JP2020181221A - Electronic apparatus - Google Patents
Electronic apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020181221A JP2020181221A JP2020134336A JP2020134336A JP2020181221A JP 2020181221 A JP2020181221 A JP 2020181221A JP 2020134336 A JP2020134336 A JP 2020134336A JP 2020134336 A JP2020134336 A JP 2020134336A JP 2020181221 A JP2020181221 A JP 2020181221A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- support
- display panel
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 32
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract description 28
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 459
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 186
- 239000010408 film Substances 0.000 description 136
- 239000000463 material Substances 0.000 description 87
- 238000000034 method Methods 0.000 description 75
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 49
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 49
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 47
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 42
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 41
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 36
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 24
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 22
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 20
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 20
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 19
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 18
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 16
- 230000008859 change Effects 0.000 description 15
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 15
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 15
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 15
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 14
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 14
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 11
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 11
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 9
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 6
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 2
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001875 Ebonite Polymers 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical compound [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag] Chemical compound [Cu].[Ag] NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001256 stainless steel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本発明の一態様は、表示装置に関する。または、表示装置を備える電子機器に関する。
特に、可撓性を有する表示装置に関する。または、可撓性を有する表示装置を備える電子
機器に関する。
One aspect of the present invention relates to a display device. Alternatively, the present invention relates to an electronic device including a display device.
In particular, it relates to a display device having flexibility. Alternatively, the present invention relates to an electronic device including a flexible display device.
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明
の一態様は、物、方法、又は、製造方法に関する。本発明の一態様は、プロセス、マシン
、マニュファクチャ、又は、組成物(コンポジション・オブ・マター)に関する。そのた
め、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、
表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置
、それらの駆動方法、又は、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
One aspect of the present invention is not limited to the above technical fields. One aspect of the invention disclosed in the present specification and the like relates to a product, a method, or a manufacturing method. One aspect of the invention relates to a process, machine, manufacture, or composition (composition of matter). Therefore, more specifically, the technical field of one aspect of the present invention disclosed in the present specification is a semiconductor device.
A display device, a light emitting device, a power storage device, a storage device, an electronic device, a lighting device, an input device, an input / output device, a driving method thereof, or a manufacturing method thereof can be mentioned as an example.
なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる
装置全般を指す。トランジスタなどの半導体素子をはじめ、半導体回路、演算装置、記憶
装置は、半導体装置の一態様である。撮像装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、電
気光学装置、発電装置(薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池等を含む)、及び電子機器は、
半導体装置を有している場合がある。
In the present specification and the like, the semiconductor device refers to all devices that can function by utilizing the semiconductor characteristics. A semiconductor element such as a transistor, a semiconductor circuit, an arithmetic unit, and a storage device are one aspect of a semiconductor device. Imaging devices, display devices, liquid crystal display devices, light emitting devices, electro-optical devices, power generation devices (including thin-film solar cells, organic thin-film solar cells, etc.), and electronic devices
May have a semiconductor device.
近年、表示装置は様々な用途への応用が期待されており、多様化が進められている。例
えば携帯用途の電子機器などに用いられる表示装置は、薄型であること、軽量であること
、または破損しにくいこと等が求められている。また、従来にない新たな用途が求められ
ている。
In recent years, display devices are expected to be applied to various applications, and diversification is being promoted. For example, display devices used in portable electronic devices and the like are required to be thin, lightweight, and not easily damaged. In addition, new applications that have never existed before are required.
また、特許文献1には、フィルム基板上に、スイッチング素子であるトランジスタや有
機EL(Electro Luminescence)素子を備えたフレキシブルなアク
ティブマトリクス型の発光装置が開示されている。
Further,
近年、表示装置の表示領域を大型化させることで表示する表示量を増やし、表示の一覧
性の向上を図ることが検討されている。一方、携帯機器用途等では、表示領域を大型化さ
せると可搬性(ポータビリティともいう)が低下してしまう。そのため、表示の一覧性の
向上と、高い可搬性を両立することは困難であった。
In recent years, it has been studied to increase the display amount to be displayed by enlarging the display area of the display device to improve the listability of the display. On the other hand, in mobile device applications and the like, increasing the size of the display area reduces portability (also referred to as portability). Therefore, it has been difficult to achieve both improved display listability and high portability.
また、表示パネルに、ユーザーインターフェースとしての入力手段を備える構成が望ま
れている。例えば、画面に指やスタイラス等で触れることで入力する機能を付加した表示
装置(タッチパネル)がある。
Further, it is desired that the display panel be provided with an input means as a user interface. For example, there is a display device (touch panel) having a function of inputting by touching the screen with a finger or a stylus.
本発明の一態様は、可搬性に優れた電子機器を提供することを課題の一とする。または
、一覧性に優れた電子機器を提供することを課題の一とする。または、破損しにくい電子
機器を提供することを課題の一とする。または、新たな入力手段を備える電子機器を提供
することを課題の一とする。
One aspect of the present invention is to provide an electronic device having excellent portability. Alternatively, one of the issues is to provide an electronic device having excellent listability. Alternatively, one of the issues is to provide an electronic device that is not easily damaged. Alternatively, one of the issues is to provide an electronic device provided with a new input means.
または、本発明の一態様は、電子機器を薄型化することを課題の一とする。または、電
子機器を軽量化することを課題の一とする。または、新規な電子機器を提供することを課
題の一とする。
Alternatively, one aspect of the present invention is to make the electronic device thinner. Alternatively, one of the issues is to reduce the weight of electronic devices. Alternatively, one of the issues is to provide new electronic devices.
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様
は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。また、上記以外の課題は、明
細書等の記載から自ずと明らかになるものであり、明細書等の記載から上記以外の課題を
抽出することが可能である。
The description of these issues does not prevent the existence of other issues. It is not necessary for one aspect of the present invention to solve all of these problems. In addition, problems other than the above are naturally clarified from the description of the specification and the like, and it is possible to extract problems other than the above from the description of the specification and the like.
本発明の一態様は、第1の支持体と、第2の支持体と、接続部と、表示パネルと、を有
する電子機器である。また表示パネルは折り曲げて表示することのできる機能を有する。
第1の支持体と第2の支持体とは、接続部により接続し、第1の支持体と第2の支持体と
は、接続部を介して相対的に回転する機能を有する。また表示パネルは、第1の支持体に
固定される部分を有し、第2の支持体に対して一方向に動くことができるように、第2の
支持体に支持されていることを特徴とする。
One aspect of the present invention is an electronic device having a first support, a second support, a connection portion, and a display panel. The display panel also has a function of being able to be folded and displayed.
The first support and the second support are connected by a connecting portion, and the first support and the second support have a function of relatively rotating via the connecting portion. The display panel also has a portion fixed to the first support and is supported by the second support so that it can move in one direction with respect to the second support. And.
また、本発明の他の一態様は、第1の支持体と、第2の支持体と、接続部と、表示パネ
ルと、検出手段と、を有する電子機器である。また表示パネルは折り曲げて表示すること
のできる機能を有する、第1の支持体と第2の支持体とは、接続部により接続し、接続部
を介して相対的に回転する機能を有する。また表示パネルは、第1の支持体に固定される
部分を有し、第2の支持体に対して一方向に動くことができるように、第2の支持体に支
持され、第1の支持体と第2の支持体とを相対的に回転させたときに、第2の支持体との
相対位置が変化する機能を有する。また検出手段は、表示パネルと第2の支持体との相対
位置を検出する機能を有することを特徴とする。
Further, another aspect of the present invention is an electronic device having a first support, a second support, a connection portion, a display panel, and a detection means. Further, the display panel has a function of being able to be bent and displayed, and the first support and the second support have a function of being connected by a connecting portion and relatively rotating via the connecting portion. The display panel also has a portion fixed to the first support and is supported by the second support so that it can move in one direction with respect to the second support. It has a function of changing the relative position with respect to the second support when the body and the second support are relatively rotated. Further, the detecting means has a function of detecting a relative position between the display panel and the second support.
また、上記において、上記検出手段は、発光素子と、受光素子と、を有し、発光素子及
び受光素子の一方は、表示パネルに固定されて設けられ、発光素子及び受光素子の他方が
、第2の支持体に固定されて設けられ、受光素子は、発光素子からの発光を検出する機能
を有することが好ましい。
Further, in the above, the detection means includes a light emitting element and a light receiving element, one of the light emitting element and the light receiving element is fixedly provided on the display panel, and the other of the light emitting element and the light receiving element is the first. It is preferable that the light receiving element is fixed to the
または、上記において、上記検出手段は、発光素子と、受光素子と、を有し、発光素子
及び受光素子は、それぞれ第2の支持体に固定されて設けられ、発光素子は、表示パネル
の一部に光を照射する機能を有し、受光素子は、表示パネルからの反射光を検出する機能
を有することが好ましい。
Alternatively, in the above, the detection means includes a light emitting element and a light receiving element, and the light emitting element and the light receiving element are each fixed to a second support and provided, and the light emitting element is one of the display panels. It is preferable that the light receiving element has a function of irradiating the portion with light and has a function of detecting the reflected light from the display panel.
または、上記において、上記表示パネルは、表示部と、非表示部を有し、表示部は、第
1の発光素子を有し、検出手段は、第2の発光素子と受光素子と、を有し、第2の発光素
子は、非表示部に設けられ、受光素子は、第2の支持体に固定されて設けられ、受光素子
は、第2の発光素子からの発光を検出する機能を有することが好ましい。
Alternatively, in the above, the display panel has a display unit and a non-display unit, the display unit has a first light emitting element, and the detection means has a second light emitting element and a light receiving element. The second light emitting element is provided in the non-display portion, the light receiving element is fixedly provided on the second support, and the light receiving element has a function of detecting light emission from the second light emitting element. Is preferable.
また、上記において、表示パネルは、第1の支持体、接続部、及び第2の支持体の、各
々の厚さ方向の中心位置と重ならないように位置することが好ましい。
Further, in the above, the display panel is preferably positioned so as not to overlap with the center position of the first support, the connecting portion, and the second support in the thickness direction.
また、上記接続部は、弾性体を有することが好ましい。 Further, the connecting portion preferably has an elastic body.
また、上記表示パネルは、タッチセンサとしての機能を有することが好ましい。または
、上記表示パネルに重ねて、タッチセンサが設けられていることが好ましい。
Further, the display panel preferably has a function as a touch sensor. Alternatively, it is preferable that a touch sensor is provided on the display panel.
本発明によれば、可搬性に優れた電子機器を提供できる。または、一覧性に優れた電子
機器を提供できる。または、破損しにくい電子機器を提供できる。または、新たな入力手
段を備える電子機器を提供できる。または、新たな電子機器を提供できる。
According to the present invention, it is possible to provide an electronic device having excellent portability. Alternatively, it is possible to provide an electronic device having excellent listability. Alternatively, it is possible to provide an electronic device that is not easily damaged. Alternatively, an electronic device provided with a new input means can be provided. Alternatively, new electronic devices can be provided.
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
The description of these effects does not preclude the existence of other effects. It should be noted that one aspect of the present invention does not necessarily have to have all of these effects. It should be noted that the effects other than these are naturally clarified from the description of the description, drawings, claims, etc., and it is possible to extract the effects other than these from the description of the description, drawings, claims, etc. Is.
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定
されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更
し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態
の記載内容に限定して解釈されるものではない。
The embodiment will be described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following description, and it is easily understood by those skilled in the art that the form and details of the present invention can be variously changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, the present invention is not construed as being limited to the description of the embodiments shown below.
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には
同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様
の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
In the configuration of the invention described below, the same reference numerals are commonly used in different drawings for the same parts or parts having similar functions, and the repeated description thereof will be omitted. Further, when referring to the same function, the hatch pattern may be the same and no particular sign may be added.
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、
明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されな
い。
In addition, in each figure described in this specification, the size of each structure, the thickness of a layer, or a region is defined as.
May be exaggerated for clarity. Therefore, it is not necessarily limited to that scale.
なお、本明細書等における「第1」、「第2」等の序数詞は、構成要素の混同を避ける
ために付すものであり、数的に限定するものではない。
It should be noted that the ordinal numbers such as "first" and "second" in the present specification and the like are added to avoid confusion of the components, and are not limited numerically.
(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器の構成例について、図面を参照して説明
する。
(Embodiment 1)
In the present embodiment, a configuration example of the electronic device according to one aspect of the present invention will be described with reference to the drawings.
本発明の一態様の電子機器は、可撓性を有する表示パネルと、これを支持する2つの支
持体を備える構成とする。また2つの支持体は接続部によって接続される。接続部を介し
て2つの筐体を相対的に回転させ、電子機器を折り畳むことが可能である。したがって、
本発明の一態様の電子機器は、表示パネルの表示面を平坦な状態に保持すること、表示パ
ネルの表示面が内側になるように折り曲げること(内曲げ)、表示パネルの表示面が外側
になるように折り曲げること等が可能である。
The electronic device of one aspect of the present invention is configured to include a flexible display panel and two supports that support the display panel. Also, the two supports are connected by a connecting portion. It is possible to fold the electronic device by relatively rotating the two housings via the connection. Therefore,
In the electronic device of one aspect of the present invention, the display surface of the display panel is held in a flat state, the display surface of the display panel is bent so as to be inside (inward bending), and the display surface of the display panel is outward. It is possible to bend it so that it becomes.
本発明の一態様の電子機器は、表示パネルを展開した状態では、継ぎ目のない広い表示
領域により一覧性に優れる。また表示パネルを折り畳んだ状態では、可搬性に優れる。
The electronic device according to one aspect of the present invention is excellent in listability due to a wide seamless display area when the display panel is unfolded. In addition, when the display panel is folded, it has excellent portability.
ここで、本発明の一態様の電子機器において、表示パネルは一方の支持体には固定され
、他方の支持体には、一方向にスライドするように、固定されることなく支持されるよう
に設けることが好ましい。そして2つの支持体の角度を変化させたときに、表示パネルが
固定されていない支持体に対してスライドし、両者の相対的な位置が変化する構成とする
ことが好ましい。このような構成とすることで、2つの支持体の角度を変化させ、表示パ
ネルの一部を曲げるときに、表示パネルを曲げる向きにのみ力がかかり、これとは垂直な
向きに(すなわち、表示パネルの厚さ方向に垂直な向きに)かかる力を実質的に無くすこ
とが可能となる。すなわち、表示パネルがスライドすることによって表示パネルを曲げる
際に表示パネルを引っ張る、または圧縮する力がかからないため、表示パネルの破損が抑
制され、信頼性の高い電子機器が実現できる。
Here, in the electronic device of one aspect of the present invention, the display panel is fixed to one support and is supported by the other support so as to slide in one direction without being fixed. It is preferable to provide it. Then, when the angles of the two supports are changed, it is preferable that the display panel slides with respect to the support to which the display panel is not fixed, and the relative positions of the two are changed. With such a configuration, when the angles of the two supports are changed and a part of the display panel is bent, a force is applied only in the bending direction of the display panel, and the force is applied in the direction perpendicular to this (that is, that is, It is possible to substantially eliminate the force applied (in the direction perpendicular to the thickness direction of the display panel). That is, since no force is applied to pull or compress the display panel when the display panel is bent by sliding, damage to the display panel is suppressed, and a highly reliable electronic device can be realized.
さらに、上述のように表示パネルがスライドした際に、その変位量を検出できる検出手
段を備えていることが好ましい。表示パネルの変位量は、2つの支持体の角度に依存して
変化するため、この変位量を検出することで2つの支持体の角度を検出することが可能と
なる。例えば表示パネルと、表示パネルが固定されていない側の支持体との相対的な位置
の変化を検出することにより、表示パネルの変位量を検出することができる。この相対的
な位置の変化は、好ましくは光学的に検出することが好ましい。また、機械的、または電
気的に検出する構成としてもよい。
Further, as described above, it is preferable to have a detecting means capable of detecting the displacement amount when the display panel slides. Since the displacement amount of the display panel changes depending on the angles of the two supports, it is possible to detect the angles of the two supports by detecting the displacement amount. For example, the displacement amount of the display panel can be detected by detecting a change in the relative position between the display panel and the support on the side where the display panel is not fixed. This relative position change is preferably detected optically. Further, it may be configured to detect mechanically or electrically.
このように、2つの支持体の角度を検出可能な構成とすることで、その角度を電子機器
における一つの入力手段として用いることが可能となる。例えば、2つの支持体の角度に
応じて表示パネルへの表示を切り替えることなどが可能となる。また、表示パネルの表示
面が内側になるように折り畳まれた状態では、表示パネルの表示を停止するなどの動作を
行うことができる。
In this way, by configuring the angle of the two supports to be detectable, the angle can be used as one input means in the electronic device. For example, it is possible to switch the display on the display panel according to the angles of the two supports. Further, in the state where the display surface of the display panel is folded so as to be inside, it is possible to perform an operation such as stopping the display of the display panel.
より具体的には、以下のような構成とすることができる。 More specifically, the configuration can be as follows.
[構成例]
図1(A)に、本発明の一態様の電子機器10の斜視概略図を示す。
[Configuration example]
FIG. 1A shows a schematic perspective view of an
電子機器10は、支持体11aと、支持体11bと、接続部12と、表示パネル13と
、検出手段14と、を有する。
The
支持体11aと支持体11bとは、接続部12を介して接続されている。表示パネル1
3は、支持体11a、支持体11b及び接続部12に重ねて配置されている。また表示パ
ネル13は、少なくとも支持体11a及び支持体11bに支持されている。
The
3 is arranged so as to overlap the
具体的には、表示パネル13は、支持体11aに固定される領域を有する。さらに表示
パネル13は、支持体11bに固定されることなく、一方向にスライドすることができる
ように支持体11bに支持されている。
Specifically, the
また、表示パネル13は可撓性を有する。また表示パネル13は複数の画素を有する領
域(表示領域ともいう)を有し、表示領域に画像を表示することができる。画素は表示素
子を備える。なお、以下では表示パネル13の表面のうち、画像が表示される側の面を表
示面と表記する場合がある。
Further, the
支持体11aと支持体11bとは、接続部12を介して相対的に回転させることができ
る。例えば、支持体11aと支持体11bとを接続部12を介して折り畳む、またはねじ
るなどの変形を加えることができる。したがって、電子機器10は、表示パネル13の表
示面が平坦である状態から、表示面が曲がった状態に可逆的に変形させることができる。
The
支持体11a及び支持体11bとしては、剛性を有していてもよいし、支持体自体が捩
りや湾曲させる力に対して変形可能な部材を用いてもよい。支持体11a及び支持体11
bは少なくとも表示パネル13、または接続部12よりも可撓性の低い材料を用いればよ
く、硬質ゴムなどの弾性体などをその骨格に用いてもよい。そのほか、各筐体を構成しう
る材料としては、プラスチック、アルミニウムなどの金属、ステンレスやチタン合金など
の合金、シリコーンゴムなどのゴム等を用いることができる。
The
For b, at least a material having a lower flexibility than the
接続部12は、一部または全部が弾性変形する材料を好適に用いることができる。例え
ば接続部12の全部が弾性体である、または少なくとも曲がる部分に弾性体を有する構成
をとすることができる。または、接続部12として、1以上の回転軸を有するヒンジを有
する構成を適用することもできる。
For the connecting
接続部12として弾性変形する材料を用いた場合、支持体11aと支持体11bを相対
的に回転させる力が与えられない場合には、図1(A)に示す表示面が平坦な状態に保持
することができる。また図1(C)や図1(E)の状態に保持するために、支持体11a
と支持体11bとを固定する機構を有していることが好ましい。例えば支持体11aと支
持体11bとを機械的に脱着可能とした脱着具を別途有していてもよいし、または支持体
11aと支持体11bとが脱着機構を備えていてもよい。または、支持体11aと支持体
11bとを磁力により固定する構成としてもよい。
When a material that elastically deforms is used as the connecting
It is preferable to have a mechanism for fixing the
また、接続部12としてヒンジを有する構成とする場合には、図1(C)や図1(E)
の状態に支持体11aと支持体11bとの相対位置を固定する機構を備えるヒンジを用い
ることで、上述した脱着具や脱着機構が不要となるため好ましい。また、段階的な固定位
置を有するヒンジを用いることにより、図1(B)や図1(D)のように、表示パネル1
3の表示面が湾曲した状態で使用することもできる。
Further, when the connecting
It is preferable to use a hinge provided with a mechanism for fixing the relative positions of the
It can also be used in a state where the display surface of 3 is curved.
接続部12としては、例えば支持体11a及び支持体11bよりもヤング率の低い材料
を用いることができる。また、支持体11a及び支持体11bよりもヤング率の高い材料
、またはヤング率が同程度の材料を用いた場合であっても、接続部12の厚さを支持体1
1a及び支持体11bよりも薄い材料を適用することもできる。接続部12を構成しうる
材料としては、プラスチック、ゴム、金属、または合金等を用いることができる。例えば
シリコーン樹脂などの材料や、ゲルを用いてもよい。
As the connecting
Materials thinner than 1a and
図1(A)は、表示パネル13の表示面を平坦な状態に保持した状態を示す。この状態
から表示パネル13の表示面を内側に曲げるように電子機器10を変形させることで、図
1(B)の状態を経て図1(C)の状態に可逆的に変形させることができる。図1(C)
では、表示パネル13が支持体11a及び支持体11bに挟み込まれて収納されている状
態である。電子機器10を使用しない際、または鞄等に収納する際などにはこのような形
態とすることができる。
FIG. 1A shows a state in which the display surface of the
Then, the
また、図1(A)に示す状態から表示パネル13の表示面を外側に曲げるように電子機
器10を変形させることで、図1(D)の状態を経て図1(E)の状態に可逆的に変形さ
せることができる。図1(E)では、表示パネル13の表示面が電子機器10の上面、側
面及び下面に沿って位置している状態である。図1(E)に示す状態では図1(A)に示
す状態と比べて小型であるため、公共の場所で使用する場合や移動中に使用する場合など
には好適である。
Further, by deforming the
[断面構成例]
図2(A)は、図1(A)中に示す切断面X1における、電子機器10の断面概略図を
示している。また、図2(B)は図1(B)中に示す切断面X2における断面概略図であ
り、図2(C)は図1(D)中に示す切断面X3における断面概略図である。
[Cross-section configuration example]
FIG. 2A shows a schematic cross-sectional view of the
図2(A)において、表示パネル13は、支持体11a、支持体11b、および接続部
12の各々の上面に沿って配置されている。また表示パネル13にはFPC(Flexi
ble Print Circuit)15が接続されており、FPC15を介して支持
体11aの内部に設けられる回路基板16と電気的に接続している。また、回路基板16
は第1の支持体11aの内部に設けられるバッテリ17と電気的に接続している。また、
図2(A)に示すようにバッテリ17は第2の支持体11bの内部にも設けられていても
よい。なお、ここでは図示しないが、支持体11bの内部に検出手段14の駆動を制御す
るためのIC等を実装した回路基板を有していてもよい。例えば、当該ICは、検出手段
14を駆動する機能と、検出手段14から出力された信号を取り出す機能を有していても
よい。
In FIG. 2A, the
The ble Print Circuit) 15 is connected, and is electrically connected to the
Is electrically connected to the
As shown in FIG. 2A, the
表示パネル13は支持体11aに固定されるように支持されている。例えば表示パネル
13の一部が支持体11aに接着されていてもよいし、ねじ等の固定具により機械的に固
定されていてもよい。
The
一方、表示パネル13は、支持体11bに固定されずに支持されている。具体的には、
図2(A)において、表示パネル13が支持体11bに対して左右方向にスライドできる
ように支持されている。
On the other hand, the
In FIG. 2A, the
ここで、表示パネル13の厚さ方向(図2(A)では上下方向)、及び表示パネル13
が曲げられるときの湾曲方向とは垂直な方向(図2(A)では紙面に垂直な方向)のうち
、一方、または両方に、表示パネル13が動く(ずれる)ことのないように、表示パネル
13が支持体11bに支持されていることが好ましい。
Here, the thickness direction of the display panel 13 (vertical direction in FIG. 2A) and the
The display panel so that the
以上のように、表示パネル13が、支持体11aに固定され、且つ支持体11bに固定
されないように支持されている。そのため、接続部12を介して支持体11aと支持体1
1bを相対的に回転させたときに、表示パネル13が支持体11bに対してずれることで
、表示パネル13の厚さ方向に垂直な方向にかかる応力が緩和され、表示パネル13が破
損するなどの不具合を抑制することができる。したがって、信頼性の高い電子機器10を
実現できる。
As described above, the
When 1b is rotated relatively, the
図2(A)では、検出手段14が第2の支持体11bに配置されている例を示している
。検出手段14は、支持体11bと表示パネル13の相対的な位置を検出する機能を有す
る。なお検出手段14の具体的な構成例については後述する。ここで、図2(A)では検
出手段14が支持体11bに配置される構成を示しているが、検出手段14の位置はその
構成に応じて適宜設定されうる。
FIG. 2A shows an example in which the detecting
図2(B)および図2(C)には、支持体11bの一部を拡大した図も合わせて示して
いる。
2 (B) and 2 (C) also show an enlarged view of a part of the
図2(B)に示すように、表示パネル13の表示面が内側になるように曲げたとき、表
示パネル13の支持体11b側の端部が外側に移動するように、表示パネル13と支持体
11bとの相対的な位置がずれる。一方、図2(C)に示すように表示パネル13の表示
面が外側になるように曲げたとき、表示パネル13の支持体11b側の端部が内側に移動
するように、表示パネル13と支持体11bとの相対的な位置がずれる。
As shown in FIG. 2B, when the display surface of the
このように、表示パネル13を曲げたときに生じる表示パネル13と支持体11bとの
相対的な位置のずれを検出することで、このずれの値から支持体11aと支持体11bと
の相対的な位置関係を算出することができる。その結果、電子機器10の形状を検出する
ことが可能となる。
In this way, by detecting the relative positional deviation between the
以上が断面構成例についての説明である。 The above is the description of the cross-sectional configuration example.
[表示パネルの変位量について]
以下では、表示パネル13を曲げるように電子機器10を変形させたときに生じる、表
示パネル13と支持体11bとの相対的な位置のずれの量(変位量)について説明する。
[Displacement of display panel]
Hereinafter, the amount (displacement amount) of the relative positional deviation between the
図3(A)は、本発明の一態様の電子機器を模式的に示した図である。図3(A)に示
す電子機器は、支持体11aと支持体11bとが弾性を有する接続部12によって接続さ
れている構成を有する。また、支持体11a、接続部12、及び支持体11bの一方の面
には表示パネル13_1が設けられ、他方の面には表示パネル13_2が設けられている
。なお、図3(A)では表示パネル13_1及び表示パネル13_2が支持体11aの表
面の一部に固定されていることを示すためにハッチングパターンを付している。
FIG. 3A is a diagram schematically showing an electronic device according to an aspect of the present invention. The electronic device shown in FIG. 3A has a configuration in which the
なお、ここでは接続部12を曲げたときに、表示パネルの表示面が内側になる場合と外
側になる場合の両方を同時に説明するため、2つの表示パネルを有する例を用いて説明す
る。
Here, in order to explain both the case where the display surface of the display panel is inside and the case where the display surface is outside when the
また図3(A)に示すように、支持体11a、支持体11b及び接続部12のそれぞれ
の厚さを厚さtとする。また、接続部12の長さを長さL0とする。また表示パネル13
_1と表示パネル13_2のそれぞれの端部と、支持体11bの端部とは一致していると
する。また、図3(A)には接続部12の中立線(neautral lineともいう
)12aを破線で示している。ここで本明細書等において中立線とは、物体に応力が掛っ
ていない場合において、その物体の断面における厚さ方向の中央を結ぶ線のことを言う。
Further, as shown in FIG. 3A, the thickness of each of the
It is assumed that the respective ends of _1 and the display panel 13_2 and the end of the
ここで、図3(B)に示すように、接続部12の中立線12aを曲率半径r0で角度θ
だけ湾曲させたときを考える。このとき、接続部12が弾性体であるため、接続部12を
湾曲させたときに生じる応力により、接続部12の中立線12aよりも内側の部分は縮み
、接続部12の中立線12aよりも外側の部分は伸びることとなる。
Here, as shown in FIG. 3B, the
Consider when only curved. At this time, since the connecting
なお、ここでは簡単のために、接続部12を湾曲させたとき、接続部12の厚さは変わ
らず、且つ、接続部12の中立線12aが常に接続部12の厚さの中央を通り、且つ接続
部12の中立線12aが接続部12の一端から他端にかけて一定の曲率半径で湾曲する場
合を考える。
Here, for the sake of simplicity, when the connecting
図3(B)において、接続部12の中立線12aの長さはL0である。また接続部12
の内側の面における曲率半径r1、及び外側の面における曲率半径r2は、それぞれ以下
のようになる。
In FIG. 3B, the length of the
The radius of curvature r1 on the inner surface and the radius of curvature r2 on the outer surface are as follows.
したがって、図3(B)に示す断面における、接続部12の内側の表面の長さL1と、
外側の表面の長さL2は、それぞれ以下のようになる。
Therefore, in the cross section shown in FIG. 3B, the length L1 of the inner surface of the connecting
The length L2 of the outer surface is as follows.
ここで、表示パネル13_1は接続部12の内側の面に接して設けられているため、表
示パネル13_1が伸縮しないとすると、表示パネル13_1の端部が支持体11bの端
部よりも外側にずれるように、表示パネル13_1の一部が支持体11bに対して移動す
る。同様に、表示パネル13_2は接続部12の外側の面に接して設けられているため、
表示パネル13_2の端部が支持体11bの端部よりも内側にずれるように、表示パネル
13_2の一部が支持体11bに対して移動する。表示パネル13_1の支持体11bに
対する変位量d1、及び表示パネル13_2の支持体11bに対する変位量d2は、外側
への変位量を正とすると以下のようになる。
Here, since the display panel 13_1 is provided in contact with the inner surface of the connecting
A part of the display panel 13_2 moves with respect to the
式(3)より、表示パネル13_1の変位量d1、及び表示パネル13_2の変位量d
2は、いずれも接続部12の厚さtと、角度θに依存することが分かる。接続部12の厚
さtが一定であるとすると、変位量d1または変位量d2を検知することにより、角度θ
を見積もることができる。
From the equation (3), the displacement amount d1 of the display panel 13_1 and the displacement amount d of the display panel 13_2
It can be seen that each of 2 depends on the thickness t of the connecting
Can be estimated.
また、表示パネル13_1の変位量d1、及び表示パネル13_2の変位量d2の大き
さは、表示パネル13_1または表示パネル13_2と中立線12aとの距離が大きいほ
ど大きくなる。したがって、表示パネルは少なくとも中立線12aから離れて位置してい
ることが好ましい。すなわち、表示パネルは、支持体11a、接続部12、及び第2の支
持体11bの、各々の厚さ方向の中心位置と重ならないように位置することが好ましい。
Further, the size of the displacement amount d1 of the display panel 13_1 and the displacement amount d2 of the display panel 13_2 increases as the distance between the display panel 13_1 or the display panel 13_2 and the
なお、実際には接続部12の湾曲部の厚さが薄くなる部分が生じる場合がある。したが
って、図3(B)の表示パネル13_1のように表示面を内曲げする場合と、表示パネル
13_2のように表示面を外曲げする場合とではその変位量の絶対値に差が生じ、上述の
値とは異なる変位量となる場合がある。そのため、表示パネル13と支持体11bとの相
対的な変位量から角度θを算出する場合には、接続部12を湾曲させたときの形状変化を
考慮して、補正することが好ましい。
In reality, there may be a portion where the thickness of the curved portion of the connecting
またここでは、接続部12として板状の形状である場合を示したがこれに限られない。
例えば、図4(A)、(B)に示すように、内部に空洞を有する接続部12とすることで
、当該空洞内に配線18を設けることもできる。配線18により、支持体11a及び支持
体11bの内部に設けられる回路基板やバッテリ等を相互に電気的に接続することができ
る。また、図4(C)、(D)に示すように、接続部12を蛇腹構造を有する形態とする
ことで、接続部12を曲げたときに接続部12にかかる応力を低減することができる。ま
た、図4(E)、(F)に示すように、接続部12を、内部に空洞が設けられた蛇腹構造
を有する形態とし、当該空洞内に配線18を設ける構成としてもよい。
Further, here, the case where the connecting
For example, as shown in FIGS. 4A and 4B, the
またここでは、接続部12として弾性体を用いた場合について説明したが、接続部12
としてヒンジを用いる場合には、支持体11aと支持体11bの相対的な可動範囲を制限
できるため、より精密に支持体11bと表示パネル13との相対的な変位量から角度θを
算出することができるため好ましい。このとき、ヒンジが2以上の回転軸を有する構成と
すると、より自由度の高い設計が可能なため好ましい。
Further, although the case where an elastic body is used as the connecting
When a hinge is used as a hinge, the relative movable range of the
以上が表示パネルの変位量についての説明である。 The above is the description of the displacement amount of the display panel.
[検出手段の構成例]
上述のように検出手段14は、支持体11bと表示パネル13の相対的な位置の変化を
検出する機能を有する機構のことを指す。
[Configuration example of detection means]
As described above, the detecting
検出手段14として、光学的に位置の変化を検出する構成とすることが好ましい。例え
ば、支持体11bに発光素子または受光素子の一方が設けられ、表示パネル13に他方が
設けられる構成とすることができる。または、支持体11bに発光素子と受光素子の両方
を設け、表示パネル13に反射した発光素子からの光を受光素子によって検出する構成と
してもよい。また、発光素子と受光素子の両方を表示パネル13に設け、支持体11bか
らの反射光を受光する構成としてもよい。
It is preferable that the detecting
より具体的には、以下のような構成を用いることができる。 More specifically, the following configuration can be used.
〔構成例1〕
図5(A)に、支持体11bの検出手段14を含む領域の断面概略図を示す。
[Configuration Example 1]
FIG. 5A shows a schematic cross-sectional view of a region including the detection means 14 of the
支持体11bは、表示パネル13を支持する第1の部分31と、表示パネル13の表示
面側に位置する第2の部分32と、表示パネル13の表示面側とは反対側に位置する第3
の部分と、を有する。第2の部分32と第3の部分33は、支持体11bの外装部材とし
て機能してもよい。
The
And has a part of. The
検出手段14は、複数の受光素子21と、発光素子22と、を有する。
The detection means 14 includes a plurality of light receiving
図5(A)に示す構成では、複数の受光素子21はそれぞれ支持体11bの第2の部分
32の、表示パネル13と対向する面に固定して配置されている。また発光素子22は、
表示パネル13に固定して配置されている。発光素子22は、支持体11bの第2の部分
32側、より具体的には受光素子21側に光を発することができる。
In the configuration shown in FIG. 5A, the plurality of light receiving
It is fixedly arranged on the
発光素子22が発する光としては、可視光であってもよいし、赤外線、または紫外線で
あってもよい。例えば、300nmから3000nmの波長の範囲に1以上のピークを有
する光を発する発光素子を適用することができる。特に、750nm以上の波長の赤外線
を用いると、可視光や紫外線を用いた場合に比べ支持体11bからの光漏れを考慮する必
要性が低いため設計が容易であり、また安全性を高めることが可能となるため好ましい。
The light emitted by the
発光素子22としては、例えばLED(Light Emitting Diode)
、有機EL素子、または無機EL素子などの発光素子を適用することができる。特に、表
示パネル13が画素に有機EL素子などの発光素子を有する場合には、発光素子22とし
て当該画素と同一工程で作製された発光素子を用いると、部品点数を削減することができ
る。その場合、発光素子22からの発光は可視光を含む光となる。
The
, An organic EL element, or a light emitting element such as an inorganic EL element can be applied. In particular, when the
受光素子21は、発光素子22からの発光を受光することのできる素子である。受光素
子21としては、例えばフォトダイオード、フォトトランジスタなどの光電変換素子を含
む受光素子を適用することができる。そのほか、CCDイメージセンサ、CMOSイメー
ジセンサ等の固体撮像素子を適用することもできる。
The
また後述するように、表示パネル13に受光素子21を設ける態様とすることもできる
。このとき、特に表示パネル13が表示領域にフォトダイオード等の光電変換素子を有す
る光学型のタッチパネルの場合には、受光素子21と当該光電変換素子を同一工程で作製
することが好ましい。
Further, as will be described later, the
図5(B)、(C)は、検出手段14及びその主要な周辺部を示す斜視概略図である。
5 (B) and 5 (C) are schematic perspective views showing the detecting
表示パネル13は、表示部13aと、非表示部13bとを有する。表示部13aは、複
数の画素を有し、画像等を表示することのできる部分である。また、非表示部13bの一
部には、発光素子22が配置されている。支持体11bの第2の部分32は、表示パネル
13の非表示部13bと重なるように配置されている。
The
図5(B)に示すように、発光素子22が発する光23は、表示パネル13の表示面側
に発せられる。このとき、光23の進行方向に位置する受光素子21が、光23を検知す
る。
As shown in FIG. 5B, the light 23 emitted by the
続いて図5(B)の状態から、図5(C)に示す矢印の方向に表示パネル13が支持体
11bに対して相対的に変位したとする。このとき、発光素子22と複数の受光素子21
との相対的な位置が変化するため、図5(B)の状態の時とは異なる受光素子21が、発
光素子22が発する光23の進行方向に位置することとなる。
Subsequently, it is assumed that the
Since the relative position with respect to is changed, the
なお、図5(B)等では光23の進行方向が表示パネル13の表面に対して概略垂直な
向きである場合を示すが、これに限られず斜め方向に進行してもよい。また発光素子22
として、指向性の高い発光素子を用いてもよいし、進行方向に対して強度分布を有する発
光素子を用いてもよい。
Note that FIG. 5B and the like show a case where the traveling direction of the light 23 is substantially perpendicular to the surface of the
As a result, a light emitting element having high directivity may be used, or a light emitting element having an intensity distribution with respect to the traveling direction may be used.
このように、複数の受光素子21により受光した光23の検出強度を比較することによ
り、表示パネル13と支持体11bとの相対的な位置関係を検出することが可能となる。
In this way, by comparing the detection intensities of the light 23 received by the plurality of light receiving
検出手段14によって検出される位置の精度は、表示パネル13と支持体11bとの相
対的な変位方向に対して、複数の受光素子21をできるだけ隙間なく配列させることによ
り向上させることができる。例えば、図6(A)に示すように、変位の方向に平行なベク
トル(矢印)に対する、隣接する2つの受光素子21の投影が互いに重なるように配置す
ることにより、検出される位置の精度を高めることができる。
The accuracy of the position detected by the detecting means 14 can be improved by arranging the plurality of light receiving
また、図6(B)に示すように、隣接する2つの受光素子21を、隙間をあけて配列し
た場合であっても、発光素子22からの光23の角度依存性があらかじめ分かっている場
合には、複数の受光素子21による検出強度の値から、検出強度のピーク位置を算出する
ことにより、高い精度で発光素子22の位置を検出することが可能である。
Further, as shown in FIG. 6B, even when two adjacent
なお、ここでは検出手段14として、複数の受光素子21を支持体11bの第2の部分
32に設け、発光素子22を表示パネル13に設ける構成としたが、これに限られない。
例えば図7(A)に示すように、表示パネル13に複数の受光素子を設け、支持体11b
の第2の部分32に発光素子22を設ける構成としてもよい。
Here, as the detection means 14, a plurality of light receiving
For example, as shown in FIG. 7A, the
The
また、図7(B)に示すように、支持体11bの第1の部分31が開口部を有する構成
とし、表示パネル13の表示面とは反対側に光を発する発光素子22と、支持体11bの
第3の部分33に設けられた複数の受光素子21を備える構成としてもよい。
Further, as shown in FIG. 7B, the
また、図7(C)に示すように、表示パネル13の表示面とは反対側に複数の受光素子
21を設け、支持体11bの第3の部分に発光素子22を設ける構成としてもよい。
Further, as shown in FIG. 7C, a plurality of light receiving
また図7(B)、(C)において、第1の部分31の開口部は少なくとも発光素子22
の発する光を透過すればよく、透光性を有する部材を有していてもよい。
Further, in FIGS. 7B and 7C, the opening of the
It suffices to transmit the light emitted by, and may have a member having translucency.
以上が構成例1についての説明である。 The above is the description of the configuration example 1.
〔構成例2〕
以下では上記構成例1とは構成の一部が異なる構成例について説明する。なお上記と重
複する部分については説明を省略する場合がある。
[Configuration Example 2]
Hereinafter, a configuration example in which a part of the configuration is different from the configuration example 1 will be described. The description of the part that overlaps with the above may be omitted.
図8(A)は、検出手段14及びその主要な周辺部を示す斜視概略図である。
FIG. 8A is a schematic perspective view showing the detecting
支持体11bの第2の部分32の表示パネル13と対向する面には、受光素子21と発
光素子22が並べて配置されている。
The
図8(A)に示すように、発光素子22が発する光23は、表示パネル13の非表示部
13bの一部に反射し、その反射光の一部が受光素子21によって受光される。表示パネ
ル13が支持体11bに対して変位することに伴って、受光素子21で受光する光の強度
が変化するため、この変化を検出することで表示パネル13と支持体11bとの相対的な
変位量を検出することができる。
As shown in FIG. 8A, the light 23 emitted by the
表示パネル13の非表示部13bにおいて、発光素子22が発する光23を反射する部
分には、反射率の異なる部分を有していることが好ましい。より具体的には、表示パネル
13の変位方向に対して垂直な方向に沿って、反射率の異なる部分を有していればよい。
例えば、非表示部13bに設けられる配線のパターンや、駆動回路のパターン等を利用す
ることもできる。
In the
For example, a wiring pattern provided on the
また、表示パネル13の非表示部13bの表面、または内部に、位置検出のためのパタ
ーンを別途形成してもよい。例えば表示パネル13を変位させたときに、反射率の高い部
分と低い部分とが交互に出現するようなパターンを形成すればよい。このようなパターン
は印刷法などにより形成してもよいし、表示パネル13の表面に凹凸形状を形成したもの
を用いてもよい。
Further, a pattern for position detection may be separately formed on the surface or inside of the
図8(B)乃至(E)に、表示パネル13の非表示部13bが有する位置検出のための
パターンの一例を示す。なお各図における矢印は、表示パネル13の変位方向を示してい
る。
8 (B) to 8 (E) show an example of a pattern for position detection included in the
図8(A)では第1の反射率を有する第1の領域24と、第2の反射率を有する第2の
領域25とを有する。表示パネル13の変位方向に略平行な向きに、ストライプ状の第2
の領域25が複数配列したパターンを有している。
In FIG. 8A, it has a
ここで、第1の反射率と第2の反射率との反射率の差は、例えば5%以上、好ましくは
10%以上、より好ましくは15%以上であればよい。また第1の反射率と第2の反射率
とはその反射率に差があればよく、第1の反射率が第2の反射率よりも高くてもよいし、
低くてもよい。
Here, the difference in reflectance between the first reflectance and the second reflectance may be, for example, 5% or more, preferably 10% or more, and more preferably 15% or more. Further, the first reflectance and the second reflectance need only have a difference in the reflectance, and the first reflectance may be higher than the second reflectance.
It may be low.
また、図8(C)に示すように、ストライプ状の第2の領域25が、変位方向に対して
斜めに配置されていてもよい。また、図8(D)に示すように、第2の領域25が格子状
の形状を有していてもよい。また図8(E)に示すように、第2の領域25がドット状に
配列したパターンであってもよい。
Further, as shown in FIG. 8C, the striped
なお、ここでは2つの反射率の異なる部分が、規則的に配列している例を示したが、2
以上の反射率の異なる部分が規則的に配列していてもよい。また、2以上の反射率の異な
る部分が不規則に配置された構成としてもよい。
Here, an example is shown in which two parts having different reflectances are regularly arranged, but 2
The portions having different reflectances may be regularly arranged. Further, two or more portions having different reflectances may be arranged irregularly.
また、ここでは受光素子21と発光素子22とを支持体11bの第2の部分32に配置
する場合について説明したが、第3の部分33に配置する構成としてもよい。その場合、
構成例1で例示したように、発光素子22が発する光を透過する開口部を有する第1の部
分31を設ければよい。
Further, although the case where the
As illustrated in the first configuration example, the
このように、支持体11bに受光素子21と発光素子22の両方を設け、反射光を利用
して表示パネル13と支持体11bとの相対的な位置を検出する構成とすることで、部品
点数を削減できる。また表示パネル13の非表示部13bに設けられる一検出のためのパ
ターンとして、表示パネル13が有する配線等のパターンを利用することができるため、
設計の自由度を高めることが可能となる。
In this way, both the
It is possible to increase the degree of freedom in design.
以上が構成例2についての説明である。 The above is the description of the configuration example 2.
なお、本実施の形態では、2つの支持体を備える構成としたが、3つ以上の支持体を備
える構成とすることもできる。支持体の数が多いほど、電子機器を様々な形状に変形する
ことが可能となり用途の幅が広がる。図9(A)乃至(C)には3つの支持体(支持体1
1c、11d、11e)を備える電子機器の構成例を示している。図9(A)に示す電子
機器は、表示パネル13を2か所で曲げることにより図9(B)に示す形態を経て図9(
C)のように電子機器を折り畳むことができる。
In the present embodiment, the configuration includes two supports, but the configuration may include three or more supports. As the number of supports increases, the electronic device can be transformed into various shapes, and the range of applications expands. 9 (A) to 9 (C) show three supports (support 1).
A configuration example of an electronic device including 1c, 11d, 11e) is shown. The electronic device shown in FIG. 9 (A) is subjected to the form shown in FIG. 9 (B) by bending the
The electronic device can be folded as in C).
また、3つ以上の支持体を有する構成とした場合、表示パネル13はそのうちの1つの
支持体に固定され、他の支持体には固定されることなくスライドできるように支持される
構成とすればよい。また表示パネル13を支持しない支持体のうち、1つ以上の支持体に
、上述した検出手段を設ける構成とすればよい。すなわち、電子機器が備える支持体数が
nとすると、そのうちの1以上n−1以下の支持体に、検出手段を設ける構成とすればよ
い。検出手段を有する支持体の数が多いほど、電子機器の形態をより詳細に検出すること
が可能となるため好ましい。好ましくは表示パネル13を支持しないすべての支持体に検
出手段を設けるとよい。
Further, in the case of a configuration having three or more supports, the
また、本発明の一態様の電子機器は、支持体に様々な入力手段、出力手段、または入出
力手段を設ける構成とすることができる。例えば、図20では、入力ボタン41、電源ボ
タン42、外部接続端子43、カードスロット44、光学センサ45、カメラ46、光源
47、スピーカ48及びマイク49が、支持体11aまたは支持体11bに設けられてい
る例を示している。また、図20では、支持体11a及び支持体11bのそれぞれにバッ
テリ17が内蔵されている。また支持体11bの一部にアンテナ51が実装されている。
Further, the electronic device of one aspect of the present invention may be configured to be provided with various input means, output means, or input / output means on the support. For example, in FIG. 20, an
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
This embodiment can be carried out in combination with at least a part thereof as appropriate with other embodiments described in the present specification.
(実施の形態2)
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器が有する表示パネルに適用可能な発光パ
ネルの構成例及び作製方法例について説明する。
(Embodiment 2)
In the present embodiment, a configuration example and a manufacturing method example of a light emitting panel applicable to the display panel of the electronic device of one aspect of the present invention will be described.
[具体例1]
図10(A)に発光パネルの平面図を示し、図10(A)における一点鎖線A1−A2
間の断面図の一例を図10(C)に示す。具体例1で示す発光パネルは、カラーフィルタ
方式を用いたトップエミッション型の発光パネルである。本実施の形態において、発光パ
ネルは、例えば、R(赤)、G(緑)、B(青)の3色の副画素で1つの色を表現する構
成や、R(赤)、G(緑)、B(青)、W(白)、またはR(赤)、G(緑)、B(青)
、Y(黄)の4色の副画素で1つの色を表現する構成等が適用できる。色要素としては特
に限定はなく、RGBW以外の色を用いてもよく、例えば、イエロー、シアン、マゼンタ
などで構成されてもよい。
[Specific example 1]
A plan view of the light emitting panel is shown in FIG. 10 (A), and the alternate long and short dash line A1-A2 in FIG. 10 (A) is shown.
An example of the cross-sectional view between the two is shown in FIG. 10 (C). The light emitting panel shown in Specific Example 1 is a top emission type light emitting panel using a color filter method. In the present embodiment, the light emitting panel has, for example, a configuration in which one color is expressed by sub-pixels of three colors of R (red), G (green), and B (blue), or R (red) and G (green). ), B (blue), W (white), or R (red), G (green), B (blue)
, Y (yellow) four-color sub-pixels can be applied to express one color. The color element is not particularly limited, and a color other than RGBW may be used, and may be composed of, for example, yellow, cyan, magenta, or the like.
図10(A)に示す発光パネルは、発光部804、駆動回路部806、FPC(Fle
xible Printed Circuit)808を有する。発光部804及び駆動
回路部806に含まれる発光素子やトランジスタは基板801、基板803、及び封止層
823によって封止されている。
The light emitting panel shown in FIG. 10 (A) includes a
It has a xible Printed Circuit) 808. The light emitting elements and transistors included in the
図10(C)に示す発光パネルは、基板801、接着層811、絶縁層813、複数の
トランジスタ、導電層857、絶縁層815、絶縁層817、複数の発光素子、絶縁層8
21、封止層823、オーバーコート849、着色層845、遮光層847、絶縁層84
3、接着層841、及び基板803を有する。封止層823、オーバーコート849、絶
縁層843、接着層841、及び基板803は可視光を透過する。
The light emitting panel shown in FIG. 10C includes a
21, sealing
3. It has an
発光部804は、接着層811及び絶縁層813を介して基板801上にトランジスタ
820及び発光素子830を有する。発光素子830は、絶縁層817上の下部電極83
1と、下部電極831上のEL層833と、EL層833上の上部電極835と、を有す
る。下部電極831は、トランジスタ820のソース電極又はドレイン電極と電気的に接
続する。下部電極831の端部は、絶縁層821で覆われている。下部電極831は可視
光を反射することが好ましい。上部電極835は可視光を透過する。
The
1. It has an
また、発光部804は、発光素子830と重なる着色層845と、絶縁層821と重な
る遮光層847と、を有する。着色層845及び遮光層847はオーバーコート849で
覆われている。発光素子830とオーバーコート849の間は封止層823で充填されて
いる。
Further, the
絶縁層815は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏
する。また、絶縁層817は、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能
を有する絶縁層を選択することが好適である。
The insulating
駆動回路部806は、接着層811及び絶縁層813を介して基板801上にトランジ
スタを複数有する。図10(C)では、駆動回路部806が有するトランジスタのうち、
1つのトランジスタを示している。
The
It shows one transistor.
絶縁層813と基板801は接着層811によって貼り合わされている。また、絶縁層
843と基板803は接着層841によって貼り合わされている。絶縁層813や絶縁層
843に透水性の低い膜を用いると、発光素子830やトランジスタ820に水等の不純
物が侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。
The insulating
導電層857は、駆動回路部806に外部からの信号(ビデオ信号、クロック信号、ス
タート信号、又はリセット信号等)や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。
ここでは、外部入力端子としてFPC808を設ける例を示している。工程数の増加を防
ぐため、導電層857は、発光部や駆動回路部に用いる電極や配線と同一の材料、同一の
工程で作製することが好ましい。ここでは、導電層857を、トランジスタ820を構成
する電極と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。
The
Here, an example in which the
図10(C)に示す発光パネルでは、接続体825が基板803上に位置する。接続体
825は、基板803、接着層841、絶縁層843、封止層823、絶縁層817、及
び絶縁層815に設けられた開口を介して導電層857と接続している。また、接続体8
25はFPC808に接続している。接続体825を介してFPC808と導電層857
は電気的に接続する。導電層857と基板803とが重なる場合には、基板803を開口
する(又は開口部を有する基板を用いる)ことで、導電層857、接続体825、及びF
PC808を電気的に接続させることができる。
In the light emitting panel shown in FIG. 10C, the
25 is connected to FPC808. FPC808 and
Connects electrically. When the
The PC808 can be electrically connected.
具体例1では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層813やトランジスタ820、発光素
子830を作製し、該作製基板を剥離し、接着層811を用いて基板801上に絶縁層8
13やトランジスタ820、発光素子830を転置することで作製できる発光パネルを示
している。また、具体例1では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層843、着色層845
及び遮光層847を作製し、該作製基板を剥離し、接着層841を用いて基板803上に
絶縁層843、着色層845及び遮光層847を転置することで作製できる発光パネルを
示している。
In Specific Example 1, the insulating
A light emitting panel that can be manufactured by transposing 13, a
A light emitting panel that can be produced by producing the light-
基板に、耐熱性が低い材料(樹脂など)を用いる場合、作製工程で基板に高温をかける
ことが難しいため、該基板上にトランジスタや絶縁層を作製する条件に制限がある。また
、基板に透水性が高い材料(樹脂など)を用いる場合、高温をかけて、透水性の低い膜を
形成することが好ましい。本実施の形態の作製方法では、耐熱性の高い作製基板上でトラ
ンジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて、信頼性の高いトランジスタや十分に透水
性の低い膜を形成することができる。そして、それらを基板801や基板803へと転置
することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、
軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実現できる。作製方法の詳細は後述
する。
When a material having low heat resistance (resin or the like) is used for the substrate, it is difficult to apply a high temperature to the substrate in the manufacturing process, so that the conditions for forming a transistor or an insulating layer on the substrate are limited. When a material having high water permeability (resin or the like) is used for the substrate, it is preferable to apply a high temperature to form a film having low water permeability. In the manufacturing method of the present embodiment, a transistor or the like can be manufactured on a manufacturing substrate having high heat resistance, so that a highly reliable transistor or a film having sufficiently low water permeability can be formed by applying a high temperature. Then, by transposing them onto the
A light emitting panel that is lightweight or thin and has high reliability can be realized. Details of the manufacturing method will be described later.
なお、上述した発光素子830と同一工程で作製した発光素子を非表示部に設けること
により、実施の形態1で例示した発光素子22として用いることができる。
By providing the light emitting element manufactured in the same process as the above-mentioned
[具体例2]
図10(B)に発光パネルの平面図を示し、図10(B)における一点鎖線A3−A4
間の断面図の一例を図10(D)に示す。具体例2で示す発光パネルは、具体例1とは異
なる、カラーフィルタ方式を用いたトップエミッション型の発光パネルである。ここでは
、具体例1と異なる点のみ詳述し、具体例1と共通する点は説明を省略する。
[Specific example 2]
FIG. 10 (B) shows a plan view of the light emitting panel, and the alternate long and short dash line A3-A4 in FIG. 10 (B) is shown.
An example of the cross-sectional view between the two is shown in FIG. 10 (D). The light emitting panel shown in Specific Example 2 is a top emission type light emitting panel using a color filter method, which is different from Specific Example 1. Here, only the points different from the specific example 1 will be described in detail, and the points common to the specific example 1 will be omitted.
図10(D)に示す発光パネルは、図10(C)に示す発光パネルと下記の点で異なる
。
The light emitting panel shown in FIG. 10 (D) is different from the light emitting panel shown in FIG. 10 (C) in the following points.
図10(D)に示す発光パネルは、絶縁層821上にスペーサ827を有する。スペー
サ827を設けることで、基板801と基板803の間隔を調整することができる。
The light emitting panel shown in FIG. 10D has a
また、図10(D)に示す発光パネルは、基板801と基板803の大きさが異なる。
接続体825が絶縁層843上に位置し、基板803と重ならない。接続体825は、絶
縁層843、封止層823、絶縁層817、及び絶縁層815に設けられた開口を介して
導電層857と接続している。基板803に開口を設ける必要がないため、基板803の
材料が制限されない。
Further, in the light emitting panel shown in FIG. 10D, the sizes of the
The
なお、上述した発光素子830と同一工程で作製した発光素子を非表示部に設けること
により、実施の形態1で例示した発光素子22として用いることができる。
By providing the light emitting element manufactured in the same process as the above-mentioned
[具体例3]
図11(A)に発光パネルの平面図を示し、図11(A)における一点鎖線A5−A6
間の断面図の一例を図11(C)に示す。具体例3で示す発光パネルは、塗り分け方式を
用いたトップエミッション型の発光パネルである。
[Specific example 3]
FIG. 11 (A) shows a plan view of the light emitting panel, and the alternate long and short dash line A5-A6 in FIG. 11 (A) is shown.
An example of the cross-sectional view between the two is shown in FIG. 11 (C). The light emitting panel shown in Specific Example 3 is a top emission type light emitting panel using a separate painting method.
図11(A)に示す発光パネルは、発光部804、駆動回路部806、FPC808を
有する。発光部804及び駆動回路部806に含まれる発光素子やトランジスタは基板8
01、基板803、枠状の封止層824、及び封止層823によって封止されている。
The light emitting panel shown in FIG. 11A has a
It is sealed by 01, a
図11(C)に示す発光パネルは、基板801、接着層811、絶縁層813、複数の
トランジスタ、導電層857、絶縁層815、絶縁層817、複数の発光素子、絶縁層8
21、封止層823、枠状の封止層824、及び基板803を有する。封止層823及び
基板803は可視光を透過する。
The light emitting panel shown in FIG. 11C includes a
It has 21, a
枠状の封止層824は、封止層823よりもガスバリア性が高い層であることが好まし
い。これにより、外部から水分や酸素が発光パネルに侵入することを抑制できる。したが
って、信頼性の高い発光パネルを実現することができる。
The frame-shaped
具体例3では、封止層823を介して発光素子830の発光が発光パネルから取り出さ
れる。したがって、封止層823は、枠状の封止層824に比べて透光性が高いことが好
ましい。また、封止層823は、枠状の封止層824に比べて屈折率が高いことが好まし
い。また、封止層823は、枠状の封止層824に比べて硬化時の体積の収縮が小さいこ
とが好ましい。
In Specific Example 3, the light emitted from the
発光部804は、接着層811及び絶縁層813を介して基板801上にトランジスタ
820及び発光素子830を有する。発光素子830は、絶縁層817上の下部電極83
1と、下部電極831上のEL層833と、EL層833上の上部電極835と、を有す
る。下部電極831は、トランジスタ820のソース電極又はドレイン電極と電気的に接
続する。下部電極831の端部は、絶縁層821で覆われている。下部電極831は可視
光を反射することが好ましい。上部電極835は可視光を透過する。
The
1. It has an
駆動回路部806は、接着層811及び絶縁層813を介して基板801上にトランジ
スタを複数有する。図11(C)では、駆動回路部806が有するトランジスタのうち、
1つのトランジスタを示している。
The
It shows one transistor.
絶縁層813と基板801は接着層811によって貼り合わされている。絶縁層813
に透水性の低い膜を用いると、発光素子830やトランジスタ820に水等の不純物が侵
入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。
The insulating
It is preferable to use a film having low water permeability because impurities such as water can be suppressed from entering the
導電層857は、駆動回路部806に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と
電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてFPC808を設ける例を示している
。また、ここでは、導電層857を、トランジスタ820を構成する電極と同一の材料、
同一の工程で作製した例を示す。
The
An example produced in the same process is shown.
図11(C)に示す発光パネルでは、接続体825が基板803上に位置する。接続体
825は、基板803、封止層823、絶縁層817、及び絶縁層815に設けられた開
口を介して導電層857と接続している。また、接続体825はFPC808に接続して
いる。接続体825を介してFPC808と導電層857は電気的に接続する。
In the light emitting panel shown in FIG. 11C, the
具体例3では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層813やトランジスタ820、発光素
子830を作製し、該作製基板を剥離し、接着層811を用いて基板801上に絶縁層8
13やトランジスタ820、発光素子830を転置することで作製できる発光パネルを示
している。耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて
、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い膜を形成することができる。そして、
それらを基板801へと転置することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これに
より、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実現で
きる。
In Specific Example 3, the insulating
A light emitting panel that can be manufactured by transposing 13, a
By transposing them onto the
なお、上述した発光素子830と同一工程で作製した発光素子を非表示部に設けること
により、実施の形態1で例示した発光素子22として用いることができる。
By providing the light emitting element manufactured in the same process as the above-mentioned
[具体例4]
図11(B)に発光パネルの平面図を示し、図11(B)における一点鎖線A7−A8
間の断面図の一例を図11(D)に示す。具体例4で示す発光パネルは、カラーフィルタ
方式を用いたボトムエミッション型の発光パネルである。
[Specific example 4]
FIG. 11 (B) shows a plan view of the light emitting panel, and the alternate long and short dash line A7-A8 in FIG. 11 (B) is shown.
An example of the cross-sectional view between the two is shown in FIG. 11 (D). The light emitting panel shown in Specific Example 4 is a bottom emission type light emitting panel using a color filter method.
図11(D)に示す発光パネルは、基板801、接着層811、絶縁層813、複数の
トランジスタ、導電層857、絶縁層815、着色層845、絶縁層817a、絶縁層8
17b、導電層816、複数の発光素子、絶縁層821、封止層823、及び基板803
を有する。基板801、接着層811、絶縁層813、絶縁層815、絶縁層817a、
及び絶縁層817bは可視光を透過する。
The light emitting panel shown in FIG. 11D includes a
17b,
Have.
And the insulating
発光部804は、接着層811及び絶縁層813を介して基板801上にトランジスタ
820、トランジスタ822、及び発光素子830を有する。発光素子830は、絶縁層
817上の下部電極831と、下部電極831上のEL層833と、EL層833上の上
部電極835と、を有する。下部電極831は、トランジスタ820のソース電極又はド
レイン電極と電気的に接続する。下部電極831の端部は、絶縁層821で覆われている
。上部電極835は可視光を反射することが好ましい。下部電極831は可視光を透過す
る。発光素子830と重なる着色層845を設ける位置は、特に限定されず、例えば、絶
縁層817aと絶縁層817bの間や、絶縁層815と絶縁層817aの間等に設ければ
よい。
The
駆動回路部806は、接着層811及び絶縁層813を介して基板801上にトランジ
スタを複数有する。図11(C)では、駆動回路部806が有するトランジスタのうち、
2つのトランジスタを示している。
The
Two transistors are shown.
絶縁層813と基板801は接着層811によって貼り合わされている。絶縁層813
に透水性の低い膜を用いると、発光素子830やトランジスタ820、822に水等の不
純物が侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。
The insulating
It is preferable to use a film having low water permeability because impurities such as water can be suppressed from entering the
導電層857は、駆動回路部806に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と
電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてFPC808を設ける例を示している
。また、ここでは、導電層857を、導電層816と同一の材料、同一の工程で作製した
例を示す。
The
具体例4では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層813やトランジスタ820、発光素
子830等を作製し、該作製基板を剥離し、接着層811を用いて基板801上に絶縁層
813やトランジスタ820、発光素子830等を転置することで作製できる発光パネル
を示している。耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をか
けて、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い膜を形成することができる。そし
て、それらを基板801へと転置することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。こ
れにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実
現できる。
In Specific Example 4, the insulating
なお、上述した発光素子830と同一工程で作製した発光素子を非表示部に設けること
により、実施の形態1で例示した発光素子22として用いることができる。
By providing the light emitting element manufactured in the same process as the above-mentioned
[具体例5]
図11(E)に具体例1〜4とは異なる発光パネルの例を示す。
[Specific example 5]
FIG. 11 (E) shows an example of a light emitting panel different from the specific examples 1 to 4.
図11(E)に示す発光パネルは、基板801、接着層811、絶縁層813、導電層
814、導電層857a、導電層857b、発光素子830、絶縁層821、封止層82
3、及び基板803を有する。
The light emitting panel shown in FIG. 11 (E) includes a
It has 3 and a
導電層857a及び導電層857bは、発光パネルの外部接続電極としての機能を有し
、FPC等と電気的に接続させることができる。
The
発光素子830は、下部電極831、EL層833、及び上部電極835を有する。下
部電極831の端部は、絶縁層821で覆われている。発光素子830はボトムエミッシ
ョン型、トップエミッション型、又はデュアルエミッション型である。光を取り出す側の
電極、基板、絶縁層等は、それぞれ可視光を透過する。導電層814は、下部電極831
と電気的に接続する。
The
And electrically connect.
光を取り出す側の基板は、光取り出し構造として、半球レンズ、マイクロレンズアレイ
、凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を有していてもよい。例えば、樹脂基
板上に上記レンズやフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率
を有する接着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を形成することができる。
The substrate on the light-extracting side may have a hemispherical lens, a microlens array, a film having an uneven structure, a light diffusing film, or the like as the light-extracting structure. For example, a light extraction structure can be formed by adhering the lens or film on a resin substrate with the substrate or an adhesive having a refractive index similar to that of the lens or film.
導電層814は必ずしも設ける必要は無いが、下部電極831の抵抗に起因する電圧降
下を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極835と電
気的に接続する導電層を絶縁層821上、EL層833上、又は上部電極835上などに
設けてもよい。
Although it is not always necessary to provide the
導電層814は、銅、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジ
ム、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする
合金材料等を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層814の膜厚は
、例えば、0.1μm以上3μm以下とすることができ、好ましくは、0.1μm以上0
.5μm以下である。
The
.. It is 5 μm or less.
上部電極835と電気的に接続する導電層の材料にペースト(銀ペーストなど)を用い
ると、該導電層を構成する金属が粒状になって凝集する。そのため、該導電層の表面が粗
く隙間の多い構成となり、EL層833が該導電層を完全に覆うことが難しく、上部電極
と該導電層との電気的な接続をとることが容易になり好ましい。
When a paste (silver paste or the like) is used as the material of the conductive layer that is electrically connected to the
具体例5では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層813や発光素子830等を作製し、
該作製基板を剥離し、接着層811を用いて基板801上に絶縁層813や発光素子83
0等を転置することで作製できる発光パネルを示している。耐熱性の高い作製基板上で、
高温をかけて、十分に透水性の低い膜を形成し、基板801へと転置することで、信頼性
の高い発光パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり
、且つ信頼性の高い発光パネルを実現できる。
In Specific Example 5, an insulating
The manufactured substrate is peeled off, and the insulating
A light emitting panel that can be manufactured by transposing 0 mag is shown. On a highly heat-resistant fabrication substrate
A highly reliable light emitting panel can be produced by applying a high temperature to form a film having sufficiently low water permeability and transposing it onto the
なお、ここでは、表示素子として、発光素子を用いた場合の例を示したが、本発明の一
態様は、これに限定されない。
Although an example in which a light emitting element is used as the display element is shown here, one aspect of the present invention is not limited to this.
例えば、本明細書等において、表示素子、表示素子を有する装置である表示装置または
表示パネル、発光素子、及び発光素子を有する装置である発光装置は、様々な形態を用い
ること、又は様々な素子を有することができる。表示素子、表示装置、表示パネル、発光
素子又は発光装置の一例としては、EL(エレクトロルミネッセンス)素子(有機物及び
無機物を含むEL素子、有機EL素子、無機EL素子)、LED(白色LED、赤色LE
D、緑色LED、青色LEDなど)、トランジスタ(電流に応じて発光するトランジスタ
)、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ
(GLV)、プラズマディスプレイ(PDP)、MEMS(マイクロ・エレクトロ・メカ
ニカル・システム)を用いた表示素子、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、D
MS(デジタル・マイクロ・シャッター)、MIRASOL(登録商標)、IMOD(イ
ンターフェアレンス・モジュレーション)素子、シャッター方式のMEMS表示素子、光
干渉方式のMEMS表示素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプ
レイ、カーボンナノチューブ、など、電気磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射
率、透過率などが変化する表示媒体を有するものがある。EL素子を用いた表示装置の一
例としては、ELディスプレイなどがある。電子放出素子を用いた表示装置の一例として
は、フィールドエミッションディスプレイ(FED)又はSED方式平面型ディスプレイ
(SED:Surface−conduction Electron−emitter
Disply)などがある。液晶素子を用いた表示装置の一例としては、液晶ディスプ
レイ(透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、
直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ)などがある。電子インク、電子粉流
体、又は電気泳動素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパなどがある。なお、
半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一
部、または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電
極の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに
、その場合、反射電極の下に、SRAMなどの記憶回路を設けることも可能である。これ
により、さらに、消費電力を低減することができる。
For example, in the present specification and the like, a display element, a display device having a display element or a display panel, a light emitting element, and a light emitting device having a light emitting element may use various forms or various elements. Can have. Examples of display elements, display devices, display panels, light emitting elements or light emitting devices include EL (electroluminescence) elements (EL elements containing organic and inorganic substances, organic EL elements, inorganic EL elements), LEDs (white LEDs, red LE).
D, green LED, blue LED, etc.), transistor (transistor that emits light according to current), electron emitting element, liquid crystal element, electronic ink, electrophoresis element, grating light valve (GLV), plasma display (PDP), MEMS ( Display element using micro-electromechanical system), Digital Micromirror Device (DMD), D
MS (Digital Micro Shutter), MIRASOL (Registered Trademark), IMOD (Interference Modulation) Element, Shutter MEMS Display Element, Optical Interference MEMS Display, Electrowetting Element, piezoelectric Ceramic Display, Carbon Some devices, such as nanotubes, have a display medium whose contrast, brightness, reflectance, transmittance, etc. change due to an electromagnetic action. An example of a display device using an EL element is an EL display or the like. As an example of a display device using an electron emitting element, a field emission display (FED) or a SED type planar display (SED: Surface-conduction Electron-emitter)
Display) and so on. As an example of a display device using a liquid crystal element, a liquid crystal display (transmissive liquid crystal display, semi-transmissive liquid crystal display, reflective liquid crystal display, etc.)
Direct-view liquid crystal display, projection liquid crystal display), etc. An example of a display device using an electronic ink, an electronic powder fluid, or an electrophoretic element is an electronic paper. In addition, it should be noted
In the case of realizing a transflective liquid crystal display or a reflective liquid crystal display, a part or all of the pixel electrodes may have a function as a reflective electrode. For example, a part or all of the pixel electrodes may have aluminum, silver, or the like. Further, in that case, it is also possible to provide a storage circuit such as SRAM under the reflective electrode. Thereby, the power consumption can be further reduced.
なお、上述した発光素子830と同一工程で作製した発光素子を非表示部に設けること
により、実施の形態1で例示した発光素子22として用いることができる。
By providing the light emitting element manufactured in the same process as the above-mentioned
[材料の一例]
次に、発光パネルに用いることができる材料等を説明する。なお、本明細書中で先に説
明した構成については説明を省略する場合がある。
[Example of material]
Next, materials and the like that can be used for the light emitting panel will be described. The configuration described above in this specification may be omitted.
基板には、ガラス、石英、有機樹脂、金属、合金などの材料を用いることができる。発
光素子からの光を取り出す側の基板は、該光に対する透光性を有する材料を用いる。
Materials such as glass, quartz, organic resin, metal, and alloy can be used for the substrate. For the substrate on the side that extracts light from the light emitting element, a material having translucency to the light is used.
特に、可撓性基板を用いることが好ましい。例えば、有機樹脂や可撓性を有する程度の
厚さのガラス、金属、合金を用いることができる。
In particular, it is preferable to use a flexible substrate. For example, an organic resin or a glass, metal, or alloy having a thickness sufficient to have flexibility can be used.
ガラスに比べて有機樹脂は比重が小さいため、可撓性基板として有機樹脂を用いると、
ガラスを用いる場合に比べて発光パネルを軽量化でき、好ましい。
Since organic resin has a lower specific gravity than glass, if organic resin is used as a flexible substrate,
It is preferable that the light emitting panel can be made lighter than the case where glass is used.
基板には、靱性が高い材料を用いることが好ましい。これにより、耐衝撃性に優れ、破
損しにくい発光パネルを実現できる。例えば、有機樹脂基板や、厚さの薄い金属基板もし
くは合金基板を用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しに
くい発光パネルを実現できる。
It is preferable to use a material having high toughness for the substrate. As a result, a light emitting panel having excellent impact resistance and being hard to be damaged can be realized. For example, by using an organic resin substrate or a thin metal substrate or alloy substrate, it is possible to realize a light emitting panel that is lighter in weight and less likely to be damaged as compared with the case of using a glass substrate.
金属材料や合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、発光パ
ネルの局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料や合金材料を用いた
基板の厚さは、10μm以上200μm以下が好ましく、20μm以上50μm以下であ
ることがより好ましい。
Since the metal material and the alloy material have high thermal conductivity and can easily conduct heat to the entire substrate, it is possible to suppress a local temperature rise of the light emitting panel, which is preferable. The thickness of the substrate using the metal material or alloy material is preferably 10 μm or more and 200 μm or less, and more preferably 20 μm or more and 50 μm or less.
金属基板や合金基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウ
ム、銅、鉄、チタン、ニッケル等の金属、またはこれら金属から選ばれた一以上の金属を
含む合金を用いることができる。合金としては、例えば、アルミニウム合金もしくはステ
ンレス等を好適に用いることができる。
The material constituting the metal substrate or alloy substrate is not particularly limited, and for example, a metal such as aluminum, copper, iron, titanium, or nickel, or an alloy containing one or more metals selected from these metals is used. Can be done. As the alloy, for example, an aluminum alloy, stainless steel, or the like can be preferably used.
また、基板に、熱放射率が高い材料を用いると発光パネルの表面温度が高くなることを
抑制でき、発光パネルの破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、基板を金属基板と熱
放射率の高い層(例えば、金属酸化物やセラミック材料を用いることができる)の積層構
造としてもよい。
Further, when a material having a high thermal emissivity is used for the substrate, it is possible to suppress an increase in the surface temperature of the light emitting panel, and it is possible to suppress destruction of the light emitting panel and deterioration of reliability. For example, the substrate may have a laminated structure of a metal substrate and a layer having a high thermal emissivity (for example, a metal oxide or a ceramic material can be used).
可撓性及び透光性を有する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PE
T)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリ
ル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート(PC)樹
脂、ポリエーテルスルホン(PES)樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポ
リスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱
膨張率の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド
樹脂、PET等を好適に用いることができる。また、繊維体に樹脂を含浸した基板(プリ
プレグともいう)や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張率を下げた基板を使用する
こともできる。
Examples of the flexible and translucent material include polyethylene terephthalate (PE).
T), polyester resin such as polyethylene naphthalate (PEN), polyacrylonitrile resin, polyimide resin, polymethylmethacrylate resin, polycarbonate (PC) resin, polyethersulfone (PES) resin, polyamide resin, cycloolefin resin, polystyrene resin, Examples thereof include polyamideimide resin and polyvinyl chloride resin. In particular, it is preferable to use a material having a low coefficient of thermal expansion, and for example, a polyamide-imide resin, a polyimide resin, PET and the like can be preferably used. Further, a substrate in which a fiber body is impregnated with a resin (also referred to as a prepreg) or a substrate in which an inorganic filler is mixed with an organic resin to reduce the coefficient of thermal expansion can be used.
可撓性基板としては、上記材料を用いた層が、装置の表面を傷などから保護するハード
コート層(例えば、窒化シリコン層など)や、押圧を分散可能な材質の層(例えば、アラ
ミド樹脂層など)等と積層されて構成されていてもよい。
As the flexible substrate, the layer using the above material is a hard coat layer (for example, a silicon nitride layer) that protects the surface of the device from scratches or the like, or a layer of a material that can disperse the pressure (for example, an aramid resin). It may be configured by being laminated with a layer or the like).
可撓性基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成
とすると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い発光パネルとすることが
できる。
The flexible substrate can also be used by laminating a plurality of layers. In particular, when the structure has a glass layer, the barrier property against water and oxygen can be improved, and a highly reliable light emitting panel can be obtained.
例えば、発光素子に近い側からガラス層、接着層、及び有機樹脂層を積層した可撓性基
板を用いることができる。当該ガラス層の厚さとしては20μm以上200μm以下、好
ましくは25μm以上100μm以下とする。このような厚さのガラス層は、水や酸素に
対する高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さとしては、1
0μm以上200μm以下、好ましくは20μm以上50μm以下とする。このような有
機樹脂層をガラス層よりも外側に設けることにより、ガラス層の割れやクラックを抑制し
、機械的強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料を
基板に適用することにより、極めて信頼性が高いフレキシブルな発光パネルとすることが
できる。
For example, a flexible substrate in which a glass layer, an adhesive layer, and an organic resin layer are laminated from the side close to the light emitting element can be used. The thickness of the glass layer is 20 μm or more and 200 μm or less, preferably 25 μm or more and 100 μm or less. A glass layer having such a thickness can simultaneously realize high barrier property against water and oxygen and flexibility. The thickness of the organic resin layer is 1
It is 0 μm or more and 200 μm or less, preferably 20 μm or more and 50 μm or less. By providing such an organic resin layer on the outside of the glass layer, cracks and cracks in the glass layer can be suppressed and the mechanical strength can be improved. By applying such a composite material of a glass material and an organic resin to a substrate, an extremely reliable and flexible light emitting panel can be obtained.
接着層や封止層には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型
接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤とし
てはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂
、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透
湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート
等を用いてもよい。
As the adhesive layer and the sealing layer, various curable adhesives such as a photocurable adhesive such as an ultraviolet curable type, a reaction curable type adhesive, a heat curable type adhesive, and an anaerobic type adhesive can be used. These adhesives include epoxy resin, acrylic resin, silicone resin, phenol resin, polyimide resin, etc.
Examples thereof include imide resin, PVC (polyvinyl chloride) resin, PVB (polyvinyl butyral) resin, EVA (ethylene vinyl acetate) resin and the like. In particular, a material having low moisture permeability such as epoxy resin is preferable. Further, a two-component mixed type resin may be used. Moreover, you may use an adhesive sheet or the like.
また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物(酸
化カルシウムや酸化バリウム等)のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用い
ることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を
吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が機能素子に
侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が向上するため好ましい。
Further, the resin may contain a desiccant. For example, a substance that adsorbs water by chemisorption, such as an oxide of an alkaline earth metal (calcium oxide, barium oxide, etc.), can be used. Alternatively, a substance that adsorbs water by physical adsorption, such as zeolite or silica gel, may be used. When a desiccant is contained, impurities such as water can be suppressed from entering the functional element, and the reliability of the light emitting panel is improved, which is preferable.
また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、発光素子
からの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、
ゼオライト、ジルコニウム等を用いることができる。
Further, by mixing the resin with a filler having a high refractive index or a light scattering member, the light extraction efficiency from the light emitting element can be improved. For example, titanium oxide, barium oxide,
Zeolites, zirconium and the like can be used.
発光パネルが有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、スタガ型のトラ
ンジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート
型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる
半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム、炭化シリコン、窒化ガ
リウム等が挙げられる。または、In−Ga−Zn系金属酸化物などの、インジウム、ガ
リウム、亜鉛のうち少なくとも一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。
The structure of the transistor included in the light emitting panel is not particularly limited. For example, it may be a staggered transistor or an inverted staggered transistor. Further, either a top gate type or bottom gate type transistor structure may be used. The semiconductor material used for the transistor is not particularly limited, and examples thereof include silicon, germanium, silicon carbide, and gallium nitride. Alternatively, an oxide semiconductor containing at least one of indium, gallium, and zinc, such as an In-Ga-Zn-based metal oxide, may be used.
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、
結晶性を有する半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領
域を有する半導体)のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トラン
ジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
The crystallinity of the semiconductor material used for the transistor is also not particularly limited, and the amorphous semiconductor,
Any of the semiconductors having crystallinity (microcrystalline semiconductors, polycrystalline semiconductors, single crystal semiconductors, or semiconductors having a partially crystalline region) may be used. It is preferable to use a semiconductor having crystallinity because deterioration of transistor characteristics can be suppressed.
ここで、画素や、駆動回路、また後述するタッチセンサ等に用いられるトランジスタな
どの半導体装置には、酸化物半導体を適用することが好ましい。特にシリコンよりもバン
ドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好ましい。シリコンよりもバンドギャ
ップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態
における電流を低減できるため好ましい。
Here, it is preferable to apply an oxide semiconductor to a semiconductor device such as a pixel, a drive circuit, or a transistor used for a touch sensor or the like described later. In particular, it is preferable to apply an oxide semiconductor having a bandgap larger than that of silicon. It is preferable to use a semiconductor material having a wider bandgap and a smaller carrier density than silicon because the current in the off state of the transistor can be reduced.
例えば、上記酸化物半導体として、少なくとも少なくともインジウム(In)もしくは
亜鉛(Zn)を含むことが好ましい。より好ましくは、In−M−Zn系酸化物(MはA
l、Ti、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、CeまたはHf等の金属)で表記される
酸化物を含む。
For example, the oxide semiconductor preferably contains at least indium (In) or zinc (Zn). More preferably, In—M—Zn-based oxide (M is A)
Contains oxides represented by (metals such as l, Ti, Ga, Ge, Y, Zr, Sn, La, Ce or Hf).
特に、半導体層として、複数の結晶部を有し、当該結晶部はc軸が半導体層の被形成面
、または半導体層の上面に対し垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界を有さない
酸化物半導体膜を用いることが好ましい。
In particular, the semiconductor layer has a plurality of crystal portions, and the c-axis of the crystal portion is oriented perpendicular to the surface to be formed of the semiconductor layer or the upper surface of the semiconductor layer, and grain boundaries are formed between adjacent crystal portions. It is preferable to use an oxide semiconductor film that does not have.
このような酸化物半導体は、結晶粒界を有さないために表示パネルを湾曲させたときの
応力によって酸化物半導体膜にクラックが生じてしまうことが抑制される。したがって、
可撓性を有し、湾曲させて用いる表示パネルなどに、このような酸化物半導体を好適に用
いることができる。
Since such an oxide semiconductor does not have a crystal grain boundary, it is possible to prevent cracks from being generated in the oxide semiconductor film due to stress when the display panel is curved. Therefore,
Such an oxide semiconductor can be suitably used for a display panel or the like which has flexibility and is used by being curved.
半導体層としてこのような材料を用いることで、電気特性の変動が抑制され、信頼性の
高いトランジスタを実現できる。
By using such a material as the semiconductor layer, fluctuations in electrical characteristics are suppressed, and a highly reliable transistor can be realized.
また、その低いオフ電流により、トランジスタを介して容量に蓄積した電荷を長期間に
亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各
表示領域に表示した画像の諧調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。そ
の結果、極めて消費電力の低減された電子機器を実現できる。
In addition, the low off-current makes it possible to retain the charge accumulated in the capacitance via the transistor for a long period of time. By applying such a transistor to a pixel, it is possible to stop the drive circuit while maintaining the tone of the image displayed in each display area. As a result, it is possible to realize an electronic device with extremely reduced power consumption.
トランジスタの特性安定化等のため、下地膜を設けることが好ましい。下地膜としては
、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無
機絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法
、CVD(Chemical Vapor Deposition)法(プラズマCVD
法、熱CVD法、MOCVD(Metal Organic CVD)法など)、ALD
(Atomic Layer Deposition)法、塗布法、印刷法等を用いて形
成できる。なお、下地膜は、必要で無ければ設けなくてもよい。上記各構成例では、絶縁
層813がトランジスタの下地膜を兼ねることができる。
It is preferable to provide a base film for stabilizing the characteristics of the transistor. As the base film, an inorganic insulating film such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon nitride film can be used, and can be produced as a single layer or laminated. The base film is a sputtering method or a CVD (Chemical Vapor Deposition) method (plasma CVD).
Method, thermal CVD method, MOCVD (Metal Organic CVD) method, etc.), ALD
It can be formed by using (Atomic Layer Deposition) method, coating method, printing method and the like. The base film may not be provided if it is not necessary. In each of the above configuration examples, the insulating
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝
度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード(LED)、有機
EL素子、無機EL素子等を用いることができる。
As the light emitting element, an element capable of self-luminous light can be used, and an element whose brightness is controlled by a current or a voltage is included in the category. For example, a light emitting diode (LED), an organic EL element, an inorganic EL element, or the like can be used.
発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型
のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる
。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好まし
い。
The light emitting element may be any of a top emission type, a bottom emission type, and a dual emission type. A conductive film that transmits visible light is used for the electrode on the side that extracts light. Further, it is preferable to use a conductive film that reflects visible light for the electrode on the side that does not take out light.
可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物(ITO:
Indium Tin Oxide)、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添
加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム
、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もし
くはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物(例
えば、窒化チタン)等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる
。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウ
ムの合金とITOの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。
また、グラフェン等を用いてもよい。
The conductive film that transmits visible light is, for example, indium oxide, indium tin oxide (ITO:
It can be formed by using Indium Tin Oxide), indium zinc oxide, zinc oxide, zinc oxide added with gallium, or the like. Further, metal materials such as gold, silver, platinum, magnesium, nickel, tungsten, chromium, molybdenum, iron, cobalt, copper, palladium, or titanium, alloys containing these metal materials, or nitrides of these metal materials (for example, Titanium nitride) or the like can also be used by forming it thin enough to have translucency. Further, the laminated film of the above material can be used as the conductive layer. For example, it is preferable to use a laminated film of an alloy of silver and magnesium and ITO because the conductivity can be enhanced.
Moreover, graphene or the like may be used.
可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タング
ステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又
はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ラン
タン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチ
タンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミ
ニウムを含む合金(アルミニウム合金)や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、
銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む
合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金
属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金
属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記
可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とITO
の積層膜、銀とマグネシウムの合金とITOの積層膜などを用いることができる。
As the conductive film that reflects visible light, for example, a metal material such as aluminum, gold, platinum, silver, nickel, tungsten, chromium, molybdenum, iron, cobalt, copper, or palladium, or an alloy containing these metal materials should be used. Can be done. Further, lanthanum, neodymium, germanium or the like may be added to the above metal materials or alloys. Also, aluminum-containing alloys (aluminum alloys) such as aluminum-titanium alloys, aluminum-nickel alloys, aluminum-neodim alloys, silver-copper alloys, silver-palladium-copper alloys, etc.
It can be formed by using an alloy containing silver such as an alloy of silver and magnesium. Alloys containing silver and copper are preferable because they have high heat resistance. Further, by laminating a metal film or a metal oxide film in contact with the aluminum alloy film, oxidation of the aluminum alloy film can be suppressed. Examples of the material of the metal film and the metal oxide film include titanium and titanium oxide. Further, the conductive film that transmits visible light and the film made of a metal material may be laminated. For example, silver and ITO
, A laminated film of silver and magnesium alloy and ITO can be used.
電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、イ
ンクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形
成することができる。
The electrodes may be formed by a vapor deposition method or a sputtering method, respectively. In addition, it can be formed by using a ejection method such as an inkjet method, a printing method such as a screen printing method, or a plating method.
下部電極831及び上部電極835の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加す
ると、EL層833に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入さ
れた電子と正孔はEL層833において再結合し、EL層833に含まれる発光物質が発
光する。
When a voltage higher than the threshold voltage of the light emitting element is applied between the
EL層833は少なくとも発光層を有する。EL層833は、発光層以外の層として、
正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物
質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質(電子輸送性及び正孔輸送性が高い
物質)等を含む層をさらに有していてもよい。
The
Highly hole-injectable substance, highly hole-transporting substance, hole blocking material, highly electron-transporting substance, highly electron-injecting substance, or bipolar substance (electron-transporting and hole-transporting property) It may further have a layer containing a high substance) or the like.
EL層833には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無
機化合物を含んでいてもよい。EL層833を構成する層は、それぞれ、蒸着法(真空蒸
着法を含む)、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することがで
きる。
Either a low molecular weight compound or a high molecular weight compound can be used for the
発光素子830として、白色発光の発光素子を適用する場合には、EL層833に2種
類以上の発光物質を含む構成とすることが好ましい。例えば2以上の発光物質の各々の発
光が補色の関係となるように、発光物質を選択することにより白色発光を得ることができ
る。例えば、それぞれR(赤)、G(緑)、B(青)、Y(黄)、O(橙)等の発光を示
す発光物質、またはR、G、Bのうち2以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光
物質のうち、2以上を含むことが好ましい。また、発光素子830からの発光のスペクト
ルが、可視光領域の波長(例えば350nm〜750nm)の範囲内に2以上のピークを
有する発光素子を適用することが好ましい。また、黄色の波長領域にピークを有する材料
の発光スペクトルは、緑色及び赤色の波長領域にもスペクトル成分を有する材料であるこ
とが好ましい。
When a white light emitting element is applied as the
より好ましくは、EL層833は、一の色を発光する発光材料を含む発光層と、他の色
を発光する発光材料を含む発光層とが積層された構成とすることが好ましい。例えば、E
L層833における複数の発光層は、互いに接して積層されていてもよいし、分離層を介
して積層されていてもよい。例えば、蛍光発光層と燐光発光層との間に分離層を設ける構
成としてもよい。
More preferably, the
The plurality of light emitting layers in the
分離層は、例えば燐光発光層中で生成する燐光材料等の励起状態から蛍光発光層中の蛍
光材料等へのデクスター機構によるエネルギー移動(特に三重項エネルギー移動)を防ぐ
ために設けることができる。分離層は数nm程度の厚さがあればよい。具体的には、0.
1nm以上20nm以下、あるいは1nm以上10nm以下、あるいは1nm以上5nm
以下である。分離層は、単一の材料(好ましくはバイポーラ性の物質)、又は複数の材料
(好ましくは正孔輸送性材料及び電子輸送性材料)を含む。
The separation layer can be provided, for example, to prevent energy transfer (particularly triplet energy transfer) by the Dexter mechanism from the excited state of the phosphorescent material or the like generated in the phosphorescent light emitting layer to the fluorescent material or the like in the fluorescent light emitting layer. The separation layer may have a thickness of about several nm. Specifically, 0.
1 nm or more and 20 nm or less, or 1 nm or more and 10 nm or less, or 1 nm or more and 5 nm
It is as follows. The separation layer comprises a single material (preferably a bipolar material) or multiple materials (preferably hole-transporting and electron-transporting materials).
分離層は、該分離層と接する発光層に含まれる材料を用いて形成してもよい。これによ
り、発光素子の作製が容易になり、また、駆動電圧が低減される。例えば、燐光発光層が
、ホスト材料、アシスト材料、及び燐光材料(ゲスト材料)からなる場合、分離層を、該
ホスト材料及びアシスト材料で形成してもよい。上記構成を別言すると、分離層は、燐光
材料を含まない領域を有し、燐光発光層は、燐光材料を含む領域を有する。これにより、
分離層と燐光発光層とを燐光材料の有無で蒸着することが可能となる。また、このような
構成とすることで、分離層と燐光発光層を同じチャンバーで成膜することが可能となる。
これにより、製造コストを削減することができる。
The separation layer may be formed by using a material contained in the light emitting layer in contact with the separation layer. This facilitates the fabrication of the light emitting element and reduces the drive voltage. For example, when the phosphorescent layer is composed of a host material, an assist material, and a phosphorescent material (guest material), the separation layer may be formed of the host material and the assist material. In other words, the separation layer has a region containing no phosphorescent material, and the phosphorescent light emitting layer has a region containing a phosphorescent material. This will
The separation layer and the phosphorescent layer can be vapor-deposited with or without a phosphorescent material. Further, with such a configuration, the separation layer and the phosphorescent light emitting layer can be formed in the same chamber.
As a result, the manufacturing cost can be reduced.
また、発光素子830は、EL層を1つ有するシングル素子であってもよいし、複数の
EL層が電荷発生層を介して積層されたタンデム素子であってもよい。
Further, the
発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられていることが好ましい。これに
より、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性の低下を抑
制できる。
The light emitting element is preferably provided between a pair of low-permeability insulating films. As a result, it is possible to prevent impurities such as water from entering the light emitting element, and it is possible to suppress a decrease in the reliability of the light emitting device.
透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜等の窒素と珪素を
含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、
酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
Examples of the insulating film having low water permeability include a film containing nitrogen and silicon such as a silicon nitride film and a silicon oxide nitride film, and a film containing nitrogen and aluminum such as an aluminum nitride film. Also,
A silicon oxide film, a silicon nitride film, an aluminum oxide film, or the like may be used.
例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、1×10−5[g/m2・day]以
下、好ましくは1×10−6[g/m2・day]以下、より好ましくは1×10−7[
g/m2・day]以下、さらに好ましくは1×10−8[g/m2・day]以下とす
る。
For example, the amount of water vapor permeated by an insulating film having low water permeability is 1 × 10-5 [g / m 2 · day] or less, preferably 1 × 10-6 [g / m 2 · day] or less, more preferably 1. × 10-7 [
It is g / m 2 · day] or less, more preferably 1 × 10-8 [g / m 2 · day] or less.
透水性の低い絶縁膜を、絶縁層813や絶縁層843に用いることが好ましい。
It is preferable to use an insulating film having low water permeability for the insulating
絶縁層815としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニ
ウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層817、絶縁層817a、
及び絶縁層817bとしては、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミド
アミド、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料をそれぞれ用いることができる。また、
低誘電率材料(low−k材料)等を用いることができる。また、絶縁膜を複数積層させ
ることで、各絶縁層を形成してもよい。
As the insulating
As the insulating
A low dielectric constant material (low-k material) or the like can be used. Further, each insulating layer may be formed by laminating a plurality of insulating films.
絶縁層821としては、有機絶縁材料又は無機絶縁材料を用いて形成する。樹脂として
は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキ
シ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に感光性の樹脂材料を用い、そ
の開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好
ましい。
The insulating
絶縁層821の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法
、蒸着法、液滴吐出法(インクジェット法等)、印刷法(スクリーン印刷、オフセット印
刷等)等を用いればよい。
The method for forming the insulating
スペーサ827は、無機絶縁材料、有機絶縁材料、金属材料等を用いて形成することが
できる。例えば、無機絶縁材料や有機絶縁材料としては、上記絶縁層に用いることができ
る各種材料が挙げられる。金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いることが
できる。導電材料を含むスペーサ827と上部電極835とを電気的に接続させる構成と
することで、上部電極835の抵抗に起因した電位降下を抑制できる。また、スペーサ8
27は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。
The
27 may have a forward taper shape or a reverse taper shape.
トランジスタの電極や配線、又は発光素子の補助電極等として機能する、発光パネルに
用いる導電層は、例えば、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アル
ミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を
用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、導電層は、導電性の金属酸化
物を用いて形成してもよい。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム(In2O3等
)、酸化スズ(SnO2等)、酸化亜鉛(ZnO)、ITO、インジウム亜鉛酸化物(I
n2O3−ZnO等)又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用い
ることができる。
The conductive layer used for the light emitting panel, which functions as an electrode or wiring of a transistor or an auxiliary electrode of a light emitting element, is, for example, a metal material such as molybdenum, titanium, chromium, tantalum, tungsten, aluminum, copper, neodymium, scandium, or these. It can be formed in a single layer or laminated by using an alloy material containing the above elements. Further, the conductive layer may be formed by using a conductive metal oxide. Conductive metal oxides include indium oxide (In 2 O 3, etc.), tin oxide (SnO 2, etc.), zinc oxide (ZnO), ITO, and indium zinc oxide (I).
n 2 O 3- ZnO, etc.) or those metal oxide materials containing silicon oxide can be used.
着色層は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の光を
透過する赤色(R)のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色(G)のカラ
ーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色(B)のカラーフィルタなどを用いるこ
とができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソ
グラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。
The colored layer is a colored layer that transmits light in a specific wavelength band. For example, a red (R) color filter that transmits light in the red wavelength band, a green (G) color filter that transmits light in the green wavelength band, and a blue (B) color filter that transmits light in the blue wavelength band. A color filter or the like can be used. Each colored layer is formed at a desired position by a printing method, an inkjet method, an etching method using a photolithography method, or the like using various materials.
遮光層は、隣接する着色層の間に設けられている。遮光層は隣接する発光素子からの光
を遮光し、隣接する発光素子間における混色を抑制する。ここで、着色層の端部を、遮光
層と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層としては、
発光素子からの発光を遮る材料を用いることができ、例えば、金属材料や顔料や染料を含
む樹脂材料を用いてブラックマトリクスを形成すればよい。なお、遮光層は、駆動回路部
などの発光部以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるた
め好ましい。
The light-shielding layer is provided between adjacent colored layers. The light-shielding layer blocks light from adjacent light-emitting elements and suppresses color mixing between adjacent light-emitting elements. Here, light leakage can be suppressed by providing the end portion of the colored layer so as to overlap the light-shielding layer. As a light-shielding layer
A material that blocks light emission from the light emitting element can be used. For example, a black matrix may be formed by using a metal material or a resin material containing a pigment or a dye. It is preferable to provide the light-shielding layer in a region other than the light-emitting portion such as the drive circuit portion because it is possible to suppress unintended light leakage due to waveguide light or the like.
また、着色層及び遮光層を覆うオーバーコートを設けてもよい。オーバーコートを設け
ることで、着色層に含有された不純物等の発光素子への拡散を防止することができる。オ
ーバーコートは、発光素子からの発光を透過する材料から構成され、例えば窒化シリコン
膜、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜や、アクリル膜、ポリイミド膜等の有機絶縁膜を用い
ることができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよい。
Further, an overcoat may be provided to cover the colored layer and the light-shielding layer. By providing the overcoat, it is possible to prevent the impurities contained in the colored layer from diffusing into the light emitting element. The overcoat is made of a material that transmits light emitted from the light emitting element. For example, an inorganic insulating film such as a silicon nitride film or a silicon oxide film or an organic insulating film such as an acrylic film or a polyimide film can be used for organic insulation. A laminated structure of a film and an inorganic insulating film may be used.
また、封止層の材料を着色層及び遮光層上に塗布する場合、オーバーコートの材料とし
て封止層の材料に対してぬれ性の高い材料を用いることが好ましい。例えば、オーバーコ
ートとして、ITO膜などの酸化物導電膜や、透光性を有する程度に薄いAg膜等の金属
膜を用いることが好ましい。
Further, when the material of the sealing layer is applied on the colored layer and the light-shielding layer, it is preferable to use a material having high wettability with respect to the material of the sealing layer as the overcoat material. For example, it is preferable to use an oxide conductive film such as an ITO film or a metal film such as an Ag film which is thin enough to have translucency as the overcoat.
接続体としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート状の
、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子としては、
例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、2種類以上の金属が層状となった粒子を用
いることが好ましい。または、粒状の樹脂の表面を金属で被覆した材料を用いることが好
ましい。
As the connecting body, a paste-like or sheet-like material in which metal particles are mixed with a thermosetting resin, which exhibits anisotropic conductivity by thermocompression bonding, can be used. As metal particles,
For example, it is preferable to use particles in which two or more kinds of metals are layered, such as nickel particles coated with gold. Alternatively, it is preferable to use a material in which the surface of the granular resin is coated with metal.
[作製方法例]
次に、発光パネルの作製方法を図12及び図13を用いて例示する。ここでは、具体例
1(図11(C))の構成の発光パネルを例に挙げて説明する。
[Example of manufacturing method]
Next, a method for manufacturing the light emitting panel will be illustrated with reference to FIGS. 12 and 13. Here, a light emitting panel having the configuration of Specific Example 1 (FIG. 11 (C)) will be described as an example.
まず、作製基板201上に剥離層203を形成し、剥離層203上に絶縁層813を形
成する。次に、絶縁層813上に複数のトランジスタ、導電層857、絶縁層815、絶
縁層817、複数の発光素子、及び絶縁層821を形成する。なお、導電層857が露出
するように、絶縁層821、絶縁層817、及び絶縁層815は開口する(図12(A)
)。
First, the
).
また、作製基板205上に剥離層207を形成し、剥離層207上に絶縁層843を形
成する。次に、絶縁層843上に遮光層847、着色層845、及びオーバーコート84
9を形成する(図12(B))。
Further, the
9 is formed (FIG. 12 (B)).
作製基板201及び作製基板205としては、それぞれ、ガラス基板、石英基板、サフ
ァイア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。
As the
また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラ
ス、バリウムホウケイ酸ガラス等のガラス材料を用いることができる。後の加熱処理の温
度が高い場合には、歪み点が730℃以上のものを用いるとよい。なお、酸化バリウム(
BaO)を多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。他にも、結晶化ガ
ラスなどを用いることができる。
Further, as the glass substrate, for example, a glass material such as aluminosilicate glass, aluminoborosilicate glass, and bariumborosilicate glass can be used. When the temperature of the subsequent heat treatment is high, it is preferable to use one having a strain point of 730 ° C. or higher. In addition, barium oxide (
By containing a large amount of BaO), more practical heat-resistant glass can be obtained. In addition, crystallized glass or the like can be used.
作製基板にガラス基板を用いる場合、作製基板と剥離層との間に、酸化シリコン膜、酸
化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラ
ス基板からの汚染を防止でき、好ましい。
When a glass substrate is used as the manufacturing substrate, if an insulating film such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon nitride film, or a silicon nitride film is formed between the manufacturing substrate and the release layer, the glass substrate is contaminated. It can be prevented and is preferable.
剥離層203及び剥離層207としては、それぞれ、タングステン、モリブデン、チタ
ン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウ
ム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む
合金材料、又は該元素を含む化合物材料からなり、単層又は積層された層である。シリコ
ンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。
The
剥離層は、スパッタリング法、プラズマCVD法、塗布法、印刷法等により形成できる
。なお、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。
The release layer can be formed by a sputtering method, a plasma CVD method, a coating method, a printing method, or the like. The coating method includes a spin coating method, a droplet ejection method, and a dispensing method.
剥離層が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブ
デンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは
酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタングステ
ンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、
タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相
当する。
When the release layer has a single layer structure, it is preferable to form a tungsten layer, a molybdenum layer, or a layer containing a mixture of tungsten and molybdenum. Further, a layer containing a tungsten oxide or an oxide nitride, a layer containing a molybdenum oxide or an oxide nitride, or a layer containing an oxide or an oxide nitride of a mixture of tungsten and molybdenum may be formed. In addition, it should be noted
The mixture of tungsten and molybdenum corresponds to, for example, an alloy of tungsten and molybdenum.
また、剥離層として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構
造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁
膜を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を含む
層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処
理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素(N2O)プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い
溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ
処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混
合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層の表面状態
を変えることにより、剥離層と後に形成される絶縁膜との密着性を制御することが可能で
ある。
Further, when forming a laminated structure of a layer containing tungsten and a layer containing an oxide of tungsten as a release layer, a layer containing tungsten is formed, and an insulating film formed of an oxide is formed on the upper layer. , It may be utilized that a layer containing a tungsten oxide is formed at the interface between the tungsten layer and the insulating film. Further, the surface of the layer containing tungsten, thermal oxidation treatment, oxygen plasma treatment, nitrous oxide (
各絶縁層は、スパッタリング法、プラズマCVD法、塗布法、印刷法等を用いて形成す
ることが可能であり、例えば、プラズマCVD法によって成膜温度を250℃以上400
℃以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。
Each insulating layer can be formed by a sputtering method, a plasma CVD method, a coating method, a printing method, or the like. For example, the film formation temperature is set to 250 ° C. or higher by the plasma CVD method.
By forming the temperature below ° C, a dense and extremely low water permeability film can be obtained.
その後、作製基板205の着色層845等が設けられた面又は作製基板201の発光素
子230等が設けられた面に封止層823となる材料を塗布し、封止層823を介して該
面同士が対向するように、作製基板201及び作製基板205を貼り合わせる(図12(
C))。
After that, a material to be a
C)).
そして、作製基板201を剥離し、露出した絶縁層813と基板801を、接着層81
1を用いて貼り合わせる。また、作製基板205を剥離し、露出した絶縁層843と基板
803を、接着層841を用いて貼り合わせる。図13(A)では、基板803が導電層
857と重ならない構成としたが、導電層857と基板803が重なっていてもよい。
Then, the
Paste using 1. Further, the manufactured
なお、剥離工程は、様々な方法を適宜用いることができる。例えば、剥離層として、被
剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、当該金属酸化膜を結晶化によ
り脆弱化して、被剥離層を作製基板から剥離することができる。また、耐熱性の高い作製
基板と被剥離層の間に、剥離層として水素を含む非晶質珪素膜を形成した場合はレーザ光
の照射又はエッチングにより当該非晶質珪素膜を除去することで、被剥離層を作製基板か
ら剥離することができる。また、剥離層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む
層を形成し、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、さらに剥離層の一部を溶液やNF
3、BrF3、ClF3等のフッ化ガスを用いたエッチングで除去した後、脆弱化された
金属酸化膜において剥離することができる。さらには、剥離層として窒素、酸素や水素等
を含む膜(例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など)を
用い、剥離層にレーザ光を照射して剥離層内に含有する窒素、酸素や水素をガスとして放
出させ被剥離層と基板との剥離を促進する方法を用いてもよい。また、被剥離層が形成さ
れた作製基板を機械的に除去又は溶液やNF3、BrF3、ClF3等のフッ化ガスによ
るエッチングで除去する方法等を用いることができる。この場合、剥離層を設けなくとも
よい。
In the peeling step, various methods can be appropriately used. For example, when a layer containing a metal oxide film is formed on the side in contact with the layer to be peeled as the release layer, the metal oxide film can be fragile by crystallization and the layer to be peeled can be peeled from the manufactured substrate. When an amorphous silicon film containing hydrogen is formed as a peeling layer between the highly heat-resistant fabrication substrate and the layer to be peeled off, the amorphous silicon film is removed by irradiating or etching laser light. , The layer to be peeled off can be peeled off from the manufactured substrate. Further, as a peeling layer, a layer containing a metal oxide film is formed on the side in contact with the layer to be peeled, the metal oxide film is weakened by crystallization, and a part of the peeling layer is made into a solution or NF.
After being removed by etching with a fluorine gas such as 3 , BrF 3 , ClF 3, etc., it can be peeled off in a weakened metal oxide film. Furthermore, a film containing nitrogen, oxygen, hydrogen, etc. (for example, an amorphous silicon film containing hydrogen, a hydrogen-containing alloy film, an oxygen-containing alloy film, etc.) is used as the release layer, and the release layer is irradiated with laser light. A method may be used in which nitrogen, oxygen or hydrogen contained in the peeling layer is released as a gas to promote the peeling between the peeled layer and the substrate. Further, a method of mechanically removing the production substrate on which the layer to be peeled is formed or etching with a solution or a fluorine gas such as NF 3 , BrF 3 , ClF 3 or the like can be used. In this case, it is not necessary to provide the release layer.
また、上記剥離方法を複数組み合わせることでより容易に剥離工程を行うことができる
。つまり、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフや
メスなどによる機械的な除去を行い、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから
、物理的な力(機械等による)によって剥離を行うこともできる。
Further, the peeling step can be performed more easily by combining a plurality of the peeling methods. That is, after irradiating the peeling layer with laser light, etching the peeling layer with a gas or solution, and mechanically removing the peeling layer with a sharp knife or a knife to make the peeling layer and the layer to be peeled easy to peel off, it is physically removed. Peeling can also be performed by force (by machine or the like).
また、剥離層と被剥離層との界面に液体を浸透させて作製基板から被剥離層を剥離して
もよい。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。
Further, the peeled layer may be peeled from the manufactured substrate by infiltrating the liquid into the interface between the peeled layer and the peeled layer. Further, when peeling, the peeling may be performed while sprinkling a liquid such as water.
その他の剥離方法としては、剥離層をタングステンで形成した場合は、アンモニア水と
過酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うとよい。
As another peeling method, when the peeling layer is formed of tungsten, it is preferable to perform peeling while etching the peeling layer with a mixed solution of aqueous ammonia and hydrogen peroxide.
なお、作製基板と被剥離層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい
。例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド、ポリエステル、ポ
リオレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート、アクリル等の有機樹脂を形成し、有機樹
脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。この場合、有機樹脂を加熱することにより、
作製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。又は、作製基板と有機樹脂の間に金
属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で
剥離を行ってもよい。
If peeling is possible at the interface between the manufactured substrate and the layer to be peeled, the peeling layer may not be provided. For example, glass is used as a manufacturing substrate, and an organic resin such as polyimide, polyester, polyolefin, polyamide, polycarbonate, or acrylic is formed in contact with the glass, and an insulating film, a transistor, or the like is formed on the organic resin. In this case, by heating the organic resin,
It can be peeled off at the interface between the manufacturing substrate and the organic resin. Alternatively, a metal layer may be provided between the production substrate and the organic resin, the metal layer may be heated by passing an electric current through the metal layer, and peeling may be performed at the interface between the metal layer and the organic resin.
最後に、絶縁層843及び封止層823を開口することで、導電層857を露出させる
(図13(B))。なお、基板803が導電層857と重なる構成の場合は、導電層85
7を露出させるために、基板803及び接着層841も開口する(図13(C))。開口
の手段は特に限定されず、例えばレーザアブレーション法、エッチング法、イオンビーム
スパッタリング法などを用いればよい。また、導電層857上の膜に鋭利な刃物等を用い
て切り込みを入れ、物理的な力で膜の一部を引き剥がしてもよい。
Finally, the
The
以上により、発光パネルを作製することができる。 From the above, the light emitting panel can be manufactured.
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
This embodiment can be carried out in combination with at least a part thereof as appropriate with other embodiments described in the present specification.
(実施の形態3)
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器が有する表示パネルに適用可能な、折り
曲げ可能なタッチパネルの構成例について、図14〜図17を用いて説明する。なお、各
層に用いることのできる材料については、実施の形態2を参照することができる。
(Embodiment 3)
In the present embodiment, a configuration example of a foldable touch panel applicable to the display panel of the electronic device of one aspect of the present invention will be described with reference to FIGS. 14 to 17. For the materials that can be used for each layer, the second embodiment can be referred to.
[構成例1]
図14(A)はタッチパネルの上面図である。図14(B)は図14(A)の一点鎖線
A−B間及び一点鎖線C−D間の断面図である。図14(C)は図14(A)の一点鎖線
E−F間の断面図である。
[Configuration Example 1]
FIG. 14A is a top view of the touch panel. 14 (B) is a cross-sectional view between the alternate long and short dash lines AB and the alternate long and short dash line CD of FIG. 14 (A). 14 (C) is a cross-sectional view between the alternate long and short dash lines EF of FIG. 14 (A).
図14(A)に示すように、タッチパネル390は表示部301を有する。
As shown in FIG. 14A, the
表示部301は、複数の画素302と複数の撮像画素308を備える。撮像画素308
は表示部301に触れる指等を検知することができる。これにより、撮像画素308を用
いてタッチセンサを構成することができる。
The
Can detect a finger or the like touching the
画素302は、複数の副画素(例えば副画素302R)を備え、副画素は発光素子及び
発光素子を駆動する電力を供給することができる画素回路を備える。
The
画素回路は、選択信号を供給することができる配線及び画像信号を供給することができ
る配線と電気的に接続される。
The pixel circuit is electrically connected to a wiring capable of supplying a selection signal and a wiring capable of supplying an image signal.
また、タッチパネル390は選択信号を画素302に供給することができる走査線駆動
回路303g(1)と、画像信号を画素302に供給することができる画像信号線駆動回
路303s(1)を備える。
Further, the
撮像画素308は、光電変換素子及び光電変換素子を駆動する撮像画素回路を備える。
The
撮像画素回路は、制御信号を供給することができる配線及び電源電位を供給することが
できる配線と電気的に接続される。
The imaging pixel circuit is electrically connected to a wiring capable of supplying a control signal and a wiring capable of supplying a power supply potential.
制御信号としては、例えば記録された撮像信号を読み出す撮像画素回路を選択すること
ができる信号、撮像画素回路を初期化することができる信号、及び撮像画素回路が光を検
知する時間を決定することができる信号などを挙げることができる。
As the control signal, for example, a signal capable of selecting an imaging pixel circuit for reading the recorded imaging signal, a signal capable of initializing the imaging pixel circuit, and a time for the imaging pixel circuit to detect light are determined. Can be mentioned as a signal that can be generated.
タッチパネル390は制御信号を撮像画素308に供給することができる撮像画素駆動
回路303g(2)と、撮像信号を読み出す撮像信号線駆動回路303s(2)を備える
。
The
図14(B)に示すように、タッチパネル390は、基板510及び基板510に対向
する基板570を有する。
As shown in FIG. 14B, the
可撓性を有する材料を基板510及び基板570に好適に用いることができる。
A flexible material can be suitably used for the
意図しない不純物の透過が抑制された材料を基板510及び基板570に好適に用いる
ことができる。例えば、水蒸気の透過率が10−5g/m2・day以下、好ましくは1
0−6g/m2・day以下である材料を好適に用いることができる。
A material in which the permeation of unintended impurities is suppressed can be suitably used for the
0 -6 g / m 2 · day or less is material can be suitably used.
線膨張率がおよそ等しい材料を基板510及び基板570に好適に用いることができる
。例えば、線膨張率が1×10−3/K以下、好ましくは5×10−5/K以下、より好
ましくは1×10−5/K以下である材料を好適に用いることができる。
Materials having approximately the same coefficient of linear expansion can be suitably used for the
基板510は、可撓性基板510b、意図しない不純物の発光素子への拡散を防ぐ絶縁
層510a、及び可撓性基板510bと絶縁層510aを貼り合わせる接着層510cが
積層された積層体である。
The
基板570は、可撓性基板570b、意図しない不純物の発光素子への拡散を防ぐ絶縁
層570a、及び可撓性基板570bと絶縁層570aを貼り合わせる接着層570cの
積層体である。
The
例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド(ナイロン、アラミド等)、ポリ
イミド、ポリカーボネートまたはアクリル、ウレタン、エポキシもしくはシロキサン結合
を有する樹脂含む材料を接着層に用いることができる。
For example, a material containing polyester, polyolefin, polyamide (nylon, aramid, etc.), polyimide, polycarbonate or acrylic, urethane, epoxy or a resin having a siloxane bond can be used for the adhesive layer.
封止層560は基板570と基板510を貼り合わせている。封止層560は空気より
大きい屈折率を備える。また、封止層560側に光を取り出す場合は、封止層560は光
学接合層を兼ねる。画素回路及び発光素子(例えば第1の発光素子350R)は基板51
0と基板570の間にある。
The
It is between 0 and the
画素302は、副画素302R、副画素302G及び副画素302Bを有する(図14
(C))。また、副画素302Rは発光モジュール380Rを備え、副画素302Gは発
光モジュール380Gを備え、副画素302Bは発光モジュール380Bを備える。
The
(C)). Further, the sub-pixel 302R includes a
例えば副画素302Rは、第1の発光素子350R及び第1の発光素子350Rに電力
を供給することができるトランジスタ302tを含む画素回路を備える(図14(B))
。また、発光モジュール380Rは第1の発光素子350R及び光学素子(例えば着色層
367R)を備える。
For example, the sub-pixel 302R includes a pixel circuit including a
.. Further, the
発光素子350Rは、第1の下部電極351R、上部電極352、下部電極351Rと
上部電極352の間のEL層353を有する(図14(C))。
The
EL層353は、第1のEL層353a、第2のEL層353b、及び第1のEL層3
53aと第2のEL層353bの間の中間層354を備える。
The EL layer 353 includes a first EL layer 353a, a
An
発光モジュール380Rは、第1の着色層367Rを基板570に有する。着色層は特
定の波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色又は青色等を呈する
光を選択的に透過するものを用いることができる。または、発光素子の発する光をそのま
ま透過する領域を設けてもよい。
The
例えば、発光モジュール380Rは、第1の発光素子350Rと第1の着色層367R
に接する封止層360を有する。
For example, the
It has a
第1の着色層367Rは第1の発光素子350Rと重なる位置にある。これにより、発
光素子350Rが発する光の一部は、光学接合層を兼ねる封止層360及び第1の着色層
367Rを透過して、図中の矢印に示すように発光モジュール380Rの外部に射出され
る。
The first
タッチパネル390は、遮光層367BMを基板570に有する。遮光層367BMは
、着色層(例えば第1の着色層367R)を囲むように設けられている。
The
タッチパネル390は、反射防止層367pを表示部301に重なる位置に備える。反
射防止層367pとして、例えば円偏光板を用いることができる。
The
タッチパネル390は、絶縁層321を備える。絶縁層321はトランジスタ302t
を覆っている。なお、絶縁層321は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層とし
て用いることができる。また、不純物のトランジスタ302t等への拡散を抑制すること
ができる層が積層された絶縁層を、絶縁層321に適用することができる。
The
Is covering. The insulating
タッチパネル390は、発光素子(例えば第1の発光素子350R)を絶縁層321上
に有する。
The
タッチパネル390は、第1の下部電極351Rの端部に重なる隔壁328を絶縁層3
21上に有する。また、基板510と基板570の間隔を制御するスペーサ329を、隔
壁328上に有する。
The
Have on 21. Further, a
画像信号線駆動回路303s(1)は、トランジスタ303t及び容量303cを含む
。なお、駆動回路は画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。図14
(B)に示すようにトランジスタ303tは絶縁層321上に第2のゲート304を有し
ていてもよい。第2のゲート304はトランジスタ303tのゲートと電気的に接続され
ていてもよいし、これらに異なる電位が与えられていてもよい。また、必要であれば、第
2のゲート304をトランジスタ308t、トランジスタ302t等に設けてもよい。
The image signal
As shown in (B), the
撮像画素308は、光電変換素子308p及び光電変換素子308pに照射された光を
検知するための撮像画素回路を備える。また、撮像画素回路は、トランジスタ308tを
含む。
The
例えばpin型のフォトダイオードを光電変換素子308pに用いることができる。
For example, a pin type photodiode can be used for the
タッチパネル390は、信号を供給することができる配線311を備え、端子319が
配線311に設けられている。なお、画像信号及び同期信号等の信号を供給することがで
きるFPC309(1)が端子319に電気的に接続されている。なお、FPC309(
1)にはプリント配線基板(PWB)が取り付けられていても良い。
The
A printed wiring board (PWB) may be attached to 1).
同一の工程で形成されたトランジスタを、トランジスタ302t、トランジスタ303
t、トランジスタ308t等のトランジスタに適用できる。トランジスタの構成について
は、実施の形態2を参照できる。
Transistors formed in the same process are referred to as
It can be applied to transistors such as t and
また、トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、タッチパネルを構成する各
種配線及び電極に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニ
ッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタングステ
ンからなる単体金属、又はこれを主成分とする合金を単層構造又は積層構造として用いる
。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積
層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシ
ウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二
層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜又は窒化チタン膜と、そ
のチタン膜又は窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上
にチタン膜又は窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜又は窒化モリブデン膜と
、そのモリブデン膜又は窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、
さらにその上にモリブデン膜又は窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、
酸化インジウム、酸化錫又は酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。また、マンガ
ンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。
In addition to the gate, source and drain of the transistor, the materials that can be used for the various wiring and electrodes that make up the touch panel include aluminum, titanium, chromium, nickel, copper, yttrium, zirconium, molybdenum, silver, tantalum, or A single metal made of tungsten or an alloy containing this as a main component is used as a single layer structure or a laminated structure. For example, a single-layer structure of an aluminum film containing silicon, a two-layer structure in which an aluminum film is laminated on a titanium film, a two-layer structure in which an aluminum film is laminated on a tungsten film, and a copper film on a copper-magnesium-aluminum alloy film. Two-layer structure for laminating, two-layer structure for laminating a copper film on a titanium film, two-layer structure for laminating a copper film on a tungsten film, a titanium film or a titanium nitride film, and the titanium film or the titanium nitride film. A three-layer structure in which an aluminum film or a copper film is laminated and a titanium film or a titanium nitride film is formed on the film, a molybdenum film or a molybdenum nitride film, and an aluminum film or copper laminated on the molybdenum film or the molybdenum nitride film Laminate the membranes
Further, there is a three-layer structure or the like in which a molybdenum film or a molybdenum nitride film is formed on the molybdenum film. In addition, it should be noted
A transparent conductive material containing indium oxide, tin oxide or zinc oxide may be used. Further, it is preferable to use copper containing manganese because the controllability of the shape by etching is improved.
なお、上述した発光素子(例えば第1の発光素子350R等)と同一工程で作製した発
光素子を非表示部に設けることにより、実施の形態1で例示した発光素子22として用い
ることができる。また、上述した光電変換素子308p及び撮像画素回路を含む撮像画素
308と同一工程で作製した撮像画素を非表示部に設けることにより、実施の形態1で例
示した受光素子21として用いることができる。
By providing a light emitting element manufactured in the same step as the above-mentioned light emitting element (for example, the first
[構成例2]
図15(A)、(B)は、タッチパネル505の斜視図である。なお明瞭化のため、代
表的な構成要素を示す。図16は、図15(A)に示す一点鎖線X1−X2間の断面図で
ある。
[Configuration Example 2]
15 (A) and 15 (B) are perspective views of the
タッチパネル505は、表示部501とタッチセンサ595を備える(図15(B))
。また、タッチパネル505は、基板510、基板570及び基板590を有する。なお
、基板510、基板570及び基板590はいずれも可撓性を有する。
The
.. Further, the
表示部501は、基板510、基板510上に複数の画素及び当該画素に信号を供給す
ることができる複数の配線511を備える。複数の配線511は、基板510の外周部に
まで引き回され、その一部が端子519を構成している。端子519はFPC509(1
)と電気的に接続する。
The
) And electrically connect.
基板590には、タッチセンサ595と、タッチセンサ595と電気的に接続する複数
の配線598を備える。複数の配線598は基板590の外周部に引き回され、その一部
は端子を構成する。そして、当該端子はFPC509(2)と電気的に接続される。なお
、図15(B)では明瞭化のため、基板590の裏面側(紙面奥側)に設けられるタッチ
センサ595の電極や配線等を実線で示している。
The
タッチセンサ595として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容
量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。
As the
投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式な
どがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。
The projected capacitance method includes a self-capacitance method and a mutual capacitance method mainly due to the difference in the drive method. It is preferable to use the mutual capacitance method because simultaneous multipoint detection is possible.
以下では、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用する場合について、図15(B)
を用いて説明する。
In the following, FIG. 15B shows a case where a projection type capacitance type touch sensor is applied.
Will be described using.
なお、指等の検知対象の近接または接触を検知することができるさまざまなセンサを適
用することができる。
It should be noted that various sensors capable of detecting the proximity or contact of a detection target such as a finger can be applied.
投影型静電容量方式のタッチセンサ595は、電極591と電極592を有する。電極
591は複数の配線598のいずれかと電気的に接続し、電極592は複数の配線598
の他のいずれかと電気的に接続する。
The projection type capacitance
Electrically connect to any of the others.
電極592は、図15(A)、(B)に示すように、一方向に繰り返し配置された複数
の四辺形が角部で接続された形状を有する。
As shown in FIGS. 15A and 15B, the
電極591は四辺形であり、電極592が延在する方向と交差する方向に繰り返し配置
されている。
The
配線594は、電極592を挟む二つの電極591を電気的に接続する。このとき、電
極592と配線594の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい。これによ
り、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のムラを低減できる。その結
果、タッチセンサ595を透過する光の輝度ムラを低減することができる。
The
なお、電極591、電極592の形状はこれに限られず、様々な形状を取りうる。例え
ば、複数の電極591をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介して電極5
92を、電極591と重ならない領域ができるように離間して複数設ける構成としてもよ
い。このとき、隣接する2つの電極592の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー
電極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい。
The shapes of the
A plurality of 92s may be provided at intervals so as to form a region that does not overlap with the
タッチセンサ595は、基板590、基板590上に千鳥状に配置された電極591及
び電極592、電極591及び電極592を覆う絶縁層593並びに隣り合う電極591
を電気的に接続する配線594を備える。
The
594 is provided for electrically connecting the above.
接着層597は、タッチセンサ595が表示部501に重なるように、基板590を基
板570に貼り合わせている。
In the
電極591及び電極592は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光性を有
する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物
、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。な
お、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形
成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法として
は、熱を加える方法等を挙げることができる。
The
透光性を有する導電性材料を基板590上にスパッタリング法により成膜した後、フォ
トリソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して、電極59
1及び電極592を形成することができる。
After a conductive material having translucency is formed on the
1 and
また、絶縁層593に用いる材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、
シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム
などの無機絶縁材料を用いることもできる。
Examples of the material used for the insulating
In addition to the resin having a siloxane bond, an inorganic insulating material such as silicon oxide, silicon oxide nitride, or aluminum oxide can also be used.
また、電極591に達する開口が絶縁層593に設けられ、配線594が隣接する電極
591を電気的に接続する。透光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を高まること
ができるため、配線594に好適に用いることができる。また、電極591及び電極59
2より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線594に好適に用いることが
できる。
Further, an opening reaching the
A material having a higher conductivity than 2 can be suitably used for the
一の電極592は一方向に延在し、複数の電極592がストライプ状に設けられている
。
One
配線594は電極592と交差して設けられている。
The
一対の電極591が一の電極592を挟んで設けられ、配線594は一対の電極591
を電気的に接続している。
A pair of
Are electrically connected.
なお、複数の電極591は、一の電極592と必ずしも直交する方向に配置される必要
はなく、90度未満の角度をなすように配置されてもよい。
The plurality of
一の配線598は、電極591又は電極592と電気的に接続される。配線598の一
部は、端子として機能する。配線598としては、例えば、アルミニウム、金、白金、銀
、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラ
ジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。
One
なお、絶縁層593及び配線594を覆う絶縁層を設けて、タッチセンサ595を保護
することができる。
The
また、接続層599は、配線598とFPC509(2)を電気的に接続する。
Further, the
接続層599としては、様々な異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic
Conductive Film)や、異方性導電ペースト(ACP:Anisotro
pic Conductive Paste)などを用いることができる。
The connecting
Conducive Film) and anisotropic conductive paste (ACP: Anisotro)
picConductive Paste) and the like can be used.
接着層597は、透光性を有する。例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を用いるこ
とができ、具体的には、アクリル、ウレタン、エポキシ、またはシロキサン結合を有する
樹脂などの樹脂を用いることができる。
The
表示部501は、マトリクス状に配置された複数の画素を備える。画素は表示素子と表
示素子を駆動する画素回路を備える。
The
本実施の形態では、白色の光を射出する有機EL素子を表示素子に適用する場合につい
て説明するが、表示素子はこれに限られない。
In the present embodiment, a case where an organic EL element that emits white light is applied to the display element will be described, but the display element is not limited to this.
例えば、副画素毎に射出する光の色が異なるように、発光色が異なる有機EL素子を副
画素毎に適用してもよい。
For example, an organic EL element having a different emission color may be applied to each sub-pixel so that the color of the light emitted to each sub-pixel is different.
基板510、基板570、及び封止層560は、構成例1と同様の構成が適用できる。
The same configuration as that of the first configuration can be applied to the
画素は、副画素502Rを含み、副画素502Rは発光モジュール580Rを備える。
The pixel includes a sub-pixel 502R, and the sub-pixel 502R includes a
副画素502Rは、第1の発光素子550R及び第1の発光素子550Rに電力を供給
することができるトランジスタ502tを含む画素回路を備える。また、発光モジュール
580Rは第1の発光素子550R及び光学素子(例えば着色層567R)を備える。
The sub-pixel 502R includes a pixel circuit including a
発光素子550Rは、下部電極、上部電極、下部電極と上部電極の間にEL層を有する
。
The
発光モジュール580Rは、光を取り出す方向に第1の着色層567Rを有する。
The
また、封止層560が光を取り出す側に設けられている場合、封止層560は、第1の
発光素子550Rと第1の着色層567Rに接する。
When the
第1の着色層567Rは第1の発光素子550Rと重なる位置にある。これにより、発
光素子550Rが発する光の一部は第1の着色層567Rを透過して、図中に示す矢印の
方向の発光モジュール580Rの外部に射出される。
The first
表示部501は、光を射出する方向に遮光層567BMを有する。遮光層567BMは
、着色層(例えば第1の着色層567R)を囲むように設けられている。
The
表示部501は、反射防止層567pを画素に重なる位置に備える。反射防止層567
pとして、例えば円偏光板を用いることができる。
The
For example, a circular polarizing plate can be used as p.
表示部501は、絶縁膜521を備える。絶縁膜521はトランジスタ502tを覆っ
ている。なお、絶縁膜521は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用い
ることができる。また、不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を、絶縁膜521に適
用することができる。これにより、予期せぬ不純物の拡散によるトランジスタ502t等
の信頼性の低下を抑制できる。
The
表示部501は、発光素子(例えば第1の発光素子550R)を絶縁膜521上に有す
る。
The
表示部501は、第1の下部電極の端部に重なる隔壁528を絶縁膜521上に有する
。また、基板510と基板570の間隔を制御するスペーサを、隔壁528上に有する。
The
走査線駆動回路503g(1)は、トランジスタ503t及び容量503cを含む。な
お、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。
The scanning
表示部501は、信号を供給することができる配線511を備え、端子519が配線5
11に設けられている。なお、画像信号及び同期信号等の信号を供給することができるF
PC509(1)が端子519に電気的に接続されている。
The
It is provided in 11. In addition, F which can supply signals such as an image signal and a synchronization signal
PC509 (1) is electrically connected to
なお、FPC509(1)にはプリント配線基板(PWB)が取り付けられていても良
い。
A printed wiring board (PWB) may be attached to the FPC 509 (1).
表示部501は、走査線、信号線及び電源線等の配線を有する。上述した様々な導電膜
を配線に用いることができる。
The
なお、様々なトランジスタを表示部501に適用できる。ボトムゲート型のトランジス
タを表示部501に適用する場合の構成を、図16(A)、(B)に図示する。
In addition, various transistors can be applied to the
例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図16(A)に図
示するトランジスタ502t及びトランジスタ503tに適用することができる。
For example, a semiconductor layer containing an oxide semiconductor, amorphous silicon, or the like can be applied to the
例えば、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体
層を、図16(B)に図示するトランジスタ502t及びトランジスタ503tに適用す
ることができる。
For example, a semiconductor layer containing polycrystalline silicon crystallized by a treatment such as laser annealing can be applied to the
また、トップゲート型のトランジスタを表示部501に適用する場合の構成を、図16
(C)に図示する。
Further, FIG. 16 shows a configuration when a top gate type transistor is applied to the
It is illustrated in (C).
例えば、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン膜
等を含む半導体層を、図16(C)に図示するトランジスタ502t及びトランジスタ5
03tに適用することができる。
For example, a semiconductor layer including a single crystal silicon film transferred from a polycrystalline silicon or a single crystal silicon substrate or the like is shown in FIG. 16C as a
It can be applied to 03t.
なお、上述した発光素子(例えば第1の発光素子550R等)と同一工程で作製した発
光素子を非表示部に設けることにより、実施の形態1で例示した発光素子22として用い
ることができる。
By providing a light emitting element manufactured in the same step as the above-mentioned light emitting element (for example, the first
[構成例3]
図17は、タッチパネル505Bの断面図である。本実施の形態で説明するタッチパネ
ル505Bは、供給された画像情報をトランジスタが設けられている側に表示する表示部
501を備える点及びタッチセンサが表示部の基板510側に設けられている点が、構成
例2のタッチパネル505とは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様
の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。
[Configuration Example 3]
FIG. 17 is a cross-sectional view of the
第1の着色層567Rは第1の発光素子550Rと重なる位置にある。また、図17(
A)に示す発光素子550Rは、トランジスタ502tが設けられている側に光を射出す
る。これにより、発光素子550Rが発する光の一部は第1の着色層567Rを透過して
、図中に示す矢印の方向の発光モジュール580Rの外部に射出される。
The first
The
表示部501は、光を射出する方向に遮光層567BMを有する。遮光層567BMは
、着色層(例えば第1の着色層567R)を囲むように設けられている。
The
タッチセンサ595は、表示部501の基板510側に設けられている(図17(A)
)。
The
).
接着層597は、基板510と基板590の間にあり、表示部501とタッチセンサ5
95を貼り合わせる。
The
Paste 95 together.
なお、様々なトランジスタを表示部501に適用できる。ボトムゲート型のトランジス
タを表示部501に適用する場合の構成を、図17(A)、(B)に図示する。
In addition, various transistors can be applied to the
例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図17(A)に図
示するトランジスタ502t及びトランジスタ503tに適用することができる。
For example, a semiconductor layer containing an oxide semiconductor, amorphous silicon, or the like can be applied to the
例えば、多結晶シリコン等を含む半導体層を、図17(B)に図示するトランジスタ5
02t及びトランジスタ503tに適用することができる。
For example, the transistor 5 in which the semiconductor layer containing polycrystalline silicon or the like is shown in FIG. 17 (B).
It can be applied to 02t and
また、トップゲート型のトランジスタを表示部501に適用する場合の構成を、図17
(C)に図示する。
Further, FIG. 17 shows a configuration when a top gate type transistor is applied to the
It is illustrated in (C).
例えば、多結晶シリコン又は転写された単結晶シリコン膜等を含む半導体層を、図17
(C)に図示するトランジスタ502t及びトランジスタ503tに適用することができ
る。
For example, FIG. 17 shows a semiconductor layer containing polycrystalline silicon, a transferred single crystal silicon film, or the like.
It can be applied to the
なお、上述した発光素子(例えば第1の発光素子550R等)と同一工程で作製した発
光素子を非表示部に設けることにより、実施の形態1で例示した発光素子22として用い
ることができる。
By providing a light emitting element manufactured in the same step as the above-mentioned light emitting element (for example, the first
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
This embodiment can be carried out in combination with at least a part thereof as appropriate with other embodiments described in the present specification.
(実施の形態4)
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器が有する表示パネルに適用可能なタッチ
パネルの駆動方法の例について、図面を参照して説明する。
(Embodiment 4)
In the present embodiment, an example of a touch panel driving method applicable to the display panel of the electronic device of one aspect of the present invention will be described with reference to the drawings.
[センサの検知方法の例]
図18(A)は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図18
(A)では、パルス電圧出力回路601、電流検出回路602を示している。なお図18
(A)では、パルス電圧が与えられる電極621、電流の変化を検知する電極622をそ
れぞれ、X1−X6、Y1−Y6のそれぞれ6本の配線として示している。また図18(
A)は、電極121および電極122が重畳することで形成される容量603を図示して
いる。なお、電極121と電極122とはその機能を互いに置き換えてもよい。
[Example of sensor detection method]
FIG. 18A is a block diagram showing a configuration of a mutual capacitance type touch sensor. FIG. 18
In (A), the pulse
In (A), the
A) illustrates the
パルス電圧出力回路601は、X1−X6の配線に順にパルスを印加するための回路で
ある。X1−X6の配線にパルス電圧が印加されることで、容量603を形成する電極1
21および電極122は電界が生じる。この電極間に生じる電界が遮蔽等により容量60
3の相互容量に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、または接触を検出す
ることができる。
The pulse
An electric field is generated in 21 and the electrode 122. The electric field generated between the electrodes has a capacity of 60 due to shielding or the like.
By utilizing the fact that the mutual capacitance of 3 is changed, the proximity or contact of the object to be detected can be detected.
電流検出回路602は、容量603での相互容量の変化による、Y1〜Y6の配線での
電流の変化を検出するための回路である。Y1−Y6の配線では、被検知体の近接、また
は接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接、または接触
により相互容量が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検出は
、積分回路等を用いて行えばよい。
The
次いで図18(B)には、図18(A)で示す相互容量方式のタッチセンサにおける入
出力波形のタイミングチャートを示す。図18(B)では、1フレーム期間で各行列での
被検知体の検出を行うものとする。また図18(B)では、被検知体を検出しない場合(
非タッチ)と被検知体を検出する場合(タッチ)との2つの場合について示している。な
おY1−Y6の配線については、検出される電流値に対応する電圧値とした波形を示して
いる。
Next, FIG. 18B shows a timing chart of input / output waveforms in the mutual capacitance type touch sensor shown in FIG. 18A. In FIG. 18B, it is assumed that the detected object is detected in each matrix in one frame period. Further, in FIG. 18B, when the detected object is not detected (
Two cases are shown: non-touch) and detection of the object to be detected (touch). The wiring of Y1-Y6 shows a waveform with a voltage value corresponding to the detected current value.
X1−X6の配線には、順にパルス電圧が与えられ、該パルス電圧にしたがってY1−
Y6の配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、X1−X6
の配線の電圧の変化に応じてY1−Y6の波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接
または接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化す
る。
A pulse voltage is sequentially applied to the wiring of X1-X6, and Y1- according to the pulse voltage.
The waveform in the Y6 wiring changes. X1-X6 when there is no proximity or contact with the object to be detected
The waveform of Y1-Y6 changes uniformly according to the change of the voltage of the wiring. On the other hand, since the current value decreases at the location where the object to be detected is close to or in contact with the object to be detected, the corresponding voltage value waveform also changes.
このように、相互容量の変化を検出することにより、被検知体の近接または接触を検知
することができる。
By detecting the change in mutual capacitance in this way, the proximity or contact of the object to be detected can be detected.
また、図18(A)ではタッチセンサとして配線の交差部に容量603のみを設けるパ
ッシブ型のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを備えたアクティブ型
のタッチセンサとしてもよい。図19にアクティブ型のタッチセンサに含まれる一つのセ
ンサ回路の例を示している。
Further, although FIG. 18A shows the configuration of a passive type touch sensor in which only the
センサ回路は容量603と、トランジスタ611と、トランジスタ612と、トランジ
スタ613とを有する。トランジスタ613はゲートに信号G2が与えられ、ソース又は
ドレインの一方に電圧VRESが与えられ、他方が容量603の一方の電極およびトラン
ジスタ611のゲートと電気的に接続する。トランジスタ611はソース又はドレインの
一方がトランジスタ612のソース又はドレインの一方と電気的に接続し、他方に電圧V
SSが与えられる。トランジスタ612はゲートに信号G2が与えられ、ソース又はドレ
インの他方が配線MLと電気的に接続する。容量603の他方の電極には電圧VSSが与
えられる。
The sensor circuit has a
SS is given. A signal G2 is given to the gate of the
続いて、センサ回路の動作について説明する。まず信号G2としてトランジスタ613
をオン状態とする電位が与えられることで、トランジスタ611のゲートが接続されるノ
ードnに電圧VRESに対応した電位が与えられる。次いで信号G2としてトランジスタ
613をオフ状態とする電位が与えられることで、ノードnの電位が保持される。
Subsequently, the operation of the sensor circuit will be described. First, the
By giving the potential to turn on, the potential corresponding to the voltage VRES is given to the node n to which the gate of the
続いて、指等の被検知体の近接または接触により、容量603の相互容量が変化するこ
とに伴い、ノードnの電位がVRESから変化する。
Subsequently, the potential of the node n changes from VRES as the mutual capacitance of the
読み出し動作は、信号G1にトランジスタ612をオン状態とする電位を与える。ノー
ドnの電位に応じてトランジスタ611に流れる電流、すなわち配線MLに流れる電流が
変化する。この電流を検出することにより、被検知体の近接または接触を検出することが
できる。
The read operation gives the signal G1 a potential to turn on the
トランジスタ611、トランジスタ612、トランジスタ613としては、チャネルが
形成される半導体層に酸化物半導体を適用したトランジスタを用いることが好ましい。特
にトランジスタ613にこのようなトランジスタを適用することにより、ノードnの電位
を長期間に亘って保持することが可能となり、ノードnにVRESを供給しなおす動作(
リフレッシュ動作)の頻度を減らすことができる。
As the
The frequency of refresh operation) can be reduced.
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
This embodiment can be carried out in combination with at least a part thereof as appropriate with other embodiments described in the present specification.
10 電子機器
11a 支持体
11b 支持体
11c 支持体
11d 支持体
11e 支持体
12 接続部
12a 中立線
13 表示パネル
13_1 表示パネル
13_2 表示パネル
13a 表示部
13b 非表示部
14 検出手段
15 FPC
16 回路基板
17 バッテリ
18 配線
21 受光素子
22 発光素子
23 光
24 領域
25 領域
31 部分
32 部分
33 部分
41 入力ボタン
42 電源ボタン
43 外部接続端子
44 カードスロット
45 光学センサ
46 カメラ
47 光源
48 スピーカ
49 マイク
51 アンテナ
121 電極
122 電極
201 作製基板
203 剥離層
205 作製基板
207 剥離層
230 発光素子
301 表示部
302 画素
302B 副画素
302G 副画素
302R 副画素
302t トランジスタ
303c 容量
303g(1) 走査線駆動回路
303g(2) 撮像画素駆動回路
303s(1) 画像信号線駆動回路
303s(2) 撮像信号線駆動回路
303t トランジスタ
304 ゲート
308 撮像画素
308p 光電変換素子
308t トランジスタ
309 FPC
311 配線
319 端子
321 絶縁層
328 隔壁
329 スペーサ
350R 発光素子
351R 下部電極
352 上部電極
353 EL層
353a EL層
353b EL層
354 中間層
360 封止層
367BM 遮光層
367p 反射防止層
367R 着色層
380B 発光モジュール
380G 発光モジュール
380R 発光モジュール
390 タッチパネル
501 表示部
502R 副画素
502t トランジスタ
503c 容量
503g 走査線駆動回路
503t トランジスタ
505 タッチパネル
505B タッチパネル
509 FPC
510 基板
510a 絶縁層
510b 可撓性基板
510c 接着層
511 配線
519 端子
521 絶縁膜
528 隔壁
550R 発光素子
560 封止層
567BM 遮光層
567p 反射防止層
567R 着色層
570 基板
570a 絶縁層
570b 可撓性基板
570c 接着層
580R 発光モジュール
590 基板
591 電極
592 電極
593 絶縁層
594 配線
595 タッチセンサ
597 接着層
598 配線
599 接続層
601 パルス電圧出力回路
602 電流検出回路
603 容量
611 トランジスタ
612 トランジスタ
613 トランジスタ
621 電極
622 電極
801 基板
803 基板
804 発光部
806 駆動回路部
808 FPC
811 接着層
813 絶縁層
814 導電層
815 絶縁層
816 導電層
817 絶縁層
817a 絶縁層
817b 絶縁層
820 トランジスタ
821 絶縁層
822 トランジスタ
823 封止層
824 封止層
825 接続体
827 スペーサ
830 発光素子
831 下部電極
833 EL層
835 上部電極
841 接着層
843 絶縁層
845 着色層
847 遮光層
849 オーバーコート
857 導電層
857a 導電層
857b 導電層
10
16
311
510
811
Claims (5)
前記表示パネルを支持する機能を有する第1の支持体及び第2の支持体と、
前記第1の支持体と前記第2の支持体とを接続するヒンジとを有する電子機器であって、
前記ヒンジは、前記第1の支持体と前記第2の支持体との角度を、複数の位置において固定する機能を有し、
前記角度に応じて前記表示パネルの表示を切り替える機能を有する電子機器。 A display panel that is flexible and has the function of being bent so that the display surface is on the inside.
A first support and a second support having a function of supporting the display panel,
An electronic device having a hinge connecting the first support and the second support.
The hinge has a function of fixing the angle between the first support and the second support at a plurality of positions.
An electronic device having a function of switching the display of the display panel according to the angle.
前記表示パネルを支持する機能を有する第1の支持体及び第2の支持体と、
前記第1の支持体と前記第2の支持体とを接続するヒンジとを有する電子機器であって、
前記ヒンジは、前記表示面が湾曲した状態で、前記第1の支持体と前記第2の支持体とを固定する機能を有し、
前記第1の支持体と前記第2の支持体との角度に応じて前記表示パネルの表示を切り替える機能を有する電子機器。 A display panel that is flexible and has the function of being bent so that the display surface is on the inside.
A first support and a second support having a function of supporting the display panel,
An electronic device having a hinge connecting the first support and the second support.
The hinge has a function of fixing the first support and the second support in a state where the display surface is curved.
An electronic device having a function of switching the display of the display panel according to an angle between the first support and the second support.
前記表示パネルを支持する機能を有する第1の支持体及び第2の支持体と、
前記第1の支持体と前記第2の支持体とを接続するヒンジとを有する電子機器であって、
前記ヒンジは、前記第1の支持体と前記第2の支持体との角度を、複数の位置において固定する機能を有し、
前記角度に応じて前記表示パネルの表示を切り替える機能と、前記表示パネルが折りたたまれた状態において前記表示パネルの表示を停止する機能と、を有する電子機器。 A display panel that is flexible and has the function of being bent so that the display surface is on the inside.
A first support and a second support having a function of supporting the display panel,
An electronic device having a hinge connecting the first support and the second support.
The hinge has a function of fixing the angle between the first support and the second support at a plurality of positions.
An electronic device having a function of switching the display of the display panel according to the angle and a function of stopping the display of the display panel when the display panel is folded.
前記表示パネルを支持する機能を有する第1の支持体及び第2の支持体と、
前記第1の支持体と前記第2の支持体とを接続するヒンジとを有する電子機器であって、
前記ヒンジは、前記表示面が湾曲した状態で、前記第1の支持体と前記第2の支持体とを固定する機能を有し、
前記第1の支持体と前記第2の支持体との角度に応じて前記表示パネルの表示を切り替える機能と、前記表示パネルが折りたたまれた状態において前記表示パネルの表示を停止する機能と、を有する電子機器。 A display panel that is flexible and has the function of being bent so that the display surface is on the inside.
A first support and a second support having a function of supporting the display panel,
An electronic device having a hinge connecting the first support and the second support.
The hinge has a function of fixing the first support and the second support in a state where the display surface is curved.
A function of switching the display of the display panel according to an angle between the first support and the second support, and a function of stopping the display of the display panel when the display panel is folded. Electronic equipment to have.
前記第1の支持体と、前記第2の支持体とを固定する機能を有する磁石を有する電子機器。 In any one of claims 1 to 4,
An electronic device having a magnet having a function of fixing the first support and the second support.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020134336A JP2020181221A (en) | 2020-08-07 | 2020-08-07 | Electronic apparatus |
JP2022197659A JP7472251B2 (en) | 2020-08-07 | 2022-12-12 | Electronics |
JP2024063197A JP2024098988A (en) | 2020-08-07 | 2024-04-10 | Electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020134336A JP2020181221A (en) | 2020-08-07 | 2020-08-07 | Electronic apparatus |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020001167A Division JP6748795B2 (en) | 2020-01-08 | 2020-01-08 | Electronics |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022197659A Division JP7472251B2 (en) | 2020-08-07 | 2022-12-12 | Electronics |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020181221A true JP2020181221A (en) | 2020-11-05 |
Family
ID=73023999
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020134336A Withdrawn JP2020181221A (en) | 2020-08-07 | 2020-08-07 | Electronic apparatus |
JP2022197659A Active JP7472251B2 (en) | 2020-08-07 | 2022-12-12 | Electronics |
JP2024063197A Pending JP2024098988A (en) | 2020-08-07 | 2024-04-10 | Electronic apparatus |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022197659A Active JP7472251B2 (en) | 2020-08-07 | 2022-12-12 | Electronics |
JP2024063197A Pending JP2024098988A (en) | 2020-08-07 | 2024-04-10 | Electronic apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (3) | JP2020181221A (en) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005114759A (en) * | 2003-10-02 | 2005-04-28 | Canon Inc | Display unit, mobile telephone, and electronic equipment |
JP2010175999A (en) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Toshiba Corp | Mobile information terminal |
JP2011112891A (en) * | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Kyocera Corp | Portable display device |
JP2012123205A (en) * | 2010-12-08 | 2012-06-28 | Sharp Corp | Foldable mobile terminal |
JP2013243588A (en) * | 2012-05-22 | 2013-12-05 | Toshiba Corp | Electronic apparatus |
JP2014032983A (en) * | 2012-08-01 | 2014-02-20 | Sony Corp | Semiconductor device, display device, and electronic equipment |
JP2014035496A (en) * | 2012-08-09 | 2014-02-24 | Canon Inc | Display device, control method of display device, and program |
KR20140049911A (en) * | 2012-10-18 | 2014-04-28 | 이유구 | Flexible hinge device and flexible hinge device with flexible display devices |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1833194A (en) | 2003-08-08 | 2006-09-13 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | Bi-stable display |
JP2008180811A (en) | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Sharp Corp | Liquid crystal display device |
JP2012027511A (en) | 2009-04-23 | 2012-02-09 | Univ Of Tsukuba | Input device |
BR112013022703B1 (en) | 2011-03-21 | 2022-08-16 | Apple Inc. | ELECTRONIC DEVICES WITH FLEXIBLE DISPLAYS |
KR101903743B1 (en) | 2012-05-22 | 2018-10-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device, calibration method of display device, and display method of display device |
JP2014048643A (en) | 2012-09-04 | 2014-03-17 | Mitsubishi Electric Corp | Image display device |
-
2020
- 2020-08-07 JP JP2020134336A patent/JP2020181221A/en not_active Withdrawn
-
2022
- 2022-12-12 JP JP2022197659A patent/JP7472251B2/en active Active
-
2024
- 2024-04-10 JP JP2024063197A patent/JP2024098988A/en active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005114759A (en) * | 2003-10-02 | 2005-04-28 | Canon Inc | Display unit, mobile telephone, and electronic equipment |
JP2010175999A (en) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Toshiba Corp | Mobile information terminal |
JP2011112891A (en) * | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Kyocera Corp | Portable display device |
JP2012123205A (en) * | 2010-12-08 | 2012-06-28 | Sharp Corp | Foldable mobile terminal |
JP2013243588A (en) * | 2012-05-22 | 2013-12-05 | Toshiba Corp | Electronic apparatus |
JP2014032983A (en) * | 2012-08-01 | 2014-02-20 | Sony Corp | Semiconductor device, display device, and electronic equipment |
JP2014035496A (en) * | 2012-08-09 | 2014-02-24 | Canon Inc | Display device, control method of display device, and program |
KR20140049911A (en) * | 2012-10-18 | 2014-04-28 | 이유구 | Flexible hinge device and flexible hinge device with flexible display devices |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2023027247A (en) | 2023-03-01 |
JP7472251B2 (en) | 2024-04-22 |
JP2024098988A (en) | 2024-07-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6970258B2 (en) | Display device | |
JP7046136B2 (en) | Electronics | |
JP7110151B2 (en) | Electronics | |
JP2021081736A (en) | Light-emitting device | |
JP2021144233A (en) | Light-emitting device | |
JP2015225331A (en) | Electronic apparatus | |
JP6659880B2 (en) | Electronics | |
JP6748795B2 (en) | Electronics | |
JP7472251B2 (en) | Electronics |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200902 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210525 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210601 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210729 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211026 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220412 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220607 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220913 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20221213 |