result, an electronic device with extremely low power consumption can be realized.
トランジスタの特性安定化等のため、下地膜を設けることが好ましい。下地膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法(プラズマCVD法、熱CVD法、MOCVD(Metal Organic CVD)法など)、ALD(Atomic Layer Deposition)法、塗布法、印刷法等を用いて形成できる。なお、下地膜は、必要で無ければ設けなくてもよい。上記各構成例では、絶縁層813がトランジスタの下地膜を兼ねることができる。
In order to stabilize the characteristics of the transistor, it is preferable to provide a base film. As the base film, an inorganic insulating film such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a silicon nitride oxide film can be used, which can be formed as a single layer or a stacked layer. The base film is formed by sputtering, CVD (Chemical Vapor Deposition) (plasma CVD, thermal CVD, MOCVD (Metal Organic CVD), etc.), ALD (Atomic Layer Deposition), coating, printing, etc. it can. Note that the base film is not necessarily provided if not necessary. In each of the above structural examples, the insulating
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード(LED)、有機EL素子、無機EL素子等を用いることができる。 As the light-emitting element, an element capable of self-emission can be used, and an element whose luminance is controlled by current or voltage is included in its category. For example, a light emitting diode (LED), an organic EL element, an inorganic EL element, or the like can be used.
発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。 The light emitting element may be any of a top emission type, a bottom emission type, and a dual emission type. A conductive film that transmits visible light is used for the electrode from which light is extracted. In addition, a conductive film that reflects visible light is preferably used for the electrode from which light is not extracted.
可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物(ITO:Indium Tin Oxide)、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とITOの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。 The conductive film that transmits visible light can be formed using, for example, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide, zinc oxide, zinc oxide to which gallium is added, or the like. In addition, a metal material such as gold, silver, platinum, magnesium, nickel, tungsten, chromium, molybdenum, iron, cobalt, copper, palladium, or titanium, an alloy including these metal materials, or a nitride of these metal materials (for example, Titanium nitride) can also be used by forming it thin enough to have translucency. In addition, a stacked film of the above materials can be used as a conductive layer. For example, it is preferable to use a laminated film of silver and magnesium alloy and ITO because the conductivity can be increased. Further, graphene or the like may be used.
可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミニウムを含む合金(アルミニウム合金)や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とITOの積層膜、銀とマグネシウムの合金とITOの積層膜などを用いることができる。 For the conductive film that reflects visible light, for example, a metal material such as aluminum, gold, platinum, silver, nickel, tungsten, chromium, molybdenum, iron, cobalt, copper, or palladium, or an alloy including these metal materials is used. Can do. In addition, lanthanum, neodymium, germanium, or the like may be added to the metal material or alloy. Also, alloys containing aluminum (aluminum alloys) such as aluminum and titanium alloys, aluminum and nickel alloys, aluminum and neodymium alloys, silver and copper alloys, silver and palladium and copper alloys, and silver and magnesium alloys It can form using the alloy containing silver, such as. An alloy containing silver and copper is preferable because of its high heat resistance. Furthermore, the oxidation of the aluminum alloy film can be suppressed by stacking the metal film or the metal oxide film in contact with the aluminum alloy film. Examples of the material for the metal film and metal oxide film include titanium and titanium oxide. Alternatively, the conductive film that transmits visible light and a film made of a metal material may be stacked. For example, a laminated film of silver and ITO, a laminated film of an alloy of silver and magnesium and ITO, or the like can be used.
電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、インクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成することができる。 The electrodes may be formed using a vapor deposition method or a sputtering method, respectively. In addition, it can be formed using a discharge method such as an inkjet method, a printing method such as a screen printing method, or a plating method.
下部電極831及び上部電極835の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、EL層833に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はEL層833において再結合し、EL層833に含まれる発光物質が発光する。
When a voltage higher than the threshold voltage of the light-emitting element is applied between the
EL層833は少なくとも発光層を有する。EL層833は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質(電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質)等を含む層をさらに有していてもよい。
The
EL層833には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。EL層833を構成する層は、それぞれ、蒸着法(真空蒸着法を含む)、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
For the
発光素子830として、白色発光の発光素子を適用する場合には、EL層833に2種類以上の発光物質を含む構成とすることが好ましい。例えば2以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるように、発光物質を選択することにより白色発光を得ることができる。例えば、それぞれR(赤)、G(緑)、B(青)、Y(黄)、O(橙)等の発光を示す発光物質、またはR、G、Bのうち2以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光物質のうち、2以上を含むことが好ましい。また、発光素子830からの発光のスペクトルが、可視光領域の波長(例えば350nm〜750nm)の範囲内に2以上のピークを有する発光素子を適用することが好ましい。また、黄色の波長領域にピークを有する材料の発光スペクトルは、緑色及び赤色の波長領域にもスペクトル成分を有する材料であることが好ましい。
In the case where a white light-emitting element is used as the light-emitting
より好ましくは、EL層833は、一の色を発光する発光材料を含む発光層と、他の色を発光する発光材料を含む発光層とが積層された構成とすることが好ましい。例えば、EL層833における複数の発光層は、互いに接して積層されていてもよいし、分離層を介して積層されていてもよい。例えば、蛍光発光層と燐光発光層との間に分離層を設ける構成としてもよい。
More preferably, the
分離層は、例えば燐光発光層中で生成する燐光材料等の励起状態から蛍光発光層中の蛍光材料等へのデクスター機構によるエネルギー移動(特に三重項エネルギー移動)を防ぐために設けることができる。分離層は数nm程度の厚さがあればよい。具体的には、0.1nm以上20nm以下、あるいは1nm以上10nm以下、あるいは1nm以上5nm以下である。分離層は、単一の材料(好ましくはバイポーラ性の物質)、又は複数の材料(好ましくは正孔輸送性材料及び電子輸送性材料)を含む。 The separation layer can be provided, for example, in order to prevent energy transfer (particularly triplet energy transfer) by a Dexter mechanism from an excited state of the phosphorescent material generated in the phosphorescent light emitting layer to the fluorescent material in the fluorescent light emitting layer. The separation layer may have a thickness of about several nm. Specifically, the thickness is 0.1 nm to 20 nm, or 1 nm to 10 nm, or 1 nm to 5 nm. The separation layer includes a single material (preferably a bipolar substance) or a plurality of materials (preferably a hole transport material and an electron transport material).
分離層は、該分離層と接する発光層に含まれる材料を用いて形成してもよい。これにより、発光素子の作製が容易になり、また、駆動電圧が低減される。例えば、燐光発光層が、ホスト材料、アシスト材料、及び燐光材料(ゲスト材料)からなる場合、分離層を、該ホスト材料及びアシスト材料で形成してもよい。上記構成を別言すると、分離層は、燐光材料を含まない領域を有し、燐光発光層は、燐光材料を含む領域を有する。これにより、分離層と燐光発光層とを燐光材料の有無で蒸着することが可能となる。また、このような構成とすることで、分離層と燐光発光層を同じチャンバーで成膜することが可能となる。これにより、製造コストを削減することができる。 The separation layer may be formed using a material included in the light emitting layer in contact with the separation layer. This facilitates the production of the light emitting element and reduces the driving voltage. For example, when the phosphorescent light-emitting layer is formed of a host material, an assist material, and a phosphorescent material (guest material), the separation layer may be formed using the host material and the assist material. In other words, the separation layer has a region not containing a phosphorescent material, and the phosphorescent light-emitting layer has a region containing a phosphorescent material. Thereby, the separation layer and the phosphorescent light emitting layer can be deposited with or without the phosphorescent material. Further, with such a structure, the separation layer and the phosphorescent light emitting layer can be formed in the same chamber. Thereby, manufacturing cost can be reduced.
また、発光素子830は、EL層を1つ有するシングル素子であってもよいし、複数のEL層が電荷発生層を介して積層されたタンデム素子であってもよい。
The light-emitting
発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられていることが好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性の低下を抑制できる。 The light-emitting element is preferably provided between a pair of insulating films with low water permeability. Thereby, impurities such as water can be prevented from entering the light emitting element, and a decrease in reliability of the light emitting device can be suppressed.
透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。 Examples of the low water-permeable insulating film include a film containing nitrogen and silicon such as a silicon nitride film and a silicon oxynitride film, and a film containing nitrogen and aluminum such as an aluminum nitride film. Alternatively, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, an aluminum oxide film, or the like may be used.
例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、1×10−5[g/m2・day]以下、好ましくは1×10−6[g/m2・day]以下、より好ましくは1×10−7[g/m2・day]以下、さらに好ましくは1×10−8[g/m2・day]以下とする。 For example, the water vapor transmission rate of an insulating film having low water permeability is 1 × 10 −5 [g / m 2 · day] or less, preferably 1 × 10 −6 [g / m 2 · day] or less, more preferably 1 × 10 −7 [g / m 2 · day] or less, more preferably 1 × 10 −8 [g / m 2 · day] or less.
透水性の低い絶縁膜を、絶縁層813や絶縁層843に用いることが好ましい。
An insulating film with low water permeability is preferably used for the insulating
絶縁層815としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層817、絶縁層817a、及び絶縁層817bとしては、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料をそれぞれ用いることができる。また、低誘電率材料(low−k材料)等を用いることができる。また、絶縁膜を複数積層させることで、各絶縁層を形成してもよい。
As the insulating
絶縁層821としては、有機絶縁材料又は無機絶縁材料を用いて形成する。樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に感光性の樹脂材料を用い、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
The insulating
絶縁層821の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、蒸着法、液滴吐出法(インクジェット法等)、印刷法(スクリーン印刷、オフセット印刷等)等を用いればよい。
A method for forming the insulating
スペーサ827は、無機絶縁材料、有機絶縁材料、金属材料等を用いて形成することができる。例えば、無機絶縁材料や有機絶縁材料としては、上記絶縁層に用いることができる各種材料が挙げられる。金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いることができる。導電材料を含むスペーサ827と上部電極835とを電気的に接続させる構成とすることで、上部電極835の抵抗に起因した電位降下を抑制できる。また、スペーサ827は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。
The
トランジスタの電極や配線、又は発光素子の補助電極等として機能する、発光パネルに用いる導電層は、例えば、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、導電層は、導電性の金属酸化物を用いて形成してもよい。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム(In2O3等)、酸化スズ(SnO2等)、酸化亜鉛(ZnO)、ITO、インジウム亜鉛酸化物(In2O3−ZnO等)又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。 A conductive layer used for a light-emitting panel that functions as an electrode or a wiring of a transistor, an auxiliary electrode of a light-emitting element, or the like is, for example, a metal material such as molybdenum, titanium, chromium, tantalum, tungsten, aluminum, copper, neodymium, or scandium. An alloy material containing any of the above elements can be used to form a single layer or a stacked layer. The conductive layer may be formed using a conductive metal oxide. Examples of the conductive metal oxide include indium oxide (In 2 O 3 etc.), tin oxide (SnO 2 etc.), zinc oxide (ZnO), ITO, indium zinc oxide (In 2 O 3 —ZnO etc.) or these A metal oxide material containing silicon oxide can be used.
着色層は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の光を透過する赤色(R)のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色(G)のカラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色(B)のカラーフィルタなどを用いることができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。 The colored layer is a colored layer that transmits light in a specific wavelength band. For example, a red (R) color filter that transmits light in the red wavelength band, a green (G) color filter that transmits light in the green wavelength band, and a blue (B) that transmits light in the blue wavelength band A color filter or the like can be used. Each colored layer is formed at a desired position using a variety of materials by a printing method, an inkjet method, an etching method using a photolithography method, or the like.
遮光層は、隣接する着色層の間に設けられている。遮光層は隣接する発光素子からの光を遮光し、隣接する発光素子間における混色を抑制する。ここで、着色層の端部を、遮光層と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層としては、発光素子からの発光を遮る材料を用いることができ、例えば、金属材料や顔料や染料を含む樹脂材料を用いてブラックマトリクスを形成すればよい。なお、遮光層は、駆動回路部などの発光部以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。 The light shielding layer is provided between the adjacent colored layers. The light shielding layer shields light from adjacent light emitting elements and suppresses color mixing between adjacent light emitting elements. Here, light leakage can be suppressed by providing the end portion of the colored layer so as to overlap the light shielding layer. For the light-blocking layer, a material that blocks light emitted from the light-emitting element can be used. For example, a black matrix may be formed using a metal material, a resin material containing a pigment, or a dye. Note that the light shielding layer is preferably provided in a region other than the light emitting portion such as the drive circuit portion because unintended light leakage due to guided light or the like can be suppressed.
また、着色層及び遮光層を覆うオーバーコートを設けてもよい。オーバーコートを設けることで、着色層に含有された不純物等の発光素子への拡散を防止することができる。オーバーコートは、発光素子からの発光を透過する材料から構成され、例えば窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜や、アクリル膜、ポリイミド膜等の有機絶縁膜を用いることができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよい。 Moreover, you may provide the overcoat which covers a colored layer and a light shielding layer. By providing the overcoat, diffusion of impurities and the like contained in the colored layer to the light emitting element can be prevented. The overcoat is made of a material that transmits light emitted from the light emitting element. For example, an inorganic insulating film such as a silicon nitride film or a silicon oxide film, or an organic insulating film such as an acrylic film or a polyimide film can be used. A laminated structure of a film and an inorganic insulating film may be used.
また、封止層の材料を着色層及び遮光層上に塗布する場合、オーバーコートの材料として封止層の材料に対してぬれ性の高い材料を用いることが好ましい。例えば、オーバーコートとして、ITO膜などの酸化物導電膜や、透光性を有する程度に薄いAg膜等の金属膜を用いることが好ましい。 In addition, when the sealing layer material is applied on the colored layer and the light shielding layer, it is preferable to use a material having high wettability with respect to the sealing layer material as the overcoat material. For example, it is preferable to use an oxide conductive film such as an ITO film or a metal film such as an Ag film that is thin enough to have translucency as the overcoat.
接続体としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート状の、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子としては、例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、2種類以上の金属が層状となった粒子を用いることが好ましい。または、粒状の樹脂の表面を金属で被覆した材料を用いることが好ましい。 As the connection body, a paste-like or sheet-like material obtained by mixing metal particles with a thermosetting resin and exhibiting anisotropic conductivity by thermocompression bonding can be used. As the metal particles, it is preferable to use particles in which two or more kinds of metals are layered, for example, nickel particles coated with gold. Or it is preferable to use the material which coat | covered the surface of the granular resin with the metal.
[作製方法例]
次に、発光パネルの作製方法を図12及び図13を用いて例示する。ここでは、具体例1(図11(C))の構成の発光パネルを例に挙げて説明する。
[Example of production method]
Next, a method for manufacturing the light-emitting panel is illustrated with reference to FIGS. Here, a light-emitting panel having the structure of specific example 1 (FIG. 11C) is described as an example.
まず、作製基板201上に剥離層203を形成し、剥離層203上に絶縁層813を形成する。次に、絶縁層813上に複数のトランジスタ、導電層857、絶縁層815、絶縁層817、複数の発光素子、及び絶縁層821を形成する。なお、導電層857が露出するように、絶縁層821、絶縁層817、及び絶縁層815は開口する(図12(A))。
First, the
また、作製基板205上に剥離層207を形成し、剥離層207上に絶縁層843を形成する。次に、絶縁層843上に遮光層847、着色層845、及びオーバーコート849を形成する(図12(B))。
Further, the
作製基板201及び作製基板205としては、それぞれ、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。
As the
また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス等のガラス材料を用いることができる。後の加熱処理の温度が高い場合には、歪み点が730℃以上のものを用いるとよい。なお、酸化バリウム(BaO)を多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。他にも、結晶化ガラスなどを用いることができる。 Moreover, glass materials, such as aluminosilicate glass, alumino borosilicate glass, barium borosilicate glass, can be used for a glass substrate, for example. When the temperature of the subsequent heat treatment is high, a material having a strain point of 730 ° C. or higher is preferably used. A more practical heat-resistant glass can be obtained by containing a large amount of barium oxide (BaO). In addition, crystallized glass or the like can be used.
作製基板にガラス基板を用いる場合、作製基板と剥離層との間に、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラス基板からの汚染を防止でき、好ましい。 In the case where a glass substrate is used as the formation substrate, if an insulating film such as a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, a silicon nitride film, or a silicon nitride oxide film is formed between the formation substrate and the separation layer, contamination from the glass substrate can be prevented. This is preferable because it can be prevented.
剥離層203及び剥離層207としては、それぞれ、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合金材料、又は該元素を含む化合物材料からなり、単層又は積層された層である。シリコンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。
As the
剥離層は、スパッタリング法、プラズマCVD法、塗布法、印刷法等により形成できる。なお、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。 The release layer can be formed by a sputtering method, a plasma CVD method, a coating method, a printing method, or the like. Note that the coating method includes a spin coating method, a droplet discharge method, and a dispensing method.
剥離層が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。 In the case where the separation layer has a single-layer structure, a tungsten layer, a molybdenum layer, or a layer containing a mixture of tungsten and molybdenum is preferably formed. Alternatively, a layer containing tungsten oxide or oxynitride, a layer containing molybdenum oxide or oxynitride, or a layer containing an oxide or oxynitride of a mixture of tungsten and molybdenum may be formed. Note that the mixture of tungsten and molybdenum corresponds to, for example, an alloy of tungsten and molybdenum.
また、剥離層として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁膜を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素(N2O)プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層の表面状態を変えることにより、剥離層と後に形成される絶縁膜との密着性を制御することが可能である。 In the case of forming a stacked structure of a layer containing tungsten and a layer containing tungsten oxide as the peeling layer, a layer containing tungsten is formed, and an insulating film formed of an oxide is formed thereon. Alternatively, the fact that a layer containing an oxide of tungsten is formed at the interface between the tungsten layer and the insulating film may be utilized. Further, the surface of the layer containing tungsten is subjected to thermal oxidation treatment, oxygen plasma treatment, nitrous oxide (N 2 O) plasma treatment, treatment with a solution having strong oxidizing power such as ozone water, and the like to form tungsten oxide. An included layer may be formed. Plasma treatment and heat treatment may be performed in oxygen, nitrogen, nitrous oxide alone, or a mixed gas atmosphere of the gas and other gases. By changing the surface state of the release layer by the plasma treatment or the heat treatment, the adhesion between the release layer and an insulating film to be formed later can be controlled.
各絶縁層は、スパッタリング法、プラズマCVD法、塗布法、印刷法等を用いて形成することが可能であり、例えば、プラズマCVD法によって成膜温度を250℃以上400℃以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。 Each insulating layer can be formed using a sputtering method, a plasma CVD method, a coating method, a printing method, or the like. For example, by forming the insulating film at a film formation temperature of 250 ° C. or more and 400 ° C. or less by the plasma CVD method. , A dense and very low water-permeable film can be obtained.
その後、作製基板205の着色層845等が設けられた面又は作製基板201の発光素子230等が設けられた面に封止層823となる材料を塗布し、封止層823を介して該面同士が対向するように、作製基板201及び作製基板205を貼り合わせる(図12(C))。
After that, a material to be the
そして、作製基板201を剥離し、露出した絶縁層813と基板801を、接着層811を用いて貼り合わせる。また、作製基板205を剥離し、露出した絶縁層843と基板803を、接着層841を用いて貼り合わせる。図13(A)では、基板803が導電層857と重ならない構成としたが、導電層857と基板803が重なっていてもよい。
Then, the
なお、剥離工程は、様々な方法を適宜用いることができる。例えば、剥離層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化して、被剥離層を作製基板から剥離することができる。また、耐熱性の高い作製基板と被剥離層の間に、剥離層として水素を含む非晶質珪素膜を形成した場合はレーザ光の照射又はエッチングにより当該非晶質珪素膜を除去することで、被剥離層を作製基板から剥離することができる。また、剥離層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成し、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、さらに剥離層の一部を溶液やNF3、BrF3、ClF3等のフッ化ガスを用いたエッチングで除去した後、脆弱化された金属酸化膜において剥離することができる。さらには、剥離層として窒素、酸素や水素等を含む膜(例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など)を用い、剥離層にレーザ光を照射して剥離層内に含有する窒素、酸素や水素をガスとして放出させ被剥離層と基板との剥離を促進する方法を用いてもよい。また、被剥離層が形成された作製基板を機械的に除去又は溶液やNF3、BrF3、ClF3等のフッ化ガスによるエッチングで除去する方法等を用いることができる。この場合、剥離層を設けなくともよい。 Note that various methods can be appropriately used for the peeling step. For example, in the case where a layer including a metal oxide film is formed on the side in contact with the layer to be peeled, the metal oxide film is weakened by crystallization and the layer to be peeled can be peeled from the manufacturing substrate. In the case where an amorphous silicon film containing hydrogen is formed as a separation layer between a manufacturing substrate with high heat resistance and a layer to be separated, the amorphous silicon film can be removed by laser light irradiation or etching. The layer to be peeled can be peeled from the manufacturing substrate. In addition, a layer including a metal oxide film is formed on the side in contact with the layer to be peeled as the peeling layer, the metal oxide film is made brittle by crystallization, and a part of the peeling layer is made of solution, NF 3 , BrF 3 , ClF After removal by etching using a fluorination gas such as 3, it can be peeled off in the weakened metal oxide film. Further, a film containing nitrogen, oxygen, hydrogen, or the like (for example, an amorphous silicon film containing hydrogen, a hydrogen-containing alloy film, an oxygen-containing alloy film, or the like) is used as the peeling layer, and the peeling layer is irradiated with laser light. A method may be used in which nitrogen, oxygen, or hydrogen contained in the peeling layer is released as a gas to promote peeling between the layer to be peeled and the substrate. Alternatively, a manufacturing substrate over which the layer to be peeled is formed can be mechanically removed or removed by etching with a solution or a fluoride gas such as NF 3 , BrF 3 , or ClF 3 . In this case, the release layer is not necessarily provided.
また、上記剥離方法を複数組み合わせることでより容易に剥離工程を行うことができる。つまり、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフやメスなどによる機械的な除去を行い、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、物理的な力(機械等による)によって剥離を行うこともできる。 Moreover, a peeling process can be more easily performed by combining two or more said peeling methods. In other words, laser beam irradiation, etching of the release layer with gas or solution, mechanical removal with a sharp knife or scalpel, etc. to make the release layer and the release layer easy to peel off, Peeling can also be performed by force (by machine or the like).
また、剥離層と被剥離層との界面に液体を浸透させて作製基板から被剥離層を剥離してもよい。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。 Alternatively, the layer to be peeled may be peeled from the manufacturing substrate by infiltrating a liquid into the interface between the peeling layer and the layer to be peeled. Alternatively, the peeling may be performed while a liquid such as water is applied.
その他の剥離方法としては、剥離層をタングステンで形成した場合は、アンモニア水と過酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うとよい。 As another peeling method, when the peeling layer is formed of tungsten, the peeling may be performed while etching the peeling layer with a mixed solution of ammonia water and hydrogen peroxide water.
なお、作製基板と被剥離層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい。例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート、アクリル等の有機樹脂を形成し、有機樹脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。この場合、有機樹脂を加熱することにより、作製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。又は、作製基板と有機樹脂の間に金属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。 Note that in the case where peeling is possible at the interface between the manufacturing substrate and the layer to be peeled, the peeling layer is not necessarily provided. For example, glass is used as a manufacturing substrate, an organic resin such as polyimide, polyester, polyolefin, polyamide, polycarbonate, or acrylic is formed in contact with the glass, and an insulating film, a transistor, or the like is formed over the organic resin. In this case, the organic resin can be peeled at the interface between the manufacturing substrate and the organic resin by heating. Alternatively, a metal layer may be provided between the manufacturing substrate and the organic resin, and current may be supplied to the metal layer to heat the metal layer, and separation may be performed at the interface between the metal layer and the organic resin.
最後に、絶縁層843及び封止層823を開口することで、導電層857を露出させる(図13(B))。なお、基板803が導電層857と重なる構成の場合は、導電層857を露出させるために、基板803及び接着層841も開口する(図13(C))。開口の手段は特に限定されず、例えばレーザアブレーション法、エッチング法、イオンビームスパッタリング法などを用いればよい。また、導電層857上の膜に鋭利な刃物等を用いて切り込みを入れ、物理的な力で膜の一部を引き剥がしてもよい。
Finally, the
以上により、発光パネルを作製することができる。 Through the above, a light-emitting panel can be manufactured.
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。 This embodiment can be implemented in appropriate combination with at least part of the other embodiments described in this specification.
(実施の形態3)
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器が有する表示パネルに適用可能な、折り曲げ可能なタッチパネルの構成例について、図14〜図17を用いて説明する。なお、各層に用いることのできる材料については、実施の形態2を参照することができる。
(Embodiment 3)
In this embodiment, a structure example of a foldable touch panel that can be used for the display panel included in the electronic device of one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. Note that
[構成例1]
図14(A)はタッチパネルの上面図である。図14(B)は図14(A)の一点鎖線A−B間及び一点鎖線C−D間の断面図である。図14(C)は図14(A)の一点鎖線E−F間の断面図である。
[Configuration example 1]
FIG. 14A is a top view of the touch panel. FIG. 14B is a cross-sectional view taken along the dashed-dotted line AB in FIG. 14A and between the dashed-dotted line CD. FIG. 14C is a cross-sectional view taken along alternate long and short dash line E-F in FIG.
図14(A)に示すように、タッチパネル390は表示部301を有する。
As shown in FIG. 14A, the
表示部301は、複数の画素302と複数の撮像画素308を備える。撮像画素308は表示部301に触れる指等を検知することができる。これにより、撮像画素308を用いてタッチセンサを構成することができる。
The
画素302は、複数の副画素(例えば副画素302R)を備え、副画素は発光素子及び発光素子を駆動する電力を供給することができる画素回路を備える。
The
画素回路は、選択信号を供給することができる配線及び画像信号を供給することができる配線と電気的に接続される。 The pixel circuit is electrically connected to a wiring that can supply a selection signal and a wiring that can supply an image signal.
また、タッチパネル390は選択信号を画素302に供給することができる走査線駆動回路303g(1)と、画像信号を画素302に供給することができる画像信号線駆動回路303s(1)を備える。
The
撮像画素308は、光電変換素子及び光電変換素子を駆動する撮像画素回路を備える。
The
撮像画素回路は、制御信号を供給することができる配線及び電源電位を供給することができる配線と電気的に接続される。 The imaging pixel circuit is electrically connected to a wiring that can supply a control signal and a wiring that can supply a power supply potential.
制御信号としては、例えば記録された撮像信号を読み出す撮像画素回路を選択することができる信号、撮像画素回路を初期化することができる信号、及び撮像画素回路が光を検知する時間を決定することができる信号などを挙げることができる。 As the control signal, for example, a signal that can select an imaging pixel circuit that reads a recorded imaging signal, a signal that can initialize the imaging pixel circuit, and a time that the imaging pixel circuit detects light are determined. Signals that can be used.
タッチパネル390は制御信号を撮像画素308に供給することができる撮像画素駆動回路303g(2)と、撮像信号を読み出す撮像信号線駆動回路303s(2)を備える。
The
図14(B)に示すように、タッチパネル390は、基板510及び基板510に対向する基板570を有する。
As illustrated in FIG. 14B, the
可撓性を有する材料を基板510及び基板570に好適に用いることができる。
A flexible material can be preferably used for the
意図しない不純物の透過が抑制された材料を基板510及び基板570に好適に用いることができる。例えば、水蒸気の透過率が10−5g/m2・day以下、好ましくは10−6g/m2・day以下である材料を好適に用いることができる。
A material in which the transmission of unintended impurities is suppressed can be preferably used for the
線膨張率がおよそ等しい材料を基板510及び基板570に好適に用いることができる。例えば、線膨張率が1×10−3/K以下、好ましくは5×10−5/K以下、より好ましくは1×10−5/K以下である材料を好適に用いることができる。
A material having approximately the same linear expansion coefficient can be preferably used for the
基板510は、可撓性基板510b、意図しない不純物の発光素子への拡散を防ぐ絶縁層510a、及び可撓性基板510bと絶縁層510aを貼り合わせる接着層510cが積層された積層体である。
The
基板570は、可撓性基板570b、意図しない不純物の発光素子への拡散を防ぐ絶縁層570a、及び可撓性基板570bと絶縁層570aを貼り合わせる接着層570cの積層体である。
The
例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド(ナイロン、アラミド等)、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル、ウレタン、エポキシもしくはシロキサン結合を有する樹脂含む材料を接着層に用いることができる。 For example, polyester, polyolefin, polyamide (nylon, aramid, etc.), polyimide, polycarbonate, or a material containing a resin having an acrylic, urethane, epoxy, or siloxane bond can be used for the adhesive layer.
封止層560は基板570と基板510を貼り合わせている。封止層560は空気より大きい屈折率を備える。また、封止層560側に光を取り出す場合は、封止層560は光学接合層を兼ねる。画素回路及び発光素子(例えば第1の発光素子350R)は基板510と基板570の間にある。
The
画素302は、副画素302R、副画素302G及び副画素302Bを有する(図14(C))。また、副画素302Rは発光モジュール380Rを備え、副画素302Gは発光モジュール380Gを備え、副画素302Bは発光モジュール380Bを備える。
The
例えば副画素302Rは、第1の発光素子350R及び第1の発光素子350Rに電力を供給することができるトランジスタ302tを含む画素回路を備える(図14(B))。また、発光モジュール380Rは第1の発光素子350R及び光学素子(例えば着色層367R)を備える。
For example, the sub-pixel 302R includes a pixel circuit including a first light-emitting
発光素子350Rは、第1の下部電極351R、上部電極352、下部電極351Rと上部電極352の間のEL層353を有する(図14(C))。
The light-emitting
EL層353は、第1のEL層353a、第2のEL層353b、及び第1のEL層353aと第2のEL層353bの間の中間層354を備える。
The EL layer 353 includes a first EL layer 353a, a
発光モジュール380Rは、第1の着色層367Rを基板570に有する。着色層は特定の波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色又は青色等を呈する光を選択的に透過するものを用いることができる。または、発光素子の発する光をそのまま透過する領域を設けてもよい。
The
例えば、発光モジュール380Rは、第1の発光素子350Rと第1の着色層367Rに接する封止層360を有する。
For example, the light-emitting
第1の着色層367Rは第1の発光素子350Rと重なる位置にある。これにより、発光素子350Rが発する光の一部は、光学接合層を兼ねる封止層360及び第1の着色層367Rを透過して、図中の矢印に示すように発光モジュール380Rの外部に射出される。
The first
タッチパネル390は、遮光層367BMを基板570に有する。遮光層367BMは、着色層(例えば第1の着色層367R)を囲むように設けられている。
The
タッチパネル390は、反射防止層367pを表示部301に重なる位置に備える。反射防止層367pとして、例えば円偏光板を用いることができる。
The
タッチパネル390は、絶縁層321を備える。絶縁層321はトランジスタ302tを覆っている。なお、絶縁層321は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いることができる。また、不純物のトランジスタ302t等への拡散を抑制することができる層が積層された絶縁層を、絶縁層321に適用することができる。
The
タッチパネル390は、発光素子(例えば第1の発光素子350R)を絶縁層321上に有する。
The
タッチパネル390は、第1の下部電極351Rの端部に重なる隔壁328を絶縁層321上に有する。また、基板510と基板570の間隔を制御するスペーサ329を、隔壁328上に有する。
The
画像信号線駆動回路303s(1)は、トランジスタ303t及び容量303cを含む。なお、駆動回路は画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。図14(B)に示すようにトランジスタ303tは絶縁層321上に第2のゲート304を有していてもよい。第2のゲート304はトランジスタ303tのゲートと電気的に接続されていてもよいし、これらに異なる電位が与えられていてもよい。また、必要であれば、第2のゲート304をトランジスタ308t、トランジスタ302t等に設けてもよい。
The image signal
撮像画素308は、光電変換素子308p及び光電変換素子308pに照射された光を検知するための撮像画素回路を備える。また、撮像画素回路は、トランジスタ308tを含む。
The
例えばpin型のフォトダイオードを光電変換素子308pに用いることができる。
For example, a pin-type photodiode can be used for the
タッチパネル390は、信号を供給することができる配線311を備え、端子319が配線311に設けられている。なお、画像信号及び同期信号等の信号を供給することができるFPC309(1)が端子319に電気的に接続されている。なお、FPC309(1)にはプリント配線基板(PWB)が取り付けられていても良い。
The
同一の工程で形成されたトランジスタを、トランジスタ302t、トランジスタ303t、トランジスタ308t等のトランジスタに適用できる。トランジスタの構成については、実施の形態2を参照できる。
A transistor formed in the same process can be used as a transistor such as the
また、トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、タッチパネルを構成する各種配線及び電極に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタングステンからなる単体金属、又はこれを主成分とする合金を単層構造又は積層構造として用いる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜又は窒化チタン膜と、そのチタン膜又は窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜又は窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜又は窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜又は窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜又は窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫又は酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。 In addition to the gate, source, and drain of the transistor, materials that can be used for various wirings and electrodes constituting the touch panel include aluminum, titanium, chromium, nickel, copper, yttrium, zirconium, molybdenum, silver, tantalum, or A single metal made of tungsten or an alloy containing the single metal as a main component is used as a single layer structure or a laminated structure. For example, a single layer structure of an aluminum film containing silicon, a two layer structure in which an aluminum film is stacked on a titanium film, a two layer structure in which an aluminum film is stacked on a tungsten film, and a copper film on a copper-magnesium-aluminum alloy film Two-layer structure to be laminated, two-layer structure to laminate a copper film on a titanium film, two-layer structure to laminate a copper film on a tungsten film, a titanium film or a titanium nitride film, and an overlay on the titanium film or the titanium nitride film A three-layer structure in which an aluminum film or a copper film is laminated, and a titanium film or a titanium nitride film is further formed thereon, a molybdenum film or a molybdenum nitride film, and an aluminum film or a copper layer stacked on the molybdenum film or the molybdenum nitride film There is a three-layer structure in which films are stacked and a molybdenum film or a molybdenum nitride film is further formed thereon. Note that a transparent conductive material containing indium oxide, tin oxide, or zinc oxide may be used. Further, it is preferable to use copper containing manganese because the controllability of the shape by etching is increased.
なお、上述した発光素子(例えば第1の発光素子350R等)と同一工程で作製した発光素子を非表示部に設けることにより、実施の形態1で例示した発光素子22として用いることができる。また、上述した光電変換素子308p及び撮像画素回路を含む撮像画素308と同一工程で作製した撮像画素を非表示部に設けることにより、実施の形態1で例示した受光素子21として用いることができる。
Note that a light-emitting element manufactured in the same step as the above-described light-emitting element (eg, the first light-emitting
[構成例2]
図15(A)、(B)は、タッチパネル505の斜視図である。なお明瞭化のため、代表的な構成要素を示す。図16は、図15(A)に示す一点鎖線X1−X2間の断面図である。
[Configuration example 2]
15A and 15B are perspective views of the
タッチパネル505は、表示部501とタッチセンサ595を備える(図15(B))。また、タッチパネル505は、基板510、基板570及び基板590を有する。なお、基板510、基板570及び基板590はいずれも可撓性を有する。
The
表示部501は、基板510、基板510上に複数の画素及び当該画素に信号を供給することができる複数の配線511を備える。複数の配線511は、基板510の外周部にまで引き回され、その一部が端子519を構成している。端子519はFPC509(1)と電気的に接続する。
The
基板590には、タッチセンサ595と、タッチセンサ595と電気的に接続する複数の配線598を備える。複数の配線598は基板590の外周部に引き回され、その一部は端子を構成する。そして、当該端子はFPC509(2)と電気的に接続される。なお、図15(B)では明瞭化のため、基板590の裏面側(紙面奥側)に設けられるタッチセンサ595の電極や配線等を実線で示している。
The
タッチセンサ595として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。
As the
投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式などがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。 As the projected capacitance method, there are mainly a self-capacitance method and a mutual capacitance method due to a difference in driving method. The mutual capacitance method is preferable because simultaneous multipoint detection is possible.
以下では、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用する場合について、図15(B)を用いて説明する。 Hereinafter, a case where a projected capacitive touch sensor is used will be described with reference to FIG.
なお、指等の検知対象の近接または接触を検知することができるさまざまなセンサを適用することができる。 Note that various sensors that can detect the proximity or contact of a detection target such as a finger can be applied.
投影型静電容量方式のタッチセンサ595は、電極591と電極592を有する。電極591は複数の配線598のいずれかと電気的に接続し、電極592は複数の配線598の他のいずれかと電気的に接続する。
The projected
電極592は、図15(A)、(B)に示すように、一方向に繰り返し配置された複数の四辺形が角部で接続された形状を有する。
As shown in FIGS. 15A and 15B, the
電極591は四辺形であり、電極592が延在する方向と交差する方向に繰り返し配置されている。
The
配線594は、電極592を挟む二つの電極591を電気的に接続する。このとき、電極592と配線594の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい。これにより、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のムラを低減できる。その結果、タッチセンサ595を透過する光の輝度ムラを低減することができる。
The
なお、電極591、電極592の形状はこれに限られず、様々な形状を取りうる。例えば、複数の電極591をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介して電極592を、電極591と重ならない領域ができるように離間して複数設ける構成としてもよい。このとき、隣接する2つの電極592の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー電極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい。
Note that the shapes of the
タッチセンサ595は、基板590、基板590上に千鳥状に配置された電極591及び電極592、電極591及び電極592を覆う絶縁層593並びに隣り合う電極591を電気的に接続する配線594を備える。
The
接着層597は、タッチセンサ595が表示部501に重なるように、基板590を基板570に貼り合わせている。
The
電極591及び電極592は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法等を挙げることができる。
The
透光性を有する導電性材料を基板590上にスパッタリング法により成膜した後、フォトリソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して、電極591及び電極592を形成することができる。
A conductive material having a light-transmitting property is formed over the
また、絶縁層593に用いる材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
As a material used for the insulating
また、電極591に達する開口が絶縁層593に設けられ、配線594が隣接する電極591を電気的に接続する。透光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を高まることができるため、配線594に好適に用いることができる。また、電極591及び電極592より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線594に好適に用いることができる。
An opening reaching the
一の電極592は一方向に延在し、複数の電極592がストライプ状に設けられている。
One
配線594は電極592と交差して設けられている。
The
一対の電極591が一の電極592を挟んで設けられ、配線594は一対の電極591を電気的に接続している。
A pair of
なお、複数の電極591は、一の電極592と必ずしも直交する方向に配置される必要はなく、90度未満の角度をなすように配置されてもよい。
Note that the plurality of
一の配線598は、電極591又は電極592と電気的に接続される。配線598の一部は、端子として機能する。配線598としては、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。
One
なお、絶縁層593及び配線594を覆う絶縁層を設けて、タッチセンサ595を保護することができる。
Note that an insulating layer that covers the insulating
また、接続層599は、配線598とFPC509(2)を電気的に接続する。
In addition, the
接続層599としては、様々な異方性導電フィルム(ACF:AnisotropicConductive Film)や、異方性導電ペースト(ACP:Anisotropic Conductive Paste)などを用いることができる。
As the
接着層597は、透光性を有する。例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を用いることができ、具体的には、アクリル、ウレタン、エポキシ、またはシロキサン結合を有する樹脂などの樹脂を用いることができる。
The
表示部501は、マトリクス状に配置された複数の画素を備える。画素は表示素子と表示素子を駆動する画素回路を備える。
The
本実施の形態では、白色の光を射出する有機EL素子を表示素子に適用する場合について説明するが、表示素子はこれに限られない。 In this embodiment, the case where an organic EL element that emits white light is applied to a display element will be described; however, the display element is not limited to this.
例えば、副画素毎に射出する光の色が異なるように、発光色が異なる有機EL素子を副画素毎に適用してもよい。 For example, organic EL elements having different emission colors may be applied to each sub-pixel so that the color of light emitted from each sub-pixel is different.
基板510、基板570、及び封止層560は、構成例1と同様の構成が適用できる。
The
画素は、副画素502Rを含み、副画素502Rは発光モジュール580Rを備える。
The pixel includes a sub-pixel 502R, and the sub-pixel 502R includes a
副画素502Rは、第1の発光素子550R及び第1の発光素子550Rに電力を供給することができるトランジスタ502tを含む画素回路を備える。また、発光モジュール580Rは第1の発光素子550R及び光学素子(例えば着色層567R)を備える。
The sub-pixel 502R includes a pixel circuit including a first light-emitting
発光素子550Rは、下部電極、上部電極、下部電極と上部電極の間にEL層を有する。
The light-emitting
発光モジュール580Rは、光を取り出す方向に第1の着色層567Rを有する。
The
また、封止層560が光を取り出す側に設けられている場合、封止層560は、第1の発光素子550Rと第1の着色層567Rに接する。
In the case where the
第1の着色層567Rは第1の発光素子550Rと重なる位置にある。これにより、発光素子550Rが発する光の一部は第1の着色層567Rを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール580Rの外部に射出される。
The first
表示部501は、光を射出する方向に遮光層567BMを有する。遮光層567BMは、着色層(例えば第1の着色層567R)を囲むように設けられている。
The
表示部501は、反射防止層567pを画素に重なる位置に備える。反射防止層567pとして、例えば円偏光板を用いることができる。
The
表示部501は、絶縁膜521を備える。絶縁膜521はトランジスタ502tを覆っている。なお、絶縁膜521は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いることができる。また、不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を、絶縁膜521に適用することができる。これにより、予期せぬ不純物の拡散によるトランジスタ502t等の信頼性の低下を抑制できる。
The
表示部501は、発光素子(例えば第1の発光素子550R)を絶縁膜521上に有する。
The
表示部501は、第1の下部電極の端部に重なる隔壁528を絶縁膜521上に有する。また、基板510と基板570の間隔を制御するスペーサを、隔壁528上に有する。
The
走査線駆動回路503g(1)は、トランジスタ503t及び容量503cを含む。なお、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。
The scan
表示部501は、信号を供給することができる配線511を備え、端子519が配線511に設けられている。なお、画像信号及び同期信号等の信号を供給することができるFPC509(1)が端子519に電気的に接続されている。
The
なお、FPC509(1)にはプリント配線基板(PWB)が取り付けられていても良い。 Note that a printed wiring board (PWB) may be attached to the FPC 509 (1).
表示部501は、走査線、信号線及び電源線等の配線を有する。上述した様々な導電膜を配線に用いることができる。
The
なお、様々なトランジスタを表示部501に適用できる。ボトムゲート型のトランジスタを表示部501に適用する場合の構成を、図16(A)、(B)に図示する。
Note that various transistors can be applied to the
例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図16(A)に図示するトランジスタ502t及びトランジスタ503tに適用することができる。
For example, a semiconductor layer containing an oxide semiconductor, amorphous silicon, or the like can be applied to the
例えば、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体層を、図16(B)に図示するトランジスタ502t及びトランジスタ503tに適用することができる。
For example, a semiconductor layer containing polycrystalline silicon crystallized by a process such as laser annealing can be applied to the
また、トップゲート型のトランジスタを表示部501に適用する場合の構成を、図16(C)に図示する。
FIG. 16C illustrates a structure in the case where a top-gate transistor is applied to the
例えば、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン膜等を含む半導体層を、図16(C)に図示するトランジスタ502t及びトランジスタ503tに適用することができる。
For example, a semiconductor layer including a single crystal silicon film or the like transferred from a polycrystalline silicon, a single crystal silicon substrate, or the like can be applied to the
なお、上述した発光素子(例えば第1の発光素子550R等)と同一工程で作製した発光素子を非表示部に設けることにより、実施の形態1で例示した発光素子22として用いることができる。
Note that a light-emitting element manufactured in the same process as the above-described light-emitting element (eg, the first light-emitting
[構成例3]
図17は、タッチパネル505Bの断面図である。本実施の形態で説明するタッチパネル505Bは、供給された画像情報をトランジスタが設けられている側に表示する表示部501を備える点及びタッチセンサが表示部の基板510側に設けられている点が、構成例2のタッチパネル505とは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。
[Configuration example 3]
FIG. 17 is a cross-sectional view of the
第1の着色層567Rは第1の発光素子550Rと重なる位置にある。また、図17(A)に示す発光素子550Rは、トランジスタ502tが設けられている側に光を射出する。これにより、発光素子550Rが発する光の一部は第1の着色層567Rを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール580Rの外部に射出される。
The first
表示部501は、光を射出する方向に遮光層567BMを有する。遮光層567BMは、着色層(例えば第1の着色層567R)を囲むように設けられている。
The
タッチセンサ595は、表示部501の基板510側に設けられている(図17(A))。
The
接着層597は、基板510と基板590の間にあり、表示部501とタッチセンサ595を貼り合わせる。
The
なお、様々なトランジスタを表示部501に適用できる。ボトムゲート型のトランジスタを表示部501に適用する場合の構成を、図17(A)、(B)に図示する。
Note that various transistors can be applied to the
例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図17(A)に図示するトランジスタ502t及びトランジスタ503tに適用することができる。
For example, a semiconductor layer containing an oxide semiconductor, amorphous silicon, or the like can be applied to the
例えば、多結晶シリコン等を含む半導体層を、図17(B)に図示するトランジスタ502t及びトランジスタ503tに適用することができる。
For example, a semiconductor layer containing polycrystalline silicon or the like can be applied to the
また、トップゲート型のトランジスタを表示部501に適用する場合の構成を、図17(C)に図示する。
FIG. 17C illustrates a structure in the case where a top-gate transistor is applied to the
例えば、多結晶シリコン又は転写された単結晶シリコン膜等を含む半導体層を、図17(C)に図示するトランジスタ502t及びトランジスタ503tに適用することができる。
For example, a semiconductor layer including polycrystalline silicon, a transferred single crystal silicon film, or the like can be applied to the
なお、上述した発光素子(例えば第1の発光素子550R等)と同一工程で作製した発光素子を非表示部に設けることにより、実施の形態1で例示した発光素子22として用いることができる。
Note that a light-emitting element manufactured in the same process as the above-described light-emitting element (eg, the first light-emitting
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。 This embodiment can be implemented in appropriate combination with at least part of the other embodiments described in this specification.
(実施の形態4)
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器が有する表示パネルに適用可能なタッチパネルの駆動方法の例について、図面を参照して説明する。
(Embodiment 4)
In this embodiment, an example of a touch panel driving method that can be used for the display panel included in the electronic device of one embodiment of the present invention will be described with reference to drawings.
[センサの検知方法の例]
図18(A)は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図18(A)では、パルス電圧出力回路601、電流検出回路602を示している。なお図18(A)では、パルス電圧が与えられる電極621、電流の変化を検知する電極622をそれぞれ、X1−X6、Y1−Y6のそれぞれ6本の配線として示している。また図18(A)は、電極121および電極122が重畳することで形成される容量603を図示している。なお、電極121と電極122とはその機能を互いに置き換えてもよい。
[Example of sensor detection method]
FIG. 18A is a block diagram illustrating a structure of a mutual capacitive touch sensor. FIG. 18A shows a pulse
パルス電圧出力回路601は、X1−X6の配線に順にパルスを印加するための回路である。X1−X6の配線にパルス電圧が印加されることで、容量603を形成する電極121および電極122は電界が生じる。この電極間に生じる電界が遮蔽等により容量603の相互容量に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、または接触を検出することができる。
The pulse
電流検出回路602は、容量603での相互容量の変化による、Y1〜Y6の配線での電流の変化を検出するための回路である。Y1−Y6の配線では、被検知体の近接、または接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接、または接触により相互容量が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検出は、積分回路等を用いて行えばよい。
The
次いで図18(B)には、図18(A)で示す相互容量方式のタッチセンサにおける入出力波形のタイミングチャートを示す。図18(B)では、1フレーム期間で各行列での被検知体の検出を行うものとする。また図18(B)では、被検知体を検出しない場合(非タッチ)と被検知体を検出する場合(タッチ)との2つの場合について示している。なおY1−Y6の配線については、検出される電流値に対応する電圧値とした波形を示している。 Next, FIG. 18B shows a timing chart of input / output waveforms in the mutual capacitance type touch sensor shown in FIG. In FIG. 18B, the detection target is detected in each matrix in one frame period. Further, FIG. 18B shows two cases, that is, a case where the detected object is not detected (non-touch) and a case where the detected object is detected (touch). In addition, about the wiring of Y1-Y6, the waveform made into the voltage value corresponding to the detected electric current value is shown.
X1−X6の配線には、順にパルス電圧が与えられ、該パルス電圧にしたがってY1−Y6の配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、X1−X6の配線の電圧の変化に応じてY1−Y6の波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接または接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化する。 A pulse voltage is sequentially applied to the X1-X6 wiring, and the waveform of the Y1-Y6 wiring changes according to the pulse voltage. When there is no proximity or contact of the detection object, the waveform of Y1-Y6 changes uniformly according to the change of the voltage of the wiring of X1-X6. On the other hand, since the current value decreases at the location where the detection object is close or in contact, the waveform of the voltage value corresponding to this also changes.
このように、相互容量の変化を検出することにより、被検知体の近接または接触を検知することができる。 In this way, by detecting the change in mutual capacitance, the proximity or contact of the detection target can be detected.
また、図18(A)ではタッチセンサとして配線の交差部に容量603のみを設けるパッシブ型のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを備えたアクティブ型のタッチセンサとしてもよい。図19にアクティブ型のタッチセンサに含まれる一つのセンサ回路の例を示している。
In FIG. 18A, a structure of a passive touch sensor in which only a
センサ回路は容量603と、トランジスタ611と、トランジスタ612と、トランジスタ613とを有する。トランジスタ613はゲートに信号G2が与えられ、ソース又はドレインの一方に電圧VRESが与えられ、他方が容量603の一方の電極およびトランジスタ611のゲートと電気的に接続する。トランジスタ611はソース又はドレインの一方がトランジスタ612のソース又はドレインの一方と電気的に接続し、他方に電圧VSSが与えられる。トランジスタ612はゲートに信号G2が与えられ、ソース又はドレインの他方が配線MLと電気的に接続する。容量603の他方の電極には電圧VSSが与えられる。
The sensor circuit includes a
続いて、センサ回路の動作について説明する。まず信号G2としてトランジスタ613をオン状態とする電位が与えられることで、トランジスタ611のゲートが接続されるノードnに電圧VRESに対応した電位が与えられる。次いで信号G2としてトランジスタ613をオフ状態とする電位が与えられることで、ノードnの電位が保持される。
Next, the operation of the sensor circuit will be described. First, a potential for turning on the
続いて、指等の被検知体の近接または接触により、容量603の相互容量が変化することに伴い、ノードnの電位がVRESから変化する。
Subsequently, as the mutual capacitance of the
読み出し動作は、信号G1にトランジスタ612をオン状態とする電位を与える。ノードnの電位に応じてトランジスタ611に流れる電流、すなわち配線MLに流れる電流が変化する。この電流を検出することにより、被検知体の近接または接触を検出することができる。
In the reading operation, a potential for turning on the
トランジスタ611、トランジスタ612、トランジスタ613としては、チャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を適用したトランジスタを用いることが好ましい。特にトランジスタ613にこのようなトランジスタを適用することにより、ノードnの電位を長期間に亘って保持することが可能となり、ノードnにVRESを供給しなおす動作(リフレッシュ動作)の頻度を減らすことができる。
As the
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。 This embodiment can be implemented in appropriate combination with at least part of the other embodiments described in this specification.
10 電子機器
11a 支持体
11b 支持体
11c 支持体
11d 支持体
11e 支持体
12 接続部
12a 中立線
13 表示パネル
13_1 表示パネル
13_2 表示パネル
13a 表示部
13b 非表示部
14 検出手段
15 FPC
16 回路基板
17 バッテリ
18 配線
21 受光素子
22 発光素子
23 光
24 領域
25 領域
31 部分
32 部分
33 部分
41 入力ボタン
42 電源ボタン
43 外部接続端子
44 カードスロット
45 光学センサ
46 カメラ
47 光源
48 スピーカ
49 マイク
51 アンテナ
121 電極
122 電極
201 作製基板
203 剥離層
205 作製基板
207 剥離層
230 発光素子
301 表示部
302 画素
302B 副画素
302G 副画素
302R 副画素
302t トランジスタ
303c 容量
303g(1) 走査線駆動回路
303g(2) 撮像画素駆動回路
303s(1) 画像信号線駆動回路
303s(2) 撮像信号線駆動回路
303t トランジスタ
304 ゲート
308 撮像画素
308p 光電変換素子
308t トランジスタ
309 FPC
311 配線
319 端子
321 絶縁層
328 隔壁
329 スペーサ
350R 発光素子
351R 下部電極
352 上部電極
353 EL層
353a EL層
353b EL層
354 中間層
360 封止層
367BM 遮光層
367p 反射防止層
367R 着色層
380B 発光モジュール
380G 発光モジュール
380R 発光モジュール
390 タッチパネル
501 表示部
502R 副画素
502t トランジスタ
503c 容量
503g 走査線駆動回路
503t トランジスタ
505 タッチパネル
505B タッチパネル
509 FPC
510 基板
510a 絶縁層
510b 可撓性基板
510c 接着層
511 配線
519 端子
521 絶縁膜
528 隔壁
550R 発光素子
560 封止層
567BM 遮光層
567p 反射防止層
567R 着色層
570 基板
570a 絶縁層
570b 可撓性基板
570c 接着層
580R 発光モジュール
590 基板
591 電極
592 電極
593 絶縁層
594 配線
595 タッチセンサ
597 接着層
598 配線
599 接続層
601 パルス電圧出力回路
602 電流検出回路
603 容量
611 トランジスタ
612 トランジスタ
613 トランジスタ
621 電極
622 電極
801 基板
803 基板
804 発光部
806 駆動回路部
808 FPC
811 接着層
813 絶縁層
814 導電層
815 絶縁層
816 導電層
817 絶縁層
817a 絶縁層
817b 絶縁層
820 トランジスタ
821 絶縁層
822 トランジスタ
823 封止層
824 封止層
825 接続体
827 スペーサ
830 発光素子
831 下部電極
833 EL層
835 上部電極
841 接着層
843 絶縁層
845 着色層
847 遮光層
849 オーバーコート
857 導電層
857a 導電層
857b 導電層
DESCRIPTION OF
16
311
510
811
Claims (9)
前記表示パネルは折り曲げて表示することのできる機能を有し、
前記第1の支持体と前記第2の支持体とは、前記接続部により接続され、
前記第1の支持体と前記第2の支持体とは、前記接続部を介して相対的に回転する機能を有し、
前記表示パネルは、前記第1の支持体に固定される部分を有し、
前記表示パネルは、前記第2の支持体に対して一方向に動くことができるように、前記第2の支持体に支持されている、
電子機器。 A first support, a second support, a connection portion, and a display panel;
The display panel has a function that can be folded and displayed,
The first support and the second support are connected by the connecting portion,
The first support body and the second support body have a function of relatively rotating through the connection portion,
The display panel has a portion fixed to the first support;
The display panel is supported by the second support so that the display panel can move in one direction with respect to the second support.
Electronics.
前記表示パネルは折り曲げて表示することのできる機能を有し、
前記第1の支持体と前記第2の支持体とは、前記接続部により接続され、
前記第1の支持体と前記第2の支持体とは、前記接続部を介して相対的に回転する機能を有し、
前記表示パネルは、前記第1の支持体に固定される部分を有し、
前記表示パネルは、前記第2の支持体に対して一方向に動くことができるように、前記第2の支持体に支持され、
前記表示パネルは、前記第1の支持体と前記第2の支持体とを相対的に回転させたときに、前記第2の支持体との相対位置が変化する機能を有し、
前記検出手段は、前記表示パネルと前記第2の支持体との前記相対位置を検出する機能を有する、
電子機器。 A first support, a second support, a connection portion, a display panel, and a detection means;
The display panel has a function that can be folded and displayed,
The first support and the second support are connected by the connecting portion,
The first support body and the second support body have a function of relatively rotating through the connection portion,
The display panel has a portion fixed to the first support;
The display panel is supported by the second support so that the display panel can move in one direction with respect to the second support.
The display panel has a function of changing a relative position with respect to the second support when the first support and the second support are relatively rotated.
The detection means has a function of detecting the relative position between the display panel and the second support.
Electronics.
前記検出手段は、発光素子と、受光素子と、を有し、
前記発光素子及び前記受光素子の一方は、前記表示パネルに固定されて設けられ、
前記発光素子及び前記受光素子の他方が、前記第2の支持体に固定されて設けられ、
前記受光素子は、前記発光素子からの発光を検出する機能を有する、
電子機器。 In claim 2,
The detection means includes a light emitting element and a light receiving element,
One of the light emitting element and the light receiving element is provided fixed to the display panel,
The other of the light emitting element and the light receiving element is provided fixed to the second support,
The light receiving element has a function of detecting light emission from the light emitting element.
Electronics.
前記検出手段は、発光素子と、受光素子と、を有し、
前記発光素子及び前記受光素子は、それぞれ第2の支持体に固定されて設けられ、
前記発光素子は、前記表示パネルの一部に光を照射する機能を有し、
前記受光素子は、前記表示パネルからの反射光を検出する機能を有する、
電子機器。 In claim 2,
The detection means includes a light emitting element and a light receiving element,
The light emitting element and the light receiving element are each fixed to a second support,
The light emitting element has a function of irradiating a part of the display panel with light,
The light receiving element has a function of detecting reflected light from the display panel;
Electronics.
前記表示パネルは、表示部と、非表示部を有し、
前記表示部は、第1の発光素子を有し、
前記検出手段は、第2の発光素子と受光素子と、を有し、
前記第2の発光素子は、前記非表示部に設けられ、
前記受光素子は、前記第2の支持体に固定されて設けられ、
前記受光素子は、前記第2の発光素子からの発光を検出する機能を有する、
電子機器。 In claim 2,
The display panel has a display unit and a non-display unit,
The display unit includes a first light emitting element,
The detection means includes a second light emitting element and a light receiving element,
The second light emitting element is provided in the non-display portion,
The light receiving element is provided fixed to the second support,
The light receiving element has a function of detecting light emission from the second light emitting element.
Electronics.
前記表示パネルは、前記第1の支持体、前記接続部、及び前記第2の支持体の、各々の厚さ方向の中心位置と重ならないように位置する、
電子機器。 In any one of Claims 1 thru | or 5,
The display panel is positioned so as not to overlap the center position in the thickness direction of each of the first support, the connection portion, and the second support.
Electronics.
前記接続部は、弾性体を有する、
電子機器。 In any one of Claims 1 thru | or 6,
The connection part has an elastic body,
Electronics.
前記表示パネルは、タッチセンサとしての機能を有する、
電子機器。 In any one of Claims 1 thru | or 7,
The display panel has a function as a touch sensor,
Electronics.
前記表示パネルに重ねて、タッチセンサが設けられた、
電子機器。 In any one of Claims 1 thru | or 7,
A touch sensor is provided on the display panel,
Electronics.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014112214A JP2015225331A (en) | 2014-05-30 | 2014-05-30 | Electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014112214A JP2015225331A (en) | 2014-05-30 | 2014-05-30 | Electronic apparatus |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019008260A Division JP6659880B2 (en) | 2019-01-22 | 2019-01-22 | Electronics |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015225331A true JP2015225331A (en) | 2015-12-14 |
JP2015225331A5 JP2015225331A5 (en) | 2017-06-22 |
Family
ID=54842072
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014112214A Withdrawn JP2015225331A (en) | 2014-05-30 | 2014-05-30 | Electronic apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015225331A (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017120415A (en) * | 2015-12-31 | 2017-07-06 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | Folding type display |
WO2019150676A1 (en) * | 2018-01-31 | 2019-08-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Display device |
JP2020058645A (en) * | 2018-10-11 | 2020-04-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Ct apparatus |
CN112489561A (en) * | 2020-12-09 | 2021-03-12 | 武汉天马微电子有限公司 | Foldable display device |
JP2021177254A (en) * | 2016-04-28 | 2021-11-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Information processing device |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004507779A (en) * | 2000-08-09 | 2004-03-11 | キム、シハン | Foldable case for portable information display device |
JP2006072115A (en) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Image display device |
JP2006287982A (en) * | 2005-07-13 | 2006-10-19 | Columbus No Tamagotachi:Kk | Portable communication terminal with flexible display |
JP2009109812A (en) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Nec Corp | Display apparatus |
JP2011099982A (en) * | 2009-11-05 | 2011-05-19 | Sony Corp | Display device, and control method of the same |
JP2013037330A (en) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Samsung Display Co Ltd | Display device |
JP2013232214A (en) * | 2007-03-06 | 2013-11-14 | Creator Technology Bv | Display device, display method and computer program product |
JP2013243588A (en) * | 2012-05-22 | 2013-12-05 | Toshiba Corp | Electronic apparatus |
JP2014010448A (en) * | 2012-06-27 | 2014-01-20 | Samsung Display Co Ltd | Display device and drive method of the same |
-
2014
- 2014-05-30 JP JP2014112214A patent/JP2015225331A/en not_active Withdrawn
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004507779A (en) * | 2000-08-09 | 2004-03-11 | キム、シハン | Foldable case for portable information display device |
JP2006072115A (en) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Image display device |
JP2006287982A (en) * | 2005-07-13 | 2006-10-19 | Columbus No Tamagotachi:Kk | Portable communication terminal with flexible display |
JP2013232214A (en) * | 2007-03-06 | 2013-11-14 | Creator Technology Bv | Display device, display method and computer program product |
JP2009109812A (en) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Nec Corp | Display apparatus |
JP2011099982A (en) * | 2009-11-05 | 2011-05-19 | Sony Corp | Display device, and control method of the same |
JP2013037330A (en) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Samsung Display Co Ltd | Display device |
JP2013243588A (en) * | 2012-05-22 | 2013-12-05 | Toshiba Corp | Electronic apparatus |
JP2014010448A (en) * | 2012-06-27 | 2014-01-20 | Samsung Display Co Ltd | Display device and drive method of the same |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017120415A (en) * | 2015-12-31 | 2017-07-06 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | Folding type display |
US10203790B2 (en) | 2015-12-31 | 2019-02-12 | Lg Display Co., Ltd. | Foldable display device |
JP2021177254A (en) * | 2016-04-28 | 2021-11-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Information processing device |
JP7290691B2 (en) | 2016-04-28 | 2023-06-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Information processing equipment |
WO2019150676A1 (en) * | 2018-01-31 | 2019-08-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Display device |
CN111656426A (en) * | 2018-01-31 | 2020-09-11 | 株式会社日本显示器 | Display device |
JP2020058645A (en) * | 2018-10-11 | 2020-04-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Ct apparatus |
CN112489561A (en) * | 2020-12-09 | 2021-03-12 | 武汉天马微电子有限公司 | Foldable display device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7150964B2 (en) | Display device | |
JP7110151B2 (en) | Electronics | |
JP7046136B2 (en) | Electronics | |
JP2021081736A (en) | Light-emitting device | |
TWI754789B (en) | Light-emitting device and electronic device | |
JP2015143843A (en) | Electronic apparatus | |
JP2015225331A (en) | Electronic apparatus | |
JP6659880B2 (en) | Electronics | |
JP7472251B2 (en) | Electronics | |
JP6748795B2 (en) | Electronics |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170515 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170515 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180323 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180403 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180601 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20181023 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20190123 |