JP6732429B2 - Substrate holding apparatus, lithographic apparatus, and article manufacturing method - Google Patents

Substrate holding apparatus, lithographic apparatus, and article manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP6732429B2
JP6732429B2 JP2015210712A JP2015210712A JP6732429B2 JP 6732429 B2 JP6732429 B2 JP 6732429B2 JP 2015210712 A JP2015210712 A JP 2015210712A JP 2015210712 A JP2015210712 A JP 2015210712A JP 6732429 B2 JP6732429 B2 JP 6732429B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
area
substrate
region
intake holes
holding device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015210712A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2016111343A5 (en
JP2016111343A (en
Inventor
直紀 舟橋
直紀 舟橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to US14/947,702 priority Critical patent/US9740109B2/en
Priority to TW104139184A priority patent/TWI596698B/en
Priority to KR1020150166921A priority patent/KR102002582B1/en
Priority to CN201510845119.3A priority patent/CN105652601B/en
Publication of JP2016111343A publication Critical patent/JP2016111343A/en
Publication of JP2016111343A5 publication Critical patent/JP2016111343A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6732429B2 publication Critical patent/JP6732429B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Jigs For Machine Tools (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)

Description

本発明は、基板保持装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法に関する。 The present invention relates to a substrate holding device, a lithographic apparatus, and a method for manufacturing an article.

半導体デバイス等の製造工程に使用される露光装置に対して、凹凸や反りを有する基板が供給されることがある。真空吸着によって基板を保持する際に、基板の周縁の反りに起因してリークが生じて吸着力が弱まる恐れがある。また吸着力が弱く、基板の凹凸や反りが大きな状態で基板にパターンの転写を行うと、転写パターンが歪んでデバイス製造の歩留まりが低下する恐れがある。 A substrate having irregularities or warpage may be supplied to an exposure apparatus used in the manufacturing process of semiconductor devices and the like. When the substrate is held by vacuum suction, a warp of the peripheral edge of the substrate may cause a leak and weaken the suction force. Further, when the pattern is transferred to the substrate in a state where the suction force is weak and the unevenness or warpage of the substrate is large, the transfer pattern may be distorted and the device manufacturing yield may be reduced.

特許文献1は、基板保持面の外周に弾性体のシール部材を設けた保持装置に関する。シール部材が基板の周縁形状に沿って変形することによって、基板と基板保持面との間の空間のリークを低減させて吸着力を高めている。当該保持装置の基板保持面は、同じ大きさ、同じ形状、一定間隔で形成された吸気孔を含む板状部材を有している。 Patent Document 1 relates to a holding device in which an elastic seal member is provided on the outer periphery of a substrate holding surface. By deforming the seal member along the peripheral shape of the substrate, the leakage of the space between the substrate and the substrate holding surface is reduced and the suction force is enhanced. The substrate holding surface of the holding device has a plate-shaped member including intake holes that have the same size and the same shape and are formed at regular intervals.

特開2002−217276号公報JP, 2002-217276, A

特許文献1に記載の保持装置のように、同じ大きさ、同じ形状、一定間隔で形成された吸気孔によって同時に吸気を行った場合は、基板保持面での負圧分布は一様又は周縁側が低くなる。近年のデバイスの製造工程の多様化に伴って露光装置に反り等の歪みが大きな基板が搬入されることが多くなってきていることを鑑みると、基板周縁側の吸着力が弱いことに起因して基板周縁の反りを矯正しづらくなるおそれがある。 When the air is simultaneously sucked by the suction holes formed with the same size, the same shape and a constant interval as in the holding device described in Patent Document 1, the negative pressure distribution on the substrate holding surface is uniform or on the peripheral side. Becomes lower. Considering that the substrate with large distortion such as warp is often carried into the exposure apparatus due to the diversification of device manufacturing process in recent years, it is caused by the weak suction force on the substrate peripheral side. Therefore, it may be difficult to correct the warp of the substrate edge.

そこで、本発明は、同じ真空源を用いて、同じ大きさ、同じ形状、一定間隔で設けられた吸気孔を同時に使用して吸気した場合に比べて、基板の反りを矯正することができる基板保持装置及びリソグラフィ装置を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention can correct the warp of the substrate as compared with the case where the same vacuum source is used to simultaneously inhale using the air holes having the same size, the same shape, and a constant interval. An object is to provide a holding device and a lithographic apparatus.

本発明の基板保持装置は基板を保持する基板保持装置であって、基板との間の空間を排気するための複数の吸気孔が設けられた保持部材と、前記保持部材の段差部の低い方に設けられ、前記空間を規定する環状のシール部材と、を有し、前記保持部材の保持面における平面図形の中心と同じ中心を有し、前記平面図形を2/3以上4/5以下に縮小した図形の内側である第1領域と、前記第1領域と前記シール部材との間の第2領域と、を設定した場合に、(前記第2領域に設けられた吸気孔の総面積/前記第2領域の面積)>(前記第1領域と前記第2領域を足し合わせた領域に設けられた吸気孔の総面積/前記第1領域と前記第2領域を足し合わせた領域の面積)を満たすように前記複数の吸気孔が設けられ、前記複数の吸気孔は共通の管と連通しており、前記保持部材に環状の凸部が前記シール部材の内側に設けられ、少なくとも1つの前記吸気孔は前記凸部で囲まれた領域に設けられ、少なくとも1つの前記吸気孔は前記凸部より外側の領域に設けられ、前記凸部より外側の領域に設けられた、少なくとも1つの前記吸気孔は、前記シール部材に対面するように前記段差部の側面に設けられることを特徴とする。 A substrate holding device of the present invention is a substrate holding device for holding a substrate, wherein a holding member provided with a plurality of suction holes for exhausting a space between the substrate and the holding member having a lower step portion is provided. And an annular seal member that defines the space, and has the same center as the center of the plane figure on the holding surface of the holding member, and the plane figure is set to 2/3 or more and 4/5 or less. When the first area inside the reduced figure and the second area between the first area and the seal member are set, (total area of intake holes provided in the second area/ Area of the second region)> (total area of intake holes provided in a region where the first region and the second region are added/area of a region where the first region and the second region are added) The plurality of intake holes are provided so as to satisfy the above, the plurality of intake holes communicate with a common pipe, and the holding member is provided with an annular convex portion inside the seal member, and at least one of the above The intake hole is provided in a region surrounded by the convex portion, at least one of the intake holes is provided in an area outside the convex portion, and at least one of the intake air is provided in an area outside the convex portion. The hole is provided on a side surface of the step portion so as to face the seal member .

本発明の基板保持装置は、同じ真空源を用いて、同じ大きさ、同じ形状、一定間隔で設けられた吸気孔を同時に使用して吸気した場合に比べて、基板の反りを矯正することができる。 The substrate holding device of the present invention can correct the warp of the substrate as compared with the case where the same vacuum source is used to simultaneously inhale by using the air holes having the same size, the same shape, and a constant interval. it can.

第1〜3の実施形態に係る露光装置の図。The figure of the exposure apparatus which concerns on 1st-3rd embodiment. 第1の実施形態に係る保持装置の図(水平方向から見た断面図)。The figure of the holding|maintenance apparatus which concerns on 1st Embodiment (sectional view seen from the horizontal direction). 第1の実施形態の変形例に係る保持装置の図(水平方向から見た断面図)。FIG. 8 is a diagram of a holding device according to a modified example of the first embodiment (a cross-sectional view seen from the horizontal direction). 第1の実施形態に係る保持装置の図(鉛直上方から見た図)。The figure of the holding|maintenance apparatus which concerns on 1st Embodiment (the figure seen from the upright direction). 実施例に係る保持装置の図。The figure of the holding device concerning an example. 第2の実施形態に係る保持装置の図。The figure of the holding device concerning a 2nd embodiment. 第3の実施形態に係る保持装置の図。The figure of the holding|maintenance apparatus which concerns on 3rd Embodiment. 第3実施形態の変形に係る保持装置の図。The figure of the holding device concerning the modification of a 3rd embodiment. リップシールのその他の形状の説明図(1)。Explanatory drawing (1) of other shapes of a lip seal. リップシールのその他の形状の説明図(2)。Explanatory drawing (2) of other shapes of a lip seal.

[第1の実施形態]
図1を用いて、第1の実施形態に係る露光装置(リソグラフィ装置)1の構成について説明する。露光装置1は、ステップ・アンド・リピート方式にてレチクル2及び基板3を走査させながら、照明光(ビーム)6としてi線(波長365nm)を照射して、レチクル2に形成されているパターン(例えば回路パターン等)を基板3上に転写する投影型露光装置である。なお、図1において、投影光学系4の光軸(本実施形態では鉛直方向)に平行な軸をZ軸としている。Z軸に垂直な平面内において、露光時にレチクル2が走査する方向をX軸、当該X軸に直交する非走査方向をY軸としている。
[First Embodiment]
The configuration of an exposure apparatus (lithography apparatus) 1 according to the first embodiment will be described with reference to FIG. The exposure apparatus 1 irradiates the i-line (wavelength 365 nm) as the illumination light (beam) 6 while scanning the reticle 2 and the substrate 3 by the step-and-repeat method, and the pattern (formed on the reticle 2 For example, a projection type exposure apparatus that transfers a circuit pattern or the like) onto the substrate 3. In FIG. 1, the axis parallel to the optical axis of the projection optical system 4 (the vertical direction in this embodiment) is the Z axis. In the plane perpendicular to the Z axis, the direction in which the reticle 2 scans during exposure is the X axis, and the non-scanning direction orthogonal to the X axis is the Y axis.

照明光学系5で成形された照明光6が、レチクル2と投影光学系4を介して、基板3に照射される。基板3は、例えば単結晶シリコンの基板であって、表面にはレジストが塗布されている。レチクル2は、ステージ7と共に移動する。干渉計8はミラー9にレーザビームを照射し、その反射光を受光することによりステージ7の位置を検出する。なお、ステージ7はレチクル用のステージ天板(不図示)と当該ステージ天板を移動させる移動機構(不図示)とを有する。 The illumination light 6 formed by the illumination optical system 5 is applied to the substrate 3 via the reticle 2 and the projection optical system 4. The substrate 3 is, for example, a single crystal silicon substrate and has a resist coated on its surface. The reticle 2 moves with the stage 7. The interferometer 8 irradiates the mirror 9 with a laser beam and receives the reflected light to detect the position of the stage 7. The stage 7 has a stage top plate (not shown) for the reticle and a moving mechanism (not shown) for moving the stage top plate.

基板3は、基板3を真空吸着により保持する保持装置10とステージ13と共に6軸方向に移動する。干渉計11は、ミラー12を用いて、ステージ7の位置検出と同様の方法でステージ13の位置を検出する。なお、ステージ13は基板用のステージ天板(不図示)と当該ステージ天板を移動させる移動機構(不図示)とを有する。 The substrate 3 moves in six axis directions together with the holding device 10 that holds the substrate 3 by vacuum suction and the stage 13. The interferometer 11 uses the mirror 12 to detect the position of the stage 13 in the same manner as the position detection of the stage 7. The stage 13 has a stage top plate (not shown) for the substrate and a moving mechanism (not shown) for moving the stage top plate.

検出系14は、基板3上に形成されているアライメントマーク(不図示)やステージ13上に設置されたマーク台15に形成されている基準マーク(不図示)を検出する。検出系がアライメントマーク及び基準マークの位置を検出し、後述の制御部18によってパターンの形成位置が決定される。検出系14は、投影光学系4を介さずにアライメントマークや基準マークを検出するオフアクシスアライメント検出系である。 The detection system 14 detects an alignment mark (not shown) formed on the substrate 3 and a reference mark (not shown) formed on the mark base 15 installed on the stage 13. The detection system detects the positions of the alignment mark and the reference mark, and the control unit 18 described later determines the pattern formation position. The detection system 14 is an off-axis alignment detection system that detects alignment marks and reference marks without the projection optical system 4.

保持装置10は、基板3を吸着保持するチャック(保持部材)16と、基板3の搬入及び搬出時に基板3を支持するピン17と、チャック16をZ軸方向に沿って昇降させる昇降機構(不図示)とを有する。チャック16の昇降動作によって、基板搬入時はピン17からチャック16に、基板搬出時はチャック16からピン17に基板3が受け渡される。保持装置10の構成については、後で詳述する。 The holding device 10 includes a chuck (holding member) 16 that holds the substrate 3 by suction, a pin 17 that supports the substrate 3 when the substrate 3 is loaded and unloaded, and an elevating mechanism that lifts and lowers the chuck 16 along the Z-axis direction. Shown). By the lifting/lowering operation of the chuck 16, the substrate 3 is delivered from the pin 17 to the chuck 16 when the substrate is loaded, and from the chuck 16 to the pin 17 when the substrate is unloaded. The configuration of the holding device 10 will be described in detail later.

制御部18は、ステージ7、13、検出系14、干渉計8、11、及び保持装置10と接続されており、これらを統括的に制御する。例えば、露光処理時には、検出系14の検出結果に基づいてパターンの形成位置を決定し、干渉計8、11から得られる位置情報に基づいてステージ7、13の移動を制御する。また、基板3の搬入及び搬出時には、保持装置10の昇降機構やステージ13の移動を制御する。制御部18は、制御部18以外の構成部材を収容する筐体内に構成しても良いし、当該筐体とは別の筐体内に構成しても良い。 The control unit 18 is connected to the stages 7 and 13, the detection system 14, the interferometers 8 and 11, and the holding device 10, and controls these in a centralized manner. For example, at the time of exposure processing, the pattern formation position is determined based on the detection result of the detection system 14, and the movement of the stages 7 and 13 is controlled based on the position information obtained from the interferometers 8 and 11. Further, when the substrate 3 is carried in and out, the lifting mechanism of the holding device 10 and the movement of the stage 13 are controlled. The control unit 18 may be configured in a housing that houses components other than the control unit 18, or may be configured in a housing different from the housing.

図2(a)(b)を用いて基板3の吸着動作について説明する。図2(a)(b)は、チャック16及びその周辺部材に関して、チャック16の中心を通るX−Z平面を示す断面図である。 The suction operation of the substrate 3 will be described with reference to FIGS. 2A and 2B are cross-sectional views showing the XZ plane passing through the center of the chuck 16 with respect to the chuck 16 and its peripheral members.

図2(a)は基板3の搬入を終え、チャック16に基板3が受け渡された状態を示している。チャック16は、中央部(第1領域)と周縁部(第2領域)とを含む。中央部と周縁部との境界を、仮想の境界38で示している。中央部及び周縁部には複数の吸着孔(吸気孔)32が形成されている。 FIG. 2A shows a state in which the substrate 3 has been delivered to the chuck 16 after the loading of the substrate 3 is completed. The chuck 16 includes a central portion (first region) and a peripheral portion (second region). The boundary between the central portion and the peripheral portion is shown by a virtual boundary 38. A plurality of suction holes (intake holes) 32 are formed in the central portion and the peripheral portion.

ここで、本実施形態において、中央部とは、チャック16の表面であって基板3と対向する基板保持面(保持面)のうち、境界38として設定した基板保持面の中心と同心の円の内側の領域である。周縁部とは、境界38の外側の領域である。この境界38は、中央部と面積と周縁部との面積が互いに同じになるように設定している。また、周縁部は、リップシール31を設けるためのチャック16の段差部39aの側面39bであって後述のリップシール31と対面している領域も含むものとする。 Here, in the present embodiment, the central portion is a circle concentric with the center of the substrate holding surface set as the boundary 38 among the substrate holding surfaces (holding surfaces) that are the surface of the chuck 16 and face the substrate 3. This is the inner area. The peripheral portion is a region outside the boundary 38. The boundary 38 is set so that the area of the central portion is the same as the area of the peripheral portion. In addition, the peripheral edge portion includes a side surface 39b of the step portion 39a of the chuck 16 for providing the lip seal 31 and a region facing the lip seal 31 described later.

全ての吸着孔32は、配管33aを介して吸着孔32にとって共通の管である配管33と連通している。配管33は、それぞれの吸着孔32と連結するように分岐して設けられた配管33aを1つの管にまとめる役割を有している。配管33は、真空源33bに接続されている。配管33と真空源33bとの間には、弁34が設けられている。弁34の切り替えによって、配管33を通じて接続された全ての吸着孔32から、チャック16と基板3の間の空間にある気体の排出、あるいは、チャック16と基板3との間の空間への大気を送り込みを選択できる。配管33は、チャック16の中央部に対応する部分、すなわち境界38で厚み方向にチャック16を切断した場合に境界38より内側にある部分に設けられている。特に、図2等に示すように、XY平面における位置が中央部の中心に近い位置に設けられていることが好ましい。X―Y平面内における吸着孔32と配管33の距離が近い位置と遠い位置とで、排気力の強さに差が生じることを防ぐためである。 All the suction holes 32 communicate with the pipe 33, which is a common pipe for the suction holes 32, via the pipe 33a. The pipe 33 has a role of consolidating the pipes 33 a provided so as to be branched so as to be connected to the respective suction holes 32 into one pipe. The pipe 33 is connected to the vacuum source 33b. A valve 34 is provided between the pipe 33 and the vacuum source 33b. By switching the valve 34, the gas in the space between the chuck 16 and the substrate 3 is discharged from all the suction holes 32 connected through the pipe 33, or the atmosphere to the space between the chuck 16 and the substrate 3 is released. You can select delivery. The pipe 33 is provided at a portion corresponding to the central portion of the chuck 16, that is, a portion inside the boundary 38 when the chuck 16 is cut in the thickness direction at the boundary 38. In particular, as shown in FIG. 2 and the like, it is preferable that the position on the XY plane is provided near the center of the central portion. This is to prevent a difference in strength of the exhaust force between a position where the suction hole 32 and the pipe 33 are close to each other and a position where they are far from each other in the XY plane.

チャック16の段差部39aの低い側の面である底面39cには、円形かつ環状のリップシール(シール部材)31が配置されている。リップシール31は弾性材料であり、粘着シート等の固着剤を用いてチャック16に固定されている。基板3をチャック16上に載置した際に、リップシール31は基板3の周縁付近と接触する。このようにして、基板3と基板保持面との間の空間35の範囲が、リップシール31により規定される。 A circular and annular lip seal (seal member) 31 is arranged on the bottom surface 39c of the chuck 16 which is the lower surface of the step portion 39a. The lip seal 31 is an elastic material and is fixed to the chuck 16 using a fixing agent such as an adhesive sheet. When the substrate 3 is placed on the chuck 16, the lip seal 31 comes into contact with the vicinity of the peripheral edge of the substrate 3. In this way, the range of the space 35 between the substrate 3 and the substrate holding surface is defined by the lip seal 31.

弁34は大気空間側に開放されている。基板3の周縁付近とリップシール31とは接触はしているが、完全に密着はしておらず、基板3の周縁の反りに応じてわずかに隙間が空いている部分もある。 The valve 34 is open to the atmosphere space side. Although the vicinity of the peripheral edge of the substrate 3 and the lip seal 31 are in contact with each other, they are not completely in close contact with each other, and there is a portion with a slight gap depending on the warp of the peripheral edge of the substrate 3.

図2(a)の状態から弁34を真空源33b側に切り替えることにより、全ての吸着孔32を介して空間35内が排気される。なお、切り替え動作はチャック16の上昇中、すなわちピン17からチャック16に完全に基板3が受け渡される前に行っても構わない。 By switching the valve 34 to the vacuum source 33b side from the state of FIG. 2A, the space 35 is exhausted through all the suction holes 32. The switching operation may be performed while the chuck 16 is being raised, that is, before the substrate 3 is completely transferred from the pin 17 to the chuck 16.

空間35が負圧になるにつれて、図2(b)に示すように、基板3が大気圧に押されてチャック16の基板保持面にならうように変形していく。このとき、リップシール31は基板の周縁形状に沿って変形し、次第に基板3と密着していく。 As the space 35 becomes a negative pressure, as shown in FIG. 2B, the substrate 3 is pressed by the atmospheric pressure and deforms so as to follow the substrate holding surface of the chuck 16. At this time, the lip seal 31 is deformed along the peripheral shape of the substrate and gradually comes into close contact with the substrate 3.

リップシール31の先端部が、チャック16の基板保持面よりも高い位置にあることで、基板3の縁が反っている場合であっても当該反りがある部分とリップシール31とが接触しやすくなる。これにより、空間35を密閉することが容易となり、空間35内を排気しやすくなる。リップシールが無い場合に比べて空間35がより密閉され、基板3の吸着力が高まることにより、基板3を平面矯正することができる。 Since the tip portion of the lip seal 31 is located at a position higher than the substrate holding surface of the chuck 16, even if the edge of the substrate 3 is warped, it is easy for the lip seal 31 to come into contact with the warped portion. Become. As a result, the space 35 can be easily sealed, and the space 35 can be easily exhausted. The space 35 is more hermetically sealed as compared with the case where there is no lip seal, and the suction force of the substrate 3 is increased, whereby the substrate 3 can be straightened.

そのため、リップシール31は変形しやすく伸縮可能な柔らかい部材であることが好ましい。シリコンゴムやフッ素ゴム等の合成ゴムを含む高分子材料(弾性の高分子材料)を用いることが好ましいが、その他の柔らかい樹脂や金属材料を用いても構わない。 Therefore, it is preferable that the lip seal 31 is a soft member that is easily deformable and can expand and contract. It is preferable to use a polymer material (elastic polymer material) containing synthetic rubber such as silicone rubber or fluororubber, but other soft resin or metal material may be used.

保持装置10により基板3をチャック16に吸着した状態で、露光装置1は露光処理を行う。露光終了後は保持装置10を制御して、基板3を搬出できる状態にする。 The exposure device 1 performs the exposure process while the substrate 3 is attracted to the chuck 16 by the holding device 10. After the exposure is finished, the holding device 10 is controlled so that the substrate 3 can be carried out.

図4はチャック16を+Z方向から見た図である。基板保持面に同心円状に、吸着孔32とピン穴36が形成されている。 FIG. 4 is a view of the chuck 16 viewed from the +Z direction. Adsorption holes 32 and pin holes 36 are formed concentrically on the substrate holding surface.

ピン穴36は、チャック16の3箇所をそれぞれ貫通するように形成されている。昇降機構がチャック16を−Z方向に移動させると、ピン穴36の内側から相対的にピン17が突き出るようになっている。なお、ピン17とピン穴36との隙間はシール材(不図示)などで常にふさがっているため、基板3の吸着時にリークすることはない。 The pin holes 36 are formed so as to penetrate through the chuck 16 at three locations. When the lifting mechanism moves the chuck 16 in the -Z direction, the pin 17 relatively projects from the inside of the pin hole 36. Since the gap between the pin 17 and the pin hole 36 is always filled with a sealing material (not shown) or the like, no leak occurs when the substrate 3 is sucked.

吸着孔32は、チャック16の中央部に4個、中央部の周囲を囲む周縁部に16個(8個×2周分)形成されている。吸着孔32は、全て同じ径である。 Four suction holes 32 are formed in the central portion of the chuck 16, and 16 suction holes 32 (eight times two rounds) are formed in the peripheral portion surrounding the central portion. The suction holes 32 all have the same diameter.

ある領域内における全ての吸着孔32の断面積の合計を総孔面積(吸気孔の総面積)とすると、中央部の総孔面積よりも、周縁部の総孔面積の方が大きくなるように(第2領域に形成されている吸気孔の総面積が、第1領域と第2領域を足し合わせた領域に形成されている吸気孔の総面積の5割より大きくなるように)吸着孔32が形成されている。そのため、周縁部における単位面積当たりの総孔面積が、中央部と周縁部を足した領域における単位面積当たりの総孔面積よりも大きくなる。 Assuming that the total cross-sectional area of all the suction holes 32 in a certain area is the total hole area (total area of the intake holes), the total hole area of the peripheral portion is larger than the total hole area of the central portion. (So that the total area of the intake holes formed in the second area is larger than 50% of the total area of the intake holes formed in the area obtained by adding the first area and the second area) Are formed. Therefore, the total hole area per unit area in the peripheral portion is larger than the total hole area per unit area in the region where the central portion and the peripheral portion are added.

このように吸着孔32が形成されたチャック16を用いて、配管33を介して真空源33bが空間35の排気を行った場合、多くの割合で吸着孔32が形成されている周縁部のほうが中央部に比べて吸着力が大きくなる。 When the vacuum source 33b evacuates the space 35 via the pipe 33 by using the chuck 16 having the suction holes 32 formed in this way, the peripheral portion where the suction holes 32 are formed is more likely to occur in a larger proportion. The adsorption power is larger than that in the central part.

これにより、反り度合いが大きく搬入後においてリップシール31との隙間が大きく空いている場合であっても、瞬時に隙間をふさいでリークを防ぐことができる。同じ反り度合いの基板3であっても、同じ形状の吸着孔を一定の間隔で配置した場合に比べて基板3の反りを矯正しやすくなる。そのため、反り等の歪みに起因して生じる転写パターンの歪みを防ぐことができる。 Accordingly, even if the degree of warpage is large and the gap with the lip seal 31 is large after being carried in, the gap can be instantly closed to prevent leakage. Even if the substrates 3 have the same degree of warp, it is easier to correct the warp of the substrate 3 as compared with the case where the suction holes of the same shape are arranged at a constant interval. Therefore, the distortion of the transfer pattern caused by the distortion such as the warp can be prevented.

少なくとも1つの吸着孔32が、側面39bおよび底面39cの少なくとも一方に設けられていることが好ましい。側面39bに吸着孔32が設けられている状態とは、例えば図3に示す通りである。 It is preferable that at least one suction hole 32 is provided on at least one of the side surface 39b and the bottom surface 39c. The state where the suction holes 32 are provided on the side surface 39b is as shown in FIG. 3, for example.

基板保持面と基板3が接触している状態では、基板保持面に設けられた吸着孔32からは排気をしづらくなる。そのため、底面39cと基板3で挟まれた空間の排気が十分になされず、基板3の反りの矯正の度合いが足りない場合が生じうる。側面39b、底面39cの少なくとも一方に吸気孔32が設けられていれば、基板3の吸着中も底面39cと基板3で挟まれた空間の排気をおこなうことができて、反りを矯正することができる。 When the substrate holding surface and the substrate 3 are in contact with each other, it is difficult to exhaust air from the suction holes 32 provided in the substrate holding surface. Therefore, the space between the bottom surface 39c and the substrate 3 may not be sufficiently exhausted, and the degree of correction of the warp of the substrate 3 may be insufficient. If the air intake holes 32 are provided on at least one of the side surface 39b and the bottom surface 39c, the space between the bottom surface 39c and the substrate 3 can be exhausted even while the substrate 3 is adsorbed, and the warp can be corrected. it can.

さらに、側面39bに吸気孔32を設けた場合は、鉛直方向に加工する孔が少ない分、吸着孔32の形成に必要となる加工費用を削減することができる。 Further, when the intake holes 32 are provided on the side surface 39b, the number of holes to be machined in the vertical direction is small, so that the machining cost required to form the suction holes 32 can be reduced.

本実施形態の保持装置10であれば、下に凸の御椀型に反った基板だけでなく、上に凸の逆椀型に反った基板や、非対称的に反った基板であっても吸着し、平面矯正することができる。 With the holding device 10 of the present embodiment, not only the downwardly convex bowl-shaped warped substrate but also the upwardly convex inverted bowl-shaped warped substrate and the asymmetrically warped substrate are attracted. The surface can be straightened.

なお、図4に示す吸着孔32の配置において、中央部を、基板保持面における平面図形の中心を有し、当該平面図形を2/3以上4/5以下に縮小した図形の内側の領域と設定し、周縁部を、中央部とリップシール31との間の領域と設定しても良い。 In the arrangement of the suction holes 32 shown in FIG. 4, the central portion is the area inside the figure having the center of the plane figure on the substrate holding surface and reducing the plane figure to 2/3 or more and 4/5 or less. Alternatively, the peripheral portion may be set as a region between the central portion and the lip seal 31.

この場合、吸着孔32の配置は(周縁部の総孔面積/周縁部の面積)>(中央部と周縁部とを足し合わせた領域における総孔面積/(中央部と周縁部とを足し合わせた領域の面積)という関係を満たし、周縁部における単位面積当たりの総孔面積が、中央部と周縁部を足した領域における単位面積当たりの総孔面積よりも大きくなる。これにより、多くの割合で吸着孔32が形成されている周縁部において吸着力を大きくすることができる。 In this case, the suction holes 32 are arranged as follows: (total hole area of the peripheral portion/area of the peripheral portion)>(total hole area in a region obtained by adding the central portion and the peripheral portion/(adding the central portion and the peripheral portion) The total hole area per unit area in the peripheral area is larger than the total hole area per unit area in the area where the central area and the peripheral area are added. Thus, the suction force can be increased at the peripheral portion where the suction holes 32 are formed.

なお、『>』は右項よりも左項が大きいことを示す不等号記号である。『/』は割り算の意であり、例えば『(周縁部の総孔面積/周縁部の面積)』は、周縁部の総孔面積を、周縁部の面積で除した値のことを示す。本明細書中において、基板保持面における平面図形とは、基板保持面を基板3の搬入側から鉛直方向に見たときの輪郭形状を意味する。 ">" is an inequality sign indicating that the left term is larger than the right term. “/” means division, and for example, “(total hole area of peripheral portion/area of peripheral portion)” indicates a value obtained by dividing the total hole area of the peripheral portion by the area of the peripheral portion. In the present specification, the plan view of the substrate holding surface means a contour shape when the substrate holding surface is viewed in the vertical direction from the loading side of the substrate 3.

吸着孔32の配置は本実施形態に限られず、種々の変更が可能である。例えば、図5(a)に示す本実施形態の変形例のように、中央部に2個、周縁部に4個の吸着孔32を一軸上に形成しても良い。 The arrangement of the suction holes 32 is not limited to this embodiment, and various changes can be made. For example, as in the modified example of the present embodiment shown in FIG. 5A, two suction holes 32 may be formed in the central portion and four suction holes 32 may be formed in the peripheral portion uniaxially.

(実施例)
そこで、図5(a)に示すチャック16を用いて、チャック16の中央部よりも周縁部に吸着孔32を多く形成していることによる吸着効果を確かめた。外周側が中心よりも1.7mm鉛直上向きに沿っている御椀型の基板3の吸着動作を行った。また比較例として、図5(b)に示すように、中央部に6個の吸着孔48が形成されたチャック50と、チャック50の外周に沿って配置されたリップシール31を用いて、同じ反り度合いの基板の吸着動作を行った。
(Example)
Therefore, using the chuck 16 shown in FIG. 5A, the suction effect obtained by forming more suction holes 32 in the peripheral portion than in the central portion of the chuck 16 was confirmed. The suction operation of the bowl-shaped substrate 3 in which the outer peripheral side is arranged 1.7 mm vertically upward from the center is performed. As a comparative example, as shown in FIG. 5B, the same is obtained by using a chuck 50 having six suction holes 48 formed in the central portion and a lip seal 31 arranged along the outer periphery of the chuck 50. The suction operation of the substrate having the degree of warpage was performed.

弁34の付近に流量計を設置し、基板3を吸着するために必要な流量を計測した。 A flow meter was installed near the valve 34, and the flow rate required to adsorb the substrate 3 was measured.

その結果、図5(a)に示すチャック16では、2L/minの流量(排気流量)が必要であり、図5(b)に示すチャック50では20L/minの流量が必要であった。チャック16のほうが、反りの大きな基板を吸着する場合であっても、比較的少ない流量で吸着をすることができた。 As a result, the chuck 16 shown in FIG. 5A required a flow rate of 2 L/min (exhaust flow rate), and the chuck 50 shown in FIG. 5B required a flow rate of 20 L/min. The chuck 16 was able to adsorb at a relatively low flow rate even when adsorbing a substrate having a large warp.

本結果から、本実施形態に係るチャック16の構成によれば、低排気性能かつ小型の真空源33bを選択することが可能となることが分かった。これにより真空源33bの設置スペースの削減やコスト削減の効果がある。 From this result, it was found that the configuration of the chuck 16 according to the present embodiment makes it possible to select the vacuum source 33b having a low exhaust performance and a small size. This has the effect of reducing the installation space of the vacuum source 33b and reducing costs.

[第2の実施形態]
第1の実施形態に係る保持装置10とは、吸着孔37の大きさ及び吸着孔32、37の配置が異なる。
[Second Embodiment]
The holding device 10 according to the first embodiment is different in the size of the suction holes 37 and the arrangement of the suction holes 32 and 37.

図6は、第2の実施形態に係る保持装置10を+Z方向から見た図である。境界38には中央部と周縁部との境界を示しており、中央部は基板保持面における平面図形を4/5に縮小した図形の内側の領域である。周縁部は、基板保持面のうち、中央部とリップシール31の位置との間の領域である。 FIG. 6 is a view of the holding device 10 according to the second embodiment as seen from the +Z direction. The boundary 38 shows the boundary between the central portion and the peripheral portion, and the central portion is an area inside the figure obtained by reducing the planar figure on the substrate holding surface to 4/5. The peripheral portion is a region of the substrate holding surface between the central portion and the position of the lip seal 31.

チャック16は、中央部に2つの吸着孔32と、周縁部に4つの吸着孔37を有している。周縁部の1つの吸着孔37の孔面積は、中央部の1つの吸着孔32の孔面積の2倍以上である。また、吸着孔32はY軸方向に沿って配置され、吸着孔37はX軸方向に沿って配置されている。 The chuck 16 has two suction holes 32 in the central portion and four suction holes 37 in the peripheral portion. The hole area of one suction hole 37 at the peripheral portion is at least twice as large as the hole area of one suction hole 32 at the central portion. The suction holes 32 are arranged along the Y-axis direction, and the suction holes 37 are arranged along the X-axis direction.

本実施形態でも、周縁部における単位面積当たりの総孔面積が、中央部と周縁部を足した領域における単位面積当たりの総孔面積よりも大きい。中央部が基板保持面の平面図形を4/5に縮小した領域の場合であっても、この関係が成立するように吸着孔32を配置することによって、より基板の端側における吸着力が大きくなる。 Also in this embodiment, the total hole area per unit area in the peripheral portion is larger than the total hole area per unit area in the region obtained by adding the central portion and the peripheral portion. Even when the central portion is a region in which the plane figure of the substrate holding surface is reduced to 4/5, by arranging the suction holes 32 so that this relationship is established, the suction force on the edge side of the substrate becomes larger. Become.

これにより、第1の実施形態と同様、同じ形状の吸着孔を一定の間隔で配置した場合に比べて基板3の反りを矯正しやすくなる。そのため、反り等の歪みに起因して生じる転写パターンの歪みを防ぐことができる。あるいは、低排気速度の真空源33bを設置することによって、設置スペースの削減や、真空源33bに要するコストの低減を図ることができる。 This makes it easier to correct the warp of the substrate 3 as compared with the case where the suction holes of the same shape are arranged at regular intervals, as in the first embodiment. Therefore, the distortion of the transfer pattern caused by the distortion such as the warp can be prevented. Alternatively, by installing the vacuum source 33b having a low pumping speed, it is possible to reduce the installation space and the cost required for the vacuum source 33b.

また、周縁部における1つの吸着孔の孔面積を大きくすることによって、周縁部に形成する吸着孔32の数を減らしている。チャック16の内部において、中央から吸着孔32まで延伸する配管を形成する個数を低減でき、加工コストの低減を図ることができる。 Further, by increasing the hole area of one suction hole in the peripheral portion, the number of suction holes 32 formed in the peripheral portion is reduced. Inside the chuck 16, the number of pipes extending from the center to the suction holes 32 can be reduced, and the processing cost can be reduced.

前述の図で示したように全ての吸着孔32及び37が一直線上には並ばないように吸着孔32及び37を配置している。空間35内の負圧分布が一軸方向に偏ってしまうことを防いでいる。 All the suction holes 32 and 37 as shown in FIG. 6 above are arranged the suction holes 32 and 37 so as not aligned in a straight line. This prevents the negative pressure distribution in the space 35 from being uniaxially biased.

第1の実施形態、第2の実施形態共に、中央部に吸着孔32が無い場合であっても(周縁部における総孔面積が、中央部と周縁部とを足し合わせた領域の10割であっても)基板3を吸着することはできる。しかしながら、少なくとも1つの吸着孔32が中央部に形成されていることが好ましい。中央部に吸着孔32が1つも無いと、基板3の端から平面矯正される結果、基板3の中央で歪みが残る領域が生じるおそれがあるからである。 In both the first embodiment and the second embodiment, even when there is no suction hole 32 in the central portion (the total hole area in the peripheral portion is 100% of the total area of the central portion and the peripheral portion). The substrate 3 can be adsorbed (if any). However, it is preferable that at least one suction hole 32 is formed in the central portion. This is because if there is no suction hole 32 in the central portion, a plane may be corrected from the end of the substrate 3 and as a result, a region where distortion remains may occur in the center of the substrate 3.

[第3の実施形態]
図7は、第3の実施形態に係る保持装置10を+Z方向から見た図である。チャック16の吸着孔32は、同じ大きさ、同じ形状、一定間隔で形成されている。図7では、基板保持面における平面図形を2/3に縮小した領域を中央部としている。しかし、基板保持面における平面図形を2/3以上4/5以下に縮小した領域であれば構わない。
[Third Embodiment]
FIG. 7 is a view of the holding device 10 according to the third embodiment as seen from the +Z direction. The suction holes 32 of the chuck 16 have the same size, the same shape, and are formed at regular intervals. In FIG. 7, the central portion is a region in which the planar figure on the substrate holding surface is reduced to 2/3. However, any area may be used as long as the planar figure on the substrate holding surface is reduced to 2/3 or more and 4/5 or less.

中央部と周縁部のそれぞれの領域に属している吸着孔32と接続されている配管には、領域単位で開閉可能な弁(不図示)が設けられている。制御部55は、中央部に対応する弁と周縁部に対応する弁との開閉を制御する。制御部55は、排気中のあるタイミングで(周縁部に形成されている吸着孔32を介して行う排気の排気流量/周縁部の面積)>(中央部と周縁部を足し合わせた領域に形成されている吸着孔32を介して行う排気の排気流量/中央部と周縁部を足し合わせた領域の面積)を満たすように、中央部及び周縁部の吸着孔32のそれぞれでの排気流量の制御を行う。 The pipes connected to the suction holes 32 belonging to the respective regions of the central portion and the peripheral portion are provided with valves (not shown) that can be opened and closed in units of regions. The control unit 55 controls opening/closing of the valve corresponding to the central portion and the valve corresponding to the peripheral portion. The control unit 55 forms at a certain timing during the exhaust (exhaust gas flow rate of exhaust performed through the adsorption holes 32 formed in the peripheral portion/area of the peripheral portion)>(region formed by adding the central portion and the peripheral portion). Control of the exhaust flow rate in each of the central and peripheral suction holes 32 so as to satisfy (exhaust flow rate of exhaust gas performed through the suction holes 32/area of a region in which the central portion and the peripheral portion are added) I do.

例えば、制御部55は、中央部の吸着孔32のみを用いて基板3を引き寄せ、次に中央部の吸着孔32につながる配管の弁を閉じてから周縁部の吸着孔33のみで基板3を引き寄せる。このように制御すれば、一時的には、周縁部の吸着孔32のみを介して排気が行われる。このようにして、周縁部における吸着力を高めることができる。あるいは、低排気性能の真空源33bに切り替えることで、設置スペースの削減や、真空源33bに要するコストの低減を図ることができる。 For example, the control unit 55 draws the substrate 3 only by using the central suction hole 32, then closes the valve of the pipe connected to the central suction hole 32, and then holds the substrate 3 only by the peripheral suction hole 33. Attract. If controlled in this way, the gas is temporarily exhausted only through the suction holes 32 in the peripheral portion. In this way, the suction force at the peripheral portion can be increased. Alternatively, by switching to the vacuum source 33b having a low exhaust performance, it is possible to reduce the installation space and the cost required for the vacuum source 33b.

なお領域ごとの排気流量の調整は、中央部と周縁部とのそれぞれの弁の開き加減を調整して行っても良い。少なくとも、ある時刻において、周縁部における単位面積当たりの総排気流量が、全ての吸着孔32を介して排気を行う場合の単位面積あたりの総排気流量よりも多くなるときがあるようにそれぞれの領域での排気流量の制御ができれば構わない。 The adjustment of the exhaust gas flow rate for each region may be performed by adjusting the opening and closing of each valve in the central portion and the peripheral portion. At least at a certain time, the total exhaust flow rate per unit area in the peripheral portion may be larger than the total exhaust flow rate per unit area when exhausting through all the adsorption holes 32. It suffices if the exhaust flow rate can be controlled at.

他の例として、図8に示すようにチャック16が、チャック16の中心から外側に向かって順に、環状の凸部43、44を有していても良い。凸部43で囲まれた領域40には8つの吸着孔32が、凸部43と凸部44で囲まれた領域41には8つの吸着孔32が、凸部33より外側の領域42には8つの吸着孔32が設けられている。 As another example, as shown in FIG. 8, the chuck 16 may have annular convex portions 43 and 44 in order from the center of the chuck 16 toward the outside. The area 40 surrounded by the convex portion 43 has eight suction holes 32, the area 41 surrounded by the convex portions 43 and 44 has eight suction holes 32, and the area 42 outside the convex portion 33 has Eight suction holes 32 are provided.

領域40に含まれる吸着孔32は、弁45を真空源側に切り替えて排気をする。領域41に含まれる吸着孔32は、弁46を真空源側に切り替えて排気をする。領域42に含まれる吸着孔32は、弁47を真空源側に切り替えて排気をすることができる。弁45、46、47は制御部55と接続されており、制御部55によって、所定のタイミングに応じて基板3の吸着に用いる吸着孔32の切り替えを制御する。 The adsorption hole 32 included in the region 40 switches the valve 45 to the vacuum source side to exhaust gas. The adsorption hole 32 included in the region 41 switches the valve 46 to the vacuum source side to exhaust gas. The adsorption holes 32 included in the region 42 can switch the valve 47 to the vacuum source side to exhaust gas. The valves 45, 46, 47 are connected to the control unit 55, and the control unit 55 controls switching of the suction holes 32 used for suctioning the substrate 3 at a predetermined timing.

以上の、本実施形態は、基板3をチャック16まで搬送する搬送ハンド(不図示)がリップシール31に衝突することを防ぐ目的で、リップシール31の先端部の高さを基板保持面の高さに対してあまり高く構成することができない場合に適している。すなわち、基板3の搬入出時に、ピン17の高さとリップシール31の先端部の高さとの間が狭くなってしまう場合に適している。 As described above, in the present embodiment, the height of the tip of the lip seal 31 is set to the height of the substrate holding surface in order to prevent the transport hand (not shown) that transports the substrate 3 to the chuck 16 from colliding with the lip seal 31. It is suitable when it cannot be configured to be too high. That is, it is suitable when the height between the pin 17 and the height of the tip portion of the lip seal 31 becomes narrow when the substrate 3 is carried in and out.

リップシール31が十分に高い場合は、基板3の縁の反りが生じている部分と接触することが容易となるが、リップシール31の高さが低い場合は基板3の反りの大きさによっては接触することができず、空間35の排気を十分に行えなく恐れが生じる。 When the lip seal 31 is sufficiently high, it is easy to contact the edge of the substrate 3 where the warp occurs, but when the height of the lip seal 31 is low, depending on the magnitude of the warp of the substrate 3. There is a fear that they cannot contact each other and the space 35 cannot be exhausted sufficiently.

弁45、46、47の順で切り替えればリップシール31と基板3の先端の距離を徐々に狭めるように基板3を吸着できる。リップシール31と基板3が接触後は、領域42の吸着孔32の単位面積当たりの排気流量が、領域40および領域41の吸着孔32の単位面積あたりの排気流量より大きくなるように制御する。 By switching the valves 45, 46, 47 in this order, the substrate 3 can be adsorbed so that the distance between the lip seal 31 and the tip of the substrate 3 is gradually narrowed. After the lip seal 31 and the substrate 3 are in contact with each other, the exhaust flow rate per unit area of the suction holes 32 in the region 42 is controlled to be higher than the exhaust flow rate per unit area of the suction holes 32 in the regions 40 and 41.

これにより、リップシール31と搬送ハンドの接触を防ぎ、かつ、基板3の反りを矯正することができる。 As a result, the contact between the lip seal 31 and the transport hand can be prevented, and the warp of the substrate 3 can be corrected.

[その他の実施形態]
第1〜第3の実施形態において、基板3の搬入動作中に、弁34から真空源33bまでの間の空間を排気しておくことが好ましい。吸着動作開始の瞬間に一気に空間35内の空気を排気することができ、少ない排気流量の真空源33bであっても吸着することが容易となる。
[Other Embodiments]
In the first to third embodiments, it is preferable to evacuate the space between the valve 34 and the vacuum source 33b during the loading operation of the substrate 3. The air in the space 35 can be exhausted at a moment at the start of the adsorption operation, and even the vacuum source 33b with a small exhaust flow rate can easily adsorb.

第3の実施形態のように、吸着孔32の開放順序を制御する実施形態は、前述の他の実施形態に係る配置で吸着孔32が形成されたチャック16と組み合わせても良い。 The embodiment in which the opening order of the suction holes 32 is controlled as in the third embodiment may be combined with the chuck 16 in which the suction holes 32 are formed in the arrangement according to the other embodiments described above.

吸着孔32の形状は、円形状に限られない。楕円形でも四角形でも良い。リップシール31の先端が、規格により形成されているノッチやオリフラなどの切り欠き領域よりも内側になるようにリップシール31が設けられていることが好ましい。露光光がリップシール31に直接内側に照射されないようして、リップシール31の劣化を防ぐことができる。 The shape of the suction holes 32 is not limited to the circular shape. It may be oval or square. It is preferable that the lip seal 31 is provided such that the tip of the lip seal 31 is located inside a notch area such as a notch or orientation flat formed according to the standard. The lip seal 31 can be prevented from being deteriorated by preventing the exposure light from being directly irradiated to the inside of the lip seal 31.

吸着孔32の配置は、少なくとも、基板保持面の中心を通る一軸に対して対称的に形成されている方が好ましい。基板3の吸着力に非対称な分布が生じて局所的に平面矯正ができない領域ができることを防ぐことができる。 It is preferable that at least the suction holes 32 are arranged symmetrically with respect to one axis passing through the center of the substrate holding surface. It is possible to prevent a region where the planar correction cannot be locally formed due to an asymmetric distribution of the suction force of the substrate 3.

基板保持面上に、基板3との接触面積を減らすためにチャック16と一体に形成された複数のピン(不図示)が配置されていても良い。基板3との接触面積を減らすことによって保持面上のゴミが基板3に付着することを防ぐことができる。 A plurality of pins (not shown) integrally formed with the chuck 16 may be arranged on the substrate holding surface to reduce the contact area with the substrate 3. By reducing the contact area with the substrate 3, it is possible to prevent dust on the holding surface from adhering to the substrate 3.

さらに、リップシール31による空間の封止能力が足りない場合には、リップシール31よりも内側の基板保持面上に、チャック16と一体の環状の凸構造(図8)が形成されていても良い。補助的に空間を規定することで、基板3の中央部分の平面矯正を容易にする。ただし、リップシール31より内側かつ環状の凸構造より外側の空間を吸着して基板3の反りを矯正するための吸着孔32が、リップシール31より内側かつ環状の凸構造より外側に形成されている必要がある。 Further, when the space sealing ability of the lip seal 31 is insufficient, an annular convex structure ( FIG. 8 ) integral with the chuck 16 is formed on the substrate holding surface inside the lip seal 31 . good. By supplementarily defining the space, planar correction of the central portion of the substrate 3 is facilitated. However, an adsorption hole 32 for adsorbing a space inside the lip seal 31 and outside the annular convex structure to correct the warp of the substrate 3 is formed inside the lip seal 31 and outside the annular convex structure. Need to be

ただし、前述のピンやと環状の凸構造を形成した場合であっても、基板保持面の面積、中央部の面積、および周縁部の面積には、当該ピンや環状の凸構造による表面積の増加分は無いものとして取り扱う。 However, even when the above-mentioned pin or annular convex structure is formed, the area of the substrate holding surface, the area of the central portion, and the area of the peripheral portion increase the surface area due to the pin or annular convex structure. I will treat it as having no minutes.

チャック16および基板保持面における平面図形は円形に限らない。例えば、基板保持面が四角形の場合は、中央部は当該四角形の中心と同心の、当該四角形を2/3以上4/5以下に縮小した相似図形となる。 The planar figure on the chuck 16 and the substrate holding surface is not limited to the circular shape. For example, when the substrate holding surface is a quadrangle, the central portion is a similar figure that is concentric with the center of the quadrangle and that is reduced to 2/3 or more and 4/5 or less.

リップシール31は第1〜第3の実施形態のように水平面上に設けられていなくても良い。例えば、チャック16の側面に固定されていても良い。 The lip seal 31 does not have to be provided on the horizontal plane as in the first to third embodiments. For example, it may be fixed to the side surface of the chuck 16.

リップシール31の形状は、その先端がチャック16の中心を向いた形状をしていても良い(図9)。基板3の吸着動作に伴いリップシール31が中央部に変形しやすいことから、基板3がリップシール31に密着しやすくなり、基板3の周縁の反りを矯正しやすくなる。 The shape of the lip seal 31 may be such that the tip thereof faces the center of the chuck 16 (FIG. 9). Since the lip seal 31 is likely to be deformed to the central portion with the suction operation of the substrate 3, the substrate 3 is likely to be in close contact with the lip seal 31 and the warp of the peripheral edge of the substrate 3 is easily corrected.

あるいは、リップシール31の形状は、その断面が蛇腹形状であっても良い(図10)。リップシール31は剛性が低い方が基板3への密着性が良くなり好ましいが、製造工程における制約から所定の厚さ以下にすることが難しい。そこで、蛇腹形状のリップシール31を用いることで、基板3との接触部分の剛性を下げれば基板3がリップシール31に密着しやすくなり、基板3の周縁の反りを矯正しやすくなる。特に基板3の中心を通る1軸に対して対称的に反った基板3や、非対称形状の基板3を吸着する場合に適している。 Alternatively, the lip seal 31 may have a bellows-shaped cross section (FIG. 10). The lower the rigidity of the lip seal 31, the better the adhesion to the substrate 3, which is preferable, but it is difficult to reduce the thickness to a predetermined thickness or less due to restrictions in the manufacturing process. Therefore, by using the bellows-shaped lip seal 31, if the rigidity of the contact portion with the substrate 3 is reduced, the substrate 3 can easily adhere to the lip seal 31 and the warp of the peripheral edge of the substrate 3 can be easily corrected. In particular, it is suitable for adsorbing a substrate 3 that is symmetrically warped with respect to one axis passing through the center of the substrate 3 or an asymmetric substrate 3.

リップシール31を有する保持装置10は、基板3を吸着する前後で基板3が所定方向に10〜1000μm程度ずれることがある。リップシール31の製造工程により生じる個体差や取り付け誤差に起因する。この場合は、露光開始前に検出系8を用いて位置ずれを予め測定し、制御部18等が有する演算回路によって補正量を算出し、補正量を加味してステージ7、13を走査させる。これによりリップシール31に起因して生じる基板3の位置ずれを低減し、重ね合わせ精度の低下を防止することができる。 In the holding device 10 having the lip seal 31, the substrate 3 may deviate by about 10 to 1000 μm in the predetermined direction before and after the substrate 3 is adsorbed. This is due to individual differences and mounting errors caused by the manufacturing process of the lip seal 31. In this case, the positional deviation is measured in advance using the detection system 8 before the exposure is started, the correction amount is calculated by the arithmetic circuit included in the control unit 18 and the like, and the stages 7 and 13 are scanned with the correction amount taken into consideration. As a result, it is possible to reduce the positional deviation of the substrate 3 caused by the lip seal 31 and prevent the deterioration of the overlay accuracy.

リップシール31の角度は図2(a)に示す角度に限られず0〜180度の範囲で適宜変更しても良い。基板3との接点より外周側の基板3の平面矯正が困難になることも考慮しつつ、角度を小さくすれば、基板3とリップシール31が密着しやすくなる。 The angle of the lip seal 31 is not limited to the angle shown in FIG. 2A, but may be appropriately changed within the range of 0 to 180 degrees. If the angle is reduced while taking into consideration that it becomes difficult to correct the flat surface of the substrate 3 on the outer peripheral side of the contact point with the substrate 3, the substrate 3 and the lip seal 31 are likely to come into close contact with each other.

図4ではチャック16に直接リップシール31を固定しているが、別部品によりリップシール31を固定して交換を容易にしても良い。リップシール31を、基板3と接触する箇所を含む先端部分とそれ以外の部分とに分けて、摩耗した先端部分だけを交換できる構成としても良い。 Although the lip seal 31 is directly fixed to the chuck 16 in FIG. 4, the lip seal 31 may be fixed by another component to facilitate replacement. The lip seal 31 may be divided into a tip portion including a portion that comes into contact with the substrate 3 and a portion other than the tip portion, and only the worn tip portion may be replaced.

実施形態では、露光処理後の基板3の搬出時において、弁34を切り替えて大気開放を行う例を示した。しかし、吸着孔32とは別に、真空源33bとはつながっておらず、かつ大気空間につながっているような小さな孔を設けて空間35に大気を流入させても良い。 In the embodiment, an example has been shown in which the valve 34 is switched to open to the atmosphere when the substrate 3 after the exposure processing is carried out. However, in addition to the suction hole 32, a small hole that is not connected to the vacuum source 33b and is connected to the atmosphere space may be provided to allow the atmosphere to flow into the space 35.

本発明のリソグラフィ装置が、基板3に対して照射する光は、i線(波長365nm)に限られない。KrF光(波長248nm)やArF光(波長193nm)といった遠紫外線領域の光、可視光領域の光であるg線(波長436nm)でも構わない。 The light with which the lithographic apparatus of the present invention irradiates the substrate 3 is not limited to i-line (wavelength 365 nm). Light in the far ultraviolet region such as KrF light (wavelength 248 nm) or ArF light (wavelength 193 nm) or g-line (wavelength 436 nm) which is light in the visible light region may be used.

また、本発明のリソグラフィ装置は露光装置に限られない。荷電粒子線を基板3に照射して基板上に潜像パターンを形成する装置や、インプリント法により基板にパターンを形成する装置に適用しても構わない。 Further, the lithographic apparatus of the present invention is not limited to the exposure apparatus. It may be applied to an apparatus that irradiates a charged particle beam on the substrate 3 to form a latent image pattern on the substrate, or an apparatus that forms a pattern on the substrate by an imprint method.

[物品の製造方法]
本発明の一実施形態に係る物品(半導体集積回路素子、液晶表示素子、撮像素子、磁気ヘッド、CD−RW、光学素子、フォトマスク等)の製造方法は、リソグラフィ装置を用いて基板(ウエハやガラス板等)上にパターンを露光する工程と、露光された基板に対してエッチング処理及びイオン注入処理の少なくともいずれか一方を施す工程とを含む。さらに、他の周知の処理工程(現像、酸化、成膜、蒸着、平坦化、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含んでも良い。
[Production method]
A method of manufacturing an article (semiconductor integrated circuit device, liquid crystal display device, imaging device, magnetic head, CD-RW, optical device, photomask, etc.) according to an embodiment of the present invention uses a lithographic apparatus to produce a substrate (wafer or wafer). A step of exposing a pattern on a glass plate or the like) and a step of subjecting the exposed substrate to at least one of etching treatment and ion implantation treatment. Further, other known processing steps (development, oxidation, film formation, vapor deposition, planarization, resist peeling, dicing, bonding, packaging, etc.) may be included.

1 露光装置(リソグラフィ装置)
3 基板
16 チャック(保持部材)
31 リップシール(シール部材)
32 吸着孔(吸気孔)
35空間
1 Exposure equipment (lithography equipment)
3 substrate 16 chuck (holding member)
31 Lip seal (seal member)
32 Adsorption hole (intake hole)
35 spaces

Claims (12)

基板を保持する基板保持装置であって、
基板との間の空間を排気するための複数の吸気孔が設けられた保持部材と、
前記保持部材の段差部の低い方に設けられ、前記空間を規定する環状のシール部材と、を有し、
前記保持部材の保持面における平面図形の中心と同じ中心を有し、前記平面図形を2/3以上4/5以下に縮小した図形の内側である第1領域と、前記第1領域と前記シール部材との間の第2領域と、を設定した場合に、
(前記第2領域に設けられた吸気孔の総面積/前記第2領域の面積)>(前記第1領域と前記第2領域を足し合わせた領域に設けられた吸気孔の総面積/前記第1領域と前記第2領域を足し合わせた領域の面積)
を満たすように前記複数の吸気孔が設けられ、
前記複数の吸気孔は共通の管と連通しており、
前記保持部材に環状の凸部が前記シール部材の内側に設けられ、少なくとも1つの前記吸気孔は前記凸部で囲まれた領域に設けられ、少なくとも1つの前記吸気孔は前記凸部より外側の領域に設けられ、
前記凸部より外側の領域に設けられた、少なくとも1つの前記吸気孔は、前記シール部材に対面するように前記段差部の側面に設けられることを特徴とする基板保持装置。
A substrate holding device for holding a substrate, comprising:
A holding member provided with a plurality of intake holes for exhausting the space between the substrate and;
An annular seal member that is provided on the lower side of the step portion of the holding member and defines the space,
A first region having the same center as the center of the plane figure on the holding surface of the holding member and being inside the figure obtained by reducing the plane figure to 2/3 or more and 4/5 or less, the first region and the seal. If you set the second area between the member,
(Total area of intake holes provided in the second area/area of the second area)>(Total area of intake holes provided in an area obtained by adding the first area and the second area/the second area (Area of the area obtained by adding one area and the second area)
The plurality of intake holes are provided so as to satisfy
The plurality of intake holes communicate with a common pipe,
An annular convex portion is provided on the holding member inside the seal member, at least one of the intake holes is provided in an area surrounded by the convex portion, and at least one of the intake holes is outside the convex portion. Provided in the area,
The substrate holding device according to claim 1, wherein at least one of the intake holes provided in an area outside the convex portion is provided on a side surface of the step portion so as to face the sealing member.
基板を保持する基板保持装置であって、
基板との間の空間を排気するための複数の吸気孔が設けられた保持部材と、
前記保持部材の段差部の低い方に設けられ、前記空間を規定する環状のシール部材と、前記吸気孔を介して行う排気流量を制御する制御部と、を有し、
前記複数の吸気孔は共通の管と連通しており、
前記保持部材の保持面における平面図形の中心と同じ中心を有し、前記平面図形を2/3以上4/5以下に縮小した図形の内側である第1領域と、前記第1領域と前記シール部材との間の第2領域と、を設定した場合に、
前記制御部は、
(前記第2領域に設けられた吸気孔を介して行う排気の排気流量/第2領域の面積)>(前記第1領域と前記第2領域を足し合わせた領域に設けられた吸気孔を介して行う排気の排気流量/前記第1領域と前記第2領域を足し合わせた領域の面積)
を満たすように前記排気流量を制御して、
前記保持部材に環状の凸部が前記シール部材の内側に設けられ、少なくとも1つの前記吸気孔は前記凸部で囲まれた領域に設けられ、少なくとも1つの前記吸気孔は前記凸部より外側の領域に設けられ、
前記凸部より外側の領域に設けられた、少なくとも1つの前記吸気孔は、前記シール部材に対面するように前記段差部の側面に設けられることを特徴とする基板保持装置。
A substrate holding device for holding a substrate, comprising:
A holding member provided with a plurality of intake holes for exhausting the space between the substrate and;
An annular seal member that is provided at the lower side of the step portion of the holding member and that defines the space, and a control unit that controls an exhaust flow rate performed through the intake hole,
The plurality of intake holes communicate with a common pipe,
A first region having the same center as the center of the plane figure on the holding surface of the holding member and being inside the figure obtained by reducing the plane figure to 2/3 or more and 4/5 or less, the first region and the seal. If you set the second area between the member,
The control unit is
(Exhaust flow rate of exhaust gas performed through intake holes provided in the second region/area of the second region)> (through intake holes provided in a region obtained by adding the first region and the second region) (Exhaust flow rate of exhaust gas/area of area where the first area and the second area are added)
The exhaust flow rate is controlled to satisfy
An annular convex portion is provided on the holding member inside the seal member, at least one of the intake holes is provided in a region surrounded by the convex portion, and at least one of the intake holes is provided outside the convex portion. Provided in the area,
The substrate holding device according to claim 1, wherein at least one of the intake holes provided in a region outside the convex portion is provided on a side surface of the step portion so as to face the sealing member.
前記第1の領域には少なくとも1つの前記吸気孔が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の基板保持装置。 The substrate holding device according to claim 1, wherein at least one of the intake holes is provided in the first region. 前記第2の領域における1つの吸気孔の孔面積が、前記第1の領域における1つの吸気孔の孔面積の2倍以上であることを特徴とする請求項3に記載の基板保持装置。 The substrate holding device according to claim 3, wherein a hole area of one intake hole in the second region is twice or more as large as a hole area of one intake hole in the first region. 前記第1領域が前記平面図形を4/5に縮小した図形の内側であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板保持装置。 5. The substrate holding device according to claim 1, wherein the first region is inside a graphic obtained by reducing the planar graphic to 4/5. 前記保持部材に設けられている吸気孔は3つ以上あり、少なくとも3つの吸気孔が一直線上に無いことを特徴とすることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の基板保持装置。 The substrate according to claim 1, wherein there are three or more intake holes provided in the holding member, and at least three intake holes are not aligned. Holding device. 少なくとも1つの前記吸気孔は前記シール部材と対面するように前記段差部の側面に設けられていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の基板保持装置。 7. The substrate holding device according to claim 1, wherein at least one of the intake holes is provided on a side surface of the step portion so as to face the sealing member. 前記シール部材は、弾性の高分子材料であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の基板保持装置。 The substrate holding device according to claim 1, wherein the sealing member is made of an elastic polymer material. 基板を保持する基板保持装置であって、
基板との間の空間を排気するための吸気孔が設けられた保持部材と、
前記保持部材の段差部の低い方に設けられ、前記空間を規定する環状のシール部材と、を有し、
前記保持部材の保持面の中心と同心の円であって、かつ前記円の内側である第1領域の面積と前記円の外側である第2領域の面積とが互いに同じになる円を設定した場合に、
前記第2領域に設けられている吸気孔の総面積が、前記第1領域と前記第2領域を足し合わせた領域に設けられている吸気孔の総面積の5割より大きくなるように、前記吸気孔が設けられており、
前記保持部材に環状の凸部が前記シール部材の内側に設けられ、少なくとも1つの前記吸気孔は前記凸部で囲まれた領域に設けられ、少なくとも1つの前記吸気孔は前記凸部より外側の領域に設けられ、
前記凸部より外側の領域に設けられた、少なくとも1つの前記吸気孔は、前記シール部材に対面するように前記段差部の側面に設けられることを特徴とする基板保持装置。
A substrate holding device for holding a substrate, comprising:
A holding member provided with an intake hole for exhausting the space between the substrate and
An annular seal member that is provided on the lower side of the step portion of the holding member and defines the space,
A circle that is concentric with the center of the holding surface of the holding member and has the same area as the first area inside the circle and the area of the second area outside the circle is set. In case,
The total area of the intake holes provided in the second region is greater than 50% of the total area of the intake holes provided in the region obtained by adding the first region and the second region together. An intake hole is provided ,
An annular convex portion is provided on the holding member inside the seal member, at least one of the intake holes is provided in an area surrounded by the convex portion, and at least one of the intake holes is outside the convex portion. Provided in the area,
The substrate holding device according to claim 1, wherein at least one of the intake holes provided in an area outside the convex portion is provided on a side surface of the step portion so as to face the sealing member .
前記第2領域に設けられている吸気孔の総面積が、前記第1領域と前記第2領域を足し合わせた領域に設けられている吸気孔の総面積の10割以下となるように、前記吸気孔が設けられていることを特徴とする請求項9に記載の基板保持装置。 The total area of the intake holes provided in the second region is not more than 100% of the total area of the intake holes provided in the region where the first region and the second region are added. The substrate holding device according to claim 9, wherein an intake hole is provided. 請求項1乃至10のいずれか1項に記載の保持装置を有し、
前記保持装置で保持された基板に対してビームを照射し、前記基板上にパターンを形成することを特徴とするリソグラフィ装置。
A holding device according to any one of claims 1 to 10, comprising:
A lithographic apparatus, comprising: irradiating a beam on a substrate held by the holding device to form a pattern on the substrate.
請求項11に記載のリソグラフィ装置を用いて基板上にビームを照射する工程と、前記基板に対してエッチング処理及びイオン注入処理の少なくともいずれか一方を施す工程と、を有し、
前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
A step of irradiating a beam onto a substrate using the lithographic apparatus according to claim 11, and a step of subjecting the substrate to at least one of an etching process and an ion implantation process,
An article manufacturing method comprising: manufacturing an article from the substrate.
JP2015210712A 2014-11-28 2015-10-27 Substrate holding apparatus, lithographic apparatus, and article manufacturing method Active JP6732429B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/947,702 US9740109B2 (en) 2014-11-28 2015-11-20 Holding device, lithography apparatus, and method for manufacturing item
TW104139184A TWI596698B (en) 2014-11-28 2015-11-25 Holding device, lithography apparatus, and method for manufacturing item
KR1020150166921A KR102002582B1 (en) 2014-11-28 2015-11-27 Holding device, lithography apparatus, and method for manufacturing item
CN201510845119.3A CN105652601B (en) 2014-11-28 2015-11-27 Holding meanss, lithographic equipment and article manufacturing method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014242525 2014-11-28
JP2014242525 2014-11-28

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2016111343A JP2016111343A (en) 2016-06-20
JP2016111343A5 JP2016111343A5 (en) 2019-06-27
JP6732429B2 true JP6732429B2 (en) 2020-07-29

Family

ID=56124840

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015210712A Active JP6732429B2 (en) 2014-11-28 2015-10-27 Substrate holding apparatus, lithographic apparatus, and article manufacturing method

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6732429B2 (en)
KR (1) KR102002582B1 (en)
CN (1) CN105652601B (en)
TW (1) TWI596698B (en)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017054991A1 (en) 2015-09-28 2017-04-06 Asml Netherlands B.V. A substrate holder, a lithographic apparatus and method of manufacturing devices
JP2017211604A (en) * 2016-05-27 2017-11-30 株式会社大日本科研 Substrate sucking retainer and exposure device
JP6894034B2 (en) * 2016-07-25 2021-06-23 株式会社アドテックエンジニアリング Work suction holding method, work stage and exposure equipment
JP6774714B2 (en) * 2016-07-25 2020-10-28 株式会社アドテックエンジニアリング Work stage and exposure equipment
JP6978840B2 (en) * 2017-02-28 2021-12-08 株式会社Screenホールディングス Board processing equipment and board holding equipment
JP7007816B2 (en) * 2017-06-08 2022-01-25 株式会社ディスコ Chuck table
JP6894772B2 (en) * 2017-06-14 2021-06-30 日本特殊陶業株式会社 Vacuum chuck
JP7239388B2 (en) * 2019-05-09 2023-03-14 株式会社アドテックエンジニアリング Direct exposure system
JP7368263B2 (en) * 2020-02-14 2023-10-24 株式会社Screenホールディングス Substrate processing equipment and substrate processing method
JP7537926B2 (en) 2020-07-09 2024-08-21 株式会社ディスコ Chuck table for suction holding of wafer, and method for half-cutting wafer
JP6844804B1 (en) * 2020-11-25 2021-03-17 株式会社ブイ・テクノロジー Exposure device and exposure method
US20220319903A1 (en) * 2021-03-31 2022-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for substrate handling
CN114603200B (en) * 2022-05-12 2022-10-11 四川精诚致远门窗工程有限公司 Cutting device for door and window aluminum profiles

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03289154A (en) * 1990-04-05 1991-12-19 Toshiba Corp Chucking device of semiconductor wafer
JPH07183366A (en) * 1993-12-22 1995-07-21 Hitachi Electron Eng Co Ltd Air suction method of large glass substrate
US6809802B1 (en) * 1999-08-19 2004-10-26 Canon Kabushiki Kaisha Substrate attracting and holding system for use in exposure apparatus
JP2001215716A (en) * 2000-02-02 2001-08-10 Orc Mfg Co Ltd Separation mechanism for work and mask
JP2002009139A (en) * 2000-06-20 2002-01-11 Nikon Corp Electrostatic chuck
JP2002217276A (en) * 2001-01-17 2002-08-02 Ushio Inc Stage device
JP4666473B2 (en) * 2005-05-12 2011-04-06 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate heat treatment equipment
JP4899879B2 (en) * 2007-01-17 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium
JP2010249706A (en) * 2009-04-16 2010-11-04 Murata Mfg Co Ltd Suction head for electronic component conveying device
JP5555060B2 (en) * 2010-06-07 2014-07-23 ラピスセミコンダクタ株式会社 Protective tape peeling method
JP2012151418A (en) * 2011-01-21 2012-08-09 Topcon Corp Suction stage
US9022392B2 (en) * 2012-08-31 2015-05-05 United Microelectronics Corporation Chuck and semiconductor process using the same
JP2014195016A (en) * 2013-03-29 2014-10-09 Sharp Corp Semiconductor inspection device

Also Published As

Publication number Publication date
TW201622060A (en) 2016-06-16
CN105652601B (en) 2019-06-14
CN105652601A (en) 2016-06-08
KR102002582B1 (en) 2019-07-22
JP2016111343A (en) 2016-06-20
TWI596698B (en) 2017-08-21
KR20160065017A (en) 2016-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6732429B2 (en) Substrate holding apparatus, lithographic apparatus, and article manufacturing method
JP7243797B2 (en) Transport system, exposure apparatus, and transport method
KR102005649B1 (en) Substrate holding apparatus, lithography apparatus, and article manufacturing method
USRE48429E1 (en) Substrate holding method, substrate holding apparatus, exposure apparatus and exposure method
JP6855010B6 (en) Substrate holding device, exposure device and device manufacturing method
TWI607519B (en) Suction apparatus, carry-in method, carrier system and exposure apparatus, and device manufacturing method
US9740109B2 (en) Holding device, lithography apparatus, and method for manufacturing item
JP6708455B2 (en) Holding apparatus, holding method, lithographic apparatus, and article manufacturing method
JP2010129929A (en) Substrate holding apparatus, substrate holding method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2008103703A (en) Substrate retaining unit, exposure apparatus provided with substrate retaining unit, and device manufacturing method
KR102169894B1 (en) Chuck, substrate holding device, pattern forming device, and article manufacturing method
JP2001185607A (en) Substrate suction holding device and device manufacturing method
JP6362416B2 (en) Holding device, lithographic apparatus, and article manufacturing method
JP2004221296A (en) Substrate holding device and aligner, and device manufacturing method
JP2011124400A (en) Exposure apparatus and exposure method
JP2014138078A (en) Conveyance system and conveyance method, exposure device and exposure method, and method of manufacturing device
JP6844804B1 (en) Exposure device and exposure method
JP2000223388A (en) Stage and aligner
JP2023119554A (en) Substrate holding device, substrate holding method, lithography device, and manufacturing method for article
JPH10229116A (en) Substrate holder

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20181023

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190523

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190628

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190723

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190920

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200303

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200423

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200609

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200708

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6732429

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151