JP6732429B2 - Substrate holding apparatus, lithographic apparatus, and article manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、基板保持装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法に関する。 The present invention relates to a substrate holding device, a lithographic apparatus, and a method for manufacturing an article.
半導体デバイス等の製造工程に使用される露光装置に対して、凹凸や反りを有する基板が供給されることがある。真空吸着によって基板を保持する際に、基板の周縁の反りに起因してリークが生じて吸着力が弱まる恐れがある。また吸着力が弱く、基板の凹凸や反りが大きな状態で基板にパターンの転写を行うと、転写パターンが歪んでデバイス製造の歩留まりが低下する恐れがある。 A substrate having irregularities or warpage may be supplied to an exposure apparatus used in the manufacturing process of semiconductor devices and the like. When the substrate is held by vacuum suction, a warp of the peripheral edge of the substrate may cause a leak and weaken the suction force. Further, when the pattern is transferred to the substrate in a state where the suction force is weak and the unevenness or warpage of the substrate is large, the transfer pattern may be distorted and the device manufacturing yield may be reduced.
特許文献1は、基板保持面の外周に弾性体のシール部材を設けた保持装置に関する。シール部材が基板の周縁形状に沿って変形することによって、基板と基板保持面との間の空間のリークを低減させて吸着力を高めている。当該保持装置の基板保持面は、同じ大きさ、同じ形状、一定間隔で形成された吸気孔を含む板状部材を有している。
特許文献1に記載の保持装置のように、同じ大きさ、同じ形状、一定間隔で形成された吸気孔によって同時に吸気を行った場合は、基板保持面での負圧分布は一様又は周縁側が低くなる。近年のデバイスの製造工程の多様化に伴って露光装置に反り等の歪みが大きな基板が搬入されることが多くなってきていることを鑑みると、基板周縁側の吸着力が弱いことに起因して基板周縁の反りを矯正しづらくなるおそれがある。
When the air is simultaneously sucked by the suction holes formed with the same size, the same shape and a constant interval as in the holding device described in
そこで、本発明は、同じ真空源を用いて、同じ大きさ、同じ形状、一定間隔で設けられた吸気孔を同時に使用して吸気した場合に比べて、基板の反りを矯正することができる基板保持装置及びリソグラフィ装置を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention can correct the warp of the substrate as compared with the case where the same vacuum source is used to simultaneously inhale using the air holes having the same size, the same shape, and a constant interval. An object is to provide a holding device and a lithographic apparatus.
本発明の基板保持装置は基板を保持する基板保持装置であって、基板との間の空間を排気するための複数の吸気孔が設けられた保持部材と、前記保持部材の段差部の低い方に設けられ、前記空間を規定する環状のシール部材と、を有し、前記保持部材の保持面における平面図形の中心と同じ中心を有し、前記平面図形を2/3以上4/5以下に縮小した図形の内側である第1領域と、前記第1領域と前記シール部材との間の第2領域と、を設定した場合に、(前記第2領域に設けられた吸気孔の総面積/前記第2領域の面積)>(前記第1領域と前記第2領域を足し合わせた領域に設けられた吸気孔の総面積/前記第1領域と前記第2領域を足し合わせた領域の面積)を満たすように前記複数の吸気孔が設けられ、前記複数の吸気孔は共通の管と連通しており、前記保持部材に環状の凸部が前記シール部材の内側に設けられ、少なくとも1つの前記吸気孔は前記凸部で囲まれた領域に設けられ、少なくとも1つの前記吸気孔は前記凸部より外側の領域に設けられ、前記凸部より外側の領域に設けられた、少なくとも1つの前記吸気孔は、前記シール部材に対面するように前記段差部の側面に設けられることを特徴とする。 A substrate holding device of the present invention is a substrate holding device for holding a substrate, wherein a holding member provided with a plurality of suction holes for exhausting a space between the substrate and the holding member having a lower step portion is provided. And an annular seal member that defines the space, and has the same center as the center of the plane figure on the holding surface of the holding member, and the plane figure is set to 2/3 or more and 4/5 or less. When the first area inside the reduced figure and the second area between the first area and the seal member are set, (total area of intake holes provided in the second area/ Area of the second region)> (total area of intake holes provided in a region where the first region and the second region are added/area of a region where the first region and the second region are added) The plurality of intake holes are provided so as to satisfy the above, the plurality of intake holes communicate with a common pipe, and the holding member is provided with an annular convex portion inside the seal member, and at least one of the above The intake hole is provided in a region surrounded by the convex portion, at least one of the intake holes is provided in an area outside the convex portion, and at least one of the intake air is provided in an area outside the convex portion. The hole is provided on a side surface of the step portion so as to face the seal member .
本発明の基板保持装置は、同じ真空源を用いて、同じ大きさ、同じ形状、一定間隔で設けられた吸気孔を同時に使用して吸気した場合に比べて、基板の反りを矯正することができる。 The substrate holding device of the present invention can correct the warp of the substrate as compared with the case where the same vacuum source is used to simultaneously inhale by using the air holes having the same size, the same shape, and a constant interval. it can.
[第1の実施形態]
図1を用いて、第1の実施形態に係る露光装置(リソグラフィ装置)1の構成について説明する。露光装置1は、ステップ・アンド・リピート方式にてレチクル2及び基板3を走査させながら、照明光(ビーム)6としてi線(波長365nm)を照射して、レチクル2に形成されているパターン(例えば回路パターン等)を基板3上に転写する投影型露光装置である。なお、図1において、投影光学系4の光軸(本実施形態では鉛直方向)に平行な軸をZ軸としている。Z軸に垂直な平面内において、露光時にレチクル2が走査する方向をX軸、当該X軸に直交する非走査方向をY軸としている。
[First Embodiment]
The configuration of an exposure apparatus (lithography apparatus) 1 according to the first embodiment will be described with reference to FIG. The
照明光学系5で成形された照明光6が、レチクル2と投影光学系4を介して、基板3に照射される。基板3は、例えば単結晶シリコンの基板であって、表面にはレジストが塗布されている。レチクル2は、ステージ7と共に移動する。干渉計8はミラー9にレーザビームを照射し、その反射光を受光することによりステージ7の位置を検出する。なお、ステージ7はレチクル用のステージ天板(不図示)と当該ステージ天板を移動させる移動機構(不図示)とを有する。
The illumination light 6 formed by the illumination
基板3は、基板3を真空吸着により保持する保持装置10とステージ13と共に6軸方向に移動する。干渉計11は、ミラー12を用いて、ステージ7の位置検出と同様の方法でステージ13の位置を検出する。なお、ステージ13は基板用のステージ天板(不図示)と当該ステージ天板を移動させる移動機構(不図示)とを有する。
The
検出系14は、基板3上に形成されているアライメントマーク(不図示)やステージ13上に設置されたマーク台15に形成されている基準マーク(不図示)を検出する。検出系がアライメントマーク及び基準マークの位置を検出し、後述の制御部18によってパターンの形成位置が決定される。検出系14は、投影光学系4を介さずにアライメントマークや基準マークを検出するオフアクシスアライメント検出系である。
The
保持装置10は、基板3を吸着保持するチャック(保持部材)16と、基板3の搬入及び搬出時に基板3を支持するピン17と、チャック16をZ軸方向に沿って昇降させる昇降機構(不図示)とを有する。チャック16の昇降動作によって、基板搬入時はピン17からチャック16に、基板搬出時はチャック16からピン17に基板3が受け渡される。保持装置10の構成については、後で詳述する。
The
制御部18は、ステージ7、13、検出系14、干渉計8、11、及び保持装置10と接続されており、これらを統括的に制御する。例えば、露光処理時には、検出系14の検出結果に基づいてパターンの形成位置を決定し、干渉計8、11から得られる位置情報に基づいてステージ7、13の移動を制御する。また、基板3の搬入及び搬出時には、保持装置10の昇降機構やステージ13の移動を制御する。制御部18は、制御部18以外の構成部材を収容する筐体内に構成しても良いし、当該筐体とは別の筐体内に構成しても良い。
The
図2(a)(b)を用いて基板3の吸着動作について説明する。図2(a)(b)は、チャック16及びその周辺部材に関して、チャック16の中心を通るX−Z平面を示す断面図である。
The suction operation of the
図2(a)は基板3の搬入を終え、チャック16に基板3が受け渡された状態を示している。チャック16は、中央部(第1領域)と周縁部(第2領域)とを含む。中央部と周縁部との境界を、仮想の境界38で示している。中央部及び周縁部には複数の吸着孔(吸気孔)32が形成されている。
FIG. 2A shows a state in which the
ここで、本実施形態において、中央部とは、チャック16の表面であって基板3と対向する基板保持面(保持面)のうち、境界38として設定した基板保持面の中心と同心の円の内側の領域である。周縁部とは、境界38の外側の領域である。この境界38は、中央部と面積と周縁部との面積が互いに同じになるように設定している。また、周縁部は、リップシール31を設けるためのチャック16の段差部39aの側面39bであって後述のリップシール31と対面している領域も含むものとする。
Here, in the present embodiment, the central portion is a circle concentric with the center of the substrate holding surface set as the
全ての吸着孔32は、配管33aを介して吸着孔32にとって共通の管である配管33と連通している。配管33は、それぞれの吸着孔32と連結するように分岐して設けられた配管33aを1つの管にまとめる役割を有している。配管33は、真空源33bに接続されている。配管33と真空源33bとの間には、弁34が設けられている。弁34の切り替えによって、配管33を通じて接続された全ての吸着孔32から、チャック16と基板3の間の空間にある気体の排出、あるいは、チャック16と基板3との間の空間への大気を送り込みを選択できる。配管33は、チャック16の中央部に対応する部分、すなわち境界38で厚み方向にチャック16を切断した場合に境界38より内側にある部分に設けられている。特に、図2等に示すように、XY平面における位置が中央部の中心に近い位置に設けられていることが好ましい。X―Y平面内における吸着孔32と配管33の距離が近い位置と遠い位置とで、排気力の強さに差が生じることを防ぐためである。
All the suction holes 32 communicate with the
チャック16の段差部39aの低い側の面である底面39cには、円形かつ環状のリップシール(シール部材)31が配置されている。リップシール31は弾性材料であり、粘着シート等の固着剤を用いてチャック16に固定されている。基板3をチャック16上に載置した際に、リップシール31は基板3の周縁付近と接触する。このようにして、基板3と基板保持面との間の空間35の範囲が、リップシール31により規定される。
A circular and annular lip seal (seal member) 31 is arranged on the
弁34は大気空間側に開放されている。基板3の周縁付近とリップシール31とは接触はしているが、完全に密着はしておらず、基板3の周縁の反りに応じてわずかに隙間が空いている部分もある。
The
図2(a)の状態から弁34を真空源33b側に切り替えることにより、全ての吸着孔32を介して空間35内が排気される。なお、切り替え動作はチャック16の上昇中、すなわちピン17からチャック16に完全に基板3が受け渡される前に行っても構わない。
By switching the
空間35が負圧になるにつれて、図2(b)に示すように、基板3が大気圧に押されてチャック16の基板保持面にならうように変形していく。このとき、リップシール31は基板の周縁形状に沿って変形し、次第に基板3と密着していく。
As the
リップシール31の先端部が、チャック16の基板保持面よりも高い位置にあることで、基板3の縁が反っている場合であっても当該反りがある部分とリップシール31とが接触しやすくなる。これにより、空間35を密閉することが容易となり、空間35内を排気しやすくなる。リップシールが無い場合に比べて空間35がより密閉され、基板3の吸着力が高まることにより、基板3を平面矯正することができる。
Since the tip portion of the
そのため、リップシール31は変形しやすく伸縮可能な柔らかい部材であることが好ましい。シリコンゴムやフッ素ゴム等の合成ゴムを含む高分子材料(弾性の高分子材料)を用いることが好ましいが、その他の柔らかい樹脂や金属材料を用いても構わない。
Therefore, it is preferable that the
保持装置10により基板3をチャック16に吸着した状態で、露光装置1は露光処理を行う。露光終了後は保持装置10を制御して、基板3を搬出できる状態にする。
The
図4はチャック16を+Z方向から見た図である。基板保持面に同心円状に、吸着孔32とピン穴36が形成されている。
FIG. 4 is a view of the
ピン穴36は、チャック16の3箇所をそれぞれ貫通するように形成されている。昇降機構がチャック16を−Z方向に移動させると、ピン穴36の内側から相対的にピン17が突き出るようになっている。なお、ピン17とピン穴36との隙間はシール材(不図示)などで常にふさがっているため、基板3の吸着時にリークすることはない。
The pin holes 36 are formed so as to penetrate through the
吸着孔32は、チャック16の中央部に4個、中央部の周囲を囲む周縁部に16個(8個×2周分)形成されている。吸着孔32は、全て同じ径である。
Four suction holes 32 are formed in the central portion of the
ある領域内における全ての吸着孔32の断面積の合計を総孔面積(吸気孔の総面積)とすると、中央部の総孔面積よりも、周縁部の総孔面積の方が大きくなるように(第2領域に形成されている吸気孔の総面積が、第1領域と第2領域を足し合わせた領域に形成されている吸気孔の総面積の5割より大きくなるように)吸着孔32が形成されている。そのため、周縁部における単位面積当たりの総孔面積が、中央部と周縁部を足した領域における単位面積当たりの総孔面積よりも大きくなる。 Assuming that the total cross-sectional area of all the suction holes 32 in a certain area is the total hole area (total area of the intake holes), the total hole area of the peripheral portion is larger than the total hole area of the central portion. (So that the total area of the intake holes formed in the second area is larger than 50% of the total area of the intake holes formed in the area obtained by adding the first area and the second area) Are formed. Therefore, the total hole area per unit area in the peripheral portion is larger than the total hole area per unit area in the region where the central portion and the peripheral portion are added.
このように吸着孔32が形成されたチャック16を用いて、配管33を介して真空源33bが空間35の排気を行った場合、多くの割合で吸着孔32が形成されている周縁部のほうが中央部に比べて吸着力が大きくなる。
When the
これにより、反り度合いが大きく搬入後においてリップシール31との隙間が大きく空いている場合であっても、瞬時に隙間をふさいでリークを防ぐことができる。同じ反り度合いの基板3であっても、同じ形状の吸着孔を一定の間隔で配置した場合に比べて基板3の反りを矯正しやすくなる。そのため、反り等の歪みに起因して生じる転写パターンの歪みを防ぐことができる。
Accordingly, even if the degree of warpage is large and the gap with the
少なくとも1つの吸着孔32が、側面39bおよび底面39cの少なくとも一方に設けられていることが好ましい。側面39bに吸着孔32が設けられている状態とは、例えば図3に示す通りである。
It is preferable that at least one
基板保持面と基板3が接触している状態では、基板保持面に設けられた吸着孔32からは排気をしづらくなる。そのため、底面39cと基板3で挟まれた空間の排気が十分になされず、基板3の反りの矯正の度合いが足りない場合が生じうる。側面39b、底面39cの少なくとも一方に吸気孔32が設けられていれば、基板3の吸着中も底面39cと基板3で挟まれた空間の排気をおこなうことができて、反りを矯正することができる。
When the substrate holding surface and the
さらに、側面39bに吸気孔32を設けた場合は、鉛直方向に加工する孔が少ない分、吸着孔32の形成に必要となる加工費用を削減することができる。
Further, when the intake holes 32 are provided on the
本実施形態の保持装置10であれば、下に凸の御椀型に反った基板だけでなく、上に凸の逆椀型に反った基板や、非対称的に反った基板であっても吸着し、平面矯正することができる。
With the holding
なお、図4に示す吸着孔32の配置において、中央部を、基板保持面における平面図形の中心を有し、当該平面図形を2/3以上4/5以下に縮小した図形の内側の領域と設定し、周縁部を、中央部とリップシール31との間の領域と設定しても良い。
In the arrangement of the suction holes 32 shown in FIG. 4, the central portion is the area inside the figure having the center of the plane figure on the substrate holding surface and reducing the plane figure to 2/3 or more and 4/5 or less. Alternatively, the peripheral portion may be set as a region between the central portion and the
この場合、吸着孔32の配置は(周縁部の総孔面積/周縁部の面積)>(中央部と周縁部とを足し合わせた領域における総孔面積/(中央部と周縁部とを足し合わせた領域の面積)という関係を満たし、周縁部における単位面積当たりの総孔面積が、中央部と周縁部を足した領域における単位面積当たりの総孔面積よりも大きくなる。これにより、多くの割合で吸着孔32が形成されている周縁部において吸着力を大きくすることができる。 In this case, the suction holes 32 are arranged as follows: (total hole area of the peripheral portion/area of the peripheral portion)>(total hole area in a region obtained by adding the central portion and the peripheral portion/(adding the central portion and the peripheral portion) The total hole area per unit area in the peripheral area is larger than the total hole area per unit area in the area where the central area and the peripheral area are added. Thus, the suction force can be increased at the peripheral portion where the suction holes 32 are formed.
なお、『>』は右項よりも左項が大きいことを示す不等号記号である。『/』は割り算の意であり、例えば『(周縁部の総孔面積/周縁部の面積)』は、周縁部の総孔面積を、周縁部の面積で除した値のことを示す。本明細書中において、基板保持面における平面図形とは、基板保持面を基板3の搬入側から鉛直方向に見たときの輪郭形状を意味する。
">" is an inequality sign indicating that the left term is larger than the right term. “/” means division, and for example, “(total hole area of peripheral portion/area of peripheral portion)” indicates a value obtained by dividing the total hole area of the peripheral portion by the area of the peripheral portion. In the present specification, the plan view of the substrate holding surface means a contour shape when the substrate holding surface is viewed in the vertical direction from the loading side of the
吸着孔32の配置は本実施形態に限られず、種々の変更が可能である。例えば、図5(a)に示す本実施形態の変形例のように、中央部に2個、周縁部に4個の吸着孔32を一軸上に形成しても良い。
The arrangement of the suction holes 32 is not limited to this embodiment, and various changes can be made. For example, as in the modified example of the present embodiment shown in FIG. 5A, two
(実施例)
そこで、図5(a)に示すチャック16を用いて、チャック16の中央部よりも周縁部に吸着孔32を多く形成していることによる吸着効果を確かめた。外周側が中心よりも1.7mm鉛直上向きに沿っている御椀型の基板3の吸着動作を行った。また比較例として、図5(b)に示すように、中央部に6個の吸着孔48が形成されたチャック50と、チャック50の外周に沿って配置されたリップシール31を用いて、同じ反り度合いの基板の吸着動作を行った。
(Example)
Therefore, using the
弁34の付近に流量計を設置し、基板3を吸着するために必要な流量を計測した。
A flow meter was installed near the
その結果、図5(a)に示すチャック16では、2L/minの流量(排気流量)が必要であり、図5(b)に示すチャック50では20L/minの流量が必要であった。チャック16のほうが、反りの大きな基板を吸着する場合であっても、比較的少ない流量で吸着をすることができた。
As a result, the
本結果から、本実施形態に係るチャック16の構成によれば、低排気性能かつ小型の真空源33bを選択することが可能となることが分かった。これにより真空源33bの設置スペースの削減やコスト削減の効果がある。
From this result, it was found that the configuration of the
[第2の実施形態]
第1の実施形態に係る保持装置10とは、吸着孔37の大きさ及び吸着孔32、37の配置が異なる。
[Second Embodiment]
The holding
図6は、第2の実施形態に係る保持装置10を+Z方向から見た図である。境界38には中央部と周縁部との境界を示しており、中央部は基板保持面における平面図形を4/5に縮小した図形の内側の領域である。周縁部は、基板保持面のうち、中央部とリップシール31の位置との間の領域である。
FIG. 6 is a view of the holding
チャック16は、中央部に2つの吸着孔32と、周縁部に4つの吸着孔37を有している。周縁部の1つの吸着孔37の孔面積は、中央部の1つの吸着孔32の孔面積の2倍以上である。また、吸着孔32はY軸方向に沿って配置され、吸着孔37はX軸方向に沿って配置されている。
The
本実施形態でも、周縁部における単位面積当たりの総孔面積が、中央部と周縁部を足した領域における単位面積当たりの総孔面積よりも大きい。中央部が基板保持面の平面図形を4/5に縮小した領域の場合であっても、この関係が成立するように吸着孔32を配置することによって、より基板の端側における吸着力が大きくなる。 Also in this embodiment, the total hole area per unit area in the peripheral portion is larger than the total hole area per unit area in the region obtained by adding the central portion and the peripheral portion. Even when the central portion is a region in which the plane figure of the substrate holding surface is reduced to 4/5, by arranging the suction holes 32 so that this relationship is established, the suction force on the edge side of the substrate becomes larger. Become.
これにより、第1の実施形態と同様、同じ形状の吸着孔を一定の間隔で配置した場合に比べて基板3の反りを矯正しやすくなる。そのため、反り等の歪みに起因して生じる転写パターンの歪みを防ぐことができる。あるいは、低排気速度の真空源33bを設置することによって、設置スペースの削減や、真空源33bに要するコストの低減を図ることができる。
This makes it easier to correct the warp of the
また、周縁部における1つの吸着孔の孔面積を大きくすることによって、周縁部に形成する吸着孔32の数を減らしている。チャック16の内部において、中央から吸着孔32まで延伸する配管を形成する個数を低減でき、加工コストの低減を図ることができる。
Further, by increasing the hole area of one suction hole in the peripheral portion, the number of suction holes 32 formed in the peripheral portion is reduced. Inside the
前述の図6で示したように全ての吸着孔32及び37が一直線上には並ばないように吸着孔32及び37を配置している。空間35内の負圧分布が一軸方向に偏ってしまうことを防いでいる。
All the suction holes 32 and 37 as shown in FIG. 6 above are arranged the suction holes 32 and 37 so as not aligned in a straight line. This prevents the negative pressure distribution in the
第1の実施形態、第2の実施形態共に、中央部に吸着孔32が無い場合であっても(周縁部における総孔面積が、中央部と周縁部とを足し合わせた領域の10割であっても)基板3を吸着することはできる。しかしながら、少なくとも1つの吸着孔32が中央部に形成されていることが好ましい。中央部に吸着孔32が1つも無いと、基板3の端から平面矯正される結果、基板3の中央で歪みが残る領域が生じるおそれがあるからである。
In both the first embodiment and the second embodiment, even when there is no
[第3の実施形態]
図7は、第3の実施形態に係る保持装置10を+Z方向から見た図である。チャック16の吸着孔32は、同じ大きさ、同じ形状、一定間隔で形成されている。図7では、基板保持面における平面図形を2/3に縮小した領域を中央部としている。しかし、基板保持面における平面図形を2/3以上4/5以下に縮小した領域であれば構わない。
[Third Embodiment]
FIG. 7 is a view of the holding
中央部と周縁部のそれぞれの領域に属している吸着孔32と接続されている配管には、領域単位で開閉可能な弁(不図示)が設けられている。制御部55は、中央部に対応する弁と周縁部に対応する弁との開閉を制御する。制御部55は、排気中のあるタイミングで(周縁部に形成されている吸着孔32を介して行う排気の排気流量/周縁部の面積)>(中央部と周縁部を足し合わせた領域に形成されている吸着孔32を介して行う排気の排気流量/中央部と周縁部を足し合わせた領域の面積)を満たすように、中央部及び周縁部の吸着孔32のそれぞれでの排気流量の制御を行う。
The pipes connected to the suction holes 32 belonging to the respective regions of the central portion and the peripheral portion are provided with valves (not shown) that can be opened and closed in units of regions. The
例えば、制御部55は、中央部の吸着孔32のみを用いて基板3を引き寄せ、次に中央部の吸着孔32につながる配管の弁を閉じてから周縁部の吸着孔33のみで基板3を引き寄せる。このように制御すれば、一時的には、周縁部の吸着孔32のみを介して排気が行われる。このようにして、周縁部における吸着力を高めることができる。あるいは、低排気性能の真空源33bに切り替えることで、設置スペースの削減や、真空源33bに要するコストの低減を図ることができる。
For example, the
なお領域ごとの排気流量の調整は、中央部と周縁部とのそれぞれの弁の開き加減を調整して行っても良い。少なくとも、ある時刻において、周縁部における単位面積当たりの総排気流量が、全ての吸着孔32を介して排気を行う場合の単位面積あたりの総排気流量よりも多くなるときがあるようにそれぞれの領域での排気流量の制御ができれば構わない。 The adjustment of the exhaust gas flow rate for each region may be performed by adjusting the opening and closing of each valve in the central portion and the peripheral portion. At least at a certain time, the total exhaust flow rate per unit area in the peripheral portion may be larger than the total exhaust flow rate per unit area when exhausting through all the adsorption holes 32. It suffices if the exhaust flow rate can be controlled at.
他の例として、図8に示すようにチャック16が、チャック16の中心から外側に向かって順に、環状の凸部43、44を有していても良い。凸部43で囲まれた領域40には8つの吸着孔32が、凸部43と凸部44で囲まれた領域41には8つの吸着孔32が、凸部33より外側の領域42には8つの吸着孔32が設けられている。
As another example, as shown in FIG. 8, the
領域40に含まれる吸着孔32は、弁45を真空源側に切り替えて排気をする。領域41に含まれる吸着孔32は、弁46を真空源側に切り替えて排気をする。領域42に含まれる吸着孔32は、弁47を真空源側に切り替えて排気をすることができる。弁45、46、47は制御部55と接続されており、制御部55によって、所定のタイミングに応じて基板3の吸着に用いる吸着孔32の切り替えを制御する。
The
以上の、本実施形態は、基板3をチャック16まで搬送する搬送ハンド(不図示)がリップシール31に衝突することを防ぐ目的で、リップシール31の先端部の高さを基板保持面の高さに対してあまり高く構成することができない場合に適している。すなわち、基板3の搬入出時に、ピン17の高さとリップシール31の先端部の高さとの間が狭くなってしまう場合に適している。
As described above, in the present embodiment, the height of the tip of the
リップシール31が十分に高い場合は、基板3の縁の反りが生じている部分と接触することが容易となるが、リップシール31の高さが低い場合は基板3の反りの大きさによっては接触することができず、空間35の排気を十分に行えなく恐れが生じる。
When the
弁45、46、47の順で切り替えればリップシール31と基板3の先端の距離を徐々に狭めるように基板3を吸着できる。リップシール31と基板3が接触後は、領域42の吸着孔32の単位面積当たりの排気流量が、領域40および領域41の吸着孔32の単位面積あたりの排気流量より大きくなるように制御する。
By switching the
これにより、リップシール31と搬送ハンドの接触を防ぎ、かつ、基板3の反りを矯正することができる。
As a result, the contact between the
[その他の実施形態]
第1〜第3の実施形態において、基板3の搬入動作中に、弁34から真空源33bまでの間の空間を排気しておくことが好ましい。吸着動作開始の瞬間に一気に空間35内の空気を排気することができ、少ない排気流量の真空源33bであっても吸着することが容易となる。
[Other Embodiments]
In the first to third embodiments, it is preferable to evacuate the space between the
第3の実施形態のように、吸着孔32の開放順序を制御する実施形態は、前述の他の実施形態に係る配置で吸着孔32が形成されたチャック16と組み合わせても良い。
The embodiment in which the opening order of the suction holes 32 is controlled as in the third embodiment may be combined with the
吸着孔32の形状は、円形状に限られない。楕円形でも四角形でも良い。リップシール31の先端が、規格により形成されているノッチやオリフラなどの切り欠き領域よりも内側になるようにリップシール31が設けられていることが好ましい。露光光がリップシール31に直接内側に照射されないようして、リップシール31の劣化を防ぐことができる。
The shape of the suction holes 32 is not limited to the circular shape. It may be oval or square. It is preferable that the
吸着孔32の配置は、少なくとも、基板保持面の中心を通る一軸に対して対称的に形成されている方が好ましい。基板3の吸着力に非対称な分布が生じて局所的に平面矯正ができない領域ができることを防ぐことができる。
It is preferable that at least the suction holes 32 are arranged symmetrically with respect to one axis passing through the center of the substrate holding surface. It is possible to prevent a region where the planar correction cannot be locally formed due to an asymmetric distribution of the suction force of the
基板保持面上に、基板3との接触面積を減らすためにチャック16と一体に形成された複数のピン(不図示)が配置されていても良い。基板3との接触面積を減らすことによって保持面上のゴミが基板3に付着することを防ぐことができる。
A plurality of pins (not shown) integrally formed with the
さらに、リップシール31による空間の封止能力が足りない場合には、リップシール31よりも内側の基板保持面上に、チャック16と一体の環状の凸構造(図8)が形成されていても良い。補助的に空間を規定することで、基板3の中央部分の平面矯正を容易にする。ただし、リップシール31より内側かつ環状の凸構造より外側の空間を吸着して基板3の反りを矯正するための吸着孔32が、リップシール31より内側かつ環状の凸構造より外側に形成されている必要がある。
Further, when the space sealing ability of the
ただし、前述のピンやと環状の凸構造を形成した場合であっても、基板保持面の面積、中央部の面積、および周縁部の面積には、当該ピンや環状の凸構造による表面積の増加分は無いものとして取り扱う。 However, even when the above-mentioned pin or annular convex structure is formed, the area of the substrate holding surface, the area of the central portion, and the area of the peripheral portion increase the surface area due to the pin or annular convex structure. I will treat it as having no minutes.
チャック16および基板保持面における平面図形は円形に限らない。例えば、基板保持面が四角形の場合は、中央部は当該四角形の中心と同心の、当該四角形を2/3以上4/5以下に縮小した相似図形となる。
The planar figure on the
リップシール31は第1〜第3の実施形態のように水平面上に設けられていなくても良い。例えば、チャック16の側面に固定されていても良い。
The
リップシール31の形状は、その先端がチャック16の中心を向いた形状をしていても良い(図9)。基板3の吸着動作に伴いリップシール31が中央部に変形しやすいことから、基板3がリップシール31に密着しやすくなり、基板3の周縁の反りを矯正しやすくなる。
The shape of the
あるいは、リップシール31の形状は、その断面が蛇腹形状であっても良い(図10)。リップシール31は剛性が低い方が基板3への密着性が良くなり好ましいが、製造工程における制約から所定の厚さ以下にすることが難しい。そこで、蛇腹形状のリップシール31を用いることで、基板3との接触部分の剛性を下げれば基板3がリップシール31に密着しやすくなり、基板3の周縁の反りを矯正しやすくなる。特に基板3の中心を通る1軸に対して対称的に反った基板3や、非対称形状の基板3を吸着する場合に適している。
Alternatively, the
リップシール31を有する保持装置10は、基板3を吸着する前後で基板3が所定方向に10〜1000μm程度ずれることがある。リップシール31の製造工程により生じる個体差や取り付け誤差に起因する。この場合は、露光開始前に検出系8を用いて位置ずれを予め測定し、制御部18等が有する演算回路によって補正量を算出し、補正量を加味してステージ7、13を走査させる。これによりリップシール31に起因して生じる基板3の位置ずれを低減し、重ね合わせ精度の低下を防止することができる。
In the holding
リップシール31の角度は図2(a)に示す角度に限られず0〜180度の範囲で適宜変更しても良い。基板3との接点より外周側の基板3の平面矯正が困難になることも考慮しつつ、角度を小さくすれば、基板3とリップシール31が密着しやすくなる。
The angle of the
図4ではチャック16に直接リップシール31を固定しているが、別部品によりリップシール31を固定して交換を容易にしても良い。リップシール31を、基板3と接触する箇所を含む先端部分とそれ以外の部分とに分けて、摩耗した先端部分だけを交換できる構成としても良い。
Although the
実施形態では、露光処理後の基板3の搬出時において、弁34を切り替えて大気開放を行う例を示した。しかし、吸着孔32とは別に、真空源33bとはつながっておらず、かつ大気空間につながっているような小さな孔を設けて空間35に大気を流入させても良い。
In the embodiment, an example has been shown in which the
本発明のリソグラフィ装置が、基板3に対して照射する光は、i線(波長365nm)に限られない。KrF光(波長248nm)やArF光(波長193nm)といった遠紫外線領域の光、可視光領域の光であるg線(波長436nm)でも構わない。
The light with which the lithographic apparatus of the present invention irradiates the
また、本発明のリソグラフィ装置は露光装置に限られない。荷電粒子線を基板3に照射して基板上に潜像パターンを形成する装置や、インプリント法により基板にパターンを形成する装置に適用しても構わない。
Further, the lithographic apparatus of the present invention is not limited to the exposure apparatus. It may be applied to an apparatus that irradiates a charged particle beam on the
[物品の製造方法]
本発明の一実施形態に係る物品(半導体集積回路素子、液晶表示素子、撮像素子、磁気ヘッド、CD−RW、光学素子、フォトマスク等)の製造方法は、リソグラフィ装置を用いて基板(ウエハやガラス板等)上にパターンを露光する工程と、露光された基板に対してエッチング処理及びイオン注入処理の少なくともいずれか一方を施す工程とを含む。さらに、他の周知の処理工程(現像、酸化、成膜、蒸着、平坦化、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含んでも良い。
[Production method]
A method of manufacturing an article (semiconductor integrated circuit device, liquid crystal display device, imaging device, magnetic head, CD-RW, optical device, photomask, etc.) according to an embodiment of the present invention uses a lithographic apparatus to produce a substrate (wafer or wafer). A step of exposing a pattern on a glass plate or the like) and a step of subjecting the exposed substrate to at least one of etching treatment and ion implantation treatment. Further, other known processing steps (development, oxidation, film formation, vapor deposition, planarization, resist peeling, dicing, bonding, packaging, etc.) may be included.
1 露光装置(リソグラフィ装置)
3 基板
16 チャック(保持部材)
31 リップシール(シール部材)
32 吸着孔(吸気孔)
35空間
1 Exposure equipment (lithography equipment)
3
31 Lip seal (seal member)
32 Adsorption hole (intake hole)
35 spaces
Claims (12)
基板との間の空間を排気するための複数の吸気孔が設けられた保持部材と、
前記保持部材の段差部の低い方に設けられ、前記空間を規定する環状のシール部材と、を有し、
前記保持部材の保持面における平面図形の中心と同じ中心を有し、前記平面図形を2/3以上4/5以下に縮小した図形の内側である第1領域と、前記第1領域と前記シール部材との間の第2領域と、を設定した場合に、
(前記第2領域に設けられた吸気孔の総面積/前記第2領域の面積)>(前記第1領域と前記第2領域を足し合わせた領域に設けられた吸気孔の総面積/前記第1領域と前記第2領域を足し合わせた領域の面積)
を満たすように前記複数の吸気孔が設けられ、
前記複数の吸気孔は共通の管と連通しており、
前記保持部材に環状の凸部が前記シール部材の内側に設けられ、少なくとも1つの前記吸気孔は前記凸部で囲まれた領域に設けられ、少なくとも1つの前記吸気孔は前記凸部より外側の領域に設けられ、
前記凸部より外側の領域に設けられた、少なくとも1つの前記吸気孔は、前記シール部材に対面するように前記段差部の側面に設けられることを特徴とする基板保持装置。 A substrate holding device for holding a substrate, comprising:
A holding member provided with a plurality of intake holes for exhausting the space between the substrate and;
An annular seal member that is provided on the lower side of the step portion of the holding member and defines the space,
A first region having the same center as the center of the plane figure on the holding surface of the holding member and being inside the figure obtained by reducing the plane figure to 2/3 or more and 4/5 or less, the first region and the seal. If you set the second area between the member,
(Total area of intake holes provided in the second area/area of the second area)>(Total area of intake holes provided in an area obtained by adding the first area and the second area/the second area (Area of the area obtained by adding one area and the second area)
The plurality of intake holes are provided so as to satisfy
The plurality of intake holes communicate with a common pipe,
An annular convex portion is provided on the holding member inside the seal member, at least one of the intake holes is provided in an area surrounded by the convex portion, and at least one of the intake holes is outside the convex portion. Provided in the area,
The substrate holding device according to claim 1, wherein at least one of the intake holes provided in an area outside the convex portion is provided on a side surface of the step portion so as to face the sealing member.
基板との間の空間を排気するための複数の吸気孔が設けられた保持部材と、
前記保持部材の段差部の低い方に設けられ、前記空間を規定する環状のシール部材と、前記吸気孔を介して行う排気流量を制御する制御部と、を有し、
前記複数の吸気孔は共通の管と連通しており、
前記保持部材の保持面における平面図形の中心と同じ中心を有し、前記平面図形を2/3以上4/5以下に縮小した図形の内側である第1領域と、前記第1領域と前記シール部材との間の第2領域と、を設定した場合に、
前記制御部は、
(前記第2領域に設けられた吸気孔を介して行う排気の排気流量/第2領域の面積)>(前記第1領域と前記第2領域を足し合わせた領域に設けられた吸気孔を介して行う排気の排気流量/前記第1領域と前記第2領域を足し合わせた領域の面積)
を満たすように前記排気流量を制御して、
前記保持部材に環状の凸部が前記シール部材の内側に設けられ、少なくとも1つの前記吸気孔は前記凸部で囲まれた領域に設けられ、少なくとも1つの前記吸気孔は前記凸部より外側の領域に設けられ、
前記凸部より外側の領域に設けられた、少なくとも1つの前記吸気孔は、前記シール部材に対面するように前記段差部の側面に設けられることを特徴とする基板保持装置。 A substrate holding device for holding a substrate, comprising:
A holding member provided with a plurality of intake holes for exhausting the space between the substrate and;
An annular seal member that is provided at the lower side of the step portion of the holding member and that defines the space, and a control unit that controls an exhaust flow rate performed through the intake hole,
The plurality of intake holes communicate with a common pipe,
A first region having the same center as the center of the plane figure on the holding surface of the holding member and being inside the figure obtained by reducing the plane figure to 2/3 or more and 4/5 or less, the first region and the seal. If you set the second area between the member,
The control unit is
(Exhaust flow rate of exhaust gas performed through intake holes provided in the second region/area of the second region)> (through intake holes provided in a region obtained by adding the first region and the second region) (Exhaust flow rate of exhaust gas/area of area where the first area and the second area are added)
The exhaust flow rate is controlled to satisfy
An annular convex portion is provided on the holding member inside the seal member, at least one of the intake holes is provided in a region surrounded by the convex portion, and at least one of the intake holes is provided outside the convex portion. Provided in the area,
The substrate holding device according to claim 1, wherein at least one of the intake holes provided in a region outside the convex portion is provided on a side surface of the step portion so as to face the sealing member.
基板との間の空間を排気するための吸気孔が設けられた保持部材と、
前記保持部材の段差部の低い方に設けられ、前記空間を規定する環状のシール部材と、を有し、
前記保持部材の保持面の中心と同心の円であって、かつ前記円の内側である第1領域の面積と前記円の外側である第2領域の面積とが互いに同じになる円を設定した場合に、
前記第2領域に設けられている吸気孔の総面積が、前記第1領域と前記第2領域を足し合わせた領域に設けられている吸気孔の総面積の5割より大きくなるように、前記吸気孔が設けられており、
前記保持部材に環状の凸部が前記シール部材の内側に設けられ、少なくとも1つの前記吸気孔は前記凸部で囲まれた領域に設けられ、少なくとも1つの前記吸気孔は前記凸部より外側の領域に設けられ、
前記凸部より外側の領域に設けられた、少なくとも1つの前記吸気孔は、前記シール部材に対面するように前記段差部の側面に設けられることを特徴とする基板保持装置。 A substrate holding device for holding a substrate, comprising:
A holding member provided with an intake hole for exhausting the space between the substrate and
An annular seal member that is provided on the lower side of the step portion of the holding member and defines the space,
A circle that is concentric with the center of the holding surface of the holding member and has the same area as the first area inside the circle and the area of the second area outside the circle is set. In case,
The total area of the intake holes provided in the second region is greater than 50% of the total area of the intake holes provided in the region obtained by adding the first region and the second region together. An intake hole is provided ,
An annular convex portion is provided on the holding member inside the seal member, at least one of the intake holes is provided in an area surrounded by the convex portion, and at least one of the intake holes is outside the convex portion. Provided in the area,
The substrate holding device according to claim 1, wherein at least one of the intake holes provided in an area outside the convex portion is provided on a side surface of the step portion so as to face the sealing member .
前記保持装置で保持された基板に対してビームを照射し、前記基板上にパターンを形成することを特徴とするリソグラフィ装置。 A holding device according to any one of claims 1 to 10, comprising:
A lithographic apparatus, comprising: irradiating a beam on a substrate held by the holding device to form a pattern on the substrate.
前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。 A step of irradiating a beam onto a substrate using the lithographic apparatus according to claim 11, and a step of subjecting the substrate to at least one of an etching process and an ion implantation process,
An article manufacturing method comprising: manufacturing an article from the substrate.
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